JPH0798329A - Ｅ−ｏプローブ - Google Patents
Ｅ−ｏプローブInfo
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- JPH0798329A JPH0798329A JP5241626A JP24162693A JPH0798329A JP H0798329 A JPH0798329 A JP H0798329A JP 5241626 A JP5241626 A JP 5241626A JP 24162693 A JP24162693 A JP 24162693A JP H0798329 A JPH0798329 A JP H0798329A
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- Japan
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- probe
- electric
- electro
- optical member
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/07—Non contact-making probes
- G01R1/071—Non contact-making probes containing electro-optic elements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
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- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 微小領域での電圧分布を拡大して測定可能な
Ｅ−Ｏプローブを提供する。 【構成】 支持体１下に接地透明電極２、ＬｉＴａＯ3
などの電気光学部材３、が順次固着させている。この反
射膜４下には、複数の（図面内では５本）の円錐状の導
電部材（電気針）５が底面を反射膜４の下面に固着され
て、下端が下方に突出して配置されている。この複数の
直線状電気針５の針同士の間隔は、この下側に配置され
る被測定物方向に狭くなっており、被測定物微小領域の
電圧を拡大して電気光学部材３に導くことができる。
Ｅ−Ｏプローブを提供する。 【構成】 支持体１下に接地透明電極２、ＬｉＴａＯ3
などの電気光学部材３、が順次固着させている。この反
射膜４下には、複数の（図面内では５本）の円錐状の導
電部材（電気針）５が底面を反射膜４の下面に固着され
て、下端が下方に突出して配置されている。この複数の
直線状電気針５の針同士の間隔は、この下側に配置され
る被測定物方向に狭くなっており、被測定物微小領域の
電圧を拡大して電気光学部材３に導くことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微小領域での電圧分布を
拡大して測定することができるＥ−Ｏプローブに関す
る。
拡大して測定することができるＥ−Ｏプローブに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の微細化に伴い、かかる
集積回路内素子の信号波形を正確に測定する装置とし
て、電気光学効果を利用するＥ−Ｏプローブを用いた電
位計測装置が脚光を浴びている。Ｅ−Ｏプローブを用い
た電位計測装置は、被測定物にＬｉＴａＯ3 などの電気
光学結晶を対向させて設置し、被測定物とは反対の方向
からこの電気光学結晶に直線偏光または円偏光などの光
ビームを照射して、電気光学結晶の対向端面（被測定
物）で反射された光ビームを検光子を介して、光検出器
に入射させ、これを検出する装置である。
集積回路内素子の信号波形を正確に測定する装置とし
て、電気光学効果を利用するＥ−Ｏプローブを用いた電
位計測装置が脚光を浴びている。Ｅ−Ｏプローブを用い
た電位計測装置は、被測定物にＬｉＴａＯ3 などの電気
光学結晶を対向させて設置し、被測定物とは反対の方向
からこの電気光学結晶に直線偏光または円偏光などの光
ビームを照射して、電気光学結晶の対向端面（被測定
物）で反射された光ビームを検光子を介して、光検出器
に入射させ、これを検出する装置である。
【０００３】また、微細化した配線などの電圧測定を高
精度に測定するＥ−Ｏプローブとして特開平４−２９３
４４に開示されているものがある。この装置に用いられ
ているＥ−Ｏプローブは、電気光学結晶の被測定試料面
側に固着された導電部材を針状とし、配線の電位により
誘起された電界を針状の導電部材を介して高い空間分解
能で電気光学結晶に導くとともに、電気光学結晶の全面
に多数個の導電部材を形成し、Ｅ−Ｏプローブに測定用
のレーザ光を走査することにより、測定箇所が複数の場
合の全体の測定時間を短縮することが可能としている。
精度に測定するＥ−Ｏプローブとして特開平４−２９３
４４に開示されているものがある。この装置に用いられ
ているＥ−Ｏプローブは、電気光学結晶の被測定試料面
側に固着された導電部材を針状とし、配線の電位により
誘起された電界を針状の導電部材を介して高い空間分解
能で電気光学結晶に導くとともに、電気光学結晶の全面
に多数個の導電部材を形成し、Ｅ−Ｏプローブに測定用
のレーザ光を走査することにより、測定箇所が複数の場
合の全体の測定時間を短縮することが可能としている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、複数の
導電部材を被測定物に接近させ、被測定物微小領域の電
位分布を複数導電部材上へのレーザ光の走査によって測
定しようとする場合、レーザ光のビーム径が太いときに
は任意の導電部材とこれと隣接する導電部材からの反射
光が同時に測定されるため、空間分解能が非常に悪い。
このため、配線間隔がビーム径よりも狭い場合や配線内
微小領域の電位分布を高分解能で測定することは不可能
である。当然のことながら、ビーム径を細くすれば隣接
する導電部材からの干渉は減少するが、ビーム径の集束
限界は、ビームを集束するレンズの開口数とビームの波
長で決定されるため、サブミクロンオーダーのデバイス
の電位分布を測定することができない。
導電部材を被測定物に接近させ、被測定物微小領域の電
位分布を複数導電部材上へのレーザ光の走査によって測
定しようとする場合、レーザ光のビーム径が太いときに
は任意の導電部材とこれと隣接する導電部材からの反射
光が同時に測定されるため、空間分解能が非常に悪い。
このため、配線間隔がビーム径よりも狭い場合や配線内
微小領域の電位分布を高分解能で測定することは不可能
である。当然のことながら、ビーム径を細くすれば隣接
する導電部材からの干渉は減少するが、ビーム径の集束
限界は、ビームを集束するレンズの開口数とビームの波
長で決定されるため、サブミクロンオーダーのデバイス
の電位分布を測定することができない。
【０００５】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
もので、微小領域の複数点の電位を拡大して測定できる
Ｅ−Ｏプローブを提供することを目的とする。
もので、微小領域の複数点の電位を拡大して測定できる
Ｅ−Ｏプローブを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】以上の問題を解決するた
め、本発明は、Ｅ−Ｏプローブを対象とするものであ
り、印加される電界に応じて屈折率が変化する電気光学
部材と、電気光学部材の一面に基端が固着された複数の
針状導電部材とを備え、複数の針状導電部材の各々の基
端側の間隔は、針状導電部材の各々の前記先端側の間隔
よりも大きいこととした。
め、本発明は、Ｅ−Ｏプローブを対象とするものであ
り、印加される電界に応じて屈折率が変化する電気光学
部材と、電気光学部材の一面に基端が固着された複数の
針状導電部材とを備え、複数の針状導電部材の各々の基
端側の間隔は、針状導電部材の各々の前記先端側の間隔
よりも大きいこととした。
【０００７】
【作用】かかる構成によれば、被測定物微小領域の電位
に対応した電界が針状導電部材を介して電気光学部材の
広い領域に拡大して誘起される。電気光学部材は電位に
よって屈折率が変化するため、この電気光学部材に入射
された光は、反射されて偏光状態を被測定物微小領域の
電位に対応して変化させられる。しかも、各被測定物微
小領域から誘起された電位は拡大して電気光学部材に伝
達されるので、したがって、この電気光学部材によりそ
の偏光状態が変化させられた光を検出することにより、
Ｅ−Ｏプローブに入射するレーザ光の集束限界以下の被
測定物微小領域の電位分布も測定することができる。
に対応した電界が針状導電部材を介して電気光学部材の
広い領域に拡大して誘起される。電気光学部材は電位に
よって屈折率が変化するため、この電気光学部材に入射
された光は、反射されて偏光状態を被測定物微小領域の
電位に対応して変化させられる。しかも、各被測定物微
小領域から誘起された電位は拡大して電気光学部材に伝
達されるので、したがって、この電気光学部材によりそ
の偏光状態が変化させられた光を検出することにより、
Ｅ−Ｏプローブに入射するレーザ光の集束限界以下の被
測定物微小領域の電位分布も測定することができる。
【０００８】また、この複数の針状導電部材の基端が略
同一平面上に位置しているので、針状導電部材を均一に
被測定物微小領域に接近させることができる。そして、
この針状導電部材が絶縁体からなる保持部に埋設されて
いれば、針状導電部材を補強するとともに、各針状導電
部材を電気的に絶縁することができる。
同一平面上に位置しているので、針状導電部材を均一に
被測定物微小領域に接近させることができる。そして、
この針状導電部材が絶縁体からなる保持部に埋設されて
いれば、針状導電部材を補強するとともに、各針状導電
部材を電気的に絶縁することができる。
【０００９】さらに、電気光学部材の複数の針状導電部
材の基端が固着されている部分に光反射膜が介在され、
基端の固着面周囲の露出面に遮光膜を形成すれば、電気
光学部材の針状導電部材が固着されている部分からの反
射光の反射強度を高めると同時に、隣接する針状導電部
材からの反射光の干渉を防止することができる。
材の基端が固着されている部分に光反射膜が介在され、
基端の固着面周囲の露出面に遮光膜を形成すれば、電気
光学部材の針状導電部材が固着されている部分からの反
射光の反射強度を高めると同時に、隣接する針状導電部
材からの反射光の干渉を防止することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づき
説明する。説明において同一要素は同一符号を用い、重
複する説明は省略する。
説明する。説明において同一要素は同一符号を用い、重
複する説明は省略する。
【００１１】（第１実施例）図１は、本発明の第１実施
例に係るＥ−Ｏプローブの斜視構成を示している。大き
さ３００×３００×２００μｍの石英ガラス支持体１下
にＩＴＯの接地透明電極２、厚さ数１０μｍのＺｎＴｅ
などの電気光学部材３、誘電体多層膜の反射膜４が順次
固着させている。この反射膜４下には、複数の（図面内
では５本）の円錐状の導電部材（電気針）５が、底面を
反射膜４の下面に固着されて、下端が下方に突出して配
置されている。
例に係るＥ−Ｏプローブの斜視構成を示している。大き
さ３００×３００×２００μｍの石英ガラス支持体１下
にＩＴＯの接地透明電極２、厚さ数１０μｍのＺｎＴｅ
などの電気光学部材３、誘電体多層膜の反射膜４が順次
固着させている。この反射膜４下には、複数の（図面内
では５本）の円錐状の導電部材（電気針）５が、底面を
反射膜４の下面に固着されて、下端が下方に突出して配
置されている。
【００１２】この複数の円錐状電気針５の針同士の間隔
は、この下側に配置される被測定デバイス方向に狭くな
っており、被測定デバイス微小領域の電位を拡大して電
気光学部材３に導くことができる。そして、この電気針
５の下端は略同一平面内に形成されており、被測定微小
領域の電位の面内分布を正確に測定することができる。
は、この下側に配置される被測定デバイス方向に狭くな
っており、被測定デバイス微小領域の電位を拡大して電
気光学部材３に導くことができる。そして、この電気針
５の下端は略同一平面内に形成されており、被測定微小
領域の電位の面内分布を正確に測定することができる。
【００１３】なお、電気光学部材３としは、上記ＺｎＴ
ｅの他にＬｉＮｂＯ3 ，ＢＳＯ，ＧａＡｓ，ＣｄＴｅ，
ＬｉＴａＯ3 などがあげられる。
ｅの他にＬｉＮｂＯ3 ，ＢＳＯ，ＧａＡｓ，ＣｄＴｅ，
ＬｉＴａＯ3 などがあげられる。
【００１４】このようなＥ−Ｏプローブの電気針５を被
測定デバイスに接近させると、被測定デバイスの電位に
誘起された電界は、電気針５を介して電気光学部材３に
伝達され、ポッケルス効果によって電気光学部材３の屈
折率が変化する。この際、支持体１の上方から直線偏光
または円偏光または楕円偏光のレーザ光を入射させる
と、このレーザ光は電気光学部材３の被測定デバイスの
電位に対応した屈折率の変化によって偏光状態が変化さ
せられる。そして、このレーザ光は、電気光学部材３下
面に取り付けられた反射膜４で反射されて、支持体１上
方に出射される。ちなみに、測定の際、電気針５は被測
定物に接触させてもよい。
測定デバイスに接近させると、被測定デバイスの電位に
誘起された電界は、電気針５を介して電気光学部材３に
伝達され、ポッケルス効果によって電気光学部材３の屈
折率が変化する。この際、支持体１の上方から直線偏光
または円偏光または楕円偏光のレーザ光を入射させる
と、このレーザ光は電気光学部材３の被測定デバイスの
電位に対応した屈折率の変化によって偏光状態が変化さ
せられる。そして、このレーザ光は、電気光学部材３下
面に取り付けられた反射膜４で反射されて、支持体１上
方に出射される。ちなみに、測定の際、電気針５は被測
定物に接触させてもよい。
【００１５】なお、このような電気針５を備えたＥ−Ｏ
プローブを用いて、集積回路内配線の電圧を測定しよう
とする場合、配線の最小幅Ｗは例えば０．５μｍである
ので、電気針５の下端部頂点での間隔をｂとすると、ｂ
はＷ〜０．５μｍ程度にする必要がある。また、この電
気光学部材３上に設置される対物レンズの開口数ＮＡを
０．４とすると、集光されたビームの直径ａ0 は、光の
回折限界より、 ａ0 ＝２λ／（π・ＮＡ） （但πは、円周
率） 与えられる。波長λ＝１μｍのレーザ光が対物レンズで
集光され電気光学部材３に入射したとすると、集光され
たビームの直径ａは、上式から１．６μｍとなる。すな
わち、このように光の集束限界は１．６μｍ以上である
ので、隣接する電気針５からの信号の影響を除くために
は、各電気針５底面での間隔をａとすれば、ａ＝２μｍ
以上に設定する必要がある。つまり、各電気針５底面で
の間隔ａは、下端部頂点での間隔ｂの約４倍以上、正確
には２λ／（π・ＮＡ・Ｗ）倍以上にする必要がある。
プローブを用いて、集積回路内配線の電圧を測定しよう
とする場合、配線の最小幅Ｗは例えば０．５μｍである
ので、電気針５の下端部頂点での間隔をｂとすると、ｂ
はＷ〜０．５μｍ程度にする必要がある。また、この電
気光学部材３上に設置される対物レンズの開口数ＮＡを
０．４とすると、集光されたビームの直径ａ0 は、光の
回折限界より、 ａ0 ＝２λ／（π・ＮＡ） （但πは、円周
率） 与えられる。波長λ＝１μｍのレーザ光が対物レンズで
集光され電気光学部材３に入射したとすると、集光され
たビームの直径ａは、上式から１．６μｍとなる。すな
わち、このように光の集束限界は１．６μｍ以上である
ので、隣接する電気針５からの信号の影響を除くために
は、各電気針５底面での間隔をａとすれば、ａ＝２μｍ
以上に設定する必要がある。つまり、各電気針５底面で
の間隔ａは、下端部頂点での間隔ｂの約４倍以上、正確
には２λ／（π・ＮＡ・Ｗ）倍以上にする必要がある。
【００１６】図２は、図１のＥ−Ｏプローブへ入射され
支持体１上方へ出射されたレーザ光を検出し、被測定デ
バイスの電位を測定するＥ−Ｏプロービングシステムの
装置構成を示している。以下、この装置の作用とともに
構成を説明する。
支持体１上方へ出射されたレーザ光を検出し、被測定デ
バイスの電位を測定するＥ−Ｏプロービングシステムの
装置構成を示している。以下、この装置の作用とともに
構成を説明する。
【００１７】このＥ−Ｏプロービングシステムは、本体
固定部１１７上面に設置された支持台１１３上被測定デ
バイス１１２内の電位を、この上方に近接して配置され
た上記Ｅ−Ｏプローブ１１１に光学ユニット１２６から
出射されたレーザ光を照射し、Ｅ−Ｏプローブ１１１か
らの反射レーザ光を光学ユニット１２６内の光検出器１
２７で検出することにより測定する装置である。
固定部１１７上面に設置された支持台１１３上被測定デ
バイス１１２内の電位を、この上方に近接して配置され
た上記Ｅ−Ｏプローブ１１１に光学ユニット１２６から
出射されたレーザ光を照射し、Ｅ−Ｏプローブ１１１か
らの反射レーザ光を光学ユニット１２６内の光検出器１
２７で検出することにより測定する装置である。
【００１８】光学ユニット１２６内には、レーザ光源１
００、レンズ１０１、光アイソレータ１０３、偏光ビー
ムスプリッタ１０４、波長板１０５、偏向素子１０２、
ミラー１０６がシーケンシャルに配置されている。ま
ず、レーザ光源１００から出射されたレーザ光は、レン
ズ１０１、光を一方向のみに通過させる光アイソレータ
１０３を介して偏光ビームスプリッタ１０２に入射され
る。そして、偏光ビームスプリッタ１０２に入射された
光は、１／８波長板１０５を介して偏向素子１０２に入
力される。偏向素子１０２は、レーザ光の照射方向を時
間的に切り換える素子である。この偏向素子１０２とし
ては、例えば、２組の回転多面鏡を組み合わせ、これら
を回転させることによって２次元上にビームを走査する
機械的素子、ポッケルス変調器などの電気光学効果を利
用するものなどがあげられる。 このようにして照射方
向が変化させられたレーザ光は、ミラー１０６に照射さ
れ、その光路を変更させられる。ミラー１０６で光路を
変更されたレーザ光は光学ユニット１２６の下部に設け
られた顕微鏡ユニット１２３に入射される。顕微鏡ユニ
ット１２３内に入射されたレーザ光は、この光路上に設
けられた顕微鏡ユニット１２３内のダイクロイックミラ
ー１０７、ミラー１０８、ダイクロイックミラー１０９
を介して対物レンズ１１０に入射される。
００、レンズ１０１、光アイソレータ１０３、偏光ビー
ムスプリッタ１０４、波長板１０５、偏向素子１０２、
ミラー１０６がシーケンシャルに配置されている。ま
ず、レーザ光源１００から出射されたレーザ光は、レン
ズ１０１、光を一方向のみに通過させる光アイソレータ
１０３を介して偏光ビームスプリッタ１０２に入射され
る。そして、偏光ビームスプリッタ１０２に入射された
光は、１／８波長板１０５を介して偏向素子１０２に入
力される。偏向素子１０２は、レーザ光の照射方向を時
間的に切り換える素子である。この偏向素子１０２とし
ては、例えば、２組の回転多面鏡を組み合わせ、これら
を回転させることによって２次元上にビームを走査する
機械的素子、ポッケルス変調器などの電気光学効果を利
用するものなどがあげられる。 このようにして照射方
向が変化させられたレーザ光は、ミラー１０６に照射さ
れ、その光路を変更させられる。ミラー１０６で光路を
変更されたレーザ光は光学ユニット１２６の下部に設け
られた顕微鏡ユニット１２３に入射される。顕微鏡ユニ
ット１２３内に入射されたレーザ光は、この光路上に設
けられた顕微鏡ユニット１２３内のダイクロイックミラ
ー１０７、ミラー１０８、ダイクロイックミラー１０９
を介して対物レンズ１１０に入射される。
【００１９】対物レンズ１１０で集束されたレーザ光は
Ｅ−Ｏプローブ１１１に入射され、被測定デバイス１１
２内の電位に応じて偏光状態が変化させられて、Ｅ−Ｏ
プローブ１１１上方へ反射される。この出射されたレー
ザ光は、入射の経路を逆に辿って、１／８波長板１０５
を通過し、バイアス的な位相差が与えられた後、偏光ビ
ームスプリッタ１０４を介して偏光状態の変化が強度変
化に変換されて光検出器１２７（例えば、ＰＩＮフォト
ダイオード）に入力される。ここで、１／８波長板１０
５は、光が往復で２回通過する間に１／４波長の位相差
を与える。光検出器１２７で検出されたレーザ光は電気
信号に変換され、アンプ１２８で増幅されてデジタルオ
シロスコープ１３０に入力される。
Ｅ−Ｏプローブ１１１に入射され、被測定デバイス１１
２内の電位に応じて偏光状態が変化させられて、Ｅ−Ｏ
プローブ１１１上方へ反射される。この出射されたレー
ザ光は、入射の経路を逆に辿って、１／８波長板１０５
を通過し、バイアス的な位相差が与えられた後、偏光ビ
ームスプリッタ１０４を介して偏光状態の変化が強度変
化に変換されて光検出器１２７（例えば、ＰＩＮフォト
ダイオード）に入力される。ここで、１／８波長板１０
５は、光が往復で２回通過する間に１／４波長の位相差
を与える。光検出器１２７で検出されたレーザ光は電気
信号に変換され、アンプ１２８で増幅されてデジタルオ
シロスコープ１３０に入力される。
【００２０】デジタルオシロスコープ１３０に入力され
た電気信号は、このデジタルオシロスコープ１３０上に
表示されるとともに、コンピュータ１３１に入力されて
被測定デバイス１１２内の電位に換算される。このよう
にして、被測定デバイス１１２内の電位は測定される。
た電気信号は、このデジタルオシロスコープ１３０上に
表示されるとともに、コンピュータ１３１に入力されて
被測定デバイス１１２内の電位に換算される。このよう
にして、被測定デバイス１１２内の電位は測定される。
【００２１】なお、被測定デバイス１１２には、電気針
１１４を介して操作テーブル１１６上のマニピュレータ
１１５から駆動電圧が供給されている。また、被測定デ
バイス１１２とＥ−Ｏプローブ１１１の像は、顕微鏡ユ
ニット１２３内の照射光源１３２からダイクロイックミ
ラー１０７、ミラー１０８、ダイクロイックミラー１０
９、対物レンズ１１０を介して光を被測定デバイス１１
２面に照射するとともに、この光の反射光をダイクロイ
ックミラー１０９を透過させてこの透過光路上にあるＣ
ＣＤ１２５で撮像することにより、ＣＣＤ１２５に接続
されたモニター１２９で観察する。ＣＣＤ１２５は、Ｅ
−Ｏプローブ１１１がＺｎＴｅなどの可視域の一部で透
明である結晶の場合は、可視光カメラを用い、ＧａＡｓ
などの赤外域に対して透明である結晶の場合は、赤外線
カメラを用いればよい。
１１４を介して操作テーブル１１６上のマニピュレータ
１１５から駆動電圧が供給されている。また、被測定デ
バイス１１２とＥ−Ｏプローブ１１１の像は、顕微鏡ユ
ニット１２３内の照射光源１３２からダイクロイックミ
ラー１０７、ミラー１０８、ダイクロイックミラー１０
９、対物レンズ１１０を介して光を被測定デバイス１１
２面に照射するとともに、この光の反射光をダイクロイ
ックミラー１０９を透過させてこの透過光路上にあるＣ
ＣＤ１２５で撮像することにより、ＣＣＤ１２５に接続
されたモニター１２９で観察する。ＣＣＤ１２５は、Ｅ
−Ｏプローブ１１１がＺｎＴｅなどの可視域の一部で透
明である結晶の場合は、可視光カメラを用い、ＧａＡｓ
などの赤外域に対して透明である結晶の場合は、赤外線
カメラを用いればよい。
【００２２】また、モニター１２９には画像メモリが内
臓されており、入力された画像を静止画として記憶した
り、モニター１２９に接続されたコンピュータ１３１の
ディスプレイ上に表示することができる。なお、これら
の像は、ダイクロイックミラー１０９を透過した透過光
の光路上に設置された接眼レンズ１２４を介して肉眼で
観察することもできる。
臓されており、入力された画像を静止画として記憶した
り、モニター１２９に接続されたコンピュータ１３１の
ディスプレイ上に表示することができる。なお、これら
の像は、ダイクロイックミラー１０９を透過した透過光
の光路上に設置された接眼レンズ１２４を介して肉眼で
観察することもできる。
【００２３】このような像を観察しながら、以下のよう
な移動機構でＥ−Ｏプローブ１１１は、被測定デバイス
１１２の測定対象領域に移動させことができる。
な移動機構でＥ−Ｏプローブ１１１は、被測定デバイス
１１２の測定対象領域に移動させことができる。
【００２４】Ｅ−Ｏプローブ１１１は、Ｅ−Ｏプローブ
１１１内の接地透明電極に接続された支持針１３４を介
してプローブステージ１１９に固定されている。プロー
ブステージ１１９は上下方向に摺動可能であり、Ｅ−Ｏ
プローブ１１１を図面上下方向（Ｚ軸方向）に移動させ
ることができる。プローブステージ１１９は、顕微鏡ユ
ニット１２３に固定して取り付けられており、この顕微
鏡ユニット１２３もこれを支持するＺ軸ステージ１２０
によりＺ軸方向に摺動可能である。なお、Ｚ軸ステージ
１２０は、本体可動部１２１を介してＸＹ軸ステージ１
１８に固定されており、Ｅ−Ｏプローブ１１１をＸＹ平
面（Ｚ軸に垂直な平面）内で水平移動させることができ
る。このような構成とすることによって、Ｅ−Ｏプロー
ブ１１１を３次元空間内で移動させることができるとと
もに、これと独立に顕微鏡ユニット１２３の焦点距離を
調整することができる。
１１１内の接地透明電極に接続された支持針１３４を介
してプローブステージ１１９に固定されている。プロー
ブステージ１１９は上下方向に摺動可能であり、Ｅ−Ｏ
プローブ１１１を図面上下方向（Ｚ軸方向）に移動させ
ることができる。プローブステージ１１９は、顕微鏡ユ
ニット１２３に固定して取り付けられており、この顕微
鏡ユニット１２３もこれを支持するＺ軸ステージ１２０
によりＺ軸方向に摺動可能である。なお、Ｚ軸ステージ
１２０は、本体可動部１２１を介してＸＹ軸ステージ１
１８に固定されており、Ｅ−Ｏプローブ１１１をＸＹ平
面（Ｚ軸に垂直な平面）内で水平移動させることができ
る。このような構成とすることによって、Ｅ−Ｏプロー
ブ１１１を３次元空間内で移動させることができるとと
もに、これと独立に顕微鏡ユニット１２３の焦点距離を
調整することができる。
【００２５】Ｚ軸ステージ１２０には、コンピュータ１
３１に表示された像のコントラストなどを解析すること
により、自動的に顕微鏡ユニット１２３の焦点を合わせ
る自動焦点機構が接続されている。また、操作者がキー
ボード１３３を介してコンピュータ１３１に入力を行う
と、コンピュータ１３１からの指示によりＸＹ軸ステー
ジ１１８、プローブステージ１１９は摺動させられ、Ｅ
−Ｏプローブ１１１がＸＹ軸方向およびＺ軸方向に移動
することとなるので、被測定デバイスの測定対象領域上
方にＥ−Ｏプローブ１１１を水平移動させ、希望の近接
距離にＥ−Ｏプローブ１１１を設置することができる。
３１に表示された像のコントラストなどを解析すること
により、自動的に顕微鏡ユニット１２３の焦点を合わせ
る自動焦点機構が接続されている。また、操作者がキー
ボード１３３を介してコンピュータ１３１に入力を行う
と、コンピュータ１３１からの指示によりＸＹ軸ステー
ジ１１８、プローブステージ１１９は摺動させられ、Ｅ
−Ｏプローブ１１１がＸＹ軸方向およびＺ軸方向に移動
することとなるので、被測定デバイスの測定対象領域上
方にＥ−Ｏプローブ１１１を水平移動させ、希望の近接
距離にＥ−Ｏプローブ１１１を設置することができる。
【００２６】図３は、図２のＥ−Ｏプロービングシステ
ムにおいて、偏向素子１０２に代えてレンズ２０２をレ
ンズ１０１と光アイソレータ１０３との間に設置し、光
検出器１２７を２次元上に配置された光検出器群２２７
としたものである。このような構成とすることによっ
て、レーザ光源１００から照射されたレーザ光は拡大平
行光にすることができる。この拡大平行光をＥ−Ｏプロ
ーブ１１１に入射し、図１の電気針５に誘起された電界
情報を並列に２次元上に配置された光検出器群２２７に
入力させることができる。各電気針５からの電界情報を
含んだ反射光は、図２の装置と同様に処理され、被測定
デバイス１１２の電位を測定することができる。このよ
うにして、図３の装置では被測定デバイス１１５の電界
分布を並列に測定することができる。なお、図１の電気
針５は、被測定デバイス１１５から電気光学部材３方向
へ放射状に広がり電気光学部材の広い領域に接続されて
いるため、反射光に含まれる各電気針５からの電位情報
は容易に分離して２次元上に配置された光検出器群２２
７に入力することができる。
ムにおいて、偏向素子１０２に代えてレンズ２０２をレ
ンズ１０１と光アイソレータ１０３との間に設置し、光
検出器１２７を２次元上に配置された光検出器群２２７
としたものである。このような構成とすることによっ
て、レーザ光源１００から照射されたレーザ光は拡大平
行光にすることができる。この拡大平行光をＥ−Ｏプロ
ーブ１１１に入射し、図１の電気針５に誘起された電界
情報を並列に２次元上に配置された光検出器群２２７に
入力させることができる。各電気針５からの電界情報を
含んだ反射光は、図２の装置と同様に処理され、被測定
デバイス１１２の電位を測定することができる。このよ
うにして、図３の装置では被測定デバイス１１５の電界
分布を並列に測定することができる。なお、図１の電気
針５は、被測定デバイス１１５から電気光学部材３方向
へ放射状に広がり電気光学部材の広い領域に接続されて
いるため、反射光に含まれる各電気針５からの電位情報
は容易に分離して２次元上に配置された光検出器群２２
７に入力することができる。
【００２７】以上、上記第１実施例によれば、各電気針
５の間隔は下端になるほど狭くなっているので、被測定
デバイスの電位を拡大して測定することができる。ま
た、電気針５の下端は同一平面上に形成されているの
で、被測定デバイス内の電位の面内分布を正確に測定す
ることができる。 （第２実施例）図４は、本発明の第２実施例に係るＥ−
Ｏプローブの斜視構成を示す図である。
５の間隔は下端になるほど狭くなっているので、被測定
デバイスの電位を拡大して測定することができる。ま
た、電気針５の下端は同一平面上に形成されているの
で、被測定デバイス内の電位の面内分布を正確に測定す
ることができる。 （第２実施例）図４は、本発明の第２実施例に係るＥ−
Ｏプローブの斜視構成を示す図である。
【００２８】本実施例は、図１における電気針５の形状
を代えたものである。Ｅ−Ｏプローブの電気針１５の下
端部が、上端部よりも細くかつ各電気針１５間の距離も
下端になるにしたがって細くなっている。そして、この
各電気針１５の下端部長手方向が、被測定デバイス面に
対して略垂直であるようにされている。このように、電
気針１５の下端部長手方向が被測定デバイス面に対して
略垂直であることによって、隣接する被測定デバイス内
素子から誘起される電界の干渉を防止し、電気針１５下
端部に誘起される電界を正確かつ高い空間分解能で検出
することができる。なお、この電気針１５の下端も図１
の電気針５と同様に略同一平面内に形成されており、被
測定物微小領域の電位の面内分布を正確に測定すること
ができる。
を代えたものである。Ｅ−Ｏプローブの電気針１５の下
端部が、上端部よりも細くかつ各電気針１５間の距離も
下端になるにしたがって細くなっている。そして、この
各電気針１５の下端部長手方向が、被測定デバイス面に
対して略垂直であるようにされている。このように、電
気針１５の下端部長手方向が被測定デバイス面に対して
略垂直であることによって、隣接する被測定デバイス内
素子から誘起される電界の干渉を防止し、電気針１５下
端部に誘起される電界を正確かつ高い空間分解能で検出
することができる。なお、この電気針１５の下端も図１
の電気針５と同様に略同一平面内に形成されており、被
測定物微小領域の電位の面内分布を正確に測定すること
ができる。
【００２９】以上、上記第２実施例によれば、電気針１
５の下端部長手方向が、被測定デバイス面に対して略垂
直であるようにされているので、隣接する被測定デバイ
スの電位に誘起される電界の干渉を防止し、被測定デバ
イス内の電位を高い空間分解能で検出することができ
る。また、このＥ−Ｏプローブで被測定デバイスの電位
を測定中、操作ミス等によりこのＥ−Ｏプローブを被測
定デバイスに強い力で接触させた場合においても、電気
針１５とこれが固着された反射膜１４との界面にかかる
横方向応力を第１実施例のＥ−Ｏプローブと比較して低
減させることができ、このような操作ミス等による電気
針１５の破壊を防止することができる。
５の下端部長手方向が、被測定デバイス面に対して略垂
直であるようにされているので、隣接する被測定デバイ
スの電位に誘起される電界の干渉を防止し、被測定デバ
イス内の電位を高い空間分解能で検出することができ
る。また、このＥ−Ｏプローブで被測定デバイスの電位
を測定中、操作ミス等によりこのＥ−Ｏプローブを被測
定デバイスに強い力で接触させた場合においても、電気
針１５とこれが固着された反射膜１４との界面にかかる
横方向応力を第１実施例のＥ−Ｏプローブと比較して低
減させることができ、このような操作ミス等による電気
針１５の破壊を防止することができる。
【００３０】（第３実施例）図５は、本発明の第３実施
例に係るＥ−Ｏプローブを一部縦断面にて示す斜視構成
を示している。
例に係るＥ−Ｏプローブを一部縦断面にて示す斜視構成
を示している。
【００３１】本実施例は、図１における電気針５にかえ
て、円錐台形のテーパーファイバプレートのコア部に導
電性材料が混入された電気針２５を用いたものである。
なお、電気針２５となるコア部は、テーパーファイバプ
レートのクラッド部２６に埋設されている。電気光学部
材２３の下面には、図１における反射膜２４に代えて遮
光膜４１と反射膜４２とが形成されている。そして、こ
れら遮光膜４１と反射膜４２との下面にはテーパーファ
イバプレートの底面が固着されている。
て、円錐台形のテーパーファイバプレートのコア部に導
電性材料が混入された電気針２５を用いたものである。
なお、電気針２５となるコア部は、テーパーファイバプ
レートのクラッド部２６に埋設されている。電気光学部
材２３の下面には、図１における反射膜２４に代えて遮
光膜４１と反射膜４２とが形成されている。そして、こ
れら遮光膜４１と反射膜４２との下面にはテーパーファ
イバプレートの底面が固着されている。
【００３２】このテーパーファイバプレートの上端面お
よび下端面は、研磨加工が施してあり、これにより、電
気針２５は、下端面が略同一平面上にあり、全ての電気
針２５下端面が被測定デバイスの測定面に平行に近接ま
たは接触できる構成となっている。すなわち、電気針２
５の下端面がクラッド部２６の下端面よりも上方にある
ときは、クラッド部２６の下端面を被測定デバイス表面
に接触させることにより、クラッド部２６下端面と電気
針２５の下端面の高さの差の間隔をおいて電気針２５を
被測定デバイス表面に近接させることができ、電気針２
５の下端面がクラッド部２６の下端面よりも下方にある
ときは各電気針２５下端面全てを被測定デバイス表面に
平行に接触あるいは近接させることができる。当然のこ
とながら、クラッド部２６と電気針２５の下端面の高さ
が一致している場合は、クラッド部２６を被測定デバイ
スの表面に接触させることにより、容易に各電気針２５
を被測定デバイスに均一に接触させることが可能であ
る。
よび下端面は、研磨加工が施してあり、これにより、電
気針２５は、下端面が略同一平面上にあり、全ての電気
針２５下端面が被測定デバイスの測定面に平行に近接ま
たは接触できる構成となっている。すなわち、電気針２
５の下端面がクラッド部２６の下端面よりも上方にある
ときは、クラッド部２６の下端面を被測定デバイス表面
に接触させることにより、クラッド部２６下端面と電気
針２５の下端面の高さの差の間隔をおいて電気針２５を
被測定デバイス表面に近接させることができ、電気針２
５の下端面がクラッド部２６の下端面よりも下方にある
ときは各電気針２５下端面全てを被測定デバイス表面に
平行に接触あるいは近接させることができる。当然のこ
とながら、クラッド部２６と電気針２５の下端面の高さ
が一致している場合は、クラッド部２６を被測定デバイ
スの表面に接触させることにより、容易に各電気針２５
を被測定デバイスに均一に接触させることが可能であ
る。
【００３３】また、クラッド部２６は、細線の電気針２
５を機械的に補強するばかりではなく、各電気針５を互
いに接触させることないように離隔している。また、図
１と同様に電気針２５の上端面には反射膜４２が固着さ
れているが、電気光学部材２３の下端面であって反射膜
４２の固着されていない面には、遮光膜４１が固着され
ている。このような構成とすることよって、支持体２１
上方からレーザ光が入射して電気針２５に誘起された電
界情報が光として取り出される際、隣接する電気針２５
の電位情報を含んだ光の検出を防止することができる。
５を機械的に補強するばかりではなく、各電気針５を互
いに接触させることないように離隔している。また、図
１と同様に電気針２５の上端面には反射膜４２が固着さ
れているが、電気光学部材２３の下端面であって反射膜
４２の固着されていない面には、遮光膜４１が固着され
ている。このような構成とすることよって、支持体２１
上方からレーザ光が入射して電気針２５に誘起された電
界情報が光として取り出される際、隣接する電気針２５
の電位情報を含んだ光の検出を防止することができる。
【００３４】なお、本実施例は、テーパーファイバプレ
ートを用いたが、これは、導電性の電位針２５が絶縁性
の媒体（図５中ではクラッド部２６）に埋設されている
ものであれば上記と同様の作用を奏する。このようなも
のとしては、例えば、図６に示すようなものがあげられ
る。これは、ガラス等の絶縁性材料からなり、上下方向
に複数の貫通孔５１を有する円錐台状のテーパーマルチ
チャネルプレート基体（テーパーキャピラリープレート
基体）５０の貫通孔５１内に導電性の金属が付着して電
気針を構成しているものである。すなわち、テーパーマ
ルチチャネルプレート基体５０を真空容器（図示せず）
内を設置し、これを酸水素バーナー（図示せず）で加熱
しながら、上下方向にＧｅＯ2 とＰ2 Ｏ5 などの気相の
ガラス材料を流し、これと同時に導電性の金属ＰｂやＡ
ｕなどを加熱して気相状態として流し、貫通孔５１内壁
に導電性ガラスを析出させたようなものであってもよ
い。このようにして貫通孔５１内に導電性の電気針を形
成することも可能である。
ートを用いたが、これは、導電性の電位針２５が絶縁性
の媒体（図５中ではクラッド部２６）に埋設されている
ものであれば上記と同様の作用を奏する。このようなも
のとしては、例えば、図６に示すようなものがあげられ
る。これは、ガラス等の絶縁性材料からなり、上下方向
に複数の貫通孔５１を有する円錐台状のテーパーマルチ
チャネルプレート基体（テーパーキャピラリープレート
基体）５０の貫通孔５１内に導電性の金属が付着して電
気針を構成しているものである。すなわち、テーパーマ
ルチチャネルプレート基体５０を真空容器（図示せず）
内を設置し、これを酸水素バーナー（図示せず）で加熱
しながら、上下方向にＧｅＯ2 とＰ2 Ｏ5 などの気相の
ガラス材料を流し、これと同時に導電性の金属ＰｂやＡ
ｕなどを加熱して気相状態として流し、貫通孔５１内壁
に導電性ガラスを析出させたようなものであってもよ
い。このようにして貫通孔５１内に導電性の電気針を形
成することも可能である。
【００３５】また、このようにして析出する導電性ガラ
ス等の電気針の抵抗値は、マルチチャネルプレート基体
５０のガラス材料の混合比を変えることで可変可能であ
る。また、析出は、気相に限らず、液相でさせてもよい
し、導電性を有する電気針５が形成できるものであれ
ば、必ずしもＧｅＯ2 とＰ2 Ｏ5 などのガラス材料を用
いなくてもよい。
ス等の電気針の抵抗値は、マルチチャネルプレート基体
５０のガラス材料の混合比を変えることで可変可能であ
る。また、析出は、気相に限らず、液相でさせてもよい
し、導電性を有する電気針５が形成できるものであれ
ば、必ずしもＧｅＯ2 とＰ2 Ｏ5 などのガラス材料を用
いなくてもよい。
【００３６】以上、上記第３実施例によれば、テーパー
ファイバプレートの下端面は、研磨加工が施してあるの
で、容易に電気針２５の下端を略同一平面上に形成する
ことができる。また、電気針２５がクラッド部２６に埋
め込まれているので、電気針２５の機械的強度を向上さ
せることができるばかりでなく、各電気針２５を互いに
接触させることないように離隔することができる。さら
に、電気光学部材２３の下端面であって反射膜４２の固
着されていない面には、遮光膜４１が固着されているの
で、隣接する電気針２５の電位情報を含んだ光の検出を
防止することができる。
ファイバプレートの下端面は、研磨加工が施してあるの
で、容易に電気針２５の下端を略同一平面上に形成する
ことができる。また、電気針２５がクラッド部２６に埋
め込まれているので、電気針２５の機械的強度を向上さ
せることができるばかりでなく、各電気針２５を互いに
接触させることないように離隔することができる。さら
に、電気光学部材２３の下端面であって反射膜４２の固
着されていない面には、遮光膜４１が固着されているの
で、隣接する電気針２５の電位情報を含んだ光の検出を
防止することができる。
【００３７】なお、この遮光膜４１は、第１および第２
実施例のＥ−Ｏプローブに適用され得る。
実施例のＥ−Ｏプローブに適用され得る。
【００３８】次に、図１に示したＥ−Ｏプローブ電気針
５の製造方法について説明する。
５の製造方法について説明する。
【００３９】図６は、本発明の第１実施例に係るＥ−Ｏ
プローブ電気針５が、電気光学部材３に固着された反射
膜４の下面に形成される際の製造工程を示している。
プローブ電気針５が、電気光学部材３に固着された反射
膜４の下面に形成される際の製造工程を示している。
【００４０】まず、同図（ａ）に示すように、あらかじ
め下端部を尖らせた電気針５の底面を反射膜４の下面に
固定する。（第１工程） 次に、同図（ｂ）に示すように電気針５の下端部を１本
に束ねる。（第２工程） そして、同図（ｃ）に示すよ
うに、束ねられた電気針５の下端部をエッチング溶液に
浸し、化学的にこの先端部を除去し、電気針５下端の位
置を揃える。（第３工程） このようにして、同図（ｄ）に示すように、下端が収束
した電気針５を反射膜４を介して電気光学部材下面に備
えたＥ−Ｏプローブ基体を得る。この基体を透明電極を
介して支持体に固着させることにより、図１に示したＥ
−Ｏプローブを得ることができる。
め下端部を尖らせた電気針５の底面を反射膜４の下面に
固定する。（第１工程） 次に、同図（ｂ）に示すように電気針５の下端部を１本
に束ねる。（第２工程） そして、同図（ｃ）に示すよ
うに、束ねられた電気針５の下端部をエッチング溶液に
浸し、化学的にこの先端部を除去し、電気針５下端の位
置を揃える。（第３工程） このようにして、同図（ｄ）に示すように、下端が収束
した電気針５を反射膜４を介して電気光学部材下面に備
えたＥ−Ｏプローブ基体を得る。この基体を透明電極を
介して支持体に固着させることにより、図１に示したＥ
−Ｏプローブを得ることができる。
【００４１】なお、上記第１工程において、電気針５は
あらかじめ先端を尖らせたものを用いたが、これは、金
属半田などの導電材料の微小球を反射膜４の下面に固着
させた後、この導電性材料を加熱しながら、下方へ張引
して細線の電気針５となしてもよい。また、この第１工
程においては、粘性の高い導電性接着剤を反射膜４下面
に貼り付けた後、その一部を下方へ張引して細線の電気
針５となしてもよい。
あらかじめ先端を尖らせたものを用いたが、これは、金
属半田などの導電材料の微小球を反射膜４の下面に固着
させた後、この導電性材料を加熱しながら、下方へ張引
して細線の電気針５となしてもよい。また、この第１工
程においては、粘性の高い導電性接着剤を反射膜４下面
に貼り付けた後、その一部を下方へ張引して細線の電気
針５となしてもよい。
【００４２】なお、第２実施例に係るＥ−Ｏプローブ電
気針５の形状は、このようにして製作したＥ−Ｏプロー
ブ基体の電気針５をペンチなどで機械的に加工すること
によって得てもよい。
気針５の形状は、このようにして製作したＥ−Ｏプロー
ブ基体の電気針５をペンチなどで機械的に加工すること
によって得てもよい。
【００４３】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、被測定物
微小領域の電位に対応した電界を針状導電部材を介して
電気光学部材の広い領域に拡大して誘起させ、従来光の
回折限界により成し得なかった被測定物微小領域の電位
分布を測定することができる。また、針状導電部材の下
端が略同一平面上に形成されているので、針状導電部材
を均一に被測定物微小領域に接近させることができ、被
測定微小領域の電位の面内分布を正確に測定することが
できる。
微小領域の電位に対応した電界を針状導電部材を介して
電気光学部材の広い領域に拡大して誘起させ、従来光の
回折限界により成し得なかった被測定物微小領域の電位
分布を測定することができる。また、針状導電部材の下
端が略同一平面上に形成されているので、針状導電部材
を均一に被測定物微小領域に接近させることができ、被
測定微小領域の電位の面内分布を正確に測定することが
できる。
【００４４】また、針状導電部材が絶縁体に埋設されて
いるので、針状導電部材を補強するとともに、各針状導
電部材を電気的に絶縁することができる。
いるので、針状導電部材を補強するとともに、各針状導
電部材を電気的に絶縁することができる。
【００４５】さらに、電気光学部材の反射膜が形成され
ている面上であって、複数の針状導電部材の一端が前記
反射膜に固着されていない部分に遮光膜を形成すれば、
隣接する針状導電部材からの反射光の干渉を防止するこ
とができ、正確な被測定物の電位を測定することが可能
である。
ている面上であって、複数の針状導電部材の一端が前記
反射膜に固着されていない部分に遮光膜を形成すれば、
隣接する針状導電部材からの反射光の干渉を防止するこ
とができ、正確な被測定物の電位を測定することが可能
である。
【００４６】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に係るＥ−Ｏプローブの斜
視図である。
視図である。
【図２】本発明の第１実施例に係るＥ−Ｏプローブを用
いた電位計測装置の概略図である。
いた電位計測装置の概略図である。
【図３】本発明の第１実施例に係るＥ−Ｏプローブを用
いた電位計測装置の概略図である。
いた電位計測装置の概略図である。
【図４】本発明の第２実施例に係るＥ−Ｏプローブの斜
視図である。
視図である。
【図５】本発明の第３実施例に係るＥ−Ｏプローブの斜
視図である。
視図である。
【図６】本発明の第４実施例に係るＥ−Ｏプローブの斜
視図である。
視図である。
【図７】本発明の第１実施例に係るＥ−Ｏプローブの製
造方法を説明する説明図である。
造方法を説明する説明図である。
１，１１，２１…支持体、２，１２，２２…透明電極、
３，１３，２３…電気光学部材、４，１４，４２…反射
膜、５，１５，２５…電気針、２６…クラッド部、４１
…遮光膜、５０…テーパーマルチチャネルプレート基
体、５１…貫通孔、１００…レーザ光源、１０１，２０
２…レンズ、１０２…偏向素子、１０３…光アイソレー
タ、１０４…偏光ビームスプリッタ、１０５…波長板、
１０６，０８…ミラー、１０７，１０９…ダイクロイッ
クミラー、１１０…対物レンズ、１１１…Ｅ−Ｏプロー
ブ、１１２…被測定デバイス、１１３…支持台、１１４
…電気針、１１５…マニピュレータ、１１６…操作テー
ブル、１１７…本体固定部、１１８…ＸＹ軸ステージ、
１１９…プローブステージ、１２０…Ｚ軸ステージ、１
２１…本体可動部、１２２…自動焦点機構、１２３…顕
微鏡ユニット、１２４…接眼レンズ、１２５…ＣＣＤ、
１２６…光学ユニット、１２７…光検出器、２２７…光
検出器群、１２８…アンプ、１２９…モニター、１３０
…デジタルオシロスコープ、１３１…コンピュータ、１
３２…照射光源、１３３…キーボード、１３４…支持
針。
３，１３，２３…電気光学部材、４，１４，４２…反射
膜、５，１５，２５…電気針、２６…クラッド部、４１
…遮光膜、５０…テーパーマルチチャネルプレート基
体、５１…貫通孔、１００…レーザ光源、１０１，２０
２…レンズ、１０２…偏向素子、１０３…光アイソレー
タ、１０４…偏光ビームスプリッタ、１０５…波長板、
１０６，０８…ミラー、１０７，１０９…ダイクロイッ
クミラー、１１０…対物レンズ、１１１…Ｅ−Ｏプロー
ブ、１１２…被測定デバイス、１１３…支持台、１１４
…電気針、１１５…マニピュレータ、１１６…操作テー
ブル、１１７…本体固定部、１１８…ＸＹ軸ステージ、
１１９…プローブステージ、１２０…Ｚ軸ステージ、１
２１…本体可動部、１２２…自動焦点機構、１２３…顕
微鏡ユニット、１２４…接眼レンズ、１２５…ＣＣＤ、
１２６…光学ユニット、１２７…光検出器、２２７…光
検出器群、１２８…アンプ、１２９…モニター、１３０
…デジタルオシロスコープ、１３１…コンピュータ、１
３２…照射光源、１３３…キーボード、１３４…支持
針。
Claims (4)
- 【請求項１】 印加される電界に応じて屈折率が変化す
る電気光学部材と、 前記電気光学部材の一面に基端が固着された複数の針状
導電部材と、 を備え、 前記複数の針状導電部材の各々の前記基端側の間隔は、
当該針状導電部材の各々の前記先端側の間隔よりも大き
いことを特徴とするＥ−Ｏプローブ。 - 【請求項２】 前記複数の針状導電部材の先端が略同一
平面上に位置していることを特徴とする請求項１に記載
のＥ−Ｏプローブ。 - 【請求項３】 前記複数の針状導電部材が絶縁体からな
る保持部に埋設されていることを特徴とする請求項２に
記載のＥ−Ｏプローブ。 - 【請求項４】 前記電気光学部材の前記複数の針状導電
部材の基端が固着されている部分に光反射膜が介在さ
れ、 前記基端の固着面周囲の露出面に遮光膜が形成されてい
ることを特徴とする請求項１または請求項２または請求
項３に記載のＥ−Ｏプローブ。
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