JPH0580083A - 集積回路の試験方法および装置 - Google Patents
集積回路の試験方法および装置Info
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- JPH0580083A JPH0580083A JP3268704A JP26870491A JPH0580083A JP H0580083 A JPH0580083 A JP H0580083A JP 3268704 A JP3268704 A JP 3268704A JP 26870491 A JP26870491 A JP 26870491A JP H0580083 A JPH0580083 A JP H0580083A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 被測定集積回路の電気信号により生じる電界
により複屈折率が変化する電気光学材料にレーザ光を照
射し、電気光学材料の複屈折率の変化を検出して、被測
定集積回路の試験を行うのに、短時間で終了させる。 【構成】 レーザ１からのレーザパルス光２を対物レン
ズ６，電気光学材料７を介して被測定集積回路８に２次
元的に照射し、被測定集積回路８の各ノードで発生する
電界により、電気光学材料７のその部分の屈折率が変化
し、２次元的に照射したレーザ光の各ノードにおける光
強度の変化として光検出器アレイ１２で検出し、被測定
集積回路８の試験を行う。
により複屈折率が変化する電気光学材料にレーザ光を照
射し、電気光学材料の複屈折率の変化を検出して、被測
定集積回路の試験を行うのに、短時間で終了させる。 【構成】 レーザ１からのレーザパルス光２を対物レン
ズ６，電気光学材料７を介して被測定集積回路８に２次
元的に照射し、被測定集積回路８の各ノードで発生する
電界により、電気光学材料７のその部分の屈折率が変化
し、２次元的に照射したレーザ光の各ノードにおける光
強度の変化として光検出器アレイ１２で検出し、被測定
集積回路８の試験を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気光学材料の電界強
度に応じた複屈折率の変化を利用して、レーザ光の偏光
変化から電気信号を観測し、被測定集積回路の試験を行
う技術に関し、特に被測定集積回路内部の複数のノード
における電気信号を同時に測定し、集積回路の試験をす
る方法およびこの方法を実現するための装置に関するも
のである。
度に応じた複屈折率の変化を利用して、レーザ光の偏光
変化から電気信号を観測し、被測定集積回路の試験を行
う技術に関し、特に被測定集積回路内部の複数のノード
における電気信号を同時に測定し、集積回路の試験をす
る方法およびこの方法を実現するための装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】電気光学材料は電界強度に応じて複屈折
率が変化するので、該電気光学材料を接触あるいは近接
された被測定集積回路あるいは該電気光学材料を基板に
用いた被測定集積回路では、該被測定集積回路の電気信
号による電界変化により、該電気光学材料の複屈折率が
変化する。さらに、該電気光学材料にレーザ光を照射す
れば、この複屈折率の変化をレーザ光の偏光変化とする
ことができ、偏光板を用いればレーザ光強度の変化とす
ることができる。すなわち、レーザ光強度変化を観測す
ることにより、被測定集積回路の電気信号を検出するこ
とができる。特に、レーザ光としてパルス波を用い、電
気信号をサンプリング検出すると、パルス幅に相当する
時間分解能で電気信号を測定することが可能であり、電
気光学サンプリングと呼ばれている。
率が変化するので、該電気光学材料を接触あるいは近接
された被測定集積回路あるいは該電気光学材料を基板に
用いた被測定集積回路では、該被測定集積回路の電気信
号による電界変化により、該電気光学材料の複屈折率が
変化する。さらに、該電気光学材料にレーザ光を照射す
れば、この複屈折率の変化をレーザ光の偏光変化とする
ことができ、偏光板を用いればレーザ光強度の変化とす
ることができる。すなわち、レーザ光強度変化を観測す
ることにより、被測定集積回路の電気信号を検出するこ
とができる。特に、レーザ光としてパルス波を用い、電
気信号をサンプリング検出すると、パルス幅に相当する
時間分解能で電気信号を測定することが可能であり、電
気光学サンプリングと呼ばれている。
【０００３】従来の電気光学サンプリングによる集積回
路の試験方法として、図９に電気光学材料７を被測定集
積回路８に近接させる例を示した。図１０はこの光照射
部分の拡大断面図である。
路の試験方法として、図９に電気光学材料７を被測定集
積回路８に近接させる例を示した。図１０はこの光照射
部分の拡大断面図である。
【０００４】図９，図１０において、１はレーザで、レ
ーザパルス光２を発生する。３はレンズ、５はダイクロ
イックミラー、６は対物レンズ、７は電気光学材料で、
被測定集積回路８上に近接して配置される。１０は偏光
検出器、１１はレンズ、１３は照明光源、１４はレン
ズ、１５は照明光、１７は接眼レンズ、１８はカメラ、
２０は画像観測装置、２１は信号表示装置、２２は金属
配線、２３は電界、２５は石英基板、２６はプローブ上
下移動装置、２７は高反射膜、３１は単一光検出器を示
す。
ーザパルス光２を発生する。３はレンズ、５はダイクロ
イックミラー、６は対物レンズ、７は電気光学材料で、
被測定集積回路８上に近接して配置される。１０は偏光
検出器、１１はレンズ、１３は照明光源、１４はレン
ズ、１５は照明光、１７は接眼レンズ、１８はカメラ、
２０は画像観測装置、２１は信号表示装置、２２は金属
配線、２３は電界、２５は石英基板、２６はプローブ上
下移動装置、２７は高反射膜、３１は単一光検出器を示
す。
【０００５】具体的な試験方法は、照明光源１３により
照明された被測定集積回路８において、故障検出が予想
される単一のノードを画像観察装置２０により検索し、
該ノードからの電界２３により電気光学材料７の複屈折
率の変化している位置に対し、回折限界近くまで集光し
たレーザパルス光２を入射する。そして、電気光学材料
７からの反射光の強度変化を単一の光検出器３１により
観測し、目的とする単一のノードの電気信号を測定す
る。その後、故障原因を特定するために、測定するノー
ドの変更を行って、この作業を繰り返す。この方法は、
回折限界近くまで集光したレーザパルス光２を入射する
ことで、電界２３を検出する領域を小さくして隣接する
ノードの電界２３の影響を受けない状態とし、電気信号
に応じた光強度の変化を観測するので、一度に単一のノ
ードの電気信号しか測定することができない。このた
め、被測定集積回路８の試験を行う際に測定ノードの変
更を行う必要がある。
照明された被測定集積回路８において、故障検出が予想
される単一のノードを画像観察装置２０により検索し、
該ノードからの電界２３により電気光学材料７の複屈折
率の変化している位置に対し、回折限界近くまで集光し
たレーザパルス光２を入射する。そして、電気光学材料
７からの反射光の強度変化を単一の光検出器３１により
観測し、目的とする単一のノードの電気信号を測定す
る。その後、故障原因を特定するために、測定するノー
ドの変更を行って、この作業を繰り返す。この方法は、
回折限界近くまで集光したレーザパルス光２を入射する
ことで、電界２３を検出する領域を小さくして隣接する
ノードの電界２３の影響を受けない状態とし、電気信号
に応じた光強度の変化を観測するので、一度に単一のノ
ードの電気信号しか測定することができない。このた
め、被測定集積回路８の試験を行う際に測定ノードの変
更を行う必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記したとおり、従来
の集積回路の試験方法では、一度に被測定集積回路８の
単一のノードの測定しかできないので、故障原因を特定
するために測定ノードの変更をしなければならず、この
とき、レーザ光、光学系、回路の移動が必要となる。つ
まり、集積回路の試験を行う際に必要となる時間は、実
際の測定時間にこの移動時間が加えられたものとなる。
近年、集積回路の大規模、高密度化によりその試験を行
う際、故障原因を特定するためには、多数のノードの電
気信号の測定をする必要性が高まっているが、このよう
な集積回路では、測定ノードの変更にかかる時間が膨大
なものとなり、従来の技術を適用することは困難であ
る。
の集積回路の試験方法では、一度に被測定集積回路８の
単一のノードの測定しかできないので、故障原因を特定
するために測定ノードの変更をしなければならず、この
とき、レーザ光、光学系、回路の移動が必要となる。つ
まり、集積回路の試験を行う際に必要となる時間は、実
際の測定時間にこの移動時間が加えられたものとなる。
近年、集積回路の大規模、高密度化によりその試験を行
う際、故障原因を特定するためには、多数のノードの電
気信号の測定をする必要性が高まっているが、このよう
な集積回路では、測定ノードの変更にかかる時間が膨大
なものとなり、従来の技術を適用することは困難であ
る。
【０００７】本発明は、レーザ光照射領域内の集積回路
内部の複数のノードの電気信号を同時に検出し、大規
模、高密度な集積回路の試験を短時間に行うために、電
気光学材料に対しレーザ光を２次元で照射し、その光強
度の光束断面分布を２次元で検出する集積回路の試験方
法および装置を提供することを目的とする。
内部の複数のノードの電気信号を同時に検出し、大規
模、高密度な集積回路の試験を短時間に行うために、電
気光学材料に対しレーザ光を２次元で照射し、その光強
度の光束断面分布を２次元で検出する集積回路の試験方
法および装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の集積回路の試験
方法によれば、電気光学材料を接触または近接させた被
測定集積回路、あるいは電気光学材料を基板とする被測
定集積回路において、電気光学材料にレーザ光を照射し
て、被測定集積回路の電気信号により生じる電気光学材
料の複屈折率の変化をレーザ光の偏光変化とし、そのレ
ーザ光の偏光変化をレーザ光の強度変化として検出する
ことにより、被測定集積回路の試験をする方法におい
て、電気光学材料にレーザ光を２次元で照射し、被測定
集積回路内の各ノードの電気信号により生じる該レーザ
光の光強度の光束断面分布の変化を光検出器アレイによ
り２次元で検出し、各ノードの電気信号を同時に測定す
ることを特徴とするものである。
方法によれば、電気光学材料を接触または近接させた被
測定集積回路、あるいは電気光学材料を基板とする被測
定集積回路において、電気光学材料にレーザ光を照射し
て、被測定集積回路の電気信号により生じる電気光学材
料の複屈折率の変化をレーザ光の偏光変化とし、そのレ
ーザ光の偏光変化をレーザ光の強度変化として検出する
ことにより、被測定集積回路の試験をする方法におい
て、電気光学材料にレーザ光を２次元で照射し、被測定
集積回路内の各ノードの電気信号により生じる該レーザ
光の光強度の光束断面分布の変化を光検出器アレイによ
り２次元で検出し、各ノードの電気信号を同時に測定す
ることを特徴とするものである。
【０００９】本発明の集積回路の試験装置によれば、電
気光学材料を接触または近接させた被測定集積回路、あ
るいは電気光学材料を基板とする被測定集積回路におい
て、電気光学材料にレーザ光を照射して、被測定集積回
路の電気信号により生じる電気光学材料の複屈折率の変
化をレーザ光の偏光変化とし、そのレーザ光の偏光変化
をレーザ光の強度変化として検出することにより、被測
定集積回路の試験をする装置において、レーザ光を２次
元で照射する装置を有し、かつレーザ光の光強度の光束
断面分布の変化を検出することができる光検出手段を有
することを特徴とするものである。
気光学材料を接触または近接させた被測定集積回路、あ
るいは電気光学材料を基板とする被測定集積回路におい
て、電気光学材料にレーザ光を照射して、被測定集積回
路の電気信号により生じる電気光学材料の複屈折率の変
化をレーザ光の偏光変化とし、そのレーザ光の偏光変化
をレーザ光の強度変化として検出することにより、被測
定集積回路の試験をする装置において、レーザ光を２次
元で照射する装置を有し、かつレーザ光の光強度の光束
断面分布の変化を検出することができる光検出手段を有
することを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】本発明の集積回路の試験方法および装置は、電
気光学材料にレーザ光を所定の広さで照射し、光検出手
段によりこの光強度の光束断面分布の変化を検出するこ
とにより、被測定集積回路内の複数のノードの電気信号
を同時に測定することができるため、大規模、高密度な
集積回路の試験時間の短縮化が可能となる。
気光学材料にレーザ光を所定の広さで照射し、光検出手
段によりこの光強度の光束断面分布の変化を検出するこ
とにより、被測定集積回路内の複数のノードの電気信号
を同時に測定することができるため、大規模、高密度な
集積回路の試験時間の短縮化が可能となる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を具体的に説明するにあたり、
電気光学材料としてＧａＡｓ結晶を例として用いた実施
例を示すが、これらの説明は、単なる例示であり、本発
明の範囲を限定するものでないことはいうまでもない。
電気光学材料としてＧａＡｓ結晶を例として用いた実施
例を示すが、これらの説明は、単なる例示であり、本発
明の範囲を限定するものでないことはいうまでもない。
【００１２】図１，図２は被測定集積回路に電気光学材
料を接触させる場合の、本発明の第１の実施例を示す説
明図である。図１は全体図、図２は光照射部分の拡大断
面図である。
料を接触させる場合の、本発明の第１の実施例を示す説
明図である。図１は全体図、図２は光照射部分の拡大断
面図である。
【００１３】図１，２において、４は光強度の光束断面
分布均一化装置、９はハーフミラー、１２は光検出手段
の一例としての光検出器アレイ、１６はハーフミラー、
１９は電気処理装置であり、その他は図９，図１０と同
じである。例えば電気光学材料７としてＧａＡｓ結晶を
被測定集積回路８に接触させ、被測定集積回路８の測定
領域をカバーする電界センサプローブとする。特に、Ｇ
ａＡｓ結晶の（１００）面を被測定集積回路８に接触さ
せれば、ＧａＡｓ結晶は図２に示すような金属配線２２
直上の縦方向の電界２３の成分により複屈折率が変化す
るので、各ノードの直上でその電気信号に応じた複屈折
率が変化し、電気光学材料７全体として複屈折率の２次
元分布を生じることになる。一方、レーザ１から発生さ
れたレーザパルス光２はレンズ３で平行光に変換した
後、感度を２次元的に均一とするために、例えばガウス
分布を均一化するアポダイジングフィルタのような光強
度の光束断面分布均一化装置４を用いて光強度の光束断
面分布を均一化し、ハーフミラー９，ダイクロイックミ
ラー５および低倍率の対物レンズ６を通して被測定集積
回路８上の所望の測定領域（０．１〜１０ｍｍ四方）に
対応するＧａＡｓ結晶を照射するようにする。ノードの
電気信号による電界２３が支配的であるノードの直上を
通る金属配線２２上からの反射光には、各ノードに対応
した電気信号情報が、偏光方向の光束断面分布として含
まれているから、この偏光方向の光束断面分布を偏光検
出器１０により光強度の光束断面分布に変換し、レンズ
１１によりその断面積を適当に拡大して光検出器アレイ
１２に導入し、この光強度の光束断面分布の時間変化を
観測すれば、各ノードの電気信号を同時に測定すること
ができる。また、電気処理装置１９を用いてカメラ１８
による画像情報と光検出器アレイ１２の２次元的電気信
号情報のリンクをとれば、被測定集積回路８の任意の内
部ノードを画像観測装置２０の画像上で選択してそのノ
ードの電気信号を信号表示装置２１に表示させたり、画
像情報とともに電気信号情報も画像観測装置２０で表示
し、測定領域の電位図を作成することも可能となる。
分布均一化装置、９はハーフミラー、１２は光検出手段
の一例としての光検出器アレイ、１６はハーフミラー、
１９は電気処理装置であり、その他は図９，図１０と同
じである。例えば電気光学材料７としてＧａＡｓ結晶を
被測定集積回路８に接触させ、被測定集積回路８の測定
領域をカバーする電界センサプローブとする。特に、Ｇ
ａＡｓ結晶の（１００）面を被測定集積回路８に接触さ
せれば、ＧａＡｓ結晶は図２に示すような金属配線２２
直上の縦方向の電界２３の成分により複屈折率が変化す
るので、各ノードの直上でその電気信号に応じた複屈折
率が変化し、電気光学材料７全体として複屈折率の２次
元分布を生じることになる。一方、レーザ１から発生さ
れたレーザパルス光２はレンズ３で平行光に変換した
後、感度を２次元的に均一とするために、例えばガウス
分布を均一化するアポダイジングフィルタのような光強
度の光束断面分布均一化装置４を用いて光強度の光束断
面分布を均一化し、ハーフミラー９，ダイクロイックミ
ラー５および低倍率の対物レンズ６を通して被測定集積
回路８上の所望の測定領域（０．１〜１０ｍｍ四方）に
対応するＧａＡｓ結晶を照射するようにする。ノードの
電気信号による電界２３が支配的であるノードの直上を
通る金属配線２２上からの反射光には、各ノードに対応
した電気信号情報が、偏光方向の光束断面分布として含
まれているから、この偏光方向の光束断面分布を偏光検
出器１０により光強度の光束断面分布に変換し、レンズ
１１によりその断面積を適当に拡大して光検出器アレイ
１２に導入し、この光強度の光束断面分布の時間変化を
観測すれば、各ノードの電気信号を同時に測定すること
ができる。また、電気処理装置１９を用いてカメラ１８
による画像情報と光検出器アレイ１２の２次元的電気信
号情報のリンクをとれば、被測定集積回路８の任意の内
部ノードを画像観測装置２０の画像上で選択してそのノ
ードの電気信号を信号表示装置２１に表示させたり、画
像情報とともに電気信号情報も画像観測装置２０で表示
し、測定領域の電位図を作成することも可能となる。
【００１４】もちろん、電気光学材料７の裏面に高反射
膜を施して、反射光光量の増加による高感度化をはかっ
ても構わないし、ＧａＡｓ結晶以外の材料、例えばＬｉ
ＮｂＯ3 やＫＤ2 ＰＯ4 等の無機結晶系の材料、あるい
は有機非線形光学材料を電気光学材料７として用いても
良い。また、レーザ１，レンズ３，光強度の光束断面分
布均一化装置４を組み合わせる代わりに、アレイレーザ
を用いて同様の効果を持たせてもよい。さらにまた、光
強度の光束断面分布均一化装置４を用いる代わりに、光
検出器アレイ１２の出力に適当な電気的処理を加えて、
感度の２次元的な補正を行ってもよい。
膜を施して、反射光光量の増加による高感度化をはかっ
ても構わないし、ＧａＡｓ結晶以外の材料、例えばＬｉ
ＮｂＯ3 やＫＤ2 ＰＯ4 等の無機結晶系の材料、あるい
は有機非線形光学材料を電気光学材料７として用いても
良い。また、レーザ１，レンズ３，光強度の光束断面分
布均一化装置４を組み合わせる代わりに、アレイレーザ
を用いて同様の効果を持たせてもよい。さらにまた、光
強度の光束断面分布均一化装置４を用いる代わりに、光
検出器アレイ１２の出力に適当な電気的処理を加えて、
感度の２次元的な補正を行ってもよい。
【００１５】図３は被測定集積回路８に電気光学材料７
を接触させる場合の本発明の第２の実施例を示す説明図
であり、被測定集積回路８付近のみを示したものであ
る。この第２の実施例の第１の実施例と大きく異なって
いるところは、光束断面形状変換器２４を用いることに
より、電気光学材料７上における光の照射形状を変更し
て電気信号を測定する点である。ここでは、パッドの近
傍の部分のみに光を照射し、電気信号を測定している。
例えば、シリンドリカルレンズは光束断面形状変換器２
４と対物レンズ６の効果を併せ持つので、このような用
途に用いることができる。このように、測定領域にあわ
せた照射形状とすることにより、測定に不要な部分への
光照射が避けられ、レーザ光の光量を効率的に利用でき
るので、一様に照射した場合に比較し、高感度な測定が
可能となる。ただし、図３における対物レンズ６と光束
断面形状変換器２４に対して、光の通過する順番はどち
らを先にしても構わない。
を接触させる場合の本発明の第２の実施例を示す説明図
であり、被測定集積回路８付近のみを示したものであ
る。この第２の実施例の第１の実施例と大きく異なって
いるところは、光束断面形状変換器２４を用いることに
より、電気光学材料７上における光の照射形状を変更し
て電気信号を測定する点である。ここでは、パッドの近
傍の部分のみに光を照射し、電気信号を測定している。
例えば、シリンドリカルレンズは光束断面形状変換器２
４と対物レンズ６の効果を併せ持つので、このような用
途に用いることができる。このように、測定領域にあわ
せた照射形状とすることにより、測定に不要な部分への
光照射が避けられ、レーザ光の光量を効率的に利用でき
るので、一様に照射した場合に比較し、高感度な測定が
可能となる。ただし、図３における対物レンズ６と光束
断面形状変換器２４に対して、光の通過する順番はどち
らを先にしても構わない。
【００１６】図４，図５は被測定集積回路８に電気光学
材料７として、例えばＧａＡｓ結晶を近接させる場合の
本発明の第３の実施例を示す説明図であり、図４は被測
定集積回路８付近を示す図、図５は、図４の第３の実施
例の光照射部分の拡大断面図である。本実施例の第１の
実施例と大きく異なっているところは、ＧａＡｓ結晶を
石英基板２５に保持し、このようにして作製された電界
センサプローブを、プローブ上下移動装置２６により１
μｍ程度の精度で被測定集積回路８に近接させ、電気信
号の測定を行う点である。このようにすることにより、
誘電率の大きな電気光学材料７を用いた場合でも被測定
集積回路８への容量性擾乱をできるだけ回避、電気信号
を測定することができる。もちろん、本実施例に対し、
図３の第２の実施例で説明した光の照射形状を変更して
電気信号を測定する方法を適用することも可能である。
材料７として、例えばＧａＡｓ結晶を近接させる場合の
本発明の第３の実施例を示す説明図であり、図４は被測
定集積回路８付近を示す図、図５は、図４の第３の実施
例の光照射部分の拡大断面図である。本実施例の第１の
実施例と大きく異なっているところは、ＧａＡｓ結晶を
石英基板２５に保持し、このようにして作製された電界
センサプローブを、プローブ上下移動装置２６により１
μｍ程度の精度で被測定集積回路８に近接させ、電気信
号の測定を行う点である。このようにすることにより、
誘電率の大きな電気光学材料７を用いた場合でも被測定
集積回路８への容量性擾乱をできるだけ回避、電気信号
を測定することができる。もちろん、本実施例に対し、
図３の第２の実施例で説明した光の照射形状を変更して
電気信号を測定する方法を適用することも可能である。
【００１７】図６，図７は電気光学材料７として、例え
ばＧａＡｓ結晶を基板とした被測定集積回路８に本発明
を適用する場合の本発明の第４の実施例を示す説明図で
あり、図６は被測定集積回路８付近を示す図、図７は、
図６の第４の実施例の光照射部分の拡大断面図である。
図６の被測定集積回路８は基板であるＧａＡｓ結晶の裏
面に接地金属面があり、図７に示すような電界２３が存
在しているので、ＧａＡｓ結晶は、各ノードの直下でそ
の電気信号に応じた複屈折の変化を生じている。そこ
で、ノードの電気信号による電界２３が支配的であるノ
ードのすぐわきのＧａＡｓ結晶基板を通った接地金属面
２８からの反射光を光検出器アレイ１２により観測すれ
ば、各ノードの電気信号を同時に測定することができ
る。
ばＧａＡｓ結晶を基板とした被測定集積回路８に本発明
を適用する場合の本発明の第４の実施例を示す説明図で
あり、図６は被測定集積回路８付近を示す図、図７は、
図６の第４の実施例の光照射部分の拡大断面図である。
図６の被測定集積回路８は基板であるＧａＡｓ結晶の裏
面に接地金属面があり、図７に示すような電界２３が存
在しているので、ＧａＡｓ結晶は、各ノードの直下でそ
の電気信号に応じた複屈折の変化を生じている。そこ
で、ノードの電気信号による電界２３が支配的であるノ
ードのすぐわきのＧａＡｓ結晶基板を通った接地金属面
２８からの反射光を光検出器アレイ１２により観測すれ
ば、各ノードの電気信号を同時に測定することができ
る。
【００１８】本実施例の第１，第３の実施例と大きく異
なっているところは、電界センサプローブを必要とせ
ず、基板そのものを電界センサとして使用する点であ
る。このような測定では、被測定集積回路８が限られて
いはいるものの、電界センサプローブの接近に伴う容量
性擾乱がないだけではなく、電界２３をほとんど損失な
く拾うことよる高感度な電気信号の測定が可能である。
なっているところは、電界センサプローブを必要とせ
ず、基板そのものを電界センサとして使用する点であ
る。このような測定では、被測定集積回路８が限られて
いはいるものの、電界センサプローブの接近に伴う容量
性擾乱がないだけではなく、電界２３をほとんど損失な
く拾うことよる高感度な電気信号の測定が可能である。
【００１９】図８は電気光学材料７として、例えばＧａ
Ａｓ結晶を基板とした被測定集積回路８に本発明を適用
する場合の本発明の第５の実施例を示す説明図であり、
図７と同様に、光照射部分の拡大断面図である。第４の
実施例と大きく異なっているところは、図８に示すよう
に、被測定集積回路８の裏面からレーザ光を入射し、信
号金属配線２９を反射膜として測定を行う点である。こ
のようにすることにより、第４の実施例で示したような
裏面に接地金属面２８がない（例えば表に接地金属配線
３０があるような場合）集積回路でも、各ノードの電気
信号を同時に測定することが可能である。
Ａｓ結晶を基板とした被測定集積回路８に本発明を適用
する場合の本発明の第５の実施例を示す説明図であり、
図７と同様に、光照射部分の拡大断面図である。第４の
実施例と大きく異なっているところは、図８に示すよう
に、被測定集積回路８の裏面からレーザ光を入射し、信
号金属配線２９を反射膜として測定を行う点である。こ
のようにすることにより、第４の実施例で示したような
裏面に接地金属面２８がない（例えば表に接地金属配線
３０があるような場合）集積回路でも、各ノードの電気
信号を同時に測定することが可能である。
【００２０】
【発明の効果】本発明の集積回路の試験方法は、電気光
学材料にレーザ光を所定の広さで照射し、被測定集積回
路内の複数のノードの電気信号により生じるレーザ光の
光強度の光束断面分布の変化を検出し、これら複数のノ
ードの電気信号を同時に測定するようにし、また、本発
明の集積回路の試験装置は、レーザ光を２次元で照射す
る装置を有し、かつレーザ光の光強度の光束断面分布を
検出する光検出手段を有するを備えたので、被測定集積
回路の試験において、測定領域内の複数のノードの電気
信号を同時に検出することが可能となり、大規模、高密
度化された被測定集積回路の試験時間が短縮化できる。
学材料にレーザ光を所定の広さで照射し、被測定集積回
路内の複数のノードの電気信号により生じるレーザ光の
光強度の光束断面分布の変化を検出し、これら複数のノ
ードの電気信号を同時に測定するようにし、また、本発
明の集積回路の試験装置は、レーザ光を２次元で照射す
る装置を有し、かつレーザ光の光強度の光束断面分布を
検出する光検出手段を有するを備えたので、被測定集積
回路の試験において、測定領域内の複数のノードの電気
信号を同時に検出することが可能となり、大規模、高密
度化された被測定集積回路の試験時間が短縮化できる。
【図１】本発明を被測定集積回路に電気光学材料を接触
させる場合に適用した第１の実施例の全体図である。
させる場合に適用した第１の実施例の全体図である。
【図２】図１の第１の実施例の光照射部分の拡大断面図
である。
である。
【図３】本発明を被測定集積回路に電気光学材料を接触
させる場合に適用した第２の実施例の被測定集積回路付
近を示す図である。
させる場合に適用した第２の実施例の被測定集積回路付
近を示す図である。
【図４】本発明を被測定集積回路に電気光学材料を近接
させる場合に適用した第３の実施例の被測定集積回路付
近を示す図である。
させる場合に適用した第３の実施例の被測定集積回路付
近を示す図である。
【図５】図４の第３の実施例の光照射部分の拡大断面図
である。
である。
【図６】本発明を電気光学材料を基板とした被測定集積
回路に適用する場合の第４の実施例の被測定集積回路付
近を示す図である。
回路に適用する場合の第４の実施例の被測定集積回路付
近を示す図である。
【図７】図６の第４の実施例の光照射部分の拡大断面図
である。
である。
【図８】本発明を電気光学材料を基板とした被測定集積
回路に適用する場合の第５の実施例の光照射部分の拡大
断面図である。
回路に適用する場合の第５の実施例の光照射部分の拡大
断面図である。
【図９】従来の電気光学サンプリングによる集積回路の
試験方法および装置の全体図である。
試験方法および装置の全体図である。
【図１０】図９の光照射部分の拡大断面図である。
１ レーザ ２ レーザパルス光 ３ レンズ ４ 光強度の光束断面分布均一化装置 ５ ダイクロイックミラー ６ 対物レンズ ７ 電気光学材料 ８ 被測定集積回路 ９ ハーフミラー １０ 偏光検出器 １１ レンズ １２ 光検出器アレイ １３ 照明光源 １４ レンズ １５ 照明光 １６ ハーフミラー １７ 接眼レンズ １８ カメラ １９ 電気処理装置 ２０ 画像観察装置 ２１ 信号表示装置 ２２ 金属配線 ２３ 電界 ２４ 光束断面形状変換器 ２５ 石英基板 ２６ プローブ上下移動装置 ２７ 高反射膜 ２８ 接地金属面 ２９ 信号金属配線 ３０ 接地金属配線 ３１ 単一光検出器
Claims (2)
- 【請求項１】 被測定集積回路の電気信号により生じる
電界により複屈折率が変化する電気光学材料にレーザ光
を照射し、前記電気光学材料の複屈折率の変化を該レー
ザ光の偏光変化に置換え、この偏光変化をレーザ光の強
度変化として検出することにより、前記被測定集積回路
の試験をする方法において、前記電気光学材料にレーザ
光を所定の広さで照射し、前記被測定集積回路内の複数
のノードの電気信号により生じる前記レーザ光の光強度
の光束断面分布の変化を検出し、これら複数のノードの
電気信号を同時に測定することを特徴とする集積回路の
試験方法。 - 【請求項２】 被測定集積回路の電気信号により生じる
電界により複屈折率が変化する電気光学材料にレーザ光
を照射し、前記電気光学材料の複屈折率の変化を該レー
ザ光の偏光変化に置換え、この偏光変化をレーザ光の強
度変化として検出することにより、前記被測定集積回路
の試験をする装置において、レーザ光を２次元で照射す
る装置を有し、かつ前記レーザ光の光強度の光束断面分
布を検出する光検出手段を有することを特徴とする集積
回路の試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3268704A JPH0580083A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 集積回路の試験方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3268704A JPH0580083A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 集積回路の試験方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0580083A true JPH0580083A (ja) | 1993-03-30 |
Family
ID=17462215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3268704A Pending JPH0580083A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 集積回路の試験方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0580083A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0634800A1 (en) * | 1993-07-12 | 1995-01-18 | Philips Electronics Uk Limited | An imaging device |
| JPH08122415A (ja) * | 1994-10-20 | 1996-05-17 | Nec Corp | プリント基板検査装置 |
| US6087838A (en) * | 1997-11-10 | 2000-07-11 | Ando Electric Co., Ltd. | Signal processing circuit for electro-optic probe |
| US6166845A (en) * | 1998-05-28 | 2000-12-26 | Ando Electric Co., Ltd. | Electro-optic probe |
| US6201235B1 (en) | 1998-05-01 | 2001-03-13 | Ando Electric Co., Ltd. | Electro-optic sampling oscilloscope |
| US6232765B1 (en) | 1998-03-19 | 2001-05-15 | Ando Electric Co., Ltd | Electro-optical oscilloscope with improved sampling |
| US6288529B1 (en) | 1998-06-03 | 2001-09-11 | Ando Electric Co., Ltd | Timing generation circuit for an electro-optic oscilloscope |
| US6567760B1 (en) | 1998-05-06 | 2003-05-20 | Ando Electric Co., Ltd. | Electro-optic sampling oscilloscope |
| KR101113602B1 (ko) * | 2003-01-15 | 2012-02-22 | 네거브테크 리미티드 | 웨이퍼 결함 검출 시스템 |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP3268704A patent/JPH0580083A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0634800A1 (en) * | 1993-07-12 | 1995-01-18 | Philips Electronics Uk Limited | An imaging device |
| JPH08122415A (ja) * | 1994-10-20 | 1996-05-17 | Nec Corp | プリント基板検査装置 |
| US6087838A (en) * | 1997-11-10 | 2000-07-11 | Ando Electric Co., Ltd. | Signal processing circuit for electro-optic probe |
| US6232765B1 (en) | 1998-03-19 | 2001-05-15 | Ando Electric Co., Ltd | Electro-optical oscilloscope with improved sampling |
| US6201235B1 (en) | 1998-05-01 | 2001-03-13 | Ando Electric Co., Ltd. | Electro-optic sampling oscilloscope |
| US6567760B1 (en) | 1998-05-06 | 2003-05-20 | Ando Electric Co., Ltd. | Electro-optic sampling oscilloscope |
| US6166845A (en) * | 1998-05-28 | 2000-12-26 | Ando Electric Co., Ltd. | Electro-optic probe |
| US6288529B1 (en) | 1998-06-03 | 2001-09-11 | Ando Electric Co., Ltd | Timing generation circuit for an electro-optic oscilloscope |
| KR101113602B1 (ko) * | 2003-01-15 | 2012-02-22 | 네거브테크 리미티드 | 웨이퍼 결함 검출 시스템 |
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