WO2010026772A1 - 基板冷却方法及び半導体の製造方法 - Google Patents

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WO2010026772A1
WO2010026772A1 PCT/JP2009/004400 JP2009004400W WO2010026772A1 WO 2010026772 A1 WO2010026772 A1 WO 2010026772A1 JP 2009004400 W JP2009004400 W JP 2009004400W WO 2010026772 A1 WO2010026772 A1 WO 2010026772A1
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WO
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substrate
cooling
chamber
load lock
cooling plate
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Application number
PCT/JP2009/004400
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English (en)
French (fr)
Inventor
中村秀一
内野聡
Original Assignee
キヤノンアネルバ株式会社
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature

Definitions

  • the present invention relates to a substrate cooling method and a semiconductor manufacturing method for cooling a substrate in a load lock chamber provided in the substrate processing apparatus.
  • a substrate processing apparatus such as a sputtering apparatus
  • the substrate is heated to a high temperature of 500 ° C. or higher.
  • the substrate heated to this high temperature is unloaded from the substrate processing apparatus via a load lock chamber for transporting the substrate to the processing chamber.
  • a natural oxide film is likely to be formed on the substrate surface.
  • particles adhering to the surface of the substrate chemically react with the natural oxide film and easily cause defects in the device formed on the substrate.
  • a cooling plate whose temperature is controlled to a low temperature is disposed in the load lock chamber, and the heated substrate is placed directly on the substrate placement surface of the cooling plate.
  • There is a method of directly cooling the substrate see FIG. 2 of Patent Document 2).
  • the indirect cooling method using the cooling gas of Patent Document 1 can uniformly cool the entire surface of the substrate, but the cooling time becomes longer, and the time that the substrate stays in the load lock chamber increases. Has led to a decline.
  • the substrate can be rapidly cooled, but the back surface of the substrate that is in contact with the cooling plate and the surface of the substrate that is not in contact with the cooling plate During this period, a thermal gradient in the thickness direction of the substrate is generated.
  • the substrate is distorted.
  • the warpage of the substrate caused by this distortion causes the substrate and the cooling stage to rub, causing generation of particles, scratches on the back surface of the substrate, and misalignment of the transport when the warped substrate is transported. Occurred, causing problems such as cracking of the substrate.
  • Patent Document 1 discloses a substrate cooling apparatus and a cooling method in which an upper cooling mechanism and a lower cooling mechanism are respectively provided above and below a vacuum container in which a substrate is accommodated. Yes.
  • the substrate in the initial stage of cooling, the substrate is held between the upper cooling mechanism and the lower cooling mechanism, and is cooled from the periphery of the substrate by the cooling gas (indirect cooling).
  • the substrate In the later stage of cooling, the substrate is held at a position close to the lower cooling mechanism, and the substrate is cooled by the entire cooling surface of the lower cooling mechanism close to the substrate.
  • Patent Document 1 Although the entire substrate is cooled, no distortion occurs, but there is a problem in that the cooling time becomes longer, resulting in a decrease in productivity.
  • Patent Document 2 since the substrate is directly cooled, a thermal gradient is generated in the thickness direction of the substrate. For this reason, in Patent Document 2, it is difficult to suppress the distortion of the substrate.
  • an object of the present invention is to solve the above-described problems, and to provide a substrate cooling method capable of efficiently suppressing the substrate while suppressing the occurrence of distortion in the substrate to be cooled.
  • a substrate cooling method that achieves the above object includes a load lock in which a cooling plate having a substrate contact surface that cools a substrate heated in a processing chamber by contacting the substrate is disposed.
  • a substrate cooling method for cooling the substrate by supplying a cooling gas to the load lock chamber after being loaded into the chamber, A first cooling step of cooling the substrate by supplying the cooling gas to the periphery of the substrate in a state where there is a gap between the substrate and the substrate contact surface of the cooling plate; And a second cooling step of bringing the substrate into contact with the substrate contact surface of the cooling plate and cooling the substrate with the cooling plate.
  • a semiconductor manufacturing method includes a load lock chamber in which a cooling plate having a substrate contact surface for cooling the substrate by contact with the substrate is disposed, and a thin film formed on the substrate
  • a semiconductor manufacturing method in a semiconductor manufacturing apparatus having a processing chamber A loading step of loading the substrate from the load lock chamber into the processing chamber; Forming a thin film constituting a part of a semiconductor on a substrate carried into the processing chamber; A placing step of placing the substrate on which the thin film is formed on a cooling plate in a load lock chamber; The substrate on which the thin film is formed is transferred from the processing chamber to the load lock chamber, and a cooling gas is formed around the substrate in a state where a gap is provided between the substrate and the substrate contact surface of the cooling plate.
  • a first cooling step for cooling the substrate by supplying A second cooling step, wherein the substrate is brought into contact with the substrate contact surface of the cooling plate and the substrate is cooled by the cooling plate.
  • the present invention it is possible to suppress the occurrence of distortion in the substrate to be cooled and to efficiently cool the substrate, thereby preventing problems associated with the distortion of the substrate without reducing productivity. be able to.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a cooling chamber 21.
  • FIG. It is a figure explaining the deformation amount of a board
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of a sputtering apparatus according to an embodiment including a load lock chamber.
  • the sputtering apparatus of this embodiment is a so-called multi-chamber type apparatus, and includes a plurality of processing chambers 1 for performing predetermined processing on a substrate, and two load locks for loading and unloading the substrate into and from these processing chambers 1. And a chamber 2.
  • the sputtering apparatus also includes a core chamber 3 to which a load lock chamber 2 and a plurality of processing chambers 1 are connected.
  • gate valves for communicating the chambers with each other and separating them hermetically can be opened and closed. Is provided.
  • a plurality of processing chambers 1 are provided.
  • the plurality of processing chambers 1 may have exactly the same configuration, or may have different configurations depending on the contents of the process.
  • the same configuration is employed when the tact time is shortened by dividing one film forming process into two. Further, a different configuration is adopted in the case where different kinds of thin films are laminated, for example, as in the production of a barrier film in which titanium and titanium nitride are laminated.
  • the sputtering apparatus (FIG. 1) of the present embodiment includes six processing chambers 1, the number of processing chambers 1 is not limited to six.
  • the processing chamber 1 includes a substrate mounting table on which a substrate is mounted, a target mounting table disposed at a position facing the substrate mounting table, a target mounted on the target mounting table, a vacuum exhaust unit, and a gas
  • An introduction unit, a power supply unit, and the like are provided.
  • illustration of these structures is abbreviate
  • the load lock chamber 2 has a pin vertical drive mechanism for vertically driving a substrate mounting table on which a substrate is mounted, a vacuum exhaust unit, a substrate heating unit, a cooling gas introduction unit, a cooling plate, and a substrate delivery pin. , Etc.
  • illustration of these structures is abbreviate
  • the core chamber 3 includes a vacuum exhaust unit for exhausting the inside of the core chamber 3, a first substrate transport mechanism for transporting a substrate between each of the plurality of processing chambers 1 and the core chamber 3, etc. Is provided. These are not shown in FIG.
  • the atmosphere side of the sputtering apparatus is provided with a load lock chamber 2 and a second substrate transfer mechanism (not shown) for carrying the substrate into and out of the load lock chamber 2.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the load lock chamber 2 of the sputtering apparatus shown in FIG.
  • the interior of the load lock chamber 2 is divided into two upper and lower chambers via a partition wall 240.
  • the load lock chamber 2 has a heating chamber 22 disposed above the partition wall 240 and a cooling chamber 21 disposed below the partition wall 240.
  • the load lock chamber 2 and the core chamber 3 are communicated with each other via a gate valve 231.
  • a gate valve 231 In the present embodiment, since the interior of the load lock chamber 2 is divided into two upper and lower chambers, one gate valve 231 is provided for each of the upper heating chamber 22 and the lower cooling chamber 21. Yes. In FIG. 2, the two gate valves are simplified and schematically shown as one gate valve 231.
  • a substrate heating unit 221 such as a lamp heater is provided above the heating chamber 22 to heat the substrate 200 carried in by a second substrate transport mechanism (not shown) disposed on the atmosphere side to a predetermined temperature. ing.
  • a plurality of substrate transfer pins 222 for transferring the substrate 200 to and from the second substrate transfer mechanism or the first substrate transfer mechanism provided in the core chamber 3 are provided below the heating chamber 22. Is provided.
  • a cooling gas introduction part 218 for cooling the substrate 200 that has been subjected to a predetermined film forming process in the processing chamber 1 and heated to a high temperature to a predetermined temperature is provided below the cooling chamber 21.
  • a cooling plate 211 adjusted to a predetermined temperature is provided on the top of the cooling chamber 21.
  • the substrate 200 is transferred to the second substrate transport mechanism disposed on the atmosphere side or the first substrate transport mechanism provided in the core chamber 3.
  • a plurality of substrate transfer pins 212 are provided for performing.
  • the cooling plate 211 has a substrate mounting surface 211a as a substrate contact surface with which the substrate 200 is contacted.
  • a cooling medium path 213 for circulating the refrigerant is provided inside the cooling plate 211, and the temperature of the cooling plate 211 is set to a predetermined temperature by adjusting the temperature of the refrigerant by the refrigerant temperature adjusting unit 214.
  • the refrigerant may be any material that has relatively large heat transfer, temperature maintenance, heat capacity, relatively little corrosion on the cooling path, is inexpensive, and is non-toxic. For example, pure water can be used.
  • As a material of the cooling plate 211 for example, aluminum, stainless steel, copper, or the like having relatively high thermal conductivity can be used from the viewpoint of uniformly cooling the substrate.
  • a pin vertical drive mechanism (not shown) for driving the substrate transfer pins 222 and 212 in the vertical direction is provided.
  • the pin vertical drive mechanism raises the substrate transfer pins 222 and 212 so that the substrate 200 can be transferred to the first and second substrate transfer mechanisms.
  • the substrate transfer pin 212 is raised, the substrate 200 is supported by the substrate transfer pin 212.
  • the substrate 200 is delivered to the first and second substrate transport mechanisms in a state where the substrate 200 is supported by the substrate delivery pins 212.
  • the substrate 200 is carried into the heating chamber 22 inside the load lock chamber 2 by the second substrate transport mechanism arranged on the atmosphere side. At this time, the substrate 200 is delivered via the substrate delivery pins 222.
  • the substrate 200 is heated to a predetermined temperature by the substrate heating unit 221.
  • the reason why the substrate 200 is heated is to desorb (degas) the gas contained in the substrate 200. Note that when it is not necessary to heat the substrate 200 before vacuum processing (when it is not necessary to desorb the gas contained in the substrate 200), the heating chamber 22 into which the substrate 200 was loaded was evacuated. Later, the process immediately proceeds to the next step.
  • the substrate 200 is carried into the processing chamber 1 from the heating chamber 22 by the first substrate transport mechanism and placed on the substrate platform.
  • a desired gas is controlled to a predetermined flow rate by the gas introducing unit and supplied into the processing chamber 1.
  • power is supplied to the target by the power supply unit, plasma discharge is generated in the processing chamber 1, and sputtered particles sputtered from the target reach the surface of the substrate, thereby forming a thin film on the substrate.
  • the substrate 200 is heated to a high temperature of, for example, 500 ° C. or higher.
  • the substrate 200 that has been subjected to the predetermined processing in the processing chamber 1 is unloaded from the processing chamber 1 by the first substrate transport mechanism, and is loaded into the cooling chamber 21 of the load lock chamber 2 through the core chamber 3. .
  • the substrate 200 is cooled to a predetermined temperature through a first cooling process in which cooling is performed by the cooling gas in the cooling chamber 2 and a second cooling process in which the substrate 200 is cooled by the substrate placement surface 211a of the cooling plate 211. . Then, after being cooled, the substrate 200 is carried out of the sputtering apparatus by the second substrate transport mechanism disposed on the atmosphere side. At this time, the substrate 200 is transferred to the cooling chamber 21 by the substrate transfer pins 212.
  • the cooling gas supplied to the cooling chamber 2 is also used as a vent gas for cooling the substrate 200 and opening the load lock chamber 2 to the atmosphere.
  • a cooling gas nitrogen gas, argon gas, air etc. are used, for example.
  • the substrate 200 on which the predetermined film forming process has been performed in the processing chamber 1 is placed on the substrate delivery pins 212 of the cooling chamber 21 by the first substrate transport mechanism. Then, the distance between the back surface of the substrate 200 and the substrate placement surface 211a of the cooling plate 211 is adjusted to 0.2 mm or more and 0.8 mm or less, preferably 0.5 mm, by moving the substrate delivery pin 212.
  • the first cooling gas introduction valve 216 is opened, and the cooling gas flow rate control unit 217 Then, a cooling gas having a controlled flow rate is supplied around the substrate 200 with a nitrogen gas as a cooling gas.
  • a first cooling process for indirectly cooling the substrate 200 with nitrogen gas is performed.
  • the temperature of the nitrogen gas supplied at this time is set to about 25 ° C., for example, room temperature.
  • substrate 200 and the cooling plate 211 is set to 0.8 mm or less, and the one smaller than 0.8 mm is desirable. This is because, when the interval is smaller than 0.8 mm, the cooling gas between the substrate 200 and the cooling plate 211 is cooled by the cooling plate 211, so that the effect of improving the cooling efficiency of the substrate 200 is obtained. Because.
  • the substrate 200 is directly placed on the substrate mounting surface 211a of the cooling plate 211. This is not preferable because the substrate 200 becomes substantially the same as the contacted state and the substrate 200 is distorted. For this reason, it is important to determine in advance an experiment or the like the range of intervals at which the distortion of the substrate 200 does not occur.
  • substrate 200 and the cooling plate 211 is larger than 0.8 mm, since the effect which cools cooling gas with the cooling plate 211 will become small, it is unpreferable.
  • the pin vertical drive mechanism controls the vertical movement of the substrate transfer pin 212 in advance, so that the substrate mounting surface 211a and the back surface of the substrate 200 are The distance is adjusted to a predetermined interval (0.2 mm to 0.8 mm, preferably 0.5 mm).
  • the cooling gas flow rate control unit 217 controls the flow rate of the first cooling gas, and the second cooling gas introduction valve 215 is opened. And supplying a cooling gas directly without controlling the flow rate until atmospheric pressure is reached.
  • the flow rate control in the first cooling process can be performed by increasing the cooling gas in stages (N stages (N is a natural number of 2 or more)) with time, for example.
  • the flow rate of the cooling gas supplied in each stage, the timing for switching the flow rate (elapsed time), and the number of stages for switching the flow rate can be set as appropriate.
  • the pin vertical drive mechanism lowers the substrate delivery pin 212 to a position where the substrate placement surface 211a and the back surface of the substrate 200 come into contact with each other.
  • the second cooling step is performed in a state where the back surface of the substrate 200 is in contact with the substrate placement surface 211a of the cooling plate 212.
  • the cooling plate 211 is cooled to a predetermined temperature by the refrigerant temperature adjustment unit 214, and can cool the substrate 200 satisfactorily.
  • the pin up / down drive mechanism raises the substrate delivery pin 212 and holds the back surface of the substrate 200 away from the substrate placement surface 211a. Then, the second substrate transport mechanism receives the substrate 200 supported by the substrate delivery pins 212 and carries the substrate 200 cooled in the load lock chamber 2 out of the sputtering apparatus.
  • FIG. 3 is a diagram showing a measurement result of a change (mm) in displacement of the substrate over time (seconds) in the substrate cooling method of the present embodiment.
  • the x-axis indicates the in-plane direction of the substrate
  • the z-axis indicates the direction perpendicular to the substrate surface.
  • the displacement amount is a displacement amount in the z-axis direction
  • the displacement amount at the center of the substrate 200 is defined as L1 (801 in FIG. 8) with reference to the upper surface of the substrate 200 (802 in FIG. 8).
  • the displacement amount of the peripheral portion of the substrate 200 is defined as L2 (801 in FIG. 8) with reference to the upper surface of the substrate 200 (802 in FIG. 8).
  • FIG. 4 shows a measurement result of a change (mm) in displacement of the substrate over time (seconds) in the direct contact type substrate cooling method of the comparative example in which the substrate is brought into direct contact with the cooling plate for cooling.
  • the horizontal axis indicates a time axis of the substrate processing time indicating the passage of the entire time for processing the substrate, and a time axis of the substrate cooling time indicating the passage of time of the substrate cooling process.
  • the substrate processing time of 110 seconds corresponds to the origin of the substrate cooling time axis, and cooling starts at this point.
  • the amount of displacement of the substrate was measured using a laser displacement sensor that can measure the displacement of the measurement point of the substrate in a non-contact state.
  • a solid line L1 indicates the amount of displacement of the center of the substrate 200 (801 in FIG. 8) with reference to the upper surface of the substrate 200 (802 in FIG. 8).
  • a broken line L2 indicates the amount of displacement of the peripheral portion of the substrate 200 (801 in FIG. 8) with reference to the upper surface of the substrate 200 (802 in FIG. 8).
  • a solid line L11 indicates the amount of displacement of the center of the substrate 200 in the direct contact cooling method
  • a broken line L12 indicates the peripheral portion of the substrate 200. The amount of displacement is shown. Also, the time (seconds) shown on the horizontal axis in FIG.
  • the time axis of the substrate cooling time in FIG. 4 is set to 0 seconds starting from the time when each cooling process is started.
  • the laser displacement sensor (not shown) is installed vertically above the substrate 200, the position in the vertical upward direction closer to the laser displacement sensor than the substrate mounting surface 211a of the cooling plate 211 is The negative direction on the vertical axis represents the displacement amount as a negative value.
  • the sputtering apparatus of the embodiment was used.
  • a circular silicon substrate having a diameter of 300 mm was used as the substrate 200.
  • a position 5 mm inside from the outer peripheral edge of the substrate 200 is set as a measurement point in the peripheral portion of the substrate 200. Note that although there are a plurality of measurement points in the peripheral portion of the substrate 200, for the sake of convenience, a value having the maximum displacement among the plurality of measurement points measured this time is described.
  • the substrate 200 indicated by the solid line L11 from the time when 15 seconds have elapsed from the start of cooling after the substrate contacts the cooling plate.
  • Displacement begins to occur in the central portion and the peripheral portion of the substrate 200 indicated by the broken line L12.
  • substrate 200 and the displacement amount of a peripheral part was 2.7 mm and 0.4 mm, respectively, and the maximum value of the difference was 2.3 mm.
  • the displacement amount returns to zero when 62 seconds have elapsed from the time when 15 seconds have elapsed since the start of cooling, that is, when 77 seconds have elapsed since the start of cooling.
  • This amount of displacement is due to the fact that the substrate comes into contact with the substrate mounting surface 211a of the cooling plate and a temperature gradient is generated inside the substrate, causing the substrate to warp. As the substrate is warped, the substrate and the cooling plate are rubbed, causing generation of particles and a scratch on the back surface of the substrate.
  • the transport position is shifted from a predetermined position due to the warp of the substrate, causing a transport trouble such as a crack of the substrate. It becomes.
  • the substrate should not be carried out of the load lock chamber until the warpage of the substrate returns to zero.
  • the residence time of the substrate in the load lock chamber 2 obtained from the experimental results regarding displacement shown in FIG. 3 will be considered.
  • the time from when the substrate cooling process is started until the substrate can be unloaded from the load lock chamber 2 is defined as the staying time.
  • the substrate displacement is zero, that is, the substrate warp is zero, and can be transported after the substrate cooling is started.
  • the elapsed time until reaching a new state was 77 seconds.
  • the substrate cooling method of the present embodiment as shown in FIG. 3, during the first cooling step P1, the center portion of the substrate 200 indicated by the solid line L1 and the peripheral portion indicated by the broken line L2 are displaced.
  • the difference is 0.2 mm or less. This is presumably because the entire surface of the substrate is uniformly cooled by the cooling gas uniformly contacting the entire surface of the substrate 200.
  • the difference in displacement generated in the central portion and the peripheral portion of the substrate 200 is large for 10 seconds immediately after the first cooling step P1 is started. It is considered that this is not a difference in displacement due to the substrate cooling method but a difference in displacement due to heating of the film forming process in the processing chamber, that is, a warp of the substrate.
  • the difference in displacement between the central portion and the peripheral portion of the substrate is 0.1 mm or less even during the second cooling step P2.
  • the first cooling process P1 causes the substrate 200 to directly contact the substrate mounting surface of the cooling plate 211 and cause a difference in displacement, that is, a substrate warp even if a temperature gradient occurs in the substrate 200. It is thought that this is because the temperature is cooled to a temperature that does not reach it.
  • the displacement of the substrate generated during the first cooling process P1 and the second cooling process P2 was 0.2 mm or less.
  • the time during which the transfer operation is limited by the difference in displacement of the substrate, that is, the warpage of the substrate, that is, the residence time of the substrate in the load lock chamber was 10 seconds.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating an experimental result regarding a temperature change of the substrate 200 by the substrate cooling method of the embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating an experimental result of a temperature change of the substrate by the direct contact type substrate cooling method of the comparative example in which the substrate 200 is directly brought into contact with the cooling plate 211 to be cooled.
  • FIG. 5 shows the relationship between the temperature change at the center point of the substrate 200 and time in the substrate cooling method of the embodiment.
  • FIG. 6 shows the relationship between the temperature change at the center point of the substrate 200 and time in the direct contact type substrate cooling method of the comparative example using the cooling plate.
  • the temperature of the substrate 200 was measured using a thermocouple.
  • the temperature can be rapidly cooled and transported.
  • the time required to reach 70 ° C. was 47 seconds.
  • the substrate cooling method of the embodiment will be considered. As shown in FIG. 5, in the substrate cooling method of the embodiment, when the temperature of the substrate is lowered to near 200 ° C., the temperature drop gradient becomes relatively gentle. Therefore, at this time, the temperature lowering gradient is increased again and the cooling time can be shortened by shifting to the second cooling step P2 in which the substrate is brought into contact with the substrate mounting surface of the cooling plate and cooled.
  • the elapsed time from when the substrate 200 is placed on the substrate transfer pin 212 to the time when the temperature of the substrate 200 is reduced to 70 ° C., which is a temperature at which the substrate 200 can be carried out, is calculated as the substrate in the load lock chamber 2. Assuming 200 staying hours, the staying time was 64 seconds.
  • the time during which the substrate 200 stays in the load lock chamber 2 is a time until the difference in the displacement amount of the substrate, that is, the warpage of the substrate becomes zero and the substrate temperature becomes 70 ° C. or less at which the substrate can be transported. is there. From the respective measurement results relating to the displacement amount of the substrate shown in FIGS. 3 and 4 and the respective measurement results relating to the temperature shown in FIGS. 5 and 6, the time that can be conveyed in the direct contact type substrate cooling method of the comparative example using the cooling plate 211. Is 77 seconds when the displacement amount becomes zero.
  • the time during which the substrate can be transferred is 64 seconds, which is the elapsed time until the substrate temperature reaches 70 ° C., which is equal to or less than the conventional one. Therefore, according to the cooling method of the present embodiment, in the substrate 200 to be cooled, the occurrence of substrate warpage can be suppressed and productivity is not reduced.
  • the rear surface (lower surface) of the substrate is placed on the substrate placement surface 211a of the cooling plate 211 and cooled, but the present invention is not limited to this configuration. Any structure may be used as long as it is in contact with the cooling plate 211. That is, for example, a configuration in which the surface (upper surface) of the substrate is in contact with the substrate contact surface that is the lower surface of the cooling plate 211 may be employed.
  • the semiconductor substrate 200 is described as the substrate 200.
  • the present invention can be similarly applied to other substrates such as a glass substrate for a flat panel display.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating the configuration of the cooling chamber 21.
  • the cooling gas introduction unit 218 has a configuration in which vent gas (N 2 ) is introduced into the first cooling gas introduction valve 216 and the second cooling gas introduction valve 215, respectively.
  • the vent gas introduction line 715 is one system.
  • the vent gas introduction line 715 is connected to the mass flow controller 720 and the valve 730, and a cooling gas (vent gas (N 2 )) is introduced into the cooling chamber 21.
  • the mass flow controller 720 is connected to the sequencer 740.
  • the sequencer 740 is further connected to the encoder 750.
  • the encoder 750 can detect how far the substrate delivery pin 212 is from the substrate placement surface 211a of the substrate holder.
  • Position information from the encoder 750 is input to the sequencer 740.
  • the sequencer 740 controls the operation of the motor 760 based on this position information, and controls the vertical movement of the substrate transfer pin 212.
  • the sequencer 740 feeds back the position information of the encoder 750 to the mass flow controller 720.
  • the mass flow controller 720 introduces a cooling gas (vent gas (N 2 )) into the cooling chamber in accordance with the flow rate instruction information from the sequencer 740.

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Abstract

　処理チャンバで加熱された基板を、基板と当接することにより基板を冷却する基板当接面を有する冷却プレートが配置されたロードロックチャンバに搬入した後、ロードロックチャンバに冷却ガスを供給して基板を冷却する基板冷却方法は、基板と冷却プレートの基板当接面との間に間隔をあけた状態で、基板の周囲に冷却ガスを供給して基板を冷却する第１の冷却工程と、基板を冷却プレートの基板当接面に当接させて基板を冷却プレートによって冷却する第２の冷却工程とを有する。

Description

基板冷却方法及び半導体の製造方法
　本発明は、基板処理装置が備えるロードロックチャンバにおいて、基板を冷却するための基板冷却方法及び半導体の製造方法に関する。
　スパッタリング装置等の基板処理装置では、高温状態の処理チャンバ内で成膜処理が行われるため、基板が５００℃以上の高温に加熱される。そして、この高温に加熱された基板は、処理チャンバに対して基板を搬送するためのロードロックチャンバを経由して、基板処理装置から搬出される。しかしながら、基板が高温状態のままで大気中に搬出されてしまうと、基板表面に自然酸化膜が形成され易くなる。基板表面に付着したパーティクルが自然酸化膜と化学反応し、基板に構成されたデバイスの欠陥になり易いという問題がある。さらに、このような場合には、高温状態の基板が、基板を収納するカセット等に接触することで熱変形させてしまう等の問題もある。このため、高温状態の基板を搬出可能な温度まで冷却した後に、基板処理装置から基板を搬出する必要がある。
　近年では、加熱された基板を冷却するために、ロードロックチャンバ内に基板を載置し、ロードロックチャンバ内に冷却ガスを供給することで、冷却ガスを媒体にして基板を間接的に冷却する冷却方法が用いられている（特許文献１の図４参照）。
　また、他の基板冷却方法としては、低温に温度制御された冷却プレートをロードロックチャンバ内に配置し、加熱された基板を冷却プレートの基板載置面上に直接に載置し、冷却プレートによって基板を直接的に冷却する方法がある（特許文献２の図２参照）。
　しかしながら、特許文献１の冷却ガスによる間接的な冷却方法では、基板全面を均一に冷却することができるが、冷却時間が長くなり、ロードロックチャンバ内に基板が滞在する時間が増えるので、生産性の低下を招いていた。
　また、特許文献２の冷却プレートによる直接的な冷却方法では、基板を急速に冷却することができるが、冷却プレートに接触している基板の裏面と、冷却プレートに接触していない基板の表面との間に基板の厚さ方向の熱勾配が発生する。この熱勾配が発生することで、基板に歪みが生じてしまう。この歪みによって生じる基板の反りが、基板と冷却ステージとが擦れる状態を招き、パーティクルの発生、基板の裏面への傷の発生、さらには、反った基板を搬送させたときに搬送の位置ずれが発生し、基板の割れ等の問題を引き起こしていた。
　一方で、特許文献１（図１及び図２参照）では、基板が収容される真空容器内の上下に上部冷却機構及び下部冷却機構がそれぞれ設けられた基板冷却装置、及び冷却方法が開示されている。この特許文献１では、冷却初期に、基板は上部冷却機構と下部冷却機構との間に保持され、冷却ガスによって基板の周囲から冷却される（間接冷却）。そして、冷却後期には、基板は下部冷却機構に近接させた位置に保持され、基板に近接させた下部冷却機構の冷却面の全面によって、基板は冷却される。
特許第３２７２４５８号公報 特開２００３－１３２１５号公報
　上述したように、特許文献１においては、基板全体を冷却するので歪みが生じないが、冷却時間が長くなるため、生産性の低下を招く問題がある。また、特許文献２においては、基板の直接冷却を行っているので、基板の厚さ方向に対して熱勾配が発生してしまう。このため、特許文献２では、基板の歪みを抑制することが困難である。
　そこで、本発明は、上述した課題を解決し、冷却される基板に歪みが発生するのを抑制するとともに、基板を効率的に冷却することができる基板冷却方法を提供することを目的とする。
　上記の目的を達成する本発明にかかる基板冷却方法は、処理チャンバで加熱された基板を、前記基板との当接により前記基板を冷却する基板当接面を有する冷却プレートが配置されたロードロックチャンバに搬入した後、前記ロードロックチャンバに冷却ガスを供給して前記基板を冷却する基板冷却方法であって、
　前記基板と前記冷却プレートの前記基板当接面との間に間隔をあけた状態で、前記基板の周囲に前記冷却ガスを供給して前記基板を冷却する第１の冷却工程と、
　前記基板を前記冷却プレートの前記基板当接面に当接させて前記基板を前記冷却プレートによって冷却する第２の冷却工程と、を有することを特徴とする。
　上記の目的を達成する本発明にかかる半導体の製造方法は、基板との当接により前記基板を冷却する基板当接面を有する冷却プレートが配置されたロードロックチャンバと、前記基板に薄膜を形成する処理チャンバと、を有する半導体製造装置における半導体の製造方法であって、
　前記基板を前記ロードロックチャンバから前記処理チャンバに搬入する搬入工程と、
　前記処理チャンバに搬入された基板上に半導体の一部を構成する薄膜を形成する形成工程と、
　前記薄膜が形成された基板をロードロックチャンバ内の冷却プレートに載置する載置工程と、
　前記薄膜が形成された基板を前記処理チャンバから前記ロードロックチャンバに搬送し、前記基板と前記冷却プレートの前記基板当接面との間に間隔をあけた状態で、前記基板の周囲に冷却ガスを供給して前記基板を冷却する第１の冷却工程と、
　前記基板を前記冷却プレートの前記基板当接面に当接させて前記基板を前記冷却プレートによって冷却することを特徴とする第２の冷却工程と、を有することを特徴とする。
　本発明によれば、冷却される基板に歪みが発生するのを抑制するとともに、基板を効率的に冷却することができるので、生産性を低下させずに、基板の歪みに伴う問題点を防ぐことができる。
　本発明のその他の特徴及び利点は、添付図面を参照とした以下の説明により明らかになるであろう。なお、添付図面においては、同じ若しくは同様の構成には、同じ参照番号を付す。
　添付図面は明細書に含まれ、その一部を構成し、本発明の実施の形態を示し、その記述と共に本発明の原理を説明するために用いられる。
実施形態のロードロックチャンバを備えるスパッタリング装置の全体構成を模式的に示す平面図である。 実施形態のロードロックチャンバを模式的に示す透視側面図である。 実施形態の基板冷却方法における、冷却時間と基板の変位量の変化との関係を示す図である。 比較例の基板冷却方法における、冷却時間と基板の変位量の変化との関係を示す図である。 実施形態の基板冷却方法における、冷却時間と基板の温度の変化との関係を示す図である。 比較例の基板冷却方法における、冷却時間と基板の温度の変化との関係を示す図である。 冷却チャンバ２１の構成を例示した図である。 基板の変形量を説明する図である。
　以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
　図１は、ロードロックチャンバを備える実施形態のスパッタリング装置の構成を模式的に示す平面図である。
　本実施形態のスパッタリング装置は、いわゆるマルチチャンバタイプの装置であり、基板に所定の処理を行うための複数の処理チャンバ１と、これら処理チャンバ１に基板を搬入及び搬出するための２つのロードロックチャンバ２と、を備えている。また、このスパッタリング装置は、ロードロックチャンバ２及び複数の処理チャンバ１がそれぞれ接続されるコアチャンバ３を備えている。
　コアチャンバ３とロードロックチャンバ２との間、及びコアチャンバ３と処理チャンバ１との間には、各チャンバを互いに連通させると共に気密に分離させるためのゲートバルブ（不図示）が開閉可能にそれぞれ設けられている。
　また、本実施形態では、２つのロードロックチャンバ２を備えることで、処理チャンバ１に対して基板の搬出、搬入を行う際に、２つのチャンバを交互に使い分けることによって、生産性の向上が図られている。
　本実施形態では複数の処理チャンバ１が設けられている。複数の処理チャンバ１は、全く同一の構成とされる場合もあるし、プロセスの内容に応じて異なった構成とされる場合もある。同一の構成は、一つの成膜工程を二つに分けて行うことでタクトタイムを短縮する場合等に採用される。また、異なる構成は、例えばチタンと窒化チタンとを積層するバリア膜の作成のように、異種薄膜を積層する場合等に採用される。
　本実施形態のスパッタリング装置（図１）は、６つの処理チャンバ１を備えているが、処理チャンバ１の個数が６つに限定されるものではない。
　処理チャンバ１は、基板が載置される基板載置台と、この基板載置台に対向する位置に配置されたターゲット載置台と、このターゲット載置台に載置されるターゲットと、真空排気部、ガス導入部、電力供給部、等を備えている。なお、図１においてはこれらの構成の図示を省略する。
　詳細は後述するが、ロードロックチャンバ２には、基板が載置される基板載置台、真空排気部、基板加熱部、冷却ガス導入部、冷却プレート、基板受け渡しピンを上下駆動させるピン上下駆動機構、等を備えている。なお、図１においてはこれらの構成の図示を省略する。
　コアチャンバ３には、コアチャンバ３の内部を排気するための真空排気部、複数の処理チャンバ１のそれぞれとコアチャンバ３との間で基板の搬送を行うための第１の基板搬送機構、等が設けられている。図１においてはこれらの図示を省略する。
　スパッタリング装置の大気側には、ロードロックチャンバ２と、ロードロックチャンバ２に対して基板の搬入、搬出を行うための第２の基板搬送機構（不図示）が設けられている。
　次に、本実施形態のスパッタリング装置における特徴点をなすロードロックチャンバ２の構成について説明する。
　図２は、図１に示したスパッタリング装置のロードロックチャンバ２を模式的に示すＡ－Ａ'断面図である。
　図２に示すように、ロードロックチャンバ２の内部は、隔壁２４０を介して上下２室に区分されている。ロードロックチャンバ２は隔壁２４０の上部に配置された加熱チャンバ２２と、隔壁２４０の下部に配置された冷却チャンバ２１とを有している。
　また、ロードロックチャンバ２とコアチャンバ３とは、ゲートバルブ２３１を介して連通されている。また、本実施形態では、ロードロックチャンバ２の内部が上下２室に区分されているので、ゲートバルブ２３１は、上部の加熱チャンバ２２と下部の冷却チャンバ２１とのそれぞれに１つずつ設けられている。なお、図２では、２つのゲートバルブを簡略化して１つのゲートバルブ２３１として模式的に示している。
　加熱チャンバ２２の上部には、大気側に配置された第２の基板搬送機構（不図示）によって搬入された基板２００を所定の温度まで加熱するためのランプヒータ等の基板加熱部２２１が設けられている。また、加熱チャンバ２２の下部には、第２の基板搬送機構またはコアチャンバ３内に設けられた第１の基板搬送機構との間で、基板２００の受け渡しを行うための複数の基板受け渡しピン２２２が設けられている。
　冷却チャンバ２１の下部には、処理チャンバ１で所定の成膜処理が施されて高温に加熱された基板２００を所定の温度まで冷却するための冷却ガス導入部２１８が設けられている。また、冷却チャンバ２１の上部には、所定の温度に調整された冷却プレート２１１が設けられている。この冷却プレート２１１の基板載置面２１１ａの上には、大気側に配置された第２の基板搬送機構またはコアチャンバ３内に設けられた第１の基板搬送機構に対して基板２００の受け渡しを行うための複数の基板受け渡しピン２１２が設けられている。
　図２に示すように、冷却プレート２１１は、基板２００が当接される基板当接面としての基板載置面２１１ａを有している。また、冷却プレート２１１の内部には、冷媒を循環させるための冷媒用経路２１３が設けられており、冷媒温度調節部２１４によって冷媒の温度を調節することで、冷却プレート２１１の温度を所定の温度に制御することができる。なお、冷媒としては、熱伝達、温度保持、熱容量が比較的大きく、冷却用経路に対する腐食が比較的少なく、安価で、無毒な物質であればよく、例えば、純水を使用することができる。冷却プレート２１１の材料としては、基板を均一に冷却する観点から、例えば、熱伝導性が比較的高いアルミニウム、ステンレス、銅などを使用することができる。
　また、加熱チャンバ２２及び冷却チャンバ２１の内部には、基板受け渡しピン２２２、２１２を上下方向に駆動させるピン上下駆動機構（不図示）が設けられている。ピン上下駆動機構は、基板受け渡しピン２２２、２１２を上昇させることで、第１及び第２の基板搬送機構に対して基板２００の受け渡しを行うことが可能な状態にする。例えば、冷却チャンバ２１において、基板受け渡しピン２１２が上昇した状態では、基板受け渡しピン２１２により基板２００が支持された状態になる。基板受け渡しピン２１２により基板２００が支持された状態で、第１及び第２の基板搬送機構に対して基板２００は受け渡わたされる。
　次に、図１及び図２を参照して、基板２００に薄膜を成膜する動作について説明する。
　まず、基板２００は、大気側に配置された第２の基板搬送機構によって、ロードロックチャンバ２の内部の加熱チャンバ２２内に搬入される。このとき、基板２００の受け渡しは、基板受け渡しピン２２２を介して行われる。
　続いて、真空排気部によって、加熱チャンバ２２が真空排気された後、基板２００は基板加熱部２２１によって所定の温度まで加熱される。基板２００を加熱するのは、基板２００内に含まれるガスを脱離させる（デガス）ためである。なお、真空処理する前に基板２００を加熱する必要がない場合（基板２００内に含まれるガスを脱離する必要がない場合）には、基板２００が搬入された加熱チャンバ２２が真空排気された後に、直ちに次の工程へ移行する。
　次に、第１の基板搬送機構によって、基板２００は加熱チャンバ２２から処理チャンバ１内に搬入され、基板載置台に載置される。
　続いて、真空排気部によって処理チャンバ1内が真空排気された後、ガス導入部によって、所望のガスが所定の流量に制御されて処理チャンバ１内に供給される。同時に、電力供給部によって、ターゲットに電力が供給され、処理チャンバ１内にプラズマ放電が発生し、ターゲットからスパッタされたスパッタ粒子が基板の表面に到達することによって、基板に薄膜が形成される。このとき、処理チャンバ１内で高温状態での成膜処理が行われるので、基板２００は、例えば、５００℃以上の高温に加熱される。
　処理チャンバ１で所定の処理が施された基板２００は、第１の基板搬送機構によって処理チャンバ１から搬出され、コアチャンバ３を介して、ロードロックチャンバ２の冷却チャンバ２１の内部に搬入される。
　最後に、基板２００は、冷却チャンバ２で冷却ガスによって冷却する第１の冷却工程と、冷却プレート２１１の基板載置面２１１ａによって冷却する第２の冷却工程とを経て所定の温度まで冷却される。そして、基板２００は、冷却された後に、大気側に配置された第２の基板搬送機構によって、スパッタリング装置の外部に搬出される。このとき、冷却チャンバ２１に対する基板２００の受け渡しは、基板受け渡しピン２１２によって行われる。
　このとき、冷却チャンバ２に供給される冷却ガスは、基板２００を冷却するとともにロードロックチャンバ２を大気開放するためのベントガスとしても使用される。また、冷却ガスとしては、例えば窒素ガス、アルゴンガス、空気等が用いられる。
　次に、本実施形態におけるロードロックチャンバ２の冷却チャンバ２１による冷却工程の詳細な処理について説明する。
　処理チャンバ１で所定の成膜処理が施された基板２００は、第１の基板搬送機構によって、冷却チャンバ２１の基板受け渡しピン２１２の上に載置される。そして、基板受け渡しピン２１２が移動されることによって、基板２００の裏面と冷却プレート２１１の基板載置面２１１ａとの間隔が０．２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下、好ましくは０．５ｍｍに調整される。
　そして、基板２００の裏面と冷却プレート２１１の基板載置面２１１ａとの間隔を、例えば、０．５ｍｍに維持した状態で、第１の冷却ガス導入バルブ２１６を開き、冷却ガス流量制御部２１７によって、冷却ガスとしての窒素ガスを基板２００の周囲に流量が制御された冷却ガスを供給する。これによって、基板２００を窒素ガスで間接的に冷却する第１の冷却工程が行われる。このときに供給される窒素ガスの温度は、例えば、室温の２５℃程度に設定されている。
　なお、基板２００と冷却プレート２１１との間隔は、０．８ｍｍ以下に設定されており、０．８ｍｍよりも小さい方が望ましい。この理由は、間隔が０．８ｍｍよりも小さい場合に、基板２００と冷却プレート２１１との間の冷却ガスが、冷却プレート２１１によって冷却されるので、基板２００の冷却効率を向上させる効果が得られるからである。
　しかし、基板２００と冷却プレート２１１との間隔を極端に小さくし過ぎてしまった場合（例えば、０．２ｍｍよりも小さい場合）には、基板２００を冷却プレート２１１の基板載置面２１１ａに直接に当接させた状態と、実質的に同じ状態になってしまい、基板２００に歪みが発生してしまうので好ましくない。このため、基板２００の歪みが発生しない間隔の範囲を予め実験等で見極めておくことが重要である。また、基板２００と冷却プレート２１１との間隔が０．８ｍｍよりも大きい場合には、冷却プレート２１１によって冷却ガスを冷却する効果が小さくなるので、好ましくない。従って、第１の冷却工程において基板２００の冷却を行う場合に、ピン上下駆動機構は、予め、基板受け渡しピン２１２の上下移動を制御して、基板載置面２１１ａと基板２００の裏面とを、所定の間隔（０．２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下、好ましくは０．５ｍｍ）に調整する。
　第１の冷却工程は、冷却ガス流量制御部２１７により、第１の冷却ガスの流量制御を行う工程と、第２の冷却ガス導入バルブ２１５を開き、図示しない圧力検出部によって冷却チャンバ２１内が大気圧になるまで流量を制御しないで直接、冷却ガスを供給する工程とを有する。
　このように冷却ガスの流量を制御することによって、ロードロックチャンバ２内でのパーティクルの舞い上がりを効果的に防止することができる。
　本実施形態おいて、第１の冷却工程における流量制御は、例えば、時間経過に伴って段階的（Ｎ段階（Ｎは２以上の自然数））に冷却ガスを増加させて供給することができる。各段階において供給する冷却ガスの流量や、流量を切り替えるタイミング（経過時間）、流量を切り替える段階の数は、適宜設定することが可能である。
　第１の冷却工程に引き続いて、ピン上下駆動機構は、基板載置面２１１ａと基板２００の裏面とが当接する位置まで、基板受け渡しピン２１２を降下させる。基板２００の裏面を冷却プレート２１２の基板載置面２１１ａに当接させた状態で、第２の冷却工程が実行される。このとき、冷却プレート２１１は、冷媒温度調節部２１４によって所定の温度に冷却されており、基板２００を良好に冷却することができる。
　第２の冷却工程が完了した後に、ピン上下駆動機構は、基板受け渡しピン２１２を上昇させて、基板載置面２１１ａに対して基板２００の裏面を離間した状態して保持する。そして、第２の基板搬送機構は、基板受け渡しピン２１２により支持されている基板２００を受け取り、ロードロックチャンバ２内で冷却された基板２００をスパッタリング装置の外部に搬出する。
　図３は、本実施形態の基板冷却方法において、時間（秒）の経過に伴う基板の変位量の変化（ｍｍ）の測定結果を示す図である。図８において、ｘ軸は基板の面内方向を示し、ｚ軸は基板面に垂直な方向を示す。変位量とは、ｚ軸方向の変位量であり、基板２００の上面を基準とした（図８の８０２）、基板２００の中心の変位量をＬ１とする（図８の８０１）。また、基板２００の上面を基準とした（図８の８０２）、基板２００の周辺部の変位量をＬ２とする（図８の８０１）。
　図４は、冷却プレートに基板を直接に当接させて冷却する、比較例の直接接触方式の基板冷却方法において、時間（秒）の経過に伴う基板の変位量の変化（ｍｍ）の測定結果を示す図である。図４では、横軸に、基板を処理する全体的な時間の経過を示す基板処理時間の時間軸と、基板の冷却処理の時間経過を示す基板冷却時間の時間軸と、が示されている。基板処理時間１１０秒の時点が基板冷却時間軸の原点に対応し、この時点で冷却開始となる。なお、基板の変位量は、非接触状態で基板の測定点の変位を測定することができるレーザ変位センサを使用して測定した。
　図３において、実線Ｌ１は、基板２００の上面を基準とした（図８の８０２）、基板２００の中心の変位量を示す（図８の８０１）。破線Ｌ２は、基板２００の上面を基準とした（図８の８０２）、基板２００の周辺部の変位量を示している（図８の８０１）。また、冷却プレート２１１による冷却の比較例として、実線Ｌ１１（図４）は、直接接触方式の冷却方法における基板２００の中心の変位量を示し、破線Ｌ１２（図４）は、基板２００の周辺部の変位量を示している。また、図３の横軸及び図４の基板冷却時間の時間軸に示す時間（秒）は、それぞれの冷却工程が開始された時点を起点として０秒に設定されている。なお、本実施形態では、レーザ変位センサ（不図示）が基板２００の垂直上方に設置されているため、冷却プレート２１１の基板載置面２１１ａよりもレーザ変位センサに近い垂直上方方向の位置を、縦軸における負の方向としており、変位量を負の値として示している。なお、測定では、実施形態のスパッタリング装置を使用した。
　このとき、基板２００としては、直径３００ｍｍの円形状のシリコン基板を使用した。本実施形態では、基板２００の外周縁部から５ｍｍ内側の位置を、基板２００の周辺部における測定点とした。なお、基板２００の周辺部には、複数の測定点が存在するが、便宜上、今回測定した複数の測定点のうちで、変位が最大の値を記載した。
　図４に示すように、冷却プレート２１１による比較例の直接接触方式の基板冷却方法では、基板が冷却プレートに当接した後、冷却開始から１５秒間が経過した時点から実線Ｌ１１で示す基板２００の中心部と、破線Ｌ１２で示す基板２００の周辺部と、に変位が生じ始める。そして、基板２００の中心の変位量と周辺部の変位量との最大変位は、それぞれ２．７ｍｍ、０．４ｍｍであり、その差の最大値は、２．３ｍｍであった。そして、冷却開始から１５秒間の経過時点から更に６２秒間が経過した時点で、すなわち、冷却開始から７７秒間が経過した時点で、変位量が零に戻っている。
　この変位量は、基板が冷却プレートの基板載置面２１１ａに接触して基板内部に温度勾配が生じたことに起因しており、基板に反りを生じさせる。基板に反りが生じるのに伴って、基板と冷却プレートとの擦れを招き、パーティクルの発生や基板の裏面に擦り傷が生じる原因となる。
　また、反りが生じた状態の基板が第２の基板搬送機構によって搬送された場合には、基板の反りによって搬送位置が所定の位置からずれてしまい、基板の割れ等の搬送トラブルを発生させる原因となる。
　したがって、基板の温度が所定の温度まで冷却された後も、基板の反りが零に戻るまでの時間は、基板をロードロックチャンバから搬出するべきではない。
　そこで、図３に示す変位に関する実験結果から得られるロードロックチャンバ２における基板の滞在時間について考察する。本実施形態の基板冷却方法と比較するため、基板の冷却工程が開始された時点から、基板をロードロックチャンバ２から搬出可能になるまでの時間を滞在時間とする。
　図４に示す変位に関する実験結果から、冷却プレートによる比較例の直接接触方式の基板冷却方法では、基板の冷却が開始されてから、基板の変位が零すなわち基盤の反りが零になって搬送可能な状態になるまでの経過時間は７７秒間であった。
　これに対して、本実施形態の基板冷却方法では、図３に示すように、第１の冷却工程Ｐ１の間において、実線Ｌ１で示す基板２００の中心部と、破線Ｌ２で示す周辺部の変位の差異が０．２ｍｍ以下である。これは、冷却ガスが基板２００の全面に均一に接触することによって、基板全面が均一に冷却されるためであると考えられる。ここで、基板２００の中心部と周辺部において発生する変位の差異が大きいのは、第１の冷却工程Ｐ１が開始された直後の１０秒間であることから、この変位の差異は、実施形態の基板冷却方法による変位の差異ではなく、処理チャンバで成膜処理の加熱による変位の差異すなわち基板の反りであると考えられる。そして、本実施形態の基板冷却方法によれば、第１の冷却工程Ｐ１が開始されてから１０秒経過後に、基板２００を搬送可能になると判断できる。
　また、図３によれば、第２の冷却工程Ｐ２の間も、基板の中心部と周辺部における変位の差異は０．１ｍｍ以下である。これは、第１の冷却工程Ｐ１によって、基板２００が冷却プレート２１１の基板載置面に直接に接触して、基板２００に温度勾配が生じても変位の差異すなわち基板の反りを生じさせるには至らない温度まで冷却されているためであると考えられる。
　以上から実施形態の基板冷却方法では、第１の冷却工程Ｐ１及び第２の冷却工程Ｐ２中に生じる基板の変位は０．２ｍｍ以下であった。そして、基板の変位の差異すなわち基板の反りによって搬送動作が制限される時間、つまりロードロックチャンバにおける基板の滞在時間は１０秒間であった。
　図５は、実施形態の基板冷却方法による基板２００の温度変化についての実験結果を示す図である。図６は、冷却プレート２１１に基板２００を直接に接触させて冷却する、比較例の直接接触方式の基板冷却方法による基板の温度変化についての実験結果を示す図である。
　図５は、実施形態の基板冷却方法における基板２００の中心点の温度変化と時間の関係を表している。また、図６は、冷却プレートによる比較例の直接接触方式の基板冷却方法における基板２００の中心点の温度変化と時間の関係を表している。なお、基板２００の温度は、熱電対を用いて測定した。
　冷却プレート２１１による比較例の直接接触方式の基板冷却方法では、図６に示すように、基板２００が冷却プレート２１１の基板載置面２１１ａに当接した後、急激に冷却され、搬送可能な温度７０℃に達するのに要した時間が４７秒間であった。
　次に、実施形態の基板冷却方法に関して考察する。図５に示すように、実施形態の基板冷却方法では、基板の温度が２００℃近くまで降温したときに、降温勾配が比較的緩やかになる。したがって、この時点で基板を冷却プレートの基板載置面に当接させて冷却する第２の冷却工程Ｐ２に移行させることで、再び降温勾配が高められ、冷却時間を短縮することができる。
　本実施形態によれば、基板２００が基板受け渡しピン２１２に載置されてから、基板２００の温度が搬出可能な温度である７０℃まで低下した時間までの経過時間を、ロードロックチャンバ２における基板２００の滞在時間とすると、滞在時間は６４秒間であった。
　ここで、基板２００がロードロックチャンバ２の内部に滞在する時間は、基板の変位量の差異すなわち基板の反りが零になり、かつ基板の温度が搬送可能な７０℃以下になるまでの時間である。図３及び図４に示す基板の変位量に関する各測定結果と図５及び図６に示す温度に関する各測定結果から、冷却プレート２１１による比較例の直接接触方式の基板冷却方法では搬送可能になる時間は変位量が零となる７７秒間である。これに対して、本実施形態の基板冷却方法では、搬送可能になる時間は基板温度が７０℃になるまでの経過時間である６４秒間となり、従来と同等以下であった。したがって、本実施形態の冷却方法によれば、冷却される基板２００において、基板の反りの発生を抑制することができるとともに、生産性の低下を招くことはない。
　なお、本実施形態では、基板の裏面（下面）が冷却プレート２１１の基板載置面２１１ａに載置されて冷却される構成が採られたが、この構成に限定されるものではなく、基板２００が冷却プレート２１１に当接される構成であればよい。つまり、例えば、基板の表面（上面）が冷却プレート２１１の下面である基板当接面に当接される構成が採られてもよい。
　また、本実施形態では、基板２００として、半導体用のシリコン基板を挙げて説明したが、フラットパネルディスプレイ用のガラス基板等の他の基板にも同様に適用できることは明らかである。
　図７は、冷却チャンバ２１の構成を例示した図である。尚、図２では、冷却ガス導入部２１８には、第１の冷却ガス導入バルブ２１６と第２の冷却ガス導入バルブ２１５にそれぞれベントガス（Ｎ2）が導入する構成となっていた。図７では、ベントガス導入ライン７１５は１系統である。ベントガス導入ライン７１５はマスフローコントローラ７２０とバルブ７３０とに接続され、冷却チャンバ２１内に冷却ガス（ベントガス（Ｎ2））が導入される。マスフローコントローラ７２０はシーケンサ７４０に接続されている。シーケンサ７４０は更にエンコーダ７５０に接続されている。エンコーダ７５０は、基板受け渡しピン２１２が基板ホルダの基板載置面２１１ａからどの程度間隔があいているか検知することが可能である。エンコーダ７５０からの位置情報はシーケンサ７４０に入力される。シーケンサ７４０は、この位置情報に基づきモータ７６０の動作制御を行い、基板受け渡しピン２１２の上下移動を制御する。また、シーケンサ７４０は、エンコーダ７５０の位置情報をマスフローコントローラ７２０にフィードバックする。マスフローコントローラ７２０は、シーケンサ７４０からの流量指示情報に従い、冷却チャンバ内に冷却ガス（ベントガス（Ｎ2））を導入する。
　本発明は上記実施の形態に制限されるものではなく、本発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、本発明の範囲を公にするために、以下の請求項を添付する。
　本願は、２００８年９月４日提出の日本国特許出願特願２００８－２２７００６、２００９年６月２５日提出の日本国特許出願特願２００９－１５１５１８、２００９年７月２２日提出の米国特許出願１２／５０７，３６２を基礎として優先権を主張するものであり、その記載内容の全てを、ここに援用する。

Claims (7)

  1. 　処理チャンバで加熱された基板を、前記基板との当接により前記基板を冷却する基板当接面を有する冷却プレートが配置されたロードロックチャンバに搬入した後、前記ロードロックチャンバに冷却ガスを供給して前記基板を冷却する基板冷却方法であって、
    　前記基板と前記冷却プレートの前記基板当接面との間に間隔をあけた状態で、前記基板の周囲に前記冷却ガスを供給して前記基板を冷却する第１の冷却工程と、
    　前記基板を前記冷却プレートの前記基板当接面に当接させて前記基板を前記冷却プレートによって冷却する第２の冷却工程と、
    　を有することを特徴とする基板冷却方法。
  2. 　前記第１の冷却工程は、前記基板と前記冷却プレートの前記基板当接面との間隔を０．２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下に維持した状態で行われることを特徴とする請求項１に記載の基板冷却方法。
  3. 　前記冷却ガスは、窒素ガス、アルゴンガス、空気のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の基板冷却方法。
  4. 　前記第１の冷却工程では、前記冷却ガスの流量は時間経過に伴って段階的に増加するように制御されることを特徴とする請求項１に記載の基板冷却方法。
  5. 　前記第２の冷却工程では、温度が調節されている冷媒が循環する経路が形成された前記冷却プレートを用いることを特徴とする請求項１に記載の基板冷却方法。
  6. 　基板との当接により前記基板を冷却する基板当接面を有する冷却プレートが配置されたロードロックチャンバと、前記基板に薄膜を形成する処理チャンバと、を有する半導体製造装置における半導体の製造方法であって、
    　前記基板を前記ロードロックチャンバから前記処理チャンバに搬入する搬入工程と、
    　前記処理チャンバに搬入された基板上に半導体の一部を構成する薄膜を形成する形成工程と、
    　前記薄膜が形成された基板をロードロックチャンバ内の冷却プレートに載置する載置工程と、
    　前記薄膜が形成された基板を前記処理チャンバから前記ロードロックチャンバに搬送し、前記基板と前記冷却プレートの前記基板当接面との間に間隔をあけた状態で、前記基板の周囲に冷却ガスを供給して前記基板を冷却する第１の冷却工程と、
    　前記基板を前記冷却プレートの前記基板当接面に当接させて前記基板を前記冷却プレートによって冷却することを特徴とする第２の冷却工程と、
    　を有することを特徴とする半導体の製造方法。
  7. 　前記形成工程では、スパッタリングにより前記薄膜が形成されることを特徴とする請求項６記載の半導体の製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103981504A (zh) * 2014-06-03 2014-08-13 上海先进半导体制造股份有限公司 物理气相淀积机台及其冷却腔体
JP2015008249A (ja) * 2013-06-26 2015-01-15 東京エレクトロン株式会社 温度制御方法及びプラズマ処理装置
JP2015515742A (ja) * 2012-02-29 2015-05-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ロードロック構成内の除害・剥離処理チャンバ
JP2017168613A (ja) * 2016-03-16 2017-09-21 信越半導体株式会社 熱処理装置
CN112095078A (zh) * 2020-09-24 2020-12-18 福建华佳彩有限公司 一种用于面蒸发源的冷却缓存室及驱动方法
CN113025987A (zh) * 2019-12-09 2021-06-25 天虹科技股份有限公司 降低氮化铝的表面氧化物生成的方法与设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0230128A (ja) * 1988-05-18 1990-01-31 Veeco Instr Inc 基板移送及び冷却方法、並びにその方法を実施するための装置
JPH10107126A (ja) * 1996-09-17 1998-04-24 Applied Materials Inc 冷却チャンバ及び冷却チャンバの作動方法
JPH11102904A (ja) * 1997-09-25 1999-04-13 Tokyo Electron Ltd 基板冷却装置
JP2001196363A (ja) * 1999-09-15 2001-07-19 Applied Materials Inc 基板を加熱及び冷却する方法及び装置
JP2004221197A (ja) * 2003-01-10 2004-08-05 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2008103707A (ja) * 2006-09-22 2008-05-01 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0230128A (ja) * 1988-05-18 1990-01-31 Veeco Instr Inc 基板移送及び冷却方法、並びにその方法を実施するための装置
JPH10107126A (ja) * 1996-09-17 1998-04-24 Applied Materials Inc 冷却チャンバ及び冷却チャンバの作動方法
JPH11102904A (ja) * 1997-09-25 1999-04-13 Tokyo Electron Ltd 基板冷却装置
JP2001196363A (ja) * 1999-09-15 2001-07-19 Applied Materials Inc 基板を加熱及び冷却する方法及び装置
JP2004221197A (ja) * 2003-01-10 2004-08-05 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2008103707A (ja) * 2006-09-22 2008-05-01 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015515742A (ja) * 2012-02-29 2015-05-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ロードロック構成内の除害・剥離処理チャンバ
JP2015008249A (ja) * 2013-06-26 2015-01-15 東京エレクトロン株式会社 温度制御方法及びプラズマ処理装置
US10217616B2 (en) 2013-06-26 2019-02-26 Tokyo Electron Limited Method of controlling temperature and plasma processing apparatus
CN103981504A (zh) * 2014-06-03 2014-08-13 上海先进半导体制造股份有限公司 物理气相淀积机台及其冷却腔体
JP2017168613A (ja) * 2016-03-16 2017-09-21 信越半導体株式会社 熱処理装置
CN113025987A (zh) * 2019-12-09 2021-06-25 天虹科技股份有限公司 降低氮化铝的表面氧化物生成的方法与设备
CN113025987B (zh) * 2019-12-09 2023-02-28 天虹科技股份有限公司 降低氮化铝的表面氧化物生成的方法
CN112095078A (zh) * 2020-09-24 2020-12-18 福建华佳彩有限公司 一种用于面蒸发源的冷却缓存室及驱动方法
CN112095078B (zh) * 2020-09-24 2023-12-05 福建华佳彩有限公司 一种用于面蒸发源的冷却缓存室及驱动方法

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