JP5116701B2 - 静電容量式タッチセンサ - Google Patents
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Description
10…基材
11…スルーホール
12…配線パターン
20…検出層
30…第1の検出層
31…第1の検出電極
32…第1の配線パターン
33…第1の検出電極群
34…ソルダレジスト
40…第2の検出層
41…第2の検出電極
42…第2の配線パターン
43…第2の検出電極群
44…ソルダレジスト
50…接着層
51…接着部
52…スリット(空気逃げ部)
53…溝(空気逃げ部)
60…表面シート
70…被検出体
L1…境界
S1…空間
Claims (8)
- 複数の検出電極を有する検出層と、
被検出体が接触する表面シートと前記検出層とを貼り付ける接着層と、を備えた静電容量式タッチセンサであって、
前記接着層は、
前記表面シートと前記検出層を接着する接着部と、
前記表面シート又は前記検出層と前記接着部との間に介在する空気を逃がすための空気逃げ部と、を有しており、
前記空気逃げ部は、平面視において、隣接する前記検出電極間の境界上に配置されていることを特徴とする静電容量式タッチセンサ。 - 請求項1記載の静電容量式タッチセンサであって、
前記空気逃げ部は、平面視において、隣接する前記検出電極の間に配置されていることを特徴とする静電容量式タッチセンサ。 - 請求項1又は2記載の静電容量式タッチセンサであって、
前記空気逃げ部は、前記接着層を貫通しているスリットであることを特徴とする静電容量式タッチセンサ。 - 請求項1又は2記載の静電容量式タッチセンサであって、
前記空気逃げ部は、前記接着層の両主面に形成された溝であることを特徴とする静電容量式タッチセンサ。 - 請求項1〜4記載の何れかに記載の静電容量式タッチセンサであって、
前記検出電極は、
第1の方向における前記被検出体の位置を検出するための第1の検出電極と、
前記第1の方向と交差する第2の方向における前記被検出体の位置を検出するための第2の検出電極と、を含むことを特徴とする静電容量式タッチセンサ。 - 請求項5記載の静電容量式タッチセンサであって、
前記検出層は、
前記第1の検出電極を有する第1の検出層と、
前記第2の検出電極を有する第2の検出層と、を含むことを特徴とする静電容量式タッチセンサ。 - 請求項5記載の静電容量式タッチセンサであって、
前記検出層は、前記第1の検出電極と前記第2の検出電極とを有する単一の層であることを特徴とする静電容量式タッチセンサ。 - 請求項1〜7の何れかに記載の静電容量式タッチセンサであって、
前記接着層は、ホットメルト型接着剤から構成されていることを特徴とする静電容量式タッチセンサ。
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