JP3063369B2 - 磁界検出装置 - Google Patents
磁界検出装置Info
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- JP3063369B2 JP3063369B2 JP4077397A JP7739792A JP3063369B2 JP 3063369 B2 JP3063369 B2 JP 3063369B2 JP 4077397 A JP4077397 A JP 4077397A JP 7739792 A JP7739792 A JP 7739792A JP 3063369 B2 JP3063369 B2 JP 3063369B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超高速電子デバイス等
の高速電気信号を測定する光サンプリング装置において
用いられる磁界検出装置に関し、特に磁気光学結晶を用
いた磁界検出装置に関する。
の高速電気信号を測定する光サンプリング装置において
用いられる磁界検出装置に関し、特に磁気光学結晶を用
いた磁界検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザの分野において数ピコ秒から数フ
ェムト秒の光パルスを得ることが可能であり、この光パ
ルスをサンプリング・オシロスコープのサンプリング・
パルスとして用いるのが光サンプリング装置である。こ
の装置によれば、従来の電気的手法で測定できなかった
高速な信号を測定することが可能であり、被測定素子に
プローブ等を接触させる必要がないことから素子に影響
を与えずに測定することが可能である。
ェムト秒の光パルスを得ることが可能であり、この光パ
ルスをサンプリング・オシロスコープのサンプリング・
パルスとして用いるのが光サンプリング装置である。こ
の装置によれば、従来の電気的手法で測定できなかった
高速な信号を測定することが可能であり、被測定素子に
プローブ等を接触させる必要がないことから素子に影響
を与えずに測定することが可能である。
【０００３】図５は従来の光サンプリング装置の一例を
示す構成ブロック図である。図５において１はパルス・
レーザ、２は演算表示手段、３は受光素子、４は偏光
子、５は電界検出手段、６は被測定回路、７は演算表示
手段２及び被測定回路６を駆動する駆動手段である。
示す構成ブロック図である。図５において１はパルス・
レーザ、２は演算表示手段、３は受光素子、４は偏光
子、５は電界検出手段、６は被測定回路、７は演算表示
手段２及び被測定回路６を駆動する駆動手段である。
【０００４】パルス・レーザ１からの光出力１０１は偏
光子４を通過して電界検出手段５及び被測定回路６に入
射される。この時、被測定回路６が駆動手段７により動
作していれば入射光は電界検出手段５の電気光学効果に
より偏波面が変化して反射される。被測定回路６からの
反射光は偏光子４に入射され、ここで特定偏波面を有す
る光信号のみが分岐されて受光素子３に入射される。受
光素子３の出力信号は演算表示手段２において演算処理
され、その結果が表示される。
光子４を通過して電界検出手段５及び被測定回路６に入
射される。この時、被測定回路６が駆動手段７により動
作していれば入射光は電界検出手段５の電気光学効果に
より偏波面が変化して反射される。被測定回路６からの
反射光は偏光子４に入射され、ここで特定偏波面を有す
る光信号のみが分岐されて受光素子３に入射される。受
光素子３の出力信号は演算表示手段２において演算処理
され、その結果が表示される。
【０００５】光サンプリング装置では、測定される高速
な電気信号を実時間で処理することは不可能であるた
め、一般にサンプリング法を用いて低速の現象として処
理する。図６はサンプリング法の原理を示すタイミング
図である。被測定回路６を駆動する駆動手段７の駆動信
号１００の繰り返し周波数ｆをパルス・レーザ１の光出
力１０１の繰り返し周波数ｆ0 よりもΔｆずらしてサン
プリングする。図６において（ａ）は被測定回路６の被
測定信号、即ち繰り返し周波数ｆ、（ｂ）はパルス・レ
ーザ１の光出力１０１の繰り返し周波数ｆ0 、（ｃ）は
演算表示手段２において測定される信号のタイミング図
をそれぞれ示している。
な電気信号を実時間で処理することは不可能であるた
め、一般にサンプリング法を用いて低速の現象として処
理する。図６はサンプリング法の原理を示すタイミング
図である。被測定回路６を駆動する駆動手段７の駆動信
号１００の繰り返し周波数ｆをパルス・レーザ１の光出
力１０１の繰り返し周波数ｆ0 よりもΔｆずらしてサン
プリングする。図６において（ａ）は被測定回路６の被
測定信号、即ち繰り返し周波数ｆ、（ｂ）はパルス・レ
ーザ１の光出力１０１の繰り返し周波数ｆ0 、（ｃ）は
演算表示手段２において測定される信号のタイミング図
をそれぞれ示している。
【０００６】被測定信号は繰り返し周波数ｆ0 により図
６中“イ“、“ロ“、“ハ“、“ニ“のように繰り返し
波形の一部分を順次ずらしながら抜取り（ｃ）の波形を
得ることになるので、被測定信号は繰り返し周波数Δｆ
で再現されることになる。このことを式で表すと、 ｆ＝ｎ×ｆ0＋Δｆ (1) 但し、ｎは整数。 となる。このため、サンプリング法の時間分解能は被測
定信号を抜き取る信号の時間幅、即ち、パルス・レーザ
１の光出力１０１のパルス幅によって決定する。
６中“イ“、“ロ“、“ハ“、“ニ“のように繰り返し
波形の一部分を順次ずらしながら抜取り（ｃ）の波形を
得ることになるので、被測定信号は繰り返し周波数Δｆ
で再現されることになる。このことを式で表すと、 ｆ＝ｎ×ｆ0＋Δｆ (1) 但し、ｎは整数。 となる。このため、サンプリング法の時間分解能は被測
定信号を抜き取る信号の時間幅、即ち、パルス・レーザ
１の光出力１０１のパルス幅によって決定する。
【０００７】また、図７は図５における電界検出手段５
及び被測定回路６を詳細に示した構成ブロック図であ
る。図７において５ａは電気光学材料、６及び６ａは被
測定回路、１０１ａは偏光子４を通過したパルス・レー
ザ１の光出力、２００及び２００ａは被測定回路６及び
６ａを駆動することによって生じる電界である。
及び被測定回路６を詳細に示した構成ブロック図であ
る。図７において５ａは電気光学材料、６及び６ａは被
測定回路、１０１ａは偏光子４を通過したパルス・レー
ザ１の光出力、２００及び２００ａは被測定回路６及び
６ａを駆動することによって生じる電界である。
【０００８】図７（Ａ）は被測定回路６ａに電気光学効
果を有するＧａＡｓやＩｎＰ等の材料を用いている場合
の例である。従って、被測定回路６ａを駆動することに
よって生じる電界２００ａにより光出力１０１ａは偏波
面が変化して入射光とは異なる偏波面となり反射され
る。
果を有するＧａＡｓやＩｎＰ等の材料を用いている場合
の例である。従って、被測定回路６ａを駆動することに
よって生じる電界２００ａにより光出力１０１ａは偏波
面が変化して入射光とは異なる偏波面となり反射され
る。
【０００９】図７（Ｂ）は被測定回路６がシリコン等の
電気光学効果を有しない場合の例である。この場合、電
気光学材料５ａとしてタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ
3 ）やＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4 ）等の電気光学効果を有
する結晶材料を被測定回路６の近傍に配置し、被測定回
路６の動作によって生じる漏れ電界２００により光出力
１０１ａの偏波面を変化させる。
電気光学効果を有しない場合の例である。この場合、電
気光学材料５ａとしてタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ
3 ）やＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4 ）等の電気光学効果を有
する結晶材料を被測定回路６の近傍に配置し、被測定回
路６の動作によって生じる漏れ電界２００により光出力
１０１ａの偏波面を変化させる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図７（Ａ）に
示す構成では基板がＧａＡｓやＩｎＰ等に限定されるだ
けではなく、基板への入射部分に電極を設けることがで
きず、また、光学的な研磨面でなければならず、限られ
た素子の測定にしか使用できない。一方、図７（Ｂ）に
示す構成では図７（Ａ）に示す構成のような制約はない
ものの、現状では集積回路の一部分を測定するために設
計されているため、被測定回路間の厳密な位置調整が必
要となり、微動ステージ等の精密機構が必要となる。
また、素子によっては電界よりも電流を測定したい場合
があり、この場合には電流により生じる磁界を検出する
必要がある。従って本発明の目的は、厳密な位置調整が
不要な磁界検出装置を実現することにある。
示す構成では基板がＧａＡｓやＩｎＰ等に限定されるだ
けではなく、基板への入射部分に電極を設けることがで
きず、また、光学的な研磨面でなければならず、限られ
た素子の測定にしか使用できない。一方、図７（Ｂ）に
示す構成では図７（Ａ）に示す構成のような制約はない
ものの、現状では集積回路の一部分を測定するために設
計されているため、被測定回路間の厳密な位置調整が必
要となり、微動ステージ等の精密機構が必要となる。
また、素子によっては電界よりも電流を測定したい場合
があり、この場合には電流により生じる磁界を検出する
必要がある。従って本発明の目的は、厳密な位置調整が
不要な磁界検出装置を実現することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明では、光サンプリング装置で用いられ
る磁気光学結晶を用いた磁界検出装置において、入射光
を通過させ、戻り光信号のうち特定偏波面を有する光信
号のみを分岐する偏光子と、この偏光子を通過した光を
入射し、動作点を光学的にバイアスする働きをする波長
板と、被測定電極に流れる電流によって生じる磁界によ
り磁気光学効果を生じ、前記波長板を通過する光の偏波
面を変化させる磁気光学結晶と、この磁気光学結晶に設
けられ、その電位が基準電位に設定された電極と、前記
磁気光学結晶を通過した光を反射して前記磁気光学結晶
と前記波長板とを介して前記偏光子に導く反射面と、前
記磁気光学結晶と前記被測定電極との間に形成された誘
電体層とを備えたことを特徴とするものである。
るために、本発明では、光サンプリング装置で用いられ
る磁気光学結晶を用いた磁界検出装置において、入射光
を通過させ、戻り光信号のうち特定偏波面を有する光信
号のみを分岐する偏光子と、この偏光子を通過した光を
入射し、動作点を光学的にバイアスする働きをする波長
板と、被測定電極に流れる電流によって生じる磁界によ
り磁気光学効果を生じ、前記波長板を通過する光の偏波
面を変化させる磁気光学結晶と、この磁気光学結晶に設
けられ、その電位が基準電位に設定された電極と、前記
磁気光学結晶を通過した光を反射して前記磁気光学結晶
と前記波長板とを介して前記偏光子に導く反射面と、前
記磁気光学結晶と前記被測定電極との間に形成された誘
電体層とを備えたことを特徴とするものである。
【００１２】
【作用】被測定電極に接触させた誘電体層と磁気光学結
晶に設けられた基準電圧に設定された電極間に生じる磁
界により入射光の偏光面が変化し、特定偏波面を有する
光信号を検出することによって磁界強度を測定する。
晶に設けられた基準電圧に設定された電極間に生じる磁
界により入射光の偏光面が変化し、特定偏波面を有する
光信号を検出することによって磁界強度を測定する。
【００１３】
【実施例】以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。
図１は本発明に係る磁界検出装置の第１の実施例を示す
構成図である。図１において４は偏光子、８及び１７は
光ファイバー、９及び１６はレンズ、１０は１／２波長
板、１１は１／４波長板、１２は磁気光学結晶、１３は
被測定電極に接触させた誘電体層、１４は磁気光学結晶
１２の端面に設けられ、基準電圧に設定されている透明
な電極、１５は被測定電極である。また、５０は偏光子
４、レンズ９及び１６、１／２波長板１０、１／４波長
板１１、磁気光学結晶１２、誘電体層１３、電極１４か
ら構成される磁界検出装置、２０１は被測定電極１５を
流れる電流によって生じる磁界の内、誘電体層１３と電
極１４との間を通過する磁界である。
図１は本発明に係る磁界検出装置の第１の実施例を示す
構成図である。図１において４は偏光子、８及び１７は
光ファイバー、９及び１６はレンズ、１０は１／２波長
板、１１は１／４波長板、１２は磁気光学結晶、１３は
被測定電極に接触させた誘電体層、１４は磁気光学結晶
１２の端面に設けられ、基準電圧に設定されている透明
な電極、１５は被測定電極である。また、５０は偏光子
４、レンズ９及び１６、１／２波長板１０、１／４波長
板１１、磁気光学結晶１２、誘電体層１３、電極１４か
ら構成される磁界検出装置、２０１は被測定電極１５を
流れる電流によって生じる磁界の内、誘電体層１３と電
極１４との間を通過する磁界である。
【００１４】図１に示す実施例の動作を説明する。パル
スレーザからの光出力１０１は光ファイバー８によって
レンズ９に入射される。レンズ９に入射された光信号は
偏光子４、１／２波長板１０、１／４波長板１１、電極
１４及び磁気光学結晶１２を通過して図１中”イ”の反
射面、図１では磁気光学結晶１２の下面に到達し、この
反射面で反射される。この時、誘電体層１３と電極１４
との間を通過する磁界２０１により磁気光学結晶１２は
通過する光信号の偏光面を変化させる。磁気光学結晶１
２からの戻り光信号１０２は再び１／４波長板１１、１
／２波長板１０を通過して偏光子４に入射される。偏光
子４では特定偏波面を有する光信号１０３のみが分岐さ
れてレンズ１６を介して光ファイバー１７に入射され受
光素子に導かれる。光ファイバー１７に入射された光信
号１０３の光強度は磁界の大きさに比例する。ここで、
１／２波長板１０は光信号の偏光面と磁気光学結晶１２
の方位を最適化し、一方、１／４波長板１１は磁気光学
結晶１２の動作点を光学的にバイアスする働きをする。
スレーザからの光出力１０１は光ファイバー８によって
レンズ９に入射される。レンズ９に入射された光信号は
偏光子４、１／２波長板１０、１／４波長板１１、電極
１４及び磁気光学結晶１２を通過して図１中”イ”の反
射面、図１では磁気光学結晶１２の下面に到達し、この
反射面で反射される。この時、誘電体層１３と電極１４
との間を通過する磁界２０１により磁気光学結晶１２は
通過する光信号の偏光面を変化させる。磁気光学結晶１
２からの戻り光信号１０２は再び１／４波長板１１、１
／２波長板１０を通過して偏光子４に入射される。偏光
子４では特定偏波面を有する光信号１０３のみが分岐さ
れてレンズ１６を介して光ファイバー１７に入射され受
光素子に導かれる。光ファイバー１７に入射された光信
号１０３の光強度は磁界の大きさに比例する。ここで、
１／２波長板１０は光信号の偏光面と磁気光学結晶１２
の方位を最適化し、一方、１／４波長板１１は磁気光学
結晶１２の動作点を光学的にバイアスする働きをする。
【００１５】この結果、偏光子４で分岐された光信号１
０３を検出することにより磁界強度を測定することがで
きる。また、誘電体層１３を被測定電極１５に接触させ
るだけで特に厳密な位置調整を必要としない。さらに、
誘電体層１３を被測定電極１５に接触させるため、常に
安定した磁界強度を測定することができる。
０３を検出することにより磁界強度を測定することがで
きる。また、誘電体層１３を被測定電極１５に接触させ
るだけで特に厳密な位置調整を必要としない。さらに、
誘電体層１３を被測定電極１５に接触させるため、常に
安定した磁界強度を測定することができる。
【００１６】なお、図２は本発明に係る磁界検出装置の
第２の実施例を示す部分構成図である。ここで、４、
８、９、１１、１６及び１７は図１と同一符号を付して
ある。図２において１８は光ファイバーである。磁気光
学結晶１２（図中非表示）からの戻り光信号１０２は偏
光子４により２つの光信号１０３及び１０４に分岐さ
れ、これら２つの光信号１０３及び１０４を光ファイバ
ー１７及び１８にそれぞれ入射し、両者を受光素子で電
気信号に変換した後、各々の電気信号の差を取って検出
信号とする。光信号１０３及び１０４は互いに逆相であ
るが、パルスレーザの不安定性や光ファイバー８で発生
するノイズ成分等は同相であるので、その差を取ること
によりこれらノイズ成分を除去することができる。
第２の実施例を示す部分構成図である。ここで、４、
８、９、１１、１６及び１７は図１と同一符号を付して
ある。図２において１８は光ファイバーである。磁気光
学結晶１２（図中非表示）からの戻り光信号１０２は偏
光子４により２つの光信号１０３及び１０４に分岐さ
れ、これら２つの光信号１０３及び１０４を光ファイバ
ー１７及び１８にそれぞれ入射し、両者を受光素子で電
気信号に変換した後、各々の電気信号の差を取って検出
信号とする。光信号１０３及び１０４は互いに逆相であ
るが、パルスレーザの不安定性や光ファイバー８で発生
するノイズ成分等は同相であるので、その差を取ること
によりこれらノイズ成分を除去することができる。
【００１７】図３は磁気光学結晶１２と誘電体層１３と
の間に空気層を設けた第３の実施例を示す部分構成図で
ある。１２から１５、１０１、１０２及び”イ”は図１
と同一符号を付してある。図３において２０１ａは磁
界、”ロ”は空気層である。第３の実施例では空気層”
ロ”を設けたことにより磁気光学結晶１２にかかる磁界
強度が弱くなるため検出感度が低下するが、インピーダ
ンスが極めて高くなるので測定対象に与える影響を低減
することができる。例えば、ＧａＡｓ等の超高速デバイ
ス等の測定に適している。
の間に空気層を設けた第３の実施例を示す部分構成図で
ある。１２から１５、１０１、１０２及び”イ”は図１
と同一符号を付してある。図３において２０１ａは磁
界、”ロ”は空気層である。第３の実施例では空気層”
ロ”を設けたことにより磁気光学結晶１２にかかる磁界
強度が弱くなるため検出感度が低下するが、インピーダ
ンスが極めて高くなるので測定対象に与える影響を低減
することができる。例えば、ＧａＡｓ等の超高速デバイ
ス等の測定に適している。
【００１８】図４は磁界方向と光パルスの方向を直交さ
せた第４の実施例を示す部分構成図である。１３、１
５、１０１及び１０２は図１と同一符号を付してある。
図３において１２ａは磁気光学結晶、１４ａは磁気光学
結晶１２ａの表面に設けられた電極、”ハ”は反射面、
２０１ｂは磁界である。
せた第４の実施例を示す部分構成図である。１３、１
５、１０１及び１０２は図１と同一符号を付してある。
図３において１２ａは磁気光学結晶、１４ａは磁気光学
結晶１２ａの表面に設けられた電極、”ハ”は反射面、
２０１ｂは磁界である。
【００１９】図１から図３において光の反射面を磁気光
学結晶下面としているが、誘電体上面若しくは他の反射
面を設けてもよい。１／２波長板１０は、磁気光学結晶
１２と偏光子４の回転角度を最適に設定すれば省略可能
である。
学結晶下面としているが、誘電体上面若しくは他の反射
面を設けてもよい。１／２波長板１０は、磁気光学結晶
１２と偏光子４の回転角度を最適に設定すれば省略可能
である。
【００２０】また、誘電体層１３は被測定電極１５から
の距離を一定に保ち、磁気光学結晶１２を保護するため
のものであるので省略してもよい。
の距離を一定に保ち、磁気光学結晶１２を保護するため
のものであるので省略してもよい。
【００２１】また、レンズ９及び１６はどちらか一方で
もよい。一般に光ファイバー８は単一モードファイバー
を使用するが、光ファイバー１７若しくは１８はコア径
の大きい光ファイバーを用いる方が光の損失が少なく、
位置ずれの許容差が大きく取れる。従って、光ファイバ
ー８と光ファイバー１７若しくは１８とのコア径の差が
ある場合はレンズ１６を省略してもよい。
もよい。一般に光ファイバー８は単一モードファイバー
を使用するが、光ファイバー１７若しくは１８はコア径
の大きい光ファイバーを用いる方が光の損失が少なく、
位置ずれの許容差が大きく取れる。従って、光ファイバ
ー８と光ファイバー１７若しくは１８とのコア径の差が
ある場合はレンズ１６を省略してもよい。
【００２２】また、磁気光学結晶１２に設けた電極１４
は透明な電極でなはく、光信号が通過する部分だけに穴
をあけた構造でもよく、電極を磁気光学結晶１２の側面
に設けてもよい。
は透明な電極でなはく、光信号が通過する部分だけに穴
をあけた構造でもよく、電極を磁気光学結晶１２の側面
に設けてもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明によれば次のような効果がある。厳密な位置調整
が不要な磁界検出装置を実現できる。また、誘電体層を
被測定電極に接触させるため、常に安定した磁界強度を
測定することができる。
本発明によれば次のような効果がある。厳密な位置調整
が不要な磁界検出装置を実現できる。また、誘電体層を
被測定電極に接触させるため、常に安定した磁界強度を
測定することができる。
【図１】本発明に係る磁界検出装置の第１の実施例を示
す構成図である。
す構成図である。
【図２】本発明に係る磁界検出装置の第２の実施例を示
す部分構成図である。
す部分構成図である。
【図３】本発明に係る磁界検出装置の第３の実施例を示
す部分構成図である。
す部分構成図である。
【図４】本発明に係る磁界検出装置の第４の実施例を示
す部分構成図である。
す部分構成図である。
【図５】従来の光サンプリング装置の一例を示す構成ブ
ロック図である。
ロック図である。
【図６】サンプリング法の原理を示すタイミング図であ
る。
る。
【図７】図５における電界検出手段５及び被測定回路６
を詳細に示した構成ブロック図である。
を詳細に示した構成ブロック図である。
１ パルス・レーザ ２ 演算表示手段 ３ 受光素子 ４ 偏光子 ５，５ａ 電界検出手段 ６，６ａ 被測定回路 ７ 駆動手段 ８，１７，１８ 光ファイバー ９，１６ レンズ １０ １／２波長板 １１ １／４波長板 １２，１２ａ 磁気光学結晶 １３ 誘電体層 １４，１４ａ 電極 １５ 被測定電極 ５０ 磁界検出装置 １００ 駆動信号 １０１，１０１ａ 光出力 １０２，１０３，１０４ 光信号 ２００，２００ａ 電界 ２０１，２０１ａ，２０１ｂ 磁界
Claims (1)
- 【請求項１】光サンプリング装置で用いられる磁気光学
結晶を用いた磁界検出装置において、 入射光を通過させ、戻り光信号のうち特定偏波面を有す
る光信号のみを分岐する偏光子と、 この偏光子を通過した光を入射し、動作点を光学的にバ
イアスする働きをする波長板と、 被測定電極に流れる電流によって生じる磁界により磁気
光学効果を生じ、前記波長板を通過する光の偏波面を変
化させる磁気光学結晶と、 この磁気光学結晶に設けられ、その電位が基準電位に設
定された電極と、 前記磁気光学結晶を通過した光を反射して前記磁気光学
結晶と前記波長板とを介して前記偏光子に導く反射面
と、 前記磁気光学結晶と前記被測定電極との間に形成された
誘電体層と を備えたことを特徴とする磁界検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4077397A JP3063369B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 磁界検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4077397A JP3063369B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 磁界検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05281313A JPH05281313A (ja) | 1993-10-29 |
| JP3063369B2 true JP3063369B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=13632766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4077397A Expired - Fee Related JP3063369B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 磁界検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3063369B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3153852B1 (en) * | 2014-06-04 | 2019-02-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Inspection device and method for disposing magneto-optical crystal |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP4077397A patent/JP3063369B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05281313A (ja) | 1993-10-29 |
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