JP2003520898A - 化学メッキ及び電気メッキを使って銅メッキを行うための方法及び装置 - Google Patents

化学メッキ及び電気メッキを使って銅メッキを行うための方法及び装置

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Abstract

(57)【要約】 ワークピース(25)の表面に金属をメッキするためのリアクタ(20)を記載する。リアクタ(20)は、電気メッキ溶液を入れたリアクタボウル(35)と、電気メッキ溶液と接触してリアクタボウル内に配置された陽極(55)と、を含む。接点組立体(85)がリアクタボウル(35)内で陽極(55)から間隔を隔てられる。接点組立体は、電気メッキ電力をワークピースに与えるためにワークピースの表面の周縁に接触するように配置された複数の接点(図示せず)を有する。さらリング又は別々の屈曲の形態をなした接点は、ホークピースを接点と接触させるときワークピースの表面に対してぬぐい取り作用を行う。接点組立体はまた複数の接点の内部に配置されたハリヤー(図示せず)を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 (発明の属する技術分野) 本発明は、ワークピースの表面上に金属をメッキするための方法及び装置に関
する。
【0002】 (発明の背景) 半導体ウェーハのようなワークピースから半導体集積回路及びその他の微小電
子デバイスを製作するには、通常、ウェーハ上に1つ又はそれ以上の金属層を形
成する必要がある。これらの金属層は、例えば、集積回路の種々のデバイスを電
気的に内部接続するのに使われる。更に、金属層から形成される構造は、読み出
し/書き込みヘッド等の微小電子デバイスを構成する。
【0003】 マイクロ電子機器製造業では、そのような構造を作るために広範囲な金属を使
用している。その金属には、例えば、ニッケル、タングステン、はんだ、プラチ
ナ、銅が含まれる。更に、このような金属を蒸着或いは堆積させるため、広範囲
な処理技法が用いられている。この技法には、例えば、化学蒸着(CVD)や、
物理蒸着(PVD)や、電気メッキや、化学メッキが含まれる。これらの技法の
うち、電気メッキ及び化学メッキは概ね最も経済的であり、従って、最も望まし
い。電気メッキ及び化学メッキは、ブランケット金属層を堆積させるのにも、パ
ターン金属層を堆積させるのにも利用できる。
【0004】 マイクロ電子機器製造業で、金属を半導体ウェーハ上に堆積させるのに使用さ
れている最も一般的な処理方法の1つは「ダマシン」処理と呼ばれているもので
ある。この処理では、普通「ビア」と呼ばれている穴、トレンチ、及び/又は他
の凹部がワークピース上に形成され、そこに銅のような金属が埋め込まれる。こ
の「ダマシン」処理では、先ずウェーハに、後に続く金属電気メッキ段階で電流
を伝導するのに使われる金属のシード層が設けられる。銅のような金属が用いら
れる場合、シード層は、Ti、TiN等のバリア層物質上に堆積される。シード
層は非常に薄い金属の層で、1つ又はそれ以上の幾つかのプロセスを使って作る
ことができる。例えば、金属のシード層は、物理蒸着又は化学蒸着処理を使って
1000オングストローム・オーダーの厚さで形成することができる。シード層
は、銅、金、ニッケル、プラチナ等の金属を使えば巧く形成することができる。
シード層は、ビア、トレンチ、或いは他の凹んだデバイス造形の存在している表
面を覆って形成される。
【0005】 次に、金属層がシード層の上にブランケット層の形で電気メッキされる。ブラ
ンケット層はメッキされて上を覆う層を形成し、最終的に、トレンチやビアを埋
め、これらの造形上にある量積層する金属層を形成する。このようなブランケッ
ト層は通常、厚さが10,000から15,000オングストローム(1−1.
5ミクロン)である。
【0006】 ブランケット層が半導体ウェーハ上に電気メッキされた後、ビア、トレンチ、
或いは他の凹部の外側に過剰に存在している金属材料が除去される。この金属が
除去されると、形成される半導体集積回路の金属層のパターンができることにな
る。この過剰なメッキされた金属は、例えば、化学的機械平坦化を使って除去す
ることができる。化学的機械平坦化は、化学的除去剤と、金属メッキ段階で作ら
れた金属層の不要な部分を除去するため露出した金属表面を研削、研磨する研磨
材とが組み合わされて作動する処理段階である。
【0007】 半導体ウェーハの電気メッキはリアクタアッセンブリ内で行われる。このよう
なリアクタ内では、メッキ槽内に陽極が配置され、シード層が表に付いたウェー
ハが陰極として用いられる。ウェーハの下面だけがメッキ槽の表面に接触する。
ウェーハは、必要な電気メッキ電力(例えば陰極電流)をウェーハに導電する支
持システムによって保持される。 支持システムは、ウェーハを適所に固定し、
メッキするための電流を導電するためにウェーハのシード層に接触している導電
性フィンガーを備えている。リアクタアッセンブリの1つの実施の形態が「遠位
接触部と誘電カバーを備えた、ワークピースと係合する電極を有する、半導体メ
ッキシステムのワークピース支持体」と題する1997年9月30日出願の米国
特許出願番号第08/988,333号に開示されている。
【0008】 半導体ウェーハを電気メッキするのに用いるリアクタを設計する際には、幾つ
かの技術的問題を克服しなければならない。ウェーハの周辺付近のシード層との
間に小数の個別の電気接点(例えば、6接点)を使えば、当然、接点近辺の電流
密度がウェーハの他の部分よりも高くなる。ウェーハ全体として電流が不均一に
分布すると、メッキされる金属材が不均一に堆積される結果となる。ウェーハの
接点近くに、シード層に接触する導電エレメント以外の導電エレメントを設けて
電流を逃がせば、そのような不均一性を最小化することができる。しかしそのよ
うな電流を逃がす技法を用いれば、電気メッキ装置は複雑になり、メンテナンス
要件も増えることになる。
【0009】 ウェーハを電気メッキする際のもう1つの問題は、電気メッキ処理の間に、如
何にして電気接点自体がメッキされないようにするかである。電気接点にメッキ
された物質は何であれ、接点性能が変わるのを防止するために排除しなければな
らない。個別の電気接点にシール機構を設けることはできるが、そのような装置
は通常、ウェーハ表面の相当な部分を覆い、電気接点設計を複雑化することにな
る。
【0010】 この他の問題に対処する中で、しばしば、半導体ウェーハの縁部近くの露出し
ているバリア層上の電気メッキを防止するのが望ましいことがある。電気メッキ
された物質は露出したバリア層材によく接着せず、これに続くウェーハ処理段階
で剥がれ落ちやすい。更に、リアクタ内でバリア層上に電気メッキされた金属が
電気メッキ処理中に剥がれ落ちることもあり、電気メッキ槽に粒子汚染物質を追
加することになる。そのような汚染物質は全体の電気メッキ処理に悪影響を及ぼ
しかねない。
【0011】 特定の電気メッキされる金属が、電気メッキ処理を複雑にすることもある。例
えば、ある金属を電気メッキするには、通常、比較的電気抵抗の高いシード層を
使う必要がある。その結果、通常の複数の電気的ウェーハ接点(例えば、6個の
個別接点)を使っても、ウェーハ上に適当な均一メッキ金属層を形成できないこ
ともある。
【0012】 上に議論した接点に関係する問題以外にも、電気メッキリアクタにはまだ問題
がある。デバイスのサイズが大きくなるにつれ、処理環境を厳密に規制する必要
が増してくる。この中には、電気メッキ処理に影響を及ぼす汚染物質の規制が含
まれる。従って、このような汚染物質を生成しがちな、リアクタの可動部品は厳
格に隔離されなければならない。
【0013】 更に、現存する電気メッキリアクタでは、異なる電気メッキ処理に対して保守
及び/又は再構成するのがしばしば困難である。電気メッキリアクタを大規模生
産に対応できるように設計するためには、このような問題は克服されねばならな
い。
【0014】 本発明のある態様は、以下の特徴即ち、改良されたワークピース接点アッセン
ブリ、簡単に取り外せる接点アッセンブリ構造を有する処理ヘッド、及び/又は
可動部品を処理環境から効果的に隔離できる処理ヘッド、の内1つ又はそれ以上
を有する改良された電気メッキ装置を志向している。
【0015】 電気メッキで銅を堆積することに関わる1つの欠点は、微小電子ワークピース
上の非常に細かな造形(0.1ミクロン以下の造形)に関し、電気メッキによる
銅の堆積は縦横比の大きいビア及びトレンチの側壁への追随性を欠き、形成され
た内部配線及びプラグ(ビア)内に空洞を形成するおそれのあることである。こ
れはしばしばPVD又はCVDによって蒸着された銅のシード層の追随性不良に
よって生じ、シード層が、高縦横比造形の底部にまで電流を運ぶのに充分な厚さ
がないことによる。
【0016】 銅を微小電子ワークピース上に堆積する代わりの処理法は「化学メッキ」とし
て知られている。マイクロ電子ワークピース上への銅金属被覆の化学メッキ法は
「半ミクロン以下の化学銅被覆」と題する論文(V.M.デュパン他著、材料研
究学会シンポジウム会報、第427巻、将来のULSIに対する進歩した金属被
覆、1996)に開示されており、参考文献としてここに援用する。この論文は
低いツーリングコスト、低い処理温度、高品質な堆積、優れたメッキの均一性、
良好なビア/トレンチ充填能力を初めとする、化学メッキ銅金属被覆の潜在的有
用性を述べている。
【0017】 開示された手法によれば、ブランケット化学メッキ銅堆積は、銅シード層を有
するワークピース上でビア及びトレンチ充填のために行われている。銅シード層
は予めスパッタリング又は接触変位(湿式活性化処理)により堆積されている。
アルミ防食層が銅シード層上にスパッタリングされている。コリメートされたT
i/N、コリメートされていないTi、コリメートされていないTaが、拡散バ
リア/接着促進層として使用されている。銅層の化学メッキ堆積の後、銅層が化
学的機械研磨され象眼銅金属被覆が作られている。選択的化学メッキCoW不動
態化層が象眼銅金属被覆上に堆積されている。
【0018】 先の論文に開示されている方法によれば、同じ銅化学メッキ槽内でウェーハを
動かすことなくアルミ防食層のエッチングをした結果、触媒銅表面を空気に曝す
必要が無くなった。これは、化学メッキ銅堆積が行われる前に酸化が避けられる
ことを意味している。アルミ防食シード層のエッチングの後、触媒シード層は化
学メッキ銅堆積のための触媒物質として働く。更に、開示された方法によれば、
シードバリア層システムを真空中300℃でアニリングすると、シード層の接着
性が改良されている。
【0019】 更に、表面張力を制御し、堆積中に水素が含まれるのを遅らせるため、そして
溶液安定性を増すため、銅メッキ溶液に、少量の界面活性剤と安定化剤が加えら
れている。表面活性剤の例としては、RE610、ポリエチレングリコール、N
CW−601A、トリトンX−100が挙げられる。安定化剤の例として開示さ
れているのは、ネオクプロイン、2,2’ジピリジル、CN−、ローダミンであ
る。
【0020】 化学メッキ金属被覆技法を記述し教示しているこの他の特許として、米国特許
第5,500,315号、第5,310,580号、第5,389,496号、
第5,139,818号があり、全てを参考文献としてここに援用する。
【0021】 微小電子ワークピースに銅を化学メッキするのは良好な造形追随性などの利点
を提供するが、銅の化学メッキによる堆積の速度は、一般的に電気メッキの場合
よりも遅い。従って、本発明のもう一つの態様は、小さなそして/又はビア及び
トレンチのような高い縦横比造形における銅堆積の有用な追随性を達成する必要
性を認知しながら、同時にマイクロ電子生産のスループットを上げるために全体
の堆積速度を上げることである。本発明のこの態様は、自動化されたマイクロ電
子処理ツールに組み込むことのできる化学メッキリアクタを提供する必要性も理
解している。
【0022】 (発明の概要) 金属をワークピースの表面の上にメッキするためのリアクタについて述べられ
ている。リアクタは、中に入っている電気メッキ溶液を含むリアクタボウルと、
電気メッキ溶液に接触しながらリアクタボウル内に配置されている陽極とを備え
ている。接点アッセンブリはリアクタボウル内で陽極から距離をおいて設けられ
ている。接点アッセンブリは、ワークピースの表面の周辺縁部と接触してワーク
ピース表面に電気メッキ電力を供給するために配置されている複数の接点を含ん
でいる。接点は、ワークピースが係合される際にワークピースの表面に対しワイ
ピング動作を行う。接点アッセンブリは、複数の接点の内側に配置されているバ
リアも含んでいる。バリアは、ワークピースの表面と係合し、複数の接点を電気
メッキ溶液から隔離するのを支援するために配置されている部材を含んでいる。
ある実施の形態では、複数の接点は別々の屈曲した形態をしており、又別の実施
の形態では、複数の接点は皿ばね状環状接点の形態をしている。複数の接点及び
ワークピースの周辺縁部にパージガスを供給するため、接点アッセンブリには流
路が設けられている。パージガスは接点アッセンブリのバリア形成を支援するた
めに使われる。
【0023】 本発明の別の態様によれば、接点アッセンブリは、1つ又はそれ以上のラッチ
係合機構によってリアクタアッセンブリと接合されている。ラッチ係合機構を使
えば、接点アッセンブリを、同一型式又は異なる型式の別の接点アッセンブリと
容易に交換することができる。開示されている接点アッセンブリの構造を使えば
同一型式の接点アッセンブリと交換する際にメッキシステムのキャリブレーショ
ンをやり直す必要性が低減或いは削除できるので、リアクタの休止時間を低減す
ることができる。
【0024】 本発明的リアクタの別の態様によれば、リアクタは接点アッセンブリを含む処
理ヘッドを備えている。更に特定すれば、処理ヘッドはステータ部とローター部
を含んでおり、ローター部は接点アッセンブリを含んでいる。接点アッセンブリ
は、少なくとも1つのラッチ機構によりローター部と取り外し可能に接合されて
いる。
【0025】 リアクタは又、バッキング部材と駆動機構とを1つのアッセンブリ内に含んで
おり、そのアッセンブリ内では、バッキング部材と接点アッセンブリとが、ワー
クピースを取り付ける状態とワークピースを処理する状態との間で、駆動機構に
より互いに相対的に動かされるようになっている。ワークピースを処理する状態
では、ワークピースはバッキング部材により接点アッセンブリの複数の接点に向
かって付勢される。駆動機構から放出される粒子による汚染の危険性を減じるた
め、駆動機構は実質的にベロー部材により取り囲まれている。
【0026】 ワークピースをメッキするための統合ツールについても説明されている。統合
ツールは、化学メッキ処理によってワークピースをメッキする第1処理室と、電
気メッキ処理によってワークピースをメッキする第2処理室とを備えている。ワ
ークピースを化学メッキするために第1処理室に搬送し、次にワークピースを電
気メッキするために第2処理室に搬送するようにプログラムされているロボット
搬送機構が使用されている。上に述べたツールで行われるメッキ処理について述
べられているが、開示されている処理は処理ツールとは独立したものである。 基本反応装置構成要素 図1〜図3を参照すると、半導体ウエーハ25のような微小電子ワークピース
を電気メッキするリアクタ組立体20が示されている。一般的に言えば、リアク
タ組立体20はリアクタヘッド30及び対応したリアクタボウル35を備えてい
る。この形式のリアクタ組立体20は半導体ウエーハ又は同様なワークピースの
電気メッキを行うのに特に適しており、ウエーハの導電性薄膜層は、ブランケッ
ト又はパターン金属層で電気メッキされる。リアクタ組立体20に用いるのに適
したリアクタボウル35の一つの実施の形態の特殊な構造は図2に例示されてい
る。電気メッキリアクタボウル35は、電気メッキ溶液を収容しかつ電気メッキ
すべき関連したワークピース25の通常下向きの表面に対して溶液を導くリアク
タ組立体20の部分である。この目的のため、電気メッキ溶液はリアクタボウル
35を通して循環される。電気メッキ溶液の循環に伴って、溶液はリアクタボウ
ル35からリアクタボウル35の堰状の周囲部を越えてリアクタ組立体20の下
方オーバーフローチャンバ40へ流れる。溶液は一般的にはリアクタを通して再
循環させるために下方オーバーフローチャンバ40から引き出される。
【0027】 リアクタボウル35は上昇管45を備え、この上昇管45内には、リアクタボ
ウル35内に電気メッキ溶液を導入する流入導管50が配置されている。この流
入導管50は好ましくは導電性であり、電気メッキ陽極55と電気的に接触しか
つ電気メッキ陽極55を支持している。陽極55は陽極シールド60を備えるこ
とができる。電気メッキ溶液は、流入導管50からそれの上方部分における開口
を通って陽極55の周りに流れ、そして陽極と動作的に関連して位置決めされた
随意の拡散板65を通って流れる。陽極55を消耗性にして、それにより陽極の
金属イオンを電気メッキ溶液によって、カソードとして機能する関連したワーク
ピースの導電性表面に運ぶようにできる。代わりに、陽極55を不活性にして、
それにより陽極シールド60の必要性を省くことができる。
【0028】 図1及び図3に示すように、リアクタ組立体20のリアクタヘッド30は好ま
しくは固定組立体70及び回転組立体75を備えている。回転組立体75は、関
連したウエーハ25又は同様なワークピースを受け、ウエーハをリアクタボウル
35内のプロセス側下向き方向に位置決めしそしてリアクタ組立体20のメッキ
回路に導電性表面を接しながらワークピースを回転させるように構成されている
。リアクタヘッド30は一般的に、持ち上げ/回転装置80に装着され、持ち上
げ/回転装置80は、メッキすべきウエーハを受ける上向き配置から、メッキす
べきウエーハの表面をリアクタボウル35内に下向きに一般には拡散板65と向
い合った関係で位置決めされる下向き配置までリアクタヘッド30を回転するよ
うに構成されている。ロボットアーム415(しばしば端効果装置を含むものと
して記載される)は通常、回転組立体75上の適当な位置にウエーハ25を配置
したり、回転組立体内からメッキしたウエーハを取り出すのに使用される。
【0029】 開示したリアクタヘッドの発明概念で他のリアクタ組立体構成を使用でき、上
記は単なる例示であることが認められる。上記の構成に使用するのに適した別の
リアクタ組立体は1998年7月9日に出願され参照文献として本明細書に結合
されるU.S.S.N.09/112,300に例示されている。上記の構成に
使用するのに適したさらに別のリアクタ組立体は1999年4月13日に出願さ
れ参照文献として本明細書に結合されるU.S.S.N.60/120,955
に例示されている。 改良された接触組立体 上述のように、電気メッキ電力をウエーハの周囲縁部に供給する仕方は堆積金
属の全体膜品質にとって極めて重要である。このような電気メッキ電力を供給す
るのに用いられ接触組立体の比較的望ましい特性の幾つかは例えば下記の事項を
含む。
【0030】 ・堆積幕一様性を最大化するためにウエーハの周囲部の周りにおける電気メッ
キ電力の一様な分配; ・ウエーハを通しての一様性を保証するために一貫した接触特性; ・デバイス製造に利用できる面積を最大化するためにウエーハ周囲部における
接触組立体の侵入の最少化;及び ・剥離及び(又は)フレーキングを抑止するためにウエーハ周囲部におけるバ
リヤー層上のメッキの最少化。 上記特性の一つ以上に合わせるために、リアクタ組立体20は好ましくは、ウ
エーハ25と連続した電気接触か又は多数の分離した電気接触を形成するリング
接触組立体85を使用する。半導体ウエーハ25の外終縁部、この場合、半導体
ウエーハ25の外周囲部と比較的連続した接触を行うことにより、半導体ウエー
ハ25に比較的一様な電流が供給され、比較的一様な電流密度となる。比較的一
様な電流密度は堆積材料の深さを一様にさせる。
【0031】 接触組立体85は本発明の好ましい実施の形態によれば、シード層との一貫し
た接触を同時に行いながら、ウエーハの周囲部における侵入を最少化する接触部
材を含んでいる。シード層との接触は、ウエーハが接触組立体と係合される際に
シード層に対してワイパー作用する接触部材構造体を用いることにより高められ
る。このワイパー作用はシード層表面における酸化物を除去するのに役立ち、そ
れにより、接触構造体とシード層との電気接触を強めることになる。結果として
、ウエーハ周囲における電流密度の一様性は高められ、結果としての膜はより一
様となる。さらに、電気的接触のこのようなコンシステンシーにより、ウエーハ
毎の電気メッキの一貫性すなわちコンシステンシーが高められる。
【0032】 また接触組立体85は、以下にさらに詳細に説明するように、好ましくは、一
つ又は複数の接触部、半導体ウエーハ25の周縁部分及び背後部をメッキ溶液か
ら分離するバリヤーを個々に又は他の構造体と共動して形成する一つ以上の構造
体を備えている。これにより、個々の接触部における金属のメッキは避けられ、
さらに半導体ウエーハ25の縁部近くのバリヤー層の露出部分が電気メッキ環境
にさらされないようにされる。その結果、緩く付着した電気メッキ材料のフレー
キングによる汚染の関連した可能性及びバリヤー層のメッキは実質的に制限され
る。 屈曲接点を用いたリング接点組立体 リアクタ組立体20に使用するのに適した接点組立体の一つの実施の形態は図
4〜図10に示されている。接点組立体85は回転組立体75の一部を成し、半
導体ウエーハ25と電気メッキ電源との間の電気的接触を行う。例示した実施の
形態では、半導体ウエーハ25と接点組立体85との電気的接触は、非常に多数
の屈曲接点90で行われ、これらの屈曲接点90は、半導体ウエーハ25が回転
組立体75で保持され支持されている際にはリアクタボウル35の電気メッキ環
境内部から有効に分離される。
【0033】 接点組立体85は幾つかの分離した構成要素を備え得る。図4を参照すると、
電気メッキされることになるワークピースが円形半導体ウエーハである場合には
、接点組立体85の分離した構成要素は互いに接合して仕切られた中央開放領域
95をもつほぼ環状の構成要素を形成する。この仕切られた中央開放領域95内
には、電気メッキされることになる半導体ウエーハの表面が露出されている。特
に図6を参照すると、接点組立体85は、外側本体部材100と、環状ウエッジ
105と、多数の屈曲接点90と、接点取付け部材110と、内部ウエーハガイ
ド115とを備えている。好ましくは、環状ウエッジ105、多数の屈曲接点9
0及び接点取付け部材110は、白金化チタンで構成され、一方、内部ウエーハ
ガイド115及び外側本体部材100は電気メッキ環境に適合した誘電体材料で
構成される。環状ウエッジ105、多数の屈曲接点90、接点取付け部材110
及びウエーハガイド115は、互いに接合して単一組立体を形成し、この単一組
立体は外側本体部材100によって互いに固定されている。
【0034】 図6に示すように、接点取付け部材110は、それの周囲部分のまわりに配置
した第1の環状溝120及び第1の環状溝120の半径方向内方に配置した第2
の環状溝125を備えている。第2の環状溝125は、屈曲接点90の数と等し
い数の多数の屈曲チャネル130に開放している。図4から見られ得るように、
全部で36個の屈曲接点90が使用され、各々約10°の角度互いに離間されて
いる。
【0035】 再び図6を参照すると、各屈曲接点90は、直立部分135と、横方向部分1
40と、垂直遷移部分145と、ウエーハ接触部分150とを備えている。同様
に、環状ウエッジ105は、直立部分155と、横方向部分160とを備えてい
る。環状ウエッジ105の直立部分155及び屈曲接点90の直立部分135は
、各屈曲チャネル130の位置において接点取付け部材110の第1の環状溝1
20内に固定されている。全体接点組立体85内の適切な位置に対する屈曲接点
90の自動調整は、まずそれぞれの屈曲チャネル130における個々の屈曲接点
90の各々を配置することによって行われ、すなわち直立部分135が接点取付
け部材110の第1の環状溝120内に配置され、一方垂直遷移部分145及び
ウエーハ接触部分150がそれぞれの屈曲チャネル130を通るようにされる。
そして環状ウエッジ105の直立部分155は第1の環状溝120内に係合され
る。この係合をし易くするために、直立部分155の上方端部はテーパー状にな
っている。屈曲接点90の直立部分135及び環状ウエッジ105の直立部分1
55の総体幅は、これらの構成要素が接点取付け部材110にしっかりと固定さ
れるように選ばれる。
【0036】 環状ウエッジ105の横方向部分160は各屈曲接点90の横方向部分140
の長さの一部に沿ってのびている。例示した実施の形態では、環状ウエッジ10
5の横方向部分160は接点取付け部材110の第2の環状溝125の縁部で終
端している。以下の屈曲接点の動作の説明からさらに明らかとなるように、環状
ウエッジ105の横方向部分160の長さは屈曲接点90の剛性が所望の程度と
なるように選択され得る。
【0037】 ウエーハガイド115は、多数のスロット165を備える環状リングの形態で
あり、スロット165を通って屈曲接点90のウエーハ接触部分150がのびて
いる。ウエーハガイド115の外壁からは環状伸長部分170がのび、接点取付
け部材110の内壁に配置された相応した環状溝175に係合し、それによりウ
エーハガイド115を接点取付け部材110に固定している。例示したように、
ウエーハガイド部材115の内径は、それの上方部分からウエーハ接触部分15
0に近いそれの下方部分へ向かって小さくなっている。従って、接点組立体85
内に挿入されたウエーハは、ウエーハガイド115の内部に形成されたテーパー
状の案内壁によってウエーハ接触部分150に対して適当な位置に案内される。
好ましくは、環状伸長部分170の下方へのびるウエーハガイド115の部分1
80は薄い順応壁として形成され、この薄い壁は、所与ウエーハ寸法の許容範囲
内で種々の直径のウエーハに適合するように弾性変形する。さらに、このような
弾性変形により、屈曲接点90のウエーハ接触部分150にウエーハを係合させ
るために使用した構成要素において生じるウエーハ挿入許容範囲が融通される。
【0038】 図6を参照すると、外側本体部材100は、直立部分185と、横方向部分1
90と、垂直遷移部分195と、上向きリップ205で終端している別の横方向
部分200とを備えている。直立部分185は環状伸長部分210を備え、この
環状伸長部分210は、接点取付け部材110の外壁に配置した環状ノッチ21
5と係合するように半径内方へのびている。直立部分185の下方部分にはV型
ノッチ220が形成され、それの外周部分を包囲している。V型ノッチ220は
、組立て中に直立部分185を弾性変形させる。この目的で、直立部分185は
、環状伸張部分210が環状ノッチ215と係合するように接点取付け部材11
0の外部のまわりを摺動する際に弾性的に変形する。一度係合すると、接点取付
け部材110は、環状伸張部分210と外側本体部材100の横方向部分190
の内壁との間に締付けられる。
【0039】 別の横方向部分200は、屈曲接点90のウエーハ接触部分150の長さを越
えてのび、そして25で示すようなウエーハがそれらに対して駆動される際に弾
性的に変形するように寸法決めされている。V型ノッチ220は、別の横方向部
分200の弾性変形を助けるように寸法決めされかつ位置決めされている。ウエ
ーハ25がウエーハ接触部分150と適切に係合すると、上向きリップ205は
ウエーハ25と係合し、電気メッキ溶液と屈曲接点90の外周縁部及び後側との
間にバリヤーを形成するようにしている。
【0040】 図6に示すように、屈曲接点90は、ウエーハ25がそれらの屈曲接点90に
対して駆動される際に弾性的に変形する。好ましくは、ウエーハ接触部分150
は最初、例示した仕方で上向きに角度を成している。従って、ウエーハ25がウ
エーハ接触部分150に対して強制される際に、屈曲接点90は弾性的に変形し
て、ウエーハ接触部分150はウエーハ25の表面230に対して有効にワイパ
ーする。図示実施の形態では、ウエーハ接触部分150はウエーハ25の表面2
30に対して235で示す水平距離で有効にワイパーする。このワイパー作用は
、ウエーハ25の表面230から全ての酸化物を除去及び(又は)浸透するを助
け、それにより屈曲接点90とウエーハ25の表面230におけるシード層との
間を有効に電気的に接触させる。
【0041】 図7及び図8を参照すると、接点取付け部材110は一つ以上のポート240
を備え、これらのポート240は窒素源のようなパージガス源に接続され得る。
図8に示すように、パージポート240は第2の環状溝125に開放しており、
第2の環状溝125は図6に示すように全ての屈曲チャネル130にパージガス
を供給するマニホールドとして働いている。パージガスは各屈曲チャネル130
及び屈曲接点90の全ウエーハ接触部分150を実質的に包囲するスロットを通
過する。ウエーハ接触部分150を包囲する領域をパージすることに加えて、パ
ージガスは外側本体部材100の上向きリップ205と共動して電気メッキ溶液
に対するバリヤーを形成する。パージガスは、ウエーハガイド115の外壁の一
部と接点取付け部材110の内壁の一部との間に形成された環状チャネル250
によってさらに循環される。
【0042】 図4、図5及び図10に示すように、接点取付け部材110は一つ維持用のね
じ付き開口255を備え、これらのねじ付き開口255は相応した接続プラグ2
60を受けるように寸法決めされている。図5及び図10を参照すると、接続プ
ラグ260は電気メッキ電力を接点組立体85に供給し、また好ましくは、各々
白金化チタンで構成されている。接続プラグ260の好ましい形態では、各接続
プラグ260は中心にボアー孔270を備えた本体265を有している。本体2
65の上方部分には第1のフランジ275が設けられ、また本体265の下方部
分には第2のフランジ280が設けられている。ねじ付き伸張部分285は第2
のフランジ280の中心部分から下向きにのび、そしてねじ付きボアー孔270
に固定している。第2のフランジ280の下方面は接点取付け部材110の上方
表面に直接当接し、それらの間の電気的接続の確実性を増スようにしている。
【0043】 屈曲接点90は分離した構成要素として形成されているが、それらの接点は一
体組立体として互いに接合され得る。この目的で、例えば、屈曲接点90の直立
部分135は、別個の部片としてけいせいされるか又は材料の単一部片を形成す
るように屈曲接点と共に形成される白金化チタンのような材料のウエブによって
互いに接合され得る。材料のウエブは全ての屈曲接点の間又は屈曲接点の選択し
た群の間に形成され得る。例えば、材料の第1のウエブは屈曲接点の半分(図示
実施の形態では18個の屈曲接点)を接合するのに用いられ得、一方、材料の第
2のウエブは屈曲接点の残りの半分(図示実施の形態では残りの18個の屈曲接
点)を接合するのに用いられる。別の群分けも可能である。
【0044】 上述のような屈曲接点を使用した接点組立体の別の実施の形態は図11〜図1
5に例示されている。図11に示すように、接点組立体85bは半導体ウエーハ
を受けるようにされ、そして図4〜図10の接点組立体と多くの点で同様である
。従って、接点組立体85bにおける構成要素は、接点組立体85bの構成要素
が添字“b”を備えている点を除いて接点組立体85に関連した同じ参照番号を
用いて表される。
【0045】 本実施形態では、図15を参照すると、外側本体部材100bが、導電性がな
く、電気メッキ環境と化学的互換性があるプラスティック材料などから形成され
ている。外側本体部材110bには環状溝290bが設けられており、ここには
Oリング295bが設けられている。以下に更に詳細に説明されるように、Oリ
ング295bが半導体ウエーハ25の面230bを密封して、リアクタボウル3
5内部で屈曲接点90bと電気メッキ環境との間の接触を防止するのを支援する
【0046】 接点アセンブリ85bも環状強めリング300b、接点取付け部材110b、
および、複数の屈曲接点90bを有している。接点取付け部材110bは複数の
スロット165bを有している環状リングの形態を呈し、屈曲部90bの接触部
150bがこれらスロットを通って延びている。図示のように、接点取付け部材
は、内径近似接触部150bよりも大きい内径遠位接触部150bを有している
。接点アセンブリ85bに挿入されているウエーハは、このように、接点取付け
部材110bの内部に形成されたテーパ状ガイド壁により、接触部150bを有
する適所に誘導される。
【0047】 上述のように、例示の実施形態の屈曲接点90は別個の構成要素として形成さ
れて、その各々が直立部分135b、横部分140b、垂直移行部分145b、
および、接触部150bを有している。接触部150bは複数のスロット165
bのそれぞれを通って突出している。
【0048】 接点アセンブリ85bを形成するために、前述の構成要素を一体化すると同時
に、接点アセンブリの動作を統合することは、図15を再度参照すると、最良に
理解できる。例示の実施形態では、多様な構成要素が外部本体部材100bによ
り一緒にクランプされる。図示のように、接点取付け部材110bおよび外部本
体部材100bが、一般に参照番号130bと示されている、複数の屈曲チャン
バーを規定している。各屈曲チャンバーは、内側本体部材110bから半径方向
外向きに延びる面取り加工を施した部材300bにより各側面ごとに規定されて
いる上昇部120bを有している。面取り加工を施した部材300bはカム作用
により外側本体部材100bのノーズ部210bにより係合状態になるように設
計されているが、これにより、ノーズ部210bが接点取付け部材110b、屈
曲部90bの横部分149b、および、環状強めリング300bを外側本体部材
100bの側面方向延在部190bに抗してクランプする。外側本体部材100
bが形成される材料次第では、1個以上の面取り加工した部材160にわたりノ
ーズ部215bのカム作用を促進させるように、所望されるならば、ウエーハ5
が接点アセンブリ85b全体と動作可能な関係へと付勢された場合の、外側本体
部材100bの弾性変形を促進させるように、外側本体部材100bにノッチ2
20bを有していることが望ましいことがある。
【0049】 任意で、屈曲接点90bおよびウエーハ25の背面を浄化するために、窒素の
ような無反応性ガスが使用できる。このためには、ウエーハガイド115bには
、パージガスを環状マニホルド125bに流体導通させ、かつ、そこから屈曲チ
ャンバー130bを通って流体導通させて、実質的に接触部150bを包囲する
ように働く1つ以上のパージポート240bを設けることができる。次いで、パ
ージガスが開口部165bを通り半導体ウエーハ25の周囲端縁に流れ、更に、
半導体ウエーハの背面へと流れる。かかる処置は屈曲接点90bと半導体ウエー
ハ25の背面の、処理環境からの隔絶を向上させる。
【0050】 動作については、半導体ウエーハ25が屈曲接点90bに押圧され、半導体ウ
エーハ25の面230bがOリングと、そこに対応する外側本体部材100bの
部分とを密封する。このような態様で押圧すると、各屈曲接点90が垂直方向の
或る距離と水平方向の或る距離235bだけ押しやられる。この移動により、屈
曲接点90bは半導体ウエーハ25の面230bを拭い取り、それにより、密封
層酸化物などの除去または浸透を助けるとともに、屈曲接点90bと半導体ウエ
ーハ25の間の電気接触を向上させる。偏向および偏倚の量は、環状強めリング
300bの半径方向幅の関数として変動させることができる。大きな偏向は、適
切な電気接触を供与している間と、半導体ウエーハ25を接点アセンブリ85で
密封している間に、大きな製造公差の変動に適応させるために使用することがで
きる。
【0051】 接点アセンブリ85bのかかる実施形態では、半導体ウエーハ25に付与され
る軸線方向力が、屈曲接点90を偏向させるのに要する力とシール部に電力投入
するのに要する力との間で分割される。これにより、構造体とは無関係な負荷経
路が設けられるが、構造体がシール部を有していることにより、接点の偏向がO
リング105の偏向に従属することから切り離して、シール部を形成する。
【0052】 皿ばね接点アセンブリ 代替の接点アセンブリが図16から図25に例示されている、上記接点アセン
ブリの各々では、接点部材が対応する共通リングと一体にされ、それぞれの対応
アセンブリに取付けられると、ウエーハまたは他の基板が接点部材上に受容され
ている方向で上向きに偏倚される。かかる構造の実施形態の頂面図が図16Aに
例示されているが、その斜視図が16Bに例示されている。図示のように、一般
に参照番号610で示されたリング接点は、複数の接点部材655を接合する共
通リング部630から構成されている。共通リング部630および接点部材65
5は、対応するアセンブリに取付けられると、従来型のベルヴィルプリングの半
分体に外観が類似している。このため、リング接点610は本明細書後記におい
て「皿ばね接点」と称するが、このリング接点が設置される全接点アセンブリは
「皿ばね接点アセンブリ」と称する。
【0053】 図16Aおよび図16Bに例示された皿ばね接点610の実施形態は接点部材
655を含み、白金チタニウムから製作されるのが好ましい。接点部材655は
、円弧状区分657を白金チタニウムリングの内径へと分断することにより形成
することができる。所定数の接点部材658は残余の接点部材655よりも大き
い長さを有し、例えば、或る一定の平坦面を設けたウエーハを適応する。
【0054】 皿ばね接点610の更なる実施形態が図17に例示されている。上述のように
、この実施形態は白金チタニウムから形成されるのが好ましい。接点部材655
の全部が構造体の中心に向けて半径方向内向きに延在している図16Aおよび図
16Bの実施形態とは異なり、この実施形態は、或る角度で配置された接点部材
659を有している。この実施形態は、製造するのが容易であり、かつ、同一基
礎状図を有する図16Aおよび図16Bの実施形態を実現するより従属的な接点
を提供する単体設計を構成している。この接点の実施形態は、接点アセンブリの
ベルヴィル形態へと定着することができ、恒久的な形態は必要としない。この実
施形態の皿ばね接点610が適所に定着させられると、完全な周囲構造は必要で
はなくなる。むしろ、接点が各分節ごとに形成され、取り付けられ、それにより
、分節の電気特性の独立した制御/検知を可能にする。
【0055】 皿ばね接点アセンブリの第1の実施形態が図18から図20に一般に参照番号
600で例示されている。図示のように、接点アセンブリ600は導電性接点取
付け部材605、皿ばね接点610、誘電ウエーハリング615、および、外側
本体部材625を有している。皿ばね接点610の共通部分630は、導電性ベ
ースリング605のノッチ675の内部で係合状態になる第1面を有している。
多くの点で、この実施形態の皿ばね接点アセンブリは上述の屈曲接点アセンブリ
85と構造が類似している。そのため、接点アセンブリ600の大半の構造の機
能性は明白であり、ここでは反復して述べられていない。
【0056】 好ましくは、接点取付け部材605は、導電材料の単一の一体型ピースから形
成されているか、或いは、導電材料で外部が皮膜された誘電材料または他の材料
から形成されている。導電リング605および皿ばね接点610は白金チタニウ
ムから形成されているか、そうでなければ、白金の層で皮膜されているのがより
好ましい。
【0057】 ウエーハガイドリング615は接点取付け部材605の内径の範囲内に適合す
る寸法にされる。ウエーハガイドリング615は、接点アセンブリ85および8
5bとそれぞれに接続状態にある上述のウエーハガイド115および115bと
実質的に同一構造を有している。ウエーハガイドリング615はその周囲に環状
拡張部645を有しており、これが導電ベースリング605の対応する環状スロ
ット650に係合して、ウエーハガイドリング615および接点取付け部材60
5が一緒にスナップ結合できるようにする。
【0058】 外側本体部材625は直立部分627、横部分629、垂直移行部分632、
および、半径方向に延びて、先が上で曲がったリップ730で終端する別な移行
部分725を有している。先が上で曲がったリップ730は、処理されている最
中のワークピース25の表面に係合すると、電気メッキ環境に対する障壁を形成
するのを助ける。例示の実施形態では、リップ730とワークピース25の表面
との間の係合は、皿ばね接点610を保護するために形成された、唯一の機械的
シールである。
【0059】 皿ばね接点610の接点655の近位にある領域は、窒素ガスのような不活性
流体で浄化されるのが好ましく、この流体はリップ730と一緒に、皿ばね接点
610、ウエーハ5の周囲部分と背面、および、電気メッキ環境の間で障壁をな
す。図19および図20に特に明示されているように、外側本体部材625およ
び接点取付け部材605は互いに間隔を設けられて、環状空洞765を形成する
。環状空洞765には、接点取付け部材605を貫いて配置された1つ以上のパ
ージポート770を通る、窒素のような不活性流体が供給される。パージポート
770は環状空洞765に向けて開放しており、これは、接点アセンブリの周囲
の付近に不活性ガスを分配するマニホルドとしての機能を果たす。参照番号78
0で示されているような、接点部材655の個数に対応する所与の個数のスロッ
トが設けられて、環状空洞765から接点部材655の近位の領域まで不活性流
体の経路となる通路を形成している。
【0060】 図19および図20はまた、皿ばね接点アセンブリのかかる実施形態における
パージ流体の流れを例示している。矢印で例示されているように、パージガスは
パージポート770に入り、環状空洞765の内部でアセンブリ600の周囲付
近に分配される。次に、パージガスはスロット780を通って接点取付け部材6
05の下端の下からベルヴィル接点610の近位の領域まで流れる。この点で、
ガスは実質的に接点部材655を包囲するように流れ、更には、ウエーハの周囲
上方をその背面まで進むこともできる。パージガスはまた、接点取付け部材60
5により規定される環状チャネル712と、ウエーハガイドリング615の下部
に形成された従属壁の内部を通って前進することもできる。これに加えて、接点
部材655の付近のガス流は先が上に曲がったリップ730と協働して、先端7
30で障壁をなし、これが、そこを通って電気メッキ溶液が前進するのを防止す
る。
【0061】 ウエーハまたは他のワークピース25が付勢されて接点アセンブリ600と係
合状態になると、ワークピース25はまず最初に、接点部材655と接触する。
ワークピースが更に適所へと付勢されると、接点部材655は偏向し、先が上で
曲がったリップ730にワークピース25が押圧されるまで、ワークピースの表
面を拭い取る。この機械的係合は、パージガスの流れと一緒に、皿ばね接点61
0はもとより、ワークピース25の外周および背面も、メッキ溶液との接触から
効果的に隔絶する。
【0062】 皿ばね接点アセンブリの別な実施形態が図21から図23に、一般に参照番号
600bで示されている。この実施形態では、別個の障壁部材620bが採用さ
れている。他の多くの点で、皿ばね接点アセンブリ600bは上記皿ばね接点ア
センブリ600に実質的に類似している。従って、アセンブリ600bの類似構
成要素が「b」という接尾語を有しているという点を例外として、アセンブリ6
00bの類似構成要素は上述のアセンブリ600と同一参照番号が標識として付
されている。
【0063】 図22に特に例示されているように、バリア部材620は横部分632b、傾
斜部分637b、および、先が上で曲がったリップ642を有している。障壁部
材620bの横部分632bは、外側本体部材625bに配置された環状溝72
0bに配置されている。環状溝720bはその下端に、傾斜部分637bが交差
する横部分632bの端部で障壁部材620bに接触する傾斜壁685bを有し
ている横拡張フランジ710bにより規定されている。これは障壁部材620b
を硬くして、ウエーハ25の下面との適切な係合を確保するのに役立つ。
【0064】 アセンブリ600と同様に、アセンブリ600bはそこを通してパージガスを
分配するようにするのが好ましい。図23は、パージガスの流れが皿ばね接点ア
センブリ600bを通して供給される態様を例示している。図示のように、外側
本体部材625bと接点取付け部材605bが接合して、所要の流れの通路を規
定している。
【0065】 図22を参照すると、皿ばね接点610bの接点部材655bが障壁部材62
0bを越えて突出する。ウエーハまたは他のワークピース25が付勢されて接点
アセンブリ600bと係合状態になると、ワークピース25はまず最初に、接点
部材655bと接触する。ワークピースが更に付勢されると、ワークピース25
が障壁部材620bに押圧されるまで、接点部材655bはワークピース25の
方面を偏向させ、同表面を効果的に拭い取る。この機械的係合は、パージガスの
流れと一緒に、皿ばね接点610bはもとより、ワークピース25の外周および
背面をメッキ溶液との接触から効果的に隔絶する。
【0066】 皿ばね接点の別な実施形態が図24に一般に参照番号600cで示されている
。この実施形態は接点アセンブリ600bに実質的に類似しており、こうして、
接点アセンブリ600cの各構成要素が「c」という接尾語を有しているという
点を例外として、類似の参照番号が類似の部品を指定するために使用されている
【0067】 接点アセンブリ600cおよび600bの間の主たる差異は、図22および図
24の間の比較を参照すると、最良に理解することができる。図示のように、主
たる差異はフランジ710cと弾性シール部材620cとの形状に関連している
。接点アセンブリ600cの実施形態では、フランジ710cおよび弾性シール
部材620cは互いに共通の外延を有している。このように、ウエーハ25の底
部表面でのシールはそれ程、従属的ではない。それでも、かかる構造はウエーハ
の底面に当接して、パージガスと関連して使用された場合は特に、メッキ溶液に
対する障壁を効果的に形成する。
【0068】 皿ばね接点アセンブリのまた別な実施形態の断面図が図25に一般に参照番号
600dで示されている。この実施形態では、Oリング740は外側本体部材6
25dの対応するノッチ745に配置されており、ワークピースが接点部材65
5dおよび皿ばね接点610dに対して付勢されると、ワークピース25の表面
に密封構造を形成する。Oリング740dは外側本体部材625dのリプ730
dを越えて突出するような寸法にされている。外側本体部材625dのリップ7
30dは、それにより、Oリングシールを支援するのを助ける。
【0069】 上述の他の接点アセンブリとは異なり、皿ばね接点アセンブリ600dはウエ
ーハガイドリングを必ずしも有しているわけではない。むしろ、アセンブリ60
0dは、多様な構成要素を互いに締結するために使用される1個以上の固定部材
750を実例として使用し、接点取付け部材605dの内壁が傾斜されて、ウエ
ーハガイド表面を設けている。
【0070】 他の接点組立体 図26及び27はメッキ用接点及び周囲シール部材の更なる実施形態を示す。
図26を参照すると、その構成は、電気メッキ装置のロータ組立体にとりつける
ための環状接点部材又はリング834の形態で提供されるメッキ用接点を含む。
環状接点リングを形態が円形であるとして示したけれども、環状接点リングは形
態が非円形でも良いことは理解されよう。環状接点リングと関連して環状シール
部材836が設けられ、そして、更に説明するように、接点リングと協同して、
環状接点リングと導電的に接触して位置決めされているワークピースの周囲領域
の連続シールを行う。
【0071】 環状接点リング834は取付部分838を有し、この取付部分によって、接点
リングは電気メッキ装置のロータ組立体に回転可能に取り付けられる。接点リン
グはまたロータ組立体に設けられた適当な回路と電気的に接合され、それによっ
て接点リングは電気メッキ装置の回路に電気的に接合され、電気メッキを行うた
めのウェーハ25(陰極)の表面に必要な電位を生じさせる。環状接点リングは
、垂下した支持部分840と、取付部分838の内方に延びる環状接点部分84
2とを更に含む。環状接点部分842は、接点リングとウェーハのシード層との
間に電気接触を確立するためにウェーハ25によって係合されるほぼ上方に面し
た接触面844を構成する。接点リングの環状接点部分842が、関連したウェ
ーハ又は他のワークピースの周囲領域と実質的に連続な導電接触をもたらす事が
理解される。
【0072】 環状接点リング834は好ましくは、接点リング及びその関連したシール部材
上でのワークピース25の心出しを促進するように形成される。接点リングは好
ましくは、ワークピースを案内して接点リング及びその関連したシール部材と心
出し(即ち同心)関係にするための内方に面した円錐形案内面835を含む。円
錐形案内面835は、ワークピースの外周部を接点外周部に正確に位置決めする
ために(即ち、ワークピースが接点リング上でできるだけ同心であるようにする
ために)接点リング内周部に傾斜引き込み部(好ましくは、垂直から約2度乃至
15度傾斜した)として作用する。このことは、接点とその関連したシールのワ
ークピースの表面への重なりを最小にする上で重要であり、ワークピースが半導
体ウェーハからなるならば、大変価値がある。
【0073】 本構造の環状シール部材836は環状接点リング834と関連して位置決めさ
れ、それによって、ウェーハ25の周囲領域は電気メッキ装置内の電気メッキ溶
液からシールされる。ウェーハ25は、関連した支持部材846によって、環状
接点リング834との電気接触のために適所に保持され、この方法でのウェーハ
の配置はウェーハを周囲シール部材36と弾性シール係合状態に位置決めするよ
うに作用する。
【0074】 周囲シール部材836は好ましくは重合材料又はエラストマー材料、好ましく
は、3M社から入手できるAFLASのようなフルオロエラストマーから形成さ
れる。シール部材836は好ましくは実質的にJ−形断面形状を有する部分を含
む。特に、シール部材836は、環状接点リング34の支持部分840の周りに
嵌まるほぼ円筒形取付部分848を含み、該取付部分は、接点リングの取付部分
38の周りに嵌まるスカート部分49を含む。シール部材は、取付部分838と
共にJ−形断面形状を有するシール部材の部分をもたらすほぼ上方に延びた弾性
的に変形可能なシールリップ850を更に含む。図26に示すように、環状シー
ルリップ850は、最初、環状接点リングの接点部分842を超えてウェーハ2
5又は他のワークピースに向かう方向に突出する。その結果、変形可能なシール
リップは、ウェーハが接点リングの接点部分と導電接触状態に位置決めされると
き連続的に付勢されてウェーハの周囲領域と連続的なシール係合する。
【0075】 図26に示す本発明の実施の形態において、環状シールリップ850は、環状
接触リング834の接点842の内部寸法(すなわち内径)より小さい内部寸法
(すなわち内径)を有する。この配置によって、シールリップ850は接点84
2の半径方向の内側のウエハーと係合して接触部分を電気メッキ装置のメッキ液
から絶縁する。この配置は、ウエハーの周縁部又は他のワークピースを電気メッ
キ溶液から絶縁するのみならず、環状接触リングを溶液から絶縁して電気メッキ
の間の環状接触リング上の金属堆積を最小にするときに好都合である。
【0076】 シール部材836は好ましくは環状接触リング834上の所定の位置に取り外
し可能に保持される。このために、シール部材及び接触リングの一方に少なくと
も一つの保持突起が設けられ、シール部材及び接触リングの他方に前記保持突起
を取り外し可能に保持する少なくとも一つの凹部を形成している。図示の実施の
形態において、シール部材836は、環状接触リング834によって形成される
環状凹部854内に嵌合する連続環状保持突起852を有する。シール部材83
6はポリマーあるいはエラストマー材料から作られ、凹部854の中に突起85
2を位置させることによりシール部材を接触リングに組み合わせることを容易に
する。
【0077】 図27は本発明の原理を実施する環状接触リング934を示し、取付部938
、従属支持部940、及び内方へ延びて関連するウエハー25の周辺領域と導電
的に接触するように形成された接触表面844を有する環状接触部942を有し
ている。この実施の形態は、関連する周縁シール部材936が関連する環状接触
リングの(内側でなく)外側でワークピースと接触するシールリップを包含する
点で前記実施の形態と異なる。
【0078】 環状シール部材934は、ほぼJ形の断面形状であり、ほぼ円筒形の取付部9
48及び取付部948の半径方向外向きに延びた弾性的に変形可能な環状シール
リップ950を有する。前記の実施の形態のように、最初変形可能なシールリッ
プ950はウエハー25の方向に接触部942を超えて突出しており、ウエハー
が接触リング934の接触部942と導電的に配置されたとき、シールリップ9
50はウエハーの周辺領域と連続的に係合するように弾性的に付勢されている。
この実施の形態において、シールリング950は、環状接触部942の内部寸法
(すなわち内径)より大きい内部寸法(すなわち内径)を有している。この構成
において、環状接触部はシールリップの半径方向内側においてワークピースと接
触する。ウエハー25を環状接触部942と導電的に接触させることに伴って、
周縁シール部材の変形可能なシールリップ950は円筒形取付部948のほぼ軸
線方向に変形させられる。従って、シール部材はウエハーの周辺部とシール接触
を維持し、これによってウエハーの縁と裏面は電気メッキ装置内でメッキ溶液か
ら絶縁される。
【0079】 前記の実施の形態において、周辺シール部材936は全体的に環状接触リング
934内に取り外し可能に保持されるように形成されている。このために、環状
シール部材936は、環状接触リング934によって形成される連続環状凹部9
54内に取り外し可能に保持される連続環状保持突起952を有する。この構成
は、シール部材及び接触リングの組立てを効率的にする。
【0080】 ロータ接点連結組立体 多くの例では、所定のリアクタ組立体20を、広範囲の電気メッキ法を実行さ
せるように機能させることが望ましい。しかしながら、工程設計者が単一の接点
組立体構成を使用するように制限されているならば、広範囲の電気メッキ及び無
電メッキ法の実行は難しい。その上、所定の接点組立体構成に使用されるメッキ
接点は、しばしば、点検されなければならず、時々、取替えられなければならな
い。多数の作業をしばしば含む現存する電気メッキリアクタツール内で接点組立
体を取外し及び/又は点検することは、しばしば、難しい。本出願の発明者はこ
の問題を認識し、接点組立体85を他の構成部品のロータ組立体75に容易に取
付けたり、それから取外したりする機構を提供することによって、この問題に取
り組んだ。その上、所定の接点組立体型式は、装置の再較正又は再調整を伴わな
い同じ接点組立体型式と置き換えられることができる。
【0081】 製造環境における作動が実行可能であるために、上記機構は以下に示すいくつ
かの機能を果すべきである。
【0082】 1.ロータ組立体の他の構成要素への接点組立体の安全で、フェイルセイフな
機械的取付け部を備えている。 2.接点組立体と電気メッキ電源との間の電気的相互接続部を備えている。 3.加工環境(例えば、ウェットな化学的環境)に対する保護のために、電気的
相互接続インタフェースにシールを備えている。 4.接点組立体への、求められるパージ用の密封経路を備えている。 5.なくしたり、取替えたり、電気メッキ設備を損傷する仕方で使用したりす
ることがあるツール又は留め具の使用を最小にする。
【0083】 図28及び29は、前述の要求を満たす急速取付け機構の1つの実施形態を示
す。簡単のために、急速取付け機構の種々の側面を理解するのに必要なロータ組
立体75の急速取付け機構の部分だけをこれらの図面に示す。
【0084】 図示のように、ロータ組立体75は、ロータベース部材205と、取外し可能
な接点組立体1210とからなる。好ましくは、取外し可能な接点組立体121
0は上述したうちの1つの仕方で構成される。しかしながら、図示の実施形態は
、図26に示したような連続リング接点を採用している。
【0085】 ロータベース部材1205は、その形状が、半導体ウエーハ25の形状と合う
ように環状であるのが好ましい。一対のラッチ機構1215がロータベース部材
1205の両側に配置されている。ラッチ機構1215の各々は、その上部分を
貫通するように配置された孔1220を含み、これらの孔1220は、取外し可
能な接点組立体1210から下方に延びているそれぞれの導電性シャフト122
5を受入れるように寸法決めされている。
【0086】 取外し可能な接点組立体を図28に取外した状態で示す。取外し可能な接点組
立体1210をロータベース部材1205に固着させるために、作業者は導電シ
ャフト1225をラッチ機構1215の孔1220と整列させる。導電性シャフ
ト1225がこのように整列したら、作業者は取外し可能な接点組立体1210
をロータベース部材1205の方に推して、導電性シャフト1225をそれぞれ
の孔1220に係合させる。いったん取外し可能な接点組立体1210がロータ
ベース部材1205に配置されたら、ラッチアーム1230をラッチアーム軸線
1235を中心に回動させ、その結果、ラッチアーム1230のラッチアームチ
ャンネル1240が、導電性シャフト1235のシャフト部分1245に係合し
、同時に、フランジ部分1247に下方圧力を付与する。この下方圧力は取外し
可能な接点組立体1210とロータベース部材1205とを固着させる。加えて
、以下に詳細に説明するように、この係合により、ロータベース組立体1205
の導電部分と接点組立体1210の電気メッキ接点との間に導電路を生じさせる
。接点組立体1210の電気メッキ接点は、この導電路を介して、メッキ電源か
らの電力を受入れるように接続されている。
【0087】 図30A及び図30Bはラッチ機構1215と導電性シャフト1225の更に
細部を図示している。図示されているように、各ラッチ機構1215は、孔12
20を有するラッチ本体1250と、ラッチアームピボットポスト1255の回
りにピボット式回転可能なように配置されたラッチアーム1230と、安全ラッ
チピボットポスト1265の回りに比較的小さいピボット式回転可能なように固
定された安全ラッチ1260とを含む。ラッチ本体1250は、取り外し可能な
接点組立体1210の対応する孔を通してパージ用流体の流れを導くために配置
されたパージポート270も有するのがよい。Oリング1275が導電性シャフ
ト1225のフランジ部分の底部に配置される。
【0088】 図31Aから図31Cはラッチ機構1215の作動を図示する断面図である。
図示されているように、ラッチアームチャンネル1240が導電性シャフト12
25のシャフト部分1245に係合するように寸法決めされる。ラッチアーム1
230が回転してシャフト部分1245に係合するとき、ラッチアーム1230
のノーズ部分1280が安全ラッチ1260の面1285にカム作用を及ぼし、
ついには、ノーズ部分1280はチャンネル1290と合う。ノーズ部分128
0と、それに対応する溝1290とが合うような関係になって、ラッチアーム1
230は、意図的でないピボット式回転に抗して固定される。そうでないと、こ
の意図的でないピボット式回転により、取り外し可能な接点組立体1210がロ
ータベース部材1205との固定係合から解放されてしまうであろう。
【0089】 図32Aから図32Dはロータベース部材1205と取り外し可能な接点組立
体1210とが係合している状態を図示する断面図である。これらの断面図から
わかるように、導電性シャフト1225は、中央配置されたボア1295を含み
、このボア1295は、それに対応する導電性の急速接続ピン1300を受け入
れる。この係合により、ロータベース部材1205と取り外し可能な接点組立体
1210との間の導電路が確立される。
【0090】 また、これらの断面図から明瞭であるように、各ラッチアーム1230の下方
の内部部分は、それに対応するチャンネル1305を含み、このチャンネル13
05は、導電性シャフト1225のフランジ部分1247に係合するように形作
られている。チャンネル1305は、それに対応するフランジ部分1247の面
にカム作用を及ぼし、導電性シャフト1225を面1310に対して駆動させ、
また、これにより、Oリング1275とのシールをもたらす。 ロータ接点駆動装置 図33及び図34に図示されているように、ロータ組立体75は作動装置を含
み、それによって、ウエーハ又は他のワークピース25は第一の方向の移動によ
ってロータ組立体に受け入れられ、その後、接点組立体に向かう支持部材131
0の移動によって接点組立体との電気接触になるように第一の方向と直角な方向
に動かされる。図35は、ロータ組立体75と、リアクタヘッド30の固定組立
体70の種々の構成部品の分解組立図である。
【0091】 図示されているように、リアクタヘッド30の固定組立体70は、ロータ組立
体75のシャフト1360と協動するモータ組立体1315を含む。ロータ組立
体75は、ほぼ環状のハウジング組立体を含み、このハウジング組立体は、ロー
タベース部材1205と、内部ハウジング1320とを含む。前述したように、
接点組立体はロータベース部材1205に固定される。この配置により、ハウジ
ング組立体と接点組立体1210とが一緒になって、ワークピース125をロー
タ組立体175に位置決めするために、第一の方向にワークピース125を横方
向に移動可能にする開口部1325を構成する。ロータベース部材1205は、
ロボットアームのためのクリアランス開口部、並びに、複数のワークピース支持
体1330を構成するのが好ましく、ワークピースが開口部1325を通る移動
によってロータ組立体175の中に横方向に移動された後、ロータベース部材1
205はロボットアームによってワークピース支持体1330の上に位置決めさ
れる。かくして、ワークピース支持体1330は、支持部材1310がワークピ
ースに係合し、ワークピースを接点リングに進める前に、接点組立体1210と
支持部材1310との間にワークピースを支持する。
【0092】 接点組立体1210に対する支持部材1310の相互運動は、支持部材を接点
組立体に付勢する少なくとも1つのばねと、このばねに抗して支持部材を移動さ
せるための少なくとも1つのアクチュエータとによってもたらされる。図示した
実施形態では、作動装置は、支持部材1310と作動可能に接触され、複数のば
ねによって付勢され、複数のアクチュエータによってばねに抗して移動される作
動リング1335を含む。
【0093】 特に、図33を参照すると、作動リング1335が複数(3つ)のシャフト1
340によって、支持部材1310に作動上連結されている。一方、作動リング
は、作動リングおよび対応する保持キャップ1350の間にそれぞれ保持された
、3つの圧縮コイルばね1345によって、ハウジング組立体に向かって付勢さ
れている。各保持キャップ1350は、対応する保持シャフト1355によって
、ハウジング組立体に対して固定関係で保持されている。この配置によって、付
勢バネ1345の作用によって、作動リング1335がハウジングに向かう方向
に付勢され、付勢ばね1345は、かくして、シャフト1340を介して作用し
て、支持部材1310を接触組立体1210に向かう方向に押す。 作動リング1335は、内側不連続カップリングフランジ1365を有する。
作動リング1335は、静止組立体70の作動カップリング1370(図34)
によって作用し、作動カップリング1370は、作動リング1335と選択的に
連結されたり、連結が切り離されたりすることが可能である。作動カップリング
1370は、作動リング1335のカップリングフランジ1365と、これらの
間の制限された相対的回転によって、互いに係合可能である一対のフランジ部分
1375を含む。この配置によって、ロータ組立体75の作動リング1335は
、リアクタヘッド30の静止組立体70の作動カップリング1370と連結可能
であり、また、連結を切り離すことができる。
【0094】 図33および図34を再び参照すると、作動カップリング1370は、静止組
立体70の静止上方プレート1381(図1参照)に設けられた複数の空気式ア
クチュエータ1380(概略的に図示する)によって、付勢ばね1345に対し
て反対方向に移動可能である。各アクチュエータ1380は、対応するリニア駆
動部材1385によって、作動カップリング1370と作動上連結されており、
各アクチュエータ1380は、静止組立体70の上方プレート381を介して全
体的に延びている。上記の機械部品を、リアクタ組立体20の他の部分から隔離
する必要がある。そのようにしなかった場合には、処理環境(ここでは、湿式化
学電気メッキ環境)が汚染されてしまう。更に、リアクタ20内で行われる特定
の工程によっては、上記の部品は、処理環境によって悪影響が及ぼされる可能性
がある。
【0095】 そのような隔離を効果的に行うために、じゃばら組立体1390が、上記の部
品を取囲むように配置されている。じゃばら組立体1390は、好ましくは、テ
フロン製のじゃばら部材395を有し、じゃばら部材395は、符号1400で
固定された第1端と、符号1405において固定された第2端とを有する。その
ような固定は、好ましくは、図示する液密の舌状部および溝部密封構造を用いて
行うのが好ましい。じゃばら部材1395の旋回部1410は、支持プレート1
310の作用中、曲がる。
【0096】 図34は、ワークピースを受け入れることができる状態のリアクタヘッド30
の配置を示し、一方、図33は、リアクタボール35内のワークピースを処理す
る準備さえれている状態のリアクタヘッドの配置を示す。
【0097】 リアクタヘッド30の作動は、前述の説明から明らかであろう。ワークピース
25のロータ組立体75への装填は、図2に示すように、全体的に上方に配向さ
れたロータ組立体によって行われ、処理ヘッドは、図34に示す状態にある。ワ
ークピース25は、ワークピースが支持体330のほぼ上方に離間した関係に位
置決めされた位置へ、ロータ組立体75に形成された開口部325を介して横方
向に移動される。ロボットアーム415は、引き続き下降され(隙間開口部32
5はそのような移動に適応する)、それによって、ワークピースが、支持体33
0の上に位置される。引き続き、ロボットアーム415は、ロータ組立体75な
いから引き出される。
【0098】 ワークピース25は、特に、ロータ組立体の中へと第1の方向に移動される。
そのような移動は、接点組立体1210にほぼ向かって支持部材1310が移動
することによって行われる。現在、空気式アクチュエータ1380は、内側ハウ
ジング1320と支持部材1310のばねプレート1311との間に介在された
付勢ばね1345と反対に作用することが好ましい。かくして、アクチュエータ
1380は、ばね1345が支持部材310を接触組立体1210に向かって支
持部材310を付勢し、かつ、押すことを許容するように、アクチュエータカプ
リング1370とアクチュエータリング1335の連携した移動を許容するよう
に作動する。
【0099】 好ましい形態では、作動リング1335と支持部材1310との間のシャフト
1340による連結は、いくらかの“フロート”を可能にする。即ち、作動リン
グと支持部材とは互いに剛性に連結されていない。この好ましい装置は、僅かに
異なる速度で移動する空気アクチュエータ1380の一般的な傾向に適応し、従
って、ワークピースの過度の応力又は作動機構の過度の拘束を回避しながら、ワ
ークピースが、接点アセンブリ210の電気メッキ接点部に実質的に均一に接触
するように押し付けられるのを確実にする。
【0100】 支持部材310と接点アセンブリ210との間にワークピース25を堅固に保
持し、図2の持ち上げ及び回転装置80がリアクタヘッド30を回転させ、リア
クタ容器の中でワークピースの表面がメッキ溶液の液面(即ち、メッキ溶液のメ
ニスカス(meniscus))と接触して配置されるように、協同関係にあるリアクタ
ボウル35の中にリアクタヘッドを下降させる。
【0101】 実行する個々の電気メッキ工程に応じて、ワークピースの表面に蓄積した如何
なるガスをも発散させ、逃がすのを確実にするのが有効であろう。従って、ワー
クピースの表面は、水平からおよそ2度程度の、リアクタ容器の溶液の液面に対
して鋭角を成して配置されるのが良い。このことは、ワークピース及びそれに関
連した支持部材及び接点部材を処理中に回転させたとき、メッキ工程中に、ワー
クピースの表面からガスが発散するのを容易にする。ワークピース及びメッキ溶
液に電流を流しながらの、リアクタボウル35中でのメッキ溶液の循環は、ワー
クピース表面の金属層の好ましい電気メッキをもたらす。
【0102】 支持部材1310の作動は、単純な直線運動によって望み通りに遂行され、か
くして、ワークピースの正確な位置決め、及び接点アセンブリ1210の接点部
との均一な接触を容易にする。ベローシール装置を使用した移動構成要素の絶縁
は、無電メッキ工程の完全性を更に増す。
【0103】 本リアクタの多数の特徴が、半導体ウエーハのようなワークピースの効果的、
且つ費用対効果の高い電気メッキを容易にする。シールされ、柔らかい別々の多
数の接点の形態をなす実質的に連続的な接点部を有する接点アセンブリの使用に
よって、必要とする構成部品の数を最小にしながら、多数のメッキ接点がもたら
される。支持部材310の作動は単純な直線運動によって望み通りに行われ、か
くして、ワークピースの正確な位置決め、及び、接点リングとの均一な接触を容
易にする。ベローシール装置を使用した移動構成部品の絶縁は、電気メッキ工程
の完全性を更に増す。
【0104】 メンテナンス及び配置換えは、取り外し可能な接点アセンブリ1210の使用
によって容易に行われる。その上、メンテナンスは又、リアクタヘッドの静止ア
センブリ70から取り外し可能なロータアセンブリ75の形態によって容易にさ
れる。接点アセンブリは、周縁シールの好ましい装備が接点部をメッキ環境(例
えば、メッキ溶液との接触)から保護しながら、メッキ電力のワークピース表面
への優れた分配をもたらし、それにより、電気接点へのメッキ材料の堆積を好ま
しく回避する。周辺シールは又、ワークピースの周囲部分へのメッキを好ましく
回避する。 無電メッキリアクタ 図36を参照すると、微小電子ワークピースすなわち半導体ウエーハ25のよ
うなワークピースに無電メッキするためのリアクタ組立体20bが示されている
。一般的には、リアクタ組立体20bは、リアクタヘッドすなわち加工ヘッド3
0bと、対応するリアクタボウル35bとからなる。この型式のリアクタ組立体
は、ウエーハの予備付着薄膜シード層がブラケット金属層でメッキされる半導体
ウエーハまたは同様なワークピースの無電メッキを行うのに特に適している。
【0105】 無電メッキリアクタボウル35bは、無電メッキ溶液を収容し、メッキすべき
ワークピースの概して下向きの面に向けて無電メッキ溶液を差し向けるリアクタ
組立体20bの部分である。この目的のため、無電メッキ溶液Sが、リアクタボ
ウル35bに導入される。溶液Sは、リアクタボウル35bから、ボウルのせき
状の内壁36b上を通って、リアクタ組立体20の下オーバーフローチャンネル
40bに流入する。溶液Sは、流出ノズル41を通ってチャンネル40bを出る
。流出ノズル41bは、1つまたは2つの流出通路44bを通して溶液Sを差し
向けることができる流出バルブブロック43bに導管42bによって接続されて
いる。排出通路45bが、収集、処理および/または再利用のためにガスを排気
ノズル46bに差し向ける。溶液は、オーバーフローチャンバから引かれて、典
型的にはリアクタを通して戻して再循環させるために収集されるのがよい。
【0106】 無電メッキ溶液は、1つまたはそれ以上の流入導管50bからバルブブロック
54b、次いでリアクタボウル35bの底開口部55bを通って流れる。溶液S
は、ウエーハの下向きの加工面に接触する。
【0107】 リアクタ20bのリアクタヘッド30bは、好ましくは図1の無電メッキリア
クタ20と同じ仕方で作られ、ステータ組立体70bと、ロータ組立体75bと
からなる。ロータ組立体75bは、ウエーハ25または同様なワークピースを受
け入れて支持し、加工面を下に向けてリアクタボウル35b内にウエーハを位置
決めし、加工中ワークピースを回転すなわちスピンさせるように構成されている
。リアクタヘッド30bは、典型的には持ち上げ/回転装置80bに取り付けら
れており、持ち上げ/回転装置80bは、リアクタヘッド30を、メッキすべき
ウエーハを受け入れる上向き配置から、メッキすべきウエーハの面がリアクタボ
ウル35bに下向きに位置決めされる図35に示されているような下向き配置に
回転させるように構成されている。末端奏効器を含むロボットアーム415が、
典型的には、ロータ組立体75b上の所定位置にウエーハを配置し、ロータ組立
体からメッキされたウエーハを取り出すために利用される。
【0108】 無電メッキリアクタ20とは異なり、無電メッキリアクタ20bは、電力をウ
エーハ25の面に伝えない。このため、ワークピースサポートが電気接点組立体
85の代わりに使用される。この目的のため、導電性構造物(すなわち、プラチ
ナ被覆チタン或いはその他の任意の導電性金属で作られた構造物)が電気メッキ
環境と適合する誘電体から作られる点を除いては、上述した接触組立体のいずれ
とも同じ仕方で作られるのがよい。このため、かかるワークピースホルダーは、
ウエーハの周辺領域および裏面への窒素のような不活性流体の流れをつくるため
の構成を含むのが好ましい。
【0109】 特に図37から図41に示されているように、ワークピースホルダー組立体2
085は、一般的には、いくつかの別々の構成部品からなるのがよい。外側リン
グ2095が、プラスチック材料あるいは同様な非導電性の材料から形成されて
おり、且つ、無電メッキ環境と化学的に適合する材料から形成されている。外側
リング2095は、例えば、PVDFでできているのがよい。メッキすべきワー
クピースが円形の半導体ウエーハである場合には、外側リング2095、および
ワークピースホルダー2085のその他の部分は、互いに接合されたときに、メ
ッキすべき半導体ウエーハの面を露出させる境界決めされた中央開放領域209
3を形成する環状構成部品として形成される。
【0110】 外側リング2095は、環状シール要素2098が設けられた環状内面209
6を形成する斜めの端領域2095bを有する半径方向に延びた端壁95aを備
える。シール要素2098は、内面2096に、接着され、或いは溶着され、或
いはその他の仕方で取り付けられている。以下でさらに詳細に説明するように、
半導体ウエーハ25の面2025aに当接してシールをなし、リアクタボウル3
5内のメッキ環境がメッキすべきウエーハ面25aの背後に侵入するのを防止す
るのを助ける。環状シール要素は、好ましくはAFLASエラストマーでできて
いる。
【0111】 アウタリング2095は、ベースリング2100を囲んでおり、このベースリ
ングは、内側溝2100bと外側溝2100cとを備えた大きなボディ部分21
00aを有している。ベースリングは、ステンレス鋼で作られているのが好まし
い。大きなボディ部分は、内側表面2096に向かって延びるカラー部分210
0dに連結されている。カラー部分2100dは、リップ100eで、内方に向
かって曲げられている。リテーナリング2102は、ポリプロピレンで作られて
いるのが好ましく、ベースリング2100内に配置されている。リテーナリング
2102は、心出しフランジ2102aと、円錐状に延びる壁2102bと、ベ
ースリング2100の内側溝2100bに相互に嵌まる外側リブ2102cとを
含んでいる。
【0112】 心出しフランジ2102aの上方、且つ、シール要素2098の下方に、”ベ
ルバイル”ばね2104が配置されている。このベルバイルばねは、全体が環状
であり、ほぼ矩形の断面形状を有し、浅い円錐台形状を有するように形成されて
いる。ばね2104は、リテーナリング2102によって所定位置に保持され、
リテーナリング2102によってシール要素2098に対して予め僅かに負荷を
かけられ(僅かに平らにされ)ていてもよい。ばね2104は、外側環状ノッチ
2104aと、内側環状ノッチ2104bとを含んでいる。ばね2104は、プ
ラスチックで作られているのが好ましい。
【0113】 2本のコネクタシャフト2225が、ワークピース保持組立体2085を横切
って直径方向に延びベースリング2100に形成されたねじ孔2226に螺合さ
れている。シャフト2225は、シャフト2225をベースリング2100に留
めるツール係合肩部2227を含んでいる。
【0114】 ワークピース支持組立体2085は、パージ用ガスをシール要素2098の半
径方向外方のウエーハ周囲領域およびウエーハ25の裏側に送る複数の通路を含
んでいるのが好ましい。このため、図40および41に示されているように、ワ
ークピース支持体2085は、パージポートと流体連通しマニホールドとして効
果的に機能する環状チャネル2137を含んでいる。環状チャネル2137とウ
エーハ25の周囲エッジ領域に近い領域2141との間を流体連通させる、複数
のスロット2139が外側リング2109とベースリング2100の間の隙間領
域に形成されている。シール部材2098とパージ用ガスの流れとが、一緒にな
って、電気メッキ環境とウエーハ25の周囲および裏側領域との間にバリアを形
成するのを助ける。さらに、パージ用ガスの分配が、リテーナリング2102の
外側とベースリング2100との間に形成された環状チャネル2143を通って
、影響を受ける。
【0115】 ウエーハ25がワークピース保持組立体2085に装填されている間、ウエー
ハ25は、図40に示されている位置までY1方向に上昇する。ウエーハは、円
錐台壁2102bによって、図40に示されている位置まで半径方向に案内すな
わち心出しされる。図40に示されているこの位置で、ウエーハ25は、ばね2
104の内側環状ノッチ2104bと係合している。バッキング部材310の作
用で、上述したように、ウエーハ25は上方に押され、ばね2104を図41に
示されている位置に撓ませるように作用する。
【0116】 図41に示されているようにばね2104が撓む即ち平らになることにより、
ウエーハ25が部分的にノッチ2104b内に受け入れられ、リップ2100e
が外側ノッチ2104aに受け入れられる。ウエーハの表面25aがシール要素
2098に押しつけられ、そして、シール要素が外側リング2095の環状内側
面2096によって所定位置に保持される。バッキング部材310が解放される
と、ばね2104は、その弾性ばねエネルギの影響で、図40に示されているそ
の形状に戻り、ウエーハ25を部分的にY2方向に押す。バッキング部材310
による力が作用していない図40に示されている位置から、ウエーハ25は、重
力によって進み、Y2方向に沿って退却しているバッキング部材310上に支持
される。
【0117】 ワークピースホルダーのもう一つの実施形態が、図42および図43に参照番
号2085bで示されている。図示されているように、ワークピース支持体20
85bは、図37ないし図41のワークピース支持体2085と実質的には同じ
である。しかしながら、3つの大きな相違点がある。第1は、この実施形態では
、別体のシール要素2098が採用されていない点である。逆に、アウタリング
2095bが、ウエーハ25の表面25aと係合する上向きリップ2149で終
わる環状延長部2146を含んでいる。第2は、上向きリップ2149が、バッ
キング部材310がウエーハ25から離れたときに矢印Xで示される方向の付勢
力を生じさせることによって、ウエーハをウエーハ保持組立体2085から離れ
るのを助ける。その結果、この実施形態では、ベルバイルばね2104が採用さ
れない。最後は、ウエーハ25が動いてウエーハホルダー2085bと係合する
限界を定める限界部材としての環状リップ2151が、保持リング2102bに
設けられていることである。
【0118】 ウエーハホルダー2085と同様に、図42及び図43に図示された実施形態
もまた、パージ用ガス用の複数のフローチャネルを有する。ウエーハホルダー2
085とウエーハホルダー2085bとの間に実質的な同一性があると仮定して
、ウエーハホルダー2085bの実施形態において、同じ構造体には同じ参照番
号を付する。 接触/ホルダー組立体へのパージ用ガス供給 上述した任意の接触組立体又はワークピースホルダーが流体連通ネットワーク
を有し、この流体連通ネットワークが窒素のようなパージ用ガスを供給するとき
には、かかるパージ用ガスを供給源外部(source exterior)から接触組立体又は
ワークピースホルダーまで供給しなければならない。図44乃至図46は、かか
る流体連通ネットワークにパージ用ガスを供給する一つの仕方を図示する。
【0119】 図44及び図45を参照すると、回転組立体75には流体連通チャネル又はチ
ューブ710が設けられ、このチューブ710は720に入口を有し、この入口
は、パージ用ガスを受け入れ、パージ用ガスを1つ又は2以上のパージポート7
25に送り、パージポート725は、組立体85aとして図示されたワークピー
スホルダー又は接触組立体の周囲領域近くに配置されている。図示した実施形態
では、かかる流体連通用にチューブ710が用いられている。チューブ710は
、ドライブシャフト360の中空中心を通って延び、次いで、ワークピースホル
ダー又は接触組立体の近くであるドライブシャフト360の領域から少なくとも
1つのパージポート725(図示した実施形態では2つのパージポートが使用さ
れている)まで進む。変形例では、チューブ710によって提供された流体連通
経路は、回転組立体75の中実本体部分における中空領域として形成された1つ
又は2つ以上のチャネルからなっても良い。例えば、上記で留意したように、パ
ージ用ガスを、中間チューブとは異なり、ドライブシャフト360の中空領域に
直接供給しても良い。次いで、回転組立体75の特定のインプリメンテーション
に応じて、パージ用ガスの連通を、間をつなぐ、対応チューブを介して、或いは
、実質的に中実の本体部材に形成された中空チャネルを介して、パージポートま
で進める。
【0120】 パージポート725から対応するワークピースホルダー又は接触組立体の孤立
領域(isolated regions)までの連通が図46に図示されている。図示するように
、パージポート725はパージ通路735に通じ、このパージ通路735は、回
転組立体75のアウターハウジングに配置されている。パージ通路735は、ワ
ークピースホルダー又は接触組立体の入口ポート740に通じている(かかる入
口ポートもまた、上述した〔複数の〕ワークピースホルダー及び〔複数の〕接触
組立体の実施形態に図示されている)。パージ用ガスは、かかる入口ポートから
、上述した仕方で、特定のホルダー又は接触組立体に流れる。 一体式メッキ工具 図47乃至図49は1450、1455及び1500で全体的に図示される一
体式処理(又は加工)工具の平面図であり、これらの一体式処理工具は、半導体ウ
エーハのような微小電子ワークピースにメッキするための組合体としての、無電
メッキリアクタと、電気メッキリアクタとを有する。処理工具1450、145
5は、夫々、モンタナ州カリスペルのセミツール社によって開発された工具プラ
ットフォームに基づいている。工具1450の処理工具プラットフォームは商標
LT−210で販売され、工具1455の処理工具プラットフォームは商標LT
−210Cで販売され、処理工具1500は商標EQUNINOXで販売されて
いる。工具1450と工具1455との間の原理的差異は、夫々において要求さ
れるフットプリントにある。工具1455が基づいているプラットフォームは、
工具1455が基づいているプラットフォームよりも小さなフットプリントを有
する。更に、工具1450が基づいているプラットフォームは、モジュラー化さ
れ、たやすく伸長させることができる。処理工具1450、4155、1500
の各々は、ユーザー入力処理レシピを実行するようにコンピュータプログラム可
能である。
【0121】 処理工具1145、1455、1500の各々は、入力/出力部1460と、
処理部1465と、1つ又は2以上のロボット1470とを有する。工具145
0、1455用のロボット1470はリニアトラックに沿って移動する。工具1
500用のロボット1470は、中心に取り付けられ、入力/出力部1460及
び処理部1465にアクセスするように回転する。各入力/出力部1460は、
半導体ウエーハのような複数のワークピースを1つ又は2以上のワークピースカ
セットにおいて保持するようになっている。処理部1465は、半導体ウエーハ
で1つ又は2以上のファブリケーション処理を行うのに用いられる複数の処理ス
テーション1475を有する。ロボット1470は、個々のウエーハを入力/出
力部1460のワークピースカセットから処理ステーション1475に、並びに
、処理ステーション1475間に移送するのに用いられる。
【0122】 1以上の加工ステーション1475は、今まで説明してきたような無電メッキ
リアクタ1475aとして構成されても良いし、1以上の加工ステーションは、
上述したような電気メッキリアクタのような電気メッキ組立体1475bとして
構成されても良い。例えば、加工ツール1450及び1455の各々が、3つの
無電メッキリアクタと、3つの電気メッキリアクタと、1以上の予備ウエット/
リンスステーション又は他の加工容器と、を含んでも良い。予備ウエット/リン
スステーションは、好ましくは、セミツール(Semitool)社から入手できる型式の
ものである。無電メッキ及び電気メッキ法を実行するために、加工ステーション
構成の広範囲の変更例を個々の加工ツール450、455及び500の各々に使
用しても良いことが、今、認識されよう。そのようなとき、前述の構成は、使用
するかもしれない変更例の例示に過ぎない。
【0123】 無電メッキ及び電気メッキを使用するメッキ法 本発明の方法によれば、半導体ウエーハのようなワークピースを、最初、シー
ド層を付与させるように処理して、無電メッキし、次いで、電気メッキする。図
50に、本方法を概略的に示す。
【0124】 最初に、ワークピースの表面の特徴部に空乏層又はバリヤー層を付与する(工
程1)。バリヤー層はPVD又はCVD法によって付与されるのが良い。次いで
、バリヤー層の上にシード層を付与する(工程2)。シード層は、好ましくは、P
VD又はCVD法によって付与された銅シード層である。シード層を付与した後
、ワークピースを、以下に説明するような無電メッキリアクタ内に配置する。こ
のリアクタ内には、無電メッキ浴が設けられており、ワークピースを無電メッキ
浴に浴し、その上に導電層、好ましくは銅をメッキする(工程3)。導電層は、小
さい及び高アスペクト比のバイア及びトレンチを充填する程度であるが大きいバ
イア及びトレンチを完全には充填しない程度に、ブランケットとして付与される
。この時点で無電メッキを終了することによって、工程全体がより短い期間で達
成される。次いで、導電層を無電メッキしたワークピースを無電メッキリアクタ
から取出して、電気メッキリアクタに移送し、電気メッキリアクタでは、更なる
導電層、好ましくは銅を無電メッキ導電層の上に付与する(工程4)。電気メッキ
工程はより高い付着速度を有し、より大きいトレンチ及びバイアを充填するのに
十分な充填一致性を有する。
【0125】 無電メッキ法は、V.M.ダビン(Dubin)による論文の本出願の背景部分に開
示され、或いは、米国特許第 5,500,315号、同第 5,310,580号、同第 5,389,496
号及び同第 5,139,818号に記載されているような既知の方法であるのが良く、こ
れらをここに援用する。更に、前述の工程列を、図47乃至49に示した任意の
ツール内で実行しても良い。
【0126】 前述のシステムの基本的教示から逸脱すること無しに、多数の変更を前述のシ
ステムに行っても良い。本発明を1以上の特定の実施形態を参照して実質的に詳
細に説明したけれども、当業者は、特許請求の範囲に記載したような本発明の範
囲及び精神から逸脱すること無しに、これらの実施形態に変更を行っても良いこ
とが認識されよう。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の様々な教示に従って構築された電気メッキリアクタの断面図である。
【図2】 図1に示すアッセンブリで使用するのに適したリアクタボウルの、ある実施の
形態の特定の構造を示す。
【図3】 図1に示すアッセンブリで使用するのに適したステータアッセンブリ及びロー
ターアッセンブリを備えた、リアクタヘッドのある実施の形態を示す。
【図4】 図1に示すリアクタアッセンブリで使用するのに適した、屈曲接点を使った接
点アッセンブリのある実施の形態を示す。
【図5】 図1に示すリアクタアッセンブリで使用するのに適した、屈曲接点を使った接
点アッセンブリのある実施の形態を示す。
【図6】 図1に示すリアクタアッセンブリで使用するのに適した、屈曲接点を使った接
点アッセンブリのある実施の形態を示す。
【図7】 図1に示すリアクタアッセンブリで使用するのに適した、屈曲接点を使った接
点アッセンブリのある実施の形態を示す。
【図8】 図1に示すリアクタアッセンブリで使用するのに適した、屈曲接点を使った接
点アッセンブリのある実施の形態を示す。
【図9】 図1に示すリアクタアッセンブリで使用するのに適した、屈曲接点を使った接
点アッセンブリのある実施の形態を示す。
【図10】 図1に示すリアクタアッセンブリで使用するのに適した、屈曲接点を使った接
点アッセンブリのある実施の形態を示す。
【図11】 図1に示すリアクタアッセンブリで使用するのに適した、屈曲接点を使った接
点アッセンブリの別の実施の形態を示す。
【図12】 図1に示すリアクタアッセンブリで使用するのに適した、屈曲接点を使った接
点アッセンブリの別の実施の形態を示す。
【図13】 図1に示すリアクタアッセンブリで使用するのに適した、屈曲接点を使った接
点アッセンブリの別の実施の形態を示す。
【図14】 図1に示すリアクタアッセンブリで使用するのに適した、屈曲接点を使った接
点アッセンブリの別の実施の形態を示す。
【図15】 図1に示すリアクタアッセンブリで使用するのに適した、屈曲接点を使った接
点アッセンブリの別の実施の形態を示す。
【図16A】 「皿ばね状環状」接点構造の、ある実施の形態を示す。
【図16B】 「皿ばね状環状」接点構造の、ある実施の形態を示す。
【図17】 「皿ばね状環状」接点構造の、別の実施の形態を示す。
【図18】 図1に示すリアクタアッセンブリで使用するのに適した、図15から17に示
した内の1つのような「皿ばね状環状」接点構造を使った接点アッセンブリのあ
る実施の形態を示す。
【図19】 図1に示すリアクタアッセンブリで使用するのに適した、図15から17に示
した内の1つのような「皿ばね状環状」接点構造を使った接点アッセンブリのあ
る実施の形態を示す。
【図20】 図1に示すリアクタアッセンブリで使用するのに適した、図15から17に示
した内の1つのような「皿ばね状環状」接点構造を使った接点アッセンブリのあ
る実施の形態を示す。
【図21】 図1に示すリアクタアッセンブリで使用するのに適した、図15から17に示
した内の1つのような「皿ばね状環状」接点構造を使った接点アッセンブリの別
の実施の形態を示す。
【図22】 図1に示すリアクタアッセンブリで使用するのに適した、図15から17に示
した内の1つのような「皿ばね状環状」接点構造を使った接点アッセンブリの別
の実施の形態を示す。
【図23】 図1に示すリアクタアッセンブリで使用するのに適した、図15から17に示
した内の1つのような「皿ばね状環状」接点構造を使った接点アッセンブリの別
の実施の形態を示す。
【図24】 図1に示すリアクタアッセンブリで使用するのに適した、図15から17に示
した内の1つのような「皿ばね状環状」接点構造を使った接点アッセンブリの別
の実施の形態を示す。
【図25】 図1に示すアッセンブリで使用するのに適した、図15から17に示した内の
1つのような「皿ばね状環状」接点構造を使った接点アッセンブリの又別の実施
の形態を示す。
【図26】 図1に示すリアクタアッセンブリで使用するのに適した接点アッセンブリの別
の実施の形態を示す。
【図27】 図1に示すリアクタアッセンブリで使用するのに適した接点アッセンブリの別
の実施の形態を示す。
【図28】 簡単取り付け機構の実施の形態の様々な態様を示す。
【図29】 簡単取り付け機構の実施の形態の様々な態様を示す。
【図30A】 簡単取り付け機構の実施の形態の様々な態様を示す。
【図30B】 簡単取り付け機構の実施の形態の様々な態様を示す。
【図31A】 簡単取り付け機構の実施の形態の様々な態様を示す。
【図31B】 簡単取り付け機構の実施の形態の様々な態様を示す。
【図31C】 簡単取り付け機構の実施の形態の様々な態様を示す。
【図32A】 簡単取り付け機構の実施の形態の様々な態様を示す。
【図32B】 簡単取り付け機構の実施の形態の様々な態様を示す。
【図32C】 簡単取り付け機構の実施の形態の様々な態様を示す。
【図32D】 簡単取り付け機構の実施の形態の様々な態様を示す。
【図33】 ワークピースを収容している状態のリアクタヘッドの配置を示す、リアクタヘ
ッドの断面図である。
【図34】 ワークピースをリアクタボウルに送る準備ができた状態のリアクタヘッドの配
置を示す、リアクタヘッドの断面図である。
【図35】 ローターアッセンブリのある実施の形態の分解図である。
【図36】 本発明と結びつけて使用するのに適した、化学メッキリアクタのある実施の形
態の断面図である。
【図37】 図36の化学メッキリアクタ内で使用するのに適した、ワークピースホルダー
の様々な実施の形態を示す。
【図38】 図36の化学メッキリアクタ内で使用するのに適した、ワークピースホルダー
の様々な実施の形態を示す。
【図39】 図36の化学メッキリアクタ内で使用するのに適した、ワークピースホルダー
の様々な実施の形態を示す。
【図40】 図36の化学メッキリアクタ内で使用するのに適した、ワークピースホルダー
の様々な実施の形態を示す。
【図41】 図36の化学メッキリアクタ内で使用するのに適した、ワークピースホルダー
の様々な実施の形態を示す。
【図42】 図36の化学メッキリアクタ内で使用するのに適した、ワークピースホルダー
の様々な実施の形態を示す。
【図43】 図42のXXXXIII部の部分拡大図である。
【図44】 開示された実施の形態に従って構築されたワークピースホルダー又は接点アッ
センブリの何れかに、窒素のようなパージガスを供給することのできる、1つの
やり方を示す。
【図45】 開示された実施の形態に従って構築されたワークピースホルダー又は接点アッ
センブリの何れかに、窒素のようなパージガスを供給することのできる、1つの
やり方を示す。
【図46】 開示された実施の形態に従って構築されたワークピースホルダー又は接点アッ
センブリの何れかに、窒素のようなパージガスを供給することのできる、1つの
やり方を示す。
【図47】 化学メッキリアクタと電気メッキリアクタとを組み合わせた、統合処理ツール
の平面図である。
【図48】 化学メッキリアクタと電気メッキリアクタとを組み合わせた、統合処理ツール
の平面図である。
【図49】 化学メッキリアクタと電気メッキリアクタとを組み合わせた、統合処理ツール
の平面図である。
【図50】 化学メッキ段階及び電気メッキ段階の両方を含む、ワークピースをメッキする
プロセスを示すフローダイアグラムである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 60/119,668 (32)優先日 平成11年2月11日(1999.2.11) (33)優先権主張国 米国(US) (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),CN,JP,K R,US (72)発明者 オバーリットナー トーマス エイチ アメリカ合衆国 モンタナ州 59901 カ リスペル ウィンタークレスト ドライヴ 222 (72)発明者 チェン リンリン アメリカ合衆国 モンタナ州 59901 カ リスペル ホーソーン アベニュー 121 (72)発明者 ペダーセン ジョン エム アメリカ合衆国 モンタナ州 59901 カ リスペル ロスト クリーク ドライヴ 767 (72)発明者 ジーラ ウラディミール カナダ オンタリオ エム1ジー 3ジェ イ8 スカボロー コッピング ロード 18 Fターム(参考) 4K022 AA02 AA05 AA41 BA08 DA01 DB15 DB19 4K044 AA11 AB02 BA06 BC14 CA15 CA18 CA71

Claims (42)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ワークピースの表面に金属をメッキするためのリアクタにお
    いて、 中に入れられた電気メッキ溶液を含むリアクタボウルと、 前記リアクタボウル中に電気メッキ溶液と接触して配置された陽極と、 ワークピースの表面の周辺縁部に接するように配置され、ワークピースと係
    合する際にはワークピースの表面に対してワイピング動作を行う複数の接点と、 前記複数の接点の内側に配置され、ワークピースの表面と係合し前記複数の
    接点を前記電気メッキ溶液から効果的に隔離するために配置された部材を含んで
    いるバリヤと、 を含んでいる前記リアクタボウル内の前記陽極から間隔をおいて配置された接
    点アッセンブリとを備えていることを特徴とするリアクタ。
  2. 【請求項2】 前記複数の接点が、別々の屈曲した形態であることを特徴と
    する請求項1に記載のリアクタ。
  3. 【請求項3】 前記複数の接点が皿ばね状環状接点の形態であることを特徴
    とする請求項1に記載のリアクタ。
  4. 【請求項4】 前記複数の接点及び前記ワークピースの周辺縁部にパージガ
    スを供給するために前記接点アッセンブリ中に配置された流路を更に備えている
    ことを特徴とする請求項1に記載のリアクタ。
  5. 【請求項5】 前記パージガスが前記バリヤの有効性を支援することを特徴
    とする請求項4に記載のリアクタ。
  6. 【請求項6】 前記接点アッセンブリが、 誘電性材料から形成されている外側本体部材と、 前記外側本体部材の内側に放射状に配置され導電性材料から形成されている、
    前記複数の接点の支持をやり易くしている接点支持部材とを備えていることを特
    徴とする請求項1に記載のリアクタ。
  7. 【請求項7】 前記接点支持部材及び前記複数の接点が白金チタンから成る
    ことを特徴とする請求項6に記載のリアクタ。
  8. 【請求項8】 前記複数の接点が別々の屈曲した形態であり、前記別々の屈
    曲部のそれぞれが、前記接点支持部材と外側本体部材の間に画定された対応する
    屈曲チャネル内に配置されていることを特徴とする請求項6に記載のリアクタ。
  9. 【請求項9】 前記別々の屈曲部と協力して前記接点支持部材の対応する溝
    を係合させ、それにより前記別々の屈曲部を接点支持部材と固定するために配置
    された楔部材を更に備えていることを特徴とする請求項8に記載のリアクタ。
  10. 【請求項10】 ワークピースが前記接点アッセンブリと係合状態になる際
    に、前記楔部材の少なくとも一部が前記屈曲接点の屈曲性を剛性化するのを支援
    することを特徴とする請求項9に記載のリアクタ。
  11. 【請求項11】 前記複数の接点が、前記接点支持部材の内側面のノッチに
    配置された共通部を有する皿ばね状環状接点の形態であることを特徴とする請求
    項6に記載のリアクタ。
  12. 【請求項12】 前記接点支持部材の内側に放射状に配置されたワークピー
    スガイドを更に備えていることを特徴とする請求項6に記載のリアクタ。
  13. 【請求項13】 前記バリヤが、前記外側本体部材と一体的に形成され、前
    記ワークピースの表面と係合するために配置されたリップを更に備えていること
    を特徴とする請求項6に記載のリアクタ。
  14. 【請求項14】 前記バリヤが、前記外側本体部材により支持され前記ワー
    クピースの表面と係合するエラストマーシール部材を更に備えていることを特徴
    とする請求項6に記載のリアクタ。
  15. 【請求項15】 前記接点アッセンブリが、少なくとも1つのラッチ機構を
    使って前記リアクタに取り付けられていることを特徴とする請求項1に記載のリ
    アクタ。
  16. 【請求項16】 前記接点アッセンブルリを含んでおり、且つステータ部と
    前記接点アッセンブリを含むローター部とを含んでいる処理ヘッドを更に備えて
    いることを特徴とする請求項1に記載のリアクタ。
  17. 【請求項17】 前記接点アッセンブリが、少なくとも1つのラッチ機構に
    より前記ローター部に取り外し可能に接合されていることを特徴とする請求項1
    6に記載のリアクタ。
  18. 【請求項18】 バッキング部材と駆動機構を更に備えており、前記バッキ
    ング部材と接点アッセンブリは前記駆動機構によりワークピースを取り付ける状
    態とワークピースを処理する状態の間で互いに相対的に動かされ、前記ワークピ
    ースは前記ワークピースを処理する状態では前記バッキング部材により前記接点
    アッセンブリの前記複数の接点に対して付勢されることを特徴とする請求項16
    に記載のリアクタ。
  19. 【請求項19】 前記駆動機構が実質的にベロウ部材に囲まれていることを
    特徴とする請求項18に記載のリアクタ。
  20. 【請求項20】 ワークピースをメッキするための統合型ツールにおいて、
    化学メッキ処理によってワークピースをメッキするための第1処理室と、 電気メッキ処理によってワークピースをメッキするための第2処理室と、 化学メッキを施すためワークピースを前記第1処理室に搬送し、次に、電気メ
    ッキを施すために前記ワークピースを第2処理室に搬送するようプログラムされ
    たロボット搬送機構とを備えていることを特徴とする統合型ツール。
  21. 【請求項21】 前記第2処理室が、 中に入れられた電気メッキ溶液を含むリアクタボウルと、 前記リアクタボウル中に電気メッキ溶液に接触して配置された陽極と、 ワークピースの表面の周辺縁部に接するように配置され、ワークピースを係
    合する際にワークピースの表面に対してワイピング動作を行う複数の接点と、 前記複数の接点の内側に放射状に配置され、ワークピースの表面と係合して
    前記複数の接点を前記電気メッキ溶液から効果的に隔離するために配置された部
    材を含んでいるバリヤとを含んでいる、 前記リアクタボウル内の前記陽極から間隔をおいて配置された接点アッセンブ
    リとを備えていることを特徴とする請求項20に記載の統合型ツール。
  22. 【請求項22】 前記複数の接点が、別々の屈曲した形態であることを特徴
    とする請求項21に記載の統合型ツール。
  23. 【請求項23】 前記複数の接点が皿ばね状環状接点の形態であることを特
    徴とする請求項21に記載の統合型ツール。
  24. 【請求項24】 前記複数の接点と前記ワークピースの周辺縁部にパージガ
    スを供給するために前記接点アッセンブリ中に配置された流路を更に備えていこ
    とを特徴とする請求項21に記載の統合型ツール。
  25. 【請求項25】 前記パージガスが前記バリヤの有効性を支援することを特
    徴とする請求項24に記載の統合型ツール。
  26. 【請求項26】 金属をワークピースの表面に化学メッキするためのリアク
    タにおいて、 中に入れられた化学メッキ溶液を含むリアクタボウルと、 前記ワークピースの表面の周辺縁部と接触するように配置されたワークピース
    支持部材と、前記ワークピース支持部材の内側に配置され且つ前記ワークピース
    の表面と係合し前記ワークピースの周辺縁部を前記化学メッキ溶液から効果的に
    隔離するために配置された部材を含んでいるバリヤとを含んでいる、リアクタボ
    ウル内のワークピースホルダーアッセンブリとを備えていることを特徴とするリ
    アクタ。
  27. 【請求項27】 前記ワークピース支持部材が、別々の屈曲した形態である
    ことを特徴とする請求項26に記載のリアクタ。
  28. 【請求項28】 前記ワークピース支持部材が皿ばね状環状体の形態である
    ことを特徴とする請求項26に記載のリアクタ。
  29. 【請求項29】 前記ワークピースの周辺縁部にパージガスを供給するため
    に前記ワークピース支持アッセンブリ中に配置された流路を更に備えていること
    を特徴とする請求項26に記載のリアクタ。
  30. 【請求項30】 前記パージガスが前記バリヤの有効性を支援することを特
    徴とする請求項4に記載のリアクタ。
  31. 【請求項31】 前記ワークピース支持アッセンブリが、 誘電性材料から形成されている外側本体部材と、 前記外側本体部材の内側に放射状に配置され誘電性材料から形成されている、
    前記ワークピース支持部材の支持をやり易くしているリング支持部材とを備えれ
    いることを特徴とする請求項1に記載のリアクタ。
  32. 【請求項32】 前記ウェーハ支持部材が、別々の屈曲した形態であり、前
    記別々の屈曲部それぞれが、前記リング支持部材と外側本体部材の間に画定され
    た対応している屈曲チャネル内に配置されていることを特徴とする請求項31に
    記載のリアクタ。
  33. 【請求項33】 前記ウェーハ支持部材が、前記リング支持部材の内側面の
    ノッチに配置された共通部を有する皿ばね状環状接点の形態であることを特徴と
    する請求項31に記載のリアクタ。
  34. 【請求項34】 前記バリヤが、前記外側本体部材と一体的に形成され、前
    記ワークピースの表面と係合するように配置されたリップを備えていることを特
    徴とする請求項31に記載のリアクタ。
  35. 【請求項35】 前記バリヤが、前記外側本体部材により支持され前記ワー
    クピースの表面と係合するエラストマーシール部材を備えていることを特徴とす
    る請求項31に記載のリアクタ。
  36. 【請求項36】 前記ワークピース支持アッセンブリが、少なくとも1つの
    ラッチ機構を使って前記リアクタに取り付けられていることを特徴とする請求項
    26に記載のリアクタ。
  37. 【請求項37】 前記ワークピース支持アッセンブリを含み、且つステータ
    部と前記ワークピース支持アッセンブリを含むローター部とを含んでいる処理ヘ
    ッドを更に備えていることを特徴とする請求項26に記載のリアクタ。
  38. 【請求項38】 前記接点アッセンブリが、少なくとも1つのラッチ機構に
    より前記ローター部に取り外し可能に接合されていることを特徴とする請求項3
    7に記載のリアクタ。
  39. 【請求項39】 バッキング部材と駆動機構を更に備えており、前記バッキ
    ング部材と接点アッセンブリは前記駆動機構によりワークピースを搭載する状態
    とワークピースを処理する状態の間で互いに相対的に動かされ、前記ワークピー
    スは前記ワークピースを処理する状態では前記バッキング部材により前記接点ア
    ッセンブリの前記複数接点に対して付勢されることを特徴とする請求項37に記
    載のリアクタ。
  40. 【請求項40】 前記駆動機構が実質的にベロウ部材に囲まれていることを
    特徴とする請求項39に記載のリアクタ。
  41. 【請求項41】 ワークピースをメッキするためのリアクタ中に使用される
    装置において、 接点アッセンブリと、 前記接点アッセンブリをリアクタに取り外し可能に取り付けるよう作動するラ
    ッチアッセンブリとを備えていることを特徴とする装置。
  42. 【請求項42】 ワークピースをメッキするためのリアクタ中に使用される
    装置において、 ワークピース支持アッセンブリと、 前記ワークピース支持アッセンブリをリアクタに取り外し可能に可能に取り付
    けるよう作動するラッチアッセンブリとを備えていることを特徴とする装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8277624B2 (en) 2003-10-22 2012-10-02 Tel Nexx, Inc. Method and apparatus for fluid processing a workpiece
JP2013064196A (ja) * 2011-09-12 2013-04-11 Novellus Systems Inc 輪郭成形されたカップ底を有するメッキ用カップ
CN111593395A (zh) * 2019-02-20 2020-08-28 株式会社荏原制作所 基板保持件以及具备该基板保持件的镀敷装置
JP7194305B1 (ja) 2022-07-01 2022-12-21 株式会社荏原製作所 基板ホルダ、めっき装置、及びめっき方法
TWI833898B (zh) 2019-02-20 2024-03-01 日商荏原製作所股份有限公司 基板保持件以及具備該基板保持件的鍍覆裝置

Families Citing this family (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6805778B1 (en) * 1996-07-15 2004-10-19 Semitool, Inc. Contact assembly for supplying power to workpieces during electrochemical processing
US7244677B2 (en) 1998-02-04 2007-07-17 Semitool. Inc. Method for filling recessed micro-structures with metallization in the production of a microelectronic device
US6565729B2 (en) 1998-03-20 2003-05-20 Semitool, Inc. Method for electrochemically depositing metal on a semiconductor workpiece
TW593731B (en) 1998-03-20 2004-06-21 Semitool Inc Apparatus for applying a metal structure to a workpiece
US6197181B1 (en) 1998-03-20 2001-03-06 Semitool, Inc. Apparatus and method for electrolytically depositing a metal on a microelectronic workpiece
US6228232B1 (en) 1998-07-09 2001-05-08 Semitool, Inc. Reactor vessel having improved cup anode and conductor assembly
US6303010B1 (en) 1999-07-12 2001-10-16 Semitool, Inc. Methods and apparatus for processing the surface of a microelectronic workpiece
US7048841B2 (en) 1998-12-07 2006-05-23 Semitool, Inc. Contact assemblies, methods for making contact assemblies, and plating machines with contact assemblies for plating microelectronic workpieces
US6773560B2 (en) 1998-07-10 2004-08-10 Semitool, Inc. Dry contact assemblies and plating machines with dry contact assemblies for plating microelectronic workpieces
JP2003520898A (ja) 1998-07-10 2003-07-08 セミトゥール・インコーポレイテッド 化学メッキ及び電気メッキを使って銅メッキを行うための方法及び装置
KR100694562B1 (ko) * 1998-08-11 2007-03-13 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 도금방법 및 장치
US6248222B1 (en) * 1998-09-08 2001-06-19 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces
US6309520B1 (en) 1998-12-07 2001-10-30 Semitool, Inc. Methods and apparatus for processing the surface of a microelectronic workpiece
US8852417B2 (en) 1999-04-13 2014-10-07 Applied Materials, Inc. Electrolytic process using anion permeable barrier
US7022211B2 (en) 2000-01-31 2006-04-04 Ebara Corporation Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer
US7645366B2 (en) 1999-07-12 2010-01-12 Semitool, Inc. Microelectronic workpiece holders and contact assemblies for use therewith
US6673216B2 (en) 1999-08-31 2004-01-06 Semitool, Inc. Apparatus for providing electrical and fluid communication to a rotating microelectronic workpiece during electrochemical processing
TWI281516B (en) * 2000-03-17 2007-05-21 Ebara Corp Plating apparatus and plating method
US6852208B2 (en) * 2000-03-17 2005-02-08 Nutool, Inc. Method and apparatus for full surface electrotreating of a wafer
US6540899B2 (en) * 2001-04-05 2003-04-01 All Wet Technologies, Inc. Method of and apparatus for fluid sealing, while electrically contacting, wet-processed workpieces
US7334826B2 (en) * 2001-07-13 2008-02-26 Semitool, Inc. End-effectors for handling microelectronic wafers
US6908540B2 (en) * 2001-07-13 2005-06-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for encapsulation of an edge of a substrate during an electro-chemical deposition process
US7281741B2 (en) * 2001-07-13 2007-10-16 Semitool, Inc. End-effectors for handling microelectronic workpieces
US7169280B2 (en) * 2001-08-31 2007-01-30 Semitool, Inc. Apparatus and method for deposition of an electrophoretic emulsion
US6974767B1 (en) * 2002-02-21 2005-12-13 Advanced Micro Devices, Inc. Chemical solution for electroplating a copper-zinc alloy thin film
US20030159921A1 (en) * 2002-02-22 2003-08-28 Randy Harris Apparatus with processing stations for manually and automatically processing microelectronic workpieces
US6913651B2 (en) 2002-03-22 2005-07-05 Blue29, Llc Apparatus and method for electroless deposition of materials on semiconductor substrates
US7118658B2 (en) * 2002-05-21 2006-10-10 Semitool, Inc. Electroplating reactor
US20060043750A1 (en) * 2004-07-09 2006-03-02 Paul Wirth End-effectors for handling microfeature workpieces
US20070014656A1 (en) * 2002-07-11 2007-01-18 Harris Randy A End-effectors and associated control and guidance systems and methods
US6846519B2 (en) * 2002-08-08 2005-01-25 Blue29, Llc Method and apparatus for electroless deposition with temperature-controlled chuck
US7025866B2 (en) * 2002-08-21 2006-04-11 Micron Technology, Inc. Microelectronic workpiece for electrochemical deposition processing and methods of manufacturing and using such microelectronic workpieces
US6908512B2 (en) * 2002-09-20 2005-06-21 Blue29, Llc Temperature-controlled substrate holder for processing in fluids
US7025862B2 (en) * 2002-10-22 2006-04-11 Applied Materials Plating uniformity control by contact ring shaping
US7235483B2 (en) * 2002-11-19 2007-06-26 Blue29 Llc Method of electroless deposition of thin metal and dielectric films with temperature controlled stages of film growth
US7138039B2 (en) * 2003-01-21 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Liquid isolation of contact rings
US20040146461A1 (en) * 2003-01-29 2004-07-29 Vincenzo Giuliano Oral contrast media composition for computerized axial tomographic examinations and method
US7087144B2 (en) * 2003-01-31 2006-08-08 Applied Materials, Inc. Contact ring with embedded flexible contacts
DE10310071B3 (de) * 2003-03-07 2004-08-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zum Galvanisieren von Bauteilen
US20040222101A1 (en) * 2003-04-18 2004-11-11 Applied Materials, Inc. Contact ring spin during idle time and deplate for defect reduction
US6860944B2 (en) * 2003-06-16 2005-03-01 Blue29 Llc Microelectronic fabrication system components and method for processing a wafer using such components
US20050025565A1 (en) * 2003-07-28 2005-02-03 Lg Electronics Inc. Securing device for a spring
US7654221B2 (en) 2003-10-06 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US7223308B2 (en) * 2003-10-06 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Apparatus to improve wafer temperature uniformity for face-up wet processing
US7827930B2 (en) 2004-01-26 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US7727366B2 (en) 2003-10-22 2010-06-01 Nexx Systems, Inc. Balancing pressure to improve a fluid seal
US20050092611A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-05 Semitool, Inc. Bath and method for high rate copper deposition
US20050218000A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-06 Applied Materials, Inc. Conditioning of contact leads for metal plating systems
US7442285B2 (en) * 2004-06-17 2008-10-28 Vapor Technologies, Inc. Common rack for electroplating and PVD coating operations
US20050283993A1 (en) * 2004-06-18 2005-12-29 Qunwei Wu Method and apparatus for fluid processing and drying a workpiece
US7285195B2 (en) * 2004-06-24 2007-10-23 Applied Materials, Inc. Electric field reducing thrust plate
US20070020080A1 (en) * 2004-07-09 2007-01-25 Paul Wirth Transfer devices and methods for handling microfeature workpieces within an environment of a processing machine
US7566390B2 (en) * 2004-12-15 2009-07-28 Lam Research Corporation Wafer support apparatus for electroplating process and method for using the same
US7608174B1 (en) 2005-04-22 2009-10-27 Sandia Corporation Apparatus and method for electroforming high aspect ratio micro-parts
US20060289302A1 (en) * 2005-06-28 2006-12-28 Semitool, Inc. Electroprocessing workpiece contact assemblies, and apparatus with contact assemblies for electroprocessing workpieces
JP2009517543A (ja) 2005-11-23 2009-04-30 セミトゥール・インコーポレイテッド 微細構造ワークピースの湿式化学処理中に液体を振動させるための装置及び方法
US7842173B2 (en) * 2007-01-29 2010-11-30 Semitool, Inc. Apparatus and methods for electrochemical processing of microfeature wafers
US7811422B2 (en) * 2007-02-14 2010-10-12 Semitool, Inc. Electro-chemical processor with wafer retainer
US20090095634A1 (en) * 2007-10-15 2009-04-16 Natsuki Makino Plating method
US7985325B2 (en) * 2007-10-30 2011-07-26 Novellus Systems, Inc. Closed contact electroplating cup assembly
US7935231B2 (en) * 2007-10-31 2011-05-03 Novellus Systems, Inc. Rapidly cleanable electroplating cup assembly
US8172992B2 (en) * 2008-12-10 2012-05-08 Novellus Systems, Inc. Wafer electroplating apparatus for reducing edge defects
DE102009003072A1 (de) * 2009-05-13 2010-11-18 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum gleichzeitigen Be- oder Entschichten einer Mehrzahl von Werkstücken und Werkstück
US9421617B2 (en) 2011-06-22 2016-08-23 Tel Nexx, Inc. Substrate holder
US9117856B2 (en) 2011-07-06 2015-08-25 Tel Nexx, Inc. Substrate loader and unloader having an air bearing support
US9221081B1 (en) 2011-08-01 2015-12-29 Novellus Systems, Inc. Automated cleaning of wafer plating assembly
US9228270B2 (en) 2011-08-15 2016-01-05 Novellus Systems, Inc. Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses
US9988734B2 (en) 2011-08-15 2018-06-05 Lam Research Corporation Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses
US10066311B2 (en) 2011-08-15 2018-09-04 Lam Research Corporation Multi-contact lipseals and associated electroplating methods
US8900425B2 (en) 2011-11-29 2014-12-02 Applied Materials, Inc. Contact ring for an electrochemical processor
US8968531B2 (en) * 2011-12-07 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Electro processor with shielded contact ring
SG11201406133WA (en) 2012-03-28 2014-10-30 Novellus Systems Inc Methods and apparatuses for cleaning electroplating substrate holders
TWI609100B (zh) 2012-03-30 2017-12-21 諾發系統有限公司 使用反向電流除鍍以清洗電鍍基板夾持具
US20130306465A1 (en) * 2012-05-17 2013-11-21 Applied Materials, Inc. Seal rings in electrochemical processors
US9746427B2 (en) 2013-02-15 2017-08-29 Novellus Systems, Inc. Detection of plating on wafer holding apparatus
US10416092B2 (en) 2013-02-15 2019-09-17 Lam Research Corporation Remote detection of plating on wafer holding apparatus
US20140266219A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Detecting electrolyte meniscus in electroplating processors
JP6508935B2 (ja) * 2014-02-28 2019-05-08 株式会社荏原製作所 基板ホルダ、めっき装置及びめっき方法
JP6545585B2 (ja) 2014-10-16 2019-07-17 株式会社荏原製作所 基板ホルダおよびめっき装置
US10047453B2 (en) 2015-05-26 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Electroplating apparatus
US10053793B2 (en) 2015-07-09 2018-08-21 Lam Research Corporation Integrated elastomeric lipseal and cup bottom for reducing wafer sticking
US10704156B2 (en) 2015-12-17 2020-07-07 Texas Instruments Incorporated Method and system for electroplating a MEMS device
CN107447242B (zh) * 2016-05-31 2020-09-08 台湾积体电路制造股份有限公司 电镀装置及方法
WO2018230883A1 (ko) * 2017-06-16 2018-12-20 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치 및 진공용 회전 전기 커넥터
JP6963524B2 (ja) * 2018-03-20 2021-11-10 キオクシア株式会社 電解メッキ装置
CN112259493A (zh) * 2020-10-19 2021-01-22 绍兴同芯成集成电路有限公司 一种超薄晶圆电镀、化镀整合工艺
CN112553671B (zh) * 2020-12-23 2021-12-17 山东东朋自控仪表有限公司 一种雷达天线加工用具有表面光滑度检测功能的镀钛装置
TW202346659A (zh) * 2022-03-01 2023-12-01 美商蘭姆研究公司 電沉積工具中的間隙特徵化

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH615640A5 (ja) * 1976-05-15 1980-02-15 Schuetz Udo Kg
US4137867A (en) 1977-09-12 1979-02-06 Seiichiro Aigo Apparatus for bump-plating semiconductor wafers
US4341629A (en) 1978-08-28 1982-07-27 Sand And Sea Industries, Inc. Means for desalination of water through reverse osmosis
US4246088A (en) 1979-01-24 1981-01-20 Metal Box Limited Method and apparatus for electrolytic treatment of containers
US4422915A (en) 1979-09-04 1983-12-27 Battelle Memorial Institute Preparation of colored polymeric film-like coating
US4259166A (en) 1980-03-31 1981-03-31 Rca Corporation Shield for plating substrate
US4304641A (en) 1980-11-24 1981-12-08 International Business Machines Corporation Rotary electroplating cell with controlled current distribution
US4466864A (en) 1983-12-16 1984-08-21 At&T Technologies, Inc. Methods of and apparatus for electroplating preselected surface regions of electrical articles
DE3500005A1 (de) 1985-01-02 1986-07-10 ESB Elektrostatische Sprüh- und Beschichtungsanlagen G.F. Vöhringer GmbH, 7758 Meersburg Beschichtungskabine zum ueberziehen der oberflaeche von werkstuecken mit beschichtungspulver
US4685414A (en) 1985-04-03 1987-08-11 Dirico Mark A Coating printed sheets
US4576685A (en) 1985-04-23 1986-03-18 Schering Ag Process and apparatus for plating onto articles
US5389496A (en) 1987-03-06 1995-02-14 Rohm And Haas Company Processes and compositions for electroless metallization
US5135636A (en) * 1990-10-12 1992-08-04 Microelectronics And Computer Technology Corporation Electroplating method
US5271953A (en) 1991-02-25 1993-12-21 Delco Electronics Corporation System for performing work on workpieces
US5139818A (en) 1991-06-06 1992-08-18 General Motors Corporation Method for applying metal catalyst patterns onto ceramic for electroless copper deposition
US5399564A (en) 1991-09-03 1995-03-21 Dowelanco N-(4-pyridyl or 4-quinolinyl) arylacetamide and 4-(aralkoxy or aralkylamino) pyridine pesticides
JP2888001B2 (ja) * 1992-01-09 1999-05-10 日本電気株式会社 金属メッキ装置
US5310580A (en) 1992-04-27 1994-05-10 International Business Machines Corporation Electroless metal adhesion to organic dielectric material with phase separated morphology
US5227041A (en) * 1992-06-12 1993-07-13 Digital Equipment Corporation Dry contact electroplating apparatus
JPH0625899A (ja) 1992-07-10 1994-02-01 Nec Corp 電解メッキ装置
JP3308333B2 (ja) 1993-03-30 2002-07-29 三菱電機株式会社 電解メッキ装置,及び電解メッキ処理方法
JP3377849B2 (ja) * 1994-02-02 2003-02-17 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 ウエーハ用メッキ装置
DE9404771U1 (de) 1994-03-21 1994-06-30 Thyssen Aufzuege Gmbh Verriegelungsvorrichtung
US5550315A (en) 1995-03-23 1996-08-27 Sandia Corporation Anisotropic capillary barrier for waste site surface covers
US5522975A (en) * 1995-05-16 1996-06-04 International Business Machines Corporation Electroplating workpiece fixture
US5670034A (en) 1995-07-11 1997-09-23 American Plating Systems Reciprocating anode electrolytic plating apparatus and method
US5597460A (en) 1995-11-13 1997-01-28 Reynolds Tech Fabricators, Inc. Plating cell having laminar flow sparger
US5620581A (en) * 1995-11-29 1997-04-15 Aiwa Research And Development, Inc. Apparatus for electroplating metal films including a cathode ring, insulator ring and thief ring
US5747088A (en) * 1996-07-03 1998-05-05 Fletcher; Leroy W. Method of producing fruit juices and an edible infused solid fruit product
US5980706A (en) 1996-07-15 1999-11-09 Semitool, Inc. Electrode semiconductor workpiece holder
US5723387A (en) * 1996-07-22 1998-03-03 Industrial Technology Research Institute Method and apparatus for forming very small scale Cu interconnect metallurgy on semiconductor substrates
US5747098A (en) * 1996-09-24 1998-05-05 Macdermid, Incorporated Process for the manufacture of printed circuit boards
US5904827A (en) * 1996-10-15 1999-05-18 Reynolds Tech Fabricators, Inc. Plating cell with rotary wiper and megasonic transducer
US5788829A (en) 1996-10-16 1998-08-04 Mitsubishi Semiconductor America, Inc. Method and apparatus for controlling plating thickness of a workpiece
US5776327A (en) 1996-10-16 1998-07-07 Mitsubishi Semiconuctor Americe, Inc. Method and apparatus using an anode basket for electroplating a workpiece
US5843296A (en) * 1996-12-26 1998-12-01 Digital Matrix Method for electroforming an optical disk stamper
US6228231B1 (en) * 1997-05-29 2001-05-08 International Business Machines Corporation Electroplating workpiece fixture having liquid gap spacer
US6001235A (en) 1997-06-23 1999-12-14 International Business Machines Corporation Rotary plater with radially distributed plating solution
US6156167A (en) 1997-11-13 2000-12-05 Novellus Systems, Inc. Clamshell apparatus for electrochemically treating semiconductor wafers
US6159354A (en) 1997-11-13 2000-12-12 Novellus Systems, Inc. Electric potential shaping method for electroplating
US5932077A (en) 1998-02-09 1999-08-03 Reynolds Tech Fabricators, Inc. Plating cell with horizontal product load mechanism
JP2003520898A (ja) 1998-07-10 2003-07-08 セミトゥール・インコーポレイテッド 化学メッキ及び電気メッキを使って銅メッキを行うための方法及び装置
US6080291A (en) 1998-07-10 2000-06-27 Semitool, Inc. Apparatus for electrochemically processing a workpiece including an electrical contact assembly having a seal member
US6303010B1 (en) 1999-07-12 2001-10-16 Semitool, Inc. Methods and apparatus for processing the surface of a microelectronic workpiece
US6143147A (en) 1998-10-30 2000-11-07 Tokyo Electron Limited Wafer holding assembly and wafer processing apparatus having said assembly
US6267853B1 (en) 1999-07-09 2001-07-31 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system
US6251236B1 (en) * 1998-11-30 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Cathode contact ring for electrochemical deposition
JP4766579B2 (ja) 1998-11-30 2011-09-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 電気化学堆積装置
US6309520B1 (en) 1998-12-07 2001-10-30 Semitool, Inc. Methods and apparatus for processing the surface of a microelectronic workpiece
US6645356B1 (en) * 1998-12-07 2003-11-11 Semitool, Inc. Methods and apparatus for processing the surface of a microelectronic workpiece
US6258223B1 (en) 1999-07-09 2001-07-10 Applied Materials, Inc. In-situ electroless copper seed layer enhancement in an electroplating system

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8277624B2 (en) 2003-10-22 2012-10-02 Tel Nexx, Inc. Method and apparatus for fluid processing a workpiece
US9512538B2 (en) 2008-12-10 2016-12-06 Novellus Systems, Inc. Plating cup with contoured cup bottom
JP2013064196A (ja) * 2011-09-12 2013-04-11 Novellus Systems Inc 輪郭成形されたカップ底を有するメッキ用カップ
US10053792B2 (en) 2011-09-12 2018-08-21 Novellus Systems, Inc. Plating cup with contoured cup bottom
CN111593395A (zh) * 2019-02-20 2020-08-28 株式会社荏原制作所 基板保持件以及具备该基板保持件的镀敷装置
JP2020132946A (ja) * 2019-02-20 2020-08-31 株式会社荏原製作所 基板ホルダおよび当該基板ホルダを備えるめっき装置
JP7256027B2 (ja) 2019-02-20 2023-04-11 株式会社荏原製作所 基板ホルダおよび当該基板ホルダを備えるめっき装置
TWI833898B (zh) 2019-02-20 2024-03-01 日商荏原製作所股份有限公司 基板保持件以及具備該基板保持件的鍍覆裝置
JP7194305B1 (ja) 2022-07-01 2022-12-21 株式会社荏原製作所 基板ホルダ、めっき装置、及びめっき方法
JP2024006255A (ja) * 2022-07-01 2024-01-17 株式会社荏原製作所 基板ホルダ、めっき装置、及びめっき方法

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