JP2014236071A - 固体撮像素子、電子機器、および製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)
光を電荷に変換する光電変換部と、
前記光電変換部で発生した電荷を転送する転送トランジスタと、
前記光電変換部で発生した電荷を一時的に蓄積する浮遊拡散領域と、
前記浮遊拡散領域に蓄積されている電荷を増幅して、その電荷に応じたレベルの画素信号を出力する増幅トランジスタと
を少なくとも含む素子を有する画素を備え、
前記画素は、
前記画素を構成する素子どうしを分離する素子分離領域のうち、前記浮遊拡散領域と前記増幅トランジスタとの間の領域にトレンチ構造で構成される第1のトレンチ素子分離領域と、前記画素を構成する素子どうしを分離する素子分離領域のうち、前記浮遊拡散領域と前記増幅トランジスタとの間の領域以外の領域にトレンチ構造で構成される第2のトレンチ素子分離領域とにより素子分離が行われ、
前記第1のトレンチ素子分離領域が前記第2のトレンチ素子分離領域よりも深く形成されている
固体撮像素子。
(2)
前記転送トランジスタと前記浮遊拡散領域との間の素子分離が前記第1のトレンチ素子分離領域により行われる
上記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記浮遊拡散領域に蓄積されている電荷を排出するリセットトランジスタと、
前記浮遊拡散領域と前記リセットトランジスタとの間に配置される分離トランジスタと、
前記リセットトランジスタと前記分離トランジスタとの接続部分に設けられる第2の浮遊拡散領域と
をさらに備え、
前記第2の浮遊拡散領域の素子分離が、前記第1のトレンチ素子分離領域により行われる
上記(1)または(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
前記浮遊拡散領域と配線とを接続するコンタクト部が、前記画素を構成する他の素子と配線とを接続するコンタクト部よりも小径に形成されている
上記(1)から(3)までのいずれかに記載の固体撮像素子。
Claims (7)
- 光を電荷に変換する光電変換部と、
前記光電変換部で発生した電荷を転送する転送トランジスタと、
前記光電変換部で発生した電荷を一時的に蓄積する浮遊拡散領域と、
前記浮遊拡散領域に蓄積されている電荷を増幅して、その電荷に応じたレベルの画素信号を出力する増幅トランジスタと
を少なくとも含む素子を有する画素を備え、
前記画素は、
前記画素を構成する素子どうしを分離する素子分離領域のうち、前記浮遊拡散領域と前記増幅トランジスタとの間の領域にトレンチ構造で構成される第1のトレンチ素子分離領域と、前記画素を構成する素子どうしを分離する素子分離領域のうち、前記浮遊拡散領域と前記増幅トランジスタとの間の領域以外の領域にトレンチ構造で構成される第2のトレンチ素子分離領域とにより素子分離が行われ、
前記第1のトレンチ素子分離領域が前記第2のトレンチ素子分離領域よりも深く形成されている
固体撮像素子。 - 前記転送トランジスタと前記浮遊拡散領域との間の素子分離が前記第1のトレンチ素子分離領域により行われる
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記浮遊拡散領域に蓄積されている電荷を排出するリセットトランジスタと、
前記浮遊拡散領域と前記リセットトランジスタとの間に配置される分離トランジスタと、
前記リセットトランジスタと前記分離トランジスタとの接続部分に設けられる第2の浮遊拡散領域と
をさらに備え、
前記第2の浮遊拡散領域の素子分離が、前記第1のトレンチ素子分離領域により行われる
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記浮遊拡散領域と配線とを接続するコンタクト部が、前記画素を構成する他の素子と配線とを接続するコンタクト部よりも小径に形成されている
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 光を電荷に変換する光電変換部と、
前記光電変換部で発生した電荷を転送する転送トランジスタと、
前記光電変換部で発生した電荷を一時的に蓄積する浮遊拡散領域と、
前記浮遊拡散領域に蓄積されている電荷を増幅して、その電荷に応じたレベルの画素信号を出力する増幅トランジスタと
を少なくとも含む素子を有する画素を備え、
前記画素は、
前記画素を構成する素子どうしを分離する素子分離領域のうち、前記浮遊拡散領域と前記増幅トランジスタとの間の領域にトレンチ構造で構成される第1のトレンチ素子分離領域と、前記画素を構成する素子どうしを分離する素子分離領域のうち、前記浮遊拡散領域と前記増幅トランジスタとの間の領域以外の領域にトレンチ構造で構成される第2のトレンチ素子分離領域とにより素子分離が行われ、
前記第1のトレンチ素子分離領域が前記第2のトレンチ素子分離領域よりも深く形成されている
固体撮像素子を備える電子機器。 - 光を電荷に変換する光電変換部と、
前記光電変換部で発生した電荷を転送する転送トランジスタと、
前記光電変換部で発生した電荷を一時的に蓄積する浮遊拡散領域と、
前記浮遊拡散領域に蓄積されている電荷を増幅して、その電荷に応じたレベルの画素信号を出力する増幅トランジスタと
を少なくとも含む素子を有する画素を備え、
前記画素は、
前記画素を構成する素子どうしを分離する素子分離領域のうち、前記浮遊拡散領域と前記増幅トランジスタとの間の領域にトレンチ構造で構成される第1のトレンチ素子分離領域と、前記画素を構成する素子どうしを分離する素子分離領域のうち、前記浮遊拡散領域と前記増幅トランジスタとの間の領域以外の領域にトレンチ構造で構成される第2のトレンチ素子分離領域とにより素子分離が行われ、
前記第1のトレンチ素子分離領域が前記第2のトレンチ素子分離領域よりも深く形成されている
固体撮像素子の製造方法であって、
前記第1のトレンチ素子分離領域および前記第2のトレンチ素子分離領域が形成される領域に、前記第2のトレンチ素子分離領域の深さになるトレンチを形成する第1のエッチングを行い、
前記第1のトレンチ素子分離領域が形成される領域に、さらに、前記第1のトレンチ素子分離領域の深さになるトレンチを形成する第2のエッチングを行う
ステップを含む製造方法。 - 光を電荷に変換する光電変換部と、
前記光電変換部で発生した電荷を転送する転送トランジスタと、
前記光電変換部で発生した電荷を一時的に蓄積する浮遊拡散領域と、
前記浮遊拡散領域に蓄積されている電荷を増幅して、その電荷に応じたレベルの画素信号を出力する増幅トランジスタと
を少なくとも含む素子を有する画素を備え、
前記画素は、
前記画素を構成する素子どうしを分離する素子分離領域のうち、前記浮遊拡散領域と前記増幅トランジスタとの間の領域にトレンチ構造で構成される第1のトレンチ素子分離領域と、前記画素を構成する素子どうしを分離する素子分離領域のうち、前記浮遊拡散領域と前記増幅トランジスタとの間の領域以外の領域にトレンチ構造で構成される第2のトレンチ素子分離領域とにより素子分離が行われ、
前記第1のトレンチ素子分離領域が前記第2のトレンチ素子分離領域よりも深く形成されている
固体撮像素子であって、
前記第1のトレンチ素子分離領域および前記第2のトレンチ素子分離領域が形成される領域に、前記第2のトレンチ素子分離領域の深さになるトレンチを形成する第1のエッチングを行い、
前記第1のトレンチ素子分離領域が形成される領域に、さらに、前記第1のトレンチ素子分離領域の深さになるトレンチを形成する第2のエッチングを行う
ステップを含む製造方法で製造される固体撮像素子。
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