TWI653348B - Ｃｕ－Ｇａ濺鍍靶及Ｃｕ－Ｇａ濺鍍靶之製造方法 - Google Patents
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- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title description 17
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 113
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 claims description 59
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 46
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 36
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 28
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 28
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 19
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 11
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 55
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 22
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 20
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 20
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 2
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018091 Li 2 S Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000009689 gas atomisation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000010081 sangu Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
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- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/0425—Copper-based alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C28/00—Alloys based on a metal not provided for in groups C22C5/00 - C22C27/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
- B22F2998/10—Processes characterised by the sequence of their steps
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/08—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of copper or alloys based thereon
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
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Abstract
本發明係提供一種Cu-Ga濺鍍靶，其係就除了氟以外之金屬成分而言，含有Ga：5原子%以上60原子%以下，K：0.01原子%以上5原子%以下，其餘部分具有由Cu及不可避免的雜質所構成之組成，在以波長分離型X線檢測器所得之原子測繪圖中，存在含有Cu、Ga、K及F之Cu-Ga-K-F區域。
Description
本案發明係有關例如成為CIGS太陽能電池之光吸收層的Cu-In-Ga-Se四元系合金薄膜時所使用之Cu-Ga濺鍍靶、及此Cu-Ga濺鍍靶的製造方法。
本案依據於2014年8月28日在日本所申請之特願2014-174539號、及於2015年8月27日在日本所申請之特願2015-167676號，主張優先權，此處援用其內容。
以往，就由化合物半導體所構成之薄膜太陽能電池而言，已提出具備由Cu-In-Ga-Se四元系合金薄膜所構成之光吸收層之CIGS太陽能電池。
此處，就形成由Cu-In-Ga-Se四元系合金薄膜所構成之光吸收層之方法而言，已知有藉蒸鍍法成膜之方法。具備藉蒸鍍法成膜之光吸收層的太陽能電池，具有如能量交換效率高之優點，但仍有不適於大面積化，且生產效率低之問題。
因此，已提出藉濺鍍法形成由Cu-In-Ga-Se四
元系合金薄膜所構成之光吸收層之方法。
在濺鍍法中，首先，使用In靶材而使In膜成膜，於此In膜上使用Cu-Ga濺鍍靶而使Cu-Ga膜成膜，形成In膜與Cu-Ga膜之層合膜，使此層合膜在Se環境中進行熱處理，以使上述之層合膜硒化，藉此，形成Cu-In-Ga-Se四元系合金薄膜。
此處，在成為光吸收層之Cu-In-Ga-Se四元系合金薄膜中，係藉由添加鈉等之鹼金屬，以提高太陽能電池的轉換效率已為人所知。
因此，於Cu-In-Ga-Se四元系合金薄膜中添加鹼金屬的手段，例如於專利文獻1、2中已揭示使Cu-Ga膜成膜時所使用之Cu-Ga濺鍍靶中添加鹼金屬的方法。
鹼金屬係在元素單體中反應性非常高且不安定，故在日本專利文獻1、2所記載之Cu-Ga濺鍍靶中，形成為鹼金屬化合物而被添加，具體上，在日本專利文獻1中係添加Li2O、Na2O、K2O、Li2S、Na2S、K2S、Li2Se、Na2Se、K2Se，尤其，較佳為添加Se化合物。又，在日本專利文獻2中係記載以NaF之狀態添加。
[專利文獻1]日本再公表WO 2011/083647號公報(A)
[專利文獻2]日本國專利第4793504號公報(B)
最近，正尋求在太陽能電池中之轉換效率更進一步提昇，對於成為光吸收層之Cu-In-Ga-Se四元系合金薄膜必須以高於以往的濃度含有鹼金屬。亦即，在日本專利文獻1、2所記載之Cu-Ga濺鍍靶中，鹼金屬的含量少，轉換效率之提昇不充分。
因此，對於Cu-Ga濺鍍靶，認為較以往添加更多鹼金屬化合物。然而，鹼金屬化合物基本上為絕緣體，故單純地增加含量時，恐成為異常放電之原因，無法安定而使Cu-Ga膜成膜。又，恐無法於已成膜之Cu-Ga膜內均一分散鹼金屬。因此，難以形成含有許多鹼金屬之Cu-In-Ga-Se四元系合金薄膜。
本發明係有鑑於前述之事情，目的在於提供一種含有比較多之鹼金屬化合物，使鹼金屬均一分散之組成的Cu-Ga膜安定地成膜之Cu-Ga濺鍍靶、及此Cu-Ga濺鍍靶之製造方法。
為解決上述課題，本案發明具有如下之態樣。
本案發明之一態樣的Cu-Ga濺鍍靶(以下，稱為「本案發明之Cu-Ga濺鍍靶」)，係除了氟以外之金屬成分為含有Ga：5原子%以上60原子%以下，K：0.01原子%以
上5原子%以下，其餘部分具有由Cu及不可避免的雜質所構成之組成，在以波長分離型X線檢測器所得之原子測繪圖中，存在含有Cu、Ga、K及F之區域(以下，稱為「Cu-Ga-K-F區域」)。
此處，所謂Cu-Ga-K-F區域係單相之結晶粒或粒界，且Cu、Ga、K與F之存在以波長分離型X線檢測器確認原子測繪圖之區域。在波長分離型X線檢測器中，藉特性X線檢測Cu、Ga、K與F之存在。有關Cu、Ga、K及F之各別原子，所謂「含有」係從使用ZAF修正法所製作之定量測繪圖，Cu之時檢測5質量%以上，Ga之時檢測5質量%以上，K之時檢測5質量%以上，F之時檢測5質量%以上。又，製作定量測繪圖時，係選擇C、O、F、K、Cu、Ga作為構成元素。
在設為如此構成之本案發明的Cu-Ga濺鍍靶中，除了氟以外之金屬成分為含有Ga：5原子%以上60原子%以下，K：0.01原子%以上5原子%以下，其餘部分具有由Cu及不可避免的雜質所構成之組成，故可使含有比較多之鹼金屬的K之Cu-Ga膜成膜。
繼而，作為鹼金屬之K的至少一部分，存在含有Cu、Ga、K與F之Cu-Ga-K-F區域，故可抑制濺鍍時之異常放電之外，尚可使作為鹼金屬之K均一分散的Cu-Ga膜安定地成膜。
因此，在本案發明之Cu-Ga濺鍍靶中，前述含有Cu、Ga、K與F之區域較佳係以K與Cu及Ga之一
者或兩者與F之化合物相存在。
此時，前述含有Cu、Ga、K與F之區域中之K為以與金屬之化合物相存在，故Cu、Ga、K與F之區域之導電度增加，可降低濺鍍時之異常放電。
又，在本案發明之Cu-Ga濺鍍靶中，前述含有Cu、Ga、K與F之區域較佳係分散於Cu-Ga母相之結晶粒界。
此時，前述含有Cu、Ga、K與F之區域成為廣泛分散於Cu-Ga濺鍍靶整體，可使作為鹼金屬之K均一分散的Cu-Ga膜確實地成膜。
進一步，在本案發明之Cu-Ga濺鍍靶中，於Cu-Ga母相中存在KF單體相，前述KF單體相對存在於濺鍍靶中之全KF量的存在比率X，亦即，KF單體相/(KF單體相+Cu-Ga-K-F區域)×100之值以0%<X≦70%為佳。
此時，KF單體相之存在比率被抑制於70%以下，故即使在高輸出力之電力下，亦可降低成膜時之異常放電，可安定而使作為鹼金屬之K均一分散的Cu-Ga膜確實地成膜。
本案發明之另一態樣之Cu-Ga濺鍍靶的製造方法(以下，稱為「本案發明之Cu-Ga濺鍍靶的製造方法」係製造上述之Cu-Ga濺鍍靶的Cu-Ga濺鍍靶的製造方法，其特徵在於：具有加熱原料粉末而進行燒結之燒結步驟；前述原料粉末係在前述燒結步驟中產生液相成分之
第1 Cu-Ga合金粉末、KF原料粉末、在前述燒結步驟中不產生液相成分之第2 Cu-Ga合金粉末及Cu粉末之中的至少一者或兩者，以如下方式混合而成之混合粉末，即，除了氟以外之金屬成分為以含有Ga：5原子%以上60原子%以下，K：0.01原子%以上5原子%以下，其餘部分為由Cu及不可避免的雜質所構成之組成的方式；在前述燒結步驟中，藉由使前述原料粉末的一部分液相燒結，形成含有Cu、Ga、K及F之Cu-Ga-K-F區域。
設為如此構成之本案發明之Cu-Ga濺鍍靶的製造方法中，係在燒結步驟中產生液相成分之第1 Cu-Ga合金粉末、KF原料粉末、在燒結步驟中不產生液相成分之第2 Cu-Ga合金粉末及Cu粉末之中的至少一者或兩者，經混合而成之混合粉末作為原料粉末，在燒結步驟中，因使原料粉末的一部分液相燒結，故液相之Cu-Ga合金與KF原料粉末反應，而可形成含有Cu、Ga、K及F之Cu-Ga-K-F區域。因而，如上述，可降低濺鍍時之異常放電，可得到使作為鹼金屬之K均一分散的Cu-Ga膜安定地成膜之Cu-Ga濺鍍靶。
此處，在本案發明之Cu-Ga濺鍍靶的製造方法中，前述第1 Cu-Ga合金粉末係使其氧濃度設為1000ppm以下較佳。
此時，第1 Cu-Ga合金粉末之氧濃度被抑制於1000ppm以下，故可使第1 Cu-Ga合金粉末熔融而確實地產生液相，可確實地形成含有Cu、Ga、K及F之Cu-Ga-
K-F區域。
又，在本案發明之Cu-Ga濺鍍靶的製造方法中，前述原料粉末中之前述第1 Cu-Ga合金粉末的平均粒徑設為5μm以上50μm以下之範圍內，前述KF原料粉末之平均粒徑設為5μm以上500μm以下之範圍內。
此時，第1 Cu-Ga合金粉末的平均粒徑及KF原料粉末的平均粒徑分別被規定於上述的範圍內，故可從第1 Cu-Ga合金粉末生成之液相與KF原料粉末確實地反應，可形成含有Cu、Ga、K及F之Cu-Ga-K-F區域。
進而，在本案發明之Cu-Ga濺鍍靶的製造方法中，較佳係在前述燒結步驟中從前述第1 Cu-Ga合金粉末產生液相之溫度保持15分鐘以上。
此時，可確保從第1 Cu-Ga合金粉末所生成之液相與KF原料粉末接觸而反應之時間，可確實地形成含有Cu、Ga、K及F之Cu-Ga-K-F區域。
如以上，若依本案發明，可提供一種含有比較多之鹼金屬化合物，使均一組成的Cu-Ga膜安定地成膜之Cu-Ga濺鍍靶、及此Cu-Ga濺鍍靶之製造方法。
S01‧‧‧Cu-Ga合金粉末製作步驟
S02‧‧‧混合粉碎步驟
S03‧‧‧燒結步驟
S04‧‧‧加工步驟
圖1係表示本案發明之一實施形態的Cu-Ga濺鍍靶之
製造方法的流程圖。
圖2係在本案發明之實施例中所觀察的Cu-Ga濺鍍靶之Cu、Ga、K、F之元素測繪圖的一例。
以下，參照所附屬之圖面而說明有關本案發明之實施形態的Cu-Ga濺鍍靶、及Cu-Ga濺鍍靶的製造方法。
本實施形態的Cu-Ga濺鍍靶係例如在CIGS系薄膜太陽能電池形成由Cu-In-Ga-Se四元系合金薄膜所構成之光吸收層，故可於使Cu-Ga薄膜藉濺鍍成膜時使用。
本實施形態的Cu-Ga濺鍍靶係於Cu-Ga合金中添加KF(氟化鉀)者，除了氟以外之金屬成分為含有Ga：5原子%以上60原子%以下，K：0.01原子%以上5原子%以下，其餘部分具有由Cu及不可避免的雜質所構成之組成，
此處，作為鹼金屬之K係含於藉由Cu-Ga濺鍍靶所成膜之Cu-Ga薄膜中，具有提昇CIGS系薄膜太陽能電池之轉換效率的作用之元素。在本實施形態中係含有比較多之K為0.01原子%以上5原子%以下。
繼而，此Cu-Ga濺鍍靶係具有Cu-Ga母相、含有Cu、Ga、K及F之Cu-Ga-K-F區域、及KF單體相。
Cu-Ga-K-F區域係藉由KF與Cu及Ga反應所形成
者。在本實施形態中Cu-Ga-K-F區域係以K與Cu及Ga之一者或兩者與F之化合物相存在，分散於Cu-Ga母相的結晶粒界。
在本實施形態之Cu-Ga濺鍍靶的任意切割面所得之波長分離型X線檢測器的原子測繪圖中，較佳之Cu-Ga-K-F區域的面積比率為5%至80%。更佳之Cu-Ga-K-F區域的面積比率為10%至50%。再更佳之Cu-Ga-K-F區域的面積比率為20%至30%。此處，Cu-Ga-K-F區域的面積比率意指Cu-Ga-K-F區域對觀察區域的全域占有之面積比例。
又，在本實施形態之Cu-Ga濺鍍靶中，KF單體相對存在於濺鍍靶中之全KF量的存在比率X設為0%<X≦70%之範圍。
含有比較多作為鹼金屬之K時，為抑制異常放電之發生，將KF單體相之存在比率限制於70%以下。
其次，參照圖1之流程圖而說明有關本實施形態之Cu-Ga濺鍍靶的製造方法。
本實施形態之Cu-Ga濺鍍靶之製造方法，如圖1所示，具備：製作後述之第1 Cu-Ga合金粉末及第2 Cu-Ga合金粉末之Cu-Ga合金製作步驟S01；將第1 Cu-Ga合金粉末、第2 Cu-Ga合金粉末、KF原料粉末、Cu粉末混合粉碎而得到原料粉末之混合粉碎步驟S02；加熱原料粉末而燒結之燒結步驟S03；加工所得到之燒結體之加工步驟S04。
原料粉末係將KF原料粉末、燒結步驟中之燒
結溫度(本實施形態中係250℃以上300℃以下)中產生液相成分之第1 Cu-Ga合金粉末、在上述燒結步驟中不產生液相成分之第2 Cu-Ga合金粉末及Cu粉末之中的至少一者或兩者經混合的混合粉末。
KF原料粉末係純度設為99.9質量%以上，平均粒徑設為5μm以上500μm以下之範圍內。
第1 Cu-Ga合金粉末係Ga之含量設為43原子%以上66原子%以下，其餘部分具有由Cu及不可避免的雜質所構成之組成的原子化粉，平均粒徑設為5μm以上50μm以下之範圍內。
又，在此第1 Cu-Ga合金粉末中，其氧濃度就質量比設為1000ppm以下，較佳係設為200ppm以下。
第2 Cu-Ga合金粉末係Ga之含量設為超過0原子%未滿43原子%，其餘部分具有由Cu及不可避免的雜質所構成之組成的原子化粉，平均粒徑設為5μm以上50μm以下之範圍內。
又，Cu粉末係設為純度99.9質量%以上，平均粒徑設為5μm以上50μm以下之範圍內。
上述第1 Cu-Ga合金粉末及第2 Cu-Ga合金粉末係以如下之順序製作。
首先，秤量塊狀之Cu原料及Ga原料以成為特定之組成，放入於碳製之坩鍋而安置於氣體原子化裝置內。進
行真空排氣而以1000℃以上1200℃之溫度條件保持1分鐘以上至30分鐘而使原料熔解後，從孔徑1mm以上3mm以下之噴嘴使熱熔液落下，同時並以噴射氣壓10kgf/cm2以上50kgf/cm2以下之條件噴射Ar氣體，製作氣體原子化粉。冷卻後，藉由以90~500μm之篩分級所得到之氣體原子化粉，得到特定粉徑之第1 Cu-Ga合金粉末及第2 Cu-Ga合金粉末。
此處，製造第1 Cu-Ga合金粉末時，真空排氣時係使真空度設為1Pa以下，藉此，使氧濃度降低至1000ppm以下，更佳係200ppm以下。
又，藉由Cu及Ga之組成比，因噴射溫度高，故恐熱熔液凝固而成為粉末之前到達腔室。其時，將噴射溫度從加熱保持溫度降低100~400℃左右來進行為佳。
然後，秤量上述KF原料粉末、第1 Cu-Ga合金粉末、第2 Cu-Ga合金粉末、Cu粉末以成為特定的組成，使用混合粉碎裝置而混合粉碎，得到原料粉末。此處，使用球磨機作為混合粉碎裝置時，例如對已填充有Ar等惰性氣體之10升鍋中，投入 5mm之氧化鋯製球體5kg、原料粉末(KF原料粉末、第1 Cu-Ga合金粉末、第2 Cu-Ga合金粉末、Cu粉末)合計3kg，以85rpm運轉時間16小時為佳。使用漢歇爾研磨機作為混合粉碎裝置時，例如在Ar等惰性氣體環境下以旋轉數2800rpm、運轉時間5
分鐘為佳。又，以V型混合機或搖滾混合機等之混合作為主體之混合粉碎裝置，恐KF原料粉末之粉碎不充分，故不佳。
其次，將如上述方式所得之原料粉末(混合粉)在真空或惰性氣體環境中或還原環境中進行燒結。在燒結步驟中之燒結溫度較佳係依照製造之Cu-Ga合金的融點Tm而設定，具體上，較佳係設為(Tm-70)℃以上(Tm-20)℃以下之範圍內。又，在燒結時之溫度分布中，較佳係第1 Cu-Ga合金粉末熔融而生成液相之溫度(第1 Cu-Ga合金粉末的液相溫度)之250℃以上300℃以下的溫度域保持15分鐘以上。
在此燒結步驟S03中，第1 Cu-Ga合金粉末的一部分熔融而產生液相，藉由此液相與KF原料粉末反應，形成含有Cu、Ga、K及F之Cu-Ga-K-F區域。
又，在燒結步驟S03中，就燒結方法而言，可適用常壓燒結、熱壓製、熱間靜水壓壓製。
適用常壓燒結時，就還原氣體而言，使用一氧化碳(CO)或氫、氨裂解氣體等在燒結上為有利，環境中之還原氣體的含量以1體積%以上為佳。
又，適用熱壓製及熱間靜水壓壓製時，因壓力條件對燒結體的密度造成影響，故使壓力條件設為10MPa以上60MPa以下之範圍內為佳。又，加壓係可在昇溫開始前進
行，亦可在到達一定的溫度後進行。
藉由對於燒結步驟S03所得到之燒結體施予切削加工或研削加工，以加工成特定形狀之濺鍍靶。
又，KF係溶解於水後，在加工步驟S04中，較佳為適用不使用冷卻液之乾式法。
藉由如以上之步驟，可製造本實施形態之Cu-Ga濺鍍靶。此Cu-Ga濺鍍靶係以In作為焊料，由Cu或SUS(不銹鋼)或其他之金屬(例如Mo)所構成之支撐板進行黏結而使用。
若依據設為如以上之構成的本實施形態之Cu-Ga濺鍍靶，於Cu-Ga合金中添加KF(氟化鉀)，除了氟以外之金屬成分為含有Ga：5原子%以上60原子%以下，K：0.01原子%以上5原子%以下，其餘部分具有由Cu及不可避免的雜質所構成之組成，故可使含有作為鹼金屬之K的Cu-Ga膜成膜。因而，可構成轉換效率優異之高品質的CIGS系薄膜太陽能電池。
繼而，本實施形態之Cu-Ga濺鍍靶中，作為鹼金屬之K的至少一部分，以含有Cu、Ga、K與F之Cu-Ga-K-F區域的形式含有，故可抑制濺鍍時之異常放電，並可使Cu-Ga膜安定地成膜。
本實施形態之Cu-Ga濺鍍靶的製造方法中，係在燒結步驟S03中，使第1 Cu-Ga合金粉末之至少一部
分熔融產生液相，故液相之Cu-Ga合金與KF原料粉末反應，可形成含有Cu、Ga、K及F之Cu-Ga-K-F區域。因而，如上述，可得到使作為鹼金屬之K均一分散的Cu-Ga膜安定地成膜之Cu-Ga濺鍍靶。
又，本實施形態中係第1 Cu-Ga合金粉末之氧濃度抑制於1000ppm以下，較佳係抑制於200ppm以下，故可使第1 Cu-Ga合金粉末之至少一部分確實地熔融而產生液相，可確實地形成含有Cu、Ga、K及F之Cu-Ga-K-F區域。
進而，本實施形態中係在燒結步驟S03之溫度分布中，從第1 Cu-Ga合金粉末產生液相之溫度保持15分鐘以上，故可確保從第1 Cu-Ga合金粉末所產生之液相與KF原料粉末接觸而反應之時間，可確實地形成含有Cu、Ga、K及F之Cu-Ga-K-F區域。
又，在本實施形態中係原料粉末中之第1 Cu-Ga合金粉末的平均粒徑設為5μm以上50μm以下之範圍內，KF原料粉末之平均粒徑設為5μm以上50μm以下之範圍內，故可從第1 Cu-Ga合金粉末生成之液相與KF原料粉末確實地反應，而形成含有Cu、Ga、K及F之Cu-Ga-K-F區域。
以上，說明有關本案發明之實施形態，但本案發明不限定於此，在不超出本發明之技術思想的範圍，可適當變更。
例如，在本實施形態中係就原料粉末而言，混合第1
Cu-Ga合金粉末、KF原料粉末、第2 Cu-Ga合金粉末、Cu粉末而成之混合粉末加以說明，但不限定於此，第2 Cu-Ga合金粉末及Cu粉末只要至少含有任一者即可，依照Cu-Ga濺鍍靶的組成而適當選擇為佳。
以下，說明有關評估本案發明之Cu-Ga濺鍍靶的作用效果之評估試驗結果。
首先，準備成為原料粉末之Cu-Ga合金粉末、Cu粉末、KF原料粉末。此處，在本發明例1-14及比較例5中，在燒結步驟中使用產生液相成分之第1 Cu-Ga合金粉末。將此第1 Cu-Ga合金粉末的製造方法表示於表1中。
將原料粉末之調配設定成如表2所示，依表3所示之製造條件，而製造如表4所示之組成的Cu-Ga濺鍍靶。
進行所得到之Cu-Ga濺鍍靶的組織觀察，同時如以下般評估有關濺鍍時之異常放電。將評估結果表示於表4中。
原子測繪圖係可藉由波長分離型X線檢測器得到。在本實施形態中，係以如下說明之方法使用電子探針微分析儀(EPMA)裝置，得到Cu-Ga濺鍍靶截面之原子測繪
圖。
對於所製作之Cu-Ga濺鍍靶的加工表面進行斷面研磨加工(CP加工)，以電子探針微分析儀(EPMA)裝置(日本電子股份有限公司製JXA-8500F)，得到Cu、Ga、K、F之元素測繪圖。以僅K、F存在之區域作為KF單體相，以檢測出Cu、Ga、K、F之區域作為Cu-Ga-K-F區域。Cu、Ga、K、F之檢測的判斷方法係從使用ZAF修正法所製成的定量測繪圖，Cu之時檢測5質量%以上，Ga之時檢測5質量%以上，K之時檢測5質量%以上，F之時檢測5質量%以上來判斷。又，製作定量測繪圖時，係選擇C、O、F、K、Cu、Ga作為構成元素。元素測繪圖的一例表示於圖2中。對於Cu-Ga-K-F區域的存在位置，如圖2，Cu-Ga-K-F區域存在於CuGa相之粒界，或存在於CuGa相粒內與粒界時，以存在位置作為粒界，只存在於CuGa相的粒內時，以存在位置作為粒內而記載於表4中。
EPMA裝置中之測定條件如以下。
測定倍率：500倍
像素大小：1μm
取樣時間：10msec
電流：50nA
加速電壓：15kV
使用於測繪圖之特性X線：
C：Kα線、O：Kα線、F：Kα線、K：Kα線、
Cu：Kα線、Ga：Lα線
使用於測繪圖製作之軟體：JXA-8500F vol.42
〈K與Cu及Ga之任一者或兩者與F之化合物相的特定〉
就前述Cu-Ga-K-F區域而言，以如下之順序評估K與Cu及Ga之任一者或兩者與F之化合物相是否存在。
對於所製作之Cu-Ga濺鍍靶的加工表面進行橫截面研磨加工(CP加工)，以X線光電子分光(XPS)裝置(Physical Electronics公司製)，測定以Ar進行表面蝕刻1分鐘以上後之K的2p軌道光譜，亦即，280至305eV的光譜。存在上述K之光譜的296至297eV所檢測出的譜峯時為「有」，譜峯不存在時為「無」，而記載於表4中。
在XPS裝置中之測定條件如以下。
線源：Al Kα線、350W
測定範圍： 800μm
脈沖能量：187.85eV
測定間隔：0.8eV/step
對於試料面之光電子取出角：45deg
上述元素測繪圖之中，對於K之測繪圖進行圖像處理，分別算出Cu-Ga-K-F區域及KF單體相之面積，依下
述之式而算出。又，圖像處理軟體係可使用例如WinRoof(三谷商事股份有限公司製)等。
KF單體相之面積/(Cu-Ga-K-F區域之面積+KF單體相之面積)×100
使用所製作之Cu-Ga濺鍍靶而以下述的條件以濺鍍進行成膜。藉由DC磁子濺鍍裝置，使用Ar氣體作為濺鍍氣體，而設為流量50sccm、壓力0.67Pa，投入電力為以2W/cm2成膜於100×100mm之無鹼玻璃基板上1μm。
藉由螢光X線分析(XRF)裝置而將所得到之膜，使基板之中心設為(X=0、Y=0)時之(-20mm、+20mm)、(+20mm、+20mm)、(-20mm、-20mm)、(+20mm、-20mm)、(0mm、0mm)之5處而進行Cu、Ga、K之測定。又，於測定係使用RigaKu公司製之Primus II，對於所得到之K的值，算出從5處的最大值減去最小值之值。
使用所製作之Cu-Ga濺鍍靶而以下述的條件以濺鍍進行成膜。藉由DC磁子濺鍍裝置，使用Ar氣體作為濺鍍氣體，設為流量50sccm、壓力0.67Pa，投入電力為以2W/cm2(低輸出)及5W/cm2(高輸出)之2種類之電力分別進行30分鐘之濺鍍，藉由DC電源裝置所具備之弧光計
數功能，計測異常放電之次數。
又，在本實施例中，使用例如RPG-50(mks公司製)作為電源裝置。
在Cu-Ga-K-F區域不存在之比較例1-5中，異常放電次數多，無法安定地進行濺鍍。尤其，KF原料粉末之粒徑大且K成分高之比較例4、5中，高電力濺鍍時濺鍍裝置停止。又，在比較例1、4、5中，成膜之Cu-Ga膜中的K成分之均一性差。
相對於此，Cu-Ga-K-F區域存在之本發明例1-13中，係異常放電次數少，可安定地進行濺鍍。又，可確認出成膜之Cu-Ga膜中的K成分之均一性提高。
可以高的生產效率生產能量轉換效率高的CIGS系太陽能電池。
Claims (10)
- 一種Cu-Ga濺鍍靶，其係除了氟以外之金屬成分為含有Ga：5原子%以上60原子%以下，K：0.01原子%以上5原子%以下，其餘部分具有由Cu及不可避免的雜質所構成之組成，在以波長分離型X線檢測器所得之原子測繪圖中，存在含有5質量%以上之Cu、5質量%以上之Ga、5質量%以上之K及5質量%以上之F之區域。
- 如申請專利範圍第1項之Cu-Ga濺鍍靶，其中前述含有Cu、Ga、K及F之區域係以K與Cu及Ga之一者或兩者與F之化合物相存在。
- 如申請專利範圍第1或2項之Cu-Ga濺鍍靶，其中含有前述Cu、Ga、K及F之區域係分散於Cu-Ga母相的結晶粒界。
- 如申請專利範圍第1或2項之Cu-Ga濺鍍靶，其中於Cu-Ga母相中存在KF單體相，前述KF單體相對存在於濺鍍靶中之全KF量的存在比率X為0%<X≦70%。
- 如申請專利範圍第3項之Cu-Ga濺鍍靶，其中於Cu-Ga母相中存在KF單體相，前述KF單體相對存在於濺鍍靶中之全KF量的存在比率X為0%<X≦70%。
- 一種Cu-Ga濺鍍靶的製造方法，其係製造如申請專利範圍第1至5項中任一項之Cu-Ga濺鍍靶，其特徵在於：具有加熱原料粉末而進行燒結之燒結步驟； 前述原料粉末係在前述燒結步驟中液相成分產生之第1 Cu-Ga合金粉末、KF原料粉末、在前述燒結步驟中不產生液相成分之第2 Cu-Ga合金粉末及Cu粉末之中的至少一者或兩者以如下方式混合而成之混合粉末，即除了氟以外之金屬成分為以含有Ga：5原子%以上60原子%以下，K：0.01原子%以上5原子%以下，其餘部分為由Cu及不可避免的雜質所構成之組成的方式；在前述燒結步驟中，藉由使前述原料粉末的一部分液相燒結，形成含有Cu、Ga、K及F之Cu-Ga-K-F區域。
- 如申請專利範圍第6項之Cu-Ga濺鍍靶的製造方法，其中前述第1 Cu-Ga合金粉末係其氧濃度為1000ppm以下。
- 如申請專利範圍第6或7項之Cu-Ga濺鍍靶的製造方法，其中前述原料粉末中之前述第1 Cu-Ga合金粉末的平均粒徑設為5μm以上50μm以下之範圍內，前述KF原料粉末之平均粒徑設為5μm以上500μm以下之範圍內。
- 如申請專利範圍第6或7項之Cu-Ga濺鍍靶的製造方法，其中在前述燒結步驟中係在從前述第1 Cu-Ga合金粉末產生液相之溫度保持15分鐘以上。
- 如申請專利範圍第8項之Cu-Ga濺鍍靶的製造方法，其中在前述燒結步驟中係在從前述第1 Cu-Ga合金粉末產生液相之溫度保持15分鐘以上。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014174539 | 2014-08-28 | ||
| JP2014-174539 | 2014-08-28 | ||
| JP2015167676A JP5973041B2 (ja) | 2014-08-28 | 2015-08-27 | Ｃｕ−Ｇａスパッタリングターゲット及びＣｕ−Ｇａスパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2015-167676 | 2015-08-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201621056A TW201621056A (zh) | 2016-06-16 |
| TWI653348B true TWI653348B (zh) | 2019-03-11 |
Family
ID=55399856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW104128400A TWI653348B (zh) | 2014-08-28 | 2015-08-28 | Ｃｕ－Ｇａ濺鍍靶及Ｃｕ－Ｇａ濺鍍靶之製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20170236695A1 (zh) |
| EP (1) | EP3187619B1 (zh) |
| JP (1) | JP5973041B2 (zh) |
| CN (1) | CN106574360A (zh) |
| TW (1) | TWI653348B (zh) |
| WO (1) | WO2016031974A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6634750B2 (ja) * | 2014-09-22 | 2020-01-22 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP6794850B2 (ja) * | 2016-02-08 | 2020-12-02 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2018024933A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-15 | 三菱マテリアル株式会社 | Ｃｕ−Ｇａスパッタリングターゲット及びＣｕ−Ｇａスパッタリングターゲットの製造方法 |
| WO2018021105A1 (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 三菱マテリアル株式会社 | Ｃｕ－Ｇａスパッタリングターゲット及びＣｕ－Ｇａスパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP6531816B1 (ja) | 2017-12-22 | 2019-06-19 | 三菱マテリアル株式会社 | Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット、及び、Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
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| CN102712996A (zh) | 2010-01-07 | 2012-10-03 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 溅射靶、化合物半导体薄膜、具有化合物半导体薄膜的太阳能电池以及化合物半导体薄膜的制造方法 |
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| DE4442824C1 (de) * | 1994-12-01 | 1996-01-25 | Siemens Ag | Solarzelle mit Chalkopyrit-Absorberschicht |
| JP2922466B2 (ja) * | 1996-08-29 | 1999-07-26 | 時夫 中田 | 薄膜太陽電池 |
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2015
- 2015-08-27 JP JP2015167676A patent/JP5973041B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-08-28 CN CN201580039989.XA patent/CN106574360A/zh active Pending
- 2015-08-28 WO PCT/JP2015/074465 patent/WO2016031974A1/ja active Application Filing
- 2015-08-28 US US15/504,575 patent/US20170236695A1/en not_active Abandoned
- 2015-08-28 TW TW104128400A patent/TWI653348B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-08-28 EP EP15834975.3A patent/EP3187619B1/en not_active Not-in-force
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| CN102712996A (zh) | 2010-01-07 | 2012-10-03 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 溅射靶、化合物半导体薄膜、具有化合物半导体薄膜的太阳能电池以及化合物半导体薄膜的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3187619B1 (en) | 2019-08-14 |
| EP3187619A4 (en) | 2018-04-25 |
| TW201621056A (zh) | 2016-06-16 |
| US20170236695A1 (en) | 2017-08-17 |
| JP5973041B2 (ja) | 2016-08-17 |
| EP3187619A1 (en) | 2017-07-05 |
| WO2016031974A1 (ja) | 2016-03-03 |
| JP2016050363A (ja) | 2016-04-11 |
| CN106574360A (zh) | 2017-04-19 |
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|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |