TWI585565B - 電壓調節器 - Google Patents

電壓調節器 Download PDF

Info

Publication number
TWI585565B
TWI585565B TW102128288A TW102128288A TWI585565B TW I585565 B TWI585565 B TW I585565B TW 102128288 A TW102128288 A TW 102128288A TW 102128288 A TW102128288 A TW 102128288A TW I585565 B TWI585565 B TW I585565B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
voltage
output
transistor
circuit
amplifier
Prior art date
Application number
TW102128288A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201428442A (zh
Inventor
二瓶洋太朗
藤村学
Original Assignee
精工半導體有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 精工半導體有限公司 filed Critical 精工半導體有限公司
Publication of TW201428442A publication Critical patent/TW201428442A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI585565B publication Critical patent/TWI585565B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/565—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
    • G05F1/569—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for protection
    • G05F1/571—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for protection with overvoltage detector
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/575—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices characterised by the feedback circuit
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26—Current mirrors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

電壓調節器
本發明係關於電壓調節器之過衝抑制電路。
針對以往之電壓調節器予以說明。圖5為表示以往之電壓調節器的電路圖。
以往之電壓調節器具備誤差放大電路104、放大器110、偏壓電路108及111、基準電壓電路109、PMOS電晶體114及105，和電阻106及107。
PMOS電晶體105係被連接於電源端子101和輸出端子103之間。輸出反饋電壓之電阻106及107被連接於輸出端子103和接地端子100之間。誤差放大電路104係在反轉輸入端子連接基準電壓電路109，非反轉輸入端子被輸入反饋電壓，輸出端子被連接於PMOS電晶體105之閘極。偏壓電路108係對誤差放大電路104供給動作電流。PMOS電晶體114係被連接於電源端子101和PMOS電晶體105之閘極之間。放大器110係在非反轉輸入端子連接基準電壓電路109，反轉輸入端子被輸入反饋 電壓，輸出端子被連接於PMOS電晶體114之閘極。偏壓電路111係對放大器110供給動作電流。
放大器110比較被輸入之反饋電壓和在基準電壓電路109產生的基準電壓。於反饋電壓低於基準電壓之時，放大器110輸出Hi訊號而使PMOS電晶體114斷開。當在輸出端子103之電壓產生過衝，反饋電壓高於基準電壓時，放大器110輸出Lo訊號而使PMOS電晶體114接通。
以往之電壓調節器係如此地動作，可以防止輸出端子103之電壓的過衝變大(參照例如專利文獻1)。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-301439號公報
但是，以往之電壓調節器係在電源電壓低，並且輸出端子103輸出低於所設定之輸出電壓之電壓的狀態(以下，稱為非調節狀態)，於電源電壓變動時，有在輸出端子103產生過大之過衝的課題。
本發明係鑒於上述課題而創作出，提供在非調節狀態下於電源變動時可以抑制在輸出端子103產生過大過衝的電壓調節器。
為了解決以往之課題，本發明之電壓調節器構成如下述般。
為一種電壓調節器，具備：誤差放大電路，其係放大基準電壓和分壓電壓之差而控制輸出電晶體的閘極；放大器，其係比較分壓電壓和基準電壓而檢測出輸出電壓之過衝；第一電晶體，其係流通與流入輸出電晶體之電流呈比例的電流；電流鏡電路，其係對與流入輸出電晶體之電流呈比例的電流進行鏡射；及第一偏壓電路，其係經電流鏡電路而被連接於放大器，使放大器之偏壓電流增加，並使響應速度增加。
具備本發明之過衝抑制電路的電壓調節器係於從非調節狀態產生電源變動之時，可以抑制在輸出端子之電壓產生過衝。
100‧‧‧接地端子
101‧‧‧電源端子
103‧‧‧輸出端子
104‧‧‧誤差放大電路
108、111、112、202‧‧‧偏壓電路
110‧‧‧放大器
203、301‧‧‧反相器
401‧‧‧延遲電路
604‧‧‧OR電路
圖1為表示第一實施型態之電壓調節器的電路圖。
圖2為表示第二實施型態之電壓調節器的電路圖。
圖3為表示第三實施型態之電壓調節器的電路圖。
圖4為表示第四實施型態之電壓調節器的電路圖。
圖5為表示以往之電壓調節器的電路圖。
圖6為表示第五實施型態之電壓調節器的電路圖。
圖7為表示第六實施型態之電壓調節器的電路圖。
以下，針對本發明之實施形態參照圖面予以說明。
[第一實施型態]
圖1為表示第一實施型態之電壓調節器的電路圖。
第一實施型態之電壓調節器具備屬於輸出電晶體之PMOS電晶體105、誤差放大電路104、電阻106及107、偏壓電路108、基準電壓電路109、放大器110、偏壓電路111及112、PMOS電晶體114及115、NMOS電晶體113及116、接地端子100、輸出端子103和電源端子101。
接著，針對第一實施型態之電壓調節器之連接予以說明。
誤差放大電路104係反轉輸入端子被連接於基準電壓電路109之一方的端子，非反轉輸入端子被連接於電阻106和107之連接點。偏壓電路108係一方之端子被連接於誤差放大電路104，另一方之端子被連接於接地端子100。放大器110係非反轉輸入端子被連接於基準電壓電路109之一方的端子，非反轉輸入端子被連接於電阻106和107之連接點。偏壓電路111係一方之端子被連接於放 大器110，另一方之端子被連接於接地端子100。PMOS電晶體105係閘極被連接於誤差放大電路104之輸出端子，源極被連接於電源端子101，汲極被連接於輸出端子103。電阻106及107被連接於輸出端子103和接地端子100之間。PMOS電晶體114係閘極被連接於放大器110之輸出端子，源極被連接於電源端子101，汲極被連接於PMOS電晶體105之閘極。PMOS電晶體115係閘極被連接於誤差放大電路104之輸出端子，源極被連接於電源端子101。NMOS電晶體116係閘極和汲極被連接於PMOS電晶體115之汲極，源極被連接於接地端子100。NMOS電晶體113係閘極被連接於NMOS電晶體116之閘極及汲極，汲極被連接於放大器110和偏壓電路111之連接點，源極被連接於偏壓電路112之一方的端子。偏壓電路112之另一方的端子被連接於接地端子100。
接著，針對第一實施型態之電壓調節器之動作予以說明。
當電源端子101被輸入電源電壓VDD時，電壓調節器從輸出端子103輸出輸出電壓Vout。電阻106和107係分壓輸出電壓Vout，輸出分壓電壓Vfb。誤差放大電路104係比較基準電壓電路109之基準電壓Vref和分壓電壓Vfb，以輸出電壓Vout成為一定之方式，控制PMOS電晶體105之閘極電壓。
當輸出電壓Vout高於特定電壓時，分壓電壓Vfb則高於基準電壓Vref。然後，誤差放大電路104之輸 出訊號(PMOS電晶體105之閘極電壓)變高，因PMOS電晶體105斷開，故輸出電壓Vout變低。再者，當輸出電壓Vout低於特定電壓時，則執行與上述相反之動作，輸出電壓Vout變高。如此一來，電壓調節器以輸出電壓Vout成為一定之方式進行動作。
在此，在電源端子101被輸入電源電壓VDD，電源電壓VDD仍低之時，則在輸出端子103之電壓低於特定電壓之狀態，即是電壓調節器處於非調節狀態。因非調節狀態之時，輸出端子103之輸出電壓Vout低於特定電壓，故以誤差放大電路104高於輸出端子103之電壓之方式，對PMOS電晶體105之閘極輸出訊號Lo。PMOS電晶體115因PMOS電晶體105和電流鏡之關係，同樣地被輸入訊號Lo，成為接通而流通電流。NMOS電晶體116和NMOS電晶體113構成電流鏡電路，藉由NMOS電晶體116流通來自PMOS電晶體115之電流，於NMOS電晶體113流通電流。偏壓電路112限制流通於NMOS電晶體113之電流，即使流通於PMOS電晶體115之電流增加，流通於NMOS電晶體113之電流也被保持與偏壓電路112所流通之電流相同。如此一來，偏壓電路112之電流作為放大器110之偏壓電流而流動，使能夠成為放大器110的高速響應。
當電源電壓VDD超越輸出電壓之特定電壓而急劇變化時，因PMOS電晶體105成為接通，故在PMOS電晶體105流通大的電流，在電壓調節器之輸出端子103 產生大的過衝。當產生過衝時，放大器110因反轉輸入端子之分壓電壓Vfb高於基準電壓Vref，故對PMOS電晶體114之閘極輸出訊號Lo。並且，放大器110因處於能夠高速響應之狀態，故可以快速檢測出過衝，而快速地對PMOS電晶體114之閘極輸出訊號Lo。如此一來，PMOS電晶體114成為接通而PMOS電晶體105之閘極之電壓上升。如此一來，防止電壓調節器之輸出端子103之過衝。
如上述說明般，第一實施型態之電壓調節器藉由於非調節狀態之時增加放大器110之偏壓電流，可以於在輸出端子103產生過衝之時，快速地檢測出過衝，防止在非調節狀態的過衝。
[第二實施型態]
圖2為表示第二實施型態之電壓調節器的電路圖。與圖1不同係設置有NMOS電晶體201和偏壓電路202和反相器203以取代PMOS電晶體114之點。NMOS電晶體201和偏壓電路202係與偏壓電路108並聯連接，在NMOS電晶體201之閘極連接反相器203之輸出，並在反相器203之輸入連接放大器110之輸出。
接著，針對第二實施型態之電壓調節器之動作予以說明。通常狀態之動作因與第一實施型態之電壓調節器相同，故省略。再者，因在非調節狀態下之過衝的檢測動作也相同，故省略。
第二實施型態之電壓調節器係當放大器110 由於分壓電壓Vfb之變動而檢測出過衝時，經反相器203輸出使NMOS電晶體201接通的訊號。然後，偏壓電路202被連接於誤差放大電路104，可以使誤差放大電路104之偏壓電流增加。
誤差放大電路104因使該過衝減少，故動作成輸出接近於電源電壓之位準的電壓，並使PMOS電晶體105成為斷開。因誤差放大電路104之偏壓電流增加，故輸出之驅動電流增加，對PMOS電晶體105之閘極電容充電之時間縮短，可以立即使PMOS電晶體105斷開。如此一來，第二實施型態之電壓調節器可以防止過衝。
如上述說明般，第二實施型態之電壓調節器藉由於非調節狀態之時增加放大器110之偏壓電流，可以於在輸出端子103產生過衝之時，快速地檢測出過衝，使誤差放大電路104之驅動電流增加。然後，可以快速地控制PMOS電晶體105，防止在非調節狀態下的過衝。
[第三實施型態]
圖3為表示第三實施型態之電壓調節器的電路圖。與圖2不同的係設置有反相器301和PMOS電晶體302之點。PMOS電晶體302係經反相器301、203而在閘極連接放大器110之輸出，並在PMOS電晶體105之閘極連接汲極，在電源端子101連接源極。
接著，針對第三實施型態之電壓調節器之動作予以說明。通常狀態之動作因與第一實施型態之電壓調 節器相同，故省略。再者，因在非調節狀態下之過衝的檢測動作也相同，故省略。
第三實施型態之電壓調節器係當放大器110由於分壓電壓Vfb之變動而檢測出過衝時，經反相器203輸出使NMOS電晶體201接通的訊號。然後，偏壓電路202被連接於誤差放大電路104，可以使誤差放大電路104之偏壓電流增加。
誤差放大電路104因使該過衝減少，故動作成輸出接近於電源電壓之位準的電壓，並使PMOS電晶體105成為斷開。因誤差放大電路104之偏壓電流增加，故驅動電流增加，對PMOS電晶體105之閘極電容充電之時間縮短，可以立即使PMOS電晶體105斷開。而且，PMOS電晶體302係經反相器301接收放大器110之訊號，而將PMOS電晶體105之閘極控制成接近於電源電壓之位準的電壓。如此一來，第三實施型態之電壓調節器可以防止過衝。
如上述說明般，第三實施型態之電壓調節器藉由於非調節狀態之時增加放大器110之偏壓電流，可以於在輸出端子103產生過衝之時，快速地檢測出過衝，使誤差放大電路104之驅動電流增加，並且使PMOS電晶體302成為接通。然後，可以快速地控制PMOS電晶體105，防止在非調節狀態下的過衝。
並且，NMOS電晶體201和PMOS電晶體302若接受放大器110之檢測訊號而接通即可，該些控制方法 並不限定於該電路。
[第四實施型態]
圖4為表示第四實施型態之電壓調節器的電路圖。與圖3不同的係在反相器203之輸出和NMOS電晶體201之閘極之間設置有延遲電路401之點。延遲電路401以使解除延遲的電路為佳。
第四實施型態之電壓調節器係於過衝收束，放大器110輸出解除訊號時，PMOS電晶體302成為斷開之後，藉由延遲電路401於一定時間後，NMOS電晶體201成為斷開。因此，因於過衝收束後不久誤差放大電路104之輸出的驅動電流高，故將PMOS電晶體105之閘極控制成適當的電壓的時間縮短。因此，於過衝收束後，可以防止下衝(Under Shoot)產生。
如上述說明般，第四實施型態之電壓調節器藉由於非調節狀態之時增加放大器110之偏壓電流，可以於在輸出端子103產生過衝之時，快速地檢測出過衝，防止在非調節狀態的過衝，並且也可防止產生過衝收束之後的下衝。
[第五實施型態]
圖6為表示第五實施型態之電壓調節器的電路圖。與圖1不同的係設置有NMOS電晶體602、電阻603、OR電路604之點。NMOS電晶體602係閘極被連接於NMOS 電晶體116之閘極及汲極，汲極被連接於電阻603和OR電路604之第一輸入端子，源極被連接於接地端子100。電阻603之另一方之端子被連接於電源端子101。OR電路604係第二輸入端子被連接於放大器110之輸出端子，輸出端子被連接於PMOS電晶體114之閘極。
接著，針對第五實施型態之電壓調節器之動作予以說明。通常狀態之動作因與第一實施型態之電壓調節器相同，故省略。在非調節狀態下，因Lo之訊號被輸入PMOS電晶體115之閘極，故PMOS電晶體115成為接通而流通電流。NMOS電晶體116和NMOS電晶體113、602構成電流鏡電路，藉由NMOS電晶體116流通來自PMOS電晶體115之電流，於NMOS電晶體113、602流通電流。偏壓電路112限制流通於NMOS電晶體113之電流，即使流通於PMOS電晶體115之電流增加，流通於NMOS電晶體113之電流也被保持與偏壓電路112所流通之電流相同。如此一來，放大器110因流通偏壓電路111和112之電流以作為偏壓電流，故能夠高速響應。再者，OR電路604之第一輸入端子被輸入Lo之訊號。
此時，當在電壓調節器之輸出端子103產生過衝時，放大器110因反轉輸入端子之分壓電壓Vfb高於基準電壓Vref，故對OR電路604之第二輸入端子輸出Lo之訊號。如此一來，從OR電路604之輸出端子被輸出Lo之訊號，使PMOS電晶體114成為接通，並將PMOS電晶體105之閘極控制成接近於電源電壓之位準的電壓。 如此一來，防止電壓調節器之輸出端子103之過衝。
當非調節狀態被解除時，在PMOS電晶體115流通因應被連接於輸出端子103之負載的電流，故NMOS電晶體602也流通因應負載之電流。當流通因應被連接於輸出端子103之負載的電流時，因NMOS電晶體116、602之電流鏡電路以小於電阻603流通之電流的方式設定鏡射比，故在OR電路604之第一輸入端子被輸入High之訊號，在OR電路604之輸出被輸出High之訊號。如此一來，動作成使PMOS電晶體114成為斷開，快速地朝通常狀態之動作移動，僅在從非調節狀態產生的變動時防止過衝。再者，因快速地朝通常動作移動，故可以防止於過衝防止後產生下衝之情形。
並且，雖然無圖示但即使如圖2般，成為將OR電路604之輸出，經反相器連接於NMOS電晶體201之閘極，當檢測出過衝時，偏壓電路202連接於誤差放大電路104，使誤差放大電路104之偏壓電流增加的防止過衝之構成亦可。再者，第五實施型態之電壓調節器若僅在非調節狀態時防止過衝即可，該些控制方法並不限定於該電路。
如上述說明般，第五實施型態之電壓調節器可以僅在非調節狀態防止過衝。然後，可以防止於過衝防止後產生的下衝。
[第六實施型態]
圖7為表示第六實施型態之電壓調節器的電路圖。與圖6不同的係刪除NMOS電晶體116而設置有電阻701之點。NMOS電晶體602係閘極被連接於電阻701和PMOS電晶體115之汲極和NMOS電晶體113之閘極，汲極被連接於電阻603和OR電路604之第一輸入端子，源極被連接於接地端子100。電阻701之另一方的端子被連接於接地端子100。
接著，針對第六實施型態之電壓調節器之動作予以說明。通常狀態之動作因與第一實施型態之電壓調節器相同，故省略。在非調節狀態下，因Lo之訊號被輸入PMOS電晶體115之閘極，故PMOS電晶體115成為接通而流通電流。藉由PMOS電晶體115之電流在電阻701產生電壓，NMOS電晶體602和NMOS電晶體113之閘極成為High，使NMOS電晶體602和NMOS電晶體113成為接通。如此一來，因偏壓電路112被連接於放大器110，放大器110之偏壓電流增加，故放大器110能高速響應，OR電路604之第一輸入端子被輸入Lo之訊號。
此時，當在電壓調節器之輸出端子103產生過衝時，放大器110因反轉輸入端子之分壓電壓Vfb高於基準電壓Vref，故對OR電路604之第二輸入端子輸出Lo之訊號。如此一來，從OR電路604之輸出端子被輸出Lo之訊號，使PMOS電晶體114成為接通，並將PMOS電晶體105之閘極控制成接近於電源電壓之位準的電壓。如此一來，防止電壓調節器之輸出端子103之過衝。
當非調節狀態被解除時，PMOS電晶體115斷開而使NMOS電晶體602成為斷開，High之訊號被輸入至OR電路604之第一輸入端子而在OR電路604之輸出被輸出High之訊號。如此一來，動作成使PMOS電晶體114成為斷開，快速地朝通常狀態之動作移動，僅在從非調節狀態時防止過衝。再者，因快速地朝通常動作移動，故可以防止於過衝防止後產生下衝之情形。
並且，雖然無圖示但即使如圖2般，成為將OR電路604之輸出，經反相器連接於NMOS電晶體201之閘極，當檢測出過衝時，偏壓電路202連接於誤差放大電路104，使誤差放大電路104之偏壓電流增加的防止過衝之構成亦可。再者，第六實施型態之電壓調節器若僅在非調節狀態時防止過衝即可，該些控制方法並不限定於該電路。
如上述說明般，第六實施型態之電壓調節器可以僅在非調節狀態防止過衝。然後，可以防止於過衝防止後產生的下衝。
100‧‧‧接地端子
101‧‧‧電源端子
103‧‧‧輸出端子
104‧‧‧誤差放大電路
105‧‧‧PMOS電晶體
106‧‧‧電阻
107‧‧‧電阻
108、111、112‧‧‧偏壓電路
109‧‧‧基準電壓電路
110‧‧‧放大器
113‧‧‧NMOS電晶體
114‧‧‧PMOS電晶體
115‧‧‧PMOS電晶體
116‧‧‧NMOSU電晶體

Claims (9)

  1. 一種電壓調節器，具備：誤差放大電路，其係放大並輸出基準電壓和將輸出電晶體所輸出之輸出電壓進行分壓後的分壓電壓之差，並控制上述輸出電晶體之閘極；和放大器，其係比較上述基準電壓和上述分壓電壓，檢測出上述輸出電壓的過衝，該電壓調節器之特徵為具備：第一電晶體，其係流通與流入上述輸出電晶體之電流呈比例的電流；第一電流鏡電路，其係對與流入上述輸出電晶體之電流呈比例的電流進行鏡射；及第一偏壓電路，其係經上述第一電流鏡電路而被連接於上述放大器，在非調節狀態下使上述放大器之偏壓電流增加，並使響應速度增加。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之電壓調節器，其中具備：第二電晶體，其係被連接於上述放大器的輸出；和第二偏壓電路，其係經上述第二電晶體而被連接於上述誤差放大電路，使上述誤差放大電路之輸出的驅動電流增加。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之電壓調節器，其中在上述放大器之輸出和上述第二電晶體之間具備延遲電路。
  4. 如申請專利範圍第2項所記載之電壓調節器，其中藉由上述放大器之輸出，控制上述輸出電晶體之閘極電壓的第三電晶體。
  5. 如申請專利範圍第3項所記載之電壓調節器，其中藉由上述放大器之輸出，控制上述輸出電晶體之閘極電壓的第三電晶體。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中之任一項所記載之電壓調節器，其中具備：第二電流鏡電路，其係對與流入上述輸出電晶體之電流呈比例的電流進行鏡射，檢測出上述非調節狀態；和邏輯電路，其係被輸入上述第二電流鏡電路之輸出訊號，和上述放大器之輸出訊號，上述邏輯電路於上述非調節狀態之時，輸出上述放大器之輸出訊號。
  7. 一種電壓調節器，具備：誤差放大電路，其係放大並輸出基準電壓和將輸出電晶體所輸出之輸出電壓進行分壓後的分壓電壓之差，並控制上述輸出電晶體之閘極；和放大器，其係比較上述基準電壓和上述分壓電壓，檢測出上述輸出電壓的過衝，該電壓調節器之特徵為具備：第一電晶體，其係流通與流入上述輸出電晶體之電流呈比例的電流； 電阻，藉由來自上述第一電晶體之電流使電壓產生；第一偏壓電路，其係在非調節狀態下，經藉由產生在上述電阻之電壓而成為接通的第二電晶體而被連接於上述放大器，使上述放大器之偏壓電流增加，並使響應速度增加；第三電晶體，藉由產生在上述電阻之電壓成為接通，檢測出非調節狀態；及邏輯電路，其係被輸入上述第三電晶體之輸出訊號，和上述放大器之輸出訊號，上述邏輯電路係於上述非調節狀態之時，輸出上述放大器之輸出訊號。
  8. 如申請專利範圍第7項所記載之電壓調節器，其中具備：第四電晶體，其係被輸入上述邏輯電路之輸出訊號，藉由上述邏輯電路之輸出訊號，控制上述輸出電晶體之閘極電壓。
  9. 如申請專利範圍第7或8項所記載之電壓調節器，其中具備：第五電晶體，其係被連接於上述邏輯電路的輸出；和第二偏壓電路，其係經上述第五電晶體而被連接於上述誤差放大電路，使上述誤差放大電路之輸出的驅動電流增加。
TW102128288A 2012-09-07 2013-08-07 電壓調節器 TWI585565B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012197540 2012-09-07
JP2013124723A JP6168864B2 (ja) 2012-09-07 2013-06-13 ボルテージレギュレータ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201428442A TW201428442A (zh) 2014-07-16
TWI585565B true TWI585565B (zh) 2017-06-01

Family

ID=50232621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102128288A TWI585565B (zh) 2012-09-07 2013-08-07 電壓調節器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9141121B2 (zh)
JP (1) JP6168864B2 (zh)
KR (1) KR102019812B1 (zh)
CN (1) CN103677058B (zh)
TW (1) TWI585565B (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6170354B2 (ja) * 2013-06-25 2017-07-26 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 ボルテージレギュレータ
JP6257323B2 (ja) * 2013-12-27 2018-01-10 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 ボルテージレギュレータ
CN105700601B (zh) * 2014-11-24 2018-08-24 深圳市中兴微电子技术有限公司 一种ldo线性稳压器
JP6513943B2 (ja) * 2014-12-19 2019-05-15 エイブリック株式会社 ボルテージレギュレータ
JP6454169B2 (ja) * 2015-02-04 2019-01-16 エイブリック株式会社 ボルテージレギュレータ
JP2017126285A (ja) * 2016-01-15 2017-07-20 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 ボルテージレギュレータ
US9904305B2 (en) * 2016-04-29 2018-02-27 Cavium, Inc. Voltage regulator with adaptive bias network
TWI645279B (zh) 2016-11-15 2018-12-21 瑞昱半導體股份有限公司 參考電壓緩衝電路
JP6850199B2 (ja) * 2017-05-30 2021-03-31 新日本無線株式会社 電源回路
JP6986999B2 (ja) * 2018-03-15 2021-12-22 エイブリック株式会社 ボルテージレギュレータ
JP7065660B2 (ja) * 2018-03-22 2022-05-12 エイブリック株式会社 ボルテージレギュレータ
JP6983718B2 (ja) 2018-05-16 2021-12-17 エイブリック株式会社 ボルテージレギュレータ
CN110231847A (zh) * 2019-07-17 2019-09-13 江苏润石科技有限公司 快速响应型低压差线性稳压器
JP2021039596A (ja) 2019-09-04 2021-03-11 株式会社東芝 電源回路
CN112034924B (zh) * 2020-08-10 2023-02-24 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 一种自适应快速响应的ldo电路及其芯片
IT202100002618A1 (it) * 2021-02-05 2022-08-05 Sk Hynix Inc Regolatore ad alta tensione
CN113110694B (zh) * 2021-04-30 2022-03-25 南京邮电大学 一种具有电流浪涌抑制的低压差线性稳压器电路
CN113411055B (zh) * 2021-08-19 2021-12-28 深圳飞骧科技股份有限公司 偏置电流控制装置、射频放大器、电子设备及芯片

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6084386A (en) * 1999-02-05 2000-07-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Voltage generation circuit capable of supplying stable power supply voltage to load operating in response to timing signal
US20070108950A1 (en) * 2005-11-07 2007-05-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Regulator circuit
CN100592611C (zh) * 2007-08-24 2010-02-24 尼克森微电子股份有限公司 一种应用于开关式稳压器的脉宽调制控制器
CN101339443B (zh) * 2008-08-08 2011-02-16 武汉大学 宽输出电流范围低压差线性稳压器
US7906952B2 (en) * 2009-01-14 2011-03-15 Prolific Technology Inc. Voltage regulator
CN102033559A (zh) * 2009-09-30 2011-04-27 精工电子有限公司 电压调节器

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005301439A (ja) * 2004-04-07 2005-10-27 Ricoh Co Ltd ボルテージレギュレータ
JP4443301B2 (ja) * 2004-05-17 2010-03-31 セイコーインスツル株式会社 ボルテージ・レギュレータ
JP4527592B2 (ja) * 2005-04-18 2010-08-18 株式会社リコー 定電圧電源回路
US7538673B2 (en) * 2005-08-26 2009-05-26 Texas Instruments Incorporated Voltage regulation circuit for RFID systems
JP2007128292A (ja) * 2005-11-04 2007-05-24 Ricoh Co Ltd ボルテージレギュレータ
JP2007219795A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電圧レギュレータ
JP4847207B2 (ja) * 2006-05-09 2011-12-28 株式会社リコー 定電圧回路
CN100520665C (zh) * 2006-05-17 2009-07-29 深圳安凯微电子技术有限公司 一种低压线性电压调节器
JP4937865B2 (ja) * 2007-09-11 2012-05-23 株式会社リコー 定電圧回路
US7882482B2 (en) * 2007-10-12 2011-02-01 Monolithic Power Systems, Inc. Layout schemes and apparatus for high performance DC-DC output stage
JP5014194B2 (ja) * 2008-02-25 2012-08-29 セイコーインスツル株式会社 ボルテージレギュレータ
JP5331508B2 (ja) * 2009-02-20 2013-10-30 セイコーインスツル株式会社 ボルテージレギュレータ
KR101645041B1 (ko) * 2009-09-15 2016-08-02 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤 볼티지·레귤레이터

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6084386A (en) * 1999-02-05 2000-07-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Voltage generation circuit capable of supplying stable power supply voltage to load operating in response to timing signal
US20070108950A1 (en) * 2005-11-07 2007-05-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Regulator circuit
CN100592611C (zh) * 2007-08-24 2010-02-24 尼克森微电子股份有限公司 一种应用于开关式稳压器的脉宽调制控制器
CN101339443B (zh) * 2008-08-08 2011-02-16 武汉大学 宽输出电流范围低压差线性稳压器
US7906952B2 (en) * 2009-01-14 2011-03-15 Prolific Technology Inc. Voltage regulator
CN102033559A (zh) * 2009-09-30 2011-04-27 精工电子有限公司 电压调节器

Also Published As

Publication number Publication date
CN103677058B (zh) 2016-06-01
KR20140032892A (ko) 2014-03-17
JP6168864B2 (ja) 2017-07-26
TW201428442A (zh) 2014-07-16
KR102019812B1 (ko) 2019-09-09
JP2014067394A (ja) 2014-04-17
CN103677058A (zh) 2014-03-26
US20140070778A1 (en) 2014-03-13
US9141121B2 (en) 2015-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI585565B (zh) 電壓調節器
US9600006B2 (en) Short activation time voltage regulator
TWI498702B (zh) 電壓調節器
JP6130112B2 (ja) ボルテージレギュレータ
US9455628B2 (en) Voltage regulator with overshoot suppression circuit and capability to stop overshoot suppression
JP5971720B2 (ja) 電圧レギュレータ
KR102008157B1 (ko) 볼티지 레귤레이터
US20150263507A1 (en) Overheat protection circuit and voltage regulator
JP6170354B2 (ja) ボルテージレギュレータ
US9236732B2 (en) Voltage regulator
KR102279836B1 (ko) 과전류 보호 회로, 반도체 장치 및 볼티지 레귤레이터
KR20150069542A (ko) 전압 레귤레이터
JP5631918B2 (ja) 過電流保護回路、および、電力供給装置
US10444777B2 (en) Reverse-current-prevention circuit and power supply circuit
US20130241508A1 (en) Voltage regulator
JP2019200579A (ja) ボルテージレギュレータ