CN112034924B - 一种自适应快速响应的ldo电路及其芯片 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种自适应快速响应的LDO电路及其芯片。该电路包括带隙基准电路、误差放大器、功率管、反馈电阻网络和自适应加速响应电路。通过自适应加速响应电路镜像功率管的电流，使得误差放大器内的差分电路的尾电流可以根据LDO电路的负载变化自适应地加速充放电。另一方面，在LDO电路稳定平衡之前，利用误差放大器的两个差分输入端状态不平衡的特性，对差分电路的尾电流和功率管的栅极在极短的时间内进行快速充放电，使LDO电路的响应时间大大减少，让集成电路芯片具有更快的响应速度，进而满足电子终端对导通时间、切换时间和关闭时间等性能提出的高要求。

Description

一种自适应快速响应的LDO电路及其芯片
技术领域
本发明涉及一种自适应快速响应的LDO(low dropout regulator，低压差线性稳压器)电路，同时也涉及包括该LDO电路的集成电路芯片，属于模拟集成电路技术领域。
背景技术
随着通信技术的发展，对电子终端的导通时间、切换时间和关闭时间等性能提出了更高的要求，因此需要模拟集成电路具有更快的响应速度，而负责为模拟集成电路提供直流工作点的电源偏置电路首当其冲。LDO电路作为一种常用的电源偏置电路，也面临着减少响应时间的迫切要求。
专利号为ZL 201710905386.4的中国发明专利提供了一种快速响应LDO电路，通过AB类驱动电路实现很小的静态功耗情况下产生很大的电流驱动，在功耗一定的情况下加快了功率管控制端信号的建立，进而加快了环路的调整速度。另一方面，申请号为201711004540.7的中国专利申请也提供了一种LDO电路，通过采用瞬态反应电路实现快速响应输出电压的变化，迅速调节功率器件的驱动电压，进而改善LDO电路的瞬态特性，增加LDO电路的交流精度。但是，上述两种LDO电路的不足在于：增加了电路级数和反馈电容，会影响电路的环路稳定性，甚至会恶化原LDO电路的性能；并且，不能根据负载变化实时调节快速响应电路，从而局限了应用范围。
发明内容
本发明所要解决的首要技术问题在于提供一种自适应快速响应的LDO电路。
本发明所要解决的另一技术问题在于提供一种包括上述LDO电路的集成电路芯片及相应的电子终端。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
根据本发明实施例的第一方面，提供一种自适应快速响应的LDO电路，包括带隙基准电路、误差放大器、功率管、反馈电阻网络和自适应加速响应电路，所述带隙基准电路的输出端连接所述误差放大器的同相输入端，所述误差放大器的反相输入端连接所述反馈电阻网络，所述误差放大器的输出端连接所述功率管的栅极，所述误差放大器和所述功率管分别连接所述自适应加速响应电路，所述功率管的漏极连接所述反馈电阻网络。
其中较优地，所述自适应加速响应电路包括加速充电电路、自适应加速充放电电路和加速放电电路，所述加速充电电路连接所述差分电路的两个电流输出端和尾电流端，所述自适应加速充放电电路分别连接所述功率管的栅极和所述差分电路的尾电流端，所述加速放电电路分别连接第一节点、第二节点和所述功率管的栅极。
其中较优地，所述加速充电电路包括第一NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和第二NMOS管；所述第一NMOS管的栅极连接所述差分电路参考电压端对应的电流输出端，所述第一NMOS管的漏极分别连接所述第一PMOS管的漏极和栅极，所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极，所述第二PMOS管的漏极分别连接所述第三PMOS管的漏极和栅极以及所述第二NMOS管的漏极，所述第三PMOS管的栅极连接所述第四PMOS管的栅极，所述第四PMOS管的漏极连接所述差分电路的尾电流端，所述第二NMOS管的栅极连接所述差分电路反馈端对应的电流输出端。
其中较优地，所述第一NMOS管、所述第一PMOS管与所述第二PMOS管按预定比例镜像所述同相输入端的电流，得到第一电流，所述第二NMOS管按预定比例镜像所述反相输入端的电流，得到第二电流，所述第二电流大于所述第一电流时，由所述第二电流与所述第一电流的差值得到的第一差值子电流，并输出到所述第三PMOS管，所述第一差值子电流被所述第四PMOS管镜像后输出到所述差分电路作为尾电流。
其中较优地，所述加速充电电路还包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管和第八PMOS管，所述第三NMOS管的栅极连接所述差分电路参考电压端对应的电流输出端，所述第三NMOS管的漏极分别连接所述第六PMOS管的漏极、所述第七PMOS管的漏极和栅极，所述第七PMOS管的栅极连接所述第八PMOS管的栅极，所述第八PMOS管的漏极连接所述差分电路的尾电流端，所述第四NMOS管的栅极连接所述差分电路反馈端对应的电流输出端，所述第四NMOS管的漏极连接所述第五PMOS管的漏极和栅极，所述第五PMOS管的栅极连接所述第六PMOS管的栅极。
其中较优地，所述第三NMOS管按预定比例镜像所述同相输入端的电流，得到第五电流，所述第四NMOS管、所述第五PMOS管、所述第六PMOS管按预定比例镜像所述反相输入端的电流，得到第六电流，所述第六电流大于所述第五电流时，由所述第六电流与所述第五电流的差值得到第二差值子电流，并输出到所述第七PMOS管，所述第二差值子电流被所述第八PMOS管镜像后输出到所述差分电路作为尾电流。
其中较优地，所述自适应加速充放电电路包括第九PMOS管，所述第九PMOS管的栅极连接所述功率管的栅极，所述第九PMOS管的漏极连接所述差分电路的尾电流端。
其中较优地，所述加速放电电路包括第五NMOS管、第六NMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第十二PMOS管和第十三PMOS管，所述第五NMOS管的栅极连接第一节点，所述第五NMOS管的漏极分别连接所述第十PMOS管的栅极和漏极，所述第六NMOS管的栅极连接第二节点，所述第六NMOS管的漏极分别连接所述第十一PMOS管的漏极、所述第七NMOS管的栅极和漏极，所述第十一PMOS管的栅极连接所述第十PMOS管的栅极，所述第七NMOS管的栅极连接所述第八NMOS管的栅极，所述第八NMOS管的漏极分别连接所述第十二PMOS管的栅极和漏极，所述第十二PMOS管的栅极连接所述第十三PMOS管的栅极，所述第十三PMOS管的漏极连接所述功率管的栅极。
其中较优地，所述第五NMOS管、所述第十PMOS管和所述第十一PMOS管按预定比例镜像同相输入端的电流，得到第三电流，所述第六NMOS管按预定比例镜像反相输入端的电流，得到第四电流；由所述第三电流与所述第四电流的差值得到的第二差值电流输出到所述第七NMOS管，所述第二差值电流被所述第七NMOS管、所述第八NMOS管、所述第十二PMOS管和所述第十三PMOS管镜像后输出到所述功率管的栅极。
其中较优地，自适应加速响应电路根据误差放大器内部的两个差分输入端的电流，分别得到第一差值电流和第二差值电流并按预定比例建立镜像后，对应输出到功率管的栅极以及差分电路作为其尾电流，以加速放电或充电；其中，第一差值电流为第一差值子电流，或者第一差值电流为第一差值子电流和第二差值子电流的叠加。
其中较优地，所述自适应加速响应电路将功率管的电流按预定比例建立镜像后，作为差分电路的尾电流，以根据负载变化情况加速放电或充电。
根据本发明实施例的第二方面，提供一种集成电路芯片，所述集成电路芯片中包括上述自适应快速响应的LDO电路。
本发明实施例提供的自适应快速响应的LDO电路通过在现有典型的LDO电路上增加自适应加速响应电路，一方面按照预定比例镜像出功率管的电流，使得误差放大器内的差分电路的尾电流可以根据LDO电路的负载变化自适应地加速充放电。另一方面，在电路稳定平衡之前，利用误差放大器的两个差分输入端状态不平衡特性，对差分电路的尾电流和功率管的栅极进行极短时间内的快速充放电，使LDO电路的响应时间大大减小，让集成电路芯片具有更快的响应速度，进而满足电子终端对导通时间、切换时间和关闭时间等性能提出的高要求。
附图说明
图1为本发明实施例提供的自适应快速响应的LDO电路的原理图；
图2为本发明实施例提供的自适应快速响应的LDO电路中，加速充电电路的原理图；
图3为本发明实施例提供的自适应快速响应的LDO电路中，自适应充放电电路的原理图；
图4为本发明实施例提供的自适应快速响应的LDO电路中，加速放电电路的原理图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明的技术内容做进一步的详细说明。
为了减少LDO电路的响应时间，使得集成电路芯片具有更快的响应速度，进而满足电子终端对导通时间、切换时间和关闭时间等性能提出的高要求，如图1所示，本发明实施例中提供了一种自适应快速响应的LDO电路101，包括带隙基准电路102、误差放大器201、功率管202、反馈电阻网络203和自适应加速响应电路204。带隙基准电路102的输出端连接误差放大器201的同相输入端，误差放大器201的反相输入端连接反馈电阻网络203，误差放大器201的输出端连接功率管202的栅极，误差放大器201和功率管202分别连接到自适应加速响应电路204，功率管202的漏极与反馈电阻网络203连接在一起后，构成本自适应快速响应的LDO电路101的输出端，用于连接输出负载103。电源电压VDD分别连接带隙基准电路102、误差放大器201、功率管202，反馈电阻网络203接地。
其中，由带隙基准电路102，误差放大器201，功率管202和反馈电阻网络203构成典型LDO电路的基本结构。带隙基准电路102的作用是产生基准电压Vref和偏置电流，基准电压Vref用于提供给误差放大器201做输入参考电压。误差放大器201，功率管202和反馈电阻网络203构成一个负反馈环路，实现电压钳位。反馈电阻网络203由电阻Rf1和电阻Rf2串联组成。
该典型LDO电路的输出电压Vout的表达式为：
Figure BDA0002626019230000051
上式中，
Figure BDA0002626019230000052
为LDO电路的增益系数，其大小由电阻Rf1和电阻Rf2两者的比例关系决定，输出电压Vout由基准电压和增益系数共同决定。不难发现，本发明实施例中提供的自适应快速响应的LDO电路101是在典型LDO电路的基础上增加自适应加速响应电路204，从而减少了LDO电路的响应时间。
自适应加速响应电路204，用于在本自适应快速响应的LDO电路稳定平衡之前，利用误差放大器201的两个差分输入端状态不平衡的特性，根据两个差分输入端的电流值，分别得到第一差值电流和第二差值电流并按预定的比例建立镜像后，对应输出到差分电路作为尾电流和功率管202的栅极，以相应地加速充电或放电，实现LDO电路的加速响应。另一方面，将功率管202的电流按预定的比例建立镜像之后，作为差分电路的尾电流，以进一步提高电路的响应速度，并根据负载变化的情况加速放电或充电。
其中，两个差分输入端分别为误差放大器201的同相输入端和反相输入端。如图2所示，差分电路的PMOS管10的栅极作为误差放大器201的同相输入端，用于连接带隙基准电路102的输出端以接收基准电压Vref，差分电路的PMOS管10的漏极连接NMOS管30的漏极，用于接收PMOS管10的电流。NMOS管30的栅极作为差分电路参考电压端对应的电流输出端，用于输出PMOS管10的电流。差分电路的PMOS管20的栅极作为误差放大器201的反相输入端，用于连接反馈电阻网络203以接收反馈电压Vfdbk。差分电路的PMOS管20的漏极连接NMOS管40的漏极，用于接收PMOS管20栅极的电流。NMOS管40的栅极作为差分电路反馈端的电流输出端，用于输出PMOS管20的电流。差分电路的PMOS管10和PMOS管20的源极连接在一起作为差分电路的尾电流端，当LDO电路工作点稳定之前，LDO电路的尾电流端叠加自适应加速响应电路204提供的第一差值电流。
如图1～图4所示，自适应加速响应电路包括加速充电电路301、自适应加速充放电电路302和加速放电电路303。加速充电电路301连接误差放大器201内的差分电路的两个电流输出端(即参考电压端对应的电流输出端和反馈端对应的电流输出端)和其尾电流端。自适应加速充放电电路302分别连接功率管202的栅极和差分电路的尾电流端。加速放电电路303分别连接第一节点Vn1、第二节点Vn2和功率管202的栅极。其中，第一节点Vn1连接差分电路的PMOS管10的漏极，用于输出PMOS管10的电流；第一节点Vn2连接差分电路的PMOS管20的漏极，用于输出PMOS管20的电流。
在本自适应快速响应的LDO电路稳定平衡之前，利用误差放大器201的两个差分输入端状态不平衡的特性，加速充电电路301根据两个差分输入端的电流值，得到第一差值电流并按预定的比例建立镜像后，对应输出到差分电路作为尾电流。其中，加速充电电路301可以采用两种结构，第一种结构的加速充电电路301利用误差放大器201的两个差分输入端状态不平衡的特性，根据两个差分输入端的电流值，得到第一差值子电流；第二种结构的加速充电电路301利用误差放大器201的两个差分输入端状态不平衡的特性，根据两个差分输入端的电流值，得到第一差值子电流和第二差值子电流；因此，在本发明的一个实施例中，加速充电电路301根据两个差分输入端的电流值，得到的第一差值电流可以为第一差值子电流。或者，在本发明的另一个实施例中，第一差值电流可以为第一差值子电流和第二差值子电流的叠加。需要说明的是，这里的叠加是指效用叠加而不是电流相加，即在第一差值子电流发挥作用的基础上叠加第二差值子电流发挥的作用。
具体参见图2所示，在本发明的一个实施例中，加速充电电路301包括第一NMOS管401、第一PMOS管402、第二PMOS管403、第三PMOS管404、第四PMOS管405和第二NMOS管406；第一NMOS管401的栅极连接误差放大器201内的差分电路参考电压端对应的电流输出端(NMOS管30的栅极)，第一NMOS管401的漏极分别连接第一PMOS管402的漏极和栅极，第一PMOS管402的栅极连接第二PMOS管403的栅极，第二PMOS管403的漏极分别连接第三PMOS管404的漏极和栅极以及第二NMOS管406的漏极，第三PMOS管404的栅极连接第四PMOS管405的栅极，第四PMOS管405的漏极连接差分电路的尾电流端，第二NMOS管406的栅极连接差分电路反馈端对应的电流输出端(NMOS管40的栅极)，第一PMOS管402、第二PMOS管403、第三PMOS管404、第四PMOS管405的源极连接电源电压VDD，第一NMOS管401和第二NMOS管406的源极接地。
第一NMOS管401与NMOS管30、第一PMOS管402与第二PMOS管403分别组成电流镜电路，通过第一NMOS管401按预定比例镜像同相输入端的电流后传输到第一PMOS管402，通过第二PMOS管403继续按预定比例镜像后得到与同相输入端的电流成预定比例关系的第一电流；通过第二NMOS管406按预定比例镜像反相输入端的电流，得到第二电流。在本自适应快速响应的LDO电路101稳定平衡之前，两个差分输入端对应的电流不相等，即同相输入端的电流与反相输入端的电流不相等，当第二电流大于第一电流时，由第二电流与第一电流的差值得到的第一差值电流大于0，即可以向第三PMOS管404输出第一差值子电流。当第二电流小于等于第一电流时，第一差值电流为0，第三PMOS管404的电流为0。输出到第三PMOS管404的第一差值电流被第四PMOS管405按预定比例镜像后输出到差分电路作为尾电流，使本自适应快速响应的LDO电路101在两个差分输入端不稳定的状态下(两个差分输入端对应的电流不相等)开始建立响应的时候，尾电流会有一个大的充电电流，进而让本自适应快速响应的LDO电路101在极短的时间内建立，完成从不稳定到稳定的快速响应，并且等电路稳定平衡状态建立好之后，两个差分输入端的电压达到相等或近似相等，此时差分电路的尾电流恢复到正常值。因此，在本自适应快速响应的LDO电路101稳定之后，差分电路的尾电流会回落到平衡状态的值，不再消耗电流，从而实现加速充电电路301只影响电路稳定平衡之前而不影响电路稳定平衡状态。
如图2所示，在本发明的另一个实施例中，加速充电电路301为在MOS管401～406组成的加速充电电路的基础上增加由第三NMOS管407、第四NMOS管408、第五PMOS管409、第六PMOS管410、第七PMOS管411和第八PMOS管412组成的另一加速充电电路；其中，所增加的加速充电电路的各部分连接关系为：第三NMOS管407的栅极连接误差放大器201内的差分电路参考电压端对应的电流输出端(NMOS管30的栅极)，第三NMOS管407的漏极分别连接第六PMOS管410的漏极、第七PMOS管411的漏极和栅极，第七PMOS管411的栅极连接第八PMOS管412的栅极，第八PMOS管412的漏极连接差分电路的尾电流端，第四NMOS管408的栅极连接差分电路反馈端对应的电流输出端(NMOS管40的栅极)，第四NMOS管408的漏极连接第五PMOS管409的漏极和栅极，第五PMOS管409的栅极连接第六PMOS管410的栅极；第五PMOS管409、第六PMOS管410、第七PMOS管411和第八PMOS管412的源极连接电源电压VDD，第三NMOS管407、第四NMOS管408的源极接地。
由MOS管407～412组成的加速充电电路301在原理上和MOS管401～406组成的加速充电电路301是一样的，以达到只要当差分电路的两个输入端之间存在不平衡时就可以通过增加尾电流加速充电的方式实现本自适应快速响应的LDO电路101加速响应的目的，覆盖更多的应用场景。即第三NMOS管407按预定比例镜像同相输入端的电流，得到第五电流，第四NMOS管408、第五PMOS管409、第六PMOS管410按预定比例镜像反相输入端的电流，得到第六电流；在本自适应快速响应的LDO电路101稳定平衡之前，两个差分输入端对应的电流不相等，即同相输入端的电流与反相输入端的电流不相等，当第六电流大于第五电流时时，由第六电流与第五电流的差值得到的第二差值子电流大于0，即可以向第七PMOS管411输出第二差值子电流，该第二差值子电流被所述第八PMOS管412镜像后输出到差分电路作为尾电流，使本自适应快速响应的LDO电路101在两个差分输入端不稳定的状态下(两个差分输入端对应的电流不相等)开始建立响应的时候，尾电流会有一个大的充电电流，进而让本自适应快速响应的LDO电路101在极短的时间内建立，完成从不稳定到稳定的快速响应，并且等电路稳定平衡状态建立好之后，两个差分输入端的电压达到相等或近似相等，此时差分电路的尾电流恢复到正常值。因此，在本自适应快速响应的LDO电路101稳定之后，差分电路的尾电流会回落到平衡状态的值，不再消耗电流，从而实现加速充电电路301只影响电路稳定平衡之前而不影响电路稳定平衡状态。
需要说明的是，在图2中不仅示出了加速充电电路301的结构，还示出了误差放大器201的具体结构。为了便于对加速充电电路301原理的理解，仅对其中部分MOS管进行了标注。本领域普通技术人员可以理解，其它未标注的MOS管也构成误差放大器内的差分电路的一部分。
如图3所示，在图2示出的加速充电电路301和误差放大器201的基础上增加自适应加速充放电电路302。该自适应加速充放电电路302包括第九PMOS管501。第九PMOS管501的栅极连接功率管202的栅极，第九PMOS管501的漏极连接差分电路的尾电流端，第九PMOS管501的源极连接电源电压VDD。
通过增加第九PMOS管501，以增加差分电路的尾电流，从而实现进一步地提升本自适应快速响应的LDO电路101响应速度的目的。当本自适应快速响应的LDO电路101从不稳定状态到稳定状态或者从一个稳定状态到另一个稳定状态时，负载电流发生变化，会导致流过功率管202的电流随之变化，并且功率管的电流与负载的电流近似相等，因此，通过第九PMOS管501按预定比例镜像出功率管202的电流作为差分电路的尾电流，该尾电流与负载变化保持联系，进而实现负载变化时自适应地调节尾电流大小，进而实现自适应加速充放电电路302可以自适应的充放电，使电路在更短的时间内达到稳定状态，并达到本自适应快速响应的LDO电路101可以自适应的加速响应负载的变化的目的。其中，第九PMOS管501镜像功率管202的电流比例大小在满足功耗的前提下进行调整，配合加速充电电路和加速放电电路使电路用更短的时间达到稳定状态。
如图4所示，在图3示出的自适应加速充放电电路302、加速充电电路301和误差放大器201的基础上增加加速放电电路303。该加速放电电路303包括第五NMOS管601、第六NMOS管602、第十PMOS管603、第十一PMOS管604、第七NMOS管605、第八NMOS管606、第十二PMOS管607和第十三PMOS管608。第五NMOS管601的栅极连接第一节点Vn1，第五NMOS管601的漏极分别连接第十PMOS管603的栅极和漏极，第六NMOS管602的栅极连接第二节点Vn2，第六NMOS管602的漏极分别连接第十一PMOS管604的漏极、第七NMOS管605的栅极和漏极，第十一PMOS管604的栅极连接第十PMOS管603的栅极，第七NMOS管605的栅极连接第八NMOS管606的栅极，第八NMOS管606的漏极分别连接第十二PMOS管607的栅极和漏极，第十二PMOS管607的栅极连接第十三PMOS管608的栅极，第十三PMOS管608的漏极连接功率管202的栅极，第十PMOS管603、第十一PMOS管604、第十二PMOS管607和第十三PMOS管608的源极分别连接电源电压VDD，第五NMOS管601、第六NMOS管602、第七NMOS管605和第八NMOS管606的源极分别接地。
通过第五NMOS管601、第十PMOS管603和第十一PMOS管604按预定比例镜像同相输入端的电流，得到第三电流。通过第六NMOS管602按预定比例镜像反相输入端的电流，得到第四电流；在本自适应快速响应的LDO电路101稳定平衡之前，两个差分输入端的电流不相等，由第三电流与第四电流的差值得到的第二差值电流输出到第七NMOS管605，通过第七NMOS管605、第八NMOS管606、第十二PMOS管607和第十三PMOS管608按预定比例镜像后输出到功率管202的栅极，使本自适应快速响应的LDO电路101从高电压到低电压转变的过程中，通过控制功率管202的栅极实现电路的加速响应，进而实现在极短的时间内控制功率管202的栅极电压加速充电，实现本自适应快速响应的LDO电路101快速达到稳定状态。并且，等电路稳定平衡之后，两个差分输入端的电流回落到平衡状态的值，不再消耗电流，从而实现加速放电电路303只影响电路稳定平衡之前而不影响电路稳定平衡状态。
其中，加速充电电路301和加速放电电路303的电流镜像比例由对本自适应快速响应的LDO电路101实际所需的响应速度、差分电路的MOS管的大小以及电路稳定工作时的电流大小共同决定，以免出现本自适应快速响应的LDO电路101加速响应过冲和加速响应不足，因此选择一个合适的电流镜像比例以达到最好的响应效果。
本发明实施例提供的自适应快速响应的LDO电路可以被用在集成电路芯片中。对于该集成电路芯片中的LDO电路的具体结构，在此就不再一一详述了。
另外，本发明实施例提供的自适应快速响应的LDO电路还可以被用在电子终端中，作为模拟集成电路的重要组成部分。这里所说的电子终端包括移动电话、笔记本电脑、平板电脑、车载电脑等。此外，本发明所提供的技术方案也适用于其他模拟集成电路应用的场合，例如通信基站等。
综上所述，本发明实施例提供的LDO电路通过在现有的LDO电路上增加自适应加速响应电路，一方面实现通过比例镜像功率管的电流，使得误差放大器内的差分电路的尾电流可以根据LDO负载变化自适应地加速充放电。另一方面，在电路稳定平衡之前，利用误差放大器的两个差分输入端状态不平衡的特性，对差分电路的尾电流和功率管的栅极进行极短时间内的电流充放电，使LDO电路的响应时间大大减少，让集成电路芯片具有更快的响应速度，进而满足电子终端对导通时间，切换时间和关闭时间等性能提出的高要求。
以上对本发明实施例提供的自适应快速响应的LDO电路及其芯片进行了详细的说明。对本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换，均属于本发明所要求保护的范围。

Claims (11)

1.一种自适应快速响应的LDO电路，其特征在于包括带隙基准电路、误差放大器、功率管、反馈电阻网络和自适应加速响应电路，所述带隙基准电路的输出端连接所述误差放大器的同相输入端，所述误差放大器的反相输入端连接所述反馈电阻网络，所述误差放大器的输出端连接所述功率管的栅极，所述误差放大器和所述功率管分别连接所述自适应加速响应电路，所述功率管的漏极连接所述反馈电阻网络；
所述自适应加速响应电路包括加速充电电路、自适应加速充放电电路和加速放电电路；其中，所述加速充电电路连接所述误差放大器内的差分电路的两个电流输出端和尾电流端，所述自适应加速充放电电路分别连接所述功率管的栅极和所述差分电路的尾电流端；所述加速放电电路分别连接所述差分电路的两个电流输出端和所述功率管的栅极；
所述自适应加速充放电电路将所述功率管的电流按预定比例建立镜像后，作为所述差分电路的尾电流；所述尾电流还包括所述误差放大器的同相输入端和反相输入端的差值电流的比例镜像；
当所述误差放大器的同相输入端和反相输入端对应的电流不相等时，所述尾电流在所述加速充电电路的作用下加速充电，让所述LDO电路完成从不稳定到稳定的快速响应；在所述LDO电路稳定之后，所述尾电流回落到平衡状态的值。
2.如权利要求1所述的自适应快速响应的LDO电路，其特征在于：
所述加速充电电路包括第一NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和第二NMOS管；所述第一NMOS管的栅极连接所述差分电路参考电压端对应的电流输出端，所述第一NMOS管的漏极分别连接所述第一PMOS管的漏极和栅极，所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极，所述第二PMOS管的漏极分别连接所述第三PMOS管的漏极和栅极以及所述第二NMOS管的漏极，所述第三PMOS管的栅极连接所述第四PMOS管的栅极，所述第四PMOS管的漏极连接所述差分电路的尾电流端，所述第二NMOS管的栅极连接所述差分电路反馈端对应的电流输出端。
3.如权利要求2所述的自适应快速响应的LDO电路，其特征在于：
所述第一NMOS管、所述第一PMOS管与所述第二PMOS管按预定比例镜像所述同相输入端的电流，得到第一电流，所述第二NMOS管按预定比例镜像所述反相输入端的电流，得到第二电流；所述第二电流大于所述第一电流时，由所述第二电流与所述第一电流的差值得到的第一差值子电流，并输出到所述第三PMOS管，所述第一差值子电流被所述第四PMOS管镜像后输出到所述差分电路作为尾电流。
4.如权利要求3所述的自适应快速响应的LDO电路，其特征在于：
所述加速充电电路还包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管和第八PMOS管，所述第三NMOS管的栅极连接所述差分电路参考电压端对应的电流输出端，所述第三NMOS管的漏极分别连接所述第六PMOS管的漏极、所述第七PMOS管的漏极和栅极，所述第七PMOS管的栅极连接所述第八PMOS管的栅极，所述第八PMOS管的漏极连接所述差分电路的尾电流端，所述第四NMOS管的栅极连接所述差分电路反馈端对应的电流输出端，所述第四NMOS管的漏极连接所述第五PMOS管的漏极和栅极，所述第五PMOS管的栅极连接所述第六PMOS管的栅极。
5.如权利要求4所述的自适应快速响应的LDO电路，其特征在于：
所述第三NMOS管按预定比例镜像所述同相输入端的电流，得到第五电流，所述第四NMOS管、所述第五PMOS管、所述第六PMOS管按预定比例镜像所述反相输入端的电流，得到第六电流；所述第六电流大于所述第五电流时，由所述第六电流与所述第五电流的差值得到第二差值子电流，并输出到所述第七PMOS管，所述第二差值子电流被所述第八PMOS管镜像后输出到所述差分电路作为尾电流。
6.如权利要求5所述的自适应快速响应的LDO电路，其特征在于：
所述自适应加速充放电电路包括第九PMOS管，所述第九PMOS管的栅极连接所述功率管的栅极，所述第九PMOS管的漏极连接所述差分电路的尾电流端。
7.如权利要求6所述的自适应快速响应的LDO电路，其特征在于：
所述加速放电电路包括第五NMOS管、第六NMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第十二PMOS管和第十三PMOS管，所述第五NMOS管的栅极连接第一节点，所述第五NMOS管的漏极分别连接所述第十PMOS管的栅极和漏极，所述第六NMOS管的栅极连接第二节点，所述第六NMOS管的漏极分别连接所述第十一PMOS管的漏极、所述第七NMOS管的栅极和漏极，所述第十一PMOS管的栅极连接所述第十PMOS管的栅极，所述第七NMOS管的栅极连接所述第八NMOS管的栅极，所述第八NMOS管的漏极分别连接所述第十二PMOS管的栅极和漏极，所述第十二PMOS管的栅极连接所述第十三PMOS管的栅极，所述第十三PMOS管的漏极连接所述功率管的栅极；其中，所述第一节点为所述误差放大器的同相输入端连接的PMOS管的漏极，所述第二节点为所述误差放大器的反相输入端连接的PMOS管的漏极。
8.如权利要求7所述的自适应快速响应的LDO电路，其特征在于：
所述第五NMOS管、所述第十PMOS管和所述第十一PMOS管按预定比例镜像同相输入端的电流，得到第三电流，所述第六NMOS管按预定比例镜像反相输入端的电流，得到第四电流；由所述第三电流与所述第四电流的差值得到的第二差值电流输出到所述第七NMOS管，所述第二差值电流被所述第七NMOS管、所述第八NMOS管、所述第十二PMOS管和所述第十三PMOS管镜像后输出到所述功率管的栅极。
9.如权利要求1～8中任意一项所述的自适应快速响应的LDO电路，其特征在于：
所述自适应加速响应电路根据所述误差放大器的同相输入端和反相输入端的电流，分别得到第一差值电流和第二差值电流并按预定比例建立镜像后，对应输出到功率管的栅极以及差分电路作为其尾电流，以加速放电或充电；其中，第一差值电流为第一差值子电流，或者第一差值电流为第一差值子电流和第二差值子电流的叠加。
10.如权利要求1～8中任意一项所述的自适应快速响应的LDO电路，其特征在于：
所述尾电流根据负载变化情况加速放电或充电。
11.一种集成电路芯片，所述集成电路芯片包括权利要求1～10中任意一项所述的自适应快速响应的LDO电路。
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