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Abstract
本發明之目的在於提供一種輸入裝置，其以可不損害透光性及導電性地使配線與基材一起彎曲之方式改善彎曲部附近之構造。 本發明之輸入裝置具備：基材11，其具有透光性及可撓性；複數個第1電極部21，其等具有透光性，且於基材11上之檢測區域OR中排列於第1方向；複數個第2電極部31，其等具有透光性，且於基材11上之檢測區域OR中排列於與第1方向交叉之第2方向；及複數條引出配線14，其等與複數個第1電極部21及複數個第2電極部31各者導通，且自基材11上之檢測區域OR延伸至檢測區域OR之外側之周邊區域SR。於基材11之周邊區域SR設置有彎曲部BR。引出配線14具有設置於彎曲部BR上之可撓性導電構件(可撓性積層體15)，且具備以覆蓋設置於彎曲部BR上之可撓性導電構件(可撓性積層體15)之至少一部分之方式設置之被覆材51。
Description
本發明係關於於具有透光性及可撓性之基材設置有檢測用之複數個電極部之輸入裝置。
作為便攜式終端或各種電子機器等所使用之輸入裝置，較多使用檢測靜電電容之觸控面板。於專利文獻1，記載有為謀求窄邊框化及薄型化而設置下層配線部與上層配線部且使透明基板彎曲之透明導電膜。 又，於專利文獻2記載有觸控視窗，其具備：基板，其具有第1檢測區域及第2檢測區域；第1檢測電極，其檢測設置於第1檢測區域之位置；及第2檢測電極，其檢測設置於第2檢測區域之位置。於該觸控視窗中，第1檢測電極之材料與第2檢測電極之材料不同。又，第2檢測電極記載有自第1檢測電極彎曲之構成。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2013-186633號公報 [專利文獻2]美國專利申請公開2015/0070312號公報
[發明所欲解決之問題] 然而，於作為透光性電極或引出配線使用之ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)或金屬中，彎曲之情形時容易產生龜裂或導通不良，因而有難以使用於彎曲部分之問題。因此，於在基材之彎曲部分設置配線之情形時，必須以容易彎曲之材料(例如，導電性聚合物(PEDOT／PSS等)、金屬奈米線)形成配線。然而，若使用此種容易彎曲之材料，則產生透光性或導電性降低、細線化變得困難之問題。 本發明之目的在於提供一種輸入裝置，其以可不損害透光性及導電性地使配線與基材一起彎曲之方式改善彎曲部附近之構造。 [解決問題之技術手段] 為解決上述問題，本發明之輸入裝置具備：基材，其具有透光性及可撓性；複數個第1電極部，其等具有透光性，且於基材上之檢測區域中排列於第1方向；複數個第2電極部，其等具有透光性，且於基材上之檢測區域中排列於與第1方向交叉之第2方向；及複數條引出配線，其等與複數個第1電極部及複數個第2電極部各者導通，且自基材上之檢測區域延伸至檢測區域之外側之周邊區域。於基材之周邊區域設置有彎曲部。引出配線具有設置於彎曲部上之可撓性導電構件，且具備以覆蓋設置於彎曲部上之可撓性導電構件之至少一部分之方式設置之被覆材。 於設置於基材之彎曲部之可撓性導電構件產生之拉伸應力成為可撓性導電構件龜裂之原因。藉由被覆材覆蓋可撓性導電構件之至少一部分，可由被覆材緩和產生於可撓性導電構件之拉伸應力之程度。構成被覆材之材料並未限定。作為一例列舉樹脂系材料。於本說明書中，所謂樹脂系材料，係指以有機高分子(聚合體)為主成分之材料。於被覆材包含樹脂系材料之情形時，於賦予如彎曲部成為彎曲狀態而於可撓性導電構件產生拉伸應力之外力時，根據該外力而於被覆材產生凝集力，且該凝集力以緩和產生於可撓性導電構件之拉伸應力之方式發揮作用。 本發明之輸入裝置亦可具備降低可撓性導電構件之彎曲程度之補強構件。補強構件係作為一例，包含設置於彎曲部之與設置有可撓性導電構件之側相反側之補強薄膜。藉由具備此種構成，可減小設置於彎曲部上之可撓性導電構件之彎曲程度，而抑制於可撓性導電構件產生拉伸應力。 於本發明之輸入裝置中，亦可進而具備以覆蓋基材上之檢測區域之方式設置之光學黏著劑層。藉由使用該光學黏著劑層，容易於檢測區域上維持保護構件與基材之相對位置。於如此般進而具備光學黏著劑層之情形時，亦可以形成可撓性導電構件、被覆材及光學黏著劑層之積層構造之方式，使光學黏著劑層自檢測區域延伸至周邊區域側。若光學黏著劑層以延伸至周邊區域側且覆蓋可撓性導電構件之處於彎曲狀態之部分之方式配置，則於構成光學黏著劑層之高透明性黏著劑產生如對抗伴隨彎曲之變形之凝集力。於該高透明性黏著劑產生之凝集力可能成為於可撓性導電構件產生拉伸應力之外力，但藉由被覆材位於光學黏著劑層與可撓性導電構件之間，可抑制構成光學黏著劑層之高透明性黏著劑之凝集力傳遞至可撓性導電構件。 於如上述進而具備光學黏著劑層之情形時，亦可為光學黏著劑層自檢測區域延伸至周邊區域側，但以不覆蓋可撓性導電構件之處於彎曲狀態之部分之方式配置。於該情形時，由於光學黏著劑層不易彎曲，故可能成為於可撓性導電構件產生拉伸應力之外力的凝集力於構成光學黏著劑層之高透明性黏著劑產生之可能性降低。 於本發明之輸入裝置中，亦可為引出配線具有：第1配線部，其設置於較彎曲部更靠檢測區域側；第2配線部，其設置於較彎曲部更靠檢測區域之相反側；且可撓性積層體位於第1配線部與第2配線部之間。可撓性導電構件亦可包含可撓性積層體，該可撓性積層體具有設置於基材上之第1非晶質ITO層、設置於第1非晶質ITO層上之導電層、及設置於導電層上之第2非晶質ITO層。 [發明之效果] 根據本發明，可提供一種可不損害透光性及導電性地使配線與基材一起彎曲之輸入裝置。
以下，基於圖式說明本發明之實施形態。另，於以下之說明中，對相同之構件標註相同之符號，針對已說明一次之構件適當省略其說明。 (應用輸入裝置之電子機器) 圖1係例示應用本實施形態之輸入裝置之電子機器之分解立體圖。 圖2係圖1之A-A線剖視圖。 如圖1及圖2所示，電子機器1具有框體3。框體3係藉由主體盒部3a與面板部3b之組合而構成。另，為方便說明，主體盒部3a僅於圖2以虛線顯示。主體盒部3a係例如以合成樹脂材料形成。主體盒部3a形成為上方開口之箱形狀。面板部3b係以覆蓋主體盒部3a之開口部之方式配置。 面板部3b係以玻璃或聚碳酸酯樹脂或丙烯酸樹脂等之透光性樹脂材料形成。另，於本說明書中，所謂「透光性」及「透明」係指可視光線透過率為50%以上(較佳為80%以上)之狀態。 於面板部3b之內側配置有具有透光性及可撓性之基材11。又，於框體3之內部，收納有與基材11之端部接合之配線基板8。配線基板8例如為可撓性配線基板。又，於框體3之內部，收納有液晶顯示面板或電致發光顯示面板等之顯示面板7。顯示面板7之顯示圖像可透過基材11與面板部3b自外側目測。 基材11之一部分係經由例如高透明性接著劑(OCA：Optically Clear Adhesive，光學透明接著劑)而接著於面板部3b之內面。基材11係藉由具有可撓性之PET(聚對苯二甲酸乙二酯)薄膜或PC(聚碳酸酯)薄膜等之具有透光性之樹脂薄膜而形成。基材11亦可包含設置於PET薄膜等之表面之光學調整層(SiO2
等)或硬質覆層。於基材11之表面，形成有複數個第1電極部21與複數個第2電極部31。 複數個第1電極部21係於基材11上之檢測區域SR中有規律地排列於第1方向。又，複數個第2電極部31係於基材11上之檢測區域SR中有規律地排列於與第1方向交叉之第2方向。另，如圖1所示，於本實施形態之電子機器1中，第1方向與第2方向正交。於基材11，設置有與該等第1電極部21及第2電極部31各者導通之複數個引出配線14。引出配線14係自基材11之檢測區域SR延伸至檢測區域SR之外側之周邊區域OR。靜電電容型之輸入裝置10包含該等基材11、第1電極部21、第2電極部31及引出配線14。關於第1電極部21、第2電極部31及引出配線14之細節將予以後述。 於本實施形態中，於基材11之周邊區域OR設置有彎曲部BR。引出配線14具有：第1配線部141，其設置於較彎曲部BR更靠檢測區域SR側；第2配線部142，其設置於較彎曲部BR更靠檢測區域SR之相反側；及可撓性積層體15，其位於第1配線部141與第2配線部142之間，且設置於彎曲部BR上。 圖3(a)及(b)係例示可撓性積層體15之模式剖視圖。 於圖3(a)顯示基材11未彎曲之狀態，於圖3(b)顯示基材11彎曲之狀態。 於彎曲部BR上設置有可撓性導電構件。於圖3所示之輸入裝置中，作為可撓性導電構件之一例設置有可撓性積層體15。可撓性積層體15具有設置於基材11上之第1非晶質ITO層151、設置於第1非晶質ITO層151上之導電層152、及設置於導電層152上之第2非晶質ITO層153。 第1非晶質ITO層151較理想為具有與基材11相接之部分。藉此，可更穩定地提高可撓性積層體15之相對於彎曲之耐性。於導電層152使用電阻率較第1非晶質ITO層151低之導電性材料。於導電層152使用例如Au、Ag、Cu、Pt、Pd等貴金屬、Ni、包含該等之至少一者之合金(作為具體例列舉CuNi合金)。於本實施形態中，使用Au作為導電層152。導電層152亦可具有積層構造。 第2非晶質ITO層153係藉由設置於導電層152上，而發揮抑制自外側視認導電層152之作用。於第1配線部141之端部設置有連接部141a，於第2配線部142之端部設置有連接部142a。可撓性積層體15之兩端連接於該等連接部141a、142a。另，於第2配線部142之與連接部142a相反側之端部142b設置有金屬層142c。該金屬層142c係構成與設置於配線基板8之金屬端子8a連接之端子部之一部分。 連接部141a、142a之與可撓性積層體15對向之面較佳為具備結晶化ITO之面，更佳為包含結晶化ITO之面。藉此，可撓性積層體15之第1非晶質ITO層151與連接部141a、142a之密接性(連接強度)提高。 引出配線14之第1配線部141亦可包含結晶化ITO層。再者，引出配線14之第2配線部142亦可包含結晶化ITO層。藉此，可謀求第1配線部141及第2配線部142之透光性之提高及低電阻化，且可於與第1配線部141及第2配線部142之形成相同之步驟，形成包含結晶化ITO層之連接部141a、142a。 作為具體例，第1配線部141係藉由結晶化ITO而形成。第2配線部142係連接部142a側藉由結晶化ITO而形成，與連接部142a相反側之端部142b側藉由結晶化ITO層及形成於該結晶化ITO層上之金屬層142c(例如CuNi/Cu/CuNi之積層構造)而形成。 作為可撓性積層體15，可藉由設為第1非晶質ITO層151、導電層152及第2非晶質ITO層153之積層構造，而謀求非晶質ITO之透明性及可撓性、與導電層152之低電阻化之並存。例如，於將基材11之彎曲部BR之曲率半徑設為5 mm以下之情形時，亦可獲得相對於機械性斷裂或電性切斷之充分之耐性。即，藉由於彎曲部BR設置可撓性積層體15，可以維持透光性及導電性之狀態彎曲基材11。 設置於彎曲部BR之可撓性積層體15係伴隨彎曲部BR之基材11之變形而彎曲。此時，於可撓性積層體15，於與該基材11對向之側之相反側中顯著產生拉伸應力。該拉伸應力可能成為可撓性積層體15龜裂之原因。 圖4係例示被覆材之模式剖視圖。如圖4所示，藉由具備以覆蓋在彎曲部BR上處於彎曲狀態之可撓性積層體(可撓性導電構件之一例)15之至少一部分之方式設置之被覆材51，而不易於可撓性積層體15之內部產生拉伸應力。因此，可藉由設置被覆材51，降低於可撓性積層體15產生龜裂之可能性。被覆材51亦可以覆蓋可撓性積層體15之整體之方式設置，又可具有覆蓋連接於可撓性積層體15之第1配線部141或第2配線部142之部分。 構成被覆材51之材料並未限定。作為一例列舉樹脂系材料。作為構成樹脂系材料之樹脂材料之具體例，列舉環氧樹脂。樹脂系材料亦可含有氧化矽填料、氧化鋁填料等無機系材料。於被覆材51包含樹脂系材料之情形時，於賦予如彎曲部BR成為彎曲狀態而於可撓性積層體15產生拉伸應力之外力時，可以對抗該外力之方式於被覆材51產生凝集力，並藉由該凝集力而降低施加至可撓性積層體15之外力。 圖5係例示光學黏著劑層之模式俯視圖。圖6係圖5之I-I線剖視圖。圖7係例示設置有光學黏著劑層之情形時之被覆材之模式俯視圖。圖8係圖7之II-II線剖視圖。圖9係例示設置有光學黏著劑層之情形時之被覆材及缺口部之模式俯視圖。圖10係圖9之III-III線剖視圖。圖11係例示補強構件之模式俯視圖。 包含高透明性黏著劑之光學黏著層52係位於基材11與面板部3b(3)之間，藉由高透明性黏著劑之黏著性及凝集力，維持基材11與面板部3b(3)之相對位置。此處，有光學黏著劑層52自檢測區域SR延伸至周邊區域OR側，並如圖5及圖6所示於可撓性積層體15亦附著有構成光學黏著層52之高透明性黏著劑之情形。於此種情形時，若彎曲部BR彎曲，則產生伴隨該彎曲而可撓性積層體15與面板部3b(3)遠離般之位置變化。因此，於構成位於可撓性積層體15與面板部3b(3)之間之光學黏著層52之高透明性黏著劑，產生欲使該位置變化恢復之朝向之凝集力CF(圖6)。該凝集力CF係作為相對於沿著彎曲部BR之彎曲而變形之可撓性積層體15之拉伸力發揮作用。因此，如圖5及圖6所示，於構成光學黏著層52之高透明性黏著劑附著於可撓性積層體15之情形時，由高透明性黏著劑之凝集力引起之拉伸應力容易於可撓性積層體15產生。 因此，如圖7及圖8所示，形成作為可撓性導電構件之一例之可撓性積層體15、被覆材51及光學黏著劑層52之積層構造。藉由被覆材51位於光學黏著劑層52與可撓性積層體15之間，基於構成光學黏著劑層52之高透明性黏著劑之凝集力CF之拉伸力首先傳遞至被覆材51。於該被覆材51之內部，藉由例如構成被覆材之樹脂系材料之凝集力，而緩和來自構成光學黏著劑層52之高透明性黏著劑之拉伸力。因此，可抑制來自構成光學黏著劑層52之高透明性黏著劑之拉伸力傳遞至可撓性積層體15。 自更穩定地避免來自構成光學黏著劑層52之高透明性黏著劑之拉伸力傳遞至可撓性積層體15之觀點而言，如圖9及圖10所示，亦可於光學黏著層52之一部分設置缺口部52C，使構成光學黏著層52之高透明性黏著劑不覆蓋可撓性積層體15之處於彎曲狀態之部分。 於彎曲部BR，亦可進而設置作為可撓性導電構件之一例之可撓性積層體15之彎曲程度之補強構件。於圖11，顯示有補強構件為設置於彎曲部BR之與設置有可撓性積層體15之側相反側之補強薄膜50。於賦予用以使彎曲部BR彎曲之外力之情形時，藉由設置有補強薄膜50而降低彎曲部BR之彎曲程度。因此，亦降低設置於彎曲部BR上之可撓性積層體15之彎曲程度。其結果，產生於可撓性積層體15之拉伸應力之程度變小。作為補強薄膜50之具體例，列舉PET(聚對苯二甲酸乙二酯)薄膜或PC(聚碳酸酯)薄膜等之具有透光性之樹脂薄膜。補強薄膜50有較佳為藉由較構成位於彎曲部BR之基材11之薄膜而可撓性較低(剛性較高)之薄膜而構成之情形。 (電極及配線) 接著，針對第1電極部21、第2電極部31及引出配線14之細節進行說明。 圖12係顯示電極配置之模式俯視圖。 圖13(a)及(b)係橋接配線部分之模式剖視圖。 如圖12所示，於基材11形成有於基材11之表面之第1方向(Y方向)延伸之第1電極列20、與於第2方向(X方向)延伸之第2電極列30。於第1電極列20中，一體形成有複數個第1電極部21、與將第1電極部21於Y方向連結之連結部22。第1電極列20雖設置有y1、y2、y3之3列，但該數量係根據輸入裝置10之面積而選擇。 第1電極部21為大致正方形(或大致菱形)，且大致正方形之角部朝向X方向與Y方向。連結部22係將於Y方向相鄰之第1電極部21之角部彼此連結。 第2電極列30係沿著x1、x2、x3、x4之4列而朝向X方向以均等間距有規律地排列，且沿著ya、yb、yc、yd各列而朝Y方向以均等間距有規律地排列。X方向及Y方向之各列之數量係根據輸入裝置10之面積而選擇。第2電極部31為大致正方形(或大致菱形)，且各角部朝向X方向與Y方向。第1電極部21及第2電極部31之四角形之各邊大小彼此大致一致。 於第2電極部31，於其中央部形成有配線通路32。對形成有配線通路32之第2電極部標註符號31A，而與不具有配線通路32之第2電極部31區分。 於第2電極部31A中，於Y方向直線延伸而形成有配線通路32。配線通路32係以可將第2電極部31A於X方向均等分割之方式，形成於X方向之中央部。第2電極部31A係藉由配線通路32而分割成2個區分電極層33、33。 第1電極部21與連結部22及第2電極部31、31A係以相同透光性之導電材料形成。透光性之導電材料係以ITO、銀奈米線為代表之金屬奈米線、形成為網格狀之較薄之金屬、或導電性聚合物等。 於圖13(a)，顯示圖12之y1列之第1電極列20、與x2列之第2電極列30之交叉部(B-B線)之積層構造之剖視圖。於該交叉部中，形成有覆蓋第1電極列20之連結部22之透光性之第1絕緣層41。於第1絕緣層41上形成有第1橋接連接層42。藉由第1橋接連接層42，將於連結部22之X方向之兩側相鄰之第2電極部31彼此連接並導通。 於第1電極列20與第2電極列30之所有交叉部，形成有第1絕緣層41及第1橋接連接層42，且排列於x1列之第2電極部31、31A於X方向連結。同樣地，於x2、x3、x4列中，第2電極部31、31A於X方向連結。 透光性之第1絕緣層41係以酚醛清漆樹脂或酚醛清漆樹脂與丙烯酸樹脂構成。第1橋接連接層42係採用與可撓性積層體15相同之層構造。即，第1橋接連接層42具有第1非晶質ITO層151、導電層152及第2非晶質ITO層153之積層構造。 於第1電極部21、連結部22及第2電極部31由ITO層形成之情形時，藉由以結晶化ITO形成該等，可選擇構成第1電極部21、連結部22及第2電極部31之結晶化ITO層、與構成第1絕緣層41之材料並進行蝕刻。又，由於第1配線部141及第2配線部142與可撓性積層體15之連接部141a、142a之與可撓性積層體15對向之面較佳為包含結晶化ITO之面，故可藉由利用結晶化ITO構成第1電極部21、連結部22及第2電極部31，而將包含第1電極部21、連結部22及第2電極部31以及第1配線部141及第2配線部142之連接部141a、142a之部分藉由結晶化ITO而一體形成。 另，於第1電極列20與第2電極列30之交叉部中，亦可為將於X方向相鄰之第2電極部31、31A彼此連結之連結部與第2電極部31、31A一體形成，複數個第2電極部31、31A於X方向連續形成。於該情形時，相互獨立之第1電極部21隔著上述連結部而配置於Y方向之兩側，於連結第2電極部31、31A之連結部上形成第1絕緣層41與第1橋接連接層42，且藉由第1橋接連接層42，將於Y方向相鄰之第1電極部21彼此連接。 如圖12所示，於形成於基材11之Y方向之一端之周邊區域OR，形成有與y1列之第1電極部21一體形成之第1配線層25a、及與y2、y3列之第1電極部21各者一體形成之第1配線層25b、25c。又，於周邊區域OR，形成有與第2電極列30各者導通之第2配線層35a、35b、35c、35d。第1配線層25a、25b、25c及第2配線層35a、35b、35c、35d各者為引出配線14。 第1配線層25a、25b、25c與第2配線層35a、35b、35c、35d係於周邊區域OR被拉引，並與設置於周邊區域OR之第2配線部142之金屬層142c導通。 如圖12所示，第2配線層35a係與位於x1列與ya列之交點之第2電極部31一體形成。第2配線層35b係與位於x2列與yb列之交點之第2電極部31一體形成。該第2配線層35b係通過形成於位於x1列與yb列之交點之第2電極部31A之配線通路32之內部並朝Y方向直線延伸而到達周邊區域OR。 第2配線層35c係與位於x3列與yc列之交點之第2電極部31一體形成。該第2配線層35c係通過形成於位於x2列與yc列之交點之第2電極部31A之配線通路32、與形成於位於x1列與yc列之交點之第2電極部31A之配線通路32之內部並朝Y方向直線延伸而到達周邊區域OR。 第2配線層35d係與位於x4列與yd列之交點之第2電極部31一體形成。該第2配線層35d係通過形成於位於x3列與yd列之交點之第2電極部31A之配線通路32、形成於位於x2列與yd列之交點之第2電極部31A之配線通路32、及形成於位於x1列與yd列之交點之第2電極部31A之配線通路32之內部並朝Y方向直線延伸而到達周邊區域OR。 第2配線層35a係與構成位於x1列之第2電極列30之各第2電極部31、31A導通，且第2配線層35b、35c、35d分別與構成位於x2、x3、x4列之第2電極列30之各第2電極部31、31A導通。第2配線層35a、35b、35c、35d係任一者均藉由構成第2電極部31之透光性導電材料，而與第2電極部31一體形成。 圖13(b)顯示圖12之x3列之第1電極列20與yd列之第2電極列30之交叉部(C-C線)之積層構造之剖視圖。 第2電極部31A係藉由配線通路32，而一分為二成區分電極層33、33。於配線通路32與第2配線層35d上形成有第2絕緣層43，且於該第2絕緣層43上形成有第2橋接連接層44。以配線通路32分割之區分電極層33、33係藉由第2橋接連接層44連接，藉此第2電極部31A整體可作為1個電極層而發揮功能。此係於設置於其他場所之所有第2電極部31A中相同。 圖13(b)所示之第2絕緣層43係以與圖13(a)所示之第1絕緣層41相同之材料、相同之步驟形成。圖13(b)所示之第2橋接連接層44係以與圖13(a)所示之第1橋接連接層42相同之材料、相同之步驟形成。 輸入裝置10之製造步驟係於基材11之表面使用設置有包含ITO等透光性之導電材料之層的素材。較佳之透光性之導電材料為結晶化ITO。藉由蝕刻該導電材料，而形成第1電極列20、第2電極列30、第1配線層25a、25b、25c及第2配線層35a、35b、35c、35d。又，亦形成第1配線部141及第2配線部142之一部分。 其後，於基材11上形成酚醛清漆樹脂與丙烯酸樹脂之樹脂層，且以光微影步驟，將第1絕緣層41及第2絕緣層43同時圖案化。再者，形成橋接連接層用之積層體，且藉由蝕刻步驟，同時形成第1橋接連接層42及第2橋接連接層44。橋接連接層用之積層體亦形成於周邊區域OR。然後，以與藉由蝕刻而形成第1橋接連接層42及第2橋接連接層44之步驟相同之步驟，以連接第1配線部141之連接部141a及第2配線部142之連接部142a之方式形成可撓性積層體15。 於輸入裝置10中，可透過輸入裝置10與面板部3b，而自外部目測顯示面板7之顯示圖像。可藉由一面觀察該顯示一面將手指觸碰於面板部3b，而操作輸入裝置10。 該輸入裝置10係於第1電極列20與第2電極列30之間形成靜電電容。於第1電極列20與第2電極列30之任一者之電極列依序賦予脈衝狀之驅動電力，且檢測於賦予驅動電力時流動於另一電極列之檢測電流。若手指接近，則於手指與電極層之間形成靜電電容。藉此，檢測電流變化。可藉由檢測該檢測電流之變化，而檢測手指接近面板部3b之哪個部位。 於第2電極部31A，由於形成有於Y方向貫通之配線通路32，故較不具有配線通路32之電極部實質上面積變小，於檢測動作中，有於各電極層感度不均之虞。因此，於未形成配線通路32之第2電極部31形成開口部31b，避免於具有配線通路32之第2電極部31A與不具有配線通路32之第2電極部31產生過多面積差。 再者，於第1電極部21亦形成開口部21b，避免於第1電極部21與第2電極部31A面積差較大不同。 於輸入裝置10中，第2配線層35a、35b、35c、35d通過形成於第2電極部31A之配線通路32之內部並朝Y方向延伸。第2配線層35b、35c、35d係於X方向之兩側以第2電極部31A之區分電極層33、33縮窄，故而可減少第2配線層35b、35c、35d與第1電極部21相鄰之區域。藉此，可降低第2配線層35b、35c、35d與第1電極部21之靜電耦合。因此，可抑制第2配線層35b、35c、35d之拉引部分具有多餘之感度，而不易於在第1電極列20與第2電極列30之間檢測之原本之檢測輸出中重疊雜訊。藉此，可提高檢測精度。 又，由於第2配線層35b、35c、35d通過第2電極部31A之內部，故無須於相鄰之電極層之間形成用以使第2配線層通過之通路。因此，第1電極部21及第2電極部31之配置不會因第2配線層之拉引而受制約。例如，可將第1電極部21及第2電極部31相互接近而配置，可提高檢測動作之解析度。 如以上說明般，根據實施形態，可提供一種不損害透光性及導電性地使配線與基材一起彎曲之輸入裝置。 另，雖已於上述說明本實施形態及實施例，但本發明並非限定於該等例。例如，對上述實施形態或實施例，本領域技術人員適當進行構成要素之追加、刪除、設計變更者，或適當組合實施形態或實施例之構成例之特徵者，只要具備本發明之主旨，則亦包含於本發明之範圍。
1‧‧‧電子機器
3‧‧‧框體
3a‧‧‧主體盒部
3b‧‧‧面板部
7‧‧‧顯示面板
8‧‧‧配線基板
8a‧‧‧金屬端子
10‧‧‧輸入裝置
11‧‧‧基材
14‧‧‧引出配線
15‧‧‧可撓性積層體
20‧‧‧第1電極列
21‧‧‧第1電極部
21b‧‧‧開口部
22‧‧‧連結部
25a‧‧‧第1配線層
25b‧‧‧第1配線層
25c‧‧‧第1配線層
30‧‧‧第2電極列
31‧‧‧第2電極部
31A‧‧‧第2電極部
31b‧‧‧開口部
32‧‧‧配線通路
33‧‧‧區分電極層
35a‧‧‧第2配線層
35b‧‧‧第2配線層
35c‧‧‧第2配線層
35d‧‧‧第2配線層
41‧‧‧第1絕緣層
42‧‧‧第1橋接連接層
43‧‧‧第2絕緣層
44‧‧‧第2橋接連接層
50‧‧‧補強薄膜
51‧‧‧被覆材
52‧‧‧光學黏著劑層
52C‧‧‧缺口部
141‧‧‧第1配線部
141a‧‧‧連接部
142‧‧‧第2配線部
142a‧‧‧連接部
142b‧‧‧端部
142c‧‧‧金屬層
151‧‧‧第1非晶質ITO層
152‧‧‧導電層
153‧‧‧第2非晶質ITO層
BR‧‧‧彎曲部
CF‧‧‧凝集力
OR‧‧‧周邊區域
SR‧‧‧檢測區域
X‧‧‧方向
x1‧‧‧列
x2‧‧‧列
x3‧‧‧列
x4‧‧‧列
Y‧‧‧方向
y1‧‧‧列
y2‧‧‧列
y3‧‧‧列
ya‧‧‧列
yb‧‧‧列
yc‧‧‧列
yd‧‧‧列
3‧‧‧框體
3a‧‧‧主體盒部
3b‧‧‧面板部
7‧‧‧顯示面板
8‧‧‧配線基板
8a‧‧‧金屬端子
10‧‧‧輸入裝置
11‧‧‧基材
14‧‧‧引出配線
15‧‧‧可撓性積層體
20‧‧‧第1電極列
21‧‧‧第1電極部
21b‧‧‧開口部
22‧‧‧連結部
25a‧‧‧第1配線層
25b‧‧‧第1配線層
25c‧‧‧第1配線層
30‧‧‧第2電極列
31‧‧‧第2電極部
31A‧‧‧第2電極部
31b‧‧‧開口部
32‧‧‧配線通路
33‧‧‧區分電極層
35a‧‧‧第2配線層
35b‧‧‧第2配線層
35c‧‧‧第2配線層
35d‧‧‧第2配線層
41‧‧‧第1絕緣層
42‧‧‧第1橋接連接層
43‧‧‧第2絕緣層
44‧‧‧第2橋接連接層
50‧‧‧補強薄膜
51‧‧‧被覆材
52‧‧‧光學黏著劑層
52C‧‧‧缺口部
141‧‧‧第1配線部
141a‧‧‧連接部
142‧‧‧第2配線部
142a‧‧‧連接部
142b‧‧‧端部
142c‧‧‧金屬層
151‧‧‧第1非晶質ITO層
152‧‧‧導電層
153‧‧‧第2非晶質ITO層
BR‧‧‧彎曲部
CF‧‧‧凝集力
OR‧‧‧周邊區域
SR‧‧‧檢測區域
X‧‧‧方向
x1‧‧‧列
x2‧‧‧列
x3‧‧‧列
x4‧‧‧列
Y‧‧‧方向
y1‧‧‧列
y2‧‧‧列
y3‧‧‧列
ya‧‧‧列
yb‧‧‧列
yc‧‧‧列
yd‧‧‧列
圖1係例示應用本實施形態之輸入裝置之電子機器之分解立體圖。 圖2係圖1之A-A線剖視圖。 圖3(a)及(b)係例示可撓性積層體之模式剖視圖。 圖4係例示被覆材之模式剖視圖。 圖5係例示光學黏著劑層之模式俯視圖。 圖6係圖5之I-I線剖視圖。 圖7係例示設置有光學黏著劑層之情形時之被覆材之模式俯視圖。 圖8係圖7之II-II線剖視圖。 圖9係例示設置有光學黏著劑層之情形時之被覆材及缺口部之模式俯視圖。 圖10係圖9之III-III線剖視圖。 圖11係例示補強構件之模式俯視圖。 圖12係顯示電極配置之模式俯視圖。 圖13(a)及(b)係橋接配線部分之模式剖視圖。
Claims (14)
- 一種輸入裝置，其特徵在於具備：基材，其具有透光性及可撓性；複數個第1電極部，其等具有透光性，且於上述基材上之檢測區域中排列於第1方向；複數個第2電極部，其等具有透光性，且於上述基材上之上述檢測區域中排列於與上述第1方向交叉之第2方向；及複數條引出配線，其等與上述複數個第1電極部及上述複數個第2電極部各者導通，且自上述基材上之上述檢測區域延伸至上述檢測區域之外側之周邊區域；且於上述基材之上述周邊區域設置有彎曲部；上述引出配線具有設置於上述彎曲部上之可撓性導電構件；具備以覆蓋設置於上述彎曲部上之上述可撓性導電構件之至少一部分之方式設置之被覆材；進而具備降低上述可撓性導電構件之彎曲程度之補強構件。
- 如請求項1之輸入裝置，其中上述補強構件包含設置於上述彎曲部之與設置有上述可撓性導電構件之側相反側之補強薄膜。
- 如請求項1之輸入裝置，其進而具備以覆蓋上述基材上之上述檢測區域之方式設置之光學黏著劑層。
- 如請求項2之輸入裝置，其進而具備以覆蓋上述基材上之上述檢測區域之方式設置之光學黏著劑層。
- 如請求項3之輸入裝置，其中以形成上述可撓性導電構件、上述被覆材及上述光學黏著劑層之積層構造之方式，使上述光學黏著劑層自上述檢測區域延伸至上述周邊區域側。
- 如請求項4之輸入裝置，其中以形成上述可撓性導電構件、上述被覆材及上述光學黏著劑層之積層構造之方式，使上述光學黏著劑層自上述檢測區域延伸至上述周邊區域側。
- 如請求項3之輸入裝置，其中上述光學黏著劑層自上述檢測區域延伸至上述周邊區域側，然以不覆蓋上述可撓性導電構件之處於彎曲狀態之部分之方式配置。
- 如請求項4之輸入裝置，其中上述光學黏著劑層自上述檢測區域延伸至上述周邊區域側，然以不覆蓋上述可撓性導電構件之處於彎曲狀態之部分之方式配置。
- 一種輸入裝置，其特徵在於具備：基材，其具有透光性及可撓性；複數個第1電極部，其等具有透光性，且於上述基材上之檢測區域中排列於第1方向；複數個第2電極部，其等具有透光性，且於上述基材上之上述檢測區域中排列於與上述第1方向交叉之第2方向；及複數條引出配線，其等與上述複數個第1電極部及上述複數個第2電極部各者導通，且自上述基材上之上述檢測區域延伸至上述檢測區域之外側之周邊區域；且於上述基材之上述周邊區域設置有彎曲部；上述引出配線具有設置於上述彎曲部上之可撓性導電構件；具備以覆蓋設置於上述彎曲部上之上述可撓性導電構件之至少一部分之方式設置之被覆材；進而具備以覆蓋上述基材上之上述檢測區域之方式設置之光學黏著劑層。
- 如請求項9之輸入裝置，其中以形成上述可撓性導電構件、上述被覆材及上述光學黏著劑層之積層構造之方式，使上述光學黏著劑層自上述檢測區域延伸至上述周邊區域側。
- 如請求項9之輸入裝置，其中上述光學黏著劑層自上述檢測區域延伸至上述周邊區域側，然以不覆蓋上述可撓性導電構件之處於彎曲狀態之部分之方式配置。
- 一種輸入裝置，其特徵在於具備：基材，其具有透光性及可撓性；複數個第1電極部，其等具有透光性，且於上述基材上之檢測區域中排列於第1方向；複數個第2電極部，其等具有透光性，且於上述基材上之上述檢測區域中排列於與上述第1方向交叉之第2方向；及複數條引出配線，其等與上述複數個第1電極部及上述複數個第2電極部各者導通，且自上述基材上之上述檢測區域延伸至上述檢測區域之外側之周邊區域；且於上述基材之上述周邊區域設置有彎曲部；上述引出配線具有設置於上述彎曲部上之可撓性導電構件；具備以覆蓋設置於上述彎曲部上之上述可撓性導電構件之至少一部分之方式設置之被覆材；上述引出配線具有：第1配線部，其設置於較上述彎曲部更靠上述檢測區域側；及第2配線部，其設置於較上述彎曲部更靠上述檢測區域之相反側；上述可撓性導電構件係位於上述第1配線部與上述第2配線部之間。
- 一種輸入裝置，其特徵在於具備：基材，其具有透光性及可撓性；複數個第1電極部，其等具有透光性，且於上述基材上之檢測區域中排列於第1方向；複數個第2電極部，其等具有透光性，且於上述基材上之上述檢測區域中排列於與上述第1方向交叉之第2方向；及複數條引出配線，其等與上述複數個第1電極部及上述複數個第2電極部各者導通，且自上述基材上之上述檢測區域延伸至上述檢測區域之外側之周邊區域；且於上述基材之上述周邊區域設置有彎曲部；上述引出配線具有設置於上述彎曲部上之可撓性導電構件；具備以覆蓋設置於上述彎曲部上之上述可撓性導電構件之至少一部分之方式設置之被覆材；上述可撓性導電構件包含可撓性積層體，該可撓性積層體：具有設置於上述基材上之第1非晶質ITO層、設置於上述第1非晶質ITO層上之導電層、及設置於上述導電層上之第2非晶質ITO層。
- 如請求項1、9、12、13中任一之輸入裝置，其中上述被覆材包含樹脂系材料。
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