CN105264665A - 固体摄像器件、电子设备和制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及能够进一步提高转换效率的固体摄像器件、电子设备和制造方法。所述固体摄像器件包括这样的像素：在所述像素中，利用元件隔离区域来实现用于使构成所述像素的元件相互隔离的元件隔离。在所述固体摄像器件中，所述元件隔离区域包括具有沟槽结构的第一沟槽元件隔离区域和具有沟槽结构的第二沟槽元件隔离区域，在FD部与放大晶体管之间的区域中形成有所述第一沟槽元件隔离区域，在除了所述FD部与所述放大晶体管之间的所述区域以外的区域中形成有所述第二沟槽元件隔离区域。而且，所述第一沟槽元件隔离区域被形成为比所述第二沟槽元件隔离区域深。本技术能够适用于例如CMOS图像传感器。

Description

固体摄像器件、电子设备和制造方法
技术领域
本发明涉及固体摄像器件、电子设备和制造方法，且更具体地，涉及被设计成能够进一步增大转换效率的固体摄像器件、电子设备和制造方法。
背景技术
在诸如数码相机或数码摄影机等具有摄像功能的传统电子设备中，使用了就像电荷耦合器件(CCD：ChargeCoupledDevice)或互补金属氧化物半导体(CMOS：ComplementaryMetalOxideSemiconductor)图像传感器一样的固体摄像器件。固体摄像器件具有像素，各像素包括晶体管与用于执行光电转换的光电二极管的组合，且基于从以二维形式布置着的像素输出的像素信号而形成了图像。
在固体摄像器件中，例如，累积于光电二极管中的电荷被传输至浮动扩散(FD：FloatingDiffusion)部，该FD部具有预定容量且被设置在所述光电二极管与放大晶体管的栅电极之间的连接部分处。从所述像素读取具有与存储于所述FD部中的电荷相应的电平的信号，且该信号在具有比较器的模拟数字(AD：AnalogDigital)转换电路中经受AD转换。然后，所得到的信号被输出。
近年来，已经存在着减小各FD部的电荷容量和增大各像素器件的转换效率的需求，以便增大固体摄像器件的灵敏度特性，且以便获得与超灵敏图像传感器的低照度特性类似的低照度特性。
例如，专利文献1披露了一种这样的技术：利用该技术，只有与FD部接触的元件隔离区域具有沟槽结构，且其他元件隔离区域形成有扩散元件隔离区域，以便应对MOS图像传感器中的小型化像素，并且以便在防止暗电流的生成和白点的出现的同时增大转换效率。
引用文献列表
专利文献
专利文献1：日本专利申请特开JP2008-205022A
发明内容
本发明所要解决的技术问题
虽然能够利用如上所述的传统方法来增大转换效率，但是存在着对进一步增大转换效率的需求。
本发明是鉴于这些情形而被做出的，且本发明的目的是进一步增大转换效率。
解决技术问题所采取的技术方案
根据本发明的一个方面的固体摄像器件包括像素，所述像素至少包括如下的元件：光电转换部，所述光电转换部将光转换成电荷；传输晶体管，所述传输晶体管传输由所述光电转换部生成的电荷；浮动扩散区域，所述浮动扩散区域暂时地累积由所述光电转换部生成的电荷；以及放大晶体管，所述放大晶体管将累积于所述浮动扩散区域中的电荷放大，然后输出具有与该电荷相应的电平的像素信号。在所述像素中，利用元件隔离区域来实现用于使构成所述像素的元件相互隔离的元件隔离，所述元件隔离区域包括具有沟槽结构的第一沟槽元件隔离区域和具有沟槽结构的第二沟槽元件隔离区域，在所述浮动扩散区域与所述放大晶体管之间的区域中形成有所述第一沟槽元件隔离区域，且在除了所述浮动扩散区域与所述放大晶体管之间的所述区域以外的区域中形成有所述第二沟槽元件隔离区域。而且，所述第一沟槽元件隔离区域被形成得比所述第二沟槽元件隔离区域深。
根据本发明的一个方面的电子设备包括固体摄像器件。所述固体摄像器件包括像素，所述像素至少包括如下的元件：光电转换部，所述光电转换部将光转换成电荷；传输晶体管，所述传输晶体管传输由所述光电转换部生成的电荷；浮动扩散区域，所述浮动扩散区域暂时地累积由所述光电转换部生成的电荷；以及放大晶体管，所述放大晶体管将累积于所述浮动扩散区域中的电荷放大，然后输出具有与该电荷相应的电平的像素信号。在所述像素中，利用元件隔离区域来实现用于使构成所述像素的元件相互隔离的元件隔离。所述元件隔离区域包括具有沟槽结构的第一沟槽元件隔离区域和具有沟槽结构的第二沟槽元件隔离区域，在所述浮动扩散区域与所述放大晶体管之间的区域中形成有所述第一沟槽元件隔离区域，且在除了所述浮动扩散区域与所述放大晶体管之间的所述区域以外的区域中形成有所述第二沟槽元件隔离区域。而且，所述第一沟槽元件隔离区域比所述第二沟槽元件隔离区域深。
根据本发明的一个方面的制造方法包括如下的步骤：执行第一蚀刻，在将要形成所述第一沟槽元件隔离区域的区域中和将要形成所述第二沟槽元件隔离区域的区域中形成具有所述第二沟槽元件隔离区域的深度的沟槽；及执行第二蚀刻，在将要形成所述第一沟槽元件隔离区域的所述区域中形成具有所述第一沟槽元件隔离区域的深度的沟槽。
根据本发明的一个方面的固体摄像器件是由包括如下步骤的制造方法制造的：执行第一蚀刻，在将要形成所述第一沟槽元件隔离区域的区域中和将要形成所述第二沟槽元件隔离区域的区域中形成具有所述第二沟槽元件隔离区域的深度的沟槽；及执行第二蚀刻，在将要形成所述第一沟槽元件隔离区域的所述区域中形成具有所述第一沟槽元件隔离区域的深度的沟槽。
在本发明的一个方面中，第一沟槽元件隔离区域被设计成比第二沟槽元件隔离区域深。
本发明的效果
根据本发明的一个方面，能够进一步增大转换效率。
附图说明
图1是示出了本技术适用的固体摄像器件的实施例的示例结构的框图。
图2是示出了像素的第一示例结构的电路图和截面图。
图3是示出了像素的第二示例结构的电路图。
图4是示出了像素的第二示例结构的平面图和截面图。
图5是用来说明根据像素制造方法的第一步骤到第四步骤的图。
图6是用来说明根据像素制造方法的第五步骤到第个八步骤的图。
图7是示出了像素的第三示例结构的平面图和截面图。
图8是示出了像素的变形例的截面图。
图9是示出了被安装在电子设备中的摄像装置的示例结构的框图。
具体实施方式
参照附图，下列内容是本技术适用的具体实施例的详细说明。
图1是示出了本技术适用的固体摄像器件的实施例的示例结构的框图。
如图1所示，固体摄像器件11包括阵列部13、垂直驱动电路14、列信号处理电路15、水平驱动电路16、输出电路17和控制电路18，阵列部13具有以阵列的形式布置着的像素12。
如稍后将参照图2所说明的，各像素12均包括作为光电转换部的PD31，且具有与由接收光的PD31生成的电荷对应的电平的像素信号通过垂直信号线19而被读出至列信号处理电路15。
阵列部13是通过将像素12布置成阵列的形式而被形成的。
垂直驱动电路14通过水平信号线顺序地提供用于驱动(或者传输信号至、选择、或复位等)阵列部13的多行像素12中各行的各像素12的驱动信号。
列信号处理电路15通过对经由垂直信号线19从各像素12输出的像素信号执行相关双采样(CDS：CorrelatedDoubleSampling)来提取像素信号的信号电平，且获得与由像素12接收到的光量对应的像素数据。
水平驱动电路16将用来从与阵列部13中的各列像素12对应地配置着的列信号处理电路15输出从各像素12获得的像素数据的驱动信号顺序地提供给列信号处理电路15。
在根据来自水平驱动电路16的驱动信号的时候的从列信号处理电路15输出的像素数据通过水平信号线20而被提供给输出电路17，且输出电路17例如放大所述像素数据，然后输出电路17将所述像素数据输出至稍后阶段中的图像处理电路。
控制电路18控制固体摄像器件11中的各模块的驱动。例如，固体摄像器件11根据各模块的驱动周期而生成时钟信号，且将所述时钟信号提供给各模块。
现在参照图2，说明像素12的第一示例结构。
图2中的A是示出了像素12的电路构造的电路图，且图2中的B是像素12的示例结构的截面图。
如图2中的A所示，像素12包括光电二极管(PD：photodiode)31、传输晶体管32、放大晶体管33、浮动扩散(FD：FloatingDiffusion)部34、选择晶体管35和复位晶体管36。
PD31是将光转换成电荷的光电转换部，并且生成和累积通过光电转换而得到的与所接收的光量对应的电荷。PD31的阳极接地，且PD31的阴极通过传输晶体管32而被连接至放大晶体管33的栅电极。
传输晶体管32根据从图1中所示的垂直驱动电路14提供过来的传输信号TRG而被驱动。例如，当被提供给传输晶体管32的栅电极的传输信号TRG切换至高电平时，传输晶体管32就被接通，且累积于PD31中的电荷就通过传输晶体管32而被传输至FD部34。
放大晶体管33充当作为用于读出通过在PD31处执行的光电转换而获得的信号的读出电路的源极跟随器的输入部，且放大晶体管33将具有与累积于FD部34中的电荷相应的电平的像素信号输出至垂直信号线19。也就是说，放大晶体管33具有通过选择晶体管35而被连接至垂直信号线19的源电极，该源电极与被连接至垂直信号线19的一端的电流源(未图示)一起形成源极跟随器。
FD部34是包括电荷容量C1且被设置于传输晶体管32与放大晶体管33之间的浮动扩散区域，且FD部34暂时地累积通过传输晶体管32而从PD31传输过来的电荷。FD部34是将电荷转换成电压的电荷检测部，且存储于FD部34中的电荷在放大晶体管33处被转换成电压。
选择晶体管35根据从图1中所示的垂直驱动电路14提供过来的选择信号SEL而被驱动。例如，当向选择晶体管35的栅电极提供的选择信号SEL被打开或被切换至高电平时，放大晶体管33和垂直信号线19就被连通。
复位晶体管36根据从图1中所示的垂直驱动电路14提供过来的复位信号RST而被驱动。例如，当向复位晶体管36的栅电极提供的复位信号RST被打开或切换至高电平时，累积于FD部34中的电荷就被排出到源电压Vdd，由此使FD部34复位。
如图2中的B所示，在像素12的结构的截面图中，配线层42被堆叠在硅基板41上。
PD31被形成于具有例如被称为空穴累积二极管(HAD：HoleAccumulationDiode)结构的结构的硅基板41中，且PD31是通过离子注入和退火而被形成的。PD31还被形成得在比形成有浅沟槽元件隔离区域53-1的部分深的区域中延伸，所述浅沟槽元件隔离区域53-1是在比用于形成PD31的步骤稍晚的步骤中而被形成的。因此，形成有PD31的区域被增大了。结果，PD31的饱和电荷量Qs能够增加。
稀疏的p型区域51-1、浓密的n型区域51-2、稀疏的n型区域51-3和稀疏的n型区域51-4被形成在硅基板41的一侧(在这一侧，在该p型硅基板41(p型阱)上堆叠有配线层42)的表面中。稀疏的p型区域51-1与形成有传输晶体管32的部分对应地而被形成，浓密的n型区域51-2与形成有FD部34的部分对应地而被形成，且稀疏的n型区域51-3与形成有放大晶体管33的部分对应地而被形成。
为了使构成像素12的各元件在硅基板41中彼此隔离，在硅基板41中形成有沟槽，且在各沟槽中埋入了氧化物膜以便形成沟槽元件隔离区域。如图2中的B所示，深沟槽元件隔离区域52-1和52-2以及浅沟槽元件隔离区域53-1至53-3被形成得作为沟槽元件隔离区域。
深沟槽元件隔离区域52-1和52-2使FD部34与其他元件隔离，且被形成于与FD部34相邻的部分中。例如，深沟槽元件隔离区域52-1被形成在位于FD部34与传输晶体管32之间的部分中，且深沟槽元件隔离区域52-2被形成在位于FD部34与放大晶体管33之间的部分中。浅沟槽元件隔离区域53-1至53-3使除了FD部34以外的各元件彼此隔离。例如，浅沟槽元件隔离区域53-1被形成在位于PD31与传输晶体管32之间的部分中。
用于形成传输晶体管32的栅电极61-1和用于形成放大晶体管33的栅电极61-2被堆叠在硅基板41的所述一侧(在这一侧，在硅基板41上堆叠有位于栅电极61-1及栅电极61-2上面的配线层42)的表面上，而且栅电极61-1及栅电极61-2与硅基板41的所述一侧的表面之间夹着绝缘膜(未图示)。侧壁62-1被形成于栅电极61-1的侧表面上，且侧壁62-2被形成于栅电极61-2的侧表面上。
配线层42形成有被安置于层间绝缘膜之间的配线。在图2中的B所示的示例结构中，第一层间绝缘膜42-1和第二层间绝缘膜42-2堆叠着，且配线64-1和64-2被安置于第一层间绝缘膜42-1与第二层间绝缘膜42-2之间。
接触部63-1至63-3被形成得贯穿第一层间绝缘膜42-1而延伸。接触部63-1被形成得将FD部34和配线64-1连接起来，且接触部63-2被形成得将配线64-1和用于形成放大晶体管33的栅电极61-2连接起来。接触部63-3被形成得将稀疏的n型区域51-4和配线64-2连接起来。
像素12具有上述结构，且利用深沟槽元件隔离区域52-1和52-2以及浅沟槽元件隔离区域53-1至53-3来实现元件隔离，以使得构成像素12的各元件能够确定地彼此隔离。
而且，在像素12中，深沟槽元件隔离区域52-2被形成于与FD部34及放大晶体管33的栅电极61-2接触的元件隔离区域中，以使得能够抑制放大晶体管33与硅基板41(p型阱)之间的耦合。因此，转换效率能够增大。
浅沟槽元件隔离区域53-1至53-3被形成于除了所述与FD部34相邻的部分以外的元件隔离区域中，以使得相比于传统的扩散隔离(diffusionseparation)的情况而言能够降低放大器容量。因此，转换效率能够增大。
而且，因为元件隔离是通过沟槽的形成而被实施的，所以相比于传统的扩散隔离的情况而言能够使元件隔离区域变得更小型化。因此，例如，能够使PD31的面积扩大，且能够使饱和电荷量Qs增加。
而且，在像素12中，浅沟槽元件隔离区域53-1被用来使PD31和传输晶体管32彼此隔离，以使得PD31能够被设计成在比浅沟槽元件隔离区域53-1深的区域中延伸。因此，PD31的饱和电荷量Qs能够增加。
图3是示出了像素12的第二示例结构的电路图。
如图3所示，像素12A包括PD31、传输晶体管32、放大晶体管33、FD部34、选择晶体管35、复位晶体管36、隔离晶体管37和FD部38。也就是说，与图2中所示的像素12相同的是，像素12A也包括PD31、传输晶体管32、放大晶体管33、FD部34、选择晶体管35和复位晶体管36，且将不重复这些部件的详细说明。
隔离晶体管37被安置成将FD部34和复位晶体管36连接起来，且FD38被设置于隔离晶体管37与复位晶体管36之间的连接部分处。FD部38是包括电荷容量C2的浮动扩散区域。
隔离晶体管37根据隔离信号FDG而被接通或切断。例如，如果隔离信号FDG被切换至高电平，那么隔离晶体管37被接通，且FD部34和FD部38被连通。也就是说，在隔离晶体管37处于接通状态的同时，由PD31生成的、具有作为FD部34的电荷容量C1和FD部38的电荷容量C2二者的总和的电荷容量的电荷能够被累积起来。另一方面，如果隔离信号FDG被切换至低电平时，那么隔离晶体管37被切断，且FD部34和FD部38彼此断开。在这种情况下，由PD31生成的电荷只被累积于FD部34中。
如上所述，像素12A能够通过控制隔离晶体管37的接通和切断，来改变由PD31生成的电荷要被累积起来的电荷容量。这样，放大晶体管33中的增益能够被改变。因此，例如通过根据高照度时的信号和低照度时的信号来接通和切断隔离晶体管37，像素12A能够实现良好的S/N比(信噪比)，且能够适当地消除复位噪声。
在具有上述结构的像素12A中，如在图2所示的像素12中那样，深沟槽元件隔离区域52使FD部34和FD部38与其他元件隔离，以便能够增大转换效率。
图4中的A是像素12A的结构的平面图，且图4中的B是像素12A的结构的沿着图4的A中所示的点划线L1所截取的截面图。
在像素12A中，例如，深沟槽元件隔离区域52被形成于与FD部34和FD部38相邻的区域中，且浅沟槽元件隔离区域53被形成于除了与FD部34和FD部38相邻的所述区域以外的区域中。也就是说，利用深沟槽元件隔离区域52来实现用于FD部34和FD部38的元件隔离。在下面的说明中，在适当的时候，与FD部34和FD部38相邻的且能够实现元件隔离的区域将被称作区域A，而作为除了区域A以外的区域且能够实现元件隔离的区域被称作区域B。应当注意的是，深沟槽元件隔离区域52和浅沟槽元件隔离区域53是在图4的B中的截面图所示的部分以后被形成的。
现在参照图5和图6，说明具有深沟槽元件隔离区域52和浅沟槽元件隔离区域53的像素12的制造方法。
如图5所示，在第一步骤中，在硅基板41的表面上形成硬掩模层71，所述硬掩模层71具有与抗蚀剂72的反应性及硅基板41的表面中的绝缘膜(未图示)的反应性不同的反应性。SiN(氮化硅)膜、或SiO(氧化硅)膜等被用作硬掩模层71。此后，在硬掩模层71的整个表面上形成抗蚀剂72。
在第二步骤中，执行第一图形化处理，以便形成与其中将要形成有深沟槽元件隔离区域52和浅沟槽元件隔离区域53的区域相应的开口。结果，如图5所示，与区域A和区域B相应的开口81被形成于抗蚀剂72中。
在第三步骤中，执行第一蚀刻，以便在区域A和区域B中形成具有浅沟槽元件隔离区域53的深度的沟槽82。
在第四步骤中，利用灰化处理(ashing)，或者利用稀释的氢氟酸(DHF：DilutedHydrogenFluoride)、用水稀释的硫酸、或用水稀释的氨水等，除去抗蚀剂72和由于处理而残留下来的聚合物。
如图6所示，在第五步骤中，在硅基板41的前表面上形成抗蚀剂73以后，执行第二图形化处理，以便形成与其中将要形成有深沟槽元件隔离区域52的区域相应的开口。结果，与区域A相应的开口83被形成于抗蚀剂73中。
在第六步骤中，执行第二蚀刻，以便在区域A中形成具有深沟槽元件隔离区域52的深度的沟槽84。当第六步骤被执行时，可以同时形成用来将周边电路(未图示)隔离的器件隔离部。
在第七步骤中，利用灰化处理，或者利用稀释的氢氟酸(DHF)、用水稀释的硫酸、或用水稀释的氨水等，除去抗蚀剂73和由于处理而残留下来的聚合物。结果，形成了与各区域(即，具有深沟槽元件隔离区域52的深度的区域A和具有浅沟槽元件隔离区域53的深度的区域B)对应地具有不同深度的沟槽85。
在第八步骤中，用氧化物膜填充沟槽85，且利用化学机械研磨(CMP：ChemicalMechanicalPolishing)执行平坦化处理。以这样的方式，形成了与区域A相应的深沟槽元件隔离区域52，且形成了与区域B相应的浅沟槽元件隔离区域53。此后，除去硬掩模层71。
像素12的随后的制造过程与CIS(CMOS图像传感器：CMOSImageSensor)的传统制造方法的过程相同，且因而制造出具有图2中所示的截面结构的像素12。具有HAD结构的PD31和接触与该PD31相邻的浅沟槽元件隔离区域53-1的部分经受硼离子注入处理以便防止白点(whitedot)的出现。
如上所述，第一蚀刻和第二蚀刻依此顺序而被执行，由此形成了各区域中的具有不同深度的沟槽85。以这样的方式，能够形成浅沟槽元件隔离区域53和深沟槽元件隔离区域52。
现在参照图7，说明像素12的第三示例结构。
图7中所示的像素12B具有与图3中所示的像素12A的电路构造相同的电路构造。图7中的A是像素12B的结构的平面图，且图7中的B是像素12B的结构的沿着图7的A中所示的点划线L2所截取的截面图。
如图7所示，像素12B与图4中的像素12A的相同之处是也具有在FD部34与放大晶体管33之间的深沟槽元件隔离区域52。然而，像素12B与图4中的像素12A的不同之处是：在FD部34与传输晶体管32之间没有形成任何深沟槽元件隔离区域52。
也就是说，如在像素12B中那样，深沟槽元件隔离区域52至少被形成于FD部34与放大晶体管33之间，以便能够增大转换效率。
现在参照图8，说明像素12的变形例。
图8中所示的像素12C与图2中的像素12的不同之处是：图2中所示的像素12中的接触部63-1被接触部63-1A取代，且接触部63-1A的直径小于接触部63-1的直径。接触部63-1A的直径也小于接触部63-2和63-3的直径。像素12C的其他方面与图2中所示的像素12的其他方面相同，且在这里不再重复它们的详细说明。
如图8所示，在像素12C中，较小直径的接触部63-1A被连接至FD部34，以使得能够减小FD部34的电荷容量。因此，放大晶体管33的增益能够增大。
因为接触部63-1A的直径不同于接触部63-2和63-3的直径，所以用于各接触部的蚀刻条件是不同的。因此，在像素12C的制造过程中，接触部63-1A与接触部63-2和63-3是在两个单独的步骤中被形成的。
上述的固体摄像器件11能够被用于各种各样的电子设备中，该电子设备例如是用于数码相机和数码摄影机的摄像系统、具有摄像功能的便携式电话机、以及具有摄像功能的其他设备等。
图9是示出了被安装在电子设备中的摄像装置的示例结构的框图。
如图9所示，摄像装置101包括光学系统102、摄像器件103、信号处理电路104、监视器105和存储器106，且能够拍摄静止图像和运动图像。
光学系统102包括一个或多个透镜，以用于把来自被摄对象的光(入射光)引导到摄像器件103且在摄像器件103的光接收面(传感器部)上形成图像。
包括像素12(各像素都具有上述这些示例结构中的一种示例结构)的固体摄像器件11被用作摄像器件103。在摄像器件103中，在与将要由光学系统102形成于所述光接收面上的图像对应的一段时间内累积电子。然后，与累积于摄像器件103中的电子对应的信号被提供给信号处理电路104。
信号处理电路104对从摄像器件103输出的像素信号执行各种各样的信号处理。通过由信号处理电路104执行的信号处理而获得的图像(图像数据)被提供给监视器105且被显示于监视器105上，或者被提供给存储器106且被存储(记录)于存储器106中。
在具有上述结构的摄像装置101中，能够通过采用上述的固体摄像器件11的结构来增大像素中的转换效率。因此，能够提高低照度性能，且能够形成具有更高灵敏度的图像。
本技术还可以采用下列的技术方案。
(1)一种固体摄像器件，其包括
像素，所述像素至少包括如下的元件：
光电转换部，所述光电转换部被构造成将光转换成电荷；
传输晶体管，所述传输晶体管被构造成传输由所述光电转换部生成的电荷；
浮动扩散区域，所述浮动扩散区域被构造成暂时地累积由所述光电转换部生成的电荷；以及
放大晶体管，所述放大晶体管被构造成将累积于所述浮动扩散区域中的电荷放大，然后输出具有与该电荷相应的电平的像素信号，其中，在所述像素中，利用元件隔离区域来实现用于使构成所述像素的元件相互隔离的元件隔离，所述元件隔离区域包括具有沟槽结构的第一沟槽元件隔离区域和具有沟槽结构的第二沟槽元件隔离区域，在所述浮动扩散区域与所述放大晶体管之间的区域中形成有所述第一沟槽元件隔离区域，且在除了所述浮动扩散区域与所述放大晶体管之间的所述区域以外的区域中形成有所述第二沟槽元件隔离区域，并且
所述第一沟槽元件隔离区域比所述第二沟槽元件隔离区域深。
(2)根据(1)所述的固体摄像器件，其中，所述传输晶体管与所述浮动扩散区域之间的元件隔离是由所述第一沟槽元件隔离区域实现的。
(3)根据(1)或(2)所述的固体摄像器件，其还包括：
复位晶体管，所述复位晶体管被构造成排出累积于所述浮动扩散区域中的电荷；
隔离晶体管，所述隔离晶体管被设置于所述浮动扩散区域与所述复位晶体管之间；和
第二浮动扩散区域，所述第二浮动扩散区域被设置于所述复位晶体管与所述隔离晶体管之间的连接部分处，
其中，所述第二浮动扩散区域的元件隔离是由所述第一沟槽元件隔离区域实现的。
(4)根据(1)到(3)中任一者所述的固体摄像器件，其中，将所述浮动扩散区域连接至配线的接触部的直径小于将用于构成所述像素的其他元件连接至所述配线的接触部的直径。
应当注意的是，这里的实施例并不局限于上述各实施例，且可以在不脱离本发明的范围内对上述各实施例做出各种各样的变形。
附图标记列表
11：固体摄像器件
12：像素
13：阵列部
14：垂直驱动电路
15：列信号处理电路
16：水平驱动电路
17：输出电路
18：控制电路
19：垂直信号线
20：水平信号线
31：PD(光电二极管)
32：传输晶体管
33：放大晶体管
34：FD(浮动扩散)部
35：选择晶体管
36：复位晶体管
52-1和52-2：深沟槽元件隔离区域
53-1至53-3：浅沟槽元件隔离区域

Claims (7)

1.固体摄像器件，其包括：
像素，所述像素至少包括如下的元件：
光电转换部，所述光电转换部被构造成将光转换成电荷；
传输晶体管，所述传输晶体管被构造成传输由所述光电转换部生成的电荷；
浮动扩散区域，所述浮动扩散区域被构造成暂时地累积由所述光电转换部生成的电荷；以及
放大晶体管，所述放大晶体管被构造成将累积于所述浮动扩散区域中的电荷放大，然后输出具有与该电荷相应的电平的像素信号，
其中，在所述像素中，利用元件隔离区域来实现用于使构成所述像素的元件相互隔离的元件隔离，所述元件隔离区域包括具有沟槽结构的第一沟槽元件隔离区域和具有沟槽结构的第二沟槽元件隔离区域，在所述浮动扩散区域与所述放大晶体管之间的区域中形成有所述第一沟槽元件隔离区域，且在除了所述浮动扩散区域与所述放大晶体管之间的所述区域以外的区域中形成有所述第二沟槽元件隔离区域，并且
所述第一沟槽元件隔离区域被形成得比所述第二沟槽元件隔离区域深。
2.根据权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述传输晶体管与所述浮动扩散区域之间的元件隔离是由所述第一沟槽元件隔离区域实现的。
3.根据权利要求1所述的固体摄像器件，其还包括：
复位晶体管，所述复位晶体管被构造成排出累积于所述浮动扩散区域中的电荷；
隔离晶体管，所述隔离晶体管被设置于所述浮动扩散区域与所述复位晶体管之间；和
第二浮动扩散区域，所述第二浮动扩散区域被设置于所述复位晶体管与所述隔离晶体管之间的连接部分处，
其中，所述第二浮动扩散区域的元件隔离是由所述第一沟槽元件隔离区域实现的。
4.根据权利要求1所述的固体摄像器件，其中，用于将所述浮动扩散区域连接至配线的接触部的直径小于用于将构成所述像素的其他元件连接至所述配线的接触部的直径。
5.电子设备，其包括固体摄像器件，所述固体摄像器件包括：
像素，所述像素至少包括如下的元件：
光电转换部，所述光电转换部被构造成将光转换成电荷；
传输晶体管，所述传输晶体管被构造成传输由所述光电转换部生成的电荷；
浮动扩散区域，所述浮动扩散区域被构造成暂时地累积由所述光电转换部生成的电荷；以及
放大晶体管，所述放大晶体管被构造成将累积于所述浮动扩散区域中的电荷放大，然后输出具有与该电荷相应的电平的像素信号，
其中，在所述像素中，利用元件隔离区域来实现用于使构成所述像素的元件相互隔离的元件隔离，所述元件隔离区域包括具有沟槽结构的第一沟槽元件隔离区域和具有沟槽结构的第二沟槽元件隔离区域，在所述浮动扩散区域与所述放大晶体管之间的区域中形成有所述第一沟槽元件隔离区域，且在除了所述浮动扩散区域与所述放大晶体管之间的所述区域以外的区域中形成有所述第二沟槽元件隔离区域，并且
所述第一沟槽元件隔离区域被形成得比所述第二沟槽元件隔离区域深。
6.固体摄像器件制造方法，所述固体摄像器件包括：
像素，所述像素至少包括如下的元件：
光电转换部，所述光电转换部被构造成将光转换成电荷；
传输晶体管，所述传输晶体管被构造成传输由所述光电转换部生成的电荷；
浮动扩散区域，所述浮动扩散区域被构造成暂时地累积由所述
光电转换部生成的电荷；以及
放大晶体管，所述放大晶体管被构造成将累积于所述浮动扩散区域中的电荷放大，然后输出具有与该电荷相应的电平的像素信号，
在所述像素中，利用元件隔离区域来实现用于使构成所述像素的元件相互隔离的元件隔离，所述元件隔离区域包括具有沟槽结构的第一沟槽元件隔离区域和具有沟槽结构的第二沟槽元件隔离区域，在所述浮动扩散区域与所述放大晶体管之间的区域中形成有所述第一沟槽元件隔离区域，且在除了所述浮动扩散区域与所述放大晶体管之间的所述区域以外的区域中形成有所述第二沟槽元件隔离区域，并且
所述第一沟槽元件隔离区域被形成得比所述第二沟槽元件隔离区域深，
所述制造方法包括如下的步骤：
执行第一蚀刻，在将要形成所述第一沟槽元件隔离区域的区域中和将要形成所述第二沟槽元件隔离区域的区域中形成具有所述第二沟槽元件隔离区域的深度的沟槽；及
执行第二蚀刻，在将要形成所述第一沟槽元件隔离区域的所述区域中形成具有所述第一沟槽元件隔离区域的深度的沟槽。
7.固体摄像器件，其包括：
像素，所述像素至少包括如下的元件：
光电转换部，所述光电转换部被构造成将光转换成电荷；
传输晶体管，所述传输晶体管被构造成传输由所述光电转换部生成的电荷；
浮动扩散区域，所述浮动扩散区域被构造成暂时地累积由所述光电转换部生成的电荷；以及
放大晶体管，所述放大晶体管被构造成将累积于所述浮动扩散区域中的电荷放大，然后输出具有与该电荷相应的电平的像素信号，
其中，在所述像素中，利用元件隔离区域来实现用于使构成所述像素的元件相互隔离的元件隔离，所述元件隔离区域包括具有沟槽结构的第一沟槽元件隔离区域和具有沟槽结构的第二沟槽元件隔离区域，在所述浮动扩散区域与所述放大晶体管之间的区域中形成有所述第一沟槽元件隔离区域，且在除了所述浮动扩散区域与所述放大晶体管之间的所述区域以外的区域中形成有所述第二沟槽元件隔离区域，并且
所述第一沟槽元件隔离区域被形成得比所述第二沟槽元件隔离区域深，
所述固体摄像器件是由包括如下的步骤的制造方法制造的：
执行第一蚀刻，在将要形成所述第一沟槽元件隔离区域的区域中和将要形成所述第二沟槽元件隔离区域的区域中形成具有所述第二沟槽元件隔离区域的深度的沟槽；及
执行第二蚀刻，在将要形成所述第一沟槽元件隔离区域的所述区域中形成具有所述第一沟槽元件隔离区域的深度的沟槽。
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