JP2007088309A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007088309A JP2007088309A JP2005276918A JP2005276918A JP2007088309A JP 2007088309 A JP2007088309 A JP 2007088309A JP 2005276918 A JP2005276918 A JP 2005276918A JP 2005276918 A JP2005276918 A JP 2005276918A JP 2007088309 A JP2007088309 A JP 2007088309A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge
- region
- ring
- gate electrode
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 41
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 9
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003530 single readout Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】 全画素で一斉にフォトダイオードを構成する埋め込み領域6から電荷蓄積ゲート電極13下のチャンネルへ、ホール電荷が転送される。続いて、1ラインずつ信号を読み出す直前に、電荷蓄積ゲート電極13の直下のp−型埋め込み層8に保持されている電荷を、リング状ゲート電極12の直下のソース近傍p型領域9に転送し、読み出し動作が始まる。これにより、ソース近傍p型領域9に電荷が保持される時間はごく短時間であり、リング状ゲートMOSFETで発生するリーク電流の影響は非常に小さく、また、画面の位置によってもリーク電流の影響は変わらない。
【選択図】 図2
Description
6、6a、6b、6c、6d p−型埋め込み領域
7、7a、7b n+層
8、8a、8b p−埋め込み層
9 ソース近傍p型領域
10 ドレイン領域
11 ゲート酸化膜
12 リング状ゲート電極
13、13a、13b、13c、13d、24、24a、24b 電荷蓄積用ゲート電極
14、14a、14b、14c、14d、25、25a、25b 電荷転送用ゲート電極
15 ソース領域
17、17a、17b nウェルチャンネル
21、21a、21b リング状ゲートMOSFET
23、23a、23b フォトダイオード
Claims (2)
- 基板上のリング状ゲート電極と、前記リング状ゲート電極の中央開口部に対応する前記基板の位置に設けられたソース領域と、前記ソース領域を取り囲み、かつ、前記リング状ゲート電極の外周に達しないように前記基板に設けられたソース近傍領域とからなり、入力された電荷の量をしきい値電圧の変化として出力する信号出力用トランジスタと、
光を電荷に変換する光電変換領域と、
前記光電変換領域に隣接して設けられ、前記光電変換領域からの前記電荷を蓄積する電荷蓄積手段と、
前記電荷蓄積手段に蓄積された前記電荷を、1ラインずつ信号を読み出す直前に前記信号出力用トランジスタの前記ソース近傍領域へ転送する電荷転送手段と
を含む単位画素が複数配列されており、全画素の前記光電変換領域で変換された前記電荷を一斉に、その光電変換領域に対応して配置された前記電荷蓄積手段に移すことを特徴とする固体撮像装置。 - 基板上のリング状ゲート電極と、前記リング状ゲート電極の中央開口部に対応する前記基板の位置に設けられたソース領域と、前記ソース領域を取り囲み、かつ、前記リング状ゲート電極の外周に達しないように前記基板に設けられたソース近傍領域とからなり、入力された電荷の量をしきい値電圧の変化として出力する信号出力用トランジスタと、
光を電荷に変換する複数の光電変換領域と、
前記複数の光電変換領域に1対1に対応して隣接してそれぞれ設けられ、前記複数の光電変換領域のうち対応する前記光電変換領域からの前記電荷を蓄積する複数の電荷蓄積手段と、
前記複数の電荷蓄積手段に1対1に対応して設けられ、前記複数の電荷蓄積手段に蓄積された前記電荷を、1ラインずつ信号を読み出す直前に共通の前記信号出力用トランジスタの前記ソース近傍領域へ順番に転送する複数の電荷転送手段と
を含む複数の画素単位で規則的に配列されており、全画素の前記光電変換領域で変換された前記電荷を一斉に、その光電変換領域に対応して配置された前記電荷蓄積手段に移すことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005276918A JP4720402B2 (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005276918A JP4720402B2 (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007088309A true JP2007088309A (ja) | 2007-04-05 |
JP4720402B2 JP4720402B2 (ja) | 2011-07-13 |
Family
ID=37974974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005276918A Active JP4720402B2 (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4720402B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011031810A2 (en) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Electronic shutter with photogenerated charge extinguishment capability for back-illuminated image sensors |
US8885065B2 (en) | 2010-06-04 | 2014-11-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light leakage compensating unit image sensors, image sensor arrays including the unit image sensors, and methods for compensating for light leakage of the image sensor arrays |
US10468439B2 (en) | 2015-08-07 | 2019-11-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, ranging apparatus, and information processing system |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11177076A (ja) * | 1997-12-05 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
JP2004349430A (ja) * | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Sharp Corp | 固体撮像素子とその駆動方法 |
JP2005197352A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
JP2006049744A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
-
2005
- 2005-09-22 JP JP2005276918A patent/JP4720402B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11177076A (ja) * | 1997-12-05 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
JP2004349430A (ja) * | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Sharp Corp | 固体撮像素子とその駆動方法 |
JP2005197352A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
JP2006049744A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011031810A2 (en) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Electronic shutter with photogenerated charge extinguishment capability for back-illuminated image sensors |
WO2011031810A3 (en) * | 2009-09-11 | 2011-05-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Electronic shutter with photogenerated charge extinguishment capability for back-illuminated image sensors |
US8885065B2 (en) | 2010-06-04 | 2014-11-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light leakage compensating unit image sensors, image sensor arrays including the unit image sensors, and methods for compensating for light leakage of the image sensor arrays |
US10468439B2 (en) | 2015-08-07 | 2019-11-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, ranging apparatus, and information processing system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4720402B2 (ja) | 2011-07-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7460345B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、および電子機器 | |
US20210335875A1 (en) | Solid-state imaging element, manufacturing method, and electronic device | |
US9961262B2 (en) | Solid-state imaging device having a switchable conversion gain in the floating diffusion, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus | |
JP4752447B2 (ja) | 固体撮像装置およびカメラ | |
JP4455435B2 (ja) | 固体撮像装置及び同固体撮像装置を用いたカメラ | |
US9287305B2 (en) | Global shutter bulk charge modulated device | |
JP6126666B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
JP5688540B2 (ja) | 固体撮像装置およびカメラ | |
WO2015194390A1 (ja) | 固体撮像装置および電子機器 | |
KR102553988B1 (ko) | 고체 촬상 소자 및 촬상 장치 | |
JP6873905B2 (ja) | 固体撮像装置および電子機器 | |
JP2010016056A (ja) | 光電変換装置 | |
JP4720434B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2008004692A (ja) | 固体撮像装置 | |
US20130140442A1 (en) | Amplifying circuit and manufacturing method, solid-state imaging element, and electronic device | |
JP4940607B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラ | |
JP2009026984A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP6711005B2 (ja) | 画素ユニット、及び撮像素子 | |
WO2015170533A1 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び、電子機器 | |
JP4746962B2 (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム | |
JP2005217302A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2007134639A (ja) | 光電変換装置及びそれを用いた撮像素子 | |
JP6043002B1 (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法、電子機器 | |
JP4720402B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US9379160B2 (en) | Solid-state imaging apparatus, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100824 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100826 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101020 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110308 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110321 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4720402 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |