TWI624041B - Solid-state imaging device, electronic device, and manufacturing method - Google Patents

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TWI624041B TW103115404A TW103115404A TWI624041B TW I624041 B TWI624041 B TW I624041B TW 103115404 A TW103115404 A TW 103115404A TW 103115404 A TW103115404 A TW 103115404A TW I624041 B TWI624041 B TW I624041B
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Abstract

本發明係關於一種可進一步提高轉換效率之固體攝像元件、電子機器、及製造方法。
本發明之固體攝像元件其像素藉由第1溝元件分離區域與第2溝元件分離區域進行元件分離，該第1溝元件分離區域於構成像素之元件彼此分離之元件分離區域中、FD部與放大電晶體之間之區域，以溝構造構成；該第2溝元件分離區域於將構成像素之元件彼此分離之元件分離區域中、FD部與放大電晶體之間之區域以外之區域，以溝構造構成，且第1溝元件分離區域形成為較上述第2溝元件分離區域更深。本技術可應用於例如CMOS影像感測器。

Description

固體攝像元件、電子機器、及製造方法
本揭示係關於一種固體攝像元件、電子機器、及製造方法，尤其係關於一種可進一步提高轉換效率之固體攝像元件、電子機器、及製造方法。
先前，於數位靜態相機或數位攝影機等具備攝像功能之電子機器中，使用有例如CCD(Charge Coupled Device：電荷耦合裝置)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互補金屬氧化物半導體)影像感測器等固體攝像元件。固體攝像元件具有組合有進行光電轉換之光電二極體與複數個電晶體之像素，基於自平面配置之複數個像素輸出之像素信號構築圖像。
例如，於固體攝像元件中，將累積於光電二極體之電荷傳送至設置於光電二極體與放大電晶體之閘極電極之連接部之具有特定電容之FD(Floating Diffusion：浮動擴散)部。且，將與保持於FD部之電荷之位準相應之信號自像素讀取，藉由具有比較器之AD(Analog Digital：類比數位)轉換電路進行AD轉換並輸出。
又，近年來，以提高固體攝像元件之感度特性，獲得與超高感度影像感測器同等之低照度特性為目的，要求降低FD部具有之電荷電容，提高像素裝置之轉換效率。
例如，於專利文獻1中，揭示有如下技術：為了對應MOS型影像感測器之像素細微化，一面抑制暗電流或白點之產生一面改善轉換效 率，僅將與FD部相接之元件分離區域設為溝構造，將除此以外之元件分離區域以擴散元件分離區域形成。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-205022號公報
然而，如上述般，雖自先前起亦謀求提高轉換效率，但追求進一步提高轉換效率。
本揭示係鑑於此種狀況而完成者，係可進一步提高轉換效率者。
本揭示之一態樣之固體攝像元件包含具有元件之像素，該元件至少包含：光電轉換部，其將光轉換成電荷；傳送電晶體，其傳送於上述光電轉換部所產生之電荷；浮動擴散區域，其暫時累積於上述光電轉換部所產生之電荷；及放大電晶體，其放大累積於上述浮動擴散區域之電荷，並輸出與該電荷相應之位準之像素信號；且上述像素藉由第1溝元件分離區域與第2溝元件分離區域進行元件分離，該第1溝元件分離區域於構成上述像素之元件彼此分離之元件分離區域中、上述浮動擴散區域與上述放大電晶體之間之區域，以溝構造構成；該第2溝元件分離區域於構成上述像素之元件彼此分離之元件分離區域中、上述浮動擴散區域與上述放大電晶體之間之區域以外之區域，以溝構造構成，且上述第1溝元件分離區域形成為較上述第2溝元件分離區域更深。
本揭示之一態樣之電子機器包含固體攝像元件，該固體攝像元件包含具有元件之像素，該元件至少包含：光電轉換部，其將光轉換 成電荷；傳送電晶體，其傳送於上述光電轉換部所產生之電荷；浮動擴散區域，其暫時累積於上述光電轉換部所產生之電荷；及放大電晶體，其放大累積於上述浮動擴散區域之電荷，並輸出與該電荷相應之位準之像素信號；且上述像素藉由第1溝元件分離區域與第2溝元件分離區域進行元件分離，該第1溝元件分離區域於構成上述像素之元件彼此分離之元件分離區域中、上述浮動擴散區域與上述放大電晶體之間之區域，以溝構造構成；該第2溝元件分離區域於構成上述像素之元件彼此分離之元件分離區域中、上述浮動擴散區域與上述放大電晶體之間之區域以外之區域，以溝構造構成，且上述第1溝元件分離區域形成為較上述第2溝元件分離區域更深。
本揭示之一態樣之製造方法包含如下步驟：於形成上述第1溝元件分離區域及上述第2溝元件分離區域之區域中，進行第1蝕刻，其形成成為上述第2溝元件分離區域之深度之溝，且於形成上述第1溝元件分離區域之區域中，進而進行第2蝕刻，其形成成為上述第1溝元件分離區域之深度之溝。
本揭示之一態樣之固體攝像元件係以包含如下步驟之製造方法製造：於形成上述第1溝元件分離區域及上述第2溝元件分離區域之區域中，進行第1蝕刻，其形成成為上述第2溝元件分離區域之深度之溝，且於形成上述第1溝元件分離區域之區域中，進而進行第2蝕刻，其形成成為上述第1溝元件分離區域之深度之溝。
於本揭示之一態樣中，第1溝元件分離區域形成為較第2溝元件分離區域更深。
根據本發明之一態樣，可進一步提高轉換效率。
11‧‧‧固體攝像裝置
12‧‧‧像素
12A‧‧‧像素
12B‧‧‧像素
12C‧‧‧像素
13‧‧‧陣列部
14‧‧‧垂直驅動電路
15‧‧‧行信號處理電路
16‧‧‧水平驅動電路
17‧‧‧輸出電路
18‧‧‧控制電路
19‧‧‧垂直信號線
20‧‧‧水平信號線
31‧‧‧PD
32‧‧‧傳送電晶體
33‧‧‧放大電晶體
34‧‧‧FD部
35‧‧‧選擇電晶體
36‧‧‧重置電晶體
37‧‧‧分離電晶體
38‧‧‧FD部
41‧‧‧矽基板
42‧‧‧配線層
42-1‧‧‧第1層間絕緣膜
42-2‧‧‧第2層間絕緣膜
51-1‧‧‧較稀疏之p型區域
51-2‧‧‧較密集之n型區域
51-3‧‧‧較稀疏之n型區域
51-4‧‧‧較稀疏之n型區域
52‧‧‧較深之溝元件分離區域
52-1‧‧‧較深之溝元件分離區域
52-2‧‧‧較深之溝元件分離區域
53‧‧‧較淺之溝元件分離區域
53-1‧‧‧較淺之溝元件分離區域
53-2‧‧‧較淺之溝元件分離區域
53-3‧‧‧較淺之溝元件分離區域
61-1‧‧‧閘極電極
61-2‧‧‧閘極電極
62-1‧‧‧側壁
62-2‧‧‧側壁
63-1‧‧‧接觸部
63-1A‧‧‧接觸部
63-2‧‧‧接觸部
63-3‧‧‧接觸部
64-1‧‧‧配線
64-2‧‧‧配線
71‧‧‧硬掩膜層
72‧‧‧抗蝕劑
73‧‧‧抗蝕劑
81‧‧‧開口部
82‧‧‧溝
83‧‧‧開口部
84‧‧‧溝
85‧‧‧溝
101‧‧‧攝像裝置
102‧‧‧光學系統
103‧‧‧攝像元件
104‧‧‧信號處理電路
105‧‧‧監視器
106‧‧‧記憶體
A‧‧‧區域
B‧‧‧區域
C1‧‧‧電荷電容
C2‧‧‧電荷電容
FDG‧‧‧分離信號
L1‧‧‧一點鏈線
L2‧‧‧一點鏈線
Qs‧‧‧飽和電荷量
RST‧‧‧重置信號
SEL‧‧‧選擇信號
TRG‧‧‧傳送信號
Vdd‧‧‧電源電壓
圖1係顯示應用本技術之固體攝像元件之一實施形態之構成例之 方塊圖。
圖2A、B係顯示像素之第1構成例之電路圖及剖面圖。
圖3係顯示像素之第2構成例之電路圖。
圖4A、B係顯示像素之第2構成例之俯視圖及剖面圖。
圖5係說明像素之製造方法之第1至第4步驟之圖。
圖6係說明像素之製造方法之第5至第8步驟之圖。
圖7A、B係顯示像素之第3構成例之俯視圖及剖面圖。
圖8係顯示像素之變化例之剖面圖。
圖9係顯示搭載於電子機器之攝像裝置之構成例之方塊圖。
以下，對應用本技術之具體實施形態，一面參照圖式進行詳細說明。
圖1係顯示應用本技術之固體攝像元件之一實施形態之構成例之方塊圖。
如圖1所示，固體攝像元件11構成為具備將複數個像素12配置成陣列狀之陣列部13、垂直驅動電路14、行信號處理電路15、水平驅動電路16、輸出電路17及控制電路18。
像素12係如參照圖2後述般，具有光電轉換部PD31，且將與藉由PD31受光而產生之電荷相應之位準之像素信號經由垂直信號線19而讀取至行信號處理電路15。
陣列部13構成為將複數個像素12配置成陣列狀。
垂直驅動電路14將用以驅動(傳送、或選擇、重置等)各個像素12之驅動信號，經由水平信號線依序供給至陣列部13所具有之複數個像素12之每一列。
行信號處理電路15經由垂直信號線19，對自各個像素12輸出之像素信號實施CDS(Correlated Double Sampling：相關雙重取樣)處理 而擷取像素信號之信號位準，獲取與像素12之受光量相應之像素資料。
水平驅動電路16於陣列部13所具有之複數個像素12之每一行，將用以將自各個像素12所獲取之像素資料自行信號處理電路15輸出之驅動信號依序供給至行信號處理電路15。
對輸出電路17，經由水平信號線20供給以根據水平驅動電路16之驅動信號之時序自行信號處理電路15輸出之像素資料，且輸出電路17例如放大該像素資料，並輸出至後段之圖像處理電路。
控制電路18控制固體攝像元件11之內部之各區塊之驅動。例如，固體攝像元件11產生根據各區塊之驅動週期之區塊信號，並供給至各個區塊。
接著，參照圖2，對像素12之第1構成例進行說明。
於圖2A中，顯示有顯示像素12之電路構成之電路圖，於圖2B中，顯示有像素12之剖面構成例。
如圖2A所示，像素12構成為具備PD(photodiode：光電二極體)31、傳送電晶體32、放大電晶體33、FD(Floating Diffusion：浮動擴散)部34、選擇電晶體35、及重置電晶體36。
PD31係將光轉換成電荷之光電轉換部，藉由光電轉換產生與所接收之光之光量相應之電荷並累積。PD31之陽極電極係接地，PD31之陰極電極係經由傳送電晶體32連接於放大電晶體33之閘極電極。
傳送電晶體32係根據自圖1之垂直驅動電路14供給之傳送信號TRG驅動。例如，當供給至傳送電晶體32之閘極電極之傳送信號TRG成為高位準時，傳送電晶體32接通，而將累積於PD31之電荷經由傳送電晶體32傳送至FD部34。
放大電晶體33成為讀取藉由PD31中之光電轉換獲得之信號之讀取電路即源極從動件之輸入部，將與累積於FD部34之電荷相應之位 準之像素信號輸出至垂直信號線19。即，放大電晶體33藉由將源極電極經由選擇電晶體35連接於垂直信號線19，構成連接於垂直信號線19之一端之電流源(未圖示)與源極從動件。
FD部34係設置於傳送電晶體32與放大電晶體33之間之具有電荷電容C1之浮動擴散區域，暫時累積經由傳送電晶體32自PD31傳送之電荷。FD部34係將電荷轉換成電壓之電荷檢測部，保持於FD部34之電荷係於放大電晶體33中轉換成電壓。
選擇電晶體35係根據自圖1之垂直驅動電路14供給之選擇信號SEL驅動。例如，當供給至選擇電晶體35之閘極電極之選擇信號SEL成為高位準時，選擇電晶體35接通而連接放大電晶體33與垂直信號線19。
重置電晶體36係根據自圖1之垂直驅動電路14供給之重置信號RST驅動。例如，當供給至重置電晶體36之閘極電極之重置信號RST成為高位準時，重置電晶體36接通而將累積於FD部34之電荷排出至電源電壓Vdd，而重置FD部34。
如圖2B所示，像素12之剖面構成係相對於矽基板41積層配線層42。
PD31係藉由例如稱為HAD(Hole Accumulation Diode：電洞累積二極體)構造之構造而形成於矽基板41，且藉由進行離子注入處理及退火處理而形成。又，PD31形成為延伸存在於較形成以形成PD31之步驟之後之步驟形成之較淺之溝元件分離區域53-1之部位更深之區域。藉此，使形成PD31之區域增加，其結果，可增加PD31之飽和電荷量Qs。
又，於相對於P型矽基板41(p型井)積層配線層42之側之矽基板41之表面，形成較稀疏之p型區域51-1、較密集之n型區域51-2、較稀疏之n型區域51-3、較稀疏之n型區域51-4。較稀疏之p型區域51-1係對應 於形成傳送電晶體32之部位而形成，較密集之n型區域51-2係對應於形成FD部34之部位而形成，較稀疏之n型區域51-3係對應於形成放大電晶體33之部位而形成。
又，於矽基板41，為了對構成像素12之元件彼此進行元件分離，而於矽基板41形成溝，且於溝內嵌入氧化膜，藉此形成溝元件分離區域。如圖2B所示，形成較深之溝元件分離區域52-1及52-2、與較淺之溝元件分離區域53-1至53-3作為溝元件分離區域。
較深之溝元件分離區域52-1及52-2將FD部34形成於自其他元件分離並與FD部34鄰接之部位。例如，較深之溝元件分離區域52-1形成於成為FD部34與傳送電晶體32之間之部位，較深之溝元件分離區域52-2形成於成為FD部34與放大電晶體33之間之部位。較淺之溝元件分離區域53-1至53-3將FD部34以外之元件彼此分離。例如，較淺之溝元件分離區域53-1形成於成為PD31與傳送電晶體32之間之部位。
於相對於矽基板41積層配線層42之側之矽基板41之表面，介隔未圖示之絕緣膜積層構成傳送電晶體32之閘極電極61-1、構成放大電晶體33之閘極電極61-2。於閘極電極61-1之側面，形成側壁62-1，於閘極電極61-2之側面，形成側壁62-2。
配線層42係於複數個層間絕緣膜之間配置配線而構成。於圖2B之構成例中，積層有第1層間絕緣膜42-1及第2層間絕緣膜42-2，且於第1層間絕緣膜42-1與第2層間絕緣膜42-2之間配置有配線64-1及64-2。
貫通第1層間絕緣膜42-1而形成接觸部63-1至63-3。接觸部63-1係以連接FD部34與配線64-1之方式形成，接觸部63-2係以連接配線64-1與構成放大電晶體33之閘極電極61-2之方式形成。接觸部63-3係以連接較稀疏之n型區域51-4與配線64-2之方式形成。
以此種構造構成有像素12，藉由較深之溝元件分離區域52-1及 52-2、與較淺之溝元件分離區域53-1至53-3進行元件分離，藉此可確實地分離構成像素12之各元件。
再者，於像素12中，藉由於與FD部34及放大電晶體33之閘極電極61-2相接之元件分離區域，形成較深之溝元件分離區域52-2，可抑制放大電晶體33與矽基板41(p型井)之耦合，藉此可提高轉換效率。
又，藉由於鄰接於FD部34之部分以外之元件分離區域，形成較淺之溝元件分離區域53-1至53-3，與先前之擴散分離相比較使放大器電容降低，藉此可提高轉換效率。
又，藉由溝加工形成進行元件分離，藉此可較先前之擴散分離使元件分離區域更微細化。藉此，例如可擴大PD31之面積，而可謀求增加飽和電荷量Qs。
又，於像素12中，藉由於分離PD31及傳送電晶體32時使用較淺之溝元件分離區域53-1，可採用如PD31延伸存在於較淺之溝元件分離區域53-1之較深之區域之構成。藉此，可增加PD31之飽和電荷量Qs。
其次，於圖3中，顯示有顯示像素12之第2構成例之電路圖。
如圖3所示，像素12A構成為具備PD31、傳送電晶體32、放大電晶體33、FD部34、選擇電晶體35、重置電晶體36、分離電晶體37、及FD部38。即，像素12A係於具備PD31、傳送電晶體32、放大電晶體33、FD部34、選擇電晶體35、及重置電晶體36之方面，採用與圖2之像素12共通之構成，該等之詳細說明省略。
分離電晶體37係以連接FD部34及重置電晶體36之方式配置，於分離電晶體37與重置電晶體36之連接部設置FD38。FD部38係具有電荷電容C2之浮動擴散區域。
分離電晶體37根據分離信號FDG進行接通/斷開，例如，當分離信號FDG成為高位準時，分離電晶體37接通，而連接FD部34及FD部 38。即，於分離電晶體37成為接通之狀態下，以將FD部34之電荷電容C1與FD部38之電荷電容C2相加之電荷電容，可累積PD31中所產生之電荷。另一方面，當分離信號FDG成為低位準時，分離電晶體37斷開，而將FD部34及FD部38分離，該情形時，僅以FD部34累積PD31中所產生之電荷。
如此，像素12A藉由控制分離電晶體37之接通/斷開，可切換將PD31中所產生之電荷累積之電荷電容。藉此，可變更放大電晶體33之增益。因此，像素12A藉由例如於高照度時之信號與低照度時之信號之各者中切換分離電晶體37之接通/斷開，可實現良好之S/N，且適當去除重置雜訊。
於如此構成之像素12A中，亦與圖2之像素12相同，藉由以較深之溝元件分離區域52進行FD部34及FD部38與其他元件之分離，可提高轉換效率。
於圖4A中，顯示有像素12A之平面構造，於圖4B中，顯示有沿著圖4A所示之一點鏈線L1之像素12A之剖面構造。
於像素12A中，例如，於鄰接於FD部34及FD部38之區域形成較深之溝元件分離區域52，於鄰接於FD部34及FD部38之區域以外之區域形成較淺之溝元件分離區域53。即，FD部34及FD部38之元件分離係藉由較深之溝元件分離區域52進行。以下，適當地將鄰接於FD部34及FD部38之區域、且為進行元件分離之區域稱為區域A，將除此以外之區域且為進行元件分離之區域稱為區域B。另，相對於圖4B所示之剖面圖於圖式之縱深方向，形成有較深之溝元件分離區域52及較淺之溝元件分離區域53。
接著，參照圖5及圖6，對具有較深之溝元件分離區域52及較淺之溝元件分離區域53之像素12之製造方法進行說明。
如圖5所示，於第1步驟中，於矽基板41之表面形成與矽基板41 之表面之絕緣膜(未圖示)及抗蝕劑72反應性不同之硬掩膜層71。作為硬掩膜層71，使用SiN(氮化矽)膜或SIO(氧化矽膜)等。其後，於硬掩膜層71之整個面上將抗蝕劑72成膜。
於第2步驟中，以對應於形成較深之溝元件分離區域52及較淺之溝元件分離區域53之區域而開口之方式，進行第1圖案化。藉此，如圖5所示，以對應於區域A及區域B之方式於抗蝕劑72形成開口部81。
於第3步驟中，進行第1蝕刻，而於區域A及區域B中形成成為形成較淺之溝元件分離區域53之深度之溝82。
於第4步驟中，以灰化或DHF(稀釋氫氟酸)、硫酸水解、氨水水解等去除抗蝕劑72或因加工引起之聚合物殘留。
其後，如圖6所示，於第5步驟中，於矽基板41之前表面將抗蝕劑73成膜後，以對應於形成較深之溝元件分離區域52之區域而開口之方式，進行第2圖案化。藉此，以對應於區域A之方式於抗蝕劑73形成開口部83。
於第6步驟中，進行第2蝕刻，於區域A形成成為形成較深之溝元件分離區域52之深度之溝84。又，於進行第6步驟時，亦可同時進行用以進行未圖示之周邊電路之元件分離之元件分離部之形成。
於第7步驟中，以灰化或DHF(稀釋氫氟酸)、硫酸水解、氨水水解等去除抗蝕劑73或因加工引起之聚合物殘留。藉此，形成對應於區域A成為形成較深之溝元件分離區域52之深度，對應於區域B成為形成較淺之溝元件分離區域53之深度之深度因區域而異之溝85。
於第8步驟中，以氧化膜嵌入溝85之內部，並以CMP(Chemical Mechanical Polishing：化學機械抛光)平坦化，藉此對應於區域A形成較深之溝元件分離區域52，對應於區域B形成較淺之溝元件分離區域53。其後，去除硬掩膜層71。
另，此後之製造像素12之步驟係與製造通常之CIS(CMOS Image Sensor：CMOS影像感測器)之製造方法相同地進行，而製造如圖2所示之剖面構造之像素12。又，採用HAD構造之PD31、與鄰接於PD31之較淺之溝元件分離區域53-1之接觸部係以不會產生白點之方式進行離子注入硼之處理。
如以上般，藉由依序進行第1蝕刻及第2蝕刻，形成深度因區域而異之溝85，而可形成較淺之溝元件分離區域53及較深之溝元件分離區域52。
接著，參照圖7，對像素12之第3構成例進行說明。
圖7所示之像素12B採用與圖3之像素12A相同之電路構成。於圖7A中，顯示有像素12B之平面構造，於圖7B中，顯示有沿著圖7A所示之一點鏈線L2之像素12B之剖面構造。
如圖7所示，像素12B在於FD部34及放大電晶體33之間形成較深之溝元件分離區域52之方面與圖4之像素12A共通。另一方面，像素12B在未於FD部34及傳送電晶體32之間形成較深之溝元件分離區域52之方面採用與圖4之像素12A不同之構成。
即，如像素12B般，藉由至少於FD部34及放大電晶體33之間形成較深之溝元件分離區域52，可提高轉換效率。
接著，參照圖8，對像素12之變化例進行說明。
圖8所示之像素12C在代替圖2之像素12之接觸部63-1，而形成有較接觸部63-1直徑更小之接觸部63-1A之方面採用與圖2之像素12不同之構成。又，接觸部63-1A設為較接觸部63-2及63-3直徑更小。另，關於其他構成，像素12C與圖2之像素12共通，其詳細說明省略。
如圖8所示，像素12C藉由採用將小直徑之接觸部63-1A連接於FD部34之構成，可削減FD部34之電荷電容，藉此可增加放大電晶體33之增益。
又，由於接觸部63-1A、與接觸部63-2及63-3之直徑不同，故各 自之蝕刻條件不同。因此，於像素12C之製造步驟中，分2次形成接觸部63-1A、與接觸部63-2及63-3。
又，如上述之固體攝像元件11可應用於例如數位靜態相機或數位攝影機等之具備攝像系統、攝像功能之行動電話、或具備攝像功能之其他機器等各種電子機器。
圖9係顯示搭載於電子機器之攝像裝置之構成例之方塊圖。
如圖9所示，攝像裝置101構成為具備光學系統102、攝像元件103、信號處理電路104、監視器105、及記憶體106，可攝像靜態圖像及動態圖像。
光學系統102係具有1片或複數片透鏡而構成，將來自被攝體之像光(入射光)導入攝像元件103，使其成像於攝像元件103之受光面(感測器部)。
作為攝像元件103，應用具有上述各種構成例之像素12之固體攝像元件11。於攝像元件103，根據經由光學系統102成像於受光面之像，於特定期間累積電子。且，將與累積於攝像元件103之電子相應之信號供給至信號處理電路104。
信號處理電路104對自攝像元件103所輸出之像素信號實施各種信號處理。藉由信號處理電路104實施信號處理所獲得之圖像(圖像資料)係供給至監視器105予以顯示，或供給至記憶體106予以記憶(記錄)。
於如此構成之攝像裝置101中，由於可藉由應用如上述之固體攝像元件11之構成提高像素之轉換效率，故可提高低照度特性，而可攝像更高感度之圖像。
另，本技術亦可採用如以下之構成。
(1)
一種固體攝像元件，其包含具有元件之像素，該元件至少包 含：光電轉換部，其將光轉換成電荷；傳送電晶體，其傳送於上述光電轉換部所產生之電荷；浮動擴散區域，其暫時累積於上述光電轉換部所產生之電荷；及放大電晶體，其放大累積於上述浮動擴散區域之電荷，並輸出與該電荷相應之位準之像素信號；且上述像素：藉由第1溝元件分離區域與第2溝元件分離區域進行元件分離，該第1溝元件分離區域於構成上述像素之元件彼此分離之元件分離區域中、上述浮動擴散區域與上述放大電晶體之間之區域，以溝構造構成；該第2溝元件分離區域於構成上述像素之元件彼此分離之元件分離區域中、上述浮動擴散區域與上述放大電晶體之間之區域以外之區域，以溝構造構成；且上述第1溝元件分離區域形成為較上述第2溝元件分離區域更深。
(2)
如上述技術方案(1)之固體攝像元件，其中上述傳送電晶體與上述浮動擴散區域之間之元件分離係藉由上述第1溝元件分離區域進行。
(3)
如上述技術方案(1)或(2)之固體攝像元件，其中進而包含：重置電晶體，其排出累積於上述浮動擴散區域之電荷；分離電晶體，其配置於上述浮動擴散區域與上述重置電晶體之間；及第2浮動擴散區域，其設置於上述重置電晶體與上述分離電晶體 之連接部分；且上述第2浮動擴散區域之元件分離係藉由上述第1溝元件分離區域進行。
(4)
如上述技術方案(1)至(3)中任一者之固體攝像元件，其中連接上述浮動擴散區域與配線之接觸部之直徑形成為較連接構成上述像素之其他元件與配線之接觸部更小。
另，本實施形態並非限定於上述實施形態者，於不脫離本揭示之宗旨之範圍內可進行各種變更。

Claims (7)

  1. 一種固體攝像元件，其包含具有元件之像素，該元件至少包含：光電轉換部，其將光轉換成電荷；傳送電晶體，其傳送於上述光電轉換部所產生之電荷；浮動擴散區域，其暫時累積於上述光電轉換部所產生之電荷；及放大電晶體，其放大累積於上述浮動擴散區域之電荷，並輸出與該電荷相應之位準之像素信號；且上述像素：藉由第1溝元件分離區域與第2溝元件分離區域進行元件分離，該第1溝元件分離區域於構成上述像素之元件彼此分離之元件分離區域中、上述浮動擴散區域與上述放大電晶體之間之區域，以溝構造構成；該第2溝元件分離區域於構成上述像素之元件彼此分離之元件分離區域中、上述浮動擴散區域與上述放大電晶體之間之區域以外之區域，以溝構造構成；且上述第1溝元件分離區域形成為較上述第2溝元件分離區域更深。
  2. 如請求項1之固體攝像元件，其中上述傳送電晶體與上述浮動擴散區域之間之元件分離係藉由上述第1溝元件分離區域進行。
  3. 如請求項1之固體攝像元件，其中進而包含：重置電晶體，其排出累積於上述浮動擴散區域之電荷；分離電晶體，其配置於上述浮動擴散區域與上述重置電晶體之間；及 第2浮動擴散區域，其設置於上述重置電晶體與上述分離電晶體之連接部分；且上述第2浮動擴散區域之元件分離係藉由上述第1溝元件分離區域進行。
  4. 如請求項1之固體攝像元件，其中連接上述浮動擴散區域與配線之接觸部之直徑形成為較連接構成上述像素之其他元件與配線之接觸部更小。
  5. 一種電子機器，其包含固體攝像元件，該固體攝像元件包含具有元件之像素，該元件至少包含：光電轉換部，其將光轉換成電荷；傳送電晶體，其傳送於上述光電轉換部所產生之電荷；浮動擴散區域，其暫時累積於上述光電轉換部所產生之電荷；及放大電晶體，其放大累積於上述浮動擴散區域之電荷，並輸出與該電荷相應之位準之像素信號；且上述像素：藉由第1溝元件分離區域與第2溝元件分離區域進行元件分離，該第1溝元件分離區域於構成上述像素之元件彼此分離之元件分離區域中、上述浮動擴散區域與上述放大電晶體之間之區域，以溝構造構成；該第2溝元件分離區域於構成上述像素之元件彼此分離之元件分離區域中、上述浮動擴散區域與上述放大電晶體之間之區域以外之區域，以溝構造構成；且上述第1溝元件分離區域形成為較上述第2溝元件分離區域更深。
  6. 一種製造方法，其係固體攝像元件之製造方法，該固體攝像元件包含具有元件之像素，該元件至少包含： 光電轉換部，其將光轉換成電荷；傳送電晶體，其傳送於上述光電轉換部所產生之電荷；浮動擴散區域，其暫時累積於上述光電轉換部所產生之電荷；及放大電晶體，其放大累積於上述浮動擴散區域之電荷，並輸出與該電荷相應之位準之像素信號；且上述像素：藉由第1溝元件分離區域與第2溝元件分離區域進行元件分離，該第1溝元件分離區域於構成上述像素之元件彼此分離之元件分離區域中、上述浮動擴散區域與上述放大電晶體之間之區域，以溝構造構成；該第2溝元件分離區域於構成上述像素之元件彼此分離之元件分離區域中、述浮動擴散區域與上述放大電晶體之間之區域以外之區域，以溝構造構成；上述第1溝元件分離區域形成為較上述第2溝元件分離區域更深；且該製造方法包含如下步驟：於形成上述第1溝元件分離區域及上述第2溝元件分離區域之區域中，進行第1蝕刻，其形成成為上述第2溝元件分離區域之深度之溝；於形成上述第1溝元件分離區域之區域中，進而進行第2蝕刻，其形成成為上述第1溝元件分離區域之深度之溝。
  7. 一種固體攝像元件，其包含具有元件之像素，該元件至少包含：光電轉換部，其將光轉換成電荷；傳送電晶體，其傳送於上述光電轉換部所產生之電荷；浮動擴散區域，其暫時累積於上述光電轉換部所產生之電 荷；及放大電晶體，其放大累積於上述浮動擴散區域之電荷，並輸出與該電荷相應之位準之像素信號；且上述像素：藉由第1溝元件分離區域與第2溝元件分離區域進行元件分離，該第1溝元件分離區域於構成上述像素之元件彼此分離之元件分離區域中、上述浮動擴散區域與上述放大電晶體之間之區域，以溝構造構成；該第2溝元件分離區域於構成上述像素之元件彼此分離之元件分離區域中、上述浮動擴散區域與上述放大電晶體之間之區域以外之區域，以溝構造構成；上述第1溝元件分離區域形成為較上述第2溝元件分離區域更深；且該固體攝像元件係以包含如下步驟之製造方法製造：於形成上述第1溝元件分離區域及上述第2溝元件分離區域之區域中，進行形成成為上述第2溝元件分離區域之深度之溝之第1蝕刻；於形成上述第1溝元件分離區域之區域中，進而進行形成成為上述第1溝元件分離區域之深度之溝之第2蝕刻。
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