TW201825291A - 層合薄膜、層合薄膜之製造方法及led搭載基板 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於一種層合薄膜,其係具有厚度為10μm以上125μm以下之樹脂層、與形成於樹脂層之一側的面之碳粉層,樹脂層係具有玻璃轉移溫度為130℃以上之樹脂,碳粉層係具有複數之空隙,在碳粉層的表面及碳粉層的剖面之個別的面,使用表示露出之空隙之面積的比率之空隙面積率,將以下述式(S1)定義之值定為空隙率,作為碳粉層之剖面的空隙面積率,係使用對應碳粉層彼此正交之2方向的剖面之2種空隙面積率時,對應2種空隙面積率分別算出之空隙率皆為0.01%以上0.40%以下。
Description
本發明係關於層合薄膜、層合薄膜之製造方法及LED搭載基板。
本案係根據於2016年4月14日日本所申請之日本特願2016-081214號,主張優先權,並將其內容援用於此。
已知有於印刷配線基板之圖型上實裝直接元件,以樹脂密封之晶片型LED。由於晶片型LED有利於電子設備之小型化及/或薄型化,幅度廣泛地被使用在手機之數字小鍵盤照明、或小型液晶顯示器之背光等電子設備。作為以往之晶片型LED之印刷配線基板,係使用由熱硬化性樹脂組成物所構成之白色薄膜。
近年來,LED之高亮度化技術提昇顯著,LED更為高亮度化。惟,伴隨此,LED本身之發熱量亦增大,有印刷配線基板之周邊被曝露於高溫的情況。在如此 之高溫的環境下,有上述之白色薄膜因黃變導致反射率降低的情況。據此,期望在高溫的環境下,開發反射率不降低之白色薄膜。
專利文獻1中,揭示有於熱塑性樹脂由含有無機填充材之熱塑性樹脂組成物所構成之白色薄膜。專利文獻1之白色薄膜在波長400~800nm之可見光區域的平均反射率為73~81%。
[專利文獻1]國際公開第2009/069741號
然而,專利文獻1之白色薄膜的反射率於高溫的環境下,降低1%以上。因此,正尋求在可見光區域之反射率良好,且即使在高溫的環境下,反射率的降低更少之薄膜。
本發明係鑑於如此之事情而完成者,本發明之一態樣係以提供一種於高溫的環境下在可見光區域之反射率的降低較少之層合薄膜及其製造方法作為目的。又,以提供具備如此之層合薄膜的LED搭載基板作為目的。
本發明之一態樣,係提供一種層合薄膜,其 係具有厚度為10μm以上125μm以下之樹脂層、與形成於樹脂層之一側的面之碳粉層,樹脂層係具有玻璃轉移溫度為130℃以上之樹脂,碳粉層係具有複數之空隙。
在本發明之一態樣,係提供一種層合薄膜,其係從相對於碳粉層的表面為垂直之碳粉層之剖面的空隙面積率與前述表面的空隙面積率,依據下述式(S1)算出之碳粉層的空隙率、與從和前述剖面正交,且相對於碳粉層的表面為垂直之碳粉層之剖面的空隙面積率與前述表面的空隙面積率,依據式(S1)算出之碳粉層的空隙率的雙方為0.01%以上0.40%以下。
在本發明之一態樣,可為碳粉層的表面之空隙面積率為0.1%以上11%以下的構成。
在本發明之一態樣,可為碳粉層為白色之碳粉層的構成。
在本發明之一態樣,可為樹脂係將源自聚醯亞胺或羥基羧酸之構成單位作為液晶基之液晶聚酯的構成。
在本發明之一態樣,可為樹脂係將源自羥基羧酸之構成單位作為液晶基之液晶聚酯的構成。
在本發明之一態樣,可為液晶聚酯含有源自4-羥基苯甲酸或2-羥基-6-萘甲酸之構成單位的構成。
在本發明之一態樣,可為液晶聚酯係具有式(1)表示之重複單位、式(2)表示之重複單位、及式(3)表示之重複單位,包含2,6-萘基之重複單位的含量相對於全重複單位的合計莫耳數量,為40莫耳%以上的構成。
-O-Ar1-CO- (1)
-CO-Ar2-CO- (2)
-X-Ar3-Y- (3)[式(1)~式(3)中,Ar1~Ar3係互相獨立表示伸苯基、萘基或聯伸苯基,X及Y係互相獨立表示氧原子或亞胺基,Ar1~Ar3所包含之1個以上氫原子可互相獨立被鹵素原子、碳數1~10之烷基或碳數6~20之芳基取代]。
在本發明之一態樣,可為式(1)表示之重複單位為式(11)表示之重複單位,式(2)表示之重複單位為式(21)表示之重複單位,式(3)表示之重複單位為式(31)表示之重複單位之構成。
-O-Ar11-CO- (11)
-CO-Ar21-CO- (21)
-O-Ar31-O- (31)[式(11)、式(21)及式(31)中,Ar11、Ar21及Ar31係互相獨立表示1,4-伸苯基、1,3-伸苯基、2,6-萘基及4,4’-伸聯苯基,Ar11、Ar21及Ar31所包含之1個以上氫原子可互相獨立被鹵素原子、碳數1~10之烷基或碳數6~20之芳基取代]。
本發明之一態樣係提供一種層合薄膜之製造 方法,其係具有:具有玻璃轉移溫度為130℃以上之樹脂的樹脂層、與形成於樹脂層之一側的面,具有複數空隙之碳粉層的層合薄膜之製造方法,其特徵為包含將碳粉層藉由電子照相法形成之步驟。
本發明之一態樣係提供一種LED搭載基板,其係具備上述之層合薄膜、與設置於層合薄膜上之導體圖型、與和導體圖型連接之LED元件。
亦即,本發明係具有以下之態樣。
[1]一種層合薄膜,其係具有厚度為10μm以上125μm以下之樹脂層、與形成於前述樹脂層之一側的面之碳粉層,前述樹脂層係具有玻璃轉移溫度為130℃以上之樹脂,前述碳粉層係具有複數之空隙。
[2]如[1]之層合薄膜,其中,從相對於前述碳粉層的表面為垂直之碳粉層之剖面的空隙面積率與前述表面的空隙面積率,依據下述式(S1)算出之碳粉層的空隙率、與從和前述剖面正交,且相對於碳粉層的表面為垂直之碳粉層之剖面的空隙面積率與前述表面的空隙面積率,依據下述式(S1)算出之碳粉層的空隙率的雙方為0.01%以上0.40%以下,
(式(S1)中,表面之空隙面積率係意指相對於碳粉層的表面之面積的表面所露出之空隙之面積的比率,剖面之空隙面積率係意指相對於碳粉層的剖面之面積的剖面所露出 之空隙之面積的比率)。
[3]如[1]或[2]之層合薄膜,其中,前述碳粉層的表面之空隙面積率為0.1%以上11%以下。
[4]如[1]~[3]中任一項之層合薄膜,其中,前述碳粉層為白色之碳粉層。
[5]如[1]~[4]中任一項之層合薄膜,其中,前述樹脂係將源自聚醯亞胺或羥基羧酸之構成單位作為液晶基之液晶聚酯。
[6]如[1]~[4]中任一項之層合薄膜,其中,前述樹脂係將源自羥基羧酸之構成單位作為液晶基之液晶聚酯。
[7]如[5]或[6]之層合薄膜,其中,前述液晶聚酯係含有源自4-羥基苯甲酸或2-羥基-6-萘甲酸之構成單位。
[8]如[5]~[7]中任一項之層合薄膜,其中,前述液晶聚酯係具有式(1)表示之重複單位,式(2)表示之重複單位,式(3)表示之重複單位,包含2,6-萘基之重複單位的含量,相對於全重複單位的合計莫耳數量,為40莫耳%以上,-O-Ar1-CO- (1)
-CO-Ar2-CO- (2)
-X-Ar3-Y- (3)[式(1)~式(3)中,Ar1~Ar3係互相獨立表示伸苯基、萘基或聯伸苯基,X及Y係互相獨立表示氧原子或亞胺基,Ar1~Ar3所包含之1個以上氫原子係互相獨立可被鹵素原子、碳數1~10之烷基或碳數6~20之芳基取 代]。
[9]如[8]之層合薄膜,其中,前述式(1)表示之重複單位為式(11)表示之重複單位,前述式(2)表示之重複單位為式(21)表示之重複單位,前述式(3)表示之重複單位為式(31)表示之重複單位,-O-Ar11-CO- (11)
-CO-Ar21-CO- (21)
-O-Ar31-O- (31)[式(11)、式(21)及式(31)中,Ar11、Ar21及Ar31係互相獨立表示1,4-伸苯基、1,3-伸苯基、2,6-萘基及4,4’-伸聯苯基,Ar11、Ar21及Ar31所包含之1個以上氫原子可互相獨立被鹵素原子、碳數1~10之烷基或碳數6~20之芳基取代]。
[10]一種層合薄膜之製造方法,其係具有:具有玻璃轉移溫度為130℃以上之樹脂的樹脂層、與形成於前述樹脂層之一側的面,具有複數空隙之碳粉層的層合薄膜之製造方法,其特徵為包含將前述碳粉層藉由電子照相法形成之步驟。
[11]一種LED搭載基板,其係具備如[1]~[9]中任一項之層合薄膜、與設置於前述層合薄膜上之導體圖型、與和前述導體圖型連接之LED元件。
[12]一種LED搭載基板,其係具備如[1]~[9]中任一項之層合薄膜、與設置於前述層合薄膜上之導體圖型、與搭載於層合薄膜之碳粉層上,且和前述導體圖型連接之 LED元件。
根據本發明之一態樣,提供一種在可見光區域之反射率高,即使在高溫的環境下,反射率的降低少之層合薄膜及其製造方法。又,一併提供一種具備如此之層合薄膜的LED搭載基板。
1‧‧‧樹脂層
2‧‧‧碳粉層
10‧‧‧層合薄膜
11‧‧‧金屬層
20‧‧‧導體圖型
30‧‧‧接合引線
100‧‧‧LED搭載基板
200‧‧‧LED(LED元件)
[圖1]示意性表示本實施形態之層合薄膜10的剖面圖。
[圖2]示意性表示本實施形態之LED搭載基板100的剖面圖、及表示其製造方法之步驟圖。
以下,針對本發明之層合薄膜的實施形態進行說明。尚,在以下全部的圖面,由於容易觀察到圖面,各構成要素之尺寸或比率等適當地不同。
本實施形態之層合薄膜係具有樹脂層、與形成於樹脂層之一側的面之碳粉層。
圖1係示意性表示本實施形態之層合薄膜10之剖面 圖。如圖1所示,本實施形態之層合薄膜10係具有樹脂層1、與形成於樹脂層1之一側的面之碳粉層2。
樹脂層1的厚度為10μm以上125μm以下,較佳為10μm以上50μm以下。樹脂層1的厚度為10μm以上時,充分得到樹脂層1本身之強度。樹脂層1的厚度為125μm以下時,由於樹脂層1本身的柔軟性足夠,故容易操作。在本說明書,樹脂層1的厚度係藉由千分尺在樹脂層之任意9點進行測定,可藉由算出其平均值獲得。
樹脂層1係具有玻璃轉移溫度為130℃以上之樹脂。
作為本發明之另一個側面,樹脂層1較佳為具有玻璃轉移溫度為130℃以上260℃以下之樹脂。
在本發明,樹脂層之玻璃轉移溫度可藉由後述之實施例所記載之方法測定。
樹脂層1由於具有玻璃轉移溫度為上述之130℃以上充分高之樹脂,於此上適用將後述之電子照相法等之高溫的熱處理作為必要之製程,即使形成碳粉層2,亦可抑制樹脂層1之著色或變質等。又,將包含樹脂層1之層合薄膜10適用在LED搭載基板的情況下,藉由LED本身之發熱即使樹脂層1被曝露於高溫,亦可抑制樹脂層1之著色或變質等。
作為構成樹脂層1之樹脂之例,較佳為將源 自聚醯亞胺或羥基羧酸之構成單位作為液晶基之液晶聚酯,更佳為將源自羥基羧酸之構成單位作為液晶基之液晶聚酯。在本說明書所謂「源自」,係意指由於聚合前述聚醯亞胺、羥基羧酸等之化合物,而使化學構造變化。於此,所謂液晶基,係指液晶分子之中所包含之其形狀為棒狀或板狀者,沿著該長鏈包含剛性高之分子鏈之基。在本實施形態,液晶基雖可存在於液晶聚酯之主鏈或側鏈之任一者或雙方,但由於提高液晶聚酯之耐熱性,故較佳為存在於主鏈。
在本實施形態,液晶聚酯較佳為含有源自4-羥基苯甲酸或2-羥基-6-萘甲酸之構成單位。
本實施形態之液晶聚酯較佳為具有式(1)表示之重複單位(以下,有時稱為「重複單位(1)」)、式(2)表示之重複單位(以下,有時稱為「重複單位(2)」)及式(3)表示之重複單位(以下,有時稱為「重複單位(3)」)。
-O-Ar1-CO- (1)
-CO-Ar2-CO- (2)
-X-Ar3-Y- (3)[式(1)~式(3)中,Ar1~Ar3係互相獨立表示伸苯基、萘基或聯伸苯基。X及Y係互相獨立表示氧原子或亞胺基。Ar1~Ar3所包含之1個以上氫原子可互相獨立被鹵素原子、碳數1~10之烷基或碳數6~20之芳基取代]。
作為鹵素原子之例,可列舉氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。
作為碳數1~10之烷基之例,可列舉甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基、n-己基、2-乙基己基、n-辛基或n-癸基。
作為碳數6~20之芳基之例,可列舉苯基、o-甲苯基、m-甲苯基、p-甲苯基、1-萘基或2-萘基。
前述氫原子被此等之基取代的情況下,該數較佳為Ar1~Ar3表示之基(伸苯基、萘基或聯伸苯基)每一個彼此獨立為2個以下,更佳為1個。
進而,從液晶聚酯之耐熱性的提昇或容易成形的觀點來看,更佳為重複單位(1)為式(11)表示之重複單位,重複單位(2)為式(21)表示之重複單位,重複單位(3)為式(31)表示之重複單位。
-O-Ar11-CO- (11)
-CO-Ar21-CO- (21)
-O-Ar31-O- (31)[式(11)、式(21)及式(31)中,Ar11、Ar21及Ar31係互相獨立表示1,4-伸苯基、1,3-伸苯基、2,6-萘基及4,4’-伸聯苯基。Ar11、Ar21及Ar31所包含之1個以上氫原子可互相獨立被鹵素原子、碳數1~10之烷基或碳數6~20之芳基取代]。
尚,鹵素原子、碳數1~10之烷基及碳數6~ 20之芳基係與式(1)~(3)之說明相同。
重複單位(11)較佳為源自以下之芳香族羥基羧酸之重複單位。
作為重複單位(11),較佳為Ar11為1,4-伸苯基,亦即為源自4-羥基苯甲酸之重複單位。
作為重複單位(11),較佳為Ar11為1,3-伸苯基,亦即為源自3-羥基苯甲酸之重複單位。
作為重複單位(11),較佳為Ar11為2,6-萘基,亦即為源自2-羥基-6-萘甲酸之重複單位。
作為重複單位(11),較佳為Ar11為4,4’-伸聯苯基,亦即為源自4-(4-羥基苯基)苯甲酸之重複單位。
重複單位(21)較佳為源自以下之芳香族二羧酸之重複單位。
作為重複單位(21),較佳為Ar21為1,4-伸苯基,亦即為源自對苯二甲酸之重複單位。
作為重複單位(21),較佳為Ar21為1,3-伸苯基,亦即為源自間苯二甲酸之重複單位。
作為重複單位(21),較佳為Ar21為2,6-萘基,亦即為源自2,6-萘二羧酸之重複單位。
作為重複單位(21),較佳為Ar21為4,4’-伸聯苯基,亦即為源自4,4’-聯苯二羧酸之重複單位。
重複單位(31)較佳為源自以下之芳香族二醇之重複單位。
作為重複單位(31),較佳為Ar31為1,4-伸苯基,亦 即為源自1,4-苯二酚之重複單位。
作為重複單位(31),較佳為Ar31為1,3-伸苯基,亦即為源自1,3-苯二酚之重複單位。
作為重複單位(31),較佳為Ar31為2,6-萘基,亦即為源自2,6-萘二醇之重複單位。
作為重複單位(31),較佳為Ar31為4,4’-伸聯苯基,亦即為源自聯苯-4,4’-二醇之重複單位。
如上述,此等之化合物之苯環或萘環之1個以上氫原子可互相獨立被鹵素原子、碳數1~10之烷基或碳數6~20之芳基取代。
在本實施形態之液晶聚酯,包含2,6-萘基之重複單位的含量,相對於全重複單位的合計莫耳數量,較佳為40莫耳%以上,更佳為50莫耳%以上,再更佳為60莫耳%以上,特佳為70莫耳%以上。
作為本發明另一個側面,在本實施形態之液晶聚酯,包含2,6-萘基之重複單位的含量,較佳為相對於全重複單位的合計莫耳數量,較佳為40莫耳%以上95莫耳%以下,更佳為50莫耳%以上90莫耳%以下,再更佳為60莫耳%以上85莫耳%以下,特佳為70莫耳%以上80莫耳%以下。
於此,所謂全重複單位之合計莫耳數量,係指藉由液晶聚酯中之各重複單位的總質量除以各重複單位之式量,求得各重複單位之物質量相當量(莫耳),合計該等之值。
重複單位(1)的含量相對於全重複單位的合計莫耳數量,較佳為30莫耳%以上80莫耳%以下,更佳為40莫耳%以上70莫耳%以下,再更佳為45莫耳%以上65莫耳%以下。
重複單位(2)的含量相對於全重複單位的合計莫耳數量,較佳為10莫耳%以上35莫耳%以下,更佳為15莫耳%以上30莫耳%以下,再更佳為17.5莫耳%以上27.5莫耳%以下。
重複單位(3)的含量相對於全重複單位的合計莫耳數量,較佳為10莫耳%以上35莫耳%以下,更佳為15莫耳%以上30莫耳%以下,再更佳為17.5莫耳%以上27.5莫耳%以下。
本實施形態之液晶聚酯係如上述,係以全重複單位之合計莫耳數量成為100莫耳%的方式含有各重複單位而構成。亦即,所謂全重複單位之合計莫耳數量,係指液晶聚酯中之重複單位(1)、重複單位(2)、重複單位(3)、及重複單位(1)~(3)以外之全部重複單位的合計莫耳數量。具有如此之預定重複單位組成的液晶聚酯係耐熱性優異且容易成形。尚,重複單位(2)的含量與重複單位(3)的含量較佳為實質上相等。亦即,[重複單位(2)的含量]/[重複單位(3)的含量]表示之比較佳為0.8~1.2,更佳為0.9~1.1。液晶聚酯在不損及本發明的效果的範圍,可具有重複單位(1)~(3)以外之重複單位。重複單位(1)~(3)以外之重複單位的含量相對 於全重複單位的合計莫耳數量,較佳為10莫耳%以下,更佳為5莫耳%以下。
作為耐熱性優異,且容易成形之液晶聚酯的典型之例,可列舉具有以下重複單位組成之液晶聚酯。例如、液晶聚酯中之相對於全重複單位的合計莫耳數量,較佳為具有40莫耳%以上74.8莫耳%以下之Ar1為2,6-萘基之重複單位(1),亦即為源自2-羥基-6-萘甲酸之重複單位,更佳為具有40莫耳%以上64.5莫耳%以下,再更佳為具有50莫耳%以上58莫耳%以下。
同時,較佳為具有12.5莫耳%以上30莫耳%以下之Ar2為2,6-萘基之重複單位(2),亦即為源自2,6-萘二羧酸之重複單位,更佳為具有17.5莫耳%以上30莫耳%以下,再更佳為具有20莫耳%以上25莫耳%以下。
進而同時,液晶聚酯中之相對於全重複單位的合計莫耳數量,較佳為具有0.2莫耳%以上15莫耳%以下之Ar2為1,4-伸苯基之重複單位(2),亦即為源自對苯二甲酸之重複單位,更佳為具有0.5莫耳%以上12莫耳%以下,再更佳為具有2莫耳%以上10莫耳%以下。
進而同時,液晶聚酯中之相對於全重複單位的合計莫耳數量,較佳為具有12.5莫耳%以上30莫耳%以下之Ar3為1,4-伸苯基之重複單位(3),亦即為源自1,4-苯二酚之重複單位,更佳為具有17.5莫耳%以上30莫耳%以下,再更佳為具有20莫耳%以上25莫耳%以下。
進而同時,Ar2為2,6-萘基之重複單位(2)的含量,相對於Ar2為2,6-萘基之重複單位(2)及Ar2為1,4-伸苯基之重複單位(2)之合計的含量,較佳為0.5莫耳倍以上,更佳為0.6莫耳倍以上。
亦即,Ar2為2,6-萘基之重複單位(2)的含量,相對於Ar2為2,6-萘基之重複單位(2)及Ar2為1,4-伸苯基之重複單位(2)之合計的含有莫耳數量,較佳為50莫耳%以上,更佳為60莫耳%以上。
液晶聚酯之流動開始溫度較佳為280℃以上,更佳為290℃以上,再更佳為295℃以上。液晶聚酯之流動開始溫度較佳為380℃以下,更佳為350℃以下。液晶聚酯之流動開始溫度為280℃以上時,可充分提昇耐熱性或熔融張力。液晶聚酯之流動開始溫度為380℃以下時,為了熔融,不需高溫,成形時液晶聚酯難以熱劣化。
亦即,液晶聚酯之流動開始溫度較佳為280℃以上380℃以下,更佳為290℃以上360℃以下,再更佳為290。℃以上350℃以下,特佳為295℃以上340℃以下。
於此,流動開始溫度亦被稱為流(Flow)溫度或流動溫度,作為液晶聚酯之分子量的標準。所謂流動開始溫度,使用具有內徑1mm、長度10mm之噴嘴之毛細管流變儀,在9.8MPa(100kg/cm2)的荷重下,以4℃/分鐘之昇溫速度將液晶聚酯之加熱熔融體從噴嘴擠出時,表示顯示熔融黏度為4800Pa.s(48,000泊(Poise))之溫度。
樹脂層1較佳為於上述之樹脂含有填充材等之樹脂組成物。
作為填充材之例,可列舉磨碎玻璃纖維、短切玻璃纖維等之玻璃纖維、鈦酸鉀晶鬚、氧化鋁晶鬚、硼酸鋁晶鬚、碳化矽晶鬚、氮化矽晶鬚等之金屬或非金屬系晶鬚類、玻璃珠、中空玻璃球、玻璃粉末、雲母、滑石、黏土、二氧化矽、氧化鋁、鈦酸鉀、鈣矽石、碳酸鈣(重質、輕質、膠質等)、碳酸鎂、鹼性碳酸鎂、硫酸鈉、硫酸鈣、硫酸鋇、亞硫酸鈣、氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鈣、矽酸鈣、石英砂、矽石、石英、氧化鈦、氧化鋅、氧化鐵、石墨(Graphite)、石棉、二氧化矽氧化鋁纖維、氧化鋁纖維、石膏纖維、碳纖維、碳黑、白碳、矽藻土、膨潤土、絹雲母、白砂、及石墨。
此等當中,優選使用二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦。作為樹脂,使用液晶聚酯的情況下,藉由將填充材,較佳為無機填充材摻合在液晶聚酯,可降低所得之液晶聚酯組成物的熔融黏度,使得於低溫之擠出成形變可能。
此等之填充材可1種單獨使用,亦可任意組合2種以上併用。
此等之填充材如有必要可為經表面處理者。作為表面處理劑之例,可列舉矽烷系耦合劑、鈦酸酯系耦合劑、硼烷系耦合劑等之反應性耦合劑、或高級脂肪酸、高級脂肪酸酯、高級脂肪酸金屬鹽、氟碳系界面活性劑等 之潤滑劑。
在本發明,前述填充材之體積平均粒徑較佳為0.05μm以上0.50μm,再更佳為0.10μm以上0.30μm以下。
填充材之粒徑例如可藉由依照JIS R1629之雷射繞射散射法測定,可將粒度分布之體積平均作為體積平均粒徑。
填充材之摻合量相對於樹脂100質量份,較佳為0.1質量份以上20質量份以下,更佳為0.5質量份以上15質量份以下,再更佳為0.5質量份以上10質量份以下。填充材的含量較0.1質量份更少時,減低液晶聚酯組成物之熔融黏度困難,較20質量份更多時,有液晶聚酯組成物之熔融張力變不夠充分的情況。
亦即,若相對於樹脂100質量份之填充材的摻合量為0.1質量份以上,減低液晶聚酯組成物之熔融黏度,若為20質量份以下,液晶聚酯組成物之熔融張力變充分。
樹脂組成物中,於填充劑之外,可含有上述之樹脂以外的熱塑性樹脂或添加劑等。樹脂組成物全體所佔有之上述之樹脂的比例較佳為80質量%以上,更佳為90質量%以上。
作為本發明之另一個側面,前述樹脂的比例較佳為80質量%以上97質量%以下,更佳為90質量%以上95質量%以下。
作為上述之樹脂以外之熱塑性樹脂之例,可 列舉聚碳酸酯、聚碸、聚伸苯基醚、聚醚酮或聚醚醯亞胺。
作為添加劑之例,可列舉氟樹脂、金屬皂類等之脫模改良劑、成核劑、抗氧化劑、安定劑、滑劑、著色防止劑、紫外線吸收劑、潤滑劑或難燃劑。
圖1所示之碳粉層2係由以往周知之電子照相法所使用之碳粉所形成。碳粉層2係於其表面及內部具有複數之空隙。較佳為從相對於碳粉層2的表面為垂直之剖面的空隙面積率與前述碳粉層2的表面的空隙面積率,依據下述式(S1)算出之碳粉層2的空隙率、與從和前述剖面正交,且相對於碳粉層2的表面為垂直之碳粉層2之剖面的空隙面積率與前述表面的空隙面積率,依據式(S1)算出之碳粉層2的空隙率的雙方為0.01%以上0.40%以下。
本發明之另一個側面,係一種層合薄膜,其係具有厚度為10μm以上125μm以下之樹脂層、與形成於前述樹脂層之一側的面之碳粉層,前述樹脂層係具有玻璃轉移溫度為130℃以上之樹脂,前述碳粉層係具有複數之空隙,係從相對於前述碳粉層的表面為垂直之碳粉層之剖面的空隙面積率與前述的表面的空隙面積率,依據前述式 (S1)算出之碳粉層的空隙率、與從和前述剖面正交,且相對於碳粉層的表面為垂直之碳粉層之剖面的空隙面積率與前述表面的空隙面積率,依據前述式(S1)算出之碳粉層的空隙率的雙方為0.01%以上0.70%以下的層合薄膜。
於此,所謂“碳粉層的表面”,係意指與和碳粉層之樹脂層接處之面對向之面。所謂“碳粉層的表面之空隙面積率”,係意指相對於碳粉層2的表面之面積之前述表面所露出之空隙之面積的比率,所謂“碳粉層之剖面的空隙面積率”,係意指相對於碳粉層2之剖面的面積之剖面所露出之空隙之面積的比率。
此表面之空隙面積率及剖面的空隙面積率可藉由以下之方法求得。表面之空隙面積率及剖面之空隙面積率可將碳粉層2的表面及剖面藉由周知之圖像解析裝置進行2值圖像處理求得。於此所謂2值圖像處理,係指將有濃淡之圖像變換成白色與黑色之2諧調的處理。在本發明,表面及剖面之空隙,例如係以黑色表示。具體而言,從藉由周知之圖像解析裝置所得之2次元圖像,算出表面之空隙面積率、與相對於彼此正交之2方向的個別之剖面的空隙面積率。在此測定,空隙面積率係將相對於周知之圖像解析裝置的測定面積(通常約0.2~0.7mm2)之空隙之面積的比例以百分率給予之值。亦即,在本發明之空隙面積率係將相對於單位面積之前述單位面積中之空隙的比例以百分率表示之值。作為周知之圖像解析裝置之例,可列舉股份有限公司Nireco製之「Luzex(商標註冊)」。
相對於碳粉層的表面為垂直之剖面的空隙面積率,將碳粉層於其厚度方向,從表面垂直地藉由截切刀等之切斷手段進行切斷所得之剖面,藉由圖像解析裝置進行圖像處理而求得。與前述剖面正交,且相對於碳粉層的表面為垂直之剖面的空隙面積率,於將碳粉層與前述剖面正交之方向,且於碳粉層之厚度方向,從表面垂直地藉由截切刀等之切斷手段進行切斷所得之剖面,藉由圖像解析裝置進行圖像處理而求得。作為如此之2個剖面之組合的具體例,可列舉沿著形成碳粉層時之碳粉的塗佈方向(以下,有時稱為MD方向),於碳粉層之厚度方向,將碳粉層從表面垂直地藉由切斷手段進行切斷所得之剖面、與沿著相對於前述MD方向垂直之方向(以下,有時稱為TD方向),於碳粉層之厚度方向,將碳粉層從表面垂直地藉由切斷手段進行切斷所得之剖面。若2個剖面為正交之關係,可切斷碳粉層之任一處。剖面如有必要可於研磨後進行2值圖像處理。
可見光區域之光由於於碳粉層2的表面附近反射,故相對於在可見光區域之反射率,碳粉層2的表面之空隙面積率的貢獻大。碳粉層的表面之空隙面積率較佳為0.1%以上11%以下。藉由碳粉層2的表面之空隙面積率為上述的範圍,可充分提高在可見光區域之反射率。
作為本發明之另一個側面,較佳為碳粉層2的表面之空隙面積率為0.1%以上5.0%以下。
用以形成碳粉層2之碳粉的平均粒徑,由於 容易將碳粉層2之空隙率及表面之空隙面積率控制在上述的範圍,故較佳為3μm以上15μm以下。碳粉之平均粒徑,例如可藉由電氣感應區法測定。
碳粉層2之厚度為5μm以上50μm以下,較佳為10μm以上30μm以下。碳粉層2之厚度為上述的範圍時,可充分提高在可見光區域之反射率。上述之碳粉的平均粒徑可因應碳粉層2之所期望厚度適當決定。
將本實施形態之層合薄膜10適用在LED之印刷配線基板的情況下,較佳為碳粉層2為白色之碳粉層。
一般而言,電子照相法所使用之碳粉係包含黏結劑樹脂、著色劑、蠟、及電荷控制劑。於本實施形態,通常使用電子照相法所使用之碳粉。
作為黏結劑樹脂之例,電子照相法所使用之樹脂,例如可列舉聚酯樹脂或苯乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物。
例如,適合為多元羧酸與多元醇藉由脫水縮合所得之聚酯樹脂。
作為多元羧酸之例,可列舉對苯二甲酸、間苯二甲酸、苯二甲酸、偏苯三酸、苯均四酸、萘二羧酸等之芳香族羧酸類、馬來酸、富馬酸、琥珀酸、己二酸等之脂肪族羧酸類、環己烷二羧酸等之脂環式羧酸類等。可使用此等之羧酸之酐或低級烷酯。此等當中,適合為芳香族羧酸或其酐、低級烷酯。
此等之多元羧酸可1種單獨使用,亦可任意 組合2種以上併用。
作為多元醇之例,可列舉乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇、丁烷二醇、己烷二醇、新戊二醇、甘油、三羥甲基丙烷、季戊四醇等之脂肪族二醇類、環己烷二醇、環己烷二甲醇、氫化雙酚A等之脂環式二醇類、雙酚A之氧化乙烯加成物、雙酚A之氧化丙烯加成物等之芳香族二醇類等。
此等之多元醇可1種單獨使用,亦可任意組合2種以上併用。
於藉由多元羧酸與多元醇之脫水縮合所得之聚酯樹脂,可進一步加入選自單羧酸、其酐或酯、單醇等當中之至少1種的化合物。如此進行,可酯化聚合末端之羥基或羧基中之任一者或雙方,調整聚酯樹脂之酸價。
著色劑較佳為白色顏料。作為白色顏料之例,電子照相法所使用之白色顏料,例如可列舉氧化鈦或硫酸鋇、氧化鋁、碳酸鈣、氧化鋅、氧化矽等,較佳為氧化鈦。
作為蠟之例,電子照相法所使用之蠟,例如可列舉巴西棕櫚蠟、米糠蠟、小燭樹蠟等之植物蠟、石蠟、微晶蠟等之石油蠟、褐煤蠟等之礦物蠟、卡波蠟、聚乙烯蠟、聚丙烯蠟、氯化萘蠟等之合成蠟、硬脂酸、花生酸、山嵛酸等之高級脂肪酸、絲胺醯基(Seryl)醇、三十烷(Merisyl)醇等之高級醇、硬脂酸醯胺、山嵛酸醯胺等之醯胺系蠟、脂肪酸酯、甘油單硬脂酸酯、甘油二硬 脂酸酯等之多元醇酯、矽氧清漆等。
此等之蠟可1種單獨使用,亦可任意組合2種以上併用。
電荷控制劑中,分類成將碳粉控制在帶負電性之電荷控制劑、與控制在正帶電性之電荷控制劑。作為將碳粉控制在帶負電性之電荷控制劑之例,可列舉單偶氮金屬化合物、乙醯基丙酮金屬化合物、芳香族羥基羧酸、含金屬水楊酸系化合物、硼錯合物化合物、杯芳烴等。作為將碳粉控制在正帶電性之電荷控制劑之例,可列舉三丁基苄基銨-1-羥基-4-萘并磺酸鹽、苯胺黑、胍化合物、三苯基甲烷染料、第四級銨鹽等。此等當中,由於對所得之碳粉層的色調或反射率不影響,適合為無色、白色或淡色之電荷控制劑。
將本實施形態之層合薄膜10適用在LED搭載基板的情況下,搭載LED側之層,係由將如電子照相法之高溫的熱處理成為必要之製程所使用之碳粉所形成。因此,藉由LED本身之發熱,即使層合薄膜被曝露於高溫,亦可抑制層合薄膜之著色或變質等。亦即,即使在高溫之環境下,亦可成為反射率的降低少之層合薄膜。
構成碳粉層2之碳粉中,只要不影響碳粉層之色調或反射率。可進一步包含電子照相法所使用之其他成分。
其次,針對有關本發明之層合薄膜之製造方法的實施形態進行說明。於以下,作為樹脂層1之形成材料雖將液晶聚酯列舉為例進行說明,但本實施形態並非被限定於此。
本實施形態之層合薄膜10,係藉由於樹脂層1之一側的面藉由後述之電子照相法形成碳粉層2而獲得。
樹脂層1係藉由將液晶聚酯或包含液晶聚酯之樹脂組成物成形成薄膜狀而獲得。
液晶聚酯可使用市售者,亦可使用藉由以往周知之合成法合成者。使用合成之液晶聚酯的情況下,可藉由將給予重複單位(1)之單體,亦即預定之芳香族羥基羧酸、與給予重複單位(2)之單體,亦即預定之芳香族二羧酸、與給予重複單位(3)之單體,亦即預定之芳香族二醇以預定之濃度進行混合,並使其熔融聚合,來製造液晶聚酯。
於此,所謂預定之濃度,係表示具有2,6-萘基之單體的合計莫耳數量,亦即2-羥基-6-萘甲酸、2,6-萘二羧酸及2,6-萘二醇的合計莫耳數量,相對於全單體之合計莫耳數量為40莫耳%以上。
在液晶聚酯之製造,取代芳香族羥基羧酸、芳香族二羧酸及芳香族二醇之個別之一部或全部,可使用該等之可聚合的衍生物。
作為具有如芳香族羥基羧酸及芳香族二羧酸 之羧基的化合物之可聚合的衍生物之例,可列舉將羧基變換成烷氧基羰基或芳基氧基羰基而成者、將羧基變換成鹵甲醯基而成者、將羧基變換成醯氧基羰基而成者。
作為具有如芳香族二醇之羥基的化合物之可聚合的衍生物之例,可列舉醯基化羥基變換成醯氧基而成者。
作為樹脂層1之成形方法,例如可列舉擠出成形法、沖壓成形法、溶液流延法或射出成形法,較佳可列舉擠出成形法。作為擠出成形法,例如可列舉T模法或充氣法,較佳可列舉T模法。在T模法,有單軸拉延、或雙軸拉延。
T模法可藉由將熔融包含前述液晶聚酯之樹脂組成物的熔融樹脂從T型之模的狹縫擠出成薄膜狀,進行成形來實施。
充氣法可藉由將熔融包含前述聚酯之樹脂組成物的熔融樹脂從環狀之噴嘴擠出成圓筒狀,於圓筒之中吹入空氣,使其膨脹調整薄膜厚來實施。
使用上述之成形法,以從較所得之液晶聚酯的流動開始溫度更低10℃之溫度至較流動開始溫度更高100℃之溫度,熔融混練上述之樹脂組成物、及上述之填充劑,製作顆粒。從抑制液晶聚酯之熱劣化的觀點來看,較佳為從較流動開始溫度更低10℃之溫度至較流動開始溫度更高70℃之溫度,更佳為以從較流動開始溫度更低10℃之溫度至較流動開始溫度更高50℃之溫度製作顆 粒。
使用上述之成形法,以從較前述液晶聚酯的流動開始溫度更低10℃之溫度至較流動開始溫度更高100℃之溫度,熔融混練前述顆粒,製作樹脂層1。熔融混練時之較佳溫度係與前述顆粒製作時相同。
在T模法之單軸拉延的拉延倍率較佳為1.1倍以上40倍以下,更佳為10倍以上40倍以下,再更佳為15倍以上35倍以下。在T模法之雙軸拉延之MD方向(擠出方向)的拉延倍率較佳為1.2倍以上40倍以下。在T模法之雙軸拉延的TD方向(與擠出方向垂直之方向)的拉延倍率為1.2倍以上20倍以下。
在充氣法之MD方向的拉延倍率較佳為1.5倍以上50倍以下,更佳為5倍以上30倍以下。在充氣法之TD的拉延倍率較佳為1.5倍以上10倍以下,更佳為2倍以上5倍以下。
其次,於所得之樹脂層1之一側的面藉由電子照相法形成碳粉層2。一般而言,電子照相法係具備帶電、曝光、顯像、轉印、定著之5步驟。具體而言,首先,藉由電暈放電對感光體表面給予均一之電荷(帶電步驟)。其次,藉由光照射形成靜電圖像(曝光步驟)。將所得之靜電圖像藉由碳粉顯色(顯像步驟)。將顯色之靜電圖像轉印至樹脂層1之一側的面(轉印步驟)。將轉印之靜電圖像藉由加熱.壓力或溶劑蒸氣等定著,形成碳粉層2(定著步驟)。
使用後述之實施例的電子照相印表機時,在前述曝光步驟,可將所期望之靜電圖像形成在感光體表面。亦可於前述感光體的全面進行光照射使其曝光。
本發明之1個側面,係一種層合薄膜之製造方法,其係具有:具有玻璃轉移溫度為130℃以上之樹脂的樹脂層、與形成於前述樹脂層之一側的面,具有複數之空隙的碳粉層之層合薄膜之製造方法,其特徵為將包含下述步驟之前述碳粉層形成於前述樹脂層之一側的面,進行電暈放電對感光體表面給予均一之電荷之帶電步驟、於前述感光體表面進行光照射,形成靜電圖像之曝光步驟、於前述感光體表面之前述靜電圖像使碳粉附著之顯像步驟、將附著碳粉之前述靜電圖像轉印至前述樹脂層之一側的面之轉印步驟、與將轉印之前述靜電圖像以加熱.壓力或溶劑蒸氣進行處理而定著於前述樹脂層之定著步驟。
碳粉層2之空隙率及表面的空隙面積率會影響碳粉之熔融狀態。碳粉越熔融,越降低碳粉層2之空隙率及表面的空隙面積率。因此,藉由控制碳粉之熔融狀態,可控制碳粉層2之空隙率及表面的空隙面積率。
碳粉之熔融狀態係因定著步驟的條件、碳粉的物性、樹脂層1的厚度、定著時之周邊溫度而變化。
作為定著步驟之條件,可列舉碳粉之加熱溫度或壓力、碳粉層2之形成次數、碳粉之加熱時間、樹脂層1每一單位面積之碳粉的量等。於此,所謂碳粉層2之形成次數,係對應將上述之5步驟定為1次時重複進行之 次數。所謂加熱時間,係對應至將定著步驟所使用之定著裝置之中通過碳粉為止的時間。
碳粉之加熱溫度或壓力越高,碳粉越容易熔融。碳粉之加熱時間越長,碳粉越容易熔融。進而,樹脂層1每一單位面積之碳粉的量越多,碳粉熔融時,相鄰之碳粉粒子間之空隙越容易填充。因此,碳粉層2之空隙率及表面的空隙面積率降低。
作為碳粉之物性,可列舉碳粉之玻璃轉移溫度或黏彈性等之熱特性、或碳粉的分子量分布等。碳粉之玻璃轉移溫度或黏彈性越低,碳粉越容易熔融,碳粉層2之空隙率及表面的空隙面積率降低。碳粉的分子量分布越大,碳粉越容易熔融,碳粉層2之空隙率及表面的空隙面積率降低。
樹脂層1的厚度越厚,由於定著時之熱難以逃離,故碳粉越容易熔融,碳粉層2之空隙率及表面的空隙面積率降低。
定著時之周邊溫度越高,樹脂層1之溫度亦提高,定著時之熱難以逃離。因此,碳粉越容易熔融,碳粉層2之空隙率及表面的空隙面積率降低。
在定著步驟之加熱溫度,可藉由碳粉之黏彈性、加熱時間、樹脂層1之形成材料或厚度適當決定,例如較佳為120~200℃。
於碳粉層2之形成藉由此外電子照相法,可輕易於所期望之位置形成所期望形狀的碳粉層2。例如, 將層合薄膜適用在LED搭載基板的情況下,由於可輕易於欲搭載樹脂層1上之LED元件的地點選擇性形成碳粉層2,故加工性或操作性優異。進而,藉由適當設定於電子照相法之各步驟的條件,亦可輕易將在可見光區域之反射率彼此不同之複數區域形成在樹脂層1上。
根據如以上之構成的層合薄膜,得到在可見光區域之反射率高,即使在高溫的環境下,反射率的降低亦少之層合薄膜。
根據如以上之方法的層合薄膜之製造方法,得到在可見光區域之反射率高,即使在高溫的環境下,反射率的降低亦少之層合薄膜。
以下,針對本發明之LED搭載基板的實施形態進行說明。圖2(a)~(d)係示意性表示本實施形態之LED搭載基板100之剖面圖、及表示其製造方法之步驟圖。如圖2所示,LED搭載基板100係具備上述之層合薄膜10、與設置於層合薄膜10上之導體圖型20、與接合引線30、與和導體圖型20連接之LED(LED元件)200。
本實施形態之LED搭載基板100可藉由圖2所示之方法製造。如圖2所示,(a)準備層合薄膜10、與金屬層11,(b)於層合薄膜10之兩面,將金屬層11藉由真空沖壓等層合。作為金屬層11之形成材料,可列舉銅、金、銀、鋁、鎳、錫等,較佳為銅。
其次,(c)藉由將金屬層11於蝕刻或金屬層11上直接形成圖型,形成導體圖型20而成為LED搭載用基板。(d)於此基板實裝LED200,藉由接合引線30與導體圖型20連接而成為LED搭載基板100。上述之金屬層11的形成材料可作為導體圖型20之形成材料使用。
根據如以上之構成的LED搭載基板,由於具備上述之層合薄膜,為了抑制層合薄膜之劣化,不需要降低搭載之LED的亮度。因此,具備如此之LED搭載基板之LED係明亮度優異。
以上,雖邊參照附加圖面邊針對有關本發明之適合實施的形態例進行說明,但本發明並非被限定於該例。在上述之例所示之各構成構件的諸形狀或組合等為一例,在不脫離本發明之主旨的範圍,可根據設計要求等進行各種變更。
於以下將本發明藉由實施例說明。針對液晶聚酯組成物及層合薄膜,各種之測定及評估係如以下般進行。
藉由動態黏彈性測定裝置(TA儀器公司製、「Q800」),測定液晶聚酯組成物之儲藏彈性率,從tanδ 之峰值測定玻璃轉移溫度。
測定模式:拉伸模式、振幅:20、頻率:20Hz、昇溫速度:5℃/分鐘。
針對所得之層合薄膜,在碳粉層的表面及碳粉層的剖面之個別面,求得空隙面積率,算出以下述式(S1)定義之空隙率。表面之空隙面積率及剖面的空隙面積率針對碳粉層2的表面及剖面,藉由圖像解析裝置((股)Nireco製、「Luzex(商標註冊)」)以進行2值圖像處理求得。具體而言,從藉由圖像解析裝置所得之2次元圖像,算出表面之空隙面積率、與彼此正交之2個剖面的空隙面積率。在此測定,空隙面積率係將相對於周知之圖像解析裝置之測定面積0.4mm2之空隙之面積的比例以百分率給予之值。
彼此正交之剖面,係將碳粉層之幾乎中央附近以截切刀切斷而形成。作為切斷方向,係採用碳粉層之MD方向及TD方向。所謂MD方向係表示碳粉之塗佈方向,所謂TD方向係表示相對於碳粉之塗佈方向為垂直方向。
藉由反射率測定裝置(日立製作所股份有限公司製、「U-3500型自記分光光度計」),測定所得之層合薄膜在波長550nm之反射率。求得將氧化鋁製之白板((股)日立High-Tech Fielding製零件編號:210-0740)的反射率定為100%時之層合薄膜的反射率。於以下表示測定條件。
測定波長:350~800nm、狹縫:6nm、取樣間隔:1nm、掃描速度:600nm/分鐘。
將所得之層合薄膜在空氣中以260℃熱處理1分鐘。將在熱處理後之層合薄膜的反射率與上述同樣測定。
於具備攪拌裝置、扭力計、氮氣體導入管、溫度計及迴流冷卻器之反應器,放入2-羥基-6-萘甲酸1034.99g(5.5莫耳)、2,6-萘二羧酸378.33g(1.75莫耳)、對苯二甲酸83.07g(0.5莫耳)、1,4-苯二酚272.52g(2.475莫耳:相對於2,6-萘二羧酸及對苯二甲酸的合計莫耳數量過剩0.225莫耳)、乙酸酐1226.87g(12.0莫耳)、及作為觸媒之1-甲基咪唑0.17g。將此於室溫攪拌15分鐘後,邊攪拌邊昇溫至145℃,於145℃攪拌1小時。
其次,邊餾除餾出之副生乙酸與未反應之乙酸酐,邊耗費3小時30分鐘從145℃昇溫至310℃後,於 310℃使其反應3小時。將此聚合物(預聚物)冷卻至室溫,以粉碎機粉碎,而得到體積平均粒徑約0.4mm之粉末狀的固形物。針對此固形物,使用流動性測試儀(島津製作所股份有限公司製、「CFT-500型」),測定流動開始溫度之結果為267℃。
其次,耗費1小時將此聚合物從25℃昇溫至250℃後,再耗費5小時從250℃昇溫至293℃,藉由於293℃使其反應5小時,進行固相聚合。冷卻固相聚合後之反應物,而得到粉末狀之液晶聚酯。針對粉末狀之液晶聚酯,使用流動性測試儀(島津製作所股份有限公司製、「CFT-500型」),測定流動開始溫度之結果為317℃。
所得之粉末狀的液晶聚酯,作為重複單位(1),係Ar1為2,6-萘基者,亦即源自2-羥基-6-萘甲酸之重複單位的含量相對於全重複單位的合計莫耳數量,為55莫耳%。
作為重複單位(2),Ar2為2,6-萘基者,亦即源自2,6-萘二羧酸之重複單位的含量相對於全重複單位的合計莫耳數量,為17.5莫耳%。
進而,作為重複單位(2),Ar2為1,4-伸苯基者,亦即源自對苯二甲酸之重複單位的含量相對於全重複單位的合計莫耳數量,為5莫耳%。
進而,作為重複單位(3),Ar3為1,4-伸苯基者,亦即源自1,4-苯二酚之重複單位的含量相對於全重複單位的合計莫耳數量,為22.5莫耳%。
據此,包含2,6-萘基之重複單位的含量相對於全重複單位的合計莫耳數量,為72.5莫耳%。
混合所得之粉末狀的液晶聚酯100質量份、與體積平均粒徑為0.21μm之氧化鈦(石原產業(股)製、「TIPAQUE CR-60」)1質量份,使用雙軸擠出機(池貝鐵工(股)製、「PCM-30」),以317℃~327℃造粒,而成為顆粒狀。
針對所得之液晶聚酯組成物,使用動態黏彈性測定裝置(Q800),測定玻璃轉移溫度之結果為133℃。將所得之顆粒供給於單軸擠出機(螺桿直徑50mm)使其熔融,從T模(唇長度300mm、唇間隙1mm、模溫度350℃)擠出成薄膜狀進行冷卻,而得到將液晶聚酯作為形成材料之樹脂層。將樹脂層之厚度藉由千分尺測定。測定係針對樹脂層之任意9點進行,其平均值為25μm。
可將在市售之電子照相印表機(三星製、「ML-3712ND」)的定著裝置(定著步驟)之加熱溫度以任意變更的方式進行。碳粉(白色)之平均粒徑約8μm。於製造例所得之樹脂層之一側的面,邊以定著裝置的加熱溫度成為160~170℃的範圍的方式進行控制,邊重複4次圖像形成(碳粉層之形成)。亦即,在一個樹脂層,將在電子照相法之帶電、曝光、顯像、轉印、定著之5步驟定為 1次,進行4次重複,而得到實施例1之層合薄膜。
除了將定著裝置之加熱溫度以成為140~150℃的範圍的方式進行控制之外,其他與實施例1同樣進行,而得到實施例2之層合薄膜。
除了將定著裝置之加熱溫度以成為150~160℃的範圍的方式進行控制之外,其他與實施例1同樣進行,而得到實施例3之層合薄膜。
除了將定著裝置之加熱溫度以成為150~160℃的範圍的方式進行控制,將圖像形成之次數定為1次之外,其他與實施例1同樣進行,而得到實施例4之層合薄膜。
除了將定著裝置之加熱溫度以成為160~170℃的範圍的方式進行控制,將圖像形成之次數定為1次之外,其他與實施例1同樣進行,而得到實施例5之層合薄膜。
除了將定著裝置之加熱溫度以成為140~150℃的範 圍的方式進行控制,將圖像形成之次數定為1次之外,其他與實施例1同樣進行,而得到實施例6之層合薄膜。
取代實施例1之層合薄膜,改使用以往之電子照相法所使用之普通紙。
取代實施例1之層合薄膜,改使用於製造例所得之樹脂層。
針對於實施例1~6所得之層合薄膜,從熱處理前之碳粉層的表面之空隙面積率、彼此正交之2個剖面(MD方向之剖面與TD方向之剖面)的空隙面積率、2個剖面之空隙面積率,將根據式(S1)算出之2個空隙率示於表1。表1中,空隙率之MD方向的欄之值係意指從MD方向之剖面的空隙面積率算出之空隙率,空隙率之TD方向的欄之值係意指從TD方向之剖面的空隙面積率算出之空隙率。針對於實施例1~6所得之層合薄膜、比較例1之普通紙及比較例2之樹脂層,將熱處理前後之反射率一併示於表1。
如表1所示,瞭解到實施例1~6之層合薄膜的熱處理前在可見光域之反射率為良好,亦無熱處理後之反射率的降低。瞭解到實施例1~3之層合薄膜的碳粉層之MD方向及TD方向的空隙率分別為0.01%以上0.40%以下的範圍,且表面的空隙面積率為0.1%以上11%以下的範圍。此等之層合薄膜的熱處理前在可見光區域之反射率全部較83%以上更高,熱處理後亦維持高反射率。
另一方面,實施例4之層合薄膜的碳粉層之TD方向的空隙率雖為0.01%以上0.40%以下的範圍,但MD方向的空隙率為0.01%以上0.40%以下的範圍外。瞭解到此層合薄膜的熱處理前在可見光區域之反射率,與實施例1~3之層合薄膜之其相比較雖較低,但熱處理後亦維持其反射率。
實施例5及實施例6之層合薄膜的碳粉層之MD方向及TD方向的空隙率分別為0.01%以上0.40%以下的範圍外,且表面的空隙面積率為0.1%以上11%以下的範圍外。瞭解到此層合薄膜的熱處理前在可見光區域之反射率,與實施例1~3之層合薄膜之其相比較雖較低,但熱處理後亦維持其反射率。
進而,瞭解到在比較例1之普通紙,熱處理前在可見光區域之反射率為80%雖足夠,但熱處理後在可見光區域之反射率成為72%,因熱處理導致反射率大幅降低。
進而,瞭解到比較例2之樹脂層,熱處理前 在可見光區域之反射率雖為73.9%,但藉由熱處理,反射率降低1%以上。
由以上之結果,確認本發明為有用。
根據本發明,可提供一種可抑制於高溫的環境下在可見光區域之反射率的降低之層合薄膜及層合薄膜之製造方法、與適用此層合薄膜之LED搭載基板。
據此,本發明於產業上係極為重要。
Claims (11)
- 一種層合薄膜,其係具有厚度為10μm以上125μm以下之樹脂層、與形成於前述樹脂層之一側的面之碳粉層,前述樹脂層係具有玻璃轉移溫度為130℃以上之樹脂,前述碳粉層係具有複數空隙。
- 如請求項1之層合薄膜,其中,從相對於前述碳粉層的表面為垂直之碳粉層之剖面的空隙面積率與前述表面的空隙面積率,依據下述式(S1)算出之碳粉層的空隙率、與從和前述剖面正交,且相對於碳粉層的表面為垂直之碳粉層之剖面的空隙面積率與前述表面的空隙面積率,依據下述式(S1)算出之碳粉層的空隙率的雙方為0.01%以上0.40%以下,
- 如請求項1或2之層合薄膜,其中,前述碳粉層的表面之空隙面積率為0.1%以上11%以下。
- 如請求項1~3中任一項之層合薄膜,其中,前述碳粉層為白色之碳粉層。
- 如請求項1~4中任一項之層合薄膜,其中,前述樹脂係將源自聚醯亞胺或羥基羧酸之構成單位作為液晶基之液晶聚酯。
- 如請求項1~4中任一項之層合薄膜,其中,前述樹脂係將源自羥基羧酸之構成單位作為液晶基之液晶聚酯。
- 如請求項5或6之層合薄膜,其中,前述液晶聚酯係含有源自4-羥基苯甲酸或2-羥基-6-萘甲酸之構成單位。
- 如請求項5~7中任一項之層合薄膜,其中,前述液晶聚酯係具有式(1)~式(3)表示之重複單位,包含2,6-萘基之重複單位的含量,相對於全重複單位的合計莫耳數量,為40莫耳%以上,-O-Ar 1-CO- (1) -CO-Ar 2-CO- (2) -X-Ar 3-Y- (3)[式(1)~式(3)中,Ar 1~Ar 3係互相獨立表示伸苯基、萘基或聯伸苯基,X及Y係互相獨立表示氧原子或亞胺基,Ar 1~Ar 3所包含之1個以上氫原子可互相獨立被鹵素原子、碳數1~10之烷基或碳數6~20之芳基取代]。
- 如請求項8之層合薄膜,其中,前述式(1)表示之重複單位為式(11)表示之重複單位,前述式(2)表示之重複單位為式(21)表示之重複單位,前述式(3)表示之重複單位為式(31)表示之重複單位,-O-Ar 11-CO- (11) -CO-Ar 21-CO- (21) -O-Ar 31-O- (31)[式(11)、式(21)及式(31)中,Ar 11、Ar 21及Ar 31係互相獨立表示1,4-伸苯基、1,3-伸苯基、2,6-萘基及4,4’-伸聯苯基,Ar 11、Ar 21及Ar 31所包含之1個以上氫原子可互相獨立被鹵素原子、碳數1~10之烷基或碳數6~20之芳基取代]。
- 一種層合薄膜之製造方法,其係具有:具有玻璃轉移溫度為130℃以上之樹脂的樹脂層、與形成於前述樹脂層之一側的面,具有複數空隙之碳粉層的層合薄膜之製造方法,其特徵為包含將前述碳粉層藉由電子照相法形成之步驟。
- 一種LED搭載基板,其係具備如請求項1~9中任一項之層合薄膜、與設置於前述層合薄膜上之導體圖型、與和前述導體圖型連接之LED元件。
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