TWI645208B - Inspection device and configuration method of magnetic optical crystal - Google Patents

Inspection device and configuration method of magnetic optical crystal Download PDF

Info

Publication number
TWI645208B
TWI645208B TW104118179A TW104118179A TWI645208B TW I645208 B TWI645208 B TW I645208B TW 104118179 A TW104118179 A TW 104118179A TW 104118179 A TW104118179 A TW 104118179A TW I645208 B TWI645208 B TW I645208B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
crystal
holder
optical axis
flexible member
Prior art date
Application number
TW104118179A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201602608A (zh
Inventor
中村共則
Original Assignee
日商濱松赫德尼古斯股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 filed Critical 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司
Publication of TW201602608A publication Critical patent/TW201602608A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI645208B publication Critical patent/TWI645208B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302—Contactless testing
    • G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
    • G01R31/311—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation of integrated circuits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/72—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating magnetic variables
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302—Contactless testing
    • G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/032—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/0023—Electronic aspects, e.g. circuits for stimulation, evaluation, control; Treating the measured signals; calibration
    • G01R33/0029—Treating the measured signals, e.g. removing offset or noise
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/0023—Electronic aspects, e.g. circuits for stimulation, evaluation, control; Treating the measured signals; calibration
    • G01R33/0041—Electronic aspects, e.g. circuits for stimulation, evaluation, control; Treating the measured signals; calibration using feed-back or modulation techniques
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/032—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect
    • G01R33/0322—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect using the Faraday or Voigt effect
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/032—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect
    • G01R33/0325—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect using the Kerr effect

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本發明之一態樣之檢查裝置包含：光源，其輸出光；MO結晶，其與半導體元件D對向地配置；物鏡，其將自光源輸出之光彙聚於MO結晶；保持器，其保持MO結晶；可撓性構件，其介置於MO結晶與保持器之間；及物鏡驅動部，其藉由使保持器沿物鏡之光軸方向移動，而使MO結晶抵接於半導體元件D；當MO結晶抵接於半導體元件D時，可藉由可撓性構件之撓曲，而使MO結晶中之光之入射面於該入射面相對於與物鏡之光軸正交之面的傾斜角度為物鏡之孔徑角以下的範圍內，相對於與光軸正交之面傾斜。

Description

檢查裝置及磁性光學結晶之配置方法
本發明之一態樣係關於一種利用光探測技術之檢查裝置及磁性光學結晶之配置方法。
作為檢查積體電路等測量對象物之技術，存在光探測技術，該光探測技術係將自光源出射之光照射至測量對象物，並藉由光感測器檢測出來自測量對象物之測量光(反射光)而獲得檢測信號。於此種光探測技術中，已知有如下方法：將磁性光學(MO：Magneto-Optical)結晶(例如參照專利文獻1及2)與測量對象物之光照射面對向地配置，而檢測出與MO結晶之磁光效應相對應之反射光，藉此獲得檢測信號。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2005-241489號公報
[非專利文獻]
非專利文獻1：「利用脈衝雷射之磁場波形測定」J. Magn. SOC. Jpn., 35, 273 - 276 (2011)
於上述利用MO結晶之方法中，如圖13所示般，將MO結晶固定於聚光用途中使用之透鏡(例如物鏡)之透鏡面。繼而，使該透鏡靠近 測量對象物之光照射面，而測量於測量對象物產生之磁場。然而，存在於測量對象物傾斜時無法使測量對象物與MO結晶之距離充分靠近之情形。於此情形時，有因檢測感度變差等而導致檢測信號之檢測精度降低之虞。因此，本發明之一態樣之目的在於提供一種檢測信號之檢測精度得以提高之檢查裝置及磁性光學結晶之配置方法。
本發明之一態樣之檢查裝置係使用磁光探測而檢查測量對象物之裝置，其包含：光源，其輸出光；磁性光學結晶，其與測量對象物對向地配置；透鏡部，其將來自光源之光彙聚於磁性光學結晶；保持器部，其保持磁性光學結晶；可撓性構件，其介置於磁性光學結晶與保持器部之間；及驅動部，其藉由使保持器部沿透鏡部之光軸方向移動，而使磁性光學結晶抵接於測量對象物；於磁性光學結晶抵接於測量對象物時，可藉由可撓性構件之撓曲，而使磁性光學結晶中之光之入射面可於該入射面相對於與光軸正交之面的傾斜角度為透鏡部之孔徑角以下之範圍內，相對於與光軸正交之面傾斜。
又，本發明之一態樣之磁性光學結晶之配置方法係於使用磁光探測而檢查測量對象物之方法中，將經由可撓性構件而保持於保持器之磁性光學結晶與測量對象物對向地配置之方法，其係將磁性光學結晶配置於物鏡之光軸上，藉由使保持器沿物鏡之光軸方向移動，而使磁性光學結晶抵接於測量對象物，並且於磁性光學結晶抵接於測量對象物時，藉由可撓性構件之撓曲，而使磁性光學結晶中之光之入射面於該入射面相對於與光軸之正交之面的傾斜角度為物鏡之孔徑角以下之範圍內傾斜。
於該檢查裝置及磁性光學結晶之配置方法中，於磁性光學結晶抵接於測量對象物時，可藉由可撓性構件之撓曲，而使磁性光學結晶之光之入射面相對於與光軸正交之面傾斜。此處，於測量對象物相對 於與光軸正交之面傾斜之情形時，於藉由沿光軸方向移動之驅動部而移動之磁性光學結晶中，其一部分先於其他部分被按壓於測量對象物。於該狀態下，藉由驅動部進一步沿同一方向之移動等，而使可撓性構件撓曲，且磁性光學結晶之其他部分亦一面仿照傾斜之測量對象物一面被按壓於測量對象物。即，利用可撓性構件之撓曲，可使磁性光學結晶之光之入射面成為與測量對象物之傾斜相對應之(沿著傾斜之)角度。藉此，可使測量對象物與磁性光學結晶成為接觸之狀態(或接近之狀態)，利用磁性光學結晶，可適當測量於測量對象物產生之磁場特性。又，由於將磁性光學結晶之入射面之傾斜設為透鏡部之孔徑角以下，故而可於透鏡部中確實地檢測磁性光學結晶。根據以上情況，可於測量對象物傾斜之情形時，提高檢測信號之檢測精度。
於本發明之一態樣之檢查裝置中，亦可為，可撓性構件於光軸方向上介置於保持器部與磁性光學結晶之間。藉由可撓性構件於光軸方向、即保持器部(及保持器部所保持之磁性光學結晶)移動之方向上介置於保持器部與磁性光學結晶之間，於磁性光學結晶抵接於測量對象物時，可使可撓性構件與由該抵接產生之力相對應地適當撓曲。
於本發明之一態樣之檢查裝置中，亦可為，於保持器部形成有使來自光源之光透過之開口部，並且自光軸方向觀察時，磁性光學結晶存在於開口部之區域內。藉此，於沿光軸方向移動之磁性光學結晶抵接於測量對象物時，可藉由可撓性構件之撓曲，而使磁性光學結晶於開口部內移動，更確切而言，可將磁性光學結晶壓抵於測量對象物。
於本發明之一態樣之檢查裝置中，亦可為，於可撓性構件，在開口部與磁性光學結晶之間形成有使光透過之開口部。藉由形成有該開口部，可撓性構件變得更易於撓曲。又，由於可自該開口部視認磁性光學結晶，故而可使磁性光學結晶容易地抵接於測量對象物。
於本發明之一態樣之檢查裝置中，亦可為，保持器部安裝於透鏡部，並且驅動部藉由使透鏡部沿光軸方向移動，而使保持器部沿上述透鏡部之光軸方向移動，從而使磁性光學結晶抵接於測量對象物。藉此，可同時進行物鏡之移動與保持器部之移動。又，保持器部亦可包含：第1保持部，其直接保持磁性光學結晶；及第2保持部，其經由可撓性構件而保持第1保持部。藉由將保持器部設為包含第1保持部及第2保持部之2個保持部之構成，可根據測量對象物之形狀或檢查區域而靈活地使磁性光學結晶抵接於測量對象物。又，亦可靈活地決定可撓性構件之位置等。進而，由於可設為可撓性構件與磁性光學結晶不直接接觸之構成，故而可避免因可撓性構件而難以視認出磁性光學結晶之情況。
於本發明之一態樣之檢查裝置中，亦可為，自光源輸出之光為非同調之光。藉此，可減少磁性光學結晶內、以及磁性光學結晶與測量對象物間因光之干涉引起之雜訊。又，自光源輸出之光亦可為1064nm以上之光。於測量對象物為半導體元件之情形時，可進行測量對象物之觀察。
又，於本發明之一態樣之檢查裝置中，亦可為，磁性光學結晶反射光之一部分，並使一部分透過。藉由拍攝透過磁性光學結晶並由測量對象物反射之光，可一面視認測量對象物中之測量位置，一面使磁性光學結晶抵接於測量對象物。
於本發明之一態樣之檢查裝置中，亦可為，可撓性構件具有彈性。藉此，可使可撓性構件適當地撓曲並且將磁性光學結晶壓抵於測量對象物。
於本發明之一態樣之檢查裝置中，亦可為，可撓性構件包含彈簧、橡膠、海綿、彈性膜中之至少任1者。藉此，可使可撓性構件適當地撓曲，從而可容易地使測量對象物與磁性光學結晶成為接觸之狀 態(或接近之狀態)。
於本發明之一態樣之檢查裝置中，亦可為，可撓性構件使光透過。藉此，即便介隔可撓性構件亦可視認磁性光學結晶，而使磁性光學結晶容易地抵接於測量對象物。
根據本發明之一態樣，可提供一種檢測信號之檢測精度得以提高之檢查裝置。
1‧‧‧檢查裝置
11‧‧‧測試器單元
12‧‧‧頻率解析部
13‧‧‧光源
14‧‧‧光分割光學系統
15‧‧‧光掃描器
16‧‧‧物鏡(透鏡部)
17、17A、17E、17F‧‧‧保持器(保持器部)
17g‧‧‧保持器
17h‧‧‧保持器
17x‧‧‧保持器(第2保持部)
17y‧‧‧保持器(第1保持部)
18、18A、18B‧‧‧MO結晶
18i‧‧‧入射面
19、19E‧‧‧物鏡驅動部(驅動部)
20‧‧‧光感測器
21‧‧‧放大器
22‧‧‧電腦
23‧‧‧顯示裝置
24‧‧‧輸入裝置
25‧‧‧轉接器
26、26A、26B、26D、26F‧‧‧可撓性構件
26g‧‧‧髪細彈簧
26h‧‧‧髪細彈簧
29‧‧‧可撓性構件26之開口部
31‧‧‧保持器驅動部(驅動部)
141、147、148‧‧‧準直器
142‧‧‧快門
143、145‧‧‧PBS
144、146‧‧‧FR
170‧‧‧保持器17之開口部
170A‧‧‧保持器17A之開口部
171‧‧‧保持器之另一端
171A‧‧‧保持器之另一端
172‧‧‧保持器之一端
172A‧‧‧保持器之一端
181‧‧‧結晶成長基板
181a‧‧‧與入射面為相反側之另一面
182‧‧‧磁光效應層
183‧‧‧反射膜
191‧‧‧保持器17g之開口部
192‧‧‧保持器17h之開口部
255‧‧‧PBS
256‧‧‧FR
258‧‧‧準直器
316‧‧‧物鏡
316a‧‧‧透鏡面
D‧‧‧半導體元件
OA‧‧‧光軸
OD‧‧‧光軸方向
圖1係本發明之第1實施形態之檢查裝置之構成圖。
圖2係圖1之檢查裝置中之保持器部之剖視圖。
圖3係用以說明圖1之檢查裝置中之MO結晶之圖。
圖4係用以說明圖1之檢查裝置中之光分割光學系統之圖。
圖5係用以說明圖1之檢查裝置之作用效果之圖。
圖6係本發明之第2實施形態之檢查裝置中之保持器部的剖視圖。
圖7係本發明之第3實施形態之檢查裝置中之保持器部的剖視圖。
圖8係本發明之第4實施形態之檢查裝置中之保持器部的剖視圖。
圖9係變化例之檢查裝置之構成圖。
圖10係模式性地表示變化例之檢查裝置之保持器部之圖。
圖11係用以說明變化例之檢查裝置之光分割光學系統之圖。
圖12(a)、(b)係用以說明變化例之檢查裝置之可撓性構件之圖。
圖13係用以說明比較例之習知的檢查裝置之圖。
以下，參照圖式，對本發明之實施形態進行詳細說明。再者， 於各圖中，對相同或者等同部分標註相同符號，並省略重複說明。
[第1實施形態]
如圖1所示，第1實施形態之檢查裝置1係用以檢查半導體元件D之裝置，例如係於作為測量對象物且為被檢查元件(DUT：Device Under Test)之半導體元件D中指定出異常產生部位等。作為半導體元件D，存在電晶體等具有PN接面之積體電路(例如小規模積體電路(SSI：Small Scale Integration)、中規模積體電路(MSI：Medium Scale Integration)、大規模積體電路(LSI：Large Scale Integration)、超大規模積體電路(VLSI：Very Large Scale Integration)、特大規模積體電路(ULSI：Ultra Large Scale Integration)、千兆規模積體電路(GSI：Giga Scale Integration))、大電流用/高壓用MOS(metal oxide semiconductor，金屬氧化物半導體)電晶體及雙極電晶體等。又，測量對象物不僅為半導體元件D，例如亦可為如形成於玻璃面上之非晶電晶體、多晶矽電晶體、有機電晶體等薄膜電晶體(TFT：Thin Film Transistor)、或包含半導體元件之組件，進而亦可為複合基板。
於半導體元件D，經由元件控制電纜而電性連接有測試器單元11。測試器單元11係藉由電源(未圖示)而動作，對半導體元件D反覆施加特定之調變電流信號(測試信號)。於半導體元件D中，伴隨著該調變電流信號產生調變磁場。藉由下述光感測器20檢測與調變磁場相對應之光信號，可進行檢測特定頻率之測量光之鎖相檢測。再者，測試器單元11可未必為施加調變電流信號，亦可為施加產生與檢測頻率相對應之脈衝光之CW(continuous wave，連續波)電流信號者。藉由進行鎖相檢測，可提高S/N(signal/noise，信噪比)。測試器單元11藉由時序信號電纜而電性連接於頻率解析部12。
檢查裝置1具有光源13。光源13藉由電源(未圖示)而動作，產生照射至下述MO結晶18(磁性光學結晶)及半導體元件D之 CW(continuous wave)光或脈衝光並予以輸出。自光源13輸出之光可為非同調之光，亦可為如雷射光之同調之光。作為輸出非同調之光之光源13，可使用SLD(Super Luminescent Diode，超級發光二極體)或ASE(Amplified Spontaneous Emission，放大自發放射)光源、LED(Light Emitting Diode，發光二極體)等。又，作為輸出同調之光之光源13，可使用固體雷射光源或半導體雷射光源等。又，自光源13輸出之光之波長為530nm以上，亦可為1064nm以上。自光源13輸出之光經由偏振保存單模光耦合器(未圖示)、及探測光用之偏振保存單模光纖而被傳導至光分割光學系統14。繼而，自光源13被傳導至光分割光學系統14之光進一步被傳導至光掃描器15。光源13、光分割光學系統14、及光掃描器15光學地結合。以下對光分割光學系統14之詳細情況進行敍述。
光掃描器15包含例如檢流計鏡或MEMS(micro electro mechanical system，微機電系統)鏡等光掃描元件，對下述MO結晶18之入射面18i上之選擇區域(由使用者選擇之點或區域)照射(掃描)光。所謂MO結晶18中之選擇區域，係由被電腦22控制之光掃描器15二維地掃描的被選擇之區域、或被選擇之點。
物鏡16(透鏡部)將由光分割光學系統14及光掃描器15傳導之光彙聚於MO結晶18。光分割光學系統14、光掃描器15、物鏡16、及MO結晶18相互光學地結合。物鏡16構成為可藉由轉塔(未圖示)等切換低倍率物鏡(例如5倍)與高倍率物鏡(例如50倍)。於可安裝於物鏡16之轉接器25(參照圖2)，連結有保持器17(保持器部)，該保持器17保持MO結晶18。亦一面參照圖2一面對保持器17之構件之詳細情況進行說明。再者，於圖1中，省略圖2所示之構成及各構成間之連結狀況之一部分而記載。
如圖2所示，以覆蓋物鏡16之外周之方式，設置有以光軸OA為直 徑之中心之中空圓筒狀之轉接器25。進而，以覆蓋轉接器25之外周之方式設置有保持器17。保持器17係以光軸方向OD上之一端172之內表面與轉接器25之外表面接觸之狀態固定於轉接器25。保持器17係以光軸OA為直徑之中心之大致圓錐梯形狀，其直徑隨著自光軸方向OD上之一端172朝向另一端171而變小。於保持器17形成有與另一端171中之直徑相對應之開口部170。開口部170係形成於光軸OA上，而使來自光源13之光透過。再者，作為保持器17，可使用例如鋁或不鏽鋼、工程塑膠等構件。
與物鏡16一體化之保持器17藉由物鏡驅動部19(驅動部)而與物鏡16一併沿光軸方向OD移動。物鏡驅動部19安裝於物鏡16，以使MO結晶18抵接於半導體元件D之方式使保持器17沿物鏡16之光軸方向移動。藉由物鏡16沿光軸方向OD移動，可調整物鏡16之焦點位置。又，藉由保持器17沿光軸方向OD移動，可縮短保持器17與半導體元件D之距離，從而使保持器17所保持之MO結晶18壓抵(抵接)於半導體元件D。再者，物鏡驅動部19亦可具有使保持器17及物鏡16分別獨立地移動之機構。即，亦可與使物鏡16及保持器17一體地移動之機構分離，而具有使其等分別獨立地移動之機構(例如滑動機構)。當MO結晶18與半導體元件D接觸後，為了對焦等而必須使物鏡16沿光軸方向OD移動。然而，若於接觸後使物鏡16及保持器17一體地沿光軸方向OD移動，則有對MO結晶18及半導體元件D施加過度之力之虞。於此方面，當MO結晶18與半導體元件D接觸後，藉由將物鏡16之移動與保持器17之移動分離，可使物鏡16相對於MO結晶18相對地移動。
於保持器17之另一端171設置有環狀之可撓性構件26。作為可撓性構件26，其外徑與保持器17之另一端171之外徑大致一致，且沿著保持器17之另一端171之形狀設置。可撓性構件26於光軸方向OD上介置於MO結晶18與保持器17之間，且固定於MO結晶18及保持器17兩 者。可撓性構件26之內徑小於保持器17之另一端171之內徑。藉此，於可撓性構件26，在開口部170與MO結晶18之間形成有開口部29，該開口部29係使光透過之開口部，且區域小於開口部170。由於開口部29之區域小於開口部170之區域，故而若自光軸方向OD觀察，則可撓性構件26與開口部170之區域之一部分重疊。可撓性構件26係包含例如橡膠或彈簧等之彈性構件。又，可撓性構件26只要為形狀變形之構件即可，亦可未必為彈性構件。
於可撓性構件26固定有MO結晶18。若自光軸方向OD觀察則MO結晶18存在於開口部170之區域內。即，MO結晶18位於小於開口部170之區域且為於光軸方向OD上與開口部170重疊之區域。因此，MO結晶18固定於可撓性構件26中之自保持器17向開口部170側突出之部分(自光軸方向OD觀察與開口部170重疊之部分)。MO結晶18與半導體元件D中之光之照射面對向地配置，其中心位於光軸OA上。
此處，當MO結晶18抵接於半導體元件D時，存在例如將半導體元件D設為相對於與光軸OA正交之面傾斜之狀態的情形。於此情形時，若設為MO結晶18之入射面不相對於與光軸OA正交之面傾斜(或者可無視之程度之傾斜)之狀態，則MO結晶係其一部分較其他部分先抵接於半導體元件D。於此狀態下，若物鏡驅動部19進一步向同一方向移動，則可撓性構件26(尤其是與先抵接之部分接近之可撓性構件26)會撓曲(因彎曲、形變、或伸長而變形)，MO結晶18之其他部分亦以仿照半導體元件D之傾斜之方式被按壓於半導體元件D。即，藉由可撓性構件26之撓曲(即，藉由可撓性構件26之可撓性地變形)，可使MO結晶18之入射面18i相對於與光軸OA正交之面傾斜。再者，可撓性構件26係以如下方式選擇厚度及硬度：即便在藉由撓曲而使MO結晶18之入射面傾斜之情形時，MO結晶18之入射面相對於與光軸OA正交之面之傾斜角度亦為物鏡16之孔徑角以下。
再者，物鏡16之孔徑角θ係被定義為物鏡16相對於光軸之最大角度，孔徑角θ由以下之(1)式表示。
NA係物鏡16之數值孔徑，n係物鏡16之周圍之介質之折射率。例如，於物鏡16之數值孔徑NA為0.14且物鏡16之周圍為空氣(即，折射率n=1)時，物鏡16之孔徑角成為θ=±8.05°左右。
MO結晶18藉由磁光效應，使自入射面18i輸入之光之偏振狀態根據於半導體元件D產生之磁場而變化。藉此，可於例如於半導體元件D產生漏電流等故障時，將因該故障導致之與通常不同之磁場之變化以光之偏振狀態的形式輸出。該光之偏振狀態可藉由下述光感測器20以光之強度之形式獲得。亦一面參照圖3一面對MO結晶18之詳細情況進行說明。
如圖3所示，於MO結晶18中，在構成光之入射面18i之結晶成長基板181中之與入射面18i為相反側的另一面181a，成膜為產生磁光效應之材料(例如磁性石榴石)之薄膜(例如1μm左右)，從而形成磁光效應層182。於磁光效應層182中之與結晶成長基板181為相反側之面，為了高效率地吸收於半導體元件D產生之磁性，而成膜為金等金屬膜。該金屬膜係亦負責反射自入射面18i入射之光之任務的反射膜183。再者，亦可對結晶成長基板181中之光之入射面18i進行抗反射加工。藉此，可減少因入射面18i中之反射光與反射膜183中之反射光之干涉引起之干涉雜訊。再者，反射膜183亦可為例如以特定之比率使1064nm以上之波長之光透過且反射之材料。於此情形時，若將例 如1300nm之光照射至MO結晶18，則一部分之光於透過反射膜183後，由半導體元件D反射而被檢測出。又，例如，反射膜183亦可為反射用以觀察磁場之變化之波長且使用以觀察半導體元件D之波長透過之材料。於此情形時，例如透過MO結晶18之波長之光由半導體元件D反射而被檢測出，由MO結晶18反射之波長之光由MO結晶18反射而被檢測出。藉此，即便於在半導體元件D上存在MO結晶18之狀態下，亦可藉由拍攝透過MO結晶且由半導體元件D反射之光，而一面視認半導體元件D中之測量位置，一面將MO結晶18載置(抵接)於半導體元件D。
返回至圖1，將自光源13輸出之光照射至MO結晶18，於MO結晶18中反射之反射光經由鏡16及光掃描器15而返回至光分割光學系統14，並經由返回光用之光纖而被傳導至與光分割光學系統14光學地結合之光感測器20。光感測器20例如為光電二極體、雪崩光電二極體、光電倍增管、或區域影像感測器等，接收自MO結晶18之反射光，並輸出檢測信號。光感測器20具有2個檢測器，藉由檢測被輸入至該2個檢測器之光之強度之差動，而檢測反射光之強度。
此處，亦一面參照圖4一面對光分割光學系統14進行說明。光分割光學系統14包含準直器141、147、148、快門142、偏向分光鏡(以下記為PBS：Polarization Beam Splitter)143、145、及法拉第旋轉器(以下記為FR：Faraday Rotator)144、146，其等光學地結合。如圖4所示，於將來自光源13之光經由光掃描器15照射至MO結晶18時，首先，將來自光源13之光經由準直器141輸入至快門142。快門142只要為可控制光之接通(ON)/(OFF)者即可。繼而，將自快門142輸出之光輸入至PBS143。PBS143以使偏振成分為0度之光透過且反射90度之光之方式設定。又，PBS143係與來自快門142之光之偏振配合而設定。因此，PBS143使來自快門142之光透過。透過PBS143之偏振成分為0 度之光被輸入至使輸入光之偏振面傾斜(旋轉)45度之FR144，從而其偏振成分成為45度。
透過FR144之光被輸入至PBS145。PBS145以使偏振成分為45度之光透過且反射135度之光之方式設定。因此，透過FR144之光透過PBS145。透過PBS145之光被輸入至使輸入光之偏振面傾斜22.5度之FR146，而作為偏振成分為67.5度之光被輸入至光掃描器15。該光被照射至MO結晶18。
來自MO結晶18之反射光係根據與於半導體元件D產生之磁場(磁場強度)成比例之克爾效應或(及/或)法拉第效應，而使偏振面旋轉。該反射光藉由FR146使偏振面傾斜22.5度，而被輸入至PBS145。該反射光藉由PBS145而被分割成偏振成分為135度之光及45度之光。偏振成分為135度之光由PBS145反射並經由準直器147而被輸入至光感測器20之一光檢測器。自該光可檢測出「返回光(反射光)量之一半+與克爾效應或法拉第效應相對應之光量」之信號。另一方面，偏振成分為45度之光透過PBS145並藉由FR144使偏振面傾斜45度而成為偏振成分為90度之光並被輸入至PBS143。該偏振成分為90度之光由PBS143反射並經由準直器148而被輸入至光感測器20之另一光檢測器。自該光可檢測出「返回光(反射光)量之一半-與克爾效應或法拉第效應相對應之光量」之信號。繼而，藉由檢測光感測器20之2個檢測器之差動，可檢測出與克爾效應或法拉第效應(偏振之旋轉量)相對應之光信號。藉此，可推定於半導體元件D產生之磁場(磁場強度)之變化，例如，可檢測出因故障引起之與通常不同之磁場之變化。
返回至圖1，自光感測器20輸出之檢測信號由放大器21放大而作為放大信號輸入至頻率解析部12。光感測器20、放大器21及頻率解析部12電性結合。頻率解析部12抽取放大信號中之測量頻率成分，而將該抽取之信號作為解析信號輸出。測量頻率係基於例如施加至半導體 元件D之調變電流信號之調變頻率而設定。作為頻率解析部12，使用鎖相放大器或頻譜分析儀、數位轉化器、Cross Domain Analyzer(註冊商標)等。
由頻率解析部12輸出之解析信號被輸入至電腦22。電腦22例如為PC(personal computer，個人電腦)等。於電腦22連接有自使用者輸入測量條件等之鍵盤或滑鼠等輸入裝置24、及用以對使用者顯示測量結果等之顯示器等顯示裝置23。電腦22包含處理器。電腦22藉由處理器，執行控制光源13、光掃描器15、物鏡驅動部19、測試器單元11、光感測器20、及頻率解析部12等之功能、及基於來自頻率解析部12之解析信號製作磁性分佈圖像或磁性頻率圖等之功能。
其次，對檢查裝置1之測量順序進行說明。於該測量順序中，包含將經由可撓性構件26保持於保持器17之MO結晶18與半導體元件D對向地配置之順序(方法)。
首先，使用未安裝MO結晶18之物鏡16，確認半導體元件D中之MO結晶18之配置。MO結晶18係以例如避開半導體元件D上之障礙物(尤其是打線接合)之位置之方式配置。
繼而，控制轉塔(未圖示)，將安裝有MO結晶18之物鏡16設置於半導體元件D上，藉此將MO結晶18配置於物鏡16之光軸上。繼而，自光源13照射MO結晶18之反射膜183可使之透過之波長之光，藉由光感測器20檢測出來自半導體元件D之反射光。基於該檢測出之光，製作半導體元件D之照射面之反射圖像。一面確認該反射圖像，一面以使MO結晶18與半導體元件D之照射面之距離逐漸靠近之方式，使物鏡驅動部19沿光軸方向OD移動。藉此，MO結晶18抵接於半導體元件D。於物鏡驅動部19具有滑動機構等，而可使物鏡16及保持器17分別獨立地移動之情形時，當MO結晶18抵接於半導體元件D後，即便物鏡16移動亦可使保持器17(即MO結晶18)不移動。因此，可不自MO結 晶18對半導體元件D施加過度之力，而藉由MO結晶18之自重或另外設置於物鏡16與保持器17間之彈簧等彈性構件之力，將MO結晶18壓抵於半導體元件D。
於MO結晶18與半導體元件D抵接之狀態下，可撓性構件26以使MO結晶18之底面之大致整體仿照半導體元件D之照射面(元件面)而MO結晶之底面及入射面18i相對於物鏡16之與光軸OA正交之面傾斜的方式撓曲(變形)。若該可撓性構件26為彈性構件，則藉由彈性構件之反彈力而使MO結晶18易於仿照半導體元件D。藉此，可將MO結晶18與半導體元件D之間隙設為最小限度，從而可實現解像度之提高及S/N之提高。
於將MO結晶18設置於半導體元件D上之後，自測試器單元11對半導體元件D施加電流信號。於進行鎖相檢測之情形時，將調變電流信號施加至半導體元件D。繼而，將光自光源13經由光掃描器15照射至MO結晶18。該光之波長可與上述將MO結晶18設置於半導體元件D上時之光之波長相同，亦可為於MO結晶18之反射膜183中進一步被反射之波長之光。又，光可為CW光亦可為脈衝光。再者，於使用可透過MO結晶18之反射膜183之波長之光的情形時，有由半導體元件D之照射面(元件面)反射之光與由MO結晶18反射之光相互干涉而成為雜訊之虞。因此，較佳為藉由照射非同調之光，而減少因干涉引起之雜訊。
繼而，藉由光感測器20檢測出自MO結晶18反射之光而輸出檢測信號。此時，藉由具備2個PBS143、145及2個FR144、146之光分割光學系統14、以及光感測器20之2個光檢測器，進行差動檢測。繼而，藉由放大器21將檢測信號放大，而設為放大信號。繼而，藉由頻率解析部12，將放大信號中之測量頻率成分之信號作為解析信號輸出。該測量頻率成分係基於調變電流信號之頻率而設定。再者，於不進行鎖 相檢測之情形時，無須輸出特定頻率成分之信號，而將放大信號直接作為解析信號輸出。
繼而，藉由電腦22控制光掃描器15而變更MO結晶18中的光照射位置，於MO結晶18之入射面18i方向上掃描光之照射。以此方式，一面變更光照射位置，一面反覆檢測來自MO結晶18之反射光，藉此可獲得二維之磁場強度分佈。又，於欲瞭解某一位置處之磁場之頻率特性之情形時，只要將測量頻率於欲瞭解之頻帶內切換，而獲得磁性頻率圖即可。再者，為了獲得更高解像度之磁場強度分佈，只要變更光點徑或掃描範圍，而反覆進行上述處理即可。
其次，對本實施形態之檢查裝置1之作用效果進行說明。
先前，已知有使用光束加熱電阻變動法(OBIRCH(Optical Beam Induced Resistance Change)法)檢測漏電流之產生部位(洩漏通道)之技術，該光束加熱電阻變動法係對測量對象物照射雷射光，檢測因由雷射光產生之溫度引起之電阻值變化。此處，OBIRCH法之特徵在於檢測電阻值變化，但於電流旁路用之電阻(漏電阻)非常小之情形時，因溫度引起之電阻變化亦變小，從而難以檢測。又，於漏電流流動之配線位於其他配線之下之情形時，亦難以藉由OBIRCH法而檢測出。亦存在自發熱圖像檢測洩漏通道之方法，但該方法亦存在因與OBIRCH法同樣之理由而難以檢測之情形。因此，較理想為藉由除OBIRCH法以外之方法獲得洩漏通道之方法。
作為其他方法，存在藉由檢測出利用MO結晶之磁光效應之反射光而獲得檢測信號的方法。於此種方法中，例如圖13所示，使MO結晶18固定於聚光用途中使用之物鏡316之透鏡面316a，並且使該物鏡316靠近測量對象物，藉此測定於測量對象物產生之磁場。然而，存在於測量對象物傾斜時無法使測量對象物與MO結晶18之距離充分靠近之情形。於此情形時，有因檢測感度之變差等而導致檢測信號之檢 測精度降低之虞。
於此方面，於本實施形態之檢查裝置1中，當MO結晶18抵接於半導體元件D時，可藉由可撓性構件26之撓曲，而使MO結晶18之光之入射面18i相對於與光軸OA正交之面傾斜。此處，例如，於半導體元件D相對於與光軸OA正交之面傾斜之情形時，於藉由沿光軸方向OD移動之物鏡驅動部19而移動之MO結晶18中，其一部分先於其他部分被按壓於半導體元件D。於此狀態下，若進一步將MO結晶18按壓於半導體元件D，則可撓性構件26(尤其是與先行按壓於半導體元件D之MO結晶18接近之可撓性構件26)會撓曲(變形)，從而MO結晶18之其他部分亦一面仿照傾斜之半導體元件D一面被按壓於半導體元件D(參照圖5)。即，利用可撓性構件26之撓曲，可將MO結晶18之光之入射面18i設為與半導體元件D之傾斜相對應之(沿著傾斜之)角度。藉此，可將半導體元件D與MO結晶18設為接觸之狀態(或接近之狀態)，從而可利用MO結晶18，適當地測量於半導體元件D產生之磁場特性。又，由於將MO結晶18之入射面18i相對於與物鏡16之光軸OA正交之面的傾斜角度設為物鏡16之孔徑角以下，故而可於物鏡16中確實地檢測由MO結晶18反射之光。根據以上情況，於半導體元件D傾斜之情形等時，藉由將半導體元件D與MO結晶18設為接觸之狀態(或接近之狀態)，可使檢測信號之檢測精度提高。
又，藉由使可撓性構件26於光軸方向OD(即，保持器17及保持器17所保持之MO結晶移動之方向)上介置於保持器17與MO結晶18之間，從而，當沿光軸方向OD移動之MO結晶抵接於半導體元件D時，可使可撓性構件26與由該抵接產生之力相對應地適當撓曲。藉此，可使半導體元件D與MO結晶18更易於接觸。
又，於保持器17形成有使來自光源13之光透過之開口部170，自光軸方向OD觀察時，MO結晶18存在於開口部170之區域內。藉此， 於沿光軸方向移動之MO結晶18抵接於半導體元件D時，可藉由可撓性構件26之撓曲，而使MO結晶18於開口部170內移動。藉由以此方式使MO結晶18於開口部170逸出，可更適當地進行仿照半導體元件D之傾斜之MO結晶18之壓抵。
又，於可撓性構件26，在開口部170與MO結晶18之間形成有使光透過之開口部29。藉由形成有開口部29，例如與在可撓性構件不存在開口之情形相比可更容易撓曲。又，由於可自開口部29視認MO結晶18，故而可使MO結晶18容易地抵接於半導體元件D。
又，亦可為藉由將保持器17安裝於物鏡16，物鏡驅動部19使物鏡16沿光軸方向OD移動，而使保持器17沿物鏡16之光軸方向OD移動，從而使MO結晶18抵接於半導體元件D。藉此，可同時進行物鏡16之移動及保持器17之移動。
又，藉由使自光源13輸出之光為非同調之光，可減少MO結晶18內以及MO結晶18與半導體元件D間因光之干涉引起之雜訊。
又，由於MO結晶18反射光之一部分且使一部分透過，故而可一面視認半導體元件D中之測量位置，一面使MO結晶18抵接於半導體元件D。
又，可撓性構件26包含橡膠或彈簧等彈性構件。藉此，可使可撓性構件26適當撓曲，從而可容易地將半導體元件D與MO結晶18設為接觸之狀態(或接近之狀態)。
[第2實施形態]
其次，參照圖6，對第2實施形態之檢查裝置進行說明。再者，於第2實施形態之說明中，主要對與上述第1實施形態不同之方面進行說明。
如圖6所示，本實施形態與上述第1實施形態不同之方面係如下方面：保持器17A包含直接保持MO結晶18A之保持器17y(第1保持 部)、及經由可撓性構件26A保持保持器17y之保持器17x(第2保持部)之2個保持部。保持器17x具有與第1實施形態之保持器17相同之形狀。即，保持器17x係以光軸方向OD上之一端172A之內表面與轉接器25之外表面接觸之狀態固定於轉接器25，且為直徑隨著自一端172A朝向另一端171A變小之大致圓錐梯形狀。於保持器17A形成有與另一端171A中之直徑相對應之開口部170A。進而，於保持器17x之另一端171A，沿著另一端171A之形狀而設置有環狀之可撓性構件26A。可撓性構件26A之外形及內徑與保持器17A之另一端171A之外徑及內徑大致一致。
於可撓性構件26A固定有保持器17y。保持器17y係環狀，且外徑與可撓性構件26A大致一致。而且，於保持器17y之內周面固定有MO結晶18A。藉此，利用保持器17y，直接保持(支持)MO結晶18A。
如此，藉由將保持器17A設為包含保持器17y及保持器17x之2個保持部之構成，可根據半導體元件D之形狀或檢查區域而靈活地使MO結晶18A抵接於半導體元件D。即，與藉由1個保持器保持MO結晶之情形相比，可進行與半導體元件D相對應之檢查。又，亦可靈活地決定可撓性構件26A之位置等。進而，由於亦可設為可撓性構件26A與MO結晶18A不直接接觸之構成(固定於可撓性構件26之保持器17y保持MO結晶18A之構成)，故而可設為自光軸方向OD觀察可撓性構件26A與MO結晶18A不重疊(或重疊之區域較小)之構成。藉此，於使MO結晶18A抵接於半導體元件D時，可避免因可撓性構件26A而難以視認MO結晶18A之情況。
[第3實施形態]
其次，參照圖7，對第3實施形態之檢查裝置進行說明。再者，於第3實施形態之說明中，主要對與上述第1實施形態不同之方面進行說明。
如圖7所示，本實施形態與上述第1實施形態不同之方面係如下方面：於光軸方向OD上位於與開口部170重疊之區域之MO結晶18B大於保持器17之開口部170之區域，且將固定於保持器17之另一端171之可撓性構件26B設為與上述可撓性構件26相比更厚之構件。具體而言，作為可撓性構件26B，使用相對較厚之高反彈海綿等。
藉由使MO結晶18B大於開口部170之區域，與使用小於開口部170之區域之MO結晶18之情形相比，無需使MO結晶18移動而能擴大可檢查半導體元件D之範圍。然而，於使用大於開口部170之區域之MO結晶18B之情形時，當MO結晶18B抵接於半導體元件D時，無法使MO結晶18B向開口部170側逸出，而有無法適當進行MO結晶18B對半導體元件D之抵接之虞。於此方面，於本實施形態中，由於將可撓性構件26B設為相對較厚之高反彈海綿，故而可使可撓性構件26B之變形量變大。因此，即便在無法使MO結晶18B向開口部170側逸出之情形時，亦可藉由使可撓性構件26B較大地變形，而使MO結晶18B適當地壓抵於半導體元件D。
[第4實施形態]
其次，參照圖8，對第4實施形態之檢查裝置進行說明。再者，於第4實施形態之說明中，主要對與上述第1實施形態不同之方面進行說明。
如圖8所示，本實施形態與上述第1實施形態不同之方面係如下方面：於可撓性構件26D中未形成開口部，且可撓性構件26D為具有透光性之相對較薄之彈性膜。
如此，藉由在可撓性構件26D未形成開口部，使可撓性構件26D安裝於保持器17之作業變得容易。此處，於在可撓性構件26D未設置使光透過之開口部之情形時，有難以視認MO結晶18之問題，但藉由將可撓性構件26D設為具有透光性之較薄之彈性膜，可無障礙地視認 MO結晶18。即，可使MO結晶18容易地抵接於半導體元件D。
以上，對本發明之實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態。
例如，雖對藉由物鏡驅動部19使物鏡16與保持器17一體地移動之情況進行了說明，但並不限定於此，亦可如圖9所示般，與使物鏡16移動之物鏡驅動部19E分開地設置使保持器17E獨立地移動之保持器驅動部31(驅動部)。保持器驅動部31安裝於保持器17，且以使MO結晶18抵接於半導體元件D之方式使保持器17沿物鏡16之光軸方向移動。於此情形時，保持器17E可藉由保持器驅動部31而沿光軸方向OD及與該光軸方向OD正交之面方向移動，而可將保持器17E插入至物鏡16與半導體元件D之間，且可將MO結晶18配置於物鏡16之光軸上。而且，藉由電腦22控制保持器驅動部31，使其沿光軸方向OD移動，藉此可將MO結晶18壓抵於半導體元件D。
又，保持器部之構成並不限於上述實施形態，亦可為如圖10所示般，使物鏡16之鏡筒具有作為保持器17F之功能而將彈性構件26F固定於該保持器17F之構成。於此情形時，將MO結晶18固定於彈性構件26F之下表面。
又，亦可設為如圖11所示之光分割光學系統14x般，自圖4之構成各省略一個PBS及FR之構成。光分割光學系統14x包含準直器141、258、快門142、PBS255、及FR256。於此情形時，首先，將來自光源13之光經由準直器141而輸入至快門142。繼而，將自快門142輸出之光輸入至PBS255。PBS255係以使偏振成分為0度之光透過且反射90度之光之方式設定。透過PBS255之偏振成分為0度之光係使輸入光之偏振面傾斜(旋轉)22.5度而被輸入至FR256，並照射至MO結晶18及半導體元件D。來自MO結晶18之反射光根據與於半導體元件D產生之磁場(磁場強度)成比例之克爾效應或法拉第效應，而使偏振面旋轉。該反 射光藉由FR256使偏振面傾斜22.5度，而由PBS255反射。該反射光經由準直器258而被輸入至光感測器20。以此方式檢測出之檢測信號雖並非如圖4所示之例般差動檢測出者，但藉由使來自光源13之光之S/N比充分高，從而不存在問題。
又，於圖4所示之光分割光學系統14之構成中，亦可於較PBS145更靠光掃描器15之位置設置有λ/4板。於此情形時，透過λ/4板之光成為圓偏振光而使返回光傾斜90度，但由於藉由FR146而往返傾斜45度，故而可與圖4所說明之例同樣地適當地檢測出光信號。同樣地，於圖11所示之光分割光學系統14x之構成中，亦可於較PBS255更靠光掃描器15之位置設置有λ/4板。於此情形時，返回光亦傾斜90度，而被檢測之偏振成分亦傾斜90度，於檢測偏振面之旋轉方面不存在問題。
又，亦可為如圖12(a)所示般，藉由中空圓筒狀(或環狀)之保持器17g、及髪細彈簧26g保持矩形狀之MO結晶18的構成。再者，MO結晶18係使用小於保持器17g之開口部191之區域者。即，將3根髪細彈簧26g各者之一端固定於保持器17g之內周面，且將該3根髪細彈簧之另一端固定於MO結晶18。具體而言，3根髪細彈簧26g係以大致相等間距使其一端固定於保持器17g之內周面。又，3根髪細彈簧26g中之一個係使另一端固定於MO結晶之入射面18i中1邊之中央附近，剩餘2個係使另一端固定於MO結晶18之入射面18i中與上述1邊對向之邊之兩端附近。藉由如此般使MO結晶18之入射面18i被自保持器17g之內周面延伸之3根髪細彈簧26g固定，可使配置MO結晶18於自光軸方向OD觀察時配置於開口部191之區域內。藉此，當MO結晶18抵接於半導體元件D時，可使MO結晶18於開口部191逸出，從而可適當進行仿照半導體元件D之傾斜的MO結晶18之壓抵。又，由於將3根髪細彈簧26g固定於MO結晶18中之對向之邊中一邊之中央附近及另一邊之兩端， 故而於保持器17g支持MO結晶18之狀態下，易於設為MO結晶18之入射面18i大致平行於與光軸OA正交之面(MO結晶18不傾斜之狀態)。藉此，可將MO結晶18適當地壓抵於半導體元件D。再者，於圖12(a)中圖示有3根髪細彈簧26g，但亦可藉由多於3根之根數之髪細彈簧26g保持MO結晶18。
又，亦可為如圖12(b)所示般，藉由中空圓筒狀(或環狀)之保持器17h、及髪細彈簧26h保持矩形狀之MO結晶18的構成。再者，MO結晶18係使用小於保持器17h之開口部192之區域者。即，使4根髪細彈簧26h各者之一端以大致相等間距固定於保持器17h之內周面，且將該4根髪細彈簧26h之另一端固定於矩形狀之MO結晶18之各側邊。4根髪細彈簧26h分別使用相同長度且相同材質者，並以於一端固定於保持器17h之內周面另一端固定於MO結晶18之側邊之狀態下使配置有保持器17h之面與配置有MO結晶18之面大致一致之方式，決定長度及材質。藉由如此般使MO結晶18之各側邊被自保持器17h之內周面延伸之4根髪細彈簧26h固定，可使MO結晶18於自光軸方向OD觀察時配置於開口部192之區域內。藉此，當MO結晶18抵接於半導體元件D時，可使MO結晶18於開口部192逸出，從而可適當地進行仿照半導體元件D之傾斜的MO結晶18之壓抵。又，由於MO結晶18係以與配置有保持器17h之面大致一致之方式配置，故而於保持器17h支持MO結晶18之狀態下，容易設為MO結晶18之入射面18i大致平行於與光軸OA正交之面(MO結晶18不傾斜之狀態)。藉此，可適當地將MO結晶18壓抵於半導體元件D。再者，於圖12(b)中，圖示有4根髪細彈簧26h，但亦可藉由3根或多於4根之根數之髪細彈簧26h保持MO結晶18。
又，關於保持器17係以光軸OS為直徑之中心之大致圓錐梯形狀進行了說明，但保持器部之形狀並不限定於此，例如亦可為直徑不變化之圓筒狀。又，保持器部亦可為自安裝於物鏡之安裝部之寬度方向 兩端沿光軸方向延伸之一對支臂構件。於此情形時，於一對支臂構件各者之前端(與安裝於安裝部之側為相反側之端部)設置可撓性構件，且將MO結晶固定於各可撓性構件，藉此可實現上述MO結晶對半導體元件之抵接及可撓性構件之變形。進而，保持器部亦可為大致圓錐梯形狀或圓筒狀，且為於固定於保持MO結晶之側之端部之圓形的開口部設置有劃分出開口部之連結部之構成。該連結部係設為例如以將開口部劃分為大致扇狀之3個區域之方式，自開口部之中心朝向保持器之內周面呈放射狀地延伸者。而且，亦可設為如下構成：藉由在各連結部交叉之點(即開口部之中心)設置自各連結部沿光軸方向延伸之柱部，進而於該柱部之前端設置可撓性構件，從而將MO結晶固定於該可撓性構件。藉由該構成，亦可實現上述MO結晶對半導體元件之壓抵及可撓性構件之變形。
又，例示了物鏡16作為透鏡部，但並不限定於此，例如亦可為保持複數個透鏡且可對其等進行切換之轉塔。

Claims (13)

  1. 一種檢查裝置，其包含：光源，其輸出光；磁性光學結晶，其與測量對象物對向地配置；透鏡部，其將上述光彙聚於上述磁性光學結晶；保持器部，其保持上述磁性光學結晶；可撓性構件，其介置於上述磁性光學結晶與上述保持器部之間；及驅動部，其藉由使上述保持器部沿上述透鏡部之光軸方向移動，而使上述磁性光學結晶抵接於上述測量對象物；於上述磁性光學結晶抵接於上述測量對象物時，可藉由上述可撓性構件之撓曲，而使上述磁性光學結晶中之上述光之入射面可於上述入射面相對於與上述光軸正交之面之傾斜角度為上述透鏡部之孔徑角以下的範圍內傾斜，上述磁性光學結晶於與上述測量對象物抵接之面具有反射膜，該反射膜將上述光之一部分反射，且使上述光之一部分透過。
  2. 如請求項1之檢查裝置，其中上述可撓性構件於上述光軸方向上介置於上述保持器部與上述磁性光學結晶之間。
  3. 如請求項2之檢查裝置，其於上述保持器部形成有使來自上述光源之上述光透過之開口部，並且自上述光軸方向觀察時，上述磁性光學結晶存在於上述保持器部之開口部之區域內。
  4. 如請求項3之檢查裝置，其於上述可撓性構件上，在上述保持器部之開口部與上述磁性光學結晶之間形成有使上述光透過之開口部。
  5. 如請求項1至4中任一項之檢查裝置，其中上述保持器部安裝於上述透鏡部，並且上述驅動部藉由使上述透鏡部沿上述光軸方向移動，而使上述保持器部沿上述透鏡部之光軸方向移動，從而使上述磁性光學結晶抵接於上述測量對象物。
  6. 如請求項1至4中任一項之檢查裝置，其中上述光為非同調之光。
  7. 如請求項1至4中任一項之檢查裝置，其中上述光之波長為1064nm以上。
  8. 如請求項1至4中任一項之檢查裝置，其中上述可撓性構件具有彈性。
  9. 如請求項1至4中任一項之檢查裝置，其中上述反射膜為將用以觀察磁場變化之波長反射，且使用以觀察上述測量對象物之波長透過之材料。
  10. 如請求項7之檢查裝置，其中上述反射膜為以特定之比率使上述光透過且反射之材料。
  11. 如請求項1至4中任一項之檢查裝置，更含有光掃描器，其對上述磁性光學結晶之入射面之選擇區域掃描光。
  12. 如請求項1至4中任一項之檢查裝置，其進行將調變電流信號施加至上述測量對象物，檢測出特定頻率下的測量光之鎖相檢測。
  13. 一種磁性光學結晶之配置方法，其係將經由可撓性構件而保持於保持器之磁性光學結晶與測量對象物對向地配置之方法，將上述磁性光學結晶配置於物鏡之光軸上，藉由使上述保持器沿上述物鏡之光軸方向移動，而使上述磁性光學結晶抵接於上述測量對象物，並且於上述磁性光學結晶抵接於上述測量對象物時，可藉由上述可撓性構件之撓曲，而使上述磁性光學結晶中之上述光之入射面於上述入射面相對於與上述光軸正交之面之傾斜角度為上述物鏡之孔徑角以下的範圍內傾斜，上述磁性光學結晶於與上述測量對象物抵接之面具有反射膜，該反射膜將上述光之一部分反射，且使上述光之一部分透過。
TW104118179A 2014-06-04 2015-06-04 Inspection device and configuration method of magnetic optical crystal TWI645208B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014115568 2014-06-04
JP2014-115568 2014-06-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201602608A TW201602608A (zh) 2016-01-16
TWI645208B true TWI645208B (zh) 2018-12-21

Family

ID=54766780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104118179A TWI645208B (zh) 2014-06-04 2015-06-04 Inspection device and configuration method of magnetic optical crystal

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10139370B2 (zh)
EP (1) EP3153852B1 (zh)
JP (1) JP6581081B2 (zh)
KR (1) KR102288805B1 (zh)
CN (1) CN106537133B (zh)
TW (1) TWI645208B (zh)
WO (1) WO2015186711A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6821368B2 (ja) * 2016-09-29 2021-01-27 日置電機株式会社 検出センサおよび検査装置
KR20190051395A (ko) * 2017-11-06 2019-05-15 삼성전자주식회사 피검사 장치의 검사 시스템 및 방법
JP7202781B2 (ja) * 2018-03-20 2023-01-12 公益財団法人電磁材料研究所 磁気光学薄膜、磁気光学素子および磁界センサ
JP7327908B2 (ja) * 2018-05-29 2023-08-16 浜松ホトニクス株式会社 光差分検出器及び検査装置
JP2019211424A (ja) * 2018-06-08 2019-12-12 国立研究開発法人情報通信研究機構 イメージング装置
KR102611983B1 (ko) * 2018-10-29 2023-12-08 삼성전자주식회사 배선 회로 테스트 장치 및 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005293865A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Jeol Ltd 試料ホルダおよび試料傾斜ホルダ
CN101675344A (zh) * 2006-11-30 2010-03-17 北方传感器公司 法拉第效应电流传感器
WO2012049538A1 (en) * 2010-10-12 2012-04-19 Indian Institute Of Technology Kanpur Systems and methods for imaging characteristics of a sample and for identifying regions of damage in the sample
CN103635818A (zh) * 2011-07-05 2014-03-12 丰田自动车株式会社 电流传感器
WO2014050907A1 (ja) * 2012-09-28 2014-04-03 Ｊｆｅスチール株式会社 鋼板検査装置、鋼板検査方法、および鋼板製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN85103001B (zh) * 1985-04-01 1987-12-23 吉林大学 磁光效应联合测试仪
JPS63131116A (ja) 1986-11-21 1988-06-03 Hitachi Ltd 共焦点顕微鏡
JP2731039B2 (ja) * 1991-01-19 1998-03-25 日本飛行機 株式会社 探傷装置
US5149962A (en) 1991-06-03 1992-09-22 Simmonds Precision Products, Inc. Proximity detector using faraday effect and bidirectional transmission
JP3063369B2 (ja) 1992-03-31 2000-07-12 横河電機株式会社 磁界検出装置
DE4402059C1 (de) 1994-01-25 1995-04-27 Zeiss Carl Jena Gmbh Faraday-Mikroskop sowie Verfahren zu dessen Justierung
JP4190832B2 (ja) 2002-08-22 2008-12-03 日本電子株式会社 透過型電子顕微鏡
JP4656282B2 (ja) 2004-02-27 2011-03-23 日本電気株式会社 磁界測定装置
CN2720440Y (zh) * 2004-04-29 2005-08-24 西南科技大学 磁光涡流成像无损检测装置
JP4712428B2 (ja) * 2005-04-25 2011-06-29 日本高圧電気株式会社 物体を測定する装置
JP5383231B2 (ja) * 2008-07-08 2014-01-08 宮崎 裕也 試料ホルダー及び試料ホルダー駆動装置
JP5216752B2 (ja) * 2009-11-18 2013-06-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検出方法及び欠陥検出装置並びにこれを備えた欠陥観察装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005293865A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Jeol Ltd 試料ホルダおよび試料傾斜ホルダ
CN101675344A (zh) * 2006-11-30 2010-03-17 北方传感器公司 法拉第效应电流传感器
WO2012049538A1 (en) * 2010-10-12 2012-04-19 Indian Institute Of Technology Kanpur Systems and methods for imaging characteristics of a sample and for identifying regions of damage in the sample
CN103635818A (zh) * 2011-07-05 2014-03-12 丰田自动车株式会社 电流传感器
WO2014050907A1 (ja) * 2012-09-28 2014-04-03 Ｊｆｅスチール株式会社 鋼板検査装置、鋼板検査方法、および鋼板製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106537133B (zh) 2019-10-29
EP3153852A4 (en) 2018-01-03
JPWO2015186711A1 (ja) 2017-05-25
US20170199154A1 (en) 2017-07-13
TW201602608A (zh) 2016-01-16
US10139370B2 (en) 2018-11-27
CN106537133A (zh) 2017-03-22
EP3153852A1 (en) 2017-04-12
KR20170015311A (ko) 2017-02-08
WO2015186711A1 (ja) 2015-12-10
EP3153852B1 (en) 2019-02-27
JP6581081B2 (ja) 2019-09-25
KR102288805B1 (ko) 2021-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI645208B (zh) Inspection device and configuration method of magnetic optical crystal
US9658054B2 (en) Optical measuring apparatus
JP5377738B2 (ja) 非侵襲性三次元検出用のフレキシブルな非線形レーザー走査型顕微鏡
US9989749B2 (en) Microscopy system with auto-focus adjustment by low-coherence interferometry
KR102278371B1 (ko) 측정 장치, 관찰 장치 및 측정 방법
US10182721B2 (en) Fundus imaging apparatus
TWI279606B (en) Method and device for automatic focusing of optical fiber type optical coherence tomography
US20160153904A1 (en) Optical tomographic observation device
JP3670071B2 (ja) 電界測定装置
JP2015096943A (ja) 走査型光学顕微鏡
TW201640098A (zh) 檢查方法及檢查裝置
US20190072375A1 (en) Optical image measuring apparatus
JP5513017B2 (ja) 角度測定装置
CN112986191A (zh) 半导体检测装置及检测方法
JPH08334317A (ja) 測定顕微鏡
JP7035122B2 (ja) 光干渉断層撮像装置、及び、その調整方法
JPH10133117A (ja) 焦点検出装置を備えた顕微鏡
JP6723835B2 (ja) 光干渉断層撮像装置
KR20050043164A (ko) 씨씨디 카메라를 이용한 오씨티 시스템
JPH08334520A (ja) 走査型近接場顕微鏡
TW202235828A (zh) 分光測定裝置
JP2020000932A (ja) 眼底撮影装置
JPH03287111A (ja) 反射型光学近接視野走査顕微鏡