KR102611983B1

KR102611983B1 - 배선 회로 테스트 장치 및 방법

Info

Publication number: KR102611983B1
Application number: KR1020180130240A
Authority: KR
Inventors: 임미현; 김성열; 김재홍; 김택진; 이경민
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2018-10-29
Filing date: 2018-10-29
Publication date: 2023-12-08
Also published as: US11016143B2; CN111103529A; US20200132758A1; KR20200048293A

Abstract

본 발명의 기술적 사상에 따른 배선 회로 테스트 장치는, 내부에 배선이 형성되고 상면에 배선과 연결된 패드가 형성된 회로 기판, 회로 기판의 하면 아래에 배치된 전극, 회로 기판의 상면 위에 배치되고 회로 기판의 상면에서 방출되는 신호를 검출하는 광학 센서, 및 광학 센서 위에 배치되고 광을 조사하는 광학부를 포함하고, 광학 센서는 신호에 의해 광 특성이 변화하는 광학 기판, 및 회로 기판과 마주보는 광학 기판의 일면에 형성되고, 광학 기판으로 입사하는 광을 반사시키는 제1 영역과 광을 투과시키는 제2 영역을 구비하는 패턴 반사층을 포함한다.

Description

배선 회로 테스트 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TESTING INTERCONNECT CIRCUIT}

본 발명의 기술적 사상은 배선 회로 테스트 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 수많은 배선을 포함하는 회로 기판의 이상 유무를 비접촉식으로 테스트하는 장치 및 방법에 관한 것이다.

반도체 제품은 입력 신호를 변환하거나 전달하기 위한 목적으로 회로 기판에 다양한 배선을 구비한다. 실리콘 회로 기판의 경우, 인쇄 회로 기판에 비해 배선이 고집적으로 구현될 수 있으며, 선폭이 미세하여 배선이 매우 복잡할 수 있다. 최근 반도체 패키징 기술은 하나의 반도체 다이(Die)에 이종의 반도체 칩을 서로 연결함으로써, 패키지 수준에서 시스템을 통합하는 것에 초점이 맞춰지고 있다. 이러한 반도체 패키징 기술에서 전기적 연결만을 위한 회로 기판이 도입되고 있고, 회로 기판에서 배선의 수는 수십만 개까지 존재할 수 있다. 일반적으로, 배선의 이상 유무는 배선 양단의 저항을 접촉식으로 측정하는 비교적 단순한 방법으로 검출할 수 있다. 그러나 최근 회로 기판의 수많은 배선과 새롭게 추가되는 공정들로 인하여, 검출 난이도가 크게 증가하는 실정이다.

본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 회로 기판에 포함된 배선의 이상 유무를 비접촉식으로 테스트할 수 있고, 수많은 배선을 포함하는 회로 기판을 고속으로 테스트할 수 있는 배선 회로 테스트 장치 및 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명의 기술적 사상에 따른 배선 회로 테스트 장치는, 내부에 배선이 형성되고, 상면에 상기 배선과 연결된 패드가 형성된 회로 기판; 상기 회로 기판의 하면 아래에 배치된 전극; 상기 회로 기판의 상면 위에 배치되고, 상기 회로 기판의 상면에서 방출되는 신호를 검출하는 광학 센서; 및 상기 광학 센서 위에 배치되고, 광을 조사하는 광학부;를 포함하고, 상기 광학 센서는 상기 신호에 의해 광 특성이 변화하는 광학 기판; 및 상기 회로 기판과 마주보는 상기 광학 기판의 일면에 형성되고, 상기 광학 기판으로 입사하는 상기 광을 반사시키는 제1 영역과 상기 광을 투과시키는 제2 영역을 구비하는 패턴 반사층;을 포함한다.

본 발명의 기술적 사상에 따른 배선 회로 테스트 장치는, 전계 발생을 위한 전기신호를 생성하는 전기신호 생성부; 상면 및 하면을 구비하고, 배선이 형성된 회로 기판; 상기 회로 기판의 제1 부분 상에 배치된 제1 전극과 제2 부분 상에 배치된 제2 전극; 상기 제1 및 제2 전극을 통해 상기 전기신호를 상기 회로 기판에 인가하여 상기 회로 기판의 상면에서 방출되는 전계를 검출하는 광학 센서; 및 상기 광학 센서 상에 배치되고, 광을 조사하는 광학부;를 포함하고, 상기 광학 센서는 상기 전계에 의해 광 특성이 변화하는 광학 기판; 및 상기 회로 기판과 마주보는 상기 광학 기판의 일면에 형성되고, 상기 광학 기판으로 입사하는 상기 광을 반사시키는 제1 영역과 상기 광을 투과시키는 제2 영역을 구비하는 패턴 반사층;을 포함한다.

본 발명의 기술적 사상에 따른 배선 회로 테스트 방법은, 배선과 상기 배선과 연결된 패드가 형성된 회로 기판을 준비하는 단계; 상기 회로 기판을 전극과 광학 센서 사이에 배치하는 단계; 상기 전극을 동작하여, 상기 회로 기판에서 신호를 생성하는 단계; 광학부로 초점을 확인하여, 상기 광학 센서의 위치를 조절하는 단계; 상기 광학부로부터 상기 광학 센서로 광을 조사하여, 상기 광학 센서의 신호 이미지를 검출하고, 상기 회로 기판의 광학 이미지를 촬영하는 단계; 상기 신호 이미지와 상기 광학 이미지를 매칭하여, 상기 패드에 연결된 배선의 저항 데이터를 산출하는 단계; 및 상기 저항 데이터에 기초하여, 상기 배선의 이상 여부를 판단하는 단계;를 포함한다.

본 발명의 기술적 사상에 따른 배선 회로 테스트 장치 및 방법은, 광학 센서에 광을 반사시키는 제1 영역 및 광을 투과시키는 제2 영역을 구비하는 패턴 반사층을 포함하여, 상기 제1 영역에서 반사된 광을 이용하여 신호 이미지를 측정하고, 상기 제2 영역을 투과하여 회로 기판에서 입사된 광을 이용하여 광학 이미지를 측정할 수 있다. 상기 이미지들은 광학부의 초점 조절만을 통하여 측정이 가능하므로, 회로 기판에서 패턴의 위치와 신호의 매칭을 단일 광을 이용하여 용이하게 처리할 수 있다. 또한, 별도의 위치 센서 없이도 광학부의 초점 조절만을 통해, 회로 기판과 광학 센서 간의 간격 및 각도 조절이 가능하다.

도 1은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 배선 회로 테스트 장치를 나타내는 구성도이다.
도 2는 도 1의 배선 회로 테스트 장치에서 회로 기판 및 광학 센서의 관계를 나타내는 사시도이다.
도 3a 및 도 3b는 도 1의 배선 회로 테스트 장치에서 일 실시예에 따른 광학 센서를 상세히 나타내는 사시도 및 평면도이다.
도 4a 및 도 4b는 도 3a 및 도 3b의 광학 센서를 이용하여 측정된 신호 이미지 및 광학 이미지이다.
도 5a 및 도 5b는 도 1의 배선 회로 테스트 장치에서 다른 실시예에 따른 광학 센서를 상세히 나타내는 사시도 및 평면도이다.
도 6a 및 도 6b는 도 5a 및 도 5b의 광학 센서를 이용하여 측정된 신호 이미지 및 광학 이미지이다.
도 7a 및 도 7b는 도 1의 배선 회로 테스트 장치를 이용하여 배선의 이상 유무를 테스트하는 원리를 설명하기 위한 그래프들이다.
도 8a 및 도 8b는 도 1의 배선 회로 테스트 장치에서 일 실시예에 따른 광학 센서의 작동 원리를 나타내는 단면도들이다.
도 9a 및 도 9b는 도 1의 배선 회로 테스트 장치에서 다른 실시예에 따른 광학 센서의 작동 원리를 나타내는 단면도들이다.
도 10 내지 도 13은 본 발명의 기술적 사상의 다른 실시예에 따른 배선 회로 테스트 장치를 나타내는 구성도들이다.
도 14a 및 도 14b는 도 12 및 도 13의 배선 회로 테스트 장치에서 제1 및 제2 전극을 이용하여 신호를 형성하는 원리를 나타내는 단면도들이다.
도 15는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 배선 회로 테스트 방법을 나타내는 블록도이다.
도 16 내지 도 18은 도 15의 배선 회로 테스트 방법에서 추가적인 단계를 포함하는 블록도들이다.
도 19는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 배선 회로 테스트 장치를 통해 테스트된 반도체 패키지를 나타내는 단면도이다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 기술적 사상의 실시예에 대해 상세히 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 배선 회로 테스트 장치를 나타내는 구성도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 배선 회로 테스트 장치(10)는 전계(electric field)(EF)를 이용하여 비접촉식으로 회로 기판(200)의 내부에 포함된 배선의 이상 유무를 테스트하는 장치이다. 상기 배선 회로 테스트 장치(10)는 전극(110), 전기신호 생성부(120), 광학 센서(130), 광학부(140), 신호 처리부(150), 영상 처리부(160), 판단부(170), 및 제어부(180)를 포함할 수 있다.

전극(110)은 전기신호 생성부(120)와 전기적으로 연결될 수 있고, 전기신호를 회로 기판(200)에 인가할 수 있다. 상기 전극(110)은 전기 전도성이 우수한 금속으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 전극(110)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt) 등을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 전극(110)은 ITO, IZO, ZnO, ATO(antimony-doped tin oxide), 또는 AZO(Al-doped zinc oxide)와 같은 투명 도전 물질을 포함하는 투명 전극으로 형성될 수 있다.

상기 전극(110)은 회로 기판(200) 하부의 아래에 배치될 수 있다. 물론, 상기 전극(110)이 배치되는 위치가 이에 한정되는 것은 아니다. 이해의 편의를 위해, 상기 전극(110)으로부터 발생하는 전계(EF)를 해칭으로 간단히 표시하고 있지만, 실제 발생되는 전계의 형태는 이와 다를 수 있다.

상기 전극(110)은 평판 형태를 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 전극(110)은 회로 기판(200)에 대응하는 평판 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 전극(110)은 회로 기판(200) 하면에 대응하는 평판 형태를 가질 수 있다. 여기서, 상기 평판 형태는 원형, 타원형, 또는 다각형의 평판 형태를 포함할 수 있다.

일부 실시예들에서, 상기 전극(110)은 사각형의 평판 형태를 가질 수 있다. 그러나 상기 전극(110)의 형태가 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예들에서, 상기 전극(110)은 평판 형태에 한정되지 않고 회로 기판(200)에 대응하는 다른 형태를 가질 수 있다.

상기 전극(110)은 회로 기판(200)으로부터 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 전극(110)은 회로 기판(200)의 하면으로부터 소정의 간격(G1)만큼 이격되어 배치될 수 있다. 여기서, 회로 기판(200)의 하면은 연결 단자(240)의 최하면을 의미하고, 회로 기판(200)의 상면은 패드(230)의 최상면을 의미한다.

상기 소정의 간격(G1)에 따라 전계(EF)가 회로 기판(200)에 미치는 영향이 달라질 수 있고, 이에 따라, 회로 기판(200)에서 방출하는 전계(EF)도 달라질 수 있다. 따라서, 상기 소정의 간격(G1)은 회로 기판(200)에서 방출하는 전계(EF)의 크기와 위치별 전계(EF)의 구분을 위해 적절하게 조절될 수 있다. 예를 들어, 상기 소정의 간격(G1)을 작게 할수록 전계(EF)의 크기를 증가시킬 수 있다.

전기신호 생성부(120)는 전계 생성용 전기신호를 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 전기신호 생성부(120)는 전기신호를 생성하고, 생성된 전기신호를 전극(110)을 통해 전계(EF)로 회로 기판(200)에 인가시킴으로써, 회로 기판(200)에서 전계(EF)가 발생되도록 할 수 있다.

상기 전기신호 생성부(120)는 오실레이터, PLL(Phase Locked Loop) 회로, 및 DAC(Digital to Analog Converter) 등을 포함할 수 있고, 전기신호로서 RF 신호를 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 전기신호 생성부(120)는 전기신호로서 수십 MHz 내지 수십 GHz의 RF 신호를 생성할 수 있다. 물론, 상기 전기신호 생성부(120)가 생성하는 전기신호의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예들에서, 상기 전기신호 생성부(120)는 상기 전극(110)과 일체로 구성될 수 있다.

광학 센서(130)는 회로 기판(200)에서 방출하는 전계(EF)를 검출할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 광학 센서(130)는 전기 광학 결정을 이용한 센서일 수 있다. 다만, 상기 광학 센서(130)의 종류가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 전계(EF)를 효과적으로 검출할 수 있는 모든 종류의 광학 센서(130)가 배선 회로 테스트 장치(10)에 적용될 수 있다.

상기 광학 센서(130)에 의한 전계(EF)의 검출은 전계 세기에 대한 직접적인 검출이 아니라 전계 세기에 대한 정보를 알 수 있는 신호에 대한 검출일 수 있다. 예를 들어, 상기 광학 센서(130)는 전기신호 또는 광신호를 검출할 수 있고, 검출된 전기신호 또는 광신호에는 전계 세기에 대한 정보가 포함될 수 있다.

상기 광학 센서(130)는 회로 기판(200)의 테스트 영역(TA) 전체의 전계(EF)를 한 번에 검출하거나, 또는 테스트 영역(TA)의 일부의 전계(EF)를 검출할 수 있다. 예를 들어, 상기 광학 센서(130)가 테스트 영역(TA)의 일부의 전계(EF)를 검출하는 경우, 상기 광학 센서(130)가 이동하면서 복수 회에 걸쳐 테스트 영역(TA) 전체의 전계(EF)를 검출할 수 있다.

상기 광학 센서(130)는 광학 기판(131) 및 패턴 반사층(133)을 포함할 수 있다. 상기 광학 기판(131)은 하면에 상기 패턴 반사층(133)을 포함하여 입사된 광(L1, L2) 중 일부의 광(L1)을 반사시킬 수 있다. 또한, 상기 광학 기판(131)은 전계(EF)의 세기에 따라 굴절률이 변하거나 결정의 방향이 변할 수 있고, 전계(EF)의 세기에 따라 광(L1)의 반사 특성이 달라질 수 있다. 이해의 편의를 위해, 광(L1, L2)을 나누어 도시하였으나, 실제 조사되는 광은 단일 광의 형태이다.

상기 패턴 반사층(133)은 회로 기판(200)과 마주보는 상기 광학 기판(131)의 일면에 형성되고, 상기 광학 센서(130)로 입사하는 광(L1, L2) 중 일부의 광(L1)을 반사시키는 제1 영역(133A, 도 3b 참조)과 상기 입사하는 광(L1, L2) 중 다른 일부의 광(L2)을 투과시키는 제2 영역(133B, 도 3b 참조)을 포함할 수 있다. 상기 제1 영역(133A)은 가시광선의 반사 코팅 처리에 의해 형성될 수 있고, 상기 제2 영역(133B)은 가시광선의 투과 코팅 처리 및/또는 전계의 반사 코팅 처리에 의해 형성될 수 있다. 다만, 상기 코팅 처리의 종류가 이에 한정되는 것은 아니다.

일부 실시예들에서, 상기 패턴 반사층(133)은 상기 제1 및 제2 영역(133A, 133B)이 이루는 스트라이프(stripe) 패턴을 가지거나, 또는 상기 제1 및 제2 영역(133A, 133B)이 이루는 메쉬(mesh) 패턴을 가질 수 있다. 다만, 상기 패턴 반사층(133)의 패턴의 종류가 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 패턴 반사층(133)에 대한 자세한 내용은 후술하도록 한다.

광학부(140)는 광학 소자(141) 및 광원 소자(143)를 포함할 수 있다. 상기 광학 소자(141)는 상기 광원 소자(143)로부터 생성된 광(L1, L2)을 투과 또는 반사하여 광학 센서(130)로 입사시키거나, 광학 센서(130)로부터 반사된 광(L1)을 반사 또는 투과하여 신호 처리부(150)로 입사시킬 수 있다.

상기 광학 소자(141)는 회로 기판(200)의 테스트 영역(TA)에 대응하는 광학 센서(130) 전체에 광(L1, L2)이 조사되도록 광(L1, L2)을 넓게 퍼트릴 수 있다. 한편, 회로 기판(200)의 테스트 영역(TA)이 넓어 한 번에 광(L1, L2)을 조사하기 어려운 경우, 복수 회로 나눠 광(L1, L2)을 광학 센서(130)에 조사할 수 있다.

상기 광원 소자(143)는 광(L1, L2)을 생성하고, 생성된 광(L1, L2)을 상기 광학 소자(141)로 입사시킬 수 있다. 상기 광원 소자(143)는 광학 이미지를 촬영할 수 있는 기능을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광원 소자(143)는 촬상부(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 촬상부는 상기 광원 소자(143)와 일체를 이루거나, 또는 상기 광원 소자(143)와 인접하여 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 광원 소자(143)는 상기 광학 소자(141)와 일체로 구성될 수 있다.

신호 처리부(150)는 광학 센서(130)에서 검출된 신호 이미지에 기초하여 회로 기판(200)의 전계 세기 및 그에 대응하는 배선(220)의 저항을 계산할 수 있다. 예를 들어, 테스트 영역(TA)이 회로 기판(200) 상면의 패드(230)가 배치된 부분인 경우, 상기 신호 처리부(150)는 각각의 패드(230) 별로 전계 세기와 그에 대응하는 배선(220)의 저항을 계산할 수 있다.

상기 신호 처리부(150)는 광학 센서(130)로부터 입력된 신호를 필터링함으로써, 노이즈가 제거된 신호 이미지를 얻을 수 있다. 또한, 상기 신호 처리부(150)는 신호 이미지에 수학 연산을 적용하여 회로 기판(200)의 각각의 패드(230) 별로 전계 세기와 저항을 계산할 수 있다.

영상 처리부(160)는 광원 소자(143)에서 촬영된 광학 이미지에 기초하여 회로 기판(200)의 각각의 패드(230) 별로 모양 및 위치를 정확히 파악할 수 있다. 예를 들어, 테스트 영역(TA)이 회로 기판(200) 상면의 패드(230)가 배치된 부분인 경우, 상기 영상 처리부(160)는 각각의 패드(230) 별로 모양 및 위치를 파악하여 그에 대응하는 좌표를 계산할 수 있다.

판단부(170)는 회로 기판(200)의 배선(220)에 대한 이상 여부를 판단할 수 있다. 상기 판단부(170)는 회로 기판(200)의 설계 데이터 및 신호 처리부(150)에서 계산된 전계 세기 및 저항 등에 기초하여 배선(220)의 이상 여부를 판단한다. 또한, 상기 판단부(170)는 회로 기판(200)의 설계 데이터 및 영상 처리부(160)에서 계산된 패드(230)의 좌표 등에 기초하여 배선(220)의 위치를 정확히 파악할 수 있다. 상기 신호 이미지 및 상기 광학 이미지는 단일의 광학부(140)에서, 동시에 또는 순차적으로 획득될 수 있고, 상기 판단부(170)는 상기 신호 처리부(150)에서 분석된 신호 이미지 및 상기 영상 처리부(160)에서 분석된 광학 이미지를 매칭하여, 각각의 패드(230) 별로 배선(220)의 이상 여부를 판단한다.

제어부(180)는 정확한 신호 이미지 및 광학 이미지를 얻기 위하여, 초점을 조절하여 제어할 수 있다. 예를 들어, 상기 제어부(180)는 광학 센서(130)와 회로 기판(200) 간의 간격(G2) 및 광학 센서(130)의 틸트 각도 등을 조절할 수 있다. 다시 말해, 상기 제어부(180)는 광학부(140)에서 광학 센서(130)와 회로 기판(200)의 초점을 조절하여 정확한 신호 이미지 및 광학 이미지를 얻을 수 있도록, 광학 센서(130)의 위치 및 각도 등을 조절할 수 있다.

본 발명의 배선 회로 테스트 장치(10)의 테스트의 대상(시료)은 회로 기판(200)일 수 있다. 상기 회로 기판(200)은 기판(210), 배선(220), 패드(230), 및 연결 단자(240)를 포함할 수 있다.

기판(210)은 예를 들어, 실리콘, 유기물, 플라스틱, 및 유리 기판 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 물론, 상기 기판(210)의 재질이 이에 한정되는 아니다. 상기 기판(210)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 회로 기판(200)은 상기 기판(210)이 실리콘 기판인 경우, 실리콘 인터포저로 언급될 수 있다. 또한, 상기 회로 기판(200)은 상기 기판(210)이 유기물 기판인 경우, 패널 인터포저로 언급될 수 있다.

배선(220)은 기판(210)의 구조에 따라 단층 또는 다층 배선 구조를 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 배선(220)은 하부 패드, 관통 전극, 및 배선층을 포함할 수 있다. 상기 관통 전극은 기판(210)의 적어도 일부를 관통하여 상기 하부 패드와 상기 배선층을 연결할 수 있다. 기판(210)이 실리콘 기판인 경우, 상기 관통 전극은 TSV(Through Silicon Via)로 언급될 수 있다. 상기 배선층이 복수 층인 경우, 서로 다른 층의 배선층은 수직 컨택을 통해 연결될 수 있다. 한편, 상기 배선층은 층간 절연층에 의해, 상기 하부 패드는 하부 절연층에 의해 덮일 수 있다.

패드(230)는 기판(210)의 상면에 배치되고 배선(220)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 패드(230)는 상부 패드로 언급될 수 있다. 반도체 제품의 경우, 상기 패드(230) 상에 메모리 칩 또는 로직 칩과 같은 반도체 칩들이 범프를 통해 전기적으로 연결되며 적층될 수 있다.

연결 단자(240)는 기판(210)의 하면에 배치되고 배선(220)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 연결 단자(240)는 회로 기판(200)을 인쇄 회로 기판(PCB) 등의 패키지 기판에 적층하기 위해 이용될 수 있다. 상기 연결 단자(240)는 그 형태나 물질 등에 기초하여, 범프 또는 솔더볼 등으로 언급될 수 있다. 상기 연결 단자(240)는 상기 하부 패드 상에 배치될 수 있다. 일반적으로, 상기 연결 단자(240)는 배선(220)을 통해 패드(230)에 연결될 수 있다. 다만, 패드(230) 중 파워나 그라운드에 이용되는 패드(230)는 통합되어 상기 연결 단자(240)에 함께 연결될 수 있으므로, 패드(230)의 개수가 상기 연결 단자(240)의 개수보다 많을 수 있다.

한편, 본 발명의 배선 회로 테스트 장치(10)에 대해 비접촉 방식의 테스트를 중심으로 설명하고 있으나, 접촉 방식의 테스트를 배제하는 것은 아니다. 예를 들어, 전극(110)이 상기 연결 단자(240)에 직접 접촉하여도 전계(EF)는 발생할 수 있으므로, 접촉 방식으로 회로 기판(200)을 테스트할 수 있다.

또한, 테스트 대상(시료)으로 회로 기판(200)을 예로 들어 설명하고 있으나, 테스트 대상이 회로 기판(200)에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 배선 및/또는 재배선이 존재하고 상면 및 하면 중 적어도 한 면에 패드 및/또는 연결 단자가 배치된 모든 종류의 시료들은 본 발명의 배선 회로 테스트 장치(10)의 테스트 대상이 될 수 있다. 따라서, 본 발명의 배선 회로 테스트 장치(10)는 웨이퍼 테스트 설비, 패키지 테스트 설비, 및 불량 분석 설비 등에 이용될 수 있다.

본 발명의 기술적 사상에 따른 배선 회로 테스트 장치(10)와 달리, 일반적인 배선 회로 테스트 장치는 다음과 같은 문제점을 가질 수 있다.

첫째, 일반적인 배선 회로 테스트 장치는, 광학 센서에 균일하게 모든 광을 반사하는 전면 반사층이 형성된다. 상기 전면 반사층은 광을 효과적으로 반사시키는 반면, 전계를 발생하는 회로 기판 방향으로는 광이 투과되지 못하기 때문에, 회로 기판의 광학 이미지를 획득하기 어렵다. 특히, 수많은 배선을 포함하는 회로 기판을 측정하는 경우, 패드의 위치와 전계의 매칭에 사용될 광학 이미지는 중요한 요소이다. 따라서, 광학 센서를 통한 신호 이미지 측정 전/후에 광학 센서가 제거된 상태에서 회로 기판의 광학 이미지를 측정하여야 하므로, 정밀한 측정이 어렵고 측정 시간이 늘어날 수 있다.

둘째, 일반적인 배선 회로 테스트 장치는, 대면적의 신호 이미지를 정확히 측정하기 위해 초점을 맞추기 위한 별도의 식별 마커를 포함한다. 따라서, 상기 식별 마커가 배치되는 영역을 확보하기 위하여 신호 이미지의 크기가 감소할 수 있다. 또한, 식별 마커로부터 멀리 떨어진 지점에서는 초점 오차가 발생할 수 있어 반복적으로 초점을 맞추어야 하므로, 정밀한 측정이 어렵고 측정 시간이 늘어날 수 있다.

셋째, 일반적인 배선 회로 테스트 장치는, 회로 기판과 광학 센서 간의 간격을 조절하기 위한 위치 센서를 포함하거나, 정확한 간격 측정을 위해 반복적인 측정이 요구된다. 패드 폭이 마이크로미터(㎛) 크기인 미세한 패드를 포함하는 회로 기판의 경우, 회로 기판과 광학 센서 간의 간격이 수십 ㎛ 이하 수준으로 유지되어야 정확한 전계의 측정이 가능하다. 그 이상으로 간격이 벌어지게 되면 회로 기판에서 발생된 전계의 대부분이 분산되어, 해상도 및 감도 저하로 전계의 측정이 어려울 수 있다. 따라서, 전계의 측정에 방해되지 않도록 위치 센서를 이용하거나, 반복적인 측정을 통해 회로 기판과 광학 센서 간의 최적 간격을 찾아야 하므로, 정밀한 측정이 어렵고 측정 시간이 늘어날 수 있다.

이와 달리, 본 발명의 기술적 사상에 따른 배선 회로 테스트 장치(10)는, 광학 센서(130)에 광(L1)을 반사시키는 제1 영역(133A) 및 광(L2)을 투과시키는 제2 영역(133B)을 구비하는 패턴 반사층(133)을 포함하므로, 상기 제1 영역(133A)에서 반사된 광(L1)을 이용하여 신호 이미지를 획득할 수 있고, 상기 제2 영역(133B)을 투과하여 회로 기판(200)에 입사된 광(L2)을 이용하여 광학 이미지를 획득할 수 있다. 따라서, 별도의 식별 마커 없이도, 상기 이미지들은 광학부(140)의 초점 조절만을 통하여 측정이 가능하므로, 회로 기판(200)에서 패드(230)의 위치와 신호의 매칭을 단일 광을 이용하여 용이하게 수행할 수 있다. 또한, 별도의 위치 센서 없이도, 광학부(140)의 초점 조절만을 통하여 회로 기판(200)과 광학 센서(130) 간의 간격(G2) 및 각도 조절이 가능하다.

궁극적으로, 본 발명의 기술적 사상에 따른 배선 회로 테스트 장치(10)는, 정밀한 위치 측정이 가능하여 넓은 FOV(Field of View)를 가지는 광학부(140)를 사용할 수 있고, 비접촉 방식으로 수많은 배선(220)을 한 번에 측정할 수 있으므로, 회로 기판(200)의 손상 없이도 정확한 배선(220)의 이상 유무를 빠른 시간에 판단할 수 있다.

도 2는 도 1의 배선 회로 테스트 장치에서 회로 기판 및 광학 센서의 관계를 나타내는 사시도이다.

도 2를 참조하면, 본 발명의 배선 회로 테스트 장치(10, 도 1 참조)에서, 광학 센서(130)는 회로 기판(200)의 테스트 영역(TA)에 대응하는 평판 형태를 가지고, 상기 회로 기판(200)과 이격되어 배치될 수 있다.

광학 센서(130)는 예를 들어, 회로 기판(200)의 테스트 영역(TA)이 사각형 형태를 갖는 경우에, 광학 센서(130)도 그에 대응하여 사각형 평판 형태를 가질 수 있다. 상기 광학 센서(130)는 광학 기판(131) 및 패턴 반사층(133)을 포함할 수 있고, 사각형 평판 형태를 가질 수 있다.

상기 광학 센서(130)의 면적은 상기 테스트 영역(TA)의 면적보다 클 수 있다. 이에 따라, 상기 광학 센서(130)가 상기 테스트 영역(TA) 전체를 덮을 수 있고, 회로 기판(200)의 테스트 영역(TA) 전체의 전계(EF, 도 1 참조)를 한 번에 검출할 수 있다.

도시되지는 않았지만, 다른 실시예들에서, 상기 광학 센서(130)의 면적은 상기 테스트 영역(TA)의 면적보다 작을 수 있다. 이에 따라, 상기 광학 센서(130)가 상기 테스트 영역(TA)의 일부만을 덮을 수 있고, 상기 광학 센서(130)가 이동하면서 회로 기판(200)의 테스트 영역(TA) 전체의 전계(EF)를 복수 회에 걸쳐 검출할 수 있다.

제어부(180, 도 1 참조)는 광학 센서(130)와 회로 기판(200) 간의 간격(G2) 및 광학 센서(130)의 틸트 각도 등을 조절할 수 있다. 즉, 상기 제어부(180)는 광학부(140, 도 1 참조)에서 광학 센서(130)와 회로 기판(200) 간의 초점을 조절하여 정확한 신호 이미지 및 광학 이미지를 얻을 수 있도록 광학 센서(130)의 위치를 조절할 수 있다.

또한, 상기 간격(G2)에 따라 전계(EF)가 광학 센서(130)에 미치는 영향이 달라질 수 있다. 따라서, 상기 간격(G2)은 회로 기판(200)에서 방출하는 전계(EF)의 크기와 위치별 전계(EF)의 구분을 위해 적절하게 조절될 수 있다. 예를 들어, 상기 간격(G2)을 작게 할수록, 전계(EF)가 광학 센서(130)에서 검출되는 감도를 증가시킬 수 있다.

도 3a 및 도 3b는 도 1의 배선 회로 테스트 장치에서 일 실시예에 따른 광학 센서를 상세히 나타내는 사시도 및 평면도이다.

도 3a 및 도 3b를 같이 참조하면, 광학 센서(130)는 신호에 의해 광 특성이 변화하는 광학 기판(131) 및 회로 기판(200, 도 1 참조)과 마주보는 상기 광학 기판(131)의 일면에 형성되고, 상기 광학 기판(131)으로 입사하는 광을 반사시키는 제1 영역(133A)과 광을 투과시키는 제2 영역(133B)을 구비하는 패턴 반사층(133)을 포함한다.

패턴 반사층(133)은 가시광선의 반사 코팅 처리된 제1 영역(133A)과 가시광선의 투과 코팅 처리 및/또는 전계의 반사 코팅 처리된 제2 영역(133B)을 포함한다. 상기 패턴 반사층(133)은 스트라이프 패턴을 가질 수 있다. 다시 말해, 상기 제1 영역(133A)은 제1 방향(X)으로 연장하고 제2 방향(Y)으로 서로 이격되는 복수의 제1 라인을 포함하고, 상기 제2 영역(133B)은 제1 방향(X)으로 연장하고 제2 방향(Y)으로 서로 이격되는 복수의 제2 라인을 포함하며, 상기 제1 라인과 상기 제2 라인은 제2 방향(Y)으로 서로 교대로 반복하여 패턴 반사층(133)을 형성될 수 있다.

일부 실시예들에서, 상기 제1 영역(133A)은 제2 방향(Y)으로 연장하고 제1 방향(X)으로 서로 이격되는 복수의 제1 라인을 포함하고, 상기 제2 영역(133B)은 제2 방향(Y)으로 연장하고 제1 방향(X)으로 서로 이격되는 복수의 제2 라인을 포함하며, 상기 제1 라인과 상기 제2 라인은 제1 방향(X)으로 서로 교대로 반복하여 패턴 반사층(133)을 형성될 수 있다.

다른 실시예들에서, 상기 제1 영역(133A)은 대각선 방향으로 연장하고 서로 이격되는 복수의 제1 라인을 포함하고, 상기 제2 영역(133B)은 대각선 방향으로 연장하고 서로 이격되는 복수의 제2 라인을 포함하며, 상기 제1 라인과 상기 제2 라인은 서로 교대로 반복하여 패턴 반사층(133)을 형성될 수 있다.

상기 제1 영역(133A)의 제2 방향(Y)으로의 제1 폭(133AW)은 상기 제2 영역(133B)의 제2 방향(Y)으로의 제2 폭(133BW)과 실질적으로 동일할 수 있다. 다만, 상기 제1 및 제2 폭(133AW, 133BW)이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 패드 폭(230W, 도 2 참조)과 비교하여, 상기 제1 및 제2 폭(133AW, 133BW) 각각은 상기 패드 폭(230W)보다 작도록 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2 폭(133AW, 133BW) 각각이 상기 패드 폭(230W)보다 크게 형성될 경우, 일부 패드(230, 도 2 참조)에서는 신호 이미지 또는 광학 이미지의 획득이 어려울 수 있기 때문이다.

도 4a 및 도 4b는 도 3a 및 도 3b의 광학 센서를 이용하여 측정된 신호 이미지 및 광학 이미지이다.

도 4a 및 도 4b를 같이 참조하면, 패턴 반사층(133)의 제1 영역(133A)에서 반사된 광을 이용하여 검출된 회로 기판(200, 도 2 참조)의 신호 이미지(SI) 및 패턴 반사층(133)의 제2 영역(133B)을 통과하여 회로 기판(200)에서 반사된 광을 이용하여 촬영된 회로 기판(200)의 광학 이미지(PI)를 나타낸다.

도 4a의 신호 이미지(SI)를 이용하여 각각의 패드(230) 별로 전계 세기와 저항을 계산할 수 있다. 도 4b의 광학 이미지(PI)를 이용하여 각각의 패드(230) 별로 모양과 위치를 파악하여 이에 대응하는 좌표를 계산할 수 있다. 상기 신호 이미지(SI) 및 상기 광학 이미지(PI)는 단일 광학부(140, 도 1 참조)에서 생성된 단일 광으로 초점 조절만을 통해 측정이 가능하므로, 패드(230)의 위치 데이터와 신호 데이터의 매칭을 용이하게 처리할 수 있다. 상기 신호 이미지(SI)는 상기 패드(230)에서 방출하는 전계(EF)에 대응하는 광신호를 나타내고, 상기 광학 이미지(PI)는 상기 패드(230) 자체의 형태를 나타낸다.

상기 신호 이미지(SI) 및 상기 광학 이미지(PI)는 각각의 초점 위치 확인을 통해 별도의 위치 센서 없이도 획득할 수 있다. 미세 초점 조절이 가능한 광학부(140)를 구비하여 회로 기판(200)과 광학 센서(130, 도 1 참조) 간의 간격(G2, 도 1 참조)을 최대한 가깝고 균일하게 유지하는 것은 이미지들의 해상도 향상과 배선(220, 도 1 참조)의 테스트 정확도 측면에서 중요하다.

도 5a 및 도 5b는 도 1의 배선 회로 테스트 장치에서 다른 실시예에 따른 광학 센서를 상세히 나타내는 사시도 및 평면도이다.

도 5a 및 도 5b를 같이 참조하면, 광학 센서(130)는 신호에 의해 광 특성이 변화하는 광학 기판(131) 및 회로 기판(200, 도 1 참조)과 마주보는 상기 광학 기판(131)의 일면에 형성되고, 상기 광학 기판(131)으로 입사하는 광을 반사시키는 제1 영역(135A)과 광을 투과시키는 제2 영역(135B)을 구비하는 패턴 반사층(135)을 포함한다.

패턴 반사층(135)은 반사 코팅 처리된 제1 영역(135A)과 투과 코팅 처리된(또는 반사 코팅 처리되지 않은) 제2 영역(135B)을 포함한다. 상기 패턴 반사층(135)은 메쉬 패턴을 가질 수 있다. 다시 말해, 상기 제1 영역(135A)은 서로 직교하는 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로 교차하며 배치되고, 상기 제2 영역(135B)은 상기 제1 영역(135A)이 형성되지 않은 부분에 도트(dot) 패턴으로 배치되어 패턴 반사층(135)을 형성할 수 있다.

일부 실시예들에서, 상기 제2 영역(135B)은 서로 직교하는 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로 교차하며 배치되고, 상기 제1 영역(135A)은 상기 제2 영역(135B)이 형성되지 않은 부분에 도트 패턴으로 배치되어 패턴 반사층(135)을 형성할 수 있다.

다른 실시예들에서, 상기 제1 영역(135A)은 서로 직교하는 대각선 방향으로 교차하며 배치되고, 상기 제2 영역(135B)은 상기 제1 영역(135A)이 형성되지 않은 부분에 마름모 패턴으로 배치되어 패턴 반사층(135)을 형성할 수 있다.

상기 패드(230, 도 2 참조) 각각은 상기 제1 영역(135A) 및 제2 영역(135B)과 모두 오버랩되도록 패턴 반사층(135)이 형성될 수 있다. 상기 패드(230) 각각이 상기 제1 영역(135A) 및 제2 영역(135B)과 모두 오버랩되지 않는 경우, 일부 패드(230)에서는 신호 이미지 및 광학 이미지의 획득이 어려울 수 있기 때문이다.

도 6a 및 도 6b는 도 5a 및 도 5b의 광학 센서를 이용하여 측정된 신호 이미지 및 광학 이미지이다.

도 6a 및 도 6b를 같이 참조하면, 패턴 반사층(135)의 제1 영역(135A)에서 반사된 광을 이용하여 검출된 회로 기판(200, 도 2 참조)의 신호 이미지(SI) 및 패턴 반사층(133)의 제2 영역(135B)을 통과하여 회로 기판(200)에서 반사된 광을 이용하여 촬영된 회로 기판(200)의 광학 이미지(PI)를 나타낸다.

도 6a의 신호 이미지(SI)를 이용하여 각각의 패드(230) 별로 전계 세기와 저항을 계산할 수 있다. 도 6b의 광학 이미지(PI)를 이용하여 각각의 패드(230) 별로 모양과 위치를 파악하여 이에 대응하는 좌표를 계산할 수 있다. 상기 신호 이미지(SI) 및 상기 광학 이미지(PI)는 단일 광학부(140, 도 1 참조)에서 생성된 단일 광으로 초점 조절만을 통해 측정 가능하므로, 패드(230)의 위치 데이터와 신호 데이터의 매칭을 용이하게 처리할 수 있다.

도 7a 및 도 7b는 도 1의 배선 회로 테스트 장치를 이용하여 배선의 이상 유무를 테스트하는 원리를 설명하기 위한 그래프들이다.

여기서, 가로축은 일 방향으로 배치된 패드들의 번호를 나타내고, 세로축은 검출된 전계의 세기를 나타내는 임의 단위이다. 이해의 편의를 위해, 도 1의 배선 회로 테스트 장치(10)를 함께 참조하여 설명한다.

도 7a 및 도 7b를 같이 참조하면, 본 발명의 배선 회로 테스트 장치(10)를 이용하여 배선을 테스트하는 원리를 설명하기 위한 그래프들로서, 도 7a의 그래프는 회로 기판(200)의 배선(220)이 모두 정상인 상태의 전계(EF)를 나타내고, 도 7b의 그래프는 회로 기판(200)의 일부 배선(220)이 비정상인 상태의 전계(EF')를 나타낸다.

회로 기판(200)이 정상인 경우, 패드(230) 각각은 해당 배선(220)을 통해 인가된 전계(EF)를 외부로 방출시킬 수 있다. 그에 따라, 도 7a를 통해 알 수 있듯이, 패드(230) 각각에 대응하는 위치에서 전계(EF)의 세기가 상대적으로 높게 나타나고 패드(230) 사이에 대응하는 위치에서 전계(EF)의 세기가 상대적으로 낮게 나타날 수 있다. 다만, 도 7a는 패드(230) 각각의 배선(220)의 구조가 유사한 경우에 대한 것이고, 패드(230) 각각의 배선(220)이 서로 다른 경우에는 다른 형태의 그래프가 나타날 수 있다.

회로 기판(200)이 비정상인 경우, 도 7b에서 점선의 원에 의해 에러(Error)로 표시된 바와 같이, 세 번째 패드(230)에 대응하는 위치에서 전계(EF')의 세기가 낮게 나타나고 있다. 패드(230)가 존재함에도 전계(EF')가 낮게 나타나는 것은 패드(230)에 연결된 배선(220)이 쇼트/오픈 되었음을 의미할 수 있다. 따라서, 해당 회로 기판(200)은 배선(220)의 일부가 비정상인 상태일 수 있다. 또한, 회로 기판(200)의 광학 이미지에 기초하여 패드(230)의 위치를 정확히 특정할 수 있으므로, 비정상 배선(220)과 연결된 패드(230)를 빠르게 검출할 수 있다.

도 8a 및 도 8b는 도 1의 배선 회로 테스트 장치에서 일 실시예에 따른 광학 센서의 작동 원리를 나타내는 단면도들이다.

도 8a 및 도 8b를 같이 참조하면, 광학 센서(130)는 복합 재료층으로 구성된 광학 기판(131)과 패턴 반사층(133)을 포함할 수 있다.

패턴 반사층(133)은 입사된 광의 일부를 반사시킬 수 있다. 패턴 반사층(133)의 반사 영역은 유전체 미러 필름(dielectric mirror film) 또는 CLC(Cholesteric Liquid Crystal) 폴리머로 형성될 수 있다.

광학 기판(131)은 폴리머 필름(131F)과 액정 드롭릿(131D)을 포함하는 복합 재료층으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 광학 기판(131)은 폴리머 분산형 액정(Polymer Dispersed Liquid Crystal)일 수 있다. 이에 따라, 광학 기판(131)은 다수의 액정 드롭릿(131D)이 폴리머 필름(131F) 내에 분산되어 배치된 구조를 가질 수 있다. 액정 드롭릿(131D) 각각의 내부에는 다수의 액정 분자들(131M)이 포함될 수 있다.

도 8a와 같이 전계(EF)가 인가되지 않은 상태에서, 액정 드롭릿(131D) 내의 액정 분자들(131M)은 무질서하게 배열될 수 있다. 다만, 액정의 특정상 액정 분자들(131M)이 완전히 무질서하게 배열되는 것은 아니고, 어느 정도의 규칙성을 가질 수 있다. 이에 따라, 입사광(L)이 무질서하게 배열된 액정 분자들(131M)에 의해 산란되어, 광학 기판(131)은 불투명하게 보일 수 있다.

도 8b와 같이 전계(EF)가 인가된 상태에서, 액정 드롭릿(131D) 내의 액정 분자들(131M)은 전계(EF)의 방향을 따라 정렬될 수 있다. 이에 따라, 입사광(L)은 정렬된 액정 분자들(131M)을 통과하여 패턴 반사층(133)에 도달하여 반사 영역에 의해 반사되어, 광학 기판(131)은 투명하게 보일 수 있다.

일부 실시예들에서, 도 8b에서, 전 영역에 강한 전계(EF)가 인가되어 모든 액정 분자들(131M)이 전계(EF)의 방향을 따라 정렬된 상태를 도시하고 있으나, 전 영역에 걸쳐 강한 전계(EF)가 인가되지 않을 수 있다. 이 경우, 전계(EF)의 세기가 약한 부분의 액정 분자들(131M)은 전계(EF)의 방향을 따라 불완전하게 정렬되고, 해당 부분에서 반사율이 낮아질 수 있다.

도 9a 및 도 9b는 도 1의 배선 회로 테스트 장치에서 다른 실시예에 따른 광학 센서의 작동 원리를 나타내는 단면도들이다.

도 9a 및 도 9b를 같이 참조하면, 광학 센서(130)는 굴절률 변환층(131N)으로 구성된 광학 기판(131)과 패턴 반사층(133)을 포함할 수 있다.

광학 기판(131)을 구성하는 굴절률 변환층(131N)은 전계(EF)의 인가에 의해 굴절률이 변화될 수 있다. 굴절률의 변화는 입사광(L)의 굴절각을 변화시킬 수 있다. 또한, 굴절률의 변화는 입사광(L)의 위상을 변화시킬 수 있다. 굴절률 변환층(131N)은 예를 들어, 단결정 실리콘으로 형성될 수 있다.

도 9a와 같이 전계(EF)가 인가되지 않은 상태에서, 입사광(L)은 굴절률 변환층(131N)의 경계에서 제1 굴절각(A1)을 가지고 굴절되고 패턴 반사층(133)에 의해 반사되어 방출될 수 있다.

도 9b와 같이 전계(EF)가 인가된 상태에서, 굴절률 변환층(131N)의 굴절률이 변화되고, 입사광(L)은 굴절률 변환층(131N)의 경계에서 제2 굴절각(A2)을 가지고 굴절되고 패턴 반사층(133)에 의해 반사되어 방출될 수 있다. 따라서, 설정된 입사각으로 입사된 입사광(L)에 대하여 방출된 광을 검출하고 전기신호로 변환시킴으로써, 해당 위치의 전계(EF)의 유무 또는 세기를 검출할 수 있다.

도 10 내지 도 13은 본 발명의 기술적 사상의 다른 실시예에 따른 배선 회로 테스트 장치를 나타내는 구성도들이다.

이하에서 설명하는 배선 회로 테스트 장치들(20, 30, 40, 50)을 구성하는 각각의 구성 요소 및 상기 구성 요소의 기능은 앞서 도 1에서 설명한 바와 실질적으로 동일하거나 유사하다. 따라서, 설명의 편의를 위하여 배선 회로 테스트 장치(10, 도 1 참조)와 차이점을 중심으로 설명하도록 한다.

도 10을 참조하면, 본 발명의 배선 회로 테스트 장치(20)는 자계(magnetic field)(MF)를 이용하여 비접촉식으로 회로 기판(200)에 포함된 배선(220)의 이상 유무를 테스트하는 장치이다. 상기 배선 회로 테스트 장치(20)는 전극(310), 자기신호 생성부(320), 광학 센서(330), 광학부(140), 신호 처리부(150), 영상 처리부(160), 판단부(170), 및 제어부(180)를 포함할 수 있다.

전극(310)은 자기신호 생성부(320)에 연결될 수 있고, 자기신호를 회로 기판(200)에 인가할 수 있다.

상기 전극(310)은 회로 기판(200) 하부의 아래에 배치될 수 있다. 물론, 상기 전극(310)이 배치되는 위치가 이에 한정되는 것은 아니다. 이해의 편의를 위해, 상기 전극(310)으로부터 발생하는 자계(MF)를 해칭으로 간단히 표시하고 있지만, 실제 발생되는 자계(MF)의 형태는 이와 다를 수 있다.

자기신호 생성부(320)는 자계 생성용 자기신호를 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 자기신호 생성부(320)는 솔레노이드 코일을 이용하여 자기신호를 생성하고, 생성된 자기신호를 전극(310)을 통해 자계(MF)로 회로 기판(200)에 인가시킴으로써, 회로 기판(200)에서 자계(MF)가 발생되도록 할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 자기신호 생성부(320)는 상기 전극(310)과 일체로 구성될 수 있다.

광학 센서(330)는 회로 기판(200)에서 방출하는 자계(MF)를 검출할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 광학 센서(330)는 자기 광학 결정을 이용한 센서일 수 있다. 다만, 상기 광학 센서(330)의 종류가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 자계(MF)를 효과적으로 검출할 수 있는 모든 종류의 광학 센서(330)가 배선 회로 테스트 장치(20)에 적용될 수 있다.

상기 광학 센서(330)에 의한 자계(MF)의 검출은 자계 세기에 대한 직접적인 검출이 아니라 자계 세기에 대한 정보를 알 수 있는 신호에 대한 검출일 수 있다. 예를 들어, 상기 광학 센서(330)는 자기신호 또는 광신호를 검출할 수 있고, 검출된 자기신호 또는 광신호에는 자계 세기에 대한 정보가 포함될 수 있다.

도 11을 참조하면, 본 발명의 배선 회로 테스트 장치(30)는 전계(EF)를 이용하여 비접촉식으로 회로 기판(200)에 포함된 배선(220)의 이상 유무를 테스트하는 장치이다. 상기 배선 회로 테스트 장치(30)는 전극(110), 전기신호 생성부(120), 광학 센서(130), 광학부(340), 신호 처리부(150), 영상 처리부(160), 판단부(170), 및 제어부(180)를 포함할 수 있다.

광학부(340)는 광학 소자(341) 및 광원 소자(343)를 포함할 수 있다. 상기 광원 소자(343)로부터 생성된 광(L1, L2)은 광학 센서(130)로 입사되고, 상기 광학 센서(130)로부터 반사된 광(L1)은 상기 광학 소자(341)에서 신호 처리부(150)로 입사시킬 수 있다.

상기 광학 소자(341) 및 상기 광원 소자(343)는 상기 광학 센서(130) 중심의 가상의 법선으로부터 소정의 각도(θ)를 가지고 이격되어 배치될 수 있다. 상기 광원 소자(343)는 광(L1, L2)을 생성하고, 생성된 광(L1, L2)을 상기 광학 센서(330)로 소정의 각도(θ)를 가지도록 입사시킬 수 있다. 상기 광원 소자(343)는 광학 이미지를 촬영할 수 있는 기능을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광원 소자(343)는 촬상부(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 촬상부는 상기 광원 소자(343)와 일체를 이루거나, 또는 상기 광원 소자(343)와 인접하여 배치될 수 있다.

도 12를 참조하면, 본 발명의 배선 회로 테스트 장치(40)는 전계(EF)를 이용하여 비접촉식으로 회로 기판(200)에 포함된 배선(220)의 이상 유무를 테스트하는 장치이다. 상기 배선 회로 테스트 장치(40)는 제1 전극(110), 제2 전극(112), 전기신호 생성부(120), 광학 센서(130), 광학부(140), 신호 처리부(150), 영상 처리부(160), 판단부(170), 및 제어부(180)를 포함할 수 있다.

제1 및 제2 전극(110, 112)은 전기신호 생성부(120)에 전기적으로 연결되고, 전기신호를 회로 기판(200)에 인가할 수 있다. 상기 제1 및 제2 전극(110, 112)은 전기 전도성이 우수한 금속으로 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 제2 전극(112)은 투명 전극으로 형성될 수 있다.

본 발명의 배선 회로 테스트 장치(40)에서, 상기 제1 전극(110)이 회로 기판(200)의 하부에 배치되고, 상기 제2 전극(112)은 회로 기판(200)의 상부에 배치될 수 있다. 다만, 상기 제1 및 제2 전극(110, 112)의 위치가 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 제1 및 제2 전극(110, 112) 각각은 평판 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(110)은 회로 기판(200) 하면에 대응하는 평판 형태를 가지며, 상기 제2 전극(112)은 회로 기판(200) 상면의 테스트 영역(TA)에 대응하는 평판 형태를 가질 수 있다. 상기 제1 및 제2 전극(110, 112)은 서로 동일한 형태를 가질 수 있고, 또는 서로 다른 형태를 가질 수 있다.

상기 제1 및 제2 전극(110, 112) 각각은 회로 기판(200)으로부터 이격되어 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 제2 전극(112)은 광학 센서(130)와 일체를 구성할 수 있다.

전기신호 생성부(120)는 전계 생성용 전기신호를 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 전기신호 생성부(120)는 전기신호를 생성하고, 전기신호를 제1 및 제2 전극(110, 112)을 통해 회로 기판(200)에 인가시킴으로써, 회로 기판(200)에서 전계(EF)가 방출되도록 할 수 있다.

일부 실시예들에서, 전기신호 생성부(120)의 양극 단자에 제1 전극(110)이 연결되고, 음극 단자에 제2 전극(112)이 연결될 수 있다. 이에 따라, 전계의 방향은 제1 전극(110)에서 제2 전극(112)으로 향할 수 있다.

도 13을 참조하면, 본 발명의 배선 회로 테스트 장치(50)는 전계(EF)를 이용하여 비접촉식으로 회로 기판(200A)에 포함된 배선(220A)의 이상 유무를 테스트하는 장치이다. 상기 배선 회로 테스트 장치(50)는 제1 전극(110), 제2 전극(112), 전기신호 생성부(120), 광학 센서(130), 광학부(140), 신호 처리부(150), 영상 처리부(160), 판단부(170), 및 제어부(180)를 포함할 수 있다.

본 발명의 배선 회로 테스트 장치(50)는 제1 전극(110)의 배치 위치가 배선 회로 테스트 장치(40, 도 12 참조)와 다를 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 배선 회로 테스트 장치(50)에서, 제1 전극(110)은 회로 기판(200A)의 상부에 배치될 수 있다. 다시 말해, 제1 및 제2 전극(110, 112)은 회로 기판(200A)의 동일한 면 상에 배치될 수 있다.

회로 기판(200A)은, 제1 전극(110)이 배치된 테스트 영역(TA')의 패드(230)와 제2 전극(112)이 배치된 테스트 영역(TA)의 패드(230)가 배선(220A)을 통해 전기적으로 서로 연결된 구조를 가질 수 있다. 이와 같이, 패드들(230)이 배선(220A)을 통해 서로 전기적으로 연결된 경우, 제1 및 제2 전극(110, 112)을 회로 기판(200A)의 동일한 면 상에 배치하여 테스트를 수행할 수 있다.

도 14a 및 도 14b는 도 12 및 도 13의 배선 회로 테스트 장치에서 제1 및 제2 전극을 이용하여 신호를 형성하는 원리를 나타내는 단면도들이다.

도 14a 및 도 14b를 같이 참조하면, 도 14a는 회로 기판(200)에 전계(EF)를 인가하고 회로 기판(200)의 상부에 별도의 제2 전극(112)이 배치되지 않은 상태를 나타내고, 도 14b는 회로 기판(200)에 전계(EF')를 인가하고 회로 기판(200)의 상부에 평판 형태의 제2 전극(112)이 배치된 상태를 나타낸다.

한편, 회로 기판(200)으로의 전계(EF, EF')는 제1 전극(110)을 이용하여 회로 기판(200)의 하면에서 인가할 수 있다. 물론, 제1 전극(110)을 이용하여 회로 기판(200)의 상면에서 인가할 수도 있다.

회로 기판(200)에 전계(EF, EF')가 인가되면 패드들(230) 각각에 대응하는 위치에서 전계(EF, EF')의 세기가 상대적으로 높게 나타나고, 패드들(230) 사이에 대응하는 위치에서 전계(EF, EF')의 세기가 상대적으로 낮게 나타날 수 있다. 또한, 제2 전극(112)이 회로 기판(200)의 상부에 배치되는 경우와 배치되지 않은 경우의 전계(EF, EF')의 형태가 달라질 수 있다.

구체적으로, 도 14a와 같이 제2 전극(112)이 존재하지 않는 경우, 패드들(230)에 대응하는 부분의 전계(EF)와 패드들(230) 사이 부분의 전계(EF)의 세기 차이가 크지 않을 수 있다. 그에 따라, 전체 전계(EF)의 방사 형태는 마루와 골의 위치 차이가 작은 부드러운 굴곡 형태를 가질 수 있다.

이와 비교하여, 도 14b와 같이 제2 전극(112)이 존재하는 경우, 패드들(230)에 대응하는 부분의 전계(EF')와 패드들(230) 사이 부분의 전계(EF')의 세기 차이가 크게 나타날 수 있다. 이는 제2 전극(112)이 전위차를 크게 하고 패드들(230)에 대응하는 부분의 전계(EF')의 세기를 증폭시키기 때문이다. 따라서, 전체 전계(EF')의 방사 형태는 마루와 골의 위치 차이가 큰 날카로운 굴곡 형태를 가질 수 있다.

도 15는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 배선 회로 테스트 방법을 나타내는 블록도이다.

도 15를 참조하면, 배선과 상기 배선과 연결된 패드가 형성된 회로 기판을 준비하는 제1 단계(S100), 상기 회로 기판을 전극과 광학 센서 사이에 배치하는 제2 단계(S200), 상기 전극을 동작하여, 상기 회로 기판에서 신호를 생성하는 제3 단계(S300), 광학부로 초점을 확인하여, 상기 광학 센서의 위치를 조절하는 제4 단계(S400), 상기 광학부로부터 상기 광학 센서로 광을 조사하여, 상기 광학 센서의 신호 이미지를 검출하고, 상기 회로 기판의 광학 이미지를 촬영하는 제5 단계(S500), 상기 신호 이미지와 상기 광학 이미지를 매칭하여, 상기 패드에 연결된 배선의 저항 데이터를 산출하는 제6 단계(S600), 및 상기 저항 데이터에 기초하여, 상기 배선의 이상 여부를 판단하는 제7 단계(S700)를 포함하는 배선 회로 테스트 방법을 나타낸다.

상기 제1 내지 제7 단계(S100 내지 S700)를 거쳐 최종적으로 회로 기판의 이상 유무는 판단부에서 회로 기판의 설계 데이터와 저항 데이터에 기초하여 판단할 수 있다. 구체적으로, 회로 기판의 설계 데이터, 즉, 배선, 패드, 및 연결 단자의 위치나 연결 구조 등에 대한 데이터가 판단부에 미리 입력될 수 있다. 또한, 판단부에는 회로 기판의 기준 전계 그래프 및/또는 배선들의 기준 저항이 미리 입력될 수 있다. 이후, 테스트가 수행된 회로 기판에 대한 신호 이미지가 신호 처리부로 입력되고, 광학 이미지가 영상 처리부로 입력되어 판단부에서 회로 기판의 정상 유무를 판단하게 된다.

본 발명의 배선 회로 테스트 방법에서, 회로 기판의 이상 유무는 회로 기판 상에 설정된 몇 개의 테스트 영역에서만 전계를 검출하여 판단할 수도 있고, 회로 기판 전체에 대해서 전계를 검출하여 판단할 수도 있다.

예를 들어, 본 발명의 배선 회로 테스트 방법에서, 회로 기판의 테스트는 웨이퍼 레벨에서 이루어질 수 있다. 즉, 하나의 웨이퍼에는 수십 내지 수백 개의 회로 기판이 포함될 수 있고, 이러한 회로 기판 각각에 대해서 본 발명의 배선 회로 테스트 방법에 의한 전계의 검출이 수행되어 이상 유무가 판단될 수 있다.

도 16 내지 도 18은 도 15의 배선 회로 테스트 방법에서 추가적인 단계를 포함하는 블록도들이다.

도 16을 참조하면, 광학 센서의 위치가 적절한가 판단하는 단계(S410)에서, 광학 센서의 위치가 적절한 경우(YES), 제5 단계(S500)를 수행한다. 만약, 광학 센서의 위치가 적절하지 않은 경우(NO), 제어부는 광학 센서와 회로 기판 간의 간격 및 광학 센서의 틸트 각도 등을 조절할 수 있다.

제어부는 광학부에서 광학 센서와 회로 기판의 초점을 조절하여 정확한 신호 이미지 및 광학 이미지를 얻을 수 있도록 광학 센서의 위치 및 각도를 조절하는 기능을 수행할 수 있다.

도 17을 참조하면, 회로 기판의 배선이 정상인가 판단하는 단계(S710)에서, 회로 기판의 배선이 정상인 경우(YES), 배선 회로 테스트 방법을 종료한다. 만약, 회로 기판의 배선이 비정상인 경우(NO), 원인을 분석하는 단계(S720)를 수행하고, 원인 분석 후, 배선 회로 테스트 방법을 종료한다.

본 발명의 배선 회로 테스트 방법은 불량 분석 설비에도 이용될 수 있다. 불량 분석 설비는 어느 패드 또는 어느 배선에 문제가 있는지 및/또는 배선의 어느 부분에 문제가 있는지 등을 정밀하게 분석하는 설비이다. 따라서, 본 발명의 배선 회로 테스트 방법은 전계의 검출을 통하여 이상이 있는 패드 및/또는 배선을 검출하여, 각각의 배선 별로 불량 원인을 정밀하게 분석할 수 있다.

도 18을 참조하면, 회로 기판의 배선이 정상인가 판단하는 단계(S710)에서, 회로 기판의 배선이 정상인 경우(YES), 회로 기판에 후속 공정을 진행하는 단계(S730)를 수행한다. 만약, 회로 기판의 배선이 비정상인 경우(NO), 원인을 분석하는 단계(S720)를 수행하고, 원인 분석 후, 배선 회로 테스트 방법을 종료한다.

상기 후속 공정은 예를 들어, 회로 기판 상에 반도체 칩들을 적층하고 밀봉재로 몰딩하여 패키지 구조체를 형성하는 공정 및 패키지 구조체를 절단하여 각각의 반도체 패키지로 개별화하는 공정을 포함할 수 있다.

배선이 비정상인 회로 기판은 폐기될 수 있다. 다만, 수리할 수 있는 경우에는 회로 기판에 대한 수리 공정이 추가로 수행될 수 있다.

도 19는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 배선 회로 테스트 장치를 통해 테스트된 반도체 패키지를 나타내는 단면도이다.

도 19를 참조하면, 본 발명의 배선 회로 테스트 장치(10, 20, 30, 40, 50)를 통해 테스트 된 회로 기판(200)을 포함하는 반도체 패키지(1000)는 회로 기판(200), 반도체 칩들(500, 600, 700), 및 패키지 기판(800)을 포함할 수 있다.

반도체 칩들(500, 600, 700)은 메모리 칩 및/또는 로직 칩일 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 칩들(500, 600, 700)은 모두 동일한 종류의 메모리 칩일 수도 있고, 또는 상기 반도체 칩들(500, 600, 700) 중 하나는 메모리 칩이고, 또 다른 하나는 로직 칩일 수 있다.

상기 메모리 칩은 휘발성 또는 비휘발성 메모리 칩일 수 있다. 상기 휘발성 메모리 칩은 예를 들어, DRAM(dynamic random access memory), SRAM(static RAM), 또는 TRAM(thyristor RAM)과 같이 현존하는 휘발성 메모리 칩과 현재 개발 중인 휘발성 메모리 칩을 포함할 수 있다. 또한, 상기 비휘발성 메모리 칩은 예를 들어, 플래시(flash) 메모리, MRAM(magnetic RAM), STT-MRAM(spin-transfer torque MRAM), FRAM(ferroelectric RAM), PRAM(phase change RAM), 또는 RRAM(resistive RAM)과 같이 현존하는 비휘발성 메모리 칩과 현재 개발 중인 비휘발성 메모리 칩을 포함할 수 있다.

상기 로직 칩은 예를 들어, 마이크로 프로세서, 그래픽 프로세서, 신호 프로세서, 네트워크 프로세서, 칩셋, 오디오 코덱, 비디오 코덱, 애플리케이션 프로세서, 또는 시스템 온 칩(System on Chip) 등으로 구현될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 반도체 칩들(500, 600, 700)은 미세 범프들(510, 610, 710)을 통해 회로 기판(200) 또는 하부의 반도체 칩들(500, 600) 상에 적층될 수 있다. 한편, 반도체 칩들(500, 600)은 미세 범프들(510, 610), 관통 전극들(520, 620), 및 내부 배선들(미도시)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.

상기 반도체 칩들(500, 600, 700)은 본 발명의 배선 회로 테스트 장치(10, 20, 30, 40, 50)를 통해 테스트 된 회로 기판(200)을 이용하여 패키지 기판(800)에 적층될 수 있다. 회로 기판(200)은 기판(210), 배선(220), 패드(230), 및 연결 단자(240)를 포함하여 반도체 칩들(500, 600, 700)을 패키지 기판(800)에 전기적으로 연결할 수 있다.

패키지 기판(800)은 하부에 범프 또는 솔더볼과 같은 외부 연결 단자(810)를 포함할 수 있다. 그에 따라, 반도체 패키지(1000)는 외부 연결 단자(810)를 통해 다른 외부 장치 상에 실장될 수 있다.

이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 기술적 사상의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

10, 20, 30, 40, 50: 배선 회로 테스트 장치
110: 전극 120: 전기신호 생성부
130: 광학 센서 131: 광학 기판
133: 패턴 반사층 140: 광학부
150: 신호 처리부 160: 영상 처리부
170: 판단부 180: 제어부
200: 기판 1000: 반도체 패키지
SI: 신호 이미지 PI: 광학 이미지

Claims

내부에 배선이 형성되고, 상면에 상기 배선과 연결된 패드가 형성된 회로 기판;
상기 회로 기판의 하면 아래에 배치된 전극;
상기 회로 기판의 상면 위에 배치되고, 상기 회로 기판의 상면에서 방출되는 신호를 검출하는 광학 센서; 및
상기 광학 센서 위에 배치되고, 광을 조사하는 광학부;를 포함하고,
상기 광학 센서는
상기 신호에 의해 광 특성이 변화하는 광학 기판; 및
상기 회로 기판과 마주보는 상기 광학 기판의 일면에 형성되고, 상기 광학 기판으로 입사하는 상기 광을 반사시키는 제1 영역과 상기 광을 투과시키는 제2 영역을 구비하는 패턴 반사층;
을 포함하고,
상기 제1 영역은, 제1 방향으로 연장하고 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 서로 이격되는 복수의 제1 라인을 포함하고,
상기 제2 영역은, 상기 제1 방향으로 연장하고 상기 제2 방향으로 서로 이격되는 복수의 제2 라인을 포함하고,
상기 제1 라인과 상기 제2 라인은 서로 교대로 반복하여 배치되어,
상기 패턴 반사층은 스트라이프(stripe) 패턴을 가지는 배선 회로 테스트 장치.
삭제
내부에 배선이 형성되고, 상면에 상기 배선과 연결된 패드가 형성된 회로 기판;
상기 회로 기판의 하면 아래에 배치된 전극;
상기 회로 기판의 상면 위에 배치되고, 상기 회로 기판의 상면에서 방출되는 신호를 검출하는 광학 센서; 및
상기 광학 센서 위에 배치되고, 광을 조사하는 광학부;를 포함하고,
상기 광학 센서는
상기 신호에 의해 광 특성이 변화하는 광학 기판; 및
상기 회로 기판과 마주보는 상기 광학 기판의 일면에 형성되고, 상기 광학 기판으로 입사하는 상기 광을 반사시키는 제1 영역과 상기 광을 투과시키는 제2 영역을 구비하는 패턴 반사층;
을 포함하고,
상기 제1 영역은 서로 직교하는 제1 및 제2 방향으로 교차하며 배치되고,
상기 제2 영역은 상기 제1 영역이 형성되지 않은 부분에 도트 패턴으로 서로 이격되며 배치되어,
상기 패턴 반사층은 메쉬(mesh) 패턴을 가지는 배선 회로 테스트 장치.
제1항 및 제3항 중 어느 하나에 있어서,
상기 패드 각각은 상기 제1 및 제2 영역과 모두 오버랩되는 것을 특징으로 하는 배선 회로 테스트 장치.
제1항 및 제3항 중 어느 하나에 있어서,
상기 신호는 전계(electric field)이고,
상기 광학 센서는 전기 광학 센서인 것을 특징으로 하는 배선 회로 테스트 장치.
제1항 및 제3항 중 어느 하나에 있어서,
상기 신호는 자계(magnetic field)이고,
상기 광학 센서는 자기 광학 센서인 것을 특징으로 하는 배선 회로 테스트 장치.
제1항 및 제3항 중 어느 하나에 있어서,
상기 전극 및 상기 광학 센서 각각은 상기 회로 기판으로부터 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 배선 회로 테스트 장치.
내부에 배선이 형성되고, 상면에 상기 배선과 연결된 패드가 형성된 회로 기판;
상기 회로 기판의 하면 아래에 배치된 전극;
상기 회로 기판의 상면 위에 배치되고, 상기 회로 기판의 상면에서 방출되는 신호를 검출하는 광학 센서; 및
상기 광학 센서 위에 배치되고, 광을 조사하는 광학부;를 포함하고,
상기 광학 센서는
상기 신호에 의해 광 특성이 변화하는 광학 기판; 및
상기 회로 기판과 마주보는 상기 광학 기판의 일면에 형성되고, 상기 광학 기판으로 입사하는 상기 광을 반사시키는 제1 영역과 상기 광을 투과시키는 제2 영역을 구비하는 패턴 반사층;
을 포함하고,
상기 제1 영역에서 반사된 광을 분석하여, 상기 배선의 저항 데이터를 산출하는 신호 처리부; 및
상기 제2 영역에서 투과된 광을 이용하여, 상기 패드의 위치 데이터를 검출하는 영상 처리부;
를 더 포함하는 배선 회로 테스트 장치.
제1항 및 제3항 중 어느 하나에 있어서,
상기 광학 센서와 상기 회로 기판 간의 간격 및 상기 광학 센서의 틸트 각도를 조절하는 제어부;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 회로 테스트 장치.
제1항 및 제3항 중 어느 하나에 있어서,
상기 광학 기판으로 조사되는 상기 광의 입사각은 소정의 각도를 가지는 것을 특징으로 하는 배선 회로 테스트 장치.
삭제
삭제
배선과 상기 배선과 연결된 패드가 형성된 회로 기판을 준비하는 단계;
상기 회로 기판을 전극과 광학 센서 사이에 배치하는 단계;
상기 전극을 동작하여, 상기 회로 기판에서 신호를 생성하는 단계;
광학부로 초점을 확인하여, 상기 광학 센서의 위치를 조절하는 단계;
상기 광학부로부터 상기 광학 센서로 광을 조사하여, 상기 광학 센서의 신호 이미지를 검출하고, 상기 회로 기판의 광학 이미지를 촬영하는 단계;
상기 신호 이미지와 상기 광학 이미지를 매칭하여, 상기 패드에 연결된 배선의 저항 데이터를 산출하는 단계; 및
상기 저항 데이터에 기초하여, 상기 배선의 이상 여부를 판단하는 단계;
를 포함하는 배선 회로 테스트 방법.
제13항에 있어서,
상기 광학 센서는
상기 신호에 의해 광 특성이 변화하는 광학 기판; 및
상기 회로 기판과 마주보는 상기 광학 기판의 일면에 형성되고, 상기 광학 기판으로 입사하는 상기 광을 반사시키는 제1 영역과 상기 광을 투과시키는 제2 영역을 구비하는 패턴 반사층;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 회로 테스트 방법.
제14항에 있어서,
상기 패턴 반사층은 상기 제1 및 제2 영역이 이루는 스트라이프 패턴을 가지거나, 또는
상기 패턴 반사층은 상기 제1 및 제2 영역이 이루는 메쉬 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 배선 회로 테스트 방법.
제14항에 있어서,
상기 패드 각각은 상기 제1 및 제2 영역과 모두 오버랩되는 것을 특징으로 하는 배선 회로 테스트 방법.
제13항에 있어서,
상기 신호는 전계이고, 상기 광학 센서는 전기 광학 센서이거나, 또는
상기 신호는 자계이고, 상기 광학 센서는 자기 광학 센서인 것을 특징으로 하는 배선 회로 테스트 방법.
제13항에 있어서,
상기 신호 이미지는 상기 배선의 저항 데이터를 산출하기 위해 활용되고,
상기 광학 이미지는 상기 패드의 위치 데이터를 검출하기 위해 활용되는 것을 특징으로 하는 배선 회로 테스트 방법.
제18항에 있어서,
상기 저항 데이터를 산출하는 단계는 신호 처리부에서 수행되고,
상기 광학 이미지를 촬영하는 단계는 영상 처리부에서 수행되는 것을 특징으로 하는 배선 회로 테스트 방법.
제13항에 있어서,
상기 광학 센서의 위치를 조절하는 단계에서,
상기 광학 센서와 상기 회로 기판 간의 간격 및 상기 광학 센서의 틸트 각도는 제어부에서 수행되는 것을 특징으로 하는 배선 회로 테스트 방법.