CN106537133A - 检查装置及磁光晶体的配置方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的一个方面的检查装置包含：光源，其输出光；MO晶体，其与半导体器件(D)相对地配置；物镜，其将自光源输出的光汇聚于MO晶体；保持器，其保持MO晶体；可挠性构件，其介于MO晶体与保持器之间；及物镜驱动部，其通过使保持器沿物镜的光轴方向移动，而使MO晶体抵接于半导体器件(D)；当MO晶体抵接于半导体器件(D)时，可通过可挠性构件的挠曲，而使MO晶体中的光的入射面于该入射面相对于与物镜的光轴正交的面的倾斜角度为物镜的孔径角以下的范围内，相对于与光轴正交的面倾斜。

Description

检查装置及磁光晶体的配置方法
技术领域
本发明的一个方面涉及一种利用光探测技术的检查装置及磁光晶体的配置方法。
背景技术
作为检查集成电路等测量对象物的技术，存在光探测技术，该光探测技术是将自光源出射的光照射至测量对象物，并通过光传感器检测出来自测量对象物的测量光(反射光)而获得检测信号。在此种光探测技术中，已知有如下方法：将磁光(MO：Magneto-Optical)晶体(例如参照专利文献1及2)与测量对象物的光照射面相对地配置，而检测出与MO晶体的磁光效应相对应的反射光，由此获得检测信号。
[现有技术文献]
[专利文献]
专利文献1：日本特开2005-241489号公报
[非专利文献]
非专利文献1：《利用脉冲激光的磁场波形测定》J.Magn.SOC.Jpn.,35,273-276(2011)
发明内容
[发明要解决的技术问题]
在上述利用MO晶体的方法中，如图13所示，MO晶体被固定在聚光用途中使用的透镜(例如物镜)的透镜面。继而，使该透镜靠近测量对象物的光照射面，而测量由测量对象物产生的磁场。然而，当测量对象物倾斜时，有时无法使测量对象物与MO晶体的距离充分靠近。在此情形时，有可能因检测灵敏度变差等而导致检测信号的检测精度降低。因此，本发明的一个方面的目的在于提供一种检测信号的检测精度得以提高的检查装置及磁光晶体的配置方法。
[用于解决技术问题的手段]
本发明的一个方面的检查装置是使用磁光探测检查测量对象物的装置，其包括：光源，其输出光；磁光晶体，其与测量对象物相对地配置；透镜部，其将来自光源的光汇聚于磁光晶体；保持器部，其保持磁光晶体；可挠性构件，其介于磁光晶体与保持器部之间；及驱动部，其通过使保持器部沿透镜部的光轴方向移动，而使磁光晶体抵接于测量对象物；在磁光晶体抵接于测量对象物时，通过可挠性构件的挠曲，而使磁光晶体中的光的入射面可在该入射面相对于与光轴正交的面的倾斜角度为透镜部的孔径角以下的范围内，相对于与光轴正交的面倾斜。
又，本发明的一个方面的磁光晶体的配置方法是使用磁光探测检查测量对象物的方法，是将经由可挠性构件保持于保持器的磁光晶体与测量对象物相对地配置的方法，其中，将磁光晶体配置在物镜的光轴上，通过使保持器沿物镜的光轴方向移动，而使磁光晶体抵接于测量对象物，并且在磁光晶体抵接于测量对象物时，通过可挠性构件的挠曲，而使磁光晶体中的光的入射面在该入射面相对于与光轴正交的面的倾斜角度为物镜的孔径角以下的范围内倾斜。
在该检查装置及磁光晶体的配置方法中，在磁光晶体抵接于测量对象物时，通过可挠性构件的挠曲，而使磁光晶体的光的入射面相对于与光轴正交的面可倾斜。此处，在测量对象物相对于与光轴正交的面倾斜的情形时，在被沿光轴方向移动的驱动部移动的磁光晶体中，其一部分先于其他部分而被按压在测量对象物上。在该状态下，通过驱动部进一步沿同一方向的移动等，而使可挠性构件挠曲，且磁光晶体的其他部分也在对倾斜的测量对象物仿形的同时被按压在测量对象物上。即，利用可挠性构件的挠曲，可使磁光晶体的光的入射面形成与测量对象物的倾斜相对应的(沿着倾斜的)角度。由此，可使测量对象物与磁光晶体成为接触的状态(或接近的状态)，利用磁光晶体，可适当测量由测量对象物产生的磁场特性。又，由于将磁光晶体的入射面的倾斜设为透镜部的孔径角以下，故而可在透镜部中确实地检测由磁光晶体反射的光。根据以上情况，可在测量对象物倾斜的情形时，提高检测信号的检测精度。
在本发明的一个方面的检查装置中，也可以，可挠性构件在光轴方向上介于保持器部与磁光晶体之间。通过可挠性构件在光轴方向、即保持器部(及保持器部所保持的磁光晶体)移动的方向上介于保持器部与磁光晶体之间，在磁光晶体抵接于测量对象物时，可使可挠性构件与由该抵接产生的力相对应地适当挠曲。
在本发明的一个方面的检查装置中，也可以，在保持器部形成有使来自光源的光透过的开口部，并且自光轴方向观察时，磁光晶体存在于开口部的区域内。由此，在沿光轴方向移动的磁光晶体抵接于测量对象物时，可通过可挠性构件的挠曲，而使磁光晶体在开口部内移动，更确切而言，可将磁光晶体压抵在测量对象物上。
在本发明的一个方面的检查装置中，也可以，在可挠性构件上，在开口部与磁光晶体之间形成有使光透过的开口部。通过形成有该开口部，可挠性构件变得更易挠曲。又，由于可自该开口部识别磁光晶体，故而可使磁光晶体容易地抵接于测量对象物。
在本发明的一个方面的检查装置中，也可以，保持器部安装在透镜部上，并且驱动部通过使透镜部沿光轴方向移动，而使保持器部沿上述透镜部的光轴方向移动，使磁光晶体抵接于测量对象物。由此，可同时进行物镜的移动与保持器部的移动。又，保持器部也可具有：第1保持部，其直接保持磁光晶体；及第2保持部，其经由可挠性构件保持第1保持部。通过将保持器部形成为由第1保持部及第2保持部这2个保持部构成的结构，可根据测量对象物的形状或检查区域而灵活地使磁光晶体抵接于测量对象物。又，也可灵活地决定可挠性构件的位置等。进而，由于可形成可挠性构件与磁光晶体不直接接触的结构，故而可避免因可挠性构件而难以识别出磁光晶体的情况。
在本发明的一个方面的检查装置中，也可以，自光源输出的光为非相干光。由此，可减少磁光晶体内以及磁光晶体与测量对象物间因光的干涉引起的噪声。又，自光源输出的光也可以为1064nm以上的光。在测量对象物为半导体器件的情形时，可进行测量对象物的观察。
又，在本发明的一个方面的检查装置中，也可以，磁光晶体反射光的一部分，并使一部分透过。通过拍摄透过磁光晶体并由测量对象物反射的光，可一面识别测量对象物中的测量位置，一面使磁光晶体抵接于测量对象物。
在本发明的一个方面的检查装置中，也可以，可挠性构件具有弹性。由此，可使可挠性构件适当地挠曲并且将磁光晶体压抵在测量对象物上。
在本发明的一个方面的检查装置中，也可以，可挠性构件包含弹簧、橡胶、海绵、弹性膜中的至少任1者。由此，可使可挠性构件适当地挠曲，从而可容易地使测量对象物与磁光晶体成为接触的状态(或接近的状态)。
在本发明的一个方面的检查装置中，也可以，可挠性构件使光透过。由此，即便隔着可挠性构件也可识别磁光晶体，而使磁光晶体容易地抵接于测量对象物。
[发明的效果]
根据本发明的一个方面，可提供一种检测信号的检测精度得以提高的检查装置。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式的检查装置的构成图。
图2是图1的检查装置中的保持器部的剖视图。
图3是用以说明图1的检查装置中的MO晶体的图。
图4是用以说明图1的检查装置中的分光光学系统的图。
图5是用以说明图1的检查装置的作用效果的图。
图6是本发明的第2实施方式的检查装置中的保持器部的剖视图。
图7是本发明的第3实施方式的检查装置中的保持器部的剖视图。
图8是本发明的第4实施方式的检查装置中的保持器部的剖视图。
图9是变形例的检查装置的构成图。
图10是示意性地表示变形例的检查装置的保持器部的图。
图11是用以说明变形例的检查装置的分光光学系统的图。
图12是用以说明变形例的检查装置的可挠性构件的图。
图13是用以说明比较例的检查装置的图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行详细说明。再者，在各图中，对相同或者等同部分标注相同符号，并省略重复说明。
[第1实施方式]
如图1所示，第1实施方式的检查装置1是用以检查半导体器件D的装置，例如是在作为测量对象物且为被检查器件(DUT：Device Under Test)的半导体器件D中特定出异常产生部位等。作为半导体器件D，存在晶体管等具有PN结的集成电路(例如小规模集成电路(SSI：Small Scale Integration)、中规模集成电路(MSI：Medium Scale Integration)、大规模集成电路(LSI：Large Scale Integration)、超大规模集成电路(VLSI：Very LargeScale Integration)、特大规模集成电路(ULSI：Ultra Large Scale Integration)、千兆规模集成电路(GSI：Giga Scale Integration))、大电流用/高压用MOS(metal oxidesemiconductor，金属氧化物半导体)晶体管及双极晶体管等。又，测量对象物不仅为半导体器件D，例如也可以为如形成在玻璃面上的非晶晶体管、多晶硅晶体管、有机晶体管等薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)、或包含半导体器件的组件，进而也可以是复合基板。
在半导体器件D上，经由器件控制电缆而电连接有测试器单元11。测试器单元11是通过电源(未图示)而动作，对半导体器件D反复施加特定的调制电流信号(测试信号)。在半导体器件D中，伴随着该调制电流信号产生调制磁场。通过下述光传感器20检测与调制磁场相对应的光信号，可进行检测特定频率的测量光的锁相检测。再者，测试器单元11也可以不必施加调制电流信号，也可以施加产生与检测频率相对应的脉冲光的CW(continuouswave，连续波)电流信号。通过进行锁相检测，可提高S/N(signal/noise，信噪比)。测试器单元11通过时序信号电缆而电连接于频率解析部12。
检查装置1具有光源13。光源13通过电源(未图示)而动作，产生照射至下述MO晶体18(磁光晶体)及半导体器件D的CW(continuous wave)光或脉冲光并予以输出。自光源13输出的光可为非相干光，也可以为如激光这样的相干光。作为输出非相干光的光源13，可使用SLD(Super Luminescent Diode，超级发光二极管)或ASE(Amplified SpontaneousEmission，放大自发放射)光源、LED(Light Emitting Diode，发光二极管)等。又，作为输出相干光的光源13，可使用固体激光光源或半导体激光光源等。又，自光源13输出的光的波长为530nm以上，也可以为1064nm以上。自光源13输出的光经由保偏单模光耦合器(未图示)及探测光用的保偏单模光纤而被传导至分光光学系统14。继而，自光源13被传导至分光光学系统14的光进一步被传导至光扫描仪15。光源13、分光光学系统14、及光扫描仪15光学地结合。以下对分光光学系统14的详细情况进行叙述。
光扫描仪15例如由检流计镜或MEMS(micro electro mechanical system，微机电系统)镜等光扫描元件构成，对下述的MO晶体18的入射面18i上的选择区域(由用户选择的点或区域)照射(扫描)光。所谓MO晶体18中的选择区域，是由被计算机22控制的光扫描仪15二维地扫描的被选择的区域、或被选择的点。
物镜16(透镜部)将由分光光学系统14及光扫描仪15传导的光汇聚于MO晶体18。分光光学系统14、光扫描仪15、物镜16及MO晶体18相互光学地结合。物镜16构成为可通过镜头盘(未图示)等切换低倍率物镜(例如5倍)与高倍率物镜(例如50倍)。在可安装在物镜16的转接器25(参照图2)上连结有保持器17(保持器部)，该保持器17保持MO晶体18。也一面参照图2一面对保持器17的构件的详细情况进行说明。再者，在图1中，省略图2所示的构成及各构成间的连结状况的一部分而记载。
如图2所示，以覆盖物镜16的外周的方式，设置有以光轴OA为直径的中心的中空圆筒状的转接器25。进而，以覆盖转接器25的外周的方式设置有保持器17。保持器17是以光轴方向OD上的一端172的内表面与转接器25的外表面接触的状态固定在转接器25上。保持器17是以光轴OA为直径的中心的大致圆锥台形状，其直径随着自光轴方向OD上的一端172朝向另一端171而变小。在保持器17上形成有与另一端171中的直径相对应的开口部170。开口部170是形成在光轴OA上，而使来自光源13的光透过。再者，作为保持器17，可使用例如铝或不锈钢、工程塑料等的构件。
与物镜16一体化的保持器17通过物镜驱动部19(驱动部)而与物镜16一并沿光轴方向OD移动。物镜驱动部19安装在物镜16上，以使MO晶体18抵接于半导体器件D的方式使保持器17沿物镜16的光轴方向移动。通过物镜16沿光轴方向OD移动，可调整物镜16的焦点位置。又，通过保持器17沿光轴方向OD移动，可缩短保持器17与半导体器件D的距离，从而使保持器17所保持的MO晶体18压抵(抵接)在半导体器件D上。再者，物镜驱动部19也可具有使保持器17及物镜16分别独立地移动的机构。即，也可与使物镜16及保持器17一体地移动的机构分离，而具有使它们分别独立地移动的机构(例如滑动机构)。当MO晶体18与半导体器件D接触后，为了对焦等而必须使物镜16沿光轴方向OD移动。然而，若在接触后使物镜16及保持器17一体地沿光轴方向OD移动，则有可能对MO晶体18及半导体器件D施加过度的力。在此方面，当MO晶体18与半导体器件D接触后，通过将物镜16的移动与保持器17的移动分离，可使物镜16相对于MO晶体18相对地移动。
在保持器17的另一端171设置有环状的可挠性构件26。作为可挠性构件26，其外径与保持器17的另一端171的外径大致一致，且沿着保持器17的另一端171的形状设置。可挠性构件26在光轴方向OD上介于MO晶体18与保持器17之间，且与MO晶体18及保持器17两者都固定。可挠性构件26的内径小于保持器17的另一端171的内径。由此，在可挠性构件26上，在开口部170与MO晶体18之间形成有开口部29，该开口部29是使光透过的开口部，且其区域小于开口部170。由于开口部29的区域小于开口部170的区域，故而若自光轴方向OD观察，则可挠性构件26与开口部170的区域的一部分重叠。可挠性构件26是包含例如橡胶或弹簧等而构成的弹性构件。又，可挠性构件26只要为形状变形的构件即可，也可不必为弹性构件。
在可挠性构件26上固定有MO晶体18。若自光轴方向OD观察，则MO晶体18存在于开口部170的区域内。即，MO晶体18位于小于开口部170的区域且为在光轴方向OD上与开口部170重叠的区域。因此，MO晶体18固定在可挠性构件26中的自保持器17向开口部170侧突出的部分(自光轴方向OD观察与开口部170重叠的部分)。MO晶体18与半导体器件D中的光的照射面相对地配置，其中心位于光轴OA上。
此处，当MO晶体18抵接于半导体器件D时，存在例如将半导体器件D形成相对于与光轴OA正交的面倾斜的状态的情形。在此情形时，若形成MO晶体18的入射面不相对于与光轴OA正交的面倾斜(或者可无视的程度的倾斜)的状态，则MO晶体是其一部分较其他部分先抵接于半导体器件D。在此状态下，若物镜驱动部19进一步向同一方向移动，则可挠性构件26(尤其是与先抵接的部分接近的可挠性构件26)会挠曲(因弯曲、形变或伸长而变形)，MO晶体18的其他部分也以仿照半导体器件D的倾斜的方式被按压在半导体器件D上。即，通过可挠性构件26的挠曲(即，通过可挠性构件26的可挠性地变形)，可使MO晶体18的入射面18i相对于与光轴OA正交的面倾斜。再者，可挠性构件26是以如下方式选择厚度及硬度等：即便在通过挠曲而使MO晶体18的入射面倾斜的情形时，MO晶体18的入射面相对于与光轴OA正交的面的倾斜角度也为物镜16的孔径角以下。
再者，物镜16的孔径角θ是被定义为物镜16相对于光轴的最大角度，孔径角θ由以下的(1)式表示。
[数1]
NA是物镜16的数值孔径，n是物镜16的周围的介质的折射率。例如，在物镜16的数值孔径NA为0.14且物镜16的周围为空气(即，折射率n＝1)时，物镜16的孔径角成为θ＝±8.05°左右。
MO晶体18通过磁光效应，使自入射面18i输入的光的偏振状态根据由半导体器件D产生的磁场而变化。由此，可在例如在半导体器件D中产生漏电流等故障时，将因该故障导致的与通常不同的磁场的变化以光的偏振状态的形式输出。该光的偏振状态可通过下述光传感器20以光的强度的形式获得。也一面参照图3一面对MO晶体18的详细情况进行说明。
如图3所示，在MO晶体18中，在构成光的入射面18i的晶体生长基板181中的与入射面18i为相反侧的另一面181a，形成产生磁光效应的材料(例如磁性石榴石)的薄膜(例如1μm左右)，从而形成磁光效应层182。在磁光效应层182中的与晶体生长基板181为相反侧的面，为了高效率地吸收由半导体器件D产生的磁，而形成金等金属膜。该金属膜是也负责反射自入射面18i入射的光的任务的反射膜183。再者，也可对晶体生长基板181中的光的入射面18i进行抗反射加工。由此，可减少因入射面18i中的反射光与反射膜183中的反射光的干涉引起的干涉噪声。再者，反射膜183也可以例如以特定的比率使1064nm以上的波长的光透过且反射的材料。在此情形时，若将例如1300nm的光照射至MO晶体18，则一部分的光在透过反射膜183后，由半导体器件D反射而被检测出。又，例如，反射膜183也可以反射用以观察磁场的变化的波长且使用以观察半导体器件D的波长透过的材料。在此情形时，例如透过MO晶体18的波长的光由半导体器件D反射而被检测出，由MO晶体18反射的波长的光由MO晶体18反射而被检测出。由此，即便在半导体器件D上存在MO晶体18的状态下，也可通过拍摄透过MO晶体且由半导体器件D反射的光，而一面识别半导体器件D中的测量位置，一面将MO晶体18载置(抵接)在半导体器件D上。
返回至图1，将自光源13输出的光照射至MO晶体18，在MO晶体18中反射的反射光经由物镜16及光扫描仪15而返回至分光光学系统14，并经由返回光用的光纤而被传导至与分光光学系统14光学地结合的光传感器20。光传感器20例如为光电二极管、雪崩光电二极管、光电倍增管、或区域影像传感器等，接收来自MO晶体18的反射光，并输出检测信号。光传感器20具有2个检测器，通过检测被输入至该2个检测器的光的强度的差，而检测反射光的强度。
此处，也一面参照图4一面对分光光学系统14进行说明。分光光学系统14包含准直器141、147、148、快门142、偏向分光镜(以下记为PBS：Polarization Beam Splitter)143、145、及法拉第旋转器(以下记为FR：Faraday Rotator)144、146而构成，它们光学地结合。如图4所示，在将来自光源13的光经由光扫描仪15照射至MO晶体18时，首先，将来自光源13的光经由准直器141输入至快门142。快门142只要为可控制光的开/关(ON/OFF)者即可。继而，将自快门142输出的光输入至PBS143。PBS143以使偏振成分为0度的光透过且反射90度的光的方式设定。又，PBS143是与来自快门142的光的偏振相配合而设定。因此，PBS143使来自快门142的光透过。透过PBS143的偏振成分为0度的光被输入至使输入光的偏振面倾斜(旋转)45度的FR144，从而其偏振成分成为45度。
透过FR144的光被输入至PBS145。PBS145以使偏振成分为45度的光透过且反射135度的光的方式设定。因此，透过了FR144的光透过PBS145。透过了PBS145的光被输入至使输入光的偏振面倾斜22.5度的FR146，而作为偏振成分为67.5度的光被输入至光扫描仪15。该光被照射至MO晶体18。
来自MO晶体18的反射光是根据与由半导体器件D产生的磁场(磁场强度)成比例的克尔效应或(及/或)法拉第效应，而使偏振面旋转。该反射光通过FR146使偏振面倾斜22.5度，而被输入至PBS145。该反射光通过PBS145而被分割成偏振成分为135度的光及45度的光。偏振成分为135度的光由PBS145反射并经由准直器147而被输入至光传感器20的一个光检测器。自该光可检测出“返回光(反射光)量的一半+与克尔效应或法拉第效应相对应的光量”的信号。另一方面，偏振成分为45度的光透过PBS145并通过FR144使偏振面倾斜45度而成为偏振成分为90度的光并被输入至PBS143。该偏振成分为90度的光由PBS143反射并经由准直器148而被输入至光传感器20的另一光检测器。自该光可检测出“返回光(反射光)量的一半－与克尔效应或法拉第效应相对应的光量”的信号。继而，通过检测光传感器20的2个检测器的差，可检测出与克尔效应或法拉第效应(偏振的旋转量)相对应的光信号。由此，可推定由半导体器件D产生的磁场(磁场强度)的变化，例如，可检测出因故障引起的与通常不同的磁场的变化。
返回至图1，自光传感器20输出的检测信号由放大器21放大而作为放大信号输入至频率解析部12。光传感器20、放大器21及频率解析部12电结合。频率解析部12提取放大信号中的测量频率成分，而将该提取的信号作为解析信号输出。测量频率是基于例如施加至半导体器件D的调制电流信号的调制频率而设定。作为频率解析部12，使用锁相放大器或频谱分析仪、数字转化器、Cross Domain Analyzer(注册商标)等。
由频率解析部12输出的解析信号被输入至计算机22。计算机22例如为PC(personal computer，个人计算机)等。在计算机22上连接有自用户输入测量条件等的键盘或鼠标等输入设备24、及用以对用户显示测量结果等的显示器等显示设备23。计算机22包含处理器。计算机22通过处理器，执行控制光源13、光扫描仪15、物镜驱动部19、测试器单元11、光传感器20及频率解析部12等的功能、及基于来自频率解析部12的解析信号制作磁分布图像或磁频率图等的功能。
其次，对检查装置1的测量步骤进行说明。在该测量步骤中，包含将经由可挠性构件26保持于保持器17的MO晶体18与半导体器件D相对地配置的步骤(方法)。
首先，使用未安装MO晶体18的物镜16，确认半导体器件D中的MO晶体18的配置。MO晶体18是以例如避开半导体器件D上的障碍物(尤其是引线接合)的位置的方式配置。
继而，控制镜头盘(turret)(未图示)，将安装有MO晶体18的物镜16设置在半导体器件D上，由此将MO晶体18配置在物镜16的光轴上。继而，自光源13照射MO晶体18的反射膜183可使光透过的波长的光，通过光传感器20检测出来自半导体器件D的反射光。基于该检测出的光，制作半导体器件D的照射面的反射图像。一面确认该反射图像，一面以使MO晶体18与半导体器件D的照射面的距离逐渐靠近的方式，使物镜驱动部19沿光轴方向OD移动。由此，MO晶体18抵接于半导体器件D。在物镜驱动部19具有滑动机构等，而可使物镜16及保持器17分别独立地移动的情形时，当MO晶体18抵接于半导体器件D后，即便物镜16移动也可使保持器17(即MO晶体18)不移动。因此，可不自MO晶体18对半导体器件D施加过度的力，而通过MO晶体18的自重或另外设置在物镜16与保持器17间的弹簧等弹性构件的力，将MO晶体18压抵在半导体器件D上。
在MO晶体18与半导体器件D抵接的状态下，可挠性构件26以使MO晶体18的底面的大致整体仿照半导体器件D的照射面(器件面)而MO晶体的底面及入射面18i相对于物镜16的与光轴OA正交的面倾斜的方式挠曲(变形)。若该可挠性构件26为弹性构件，则通过弹性构件的反弹力而使MO晶体18易于仿照半导体器件D。由此，可将MO晶体18与半导体器件D的间隙形成为最小限度，从而可实现分辨率的提高及S/N的提高。
在将MO晶体18设置在半导体器件D上之后，自测试器单元11对半导体器件D施加电流信号。在进行锁相检测的情形时，将调制电流信号施加至半导体器件D。继而，将光自光源13经由光扫描仪15照射至MO晶体18。该光的波长可与上述将MO晶体18设置在半导体器件D上时的光的波长相同，也可以是在MO晶体18的反射膜183中进一步被反射的波长的光。又，光可为CW光也可为脉冲光。再者，在使用可透过MO晶体18的反射膜183的波长的光的情形时，有可能由半导体器件D的照射面(器件面)反射的光与由MO晶体18反射的光相互干涉而成为噪声。因此，优选通过照射非相干光，而减少因干涉引起的噪声。
继而，通过光传感器20检测出自MO晶体18反射的光而输出检测信号。此时，通过具备2个PBS143、145及2个FR144、146的分光光学系统14、以及光传感器20的2个光检测器，进行差检测。继而，通过放大器21将检测信号放大，而形成放大信号。继而，通过频率解析部12，将放大信号中的测量频率成分的信号作为解析信号输出。该测量频率成分是基于调制电流信号的频率而设定。再者，在不进行锁相检测的情形时，无须输出特定频率成分的信号，而将放大信号直接作为解析信号输出。
继而，通过计算机22控制光扫描仪15而变更MO晶体18中的光照射位置，在MO晶体18的入射面18i方向上扫描光的照射。以此方式，一面变更光照射位置，一面反复检测来自MO晶体18的反射光，由此可获得二维的磁场强度分布。又，在欲了解某一位置处的磁场的频率特性的情形时，只要将测量频率在欲了解的频带内切换，而获得磁频率图即可。再者，为了获得更高分辨率的磁场强度分布，只要变更光点径或扫描范围，并反复进行上述处理即可。
其次，对本实施方式的检查装置1的作用效果进行说明。
先前，已知有使用光束加热电阻变动法(OBIRCH(Optical Beam InducedResistance Change)法)检测漏电流的产生部位(泄漏通道)的技术，该光束加热电阻变动法是对测量对象物照射激光，检测因由激光产生的温度引起的电阻值变化。此处，OBIRCH法的特征在于检测电阻值变化，但在电流旁路用的电阻(漏电阻)非常小的情形时，因温度引起的电阻变化也变小，从而难以检测。又，在漏电流流动的配线位于其他配线之下的情形时，也难以通过OBIRCH法检测出。也存在自发热图像检测泄漏信道的方法，但该方法也存在因与OBIRCH法同样的理由而难以检测的情形。因此，较理想为通过除OBIRCH法以外的方法获得泄漏通道的方法。
作为其他方法，存在通过检测出利用MO晶体的磁光效应的反射光而获得检测信号的方法。在此种方法中，例如，如图13所示，使MO晶体18固定在聚光用途中使用的物镜316的透镜面316a，并且使该物镜316靠近测量对象物，由此测定在测量对象物中产生的磁场。然而，在测量对象物倾斜时，存在无法使测量对象物与MO晶体18的距离充分靠近的情形。在此情形时，有可能因检测灵敏度的变差等而导致检测信号的检测精度降低。
在此方面，在本实施方式的检查装置1中，当MO晶体18抵接于半导体器件D时，通过可挠性构件26的挠曲，而使MO晶体18的光的入射面18i相对于与光轴OA正交的面可倾斜。此处，例如，在半导体器件D相对于与光轴OA正交的面倾斜的情形时，在通过沿光轴方向OD移动的物镜驱动部19移动的MO晶体18中，其一部分先于其他部分被按压在半导体器件D上。在此状态下，若进一步将MO晶体18按压在半导体器件D上，则可挠性构件26(尤其是与先行按压在半导体器件D的MO晶体18接近的可挠性构件26)会挠曲(变形)，MO晶体18的其他部分也一面仿照倾斜的半导体器件D一面被按压在半导体器件D上(参照图5)。即，利用可挠性构件26的挠曲，可使MO晶体18的光的入射面18i形成与半导体器件D的倾斜相对应的(沿着倾斜的)角度。由此，可将半导体器件D与MO晶体18形成接触的状态(或接近的状态)，从而可利用MO晶体18，适当地测量在半导体器件D中产生的磁场特性。又，由于将MO晶体18的入射面18i相对于与物镜16的光轴OA正交的面的倾斜角度形成为物镜16的孔径角以下，故而可在物镜16中确实地检测由MO晶体18反射的光。根据以上情况，在半导体器件D倾斜的情形等时，通过将半导体器件D与MO晶体18形成接触的状态(或接近的状态)，可使检测信号的检测精度提高。
又，通过使可挠性构件26在光轴方向OD(即，保持器17及保持器17所保持的MO晶体移动的方向)上介于保持器17与MO晶体18之间，从而，当沿光轴方向OD移动的MO晶体抵接于半导体器件D时，可使可挠性构件26与由该抵接产生的力相对应地适当挠曲。由此，可使半导体器件D与MO晶体18更易于接触。
又，在保持器17上形成有使来自光源13的光透过的开口部170，自光轴方向OD观察时，MO晶体18存在于开口部170的区域内。由此，在沿光轴方向移动的MO晶体18抵接于半导体器件D时，可通过可挠性构件26的挠曲，而使MO晶体18在开口部170内移动。通过以此方式使MO晶体18在开口部170逸出，可更适当地进行仿照半导体器件D的倾斜的MO晶体18的压抵。
又，在可挠性构件26上，在开口部170与MO晶体18之间形成有使光透过的开口部29。通过形成有开口部29，例如与在可挠性构件不存在开口的情形相比可更容易挠曲。又，由于可自开口部29识别MO晶体18，故而可使MO晶体18容易地抵接于半导体器件D。
又，也可以通过将保持器17安装在物镜16上，物镜驱动部19使物镜16沿光轴方向OD移动，而使保持器17沿物镜16的光轴方向OD移动，从而使MO晶体18抵接于半导体器件D。由此，可同时进行物镜16的移动及保持器17的移动。
又，通过使自光源13输出的光为非相干光，可减少MO晶体18内以及MO晶体18与半导体器件D间因光的干涉引起的噪声。
又，由于MO晶体18反射光的一部分且使一部分透过，故而可一面识别半导体器件D中的测量位置，一面使MO晶体18抵接于半导体器件D。
又，可挠性构件26包含橡胶或弹簧等弹性构件而构成。由此，可使可挠性构件26适当挠曲，从而可容易地将半导体器件D与MO晶体18形成接触的状态(或接近的状态)。
[第2实施方式]
其次，参照图6，对第2实施方式的检查装置进行说明。再者，在第2实施方式的说明中，主要对与上述第1实施方式不同的方面进行说明。
如图6所示，本实施方式与上述第1实施方式不同的方面是如下方面：保持器17A包含直接保持MO晶体18A的保持器17y(第1保持部)、及经由可挠性构件26A保持保持器17y的保持器17x(第2保持部)的2个保持部。保持器17x具有与第1实施方式的保持器17相同的形状。即，保持器17x是以光轴方向OD上的一端172A的内表面与转接器25的外表面接触的状态固定在转接器25上，且为直径随着自一端172A朝向另一端171A变小的大致圆锥台形状。在保持器17A上形成有与另一端171A中的直径相对应的开口部170A。进而，在保持器17x的另一端171A，沿着另一端171A的形状而设置有环状的可挠性构件26A。可挠性构件26A的外形及内径与保持器17A的另一端171A的外径及内径大致一致。
在可挠性构件26A上固定有保持器17y。保持器17y是环状，且外径与可挠性构件26A大致一致。而且，在保持器17y的内周面固定有MO晶体18A。由此，利用保持器17y，直接保持(支持)MO晶体18A。
如此，通过将保持器17A形成由保持器17y及保持器17x的2个保持部构成的结构，可根据半导体器件D的形状或检查区域而灵活地使MO晶体18A抵接于半导体器件D。即，与通过1个保持器保持MO晶体的情形相比，可进行与半导体器件D相对应的检查。又，也可灵活地决定可挠性构件26A的位置等。进而，由于也可形成可挠性构件26A与MO晶体18A不直接接触的构成(固定在可挠性构件26上的保持器17y保持MO晶体18A的构成)，故而可形成自光轴方向OD观察可挠性构件26A与MO晶体18A不重叠(或重叠的区域较小)的构成。由此，在使MO晶体18A抵接于半导体器件D时，可避免因可挠性构件26A而难以识别MO晶体18A的情况。
[第3实施方式]
其次，参照图7，对第3实施方式的检查装置进行说明。再者，在第3实施方式的说明中，主要对与上述第1实施方式不同的方面进行说明。
如图7所示，本实施方式与上述第1实施方式不同的方面是如下方面：在光轴方向OD上位于与开口部170重叠的区域的MO晶体18B大于保持器17的开口部170的区域，且将固定在保持器17的另一端171的可挠性构件26B形成为与上述可挠性构件26相比更厚的构件。具体而言，作为可挠性构件26B，使用相对较厚的高反弹海绵等。
通过使MO晶体18B大于开口部170的区域，与使用小于开口部170的区域的MO晶体18的情形相比，无需使MO晶体18移动而能扩大可检查半导体器件D的范围。然而，在使用大于开口部170的区域的MO晶体18B的情形时，当MO晶体18B抵接于半导体器件D时，无法使MO晶体18B向开口部170侧逸出，而有可能无法适当进行MO晶体18B对半导体器件D的抵接。在此方面，在本实施方式中，由于将可挠性构件26B形成相对较厚的高反弹海绵，故而可使可挠性构件26B的变形量变大。因此，即便在无法使MO晶体18B向开口部170侧逸出的情形时，也可通过使可挠性构件26B较大地变形，而使MO晶体18B适当地压抵在半导体器件D上。
[第4实施方式]
其次，参照图8，对第4实施方式的检查装置进行说明。再者，在第4实施方式的说明中，主要对与上述第1实施方式不同的方面进行说明。
如图8所示，本实施方式与上述第1实施方式不同的方面是如下方面：在可挠性构件26D中未形成开口部，且可挠性构件26D为具有透光性的相对较薄的弹性膜。
如此，由于在可挠性构件26D中未形成开口部，使可挠性构件26D安装在保持器17的作业变得容易。此处，在可挠性构件26D上未设置使光透过的开口部的情形时，有难以识别MO晶体18的问题，但通过将可挠性构件26D形成为具有透光性的较薄的弹性膜，可无障碍地识别MO晶体18。即，可使MO晶体18容易地抵接于半导体器件D。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式。
例如，虽对通过物镜驱动部19使物镜16与保持器17一体地移动的情况进行了说明，但并不限定于此，也可如图9所示，与使物镜16移动的物镜驱动部19E分开地设置使保持器17E独立地移动的保持器驱动部31(驱动部)。保持器驱动部31安装在保持器17上，且以使MO晶体18抵接于半导体器件D的方式使保持器17沿物镜16的光轴方向移动。在此情形时，保持器17E可通过保持器驱动部31而沿光轴方向OD及与该光轴方向OD正交的面方向移动，而可将保持器17E插入至物镜16与半导体器件D之间，且可将MO晶体18配置在物镜16的光轴上。而且，通过计算机22控制保持器驱动部31，使其沿光轴方向OD移动，由此可将MO晶体18压抵在半导体器件D上。
又，保持器部的构成并不限于上述实施方式，也可以如图10所示，是使物镜16的镜筒具有作为保持器17F的功能而将弹性构件26F固定在该保持器17F上的构成。在此情形时，将MO晶体18固定在弹性构件26F的下表面。
又，也可形成如图11所示的分光光学系统14x那样，自图4的构成中各省略一个PBS及FR的构成。分光光学系统14x包含准直器141、258、快门142、PBS255及FR256而构成。在此情形时，首先，将来自光源13的光经由准直器141而输入至快门142。继而，将自快门142输出的光输入至PBS255。PBS255是以使偏振成分为0度的光透过且反射90度的光的方式设定。透过PBS255的偏振成分为0度的光被输入至使输入光的偏振面倾斜(旋转)22.5度的FR256，并照射至MO晶体18及半导体器件D。来自MO晶体18的反射光根据与在半导体器件D中产生的磁场(磁场强度)成比例的克尔效应或法拉第效应，而使偏振面旋转。该反射光通过FR256使偏振面倾斜22.5度，而由PBS255反射。该反射光经由准直器258被输入至光传感器20。以此方式检测出的检测信号虽并非如图4所示的例那样是被差检测出的，但通过使来自光源13的光的S/N比充分高，从而不存在问题。
又，在图4所示的分光光学系统14的构成中，也可在较PBS145更靠近光扫描仪15的位置设置有λ/4板。在此情形时，透过λ/4板的光成为圆偏振光而使返回光倾斜90度，但由于通过FR146而往返倾斜45度，故而可与图4所说明的例同样地适当地检测出光信号。同样地，在图11所示的分光光学系统14x的构成中，也可在较PBS255更靠近光扫描仪15的位置设置有λ/4板。在此情形时，返回光也倾斜90度，而被检测的偏振成分也倾斜90度，在检测偏振面的旋转方面不存在问题。
又，也可以如图12(a)所示，通过中空圆筒状(或环状)的保持器17g及发丝弹簧26g保持矩形状的MO晶体18的构成。再者，MO晶体18是使用小于保持器17g的开口部191的区域的。即，将3根发丝弹簧26g各个的一端固定在保持器17g的内周面，且将该3根发丝弹簧的另一端固定在MO晶体18上。具体而言，3根发丝弹簧26g是以大致相等间距使其一端固定在保持器17g的内周面。又，3根发丝弹簧26g中的一个是使另一端固定在MO晶体的入射面18i中1边的中央附近，剩余2个是使另一端固定在MO晶体18的入射面18i中与上述1边相对的边的两端附近。通过如此使MO晶体18的入射面18i被自保持器17g的内周面延伸的3根发丝弹簧26g固定，可使配置MO晶体18在自光轴方向OD观察时配置在开口部191的区域内。由此，当MO晶体18抵接于半导体器件D时，可使MO晶体18在开口部191逸出，从而可适当进行仿照半导体器件D的倾斜的MO晶体18的压抵。又，由于将3根发丝弹簧26g固定在MO晶体18中的相对的边中一边的中央附近及另一边的两端，故而在保持器17g支持MO晶体18的状态下，易于使MO晶体18的入射面18i大致平行于与光轴OA正交的面(MO晶体18不倾斜的状态)。由此，可将MO晶体18适当地压抵在半导体器件D。再者，在图12(a)中图示有3根发丝弹簧26g，但也可通过多于3根的根数的发丝弹簧26g保持MO晶体18。
又，也可以如图12(b)所示，通过中空圆筒状(或环状)的保持器17h、及发丝弹簧26h保持矩形状的MO晶体18的构成。再者，MO晶体18使用小于保持器17h的开口部192的区域的MO晶体。即，使4根发丝弹簧26h各个的一端以大致相等间距固定在保持器17h的内周面，且将该4根发丝弹簧26h的另一端固定在矩形状的MO晶体18的各侧边。4根发丝弹簧26h分别使用相同长度且相同材质，并以在一端固定在保持器17h的内周面另一端固定在MO晶体18的侧边的状态下，使配置有保持器17h的面与配置有MO晶体18的面大致一致的方式，决定长度及材质。通过如此使MO晶体18的各侧边被自保持器17h的内周面延伸的4根发丝弹簧26h固定，可使MO晶体18在自光轴方向OD观察时配置在开口部192的区域内。由此，当MO晶体18抵接于半导体器件D时，可使MO晶体18在开口部192逸出，从而可适当地进行仿照半导体器件D的倾斜的MO晶体18的压抵。又，由于MO晶体18是以与配置有保持器17h的面大致一致的方式配置，故而在保持器17h支持MO晶体18的状态下，容易形成MO晶体18的入射面18i大致平行于与光轴OA正交的面(MO晶体18不倾斜的状态)。由此，可适当地将MO晶体18压抵在半导体器件D上。再者，在图12(b)中，图示有4根发丝弹簧26h，但也可通过3根或多在4根的根数的发丝弹簧26h保持MO晶体18。
又，关于保持器17是以光轴OS为直径的中心的大致圆锥台形状进行了说明，但保持器部的形状并不限定于此，例如也可以直径不变化的圆筒状。又，保持器部也可以自安装在物镜的安装部的宽度方向两端沿光轴方向延伸的一对臂构件。在此情形时，在一对臂构件各个的前端(与安装在安装部的一侧为相反侧的端部)设置可挠性构件，且将MO晶体固定在各可挠性构件，由此可实现上述MO晶体对半导体器件的抵接及可挠性构件的变形。进而，保持器部也可以为大致圆锥台形状或圆筒状，且为在形成在保持MO晶体的一侧的端部的圆形的开口部设置有划分出开口部的连结部的构成。该连结部是形成例如以将开口部划分为大致扇状的3个区域的方式，自开口部的中心朝向保持器的内周面呈放射状地延伸的部件。而且，也可形成如下构成：通过在各连结部交叉的点(即开口部的中心)设置自各连结部沿光轴方向延伸的柱部，进而在该柱部的前端设置可挠性构件，从而将MO晶体固定在该可挠性构件上。通过该构成，也可实现上述MO晶体对半导体器件的压抵及可挠性构件的变形。
又，例示了物镜16作为透镜部，但并不限定于此，例如也可以是保持多个透镜且可对它们进行切换的镜头盘。
符号说明
1 检查装置
13 光源
15 光扫描仪
16 物镜(透镜部)
17、17A、17E、17F 保持器(保持器部)
18、18A、18B MO晶体
18i 入射面
19、19E 物镜驱动部(驱动部)
26、26A、26B、26D、26F 可挠性构件
29 开口部
31 保持器驱动部(驱动部)
170、170A 开口部
OD 光轴方向

Claims (10)

1.一种检查装置，其包括：
光源，其输出光；
磁光晶体，其与测量对象物相对地配置；
透镜部，其将所述光汇聚于所述磁光晶体；
保持器部，其保持所述磁光晶体；
可挠性构件，其介于所述磁光晶体与所述保持器部之间；及
驱动部，其通过使所述保持器部沿所述透镜部的光轴方向移动，而使所述磁光晶体抵接于所述测量对象物；
所述磁光晶体抵接于所述测量对象物时，通过所述可挠性构件的挠曲，而使所述磁光晶体中的所述光的入射面可在所述入射面相对于与所述光轴正交的面的倾斜角度为所述透镜部的孔径角以下的范围内倾斜。
2.如权利要求1所述的检查装置，其中，
所述可挠性构件在所述光轴方向上介于所述保持器部与所述磁光晶体之间。
3.如权利要求2所述的检查装置，其中，
在所述保持器部形成有使来自所述光源的所述光透过的开口部，并且
从所述光轴方向观察时，所述磁光晶体存在于所述开口部的区域内。
4.如权利要求3所述的检查装置，其中，
在所述可挠性构件上，在所述开口部与所述磁光晶体之间形成有使所述光透过的开口部。
5.如权利要求1～4中任一项所述的检查装置，其中，
所述保持器部安装在所述透镜部，并且
所述驱动部通过使所述透镜部沿所述光轴方向移动，而使所述保持器部沿所述透镜部的光轴方向移动，并使所述磁光晶体抵接于所述测量对象物。
6.如权利要求1～5中任一项所述的检查装置，其中，
所述光为非相干光。
7.如权利要求1～6中任一项所述的检查装置，其中，
所述光的波长为1064nm以上。
8.如权利要求1～7中任一项所述的检查装置，其中，
所述可挠性构件具有弹性。
9.如权利要求1～8中任一项所述的检查装置，其中，
所述磁光晶体使所述光的一部分反射，且使一部分透过。
10.一种方法，其是将经由可挠性构件保持在保持器的磁光晶体与测量对象物相对地配置的方法，其中，
将所述磁光晶体配置在物镜的光轴上，
通过使所述保持器沿所述物镜的光轴方向移动，而使所述磁光晶体抵接于所述测量对象物，并且
在所述磁光晶体抵接于所述测量对象物时，通过所述可挠性构件的挠曲，而使所述磁光晶体中的所述光的入射面在所述入射面相对于与所述光轴正交的面的倾斜角度为所述物镜的孔径角以下的范围内倾斜。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112204755A (zh) * 2018-05-29 2021-01-08 浜松光子学株式会社 光差分检测器及检查装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6821368B2 (ja) * 2016-09-29 2021-01-27 日置電機株式会社 検出センサおよび検査装置
KR20190051395A (ko) * 2017-11-06 2019-05-15 삼성전자주식회사 피검사 장치의 검사 시스템 및 방법
JP7202781B2 (ja) * 2018-03-20 2023-01-12 公益財団法人電磁材料研究所 磁気光学薄膜、磁気光学素子および磁界センサ
JP2019211424A (ja) * 2018-06-08 2019-12-12 国立研究開発法人情報通信研究機構 イメージング装置
KR102611983B1 (ko) * 2018-10-29 2023-12-08 삼성전자주식회사 배선 회로 테스트 장치 및 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN85103001A (zh) * 1985-04-01 1986-09-10 吉林大学 磁光效应联合测试仪
JP2004087141A (ja) * 2002-08-22 2004-03-18 Jeol Ltd 試料ステージ及び荷電粒子線装置
CN2720440Y (zh) * 2004-04-29 2005-08-24 西南科技大学 磁光涡流成像无损检测装置
US20100006771A1 (en) * 2008-07-08 2010-01-14 Hiroya Miyazaki Speciman holder and speciman holder movement device
WO2012049538A1 (en) * 2010-10-12 2012-04-19 Indian Institute Of Technology Kanpur Systems and methods for imaging characteristics of a sample and for identifying regions of damage in the sample
US20120274931A1 (en) * 2009-11-18 2012-11-01 Yuko Otani Defect detection method and defect detection device and defect observation device provided with same
WO2014050907A1 (ja) * 2012-09-28 2014-04-03 Ｊｆｅスチール株式会社 鋼板検査装置、鋼板検査方法、および鋼板製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63131116A (ja) 1986-11-21 1988-06-03 Hitachi Ltd 共焦点顕微鏡
JP2731039B2 (ja) * 1991-01-19 1998-03-25 日本飛行機 株式会社 探傷装置
US5149962A (en) 1991-06-03 1992-09-22 Simmonds Precision Products, Inc. Proximity detector using faraday effect and bidirectional transmission
JP3063369B2 (ja) 1992-03-31 2000-07-12 横河電機株式会社 磁界検出装置
DE4402059C1 (de) 1994-01-25 1995-04-27 Zeiss Carl Jena Gmbh Faraday-Mikroskop sowie Verfahren zu dessen Justierung
JP4656282B2 (ja) 2004-02-27 2011-03-23 日本電気株式会社 磁界測定装置
JP4351103B2 (ja) * 2004-03-31 2009-10-28 日本電子株式会社 試料ホルダおよび試料傾斜ホルダ
JP4712428B2 (ja) * 2005-04-25 2011-06-29 日本高圧電気株式会社 物体を測定する装置
EP2097758A2 (en) 2006-11-30 2009-09-09 North Sensor A/S Faraday effect current sensor
JP2013015437A (ja) 2011-07-05 2013-01-24 Toyota Motor Corp 電流センサ

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN85103001A (zh) * 1985-04-01 1986-09-10 吉林大学 磁光效应联合测试仪
JP2004087141A (ja) * 2002-08-22 2004-03-18 Jeol Ltd 試料ステージ及び荷電粒子線装置
CN2720440Y (zh) * 2004-04-29 2005-08-24 西南科技大学 磁光涡流成像无损检测装置
US20100006771A1 (en) * 2008-07-08 2010-01-14 Hiroya Miyazaki Speciman holder and speciman holder movement device
US20120274931A1 (en) * 2009-11-18 2012-11-01 Yuko Otani Defect detection method and defect detection device and defect observation device provided with same
WO2012049538A1 (en) * 2010-10-12 2012-04-19 Indian Institute Of Technology Kanpur Systems and methods for imaging characteristics of a sample and for identifying regions of damage in the sample
WO2014050907A1 (ja) * 2012-09-28 2014-04-03 Ｊｆｅスチール株式会社 鋼板検査装置、鋼板検査方法、および鋼板製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112204755A (zh) * 2018-05-29 2021-01-08 浜松光子学株式会社 光差分检测器及检查装置

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