TWI638706B - 基板處理系統及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於可洗淨處理液供給管線的基板處理系統及基板處理方法。
基板處理系統係具備有：處理基板W的基板處理裝置(1)、及洗淨分配管線(93)及處理液供給管線(92)的沖洗裝置。沖洗裝置係具備有：洗淨液供給管線(99)，其係與分配管線(93)相連接；排液管機構(101)，其係將通過分配管線(93)而被供給至處理液供給管線(92)的洗淨液導引至液體廢棄處(100)；供給切換閥(104)，其係容許處理液或洗淨液的任一者在分配管線(93)內流動；及動作控制部(30)，其係控制排液管機構(101)及供給切換閥(104)的動作。

Description

基板處理系統及基板處理方法
本發明係關於處理晶圓等基板的基板處理系統及基板處理方法，尤其係關於使用處理液來處理基板，另外可洗淨處理液供給管線的基板處理系統及基板處理方法。
在半導體元件的製造工廠內，設置複數個研磨晶圓來進行洗淨的基板處理裝置。在近年的製造工廠中係採用將研磨液或藥液等處理液分配在該等複數基板處理裝置的集中供給系統。藉由該集中供給系統，處理液通過被設置在製造工廠內的循環管線作循環，且處理液通過由循環管線延伸的分歧管線而被供給至各自的基板處理裝置。
被供給至基板處理裝置的處理液只要處理晶圓(亦即研磨及洗淨)，即在基板處理裝置內持續流通。但是，晶圓未被處理時，處理液係停留在被設置在基板處理裝置內的配管內。若晶圓長時間未處理，處理液係在配管內沈積。結果，會有處理液的濃度分布改變，或處理液所包含的砥粒等粒子凝聚而形成較大粒子(以下稱為粗大粒子)的情形。濃度分布改變的處理液係造成對基板的處理結果帶來不良影響的原因。此外，在處理晶圓時，若粗大粒子接觸晶圓，會有在晶圓表面發生刮痕的情形。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2007-229845號公報
【專利文獻2】日本特開平9-29637號公報
【專利文獻3】日本特開2004-358587號公報
【專利文獻4】日本特開2000-280170號公報
【專利文獻5】日本特開2002-154057號公報
本發明係鑑於上述習知之問題而完成者，目的在提供可一邊將發揮原有性質的處理液直接或間接供給至晶圓等基板，一邊處理該基板的基板處理系統及基板處理方法。
本發明之一態樣係一種基板處理系統，其特徵為：具備有：基板處理裝置，其係一邊由與處理液供給管線相連接的處理液供給噴嘴，將處理液直接或間接供給至基板，一邊處理該基板；分配管線，其係將處理液供給源與前述處理液供給管線相連接；及沖洗裝置，其係洗淨前述分配管線及前述處理液供給管線，前述沖洗裝置係具備有：洗淨液供給管線，其係與前述分配管線相連接；排液管(drain)機構，其係將通過前述分配管線而被供給至前述處理液供給管線的洗淨液導引至液體廢棄處；供給切換閥，其係被安裝在前述分配管線及前述洗淨液供給管線，容許前述處理液或前述洗淨液的任一者在前述分配管線內流動；及動作控制部，其係控制 前述排液管機構及前述供給切換閥的動作，前述分配管線及前述供給切換閥係被配置在前述基板處理裝置之外，其中，前述排液管機構係具備有：排液管管線，其係由前述處理液供給管線分歧而延伸至前述液體廢棄處；及排液管切換閥，其係被安裝在前述處理液供給管線及前述排液管管線，前述排液管切換閥係構成為：將在前述處理液供給管線流通的前述洗淨液導引至前述排液管管線。
本發明之較佳態樣之特徵為：前述排液管切換閥係被配置在距離前述處理液供給噴嘴不遠的上游側。
本發明之較佳態樣之特徵為：前述排液管切換閥係被配置在距離連接部不遠的下游側，前述連接部使前述處理液供給管線及前述分配管線互相連接。
本發明之較佳態樣之特徵為：前述排液管機構係被配置在前述基板處理裝置內。
本發明之其他態樣係一種基板處理系統，其特徵為：具備有：基板處理裝置，其係一邊由與處理液供給管線相連接的處理液供給噴嘴，將處理液直接或間接供給至基板，一邊處理該基板；分配管線，其係將處理液供給源與前述處理液供給管線相連接；及沖洗裝置，其係洗淨前述分配管線及前述處理液供給管線，前述沖洗裝置係具備有：洗淨液供給管線，其係與前述分配管線相連接；排液管機構，其係將通過前述分配管線而被供給至前述處理液供給管線的洗淨液導引至液體廢棄處；供給切換閥，其係被安裝在前述分配管線及前述洗淨液供給管線，容許前述處理液或前述洗淨 液的任一者在前述分配管線內流動；及動作控制部，其係控制前述排液管機構及前述供給切換閥的動作，前述分配管線及前述供給切換閥係被配置在前述基板處理裝置之外，前述排液管機構係使前述處理液供給噴嘴，由用以處理前述基板的預定位置，移動至前述液體廢棄處的上方的位置的噴嘴移動機構。
本發明之較佳態樣之特徵為：前述動作控制部係在進行前述基板的處理之前，使前述供給切換閥作動而將前述洗淨液流至前述處理液供給管線內。
本發明之較佳態樣之特徵為：前述動作控制部係在前述基板處理裝置的運轉時間到達預定的時間之時，一邊使前述供給切換閥及前述排液管機構作動而將前述洗淨液流至前述處理液供給管線內，一邊將前述洗淨液導引至前述液體廢棄處。
本發明之較佳態樣之特徵為：另外具備有粒子測定裝置，其係將每單位體積的前述處理液所含有的粒子之數進行計數。
本發明之較佳態樣之特徵為：前述動作控制部係若前述粒子之數達到預定的臨限值時，發出警報，或停止前述基板處理裝置的運轉。
本發明之較佳態樣之特徵為：前述動作控制部係若前述粒子之數達到預定的臨限值時，使前述供給切換閥作動而將前述洗淨液通過前述分配管線而流至前述處理液供給管線內，而且使前述排液管機構作動而將被供給至前述處理液供給管線的前述洗淨液導引至前述液體廢棄處。
本發明之較佳態樣之特徵為：另外具備有用以捕捉前述處理液所含有的前述粒子的過濾器，前述粒子測定裝置係被配置在前述過濾器的下游側。
本發明之較佳態樣之特徵為：前述動作控制部係若前述粒子之數達到預定的臨限值時，發出催促更換前述過濾器的警報。
本發明之其他態樣係一種基板處理系統，其特徵為：具備有：基板處理裝置，其係一邊由與處理液供給管線相連接的處理液供給噴嘴，將處理液直接或間接供給至基板，一邊處理該基板；分配管線，其係將處理液供給源與前述處理液供給管線相連接；測定前述基板的膜厚的膜厚測定器；及沖洗裝置，其係洗淨前述分配管線及前述處理液供給管線，前述沖洗裝置係具備有：洗淨液供給管線，其係與前述分配管線相連接；排液管機構，其係將通過前述分配管線而被供給至前述處理液供給管線的洗淨液導引至液體廢棄處；供給切換閥，其係被安裝在前述分配管線及前述洗淨液供給管線，容許前述處理液或前述洗淨液的任一者在前述分配管線內流動；及動作控制部，其係控制前述排液管機構及前述供給切換閥的動作，前述分配管線及前述供給切換閥係被配置在前述基板處理裝置之外，前述動作控制部係若前述膜厚的測定值超出預定的容許範圍時，使前述供給切換閥作動而將前述洗淨液通過前述分配管線而流至前述處理液供給管線內，而且使前述排液管機構作動而將被供給至前述處理液供給管線的前述洗淨液導引至前述液體廢棄處。
本發明之其他態樣係一種基板處理系統，其特徵為：具備有：基板處理裝置，其係一邊由與處理液供給管線相連接的處理液供給噴嘴，將處理液直接或間接供給至基板，一邊處理該基板；分配管線，其係將處理液供給源與前述處理液供給管線相連接；檢測前述基板之缺陷的基板檢査器；及沖洗裝置，其係洗淨前述分配管線及前述處理液供給管線，前述沖洗裝 置係具備有：洗淨液供給管線，其係與前述分配管線相連接；排液管機構，其係將通過前述分配管線而被供給至前述處理液供給管線的洗淨液導引至液體廢棄處；供給切換閥，其係被安裝在前述分配管線及前述洗淨液供給管線，容許前述處理液或前述洗淨液的任一者在前述分配管線內流動；及動作控制部，其係控制前述排液管機構及前述供給切換閥的動作，前述分配管線及前述供給切換閥係被配置在前述基板處理裝置之外，前述動作控制部係若所被檢測到的前述缺陷之數達到預定的臨限值時，使前述供給切換閥作動而將前述洗淨液通過前述分配管線而流至前述處理液供給管線內，而且使前述排液管機構作動而將被供給至前述處理液供給管線的前述洗淨液導引至前述液體廢棄處。
本發明之其他態樣係一種基板處理方法，其特徵為：對安裝在處理液供給管線及排液管管線的排液管切換閥進行操作，藉此，一邊關閉前述處理液供給管線的下游流路，一邊將由前述處理液供給管線分歧而延伸至液體廢棄處的前述排液管管線與前述處理液供給管線的上游流路相連接，一邊通過分配管線而將洗淨液流至基板處理裝置內的前述處理液供給管線來洗淨前述分配管線及前述處理液供給管線，一邊將被供給至前述處理液供給管線的前述洗淨液通過前述排液管管線而導引至前述液體廢棄處，一邊關閉前述排液管管線，一邊使前述處理液供給管線的前述上游流路與前述處理液供給管線的前述下游流路相連通，且一邊通過前述處理液供給管線而將處理液直接或間接供給至基板，一邊在前述基板處理裝置內處理該基板。
本發明之較佳態樣之特徵為：將新的處理液供給至前述分配 管線而將殘留在前述分配管線內的處理液沖流，另外將前述處理液導引至前述液體廢棄處。
本發明之較佳態樣之特徵為：另外包含測定每單位體積的前述處理液所含有的粒子之數的工序。
本發明之較佳態樣之特徵為：若前述粒子之數達到預定的臨限值時，即發出警報，或停止前述基板處理裝置的運轉。
本發明之較佳態樣之特徵為：若前述粒子之數達到預定的臨限值時，再度執行以下工序：一邊通過前述分配管線而將前述洗淨液流至前述處理液供給管線來洗淨前述分配管線及前述處理液供給管線，一邊將前述洗淨液導引至前述液體廢棄處。
本發明之較佳態樣之特徵為：若前述粒子之數達到預定的臨限值時，發出催促更換被安裝在前述分配管線或前述處理液供給管線的過濾器的警報。
本發明之較佳態樣之特徵為：當前述基板處理裝置的運轉時間達到預定的時間時，一邊通過前述分配管線而將前述洗淨液流至前述處理液供給管線來洗淨前述分配管線及前述處理液供給管線，一邊將被供給至前述處理液供給管線的前述洗淨液導引至前述液體廢棄處。本發明之其他態樣係一種基板處理方法，其特徵為：包含以下的工序：一邊通過分配管線而將洗淨液流至基板處理裝置內的處理液供給管線來洗淨前述分配管線及前述處理液供給管線，一邊將被供給至前述處理液供給管線的前述洗淨液導引至液體廢棄處；一邊通過前述處理液供給管線而將處理液直接或間接供給至基板，一邊在前述基板處理裝置內處理該基板；及測定前述基 板之膜厚，若前述膜厚的測定值超出預定的容許範圍時，再度執行以下工序：一邊通過前述分配管線而將前述洗淨液流至前述處理液供給管線來洗淨前述分配管線及前述處理液供給管線，一邊將前述洗淨液導引至前述液體廢棄處。
本發明之其他態樣係一種基板處理方法，其特徵為：包含以下的工序：一邊通過分配管線而將洗淨液流至基板處理裝置內的處理液供給管線來洗淨前述分配管線及前述處理液供給管線，一邊將被供給至前述處理液供給管線的前述洗淨液導引至液體廢棄處；一邊通過前述處理液供給管線而將處理液直接或間接供給至基板，一邊在前述基板處理裝置內處理該基板；及檢測前述基板之缺陷，若所被檢測到的前述缺陷之數達到預定的臨限值時，再度執行以下工序：一邊通過前述分配管線而將前述洗淨液流至前述處理液供給管線來洗淨前述分配管線及前述處理液供給管線，一邊將前述洗淨液導引至前述液體廢棄處。
洗淨液係在分配管線及處理液供給管線內流通，將滯留在分配管線及處理液供給管線之經劣化的處理液沖流。此外，洗淨液係連同處理液一起藉由排液管機構被導引至液體廢棄處，且被排出至液體廢棄處。因此，洗淨液及經劣化的處理液並未被供給至基板，不會有對基板的處理造成不良影響的情形。在以洗淨液洗淨分配管線及處理液供給管線後，可發揮原有性質的處理液被直接或間接供給至基板。因此，可正常進行基板的處理。
1‧‧‧基板處理裝置
10‧‧‧外殼
12‧‧‧裝載埠
14a~14d‧‧‧研磨單元
16‧‧‧第1洗淨單元
18‧‧‧第2洗淨單元
20‧‧‧乾燥單元
21‧‧‧膜厚測定器
22‧‧‧第1基板搬送機器人
23‧‧‧缺陷檢査器
24‧‧‧基板搬送單元
26‧‧‧第2基板搬送機器人
28‧‧‧第3基板搬送機器人
29‧‧‧處理控制部
30‧‧‧動作控制部
41‧‧‧研磨墊
41a‧‧‧研磨面
42‧‧‧研磨平台
43‧‧‧頂環(基板保持部)
45‧‧‧平台軸
46‧‧‧平台馬達
47‧‧‧頂環軸
48‧‧‧頂環臂部
50‧‧‧研磨液供給噴嘴(處理 液供給噴嘴)
51‧‧‧噴嘴回旋軸
52‧‧‧噴嘴馬達
54‧‧‧修整裝置
56‧‧‧修整器
57‧‧‧修整器臂部
58‧‧‧修整器回旋軸
71~74‧‧‧保持滾筒(基板保持部)
75‧‧‧基板旋轉裝置
77、78‧‧‧捲式海綿
80、81‧‧‧洗淨具旋轉裝置
82‧‧‧升降驅動機構
85‧‧‧清洗液供給噴嘴
87‧‧‧藥液供給噴嘴(處理液供給噴嘴)
89‧‧‧導軌
92‧‧‧處理液供給管線
93‧‧‧分配管線
94‧‧‧過濾器
97‧‧‧處理液循環管線
99‧‧‧洗淨液供給管線
100‧‧‧排液管(液體廢棄處)
101‧‧‧排液管機構
104‧‧‧供給切換閥
107‧‧‧排液管切換閥
110‧‧‧排液管管線
111‧‧‧移送管線
112‧‧‧純水切換閥
113‧‧‧純水供給管線
114‧‧‧連接部
116‧‧‧純水供給管線
117‧‧‧純水切換閥
120‧‧‧粒子測定裝置
122‧‧‧上側噴嘴馬達
P1‧‧‧避讓位置
P2‧‧‧處理位置
W‧‧‧晶圓
第一圖係顯示基板處理裝置之一實施形態的平面圖。
第二圖係被組入在第一圖所示之基板處理裝置的研磨單元的斜視圖。
第三圖係由上方觀看第二圖所示之研磨單元的圖。
第四圖係被組入在第一圖所示之基板處理裝置的洗淨單元的斜視圖。
第五圖係顯示對處理單元供給處理液的處理液供給管線與洗淨該處理液供給管線的沖洗裝置的示意圖。
第六圖係顯示沖洗裝置的其他實施形態的圖。
第七圖係顯示沖洗裝置之另外其他實施形態的圖。
第八圖係顯示在基板處理裝置的外部設有缺陷檢査器之例的示意圖。
第九圖係顯示沖洗裝置之另外其他實施形態的圖。
第十圖係顯示沖洗裝置之另外其他實施形態的圖。
第十一圖係顯示沖洗裝置之另外其他實施形態的圖。
以下參照圖示，說明實施形態。在第一圖至第十一圖中，對於相同或相當的構成要素係標註相同符號且省略重複說明。
第一圖係顯示基板處理裝置1之一實施形態的平面圖。該基板處理裝置1係可執行包含晶圓等基板的研磨、洗淨、及乾燥的複數處理的複合裝置。如第一圖所示，基板處理裝置1係具備有：大致矩形狀的外殼10、及載置收容多數晶圓的基板匣盒的裝載埠12。裝載埠12係與外殼10鄰接配置。在裝載埠12係可裝載開放式匣盒、SMIF(Standard Manufacturing Interface，標準製造介面)晶圓盒(pod)、或FOUP(Front opening Unified Pod，前開式晶圓盒)。SMIF及FOUP係在內部收納基板匣盒，以間隔壁覆蓋，藉 此可保持與外部空間呈獨立的環境的密閉容器。
在外殼10的內部係收容有：洗淨晶圓的複數(本實施形態中為4個)研磨單元14a、14b、14c、14d、洗淨經研磨的晶圓的第1洗淨單元16及第2洗淨單元18、及使經洗淨的晶圓乾燥的乾燥單元20。研磨單元14a~14d係沿著基板處理裝置1的長邊方向排列，洗淨單元16、18及乾燥單元20亦沿著基板處理裝置1的長邊方向排列。
在被裝載埠12、研磨單元14a、及乾燥單元20包圍的區域配置有第1基板搬送機器人22，而且與研磨單元14a~14d呈平行配置有基板搬送單元24。第1基板搬送機器人22係由裝載埠12接收應研磨的晶圓而交付至基板搬送單元24，並且由乾燥單元20接收經乾燥的晶圓而送回至裝載埠12。基板搬送單元24係搬送由第1基板搬送機器人22所接收到的晶圓，在與各研磨單元14a~14d之間進行晶圓的收授。各研磨單元14a~14d係一邊將研磨液(漿料)供給至研磨面，一邊使晶圓在研磨面滑接，藉此研磨晶圓表面。
配置第2基板搬送機器人26，其係位於第1洗淨單元16與第2洗淨單元18之間，在該等洗淨單元16、18及基板搬送單元24之間搬送晶圓。且配置有第3基板搬送機器人28，其係位於第2洗淨單元18與乾燥單元20之間，在該等各單元18、20之間搬送晶圓。此外，配置有處理控制部29，其係位於外殼10的內部，控制基板處理裝置1的各單元的動作。
使用在存在藥液下將捲式海綿擦在晶圓的表背兩面來洗淨晶圓的第1洗淨單元16，作為第1洗淨單元16及第2洗淨單元18。亦可使用在存在藥液下將筆型海綿擦在晶圓的洗淨裝置，作為第2洗淨單元18。使用由 移動的噴嘴噴出IPA(Isopropyl alcohol：異丙醇)蒸氣使晶圓乾燥且另外使晶圓以高速旋轉，藉此使晶圓乾燥的旋轉乾燥裝置，作為乾燥單元20。
晶圓係藉由研磨單元14a~14d的至少1個予以研磨。經研磨的晶圓係藉由第1洗淨單元16及第2洗淨單元18進行洗淨，另外經洗淨的晶圓係藉由乾燥單元20進行乾燥。
在乾燥單元20進行乾燥後的晶圓係藉由第1基板搬送機器人22被搬送至膜厚測定器21。該膜厚測定器21係構成為測定晶圓的膜厚。膜厚測定後，第1基板搬送機器人22係由膜厚測定器21取出晶圓而送回至裝載埠12。
研磨單元14a~14d係具有相同構成。因此，以下說明研磨單元14a。第二圖係被組入在第一圖所示之基板處理裝置1的研磨單元14a的斜視圖。如第二圖所示，研磨單元14a係具備有：支持研磨墊41的研磨平台42、將作為基板之一例的晶圓W按壓在研磨墊41的頂環43、及對研磨墊41供給研磨液的研磨液供給噴嘴50。
研磨平台42係與透過平台軸45而配置在其下方的平台馬達46相連結，藉由該平台馬達46，研磨平台42以箭號所示之方向作旋轉。研磨墊41係黏貼在研磨平台42的上面，研磨墊41的上面構成研磨晶圓W的研磨面41a。頂環43係被固定在頂環軸47的下端。頂環43係構成為可藉由真空抽吸而將晶圓W保持在其下面。頂環軸47係與被設置在頂環臂部48內之未圖示的旋轉裝置相連結，頂環43係藉由該旋轉裝置，透過頂環軸47作旋轉驅動。頂環43係保持晶圓W而使其旋轉的基板保持部。
第三圖係由上方觀看第二圖所示之研磨單元14a的圖。如第 三圖所示，研磨液供給噴嘴50係構成為被固定在噴嘴回旋軸51，可以噴嘴回旋軸51為中心作回旋。噴嘴回旋軸51係與作為噴嘴移動機構的噴嘴馬達52相連結，藉由該噴嘴馬達52，研磨液供給噴嘴50係構成為可在位於研磨墊41的外側的避讓位置P1與研磨墊41的上方的處理位置P2之間移動。
晶圓W的研磨係如下進行。使頂環43及研磨平台42分別以第二圖的箭號所示方向旋轉。在該狀態下，一邊由位於處理位置P2的研磨液供給噴嘴50，將研磨液供給至研磨墊41的研磨面41a上，頂環43一邊將晶圓W按壓在研磨墊41的研磨面41a。晶圓W係在存在被保持在研磨面41a上的研磨液下被滑接在研磨墊41。晶圓W的表面係藉由研磨液所含有的砥粒的機械作用與研磨液的化學成分的化學作用予以研磨。
研磨單元14a係另外具備有用以修整研磨墊41的修整裝置54。修整裝置54係具備有：接觸研磨墊41的研磨面41a的修整器56、支持修整器56的修整器臂部57、及使修整器臂部57回旋的修整器回旋軸58。修整器56係構成為藉由被設置在修整器臂部57內之未圖示的馬達予以旋轉。修整器56的下面係構成由鑽石粒子等多數砥粒所構成的修整面。
研磨墊41的修整係在晶圓W研磨後進行。亦即，在晶圓W研磨後，使保持晶圓W的頂環43朝研磨平台42的外側移動。接著，修整器56係一邊繞其軸心旋轉，一邊按壓在研磨墊41的研磨面41a。在該狀態下，伴隨修整器臂部57的回旋，修整器56係在研磨面41a上擺動。修整器56係藉由將研磨墊41稍微削取來修整研磨面41a。在修整研磨墊41中，取代研磨液，純水由研磨液供給噴嘴50被供給至研磨墊41。
第四圖係顯示第1洗淨單元16的斜視圖。在該實施形態中， 使用朝水平方向延伸的捲式海綿作為洗淨晶圓W的海綿洗淨具。第1洗淨單元16係具備有：保持晶圓W而使其旋轉的4個保持滾筒71、72、73、74、分別與晶圓W的上下面相接觸的圓柱狀捲式海綿77、78、使該等捲式海綿77、78繞其中心軸線旋轉的洗淨具旋轉裝置80、81、將清洗液(例如純水)供給至晶圓W的上面的上側清洗液供給噴嘴85、及將藥液供給至晶圓W的上面的上側藥液供給噴嘴87。雖未圖示，設有將清洗液(例如純水)供給至晶圓W的下面的下側清洗液供給噴嘴、及將藥液供給至晶圓W的下面的下側藥液供給噴嘴。所使用之藥液之一例係對構成晶圓W表面的薄膜具有蝕刻作用的蝕刻液。
保持滾筒71、72、73、74係構成保持晶圓W而使其旋轉的基板保持部。保持滾筒71、72、73、74係藉由未圖示之驅動機構(例如空氣汽缸)，可朝近接及分離晶圓W的方向移動。4個保持滾筒之中的2個保持滾筒71、74係與基板旋轉裝置75相連結，該等保持滾筒71、74係藉由基板旋轉裝置75而朝相同方向旋轉。在4個保持滾筒71、72、73、74保持晶圓W的狀態下，藉由2個保持滾筒71、74進行旋轉，晶圓W係繞其中心軸線旋轉。
使上側的捲式海綿77旋轉的洗淨具旋轉裝置80係被安裝在導引其上下方向的動作的導軌89。此外，該洗淨具旋轉裝置80係被支持在升降驅動機構82，洗淨具旋轉裝置80及上側的捲式海綿77係藉由升降驅動機構82而朝上下方向移動。
雖未圖示，但是使下側的捲式海綿78旋轉的洗淨具旋轉裝置81亦被支持在導軌，藉由升降驅動機構，洗淨具旋轉裝置81及下側的捲式海綿78進行上下動。以升降驅動機構而言，使用例如使用滾珠螺桿的馬達 驅動機構或空氣汽缸。晶圓W洗淨時，捲式海綿77、78係朝互相近接的方向移動而與晶圓W的上下面相接觸。
接著，說明洗淨晶圓的工序。藉由保持滾筒71、72、73、74，使晶圓W繞其中心軸線旋轉。接著，由上側藥液供給噴嘴87及未圖示的下側藥液供給噴嘴，藥液被供給至晶圓W的上面及下面。在該狀態下，捲式海綿77、78一邊繞朝其水平延伸的中心軸線旋轉，一邊在晶圓W的上下面滑接，藉此將晶圓W的上下面進行洗刷洗淨。捲式海綿77、78係比晶圓W的直徑為更長，與晶圓W的上下面全體相接觸。在洗刷洗淨後，一邊使捲式海綿77、78在晶圓W的上下面滑接，一邊將清洗液供給至進行旋轉的晶圓W的上面及下面，藉此進行晶圓W的清洗。
如上所述，研磨單元14a~14d及洗淨單元16、18係一邊將處理液供給至晶圓，一邊處理該晶圓的處理單元。亦即，研磨單元14a~14d係一邊通過研磨墊41而將研磨液間接供給至晶圓，一邊研磨晶圓。洗淨單元16、18係一邊將藥液直接供給至晶圓一邊洗淨晶圓。以下，將研磨單元14a~14d及洗淨單元16、18總稱為處理單元，將研磨液(漿料)及藥液總稱為處理液。
第五圖係顯示對處理單元供給處理液的處理液供給管線92、及將該處理液供給管線92洗淨的沖洗裝置的示意圖。第五圖所示之處理液供給管線92係用以將研磨液(漿料)作為處理液而供給至研磨單元14a的研磨液供給噴嘴50的處理液供給管線之一例。用以對研磨單元14b~14d供給作為處理液的研磨液的處理液供給管線亦具有相同構成。處理液供給管線92係被設置在基板處理裝置1的外殼10內。
在以下說明中，將研磨液稱為處理液，將研磨液供給噴嘴稱為處理液供給噴嘴。如第五圖所示，基板處理裝置1係具備有將處理液供給至處理液供給噴嘴50的處理液供給管線92。處理液供給管線92的一端係與處理液供給噴嘴50相連接，另一端係與設在基板處理裝置1的外側的分配管線93相連接。處理液供給管線92及分配管線93係藉由連接部114而互相連接。該連接部114係設在基板處理裝置1的外殼10。分配管線93係將作為處理液供給源的處理液循環管線97、及處理液供給管線92相連接。該處理液循環管線97係舖設在設置有基板處理裝置1的工廠內，處理液係通過處理液循環管線97而在工廠內作循環。通過處理液循環管線97作循環的處理液的一部分係流入至分配管線93而被導入至基板處理裝置1內。此外，處理液係通過處理液供給管線92而被移送至處理液供給噴嘴50。
在分配管線93係安裝有用以捕捉處理液所含有的粗大粒子的過濾器94。該過濾器94係構成為捕捉預定尺寸以上的粗大粒子。處理液係通過過濾器94，之後流入至處理液供給管線92。在本實施形態中，過濾器94係配置在基板處理裝置1的外側，但是亦可配置在基板處理裝置1的內側。亦即，亦可將過濾器94安裝在處理液供給管線92。
沖洗裝置係使用洗淨液來洗淨分配管線93及處理液供給管線92的內部的洗淨裝置。該沖洗裝置係具備有：將洗淨液通過分配管線93而供給至處理液供給管線92的洗淨液供給管線99、及將被供給至處理液供給管線92的洗淨液導引至位於研磨墊41之外的排液管(液體廢棄處)100的排液管機構101。洗淨液係用以在分配管線93及處理液供給管線92內勢頭強地流動而將滯留在分配管線93及處理液供給管線92內的處理液去除的沖洗 流體。更具體而言，洗淨液係被供給至分配管線93內，以比處理液為更高的流速在分配管線93內流動，另外在處理液供給管線92內流通。
在分配管線93及洗淨液供給管線99安裝有容許處理液或洗淨液的任一者在分配管線93及處理液供給管線92內流動的供給切換閥104。洗淨液供給管線99係透過供給切換閥104而與分配管線93相連結。供給切換閥104係被配置在過濾器94的上游側。初期狀態的供給切換閥104係容許一邊關閉洗淨液供給管線99，一邊打開分配管線93，處理液通過分配管線93而流入至處理液供給管線92。
若供給切換閥104被操作，供給切換閥104係一邊遮斷分配管線93與處理液循環管線97的連接，一邊將洗淨液供給管線99與分配管線93相連接，藉此，洗淨液通過洗淨液供給管線99及分配管線93而流至處理液供給管線92內。在供給切換閥104係使用三方閥或複數開閉閥的組合。洗淨液供給管線99及供給切換閥104係被配置在基板處理裝置1之外，排液管機構101係被配置在基板處理裝置1內。供給切換閥104係以配置在距離處理液循環管線97與分配管線93的連接點不遠的下游側為佳。藉由如上所示之配置，可將洗淨液流至分配管線93的大部分。
排液管機構101係具備有：由處理液供給管線92分歧而延伸至排液管100的排液管管線110、及安裝在處理液供給管線92及排液管管線110的排液管切換閥107。排液管切換閥107係被配置在連接部114的下游側。較佳為排液管切換閥107係被配置在距離連接部114不遠的下游側。
排液管切換閥107係構成為將在處理液供給管線92流動的洗淨液導引至排液管管線110。更具體而言，處於初期狀態的排液管切換閥107 係一邊關閉排液管管線110，一邊使處理液供給管線92的上游流路與下游流路相連通，容許處理液通過處理液供給管線92而流至處理液供給噴嘴50。若排液管切換閥107被操作，排液管切換閥107係一邊關閉處理液供給管線92的下游流路，一邊將排液管管線110與處理液供給管線92的上游流路相連接，藉此將在處理液供給管線92流通的處理液導引至排液管管線110。在第五圖中，排液管切換閥107係被配置在過濾器94的下游側，但是排液管切換閥107的配置處並非限定於該實施形態。例如，過濾器94亦可配置在距離處理液供給噴嘴50不遠的上游側。在排液管切換閥107係使用三方閥或複數開閉閥的組合。
洗淨液(沖洗流體)係在分配管線93內流動而將殘留在分配管線93內的處理液沖流。此外，洗淨液(沖洗流體)係在處理液供給管線92內流動而將殘留在處理液供給管線92內的處理液沖流。如此一來，洗淨液係將殘留在分配管線93及處理被供給管線92內之經劣化的處理液去除，甚至可將分配管線93及處理液供給管線92內洗淨。處理液係連同洗淨液一起通過排液管管線110而被排出(廢棄)至排液管100。
若分配管線93及處理液供給管線92內不太髒污時，亦可由處理液循環管線97對分配管線93供給新的處理液，將殘留的舊的處理液沖流。但是，將舊的處理液由基板處理裝置1的外部導入至內部，若由將基板處理裝置1的內部保持清淨的觀點來看並不理想。因此，排液管切換閥107及排液管100係被配置在將處理液供給管線92與分配管線93相連接的連接部114的近傍。當以新的處理液沖流舊的處理液時，排液管切換閥107被操作，處理液供給管線92的上游流路與排液管管線110相連接。新的處理液係 在流入至基板處理裝置1內之後，立即被導引至排液管管線110，且被排出(廢棄)至排液管100。因此，可將基板處理裝置1的內部保持清淨。
新的處理液僅沖流舊的處理液，並不太能期待洗淨處理液供給管線92及分配管線93的內部。因此，若處理液供給管線92及分配管線93的內部髒污嚴重時，係操作排液管切換閥107及供給切換閥104，而將洗淨液導入至分配管線93。洗淨液係在分配管線93及處理液供給管線92流通來洗淨該等的內部，另外通過排液管管線110而被排出(廢棄)至排液管100。此時亦為洗淨液及舊的處理液因流入至基板處理裝置1內之後，立即被導引至排液管管線110，因此並不會有基板處理裝置1的內部被舊的處理液污染的情形。
排液管切換閥107及供給切換閥104的動作係藉由動作控制部30進行控制。動作控制部30亦可與基板處理裝置1的處理控制部29一體構成。在洗淨分配管線93及處理液供給管線92內時，動作控制部30係使供給切換閥104及排液管切換閥107作動，而使洗淨液供給管線99與分配管線93相連通，並且使排液管管線110與處理液供給管線92相連通。洗淨液係由洗淨液供給管線99通過供給切換閥104而被供給至分配管線93內，依序在分配管線93及處理液供給管線92流動，另外通過排液管切換閥107及排液管管線110而被排出(廢棄)至排液管100。如上所示，洗淨液並未被供給至研磨墊41上，而直接被導引至排液管100。排液管100係液體廢棄處之一例，液體廢棄處亦可為用以廢棄處理液的構造體。
在處理液供給管線92係安裝有純水切換閥112，在該純水切換閥112係連接有純水供給管線113。純水切換閥112係被配置在排液管切換 閥107的下游側。純水切換閥112係以被配置在距離排液管切換閥107不遠的下游側為佳。純水切換閥112的動作係藉由動作控制部30來進行控制。
若使純水切換閥112作動，處理液供給管線92的上流流路被關閉，另一方面，純水供給管線113與處理液供給管線92的下游流路相連接。作為洗淨液來發揮功能的純水係通過純水供給管線113而被供給至處理液供給管線92內，在處理液供給管線92流動，由處理液供給噴嘴50被供給至研磨墊41上。純水係定期(例如每次進行晶圓處理時)通過處理液供給管線92而被供給至處理液供給噴嘴50。因此，在由純水切換閥112延伸至處理液供給噴嘴50的處理液供給管線92的內部、及處理液供給噴嘴50的內部並未殘留處理液。
洗淨液係勢頭強地在分配管線93及處理液供給管線92內流動，將劣化的處理液沖流至排液管100。長時間滯留在分配管線93及處理液供給管線92內的處理液係有具有由原本的濃度分布大幅改變的濃度分布的情形，另外會有包含微小粒子(通常為砥粒)凝聚而形成的粗大粒子的情形。在如上所示之處理液並未被供給至研磨墊41，而直接被排出至排液管100。因此，不會有性質改變的處理液對晶圓的研磨帶來不良影響的情形。
以被使用在洗淨分配管線93及處理液供給管線92的洗淨液(亦即沖洗流體)而言，列舉有：純水、蝕刻液、含有螫合劑的水溶液、達成表面電位(zeta potential)效果的液體、供予超音波振動的液體等。若酸性或鹼性的洗淨液附著在研磨墊41、頂環43、修整器56、捲式海綿77、78等構件，會有該等構件被污染的情形。藉由本實施形態，洗淨液被排出至位於研磨墊41之外的排液管100內，因此洗淨液不會附著在該等構件。
亦可設置將被排出至排液管100的洗淨液及處理液導引至基板處理裝置1的外側的移送管線111。移送管線111係由排液管100延伸至基板處理裝置1的外側，被排出至排液管100的洗淨液及處理液係通過移送管線111而被排出至基板處理裝置1的外部。因此，可防止基板處理裝置1的內部因洗淨液及處理液而污染的情形。
分配管線93及處理液供給管線92的洗淨係在進行晶圓的處理之前，亦即在進行晶圓的研磨之前實施。例如，基板處理裝置1閒置時、或基板處理裝置1的運轉時間達到預定時間時供給洗淨液。因此，殘留在分配管線93及處理液供給管線92的舊的處理液被去除，可發揮原有性質的新的處理液通過分配管線93及處理液供給管線92而被供給至研磨墊41。動作控制部30亦可當基板處理裝置1閒置時、或基板處理裝置1的運轉時間達到預定時間時，將排液管切換閥107及供給切換閥104進行動作，自動地將洗淨液供給至分配管線93及處理液供給管線92。
為了將洗淨液由分配管線93及處理液供給管線92去除而將分配管線93及處理液供給管線92保持清淨，較佳為以純水置換該等管線92、93內的洗淨液。因此，純水供給管線116與洗淨液供給管線99相連接。在洗淨液供給管線99係安裝有純水切換閥117，純水供給管線116係透過純水切換閥117而與洗淨液供給管線99相連結。
若使純水切換閥117、供給切換閥104、及排液管切換閥107作動，純水係通過純水供給管線116及洗淨液供給管線99而被供給至分配管線93內。純水係通過分配管線93而在處理液供給管線92流通，此外，通過排液管切換閥107及排液管管線110而被排出至排液管100。如上所示，純水 係將洗淨液由分配管線93及處理液供給管線92的內部去除，藉此可將分配管線93及處理液供給管線92的內部保持清淨。
第六圖係顯示沖洗裝置的其他實施形態的圖。未特別說明的本實施形態的構成由於與第五圖所示之實施形態相同，故省略其重複說明。在本實施形態中，如第六圖所示，排液管切換閥107係被配置在距離處理液供給噴嘴50不遠的上游側。若形成為如上所示之配置，可使洗淨液通過至分配管線93及處理液供給管線92的大部分，可以洗淨液洗淨分配管線93及處理液供給管線92的大部分。
在將分配管線93及處理液供給管線92洗淨後，較佳為以純水置換分配管線93及處理液供給管線92內的洗淨液。若使純水切換閥117、供給切換閥104、及排液管切換閥107作動，純水係通過純水供給管線116及洗淨液供給管線99而被供給至分配管線93內。純水係通過分配管線93而在處理液供給管線92流動，此外，通過排液管切換閥107及排液管管線110而被排出至排液管100。亦可在供給純水之前，將洗淨液與純水的混合流體供給至分配管線93內。
為進行晶圓處理，在由處理液供給噴嘴50供給處理液之後，以純水置換處理液供給噴嘴50及處理液供給管線92內的處理液為宜。若使純水切換閥112作動，純水係通過純水供給管線113而被供給至處理液供給管線92內，在處理液供給管線92流動，由處理液供給噴嘴50被供給至研磨墊41上。如上所示在晶圓處理後，處理液供給噴嘴50及處理液供給管線92內的處理液係以純水予以置換，因此防止處理液供給噴嘴50及處理液供給管線92內的處理液的滯留及凝聚。排液管切換閥107係被配置在純水切換閥 112的下游側。因此，純水係可將洗淨液由處理液供給管線92的全體去除。
第七圖係顯示沖洗裝置之另外其他實施形態的圖。未特別說明的本實施形態的構成由於與第五圖所示之實施形態相同，故省略其重複說明。在本實施形態中，排液管機構101係由使處理液供給噴嘴50由研磨墊41上方的處理位置P2移動至排液管100的上方的避讓位置P1之作為噴嘴移動機構的噴嘴馬達52所構成(避讓位置P1及處理位置P2的詳細內容參照第三圖)。在該實施形態中，並未設有上述排液管切換閥107及排液管管線110。排液管100係被設在被移動至避讓位置P1的處理液供給噴嘴50的下方。
噴嘴馬達52的動作係藉由動作控制部30予以控制。亦即，動作控制部30係在進行晶圓W的研磨之前，使噴嘴馬達52作動而使處理液供給噴嘴50移動至排液管100上方的避讓位置P1。之後，使供給切換閥104作動而將洗淨液(或純水)通過分配管線93而流至處理液供給管線92內。滯留在分配管線93及處理液供給管線92內的處理液係連同洗淨液(或純水)一起通過處理液供給噴嘴50而被排出至排液管100，並未被供給至研磨墊41上。藉由該實施形態，可使洗淨液(或純水)通過至處理液供給管線92的全體及處理液供給噴嘴50，且可以洗淨液(或純水)來洗淨處理液供給管線92的全體及處理液供給噴嘴50。
以盡可能縮短連接部114與處理液供給噴嘴50的距離為佳，但基於設置空間的情況，亦會有難以在處理液供給管線92設置排液管切換閥107的情形。在本實施形態中，排液管機構101係由噴嘴馬達52所構成，因此不需要排液管切換閥107。
過濾器94係構成為捕捉處理液所含有的粗大粒子。若該過濾 器94發生阻塞，過濾器94的流入側壓力增加，大量微粒會由過濾器94被推出。含有大量微粒的處理液會對晶圓造成嚴重損傷。因此，在過濾器94發生阻塞前，必須更換過濾器94。為檢測過濾器94的阻塞，會有使用流量計或壓力計的情形。但是，流量計及壓力計雖可檢測過濾器94發生阻塞，但是難以預測過濾器94的阻塞。因此，為預測過濾器94的阻塞，如第五圖至第七圖所示，沖洗裝置係具備有：對在處理液供給管線92流通的處理液所含有的粒子數進行計數(計算)的粒子測定裝置120。
粒子測定裝置120係構成為：測定粒子大小，按每個粒子大小，對每單位體積的處理液所含有的粒子數進行計數。粒子測定裝置120係被安裝在處理液供給管線92，被配置在過濾器94的下游側。粒子測定裝置120係構成為：與動作控制部30相連接，將粒子數傳送至動作控制部30。粒子測定裝置120亦被稱為微粒監測器(particle monitor)。在第五圖至第七圖中，粒子測定裝置120係被配置在基板處理裝置1內，但是亦可將粒子測定裝置120安裝在分配管線93。
動作控制部30係根據粒子數來預測過濾器94的阻塞。如上所述，若過濾器94開始發生阻塞，通過過濾器94的處理液所含有的粒子數會增加。動作控制部30係當每單位體積的處理液所含有的粒子數達到預定的臨限值時，即發出催促替換過濾器94的警報。因此，可在過濾器94發生阻塞前，更換過濾器94。
動作控制部30係若粒子數達到臨限值時，亦可一邊使供給切換閥104作動而將洗淨液流通至分配管線93及處理液供給管線92內，一邊使排液管機構101作動而將洗淨液連同處理液一起導引至排液管100。此外， 動作控制部30亦可在粒子數達到臨限值時，發出警報，及/或將基板處理裝置1的運轉停止。
動作控制部30係若粒子大小的測定值達到預定的臨限值時，亦可一邊使供給切換閥104作動而將洗淨液流至分配管線93及處理液供給管線92內，一邊使排液管機構101作動而將洗淨液連同處理液一起導引至排液管100。此外，動作控制部30係若粒子大小的測定值達到預定的臨限值時，亦可發出警報，及/或將基板處理裝置1的運轉停止。
膜厚測定器21(參照第一圖)係與動作控制部30相連接，膜厚測定器21係構成為將晶圓的膜厚的測定值傳送至動作控制部30。動作控制部30係若膜厚的測定值超出預定的容許範圍時，亦可使供給切換閥104作動而將洗淨液通過分配管線93而流至處理液供給管線92內，而且使排液管機構101作動而將被供給至處理液供給管線92的洗淨液導引至排液管100。動作控制部30係若膜厚的測定值超出預定的容許範圍時，亦可發出警報，及/或將基板處理裝置1的運轉停止。
第一圖所示之膜厚測定器21係被組入在基板處理裝置1之所謂內嵌(inline)型膜厚測定器，但是膜厚測定器21亦可為被設置在基板處理裝置1的外部的單機(stand alone)型外部膜厚測定器。動作控制部30係由膜厚初期值、膜厚測定值、及研磨時間算出晶圓的研磨率，若該研磨率超出預定的容許範圍時，亦可使供給切換閥104作動而將洗淨液通過分配管線93而流至處理液供給管線92內，而且使排液管機構101作動而將被供給至處理液供給管線92的洗淨液導引至排液管100。動作控制部30係若研磨率超出預定的容許範圍時，亦可發出警報，及/或將基板處理裝置1的運轉停止。
第八圖係顯示在基板處理裝置1的外部設有缺陷檢査器23之例的示意圖。該缺陷檢查器23係構成為：檢測形成在晶圓表面的損傷(scratch：刮痕)或附著在晶圓背面的異物等缺陷，將該缺陷數進行計數。例如，使用對晶圓表面照射光線(可見光線、紅外線、紫外線等)，由來自晶圓表面的散射光檢測晶圓表面上的損傷的光散射式缺陷檢査器。若處理液所含有的微粒增加，會有在晶圓表面形成損傷的情形。因此，在基板處理裝置1被處理的晶圓係被搬送至缺陷檢查器23，藉由缺陷檢査群23，檢測形成在晶圓表面上的損傷。
缺陷檢査器23係與動作控制部30相連接，被檢測到的損傷數被送至動作控制部30。動作控制部30係若所被檢測到的損傷數達到預定的臨限值時，亦可使供給切換閥104作動而將洗淨液通過分配管線93而流至處理液供給管線92內，而且使排液管機構101作動而將被供給至處理液供給管線92的洗淨液導引至排液管100。動作控制部30係若所被檢測到的損傷數達到預定的臨限值時，亦可發出警報，及/或將基板處理裝置1的運轉停止。
第九圖、第十圖、及第十一圖係顯示用以將作為處理液的藥液供給至洗淨單元16的處理液供給系統的示意圖。第九圖、第十圖、及第十一圖所示之處理液供給系統係具有與第五圖、第六圖、及第七圖所示之處理液供給系統為基本上相同的構成，第九圖、第十圖、及第十一圖所示之實施形態係與第五圖、第六圖、及第七圖所示之實施形態相對應。在第十一圖中，上側藥液供給噴嘴87及未圖示之下側藥液供給噴嘴係構成為可藉由上側噴嘴馬達122及未圖示之下側噴嘴馬達，在位於晶圓W的外側的避讓位置P1與晶圓W的上方的處理位置P2之間移動。在該第十一圖所示之實 施形態中，排液管機構101係由上側噴嘴馬達122及未圖示的下側噴嘴馬達所構成。
如第九圖至第十一圖所示，作為液體廢棄處之一例的排液管100係位於保持晶圓W之作為基板保持部的保持滾筒71、72、73、74的外側。因此，若排液管機構101作動，在處理液供給管線92流通的洗淨液及處理液(藥液)並未被供給至晶圓W而被直接導引至排液管100。
以上說明本發明之一實施形態，惟本發明並非限定於上述實施形態，亦可在其技術思想的範圍內，以各種不同形態實施。
【產業上可利用性】
本發明係可利用在可洗淨處理液供給管線的基板處理系統及基板處理方法。

Claims (23)

  1. 一種基板處理系統，其特徵為：具備有：基板處理裝置，其係一邊由與處理液供給管線相連接的處理液供給噴嘴，將處理液直接或間接供給至基板，一邊處理該基板；分配管線，其係將處理液供給源與前述處理液供給管線相連接；及沖洗裝置，其係洗淨前述分配管線及前述處理液供給管線，前述沖洗裝置係具備有：洗淨液供給管線，其係與前述分配管線相連接；排液管機構，其係將通過前述分配管線而被供給至前述處理液供給管線的洗淨液導引至液體廢棄處；供給切換閥，其係被安裝在前述分配管線及前述洗淨液供給管線，容許前述處理液或前述洗淨液的任一者在前述分配管線內流動；及動作控制部，其係控制前述排液管機構及前述供給切換閥的動作，前述分配管線及前述供給切換閥係被配置在前述基板處理裝置之外，其中，前述排液管機構係具備有：排液管管線，其係由前述處理液供給管線分歧而延伸至前述液體廢棄處；及排液管切換閥，其係被安裝在前述處理液供給管線及前述排液管管線，前述排液管切換閥係構成為：將在前述處理液供給管線流通的前述洗淨液導引至前述排液管管線。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，前述排液管切換閥係被配置在距離前述處理液供給噴嘴不遠的上游側。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，前述排液管切換閥係被配置在距離連接部不遠的下游側，前述連接部使前述處理液供給管線及前述分配管線互相連接。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，前述排液管機構係被配置在前述基板處理裝置內。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，前述動作控制部係在進行前述基板的處理之前，使前述供給切換閥作動而將前述洗淨液流至前述處理液供給管線內。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，前述動作控制部係在前述基板處理裝置的運轉時間到達預定的時間之時，一邊使前述供給切換閥及前述排液管機構作動而將前述洗淨液流至前述處理液供給管線內，一邊將前述洗淨液導引至前述液體廢棄處。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，另外具備有粒子測定裝置，其係將每單位體積的前述處理液所含有的粒子之數進行計數。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理系統，其中，前述動作控制部係若前述粒子之數達到預定的臨限值時，發出警報，或停止前述基板處理裝置的運轉。
  9. 如申請專利範圍第7項之基板處理系統，其中，前述動作控制部係若前述粒子之數達到預定的臨限值時，使前述供給切換閥作動而將前述洗淨液通過前述分配管線而流至前述處理液供給管線內，而且使前述排液管機構作動而將被供給至前述處理液供給管線的前述洗淨液導引至前述液體廢棄處。
  10. 如申請專利範圍第7項之基板處理系統，其中，另外具備有用以捕捉前述處理液所含有的前述粒子的過濾器，前述粒子測定裝置係被配置在前述過濾器的下游側。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理系統，其中，前述動作控制部係若前述粒子之數達到預定的臨限值時，發出催促更換前述過濾器的警報。
  12. 一種基板處理系統，其特徵為：具備有：基板處理裝置，其係一邊由與處理液供給管線相連接的處理液供給噴嘴，將處理液直接或間接供給至基板，一邊處理該基板；分配管線，其係將處理液供給源與前述處理液供給管線相連接；及沖洗裝置，其係洗淨前述分配管線及前述處理液供給管線，前述沖洗裝置係具備有：洗淨液供給管線，其係與前述分配管線相連接；排液管機構，其係將通過前述分配管線而被供給至前述處理液供給管線的洗淨液導引至液體廢棄處；供給切換閥，其係被安裝在前述分配管線及前述洗淨液供給管線，容許前述處理液或前述洗淨液的任一者在前述分配管線內流動；及動作控制部，其係控制前述排液管機構及前述供給切換閥的動作，前述分配管線及前述供給切換閥係被配置在前述基板處理裝置之外，其中，前述排液管機構係使前述處理液供給噴嘴，由用以處理前述基板的預定位置，移動至前述液體廢棄處的上方的位置的噴嘴移動機構。
  13. 一種基板處理系統，其特徵為：具備有：基板處理裝置，其係一邊由與處理液供給管線相連接的處理液供給噴嘴，將處理液直接或間接供給至基板，一邊處理該基板；分配管線，其係將處理液供給源與前述處理液供給管線相連接；測定前述基板的膜厚的膜厚測定器；及沖洗裝置，其係洗淨前述分配管線及前述處理液供給管線，前述沖洗裝置係具備有：洗淨液供給管線，其係與前述分配管線相連接；排液管機構，其係將通過前述分配管線而被供給至前述處理液供給管線的洗淨液導引至液體廢棄處；供給切換閥，其係被安裝在前述分配管線及前述洗淨液供給管線，容許前述處理液或前述洗淨液的任一者在前述分配管線內流動；及動作控制部，其係控制前述排液管機構及前述供給切換閥的動作，前述分配管線及前述供給切換閥係被配置在前述基板處理裝置之外，前述動作控制部係若前述膜厚的測定值超出預定的容許範圍時，使前述供給切換閥作動而將前述洗淨液通過前述分配管線而流至前述處理液供給管線內，而且使前述排液管機構作動而將被供給至前述處理液供給管線的前述洗淨液導引至前述液體廢棄處。
  14. 一種基板處理系統，其特徵為：具備有：基板處理裝置，其係一邊由與處理液供給管線相連接的處理液供給噴嘴，將處理液直接或間接供給至基板，一邊處理該基板；分配管線，其係將處理液供給源與前述處理液供給管線相連接；檢測前述基板之缺陷的基板檢査器；及沖洗裝置，其係洗淨前述分配管線及前述處理液供給管線，前述沖洗裝置係具備有：洗淨液供給管線，其係與前述分配管線相連接；排液管機構，其係將通過前述分配管線而被供給至前述處理液供給管線的洗淨液導引至液體廢棄處；供給切換閥，其係被安裝在前述分配管線及前述洗淨液供給管線，容許前述處理液或前述洗淨液的任一者在前述分配管線內流動；及動作控制部，其係控制前述排液管機構及前述供給切換閥的動作，前述分配管線及前述供給切換閥係被配置在前述基板處理裝置之外，前述動作控制部係若所被檢測到的前述缺陷之數達到預定的臨限值時，使前述供給切換閥作動而將前述洗淨液通過前述分配管線而流至前述處理液供給管線內，而且使前述排液管機構作動而將被供給至前述處理液供給管線的前述洗淨液導引至前述液體廢棄處。
  15. 一種基板處理方法，其特徵為：對安裝在處理液供給管線及排液管管線的排液管切換閥進行操作，藉此，一邊關閉前述處理液供給管線的下游流路，一邊將由前述處理液供給管線分歧而延伸至液體廢棄處的前述排液管管線與前述處理液供給管線的上游流路相連接，一邊通過分配管線而將洗淨液流至基板處理裝置內的前述處理液供給管線來洗淨前述分配管線及前述處理液供給管線，一邊將被供給至前述處理液供給管線的前述洗淨液通過前述排液管管線而導引至前述液體廢棄處，一邊關閉前述排液管管線，一邊使前述處理液供給管線的前述上游流路與前述處理液供給管線的前述下游流路相連通，一邊通過前述處理液供給管線而將處理液直接或間接供給至基板，一邊在前述基板處理裝置內處理該基板。
  16. 如申請專利範圍第15項之基板處理方法，其中，將新的處理液供給至前述分配管線而將殘留在前述分配管線內的處理液沖流，另外將前述處理液導引至前述液體廢棄處。
  17. 如申請專利範圍第15項之基板處理方法，其中，另外包含測定每單位體積的前述處理液所含有的粒子之數的工序。
  18. 如申請專利範圍第17項之基板處理方法，其中，若前述粒子之數達到預定的臨限值時，即發出警報，或停止前述基板處理裝置的運轉。
  19. 如申請專利範圍第17項之基板處理方法，其中，若前述粒子之數達到預定的臨限值時，再度執行以下工序：一邊通過前述分配管線而將前述洗淨液流至前述處理液供給管線來洗淨前述分配管線及前述處理液供給管線，一邊將前述洗淨液導引至前述液體廢棄處。
  20. 如申請專利範圍第17項之基板處理方法，其中，若前述粒子之數達到預定的臨限值時，發出催促更換被安裝在前述分配管線或前述處理液供給管線的過濾器的警報。
  21. 如申請專利範圍第15項之基板處理方法，其中，當前述基板處理裝置的運轉時間達到預定的時間時，一邊通過前述分配管線而將前述洗淨液流至前述處理液供給管線來洗淨前述分配管線及前述處理液供給管線，一邊將被供給至前述處理液供給管線的前述洗淨液導引至前述液體廢棄處。
  22. 一種基板處理方法，其特徵為：包含以下的工序：一邊通過分配管線而將洗淨液流至基板處理裝置內的處理液供給管線來洗淨前述分配管線及前述處理液供給管線，一邊將被供給至前述處理液供給管線的前述洗淨液導引至液體廢棄處；一邊通過前述處理液供給管線而將處理液直接或間接供給至基板，一邊在前述基板處理裝置內處理該基板；及測定前述基板之膜厚，若前述膜厚的測定值超出預定的容許範圍時，再度執行以下工序：一邊通過前述分配管線而將前述洗淨液流至前述處理液供給管線來洗淨前述分配管線及前述處理液供給管線，一邊將前述洗淨液導引至前述液體廢棄處。
  23. 一種基板處理方法，其特徵為：包含以下的工序：一邊通過分配管線而將洗淨液流至基板處理裝置內的處理液供給管線來洗淨前述分配管線及前述處理液供給管線，一邊將被供給至前述處理液供給管線的前述洗淨液導引至液體廢棄處；一邊通過前述處理液供給管線而將處理液直接或間接供給至基板，一邊在前述基板處理裝置內處理該基板；及檢測前述基板之缺陷，若所被檢測到的前述缺陷之數達到預定的臨限值時，再度執行以下工序：一邊通過前述分配管線而將前述洗淨液流至前述處理液供給管線來洗淨前述分配管線及前述處理液供給管線，一邊將前述洗淨液導引至前述液體廢棄處。
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