TWI643270B - 電子電路裝置及電子電路裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及電子電路裝置及電子電路裝置的製造方法。該製造方法使用具有第一模具(13)和與第一模具(13)對置配置的第二模具(14)的成型模具，對安裝有電子部件(3)的基板(2)進行樹脂成型，來製造電子部件(3)藉由遮罩用構件被遮罩的結構的電子電路裝置，包括：準備導電性的板狀構件(19)和導電性的框狀構件(11)以作為遮罩用構件的製程，框狀構件(11)包括折彎部(12)，折彎部(12)是將框狀構件(11)的至少一個端部折彎而成並被設為能夠彈性變形；及樹脂成型工序，在基板(2)、框狀構件(11)及板狀構件(19)依此順序配置在第一模具(13)與第二模具(14)之間、且折彎部(12)配置在基板(2)側及板狀構件(19)側中的至少一側的狀態下，對第一模具(13)和第二模具(14)進行合模，使折彎部(12)彈性變形來進行樹脂成型。

Description

電子電路裝置及電子電路裝置的製造方法
本發明涉及具有藉由遮罩用構件被電磁遮罩的結構的電子電路裝置及電子電路裝置的製造方法。
以往，在行動電話或智慧手機等通信設備所使用的電路模組中，為了防止從電路部件中產生的電磁波的洩露或者為了隔絕從外部入侵的電磁波，廣泛採用對電路部件的周圍進行電磁遮罩的技術。例如，公開了一種將電路部件埋設在絕緣樹脂層中並藉由框狀的側面遮罩板和在絕緣樹脂層的上表面形成的遮罩層來覆蓋的技術(參考專利文獻1)。
專利文獻1：日本專利特開2007-157891號公報
然而，在專利文獻1所公開的電路模組中存在如下的問題。如專利文獻1的第5圖所示，首先，在模組基板中，以包入所有的電路部件的方式來形成絕緣樹脂層。藉由形成絕緣樹脂層，從而將電路部件和側面遮罩板埋設在絕緣樹脂層中。接著，對絕緣樹脂層的上表面進行研磨以使側面遮罩板的上端部露出。據此，使側面遮罩板的上端部的未被氧化的新鮮斷面露出。接著，在研磨後的絕緣樹脂層的上表面形成上表面遮罩層，並將側面遮罩板和上表面遮罩層連接。如此，為了製造電路模組而使用形成絕緣樹脂層的樹脂形成裝置、對絕緣樹脂層的上表面進行研磨的研磨裝置、以及在絕緣樹脂層的上表面形成上表面遮罩層的沉積裝置等多種製造裝置。因此，存在電路模組的製造成本增大的問題。
本發明用於解決上述問題，其目的在於，提供一種能夠製造使設置於遮罩用構件的折彎部彈性變形從而被遮罩的結構的電子電路裝置，並且能夠降低製造成本的電子電路裝置及電子電路裝置的製造方法。
為了解決上述問題，本發明所涉及的電子電路裝置的製造方法使用具有第一模具和與所述第一模具對置配置的第二模具的成型模具，對安裝有電子部件的基板進行樹脂成型，來製造所述電子部件藉由遮罩用構件被遮罩的結構的電子電路裝置，所述電子電路裝置的製造方法包括： 準備導電性的板狀構件和導電性的框狀構件以作為所述遮罩用構件的製程，所述框狀構件包括折彎部，所述折彎部是將所述框狀構件的至少一個端部折彎而成並被設為能夠彈性變形；以及 樹脂成型製程，在所述基板、所述框狀構件以及所述板狀構件依此順序配置在所述第一模具與所述第二模具之間、且所述折彎部配置在所述基板側及所述板狀構件側中的至少一側的狀態下，對所述第一模具和所述第二模具進行合模，使所述折彎部彈性變形來進行樹脂成型。
為了解決上述問題，本發明所涉及的電子電路裝置包括： 電子部件，安裝在基板上； 導電性的框狀構件，對所述電子部件進行遮罩； 導電性的板狀構件，以所述框狀構件為間隔而配置在與所述基板相反的那一側，並與所述框狀構件電連接；以及 封裝樹脂，至少配置在所述基板與所述板狀構件之間， 在所述基板側及所述板狀構件側中的至少一側，設置有將所述框狀構件的端部折彎而成的折彎部， 所述框狀構件為能夠彈性變形的材質， 在所述基板及所述板狀構件中的至少一方與所述折彎部之間，存在著存在所述封裝樹脂的部分和不存在所述封裝樹脂的部分。
為了解決上述問題，本發明所涉及的電子電路裝置包括： 電子部件，安裝在基板上； 導電性的框狀構件，對所述電子部件進行遮罩； 導電性的板狀構件，以所述框狀構件為間隔而配置在與所述基板相反的那一側，並與所述框狀構件電連接；以及 封裝樹脂，至少配置在所述基板與所述板狀構件之間， 在所述基板側及所述板狀構件側中的至少一側，設置有將所述框狀構件的端部折彎而成的折彎部， 所述框狀構件為能夠彈性變形的材質， 在所述基板及所述板狀構件中的至少一方與所述折彎部之間，存在各向異性導電性構件。
根據本發明，能夠製造出使設置於遮罩用構件的折彎部彈性變形從而被遮罩的結構的電子電路裝置，並且能夠降低電子電路裝置的製造成本。
以下參考圖式對本發明所涉及的實施方式進行說明。對於本申請中的任意一張圖式，為了易於理解，適當省略或誇張地進行了示意性描繪。對於相同的結構要素，附加相同的符號而適當省略說明。此外，在本文中，“電子部件”包括未藉由樹脂等進行封裝的所謂半導體晶片以及半導體晶片的至少一部分藉由樹脂等被封裝後的形態的半導體晶片。此外，“電子電路裝置”為至少一個電子部件藉由遮罩用構件被遮罩的結構，其包括藉由單一框狀構件被遮罩的結構的電子電路裝置以及藉由多個框狀構件被遮罩的結構的電子電路裝置。
[實施方式1]
(封裝前基板的結構)
參考第1至2圖，對在本發明所涉及的實施方式1的電子電路裝置中使用的封裝前基板的結構進行說明。
如第1圖的(a)所示，封裝前基板1是將基板虛擬劃分為格子狀的多個區域並在各個區域中安裝有電子部件的基板。在本實施方式中，示出安裝有作為電子部件的多個半導體晶片的封裝前基板。封裝前基板1包括基板2和在基板2上安裝的多個半導體晶片3。作為基板2，例如使用玻璃環氧層壓板、印刷基板、陶瓷基板等。作為半導體晶片3，例如安裝有微處理器、高頻器件、功率器件等。在第1圖中，使半導體晶片3的形成有電路的主面朝上而在基板2上安裝有半導體晶片3。
在基板2的表面設置有多個基板電極4。雖省略圖示，但是基板電極4經由在基板2的表面設置的佈線和在基板2的內部設置的導通孔佈線而分別連接到在基板2的背面設置的外部電極。基板電極4、佈線、導通孔佈線以及外部電極較佳地採用例如電阻率小的銅(Cu)或鋁(Al)等。如第1圖的(b)所示，多個基板電極4分別電連接到在半導體晶片3上形成的焊盤電極5。基板電極4和焊盤電極5經由由金線或銅線構成的焊線6被分別連接。
多個基板電極4之中的特定電極構成用於將半導體晶片3的電位設為接地電位的接地電極(地電極)7。如第1圖的(a)所示，接地電極7包含將半導體晶片3和多個基板電極4的周圍包圍的框狀的佈線圖案。在本實施方式中，在安裝有半導體晶片3的各個區域中，包括接地電極7的直接連接有焊線6的部分以及在最外周形成的框狀的佈線圖案在內，稱為接地電極7。框狀的接地電極7具有圖案寬度W。
在基板2的表面，除了基板電極4和接地電極7的表面之外，設置有作為絕緣性樹脂覆膜的阻焊劑8。
在封裝前基板1上，將基板2劃分為格子狀的多個區域，用於將各個區域切斷的切斷線9沿著X方向和Y方向(在第1圖的(a)中在橫向和縱向示出的虛線)而分別設置。由多個切斷線9包圍的各個區域10分別相當於成為藉由遮罩用構件被電磁遮罩的電子電路裝置的區域。
如第2圖所示，在將多個半導體晶片3安裝到基板2之後，具有導電性的框狀構件11被安裝到基板2。框狀構件11是用於包圍半導體晶片3的周圍以對半導體晶片3進行遮罩(遮蔽)的遮罩用構件。在框狀構件11的各個面上，可以適當設置用於在進行樹脂成型時使流動性樹脂易於流動的開口部。
框狀構件11使用能夠彈性變形的材質。作為能夠彈性變形的材質，可以使用金屬，例如可以使用Fe、Cu、Al或包含這些金屬中的至少一種的合金(不銹鋼、鈹銅、坡莫合金等)。此外，在後述的實施方式2～5中，除非特別說明，否則框狀構件的材質以及可適用於框狀構件的材料等與本實施方式相同。
如第2圖的(b)所示，框狀構件11例如藉由導電性黏接劑或焊料等連接到在基板2上設置的接地電極7上。框狀構件11在端部具有能夠彈性變形的多個折彎部12。在第2圖中，示出在框狀構件11的上端設置有折彎部12的情況。在框狀構件11的上端設置的折彎部12被設置在比半導體晶片3和焊線6高的位置。折彎部12也可以設置在框狀構件11的上端和下端雙方。對於折彎部12，雖然在第2圖中示出了朝向內側(半導體晶片3側)折彎的情況，但是也可以朝向外側(半導體晶片3的相反側)折彎，當存在多個折彎部12時，朝向內側折彎的與朝向外側折彎的還可以混合存在。
如第2圖的(a)所示，在框狀構件11上設置的多個折彎部12以例如在俯視時與接地電極7重疊的方式設置。在第2圖的(a)中，多個折彎部12的長度L被形成為與接地電極7的圖案寬度W(參考第1圖的(a))相同的程度。折彎部12的長度L也可以大於或者小於接地電極7的圖案寬度W。
在第2圖的(a)中，對於多個折彎部12，示出在每條邊上分別設置了三處的情況。不限於此，多個折彎部12的個數可以根據電子電路裝置的大小(各個區域10的大小)而任意設定。此外，對於折彎部12的截面形狀，將在後面描述(參考第5圖的(c))。
在第2圖的(a)中，在上層所示的區域10a中，以實線示出了接地電極7、框狀構件11以及折彎部12。在下層所示的區域10b中，為了使框狀構件11的折彎部12的俯視形狀易於理解，以實線示出了框狀構件11和折彎部12，而省略了接地電極7的圖示。
(壓縮成型模具的結構)
參考第3圖，對於例如在使用壓縮成型法的樹脂成型裝置中使用的成型模具的結構進行說明。
如第3圖的(a)所示，在使用壓縮成型法的樹脂成型裝置中，成型模具包括上模具13和與上模具13對置配置的下模具14。下模具14包括底面構件15和以包圍底面構件15的周圍的方式設置的框狀的側面構件16。底面構件15能夠沿著側面構件16的內周面而升降。換言之，底面構件15和側面構件16在上下方向上相對移動。由側面構件16的內周面和底面構件15的上表面所包圍的空間構成下模具14中的模腔17。
(樹脂成型製程以及單片化製程)
參考第3至4圖，對於對第2圖所示的封裝前基板1進行樹脂成型以製作封裝後基板，並對封裝後基板進行單片化以製造電子電路裝置的製程進行說明。
如第3圖的(a)所示，最初，預先設為將上模具13和下模具14開模後的狀態。接著，使用基板運送機構(未圖示)，將第2圖所示的封裝前基板1(安裝完半導體晶片3和框狀構件11)運送到上模具13的下方的規定位置。
接著，使用基板運送機構使封裝前基板1上升，藉由吸附或夾持(未圖示)將封裝前基板1固定在上模具13的型面上。封裝前基板1以使安裝有半導體晶片3和框狀構件11的面朝向下側的方式固定在上模具13的型面上。
接著，使用脫模膜供給機構(未圖示)，將脫模膜18供給到下模具14。使用在下模具14中設置的吸附機構(未圖示)，以沿著模腔17中的下模具14的型面的方式對脫模膜18進行吸附。作為脫模膜18，可以使用被切割為薄長方狀的脫模膜或長條狀的脫模膜中的任意一種。此外，根據樹脂材料的不同，也存在不使用脫模膜18的情況。
接著，使用材料運送機構(未圖示)，將具有導電性的板狀構件19供給到在下模具14中設置的模腔17。具體而言，向被供給到模腔17的脫模膜18上供給板狀構件19。板狀構件19是用於覆蓋半導體晶片3的上表面以對半導體晶片3進行遮罩的遮罩用構件。板狀構件19可以使用金屬，例如，可以使用Fe、Cu、Al或包含這些金屬中的至少一種的合金(不銹鋼、鈹銅、坡莫合金等)。此外，在後述的實施方式2至5中，除非特別說明，否則可以適用於板狀構件的材料等與本實施方式相同。
板狀構件19被形成為與模腔17的大小大致相同的大小。因此，板狀構件19大致正好地配置在被供給到模腔17的底面換言之底面構件15的上表面上的脫模膜18上。在這個狀態下，板狀構件19以不會在模腔17內水平(左右)移動的方式配置。
接著，使用樹脂運送機構(未圖示)，將規定量的樹脂材料20供給到在下模具14中設置的模腔17。作為樹脂材料20，可以使用粉末狀、顆粒狀、片狀等的樹脂或常溫下為液狀的樹脂等。在本實施方式中，示出供給顆粒狀的樹脂(顆粒狀樹脂)20以作為樹脂材料20的例子。具體而言，顆粒狀樹脂20被供給到板狀構件19上。
在此，雖然對於使用各自的運送機構將板狀構件19和樹脂材料20運送到下模具14的例子進行了說明，但並不限定於此。例如，可以設為預先在板狀構件19上配置有樹脂材料20的狀態，在該狀態下使用共同的運送機構來配置到下模具14的模腔17內。此時，在運送前的狀態下，還可以將預先切割後的脫模膜18以從板狀構件19的下方包圍樹脂材料20的側面的方式預先配置。接著，藉由在下模具14中設置的加熱器(未圖示)對顆粒狀樹脂20進行加熱。藉由進行加熱，從而使顆粒狀樹脂20熔化而生成流動性樹脂21。此外，在將液狀樹脂作為樹脂材料供給到模腔17的情況下，該液狀樹脂自身相當於流動性樹脂21。
接著，如第3圖的(b)所示，藉由合模機構(未圖示)使下模具14上升，以對上模具13和下模具14進行合模。藉由進行合模，從而使安裝在封裝前基板1上的半導體晶片3和框狀構件11浸漬到在模腔17內熔化而成的流動性樹脂21中。在該狀態下，在框狀構件11的端部(上端)設置的折彎部12與板狀構件19尚未接觸。
由於封裝前基板1浸漬到流動性樹脂21中，使得在模腔17內熔化而成的流動性樹脂21在模腔17內流動。在框狀構件11的各個面上設置有多個開口部的情況下，流動性樹脂21在這些開口部中通過從而在模腔17內流動。因此，藉由在框狀構件11的各個面上設置開口部，從而能夠在進行合模時使流動性樹脂21在模腔17內穩定地流動。
接著，藉由使下模具14進一步上升，從而在藉由側面構件16將封裝前基板1夾持住的狀態下，僅使底面構件15上升。據此，使在框狀構件11的上端設置的折彎部12與板狀構件19接觸。進而，藉由由板狀構件19對折彎部12進行擠壓，從而使折彎部12彈性變形。在使折彎部12彈性變形後的狀態下，對模腔17內的流動性樹脂21施加規定的樹脂壓力。
接著，如第3圖的(c)所示，使用在下模具14中設置的加熱器(未圖示)，按照為了使流動性樹脂21固化而所需的時間對流動性樹脂21進行加熱。使流動性樹脂21固化從而成型為固化樹脂22。據此，藉由與模腔17的形狀相對應而成型的固化樹脂(封裝樹脂)22，對安裝在封裝前基板1上的半導體晶片3和框狀構件11進行樹脂封裝。
在該狀態下，框狀構件11和板狀構件19經由彈性變形後的折彎部12而連接，板狀構件19被固定在固化樹脂22上。藉由在框狀構件11的上端設置多個折彎部12，從而能夠穩定地將框狀構件11和板狀構件19電連接。因此，能夠使板狀構件19、折彎部12、框狀構件11以及接地電極7電氣導通。據此，能夠藉由框狀構件11、折彎部12以及板狀構件19對各個半導體晶片3進行電磁遮罩。
接著，如第4圖的(a)所示，在成型為固化樹脂22之後，使用合模機構(未圖示)對上模具13和下模具14進行開模。在上模具13的型面上固定有樹脂封裝後的樹脂成型品(封裝後基板)23。接著，使用基板運送機構(未圖示)將樹脂成型品23從成型模具中取出。
此外，在對上模具13和下模具14進行合模的製程中，較佳地使用抽真空機構(未圖示)對模腔17內進行抽吸以減壓。據此，能夠將包含在殘留於模腔17內的空氣或流動性樹脂21中的氣泡等排出到成型模具的外部。
接著，如第4圖的(b)所示，例如，使用具有旋轉刃24的切斷裝置對樹脂成型品23進行切斷。使用旋轉刃24，沿著在樹脂成型品23上設置的切斷線9(參考第1圖的(a))將樹脂成型品23切斷。
如第4圖的(c)所示，藉由將樹脂成型品23切斷來進行單片化，從而製造出各個電子電路裝置25。電子電路裝置25成為半導體晶片3藉由框狀構件11、折彎部12以及板狀構件19被包圍從而能夠進行電磁遮罩的結構。
(折彎部和板狀構件的連接)
參考第5圖，對於板狀構件19與在框狀構件11的上端設置的折彎部12的連接狀態進行說明。
板狀構件19與在框狀構件11的上端設置的折彎部12的連接狀態成為如第5圖的(a)的區域S1和S2(由小圓圈包圍的區域)所示的連接狀態。實際上，並不是如第3圖和第4圖所示那樣折彎部12的整個面連接於板狀構件19的狀態。折彎部12與板狀構件19的連接狀態根據折彎部12的截面形狀而不同。
如第5圖的(c)所示，關於在框狀構件11的上端設置的折彎部的截面形狀，可以考慮各種截面形狀。例如，折彎部可以設為如12a至12e所示的截面形狀來使用。在本實施方式中，使用了12a所示的截面形狀來作為折彎部的截面形狀。因此，折彎部12與板狀構件19的連接狀態成為第5圖的(a)所示的連接狀態。
如第5圖的(b)所示，折彎部12和板狀構件19經由接觸部26a和26b而連接。由於折彎部12發生彈性變形，使得折彎部12和板狀構件19經由接觸部26a和26b而連接。因此，在折彎部12與板狀構件19之間(接觸部26a與接觸部26b之間)，產生填充有樹脂的狀態的極小的間隙27。
在對封裝前基板1進行樹脂成型時，流動性樹脂21也侵入到板狀構件19和折彎部12之間的間隙27中。侵入的流動性樹脂21固化，由此成型為固化樹脂(封裝樹脂）22a。因此，在板狀構件19與折彎部12之間，存在著存在固化樹脂22a的部分(具體而言相當於在間隙27中成型的固化樹脂22a)和不存在固化樹脂22a的部分(具體而言相當於接觸部26a和26b)。此外，在第5圖的(a)、(b)中示出了後述的第5圖的(c)的12a所示的截面形狀的折彎部藉由上模具13和下模具14的合模而發生彈性變形的一例的情況。
折彎部12與板狀構件19的連接狀態根據如第5圖的(c)所示的折彎部12的截面形狀而不同。例如，若為像折彎部12a、12b、12c那樣的截面形狀，則由於折彎部發生彈性變形而使得在一處或兩處被連接。若為像折彎部12d、12e那樣的截面形狀，則由於折彎部發生彈性變形而使得在一處被連接。無論在哪種情況下，均由於折彎部12發生彈性變形而使得板狀構件19和折彎部12電連接。
在第5圖的(c)中，折彎部12a至12e中的每一個均包括不與板狀構件19平行的部分，並且為藉由上模具13和下模具14的合模而與板狀構件19以一定角度相接觸的形狀。
折彎部12a和12c藉由上模具13和下模具14的合模，會使得其前端的角部與板狀構件19接觸後發生彈性變形。此時，藉由使折彎部12a和12c的前端陷入板狀構件19，從而能夠更可靠地將板狀構件19和折彎部12電連接。為了更可靠地使折彎部12a和12c的前端陷入板狀構件19，可以預先將折彎部12a和12c的前端弄尖。
折彎部12d和12e藉由上模具13和下模具14的合模，會使得前端和與框狀構件11的連接部分之間的中間部分與板狀構件19接觸後發生彈性變形。
折彎部12b藉由上模具13和下模具14的合模，會使得前端和與框狀構件11的連接部分中的任意一個接觸後發生彈性變形。
雖未圖示，但作為折彎部的形態，可以使用使平坦的折彎部的一部分變形而突出到板狀構件側、或者對平坦的折彎部的一部分進行沖孔加工而使毛刺狀部分突出到板狀構件側等各種形狀。
無論哪種形狀，在板狀構件與折彎部之間都存在著存在封裝樹脂的部分和不存在封裝樹脂的部分。
此外，在後述的實施方式2至5中，除非特別說明，折彎部的形狀等也與本實施方式相同。
(作用效果)
本實施方式的電子電路裝置的製造方法是使用具有作為第一模具的上模具13和與上模具13對置配置的作為第二模具的下模具14的成型模具，對安裝有作為電子部件的半導體晶片3的基板2進行樹脂成型，以製造半導體晶片3藉由遮罩用構件被遮罩的結構的電子電路裝置25的電子電路裝置的製造方法，包括：準備導電性的板狀構件19和導電性的框狀構件11以作為遮罩用構件的製程，所述框狀構件11包括折彎部12，所述折彎部12是將所述框狀構件11的至少一個端部折彎而成並被設為能夠彈性變形；以及樹脂成型製程，在基板2、框狀構件11以及板狀構件19依此順序配置在上模具13與下模具14之間、且折彎部12配置在基板2側及板狀構件19側中的至少一側的狀態下，對上模具13和下模具14進行合模，使折彎部12彈性變形來進行樹脂成型的。
根據該方法，藉由進行樹脂成型，能夠使設置於框狀構件11的折彎部12彈性變形而將板狀構件19和框狀構件11電連接。因此，能夠藉由框狀構件11和板狀構件19對電子電路裝置25進行電磁遮罩。並且，藉由將基板2、框狀構件11以及板狀構件19依此順序配置來進行樹脂成型，從而能夠對電子電路裝置25進行電磁遮罩。因此，能夠降低電子電路裝置25的製造成本。
本實施方式的電子電路裝置25包括：半導體晶片3，作為安裝在基板2上的電子部件；導電性的框狀構件11，對半導體晶片3進行遮罩；導電性的板狀構件19，配置在框狀構件11的與基板2相反的那一側，並與框狀構件11電連接；以及固化樹脂22，作為至少配置在基板2與板狀構件19之間的封裝樹脂，該電子電路裝置25設為如下結構：在基板2側及板狀構件19側中的至少一側，設置有將框狀構件11的端部折彎而成的折彎部12，包含折彎部12的框狀構件11為能夠彈性變形的材質，在基板2及板狀構件19中的至少一方與折彎部12之間，存在著作為存在固化樹脂22a的部分的間隙27和作為不存在固化樹脂22a的部分的接觸部26a、26b。
根據該結構，使設置於框狀構件11的折彎部12彈性變形而將板狀構件19和框狀構件11連接。在板狀構件19與折彎部12之間，存在著作為不存在固化樹脂22a的部分的接觸部26a、26b，在這些接觸部26a、26b中能夠將板狀構件19和框狀構件11電連接。因此，能夠藉由框狀構件11和板狀構件19對電子電路裝置25進行電磁遮罩。
根據本實施方式，將導電性的框狀構件11連接到在封裝前基板1上設置的接地電極7上。框狀構件11在端部(上端)具有能夠彈性變形的折彎部12。在採用壓縮成型法的成型模具中，將安裝有半導體晶片3和框狀構件11的封裝前基板1供給到上模具13。將導電性的板狀構件19和樹脂材料(顆粒狀樹脂)20供給到下模具14。藉由對上模具13和下模具14進行合模來進行樹脂成型，從而使折彎部12彈性變形而將板狀構件19和框狀構件11電連接。據此，能夠藉由框狀構件11和板狀構件19對樹脂成型後的電子電路裝置25進行電磁遮罩。
根據本實施方式，在框狀構件11的上端設置能夠彈性變形的折彎部12。藉由使折彎部12接觸到板狀構件19並進行擠壓，從而使折彎部12彈性變形。據此，能夠經由折彎部12將板狀構件19和框狀構件11電連接。因此，能夠使板狀構件19、折彎部12、框狀構件11以及接地電極7電氣導通。據此，能夠藉由框狀構件11、折彎部12以及板狀構件19對電子電路裝置25進行電磁遮罩。
根據本實施方式，將安裝有半導體晶片3和框狀構件11的封裝前基板1供給到上模具13。將導電性的板狀構件19和樹脂材料(顆粒狀樹脂)20供給到下模具14。在上模具13與下模具14之間，將封裝前基板1、框狀構件11以及板狀構件19依此順序配置來進行合模。藉由進行樹脂成型，能夠使折彎部12彈性變形而將板狀構件19和框狀構件11電連接。因此，能夠降低製造遮罩結構的電子電路裝置25的製造成本。
根據本實施方式，在框狀構件11的上端設置能夠彈性變形的折彎部12。使折彎部12彈性變形而將板狀構件19和框狀構件11連接。由於折彎部12發生彈性變形，從而在板狀構件19與折彎部12之間獲得作為不存在固化樹脂22a的部分的接觸部26a、26b。藉由接觸部26a、26b，能夠將板狀構件19和框狀構件11電連接。因此，能夠藉由框狀構件11和板狀構件19對電子電路裝置25進行電磁遮罩。
[實施方式2]
(封裝前基板的結構)
參考第6圖，對在本發明所涉及的實施方式2的電子電路裝置中使用的封裝前基板的結構進行說明。在本實施方式中，示出作為電子部件而安裝有樹脂封裝後的不同種類的電子部件的封裝前基板。
如第6圖所示，封裝前基板28包括基板29和在基板29上安裝的多個電子部件30及電子部件31。電子部件30和電子部件31的種類不同，各自均為樹脂封裝後的已完成的電子部件。在本實施方式中，製造將電子部件30和電子部件31模組化後的電子電路裝置。
在基板29的表面，與電子部件30對應地設置有多個基板電極32a。電子部件30經由多個凸塊33a分別連接到基板電極32a。同樣地，在基板29的表面，與電子部件31對應地設置有多個基板電極32b。電子部件31經由多個凸塊33b分別連接到基板電極32b。
基板電極32a經由在基板29的表面上設置的佈線以及在基板29的內部設置的導通孔佈線，分別連接到基板電極32b或在基板29的背面設置的外部電極。藉由經由基板電極32a、32b來連接電子部件30和電子部件31，從而使電子部件30和電子部件31被模組化。基板電極32a、32b、佈線以及導通孔佈線較佳地使用電阻率小的Cu。
多個基板電極32a、32b之中的特定電極構成用於將電子部件30或電子部件31的電位設為接地電位的接地電極34、34a。接地電極34、34a使用電阻率小的Cu。如第6圖的(a)的上層所示，接地電極34、34a被形成為分別包圍電子部件30和電子部件31的周圍的框狀圖案。在第6圖的(a)中，以包圍電子部件30和電子部件31的外周的方式形成的接地電極34具有圖案寬度W，在電子部件30與電子部件31之間形成的接地電極34a具有圖案寬度W1。
在基板29的表面上，除了基板電極32a、32b以及接地電極34、34a的表面之外，設置有阻焊劑35。
在設置於基板29的接地電極34、34a上設置有框狀構件36。框狀構件36藉由導電性黏接劑或焊料等連接到接地電極34、34a。框狀構件36在端部具有能夠彈性變形的折彎部37、37a。在第6圖中，在框狀構件36的上端設置有折彎部37、37a。在框狀構件36的上端設置的折彎部37、37a被設置在比電子部件30和電子部件31高的位置。
如第6圖的(a)所示，折彎部37、37a以俯視時與接地電極34、34a重疊的方式設置。在外周上設置的折彎部37的長度L被形成為與在外周上形成的接地電極34的圖案寬度W相同的程度。在電子部件30與電子部件31之間設置的折彎部37a的長度L1被形成為與接地電極34a的圖案寬度W1相同的程度。
在封裝前基板28上，用於將基板29切斷的切斷線38沿著X方向和Y方向(在第6圖的(a)中在橫向和縱向示出的虛線)而分別設置。由多個切斷線38包圍的區域39a、39b分別相當於成為經過樹脂成型並被模組化的電子電路裝置的區域。
此外，在第6圖的(a)中，在上層所示的區域39a中，以實線示出了接地電極34、34a，以雙點劃線示出了框狀構件36和折彎部37、37a。在下層所示的區域39b中，為了使框狀構件36的折彎部37、37a的俯視形狀易於理解，以實線示出了框狀構件36和折彎部37、37a，而省略了接地電極34、34a的圖示。
在第6圖中，示出了為了確保框狀構件36的強度及穩定性，不分割地連續設置對電子部件30和電子部件31進行劃分(遮罩)的框狀構件36的折彎部37a的情況。折彎部37a的長度L1被形成為與接地電極34a的圖案寬度W1相同的程度。不限於此，也可以與包圍區域39a、39b的外周的框狀構件36的折彎部37同樣地對折彎部37a進行分割。
在本實施方式中，由於是將電子部件30、31的凸塊電極33a、33b連接到基板29的基板電極32a、32b的結構，所以藉由與這些連接共同的連接製程，還能夠將框狀構件36連接到基板29的接地電極34、34a。例如，可以藉由共同的回流焊接製程，在將電子部件30、31的凸塊電極33a、33b連接到基板29的基板電極32a、32b的同時，將框狀構件36連接到基板29的接地電極34、34a。關於這一點，對於後述的實施方式3、4而言，由於也使用具備有凸塊電極的電子部件，因此與本實施方式相同。
(樹脂成型製程以及單片化製程)
參考第7至8圖，對於對第6圖所示的封裝前基板28進行樹脂成型以製作封裝後基板，並對封裝後基板進行單片化以製造模組化後的電子電路裝置的製程進行說明。由於樹脂成型製程以及單片化製程基本上與實施方式1相同，因此將簡化說明。
如第7圖的(a)所示，首先，對上模具13和下模具14進行開模。接著，將第6圖所示的封裝前基板28(安裝完電子部件30、電子部件31以及框狀構件36)供給到上模具13的型面。
接著，將脫模膜18、板狀構件19以及樹脂材料(顆粒狀樹脂)20供給到在下模具14中設置的模腔17。接著，藉由在下模具14中設置的加熱器對顆粒狀樹脂20進行加熱以生成流動性樹脂21。
接著，如第7圖的(b)所示，藉由合模機構對上模具13和下模具14進行合模。藉由進行合模，從而使安裝在封裝前基板28上的電子部件30、31和框狀構件36浸漬到流動性樹脂21中。若預先在框狀構件36的各個面上設置開口部，則在進行合模時能夠使流動性樹脂21在模腔17內穩定地流動。
在藉由側面構件16將封裝前基板28夾持住的狀態下，僅使底面構件15進一步上升。使在框狀構件36的上端設置的折彎部37、37a與板狀構件19相接觸。進而，藉由由板狀構件19對折彎部12進行擠壓，從而使折彎部37、37a彈性變形。在使折彎部37、37a彈性變形後的狀態下，對模腔17內的流動性樹脂21施加規定的樹脂壓力。
接著，如第7圖的(c)所示，使用在下模具14中設置的加熱器，對流動性樹脂21進行加熱以成型為固化樹脂22。據此，藉由固化樹脂(封裝樹脂)22對安裝在封裝前基板28上的電子部件30、31和框狀構件36進行樹脂封裝。
在該狀態下，框狀構件36和板狀構件19經由折彎部37、37a而連接，板狀構件19被固定在固化樹脂22上。藉由使折彎部37、37a彈性變形，從而將板狀構件19和框狀構件36電連接。板狀構件19、折彎部37、37a、框狀構件36以及接地電極34、34a電氣導通。據此，電子部件30和電子部件31各自均藉由框狀構件36、折彎部37、37a以及板狀構件19被包圍從而被電磁遮罩。
接著，如第8圖的(a)所示，使用合模機構對上模具13和下模具14進行開模。在上模具13的型面上固定有樹脂封裝後的樹脂成型品(封裝後基板)40。從成型模具中取出樹脂成型品40。
接著，如第8圖的(b)所示，使用具有旋轉刃24的切斷裝置，沿著沿X方向和Y方向設置的切斷線38，對樹脂成型品40進行切斷。
如第8圖的(c)所示，藉由對樹脂成型品40進行單片化，從而製造出各個電子電路裝置41。電子電路裝置41具有電子部件30和電子部件31被模組化後的複合功能，成為電子部件30和電子部件31各自均藉由框狀構件36、折彎部37、37a以及板狀構件19被包圍從而被遮罩的結構。
(作用效果)
本實施方式的電子電路裝置的製造方法是使用具有作為第一模具的上模具13和與上模具13對置配置的作為第二模具的下模具14的成型模具，對安裝有電子部件30和電子部件31的基板29進行樹脂成型，以製造電子部件30和電子部件31藉由遮罩用構件被遮罩的結構的電子電路裝置41的電子電路裝置的製造方法，包括：準備導電性的板狀構件19和導電性的框狀構件36以作為遮罩用構件的製程，所述框狀構件36包括折彎部37、37a，所述折彎部37、37a是將所述框狀構件36的至少一個端部折彎而成並被設為能夠彈性變形；以及樹脂成型製程，在基板2、框狀構件36以及板狀構件19依此順序配置在上模具13與下模具14之間、且折彎部37、37a配置在基板2側及板狀構件19側中的至少一側的狀態下，對上模具13和下模具14進行合模，使折彎部37、37a彈性變形來進行樹脂成型的樹脂成型製程。
根據該方法，藉由進行樹脂成型，從而能夠使設置於框狀構件36的折彎部37、37a彈性變形而將板狀構件19和折彎部37、37a電連接。因此，電子電路裝置41具有將電子部件30和電子部件31模組化後的複合功能，能夠藉由框狀構件36和板狀構件19分別對構成電子電路裝置41的電子部件30和電子部件31進行電磁遮罩。並且，藉由將基板29、框狀構件36以及板狀構件19依此順序配置來進行樹脂成型，從而能夠對電子電路裝置41進行電磁遮罩。因此，能夠降低電子電路裝置41的製造成本。
根據本實施方式，將導電性的框狀構件36連接到在封裝前基板28上設置的接地電極34、34a上。框狀構件36在端部(上端)具有能夠彈性變形的折彎部37、37a。在採用壓縮成型法的成型模具中，將安裝有電子部件30、31以及框狀構件36的封裝前基板28供給到上模具13。將導電性的板狀構件19和樹脂材料(顆粒狀樹脂)20供給到下模具14。藉由對上模具13和下模具14進行合模來進行樹脂成型，從而使折彎部37、37a彈性變形而將板狀構件19和框狀構件36電連接。據此，能夠藉由電子部件30和電子部件31將電子電路裝置41模組化，並且藉由框狀構件36和板狀構件19分別對電子部件30和電子部件31進行電磁遮罩。
根據本實施方式，在框狀構件36的上端設置能夠彈性變形的折彎部37、37a。藉由使折彎部37、37a接觸到板狀構件19並進行擠壓，從而使折彎部37、37a彈性變形。據此，能夠經由折彎部37、37a將板狀構件19和框狀構件36電連接。因此，能夠使板狀構件19、折彎部37、37a、框狀構件36以及接地電極34、34a電氣導通。據此，能夠藉由框狀構件36、折彎部37、37a以及板狀構件19分別對構成電子電路裝置41的電子部件30和電子部件31進行電磁遮罩。
根據本實施方式，將安裝有電子部件30、電子部件31以及框狀構件36的封裝前基板28供給到上模具13。將導電性的板狀構件19和樹脂材料(顆粒狀樹脂)20供給到下模具14。在上模具13與下模具14之間，將封裝前基板28、框狀構件36以及板狀構件19依此順序配置來進行合模。藉由進行樹脂成型，從而使折彎部37、37a彈性變形而將板狀構件19和框狀構件36電連接。因此，能夠降低製造遮罩結構的電子電路裝置41的製造成本。
根據本實施方式，藉由將電子部件30和電子部件31模組化，從而構成電子電路裝置41。電子部件30和電子部件31各自均藉由框狀構件36、折彎部37、37a以及板狀構件19被電磁遮罩。因此，電子部件30和電子部件31各自均抑制了由電磁雜訊引起的誤操作，從而能夠謀求提高可靠性。因此，能夠提高電子電路裝置41的可靠性及性能。
[實施方式3]
(封裝前基板的結構)
參考第9圖，對在本發明所涉及的實施方式3的電子電路裝置中使用的封裝前基板的結構進行說明。在本實施方式中，對於例如在物聯網(IoT，Internet of Things)中使用的電子電路裝置進行說明。
如第9圖的(a)所示，在IoT中使用的封裝前基板42包括基板43和在基板43上安裝的多個電子部件44、45、46、47。例如，電子部件44由對來自未圖示的電源的功率進行轉換並供給到其他電路部(通信電路、檢測電路以及運算電路中的至少一個)的電源電路構成。電子部件45由與外部進行資料通信的通信電路構成。電子部件46至少由從感測器獲取信號並進行處理的檢測電路構成。電子部件47由基於來自通信電路和/或檢測電路的資料來執行運算的運算電路(控制電路)構成。藉由將這些電子部件44、45、46、47模組化，從而構成在IoT中使用的電子電路裝置。
各電子部件44、45、46、47分別經由凸塊48而連接到基板電極49。接地電極50、50a以包圍各個電子部件44、45、46、47的周圍的方式形成在基板43上。在各個電子部件的外周形成的接地電極50具有圖案寬度W，在各電子部件之間形成的接地電極50a具有圖案寬度W2。各個電子部件44、45、46、47經由在基板43的內部設置的導通孔佈線而連接。
(框狀構件的結構)
參考第10圖，對安裝在第9圖所示的封裝前基板42上的框狀構件進行說明。如第10圖的(b)所示，框狀構件51在上端和下端分別具有能夠彈性變形的多個折彎部。框狀構件51在上端具有能夠彈性變形的多個折彎部52a、52b。同樣地，框狀構件51在下端具有能夠彈性變形的多個折彎部52c、52d。多個折彎部52a、52c以俯視時與接地電極50(參考第9圖的(a))重疊的方式設置。同樣地，多個折彎部52b、52d以俯視時與接地電極50a(參考第9圖的(a))重疊的方式設置。
多個折彎部52a、52c的長度L被形成為與接地電極50的圖案寬度W相同的程度。多個折彎部52b、52d的長度L2被形成為與接地電極50a的圖案寬度W2相同的程度。為了確保框狀構件51的強度及穩定性，增大了對各個電子部件44、45、46、47之間進行劃分的框狀構件51的折彎部52b、52d的長度L2。
(樹脂成型製程)
參考第11至12圖，對於對第9圖所示的封裝前基板42、第10圖所示的框狀構件51、以及板狀構件19進行樹脂成型以製造模組化後的電子電路裝置的製程進行說明。
如第11圖的(a)所示，首先，對上模具13和下模具14進行開模。接著，將第9圖所示的封裝前基板42(安裝完電子部件44、45、46、47)供給到上模具13的型面。
接著，將脫模膜18和板狀構件19供給到在下模具14中設置的模腔17。
接著，將第10圖所示的框狀構件51供給到在下模具14中設置的模腔17。框狀構件51被上下顛倒地放置在板狀構件19上。具體而言，在板狀構件19的上端設置的能夠彈性變形的多個折彎部52a、52b被放置在板狀構件19上。框狀構件51的高度被設定為小於模腔17的深度。在本實施方式中，示出在框狀構件51的下端也設置有能夠彈性變形的多個折彎部52c、52d的情況。
接著，如第11圖的(b)所示，將樹脂材料(顆粒狀樹脂)20供給到在下模具14中設置的模腔17。顆粒狀樹脂20被供給到由板狀構件19和框狀構件15包圍的空間內。
接著，藉由在下模具14中設置的加熱器對顆粒狀樹脂20進行加熱以生成流動性樹脂21。若預先在框狀構件51的各個面上設置開口部，則能夠使流動性樹脂21在模腔17內穩定地流動。
接著，如第11圖的(c)所示，藉由合模機構對上模具13和下模具14進行合模。藉由進行合模，從而使安裝在封裝前基板42上的電子部件44、45、46、47浸漬到流動性樹脂21中。在該狀態下，在框狀構件51的下端設置的多個折彎部52c、52d尚未與在封裝前基板42上形成的接地電極50、50a相接觸。
接著，在藉由側面構件16將封裝前基板42夾持住的狀態下，僅使底面構件15進一步上升。使在框狀構件51的下端設置的折彎部52c、52d與接地電極50、50a相接觸。進而，藉由使板狀構件19上升，從而使折彎部52a、52b、52c、52d彈性變形。在使折彎部52a、52b、52c、52d彈性變形後的狀態下，對模腔17內的流動性樹脂21施加規定的樹脂壓力。
接著，如第12圖的(a)所示，使用在下模具14中設置的加熱器，對流動性樹脂21進行加熱以成型為固化樹脂22。據此，在封裝前基板42上安裝的電子部件44、45、46、47和框狀構件51藉由固化樹脂(封裝樹脂)22被進行樹脂封裝。
在該狀態下，在框狀構件51的上端設置的折彎部52a、52b發生彈性變形而連接到板狀構件19。板狀構件19被固定在固化樹脂22上。在框狀構件51的下端設置的折彎部52c、52d發生彈性變形而連接到接地電極50、50a。據此，板狀構件19、折彎部52a、52b、框狀構件51、折彎部52c、52d以及接地電極50、50a電氣導通。因此，電子部件44、45、46、47各自均藉由框狀構件51和板狀構件19被包圍從而被電磁遮罩。
接著，如第12圖的(b)所示，使用合模機構對上模具13和下模具14進行開模。在上模具13的型面上固定有樹脂封裝後的樹脂成型品(封裝後基板)53。將樹脂成型品53從成型模具中取出。
如第12圖的(c)所示，在本實施方式中，經過樹脂封裝並被取出的樹脂成型品53自身成為在IoT中使用的電子電路裝置54。電子電路裝置54中所包含的電子部件44、45、46、47各自均藉由框狀構件51和板狀構件19被電磁遮罩。
此外，在第9至12圖中，示出了包括電源電路、通信電路、檢測電路以及運算電路這些電路部的結構，但不限於此。例如，可以設為包括多個電路部的結構，該多個電路部包括電源電路、通信電路、檢測電路以及運算電路中的至少一個電路部。此外，還可以設為對多個電路部使用分別對應的獨立的多個框狀構件來進行遮罩的結構。
(作用效果)
本實施方式的電子電路裝置的製造方法是使用具有作為第一模具的上模具13和與上模具13對置配置的作為第二模具的下模具14的成型模具，對安裝有電子部件44、45、46、47的基板43進行樹脂成型，以製造電子部件44、45、46、47各自均藉由遮罩用構件被遮罩的結構的電子電路裝置54的電子電路裝置的製造方法，包括：準備導電性的板狀構件51和導電性的框狀構件51以作為遮罩用構件的製程，所述框狀構件51包括折彎部52a、52b、52c、52d，所述折彎部52a、52b、52c、52d是將所述框狀構件51的端部折彎而成並被設為能夠彈性變形；以及樹脂成型製程，在基板43、框狀構件51以及板狀構件19依此順序配置在上模具13與下模具14之間、且折彎部52c、52d及52a、52b配置在基板43側及板狀構件19側的狀態下，對上模具13和下模具14進行合模，使折彎部52a、52b、52c、52d彈性變形來進行樹脂成型。
根據該方法，藉由進行樹脂成型，從而使在框狀構件51的上端設置的折彎部52a、52b彈性變形而將板狀構件19和折彎部52a、52b電連接。同樣地，使在框狀構件51的下端設置的折彎部52c、52d彈性變形而將接地電極50、50a和折彎部52c、52d電連接。因此，電子電路裝置54具有將電子部件44、45、46、47模組化後的複合功能，能夠藉由框狀構件51和板狀構件19分別對構成電子電路裝置54的電子部件44、45、46、47進行電磁遮罩。並且，藉由將基板43、框狀構件51以及板狀構件19依此順序配置來進行樹脂成型，從而能夠對電子電路裝置54進行電磁遮罩。因此，能夠降低電子電路裝置54的製造成本。
根據本實施方式，在採用壓縮成型法的成型模具中，將安裝有電子部件44、45、46、47的封裝前基板42供給到上模具13。將導電性的板狀構件19、導電性的框狀構件51以及樹脂材料(顆粒狀樹脂)20供給到下模具14。框狀構件51在上端具有能夠彈性變形的折彎部52a、52b，在下端具有能夠彈性變形的折彎部52c、52d。藉由對上模具13和下模具14進行合模來進行樹脂成型，從而使折彎部52a、52b彈性變形而將板狀構件19和框狀構件51電連接。使折彎部52c、52d彈性變形而將接地電極50、50a和板狀構件51電連接。據此，能夠藉由電子部件44、45、46、47將電子電路裝置54模組化，並藉由框狀構件51和板狀構件19分別對電子部件44、45、46、47進行電磁遮罩。
根據本實施方式，將安裝有電子部件44、45、46、47的封裝前基板42供給到上模具13。將導電性的板狀構件19、導電性的框狀構件51以及樹脂材料(顆粒狀樹脂)20供給到下模具14。在上模具13與下模具14之間，將封裝前基板42、框狀構件51以及板狀構件19依此順序配置來進行合模。藉由進行樹脂成型，從而使折彎部52a、52b彈性變形而將板狀構件19和框狀構件51電連接。使折彎部52c、52d彈性變形而將接地電極50、50a和板狀構件51電連接。能夠省略如實施方式1、2那樣預先將框狀構件51安裝到封裝前基板42的製程。因此，能夠降低製造電子電路裝置54的製造成本。
根據本實施方式，藉由將電子部件44、45、46、47模組化，從而構成電子電路裝置54。電子部件44、45、46、47各自均藉由框狀構件51、折彎部52a、52b、52c、52d以及板狀構件19被電磁遮罩。因此，電子部件44、45、46、47各自均抑制了由電磁雜訊引起的誤操作，從而能夠謀求提高可靠性。因此，能夠提高電子電路裝置54的可靠性及性能。
在本實施方式中，不僅在框狀構件51的上端而且還在下端設置了能夠彈性變形的折彎部52c、52d。不限於此，也可以設為僅在框狀構件51的上端設置折彎部52a、52b而不在框狀構件51的下端設置折彎部52c、52d的結構。在這種情況下，預先將框狀構件51的下端設為具有微小凹凸(突起)的突起狀的形狀。藉由設置微小的凹凸，從而能夠將框狀構件51的下端和接地電極50、50a電連接。
此外，在本實施方式中，作為在IoT中使用的電子電路裝置的一個例子，示出了由包括電源電路、通信電路、檢測電路以及運算電路的多個電子部件構成的電子電路裝置。不限於此，在IoT中使用的電子電路裝置可以藉由將具有各種電路結構(功能)的多個電子部件組合來構成。
[實施方式4]
(採用傳遞成型法的樹脂成型)
參考第13圖，對於在採用傳遞成型法的樹脂成型裝置中使用的成型模具進行說明。
在第13圖的(a)中，樹脂封裝裝置例如包括上模具55、下模具56以及中間模具57。上模具55、下模具56以及中間模具57一同構成成型模具。在下模具56中設置有收容樹脂料片58的料筒59。設置有對在料筒59內收容的樹脂料片58進行擠壓的活塞60。在上模具55中設置有殘料部61和流道62，殘料部61和流道62成為樹脂料片58被加熱後熔化而成的流動性樹脂的樹脂通路。在中間模具57中設置有：模腔63，成為固化樹脂被成型的空間；和澆口64，將流動性樹脂供給到模腔63。進而，在中間模具57中設置有貫通孔65，貫通孔65成為將流動性樹脂從料筒59中壓力進給到殘料部61的樹脂通路。
參考第13圖，對藉由傳遞成型法對電子部件、框狀構件以及板狀構件進行樹脂成型的製程進行說明。
如第13圖的(a)所示，在對成型模具進行開模後的狀態下，將封裝前基板66配置到設置於下模具56的基板配置部。封裝前基板66包括：基板67；在基板67上安裝的電子部件68、69；以及具有導電性的框狀構件70。電子部件68、69經由凸塊71而連接到設置於基板67的基板電極72上。框狀構件70安裝在接地電極73上。框狀構件70在上端具有能夠彈性變形的折彎部74。將具有導電性的板狀構件75配置在封裝前基板66上(具體而言，折彎部74上)。板狀構件75具有注入流動性樹脂的注入口76。
接著，將樹脂料片58供給到設置於下模具56的料筒59中。
接著，如第13圖的(b)所示，使用合模機構(未圖示)，對上模具55、下模具56以及中間模具57進行合模。藉由進行合模，從而使在封裝前基板66上配置的板狀構件75與在中間模具57中設置的模腔63的頂面相接觸。據此，折彎部74發生彈性變形，折彎部74和板狀構件75連接。
接著，對供給到料筒59中的樹脂料片58進行加熱並使其熔化而生成流動性樹脂。藉由活塞60對流動性樹脂進行擠壓，經由樹脂通路(貫通孔65、殘料部61、流道62與澆口64)，將流動性樹脂從設置於板狀構件75的注入口76注入到模腔63中。接著，藉由對流動性樹脂進行加熱從而成型為固化樹脂77。據此，在封裝前基板66上安裝的電子部件68、69、框狀構件70以及板狀構件75被進行樹脂成型。
在成型為固化樹脂77後，使用合模機構，對上模具55、下模具56以及中間模具57進行開模。在開模後取出樹脂成型品。在本實施方式中，所取出的樹脂成型品就相當於電子電路裝置78。
根據本實施方式，使用採用傳遞成型法的樹脂成型裝置，對在封裝前基板66上安裝的電子部件68、69及框狀構件70與在封裝前基板66上配置的板狀構件75進行樹脂成型。藉由對上模具55、下模具56以及中間模具57進行合模來進行樹脂成型，從而能夠使折彎部74彈性變形而將板狀構件75和框狀構件70電連接。據此，能夠藉由電子部件68和電子部件69將電子電路裝置78模組化，並藉由框狀構件70和板狀構件75對電子部件68和電子部件69進行電磁遮罩。
在本實施方式中，在板狀構件75上設置了將流動性樹脂注入到模腔63中的注入口。不限於此，還可以在框狀構件70上設置注入口。進而，可以在板狀構件75或框狀構件70上設置多個注入口。
在本實施方式中，示出了使用三板模具的成型模具來作為成型模具的情況，該三板模具的成型模具具有上模具55、下模具56以及中間模具57。不限於此，可以使用通常的具有上模具和下模具的二板模具的成型模具。在這種情況下，在上模具上分別設置有成為樹脂通路的殘料部、流道、澆口以及模腔。而且，還可以採用將上模具和下模具互換的結構。
[實施方式5]
(電子電路裝置的變形例)
參考第14圖，對在實施方式1中示出的電子電路裝置的變形例進行說明。為了使板狀構件19與設置於框狀構件11的折彎部12之間的電連接更加可靠，電子電路裝置設為將各向異性導電膜(ACF，Anisotropic Conductive Film)或導電性漿料放入到折彎部12與板狀構件19之間的結構。
如第14圖的(a)所示，在電子電路裝置79中，在板狀構件19與設置於框狀構件11的折彎部12之間設置有各向異性導電膜80。各向異性導電膜80是使金屬粒子等導電性粒子分散到熱固性樹脂等絕緣性樹脂中而成的膜，是藉由加熱加壓從而在保持膜面方向的絕緣性的同時僅在厚度方向上顯示出導電性的連接材料。
例如，在製造第3圖的(a)所示的電子電路裝置的製程中，在將板狀構件19供給到模腔17之後，將各向異性導電膜80供給到模腔17。因此，脫模膜18、板狀構件19、各向異性導電膜80、樹脂材料20被依次供給到模腔17。在該狀態下，對上模具13和下模具14進行合模來進行樹脂成型。
藉由進行樹脂成型，使得各向異性導電膜80被加熱加壓。據此，各向異性導電膜80內的導電性粒子在厚度方向上凝聚，從而將板狀構件19和折彎部12電連接。藉由將各向異性導電膜80放入到板狀構件19與折彎部12之間，從而能夠使折彎部12和板狀構件19不是部分地連接而是使折彎部12的整個面連接到板狀構件19。因此，能夠使折彎部12與板狀構件19之間的電連接更加可靠。
如第14圖的(b)所示的電子電路裝置81是預先將各向異性導電膜82黏接在框狀構件11的折彎部12上的例子。在這種情況下也是藉由進行樹脂成型，使得各向異性導電膜82被加熱加壓，從而將折彎部12和板狀構件19連接。由於折彎部12的整個面與板狀構件19連接，因此能夠使折彎部12與板狀構件19之間的電連接更加可靠。
如第14圖的(c)所示的電子電路裝置83是預先將導電性漿料84塗布在框狀構件11的折彎部12上的例子。在這種情況下，藉由進行樹脂成型，從而經由導電性漿料 84將折彎部12和板狀構件19黏接。由於折彎部12的整個面與板狀構件19連接，因此能夠使折彎部12與板狀構件19之間的電連接更加可靠。
此外，在實施方式2至4所示的電子電路裝置中也可以設為將各向異性導電膜或導電性漿料放入到板狀構件與設置於框狀構件的折彎部之間的結構。在這些電子電路裝置中也是藉由設置各向異性導電膜或導電性漿料，從而能夠使折彎部與板狀構件之間的電連接更加可靠。
在實施方式1至3中，示出了將模腔17設置在下模具14中的情況。不限於此，在將模腔設置在上模具中的情況下也會實現同樣的效果。此外，在將模腔設置在上模具中的情況下，包括側面構件和在側面構件的內側配置的底面構件的模具會被配置在上側，而與其對置的模具會被配置在下側。
在實施方式1至3中示出了將脫模膜18供給到在下模具14中設置的模腔17的情況。不限於此，在不將脫模膜18供給到模腔17的情況下也會實現同樣的效果。
如上所述，上述實施方式的電子電路裝置的製造方法是使用具有第一模具和與第一模具對置配置的第二模具的成型模具，對安裝有電子部件的基板進行樹脂成型，以製造電子部件藉由遮罩用構件被遮罩的結構的電子電路裝置的電子電路裝置的製造方法，包括：準備導電性的板狀構件和導電性的框狀構件以作為遮罩用構件的製程，所述框狀構件包括折彎部，所述折彎部是將所述框狀構件的至少一個端部折彎而成並被設為能夠彈性變形；以及樹脂成型製程，在基板、框狀構件以及板狀構件依此順序配置在第一模具與第二模具之間、且折彎部配置在基板側及板狀構件側中的至少一側的狀態下，對第一模具和第二模具進行合模，使折彎部彈性變形來進行樹脂成型。
根據該方法，藉由進行樹脂成型，從而使設置於框狀構件的折彎部彈性變形而將板狀構件和框狀構件電連接。因此，能夠藉由框狀構件和板狀構件對電子電路裝置進行電磁遮罩。並且，藉由將基板、框狀構件以及板狀構件依此順序配置來進行樹脂成型，從而對電子電路裝置進行電磁遮罩。因此，能夠降低電子電路裝置的製造成本。
進而，上述實施方式的電子電路裝置的製造方法在使折彎部彈性變形之前，設為在板狀構件與基板之間配置有流動性樹脂的狀態，並使用流動性樹脂來進行樹脂成型。
根據該方法，在使折彎部浸漬到流動性樹脂中之後，使折彎部彈性變形而將板狀構件和框狀構件電連接。因此，能夠藉由框狀構件和板狀構件對電子電路裝置進行電磁遮罩。並且，能夠降低電子電路裝置的製造成本。
進而，在上述實施方式的電子電路裝置的製造方法中，在基板和框狀構件配置於第一模具且板狀構件配置於第二模具的狀態下進行樹脂成型。
根據該方法，將基板和框狀構件配置於第一模具且將板狀構件配置於第二模具來進行樹脂成型，使折彎部彈性變形而將板狀構件和框狀構件電連接。因此，能夠藉由框狀構件和板狀構件對電子電路裝置進行電磁遮罩。並且，能夠降低電子電路裝置的製造成本。
進而，在上述實施方式的電子電路裝置的製造方法中，在基板配置於第一模具且板狀構件和框狀構件配置於第二模具的狀態下進行樹脂成型。
根據該方法，將基板配置於第一模具且將板狀構件和框狀構件配置於第二模具來進行樹脂成型，使折彎部彈性變形而將板狀構件和框狀構件電連接。因此，能夠藉由框狀構件和板狀構件對電子電路裝置進行電磁遮罩。並且，能夠降低電子電路裝置的製造成本。
進而，上述實施方式的電子電路裝置的製造方法在使折彎部彈性變形之後，將流動性樹脂導入到板狀構件與基板之間，並使用流動性樹脂來進行樹脂成型。
根據該方法，在使折彎部彈性變形而使板狀構件和框狀構件電連接的狀態下，將流動性樹脂導入到板狀構件與基板之間來進行樹脂成型。因此，能夠藉由框狀構件和板狀構件對電子電路裝置進行電磁遮罩。並且，能夠降低電子電路裝置的製造成本。
上述實施方式的電子電路裝置包括：電子部件，安裝在基板上；導電性的框狀構件，對電子部件進行遮罩；導電性的板狀構件，配置在框狀構件的與基板相反的那一側，並與框狀構件電連接；以及封裝樹脂，至少配置在基板與板狀構件之間，該電子電路裝置設為如下結構：在基板側及板狀構件側中的至少一側，設置有將框狀構件的端部折彎而成的折彎部，框狀構件為能夠彈性變形的材質，在基板及板狀構件中的至少一方與折彎部之間，存在著存在封裝樹脂的部分和不存在封裝樹脂的部分。
根據該結構，在使折彎部彈性變形而使板狀構件和框狀構件相接觸的狀態下進行樹脂成型。在板狀構件與折彎部之間，存在著不存在封裝樹脂的部分，在該部分中，板狀構件和折彎部被電連接。因此，能夠藉由框狀構件和板狀構件對電子電路裝置進行電磁遮罩。
上述實施方式的電子電路裝置包括：電子部件，安裝在基板上；導電性的框狀構件，對電子部件進行遮罩；導電性的板狀構件，配置在框狀構件的與基板相反的那一側，並與框狀構件電連接；以及封裝樹脂，至少配置在基板與板狀構件之間，該電子電路裝置設為如下結構：在基板側及板狀構件側中的至少一側，設置有將框狀構件的端部折彎而成的折彎部，框狀構件為能夠彈性變形的材質，在基板及板狀構件中的至少一方與折彎部之間，存在各向異性導電性構件。
根據該結構，在板狀構件與設置於框狀構件的能夠彈性變形的折彎部之間設置各向異性導電性構件。藉由進行樹脂成型，使得折彎部和板狀構件夾著各向異性導電性構件而電連接。因此，能夠藉由框狀構件和板狀構件對電子電路裝置進行電磁遮罩。
本發明並不限定於上述的各實施方式，在不脫離本發明宗旨的範圍內，可以根據需要，任意且適當地進行組合、變更或選擇性地採用。
1、28、42、66‧‧‧封裝前基板
2、29、43、67‧‧‧基板
3‧‧‧半導體晶片（電子部件）
4、32a、32b、49、72‧‧‧基板電極
5‧‧‧焊盤電極
6‧‧‧焊線
7、34、34a、50、50a、73‧‧‧接地電極
8、35‧‧‧阻焊劑
9、38‧‧‧切斷線
10、10a、10b、39a、39b‧‧‧區域
11、36、51、70‧‧‧框狀構件　
12、12a、12b、12c、12d、12e、37、37a、52a、52b、52c、52d、74‧‧‧折彎部
13、55‧‧‧上模具（第一模具）
14、56‧‧‧下模具（第二模具）
15‧‧‧底面構件
16‧‧‧側面構件
17、63‧‧‧模腔
18‧‧‧脫模膜
19、75‧‧‧板狀構件
20‧‧‧樹脂材料
21‧‧‧流動性樹脂
22、22a、77‧‧‧固化樹脂（封裝樹脂）　
23、40、53‧‧‧樹脂成型品
24‧‧‧旋轉刃
25、41、54、78、79、81、83‧‧‧電子電路裝置
26a、26b‧‧‧接觸部
27‧‧‧間隙
30、31、44、45、46、47、68、69‧‧‧電子部件
33a、33b、48、71‧‧‧凸塊
57‧‧‧中間模具
58‧‧‧樹脂料片
59‧‧‧料筒
60‧‧‧活塞
61‧‧‧殘料部
62‧‧‧流道
64‧‧‧澆口
65‧‧‧貫通孔
76‧‧‧注入口
80、82‧‧‧各向異性導電膜（各向異性導電構件）
84‧‧‧導電性漿料
L、L1、L2‧‧‧折彎部的長度
W、W1、W2‧‧‧接地電極的寬度
S1、S2‧‧‧區域
第1圖是示出在實施方式1所涉及的電子電路裝置中使用的封裝前基板的概要圖，(a)是俯視圖，(b)是A-A線剖視圖。
第2圖是示出將框狀構件連接到第1圖所示的封裝前基板的接地電極後的狀態的概要圖，(a)是俯視圖，(b)是B-B線剖視圖。
第3圖的(a)至(c)是示出在實施方式1中藉由對封裝前基板進行樹脂封裝從而將框狀構件和板狀構件連接的製程的概要剖視圖。
第4圖的(a)至(c)是示出在實施方式1中對樹脂封裝後的樹脂成型品進行單片化以製造電子電路裝置的製程的概要剖視圖。
第5圖的(a)是示出在實施方式1中製造出的電子電路裝置的概要剖視圖，第5圖的(b)是示出框狀構件與板狀構件的連接部的放大圖，第5圖的(c)是示出設置於框狀構件的各種折彎部的截面形狀的概要圖。
第6圖是示出將框狀構件連接到在實施方式2中使用的封裝前基板的接地電極後的狀態的概要圖，(a)是俯視圖，(b)是C-C線剖視圖。
第7圖的(a)至(c)是示出在實施方式2中藉由對封裝前基板進行樹脂封裝從而將框狀構件和板狀構件連接的製程的概要剖視圖。
第8圖的(a)至(c)是示出在實施方式2中對樹脂封裝後的樹脂成型品進行單片化以製造電子電路裝置的製程的概要剖視圖。
第9圖是示出在實施方式3中使用的封裝前基板的概要圖，(a)是俯視圖，(b)是D-D線剖視圖。
第10圖是示出在實施方式3中使用的框狀構件的概要圖，(a)是俯視圖，(b)是E-E線剖視圖。
第11圖的(a)至(c)是示出在實施方式3中藉由對封裝前基板進行樹脂封裝從而將板狀構件、框狀構件以及接地電極連接的製程的概要剖視圖。
第12圖的(a)至(c)是示出在實施方式3中取出樹脂封裝後的電子電路裝置的製程的概要剖視圖。
第13圖的(a)至(b)是示出在實施方式4中對電子部件、框狀構件以及板狀構件進行樹脂成型的製程的概要剖視圖。
第14圖的(a)至(c)是示出在實施方式5中製造出的各種電子電路裝置的概要剖視圖。

Claims (7)

  1. 一種電子電路裝置的製造方法，使用具有一第一模具和與該第一模具對置配置的一第二模具的成型模具，對安裝有一電子部件的一基板進行樹脂成型，來製造該電子部件藉由一遮罩用構件被遮罩的結構的一電子電路裝置，該電子電路裝置的製造方法包括： 準備導電性的一板狀構件和導電性的一框狀構件以作為該遮罩用構件的製程，該框狀構件包括一折彎部，該折彎部是將該框狀構件的至少一個端部折彎而成並被設為能夠彈性變形；以及 一樹脂成型製程，在該基板、該框狀構件以及該板狀構件依此順序配置在該第一模具與該第二模具之間、且該折彎部配置在該基板側及該板狀構件側中的至少一側的狀態下，對該第一模具和該第二模具進行合模，使該折彎部彈性變形來進行樹脂成型。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電子電路裝置的製造方法，其中，在該樹脂成型製程中，在使該折彎部彈性變形之前，設為在該板狀構件與該基板之間配置有一流動性樹脂的狀態，並使用該流動性樹脂來進行樹脂成型。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之電子電路裝置的製造方法，其中， 在該樹脂成型製程中，在該基板和該框狀構件配置於該第一模具且該板狀構件配置於該第二模具的狀態下，進行樹脂成型。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之電子電路裝置的製造方法，其中， 在該樹脂成型製程中，在該基板配置於該第一模具且該板狀構件和該框狀構件配置於該第二模具的狀態下，進行樹脂成型。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電子電路裝置的製造方法，其中， 在該樹脂成型製程中，在使該折彎部彈性變形之後，將一流動性樹脂導入到該板狀構件與該基板之間，並使用該流動性樹脂來進行樹脂成型。
  6. 一種電子電路裝置，其包括： 一電子部件，安裝在一基板上； 導電性的一框狀構件，對該電子部件進行遮罩； 導電性的一板狀構件，以該框狀構件為間隔而配置在與該基板相反的那一側，並與該框狀構件電連接；以及 一封裝樹脂，至少配置在該基板與該板狀構件之間， 在該基板側及該板狀構件側中的至少一側，設置有將該框狀構件的端部折彎而成的一折彎部， 該框狀構件為能夠彈性變形的材質， 在該基板及該板狀構件中的至少一方與該折彎部之間，存在著存在該封裝樹脂的部分和不存在該封裝樹脂的部分。
  7. 一種電子電路裝置，其包括： 一電子部件，安裝在一基板上； 導電性的一框狀構件，對該電子部件進行遮罩； 導電性的一板狀構件，以該框狀構件為間隔而配置在與該基板相反的那一側，並與該框狀構件電連接；以及 一封裝樹脂，至少配置在該基板與該板狀構件之間， 在該基板側及該板狀構件側中的至少一側，設置有將該框狀構件的端部折彎而成的一折彎部， 該框狀構件為能夠彈性變形的材質， 在該基板及該板狀構件中的至少一方與該折彎部之間，存在一各向異性導電性構件。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102592329B1 (ko) 2018-06-26 2023-10-20 삼성전자주식회사 반도체 패키지 제조 방법
JP7107766B2 (ja) * 2018-06-26 2022-07-27 デクセリアルズ株式会社 電子機器
JP6802314B2 (ja) * 2018-11-28 2020-12-16 宗哲 蔡 半導体パッケージ及びその製造方法
US11239179B2 (en) 2018-11-28 2022-02-01 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package and fabrication method thereof
US10923435B2 (en) 2018-11-28 2021-02-16 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and improved heat-dissipation performance
US11211340B2 (en) 2018-11-28 2021-12-28 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and active electro-magnetic compatibility shielding
TWI744572B (zh) 2018-11-28 2021-11-01 蔡憲聰 具有封裝內隔室屏蔽的半導體封裝及其製作方法
US10896880B2 (en) 2018-11-28 2021-01-19 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and fabrication method thereof
CN110213952A (zh) * 2019-05-28 2019-09-06 青岛歌尔微电子研究院有限公司 一种电磁屏蔽结构及其制造方法及电子设备
WO2021054332A1 (ja) * 2019-09-19 2021-03-25 株式会社村田製作所 モジュール
CN110767630A (zh) * 2019-10-31 2020-02-07 中电海康无锡科技有限公司 SiP模块电磁屏蔽方法
CN116978798A (zh) * 2022-04-21 2023-10-31 华为技术有限公司 芯片封装结构及其制备方法、电子设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007157891A (ja) * 2005-12-02 2007-06-21 Murata Mfg Co Ltd 回路モジュールおよびその製造方法
TW201140705A (en) * 2010-05-11 2011-11-16 Powertech Technology Inc Manufacturing method and structure of semiconductor package
TW201344874A (zh) * 2012-04-26 2013-11-01 Sandisk Semiconductor Shanghai Co Ltd 包括電磁吸收及屏蔽之半導體元件
US20160027740A1 (en) * 2014-07-25 2016-01-28 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Package structure and method for fabricating the same
TW201605001A (zh) * 2014-07-30 2016-02-01 日月光半導體製造股份有限公司 電子封裝模組之製造方法及其結構

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6580167B1 (en) * 2001-04-20 2003-06-17 Amkor Technology, Inc. Heat spreader with spring IC package
JP2003249607A (ja) * 2002-02-26 2003-09-05 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
KR20080039506A (ko) * 2005-08-30 2008-05-07 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 기판 구조 및 전자 기기
JP5192646B2 (ja) * 2006-01-16 2013-05-08 Ｔｏｗａ株式会社 光素子の樹脂封止方法、その樹脂封止装置、および、その製造方法
US7983058B2 (en) * 2007-01-29 2011-07-19 Nec Corporation Shielding structure and member for electronic device and electronic device including the same
JP2010080854A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Kyocera Corp 電子機器
JP5558012B2 (ja) * 2009-02-25 2014-07-23 京セラ株式会社 電子機器
KR101052559B1 (ko) * 2011-02-25 2011-07-29 김선기 전자파 차폐 및 보호용 실드케이스
US9179538B2 (en) * 2011-06-09 2015-11-03 Apple Inc. Electromagnetic shielding structures for selectively shielding components on a substrate
JP6444707B2 (ja) * 2014-11-28 2018-12-26 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品、その製造方法及び製造装置
JP6400509B2 (ja) * 2015-02-27 2018-10-03 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007157891A (ja) * 2005-12-02 2007-06-21 Murata Mfg Co Ltd 回路モジュールおよびその製造方法
TW201140705A (en) * 2010-05-11 2011-11-16 Powertech Technology Inc Manufacturing method and structure of semiconductor package
TW201344874A (zh) * 2012-04-26 2013-11-01 Sandisk Semiconductor Shanghai Co Ltd 包括電磁吸收及屏蔽之半導體元件
US20160027740A1 (en) * 2014-07-25 2016-01-28 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Package structure and method for fabricating the same
TW201605001A (zh) * 2014-07-30 2016-02-01 日月光半導體製造股份有限公司 電子封裝模組之製造方法及其結構

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Publication number Publication date
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