KR20130008876A - 터치패널의 제조방법 - Google Patents

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김영재
송하윤
박호준
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삼성전기주식회사
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Abstract

본 발명의 터치패널의 금속전극 형성방법에 따르면, ITO를 대체하여 미세패턴이 형성된 금속박막으로 전극을 형성함으로써 투명도전막에 사용되는 자원의 고갈 문제를 해소하고, 포토레지스트층 및 인쇄용마스크를 동시에 이용한 스크린프린팅 방식을 적용함으로써 선폭이 미세하고 높이 조절이 가능한 금속메쉬전극을 형성할 수 있다.

Description

터치패널의 제조방법{METHOD FOR MANUFACTURING A TOUCH PANNEL}
본 발명은 터치패널의 제조방법에 관한 것이다.
디지털 기술을 이용하는 컴퓨터가 발달함에 따라 컴퓨터의 보조 장치들도 함께 개발되고 있으며, 개인용 컴퓨터, 휴대용 전송장치, 그 밖의 개인 전용 정보처리장치 등은 키보드, 마우스와 같은 다양한 입력장치(Input Device)를 이용하여 텍스트 및 그래픽 처리를 수행한다.
하지만, 정보화 사회의 급속한 진행에 따라 컴퓨터의 용도가 점점 확대되는 추세에 있는바, 현재 입력장치 역할을 담당하는 키보드 및 마우스만으로는 효율적인 제품 구동이 어려운 문제점이 있다. 따라서, 간단하고 오조작이 적을 뿐 아니라 누구라도 쉽게 정보 입력이 가능한 기기의 필요성이 높아지고 있다.
또한, 입력장치에 관한 기술은 일반적 기능을 충족시키는 수준을 넘어서 고 신뢰성, 내구성, 혁신성, 설계 및 가공 관련기술 등으로 관심이 바뀌고 있으며, 이러한 목적을 달성하기 위해서 텍스트, 그래픽 등의 정보 입력이 가능한 입력장치로서 터치패널(Touch Panel)이 개발되었다.
이러한 터치패널은 전자수첩, 액정표시장치(LCD; Liquid Crystal Display Device), PDP(Plasma Display Panel), El(Electroluminescence) 등의 평판 디스플레이 장치 및 CRT(Cathode Ray Tube)와 같은 화상표시장치의 표시면에 설치되어, 사용자가 화상표시장치를 보면서 원하는 정보를 선택하도록 하는데 이용되는 도구이다.
한편, LCD를 중심으로 한 박형 디스플레이 분야 사업의 급속한 확대와 함께 투명도전막 재료에 대한 수요도 급증하고 있다. 이러한 투명도전막 재료로는 지금까지 ITO(Indium Thin Oxide)가 주로 사용되어 왔다. 투명전극으로서 ITO의 뛰어난 특성과 관련된 응용 제품의 수요 확대의 경향으로 볼 때, 향후 이들 재료의 소비량은 갈수록 늘어날 것으로 예상된다. 그러나 ITO를 구성하는 인듐(Indium)은 대표적인 희소, 고갈 자원의 하나로서, 그 공급량이 크게 떨어지고 있다. 전문가들에 따르면 인듐의 경우 짧게는 10년, 길더라도 25년 정도면 모두 고갈될 것이라고 한다. 이는 인듐이 아연광의 부산물로 정제되기 때문에 희소성이 높기 때문이다. 고갈 이전이라고 하더라도 인듐 가격의 급격한 상승은 관련 응용 제품의 제조 비용 상승을 부추기고 있어, 인듐을 포함하지 않는 새로운 투명전도막 개발이 매우 시급한 형편이다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, ITO를 대체하여 미세패턴이 형성된 금속박막으로 전극을 형성함으로써 투명도전막에 사용되는 자원의 고갈 문제를 해소하고, 특히, 포토레지스트층 및 인쇄용마스크를 동시에 이용한 스크린프린팅 방식을 적용함으로써 선폭이 미세하고 높이 조절이 가능한 금속메쉬전극의 형성방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 터치패널의 금속메쉬전극의 형성방법은, (A) 투명기판에 포토레지스트층을 도포하는 단계, (B) 상기 포토레지스트층을 패터닝하여 메쉬형상의 제1 개구부를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, (C) 상기 제1 개구부에 대응되는 위치에 형성되되, 상기 제1 개구부의 폭보다 넓은 폭으로 형성된 제2 개구부를 갖는 인쇄용마스크를 상기 패턴된 포토레지스트층에 배치하는 단계, (D) 상기 인쇄용마스크의 제2 개구부 및 상기 포토레지스트층의 제1 개구부에 금속페이스트를 인쇄하여 금속메쉬전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 (B) 단계는, (B1) 상기 포토레지스트층에 포토마스크를 배치하는 단계; 및 (B2) 상기 포토레지스트층을 선택적으로 노광한 후 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (C) 단계에서, 상기 인쇄용마스크의 제2 개구부는 상기 포토레지스트층의 제1 개구부 및 상기 제1 개구부 주변의 포토레지스트층 일부를 노출시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (D) 단계는, (D1) 상기 인쇄용마스크의 제2 개구부 및 상기 포토레지스트층의 제1 개구부에 금속페이스트를 충진하는 단계, (D2) 상기 인쇄용마스크를 제거한 후, 상기 금속페이스트를 경화 또는 소성하는 단계; 및 (D3) 상기 포토레지스층을 상기 투명기판으로부터 박리함으로써, 상기 포토레지스트층 직상부에 인쇄된 금속페이스트를 상기 포토레지스트층과 함께 제거하고, 상기 투명기판에 직접 접촉한 금속페이스트를 상기 투명기판에 잔류시켜 금속메쉬전극을 형성하는 단계, 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (D) 단계의 상기 금속메쉬전극의 높이는 상기 포토레지스트층의 두께에 대응되도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (D) 단계의 상기 금속메쉬전극의 높이는, 상기 포토레지스트층의 두께 이상 상기 포토레지스트층의 두께와 상기 인쇄용마스크의 두께의 합 이하로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (D) 단계의 상기 금속메쉬전극은, 상기 포토레지스트층의 제1 개구부의 폭과 동일한 폭으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해 질 것이다.
이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명에 따르면, 포토레지스트층에 형성된 제1 개구부 내에 금속메쉬전극이 형성되기 때문에, 제1 개구부의 선폭 조절을 통하여 금속메쉬전극의 선폭을 미세하게 형성할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 포토레지스트층 상에 인쇄용마스크를 배치하여 금속페이스트를 스크린 인쇄하기 때문에, 인쇄용마스크의 두께 조절을 통하여 금속메쉬전극의 높이를 조절할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 스크린인쇄방식을 적용하기 때문에 높이의 조절이 가능하면서 미세한 패턴을 갖는 금속메쉬전극을 낮은 제조비용으로 형성할 수 있는 효과가 있다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 금속메쉬전극의 형성방법을 공정순서대로 도시한 평면도 및 단면도이다.
본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예로부터 더욱 명백해 질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 금속메쉬전극(155)의 형성방법을 공정순서대로 도시한 평면도 및 단면도이다. 본 발명은 스크린인쇄법과 리프트-오프(lift-off)법을 접목한 금속전극의 형성방법에 관한 것으로, 상기 도면을 토대로 금속메쉬전극(155)의 형성방법을 이하 설명한다.
먼저, 도 1에 도시한 바와 같이, 투명기판(110)에 포토레지스트층(120)을 도포한다.
상기 투명기판(110)은 금속메쉬전극(155; 도 6 참조) 및 전극배선(미도시)이 형성될 영역을 제공하는 역할을 수행한다. 여기서, 투명기판(110)은 액티브영역과 베젤영역으로 구획되는데, 액티브영역은 입력수단의 터치를 인식할 수 있도록 금속전극이 형성되는 부분으로서 투명기판(110)의 중심에 구비되고, 베젤영역은 금속전극으로부터 연장되는 전극배선이 형성되는 부분으로 액티브영역의 테두리에 구비된다. 이때, 투명기판(110)은 금속메쉬전극(155)과 전극배선(미도시)을 지지할 수 있는 지지력과 화상표시장치(미도시)에서 제공하는 화상을 사용자가 인식할 수 있도록 하는 투명성을 갖추어야 한다. 전술한 지지력과 투명성을 고려할 때, 투명기판(110)의 재질은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르술폰(PES), 고리형 올레핀 고분자(COC), TAC(Triacetylcellulose) 필름, 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol; PVA) 필름, 폴리이미드(Polyimide; PI) 필름, 폴리스틸렌(Polystyrene; PS), 이축연신폴리스틸렌(K레진 함유 biaxially oriented PS; BOPS), 유리 또는 강화유리 등으로 형성하는 것이 바람직하지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 본 발명의 최종 구조(도 6 참조)에서 투명기판(110)에 형성되는 금속메쉬전극(155)은 선폭이 10㎛ 이하가 되도록 형성되는 것이 바람직하나 반드시 상기 선폭에 한정되어 적용되는 것은 아니다. 본 발명에 사용되는 포토레지스트층(120)은 금속메쉬전극(155)의 선폭을 10㎛ 이하로 미세하게 형성하기 위해 채용된 구성이다. 즉, 일반적으로 사용되는 인쇄용마스크(140)를 투명기판(110)에 배치한 후 인쇄용마스크(140)에 형성한 제2 개구부(145)를 통해 금속페이스트(150)를 인쇄하는 방식을 사용하는 경우, 인쇄되는 금속페이스트(150)의 높이는 조절이 가능하지만, 10㎛ 이하의 선폭을 갖는 금속메쉬전극(155)을 구현하는 것은 불가능하다. 따라서, 인쇄용마스크(140)를 사용하되, 이는 금속메쉬전극(155)의 높이(d)를 보장하기 위해 채용하는 것이고, 미세한 선폭으로 금속메쉬전극(155)을 형성하기 위해 인쇄용마스크(140)와 투명기판(110) 사이에 포토레지스트층(120)을 개재한다. 포토레지스트층(120)의 역할에 대해서는 하기의 공정에서 구체적으로 설명한다. 상기 포토레지스트층(120)을 투명기판(110)에 형성하는 방법으로는 드라이필름법 또는 액상감광재법을 적용할 수 있다. 드라이필름법은 라미네이터를 이용하여 투명기판(110)의 일면에 드라이필름을 열 압착하는 방법이고, 액상감광재법은 자외선(UV)에 의해 감광되는 액상의 감광재를 투명기판(110)에 코팅하고 건조하는 방법이다. 현재 공지된 코팅방법으로는 스크린(Screen) 코팅방식, 딥(Dip) 코팅방식, 롤(Roll) 코팅방식 및 ED(Electro Deposition) 방식 등이 있다.
다음, 도 2에 도시한 바와 같이, 상기 포토레지스트층(120)을 패터닝하여 메쉬 형상의 제1 개구부(125)를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하여 투명기판(110)의 일부를 노출시킨다. 본 실시예에서는 네가티브형(negative type) 포토레지스트를 사용하여 포토레지스트층(120)을 형성하였고, 이를 기준으로 본 공정에 대하여 보다 자세히 설명한다.
소정의 패턴이 형성된 포토마스크(130)를 구비하고, 상기 포토마스크(130)를 포토레지스트층(120)의 상부에 밀착 또는 근접시킨다. 이후 포토마스크(130)로부터 이격된 위치에 광원을 배치하고, 광원으로부터 나오는 자외선(UV)을 포토레지스트층(120)에 조사하여 포토레지스트층(120)을 선택적으로 노광한다. 이때, 포토마스크(130)에는 매쉬구조의 패턴이 형성되어 있어, 자외선을 선택적으로 투과시킨다. 포토레지스트층(120) 중 자외선에 노출된 부분은 중합반응에 의해 경화되고, 그 이외의 부분은 변화하지 않는다. 다음, 포토레지스트층(120)을 현상하여, 자외선에 노출되어 경화된 부분은 투명기판(110)에 잔류시키고, 미경화된 부분은 현상액에 용해시켜 제거한다. 포토레지스트층(120)의 미경화 부분이 선택적으로 제거되면, 포토레지스트층(120)에는 제1 개구부(125)가 형성된다. 이때, 포토레지스트층(120)의 제1 개구부(125)는 전체적으로 10㎛이내의 선폭으로 형성된 메쉬구조이다. 또한, 현상 후 투명기판(110)에 잔류하는 현상액 등을 제거하기 위하여 수세, 건조 공정을 수행하는 것이 바람직하다. 또한, 네가티브형 포토레지스트뿐만 아니라, 포지티브형 포토레지스트를 채용하여 포토레지스트층을 형성하는 것도 본 발명의 권리범위에 포함된다.
다음, 도 3에 도시한 바와 같이, 포토레지스트층(120)에 인쇄용마스크(140)를 배치한다. 상기 인쇄용마스크(140)로는 박판 형태의 금속판에 에칭이나 레이저 가공을 통해 임의의 형상을 가공한 메탈 스크린이 사용될 수 있으며 또한, 스테인리스 스틸 재질의 메탈 스크린이 주로 사용된다. 이때, 인쇄용마스크(140)에는 소정의 패턴을 갖는 제2 개구부(145)가 형성되어 있고, 인쇄용마스크(140)의 제2 개구부(145) 형상은 포토레지스트층(120)의 제1 개구부(125) 위치와 대응되도록 형성된다. 포토레지스트층(120)의 제1 개구부(125)는 10㎛이내의 선폭으로 형성된 메쉬구조이고, 인쇄용마스크(140)의 제2 개구부(145) 형상은 약 100㎛이내의 선폭으로 형성된 메쉬구조일 수 있다. 즉, 제1 개구부(125)와 제2 개구부(145)는 대응되는 위치에 형성되나, 개개의 선폭에는 차이가 있다. 이는 스크린프린팅법에 사용되는 인쇄용마스크(140)에는 10㎛이내의 선폭을 갖는 제2 개구부(145)를 형성하기가 불가능하기 때문이다. 포토레지스트층(120) 및 포토레지스트층(120)에 배치된 인쇄용마스크(140)의 배치구조를 보면, 제2 개구부(145)의 선폭이 제1 개구부(125)의 선폭보다 넓기 때문에, 포토레지스트층(120)의 제1 개구부(125) 및 제1 개구부(125) 주변의 포토레지스트층(120)의 일부가 인쇄용마스크(140)의 제2 개구부(145)를 통해 노출되어 있다. 도면에 도시한 바와 같이, 인쇄용마스크(140)의 두께는 d1, 포토레지스트층(120)의 두께는 d2로 정의한다.
다음, 도 4에 도시한 바와 같이, 스크린프린팅 방식을 적용하여, 인쇄용마스크(140)의 제2 개구부(145) 및 포토레지스트층(120)의 제1 개구부(125)에 금속페이스트(150)를 충진, 인쇄한다. 도면에 도시한 바와 같이, 포토레지스트층(120) 상에 인쇄용마스크(140)가 배치되고, 제1 개구부(125)와 제2 개구부(145)가 대응하며, 제2 개구부(145)의 선폭이 제1 개구부(125)의 선폭보다 넓기 때문에, 제2 개구부(145) 및 제1 개구부(125)에 인쇄되어 충진되는 금속페이스트(150)의 형상은 "T" 자 모양을 띤다. 즉, T 형상의 금속페이스트(150) 중 기둥부분(세로부분)은 제1 개구부(125)에 의해 노출된 투명기판(110)에 접촉하고, 날개부분(가로부분)은 인쇄용마스크(140)의 제2 개구부(145)에 의해 노출된 포토레지스트층(120)에 접촉한다. 금속페이스트(150)의 높이(d)는 포토레지스트층(120)의 두께(d1) 이상이고, 포토레지스트층(120)의 두께(d1)와 인쇄용마스크(140)의 두께(d2)의 합 이하로 형성된다. 한편, 후술하는 바와 같이, 제2 개구부(145)에 의해 노출된 포토레지스트층(120)에 접촉하는 금속페이스트(150)는 포토레지스트층(120)의 박리에 의해 제거되는 부분이다. 한편, 상기 금속페이스트(150)는 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni), 주석(Sn) 및 이들의 합금 등이 사용될 수 있다.
다음, 도 5에 도시한 바와 같이, 포토레지스트층(120)으로부터 인쇄용마스크(140)를 제거한 후 금속페이스트를 경화 또는 소성하고, 도 6에 도시한 바와 같이, 투명기판(110)으로부터 포토레지스트층(120)을 박리하여 제거한다.
포토레지스트층(120)으로부터 인쇄용마스크(140)를 제거한 후 금속페이스트의 경화시에는 120℃ 내지 180℃에서 20분 내지 40분 경화시키며, 보다 바람직하게는 150℃ 에서 30분간 경화시킬 수 있다.
포토레지스트층(120)이 투명기판(110)으로부터 박리될 때, 제2 개구부(145)를 통해 충진되어 포토레지스트층(120)의 직상부에 형성된 금속페이스트(150)가 함께 제거된다. 즉, "T" 형상의 금속페이스트(150) 중 날개부분(가로부분)이 제거되어 기둥부분(세로부분) 만이 투명기판(110)에 잔류하여 금속메쉬전극(155)이 형성된다. 금속메쉬전극(155)의 선폭은 포토레지스트층(120)의 제1 개구부(125) 선폭과 동일하고, 금속메쉬전극(155)의 높이(d)는 포토레지스트층(120)의 두께(d1)에 대응되도록 형성되는 것이 바람직하지만, 포토레지스트층(120)의 두께(d1)를 초과하여, 포토레지스트층(120)의 두께(d1) 및 인쇄용마스크(140)의 두께(d2)를 합한 두께 이하의 높이로 형성될 수도 있다. 다시 말해, 포토레지스트층(120)에 제1 개구부(125)를 형성함으로써 투명기판(110) 상에 최후에 형성되는 금속메쉬전극(155)의 선폭을 미세하게 형성하는 것이 가능하고, 또한, 인쇄용마스크(140)의 두께(d2)를 적절히 선택함으로써 금속메쉬전극(155)의 높이를 용이하게 조절하는 것이 가능하다. 더 나아가, 금속 증착 방식에 의해 금속메쉬전극(155)을 형성하는 경우, 진공 증착 장비가 요구되고, 금속메쉬전극(155)을 소정의 높이 이상으로 형성하기 위해서는 반복적인 증착 공정이 불가피하므로 금속메쉬전극(155)의 제조비용이 높다. 반면, 본 발명과 같이, 포토레지스트층(120) 및 인쇄용마스크(140)를 동시에 이용한 스크린 프린팅 방식을 적용함으로써 제조비용을 절감할 수 있는 효과가 있다. 포토레지스트층(120)을 제거하는 경우에는, 예를 들어 아세톤 용액(bath)에서 초음파처리(ultra sonication)하여 포트레지스트층(120)을 제거할 수 있으며, 이때, "T"형상의 날개부분(가로부분)에 응력이 집중되어 날개부분이 찢어지듯이 제거되는 것이다.
이상 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 터치패널의 금속메쉬전극의 형성방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다고 할 것이다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로, 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해 질 것이다.
110 : 투명기판 120 : 포토레지스트층
130 : 포토마스크 125 : 제1 개구부
140 : 인쇄용마스크 145 : 제2 개구부
150 : 금속페이스트 155 : 금속메쉬전극
d : 금속메쉬전극의 높이 d1 : 포토레지스트층의 두께
d2 : 인쇄용마스크의 두께

Claims (7)

  1. (A) 투명기판에 포토레지스트층을 도포하는 단계;
    (B) 상기 포토레지스트층을 패터닝하여 메쉬형상의 제1 개구부를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    (C) 상기 제1 개구부에 대응되는 위치에 형성되되, 상기 제1 개구부의 폭보다 넓은 폭으로 형성된 제2 개구부를 갖는 인쇄용마스크를 상기 패턴된 포토레지스트층에 배치하는 단계;
    (D) 상기 인쇄용마스크의 제2 개구부 및 상기 포토레지스트층의 제1 개구부에 금속페이스트를 인쇄하여 금속메쉬전극을 형성하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 금속메쉬전극의 형성방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 (B) 단계는,
    (B1) 상기 포토레지스트층에 포토마스크를 배치하는 단계; 및
    (B2) 상기 포토레지스트층을 선택적으로 노광한 후 현상하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 금속메쉬전극의 형성방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 (C) 단계에서,
    상기 인쇄용마스크의 제2 개구부는 상기 포토레지스트층의 제1 개구부 및 상기 제1 개구부 주변의 포토레지스트층 일부를 노출시키는 것을 특징으로 하는 터치패널의 금속메쉬전극의 형성방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 (D) 단계는,
    (D1) 상기 인쇄용마스크의 제2 개구부 및 상기 포토레지스트층의 제1 개구부에 금속페이스트를 충진하는 단계;
    (D2) 상기 인쇄용마스크를 제거한 후, 상기 금속페이스트를 경화 또는 소성하는 단계; 및
    (D3) 상기 포토레지스층을 상기 투명기판으로부터 박리함으로써, 상기 포토레지스트층 직상부에 인쇄된 금속페이스트를 상기 포토레지스트층과 함께 제거하고, 상기 투명기판에 직접 접촉한 금속페이스트를 상기 투명기판에 잔류시켜 금속메쉬전극을 형성하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 금속메쉬전극의 형성방법.

  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 (D) 단계의 상기 금속메쉬전극의 높이는 상기 포토레지스트층의 두께에 대응되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 터치패널의 금속메쉬전극의 형성방법.

  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 (D) 단계의 상기 금속메쉬전극의 높이는, 상기 포토레지스트층의 두께 이상 상기 포토레지스트층의 두께와 상기 인쇄용마스크의 두께의 합 이하로 형성되는 것을 특징으로 하는 터치패널의 금속메쉬전극의 형성방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 (D) 단계의 상기 금속메쉬전극은, 상기 포토레지스트층의 제1 개구부의 폭과 동일한 폭으로 형성되는 것을 특징으로 하는 터치패널의 금속메쉬전극의 형성방법.
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