TWI659128B - 基板固持器及鍍覆裝置 - Google Patents

基板固持器及鍍覆裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI659128B
TWI659128B TW104132039A TW104132039A TWI659128B TW I659128 B TWI659128 B TW I659128B TW 104132039 A TW104132039 A TW 104132039A TW 104132039 A TW104132039 A TW 104132039A TW I659128 B TWI659128 B TW I659128B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
ring
substrate holder
aforementioned
flow path
fixing
Prior art date
Application number
TW104132039A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201615902A (zh
Inventor
矢作光敏
木村誠章
裕介 玉理
Original Assignee
日商荏原製作所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商荏原製作所股份有限公司 filed Critical 日商荏原製作所股份有限公司
Publication of TW201615902A publication Critical patent/TW201615902A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI659128B publication Critical patent/TWI659128B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/004—Sealing devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本發明提供一種保持晶圓等基板之基板固持器。
基板固持器7具備：接觸於基板W周緣部之密封環31；支撐密封環31之支撐環33；及將密封環31按壓於支撐環33之固定環40。固定環40具有：具有由錐角面構成之內周面42a及外周面42b的環狀部42；連接於環狀部42之密封環壓緊部43；及從密封環壓緊部43突出於半徑方向內方之調整環45；調整環45具有比密封環31之內徑小的內徑。

Description

基板固持器及鍍覆裝置
本發明係關於一種使用於鍍覆晶圓等基板表面之鍍覆裝置的基板固持器，進一步係關於具備此種基板固持器之鍍覆裝置。
鍍覆裝置係藉由在浸漬於鍍覆液之陽極與晶圓之間流入電流，而使晶圓表面堆積導電材料之裝置。晶圓鍍覆中，晶圓保持於基板固持器上，晶圓與基板固持器一起浸漬於鍍覆液。晶圓經由基板固持器而連接於電源，陽極經由陽極固持器而連接於電源。基板固持器具有接觸於晶圓周緣部之複數個電接點，經由此等電接點而電性連接晶圓與基板固持器。在晶圓與陽極之間施加電壓時，電流從陽極通過鍍覆液流至晶圓，而在晶圓表面堆積導電材料。
為了使導電材料均勻地堆積於晶圓表面，需要適切控制形成於晶圓與陽極之間的電場。基於此種觀點而在晶圓與陽極之間配置有調整板(電場遮蔽板)。調整板具有直徑比晶圓直徑小之圓孔，藉由使從陽極流至晶圓的電流僅通過圓孔來限制電場。
但是，即使設置此種調整板，仍會在晶圓周緣部堆積比其他 部位多之導電材料。此因基板固持器之電接點接觸於晶圓周緣部。此種導電材料之不均勻堆積使元件製品的良率降低。因此，要求可在整個晶圓上均勻堆積導電材料之技術。
除此之外，還要求改善基板固持器避免造成晶圓污染。基板固持器係以在基礎構件與保持構件之間夾著晶圓的方式構成。並以基板固持器可裝卸自如地保持晶圓的方式，保持構件藉由鎖定機構在基礎構件上鎖定及開鎖。但是，因為鎖定機構必然有滑動構件，所以會從各滑動構件的接觸面產生粒子。鍍覆晶圓後從鍍覆液撈起基板固持器時，包含此種粒子之鍍覆液從基板固持器掉落而附著於晶圓被鍍覆的表面，因而污染晶圓。
再者，基板固持器通常含有由對鍍覆液具有高度耐腐蝕性之鈦等金屬構成的構成零件。此種金屬構成之構成零件與鍍覆液反應會產生副生成物。晶圓鍍覆後從鍍覆液撈起基板固持器時，包含此種副生成物之鍍覆液從基板固持器掉落而附著晶圓被鍍覆之表面，會污染晶圓。因此，要求改善為可防止此種晶圓鍍覆面之污染的基板固持器。
本發明之目的為提供一種可使晶圓等基板全面均勻地堆積導電材料，而且可防止鍍覆液中所含之粒子及副生成物等異物污染基板鍍覆面的基板固持器。
為了達成上述目的，本發明一種樣態之基板固持器的特徵為具備：密封環，其係接觸於基板之周緣部；支撐環，其係支撐前述密封環；及固定環，其係將前述密封環按壓於前述支撐環；前述固定環具有：環狀部，其係具有由錐角面構成之內周面及外周面；密封環壓緊部，其係連接 於前述環狀部；及調整環，其係從前述密封環壓緊部突出於半徑方向內方；前述調整環具有比前述密封環之內徑小的內徑。
本發明其他樣態之鍍覆裝置的特徵為具備：鍍覆槽，其係用於在內部保持鍍覆液；基板固持器，其係保持基板；陽極，其係配置於前述鍍覆槽中；及電源，其係在前述陽極與保持於前述基板固持器的前述基板之間施加電壓；前述基板固持器具備：密封環，其係接觸於基板之周緣部；支撐環，其係支撐前述密封環；及固定環，其係將前述密封環按壓於前述支撐環；前述固定環具有：環狀部，其係具有由錐角面構成之內周面及外周面；密封環壓緊部，其係連接於前述環狀部；及調整環，其係從前述密封環壓緊部突出於半徑方向內方；前述調整環具有比前述密封環之內徑小的內徑。
採用本發明時，由於藉由調整環限制在基板周緣部之電場，因此可減少導電材料在基板周緣部之堆積量。結果，可在整個基板上均勻地堆積導電材料。
再者，從鍍覆液撈起鉛直姿態之基板固持器時，包含粒子及副生成物等異物之鍍覆液被引導至由固定環的錐角面構成之外周面，並導入基板固持器內側。鍍覆液不與基板接觸，而在固定環之外周面及支撐環的外周面上流到下方。結果，接觸於基板之鍍覆液量減少，可防止基板被鍍覆表面之污染。
1‧‧‧鍍覆槽
2‧‧‧貯存槽
3‧‧‧溢流槽
4‧‧‧鍍覆液循環管線
5‧‧‧陽極
6‧‧‧陽極固持器
7‧‧‧基板固持器
10‧‧‧電源
11‧‧‧攪拌槳葉
12‧‧‧調整板
12a‧‧‧開口部
24‧‧‧基礎構件
26‧‧‧鉸鏈
28‧‧‧保持構件
30‧‧‧基部
31‧‧‧密封環(第一密封環)
31a‧‧‧環狀突起部
31b‧‧‧內側環狀突起部
33‧‧‧支撐環
33a‧‧‧通孔
33b‧‧‧傾斜面
40‧‧‧固定環(第一固定環)
40A‧‧‧第一通孔
40B‧‧‧第二通孔
41‧‧‧螺絲
42‧‧‧環狀部
42a‧‧‧內周面
42b‧‧‧外周面
43‧‧‧密封環壓緊部
43a‧‧‧第一錐角流路
43b‧‧‧第二錐角流路
45‧‧‧調整環
45a‧‧‧第一缺口(液體脫離流路)
45b‧‧‧第二缺口(通氣流路)
45c‧‧‧缺口
51‧‧‧密封環(第二密封環)
52‧‧‧固定環(第二固定環)
53‧‧‧螺絲
54‧‧‧間隔環
56‧‧‧壓緊環
56a‧‧‧突出部
56b‧‧‧凸部
74‧‧‧夾持器
74a‧‧‧突出部
80‧‧‧支撐面
82‧‧‧突條部
84‧‧‧凹部
86‧‧‧導電體
88‧‧‧電接點
90‧‧‧固持器吊架
91‧‧‧饋電端子
92‧‧‧手柄
95‧‧‧定位構件
97‧‧‧螺絲孔
99‧‧‧環狀密封
101‧‧‧密封凸緣
101a‧‧‧第一外側環狀突起部
101b‧‧‧第二外側環狀突起部
103‧‧‧間隔管
207‧‧‧基板固持器
240‧‧‧密封環
W‧‧‧晶圓
第一圖係顯示鍍覆裝置之一種實施形態的模式圖。
第二圖係顯示基板固持器之立體圖。
第三圖係第二圖所示之基板固持器的俯視圖。
第四圖係第二圖所示之基板固持器的側視圖。
第五圖係顯示第四圖所示之基板固持器的一部分放大圖。
第六圖係密封環之剖面圖。
第七圖係從鍍覆液撈起鉛直姿態之基板固持器時基板固持器上的鍍覆液流路之說明圖。
第八圖係從鍍覆液撈起過去之基板固持器時基板固持器上的鍍覆液流路之說明圖。
第九圖係顯示與密封環壓緊部之厚度不同厚度的調整環之圖。
第十圖係顯示具有傾斜之內周面的調整環之圖。
第十一圖係顯示固定環之其他實施形態圖。
第十二圖係第十一圖之A-A線剖面圖。
第十三圖係顯示固定環之又其他實施形態圖。
第十四圖係第十三圖之B-B線剖面圖。
第十五圖係顯示第十三圖所示之固定環的一部分背面圖。
第十六圖係固定環之背面圖。
第十七圖係顯示固定環之其他構成例的背面圖。
第十八圖係顯示固定環之又其他構成例的背面圖。
第十九圖係顯示基板固持器之其他實施形態的剖面圖。
第二十圖係第十九圖所示之密封環的剖面圖。
第二十一圖係顯示基板固持器之又其他實施形態的剖面圖。
第二十二圖係顯示基板固持器之又其他實施形態的剖面圖。
第二十三圖係第二十二圖所示之密封環的剖面圖。
以下，參照圖式說明實施形態。第一圖至第二十三圖中，在同一或相當之元件上註記同一符號，並省略其重複說明。
第一圖係顯示鍍覆裝置之一種實施形態的模式圖。鍍覆裝置具備用於保持鍍覆液之鍍覆槽1。鍍覆槽1具備：在內部貯存鍍覆液之貯存槽2；及鄰接於貯存槽2而配置之溢流槽3。在溢流槽3底部連接使鍍覆液循環之鍍覆液循環管線4的一端，鍍覆液循環管線4之另一端連接於貯存槽2的底部。鍍覆液從貯存槽2之側壁溢流而流入溢流槽3中，並通過鍍覆液循環管線4返回貯存槽2中。
鍍覆裝置進一步具備：由金屬構成之陽極5；保持陽極5且使陽極5浸漬於貯存槽2中之鍍覆液的陽極固持器6；及裝卸自如地保持基板之一例的晶圓W，且使晶圓W浸漬於貯存槽2中之鍍覆液的基板固持器7。並以陽極5及晶圓W在鍍覆液中彼此相對的方式，以鉛直姿態配置陽極5及基板固持器7。
陽極5經由陽極固持器6連接於電源10的正極，晶圓W經由基板固持器7而連接於電源10的負極。在陽極5與晶圓W之間施加電壓時，電流從陽極5通過鍍覆液而流至晶圓W，並在晶圓W表面堆積導電材料(例如金屬)。
鍍覆裝置進一步具備：攪拌鍍覆液之攪拌槳葉11；及調整形成於陽極5與晶圓W之間的電場之調整板12。調整板12鉛直地配置，且具有 允許鍍覆液中之電流通過的圓形開口部12a。攪拌槳葉11配置於保持於基板固持器7之晶圓W的表面附近。調整板12配置於攪拌槳葉11與陽極5之間，攪拌槳葉11配置於晶圓W與調整板12之間。攪拌槳葉11鉛直地配置，藉由與晶圓W平行地往返運動來攪拌鍍覆液，在晶圓W鍍覆中，可對晶圓W表面均勻地供給充分的金屬離子。
如第二圖至第五圖所示，基板固持器7具有：矩形平板狀之基礎構件24；及經由鉸鏈26開關自如地安裝於該基礎構件24的保持構件28。基板固持器7藉由基礎構件24及保持構件28夾著晶圓W而保持晶圓W。其他構成例亦可將保持構件28配置於與基礎構件24對峙的位置，藉由使該保持構件28向基礎構件24前進，或是從基礎構件24離開，來開關保持構件28。
保持構件28具有：基部30；接觸於晶圓W之周緣部的密封環(第一密封環)31；支撐密封環31之支撐環33；及將密封環31按壓於支撐環33之固定環(第一固定環)40。密封環31係以壓接於晶圓W周緣部，密封保持構件28與晶圓W之間隙的方式構成。
如第五圖所示，固定環40藉由螺絲41而固定於支撐環33。螺絲41貫穿固定環40而延伸至形成於支撐環33的螺絲孔。藉由緊固該螺絲41，密封環31被夾在固定環40與支撐環33之間。
固定環40具有：具有由錐角面構成之內周面42a及外周面42b的環狀部42；連接於環狀部42之環狀的密封環壓緊部43；及從密封環壓緊部43突出於半徑方向內方的調整環45。構成該固定環40之環狀部42、密封環壓緊部43、及調整環45由同一材料一體形成。密封環31藉由密封環壓緊 部43而按壓於支撐環33。調整環45具有比密封環31之內徑小的內徑。
保持構件28進一步具有與基礎構件24相對之密封環(第二密封環)51。該密封環51藉由固定環(第二固定環)52而按壓於支撐環33。固定環52藉由螺絲53固定於支撐環33。密封環51係以壓接於基礎構件24而密封基礎構件24與保持構件28之間隙的方式構成。密封環31、51由彈性材料構成。
在支撐環33上旋轉自如地安裝有間隔環54及壓緊環56。間隔環54可對支撐環33及壓緊環56相對旋轉，壓緊環56可對間隔環54及支撐環33相對旋轉。壓緊環56由對酸及鹼耐腐蝕性優異，且具有充分剛性之材料構成。例如壓緊環56由鈦構成。間隔環54以壓緊環56可平滑地旋轉之方式，以摩擦係數低之材料，例如以聚四氟乙烯(PTFE)構成。
在壓緊環56外側，沿著壓緊環56圓周方向等間隔配置有複數個夾持器74。此等夾持器74固定於基礎構件24上。各夾持器74具有突出於內方之突出部74a的倒L字狀形狀。壓緊環56具有突出於外方之複數個突出部56a，壓緊環56之突出部56a構成與夾持器74之突出部74a嚙合。在沿著壓緊環56圓周方向之複數處(例如3處)設有突出於上方之凸部56b(參照第三圖)。藉由使旋轉銷(無圖示)旋轉，而從側方壓轉凸部56b，可使壓緊環56旋轉。
晶圓W之保持動作進行如下。在打開保持構件28狀態下，在基礎構件24中央部插入晶圓W，經由鉸鏈26而關閉保持構件28。藉由使壓緊環56順時鐘方向旋轉，使壓緊環56之突出部56a與夾持器74的突出部74a嚙合，而相互緊固基礎構件24與保持構件28。此外，藉由使壓緊環56逆時 鐘方向旋轉，從夾持器74之突出部74a解開壓緊環56的突出部56a，而解除保持構件28的鎖定。如此，夾持器74及壓緊環56構成將保持構件28鎖定於基礎構件24的鎖定機構。
鎖定保持構件28時，密封環31按壓於晶圓W之周緣部。密封環31均勻地按壓於晶圓W，藉此，密封晶圓周緣部與保持構件28之間隙。同樣地，鎖定保持構件28時，密封環51按壓於基礎構件24表面。密封環51均勻地按壓於基礎構件24，藉此，密封基礎構件24與保持構件28間之間隙。
如第三圖所示，在基礎構件24之端部突出於外方設有一對固持器吊架90。在兩側的固持器吊架90之間延伸有手柄92。第一圖所示之鍍覆裝置係將固持器吊架90設置於鍍覆槽1之貯存槽2的周壁上，藉此將基板固持器7懸吊於貯存槽2中。
基板固持器搬送裝置(無圖示)在握持基板固持器7之手柄92的狀態下使基板固持器7移動。更具體而言，基板固持器搬送裝置將保持有須鍍覆之晶圓W的基板固持器7搬送至鍍覆槽1，使鉛直姿態之基板固持器7浸漬於鍍覆槽1中的鍍覆液中，晶圓W鍍覆結束後，從鍍覆液撈起鉛直姿態之基板固持器7，而後，將保持有鍍覆後之晶圓W的基板固持器7搬送至其他處理槽(例如洗淨槽)。
如第三圖所示，在基礎構件24之表面形成有與晶圓W大小概等的環狀突條部82。該突條部82具有抵接於晶圓W周緣部而支撐該晶圓W的環狀支撐面80。在沿著該突條部82圓周方向之指定位置設有凹部84。
在凹部84中分別配置有複數個(圖示係12個)導電體86。此等導電體86分別連接於從設於固持器吊架90之饋電端子91延伸的複數條配 線。如第五圖所示，將晶圓W裝設於基板固持器7時，該導電體86之端部係彈性接觸於固定在支撐環33的電接點88。
電性連接於導電體86之電接點88形成板簧形狀。電接點88位於密封環31之外方。電接點88構成可藉由其彈性力而輕易彎曲。在基礎構件24與保持構件28之間保持有晶圓W時，電接點88之前端係彈性接觸於基礎構件24之支撐面80上所支撐的晶圓W周緣部。
第一密封環31按壓於晶圓W之周緣部，且密封環51按壓於基礎構件24時，沿著晶圓W之周緣部形成密閉空間。電接點88及導電體86配置於該密閉空間中。因此，使基板固持器7浸漬於鍍覆液中時，鍍覆液不接觸於電接點88及導電體86。
第六圖係密封環31之剖面圖。如第六圖所示，密封環31在其外側下端具有環狀突起部31a。該環狀突起部31a構成密封環31之一部分，並由彈性材料形成。緊固第五圖所示之螺絲41時，密封環31之環狀突起部31a藉由固定環40按壓於支撐環33。因此，密封環31與支撐環33間之間隙完全被密封。
回到第五圖，固定環40具有位於密封環31內側之調整環45。該調整環45之內徑比晶圓W的直徑小，且比第一圖所示之調整板12的圓形開口部12a之直徑小。調整環45位於密封環31內周端之半徑方向內側，且以覆蓋晶圓W周緣部之方式配置。
調整環45與調整板12同樣地，具有調整形成於陽極5與晶圓W間之電場的功能。特別是，調整環45可限制形成於晶圓W周緣部之電場。因而，抑制導電材料在晶圓W周緣部之堆積量，結果，可在整個晶圓W上使 導電材料均勻堆積。
如上述，因為藉由壓緊環56之突出部56a與夾持器74的突出部74a嚙合而鎖定保持構件28，所以藉由突出部56a與突出部74a滑接會產生摩擦粉末。從第一圖瞭解，保持晶圓W之基板固持器7以鉛直姿態浸漬於鍍覆液，同樣地照樣以鉛直姿態從鍍覆液撈起。磨耗粉末在從鍍覆液撈起基板固持器7時，隨鍍覆液流至基板固持器7上，而附著於鍍覆之晶圓W表面，是造成晶圓W污染的原因。
因此，本實施形態之固定環40具有從鍍覆液撈起基板固持器7時，形成鍍覆液避開晶圓W表面之流路的形狀。更具體而言，固定環40具有其具有由錐角面構成之外周面42b的環狀部42。該外周面(錐角面)42b於基板固持器7在鉛直姿態時，朝向基板固持器7內側而傾斜於下方。
第七圖係從鍍覆液撈起上述實施形態之基板固持器7時，基板固持器7上之鍍覆液流路的說明圖。如第七圖所示，從鍍覆液撈起鉛直姿態之基板固持器7時，鍍覆液接觸於固定環40之錐角面亦即外周面42b，而分成2條流路。2條流路中之一方通過固定環40之外側表面流至下方。構成固定環40內周緣之調整環45防止該鍍覆液之向下流路朝向晶圓W 。2條流路中之另一方引導至由錐角面構成之外周面42b並導入基板固持器7內側，不與晶圓W接觸，而通過固定環40之外周面42b及支撐環33的外周面上流至下方。如此，固定環40之調整環45及外周面(錐角面)42b在從鍍覆液撈起基板固持器7時，可減少接觸於晶圓W鍍覆後之表面的鍍覆液量。特別是固定環40之外周面(錐角面)42b可形成從晶圓W離開方向之鍍覆液的流路。
第八圖係從鍍覆液撈起過去之基板固持器207時鍍覆液之流 路的說明圖。如第八圖所示，從鍍覆液撈起鉛直姿態之基板固持器207時，鍍覆液接觸於密封環240之外周面而在外側流動，進一步通過密封環240之外面上而流至下方。鍍覆液在密封環240下方分成2條流路，其中一方在晶圓W上流動。因而，鍍覆液中包含之磨耗粉末等異物有可能附著於晶圓W鍍覆後的表面。
從第七圖所示之本實施形態的基板固持器7與第八圖所示之過去的基板固持器207對比瞭解，本實施形態由錐角面構成之外周面42b在基板固持器7從鍍覆液撈起時，可減少朝向晶圓W表面流動之鍍覆液量。再者，調整環45可防止鍍覆液朝向晶圓W表面流動。因此，本實施形態之基板固持器7可大幅降低在晶圓W鍍覆後之表面上流動的鍍覆液量。
如第九圖所示，調整環45之厚度亦可與密封環壓緊部43之厚度不同。此外，如第十圖所示，調整環45之內周面亦可傾斜。即使是此種形狀仍可獲得同樣之效果。
第十一圖係顯示固定環40之其他實施形態的圖，第十二圖係第十一圖之A-A線剖面圖。從鍍覆液撈起鉛直姿態之基板固持器7時，為了迅速排出存在於調整環45與晶圓W間之鍍覆液，如第十一圖所示，固定環40宜具有第一缺口45a及第二缺口45b作為液體脫離流路及通氣流路。
第一缺口45a及第二缺口45b形成調整環45。第一缺口45a及第二缺口45b對調整環45之中心(亦即固定環40之中心)對稱配置。基板固持器7係鉛直姿態時，第一缺口45a位於固定環40之最下部(更具體而言係調整環45之最下部)，第二缺口45b位於固定環40之最上部(更具體而言係調整環45之最上部)。為了促進鍍覆液排出及空氣導入，密封環壓緊部43具 有分別連接於此等第一缺口45a及第二缺口45b之第一錐角流路43a及第二錐角流路43b。
從鍍覆液撈起鉛直姿態之基板固持器7時，保持於晶圓W與調整環45間之間隙的鍍覆液通過第一缺口45a(亦即液體脫離流路)流至下方，並從基板固持器7溢出掉落，並且周圍空氣通過第二缺口45b(亦即通氣流路)而導入晶圓W與調整環45間的間隙，輔助鍍覆液流至下方。如此，由於通過第二缺口45b導入空氣而且鍍覆液通過第一缺口45a流至下方，因此，從鍍覆液撈起基板固持器7時，可從晶圓W表面迅速除去鍍覆液。亦可僅設第一缺口45a而省略第二缺口45b。
第十三圖係顯示固定環40之又其他實施形態的圖，第十四圖係第十三圖之B-B線剖面圖，第十五圖係顯示第十三圖所示之固定環40一部分的背面圖。從鍍覆液撈起鉛直姿態之基板固持器7時，為了迅速排出存在於調整環45與晶圓W之間的鍍覆液，如第十三圖至第十五圖所示，固定環40亦可具有第一通孔40A及第二通孔40B作為液體脫離流路及通氣流路。
第一通孔40A及第二通孔40B係以貫穿調整環45、密封環壓緊部43、及環狀部42之方式形成。第一通孔40A及第二通孔40B對調整環45之中心(亦即固定環40之中心)對稱配置，並在固定環40之半徑方向延伸。基板固持器7係鉛直姿態時，第一通孔40A位於固定環40之最下部，第二通孔40B位於固定環40之最上部。
從鍍覆液撈起鉛直姿態之基板固持器7時，保持於晶圓W與調整環45間之間隙的鍍覆液，通過第一通孔40A(亦即液體脫離流路)而流至下方並從基板固持器7溢出掉落，並且周圍空氣通過第二通孔40B(亦即 通氣流路)而導入晶圓W與調整環45間之間隙，輔助鍍覆液流至下方。如此，由於通過第二通孔40B導入空氣而且鍍覆液通過第一通孔40A流至下方，因此，從鍍覆液撈起基板固持器7時可從晶圓W表面迅速排出鍍覆液。亦可僅設第一通孔40A而省略第二通孔40B。
第十六圖係固定環40之背面圖。如第十六圖所示，沿著密封環31之周方向等間隔排列有複數個電接點88。本例之調整環45的內周緣係圓形。
第十七圖係顯示固定環40之其他構成例的背面圖。第十七圖所示之例，係將電接點88分成複數個群，在鄰接的各群之間配置有定位構件95。該定位構件95係經由密封環31朝向晶圓W中心，對晶圓W邊緣部施力來進行晶圓W之定位(定心)的板簧。複數個定位構件95係沿著密封環31之周方向等間隔排列。
因為靠近晶圓W之邊緣部配置定位構件95，所以無法在配置有定位構件95之位置配置電接點88。結果，在設有定位構件95處與設有電接點88處之間會產生晶圓W上之電位差，造成導電材料之堆積不均勻。
為了防止此種導電材料在晶圓W周方向堆積不均，如第十七圖所示，調整環45亦可在對應於設有定位構件95之位置的位置具有缺口45c。由於缺口45c不限制電場，結果可使設有定位構件95處與設有電接點88處之間的導電材料堆積量之差達到最小。亦可取代缺口45c，而如第十八圖所示，調整環45以在對應於設有定位構件95之位置的位置，調整環45寬度變小的方式具有多角形狀之內緣。亦可在對應於設有定位構件95之位置的位置，調整環45之寬度係0。另外，亦可對應於設有定位構件95之位置的連 結相鄰2點之調整環45的內緣係直線，或是緩和的曲線。
第十七圖及第十八圖之例，係從調整環45中心至調整環45內緣各點的距離不同。亦即，調整環45係方位角上不對稱之調整環。方位角上不對稱之調整環45具有方位角上不對稱之電場遮蔽區域。
第十九圖係顯示基板固持器7之其他實施形態的剖面圖。不特別說明之本實施形態的構成，由於與上述實施形態相同，因此省略其重複說明。本實施形態未設置貫穿固定環40之螺絲41(參照第五圖)。其理由如下。如第五圖當螺絲41之螺絲頭從基板固持器7表面露出時，表面造成細小凹凸導致基板固持器7之洗淨性降低。此外，固定環40及螺絲41雖由對鍍覆液具有耐腐蝕性的鈦構成，不過此種鈦製構件與鍍覆液接觸時會從鈦製構件生成副生成物。從鍍覆液撈起基板固持器7時，副生成物與鍍覆液一起流到基板固持器7上，並附著於鍍覆後之晶圓W表面，成為晶圓W污染之原因。
因此，本實施形態係取代螺絲41，而藉由用於將第二固定環52固定於支撐環33的螺絲53將第一固定環40固定於支撐環33。換言之，第一固定環40及第二固定環52兩者藉由1支螺絲53而固定於支撐環33。
支撐環33中形成有通孔33a，固定環40中形成有螺絲孔97。螺絲53通過支撐環33之通孔33a而延伸，並延伸至固定環40的螺絲孔97中。螺絲53之前端與螺絲孔97嚙合，藉此固定環40固定於支撐環33。螺絲孔97之一端係連接於支撐環33之通孔33a的開口端部，螺絲孔97之另一端關閉。因此，螺絲53被固定環40及支撐環33包圍，不致暴露在鍍覆液下。藉由此種螺絲53之配置，可防止因鍍覆液與螺絲53接觸而生成副生成物。此外， 固定環40之表面平滑，基板固持器7之洗淨性提高。
再者，第十九圖所示之實施形態，係固定環40之至少接觸於鍍覆液的表面以聚四氟乙烯等樹脂材料被覆。藉此，可防止鈦製之固定環40與鍍覆液接觸而生成副生成物。另外，第五圖所示之實施形態中，亦可以樹脂材料被覆固定環40及螺絲41之螺絲頭表面。
本實施形態係螺絲53貫穿固定環52及支撐環33。當鍍覆液侵入支撐環33之通孔33a時，鍍覆液沿著螺絲53流動，而到達配置於上述密閉空間內之導電體86及電接點88，有可能使此等導電體86及電接點88腐蝕。
因此，為了防止鍍覆液侵入，密封環31在與固定環40接觸之面具有內側環狀突起部31b。第二十圖係第十九圖所示之密封環的剖面圖。如第二十圖所示，內側環狀突起部31b從密封環31表面突出。該內側環狀突起部31b構成密封環31之一部分，並由彈性材料形成。緊固第十九圖所示之螺絲53時，密封環31之內側環狀突起部31b按壓於固定環40。因此，密封環31與固定環40間之間隙完全被密封。螺絲53位於內側環狀突起部31b之外側。因此，藉由內側環狀突起部31b阻止朝向螺絲53而侵入半徑方向外側的鍍覆液。
再者，為了確實防止鍍覆液侵入，而設有夾在支撐環33與固定環40之間的環狀密封99。環狀密封99配置於形成在固定環40之環狀部42上的環狀溝內。密封環31及螺絲53位於環狀密封99內側。該環狀密封99密封支撐環33與固定環40間之間隙，而防止鍍覆液侵入。
由於螺絲53位於內側環狀突起部31b外側，且位於環狀密封99內側，因此鍍覆液不致到達螺絲53。
如第十九圖所示，在與固定環40之環狀部42接觸的支撐環33表面形成有環狀之傾斜面33b。該環狀之傾斜面33b傾斜於半徑方向內側。固定環40之環狀部42的內周面42a如上述係由錐角面構成，藉由該內周面42a接觸於環狀的傾斜面33b，來達成固定環40對支撐環33之定位(亦即定心)。
如上述，固定環40具有用於調整電場之調整環45，為了在包含晶圓W全面使導電材料均勻地堆積，調整環45之定心很重要。採用本實施形態時，係藉由固定環40之環狀部42的內周面(錐角面)42a與支撐環33的環狀傾斜面33b接觸，來達成固定環40對支撐環33之定位，亦即達成調整環45之定心。
第二十一圖係顯示基板固持器7又其他實施形態之剖面圖。不特別說明之本實施形態的構成，由於與第十九圖所示之實施形態相同，因此省略其重複說明。本實施形態與第十九圖所示之實施形態相同之處為設有夾在支撐環33與固定環40之間的環狀密封99，不過不同之處為在形成於支撐環33之環狀溝中配置有環狀密封99。與第十九圖所示之實施形態相同，環狀密封99密封支撐環33與固定環40間之間隙，防止鍍覆液侵入。
第二十二圖係顯示基板固持器7之又其他實施形態的剖面圖。不特別說明之本實施形態的構成，由於與第十九圖所示之實施形態相同，因此省略其重複說明。本實施形態未設置環狀密封99，不過取而代之，密封環31具有夾在支撐環33與固定環40之間的密封凸緣101。該密封凸緣101具有與上述實施形態之環狀密封99相同功能。螺絲53貫穿密封凸緣101而延伸。
在支撐環33與固定環40之間配置有間隔管103。該間隔管103 係圓筒狀，螺絲53貫穿間隔管103而延伸。設置間隔管103係為了防止緊固螺絲53時，固定環40過度壓扁由彈性材料構成之密封凸緣101。
第二十三圖係顯示第二十二圖所示之密封環31的剖面圖。密封凸緣101具有：與固定環40接觸之第一外側環狀突起部101a；及與支撐環33接觸之第二外側環狀突起部101b。螺絲53位於第一外側環狀突起部101a及第二外側環狀突起部101b之內側。緊固螺絲53時，第一外側環狀突起部101a藉由固定環40壓扁，藉此將固定環40與密封凸緣101間之間隙完全密封。同樣地，緊固螺絲53時，第二外側環狀突起部101b藉由支撐環33壓扁，藉此，將支撐環33與密封凸緣101間之間隙完全密封。
再者，與第十九圖所示之實施形態同樣地，密封環31具有上述之內側環狀突起部31b。由於螺絲53位於內側環狀突起部31b之外側，且位於第一外側環狀突起部101a及第二外側環狀突起部101b的內側，因此鍍覆液不致到達螺絲53。
上述實施形態係以具有本發明所屬之技術領域的一般知識者可實施本發明為目的而記載者。該業者當然可構成上述實施形態之各種變形例，本發明之技術性思想亦可適用於其他實施形態。因此，本發明不限定於所記載之實施形態，而係解釋成按照藉由申請專利範圍而定義之技術性思想的最廣範圍者。

Claims (26)

  1. 一種基板固持器，其特徵為具備：密封環，其係接觸於基板之周緣部；支撐環，其係支撐前述密封環；及固定環，其係將前述密封環按壓於前述支撐環；前述固定環具有：環狀部，其係具有由錐角面構成之內周面及外周面，前述外周面於前述基板固持器在鉛直姿態時，朝向前述基板固持器內側而傾斜於下方；密封環壓緊部，其係連接於前述環狀部；及調整環，其係從前述密封環壓緊部突出於半徑方向內方；前述調整環具有比前述密封環之內徑小的內徑。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板固持器，其中進一步具備螺絲，其係用於將前述固定環固定於前述支撐環，前述螺絲貫穿前述支撐環，而延伸至形成於前述固定環中之螺絲孔。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板固持器，其中前述密封環具有內側環狀突起部，其係接觸於前述固定環，前述螺絲位於前述內側環狀突起部之外側。
  4. 如申請專利範圍第2項之基板固持器，其中進一步具備環狀密封，其係夾在前述支撐環與前述固定環之間，前述密封環及前述螺絲位於前述環狀密封之內側。
  5. 如申請專利範圍第2項之基板固持器，其中前述密封環具有密封凸緣，其係夾在前述支撐環與前述固定環之間，前述螺絲貫穿前述密封凸緣而延伸。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板固持器，其中前述密封凸緣具有：第一外側環狀突起部，其係接觸於前述固定環；及第二外側環狀突起部，其係接觸於前述支撐環；前述螺絲位於前述第一外側環狀突起部及前述第二外側環狀突起部之內側。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板固持器，其中前述環狀部、前述密封環壓緊部、及前述調整環係一體形成。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板固持器，其中前述固定環具有對該固定環之中心對稱配置的液體脫離流路及通氣流路。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板固持器，其中前述液體脫離流路及前述通氣流路係形成於前述調整環之缺口。
  10. 如申請專利範圍第8項之基板固持器，其中前述液體脫離流路及前述通氣流路係前述固定環中在其半徑方向貫穿之通孔。
  11. 如申請專利範圍第8項之基板固持器，其中前述基板固持器係鉛直姿態時，前述液體脫離流路位於固定環之最下部，前述通氣流路位於前述固定環之最上部。
  12. 如申請專利範圍第1項之基板固持器，其中前述調整環係方位角上不對稱。
  13. 如申請專利範圍第1項之基板固持器，其中前述固定環之至少一部分係以樹脂材料被覆。
  14. 一種鍍覆裝置，其特徵為具備：鍍覆槽，其係用於在內部保持鍍覆液；基板固持器，其係保持基板；陽極，其係配置於前述鍍覆槽中；及電源，其係在前述陽極與保持於前述基板固持器的前述基板之間施加電壓；前述基板固持器具備：密封環，其係接觸於基板之周緣部；支撐環，其係支撐前述密封環；及固定環，其係將前述密封環按壓於前述支撐環；前述固定環具有：環狀部，其係具有由錐角面構成之內周面及外周面，前述外周面於前述基板固持器在鉛直姿態時，朝向前述基板固持器內側而傾斜於下方；密封環壓緊部，其係連接於前述環狀部；及調整環，其係從前述密封環壓緊部突出於半徑方向內方；前述調整環具有比前述密封環之內徑小的內徑。
  15. 如申請專利範圍第14項之鍍覆裝置，其中進一步具備螺絲，其係用於將前述固定環固定於前述支撐環，前述螺絲貫穿前述支撐環，而延伸至形成於前述固定環中之螺絲孔。
  16. 如申請專利範圍第15項之鍍覆裝置，其中前述密封環具有內側環狀突起部，其係接觸於前述固定環，前述螺絲位於前述內側環狀突起部之外側。
  17. 如申請專利範圍第15項之鍍覆裝置，其中進一步具備環狀密封，其係夾在前述支撐環與前述固定環之間，前述密封環及前述螺絲位於前述環狀密封之內側。
  18. 如申請專利範圍第15項之鍍覆裝置，其中前述密封環具有密封凸緣，其係夾在前述支撐環與前述固定環之間，前述螺絲貫穿前述密封凸緣而延伸。
  19. 如申請專利範圍第18項之鍍覆裝置，其中前述密封凸緣具有：第一外側環狀突起部，其係接觸於前述固定環；及第二外側環狀突起部，其係接觸於前述支撐環；前述螺絲位於前述第一外側環狀突起部及前述第二外側環狀突起部之內側。
  20. 如申請專利範圍第14項之鍍覆裝置，其中前述環狀部、前述密封環壓緊部、及前述調整環係一體形成。
  21. 如申請專利範圍第14項之鍍覆裝置，其中前述固定環具有對該固定環之中心對稱配置的液體脫離流路及通氣流路。
  22. 如申請專利範圍第21項之鍍覆裝置，其中前述液體脫離流路及前述通氣流路係形成於前述調整環之缺口。
  23. 如申請專利範圍第21項之鍍覆裝置，其中前述液體脫離流路及前述通氣流路係前述固定環中在其半徑方向貫穿之通孔。
  24. 如申請專利範圍第21項之鍍覆裝置，其中前述基板固持器係鉛直姿態時，前述液體脫離流路位於固定環之最下部，前述通氣流路位於前述固定環之最上部。
  25. 如申請專利範圍第14項之鍍覆裝置，其中前述調整環係方位角上不對稱。
  26. 如申請專利範圍第14項之鍍覆裝置，其中前述固定環之至少一部分係以樹脂材料被覆。
TW104132039A 2014-10-16 2015-09-30 基板固持器及鍍覆裝置 TWI659128B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462064980P 2014-10-16 2014-10-16
US62/064,980 2014-10-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201615902A TW201615902A (zh) 2016-05-01
TWI659128B true TWI659128B (zh) 2019-05-11

Family

ID=55748580

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104132039A TWI659128B (zh) 2014-10-16 2015-09-30 基板固持器及鍍覆裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10214830B2 (zh)
JP (1) JP6545585B2 (zh)
KR (1) KR20160045014A (zh)
CN (1) CN105525333B (zh)
TW (1) TWI659128B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017062141A1 (en) * 2015-10-04 2017-04-13 Applied Materials, Inc. Substrate support and baffle apparatus
CN114214709A (zh) * 2016-09-08 2022-03-22 株式会社荏原制作所 基板保持架、镀覆装置、以及基板保持架的制造方法
TWI705161B (zh) * 2017-05-23 2020-09-21 日商荏原製作所股份有限公司 基板固持器及使用該基板固持器之鍍覆裝置
US11658059B2 (en) * 2018-02-28 2023-05-23 Ii-Vi Delaware, Inc. Thin material handling carrier
JP7003005B2 (ja) * 2018-06-25 2022-01-20 株式会社荏原製作所 基板ホルダ及びめっき装置
JP7256027B2 (ja) * 2019-02-20 2023-04-11 株式会社荏原製作所 基板ホルダおよび当該基板ホルダを備えるめっき装置
JP7193418B2 (ja) * 2019-06-13 2022-12-20 株式会社荏原製作所 めっき装置
JP7227875B2 (ja) 2019-08-22 2023-02-22 株式会社荏原製作所 基板ホルダおよびめっき装置
CN110970328B (zh) * 2019-11-18 2022-06-07 长江存储科技有限责任公司 密封环安装治具及安装方法
KR20210082293A (ko) * 2019-12-24 2021-07-05 주식회사 제우스 기판 처리장치
JP7358251B2 (ja) 2020-01-17 2023-10-10 株式会社荏原製作所 めっき支援システム、めっき支援装置、めっき支援プログラムおよびめっき実施条件決定方法
TWI751832B (zh) * 2020-12-10 2022-01-01 日商荏原製作所股份有限公司 鍍覆裝置及基板固持器操作方法
JP7478109B2 (ja) * 2021-02-24 2024-05-02 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US20230383431A1 (en) * 2021-03-03 2023-11-30 Ebara Corporation Substrate holder, apparatus for plating, and method of manufacturing apparatus for plating

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6159354A (en) * 1997-11-13 2000-12-12 Novellus Systems, Inc. Electric potential shaping method for electroplating
US7985325B2 (en) * 2007-10-30 2011-07-26 Novellus Systems, Inc. Closed contact electroplating cup assembly
US20120043200A1 (en) * 2010-08-19 2012-02-23 Jumpei Fujikata Substrate holder and plating apparatus

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2617848B2 (ja) 1992-02-07 1997-06-04 株式会社荏原製作所 半導体ウエハの鍍金治具
JP4044191B2 (ja) * 1997-12-26 2008-02-06 株式会社荏原製作所 ウエハのメッキ装置
JP2003520898A (ja) 1998-07-10 2003-07-08 セミトゥール・インコーポレイテッド 化学メッキ及び電気メッキを使って銅メッキを行うための方法及び装置
US6645356B1 (en) * 1998-12-07 2003-11-11 Semitool, Inc. Methods and apparatus for processing the surface of a microelectronic workpiece
JP2002294495A (ja) * 2001-03-29 2002-10-09 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
US6908540B2 (en) * 2001-07-13 2005-06-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for encapsulation of an edge of a substrate during an electro-chemical deposition process
US7850836B2 (en) * 2005-11-09 2010-12-14 Nanyang Technological University Method of electro-depositing a conductive material in at least one through-hole via of a semiconductor substrate
US9523155B2 (en) * 2012-12-12 2016-12-20 Novellus Systems, Inc. Enhancement of electrolyte hydrodynamics for efficient mass transfer during electroplating
EP2463410B1 (en) * 2010-12-13 2018-07-04 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Electrochemical etching of semiconductors
US20140251798A1 (en) 2011-10-19 2014-09-11 Jcu Corporation Substrate electroplating jig

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6159354A (en) * 1997-11-13 2000-12-12 Novellus Systems, Inc. Electric potential shaping method for electroplating
US7985325B2 (en) * 2007-10-30 2011-07-26 Novellus Systems, Inc. Closed contact electroplating cup assembly
US20120043200A1 (en) * 2010-08-19 2012-02-23 Jumpei Fujikata Substrate holder and plating apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US10214830B2 (en) 2019-02-26
KR20160045014A (ko) 2016-04-26
JP2016079504A (ja) 2016-05-16
CN105525333B (zh) 2019-12-06
JP6545585B2 (ja) 2019-07-17
US20160108539A1 (en) 2016-04-21
CN105525333A (zh) 2016-04-27
TW201615902A (zh) 2016-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI659128B (zh) 基板固持器及鍍覆裝置
KR102150997B1 (ko) 전기화학적 프로세서들의 시일 링들
TWI529262B (zh) 用於電化學處理器的接觸環
TWI691619B (zh) 基板保持裝置
JP5886484B2 (ja) 製品保持装置および処理方法
TW201635426A (zh) 用於垂直電流金屬沈積之基板固持器
CN106367799B (zh) 具有电解质搅动的电镀装置
US11469134B2 (en) Plating chuck
KR102049961B1 (ko) 차폐된 컨택 링을 구비한 전해 프로세서
JP2023553742A (ja) 基板保持装置のカップ型チャックおよび基板保持装置
US10954603B2 (en) Substrate holder, plating apparatus, plating method, and electric contact
JP6382096B2 (ja) めっき方法、めっき装置、および基板ホルダ
JP2018066029A (ja) アノードユニットおよび該アノードユニットを備えためっき装置
US10612151B2 (en) Flow assisted dynamic seal for high-convection, continuous-rotation plating
TWI791785B (zh) 電鍍夾盤
JP6216652B2 (ja) 基板ホルダを備えためっき装置
JP7264780B2 (ja) 基板ホルダ及びそれを備えた基板めっき装置、並びに電気接点
KR20230053674A (ko) 기판의 화학적 및/또는 전해 표면 처리 중 기판을 홀딩하기 위한 도금 프레임 유닛