TWI622210B - Positive electrode for lithium sulfur secondary battery and forming method thereof - Google Patents

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Abstract

本發明係提供一種具有能夠確實地以硫覆蓋奈米碳管之集電體附近的部分之功能並且強度亦為優異的鋰硫二次電池用之正極。
鋰硫二次電池用之正極，係具備有：集電體(P)、於集電體表面以將此集電體表面側作為基端而配向於與集電體表面正交的方向之方式所成長的複數根奈米碳管(4)、以及分別覆蓋各奈米碳管之表面的硫(5)，其特徵為，使硫從奈米碳管之成長端側熔融擴散而使各奈米碳管的表面成為以硫覆蓋者，且將奈米碳管之每單位體積的密度設定成使硫熔融擴散後會直至集電體與奈米碳管之基端間的界面為止皆存在硫。進一步具備有覆蓋各奈米碳管之表面的非晶質碳(6)。

Description

鋰硫二次電池用之正極及其形成方法
本發明係關於鋰硫二次電池用之正極及其形成方法。
鋰二次電池係由於具有高能量密度，因此不僅行動電話或個人電腦等之行動機器等，亦擴大適用於油電混合車、電動車、電力儲藏蓄電系統等。其中，將正極活性物質設為硫，將負極活性物質設為鋰，且藉由鋰與硫之反應而進行充放電的鋰硫二次電池係近年來備受矚目。
根據例如專利文獻1可得知：作為此種鋰硫二次電池之正極，係具備有：集電體、於集電體表面以將此集電體表面側作為基端而配向於與集電體表面正交的方向之方式所成長的複數根奈米碳管、以及分別覆蓋各奈米碳管之表面的硫者(一般而言，奈米碳管之每單位體積的密度為0.06g/cm3，硫的重量係設為奈米碳管之重量的0.7~3倍)。若將此正極適用於鋰硫二次電池，則由於電解質係廣範圍地與硫接觸而使硫之利用效率提昇，因此充放電速率特性係為優異，並成為作為鋰硫二次電池之比容量 (每單位重量之硫的放電容量)為大者。
於此，作為以硫來覆蓋各奈米碳管之表面的方法，一般而言，係周知有：將硫載置於奈米碳管之成長端並使其熔融，使熔融後的硫通過奈米碳管彼此間的間隙而擴散至基端側的方法，但於此種方法中，係會有硫僅集中存在於奈米碳管之成長端附近，硫並不會擴散至奈米碳管的基端周邊，而使該部分未被硫所覆蓋，或即使被覆蓋硫的膜厚也會變得極薄的情況，如此一來，係無法得到充放電速率特性優異且比容量為大者。此係因為，熔融後的硫係黏度高，且於奈米碳管彼此間會作用有分子間作用力而使間隙的寬度變窄，因此，熔融後的硫難以在該間隙中朝向下方擴散，而無法有效率地將硫供給至奈米碳管的下端附近之故。
因此，本發明之發明者們屢經努力研究，係發現了下述知識，亦即是：若將每單位體積之奈米碳管的密度設定為相較於上述以往例示者而成為一半以下的密度，則就算是藉由與上述之相同的方法，在使硫作了熔融擴散後亦可有效率地將硫供給至集電體與奈米碳管之基端間的界面。
然而，亦得知了：若將每單位體積之奈米碳管的密度降低，則在從奈米碳管之基端起直到成長端為止之間，附著在奈米碳管表面的硫會局部性地剝離，或硫的密著性會明顯地降低。可以推測到，此係因為：起因於降低奈米碳管的密度，在集電體表面上成長之各奈米碳管的 整體之強度會降低，在使硫熔融擴散時，各奈米碳管會產生熱收縮(變形)之故。於此情況中，若硫局部性地剝離，則該部分便已無法發揮鋰硫二次電池的功能，且，若以硫的密著性有所降低的狀態來收納於電池罐中並作為鋰硫二次電池來加以組裝而進行充放電，則正極之硫活性物質會喪失，其結果，會起因於重複進行充放電而使比容量大幅劣化。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕國際公開第2012/070184號說明書
本發明係有鑑於以上之觀點所進行者，其課題為提供一種具有能夠確實地以硫覆蓋奈米碳管之集電體附近的部分之功能並且強度亦為優異的鋰硫二次電池用之正極及其形成方法。
為了解決上述課題，本發明之鋰硫二次電池用之正極，係具備有：集電體、於集電體表面以將此集電體表面側作為基端而配向於與集電體表面正交的方向之方式所成長的複數根奈米碳管、以及分別覆蓋各奈米碳管之 表面的硫，其特徵為，係設為使硫從奈米碳管之成長端側熔融擴散而以硫覆蓋各奈米碳管的表面者，且將奈米碳管之每單位體積的密度設定成當使硫熔融擴散後會直至集電體與奈米碳管之基端間的界面為止皆存在硫，並且係進一步具備有覆蓋各奈米碳之表面的非晶質碳。
若依據上述構成，則由於係以非晶質碳來覆蓋奈米碳管之表面，因此在集電體表面成長之各奈米碳管的整體性之強度，係即使在從奈米碳管之成長端側而以例如每單位面積0.5MPa的壓力按壓時，亦可使奈米碳管之成長方向的長度之變化量成為10%以下，而成為強度優異者。因此，在使硫從奈米碳管之成長端熔融時的各奈米碳管之收縮量(變形量)係會減少，而可有效地防止在從奈米碳管之基端起直到成長端為止之間的附著在奈米碳管表面的硫局部性地剝離或硫的密著性明顯地降低的情形。於此情況中，由於係使密度降低，因此硫會通過奈米碳管彼此間的間隙而一直擴散至基端側，並以特定的膜厚度之硫來從成長端起遍及基端而確實地覆蓋非晶質碳，乃至於奈米碳管之表面。
另外，於本發明中，較理想，密度係設為0.025g/cm3以下之可得到特定的比容量之範圍，密度之下限，係考慮實用性等而較理想為0.010g/cm3以上。
又，為了解決上述課題，本發明之鋰硫二次電池用正極之形成方法，其特徵為，係包含有：於基體的表面形成觸媒層，且於觸媒層表面以將此觸媒層表面側作 為基端而配向於與觸媒層表面正交的方向之方式使複數根奈米碳管成長的成長工程、以及使硫從前述奈米碳管之成長端側熔融擴散而以硫覆蓋各奈米碳管之表面的被覆工程，成長工程係包含：使用將包含烴氣體與稀釋氣體者作為原料氣體之CVD法，並將烴氣體設定為第1濃度而使奈米碳管成長的第1工程、以及將烴氣體設定為高於第1濃度之第2濃度而以非晶質碳覆蓋各奈米碳管之表面的第2工程。
若依據上述構成，則例如係可僅藉由改變原料氣體的濃度(流量)，而以單一的成膜室來連續實施使奈米碳管成長之工程以及將烴氣體設定為高於第1濃度之第2濃度來以非晶質碳覆蓋各奈米碳管的表面之工程，而可提昇用以製作正極之生產性。
於此情況中，前述烴氣體，係只要設為由乙炔、乙烯、甲烷之中所選出者即可，此外，只要前述第1濃度為0.1%~1%之範圍，第2濃度為2%~10%之範圍即可。
BT‧‧‧鋰硫二次電池
P‧‧‧正極
P1‧‧‧集電體
1‧‧‧基體
3‧‧‧觸媒層
4‧‧‧奈米碳管
5‧‧‧硫
6‧‧‧非晶質碳
〔第1圖〕係模式性展示本發明之實施形態的鋰硫二次電池之構造的剖面圖。
〔第2圖〕係模式性展示本發明之實施形態的鋰硫二次電池用之正極的剖面圖。
〔第3圖〕(a)~(c)係說明本發明之實施形態的鋰硫二次電池用之正極之形成順序的圖。
〔第4圖〕係為對於藉由CVD法實施奈米碳管之成長與以非晶質碳所進行之被覆時的溫度與氣體濃度之控制作說明的圖表。
〔第5圖〕(a)及(b)係為為了展示本發明之效果所製作的試料1、試料2之奈米碳管的剖面SEM照片。
〔第6圖〕(a)及(b)係為對於為了展示本發明之效果所製作的試料1、試料2之充放電特性作展示的圖表。
以下，參照附圖來說明本發明之鋰硫二次電池用之正極及其形成方法之實施形態。參照第1圖，鋰硫二次電池BT，係主要具備有：正極P、負極N、配置於此等正極P與負極N之間的間隔物S、以及在正極P與負極N之間具有鋰離子(Li+)之導電性的電解質(未圖示)，且收納於未圖示之電罐中所構成。作為負極N，例如，可使用Li、Li與Al或In等之合金，或摻雜有鋰離子之Si、SiO、Sn、SnO2或者硬碳。作為電解質，例如，可使用由四氫呋喃甘醇二甲醚、二甘醇二甲醚、三甘醇二甲醚、四甘醇二甲醚等之醚系電解液、碳酸二乙酯、碳酸丙烯酯等之酯系電解液當中所選出的至少1種，或者於由此等當中所選出的至少1種(例如甘醇二甲醚、二甘醇二 甲醚或四甘醇二甲醚)混合有用以黏度調整之二者。除了正極P以外之其他構成要素，由於係可利用周知者，因而在此係省略詳細的說明。
正極P，係由集電體P1與形成於集電體P1表面的正極活性物質層P2所構成。集電體P1，係如第2圖所示般，例如具備有：基體1、於基體1之表面上以4~100nm之膜厚所形成的底膜(亦稱為「阻隔膜」)2、以及於底膜2之表面上以0.2~5nm之膜厚所形成的觸媒層3。作為基體1，例如，係可使用由Ni、Cu或Pt所成的金屬箔。底膜2，係為用以提昇基體1與後述之奈米碳管間的密著性者，例如，係以由Al、Ti、V、Ta、Mo及W所選出的至少1種之金屬或該金屬之氮化物所構成。觸媒層3，例如，係以由Ni、Fe或Co所選出的至少1種之金屬或此等之合金所構成。底膜2與觸媒層3，例如，係可使用周知的電子束蒸鍍法、濺鍍法、使用有包含觸媒金屬的化合物之溶液的浸漬法而形成。此外，底膜2之膜厚，較理想係設為觸媒層3的20倍以上之膜厚。此係為了使奈米碳管4之密度降低之故。
亦即是，當如同後述一般藉由CVD法來使奈米碳管4成長時，觸媒層3雖會形成成為奈米碳管4的成長之核之微粒子，但同時亦會與底層2進行合金化。於此情況，若於觸媒層3與底層2之間以觸媒層的1/5~1/2之範圍的厚度形成助觸媒層，則奈米碳管4的密度會提昇，此乃眾所周知。因此，若與此相反地設置觸媒層3的20 倍以上之膜厚的底層2，則能夠使微粒子密度減少，而成為能夠使奈米碳管4以低密度成長。
正極活性物質層P2，係由在集電體P1表面以將此集電體P1表面側作為基端而配向於與集電體P1表面正交的方向之方式所成長的複數根奈米碳管4、以及分別覆蓋各奈米碳管4之表面的硫5，所構成者。於此情況，於奈米碳管4彼此之間係存在特定的間隙S1，電解質(液)係成為流入此間隙S1。作為奈米碳管4之成長方法(成長工程)，係使用有將包含烴氣體與稀釋氣體者作為原料氣體之熱CVD法、電漿CVD法、熱燈絲CVD法等的CVD法。另一方面，作為以硫5來分別覆蓋奈米碳管4之表面的方法(被覆工程)，係於奈米碳管4之成長端，撒布顆粒狀的硫51，並加熱至硫51之熔點(113℃)以上使硫51熔融，而使熔融後的硫51通過奈米碳管4彼此間的間隙S1並一直擴散至基端側。
另外，為了使熔融後的硫51通過奈米碳管4彼此間的間隙並確實地一直擴散至基端側，係只要將每單位體積之奈米碳管4的密度設定為較低即可，但是，如此一來，各奈米碳管4之整體性的強度係會降低。因而，有必要避免分別覆蓋各奈米碳管4的硫5之局部性的剝離或者是硫51的密著性之降低。因此，於本實施形態中，係在使硫5擴散之前，先以非晶質碳6來覆蓋奈米碳管4的表面。以下，參照第3圖及第4圖，對於本實施形態之鋰硫二次電池用正極之形成方法作說明。
以上述順序，於基體1表面形成底膜2，於底膜2表面形成觸媒層3而製作集電體P1(參照第1圖(a))。接著，作為成長工程，係將上述集電體P1設置於圖外之CVD裝置的區劃出成膜室之真空腔室內並進行加熱，將包含烴氣體與稀釋氣體的原料氣體導入至成膜室內，而藉由熱CVD法使奈米碳管4成長(第1工程)，接著，以同一溫度來作加熱保持，同時使原料氣體中之烴氣體的濃度增加，而以非晶質碳6覆蓋各奈米碳管4的表面(第2工程)。於此情況，原料氣體，係在100Pa~大氣壓的作動壓力下被供給至成膜室內，集電體P1，係被加熱、保持在600~800℃之範圍內的溫度，例如700℃。
作為烴氣體，例如係可使用甲烷、乙烯、乙炔等，作為稀釋氣體，係可使用氮、氬或氫等。又，於第1工程中，原料氣體的流量，係因應成膜室內之容積或集電體P1之供奈米碳管4成長的面積等而設定為100~5000sccm之範圍。此時，原料氣體中之烴氣體的濃度，係設定為0.1%~1%之範圍，並構成為若成膜室到達特定溫度(例如，500℃)則會被導入。接著，在使奈米碳管4成長至特定的長度之後，於第2工程中，係將原料氣體之流量設定成與上述第1工程同一流量，並將此時之原料氣體中的烴氣體之濃度變更為2%~10%之範圍。
藉由此，於第1工程中，於集電體P1之表面，複數根奈米碳管4會以0.025g/cm3以下之密度配向於與集電體P1之表面正交的方向而成長(於此情況中，長 度係成為100~1000μm之範圍，直徑係成為5~50nm之範圍)。於第2工程中，各奈米碳管4之表面，係從基端起直到成長端為止遍及其全長地被非晶質碳6所覆蓋(參照第3圖(b))。在此情況，於第1工程中，若原料氣體中之烴氣體的濃度落在0.1%~1%之範圍以外，則無法使奈米碳管4以上述密度成長，又，於第2工程中，當濃度低於2%時，係無法遍及其全長地以非晶質碳6來確實地覆蓋各奈米碳管4之表面，另一方面，若超過10%，則爐內會被起因於過剩的烴之分解所產生的焦油狀之生成物所污染，而變得難以進行連續性之生產。
接著，作為被覆工程，係於集電體P1使複數根奈米碳管4成長，並以非晶質碳6覆蓋各奈米碳管4之表面，之後，遍及奈米碳管4所成長的區域整體地，從其上方撒布具有1~100μm之範圍的粒徑之顆粒狀的硫51。硫51的重量，係只要設定為奈米碳管4之重量的0.2倍~10倍即可。若少於0.2倍，則奈米碳管4之各表面係無法藉由硫而均勻地覆蓋，若多於10倍，則會使硫5一直被填充至相鄰接的奈米碳管4彼此間之間隙中。
之後，將正極集電體P1設置於圖外的加熱爐內，加熱至硫的熔點以上之120~180℃的溫度而使硫51熔融。於此情況，由於係將各奈米碳管4之每單位體積的密度設為0.025g/cm3以下，因此熔融後的硫51會流入奈米碳管4彼此間的間隙而確實地一直擴散至奈米碳管之基端為止，且奈米碳管4乃至於非晶質碳6的表面係遍及整 體地被以1~3nm之厚度的硫5所覆蓋，而成為於相鄰接的奈米碳管4彼此間存在有間隙S1(參照第2圖)。另外，若在空氣中進行加熱，則由於熔融後的硫會與空氣中的水分產生反應而生成二氧化硫，因此較理想為在N2、Ar或He等之惰性氣體環境中或者真空中進行加熱。
若依據以上之實施形態的正極P，則由於係以非晶質碳6覆蓋奈米碳管4之表面，因此在集電體P1表面成長之各奈米碳管4的整體性之強度，係就算是在從奈米碳管4之成長端側以例如每單位面積0.5MPa的壓力按壓時，亦可使奈米碳管4之成長方向的長度之變化量成為10%以下，而成為強度優異者。故而，如同上述一般，在使硫熔融時的各奈米碳管4之收縮量(變形量)係會減少，而可有效地防止在從奈米碳管4之基端起直到成長端為止之間所附著於奈米碳管4表面上的硫之局部性地剝離或者是硫的密著性明顯地降低的情形。又，可僅藉由改變原料氣體的濃度(流量)，而以單一的成膜室來連續實施使奈米碳管4成長之工程(第1工程)以及將烴氣體設定為高於第1濃度之第2濃度來以非晶質碳6覆蓋各奈米碳管4的表面之工程(第2工程)，而可提昇用以製作正極P之生產性。
若使用如同上述一般所製作的正極P來組裝鋰硫二次電池BT，則由於奈米碳管4之各者之表面整體係被硫5所覆蓋，因此可使硫5與奈米碳管4以廣範圍作接觸，而充分地進行對硫5之電子供給。此時，若將電解 液供給至相鄰接的奈米碳管4彼此間的間隙S1中，則硫5與電解液係以廣範圍相互接觸，而更加提高硫5之利用效率，與上述之可對硫進行充分的電子供給一事相輔相成地，係可得到特別高之速率特性，比容量亦可更進一步提昇。此外，由於在放電時由硫5所產生的多硫化陰離子會被奈米碳管4所吸附，因此可抑制朝向電解液之多硫化陰離子的擴散，充放電之循環特性亦佳。
接著，為了確認本發明之效果而進行了接下來的實驗。於第1實驗中，係將基體1設為厚度0.020mm之Ni箔，於此Ni箔表面上藉由電子束蒸鍍法形成膜厚50nm之作為底膜2的Al膜，於底膜2表面上藉由電子束蒸鍍法形成膜厚1nm之作為觸媒層3的Fe膜，而得到集電體P1。接著，載置於熱CVD裝置之處理室內，將乙炔2sccm與氮998sccm供給至處理室內(第1濃度為0.2%)，並將作動壓力設定為1大氣壓、將加熱溫度設定為700℃，而以30分鐘之成長時間，使奈米碳管4於集電體P1表面成長。此時，各奈米碳管之平均長度為約800μm，且每單位體積之平均密度為約0.025g/cm3。接著，在經過30分鐘之成長時間後，將乙炔500sccm與氮950sccm供給至處理室內(第2濃度為5%)，以10分鐘的時間，來將在集電體P1表面成長的奈米碳管4之表面以非晶質碳6作覆蓋，將此設為試料1。另外，作為比較實驗，係在與上述相同條件下，使奈米碳管4成長，並得到未以非晶質碳6覆蓋其表面者，將此作為試料2。
第5圖(a)及第5圖(b)，係為對於上述試料1、試料2而以每單位面積之0.5MPa的壓力來從奈米碳管4之成長端側作了按壓後的SEM影像。若依據此，則可得知，於試料2中，係因密度降低而使強度降低，各奈米碳管4係被壓縮(參照第5圖(b))。相對於此，係可確認到：於試料1中，藉由以非晶質碳6作覆蓋，各奈米碳管4幾乎未被壓縮，奈米碳管之成長方向的長度幾乎沒有變化(變化量為10%以下)。
接著，對於試料1、試料2，遍及奈米碳管所成長的區域整體地配置顆粒狀的硫51，並在Ar環境下以120℃進行加熱5分鐘。於加熱後，以180℃進行退火30分鐘，於奈米碳管4內亦填充硫5而得到正極P。另外，奈米碳管4與硫5之最終的重量比為3：2，硫的重量為15mg。
第6圖(a)及第6圖(b)，係為展示將試料1、試料2作為鋰硫二次電池而組裝後，重複進行複數次充放電後之充放電的循環特性之圖表。若依據此，則可以得知，於試料2中，係每當充放電的次數增加(30次)時，充放電容量皆會有所降低(參照第6圖(b))。此乃起因於硫之對於奈米碳管的密著性為差，硫會一直溶出至從正極而遠離的電解液處，而使活性物質喪失，所導致者。相對於此，可以得知，於試料1中，即使充放電的次數增加，放電容量的降低比率亦為小，即使重複進行180次之充放電，亦仍有1000mAhg-1之放電容 量，充放電效率亦為85%(參照第6圖(a))。可以推測到，此係因為藉由以非晶質碳覆蓋奈米碳管，而具有強度之故。
以上，雖針對本發明之實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述構成。於上述實施形態中，雖以使奈米碳管直接在觸媒層3的表面成長之情況為例進行了說明，但亦可使奈米碳管配向並成長於其他觸媒層的表面，再將此奈米碳管轉印於觸媒層3的表面。此外，於上述實施形態中，雖以將第1工程與第2工程在同一個成膜室內實施者為例來進行了說明，但亦可在不同的成膜室內進行，此時，亦能夠變更氣體種類。
進而，於上述實施形態中，雖僅將奈米碳管4之各個的表面以硫5作覆蓋，但若亦於奈米碳管4之各者的內部填充硫，則可藉由進一步增加於正極P中之硫的量，而更進一步增加比容量。於此情況，於配置硫之前，例如，係藉由在大氣中以500~600℃之溫度進行熱處理，而於奈米碳管之各者的前端形成開口部。接著，與上述實施形態相同地，遍及奈米碳管成長的區域整體地配置硫並使其熔融。藉由此，奈米碳管之各者的表面會被硫所覆蓋，同時透過此開口部硫亦被填充於奈米碳管之各者的內部。硫的重量，較理想係設定為奈米碳管之重量的5倍~20倍。
作為將硫填充於奈米碳管內部的其他方法，係在加熱爐使硫熔融，並以硫5覆蓋奈米碳管4之各者的 表面，之後，使用同一加熱爐，以集電體金屬與硫不會產生反應之200~250℃之範圍內的溫度進一步進行退火。藉由此退火，而使硫從奈米碳管4表面浸透至內部，而將硫5填充於奈米碳管4之各者的內部。

Claims (5)

  1. 一種鋰硫二次電池用之正極，其係具備有：集電體、於集電體表面以將此集電體表面側作為基端而配向於與集電體表面正交的方向之方式所成長的複數根奈米碳管、以及分別覆蓋各奈米碳管之表面的硫，其特徵為：使硫從奈米碳管之成長端側熔融擴散而使各奈米碳管的表面成為以硫覆蓋者，且將奈米碳管之每單位體積的密度設定成在使硫熔融擴散後會直至集電體與奈米碳管之基端間的界面為止皆存在硫，各奈米碳管之表面，係從基端起直到成長端為止而被非晶質碳所覆蓋。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之鋰硫二次電池用之正極，其中，前述密度，係為0.025g/cm3以下，且為可得到特定的比容量之範圍。
  3. 一種鋰硫二次電池用正極之形成方法，其特徵為，係包含有：於基體的表面形成觸媒層，且於觸媒層表面以將此觸媒層表面側作為基端而配向於與觸媒層表面正交的方向之方式使複數根奈米碳管成長的成長工程、以及使硫從前述奈米碳管之成長端側熔融擴散而使各奈米碳管之表面成為以硫覆蓋的被覆工程，成長工程係包含：使用將包含烴氣體與稀釋氣體者作為原料氣體之CVD法，並將烴氣體設定為第1濃度而使奈米碳管成長的第1工程、以及將烴氣體設定為高於第1濃度之第2濃度而以非晶質碳覆蓋各奈米碳管之表面的第 2工程。
  4. 如申請專利範圍第3項所記載之鋰硫二次電池用之正極之形成方法，其中，前述烴氣體，係由乙炔、乙烯、甲烷之中所選出者。
  5. 如申請專利範圍第3項或第4項所記載之鋰硫二次電池用之正極之形成方法，其中，前述第1濃度為0.1%~1%之範圍，第2濃度為2%~10%之範圍。
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