TWI578348B - Method for manufacturing ceramic electronic parts, position measuring apparatus and method, and marking forming apparatus and method - Google Patents

Description

陶瓷電子零件之製造方法、位置測定裝置及方法、以及標記形成裝置及方法

本發明涉及一種陶瓷電子零件的製造方法、位置測定裝置和位置測定方法、以及標記形成裝置和標記形成方法。更具體講，本發明所涉及的陶瓷電子零件的製造方法用於例如在積層陶瓷電子零件的製造時所實施的陶瓷坯塊(ceramic green block)的切斷工藝。

另外，本發明的位置測定裝置和方法以及標記形成裝置和方法在例如積層陶瓷電子零件的製造時可以有效地利用。即，本發明的位置測定裝置和位置測定方法例如用於測定陶瓷坯塊內部的內部電極圖案的位置，本發明的標記形成裝置和標記形成方法例如用於在陶瓷坯塊的切斷工藝時，形成標出切斷位置的基準的基準標記。

在製造積層陶瓷電容器等的積層陶瓷電子零件時，通常，要經過下列各工藝，即，將多張印刷有內部電極圖案的陶瓷坯片(ceramic green sheet)積層‧壓接，以製造陶瓷坯塊，並將陶瓷坯塊切斷為規定的尺寸，以製造多片陶瓷生晶片(ceramic green chip)。

在切斷陶瓷坯塊時，需要精確度高地切斷內部電極圖案之間的間隙部，但是，內部電極圖案由於在製造陶瓷坯塊時所實施的壓接的緣故而容易變形，因此，間隙部也存在變形的傾向。而且，由於從陶瓷坯塊的外表面看不到內部電極圖案，因此，陶瓷坯塊的切斷需要高超的技術。

為此，例如，專利文獻1中提出了下列方案，即，根據對陶瓷坯塊照射透過光線而獲得的內部電極圖案的影像，求出陶瓷坯塊的切斷位置。

但是，專利文獻1所記載的方法具有切斷所需的時間長的問題，其原因在於要進行以下各步驟，即，每次切斷時，要將切斷位置資料儲存在記錄介質中，將陶瓷坯塊與記錄介質一起搬運到切斷裝置，在切斷裝置上讀出切斷位置資料進行位置對齊，然後切斷陶瓷坯塊。

另外，在專利文獻1所記載的方法中，在使用X射線作為透過光線進行位置測定的情況下，有時會產生經時性的測定偏差。圖17表示X射線照射裝置中所包含的典型的X射線生成機構51。在X射線生成機構51中，從與陰極52連接的燈絲(filament)生成的電子53高速碰撞與陽極54連接的靶55，由此，電子53的運動能量的一部分成為X射線，但是剩下的運動能量變成熱量並使靶55的溫度上升。由於該溫度上升的緣故，靶55會變形，X射線生成點會發生移動。作為其結果可以推測出：X射線影像的中心座標會向規定的方向移動，從而造成上述經時性的測定偏差。

鑒於上述問題，例如，專利文獻2提出了如下方案：即事先配置與識別X射線影像的照相機的相對位置為已知的校正用識別標記，根據校正用識別標記所測量的位置與作為校正用識別標記的照相機的相對位置為已知的位置(不會受到熱的影響的位置)之差，求出X射線生成點的移動量，校正作為測定物件的工件的位置偏移。

但是，在專利文獻2所記載的方法中，有時不能測定正確的位置。這是因為：從識別校正用識別標記開始到識別工件為止，存在使照相機移動等的時滯，在該期間內，X射線生成裝置也繼續工作，靶的溫度繼續上升。即，與識別校正用識別標記時點的偏移量相比，識別工件時點的偏移量會稍微變大。

而且，在工件的應該測定的位置(座標)為多個的情況下，如果在識別校正用識別標記之後，按順序地識別工件的各部位，則越是後測定的座標，其偏移量會變得越大。為了避免該問題，可以考慮每次都將照相機復原，從而重新測定校正用識別標記的偏移量，但是，在這種情況下，測定效率會降低。

專利文獻1：JP特開2000-21680號公報

專利文獻2：JP特開2003-254735號公報

因此，本發明的目的是提供一種能夠解決上述課題的陶瓷電子零件的製造方法。

本發明的其他目的是提供一種有效應用於上述陶瓷電子零件的製造方法中的位置測定裝置以及位置測定方法。

本發明的另一其他目的是提供一種使用上述位置測定裝置以及位置測定方法的、有效應用於例如積層陶瓷電子零件的製造中的標記形成裝置以及標記形成方法。

本發明首先面向於積層陶瓷電子零件的製造方法。

本發明的積層陶瓷電子零件的製造方法的特徵為，具有：準備陶瓷坯塊的步驟，該陶瓷坯塊具有被積層的多片陶瓷坯片，並具有彼此對向的第一主面以及第二主面，且在內部配置有未燒成的內部電極圖案；從第二主面側向陶瓷坯塊照射X射線或紅外線這樣的可透射光線，並通過設置在第一主面側的攝影裝置對可透射光線進行影像處理，生成內部電極圖案的影像資料的步驟；根據影像資料計算應在陶瓷坯塊的第一或第二主面上形成的成為基準標記的位置的基準標記形成預定位置的步驟；在陶瓷坯塊的第一或第二主面上的上述基準標記形成預定位置上，形成基準標記的步驟；和加工步驟，根據基準標記，對陶瓷坯塊進行規定的加工的步驟。

在形成上述基準標記的步驟中，優選通過照射雷射來形成基準標記。

另外，上述規定的加工是指例如將陶瓷坯塊沿著陶瓷坯片的積層方向切斷成規定的尺寸。

另外，本發明也適用於測定設置在主體內部的工件的座標的位置測定裝置。

本發明的位置測定裝置具有：載台，其用於放置主體；X射線照射裝置，其包括生成電子的陰極和通過由陰極所生成的電子進行碰撞而產生X射線的靶，且向載台照射X射線；攝影裝置，其對自X射線照射裝置進行照射而透過位於載臺上的主體的X射線進行檢測，生成主體內部的工件的X射線影像資料；和運算裝置，其通過對從攝影裝置發送來的X射線影像資料進行處理，來計算主體內部的工件的座標。

並且，為了解決上述技術問題，運算裝置中儲存有曲線狀的檢量線，該檢量線描繪了X射線照射裝置啟動之後的經過時間、與由於靶的變形所產生的通過攝影裝置所獲得的X射線影像的偏移量的關係，運算裝置構成為：根據檢量線，求出由於在工件的拍攝時點的靶的變形而產生的通過攝影裝置所獲得的X射線影像的偏移量，並且在對該偏移量進行校正之後，計算主體內部的工件的座標。以上是本發明的位置測定裝置的第一特徵。

另外，在將通過描繪出X射線照射裝置啟動後的的經過時間、與由於靶的變形所產生的由攝影裝置所獲得的X射線影像的偏移量的關係從而生成上述檢量線的這一操作，經過幾天多次反復實施之後，發現檢量線具有良好的再現性。

本發明的位置測定裝置的第二特徵在於，在上述載臺上形成有校準標記，且按如下進行操作：

(1)在X射線照射裝置啟動之後經過了不確定的時間的第一時點(T1)，利用攝影裝置拍攝校準標記，在運算 裝置中，根據所獲得的X射線影像資料，求出校準標記的第一時點(T1)的座標(C1)。

(2)在從第一時點(T1)起經過了確定的時間的第二時點(T2)，利用攝影裝置再次拍攝校準標記，在運算裝置中，根據所獲得的X射線影像資料，求出校準標記的第二時點(T2)的座標(C2)。

(3)在運算裝置中，求出具有與第一時點(T1)的座標(C1)和第二時點(T2)的座標(C2)的傾斜度相同的傾斜度的檢量線上的位置，並藉由t3=α/{(C2-C1)/(T2-T1)}之式(但，α係將檢量線以An=α〔log{t3+(Tx-T1)-logt3}〕之對數曲線表示時之斜率係數，Tx係工件之X線圖像數據之攝像時間點)求出與檢量線上的位置相應的檢量線上的基準時間(t3)，接著，根據檢量線上的基準時間(t3)，求出實際的基準時間(T3)。

(4)利用攝影裝置拍攝主體內部的工件，將工件的X射線影像資料的拍攝時點(Tx)與實際的基準時間(T3)之差，相加於檢量線上的基準時間(t3)，求出檢量線上的拍攝時點(tx)，接著，從檢量線上的拍攝時點(tx)的偏移量中減去檢量線上的基準時間(t3)的偏移量。

(5)在校正偏移量之後，計算主體內部的工件的座標。

另外，本發明也面向於測定配置在主體內部的工件的座標的位置測定方法。

本發明的位置測定方法具有：將主體放置在載臺上的步驟；利用X射線照射裝置向主體照射X射線的步驟；利 用攝影裝置檢測透過主體的X射線，並生成主體內部的工件的X射線影像資料的步驟；以及通過對X射線影像資料進行處理，來計算出主體內部的工件的座標的步驟。

上述X射線照射裝置包括生成電子的陰極和通過由上述陰極所生成的電子進行碰撞而產生X射線的靶。

並且，為了解決上述技術課題，本發明的位置測定方法還具有生成曲線狀的檢量線的步驟，該曲線狀的檢量線描繪了X射線照射裝置啟動之後的經過時間、與由於靶的變形所產生的通過攝影裝置所獲得的X射線影像的偏移量的關係，計算工件的座標的步驟包括：根據檢量線來求出由於工件的拍攝時的靶的變形所產生的通過攝影裝置所獲得的X射線影像的偏移量，且在對該偏移量進行校正之後，計算主體內部的工件的座標。以上為本發明的位置測定方法的第一特徵。

本發明的位置測定方法的第二特徵在於，在上述載臺上形有成校準標記，並且，計算工件的座標的步驟包括以下步驟：。

(1)在X射線照射裝置啟動之後經過了不確定的時間的第一時點(T1)，利用攝影裝置拍攝校準標記，在運算裝置中，根據所獲得的X射線影像資料，求出校準標記的第一時點(T1)的座標(C1)的步驟。

(2)在從第一時點(T1)起經過了確定的時間的第二時點(T2)，利用攝影裝置再次拍攝校準標記，在運算裝置中，根據所獲得的X射線影像資料，求出校準標記的第 二時點(T2)的座標(C2)的步驟。

(3)在運算裝置中，求出具有與第一時點(T1)的座標(C1)和第二時點(T2)的座標(C2)的傾斜度相同的傾斜度的檢量線上的位置，並藉由t3=α/{(C2-C1)/(T2-T1)}之式(但，α係將檢量線以An=α〔log{t3+(Tx-T1)-logt3}〕之對數曲線表示時之斜率係數，Tx係工件之X線圖像數據之攝像時間點)求出與檢量線上的位置相應的檢量線上的基準時間(t3)，接著，根據檢量線上的基準時間(t3)，求出實際的基準時間(T3)的步驟。

(4)利用攝影裝置拍攝主體內部的工件，將工件的X射線影像資料的拍攝時點(Tx)與實際的基準時間(T3)之差、相加於檢量線上的基準時間(t3)，求出檢量線上的拍攝時點(tx)，接著，從檢量線上的拍攝時點(tx)的偏移量中減去檢量線上的基準時間(t3)的偏移量的步驟。

(5)在校正偏移量之後，計算主體內部的工件的座標的步驟。

另外，本發明也面向于標記形成裝置，該裝置用於在與配置在主體內部的工件的座標相關聯的位置上形成基準標記。

本發明的標記形成裝置具有：載台，其用於放置主體；X射線照射裝置，其包括生成電子的陰極和通過由陰極所生成的電子進行碰撞而產生X射線的靶，並向載台照射X射線； 攝影裝置，其對自X射線照射裝置照射而透過位於載臺上的主體的X射線進行檢測，生成主體內部的工件的X射線影像資料；運算裝置，其通過對從攝影裝置發送來的X射線影像資料進行處理，來計算主體內部的工件的座標，並且根據工件的座標，計算成為基準標記的位置的基準標記形成預定位置；和基準標記形成機構，其在主體的通過運算裝置所計算出的基準標記形成預定位置上，形成基準標記。

並且，在本發明的標記形成裝置的運算裝置中儲存有曲線狀的檢量線，該檢量線描繪了X射線照射裝置啟動之後的經過時間、與由於靶的變形所產生的通過攝影裝置所獲得的X射線影像的偏移量的關係，運算裝置構成為：根據檢量線，求出由於在工件的拍攝時點的靶的變形而產生的通過攝影裝置所獲得的X射線影像的偏移量，並且在對該偏移量進行校正之後，計算主體內部的工件的座標。以上是本發明的標記形成裝置的第一特徵。

本發明的標記形成裝置的第二特徵在於，在載臺上形成有校準標記，且為了計算工件的座標而進行如下所述的操作：

(1)在X射線照射裝置啟動之後經過了不確定的時間的第一時點(T1)，利用攝影裝置拍攝校準標記，在運算裝置中，根據所獲得的X射線影像資料，求出校準標記的第一時點(T1)的座標(C1)。

(2)在從第一時點(T1)起經過了確定的時間的第二時點(T2)，利用攝影裝置再次拍攝校準標記，在運算裝置中，根據所獲得的X射線影像資料，求出校準標記的第二時點(T2)的座標(C2)。

(3)在運算裝置中，求出具有與第一時點(T1)的座標(C1)和第二時點(T2)的座標(C2)的傾斜度相同的傾斜度的檢量線上的位置，並藉由t3=α/{(C2-C1)/(T2-T1)}之式(但，α係將檢量線以An=α〔log{t3+(Tx-T1)-logt3}〕之對數曲線表示時之斜率係數，Tx係工件之X線圖像數據之攝像時間點)求出與檢量線上的位置相應的檢量線上的基準時間(t3)，接著，根據檢量線上的基準時間(t3)，求出實際的基準時間(T3)。

(4)利用攝影裝置拍攝主體內部的工件，將工件的X射線影像資料的拍攝時點(Tx)與實際的基準時間(T3)之差，相加於檢量線上的基準時間(t3)，求出檢量線上的拍攝時點(tx)，接著，從檢量線上的拍攝時點(tx)的偏移量中減去檢量線上的基準時間(t3)的偏移量。

(5)在校正偏移量之後，計算主體內部的工件的座標。

可以有效地使用本發明的標記形成裝置的是以下的情況，即：例如，上述主體是由積層的多片陶瓷坯片構成、且在內部配置有未燒成的內部電極圖案的陶瓷坯塊，上述工件是內部電極圖案的情況。

在本發明的標記形成裝置中，優選載台構成為能夠在攝影裝置與基準標記形成機構之間移動。

另外，在本發明的標記形成裝置中，優選載台、X射線照射裝置、攝影裝置以及基準標記形成機構被收納在一個筐體內。

本發明還適用於在與配置在主體內部的工件的座標相關聯的位置上形成基準標記的標記形成方法。

本發明的標記形成方法具有：將主體放置在載臺上的步驟；利用X射線照射裝置向主體照射X射線的步驟；利用攝影裝置檢測透過主體的X射線，並生成主體內部的工件的X射線影像資料的步驟；通過對X射線影像資料進行處理，來計算主體內部的工件的座標，並且根據工件的座標，計算成為基準標記的位置的基準標記形成預定位置的步驟；在主體上的基準標記形成預定位置上，形成基準標記的步驟；以及根據基準標記，對主體進行規定的加工的步驟。

上述X射線照射裝置包括生成電子的陰極和由上述陰極所生成的電子進行碰撞而產生X射線的靶。

並且，本發明的標記形成方法還具有生成曲線狀的檢量線的步驟，該曲線狀的檢量線描繪了X射線照射裝置啟動之後的經過時間、與由於靶的變形所產生的通過攝影裝置所獲得的X射線影像的偏移量的關係，計算工件的座標的步驟包括：根據檢量線來求出由於工件的拍攝時點的靶的變形所產生的通過攝影裝置所獲得的X射線影像的偏移量，且在對該偏移量進行校正之後，計算主體內部的工件的座標的步驟。以上為本發明的標記形成方法的第一特徵。

本發明的標記形成方法的第二特徵在於，在上述載臺上形成有校準標記，並且，計算工件的座標的步驟包括以下步驟：

(1)在X射線照射裝置啟動之後經過了不確定的時間的第一時點(T1)，利用攝影裝置拍攝校準標記，在運算裝置中，根據所獲得的X射線影像資料，求出校準標記的第一時點(T1)的座標(C1)的步驟。

(2)在從第一時點(T1)起經過了確定的時間的第二時點(T2)，利用攝影裝置再次拍攝校準標記，在運算裝置中，根據所獲得的X射線影像資料，求出校準標記的第二時點(T2)的座標(C2)的步驟。

(3)在運算裝置中，求出具有與第一時點(T1)的座標(C1)和第二時點(T2)的座標(C2)的傾斜度相同的傾斜度的檢量線上的位置，並藉由t3=α/{(C2-C1)/(T2-T1)}之式(但，α係將檢量線以An=α〔log{t3+(Tx-T1)-logt3}〕之對數曲線表示時之斜率係數，Tx係工件之X線圖像數據之攝像時間點)求出與檢量線上的位置相應的檢量線上的基準時間(t3)，接著，根據檢量線上的基準時間(t3)，求出實際的基準時間(T3)的步驟。

(4)利用攝影裝置拍攝主體內部的工件，將工件的X射線影像資料的拍攝時點(Tx)與實際的基準時間(T3)之差，相加於檢量線上的基準時間(t3)，求出檢量線上的拍攝時點(tx)，接著，從檢量線上的拍攝時點(tx)的偏移量中減去檢量線上的基準時間(t3)的偏移量的步驟。

(5)在校正偏移量之後，計算主體內部的工件的座標的步驟。

在本發明的標記形成方法中，優選上述規定的加工是指在與工件的位置相關聯的位置上切斷主體。

根據本發明的積層陶瓷電子零件的製造方法，由於是基於對陶瓷坯塊照射可透射光線所獲得的內部電極圖案的影像資料，求出基準標記形成預定位置，在該基準標記形成預定位置上形成基準標記，然後，根據該基準標記，對陶瓷坯塊進行切斷等規定的加工。因此，能夠提高針對規定的加工的位置精確度。

另外，根據本發明的積層陶瓷電子零件的製造方法，由於是在陶瓷坯塊上形成成為應進行規定的加工的位置的指標的基準標記，因此，無需在每次規定的加工時都讀出加工位置資料進行位置對齊。因此，能夠縮短加工所需要的時間。

根據本發明的位置測定裝置和方法、以及標記形成裝置和方法，由於是基於事先生成的檢量線，預測靶的經時性的變形，求出X射線影像的偏移量，並對該偏移量進行校正，然後，計算出工件的座標，因此，能夠進行精確度高的位置測定，所以，能夠進行位置精確度高的標記形成。

而且，根據本發明的位置測定裝置和方法、以及標記形成裝置和方法，由於是在載臺上形成校準標記，因此，在位置測定或標記形成時，校準標記的識別只需要測定開始時和經過特定時間後最少兩次。因此，校準標記的識別 只需要花費最小限度的時間即可，能夠提高測定效率。

以下，對作為使用本發明的積層陶瓷電子零件的一個例子的積層陶瓷電容器進行說明。

如圖1到圖3所示，積層陶瓷電容器1具有零件主體2。零件主體2大致呈長方體形狀，且具有：彼此對向的1對主面3以及4；彼此對向的1對側面5以及6；和彼此對向的1對端面7以及8。

如圖2所示，零件主體2具有積層結構，該積層結構由在主面3以及4的方向上延伸並且在與主面3以及4正交的方向上積層的多層陶瓷層9、和沿著陶瓷層9之間的介面形成的多對第一以及第二內部電極10以及11構成。

如圖3中所示，第一內部電極10具有：隔著陶瓷層9與第二內部電極11對向的對向部12；以及從對向部12向第一端面7被引出，並在該端部形成露出端13的引出部14。另外，關於第一內部電極10的平面形狀，從將側面5以及6之間連接的寬度方向來看，引出部14的寬度與對向部12的寬度相比，逐漸地變窄。

在圖3中用虛線所示的第二內部電極11也同樣具有：隔著陶瓷層9與第一內部電極10對向的對向部15；以及從對向部15向第二端面8被引出，並在該端部形成露出端16的引出部17。第二內部電極11具有與上述第一內部電極10對稱的平面形狀。

如上所述，第一內部電極10的對向部12和第二內部 電極11的對向部15隔著陶瓷層9而彼此對向，由此，這些對向部12以及15之間顯現電特性。即，在該積層陶瓷電容器1的情況下，形成靜電電容。

而且，積層陶瓷電容器1還具有以與內部電極10以及11的各自的露出端13以及16分別電連接的方式，在零件主體2的至少1對的端面7以及8上分別形成的外部電極18以及19。在本實施方式中，外部電極18以及19具有繞到主面3以及4和側面5以及6的各一部分的部分。

作為用於內部電極10以及11的導電材料，能夠使用例如Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金以及Au等。內部電極10以及11的各自厚度優選為0.3~2.0μm。

作為構成陶瓷層9的陶瓷材料，能夠使用以例如BaTiO₃、CaTiO₃、SrTiO₃、CaZrO₃等為主成分的電介質陶瓷。根據需要，在電介質陶瓷中添加Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Co化合物、Ni化合物以及稀土類元素化合物等的副成分。

另外，雖然應用本發明的不局限於積層陶瓷電子零件，但在應用於積層陶瓷電子零件的情況下，也能夠適用於積層陶瓷電容器以外的積層陶瓷電子零件中。作為構成陶瓷層9的陶瓷材料，在積層陶瓷電子零件是例如壓電零件的情況下，能夠使用PZT系陶瓷等的壓電體陶瓷，在熱敏電阻的情況下，能夠使用尖晶石系陶瓷等的半導體陶瓷。

雖然圖中沒有顯示，但是外部電極17以及18優選由基底層和在基底層上形成的電鍍層構成。作為用於基底層 的導電材料，能夠使用例如Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金以及Au等。基底層可以通過使用將導電性糊膏塗敷在未燒成的零件主體2上並與零件主體2同時燒成的共燃法而形成，也可以通過使用將導電性糊膏塗敷在燒成後的零件主體2上並燒接的後燒法而形成。或者，基底層既可以通過直接電鍍形成，也可以通過使包含熱硬化性樹脂的導電性樹脂硬化而形成。

基底層的厚度優選最厚的部分是10~50μm。

作為構成在基底層上所形成的電鍍層的金屬，能夠使用從例如Cu、Ni、Sn、Pb、Au、Ag、Pd、Bi以及Zn中選擇的一種金屬或包含該金屬的合金。電鍍層可以由多層構成。如上所述，在電鍍層是由多層構成的情況下，優選是鍍Ni以及其上面的鍍Sn的兩層結構。另外，電鍍膜的厚度優選每一層為1~15μm。

在基底層與電鍍層之間可以形成用於緩和應力的導電性樹脂層。

接下來，對上述積層陶瓷電容器1的製造方法進行說明。

首先，分別準備：應成為陶瓷層9的陶瓷坯片、用於內部電極10和11的導電性糊膏、以及用於外部電極18和19的導電性糊膏。在這些陶瓷坯片以及導電性糊膏中含有粘結劑以及溶劑，而作為這些粘結劑以及溶劑，能夠分別使用公知的有機粘結劑以及有機溶劑。

接下來，如圖4所示，在陶瓷坯片21上使用絲網印刷 法等以規定的圖案來印刷導電性糊膏。由此，能夠獲得形成了應分別成為內部電極10以及11的多個內部電極圖案22的陶瓷坯片21。

圖4圖示出：在內部電極圖案22的長度方向(圖4中的左右方向)上延伸的預定切斷線23以及在與其正交的寬度方向(圖4中的上下方向)上延伸的預定切斷線24。陶瓷坯片21具有：在後面要提到的積層步驟之後，通過沿著上述預定切斷線23以及24切斷並進行分割，而能夠取出用於多個積層陶瓷電容器1的零件主體2的尺寸。圖4所示的預定切斷線23以及24是在積層步驟之前的設計階段被確定的，在實施用於獲得後面要提到的陶瓷坯塊27的積層以及壓接步驟之後，陶瓷坯塊27有時也會沿著與預定切斷線23以及24不同的切斷線被切斷。關於該用於實際的切斷的虛擬切斷線的確定方法，後面將會進行闡述。

另外，由於作圖時的問題，在圖4所示的陶瓷坯片21上形成的內部電極圖案22的數量比實際的情況少。

在陶瓷坯片21的彼此對向的邊的各中央部附近分別形成校正用標記25a以及25b。校正用標記25a以及25b是使用與形成上述內部電極圖案22的導電性糊膏相同的導電性糊膏，在內部電極圖案22的印刷的同時形成的。因此，內部電極圖案22與校正用標記25a以及25b的位置關係為恒定。校正用標記25a以及25b最終不會留在作為產品的積層陶瓷電容器1上。

另外，在圖4中，在(A)和(B)中表示陶瓷坯片21， 是為了在對後面要提到的積層步驟進行說明時方便，(A)所示的陶瓷坯片21和(B)所示的陶瓷坯片21除了圖中所示的方向不同，彼此是相同的。

圖4所示的校正用標記25a以及25b，可以與圖5所示的校正用標記26進行置換。圖5所示的校正用標記26是通過將位於兩端的列的內部電極圖案22的一部分進行反白而形成的。另外，雖然圖5所示的內部電極圖案22與圖4所示的內部電極圖案22形狀不同，但這不是本質性的特徵。圖5所示的內部電極圖案22可以理解為形狀被簡略化地表示。

接下來，將規定張數的未印刷內部電極圖案的外層用陶瓷坯片積層，在其上面按順序積層已印刷了圖4所示的內部電極圖案22的陶瓷坯片21，在其上面積層規定張數的外層用陶瓷坯片，以製造陶瓷坯塊27(參照圖10等)。在將印刷了內部電極圖案22的陶瓷坯片21進行積層時，圖4(A)所示的方向的陶瓷坯片21與圖4(B)所示的方向的陶瓷坯片21被交替積層。

為了提高上述積層步驟後的操作性，優選在陶瓷坯塊27的下表面預先粘貼發泡剝離片等的粘結片。

接下來，利用等靜壓機等手段將陶瓷坯塊27向積層方向壓接。

經過以上的步驟所獲得的陶瓷坯塊27利用圖6所示的標記形成裝置31進行處理。在本發明中被作為測定物件的主體是陶瓷坯塊27，在其內部配置的內部電極圖案22成為 配置在主體內部的工件。

標記形成裝置31具有：載台32、X射線照射裝置33、攝影裝置34、影像處理．運算裝置35和標記形成機構36。在標記形成裝置31中預先設定了機械性絕對座標。在標記形成裝置31中，優選至少將載台32、X射線照射裝置33、攝影裝置34以及標記形成機構36收納在一個筐體中。另外，在圖6中，雖然表示了三個載台32，但這並不是說存在三個載台32，而是表示一個載台32移動能獲取的三個位置。另外，圖中雖然表示了與標記形成裝置31相鄰的切斷裝置37，但關於切斷裝置37的詳細內容，後面將進行闡述。

載台32在行以及列方向(X以及Y方向)上可以移動，並且在水平面上也能夠90°旋轉。如圖10所示，在載台32上形成有校準標記29。校準標記29是以例如將氧化鋁片刻成十字形狀的結構而形成的。

X射線照射裝置33配置在位於初始位置的載台32的下方。參照圖17，X射線照射裝置33具有上述X射線生成機構51。如圖17所示，X射線生成機構51包括生成電子53的陰極52和碰撞從陰極52高速發射的電子53的靶55。從陰極52生成的電子53高速地碰撞靶55，由此，其運動能量的一部分作為X射線38而被照射到載台32的方向。

另外，X射線38的照射方向也可以是與圖示的方向相反的從上到下的方向。

攝影裝置34配置在位於初始位置的載台32的上方，以檢測透過陶瓷坯塊27的X射線38。作為攝影裝置34， 能夠使用區域感測器型照相機。

影像處理．運算裝置35與攝影裝置34連接。影像處理．運算裝置35由例如CPU以及記憶體構成，且具有影像處理功能和運算功能。影像處理．運算裝置35首先根據其影像處理功能對用攝影裝置34檢測出的X射線38進行影像處理。

當進行該影像處理時，例如，通過二進位化或邊緣檢測等，如圖7所示，生成包括黑色圖案(影線部分)和白色圖案的影像資料。更詳細地講，通過透過陶瓷坯塊27的X射線38所獲得的影像，如圖8所示，在應成為內部電極圖案22的內部電極10以及11的對向部12以及15的部分相重疊的區域中最濃；在應成為引出部14以及17的部分相重疊的區域中，為中間的濃度；在不存在內部電極圖案22的區域中最薄。在上述影像處理中，將應成為變得最濃的內部電極10以及11的對向部12以及15的部分相重疊的區域作為黑色圖案，將除此以外的區域作為白色圖案，像這樣生成影像資料。

另外，關於圖4所示的校正用標記25a以及25b，由於與應成為內部電極圖案22的對向部12以及15的部分具有相同的相重疊程度，所以作為黑色圖案而被識別。在使用圖5所示的校正用標記26的情況下，作為白色圖案被識別。

另外，圖7等所示的內部電極圖案22與校正用標記25a以及25b，分別是通過內部電極圖案22與校正用標記25a以及25b所獲得的影像，並不是內部電極圖案22與校正用 標記25a以及25b本身。但是，為了便於說明，對內部電極圖案的影像也使用“22”的參照符號，另外，對校正用標記25a以及25b的各自的影像也使用“25a”以及“25b”的參照符號。

另外，在影像處理．運算裝置35所具有的記憶體中，儲存有曲線狀的檢量線，其用於描繪出：X射線照射裝置33啟動之後的經過時間與由於靶55的變形所產生的通過攝影裝置34所獲得的X射線影像的偏移量的關係。圖14表示檢量線的一個例子。另外，雖然只要檢量線與X以及Y方向的任意一個方向對應就足夠，但也可以以與兩個方向都對應的方式準備兩條檢量線。

影像處理．運算裝置35的構成方式為：根據上述檢量線來求出內部電極圖案22的實際的拍攝時點的X射線影像的偏移量，在對該偏移量進行校正之後，計算出內部電極圖案22的座標。

接下來，影像處理．運算裝置35根據其運算功能對上述影像資料進行運算處理，並將由影像資料所獲得的位置資訊、即與基準標記形成預定位置相關的資訊發送給標記形成機構36，上述基準標記形成預定位置成為表示對陶瓷坯塊27所實施的切斷的位置的基準標記39(參照圖12以及圖13)的位置。

標記形成機構36與影像處理．運算裝置35連接，根據由影像處理．運算裝置35發送來的位置資訊、即與基準標記形成預定位置相關的資訊，在陶瓷坯塊27的上方主面上 形成基準標記39。

基準標記39的形成能夠使用下列方法：通過照射雷射而形成成為基準標記39的由細溝構成的切痕的方法、通過敲擊形成成為基準標記39的擊打痕迹的方法、或者使用印刷墨水來印刷基準標記39的方法等。特別是在使用雷射照射的情況下，與印刷法相比，形成基準標記39所需的面積小。因此，能擴大內部電極圖案22的可形成的面積，並且能增加每個陶瓷坯塊的獲取個數。另外，圖12以及圖13所示的基準標記39為十字形狀，所針對的就是通過雷射照射形成的標記。

以下，參照圖15對標記形成裝置31的操作、即用標記形成裝置31進行的位置測定方法以及標記形成方法進行說明。

(1)作為準備階段，將陶瓷坯塊27放置在標記形成裝置31所具有的載台32上。

(2)啟動位於載台32的下方的X射線照射裝置33(圖15的步驟S1)。由此，從X射線照射裝置33向陶瓷坯塊27照射X射線38，成為能夠通過配置在載台32的上方的攝影裝置34來檢測透過陶瓷坯塊27的X射線38的狀態。

(3)在X射線照射裝置33啟動之後經過不確定的時間的第一時點(T1)，用攝影裝置34拍攝校準標記29，在影像處理．運算裝置35中，根據所獲得的X射線影像資料，求出校準標記29的第一時點(T1)的座標(C1)(圖15的步驟S2)。該座標(C1)是絕對座標。

(4)在第一時點(T1)之後經過確定的時間的第二時點(T2)，用攝影裝置34再次拍攝校準標記29，在影像．運算裝置35中，根據所獲得的X射線影像資料，求出校準標記29的第二時點(T2)的座標(C2)(圖15的步驟S3)。該座標(C2)是絕對座標。上述確定的時間例如設為10~40秒。

(5)在影像處理．運算裝置35中，如圖16所示，求出第一時點(T1)的座標(C1)和第二時點(T2)的座標(C2)。在圖16中，第一時點(T1)與第二時點(T2)之差用△T表示，座標(C1)與座標(C2)之差用△C表示。

(6)在影像處理．運算裝置35中，如圖14所示，求出具有與第一時點(T1)的座標(C1)和第二時點(T2)的座標(C2)的傾斜度相同傾斜度的直線、與曲線狀的檢量線相接的點(C3)。即，求出具有與座標(C1)和座標(C2)的傾斜度相同傾斜度的檢量線上的位置(C3)。並且，求出與該檢量線上的位置(C3)相應的檢量線的基準時間(t3)。然後，根據檢量線的基準時間(t3)，求出實際的基準時間(T3)。由此，能夠知道當前在檢量線的哪個時間帶在進行處理。

在此重要的是：不將成為基準的第一時點(T1)作為X射線照射裝置33的啟動時間，而求出座標的傾斜度。在將第一時點(T1)作為啟動時間而根據從該時間經過的時間來求得偏移量的情況下，如果不將X射線照射裝置33關掉並使其完全冷卻，則不能進行校正，因此，測定效率降低。 例如，必須待機30分鐘左右。另一方面，根據本實施方式，無需將X射線照射裝置33長時間關掉，即使在以比較短的間隔反復進行開啟/關掉的狀態下，也能夠進行校正，因此，測定效率高。

並且，類似地，由於第一時點(T1)和第二時點(T2)之間的時間間隔很微小，因此，可以看作T1=T3，以確定第一時點(T1)來代替實際的基準時間(T3)。

(7)用攝影裝置34來檢測校正用標記25a以及25b(圖15的步驟4)。在影像處理．運算裝置35進行的影像處理中，如圖10所示，將一個校正用標記25a作為相對座標的原點，將從該校正用標記25a連接另一個校正用標記25b的方向作為X軸，從而規定相對座標(X，Y)。由此，能夠以校正用標記25a作為原點，定義各內部電極圖案22的相對座標(X，Y)。另外，如圖11所示，在上述相對座標(X，Y)在旋轉方向上發生了偏移的情況下，能夠知道相對於機械性絕對座標的坐標軸，相對座標(X，Y)的坐標軸旋轉偏移到了什麽程度。

(8)通過攝影裝置34檢測出內部電極圖案22，在影像處理．運算裝置35中，生成內部電極圖案22的影像資料(圖15的步驟S5)。

當進行上述影像處理時，無需將內部電極圖案22全部識別。只看以成行以及列的方式排列成矩陣狀的內部電極圖案22中的位於邊緣部以及中央部的內部電極圖案22就已足夠。例如，如圖9所示，只對位於沿著排列了內部電 極圖案22的區域的邊緣的四個邊的部分上的內部電極圖案22與位於各邊的垂直二等分線上的內部電極圖案22的合計33個內部電極圖案22進行影像識別就足夠。

接下來，在影像處理．運算裝置35中，根據檢量線來計算出獲取內部電極圖案22的X射線影像資料時的X射線影像的偏移量，在對偏移量進行校正之後，計算出陶瓷坯塊27內部的各內部電極圖案22的座標。這樣，如果知道拍攝內部電極圖案22的時點，則能夠以檢量線為基礎預測偏移量。因此，能夠進行精確度高的位置測定。

更詳細地講，通過攝影裝置34來拍攝內部電極圖案22，將內部電極圖案22的拍攝時點(Tx)與實際的基準時間(T3)之差，相加於檢量線的基準時間(t3)，求出檢量線的拍攝時點(tx)，接下來，從檢量線的拍攝時點(tx)的偏移量中減去檢量線的基準時間(t3)的偏移量。然後，在對該偏移量進行校正之後，計算出陶瓷坯塊27內部的各內部電極圖案22的座標。

這樣，首先求出各內部電極圖案22的相對座標，針對這些座標，添加以校準標記29為基礎的X射線影像的偏移量的校正，再添加上述以校正用標記25a以及25b為基礎的旋轉偏移量的校正，最終求出各內部電極圖案22的絕對座標。

參照表1並根據具體例對上述圖15的步驟S1~S5進行說明。首先，如“標記檢測(1)”所示，在啟動X射線照射裝置33之後的10秒後的第一時點(T1)，檢測校準標記29所求出的座標(C1)為“0.010mm”。

接下來，如“標記檢測(2)”所示，在啟動X射線照射裝置33之後的20秒後的第一時點(T2)檢測校準標記29所求出的座標(C2)為“0.020mm”。

將這些測定結果代入以下公式t3=α/{(C2-C1)/(T2-T1)}…[式1]

則求出“檢量線上的基準時間(t3)”，該“檢量線上的基準時間(t3)”相當於具有與第一時點(T1)的座標(C1)和第二時點(T2)的座標(C2)的傾斜度相同傾斜度的直線、與曲線狀的檢量線相接的點(C3)。在該具體例子中，“檢量線上的基準時間(t3)為“22秒”。

另外，α是用An=α[log{t3+(Tx-T1)}-log t3]…[式2]

這一對數曲線來表示檢量線時的傾斜係數，在圖14所示的檢量線的情況下，“檢量線上的傾斜係數(α)”是“0.022”。

接下來，如“從啟動開始的拍攝時點(Tx)”所示， 如果在“310秒”之後進行內部電極圖案22的測定，則通過將Tx=310代入上述公式2，求得“0.059mm”作為“校正值(An)”。

並且，如果“物件座標測定值(Xn)”是“1.000mm”，則通過將“校正值(An)”的“0.059mm”與其相加，而求出“1.059mm”作為“真正的物件座標”。

(9)如上所述，在求出各內部電極圖案22的絕對座標之後，關掉X射線照射裝置33(圖15…步驟S6)。

(10)在影像處理．運算裝置35中，根據內部電極圖案22的相對座標(X,Y)來計算出圖12所示的虛擬切斷線40的位置。此時，如圖13所示，在內部電極圖案22中產生變形的情況下，計算該變形，並計算出在與內部電極圖案22之間能夠確保最大間隔的虛擬切斷線40的位置。

上述虛擬切斷線40的兩端成為基準標記形成預定位置。根據基準標記形成預定位置的相對座標來計算出基準標記形成預定位置的機械性絕對座標。此時，也進行旋轉偏移量的校正。另外，載台32的移動距離也得到反映。

(11)移動載台32，從而將陶瓷坯塊27移動到圖6所示的標記形成機構36，如圖12以及圖13所示，在基準標記形成預定位置上形成基準標記39(圖15的步驟S7)。

基準標記39形成在陶瓷坯塊27的上方主面上的外周緣上。在本實施方式中，如上所述，基準標記39是十字形狀，通過雷射照射而形成。

另外，基準標記39有時不會按照原來指定的座標那樣 形成。這是因為：在標記形成裝置31內部，在有X射線照射裝置33的部位發生了熱膨脹的情況下，攝影裝置34與標記形成機構36之間的距離會發生微小的變化。

為了校正該熱膨脹引起的偏移，例如，在標記形成機構36中，首先只形成一個基準標記39。而且，該一個基準標記39是在與本來的基準標記39的形成預定位置相隔開的位置上形成的。接下來，再使載台32回到攝影裝置34，利用攝影裝置34拍攝基準標記39，求出熱膨脹引起的偏移量。接下來，再使載台32回到標記形成機構36，在已修改了上述偏移量的座標上形成基準標記39。

當進行這種校正時，基準標記39優選是能夠用攝影裝置34拍攝的形狀，即優選能夠用X射線檢測出的形狀。因為，通過共同使用攝影裝置34，能夠實現標記形成裝置31的小型化以及成本降低。例如，通過控制刻下基準標記39的深度，能夠調整為能用X射線檢測出的程度。

作為圖15所示的流程圖的變形例，可以利用校準標記檢測(1)步驟S2與校準標記檢測(2)步驟S3之間的等待時間，來實施內部電極圖案測定步驟S5的一部分、例如33個內部電極圖案22中的幾個內部電極圖案22的測定步驟。另外，校正用標記檢測步驟S4也同樣可以利用校準標記檢測(1)步驟S2與校準標記檢測(2)步驟S3之間的等待時間來實施，或者，也可以在校準標記檢測(1)步驟S2之前實施。

在如上所述通過標記形成裝置31形成基準標記39之 後，對陶瓷坯塊27進行規定的加工，更具體講，利用圖6所示的切斷裝置37實施切斷加工。即，將載台32與陶瓷坯塊27一同移送到切斷裝置37，用切斷刀41切斷陶瓷坯塊27，獲得成為積層陶瓷電容器1的零件主體2的多片陶瓷生晶片。

在切斷裝置37中，利用切斷用攝影裝置42來拍攝基準標記39，且將其影像資料發送到切斷用影像處理．運算裝置43，計算出虛擬切斷線40的位置。在此，由於應分析的影像資料的量很少，因此處理速度很快。

然後，燒成陶瓷生晶片，獲得經燒成後的零件主體2。接下來，通過在零件主體2的兩個端面塗覆導電性糊膏並進行燒接，從而形成外部電極18以及19，獲得積層陶瓷電容器1。

另外，在上述實施方式中，雖然作為基準標記形成後的加工舉出了切斷加工的例子，但也能夠進行位置對齊、通孔形成以及其他的加工。

1‧‧‧積層陶瓷電容器

2‧‧‧零件主體

9‧‧‧陶瓷層

10、11‧‧‧內部電極

12、15‧‧‧對向部

14、17‧‧‧引出部

21‧‧‧陶瓷坯片

22‧‧‧內部電極圖案

23、24‧‧‧預定切斷線

27‧‧‧陶瓷坯塊

29‧‧‧校準標記

31‧‧‧標記形成裝置

32‧‧‧載台

33‧‧‧X射線照射裝置

34‧‧‧攝影裝置

35‧‧‧影像處理．運算裝置

36‧‧‧標記形成機構

37‧‧‧切斷裝置

38‧‧‧X射線

39‧‧‧基準標記

40‧‧‧虛擬切斷線

41‧‧‧切斷刀

42‧‧‧切斷用攝影裝置

43‧‧‧切斷用影像處理．運算裝置

51‧‧‧X射線生成機構

52‧‧‧陰極

53‧‧‧電子

55‧‧‧靶

圖1是表示作為利用本發明的積層陶瓷電子零件的一個例子的積層陶瓷電容器1的外觀的立體圖。

圖2是沿著圖1的A-A線的剖視圖。

圖3是表示圖1所示的積層陶瓷電容器1所具有的零件主體2的內部結構的俯視圖。

圖4是表示為了製造圖1所示的積層陶瓷電容器1而準備的、形成內部電極圖案22的陶瓷坯片21的俯視圖。

圖5是表示作為圖4所示的校正用標記25a、25b的變形例的校正用標記26的放大俯視圖。

圖6是將本發明的一個實施方式的包括位置測定裝置的標記形成裝置31和切斷裝置37同時圖解性表示的主視圖。

圖7是表示通過用圖6所示的標記形成裝置31所具有的攝影裝置34進行影像處理，而被二進位化的陶瓷坯塊27的檢測影像。

圖8是為了獲得圖7所示的被二進位化的檢測影像而將通過攝影裝置34拍攝的陶瓷坯塊27的影像的一部分放大表示的圖。

圖9是與圖7對應的圖，是如果被圖6所示的標記形成裝置31所具有的影像處理．運算裝置35所影像識別，則將充分的內部電極圖案22抽出表示的圖。

圖10是表示將陶瓷坯塊27放置在圖6所示的載台32上的狀態的俯視圖。

圖11是與圖10對應的圖，表示在放置在載台32上的陶瓷坯塊27上產生旋轉偏移的狀態。

圖12是表示在圖7所示的陶瓷坯塊27上形成了基準標記39的狀態的檢測情形的圖。

圖13是用於說明為了計算圖12所示的基準標記39的形成預定位置，而考慮了內部電極圖案22的變形來求出虛擬切斷線40的方法的圖。

圖14是表示在本發明中使用的檢量線的一個例子的 圖。

圖15是表示圖6所示的標記形成裝置31的動作的一個例子的流程圖。

圖16是表示通過圖6所示的標記形成裝置31求出的校準標記29的第一時點的座標和第二時點的座標的傾斜度的圖。

圖17是表示X射線照射裝置中所包含的典型的X射線生成機構51的圖。

27．．．陶瓷坯塊

31．．．標記形成裝置

32．．．載台

33．．．X射線照射裝置

34．．．攝影裝置

35．．．影像處理‧運算裝置

36．．．標記形成機構

37．．．切斷裝置

38．．．X射線

41．．．切斷刀

42．．．切斷用攝影裝置

43．．．切斷用影像處理‧運算裝置

Claims (8)

1. 一種位置測定裝置，係測定設置在主體內部之工件之座標，其特徵在於，具備：載台，用於載置該主體；X射線照射裝置，包含使電子產生之陰極、及藉由從該陰極產生之電子碰撞而產生X射線之靶，且向該載台照射X射線；攝影裝置，檢測自該X射線照射裝置照射而透射過位於該載台上之該主體之X射線，作成該主體內部之該工件之X射線影像資料；以及運算裝置，藉由對從該攝影裝置傳送來之該X射線影像資料進行處理，算出該主體內部之該工件之座標；在該運算裝置儲存有曲線狀之檢量線，該檢量線描繪該X射線照射裝置啟動之後之經過時間與因該靶之變形產生之藉由該攝影裝置所獲得之X射線影像之偏移量之關係；該運算裝置係根據該檢量線求出因在該工件之拍攝時點之該靶之變形產生之藉由該攝影裝置所獲得之X射線影像之偏移量、修正該偏移量且算出該主體內部之該工件之座標；在該載台形成有校準標記，且進行以下動作：(1)在該X射線照射裝置啟動之後經過不特定時間之第一時點(T1)，藉由該攝影裝置拍攝該校準標記，在該運算裝置，從所獲得之X射線影像資料求出該校準標記之第一時點(T1)之座標(C1)； (2)在從該第一時點(T1)起經過特定時間之第二時點(T2)，藉由該攝影裝置再次拍攝該校準標記，在該運算裝置，從所獲得之X射線影像資料求出該校準標記之第二時點(T2)之座標(C2)；(3)在該運算裝置，求出具有與該第一時點(T1)之座標(C1)與該第二時點(T2)之座標(C2)之傾斜相同之傾斜之該檢量線上之位置，藉由t3=α/{(C2-C1)/(T2-T1)}之式(但，α係將檢量線以An=α〔log{t3+(Tx-T1)-logt3}〕之對數曲線表示時之斜率係數，Tx係工件之X線圖像數據之攝像時間點)求出與該檢量線上之位置相當之在該檢量線之基準時間(t3)，接著，從在該檢量線之該基準時間(t3)求出實際之基準時間(T3)；(4)藉由該攝影裝置拍攝該主體內部之該工件，將該工件之X射線影像資料之拍攝時點(Tx)與該實際之基準時間(T3)之差加上在該檢量線之該基準時間(t3)，求出在該檢量線之拍攝時點(tx)，接著，從在該檢量線之拍攝時點(tx)之偏移量減去在該檢量線之該基準時間(t3)之偏移量；以及(5)修正該偏移量且算出該主體內部之該工件之座標。
2. 一種位置測定方法，係測定設置在主體內部之工件之座標，其特徵在於，具備：在載台上載置該主體之步驟；藉由X射線照射裝置對該主體照射X射線之步驟；藉由攝影裝置檢測透射過該主體之X射線，作成該主 體內部之該工件之X射線影像資料之步驟；以及藉由對該X射線影像資料進行處理，算出該主體內部之該工件之座標之步驟；該X射線照射裝置，包含使電子產生之陰極、及藉由從該陰極產生之電子碰撞而產生X射線之靶；進一步具備預先作成曲線狀之檢量線之步驟，該檢量線描繪X射線照射裝置啟動之後之經過時間與因該靶之變形產生之藉由該攝影裝置所獲得之X射線影像之偏移量之關係；該算出工件之座標之步驟，包含根據該檢量線求出因在該工件之拍攝時點之該靶之變形產生之藉由該攝影裝置所獲得之X射線影像之偏移量、修正該偏移量且算出該主體內部之該工件之座標之步驟；在該載台形成有校準標記，該算出工件之座標之步驟包含以下步驟：(1)在該X射線照射裝置啟動之後經過不特定時間之第一時點(T1)，藉由該攝影裝置拍攝該校準標記，在該運算裝置，從所獲得之X射線影像資料求出該校準標記之第一時點(T1)之座標(C1)之步驟；(2)在從該第一時點(T1)起經過特定時間之第二時點(T2)，藉由該攝影裝置再次拍攝該校準標記，在該運算裝置，從所獲得之X射線影像資料求出該校準標記之第二時點(T2)之座標(C2)之步驟；(3)在該運算裝置，求出具有與該第一時點(T1)之座 標(C1)與該第二時點(T2)之座標(C2)之傾斜相同之傾斜之該檢量線上之位置，藉由t3=α/{(C2-C1)/(T2-T1)}之式(但，α係將檢量線以An=α〔log{t3+(Tx-T1)-logt3}〕之對數曲線表示時之斜率係數，Tx係工件之X線圖像數據之攝像時間點)求出與該檢量線上之位置相當之在該檢量線之基準時間(t3)，接著，從在該檢量線之該基準時間(t3)求出實際之基準時間(T3)之步驟；(4)藉由該攝影裝置拍攝該主體內部之該工件，將該工件之X射線影像資料之拍攝時點(Tx)與該實際之基準時間(T3)之差加上在該檢量線之該基準時間(t3)，求出在該檢量線之拍攝時點(tx)，接著，從在該檢量線之拍攝時點(tx)之偏移量減去在該檢量線之該基準時間(t3)之偏移量之步驟；以及(5)修正該偏移量且算出該主體內部之該工件之座標之步驟。
3. 一種標記形成裝置，係用於在與配置在主體內部之工件之座標相關聯之位置形成基準標記，其特徵在於，具備：載台，用於載置該主體；X射線照射裝置，包含使電子產生之陰極、及藉由從該陰極產生之電子碰撞而產生X射線之靶，且向該載台照射X射線；攝影裝置，檢測自該X射線照射裝置照射而透射過位於該載台上之該主體之X射線，作成該主體內部之該工件之X射線影像資料； 運算裝置，藉由對從該攝影裝置傳送來之該X射線影像資料進行處理，算出該主體內部之該工件之座標，且根據該工件之座標算出作為該基準標記之位置之基準標記形成預定位置；以及基準標記形成機構，在該主體之藉由該運算裝置算出之該基準標記形成預定位置形成該基準標記；在該運算裝置儲存有曲線狀之檢量線，該檢量線描繪該X射線照射裝置啟動之後之經過時間與因該靶之變形產生之藉由該攝影裝置所獲得之X射線影像之偏移量之關係；該運算裝置係根據該檢量線求出因在該工件之拍攝時點之該靶之變形產生之藉由該攝影裝置所獲得之X射線影像之偏移量、修正該偏移量且算出該主體內部之該工件之座標；在該載台形成有校準標記，為了算出該工件之座標而進行以下動作：(1)在該X射線照射裝置啟動之後經過不特定時間之第一時點(T1)，藉由該攝影裝置拍攝該校準標記，在該運算裝置，從所獲得之X射線影像資料求出該校準標記之第一時點(T1)之座標(C1)；(2)在從該第一時點(T1)起經過特定時間之第二時點(T2)，藉由該攝影裝置再次拍攝該校準標記，在該運算裝置，從所獲得之X射線影像資料求出該校準標記之第二時點(T2)之座標(C2)；(3)在該運算裝置，求出具有與該第一時點(T1)之座 標(C1)與該第二時點(T2)之座標(C2)之傾斜相同之傾斜之該檢量線上之位置，藉由t3=α/{(C2-C1)/(T2-T1)}之式(但，α係將檢量線以An=α〔log{t3+(Tx-T1)-logt3}〕之對數曲線表示時之斜率係數，Tx係工件之X線圖像數據之攝像時間點)求出與該檢量線上之位置相當之在該檢量線之基準時間(t3)，接著，從在該檢量線之該基準時間(t3)求出實際之基準時間(T3)；(4)藉由該攝影裝置拍攝該主體內部之該工件，將該工件之X射線影像資料之拍攝時點(Tx)與該實際之基準時間(T3)之差加上在該檢量線之該基準時間(t3)，求出在該檢量線之拍攝時點(tx)，接著，從在該檢量線之拍攝時點(tx)之偏移量減去在該檢量線之該基準時間(t3)之偏移量；以及(5)修正該偏移量且算出該主體內部之該工件之座標。
4. 如申請專利範圍第3項之標記形成裝置，其中，該主體係陶瓷坯塊，該陶瓷坯塊由積層之複數個陶瓷坯片構成且在內部配置有未燒成之內部電極圖案，該工件係該內部電極圖案。
5. 如申請專利範圍第3或4項之標記形成裝置，其中，該載台構成為能在該攝影裝置與該基準標記形成機構之間移動。
6. 如申請專利範圍第3或4項之標記形成裝置，其中，該載台、該X射線照射裝置、該攝影裝置及該基準標記形成機構係收納在一個筐體。
7. 一種標記形成方法，係用於在與配置在主體內部之工件之座標相關聯之位置形成基準標記，其特徵在於，具備：在載台上載置該主體之步驟；藉由X射線照射裝置對該主體照射X射線之步驟；藉由攝影裝置檢測透射過該主體之X射線，作成該主體內部之該工件之X射線影像資料之步驟；藉由對該X射線影像資料進行處理，算出該主體內部之該工件之座標，且根據該工件之座標算出作為該基準標記之位置之基準標記形成預定位置之步驟；在該主體之該基準標記形成預定位置形成該基準標記之步驟；以及根據該基準標記，對該主體進行既定加工之步驟；該X射線照射裝置，包含使電子產生之陰極、及藉由從該陰極產生之電子碰撞而產生X射線之靶；進一步具備預先作成曲線狀之檢量線之步驟，該檢量線描繪X射線照射裝置啟動之後之經過時間與因該靶之變形產生之藉由該攝影裝置所獲得之X射線影像之偏移量之關係；該算出工件之座標之步驟，包含根據該檢量線求出因在該工件之拍攝時點之該靶之變形產生之藉由該攝影裝置所獲得之X射線影像之偏移量、修正該偏移量且算出該主體內部之該工件之座標之步驟；在該載台形成有校準標記，該算出工件之座標之步驟包含以下步驟： (1)在該X射線照射裝置啟動之後經過不特定時間之第一時點(T1)，藉由該攝影裝置拍攝該校準標記，在該運算裝置，從所獲得之X射線影像資料求出該校準標記之第一時點(T1)之座標(C1)之步驟；(2)在從該第一時點(T1)起經過特定時間之第二時點(T2)，藉由該攝影裝置再次拍攝該校準標記，在該運算裝置，從所獲得之X射線影像資料求出該校準標記之第二時點(T2)之座標(C2)之步驟；(3)在該運算裝置，求出具有與該第一時點(T1)之座標(C1)與該第二時點(T2)之座標(C2)之傾斜相同之傾斜之該檢量線上之位置，藉由t3=α/{(C2-C1)/(T2-T1)}之式(但，α係將檢量線以An=α〔log{t3+(Tx-T1)-logt3}〕之對數曲線表示時之斜率係數，Tx係工件之X線圖像數據之攝像時間點)求出與該檢量線上之位置相當之在該檢量線之基準時間(t3)，接著，從在該檢量線之該基準時間(t3)求出實際之基準時間(T3)之步驟；(4)藉由該攝影裝置拍攝該主體內部之該工件，將該工件之X射線影像資料之拍攝時點(Tx)與該實際之基準時間(T3)之差加上在該檢量線之該基準時間(t3)，求出在該檢量線之拍攝時點(tx)，接著，從在該檢量線之拍攝時點(tx)之偏移量減去在該檢量線之該基準時間(t3)之偏移量之步驟；以及(5)修正該偏移量且算出該主體內部之該工件之座標之步驟。
8. 如申請專利範圍第7項之標記形成方法，其中，該既定加工係在與該工件之位置相關聯之位置切斷該主體。