TWI612168B

TWI612168B - 成膜裝置

Info

Publication number: TWI612168B
Application number: TW106111677A
Authority: TW
Inventors: 大野哲宏; 佐藤優; 中島鉄兵
Original assignee: 愛發科股份有限公司
Priority date: 2012-10-18
Filing date: 2013-06-27
Publication date: 2018-01-21
Also published as: TWI596223B; JP2017082342A; JP6246961B2; TW201726962A; JP2014098205A; JP6196078B2; TW201416468A

Description

成膜裝置

本發明揭露的技術是關於一種將包含膜形成材料的粒子向基板放出，形成膜於基板的成膜裝置。

在平面顯示器之一的有機電激發光顯示器，具備有機發光元件與薄膜電晶體的許多像素被形成，各像素連接於從驅動電路延伸的配線。構成各像素的各種膜及配線，是由成膜裝置(蒸鍍裝置或濺鍍裝置)所形成(例如專利文獻1以及專利文獻2)。

【先前技術文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】特開2008-274366號公報

【專利文獻2】特開2012-174609號公報

【發明所欲解決的問題】

在以濺鍍裝置形成膜的狀況下，由於具有高能量的濺鍍粒子到達基板，所以膜會堆積於基板上。因此，由於衝突的濺鍍粒子的能量傳達至基板，基板溫度會升高。又，在以蒸鍍裝置形成膜的狀況下，由於以加熱蒸發的材料到達基板，所以膜會堆積於基板上。因此，與濺鍍裝置一樣，由於蒸發的材料的能量傳達至基板，且蒸鍍源本身的能量傳達至基板，所以基板溫度會升高。此類基板溫度上升，迫使提高基板的耐熱性或成膜條件的變更等，所以在上述成膜裝置需要冷卻基板的技術。

本發明揭露的技術，提供一種成膜裝置，可抑制基板溫度升高。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的一態樣，具備：成膜部，將包含膜形成材料的粒子向基板放出；冷卻部，將冷卻部件冷卻；以及配置部，將前述基板配置成從前述冷卻部件分離並面對前述冷卻部件。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的一態樣，由於冷卻部所冷卻的冷卻部件與基板彼此面對，所以基板溫度升高的狀況會被抑制。在此時，基板與冷卻部件不會相互接觸，所以在基板被冷卻時，因基板與冷卻部件的接觸在基板產生皸裂或缺口也會被抑制。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，更具備：真空槽，收納前述冷卻部件。然後，前述冷卻部係在前述真空槽內所包含的氣體的前述冷卻部件溫度的蒸氣壓比前述真空槽內的壓力更高的溫度下冷卻前述冷卻部件。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，其中冷卻部件的溫度係將在其冷卻部件的溫度下的氣體蒸氣壓設定成比真空槽內更高的值。因此，真空槽內的氣體難以附著於冷卻部件。結果，真空槽內的氣體對冷卻部件的附著被抑制，所以不僅是在真空槽內的氣體狀態，連以冷卻部件進行的冷卻程度也會難以改變。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，其中前述冷卻部，將前述冷卻部件的溫度設定在100K以上未滿273K。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，相較於冷卻部件的溫度設定在273K以上的結構，成膜對象容易被冷卻。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，其中前述氣體包含氬氣，前述冷卻部將前述冷卻部件的溫度設定在100K以上250K以下。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，由於冷卻部件的溫度設定在100K以上250K以下，吸附到冷卻部件的氬氣更確實地被抑制。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，其中前述冷卻部用氣體的絕熱膨脹來冷卻前述冷卻部件。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，例如，相較於以冷卻水等液狀冷媒來冷卻冷卻部件的結構，避免了因此類冷媒在成膜裝置內漏出導致污染成膜裝置的狀況。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，包含：黑色部分，係前述冷卻部件中面對前述基板的表面。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，由於冷卻部件的表面為黑色，所以相較於冷卻部件的表面為例如白色等比黑色的輻射率更低的顏色的結構，從冷卻部件向著基板的熱反射會被抑制。故基板溫度升高的狀況會更加被抑制。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，其中前述冷卻部件係被前述冷卻部所冷卻的複數個冷卻部件之一，前述複數個冷卻部件配置成面對配置於前述配置部的前述基板的不同部分。

根據在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，複數個冷卻部件面對在基板的彼此相異部分，所以相較於一個冷卻部件面對在基板的一部分的結構，在基板面內基板冷卻程度的偏差會被抑制。結果基板面內溫度的偏差被抑制。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，更具備：移位部，改變對於前述基板的前述冷卻裝置的位置。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，相較於對基板固定冷卻部件的結構，可以在基板擴大冷卻範圍。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，其中前述移位部改變前述基板與前述冷卻部件之間的距離。

根據在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，由於變更冷卻部件與基板之間的距離，可以調節以冷卻部件冷卻基板的程度。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，其中前述移位部可以使前述冷卻部件移動至不同的複數個位置，在前述冷卻部件的位置被變更前後，前述基板與前述冷卻部件之間的距離是相同的。

根據在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，即使改變對於基板的冷卻部件的位置，由於基板與冷卻部件之間的距離沒有改變，以冷卻部件進行基板冷卻的程度也不會改變。故，相較於基板與冷卻部件之間的距離會改變的結構，在基板以冷卻部件進行冷卻的程度偏差會被抑制。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，其中前述成膜部用電漿將前述膜形成材料放出至前述基板，前述基板被暴露於前述電漿。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，即使在基板暴露於前述電漿的狀況，基板溫度升高的狀況會被抑制。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，其中前述成膜部藉由使前述膜形成材料蒸發，將前述形成材料放出至前述基板。

根據在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，即使以加熱蒸發的形成材料向基板放出，基板溫度升高的狀況會被抑制。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，更具備：氣體供給部，對於前述冷卻部件，將氣體供給至配置前述基板側。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，除了以冷卻部進行冷卻之外，還進行氣體與基板之間的熱交換，所以在冷卻部的驅動狀態為相同的前提下，以氣體進行熱交換的程度，基板溫度難以變得更高。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，更具備：真空槽，收納前述成膜部與前述冷卻部件，前述成膜部與前述冷卻部件被配置在彼此相面對的位置，前述配置部將前述基板配置於前述成膜部與前述冷卻部件之間。

根據在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，成膜部形成膜於基板時，基板溫度升高的狀況會被抑制。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，其中前述配置部係配置前述基板的兩個配置部之一，前述成膜裝置更具備：冷卻部件移位部，沿著移位方向改變前述冷卻部件的位置，前述成膜部與前述兩個配置部沿著前述移位方向以此順序並列，在前述兩個配置部之中，靠近前述成膜部的配置部為第一配置部，遠離前述成膜部的配置部是第二配置部，前述冷卻部件移位部係在前述移位方向的前述第一配置部與前述第二配置部之間的位置的第一位置，與在前述移位方向比前述第二配置部離前述成膜部更遠的第二位置之間，改變前述冷卻部件的位置，前述第一配置部在配置前述基板的狀態下，使前述冷卻部件位於前述第一位置，前述第二配置部在配置前述基板的狀態下，使前述冷卻部件位於前述第二位置。

根據在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，冷卻部件可冷卻配置於第一配置部的基板與配置於第二配置部的基板兩者。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，具備：第一真空槽，收納前述成膜部；以及第二真空槽，收納前述冷卻部件。

在本發明揭露的技術的成膜裝置的其他態樣，在成膜部形成膜於基板前或成膜部形成膜於基板後，可以降低基板溫度。

10‧‧‧配置部

11‧‧‧基板旋轉軸

11D‧‧‧基板馬達驅動電路

11M‧‧‧基板馬達

12‧‧‧基板台

12a‧‧‧銷孔

20‧‧‧成膜部

21‧‧‧靶材

22‧‧‧背板

23‧‧‧靶材電源

24‧‧‧濺鍍氣體供給部

24D‧‧‧供給部驅動電路

30‧‧‧冷卻機構

31‧‧‧低溫泵

31D‧‧‧泵驅動電路

32‧‧‧連接部件

33‧‧‧冷卻部件

33b‧‧‧背面

33f‧‧‧表面

33h‧‧‧冷卻氣體供給孔

34‧‧‧冷卻旋轉軸

34D‧‧‧冷卻馬達驅動電路

34M‧‧‧冷卻馬達

35‧‧‧冷卻氣體供給部

35a‧‧‧冷卻氣體配管

35D‧‧‧冷卻氣體供給部驅動電路

41‧‧‧冷卻層

42‧‧‧緩衝層

43‧‧‧黑色層

50、70‧‧‧濺鍍裝置

50a‧‧‧成膜通道

50b‧‧‧回收通道

50C、70C‧‧‧控制裝置

51、72‧‧‧搬出入室

52、73‧‧‧前處理室

53、74‧‧‧第一濺鍍室

53a、74a‧‧‧真空槽

53b、74c‧‧‧成膜側側壁

53c‧‧‧排氣側側壁

53h‧‧‧冷卻孔

54、75‧‧‧第二濺鍍室

55、74g‧‧‧閘閥

56‧‧‧排氣部

56D‧‧‧排氣部驅動電路

60D‧‧‧馬達驅動電路

60M‧‧‧移位馬達

61‧‧‧伸縮囊

62‧‧‧移位軌道

63‧‧‧移位軸

70‧‧‧濺鍍裝置

71‧‧‧搬送室

71R‧‧‧搬送自動機

74b‧‧‧搬送側側壁

74d‧‧‧上壁

76‧‧‧第三濺鍍室

81‧‧‧升降板

82‧‧‧升降銷

FM‧‧‧形成材料

G‧‧‧冷卻氣體

S‧‧‧基板

Sb‧‧‧背面

Sf‧‧‧表面

T‧‧‧托架

第一圖係表示在本發明揭露的技術的一實施形態的成膜裝置的裝置結構的方塊圖。

第二圖係擴大表示在一實施形態的成膜裝置所具備的冷卻部件與連接部件的剖面結構的一部份的擴大部分剖面圖。

第三圖係一起表示將成膜裝置的一例的濺鍍裝置的整體結構收納於成膜裝置的基板的方塊圖。

第四圖係表示濺鍍裝置所具備的第一濺鍍室的內部結構的方塊圖。

第五圖係表示濺鍍裝置的電結構的方塊圖。

第六圖係表示冷卻部件移動狀態的作用圖。

第七圖係表示冷卻部件移動狀態的作用圖。

第八圖係表示將成膜裝置的一例的叢集型(cluster type)濺鍍裝置的整體結構的方塊圖。

第九圖係表示濺鍍裝置所具備的第一濺鍍室的內部結構的方塊圖。

第十圖係表示濺鍍裝置的電結構的方塊圖。

第十一圖係表示冷卻部件與基板台移動狀態的作用圖。

第十二圖係表示實施例以及比較例的基板溫度的轉變圖。

第十三圖係概略表示變形例的成膜裝置的冷卻部的方塊圖。

第十四圖係表示變形例的濺鍍裝置的電結構的方塊圖。

[成膜裝置的結構]

參照第一圖及第二圖來說明一實施形態的成膜裝置的結構。

如第一圖所示，成膜裝置具備：配置部10，將成板狀的基板S配置於成膜裝置內；以及成膜部20，將膜形成材料FM放出至基板S 的表面Sf。基板S微粒如向著紙面前方延伸的矩形狀的玻璃基板，此類基板S的寬度是沿著紙面上下方向為2200mm，向著紙面前方側為2500mm。基板S不限於玻璃基板，也可以是陶瓷基板或金屬基板。又，基板S的形狀不限於矩形狀，可以是圓板狀，也可以是片狀，基板S的大小也可以比前述大小更大，也可以更小。在基板S，構成基板S的複數個面之中，接受膜形成材料的面被設定為基板S的表面Sf，在基板S與表面Sf相反側的面被設定為背面Sb。

配置部10藉由基板S與一處或複數處接觸，將基板S配置成在離開成膜部20的位置面對成膜部20。成膜部20也可以從大致平行於基板S的表面SF的方向供給形成材料，也可以從表面Sf的鉛直方向供給形成材料。成膜部20可以是例如以靶材的濺鍍使膜形成材料FM堆積於基板S的結構，也可以是以加熱並蒸發形成材料FM使膜形成材料FM蒸鍍於基板S的結構。

在成膜裝置，冷卻基板S的冷卻機構30，在離開基板S的背面Sb的位置，面對基板S的背面Sb。冷卻機構30具備：做為冷卻部的低溫泵(cryopump)31；冷卻部件33，成為在紙面前方側延伸的矩形板狀並配置於離開基板S的背面Sb的位置；以及連接部件32，將這些低溫泵31與冷卻部件33連接。連接部件32的一端，連接於低溫泵31的冷卻面，連接部件32的另一端，連接於冷卻部見33的背面。連接部件32的形成材料，具有適合將冷卻部件33的熱傳達至低溫泵31的冷卻面的高熱傳導性，由例如銅等金屬所構成。

冷卻機構30以用氣體的絕熱膨脹的低溫泵31，經由連接部件32冷卻冷卻部件33。也就是說，由於冷卻部件33的冷卻源(低溫泵31)的冷卻面被氣體的絕熱膨脹所冷卻，經由固體結構物的連接部件32冷卻冷卻部件33。因此，例如相較於冷卻水等液體冷媒通過冷卻部件33來冷卻冷卻部件33的結構，此類冷媒會因在成膜裝置內漏出污染成膜裝置會被抑制。又，冷卻部件33配置成與基板S的背面Sb分離，所以相較於冷卻部件33與基板S的背面Sb接觸的結構，因基板S與冷卻部件33的接觸受傷，產生皸裂或缺口會被抑制。

但是，冷卻機構30也可以是將液狀冷媒通過冷卻部件33來冷卻冷卻部件33的結構。冷卻機構30包含：冷媒冷卻部，將冷媒冷卻；以及循環部，使冷媒在冷卻機構30內循環。冷媒係使用例如氟系溶液(即HFC系溶液)、乙二醇溶液及冷卻水等。

在使用氟系溶液的狀況，冷卻部件33的溫度被設定在例如253K以上313K以下，較佳為253K以上未滿273K。氟系溶液係使用例如Fluorinert(註冊商標)FC-3283(3M公司製造)以及Galden(註冊商標)HT135(Solvay Solexis公司製造)。在使用乙二醇溶液的狀況下，冷卻部件33的溫度被設定在例如253K以上363K以下，較佳為253K以上未滿273K。因為冷卻部件33的溫度被設定在未滿273K，相較於以使用例如水做為冷媒來設定冷卻部件33的溫度在273K以上的結構，基板S會容易被冷卻。

如第二圖所示，冷卻部件33是由冷卻層41、緩衝層42以及黑色層43的順序積層的多層結構而成，冷卻層41構成冷卻部件33的背面33b，黑色層43構成冷卻部件33的表面33f。

冷卻層41的形成材料，較佳為容易傳達連接部件32溫度的材料，例如銅等金屬為較佳。緩衝層42是抑制黑色層43從冷卻層41剝離的層，緩衝層42的形成材料的熱膨脹係數，在冷卻層41的熱膨脹係數與黑色層43的熱膨脹係數之間為較佳。緩衝層42的形成材料較佳為例如鎳。黑色層43相較於冷卻部件33的其他層，是由輻射率高的材料所形成，黑色層43的形成材料的輻射率較佳為0.8以上1以下。又，黑色層43整體也可以不由輻射率高的材料所形成，至少冷卻部件33的表面33f可以由輻射率高的材料所形成。黑色層43的形成材料較佳為例如在表面具有陽極氧化膜的鋁或碳。

與基板S的背面Sb相面對的冷卻部件33的表面33f為黑色層43，所以相較於冷卻部件33的表面為輻射率更低的顏色的結構，可以將從冷卻部件33的表面33f向基板S的背面Sb反射的熱變小。故可以更加抑制基板S的溫度升高。

〔濺鍍裝置的結構〕

參照第三~七圖來說明做為成膜裝置的一例的濺鍍裝置的結構。

如第三圖所示，在濺鍍裝置50，搬出入室51、前處理室52、第一濺鍍室53以及第二濺鍍室54被連接成一列，在真空槽(各處理室)之間安裝有閘閥55。

搬出入室51將成膜前的基板S從濺鍍裝置50的外部搬入，將成膜後的基板S搬出至濺鍍裝置50的外部。前處理室52具備：排氣部56，將前處理室52內排氣；以及冷卻機構30，在成膜前的基板S進行特定的前處理，例如加熱處理或洗淨處理。由於前處理室52具備冷卻機構30，在不進行對於基板S的成膜處理時也可以冷卻基板S。前處理室52也可以不具備冷卻機構30。

在第一濺鍍室53的一側面，於處理室的連接方向並列安裝有兩個排氣部56，在連接方向的兩個排氣部56之間，搭載有冷卻機構30。在與一側面相反側的另一側面，搭載有具備靶材的成膜部20。第一濺鍍室53在基板S的表面Sf形成特定膜，例如銅膜。第二濺鍍室54與第一濺鍍室53為相同結構，成膜部20具備的靶材形成材料與第一濺鍍室不同。第二濺鍍室54在形成銅膜的基板S的表面Sf，形成特定膜，例如金屬膜或金屬化合物膜等。在第一濺鍍室53，也可以形成銅膜以外的膜，在第二濺鍍室54，與第一濺鍍室53一樣，也可以形成銅膜。

在濺鍍裝置50，遍及四個處理室形成有在連接方向延伸的成膜通道50a與回收通道50b。又，成膜通道50a為第一圖所示的配置部10的一例。又，成膜通道50a為第一配置部的一例，回收通道50b為第二配置部的一例。成膜通道50a被形成在濺鍍裝置50的底壁的成膜部20側，回收通道50b被形成在比濺鍍裝置50的底壁的成膜通道50a更靠近排氣部56側。成膜通道50a與回收通道50b分別由例如在連接方向延伸的軌道、對於軌道空出特定間隔來安裝的複數個滾筒以及使滾筒自轉的馬達所構成。成膜通道50a支持並搬送在成膜前或成膜中的基板S，回收通道50b支持並搬送成膜候的基板S。又，在第二濺鍍室54，搭載有通道變更部，該通道變更部使配置於成膜通道50a的基板S移動至回收通道50b。

濺鍍裝置50當搬入基板S時，在搬出入室51的成膜通道 50a配置基板S，沿著成膜通道50a從搬出入室51像第二濺鍍室54搬送基板S。然後，濺鍍裝置50在第二濺鍍室54以通道變更部將基板S從成膜通道50a運到回收通道50b。濺鍍裝置50沿著回收通道50b從第二濺鍍室54向著搬出入室51搬送基板S。

濺鍍裝置50也可以不具備前處理室52，也可以具備兩個以上的前處理室。又，濺鍍裝置50也可以僅具備一個濺鍍室，也可以具備三個以上的濺鍍室。

〔第一濺鍍室的結構〕

參照第四圖來更詳細地說明第一濺鍍室53的結構。又，第二濺鍍室54雖然如上述成膜部20具備的靶材形成材料與第一濺鍍室53不同，但其他結構相同。

如第四圖所示，在第一濺鍍室53，基板S以大致垂直站立的狀態被成膜。在第一濺鍍室53的真空槽53a的側壁之中，搭載成膜部20的成膜側側壁53b，於連接方向並列配置有複數個靶材21，複數個靶材21在垂直於連接方向(第四圖中的左右方向)的站立設置方向(第四圖中的垂直紙面方向)延伸。各靶材21是以例如將銅做為主成分的材料所形成。在各靶材21固定有背板22，背板22在站立設置方向延伸並安裝於成膜側側壁53b。在各背板22連接有供給電力於靶材21的靶材電源23。在各背板22，也可以一個一個地連接有靶材電源23，在所有的背板22，也可以共同地連接一個靶材電源23。在真空槽53a，連接有濺鍍氣體供給部24，濺鍍氣體供給部24供給做為成膜氣體的濺鍍氣體。濺鍍氣體為例如氬氣。成膜部20是由靶材21、背板22、靶材電源23以及濺鍍氣體供給部24所構成。

在與成膜側側壁53b相面對的排氣側側壁53c，於連接方向並列配置兩個排氣部56。各排氣部56具備例如渦輪分子泵(turbomolecular pump)。在成膜側側壁53b，於連接方向的兩個排氣部56之間配置有冷卻機構30。冷卻機構30的低溫泵31被配置在真空槽53a的外部。連接部件32經由貫穿排氣側側壁53c的冷卻孔53h，連接於配置在真空槽53a內的冷卻部件33。

在排氣側側壁53c的外側面，安裝有伸縮囊61，伸縮囊61成包圍冷卻孔53h外緣的環狀，在伸縮囊61的排氣側側壁53c相反側的端部，被安裝於低溫泵31。排氣側側壁53c的冷卻孔53h被低溫泵31與伸縮囊61塞住。在排氣側側壁53c的外面側，安裝有移位軌道62，移位軌道62在垂直於連接方向與站立設置方向兩者的移位方向(第四圖的上下方向)延伸。

在低溫泵31，安裝有移位軸63，移位軸63成為從低溫泵31向著移位軌道62在連接方向延伸的棒狀。移位軸63的前端部被插入形成於移位軌道62移位方向的溝，在前端部連接有移位馬達，該移位馬達沿著移位軌道62改變移位軸63的位置。例如，因移位馬達為正旋轉，所以低溫泵31與移位軸63一起靠近排氣側側壁53c，因移位馬達為逆旋轉，所以移位軸63遠離排氣側側壁53c。由伸縮囊61、移位軌道62、移位軸63以及移位馬達構成移位部。移位部為冷卻部件移位部的一例。

在真空槽53a，從成膜側側壁53b側依序於移位方向並列配置有在連接方向延伸的成膜通道50a與回收通道50b。也就是說，回收通道50b在移位方向形成於比成膜通道50a更遠離成膜部20的位置。在成膜通道50a，在表面Sf與成膜部20相面對，且背面Sb與冷卻部件33的表面33f相面對的狀態下配置有安裝於四角框狀的托架T的四角板狀的基板S。基板S為例如玻璃基板。在托架T也可以在基板S的背面Sb安裝支持板，支持板也可以成矩形板狀，也可以成格子狀。又，基於以冷卻機構30進行的基板S的冷卻效果提升，在托架T不具備有支持板為較佳。

〔濺鍍裝置的電性結構〕

參照第五圖來說明濺鍍裝置50的電性結構。又，以下僅說明濺鍍裝置50的電性結構中關於第一濺鍍室53的驅動的結構。

如第五圖所示，在濺鍍裝置50搭載有控制裝置50C，控制裝置50C控制濺鍍裝置50的驅動。在控制裝置50C連接有複數個靶材電源23、濺鍍氣體供給部24、低溫泵31、兩個排氣部56以及移位馬達60M。

控制裝置50C將用來開始從各靶材電源23供給電力的供給開始訊號，以及用來停止從各靶材電源23供給電力的供給停止訊號輸出至靶材電源23。各靶材電源23對應來自控制裝置50C的控制訊號進行電力供給及停止。

控制裝置50C將用來開始從濺鍍氣體供給部24供給濺鍍氣體的供給開始訊號，以及用來停止從濺鍍氣體供給部24供給濺鍍氣體的供給停止訊號輸出至供給部驅動電路24D。供給部驅動電路24D對應來自控制裝置50C的控制訊號，產生用來驅動濺鍍氣體供給部24的驅動訊號，將已產生的驅動訊號輸出至濺鍍氣體供給部24。

控制裝置50C將用來開始低溫泵31驅動的驅動開始訊號，以及用來停止低溫泵31驅動的驅動停止訊號輸出至泵驅動電路31D。泵驅動電路31D對應來自控制裝置50C的控制訊號，產生用來驅動低溫泵31的驅動訊號，將已產生的驅動訊號輸出至低溫泵31。

控制裝置50C將用來開始各排氣部56驅動的驅動開始訊號，以及用來停止各排氣部56驅動的驅動停止訊號輸出至排氣部驅動電路56D。排氣部驅動電路56D對應來自控制裝置50C的控制訊號，產生用來驅動各排氣部56的驅動訊號，將已產生的驅動訊號輸出至排氣部56。

控制裝置50C將用來開始移位馬達60M正旋轉的正旋轉開始訊號，用來開始移位馬達60M逆旋轉的逆旋轉開始訊號，以及用來使移位馬達60M旋轉停止的旋轉停止訊號輸出至馬達驅動電路60D。馬達驅動電路60D對應來自控制裝置50C的控制訊號，產生用來驅動移位馬達60M的驅動訊號，將已產生的驅動訊號輸出至移位馬達60M。

〔濺鍍裝置的作用〕

參照第六及七圖來說明濺鍍裝置50的作用。

如第六圖所示，在基板S的表面形成銅膜時，首先，控制裝置50C輸出對於各排氣部56的驅動訊號，各排氣部56將真空槽53a內排氣。然後，控制裝置50C輸出對於低溫泵31的驅動開始訊號，冷卻部件33的溫度變成冷卻部件33的溫度的氬氣蒸氣壓比真空槽53a內的氬氣壓力更高的溫度，較佳為100K以上250K以下的溫度。

又，在冷卻機構30，由於低溫泵31的溫度被設定在特定溫度，所以連接於低溫泵31的連接部件32被冷卻，且連接於連接部件32的冷卻部件33被冷卻。藉此，冷卻部件33的溫度為100K以上250K以下的溫度。在此，在冷卻機構30，以低溫泵31進行冷卻部件33的冷卻時，低溫泵31的設定溫度與連接部件32的溫度大致相等，且連接部件32的溫度與冷卻部件33的溫度大致相等。因此，例如在測量連接部件32的溫度的結構，可以將已測量的連接部件32的溫度視為冷卻部件33的溫度。

然後，成膜前的基板S，以成膜通道50a從前處理室52搬入至第一濺鍍室53，基板S在基板S的表面Sf整體與成膜部20相面對的配置位置靜止。接下來，控制裝置50C輸出對於移位馬達60M的正旋轉開始訊號，開始移位馬達60M的正旋轉。藉此，移位軸63向著排氣側側壁53c移位，且伸縮囊61收縮。然後，當冷卻部件33的表面與基板S的背面Sb之間的距離變成例如250mm或是50mm，則控制裝置50C輸出對於移位馬達60M的旋轉停止訊號，停止移位馬達60M的旋轉。因此，在移位方向的冷卻部件33的位置，被保持在冷卻部件33的表面與基板S的背面Sb之間的距離為250mm或50mm的第一位置。第一位置是在移位方向的成膜通道50a與回收通道50b之間的位置。

又，冷卻部件33的表面與基板S的背面Sb之間的距離也可以是250mm或50mm以外的長度，也可以在進行對於基板S的成膜處理間改變。冷卻部件33的表面與基板S的背面Sb之間的距離越小，基板S容易被冷卻機構30冷卻，冷卻部件33的表面與基板S的背面Sb之間的距離越大，基板S不易被冷卻機構30冷卻。因此，根據移位部，即使低溫泵31的溫度沒有變化，藉由改變冷卻部件33的表面與基板S的背面Sb之間的距離，可以調節基板S被冷卻機構30冷卻的程度。

又，在第一濺鍍室53，銅膜的形成並非對於靜止的基板S進行，也可以在成膜通道50a對於搬送的基板S進行。在此狀況下，因冷卻機構30進行基板S的冷卻，也可以對於搬送的基板S進行。

接下來，控制裝置50C輸出對於濺鍍氣體供給部24的供給開始訊號與對於靶材電源23的供給開始訊號。藉此，濺鍍氣體供給部24開始在真空槽53a內的氬氣供給，靶材電源23開始對背板22供給電力。藉此，在真空槽53a內，從氬氣產生電漿，經由電漿中的正離子衝突靶材 21所彈出的濺鍍粒子堆積於基板S的表面Sf。結果，在基板S的表面形成有銅膜。

此時，由於基板S的背面Sb面對被低溫泵31冷卻的冷卻部件33，所以相較於不具備冷卻部件33的結構，基板S的溫度難以提高。

例如，為了將構成有機電激發光顯示器或液晶顯示器的配線電阻變低，也有在配線的形成材料為銅，且配線厚度為1μm以上的狀況。在此狀況下，除了因基板S被加熱，或基板S的熱膨脹係數與銅膜的熱膨脹係數不同等的熱所產生的應力，銅膜的膜應力也會變大。因此，也有在基板S變得容易變形，基板S破裂的狀況。或者是，因基板S的變形導致基板S彎曲，所以在之後的步驟處理也會有形成元件時產生不方便的狀況。基板S的溫度提高，可以經由間歇地進行銅膜形成來抑制。但是，在此類成膜，在形成相對於基板S相同厚度的銅膜的前提，相較於連續進行銅膜形成的狀況，銅膜形成所耗費的時間會變長。

關於這點，由於在第一濺鍍室53具備有冷卻基板S的冷卻機構30，所以可抑制銅膜形成所耗費的時間變長的狀況，並可抑制因基板S溫度升高變形基板S的狀況。

在銅膜形成時，基板S的表面Sf被暴露於靶材21與基板S的表面Sf之間所產生的電漿，所以相較於基板S的表面Sf不被暴露於電漿的結構，基板S的溫度容易升高。故以冷卻機構30進行基板S的冷卻效果會變得更顯著。

又，例如，在構成有機電激發光顯示器的有機發光層上，以濺鍍形成有高折射率層(氧化鈮層)。成為氧化鈮層的下層的有機發光層，為了抑制有機發光層的膜質變化，較佳為保持在特定溫度以下，例如100℃以下。關於這點，由於以冷卻機構30冷卻基板S並形成氧化鈮層，所以基板S與形成於基板S的有機發光層的溫度升高會被抑制，結果，有機發光層的膜質變化被抑制。

在第一濺鍍室53形成膜時，通常真空槽53a內的壓力維持在1×10^-1Pa以下。若供給至真空槽53a內的濺鍍氣體僅為氬氣，則膜形成時的氬氣壓力與真空槽53a內的壓力大致相等。冷卻部件33的溫度被設定在100K以上250K以下的狀況，由於在冷卻部件33的溫度的氬氣蒸氣壓超過1×104Pa的壓力，所以在冷卻部件33的溫度的氬氣蒸氣壓對於真空槽53a內的氬氣壓力會充分變大。故供給至真空槽53a內的氬氣幾乎不會被冷卻部件33吸附。

另一方面，在冷卻部件33，由於真空槽53a內的氣體吸附不少，隨著低溫泵31的驅動時間經過，以冷卻部件33進行冷卻的效率容易改變。以冷卻部件33進行冷卻的效率改變，是在真空槽53a內進行的濺鍍條件改變，所以冷卻部件33的溫度較佳為設定在冷卻部件33的冷卻效率難以改變的溫度。關於這點，若冷卻部件33的溫度被設定在100K以上250K以下，則在冷卻部件33的氬氣的蒸氣壓變得比真空槽53a內的氬氣壓力更高。因此，由於冷卻部件33的冷卻效率難以改變，濺鍍條件改變狀況會被抑制。又，對冷卻部件33的氬氣吸附狀況被抑制的程度，可以將進行用來排出冷卻部件33吸附的氣體的處理次數變少。

又，在100K以上250K以下，水的蒸氣壓是包含1×10^-11Pa以上1×10^-1Pa以下壓力範圍的壓力，所以在冷卻部件33的溫度下的水的蒸氣壓，多半比真空槽53a內的水壓力更小。如此，冷卻部件33的溫度在100K以上250K以下，可以吸附真空槽53a內的水，並抑制氬氣被排氣。

如第七圖所示，成膜後的基板S因通過回收通道50b，向著搬出入室51被搬送時，控制裝置50C輸出對於各排氣部56的驅動開始訊號，各排氣部56將真空槽53a內排氣。又，控制裝置50C也輸出對於低溫泵31的驅動開始訊號，冷卻部件33的溫度被做為上述溫度。又，由於冷卻部件33的溫度從室溫降低到特定溫度係耗費特定時間，所以在濺鍍裝置50對於複數個基板S連續進行成膜處理的狀況下，在對於複數個基板S全部的成膜處理結束為止，低溫泵31的驅動會被保持。

然後，控制裝置50C輸出對於移位馬達60M的逆旋轉開始訊號，移位馬達60M開始逆旋轉。藉此，移位軸63從排氣側側壁53c往遠離方向移位，且藉由伸縮囊61的延伸，冷卻部件33比回收通道50b更靠近排氣側側壁53c，則控制裝置50C輸出對於移位馬達60M的旋轉停止訊號，移位馬達60M停止旋轉。藉此，冷卻部件33配置於比回收通道50b 更靠近排氣側側壁53c。也就是說，冷卻部件33在移位方向被配置在比回收通道50b離成膜部20更遠的第二位置。

之後，成膜後的基板S被回收通道50b從第二濺鍍室54搬送到第一濺鍍室53內。成膜後的基板S被回收通道50b搬送時，冷卻部件33位於比回收通道50b更靠近排氣側側壁53c，所以基板S的搬送不會被冷卻部件33妨礙。

又，在濺鍍裝置50，由於前處理室52具備冷卻機構30，所以從第一濺鍍室53搬入至前處理室52的基板S，因前處理室52靜止，所以可在前處理室52冷卻成膜後的基板S。因此，例如，在將成膜後的基板S冷卻至特定溫度為止，搬出濺鍍裝置50的外部的結構，前處理室52具備有冷卻機構的程度，可以縮短冷卻基板S所耗費的時間。故可縮短在濺鍍裝置50的每一基板S的處理時間。

〔叢集型濺鍍裝置〕

參照第八~十一圖來說明成膜裝置的一例(叢集型濺鍍裝置)的結構。

如第八圖所示，濺鍍裝置70具備搭載搬送自動機71R的搬送室71，在搬送室71，各搬出入室72、前處理室73、第一濺鍍室74、第二濺鍍室75以及第三濺鍍室76被連接成可連接於搬送室71。

搬出入室72將成膜前的基板S從濺鍍裝置70的外部搬入至搬送室71，成膜後的基板S從搬送室71搬出至濺鍍裝置70的外部。前處理室73具備冷卻機構30，對從搬送室71搬入的成膜前基板S進行特定前處理，例如加熱處理或洗淨處理。

在第一濺鍍室74搭載有具備靶材的成膜部20以及冷卻基板S的冷卻機構30。第一濺鍍室74在基板S的表面Sf形成特定的膜，例如銅膜。第二濺鍍室75與第一濺鍍室74是同樣的結構，只有在成膜部20具備的靶材形成材料與第一濺鍍室74不同。第二濺鍍室75在形成銅膜的基板S的表面Sf形成特定的膜，例如金屬膜或金屬化合物膜等。第三濺鍍室76與第一濺鍍室74是同樣的結構，只有在成膜部20具備的靶材形成材料與第一濺鍍室74不同。第三濺鍍室76在形成銅膜的基板S的表面Sf形成特定的膜，例如金屬膜或金屬化合物膜等。在各第一濺鍍室74、第二濺鍍室75以及第三濺鍍室76，也可以形成由彼此相異的材料所組成的膜，在第二濺鍍室75以及第三濺鍍室76，也可以與第一濺鍍室74相同地形成銅膜。

濺鍍裝置70也可以不具備前處理室73，也可以具備兩個以上的前處理室。又，濺鍍裝置70也可以只具備一個或兩個濺鍍室，也可以具備四個以上的濺鍍室。

〔第一濺鍍室的結構〕

參照第九圖來更詳細地說明第一濺鍍室74的結構。又，各第二濺鍍室75以及第三濺鍍室76，雖然如上述成膜部20具備的靶材形成材料與第一濺鍍室74不同，但其他結構一樣。

如第九圖所示，在第一濺鍍室74的真空槽74a的一側面(搬送側側壁74b)，安裝有閘閥74g。閘閥74g藉由從搬送室71搬入成膜前的基板S至第一濺鍍室74時，以及從第一濺鍍室74搬出成膜後的基板S至搬送室71時打開，連通第一濺鍍室74與搬送室71。

在真空槽74a的閘閥74g所面對的成膜側側壁74c，以相同於垂直紙面方向延伸成四角板狀的背板22來固定有垂直紙面方向延伸成四角板狀的靶材21。靶材21為例如以銅為主成分的材料所形成。在背板22連接有靶材電源23。在真空槽74a，連接有供給成膜氣體(濺鍍氣體)至真空槽74a內的濺鍍氣體供給部24，濺鍍氣體供給部24供給例如氬氣。

在真空槽74a內，配置有垂直於紙面方向延伸成圓柱狀的基板旋轉軸11，基板旋轉軸11的兩端部在可旋轉狀態下被支持於真空槽74a的壁部。以下，基板旋轉軸11的中心軸延伸方向設定為旋轉軸方向。在基板旋轉軸11，例如連接有基板旋轉軸用的馬達(基板馬達)，基板旋轉軸11因馬達的正旋轉及逆旋轉，在兩個方向自轉。

在基板旋轉軸11，安裝有在旋轉軸方向延伸成四角板狀的基板台12，在基板台12，沿著構成基板台12的各邊形成有複數個銷孔12a。基板台12藉由基板旋轉軸11的旋轉，在大致平行於靶材21的位置與大致垂直於靶材21的位置之間移位。基板台12配置於大致平行於靶材21的位置狀態下，基板台12上的基板S的表面Sf面對靶材21。

在真空槽74a內的基板旋轉軸11的更下方，配置有在旋轉軸方向延伸成四角板狀的升降板81，在升降板81的基板台12所面對的面，安裝有複數個升降銷82。複數個升降銷82沿著構成升降板81的各邊安裝。

又，基板S從搬送室71搬入至第一濺鍍室74內時，由於升降板81向著基板台12上升，各升降銷82通過不同的銷孔12a。藉此，各升降銷82的端部從銷孔12a突出。然後，基板S被搬送自動機71R載到升降銷82上，在此狀態，由於升降板81向著基板台12下降，所以基板S配置於基板台12上。

在真空槽74a的升降板81所面對的壁部(上壁74d)的外表面，安裝有低溫泵31，低溫泵31的冷卻面露出於真空槽74a內。在低溫泵31的冷卻面，與上述濺鍍裝置50的低溫泵31一樣，連接有連接部件32，在連接部件32的低溫泵31所未連接側的端部，安裝有在旋轉軸方向延伸成四角板狀的冷卻部件33。在冷卻部件33的靶材21所面對的側面，安裝有在旋轉軸方向延伸成圓柱狀的冷卻旋轉軸34。冷卻旋轉軸34係中心軸延伸方向平行於基板旋轉軸11的延伸方向，冷卻旋轉軸34的兩端部，分別在可旋轉狀態下被支持於真空槽74a。在冷卻旋轉軸34，與基板旋轉軸11一樣，例如連接有冷卻旋轉軸用的馬達(冷卻馬達)，冷卻旋轉軸34因馬達的正旋轉及逆旋轉，在兩個方向自轉。冷卻部件33因冷卻旋轉軸34的旋轉，配置成大致平行於靶材21的狀態與大致垂直於靶材21的方向。

連接部件32的形成材料，與濺鍍裝置50的連接部件一樣，適合將冷卻部件33的熱傳達至低溫泵31的材料，例如，由銅等金屬所構成。又，連接部件32在上壁74d與冷卻部件33之間，在垂直於旋轉軸方向的方向複數次折彎成伸縮狀。連接部件32在冷卻部件33大致垂直於靶材21的狀態，即上壁74d與冷卻部件33之間的距離為最小狀態時，為最收縮狀態。對此，連接部件32在冷卻部件33大致平行於靶材21的狀態，即上壁74d與冷卻部件33之間的距離為最大狀態時，為最伸展狀態。又，在第一濺鍍室74，安裝有將真空槽74a內排氣的排氣部，排氣部具備例如渦輪分子泵。

〔濺鍍裝置的電性結構〕

參照第十圖來說明濺鍍裝置70的電性結構。又，在以下濺鍍裝置70的電性結構中，僅說明關於第一濺鍍室74的驅動結構。

如第十圖所示，在濺鍍裝置70，搭載有控制濺鍍裝置70驅動的控制裝置70C。在控制裝置70C連接有靶材電源23、濺鍍氣體供給部24、低溫泵31、基板馬達11M以及冷卻馬達34M。

控制裝置70C與上述控制裝置50C一樣，將用來開始從靶材電源23供給電力的供給開始訊號，以及用來停止從靶材電源23供給電力的供給停止訊號輸出至靶材電源23。靶材電源23對應來自控制裝置70C的控制訊號進行電力供給及停止。

控制裝置70C與上述控制裝置50C一樣，將用來開始從濺鍍氣體供給部24供給濺鍍氣體的供給開始訊號，以及用來停止從濺鍍氣體供給部24供給濺鍍氣體的供給停止訊號輸出至供給部驅動電路24D。供給部驅動電路24D對應來自控制裝置70C的控制訊號，產生用來驅動濺鍍氣體供給部24的驅動訊號，將已產生的驅動訊號輸出至濺鍍氣體供給部24。

控制裝置70C與上述控制裝置50C一樣，將用來開始低溫泵31驅動的驅動開始訊號，以及用來停止低溫泵31驅動的驅動停止訊號輸出至泵驅動電路31D。泵驅動電路31D對應來自控制裝置70C的控制訊號，產生用來驅動低溫泵31的驅動訊號，將已產生的驅動訊號輸出至低溫泵31。

控制裝置70C將用來開始基板馬達11M正旋轉的正旋轉開始訊號，用來開始基板馬達11M逆旋轉的逆旋轉開始訊號，以及用來停止基板馬達11M旋轉的旋轉停止訊號輸出至基板馬達驅動電路11D。基板馬達驅動電路11D對應來自控制裝置70C的控制訊號，產生用來驅動基板馬達11M的驅動訊號，將已產生的驅動訊號輸出至基板馬達11M。

控制裝置70C將用來開始冷卻馬達34M正旋轉的正旋轉開始訊號，用來開始冷卻馬達34M逆旋轉的逆旋轉開始訊號，以及用來使冷卻馬達34M旋轉停止的旋轉停止訊號輸出至冷卻馬達驅動電路34D。冷卻馬達驅動電路34D對應來自控制裝置70C的控制訊號，產生用來驅動冷卻馬達34M的驅動訊號，將已產生的驅動訊號輸出至冷卻馬達34M。

〔濺鍍裝置的作用〕

參照第十一圖來說明濺鍍裝置70的作用。

如第十一圖所示，在基板S的表面形成銅膜時，首先，控制裝置70C輸出對於基板馬達11M的正旋轉開始訊號，基板馬達11M開始正旋轉。藉此，基板旋轉軸11在紙面的例如右旋轉方向自轉，基板台12配置於基板S的表面Sf與靶材21大致平行的位置。接下來，控制裝置70C輸出對於基板馬達11M的旋轉停止訊號，基板馬達11M停止旋轉。藉此，基板台12保持大致平行於靶材21。然後，與濺鍍裝置50一樣，排氣部將真空槽74a內排氣，藉由驅動低溫泵31，冷卻部件33的溫度較佳為100K以上250K以下的溫度。

接下來，控制裝置70C輸出對於冷卻馬達34M的正旋轉開始訊號，冷卻馬達34M開始正旋轉。藉此，冷卻旋轉軸34在紙面的例如左旋轉方向自轉，冷卻部件33成大致平行於基板S，配置於基板S的背面Sb所面對的位置。此時，隨著冷卻部件33移動，連接部件32向著對於低溫泵31的靶材21側延伸。然後，控制裝置70C輸出對於冷卻馬達34M的旋轉停止訊號，冷卻馬達34M停止旋轉。藉此，冷卻部件33保持大致平行於基板S。

接下來，與濺鍍裝置50一樣，濺鍍氣體供給部24開始供給氬氣至真空槽74a內，靶材電源23開始對背板22供給電力。藉此，在真空槽74a內，從氬氣產生電漿，經由電漿中的正離子衝突靶材21所彈出的濺鍍粒子堆積於基板S的表面Sf。結果，在基板S的表面形成有銅膜。

此時，由於基板S的背面Sb面對被低溫泵31冷卻的冷卻部件33，所以與濺鍍裝置50一樣，相較於不具備冷卻部件33的結構，基板S的溫度難以提高，結果，基板S的變形被抑制。又，冷卻部件33的溫度被設定在100K以上250K以下，所以低溫泵31的排氣效率難以改變，結果，在真空槽74a內的濺鍍條件改變會被抑制。

成膜後的基板S從第一濺鍍室74搬出時，與濺鍍裝置50一樣，排氣部的驅動與低溫泵31的驅動被保持。然後，控制裝置70C輸出對於冷卻馬達34M的逆旋轉開始訊號，冷卻馬達34M開始逆旋轉。藉此，冷卻旋轉軸34在紙面的例如右旋轉方向自轉，冷卻部件33成大致垂直於基板S。此時，隨著冷卻部件33移動，連接部件32在對於冷卻部件33的低溫泵31側收縮。然後，控制裝置70C輸出對於冷卻馬達34M的旋轉停止訊號，冷卻馬達34M停止旋轉。藉此，冷卻部件33被配置在大致垂直於基板台12的位置。

之後，控制裝置70C輸出對於基板馬達11M的逆旋轉開始訊號，基板馬達11M開始逆旋轉。藉此，基板旋轉軸11在紙面的例如左旋轉方向自轉，基板台12大致垂直於靶材21。然後，控制裝置70C輸出對於基板馬達11M的旋轉停止訊號，基板馬達11M停止旋轉。藉此，基板台12保持在大致垂直於靶材21的位置。如此，在基板台12移位時，冷卻部件33被配置於大致垂直於基板S的位置，所以基板台12的移位不會被冷卻部件33妨礙。

參照第十二圖來說明實施例以及比較例。又，在第十二圖，實施例以實線表示，比較例以兩點虛線表示。

用第三圖所示的濺鍍裝置50對玻璃基板成膜，測量從靶材電源23供給電力至靶材21的時間點開始到500秒為止的玻璃基板溫度。靶材被濺鍍間，冷卻部件33的表面與玻璃基板的背面之間的距離為50mm。在實施例，以冷卻部件33進行玻璃基板的冷卻，另一方面，在比較例並未以冷卻部件33進行玻璃基板的冷卻。

如第十二圖所示，在實施例的基板溫度的最小值為16.5℃，最大值為79℃，以及在比較例的基板溫度的最小值為22.5℃，最大值為97.5℃。然後，在同一時刻的實施例的基板溫度與比較例的基板溫度的溫度差ΔT的最大值為19.5℃。如此，根據濺鍍裝置50所搭載的冷卻機構30，玻璃基板的溫度上升會被抑制。

又，即使是以第八圖所示的叢集型濺鍍裝置70，與濺鍍裝置50同樣，玻璃基板的溫度上升會被抑制。

如以上說明，根據在成膜裝置的上述實施形態，可獲得以下所列舉的效果。

(1)由於用氣體的絕熱膨脹來冷卻的冷卻部件33與基板S 彼此面對，基板S的溫度提高狀況會被抑制。此時，由於基板S與冷卻部件33彼此不接觸，所以在冷卻基板S之際，因基板S與冷卻部件33的接觸產生龜裂或缺口的狀況也會被抑制。

(2)冷卻部件33的溫度，將在其冷卻部件33的溫度下的氣體蒸氣壓，設定成比真空槽53a、74a內的壓力更高的值。因此，真空槽53a、74a內的氣體難以吸附至冷卻部件33。結果，由於真空槽53a、74a內的氣體的對冷卻部件33的吸附被抑制，不僅在真空槽53a、74a內的氣體狀態，因冷卻部件33進行冷卻程度也難以改變。

(3)由於冷卻部件33的溫度被設定在100K以上250K以下，所以對冷卻部件33的氬氣吸附會更確實地被抑制。

(4)由於冷卻部件33的表面為黑色，所以相較於冷卻部件33的表面為例如白色等比黑色的輻射率低的顏色的結構，從冷卻部件33向著基板S的熱反射會被抑制。故基板S的溫度變高的狀況更被抑制。

(5)相較於對基板S固定冷卻部件33的結構，可以將冷卻的範圍在基板S擴大。

(6)藉由冷卻部件33與基板S之間的距離變更，可以調節基板S被冷卻部件33所冷卻的程度。

(7)即使基板S被暴露於電漿，基板S的溫度升高狀況會被抑制。

(8)更具備收納成膜部20與冷卻部件33的真空槽53a、74a，被配置在成膜部20與冷卻部件33彼此面對的位置，配置部在成膜部20與冷卻部件33之間配置基板S。因此，成膜部20在基板S形成膜時，基板S的溫度升高狀況會被抑制。

(9)由於在前處理室52、73也收納有冷卻部件33，所以在成膜部20在基板S形成膜前，或成膜部形成膜後，可以使基板S的溫度下降。

又，上述實施形態，也可以如以下適當變更來實施。

‧冷卻機構30並非遍及在進行對基板S成膜處理間，也可以是在進行成膜處理間的至少一部分進行基板S的冷卻結構。即使是此類結構，由於進行基板S的冷卻，可以抑制基板S的溫度升高的狀況。

‧冷卻部件33的溫度，也可以設定成在冷卻部件33的溫度的蒸氣壓為真空槽53a、74a內的氬氣壓力以下的溫度。即使是此類結構，由於以冷卻機構30進行基板S的冷卻，可以抑制基板S的溫度升高的狀況。

‧冷卻部件33的溫度，也可以設定成比100K更低的溫度，也可以設定成比250K更高的溫度。又，雖然冷卻部件33的溫度較佳為設定成濺鍍裝置50、70被設置的環境溫度，即比室溫更低的溫度，但通常以成膜處理來提高基板S的溫度會比室溫更高。因此，冷卻部件33的溫度若設定成比以至少成膜處理來升溫時的基板S的溫度更低的溫度，基板S會被冷卻機構30冷卻。

‧濺鍍氣體不限於氬氣，也可以是惰性氣體的氦氣，氖氣，氪氣以及氙氣。

‧在成膜處理時，除了濺鍍氣體以外，也可以用氧氣或氮氣等反應氣體來形成金屬化合物膜。

‧進行在各濺鍍室53、54、74、75的基板S的一面所對應的膜的形成時，膜形成材料FM的放出，也可以間隔特定的休止期間進行複數次。在此類結構，冷卻機構30也可以是從在各濺鍍室53、54、74、75的膜形成到結束為止間進行基板S的冷卻，也可以是在進行形成材料FM的放出時，將基板S冷卻，在休止期間不進行基板S的冷卻的結構。

‧冷卻部件33的表面也可以不是黑色。也就是說，冷卻部件33的表面，輻射率也可以比0.8更小。

‧冷卻部件33也可以是基板S所面對的表面的至少一部分為黑色。根據像這樣的結構，由於表面的一部分為黑色，相較於表面全部為比黑色輻射率小的顏色的結構，基板S會變得容易被冷卻。

‧雖然冷卻部件33做為具備冷卻層41、緩衝層42以及黑色層43的結構，但也可以省略緩衝層42，也可以省略緩衝層42與黑色層43兩者。又，冷卻部件33也可以是僅具備黑色層43的結構。

‧第一濺鍍室53、74也可以不具備移位部，該移位部具備伸縮囊61、移位軌道62、移位軸63以及移位馬達60M。也就是說，對於基板的背面Sb的冷卻部件33的表面位置也可以被固定。

‧冷卻部件33的表面與基板S的背面Sb之間的距離，也可以在對於基板S的成膜處理過程中改變。在此狀況下，在控制裝置50C具備的記憶部記憶有關於成膜處理的配方，也可以在配方預先決定冷卻部件33的表面與基板S的背面Sb之間的距離的改變方式。例如，冷卻部件33也可以在開始對於基板S的成膜處理後，每次在特定時間僅靠近基板S特定距離。由於基板S的溫度從成膜處理開始的經過時間越長就會越高，由於冷卻部件33的表面與基板S的背面Sb之間的距離會逐漸變小，所以基板S的溫度容易保持固定。

或者是，冷卻部件33的表面與基板S的背面Sb之間的距離，也可以從成膜處理開始，每當經過特定時間就變大。又，也可以交互進行冷卻部件33的表面與基板S的背面Sb之間的距離變小與變大。在成膜處理的冷卻部件33的表面與基板S的背面Sb之間的距離，可以因形成於基板S的膜的材料或膜的厚度改變。

‧移位部不限於具備伸縮囊61、移位軌道62、移位軸63以及移位馬達60M的結構，也可以保持真空槽53a、74a內的真空環境，且改變基板S的背面Sb與冷卻機構30，特別是，改變冷卻部件33的表面之間的距離的結構即可。

‧在濺鍍裝置50，移位部是可以只改變基板S的背面Sb與冷卻部件33的表面之間的距離的結構。不限於此，移位部也可以是可改變在靜止的基板S的背面Sb內面向冷卻部件33表面的部位的結構。此時，在冷卻部件33移動前後，基板S的背面Sb與冷卻部件33的表面之間的距離相同者為較佳。也就是說，移位部也可以是保持基板S的背面Sb與冷卻部件33的表面之間的距離，並在冷卻部件33的表面掃瞄基板S的背面Sb的結構。此時，例如冷卻部件33沿著連接方向或站立設置方向，或者是與這些方向的任一者交會的方向被掃瞄。換句話說，移位部沿著基板S的背面Sb使冷卻部件33平行移動。或者是，移位部也可以是沿著基板S的背面Sb使冷卻部件33平行地移動，並改變基板S的背面Sb與冷卻部件33的表面之間的距離的結構。根據此類結構，相較於在基板S的背面Sb內冷卻部件33的表面所面對的部分不會改變的結構，基板S整體會變得容易冷卻。

又，施加於基板S的熱量在基板S的面內大致相同時，即使移位部改變對於基板S的冷卻部件33的位置，若基板S的背面Sb與冷卻部件33的表面之間的距離相同，在基板S的面內冷卻程度的偏差狀況會被抑制。結果，在基板S的面內，冷卻程度的偏差狀況會被抑制。

另一方面，施加於基板S的熱量在基板S的面內偏離時，移位部在施加高熱量的基板S的部分，較佳為基板S的背面Sb與冷卻部件33的表面之間的距離變小。根據此類結構，在需要進一步冷卻的基板S的部分，以冷卻部件33進行冷卻的程度會變大。因此，相較於基板S的背面Sb與冷卻部件33的表面之間的距離保持固定的結構，在基板S的面內的溫度的偏差會被抑制。

又，即使在濺鍍裝置70，移位部也可以是可改變基板S的背面Sb與冷卻部件33的表面之間的距離的結構，移位部也可以是在冷卻部件33的表面掃瞄基板S的背面Sb的結構。

‧又，即使冷卻機構30是冷卻被搬送的基板S的結構，由於移位部改變上述站立設置方向的冷卻部件33的位置或在連接方向的冷卻部件33的位置，所以基板S整體變得容易被冷卻。又，移位部也可以是在基板S被搬送時，在與基板S搬送方向相同的方向改變冷卻部件33的位置的結構，也可以是在與基板S搬送方向相反的方向改變冷卻部件33的位置的結構。即使在如此結構，移位部也可以在保持基板S的背面Sb與冷卻部件33的表面之間的距離的狀態下，改變在搬送方向的冷卻部件33的位置，也可以改變基板S的背面Sb與冷卻部件33的表面之間的距離，並在搬送方向改變冷卻部件33的位置。

‧在濺鍍裝置50，基板S並非在被搬入第一濺鍍室53後以移位部改變冷卻機構30的位置，也可以在以移位部改變冷卻機構30的位置後，基板S被搬入第一濺鍍室53。

‧濺鍍裝置50是從搬出入室51向著第二濺鍍室54沿著成膜通道50a搬送基板S，從第二濺鍍室54向著搬出入室51沿著回收通道 50b搬送基板S。此時，濺鍍裝置50向著配置於成膜通道50a的基板S放出膜形成材料FM。

不限於此，濺鍍裝置50也可以如以下進行基板S的搬送與向著基板S放出形成材料FM。也就是說，當濺鍍裝置50搬入基板S，則將基板S配置在搬出入室51的回收通道50b，沿著回收通道50b從搬出入室51向著第二濺鍍室54搬送基板S。此時，濺鍍裝置50也可以由配置於第二位置的冷卻部件33來冷卻通過前處理室52、第一濺鍍室53以及第二濺鍍室54的基板S，也可以不冷卻。

然後，濺鍍裝置50在第二濺鍍室54以通道變更部從回收通道50b運到成膜通道50a。濺鍍裝置50沿著成膜通道50a從第二濺鍍室54向著搬出入室51搬送基板S。此時，濺鍍裝置50在第一濺鍍室53以及第二濺鍍室54，向著配置於成膜通道50a的基板S放出膜形成材料FM。又，冷卻機構以配置於第一位置的冷卻部件33，冷卻被放出膜形成材料FM的基板S。

又，在濺鍍裝置50，配置於回收通道50b的基板S被冷卻時，位於第二位置的冷卻部件33與基板S之間的距離，與在成膜通道50a配置基板S時一樣，例如較佳為50mm或250mm。

即使以此類結構，由於冷卻機構30冷卻被放出膜形成材料FM的基板S，所以可獲得根據上述(1)的效果。

‧濺鍍裝置50向著配置於成膜通道50a的基板S放出膜形成材料FM。不限於此，濺鍍裝置50也可以向著配置於回收通道50b的基板S放出膜形成材料FM。

‧成膜裝置，如濺鍍裝置50、70，並非在形成材料被供給至基板S時，基板S的表面被暴露於電漿的裝置，也可以是不產生電漿的裝置，例如做為蒸鍍裝置來具體化。

例如，在有機電激發光顯示器，構成像素的有機發光層被蒸鍍裝置形成。在此狀況下，有機發光材料以蒸鍍裝置具備的蒸鍍源經加熱而蒸發，由於蒸發的有機發光材料堆積於基板S表面，有機發光層被形成於基板S表面。由於在基板S有被加熱的有機發光材料堆積，所以基板S 的溫度也有升高至有機發光材料蒸發溫度的狀況。結果，當基板S上所形成的有機發光材料再次蒸發，有機發光材料的特性會惡化。

關於這點，由於以上述冷卻機構30冷卻基板S並進行有機發光層的形成，可以抑制有機發光層再蒸發或惡化的狀況。

‧在成膜裝置，各種膜也會有相對於安裝罩的基板S來形成的狀況。在此狀況下，成膜裝置具備用來安裝罩於基板S的前處理室。罩的形成材料係採用金屬、例如銦鋼(invar)等熱膨脹率低的合金、樹脂材料以及陶瓷之任一者。罩為例如具有對應形成於基板S的配線圖案的複數個開口。

由於當各種膜的形成材料被放出時，基板S被冷卻，則罩也會被冷卻，所以罩的溫度為室溫，例如從300K降到比室溫低的溫度。此時，當罩溫度大幅降低，也會有為了罩的熱變形改變對於基板S的罩位置的狀況。因此，基於抑制罩的熱變形並將基板S的溫度做為基板S的形狀不改變的100℃以下，形成材料FM被放出時的冷卻部件33的溫度，較佳為設定成273K以上300K以下的溫度。

又，在基板S被冷卻時，支持基板S的托架T或將基板S安裝於托架T的部件等，相接於基板S的部件也會被冷卻。藉此，相接於基板S的部件也會有與上述罩一樣熱變形的狀況。在此類狀況下，由於相接於基板S的部件的熱變形，在基板S施加有使基板S變形的力。因此，基於抑制基板S的熱變形並將基板S的溫度做為基板S的形狀不改變的100℃以下，冷卻部件33的溫度，較佳為設定成273K以上300K以下的溫度。

再者，在膜形成材料未被放出的狀態下，也會有成膜後的基板S被冷卻部件33冷卻時，膜應力會變大至膜從基板S被剝離程度的狀況。因此，基於抑制膜從基板S被剝離的狀況，冷卻部件33的溫度，較佳為設定成273K以上300K以下的溫度。

‧在成膜裝置的冷卻機構30，也可以具備冷卻氣體供給部，冷卻氣體供給部供給氣體(冷卻氣體)至基板S的背面Sb。參照第十三及十四圖來說明關於具備冷卻氣體供給部的冷卻機構30。

如第十三圖所示，冷卻機構30除了低溫泵31、連接部件32 以及冷卻部件33之外，更具備冷卻氣體供給部35。在冷卻氣體供給部35，連接有冷卻氣體配管35a，冷卻氣體配管35a藉由通過連接部件32的內部，連接於形成在冷卻部件33表面的冷卻氣體供給孔33h。冷卻氣體供給孔33h將來自冷卻氣體供給部35的冷卻氣體G在冷卻部件33的表面與基板S的背面Sb之間放出。由於藉由冷卻氣體G被供給至基板S的背面Sb，在基板S與冷卻氣體G之間進行熱交換，所以相較於不供給冷卻氣體G的結構，基板S的溫度難以變高。

冷卻氣體G的蒸氣壓，較佳為在成膜氣體的蒸氣壓下，在成膜氣體為氬氣的狀況下，冷卻氣體較佳為氦氣以及氬氣。藉此，冷卻氣體G難以被低溫泵31吸附。

如第十四圖所示，成膜裝置是做為濺鍍裝置50來具體化，且在冷卻機構30具備冷卻氣體供給部35的狀況下，冷卻氣體供給部35連接於控制裝置50C。控制裝置50C將使對於冷卻氣體供給部35的冷卻氣體供給開始的供給開始訊號，以及使冷卻氣體的供給停止的供給停止訊號輸出至冷卻氣體供給部驅動電路35D。冷卻氣體供給部驅動電路35D對應來自控制裝置50C的控制訊號，產生用來驅動冷卻氣體供給部35的驅動訊號，將已產生的驅動訊號輸出至冷卻氣體供給部35。又，控制裝置50C調節從冷卻氣體供給部35所供給的氣體流量。

在此，冷卻氣體的種類與溫度為相同的前提，供給至基板S的背面Sb的冷卻氣體流量越大，則基板S越容易被冷卻，冷卻氣體流量越小，基板S越是難以被冷卻。因此，控制裝置50C藉由調節冷卻氣體流量，可以調節基板S的溫度。

‧冷卻氣體供給部35的冷卻氣體配管35a，也可以藉由直接連接於真空槽，不經由連接部件32以及冷卻部件33，對於在真空槽內的冷卻部件33將冷卻氣體供給至配置基板S側。

‧冷卻機構30也可以具備兩個以上的低溫泵31、連接部件32以及冷卻部件33組。根據此類結構，由於複數個冷卻部件33的表面與基板S的背面Sb相面對，在冷卻部件33的冷卻效率相同的前提下，冷卻部件33的數量越多，基板S的溫度難以變得更高。又，即使對於任一低溫泵31進行保養，可以用其他低溫泵31來冷卻基板S並在基板S表面形成膜。

‧在冷卻機構30，連接部件32具有複數個端部，冷卻部件33也可以一個個地連接於連接部件32的各端部。也就是說，冷卻機構30也可以具備複數個冷卻部件33。在此結構，複數個冷卻部件33較佳為配置成面對與基板S的背面Sb不同的部分。根據此類結構，在成膜部20將膜形成材料FM放出至基板S的表面時，基板S的背面Sb在複數處被冷卻。因此，相較於在基板S的背面Sb的一處被冷卻的結構，在基板S的面內冷卻程度偏差狀況會被抑制。結果，基板S的面內的溫度偏差會被抑制。

在第一濺鍍室53、74，也可以具備閘閥，使低溫泵31與真空槽53a、74a之間在未連通狀態與連通狀態。根據此類結構，可以保持真空槽53a、74a內的真空環境，並進行用來排出低溫泵31吸附液體的保養。

‧在第一濺鍍室53，雖然低溫泵31在排氣側側壁53c被搭載於連接方向並列的兩個排氣部56之間，但低溫泵31也可以在排氣側側壁53c被搭載於站立設置方向並列的兩個排氣部之間。又，在在第一濺鍍室53，也可以僅具備一個排氣部56，一個排氣部56與一個低溫泵31也可以在排氣側側壁53c以在連接方向並列被搭載，一個排氣部56與一個低溫泵31也可以在排氣側側壁53c以在站立設置方向並列被搭載。又，排氣部56也可以被搭載於成膜側側壁53b與排氣側側壁53c，低溫泵31也可以被搭載於排氣側側壁53c，也可以是排氣部56只搭載於成膜側側壁53b，低溫泵31被搭載於排氣側側壁53c的結構。

‧在上述濺鍍裝置50以及叢集型濺鍍裝置70所搭載的冷卻機構30，不限於具備低溫泵31的冷卻機構30，也可以是以上述液狀冷媒將冷卻部件33冷卻的冷卻機構30。又，用冷媒的冷卻機構，也可以搭載於上述蒸鍍裝置。即使是此類結構，因為基板S被冷卻，基板S的溫度升高的狀況會被抑制。再者，如濺鍍裝置50、70，若為具備複數個處理室的成膜裝置，則複數個處理室所搭載的冷卻機構30也可以彼此不同。例如，可做為在施加於基板S的熱量相對大的處理室，搭載有具備低溫泵31的冷卻機構30，另一方面，在施加於基板的熱量相對小的處理室，搭載有用液狀冷媒的冷卻機構30的結構。

又，即使在此類冷卻機構30，冷卻部件33的溫度較佳為設定成在冷卻部件33的溫度的蒸氣壓比真空槽內所包含的氣體壓力更高的溫度。根據此類結構，從真空槽內所包含的氣體產生的液體附著於冷卻部件33的表面的狀況會被抑制。

‧基板S的搬送方向，也可以不是垂直於冷卻部件33移位方向的方向，若是與移位方向交會的方向即可。又，基板S的搬送方向，也可以不與上述連接方向一致，也可以是與連接方向交會的方向。

‧各濺鍍室53、54、74、75、76所形成的膜，不限於金屬膜或金屬化合物膜，也可以是例如半導體膜或半導體化合物膜。總之，各濺鍍室53、54、74、75、76所形成的膜，若是可以濺鍍所形成的膜即可。