DE102009049954A1 - Einrichtung zur Temperaturführung von Substraten - Google Patents

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Abstract

Der Erfindung, die eine Einrichtung zur Temperaturführung von Substraten in einer Substratbehandlungsanlage betrifft, in der ein Substrat in Längserstreckung der Substratbehandlungsanlage in einer Substrattransportebene innerhalb einer Vakuumkammer an einer Behandlungseinrichtung vorbeiführbar ist, liegt die Aufgabe zugrunde, eine dynamische Änderung der thermischen Isolation zur Steuerung des Wärmedurchgangs im Substrat dynamisch zu gestalten und dabei insbesondere thermische Trägheiten zu verringern. Dies wird dadurch gelöst, dass auf einer Seite der Substrattransportebene ein wärmeabsorbierendes Kühlmittel vorgesehen ist, das in einer Ausgestaltung mit einem Isolationsmittel gegenüber der Substrattransportebene zumindest partiell abschirmbar ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur Temperaturführung von Substraten in einer Substratbehandlungsanlage, in der ein Substrat in Längserstreckung der Substratbehandlungsanlage in einer Substrattransportebene innerhalb einer Vakuumkammer an einer Behandlungseinrichtung vorbeiführbar ist.
  • Behandlungseinrichtungen sind dabei als Beschichtungseinrichtungen, wie Bedampfungs- oder Magnetroneinrichtungen, aber auch Temperaturbehandlungseinrichtungen, Sputter- und Ätzeinrichtungen und ähnliches verstanden.
  • Bei der Behandlung von Substraten in derartigen Substratbehandlungsanlagen werden Beheizungseinrichtungen sowohl für die Aufheizung von Substraten auf die für den Prozess erforderlichen Temperatur zur Erzielung der gewünschten Eigenschaften als auch für das Halten der Substrattemperatur, während das Substrat den Prozess an der Behandlungseinrichtung durchläuft, eingesetzt.
  • Die bekannten Einrichtungen zur Beheizung von Substraten in Substratbehandlungsanlagen bestehen im Wesentlichen aus Heizelementen, Strahlungsschutzschirmen sowie einer Grundplatte, auf der die Heizelemente und Strahlungsschirme montiert sind. Die Grundplatte kann gekühlt ausgeführt werden.
  • Neben dem Aufheizen des Substrates kann es erforderlich sein, die Temperatur des Substrates zwischen 2 Prozessorten zu halten oder auch die Substrattemperatur zu erhöhen.
  • Das können sehr verschiedenartige Prozesse sein:
    Temperungen: Einhalten einer bestimmten Temperatur-/Zeitregimes) im Vakuum oder unter definierten Prozessgasbedingungen.
  • Beschichtungseinrichtungen: Einhalten der für die Beschichtung erforderlichen Temperatur insbesondere am Prozessort, evtl. aber auch im Bereich zwischen verschiedenen Prozessorten z. B. einer als Durchlaufanlage konzipierten Substratbehandlungsanlage, wenn zur Erzielung von Schichteigenschaften notwendig.
  • Ein Problem bei der Auslegung der Beheizung besteht darin, dass die Behandlungseinrichtungen selbst erhebliche Wärmequellen darstellen können. Dies ist beispielsweise an Prozessorten wie Magnetronsputtern, Bedampfen, etc der Fall. Damit kann in als Durchlaufanlagen konzipierten Substratbehandlungsanlagen je nach spezifischer Wärmekapazität des Substrates, Transportgeschwindigkeit und Wärmeleistungseintrag von den Substratbehandlungseinrichtungen zu unerwünschten Aufheizungen des Substrates kommen. Grundsätzlich kann dem begegnet werden, indem die Beheizungseinrichtungen hinter dem Substrat in der Leistung reduziert werden oder ausgeschaltet werden.
  • Bei großem Wärmeeintrag in das Substrat durch die – Behandlungeinrichtungen kann es sich darüber hinaus erforderlich machen, überschüssige Wärme über die Substratrückseite über Abstrahlung abzuführen. Im Vakuum ist dieses Vorgehen nur in den Grenzen möglich, die die Abstrahlungsleistung aufgrund der starken Abhängigkeit von der Temperatur setzt. Wenn z. B. die gewünschte Substrattemperatur 300°C beträgt, kann unter entsprechenden Voraussetzungen eine Abstrahlungsleistung von ca. 5 kW/m2 nicht überschritten werden. Wenn die Wärmeeinträge der – Behandlungseinrichtungen diese Leistung überschreiten, muss eine Substraterwärmung in Kauf genommen werden.
  • Je nach Substrattemperatur liegen die theoretisch möglichen Abstrahlungsleistungen bei höheren Substrattemperaturen erheblich darüber.
  • In Substratbehandlungsanlagen, die bei höheren Prozessgasdrücken arbeiten, kommt zunehmend die Wärmeleitung durch das Prozessgas zum Tragen. Das kann man sich zunutze machen, indem die Substratrückseite in thermischen Kontakt zu Komponenten wie z. B. Rollen gebracht wird. Der thermische Kontakt wird durch das wärmeleitende Prozessgas bewerkstelligt. Substrat und temperierbare Komponente können in mechanischen Kontakt stehen, wenngleich je nach gewünschter Wärmeableitung der mechanische Kontakt nicht notwendig ist, sofern das Spaltmaß zwischen Substratrückseite und Komponente entsprechend angepasst wird.
  • Bei der stationären Beheizung eines Substrates ist z. T. ein schnelles Aufheizen auf die für den nachfolgenden Prozess erforderliche Temperatur erwünscht. Eine entsprechend dimensionierte Beheizung kann diese Aufgabe lösen. Bei Durchlaufanlagen steht im Allgemeinen dafür fast die gesamte Taktzeit zu Verfügung. Substrat für Substrat wird auf diese Weise auf Prozesstemperatur gebracht, das aufgeheizte Substrat wir abgezogen und in Richtung Prozess bewegt, die freigewordene Kammer nimmt das nächste Substrat zur Beheizung auf.
  • Es kann jedoch auch das Erfordernis bestehen, etwa für die Bearbeitung von einzelnen Substraten, das Substrat nicht aus der Heizkammer mit hoher Geschwindigkeit abzuziehen und dem Prozess zuzuführen. Vielmehr kann es z. B. für den Fall, dass die Prozesskammer unmittelbar an die Heizerkammer angrenzt, erforderlich sein, das Substrat nicht mit hoher Geschwindigkeit aus der Heizkammer abzuziehen sondern mit vergleichsweise geringer Prozessgeschwindigkeit herauszufahren. Für diesen Betriebsfall kann eine Beheizung wie oben beschrieben, zwar ein schnelles Aufheizen des Substrates ermöglichen. Jedoch hat die Art der Beheizung den Nachteil, dass die Heizung selbst über vergleichsweise beträchtliche Wärmekapazitäten verfügen kann, sodass die Temperatur des Substrates nach Abschalten der Heizung nach Erreichen der gewünschten Substrattemperatur je nach den konkreten Verhältnissen erheblich überschwingen kann. Durch das geeignete Drosseln bzw. auch Abschalten der Beheizung vor Erreichen der gewünschten Substrattemperatur kann die in den Heizern und Strahlungsschirmen gespeicherte Wärme zwar zur Nachheizung genutzt werden, sodass die Substrattemperatur ohne Überschwingen erreicht wird. Jedoch können diese Ausgleichsvorgänge erhebliche Zeiten in Anspruch nehmen und sind damit nicht akzeptabel.
  • Es ist somit Aufgabe der Erfindung, in der thermisch unterstützten Vakuumprozesstechnik, eine Steuerung des Wärmedurchgangs im Substrat dynamisch zu gestalten und dabei insbesondere thermische Trägheiten zu verringern. Somit – können die thermischen Bedingungen so eingestellt werden, dass den Erfordernissen des Prozesses besser Rechnung getragen werden kann.
  • Gemäß der Erfindung wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass auf einer Seite der Substrattransportebene ein wärmeabsorbierendes Kühlmittel angeordnet ist.
  • Wird die Beheizungseinrichtung ausgeschaltet, da das Substrat eine Solltemperatur erreicht oder überschritten hat, was durch den Wärmeeintrag aus der Behandlungseinrichtung resultieren kann, wird die Heizungswirkung in aller Regel infolge der thermischen Trägheit noch eine Zeitlang fortbestehen. Während dieser Zeit kann die Kühleinrichtung wirksam werden.
  • In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass ein Isolationsmittel angeordnet ist, mit dem das Kühlmittel gegenüber der Subtrattransportebene zumindest partiell abschirmbar ist. Mit diesem Isolationsmittel kann die Kühlwirkung des Kühlmittels gezielt beeinflusst werden.
  • Wärmeabsorbierendes Kühlmittel und Isolationsmittel können wechselwirkend eingesetzt werden. So ist es möglich, die Wirkung des Kühlmittels gegenüber dem Substrat oder der Beheizungseinrichtung ein- oder auszuschalten oder zu verringern. indem das Isolationsmittel so eingestellt wird, dass es die Kühleinrichtung nicht abschirmt. Wenn dann geringere Kühlwirkung benötigt wird, kann mit der Abschirmfunktion des Isolationsmittels die Intensität der Kühlung gesteuert werden.
  • Insbesondere zur Steuerung der Intensität der Kühlung ist in einer Ausführung der Erfindung vorgesehen, dass die Isolationswirkung des Isolationsmittels einstellbar ist.
  • Es kann sich darüber hinaus als vorteilhaft erweisen, wenn das Kühlmittel mit einem Temperierungsmittel versehen wird. Dieses Temperierungsmittel ist in der Lage, die Temperatur des Kühlmittels und somit seine Kühlintensität gezielt zu beeinflussen. Wie im weiteren ausgeführt, kann beispielsweise eine der Kühlung entgegenwirkende Heizung als Temperierungsmittel wirken. Auch beim Einsatz eines fluiden Kühlmittel kann dessen Temperatur, beispielsweise ebenfalls durch eine Gegenheizung eingestellt werden. In diesen Fällen wären in dem Kühlfluid und/oder der Gegenheizung die Temperierungsmittel zu sehen.
  • Substratbehandlungsanlagen, die als Durchlaufanlagen konzipiert sind, weisen eine Längserstreckung auf, in deren Richtung, d. h. der Längsrichtung, das Substrat auf der Substrattransportebene bewegt wird. Eine Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass das Kühlmittel aus einem sich in Richtung der Längsrichtung erstreckenden Kühlelement besteht.
  • Zur Vergrößerung des Wirkungsbereiches kann auch vorgesehen werden, dass das Kühlmittel aus einem sich quer zur Richtung der Längsrichtung erstreckenden Kühlelement besteht.
  • Damit kann das Kühlmittel auch eine Erstreckung in Längs- und Querrichtung aufweisen.
  • In jedem Falle kann die Kühlwirkung somit über einen ganzen Bereich ausgedehnt werden.
  • Eine Ausgestaltung sieht dabei vor, dass das Kühlmittel als parallel zur Substrattransportebene liegendes plattenförmiges Kühlelement ausgebildet ist.
  • Bei einer anderen Lösungsvariante besteht das Kühlmittel aus mehreren in Längsrichtung hintereinander angeordneten Kühlelementen. Hierbei stellt eine herstellungsgünstige Form eine Ausgestaltung der Kühlelemente als Kühlrohre für ein Kühlmedium dar.
  • Als einfaches Kühlmedium kann Wasser zum Einsatz gelangen, wofür die Kühlrohre in einer Ausführung wasserdurchströmt gestaltet sind.
  • In einer weiteren Ausführung ist vorgesehen, dass das Isolationsmittel aus mehreren in Längsrichtung hintereinander angeordneten Isolationselementen besteht.
  • Insbesondere bei einer Gestaltung mit mehreren in Längsrichtung hintereinander angeordneten Kühlelementen ist in einer weiteren Variante vorgesehen, dass jedem Kühlelement ein Isolationselement zugeordnet ist.
  • Die Beeinflussung der Intensität der Kühlwirkung kann in einer Ausführung dadurch realisiert werden, dass ein Isolationselement zwischen einer Position auf einer der Substratebene abgewandten Seite eines Kühlelementes und einer Position auf einer der Substratebene zugewandten Seite des Kühlelementes verstellbar ausgebildet ist.
  • Das Isolationsmittel kann aber auch als Isolationsjalousie mit Isolationselementen als Jalousielamellen ausgebildet sein, die einzeln in Gruppen oder gemeinsam verstellbar sind.
  • Werden die Kühlelemente als Kühlrohre ausgebildet, ist es zweckmäßig, dass das Isolationselement im Querschnitt die Form eines Zylindersegmentes aufweist. Dadurch kann das Isolationselement das Kühlelement schalenartig umgreifen.
  • In einer weiteren Ausgestaltung ist vorgesehen, dass das Isolationsmittel aus zwei parallel zur Substrattransportebene angeordneten gegenüberliegenden und verschiebbaren gitterförmigen Isolationselementen besteht. Durch die gitterförmige Gestaltung und die relative Verschiebbarkeit wird eine stufenlose Einstellung der Isolationswirkung erreicht, da in einer Endstellung beide Gitter kongruent übereinander liegen oder in einer anderen Endstellung beide Gitter einander überdecken und dazwischen viele andere Zwischenstellungen möglich sind.
  • Für den Fall, dass das Substrat nicht gekühlt werden soll, sondern auch beheizt werden sollte, ist in einer weiteren Ausgestaltung vorgesehen, dass zwischen Substratebene und Kühlmittel ein Heizelement angeordnet ist.
  • Alternativ kann das Heizelement auf der dem Kühlmittel abgewandeten Seite der Substrattransportebene angeordnet sein.
  • In beiden Fällen können auch mehrere Heizelemente in Längserstreckung der Substratbehandlungsanlage nebeneinander angeordnet werden, die zweckmäßiger Weise einzeln oder gruppenweise individuell schaltbar sind.
  • Dabei ist es möglich, dass die Beheizungseinrichtung gleichzeitig als die Temperiereinrichtung für das Kühlmittel funktioniert, also als die oben dargestellte Gegenheizung wirkt.
  • In einer weiteren Ausgestaltung ist auf der der Behandlungseinrichtung abgewandten Seite der Substrattransportebene parallel zu der Substrattransportebene eine thermische Isolation angeordnet, die in dem Bereich, der der Wärmequelle gegenüber liegt, unterbrochen ist. Dadurch wird es möglich, dass das Substrat über seine von der Behandlungseinrichtung abgewandten Seite die Wärme, die durch die als Wärmequelle wirkende Beschichtungseinrichtung in das Substrat eintragen wird, durch Wärmestrahlung abzugeben. Unterstützt wird dies dadurch, dass in der Unterbrechung das wärmeabsorbierende Kühlmittel mit dem Isolationsmittel angeordnet ist.
  • Die erfindungsgemäße Aufgabenstellung wird aber auch dadurch gelöst, dass auf der der Behandlungseinrichtung abgewandten Seite der Substrattransportebene parallel zu der Substrattransportebene eine thermische Isolation angeordnet ist, die in dem Bereich, der der Wärmequelle gegenüber liegt, unterbrochen ist. Losgelöst von einem wärmeabsorbierende Kühlmittel ist in dieser Lösung vorgesehen, dass eine zulässige Temperatur in dem Substrat durch ein Abstrahlen im Bereich der Unterbrechung erreicht wird. Dabei kann sich die Unterbrechung auch auf weitere Bereiche die in Transportrichtung hinter dem Bereich, der der Wärmequelle gegenüber liegt, erstrecken, wenn dies für eine ausreichende Abkühlung erforderlich ist.
  • Die Erfindung soll nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert werden. In den zugehörigen Zeichnungen zeigen
  • 1 eine Prinzipdarstellung einer Beheizungseinrichtung nach dem Stand der Technik,
  • 2 eine Prinzipdarstellung einer ersten erfindungsgemäßen Lösung, und
  • 3 eine Prinzipdarstellung einer zweiten erfindungsgemäßen Lösung.
  • In 1 ist eine Einrichtung zur Temperaturführung von Substraten in einer Substratbehandlungsanlage nach dem Stand der Technik dargestellt. Hierbei ist ein Substrat 1 in Längserstreckung 2 der Substratbehandlungsanlage in einer Substrattransportebene 3 innerhalb einer nicht näher dargestellten Vakuumkammer an einer Behandlungseinrichtung 4 vorbeiführbar.
  • Die Behandlungseinrichtung 4 kann beispielweise ein Magnetron oder eine Verdampfungseinrichtung o. ä. darstellen, die ihrerseits eine Wärmequelle darstellt. Allein durch das Vorbeiführen des Substrates 1 an der Behandlungseinrichtung 4 erwärmt sich dieses, möglicherweise über eine zulässige Maximaltemperatur hinaus.
  • Auf der Seite der Substrattransportebene 3, die von der Behandlungseinrichtung 4 abgewandt ist, ist parallel zur Substrattransportebene 3 eine thermische Isolation 5 angeordnet. Diese thermische Isolation 5 dient dazu, eine Auswirkung der von dem warmen Substrat 1 ausgehenden Wärmestrahlung auf die übrige Vakuumkammer zu minimieren.
  • Die thermische Isolation 5 kann aus einem Isolationsmaterial bestehen, das im Wesentlichen eine Wärmeleitung verhindert, oder auch als Strahlungsschirm ausgebildet sein, der eine Wärmestrahlung von der übrigen Vakuumkammer durch ein Zurück-Reflektieren fern hält.
  • Damit soll diese thermische Isolation 5 über eine thermische Isolationswirkung verfügen, wie sie auch bei statischen Einrichtungen (z. B. Strahlungsschirmpaket oder Isolierstoff-Schicht) erreicht wird.
  • In 1 ist eine in der Praxis übliche Beheizungseinrichtung 7 dargestellt. Das Substrat 1, das an der Behandlungseinrichtung 4 vorbeifährt, wird aufgeheizt. Das Reduzieren bzw. auch Abschalten der Heizer 8 führt nicht zum gewünschten Ergebnis einer konstanten Temperatur in Transportrichtung. Je nach übertragener Wärmeleistung, Substrat-Wärmekapazität, Emissionsverhältnissen kann die Erhöhung der Temperatur sehr verschieden sein.
  • Grundsätzlich kann die Aufheizung des Substrates 1 gemäß der Erfindung und wie sie in 2 dargestellt ist, je nach übertragener Wärmeleistung, Substrat-Wärmekapazität, Emissionsverhältnissen dadurch unterbunden werden, dass die Isolation im Bereich der Wärmequelle geschwächt oder ganz darauf verzichtet wird. Darüber hinaus ist es möglich, dass der Bereich der Wärmequelle, der im Bild sehr stark vereinfacht dargestellt ist, selbst über Abschirmungen verfügt, deren thermisches Gleichgewicht sich erst bei laufendem Betrieb der Substratbehandlungsanlage einstellt.
  • In 2 ist angegeben, wie die geschilderten Probleme und Nachteile einer Anordnung nach dem Stand der Technik gemäß 1 überwunden werden können.
  • Gemäß 2 ist die thermische Isolation 5 auf der der Behandlungseinrichtung 4 abgewandten Seite der Substrattransportebene 3 die in dem Bereich, der der Behandlungseinrichtung 4 als Wärmequelle gegenüber liegt, unterbrochen. Durch diese Unterbrechung 6 soll je nach Anforderungen einen maximalen Wärmedurchgang ermöglicht werden, also die Isolationswirkung soll erheblich reduziert bzw. eliminiert werden. Es ist dabei erstrebenswert, die Unterbrechung mit gleitenden Übergängen zu versehen, in denen die Isolationswirkung langsam abnimmt. Damit kann eine möglichst stufenlose Einstellung der Isolationswirkung zwischen den genannten Extremwerten – Vollisolation und Nichtisolation – erreicht werden.
  • Damit ergibt sich, eine Konditionierphase zu ermöglichen, während der zunächst die Isolationswirkung nur wenig geschwächt wird. Erst nach Durchlaufen dieser Phase ergeben sich stationäre Verhältnisse. Das ist mit einer steuerbaren thermischen Isolation weitaus schnell zu bewerkstelligen als mit einer nicht steuerbaren, die nur den stationären Fall berücksichtigen kann nicht jedoch ein zügiges thermisches Einschwingen unterstützt.
  • Wie aus 2 ersichtlich, ist in der Unterbrechung 6 auf einer Seite der Substrattransportebene 3 ein wärmeabsorbierendes Kühlmittel 9 sowie ein Isolationsmittel 10 angeordnet, mit dem das Kühlmittel 9 gegenüber der Subtrattransportebene 3 zumindest partiell abschirmbar ist. Das Kühlmittel 9 besteht aus mehreren in Längsrichtung 2 hintereinander angeordneten Kühlelementen 11, die als Kühlrohre ausgebildet sind. Dabei ist jedem Kühlelement 11 ein Isolationselement 12 zugeordnet. Jedes Isolationselement 12 ist zwischen einer Position auf einer der Substrattransportebene 3 abgewandten Seite eines Kühlelementes 11 und einer Position auf einer der Substrattransportebene 3 zugewandten Seite des Kühlelementes 11 verstellbar ausgebildet. Zu den Kühlrohren 11 passend weisen die Isolationselemente 12 die Form eines Zylindersegmentes auf.
  • Im Schaltzustand ”Thermische Isolation EIN” werden alle Isolationselemente 12 über die Kühlelemente 11 geschoben, so dass sie die Kühlelemente 11 auf deren zu der Behandlungseinrichtung 4 weisenden Seite abdecken. Dies entspricht der Beheizung in der üblichen Anordnung, wie sie in 1 dargestellt ist. Hinter den Heizern 8 befinden sich zur Reduzierung der thermischen Verluste Isolationselemente 12 in Form von Strahlungsschirmpaketen bzw. Isolierstoffkappen auf den Kühlelementen 11, hier als Kühlrohre ausgebildet.
  • Im Schaltzustand ”Thermische Isolation Aus” werden die Isolationselemente 12, d. h. die Schirmpakete bzw. Isolierstoffkappen auf die dem Substrat 1 oder der Substrattransportebene 3 abgewandten Seite gedreht. Die – Isolationselemente 12 können dabei auch z. b. eine ausgedehnte kalte Platte sein.
  • In diesem Schaltzustand kann die Rückseite des Substrates 1 auf die kalten Flächen abstrahlen. Je nach Anwendung kann es sinnvoll sein, für ein großes Absorptionsvermögen dieser kalten Fläche zu sorgen. In diesem Zusammenhang ist anzumerken, dass die Bezeichnung ”kalte Flächen” bedeutet, dass diese Flächen eine Temperatur haben müssen, die das Abstrahlen von Wärme überhaupt ermöglicht, sodass je nach den konkreten Verhältnissen diese Flächen bei Hochtemperaturanwendungen durchaus Temperaturen von mehreren 100°C haben könnten.
  • Die Anpassung der Isolationswirkung kann durch die Anordnung in weiten Grenzen geändert werden, indem die Isolationselemente 12, d. h. die Strahlungsschirmpakete bzw. Isolierstoffkappen durch Verdrehen der Kühlelemente 11 in die entsprechende Winkelstellung gebracht werden. Bei einer so eingestellten Zwischenposition wird je nach Winkel ein Teil der Substratstrahlung absorbiert bzw. im Bereich eines abschirmenden Isolationselementes 12 weitgehend zurückgeworfen.
  • Die in der Transportrichtung nebeneinander liegenden Einrichtungen zur Schwächung der thermischen Isolation, wie sie hier als Kühlelement 11 mit Isolationselement 12 ausgebildet sind, können einzeln einstellbar sein, um den Wärmeabfluss lokal einstellen zu können mit dem Ziel, die Substratbeheizung an jedem Ort konstant zu halten, da die Wärmebelastung des Substrats 1 kaum unter einer Wärmequelle entlang der Transportrichtung 2 variieren. Der Wärmeeintrag durch die Behandlungseinrichtung 4 kann über der Länge in Transportrichtung 2 dieser Behandlungseinrichtung 4 variieren. Wenn die Substrattemperatur konstant gehalten werden soll, ergibt sich die Notwendigkeit, den lokalen Wärmeeintrag durch einen lokalen vom Betrag her gleichen Wärmeabfluss zu kompensieren. Das gelingt, wenn die Kühlelemente 11 einzeln verstellbar sind.
  • Die Einrichtungen zur Veränderung der thermischen Isolation können neben der hier dargestellten Ausbildung als Kühlelement 11 mit Isolationselement 12 darüber hinaus sehr verschieden ausgeführt werden. Beispielsweise als Rohre mit drehbaren Schirmen oder Isolierstoffkappen oder auch als drehbare Schirme oder Isolierstoffkappen mit einer dahinter liegenden kalte Platte oder als Jalousie oder zwei gegeneinander verschiebbaren Gittern.
  • Im 2 ist in dem unteren Diagramm beispielhaft angegeben, wie sich ein praktisch gemessener Temperaturverlauf einstellen könnte, wobei hier die thermische Isolation im Bereich der Unterbrechung (insbesondere durch eine Stellung der Isolationselemente 12 relativ zu den Kühlelementen 11) quasi völlig unwirksam eingestellt wurde.
  • In 3 ist eine zweite erfindungsgemäße Ausführung mit einer Heiz-/Kühlvorrichtung schematisch dargestellt. Damit ist eine gesteuerte Substratabkühlung möglich.
  • Das Substrat 1, z. B. eine Glassplatte, liegt auf z. B. keramischen Transportrollen 13 auf und kann eine Pendelbewegung ausführen. Die obere steuerbare thermische Isolation 14 besteht in diesem Beispiel aus z. B. drehbar gelagerten Isolationselementen 15 wie Strahlungsschutzschirmen bzw. aus Isolierstoff-Platten. Die untere steuerbare thermische Isolation 5 entspricht der oben beschriebenen Einrichtung. Die konkrete mechanische Ausführung ist unerheblich, sofern die Steuerbarkeit der thermischen Isolierung gewährleistet ist. Die gesteuerte Abkühlung kann folgendermaßen ablaufen.
  • Die thermische Isolierung befindet sich zunächst im Zustand ”Thermische Isolation EIN”. Die oberen Isolationselemente 15 liegen horizontal, die unteren Isolationselemente 12 sind nach oben gedreht. Die Heizer 8 sind eingeschaltet und so temperiert, dass das nun einfahrende Substrat 1 zunächst auf seiner Temperatur gehalten wird.
  • Die Heizer 8 werden abgeschaltet, die gesamte thermische Isolation wird in ihrer Wirkung so eingestellt, dass das Substrat 1 mit definierter Rate abgekühlt wird. Die Rollen 13 behindern den Wärmestrom nach unten, jedoch wird das Substrat 1 einer Pendelbewegung ausgesetzt, sodass die Rollen 13 nach unten abstrahlen können und sich somit abkühlen. Der Wärmestrom nach unten kann erhöht werden, wenn der Abstand der Rollen 13 zueinander größer gewählt wird. Des Weiteren kann durch eine entsprechende Gestaltung der Rollen 13 der Wärmefluss erhöht werden, wenn eine Rolle 13 z. B. als dünnwandiger Zylinder ausgebildet wird. In diesem Falle werden die Zylinderflächenbereiche, die jeweils zur kalten Fläche abstrahlen können, stärker gekühlt und können, nachdem sie durch die Drehbewegung wieder der Substratwärmestrahlung ausgesetzt werden, mehr Wärme aufnehmen. In Abhängigkeit von der Anwendung sind Zylinderwanddicke/-durchmesser, Material und Pendelgeschwindigkeit geeignet auszuwählen, um das gewünschte thermische Verhalten zu erzielen.
  • Nachdem die gewünschte Temperatur erreicht wurde, wird das Substrat 1 aus der Kammer herausgefahren, einer weiteren Kühlung, z. B. einer Konvektionskühlung unterworfen oder unmittelbar aus der Substratbehandlungsanlage in die Umgebungsatmosphäre herausgefahren. Mit der Einrichtung sind auch Aufheizzyklen möglich, etwa um das Substrat 1 einer Behandlung in einer definierten Prozessgasatmosphäre bei einer erhöhten Temperatur zu unterziehen. Dazu wird die thermische Isolation oben 14 und unten 5 eingeschaltet, desgleichen die Heizer 8, um das Substrat 1 auf die gewünschte Temperatur zu temperieren. Nach erfolgter Behandlung des Substrates 1 kann die Abkühlung wie oben beschrieben erfolgen.
  • Bezugszeichenliste
  • 1
    Substrat
    2
    Längserstreckung, Längsrichtung, Transportrichtung
    3
    Substrattransportebene
    4
    Behandlungseinrichtung
    5
    thermische Isolation
    6
    Unterbrechung
    7
    Beheizungseinrichtung
    8
    Heizelement, Heizer
    9
    Kühlmittel
    10
    Isolationsmittel
    11
    Kühlelement
    12
    Isolationselement
    13
    Transportrolle
    14
    obere thermische Isolation
    15
    Isolationselemente der oberen thermischen Isolation

Claims (16)

  1. Einrichtung zur Temperaturführung von Substraten in einer Substratbehandlungsanlage, in der ein Substrat in Längserstreckung der Substratbehandlungsanlage in einer Substrattransportebene innerhalb einer Vakuumkammer an einer Behandlungseinrichtung vorbeiführbar ist, dadurch gekennzeichnet, dass auf einer Seite der Substrattransportebene (3) ein wärmeabsorbierendes Kühlmittel (9) angeordnet ist.
  2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Isolationsmittel (10) angeordnet ist, mit dem das Kühlmittel (9) gegenüber der Substrattransportebene (3) zumindest partiell abschirmbar ist
  3. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolationswirkung des Isolationsmittels (10) einstellbar ist.
  4. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Kühlmittel mit einem die Temperatur des Kühlmittels einstellenden Temperierungsmittel versehen ist.
  5. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Kühlmittel (9) aus mehreren in Längsrichtung (2) hintereinander angeordneten Kühlelementen (11) besteht.
  6. Einrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Kühlelemente (11) als Kühlrohre für ein Kühlmedium ausgebildet sind.
  7. Einrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Isolationsmittel (10) aus mehreren in Längsrichtung hintereinander angeordneten Isolationselementen (12) besteht.
  8. Einrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass jedem Kühlelement (11) ein Isolationselement (12) zugeordnet ist.
  9. Einrichtung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass ein Isolationselement (12) zwischen einer Position auf einer der Substrattransportebene (3) abgewandten Seite eines Kühlelementes (11) und einer Position auf einer der Substrattransportebene (3) zugewandten Seite des Kühlelementes (11) verstellbar ausgebildet ist.
  10. Einrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Isolationselement (12) die Form eines Zylindersegmentes aufweist.
  11. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen Substrattransportebene (3) und Kühlmittel (9) eine Beheizungseinrichtung (7) angeordnet ist.
  12. Einrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Beheizungseinrichtung (7) auf der dem Kühlmittel (9) abgewandeten Seite der Substrattransportebene (3) angeordnet ist.
  13. Einrichtung nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Beheizungseinrichtung (7) aus mehreren Heizelementen (8) besteht, die in Längserstreckung der Substratbehandlungsanlage nebeneinander angeordnet sind.
  14. Einrichtung nach Anspruch 4 und einem der Ansprüche 11 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Beheizungseinrichtung als die Temperiereinrichtung ausgebildet ist.
  15. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass auf der der Behandlungseinrichtung (4) abgewandten Seite der Substrattransportebene (3) parallel zu der Substrattransportebene (3) eine thermische Isolation (5) angeordnet ist, die in dem Bereich, der der Behandlungseinrichtung (4) gegenüber liegt, unterbrochen ist, und dass in der Unterbrechung das wärmeabsorbierende Kühlmittel (9) mit dem Isolationsmittel (10) angeordnet ist.
  16. Einrichtung zur Temperaturführung von Substraten in einer Substratbehandlungsanlage, in der ein Substrat in Längserstreckung der Substratbehandlungsanlage in einer Substrattransportebene innerhalb einer Vakuumkammer an einer Behandlungseinrichtung vorbeiführbar ist, dadurch gekennzeichnet, dass auf der der Behandlungseinrichtung (4) abgewandten Seite der Substrattransportebene (3) parallel zu der Substrattransportebene (3) eine thermische Isolation (5) angeordnet ist, die in dem Bereich, der der Behandlungseinrichtung (4) gegenüber liegt, unterbrochen ist.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010030563A1 (de) * 2010-06-25 2011-12-29 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Substratbehandlungsanlage
DE102012106325A1 (de) 2012-05-25 2013-11-28 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Aufheizen und Abkühlen einer Substratbehandlungsanlage
US20140076362A1 (en) * 2012-09-14 2014-03-20 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Continuous substrate treatment plant and cleaning method
DE102013106735A1 (de) * 2013-06-27 2014-12-31 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Vakuumkammer einer Durchlauf-Substratbehandlungsanlage und Verfahren zu deren Betrieb
DE102013110891A1 (de) * 2013-10-01 2015-04-02 Von Ardenne Gmbh Einrichtung und Verfahren zur Temperaturführung von Substraten
DE102014112536A1 (de) 2014-09-01 2016-03-03 Von Ardenne Gmbh Substratbehandlungsanlage und Heizeinrichtung
WO2024002961A2 (de) 2022-06-29 2024-01-04 Aixtron Se Vorrichtung und verfahren zum behandeln eines substrates

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6196078B2 (ja) * 2012-10-18 2017-09-13 株式会社アルバック 成膜装置
US10526232B2 (en) * 2013-05-30 2020-01-07 Ppg Industries Ohio, Inc. Microwave heating glass bending process
CN104501595B (zh) * 2014-11-28 2016-06-15 张家港市华孚实业有限公司 一种用于保温材料的加工装置
DE102017116650A1 (de) * 2017-07-24 2019-01-24 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Prozessieranordnung und Verfahren zum Konditionieren einer Prozessieranordnung

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0918042A1 (de) * 1997-11-20 1999-05-26 Balzers Hochvakuum AG Mit mindestens einer MgO-Schicht beschichtetes Substrat
DE102008039430A1 (de) * 2007-08-23 2009-02-26 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Durchlaufbeschichtungsanlage

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI892957A (fi) * 1988-07-07 1990-01-08 Eduard Kuesters Maschinenfabrik/Gmbh & Co.Kg Uppvaermnings- och avkylningsfoerfarande foer en uppvaermbar vals och motsvarande vals.
IT1226292B (it) * 1988-07-22 1990-12-27 Steel Belt System S R L Dispositivo di trasporto a nastro con scambio termico, particolarmente per prodotti laminari e simili
US5443643A (en) 1993-04-21 1995-08-22 Axis Usa, Inc. Heatless resin coating system
DE4424768C1 (de) 1994-07-05 1995-11-09 Kurt Prof Dr Ing Koppe Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von metallischen Beschichtungsträgern mit einem Beschichtungsmittel auf der Basis von Kunststoff
JP3011366B2 (ja) * 1995-10-26 2000-02-21 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 膜形成素材を含む基板の焼成方法および装置
US20100226629A1 (en) * 2008-07-21 2010-09-09 Solopower, Inc. Roll-to-roll processing and tools for thin film solar cell manufacturing
US20100062169A1 (en) * 2008-09-08 2010-03-11 JN Machinery Coating high temperature parts with polymer

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0918042A1 (de) * 1997-11-20 1999-05-26 Balzers Hochvakuum AG Mit mindestens einer MgO-Schicht beschichtetes Substrat
DE102008039430A1 (de) * 2007-08-23 2009-02-26 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Durchlaufbeschichtungsanlage

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010030563A1 (de) * 2010-06-25 2011-12-29 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Substratbehandlungsanlage
DE102012106325A1 (de) 2012-05-25 2013-11-28 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Aufheizen und Abkühlen einer Substratbehandlungsanlage
US20140076362A1 (en) * 2012-09-14 2014-03-20 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Continuous substrate treatment plant and cleaning method
DE102013108405B4 (de) * 2012-09-14 2015-11-05 Von Ardenne Gmbh Durchlauf-Substratbehandlungsanlage und Reinigungsverfahren
US9452456B2 (en) 2012-09-14 2016-09-27 Von Ardenne Gmbh Continuous substrate treatment plant and cleaning method
DE102013106735A1 (de) * 2013-06-27 2014-12-31 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Vakuumkammer einer Durchlauf-Substratbehandlungsanlage und Verfahren zu deren Betrieb
DE102013110891A1 (de) * 2013-10-01 2015-04-02 Von Ardenne Gmbh Einrichtung und Verfahren zur Temperaturführung von Substraten
DE102013110891B4 (de) 2013-10-01 2022-03-17 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Einrichtung und Verfahren zur Temperaturführung von Substraten
DE102014112536A1 (de) 2014-09-01 2016-03-03 Von Ardenne Gmbh Substratbehandlungsanlage und Heizeinrichtung
WO2024002961A2 (de) 2022-06-29 2024-01-04 Aixtron Se Vorrichtung und verfahren zum behandeln eines substrates
DE102022002350A1 (de) 2022-06-29 2024-01-04 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln eines Substrates
WO2024002961A3 (de) * 2022-06-29 2024-02-29 Aixtron Se Vorrichtung und verfahren zum behandeln eines substrates

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