TWI574761B - Silver powder and its manufacturing method - Google Patents

Silver powder and its manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
TWI574761B
TWI574761B TW101121005A TW101121005A TWI574761B TW I574761 B TWI574761 B TW I574761B TW 101121005 A TW101121005 A TW 101121005A TW 101121005 A TW101121005 A TW 101121005A TW I574761 B TWI574761 B TW I574761B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
silver
silver powder
paste
particles
average particle
Prior art date
Application number
TW101121005A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201311377A (zh
Inventor
Tsuyoshi Kawashima
Mika Okada
Eiji Ishida
Tomomichi Nihei
Toshiaki Terao
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co filed Critical Sumitomo Metal Mining Co
Publication of TW201311377A publication Critical patent/TW201311377A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI574761B publication Critical patent/TWI574761B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K9/00—Arc welding or cutting
    • B23K9/24—Features related to electrodes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/12—Metallic powder containing non-metallic particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K9/00—Arc welding or cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form

Description

銀粉及其製造方法
本發明為關於銀粉及其製造方法，更詳而言之為關於在電子機器之配線層、電極等之形成時，成為所利用的銀糊料(paste)之主成分的銀粉及其製造方法。
本申請案為基於在日本國於2011年6月8日所提出發明專利申請的日本專利申請號特願2011-128015，並主張其為優先權者，藉由參考此等申請案而援用於本申請案。
樹脂型銀糊料或煅燒型銀糊料等之銀糊料正廣泛地使用於電子機器之配線層或電極等之形成。配線層或電極等之導電膜，係將銀糊料塗布或印刷後藉由進行加熱硬化或加熱煅燒所形成。
例如，樹脂型銀糊料為由銀粉、樹脂、硬化劑、溶劑等所成，並將此樹脂型銀糊料印刷於導電體電路圖型或端子上後，藉由以100℃~200℃使加熱硬化來製造導電膜，而形成配線或電極。又，煅燒型銀糊料為由銀粉、玻璃、溶劑等所成，並將此燒結型銀糊料印刷於導電體電路圖型或端子上後，藉由以600℃~800℃使加熱煅燒來製造導電膜，而形成配線或電極。對於將銀糊料加熱而形成的此等配線或電極之導電性而言，銀粉之填充性及燒結性為重要的。
導電性銀糊料一般為使用粒徑為0.1μm至數μm的銀粉，惟使用的銀粉之粒徑為配合作為目的之配線寬度或電極厚度而予以細分選定。又，對於所形成的配線寬度或電極厚度要求著高均勻性，對此，在糊料中的銀粉之分散性為重要的。分散性之提昇亦與填充性之提昇有關聯。
對於導電性銀糊料用銀粉所要求之特性雖然會依用途及使用條件而有所不同，惟一般而言為在糊料中之高分散性及燒結性。若使用在糊料中之分散性為低之銀粉時，不僅配線寬度或電極厚度會變得不均勻，硬化或煅燒之處理亦會變得不均勻，而導致導電膜之電阻增大或導電膜之脆化。又，燒結性之惡化與導電膜之電阻增大有直接關係。但，關於此3特性，係與銀粉製造製程之安定性、銀粉之表面處理之關聯性大。
但，在製作銀糊料之際，首先將銀粉與溶媒等之其他構成成分混練混合，之後使用三軸輥磨機等施予指定之壓力，同時藉由混練而製作。此時，對於銀粉要求著：可使用輥而有效率地混練，即具有良好的混練性。
然而，在糊料中若存在有大的銀粉塊體時，隨著使用輥所進行的混練，糊料中的銀粉塊體會破碎，而產生數mm單位的薄片狀粉(薄片(flake))等的粗大粉體。所產生的薄片直接殘留於糊料中為不宜，故使用篩孔等進行過篩予以除去，惟當產生太多薄片時，在篩孔之間亦會產生粗大粉體堵塞等之缺點，無法有效率地除去，而會顯著地損及生產性。
又，如上述般若在糊料中產生薄片，使用該糊料進行網板印刷時，粗大的薄片會使微細的網板產生網目堵塞，而圖型的正確印刷會變得困難。
如此般地，薄片之產生對於在糊料製作時的混練性或進行網板印刷之際的印刷性影響為大。因此，對於銀粉期望著，在糊料製作時於溶媒中之分散性為良好，同時不會產生薄片等之粗大粉體。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本國特開2004-197030號公報
[專利文獻2]日本國特開2000-129318號公報
在此，本發明係有鑑於如此般之情形所提案者，以提供在糊料製作時於溶媒中之分散性為良好，並抑制混練時薄片等之粗大粉體之產生的銀粉及其製造方法為目的。
本發明團隊為達成上述目的經深入研究結果發現，一具有略球狀之粒子以指定之大小連結所形成的凝聚體之銀粉，在糊料中具有良好的分散性，並可抑制混練時薄片等之粗大粉體之產生，遂完成本發明。
即，本發明相關的銀粉，其特徵係凝聚力為-0.2N/cm2以上、0.7N/cm2以下，粉體層剪切力測定之壓縮率為20~50%，且使用JIS-K 6217-4法測定的酞酸二丁酯之吸收量為3.0~9.0ml/100g。
又，本發明相關的銀粉之製造方法，其係將含銀錯合物溶液與還原劑溶液混合，並將銀錯合物還原以製造銀粉，其特徵為於上述含銀錯合物溶液及上述還原劑溶液之雙方或任一方中，相對於銀添加0.1~15質量%的水溶性高分子，其中，上述含銀錯合物溶液為藉由氯化銀與錯化劑溶解所得到者。
藉由本發明，在糊料之溶媒中之分散性為優異，並可有效抑制在糊料製作之混練時薄片等之粗大粉體之產生。
《實施發明之形態》
以下，對於本發明相關的銀粉及其製造方法之具體實施形態予以詳細說明。尚，本發明並不限定於以下之實施形態，只要是在未變更本發明之宗旨下，可適當地予以變更。
在進行說明之際，將對於銀粒子形態之稱呼如圖1般予以定義。即，如圖1(A)所示般，將銀粒子由外觀的幾何學形態來判斷，被認為是單位粒子者，係稱為一次粒子。又，如圖1(B)所示般，將一次粒子為藉由頸縮 (necking)而連結2至3個以上之粒子稱為二次粒子。更，如圖1(C)所示般，將一次粒子及二次粒子之集合體稱為凝聚體。
以往，在銀糊料之製作中，係使用個別的一次粒子為盡可能地分散，且平均粒徑為0.1~1.5μm之銀粉，惟由於如此般一次粒子為分散的微細銀粒子為緊密填充，故與其他粒子之接點多，而凝聚力變大，在糊料中銀粒子彼此容易凝聚而形成大塊體。如此般時，例如在糊料製作，藉由一般所使用的三軸輥磨機來進行混練時，該凝聚之塊體不會被破壞，而直接進入輥中，其結果得知，會形成薄片等mm等級之粗大粉體。
相對於此，粒度分布為大之銀粉(其係具有一次粒子及二次粒子為以指定比例疏鬆凝聚之凝聚體)時，凝聚體間具有足夠的空隙，由於接點數少，故在糊料中未形成大的塊體，確認到未產生薄片。如此般的銀粉，一次粒子及二次粒子為以指定的大小凝聚並連結，形成例如葡萄之顆粒串聯狀之如圖1(C)所示般的凝聚體。此凝聚體，大約為5~10μm左右之大小，推測由二次粒子(其係藉由數個一次粒子之相對為強之鍵結者)，及該二次粒子與一次粒子為以相對為弱之鍵結所連結的結構而構成者。由此可得知，本案發明團隊係藉由適度形成指定大小之一次粒子或二次粒子為連結的凝聚體，且該凝聚體為具有指定強度者，即使將凝聚體作為1個粒子來觀察時，銀粒子間之凝聚力亦為降低，分散性優異，可有效抑制在糊料製作之混 練時薄片等之粗大粉體之產生，而可改善混練性。
即，本實施形態相關之銀粉，凝聚力為-0.2N/cm2以上、0.7N/cm2以下，粉體層剪切力測定之壓縮率為20~50%，且使用JIS-K 6217-4法測定的酞酸二丁酯之吸收量為3.0~9.0ml/100g。具有如此般特性之銀粉，在糊料製作時於溶媒中之分散性為良好，並可有效地抑制混練之際薄片等之粗大粉體之產生。
本實施形態中所使用的銀粒子，一次粒子之平均粒徑較佳為0.1~1.5μm之範圍。藉由一次粒子之平均粒徑為0.1μm以上，在製成導電性糊料時，不會產生大電阻，而會成為導電性良好者。又，藉由設定一次粒子之平均粒徑為1.5μm以下，即使是如後述般地形成一次粒子為以指定大小連結之凝聚體，亦不會使分散性惡化，而會成為混練性及印刷性良好者。
凝聚力，係表示銀粉其本身之凝聚之容易性，為銀粒子在糊料中進行凝聚之指標。此凝聚力，可將銀粉在未載重之狀態的剪切應力定義之。因此，使用例如粉體層剪切力測定裝置，由剪切應力與垂直應力之圖表可求得，在相對於垂直應力之剪切應力之圖表中，Y軸截距之剪切應力值為凝聚力。意即，當該Y軸截距越上昇時，意味著凝聚力越大之意。尚，相對於垂直應力之剪切應力之圖表中的斜率，為銀粉之內部磨擦力，並為粉體之滑動容易性之指標。
本實施形態相關之銀粉，其凝聚力為-0.2N/cm2以上 、0.7N/cm2以下。藉由凝聚力為上述之範圍內，在糊料中銀粒子不會過剩地凝聚，可抑制粗大薄片之產生。
酞酸二丁酯之吸收量，可基於JIS-K6217-4法來進行測定。本實施形態相關之銀粉，其酞酸二丁酯之吸收量為3.0~9.0ml/100g。酞酸二丁酯之吸收量為3.0~9.0ml/100g之銀粉，係表示銀粒子為以指定大小連結，而適度地形成例如葡萄之顆粒串聯狀的凝聚體。
即，在具有銀粒子為以指定大小連結而形成的凝聚體之銀粉中，空隙會變多，當滴下酞酸二丁酯時，在形成該凝聚體之銀粒子間酞酸二丁酯會被吸收(吸油)。凝聚體之形成為少的銀粉時，由於銀粒子間之空隙少，吸收量亦會減少。因此，藉由測定此酞酸二丁酯之吸收量，可判斷該凝聚體之形成程度為何。又，藉由具有指定的吸收量，糊料之溶媒等成分與銀粒子變得易混合，可良好地進行混練。
又，基於此酞酸二丁酯之吸收量，亦可判斷使用該銀粉所製作的糊料之黏性。如上述般地，具有銀粒子為連結的凝聚體之銀粉，由於在構成其凝聚體的粒子間變得會將糊料之溶媒成分吸入般，故凝聚體外的糊料中之溶媒成分量會相對減少，而糊料之黏度會上升。藉由成為高黏度，有效地將混練時在輥間所產生的剪切力作為使銀粉分散的分散力而傳播於糊料中，銀粉彼此不會凝聚而變得容易分散。
尚，酞酸二丁酯之吸收量若較3.0ml/100g少時，表 示所形成的上述凝聚體之數為少，在糊料製作時會產生薄片。另一方面，吸收量若較9.0ml/100g多時，表示銀粒子會過度凝聚，分散性會惡化，並產生薄片。
壓縮率，係由設定荷重為零至將設定荷重以負荷狀態為止之銀粉之體積減少率，為表示銀粒子間之空隙量與銀粉之凝聚體之結構性強度之指標。此壓縮率為使用粉體層剪切力測定裝置，將指定量的銀粉填充於晶胞(cell)，由無荷重下所測定的體積(靜體積高度)，及在負荷設定荷重(60N)之際的體積(體積高度)可進行測定。藉由粉體層剪切力測定裝置對於銀粉施予荷重時，粉體層會被壓縮，當銀粒子分離成一次粒子時，壓縮後的粒子間空隙量會變少，壓縮率為大。另一方面，當銀粒子為形成如上述的凝聚體時，由於亦包含凝聚體之內部空隙而壓縮後之空隙會變多，故壓縮率小。然而，即使是形成凝聚體，惟在設定荷重為負荷之狀態下，若壓縮率變得過大時，表示凝聚體不具有足夠的強度，而在混練時容易被壓碎成一次粒子。
如上述般地，本實施形態相關之銀粉含有銀粒子為以指定大小連結所形成的凝聚體。藉由此凝聚體之存在，可有效地抑制薄片之產生，故較佳為凝聚體為不易變更其結構，且具有結構性強度。
例如，銀粉中所含有的凝聚體，不宜為因為糊料製作之操作員的手而容易被破壞。又，在使用銀粉來製作糊料之際，一般為藉由自公轉混合機等之預備混練及藉由三軸 輥磨機等之主混練來進行。此時，具有結構性強度為低的凝聚體之銀粉時，藉由在混練中之初期階段該凝聚體會破壞而成為一次粒子或二次粒子，在糊料中會緊密地塞滿，由於與其他粒子之接點變多凝聚力變大，故在糊料中變得容易凝聚，而使產生薄片。因而，混練性會顯著地受損。
因此，所形成的凝聚體較佳為具有結構性強度，且為不易產生結構變化者。因而，銀粉中可維持凝聚體為存在之狀態，且未有黏度之降低，並抑制薄片等之粗大粉體之產生，可使發揮良好的混練性。
本實施形態相關之銀粉，該壓縮率為20~50%。壓縮率若較20%小時，上述凝聚體之結構為強，係表示該凝聚結構不易破壞，而在糊料製作時使產生薄片。另一方面，壓縮率若較50%大時，係表示凝聚體之機械強度弱，而該凝聚結構為容易破壞，在糊料製作時銀粒子會緊密地塞滿，由於與其他粒子之接點變多凝聚力變大，故在糊料中變得容易凝聚，而使產生薄片。
如此般地，凝聚力為-0.2N/cm2以上、0.7N/cm2以下，粉體層剪切力測定之壓縮率為20~50%，且使用JIS-K 6217-4法測定的酞酸二丁酯之吸收量為3.0~9.0ml/100g之銀粉，會存在著空隙為多的凝聚體(其係銀粒子以指定大小連結者)，且該凝聚體為維持指定的強度。藉由如此般的銀粉，在糊料製作時於溶媒中之分散性為良好，並可有效地抑制混練之際薄片等之粗大粉體之產生。
在如以上般的銀粉中所含有的凝聚體之存在，藉由如 以下般比較平均粒徑亦可判斷。具體為，將使用雷射繞射散射法測定的體積累積平均粒徑D50，與藉由掃描型電子顯微鏡(SEM)之圖像解析得到的平均粒徑DS，經雙方之比較而可判斷。
藉由雷射繞射散射法之粒徑測定為表示在溶媒中分散的單位粒子之粒徑，即，若包含凝聚的粒子時，不僅為以單體分散的一次粒子，亦包含該凝聚體或二次粒子之粒徑。相對於此，藉由SEM之圖像解析得到的平均粒徑為一次粒子之粒徑平均值。因此，當以D50/DS所求得之比為較1為越大時，係表示形成一次粒子彼此為以指定之比例連結的二次粒子或凝聚體。
本實施形態相關之銀粉，將使用雷射繞射散射法測定的體積累積平均粒徑作為D50，將藉由SEM之圖像解析得到的平均粒徑作為DS時，以D50/DS所求得之比為1.5~5.0。
尚，以D50/DS所求得之比若較1.5為小時，上述凝聚體為少，在糊料製作時有使產生薄片之可能性。另一方面，以D50/DS所求得之比若較5.0為大時，銀粒子會過度凝聚而大量地形成大的凝聚體，在糊料之溶媒中的分散安定性會惡化，同時有成為薄片之原因之可能性。
又，關於凝聚體之強度，亦可如以下般經比較比表面積來判斷。具體為，將藉由BET法求得的比表面積與由藉由SEM之圖像解析得到的平均粒徑所求得的比表面積，經雙方之比較而可判斷。
在此，所謂的BET法為藉由氣相吸附法之粉體表面積測定法，由吸附等溫線求得1g試樣所具有的總表面積(即，比表面積)之方法。作為吸附氣體，大多使用氮氣，且多為使用測定來自於被吸附氣體之壓力或容積之變化的吸附量之方法。基於BET式求得吸附量，並藉由乘以1個吸附分子在表面所佔有之面積，而可求得比表面積。
凝聚體之強度，係有關於各銀粒子間連結之強度。在藉由BET法的測定中，當粒子間之連結為弱時，例如，球狀的一次粒子僅以接點進行連結般時，表面積會僅因為粒子連結的接點部而減少，其結果所測定的比表面積之減少，相較於粒子為完全分散狀態之比表面積之合計，即，一次粒子之比表面積，僅為些許者。相較於此，粒子間之連結為強時，例如，二次粒子成為如葫蘆狀或雪人狀般地一次粒子為強力連結時，由於厚的連結部之比表面積會減少，其結果藉由BET法所測定的比表面積會較一次粒子之比表面積大大地減少。另一方面，如上述般藉由SEM之圖像解析得到的平均粒徑為一次粒子之粒徑平均值，由此平均粒徑所求得的比表面積係將個別粒子作為球之表面積之總合，並近似於一次粒子之比表面積之值。
因此，藉由BET法求得的比表面積SSA1，與由藉由SEM之圖像解析得到的平均粒徑所求得的比表面積SSA2之比(SSA1/SSA2)，係成為銀粉之凝聚指標或球形指標，因而，可判斷上述連結粒子為以何種程度堅固地連結著，並可判斷凝聚體之強度。
本實施形態相關之銀粉，將藉由BET法求得的比表面積作為SSA1，由藉由SEM之圖像解析得到的平均粒徑所求得的比表面積作為SSA2時，以SSA1/SSA2所求得之比為未滿1.0。如此般以SSA1/SSA2所求得之比為未滿1.0之銀粉，意味著所形成的凝聚體具有指定的強度，即使是藉由例如混練，亦能維持該凝聚結構，且可更有效地抑制在糊料製作時薄片之產生。另一方面，以SSA1/SSA2所求得之比，較佳為0.7以上。未滿0.7時，凝聚會行，係表示粗大且強度高的凝聚體會含有於銀粉中。若銀粉中含有如此般之凝聚體時，於網板印刷之際會成為網目堵塞之原因，又，亦有損及以銀糊料所形成的配線層或電極之均勻性之虞。
尚，以SSA1/SSA2所求得之比若為1.0以上時，則為未形成凝聚體，或連結粒子之連結為弱之情形，例如以指定以上之壓力來混練處理時，該凝聚結構則容易破壞，並有產生薄片之可能性。
但是，一般使用銀粉來製造煅燒型糊料等時，為將各構成要素計量並置入指定的容器內，使用自公轉混合機等進行預備混練後，再藉由使用三軸輥進行主混練而製作。如上述般地，銀粒子為以指定大小連結所形成的凝聚體，維持該凝聚結構變得重要，在糊料製作時，即使是在進行預備混練及主混練之混練處理，亦希望該凝聚結構能以高水準地被維持著。意即，希望該凝聚體為具有適度的結構安定性。
在此，試驗性地以420G之離心力混練銀粉與環氧樹脂來製作糊料，並將該糊料中之銀粉使用雷射繞射散射法所測定的體積累積平均粒徑D1，與之後進一步藉由三軸輥磨機混練，將所得到的糊料中之銀粉使用雷射繞射散射法所測定的體積累積平均粒徑D2，藉由比較此二值可判斷凝聚結構之安定性。即，一般而言，伴隨著混練凝聚體之結構會持續崩潰，由於銀粉之平均粒徑會以變小般地進行轉變(shift)，故藉由比較預備混練後之平均粒徑D1與主混練後之平均粒徑D2，可判斷凝聚體之結構安定性。
本實施形態相關之銀粉，在作為上述凝聚體之結構安定性之評估，係以420G之離心力混練該銀粉與環氧樹脂，將所得到的糊料中之銀粉使用雷射繞射散射法測定體積累積平均粒徑，並將其作為D1，之後進一步藉由三軸輥磨機混練，將所得到的糊料中之銀粉使用雷射繞射散射法測定體積累積平均粒徑，並將其作為D2，以D2/D1所求得之比為0.5~1.5。
藉由以D2/D1所求得之比為0.5~1.5，即使是藉由預備混練及主混練仍可判斷凝聚體之結構為安定。尚，以D2/D1所求得之比若較0.5為小時，凝聚體之結構未有安定性，因為混練而該結構會破壞，在產生黏度急遽下降之同時有產生薄片之可能性。
尚，在求得D1時，作為以420G之離心力來進行銀粉與環氧樹脂之混練(預備混練)之裝置，只要是能以該420G之離心力混練者即可，未特別限定，可使用例如自 公轉混合機等。在求得D2時，藉由三軸輥磨機之混練(主混練)，以例如輥徑150mm、輥壓10bar之條件來進行。
又，關於凝聚體之結構安定性，除了如上述般地比較混練後之平均粒徑以外，亦能藉由測定混練後糊料之黏度來進行評估。
即，如上述般地，本實施形態相關之銀粉為具有空隙為多的凝聚體(其係銀粒子(一次粒子及二次粒子)以指定大小凝聚者)。因此，在如上述般糊料製作之初期，該黏度會上昇，當凝聚體之強度為弱時，伴隨著混練黏度會漸漸轉變為小。因此，試驗性地以銀粉與環氧樹脂來製作糊料，並藉由比較預備混練後之糊料之黏度η1與主混練後之糊料之黏度η2，可判斷該凝聚體之結構安定性。
本實施形態相關之銀粉，在作為上述凝聚體之結構安定性之評估，係以420G之離心力混練該銀粉與環氧樹脂，將所得到的糊料藉由黏彈性測定裝置測定在剪切速度4sec-1之黏度，並將其作為η1，之後進一步藉由三軸輥磨機混練，將所得到的糊料藉由黏彈性測定裝置測定在剪切速度4sec-1之黏度，並將其作為η2，以η2/η1所求得之比為0.5~1.5。
藉由以η2/η1所求得之比為0.5~1.5，即使是藉由預備混練及主混練仍可判斷凝聚體之結構為安定。尚，以η2/η1所求得之比若較0.5為小時，凝聚體之結構未有安定性，因為混練而該結構會破壞，在產生黏度急遽下降之 同時有產生薄片之可能性。
尚，如上述般地，作為以420G之離心力來進行銀粉與環氧樹脂之混練(預備混練)之裝置，可使用例如自公轉混合機等。又，藉由三軸輥磨機之混練(主混練)，以例如輥徑150mm、輥壓10bar之條件來進行。又，關於黏彈性測定裝置，亦只要是能在所希望的剪切速度下測定黏度者即可，未特別限定。
又，在此黏度測定中所製作的評估用糊料之組成，較佳設定為例如銀粉為80質量%、環氧樹脂(100~200P(10~20Pa‧s)/25℃，較佳為120~150P(12~15Pa‧s)/25℃)為20質量%。
如以上般地，本實施形態相關之銀粉為具有所謂凝聚力為-0.2N/cm2以上、0.7N/cm2以下，粉體層剪切力測定之壓縮率為20~50%，且使用JIS-K 6217-4法測定的酞酸二丁酯之吸收量為3.0~9.0ml/100g之特性。即，此銀粉為具有空隙為多的凝聚體(其係銀粒子以指定大小連結者)，且該凝聚體具有指定的強度。藉由如此般的銀粉，在糊料製作時於溶媒中之分散性為良好，抑制銀粉彼此在糊料中凝聚成為塊體，並可抑制薄片等之粗大粉體之產生。
然後，藉由如此般能抑制薄片產生之銀粉，在糊料製作之混練時不會損及混練性，又，在進行網板印刷之際亦可防止網目堵塞，可實現優異的印刷性。
接著，對於上述銀粉之製造方法進行說明。本實施形態相關之銀粉之製造方法，係將例如氯化銀或硝酸銀設定 為起始原料者，基本上為將含銀錯合物溶液(其係藉由錯化劑將氯化銀等溶解所得到的含有銀錯合物之溶液)與還原劑溶液混合，並將銀錯合物還原，藉由使銀粒子析出而得到銀粒子漿料。尚，在將氯化銀作為起始原料時，不需要設置：在將硝酸銀作為起始原料之方法中所必須的亞硝酸氣體之回收裝置或廢水中的硝酸系氮之處理裝置，亦由於對於環境之影響為少之製程，故可試圖製造成本之降低。
然後，在本實施形態相關之銀粉之製造方法中，於含銀錯合物溶液及還原劑溶液之雙方或任一方中，相對於銀添加0.1~15質量%的水溶性高分子。又，更佳為相對於銀添加超過3.0質量%、10質量%以下之水溶性高分子。如此般地，藉由於含銀錯合物溶液及還原劑溶液之雙方或任一方中，相對於銀添加0.1~15質量%的水溶性高分子，可製造凝聚力為-0.2N/cm2以上、0.7N/cm2以下，粉體層剪切力測定之壓縮率為20~50%，且使用JIS-K 6217-4法測定的酞酸二丁酯之吸收量為3.0~9.0 ml/100 g之銀粉。
在本實施形態相關之銀粉之製造中，選擇作為抗凝聚劑之水溶性高分子及其添加量為重要的。藉由還原劑溶液還原所生成的銀粒子(一次粒子)，表面為活性，容易與其他銀粒子連結而形成二次粒子。進而二次粒子進行凝聚而形成凝聚體。此時，若使用抗凝聚效果為高的抗凝聚劑，例如界面活性劑或脂肪酸時，二次粒子或凝聚體之形成 無法充分地進行，一次粒子會變多而無法適度地形成凝聚體。另一方面，使用抗凝聚效果為低的抗凝聚劑時，由於二次粒子或凝聚體之形成變得過剩，而會成為含有過剩凝聚的粗大凝聚塊體之銀粉。由於水溶性高分子為具有適度的抗凝聚效果，故藉由調整添加量，可容易地控制二次粒子或凝聚體之形成，並可在還原劑溶液添加後的含銀錯合物溶液中使形成適度大小的凝聚體。
作為添加之水溶性高分子未特別限定，但較佳為聚乙二醇、聚環氧乙烷、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯啶酮之至少1種。藉由此等水溶性高分子，特別是防止過剩凝聚之同時，防止因已成長之核之不充分凝聚而銀粒子(一次粒子)變得微細之情形，可容易形成具有指定大小的凝聚體之銀粉。
在此，藉由添加水溶性高分子以形成銀粒子為以指定大小連結的凝聚體，作為該形成機制係認為如以下者。即，藉由添加水溶性高分子，水溶性高分子會吸附於銀粒子表面。此時，當幾乎的銀粒子表面為全數被水溶性高分子被覆時，銀粒子會變成以分別之單體存在般，藉由相對於銀添加0.1~15質量%的水溶性高分子，會殘留一部份為水溶性高分子為不存在之表面，藉由該表面而銀粒子彼此會連結，係認為因而形成凝聚體。
由此而言，關於水溶性高分子之添加量，相對於銀添加0.1~15質量%。水溶性高分子之添加量若相對於銀為未滿0.1質量%時，在銀粒子漿料中之分散性會變差，銀 粉會過度地凝聚，而產生大量粗大的凝聚塊體之薄片。另一方面，若相對於銀之添加量為較15質量%多時，幾乎全數的銀粒子表面會被水溶性高分子被覆，而銀粒子彼此無法連結，無法使形成凝聚體。其結果，銀粉會成為由一次粒子所構成，即使是如此之情形在糊料製作時亦會使產生薄片。因此，藉由相對於銀添加0.1~15質量%的水溶性高分子，可以適度的凝聚力使銀粒子連結，並使形成結構性安定的凝聚體，使在糊料中之分散性良好之同時，可有效地抑制薄片之產生。
又，水溶性高分子為添加於含銀錯合物溶液及還原劑溶液之雙方或任一方中。關於水溶性高分子之添加於含銀錯合物溶液及還原劑溶液之雙方或任一方中，可在還原處理之前事先添加於添加對象之溶液中，亦可在用於還原處理之將含銀錯合物溶液及還原劑溶液混合時進行添加。
更佳為將水溶性高分子事先添加於還原劑溶液中放著。如此般地，藉由事先將水溶性高分子添加於還原劑溶液中放著，水溶性高分子會存在於核產生或核成長之場合，使水溶性高分子迅速地吸附於生成的核或銀粒子之表面，可效率良好地控制銀粒子之凝聚。然後，更佳為藉由將該濃度以成為超過3.0質量%、10質量%以下般地進行添加，可使銀粒子以至更適度之指定大小連結並使形成安定性高的凝聚體，可有效地抑制薄片之產生。
尚，事先將水溶性高分子添加於含銀錯合物溶液時，水溶性高分子難以供給於核產生或核成長之場合，有無法 使水溶性高分子適度地吸附於銀粒子之表面之虞。因而，事先添加於含銀錯合物溶液時，較佳為將水溶性高分子之添加量設定為超過3.0質量%之量。
接著，關於銀粉之製造方法，對於每個步驟更具體地進行說明。首先，在還原步驟中，使用錯化劑溶解氯化銀等之起始原料，並調製含有銀錯合物之溶液。作為錯化劑未有特別限定者，較佳為使用容易與氯化銀等形成錯合物，且不含作為雜質而殘留成分之氨水。又，使用氯化銀時，較佳為使用高純度者。
作為氯化銀等之溶解方法，例如作為錯化劑為使用氨水時，可在製作氯化銀等之漿料後再添加氨水，為了提高錯合物濃度以提昇生產性，較佳為將氯化銀添加於氨水中進行溶解。使用於溶解的氨水，可使用一般工業用使用者，惟為了防止雜質混入，較佳為使用盡可能高純度之氨水。
接下來，調製與銀錯合物溶液混合的還原劑溶液。作為還原劑，較佳為使用抗壞血酸、肼、福馬林等還原力為強者。銀粒子中之結晶粒容易成長，故特佳為抗壞血酸。肼或福馬林可縮小銀粒子中之結晶。又，為了控制反應之均勻性或反應速度，亦可將還原劑以純水等溶解或稀釋，以作為濃度調整過的水溶液使用。
如上述般地，在此銀粉之製造方法中，於含銀錯合物溶液及還原劑溶液之雙方或任一方中，相對於銀添加0.1~15質量%的水溶性高分子，此時，因為水溶性高分子之 添加在還原反應時由於有發泡情形，故亦可於銀錯合物溶液或還原劑混合液中添加消泡劑。作為消泡劑未特別限定者，只要是通常還原時所使用者即可。惟，為了不阻礙還原反應，消泡劑之添加量以能得到消泡效果之最小限度為佳。
尚，關於在調製銀錯合物溶液及還原劑溶液之際所使用之水，為了防止雜質之混入，較佳使用雜質為已除去之水，特佳為使用純水。
接著，將如上述般調製的銀錯合物溶液與還原劑溶液混合，以還原銀錯合物而使銀粒子析出。此還原反應可為分批法，或可使用如管式反應器法或溢流法般之連續還原法來進行。又，銀粒子之粒徑，可藉由控制銀錯合物溶液與還原劑溶液之混合速度或銀錯合物之還原速度，可容易控制作為目的之粒徑。
在還原步驟得到的銀粒子，在表面為吸附著大量的氯離子及水溶性高分子。因此，為了將使用銀糊料所形成的配線層或電極之導電性設定為足夠者，將得到的銀粒子之漿料在接下來的洗淨步驟中進行洗淨，較佳為藉由洗淨來將表面吸附物除去。尚，如後所述，藉由將吸附於銀粒子表面之水溶性高分子除去，為了抑制過剩的凝聚產生，洗淨步驟較佳為在對於銀粒子之表面處理步驟後等來進行。
作為洗淨方法未特別限定者，一般為使用如下述般之方法：由漿料使用壓濾機等進行固液分離，並將所得到的銀粒子投入於洗淨液中，使用攪拌機或超音波洗淨器攪拌 後，再度進行固液分離將銀粒子回收。又，為了充分地除去表面吸附物，較佳為重複進行由投入於洗淨液中、攪拌洗淨及固液分離所構成之操作數回。
洗淨液可使用水，惟為了效率良好地除去氯，可使用鹼水溶液。作為鹼溶液未特別限定者，較佳使用殘留之雜質為少且廉價的氫氧化鈉水溶液。作為洗淨液若使用氫氧化鈉水溶液時，在使用氫氧化鈉水溶液之洗淨後為了除去鈉，宜將銀粒子或該漿料進一步以水洗淨。
又，氫氧化鈉水溶液之濃度較佳設定為0.01~1.00mol/l。濃度若未滿0.01mol/l時，洗淨效果會不充足；另一方面，濃度若超過1.00mol/l時，會有容許值以上之鈉殘留於銀粒子中之情形。尚，使用於洗淨液之水，較佳為未含有對於銀粒子為有害之雜質元素，特佳為使用純水。
在本實施形態相關之銀粉之製造中，於含銀錯合物溶液中還原所形成的凝聚體，在進而凝聚形成粗大的凝聚塊體之前，將其形成的凝聚體之表面使用抗凝聚效果高的處理劑來進行表面處理，以防止過剩之凝聚之情形為第2重要之要素。即，形成上述凝聚體後，在進行過剩的凝聚之前，使用界面活性劑來處理銀粒子或更佳為使用界面活性劑及分散劑來對於處理的銀粒子進行表面處理步驟。藉此，可防止產生過剩的凝聚，並使維持所希望的凝聚體之結構安定性，可更有效地抑制薄片之產生。
由於因為乾燥而過剩的凝聚特別會進行，只要是在銀 粒子乾燥前之任一階段來進行表面處理，均能得到效果。例如，可在還原步驟後且為上述洗淨步驟前；與洗淨步驟為同時；或於洗淨步驟後來進行。
之中特佳為在還原步驟後，且於洗淨步驟之前來進行。或，較佳為在1回之洗淨步驟後來進行。藉此，可維持經由還原處理所形成以指定大小而凝聚的凝聚體，由於對於含有該凝聚體之銀粒子施予表面處理，故可製造分散性良好之銀粉。
更具體說明時，在本實施形態相關之銀粉之製造方法中，如上述般地，藉由相對於銀添加0.1~15質量%的水溶性高分子，可使水溶性高分子適度地吸附於銀粒子表面，並使形成銀粒子為以指定大小連結的凝聚體。然而，吸附於銀粒子表面的水溶性高分子，相對容易藉由洗淨步驟而被洗淨。因此，在表面處理之前進行洗淨步驟時，銀粒子表面之水溶性高分子會被洗淨，除了銀粒子彼此之相互過度凝聚外，有較所形成的凝聚體，形成更大、多量之凝聚塊體之虞。然後，有因此而成為薄片原因之可能性。
因此，由此可知表面處理步驟較佳為在較洗淨步驟為前或1回之洗淨步驟後，即，在銀粒子表面上為殘留有至少能抑制銀粒子凝聚之量之水溶性高分子狀態下來進行。尚，在還原處理後且洗淨步驟前之表面處理，亦可在還原步驟結束後，將含有銀粒子的漿料使用壓濾機等進行固液分離後再進行。藉由如此般在固液分離後進行表面處理，由於可對於生成的銀粒子直接地使表面處理劑之界面活性 劑或分散劑產生作用，故表面處理劑會確實地吸附於已形成的凝聚體，並可有效率地抑制因為過剩的凝聚而凝聚結構變大之薄片之產生。
在此表面處理步驟，更佳為使用界面活性劑與分散劑之雙方來進行表面處理。如此般地使用界面活性劑與分散劑之雙方來進行表面處理時，由於該相互作用可在銀粒子表面形成堅固的表面處理層，故防止過剩凝聚之效果高，可有效地維持所希望之凝聚體。作為使用界面活性劑與分散劑之較佳表面處理之具體方法，將銀粒子投入於添加有界面活性劑及分散劑之水中進行攪拌，或只要投入於添加有界面活性劑之水中進行攪拌後，再進而添加分散劑進行攪拌即可。又，若與洗淨步驟為同時進行表面處理時，只要將界面活性劑及分散劑同時地添加於洗淨液，或於界面活性劑之添加後，再添加分散劑即可。為了使界面活性劑及分散劑之對於銀粒子之吸附性更為良好，較佳為將銀粒子投入於添加有界面活性劑之水或洗淨液進行攪拌後，再進而添加分散劑來進行攪拌者。
在此，作為界面活性劑未特別限定，但較佳為使用陽離子系界面活性劑。由於陽離子系界面活性劑不會受到pH之影響而會電離成正離子，故可得到對於例如以氯化銀作為起始原料之銀粉之吸附性之改善效果。
陽離子系界面活性劑未特別限定者，較佳選自於以單烷基胺鹽所代表的烷基單胺鹽型；以N-烷基(C14~C18)丙二胺二油酸鹽所代表的烷基二胺鹽型；以烷基三甲基 氯化銨所代表的烷基三甲基銨鹽型；以烷基二甲基苄基氯化銨所代表的烷基二甲基苄基銨鹽型；以烷基二聚氧乙烯甲基氯化銨所代表的4級銨鹽型；以烷基砒啶鹽型、二甲基硬脂胺所代表的3級胺型；以聚氧丙烯‧聚氧乙烯烷基胺所代表的聚氧乙烯烷基胺型；以N,N’,N’-參(2-羥基乙基)-N-烷基(C14~18)1,3-二胺基丙烷所代表的二胺之氧乙烯加成型之至少1種，更佳為4級銨鹽型、3級胺鹽型之任一者或其混合物。
又，界面活性劑，較佳為至少具有1個以甲基、丁基、十六基、十八基、牛脂、硬化牛脂、植物系硬脂醯所代表具有C4~C36之碳數之烷基。作為烷基，較佳為將選自於聚氧乙烯、聚氧丙烯、聚氧乙烯聚氧丙烯、聚丙烯酸、聚羧酸之至少1種經加成者。由於此等烷基與如後述作為分散劑所使用的脂肪酸之吸附為強，故藉由界面活性劑使分散劑吸附於銀粒子時，可強力地吸附脂肪酸。
又，界面活性劑之添加量，相對於銀粒子較佳為0.002~1.000質量%之範圍。由於幾乎全數量的界面活性劑會吸附於銀粒子，故界面活性劑之添加量與吸附量幾乎會成為相等者。若界面活性劑之添加量未滿0.002質量%時，有無法得到抑制銀粒子之凝聚或改善分散劑之吸附性效果之情形。另一方面，若添加量超過1.000質量%時，由於使用銀糊料所形成的配線層或電極之導電性會降低，故不宜。
作為分散劑，可使用例如脂肪酸、有機金屬、明膠等 之保護膠體，惟當考量未有雜質混入之虞且與界面活性劑之吸附性時，較佳為使用脂肪酸或該鹽。尚，脂肪酸或該鹽可作為乳液來進行添加。
在作為分散劑所使用的脂肪酸方面，未有特別限定者，但較佳為選自於硬脂酸、油酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸、亞麻油酸、月桂酸、次亞麻油酸之至少1種。此等脂肪酸由於沸點相對為低，因而對於使用銀糊料所形成的配線層或電極之不良影響為少。
又，分散劑之添加量，較佳為相對於銀粒子為0.01~3.00質量%之範圍，更佳為相對於銀粒子為0.01~1.00質量%之範圍。雖然依照分散劑之種類對於銀粒子之吸附量會有所差異，但當添加量未滿0.01質量%時，銀粉為未吸附有能充分得到抑制銀粒子之凝聚或改善分散劑之吸附性效果之量之分散劑情形。另一方面，當分散劑之添加量超過3.00質量%時，吸附於銀粒子的分散劑變多，使用銀糊料所形成的配線層或電極有無法充分得到導電性之情形。
進行洗淨及表面處理後，進行固液分離來回收銀粒子。尚，洗淨及表面處理時所使用的裝置，只要是通常使用者即可，可使用例如附有攪拌機的反應槽等。又，固液分離時所使用的裝置，亦只要是通常使用者即可，可使用例如離心機、吸引過濾機、壓濾機等。
洗淨及表面處理為結束後的銀粒子，在乾燥步驟中使水分蒸發並乾燥。作為乾燥方法，例如，將洗淨及表面處理結束後所回收的銀粉放置於不銹鋼襯墊上，並使用大氣 烘烤箱或真空乾燥機等市售乾燥裝置，只要以40~80℃之溫度進行加熱即可。
更，將乾燥後的銀粉壓碎，並進行分級處理。如上述般表面處理後之銀粉，即使是因為之後的乾燥等在凝聚體間會進而凝聚，由於該結合力為弱，故在糊料製作時容易分離至指定大小的凝聚體。然而，為了使糊料安定化，較佳為進行壓碎並分級處理。壓碎方法為有特別限定者，較佳可使用噴射磨機、高速攪拌機等壓碎力為弱的裝置。壓碎力為強的裝置時，雖然亦可壓碎至如上述的凝聚體，但有銀粉變形之情形，故不宜。又，作為壓碎條件，只要調整至可維持所形成的凝聚體之程度即可。分級裝置未特別限定者，可使用氣流式分級機、篩等。
[實施例]
以下對於本發明之具體實施例進行說明。惟，本發明並不受到以下實施例任何限定。
〔實施例1〕
在38℃之溫浴中，於保持於液溫36℃的25%氨水36L中，一邊攪拌一邊將氯化銀2492g(住友金屬鑛山(股)製)投入，來製作銀錯合物溶液，並將得到的銀錯合物溶液在溫浴中保持於36℃。
另一方面，將還原劑之抗壞血酸1068g(關東化學( 股)製，試藥)溶解於36℃的純水14L中，來製作還原劑溶液。接著，將水溶性高分子之聚乙烯醇64.1g((股)Kuraray製，PVA205，相對於銀為3.5質量%)溶解於36℃的純水550ml中後，混合至還原劑溶液中。
將已製作的銀錯合物溶液與還原劑溶液，使用Mohno Pump(兵神裝備(股)製)，以銀錯合物溶液2.7L/min、還原劑溶液0.9L/min送液至混合管內，來將銀錯合物還原。此時的還原速度，以銀量為127g/min。又，將相對於銀之供給速度之還原劑之供給速度比，設定為1.4。尚，混合管為使用內徑25mm及長725mm的氯乙烯製管。將含有藉由銀錯合物之還原所得的銀粒子之漿料，一邊攪拌一邊接受於接受槽中。
之後，對於藉由還原所得到的銀粒子漿料，投入作為表面處理劑之市售陽離子系界面活性劑之聚氧乙烯加成4級銨鹽0.88g(Croda Japan(股)製，商品名Cirrasol G-265，相對於銀粒子為0.048質量%)及分散劑之硬脂酸乳液16.47g(中京油脂(股)製，SELOSOL 920，相對於銀粒子為0.90質量%)，予以60分鐘攪拌進行表面處理。表面處理後，使用壓濾機將銀粒子漿料過濾，並將銀粒子固液分離。
接著，在回收的銀粒子乾燥前，將銀粒子投入於保持於40℃的0.2質量%之氫氧化鈉(NaOH)水溶液23L中，在15分鐘攪拌且洗淨後，使用壓濾機進行過濾，回收銀粒子。
接下來，將回收的銀粒子投入於保持於40℃的純水23L中，在攪拌及過濾後，將銀粒子移至不銹鋼襯墊，使用真空乾燥機以60℃乾燥10小時。接著，將乾燥的銀粒子使用5L的高速攪拌機(日本焦碳工業(股)製，FM5C)，以周速22.7m/秒進行壓碎。壓碎處理後，將銀粒子使用氣流式分級機(日本鑛業(股)，EJ-3)，以7μm作為分級點將粗大粒子除去，而得到銀粒子。
對於得到的銀粒子，使用粉體層剪切力測定裝置((股)Nano Seeds製，NS-S300)來測定凝聚力。測定為使用銀粉18g，並置入於內徑15mm的測定容器中，將設定的外加荷重以作為20N、40N、60N，以置入銀粉之狀態連續地測定。此時，將對於銀粉之壓入速度設定為0.2mm/秒，當達到設定的外加荷重時即停止壓入，於此時使待機100秒後，為了剪切力測定以10μm/秒之速度開始橫剪切，來測定剪切力。尚，剪切力之採樣頻率設定為10Hz。由剪切力之最大值及橫剪切開始前之垂直荷重，求得20N、40N、60N之各設定外加荷重之剪切應力及垂直應力，並製作相對於垂直應力之剪切應力之圖表，對於此等3點使用最小二乘方法的直線之關係式。其結果，相當於Y軸截距之凝聚力為0.37N/cm2。又，外加荷重為作為60N時之值，壓縮率為30.1%。又使用吸收量測定裝置((股)asahisouken製)，以JIS-K6217-4法測定的酞酸二丁酯之吸收量為6.9ml/100g。
又，藉由SEM觀察所測定的銀粉之平均粒徑DS為 1.12μm。又，使銀粉分散於異丙醇中，使用雷射繞射散射法測定的體積累積平均粒徑D50為2.37μm。因此，以D50/DS所求得之比為2.12。又，藉由BET法測定的比表面積SSA1為0.42m2/g，由藉由SEM觀察得到的平均粒徑DS所求得的比表面積SSA2為0.51m2/g，以SSA1/SSA2所求得之比為0.82。
接著，將所得到的銀粉以成為80質量%、環氧樹脂(三菱化學(股)製、819)以成為20質量%般進行秤量，並使用自公轉混合機((股)Thinky製，ARE-250)，以420G之離心力混練並糊料化後，更使用三軸輥磨機(Buhler(股)製，三軸輥磨機SDY-300)混練後進行評估。在藉由三軸輥磨機之混練中，以目視未確認到薄片之產生，混練性為良好。
對於得到的糊料，使用黏彈性測定裝置(Anton Paar公司，MCR-301)求得在剪切速度4sec-1之黏度。藉由自公轉混合機之混練後的黏度η1為62.7(Pa‧s)，藉由三軸輥磨機之混練後的黏度η2為56.3(Pa‧s)，以η2/η1所求得之比為0.90。
又，將藉由三軸輥磨機進行混練後的糊料2g投入於異丙醇40ml中，並進行超音波分散後，使用開口20μm的篩來進行吸引過濾，採取篩上的粒子並以500倍的SEM圖像來測定數目。其結果，20μm以上的粒子為2個。又，使分散於異丙醇中，並使用雷射繞射散射法來測定體積累積平均粒徑時，藉由自公轉混合機之混練後的糊料 平均粒徑D1為2.35μm，藉由三軸輥磨機後的平均粒徑D2為2.10μm，以D2/D1所求得之比為0.89。
如以上般地，在實施例1，藉由形成銀粒子為以指定大小連結的凝聚體，確認到在糊料中幾乎為未產生薄片之情形。又，在藉由自公轉混合機之混練後與藉由三軸輥磨機之混練後，黏度與平均粒徑之變化為少，得知為維持該凝聚體之凝聚結構。
〔實施例2〕
在實施例2，除了將水溶性高分子之聚乙烯醇之量設定為183g(相對於銀為10質量%)以外，與實施例1相同地進行來製造銀粉。
對於得到的銀粉，與實施例1相同地進行評估之結果，凝聚力為0.14N/cm2，壓縮率為35.0%。又，以JIS-K6217-4法測定酞酸丁基之吸收量為7.0ml/100g。
又，藉由SEM觀察所測定的銀粉之平均粒徑DS為1.05μm。又，使銀粉分散於異丙醇中，使用雷射繞射散射法測定的體積累積平均粒徑D50為2.16μm。因此，以D50/DS所求得之比為2.06。又，藉由BET法測定的比表面積SSA1為0.46m2/g，由藉由SEM觀察得到的平均粒徑DS所求得的比表面積SSA2為0.55m2/g，以SSA1/SSA2所求得之比為0.84。
接著，與實施例1相同地進行，使用得到的銀粉來製作糊料。在實施例2中，於使用三軸輥磨機來進行糊料化 之際，以目視未確認到薄片之產生，混練性亦為良好。
對於得到的糊料，使用黏彈性測定裝置(Anton Paar公司，MCR-301)求得在剪切速度4sec-1之黏度時，藉由自公轉混合機之混練後的黏度η1為58.6(Pa‧s)，藉由三軸輥磨機之混練後的黏度η2為46.4(Pa‧s)，以η2/η1所求得之比為0.79。
又，將藉由三軸輥磨機進行混練後的糊料2g投入於異丙醇40ml中，並進行超音波分散後，確認到在開口20μm的篩上之薄片個數為6個。又，使分散於異丙醇中，並使用雷射繞射散射法來測定體積累積平均粒徑時，藉由自公轉混合機之混練後的糊料平均粒徑D1為2.14μm，三軸輥磨機後的平均粒徑D2為2.13μm，以D2/D1所求得之比為0.99。
如以上般地，在實施例2與實施例1為相同地，藉由形成銀粒子為以指定大小連結的凝聚體，確認到在糊料中幾乎為未產生薄片之情形。又，在藉由自公轉混合機之混練後與藉由三軸輥磨機之混練後，黏度與平均粒徑之變化為少，得知為維持該凝聚體之凝聚結構。
〔比較例1〕
在比較例1，除了將水溶性高分子之聚乙烯醇之量設定為329.4g(相對於銀為18質量%)以外，與實施例1相同地進行來製造銀粉。
對於得到的銀粉，與實施例1及2相同地進行評估之 結果，凝聚力為0.80N/cm2，壓縮率為38.1%。又，以JIS-K6217-4法測定酞酸丁基之吸收量為2.5ml/100g。
又，藉由SEM觀察所測定的銀粉之平均粒徑DS為1.04μm。又，使銀粉分散於異丙醇中，使用雷射繞射散射法測定的體積累積平均粒徑D50為1.51μm。因此，以D50/DS所求得之比為1.45。又，藉由BET法測定的比表面積SSA1為0.62m2/g，由藉由SEM觀察得到的平均粒徑DS所求得的比表面積SSA2為0.55m2/g，以SSA1/SSA2所求得之比為1.13。
接著，與實施例1及2相同地進行，使用得到的銀粉來製作糊料。然後，使用三軸輥磨機來進行糊料化時，以目視未確認到薄片之產生。
對於得到的糊料，使用黏彈性測定裝置(Anton Paar公司，MCR-301)求得在剪切速度4sec-1之黏度時，藉由自公轉混合機之混練後的黏度η1為42.8(Pa‧s)，藉由三軸輥磨機之混練後的黏度η2為38.1(Pa‧s)，以η2/η1所求得之比為0.89，黏度之變化為小。
又，將藉由三軸輥磨機進行混練後的糊料2g投入於異丙醇40ml中，並進行超音波分散後，在開口20μm的篩上之薄片個數為36個，確認到產生多數的薄片。又，使分散於異丙醇中，並使用雷射繞射散射法來測定體積累積平均粒徑時，藉由自公轉混合機之混練後的糊料平均粒徑D1為1.62μm，三軸輥磨機後的平均粒徑D2為1.56μm，以D2/D1所求得之比為0.96，D1與D2幾乎為相同， 藉由自公轉混合機之混練銀粉即為分散。
如以上般地，在比較例1，雖然未產生急遽的黏度之降低或分散性之降低，但產生大量之薄片，並導致混練性之降低。此係認為，由於凝聚體之形成未充分，又該凝聚結構之強度亦為弱，容易因為混練而分解，故產生過剩的凝聚。
〔比較例2〕
在比較例2，除了將水溶性高分子之聚乙烯醇之量設定為0.92g(相對於銀為0.05質量%)以外，與實施例1相同地進行來製造銀粉。
對於得到的銀粉，與實施例1及2相同地進行評估之結果，凝聚力為-0.82N/cm2，壓縮率為18.4%。又，以JIS-K6217-4法測定酞酸丁基之吸收量為14.8ml/100g。
又，藉由SEM觀察所測定的銀粉之平均粒徑DS為1.02μm。又，使銀粉分散於異丙醇中，使用雷射繞射散射法測定的體積累積平均粒徑D50為5.92μm。因此，以D50/DS所求得之比為5.80。又，藉由BET法測定的比表面積SSA1為0.12m2/g，由藉由SEM觀察得到的平均粒徑DS所求得的比表面積SSA2為0.56m2/g，以SSA1/SSA2所求得之比為0.21。
接著，與實施例1及2相同地進行，使用得到的銀粉來製作糊料。然後，藉由三軸輥磨機之混練時，變成非常硬的糊料。更，使用三軸輥磨機進行混練時，於混練中確 認到薄片之產生。
對於得到的糊料，使用黏彈性測定裝置(Anton Paar公司，MCR-301)求得在剪切速度4sec-1之黏度時，藉由自公轉混合機之混練後的黏度η1為211.3(Pa‧s)，藉由三軸輥磨機之混練後的黏度η2為95.1(Pa‧s)，以η2/η1所求得之比為0.45。
又，將藉由三軸輥磨機進行混練後的糊料2g投入於異丙醇40ml中，並進行超音波分散後，在開口20μm的篩上之薄片個數為134個，特別是確認到產生超過50μm之大薄片。又，使分散於異丙醇中，並使用雷射繞射散射法來測定體積累積平均粒徑時，自公轉混合機後的平均粒徑D1為5.94μm，三軸輥磨機後的平均粒徑D2為2.49μm，以D2/D1所求得之比為0.42。
如以上般地，在比較例2，糊料中產生大量的薄片，又，產生急遽的黏度之降低或分散性之降低，糊料化為困難之同時，亦導致混練性的顯著下降。此係認為，大量地形成過剩凝聚的大凝聚塊體，因而成為不易分解的銀粉之故。
將各實施例及比較例之評估結果整理如下述表1所示。
尚，使用實施例1及2、比較例1之銀粉，與環氧樹脂、硬化劑(酚樹脂)及溶劑(1,3-丙二醇、二丙二醇)混練，並製作一般市售型的銀糊料，來確認混練性。尚，混練時為使用量產型的揉合機與三軸輥，來進行預備混練與主混練。
其結果，使用實施例1及2的銀粉所製作的糊料，幾乎未產生薄片，展現出良好的混練性。另一方面，使用比較例1的銀粉所製作的糊料，產生多的薄片，且混練性為差之結果。
由以上結果可得知般，藉由銀粉為凝聚力為-0.2以上、0.7N/cm2以下，粉體層剪切力測定之壓縮率為20~50%，且以JIS-K6217-4法測定的酞酸二丁酯之吸收量為3.0~9.0ml/100g，在糊料製作時可有效地抑制薄片之產生，得知可發揮良好的混練性。又，可維持適度的黏度，亦得知可實現優異的印刷性。
[圖1]關於銀粒子形態之模擬展示圖。

Claims (11)

  1. 一種銀粉，其特徵係凝聚力為-0.2N/cm2以上、0.7N/cm2以下，粉體層剪切力測定之壓縮率為20~50%，且使用JIS-K 6217-4法測定的酞酸二丁酯之吸收量為3.0~9.0ml/100g。
  2. 如申請專利範圍第1項之銀粉，其中，將使用雷射繞射散射法測定的體積累積平均粒徑作為D50，將藉由SEM之圖像解析得到的平均粒徑作為DS時，以D50/DS所求得之比為1.5~5.0。
  3. 如申請專利範圍第1項之銀粉，其中，將藉由BET法求得的比表面積作為SSA1，由藉由SEM之圖像解析得到的平均粒徑所求得的比表面積作為SSA2時，以SSA1/SSA2所求得之比為未滿1.0。
  4. 如申請專利範圍第1項之銀粉，其中，以420G之離心力混練該銀粉與環氧樹脂，將所得到的糊料中之銀粉使用雷射繞射散射法測定體積累積平均粒徑，並將其作為D1，之後進一步藉由三軸輥磨機混練，將所得到的糊料中之銀粉使用雷射繞射散射法測定體積累積平均粒徑，並將其作為D2，以D2/D1所求得之比為0.5~1.5。
  5. 如申請專利範圍第1項之銀粉，其中，以420G之離心力混練該銀粉與環氧樹脂，將所得到的糊料藉由黏彈性測定裝置測定在剪切速度4sec-1之黏度，並將其作為η1，之後進一步藉由三軸輥磨機混練，將所得到的糊料藉由黏彈性測定裝置測定在剪切速度4sec-1之黏度，並將其作 為η2，以η2/η1所求得之比為0.5~1.5。
  6. 一種銀粉之製造方法，其係將含銀錯合物溶液與還原劑溶液混合，並將銀錯合物還原以製造銀粉，其特徵為於上述含銀錯合物溶液及上述還原劑溶液之雙方或任一方中，相對於銀添加0.1~15質量%的水溶性高分子，在還原後且乾燥前藉由陽離子系界面活性劑，或，陽離子系界面活性劑及脂肪酸或該鹽來進行表面處理，其中，上述含銀錯合物溶液為藉由氯化銀與錯化劑溶解所得到者。
  7. 如申請專利範圍第6項之銀粉之製造方法，其中，上述表面處理係在洗淨前或1回之洗淨後，在銀粒子表面上為殘留有至少能抑制銀粒子凝聚之量之水溶性高分子狀態下來進行。
  8. 如申請專利範圍第7項之銀粉之製造方法，其中，上述洗淨為使用0.01~1.00mol/l的氫氧化鈉水溶液來進行。
  9. 如申請專利範圍第6項之銀粉之製造方法，其中，上述水溶性高分子係由聚乙二醇、聚乙烯醇、聚環氧乙烷及聚乙烯吡咯啶酮中所選出之至少1種。
  10. 如申請專利範圍第6項之銀粉之製造方法，其中，將上述水溶性高分子事先添加於上述還原劑溶液。
  11. 如申請專利範圍第6項之銀粉之製造方法，其中，上述還原劑溶液係含有由抗壞血酸、肼及福馬林中所選 出之至少1種之溶液。
TW101121005A 2011-06-08 2012-06-08 Silver powder and its manufacturing method TWI574761B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011128015 2011-06-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201311377A TW201311377A (zh) 2013-03-16
TWI574761B true TWI574761B (zh) 2017-03-21

Family

ID=47296181

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101121005A TWI574761B (zh) 2011-06-08 2012-06-08 Silver powder and its manufacturing method

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP5288063B2 (zh)
KR (1) KR101885391B1 (zh)
CN (1) CN103079728B (zh)
MY (1) MY158931A (zh)
TW (1) TWI574761B (zh)
WO (1) WO2012169628A1 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5500237B1 (ja) * 2012-12-05 2014-05-21 住友金属鉱山株式会社 銀粉
JP5505535B1 (ja) * 2012-12-07 2014-05-28 住友金属鉱山株式会社 銀粉
JP6115405B2 (ja) * 2013-08-28 2017-04-19 住友金属鉱山株式会社 銀粉の製造方法
JP6115406B2 (ja) * 2013-08-28 2017-04-19 住友金属鉱山株式会社 銀粉の製造方法
JP6404553B2 (ja) * 2013-10-03 2018-10-10 住友金属鉱山株式会社 銀溶液の管理方法および銀粉の製造方法
JP6404554B2 (ja) * 2013-10-03 2018-10-10 住友金属鉱山株式会社 銀粉の製造方法
JP6206248B2 (ja) * 2014-02-26 2017-10-04 住友金属鉱山株式会社 導電性ペーストに含まれる導電性粉末の粗大粒子の評価方法
JP6252275B2 (ja) * 2014-03-20 2017-12-27 住友金属鉱山株式会社 銀粉及びその製造方法
JP6282616B2 (ja) * 2014-07-30 2018-02-21 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀粉およびその製造方法
CN107206489B (zh) * 2015-01-30 2019-06-18 住友电气工业株式会社 金属粉末、油墨、烧结体、印刷线路板用基材以及金属粉末的制造方法
JP6727922B2 (ja) * 2016-05-20 2020-07-22 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀粉およびその製造方法、ならびに導電性ペースト
KR20220038387A (ko) * 2019-08-26 2022-03-28 교세라 가부시키가이샤 은 입자의 제조 방법, 열경화성 수지 조성물, 반도체 장치 및 전기·전자부품
CN112430443B (zh) * 2019-08-26 2022-12-23 京瓷株式会社 导热性粘合用片、导热性粘合用片制造方法和半导体装置
JPWO2021210557A1 (zh) * 2020-04-14 2021-10-21
CN113192690B (zh) * 2021-04-07 2023-05-09 湖南中伟新银材料科技有限公司 一种uv固化导电银浆的制备方法
CN113192689B (zh) * 2021-04-07 2023-05-09 湖南中伟新银材料科技有限公司 一种银粉分散体的制备方法和应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008231531A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Furukawa Electric Co Ltd:The 微粒子分散液、及び微粒子分散液の製造方法
JP2010236007A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Mitsubishi Materials Corp 球状銀粒子及び該銀粒子の製造方法並びに製造装置
JP2010537057A (ja) * 2007-08-31 2010-12-02 メタラー テクノロジーズ インターナショナル ソスィエテ アノニム 銀ナノ粒子の製造方法
JP2011001581A (ja) * 2009-06-17 2011-01-06 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 銀粉及びその製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09256008A (ja) * 1996-03-15 1997-09-30 Noritake Co Ltd 単分散性銀−パラジウム複合粉末の製造方法及びその粉末
JP3751154B2 (ja) 1998-10-22 2006-03-01 同和鉱業株式会社 銀粉の製造方法
JP2004043892A (ja) * 2002-07-11 2004-02-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 貴金属微粒子とその製造方法
JP3991218B2 (ja) 2002-12-20 2007-10-17 信越化学工業株式会社 導電性接着剤及びその製造方法
WO2008013199A1 (en) * 2006-07-28 2008-01-31 The Furukawa Electric Co., Ltd. Fine particle dispersion and method for producing fine particle dispersion
CN101599310A (zh) * 2009-07-02 2009-12-09 张祥成 亲水性纳米微米级微相半分离导电Ag/AgCl参比电极浆料及其制备方法
JP5297344B2 (ja) * 2009-11-04 2013-09-25 京都エレックス株式会社 加熱硬化型導電性ペースト組成物

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008231531A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Furukawa Electric Co Ltd:The 微粒子分散液、及び微粒子分散液の製造方法
JP2010537057A (ja) * 2007-08-31 2010-12-02 メタラー テクノロジーズ インターナショナル ソスィエテ アノニム 銀ナノ粒子の製造方法
JP2010236007A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Mitsubishi Materials Corp 球状銀粒子及び該銀粒子の製造方法並びに製造装置
JP2011001581A (ja) * 2009-06-17 2011-01-06 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 銀粉及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
MY158931A (en) 2016-11-30
TW201311377A (zh) 2013-03-16
KR20140030091A (ko) 2014-03-11
JP5288063B2 (ja) 2013-09-11
JPWO2012169628A1 (ja) 2015-02-23
CN103079728B (zh) 2015-06-24
CN103079728A (zh) 2013-05-01
KR101885391B1 (ko) 2018-08-03
WO2012169628A1 (ja) 2012-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI574761B (zh) Silver powder and its manufacturing method
JP5310967B1 (ja) 銀粉の製造方法
JP5842548B2 (ja) 銀粉の製造方法
TWI579073B (zh) Silver powder and its manufacturing method
JP5505535B1 (ja) 銀粉
TWI525641B (zh) Silver powder and its manufacturing method
JP5510531B1 (ja) 銀粉及び銀ペースト
JP6252275B2 (ja) 銀粉及びその製造方法
JP5790433B2 (ja) 銀粉及びその製造方法
JP6065955B2 (ja) 銀粉及び銀ペースト
JP5895552B2 (ja) 銀粉及びその製造方法
JP5500237B1 (ja) 銀粉

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees