JP2002075979A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2002075979A JP2002075979A JP2000262529A JP2000262529A JP2002075979A JP 2002075979 A JP2002075979 A JP 2002075979A JP 2000262529 A JP2000262529 A JP 2000262529A JP 2000262529 A JP2000262529 A JP 2000262529A JP 2002075979 A JP2002075979 A JP 2002075979A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボートローディング時のウエハの反りを防止
する。 【解決手段】 複数枚のウエハを保持したボートを熱処
理装置のプロセスチューブの処理室へローディング（搬
入）するボートローディングステップの期間ｔ2の間、
処理室の温度を６００℃以下に維持する。 【効果】 ボートローディング時のウエハの反りの発生
を防止できるため、ウエハの反りによるウエハのボート
との衝突や擦れ等の発生を防止でき、これら衝突や擦れ
等による塵埃の発生やウエハのスクラッチの発生を未然
に防止できる。
する。 【解決手段】 複数枚のウエハを保持したボートを熱処
理装置のプロセスチューブの処理室へローディング（搬
入）するボートローディングステップの期間ｔ2の間、
処理室の温度を６００℃以下に維持する。 【効果】 ボートローディング時のウエハの反りの発生
を防止できるため、ウエハの反りによるウエハのボート
との衝突や擦れ等の発生を防止でき、これら衝突や擦れ
等による塵埃の発生やウエハのスクラッチの発生を未然
に防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に、処理が施される基板の変形防止技術
に係り、例えば、半導体装置の製造方法において半導体
ウエハに酸化膜形成処理やアニール処理および拡散処理
等の比較的高い温度（例えば、１０００℃以上）で処理
を施す熱処理工程に利用して有効なものに関する。
方法に関し、特に、処理が施される基板の変形防止技術
に係り、例えば、半導体装置の製造方法において半導体
ウエハに酸化膜形成処理やアニール処理および拡散処理
等の比較的高い温度（例えば、１０００℃以上）で処理
を施す熱処理工程に利用して有効なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置の製造方法において
半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に酸化膜形成処
理やアニール処理および拡散処理等の熱処理を施す熱処
理工程には、バッチ式縦形ホットウォール形熱処理装置
(furnace 。以下、熱処理装置という。）が、広く使用
されている。
半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に酸化膜形成処
理やアニール処理および拡散処理等の熱処理を施す熱処
理工程には、バッチ式縦形ホットウォール形熱処理装置
(furnace 。以下、熱処理装置という。）が、広く使用
されている。
【０００３】従来のこの種の熱処理装置は、処理室を形
成したプロセスチューブと、プロセスチューブの外側に
設置されて処理室を加熱するヒータユニットと、複数枚
（例えば、百枚〜二百枚）のウエハを保持して処理室に
対し一括して搬入搬出するボートと、複数枚のウエハを
ボートに対して処理室の外部において授受するウエハ移
載装置とを備えており、処理すべき複数枚のウエハを保
持したボートを処理室に搬入することにより、処理すべ
き複数枚のウエハを処理室において一括処理（バッチ処
理）するように構成されている。そして、従来のこの種
の熱処理装置においては、熱処理工程の生産性を高める
ために、ボートの処理室に対する搬入搬出時の処理室の
温度は熱処理温度に対して可及的に低下させないように
設定されている。
成したプロセスチューブと、プロセスチューブの外側に
設置されて処理室を加熱するヒータユニットと、複数枚
（例えば、百枚〜二百枚）のウエハを保持して処理室に
対し一括して搬入搬出するボートと、複数枚のウエハを
ボートに対して処理室の外部において授受するウエハ移
載装置とを備えており、処理すべき複数枚のウエハを保
持したボートを処理室に搬入することにより、処理すべ
き複数枚のウエハを処理室において一括処理（バッチ処
理）するように構成されている。そして、従来のこの種
の熱処理装置においては、熱処理工程の生産性を高める
ために、ボートの処理室に対する搬入搬出時の処理室の
温度は熱処理温度に対して可及的に低下させないように
設定されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た熱処理装置においては、ウエハを処理室にボートによ
って搬入する際にウエハ面内に温度差が発生するため
に、ウエハに反り等の変形が発生することがある。ウエ
ハの変形はウエハのボートとの衝突や擦れ等を引き起こ
すことがあり、これら衝突や擦れ等により、塵埃が発生
したり、ウエハに傷（スクラッチ）が発生したりする。
そして、塵埃やウエハのスクラッチの発生は、半導体装
置の製造方法における成膜処理やリソグラフィー処理お
よびエッチング処理等の微細加工の精度を低下させ、マ
スクパターンをウエハに正確に転写することができなく
なるため、半導体装置の製造方法の歩留りを低下させる
原因になる。また、ウエハの変形自体およびスクラッチ
はウエハの結晶のスリップ転位の発生の要因になる。
た熱処理装置においては、ウエハを処理室にボートによ
って搬入する際にウエハ面内に温度差が発生するため
に、ウエハに反り等の変形が発生することがある。ウエ
ハの変形はウエハのボートとの衝突や擦れ等を引き起こ
すことがあり、これら衝突や擦れ等により、塵埃が発生
したり、ウエハに傷（スクラッチ）が発生したりする。
そして、塵埃やウエハのスクラッチの発生は、半導体装
置の製造方法における成膜処理やリソグラフィー処理お
よびエッチング処理等の微細加工の精度を低下させ、マ
スクパターンをウエハに正確に転写することができなく
なるため、半導体装置の製造方法の歩留りを低下させる
原因になる。また、ウエハの変形自体およびスクラッチ
はウエハの結晶のスリップ転位の発生の要因になる。
【０００５】本発明の目的は、基板の処理室への搬入時
の基板の変形の発生を防止することができる半導体装置
の製造方法を提供することにある。
の基板の変形の発生を防止することができる半導体装置
の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の製造方法は、複数枚の基板を保持したボートがホット
ウォール式のプロセスチューブの処理室に搬入させる際
に、この処理室の温度が６００℃以下に設定されること
を特徴とする。
の製造方法は、複数枚の基板を保持したボートがホット
ウォール式のプロセスチューブの処理室に搬入させる際
に、この処理室の温度が６００℃以下に設定されること
を特徴とする。
【０００７】前記した手段によれば、基板の搬入時の処
理室の温度を６００℃以下に設定することにより、基板
面内の温度差を小さく抑制することができるため、面内
温度差による基板の反り等の変形を未然に防止すること
ができる。
理室の温度を６００℃以下に設定することにより、基板
面内の温度差を小さく抑制することができるため、面内
温度差による基板の反り等の変形を未然に防止すること
ができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。
面に即して説明する。
【０００９】本実施の形態において、本発明に係る半導
体装置の製造方法は酸化膜形成工程を備えており、酸化
膜形成工程は図１および図２に示されている熱処理装置
（バッチ式縦形ホットウォール形熱処理装置）が使用さ
れて実施される。
体装置の製造方法は酸化膜形成工程を備えており、酸化
膜形成工程は図１および図２に示されている熱処理装置
（バッチ式縦形ホットウォール形熱処理装置）が使用さ
れて実施される。
【００１０】図１および図２に示されているように、熱
処理装置１は石英ガラスが使用されて下端が開口した円
筒形状に一体成形されたプロセスチューブ１１を備えて
おり、プロセスチューブ１１は中心線が垂直になるよう
に縦に配されて筐体（一部のみが図示されている。）２
に支持されている。プロセスチューブ１１の筒中空部は
ボートによって同心的に整列した状態に保持された複数
枚のウエハが搬入される処理室１２を形成しており、プ
ロセスチューブ１１の下端開口は被処理基板としてのウ
エハを出し入れするための炉口１３を構成している。し
たがって、プロセスチューブ１１の内径は取り扱うウエ
ハの最大外径よりも大きくなるように設定されている。
処理装置１は石英ガラスが使用されて下端が開口した円
筒形状に一体成形されたプロセスチューブ１１を備えて
おり、プロセスチューブ１１は中心線が垂直になるよう
に縦に配されて筐体（一部のみが図示されている。）２
に支持されている。プロセスチューブ１１の筒中空部は
ボートによって同心的に整列した状態に保持された複数
枚のウエハが搬入される処理室１２を形成しており、プ
ロセスチューブ１１の下端開口は被処理基板としてのウ
エハを出し入れするための炉口１３を構成している。し
たがって、プロセスチューブ１１の内径は取り扱うウエ
ハの最大外径よりも大きくなるように設定されている。
【００１１】プロセスチューブ１１の下端面はマニホー
ルド１４の上端面にシールリング１５を挟んで当接され
ており、マニホールド１４が筐体２に支持されることに
より、プロセスチューブ１１は垂直に支持された状態に
なっている。マニホールド１４の側壁の一部には排気管
１６が処理室１２に連通するように接続されており、排
気管１６の他端は処理室１２を所定の真空度に真空排気
するための真空排気装置（図示せず）に接続されてい
る。マニホールド１４の側壁の他の部分にはガス導入管
１７が処理室１２に連通するように接続されており、ガ
ス導入管１７の他端は原料ガスや窒素ガス等のガスを供
給するためのガス供給装置（図示せず）に接続されてい
る。
ルド１４の上端面にシールリング１５を挟んで当接され
ており、マニホールド１４が筐体２に支持されることに
より、プロセスチューブ１１は垂直に支持された状態に
なっている。マニホールド１４の側壁の一部には排気管
１６が処理室１２に連通するように接続されており、排
気管１６の他端は処理室１２を所定の真空度に真空排気
するための真空排気装置（図示せず）に接続されてい
る。マニホールド１４の側壁の他の部分にはガス導入管
１７が処理室１２に連通するように接続されており、ガ
ス導入管１７の他端は原料ガスや窒素ガス等のガスを供
給するためのガス供給装置（図示せず）に接続されてい
る。
【００１２】プロセスチューブ１１の外部にはヒータユ
ニット１８がプロセスチューブ１１を包囲するように同
心円に設備されており、ヒータユニット１８は筐体２に
支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっ
ている。ヒータユニット１８は処理室１２内を全体にわ
たって均一または所定の温度分布に加熱するように構成
されている。
ニット１８がプロセスチューブ１１を包囲するように同
心円に設備されており、ヒータユニット１８は筐体２に
支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっ
ている。ヒータユニット１８は処理室１２内を全体にわ
たって均一または所定の温度分布に加熱するように構成
されている。
【００１３】プロセスチューブ１１の真下にはプロセス
チューブ１１の外径と略等しい円盤形状に形成されたキ
ャップ１９が同心的に配置されており、キャップ１９は
送りねじ機構によって構成されたエレベータ２０によっ
て垂直方向に昇降されるようになっている。キャップ１
９は中心線上にボート２１を垂直に立脚して支持するよ
うになっている。
チューブ１１の外径と略等しい円盤形状に形成されたキ
ャップ１９が同心的に配置されており、キャップ１９は
送りねじ機構によって構成されたエレベータ２０によっ
て垂直方向に昇降されるようになっている。キャップ１
９は中心線上にボート２１を垂直に立脚して支持するよ
うになっている。
【００１４】ボート２１は上下で一対の端板２２、２３
と、両端板２２、２３間に架設されて垂直に配設された
複数本（本実施の形態では三本）の保持部材２４とを備
えており、各保持部材２４に長手方向に等間隔に配され
て互いに同一平面内において開口するようにそれぞれ刻
設された複数条の保持溝２５間にウエハＷが挿入される
ことにより、複数枚のウエハＷを水平にかつ互いに中心
を揃えた状態に整列させて保持するように構成されてい
る。
と、両端板２２、２３間に架設されて垂直に配設された
複数本（本実施の形態では三本）の保持部材２４とを備
えており、各保持部材２４に長手方向に等間隔に配され
て互いに同一平面内において開口するようにそれぞれ刻
設された複数条の保持溝２５間にウエハＷが挿入される
ことにより、複数枚のウエハＷを水平にかつ互いに中心
を揃えた状態に整列させて保持するように構成されてい
る。
【００１５】ボート２１の下側端板２３の下には断熱キ
ャップ部２６が形成されており、断熱キャップ部２６の
下面には断熱キャップ部２６の外径よりも若干だけ大径
の円板形状に形成されたベース２７が水平に設けられて
いる。ボート２１はベース２７がキャップ１９の上面に
当接されて着脱自在に固定されることによって、ベース
２７の上に据え付けられている。
ャップ部２６が形成されており、断熱キャップ部２６の
下面には断熱キャップ部２６の外径よりも若干だけ大径
の円板形状に形成されたベース２７が水平に設けられて
いる。ボート２１はベース２７がキャップ１９の上面に
当接されて着脱自在に固定されることによって、ベース
２７の上に据え付けられている。
【００１６】次に、本発明の一実施の形態である半導体
装置の製造方法の熱処理工程を、前記構成に係る熱処理
装置１によってウエハＷに酸化膜（図示せず）を形成す
る場合を一例にして説明する。
装置の製造方法の熱処理工程を、前記構成に係る熱処理
装置１によってウエハＷに酸化膜（図示せず）を形成す
る場合を一例にして説明する。
【００１７】まず、ウエハチャージングステップにおい
て、図１に示されているように、酸化膜を形成すべきウ
エハＷがキャップ１９に支持されたボート２１へウエハ
移載装置（図示せず）によってチャージング（移載）さ
れる。
て、図１に示されているように、酸化膜を形成すべきウ
エハＷがキャップ１９に支持されたボート２１へウエハ
移載装置（図示せず）によってチャージング（移載）さ
れる。
【００１８】予め指定された複数枚のウエハＷがボート
２１にチャージングされると、ボートローディングステ
ップにおいて、図２に示されているように、ボート２１
はエレベータ２０によって上昇されてプロセスチューブ
１１の処理室１２にローディング（搬入）される。ボー
ト２１が上限に達すると、キャップ１９の上面の外周辺
部がマニホールド１４の下面にシールリング１５を挟ん
で着座した状態になってマニホールド１４の下端開口を
シール状態に閉塞するため、処理室１２は気密に閉じら
れた状態になる。
２１にチャージングされると、ボートローディングステ
ップにおいて、図２に示されているように、ボート２１
はエレベータ２０によって上昇されてプロセスチューブ
１１の処理室１２にローディング（搬入）される。ボー
ト２１が上限に達すると、キャップ１９の上面の外周辺
部がマニホールド１４の下面にシールリング１５を挟ん
で着座した状態になってマニホールド１４の下端開口を
シール状態に閉塞するため、処理室１２は気密に閉じら
れた状態になる。
【００１９】ここで、図３に示されているように、ウエ
ハチャージングステップの期間ｔ1 とボートローディン
グステップの期間ｔ2 の間は、処理室１２の温度は６０
０℃の一定に維持されている。ボートローディングステ
ップの期間ｔ2 の間中に、処理室１２の温度が６００℃
に維持されることにより、ボート２１の保持溝２５に保
持された各ウエハＷの反りが後述するように防止され
る。
ハチャージングステップの期間ｔ1 とボートローディン
グステップの期間ｔ2 の間は、処理室１２の温度は６０
０℃の一定に維持されている。ボートローディングステ
ップの期間ｔ2 の間中に、処理室１２の温度が６００℃
に維持されることにより、ボート２１の保持溝２５に保
持された各ウエハＷの反りが後述するように防止され
る。
【００２０】図３に示されているように、ボートローデ
ィングステップの期間ｔ2 が終了した後の昇温ステップ
の前期の期間ｔ3 においては、処理室１２の温度は６０
０℃から１０００℃まで、５℃毎分をもって比較的急激
に上昇される。処理室１２の温度が１０００℃に達した
後の昇温ステップの後期の期間ｔ4 においては、処理室
１２の温度は１０００℃から１２００℃まで、２℃毎分
をもって比較的緩やかに上昇される。
ィングステップの期間ｔ2 が終了した後の昇温ステップ
の前期の期間ｔ3 においては、処理室１２の温度は６０
０℃から１０００℃まで、５℃毎分をもって比較的急激
に上昇される。処理室１２の温度が１０００℃に達した
後の昇温ステップの後期の期間ｔ4 においては、処理室
１２の温度は１０００℃から１２００℃まで、２℃毎分
をもって比較的緩やかに上昇される。
【００２１】また、図３に示されているように、ウエハ
チャージングステップの期間ｔ1 、ボートローディング
ステップの期間ｔ2 および昇温ステップの前期の期間ｔ
3 の間は、処理室１２にはガス導入管１７によって、窒
素（Ｎ2 ）ガスが１０ＳＬＭ（スタンダード・リットル
毎分）、酸素（Ｏ2 ）ガスが０．１ＳＬＭずつ導入され
る。
チャージングステップの期間ｔ1 、ボートローディング
ステップの期間ｔ2 および昇温ステップの前期の期間ｔ
3 の間は、処理室１２にはガス導入管１７によって、窒
素（Ｎ2 ）ガスが１０ＳＬＭ（スタンダード・リットル
毎分）、酸素（Ｏ2 ）ガスが０．１ＳＬＭずつ導入され
る。
【００２２】次いで、図３に示されているように、オキ
シデイション（酸化）ステップの期間ｔ5 において、処
理室１２がキャップ１９によって気密に閉じられた状態
で、処理室１２の温度が１２００℃に維持されながら、
処理室１２が−５ｍｍＡｑ（約５０Ｐａ）に排気管１６
によって排気され、１０ＳＬＭの酸素が供給される。こ
の酸化ステップの期間ｔ5 は１２０分である。これによ
り、処理室１２のウエハＷには所定の酸化膜が形成され
る。
シデイション（酸化）ステップの期間ｔ5 において、処
理室１２がキャップ１９によって気密に閉じられた状態
で、処理室１２の温度が１２００℃に維持されながら、
処理室１２が−５ｍｍＡｑ（約５０Ｐａ）に排気管１６
によって排気され、１０ＳＬＭの酸素が供給される。こ
の酸化ステップの期間ｔ5 は１２０分である。これによ
り、処理室１２のウエハＷには所定の酸化膜が形成され
る。
【００２３】酸化ステップの設定された期間ｔ5 が経過
すると、図３に示されているように、降温ステップの前
期の期間ｔ6 においては、処理室１２の温度は１２００
℃から１０００℃まで、２℃毎分をもって比較的緩やか
に下降される。処理室１２の温度が１０００℃に下降し
た後の降温ステップの後期の期間ｔ7 においては、処理
室１２の温度は１０００℃から６００℃まで、３℃毎分
をもって若干急激に下降される。
すると、図３に示されているように、降温ステップの前
期の期間ｔ6 においては、処理室１２の温度は１２００
℃から１０００℃まで、２℃毎分をもって比較的緩やか
に下降される。処理室１２の温度が１０００℃に下降し
た後の降温ステップの後期の期間ｔ7 においては、処理
室１２の温度は１０００℃から６００℃まで、３℃毎分
をもって若干急激に下降される。
【００２４】処理室１２の温度が６００℃まで下降する
と、ボートアンローディングステップにおいて、ボート
２１を保持したキャップ１９がエレベータ２０によって
図１に示されているように下降されることにより、ボー
ト２１がプロセスチューブ１１の処理室１２からアンロ
ーディング（搬出）される。
と、ボートアンローディングステップにおいて、ボート
２１を保持したキャップ１９がエレベータ２０によって
図１に示されているように下降されることにより、ボー
ト２１がプロセスチューブ１１の処理室１２からアンロ
ーディング（搬出）される。
【００２５】図３に示されているように、ボートアンロ
ーディングステップの期間ｔ8 の間は、処理室１２の温
度は６００℃の一定に維持されている。ボートアンロー
ディングステップの期間ｔ8 の間に処理室１２の温度が
６００℃に維持されることにより、ボート２１の保持溝
２５に保持された各ウエハＷの反りが防止される。
ーディングステップの期間ｔ8 の間は、処理室１２の温
度は６００℃の一定に維持されている。ボートアンロー
ディングステップの期間ｔ8 の間に処理室１２の温度が
６００℃に維持されることにより、ボート２１の保持溝
２５に保持された各ウエハＷの反りが防止される。
【００２６】また、図３に示されているように、降温ス
テップの期間ｔ6 、ｔ7 およびボートアンローディング
ステップの期間ｔ8 の間は、処理室１２には１０ＳＬＭ
の窒素ガスがガス導入管１７によって導入される。
テップの期間ｔ6 、ｔ7 およびボートアンローディング
ステップの期間ｔ8 の間は、処理室１２には１０ＳＬＭ
の窒素ガスがガス導入管１７によって導入される。
【００２７】その後、ウエハディスチャージングステッ
プにおいて、酸化膜を形成されたウエハＷはボート２１
からウエハ移載装置（図示せず）によってディスチャー
ジングされる。このウエハディスチャージングステップ
の期間ｔ9 の間も処理室１２の温度は６００℃に維持さ
れており、１０ＳＬＭの窒素ガスがガス導入管１７によ
って導入されている。なお、ボート２１が搬出されたプ
ロセスチューブ１１の処理室１２の炉口１３はシャッタ
（図示せず）によって閉鎖され、処理室１２の高温雰囲
気や窒素ガスが逃げるのを防止される。
プにおいて、酸化膜を形成されたウエハＷはボート２１
からウエハ移載装置（図示せず）によってディスチャー
ジングされる。このウエハディスチャージングステップ
の期間ｔ9 の間も処理室１２の温度は６００℃に維持さ
れており、１０ＳＬＭの窒素ガスがガス導入管１７によ
って導入されている。なお、ボート２１が搬出されたプ
ロセスチューブ１１の処理室１２の炉口１３はシャッタ
（図示せず）によって閉鎖され、処理室１２の高温雰囲
気や窒素ガスが逃げるのを防止される。
【００２８】以降、前述したステップが繰り返されてウ
エハＷが熱処理装置１によってバッチ処理されて行く。
エハＷが熱処理装置１によってバッチ処理されて行く。
【００２９】ところで、ボートローディングステップに
おける処理室の温度とウエハの反りの発生との関係を、
本発明者が実験により究明したところ、次の表１のよう
な結果が得られた。なお、ウエハの反りはウエハでのス
クラッチの有無によって判断した。すなわち、ボートロ
ーディング後にウエハにスクラッチが発生した場合には
ウエハの反りが発生したと判断し、スクラッチが発生し
なかった場合にはウエハの反りが発生しなかったと判断
した。
おける処理室の温度とウエハの反りの発生との関係を、
本発明者が実験により究明したところ、次の表１のよう
な結果が得られた。なお、ウエハの反りはウエハでのス
クラッチの有無によって判断した。すなわち、ボートロ
ーディング後にウエハにスクラッチが発生した場合には
ウエハの反りが発生したと判断し、スクラッチが発生し
なかった場合にはウエハの反りが発生しなかったと判断
した。
【００３０】
【表１】
【００３１】この究明によれば、ボートローディング時
の処理室の温度が６００℃以下である場合には、ウエハ
の反りの発生を防止可能であることが理解される。ボー
トローディング時の処理室の温度が６００℃以下である
場合にウエハの反りの発生を防止することができるの
は、ボート２１の保持溝２５に保持されたウエハＷの面
内の温度分布が全体にわたって均一に保たれるためと、
考えられる。
の処理室の温度が６００℃以下である場合には、ウエハ
の反りの発生を防止可能であることが理解される。ボー
トローディング時の処理室の温度が６００℃以下である
場合にウエハの反りの発生を防止することができるの
は、ボート２１の保持溝２５に保持されたウエハＷの面
内の温度分布が全体にわたって均一に保たれるためと、
考えられる。
【００３２】ここで、酸化膜形成工程において、ボート
ローディング時の処理室の温度を低く設定すると、処理
室の温度を酸化ステップに必要な温度（１２００℃）ま
で上昇させるための時間が長くなってしまうため、酸化
膜形成工程全体の処理時間が延長されてしまう事態が発
生する。
ローディング時の処理室の温度を低く設定すると、処理
室の温度を酸化ステップに必要な温度（１２００℃）ま
で上昇させるための時間が長くなってしまうため、酸化
膜形成工程全体の処理時間が延長されてしまう事態が発
生する。
【００３３】そこで、本実施の形態においては、前述し
た通り、ボートローディングステップの期間ｔ2 におけ
る処理室１２の温度を６００℃に設定することにより、
酸化膜形成工程全体の処理時間の延長を回避しつつ、ウ
エハＷの反りの発生を防止するものとしている。
た通り、ボートローディングステップの期間ｔ2 におけ
る処理室１２の温度を６００℃に設定することにより、
酸化膜形成工程全体の処理時間の延長を回避しつつ、ウ
エハＷの反りの発生を防止するものとしている。
【００３４】以上説明した通り、本実施の形態によれ
ば、ボートローディング時のウエハの反りの発生を防止
することができるため、ウエハの反りによるウエハのボ
ートとの衝突や擦れ等の発生を防止することができ、こ
れら衝突や擦れ等による塵埃の発生やウエハのスクラッ
チの発生を未然に防止することができる。そして、塵埃
やウエハのスクラッチを未然に防止することにより、半
導体装置の製造方法における成膜処理やリソグラフィー
処理およびエッチング処理等の微細加工の精度、ひいて
は半導体装置の製造方法の歩留りの低下を防止すること
ができる。
ば、ボートローディング時のウエハの反りの発生を防止
することができるため、ウエハの反りによるウエハのボ
ートとの衝突や擦れ等の発生を防止することができ、こ
れら衝突や擦れ等による塵埃の発生やウエハのスクラッ
チの発生を未然に防止することができる。そして、塵埃
やウエハのスクラッチを未然に防止することにより、半
導体装置の製造方法における成膜処理やリソグラフィー
処理およびエッチング処理等の微細加工の精度、ひいて
は半導体装置の製造方法の歩留りの低下を防止すること
ができる。
【００３５】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。
【００３６】例えば、前記実施の形態では酸化膜形成処
理について説明したが、アニール処理や拡散処理等の熱
処理全般に使用することができる。特に、本発明は比較
的高い温度（例えば、１０００℃以上）で処理を施す熱
処理に利用して優れた効果を発揮する。
理について説明したが、アニール処理や拡散処理等の熱
処理全般に使用することができる。特に、本発明は比較
的高い温度（例えば、１０００℃以上）で処理を施す熱
処理に利用して優れた効果を発揮する。
【００３７】また、前記実施の形態ではバッチ式縦形ホ
ットウォール形熱処理装置を使用した場合について説明
したが、本発明はこれに限らず、バッチ式横形ホットウ
ォール形熱処理装置等の熱処理装置を使用した半導体装
置の製造方法全般に適用することができる。
ットウォール形熱処理装置を使用した場合について説明
したが、本発明はこれに限らず、バッチ式横形ホットウ
ォール形熱処理装置等の熱処理装置を使用した半導体装
置の製造方法全般に適用することができる。
【００３８】前記実施の形態ではウエハに熱処理が施さ
れる場合について説明したが、被処理基板はホトマスク
やプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスク
および磁気ディスク等であってもよい。
れる場合について説明したが、被処理基板はホトマスク
やプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスク
および磁気ディスク等であってもよい。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板の処理室への搬入時の基板の変形の発生を防止する
ことができる。
基板の処理室への搬入時の基板の変形の発生を防止する
ことができる。
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造
方法の酸化膜形成工程のボートローディング前を示す正
面断面図である。
方法の酸化膜形成工程のボートローディング前を示す正
面断面図である。
【図２】そのボートローディング後を示す正面断面図で
ある。
ある。
【図３】酸化膜形成工程のタイムチャートである。
Ｗ…ウエハ（基板）、１…熱処理装置、２…筐体、１１
…プロセスチューブ、１２…処理室、１３…炉口、１４
…マニホールド、１５…シールリング、１６…排気管、
１７…ガス導入管、１８…ヒータユニット、１９…キャ
ップ、２０…エレベータ、２１…ボート、２２…上側端
板、２３…下側端板、２４…保持部材、２５…保持溝、
２６…断熱キャップ部、２７…ベース、ｔ1 …ウエハチ
ャージングステップの期間、ｔ2 …ボートローディング
ステップの期間、ｔ3 …昇温ステップの前期の期間、ｔ
4 …昇温ステップの後期の期間、ｔ5 …オキシデイショ
ン（酸化）ステップの期間、ｔ6 …降温ステップの前期
の期間、ｔ7 …降温ステップの後期の期間、ｔ8 …ボー
トアンローディングステップの期間、ｔ9 …ウエハディ
スチャージングステップの期間。
…プロセスチューブ、１２…処理室、１３…炉口、１４
…マニホールド、１５…シールリング、１６…排気管、
１７…ガス導入管、１８…ヒータユニット、１９…キャ
ップ、２０…エレベータ、２１…ボート、２２…上側端
板、２３…下側端板、２４…保持部材、２５…保持溝、
２６…断熱キャップ部、２７…ベース、ｔ1 …ウエハチ
ャージングステップの期間、ｔ2 …ボートローディング
ステップの期間、ｔ3 …昇温ステップの前期の期間、ｔ
4 …昇温ステップの後期の期間、ｔ5 …オキシデイショ
ン（酸化）ステップの期間、ｔ6 …降温ステップの前期
の期間、ｔ7 …降温ステップの後期の期間、ｔ8 …ボー
トアンローディングステップの期間、ｔ9 …ウエハディ
スチャージングステップの期間。
Claims (1)
- 【請求項１】 複数枚の基板を保持したボートをホット
ウォール式のプロセスチューブの処理室に搬入させる際
に、この処理室の温度が６００℃以下に設定されること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000262529A JP2002075979A (ja) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000262529A JP2002075979A (ja) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002075979A true JP2002075979A (ja) | 2002-03-15 |
Family
ID=18750197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000262529A Pending JP2002075979A (ja) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002075979A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004063685A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
2000
- 2000-08-31 JP JP2000262529A patent/JP2002075979A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004063685A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050930 |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070921 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071002 |
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