TWI569350B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種對基板進行處理之技術。
習知，於半導體基板(以下，簡稱為「基板」)之製造步驟中，使用基板處理裝置對基板實施各種處理。例如藉由對在表面上形成有抗蝕劑圖案之基板上供給藥液，而對基板之表面進行蝕刻等處理。又，於蝕刻處理結束後，亦進行對基板上供給去除液而去除抗蝕劑或對基板上供給清洗液而清洗基板之處理。
於此種利用處理液之基板處理中，於在如大氣中般存在氧氣之環境下進行之情形時，有該氧氣對基板造成不良影響之情形。例如由於氧氣溶入用於處理之藥液中，且該藥液與基板之表面接觸，故而有對基板之表面產生不良影響之情況。尤其是於在基板之表面形成有金屬膜之情形時，例如若氧氣溶入作為去除液之處理液，而處理液之氧氣濃度變高，則有因該處理液而造成基板上之金屬膜氧化之情況。由於金屬氧化物被該處理液蝕刻，故而發生金屬膜之膜減少。要求儘可能防止此種不良影響(金屬膜之氧化)。因此，於日本專利特開2010-56218號公報之基板處理裝置中，設置有與被基板保持機構保持之基板對向之阻斷構件。阻斷構件具備：基板對向面，其與基板對向；以及周壁部，其自基板對向面之周圍朝向 基板保持機構突出。於日本專利特開2010-56218號公報之基板處理裝置中，藉由設置阻斷構件，而實現將基板表面之氛圍與阻斷構件之外部之氛圍隔絕，從而抑制基板表面之氛圍之氧氣濃度之上升。又，於日本專利特開2011-216607號公報及美國專利申請公開第2012/0103522號說明書中，揭露有一種具有密閉腔室之基板處理裝置。於具有密閉腔室之基板處理裝置中，可容易地降低基板周圍之氛圍之氧氣濃度。於日本專利特開2011-216607號公報及美國專利申請公開第2012/0103522號說明書之基板處理裝置中，進而於密閉腔室之內部空間設置有對基板供給處理液之噴嘴。
於日本專利特開2003-45838號公報中，揭示有一種 基板處理裝置，其具備：旋轉夾盤，其使晶圓旋轉；阻斷板，其設置於旋轉夾盤之上方；處理護罩，其收容旋轉夾盤；以及處理液噴嘴，其對晶圓供給處理液。於處理護罩之上方，設置有防止來自晶圓之處理液向外部飛散之防濺板(splash guard)。於日本專利特開2003-45838號公報之基板處理裝置中，向進行旋轉之阻斷板之上表面吐出清洗液，藉此，清洗液自阻斷板之周緣甩落並飛散，附著於防濺板之處理液被清洗液沖洗。
且說，於日本專利特開2010-56218號公報及日本專 利特開2003-45838號公報之基板處理裝置中，由於阻斷構件之內部與外部未完全隔離，故而基板表面之氛圍(基板上之氛圍)之氧氣濃度之降低存在極限。又，使阻斷構件之內部之氧氣濃度迅速降低亦存在極限。因此，考慮藉由將基板配置腔室(處理室)內，且對腔室內供給惰性氣體等，而降低基板周圍之氛圍之氧氣濃度。然而，例如於在將基板搬入至腔室本體之內部之後，利用腔室蓋部封閉腔 室本體之上部開口而形成腔室，並對經密閉之腔室內供給惰性氣體等而形成低氧狀態之情形時，於腔室內被供給至基板上之處理液之霧氣(mist)或煙霧(fume)有可能附著於覆蓋基板之上方之腔室蓋部之內表面。又，於基板處理裝置中，於利用處理液對基板進行處理之後，使基板乾燥。因此，較佳為將用以使基板乾燥之空間保持清潔。然而，並不容易將進行處理液之處理之腔室內保持清潔。
又，於在腔室之內部設置有吐出部(噴嘴)之基板處理 裝置中，於吐出部之周圍附著有處理液等液體。於此情形時，若於搬出基板時等該液體之液滴落下至基板上，則基板被污染。亦考慮藉由對腔室之內部供給氣體，而使吐出部乾燥，但由於基板處理用之腔室為大型，故而必須使氣體流量變大，而效率低下。
進而，為了高效率地進行對基板之處理，較佳為於搬入至腔室內之後，使基板周圍迅速且充分地成為低氧狀態。然而，由於基板處理用之腔室為大型，故為了於搬入基板之後，使腔室內迅速地成為充分之低氧狀態，有須使氣體流量變大等之必要。
本發明適用於對基板進行處理之基板處理裝置，其目的在於高效率地使吐出部乾燥。又，其目的亦在於將用以使基板乾燥之空間保持清潔、及抑制處理液之霧氣或煙霧進入至腔室蓋部之內部空間。進而，其目的亦在於在向腔室內搬入後，使基板周圍迅速且高效率地成為低氧狀態。
與本發明之一形態所相關之基板處理裝置係具備有：腔室蓋部，其具有下部開口，且形成有徑向之大小為大於上述下部開口的蓋內部空間；腔室本體，其形成有本體內部空間，並且 具有在上下方向上與上述下部開口產生對向之上部開口，且上述上部開口被上述腔室蓋部加以覆蓋，藉此與上述腔室蓋部一同形成腔室；基板保持部，其在上述腔室內以水平狀態對基板進行保持；吐出部，其配置在上述蓋內部空間，且朝向上述基板之上表面而將處理液加以吐出；吐出部移動機構，其以選擇性之方式將上述吐出部配置在上述下部開口之上方的吐出位置、及在上述蓋內部空間中於上述徑向上遠離上述下部開口的待機位置；氣體供給部，其對上述蓋內部空間供給氣體；排氣部，其將上述蓋內部空間內之氣體加以排出；以及控制部，其藉由對上述吐出部移動機構進行控制，而在自上述吐出部對上述基板供給處理液之時，將上述吐出部配置在上述吐出位置，在自上述吐出部對上述基板非供給處理液之期間中之上述吐出部之乾燥時，將上述吐出部配置在上述待機位置。根據該基板處理裝置，可藉由對蓋內部空間供給之氣體而高效率地使吐出部乾燥。
在一態樣中，該基板處理裝置係更進一步具備有：遮 蔽板，其配置在上述蓋內部空間，且對向於上述基板之上述上表面；以及遮蔽板移動機構，其在上述蓋內部空間中相對於上述腔室蓋部而以相對之方式將上述遮蔽板移動在上述上下方向上；上述控制部係藉由對上述遮蔽板移動機構進行控制，而在自上述吐出部對上述基板供給處理液之時，將上述遮蔽板配置在上述吐出部之上方，在自上述吐出部對上述基板非供給處理液之期間中之上述吐出部之乾燥時，藉由上述遮蔽板將上述下部開口加以封閉。
在另一態樣中，上述腔室蓋部係具備有將上述蓋內部 空間內之液體加以排出之排出口，且在上述吐出部被配置在上述待 機位置之狀態下，進行預噴射(predispense)。
與本發明之另一形態所相關之基板處理裝置係具備 有：腔室蓋部，其具有下部開口，且形成有蓋內部空間；腔室本體，其形成有本體內部空間，並且具有在上下方向上與上述下部開口產生對向之上部開口，且上述上部開口被上述腔室蓋部加以覆蓋，藉此與上述腔室蓋部一同形成腔室；基板保持部，其在上述腔室內以水平狀態對基板進行保持；基板移動機構，其相對於上述腔室而以相對之方式將上述基板與上述基板保持部一同移動在上述上下方向上；處理液供給部，其將處理液供給至被配置在上述本體內部空間時之上述基板的上表面；基板旋轉機構，其使被配置在上述蓋內部空間時之上述基板與上述基板保持部一同以朝向上述上下方向之中心軸為中心進行旋轉；遮蔽板，其配置在上述蓋內部空間，且對向於上述基板之上述上表面；遮蔽板旋轉機構，其以朝向上述上下方向之中心軸為中心而使上述遮蔽板進行旋轉；以及清洗液供給部，其將清洗液供給至上述遮蔽板的上表面；且在上述蓋內部空間中，被供給至產生旋轉之上述遮蔽板之上述上表面的清洗液係藉由離心力而自上述遮蔽板之上述上表面而朝向上述腔室蓋部之內側面產生飛散。根據該基板處理裝置，可將用以使基板乾燥之蓋內部空間保持清潔。
該基板處理裝置亦可更進一步具備有：氣體供給部， 其對上述蓋內部空間供給氣體；以及排氣部，其將上述蓋內部空間內之氣體加以排出。
又，該基板處理裝置亦可更進一步具備有遮蔽板移動 機構，該遮蔽板移動機構係在上述蓋內部空間中相對於上述腔室蓋 部而以相對之方式將上述遮蔽板移動在上述上下方向上。於此情形時，更佳為上述處理液供給部係具備有：吐出部，其配置在上述蓋內部空間，且朝向上述基板之上述上表面而將處理液加以吐出；以及吐出部移動機構，其以選擇性之方式將上述吐出部配置在上述下部開口之上方的吐出位置、及在上述蓋內部空間中於上述徑向上遠離上述下部開口的待機位置；且在自上述吐出部而對上述基板供給處理液之時，上述吐出部係配置在上述吐出位置，且上述遮蔽板係配置在上述吐出部之上方，在自上述吐出部而對上述基板非供給處理液之時，上述吐出部係配置在上述待機位置，在於上述遮蔽板之上述上表面上被供給有清洗液之時，清洗液係自上述遮蔽板之上述上表面而朝向位在上述待機位置之上述吐出部產生飛散。
與本發明之又一形態所相關之基板處理裝置係具備 有：腔室蓋部，其具有下部開口，且形成有徑向之大小為大於上述下部開口的蓋內部空間；腔室本體，其形成有本體內部空間，並且與上述腔室蓋部一同形成腔室；基板保持部，其在上述本體內部空間以水平狀態對基板進行保持；處理液供給部，其將處理液供給至上述基板之上表面；遮蔽板，其配置在上述蓋內部空間，且對向於上述基板之上述上表面，且可將上述下部開口加以封閉；遮蔽板旋轉機構，其以朝向上述上下方向之中心軸為中心而使上述遮蔽板進行旋轉；以及膜形成液供給部，其將膜形成液供給至上述遮蔽板之上表面；且上述腔室蓋部係具備有：蓋本體部，其呈將上下加以反轉之杯狀；以及環狀之蓋底面部，其自上述蓋本體部之下端部而朝向徑向內側進行擴展，並且在中央部設置有上述下部開口；在上述腔室內，在上述遮蔽板自上述腔室蓋部之上述下部開口而遠離至上 方之狀態下，被供給至產生旋轉之上述遮蔽板之上述上表面的膜形成液係藉由離心力而自上述遮蔽板之上述上表面而流動朝向上述蓋底面部之上表面，藉此在上述遮蔽板與上述蓋底面部之間，形成有環狀之液膜。根據該基板處理裝置，可抑制處理液之霧氣或煙霧進入至腔室蓋部之內部空間。
在一態樣中，該基板處理裝置係更進一步具備有氣體 供給部，該氣體供給部係自被設置在上述遮蔽板之下表面之中央部的氣體吐出口而將氣體供給至上述遮蔽板之上述下表面與上述基板之上述上表面之間的空間。
在另一態樣中，上述處理液供給部係具備有：吐出 頭，其吐出處理液；以及頭支持部，其為延伸於水平方向的構件，且在自由端部上固定有上述吐出頭，固定端部為在上述蓋內部空間中被安裝在上述腔室蓋部之上述蓋本體部；且上述基板處理裝置係更進一步具備有頭旋轉機構，該頭旋轉機構係以上述固定端部為中心而使上述吐出頭與上述頭支持部一同進行旋轉，在於上述基板上被供給有處理液之時，藉由上述頭旋轉機構而使上述吐出頭及上述頭支持部產生旋轉，藉此，將上述吐出頭配置在上述遮蔽板與上述下部開口之間，自上述吐出頭而經由上述下部開口將處理液吐出至上述基板之上述上表面。
與本發明之又一形態所相關之基板處理裝置係具備 有：腔室蓋部，其具有下部開口及側部開口，且形成有蓋內部空間；腔室本體，其形成有本體內部空間，並且具有在上下方向上與上述下部開口產生對向之上部開口，且與將上述上部開口加以覆蓋之上述腔室蓋部一同形成腔室；基板保持部，其在上述腔室內以水平狀 態對基板進行保持；側部開口開閉機構，其在朝向上述腔室內進行搬入及向上述腔室外進行搬出上述基板之時，對上述基板所通過之上述側部開口進行開閉；基板移動機構，其相對於上述腔室而以相對之方式將上述基板與上述基板保持部一同移動在上述上下方向上；處理液供給部，其將處理液供給至被配置在上述本體內部空間時之上述基板的上表面；基板旋轉機構，其使被配置在上述蓋內部空間時之上述基板與上述基板保持部一同以朝向上述上下方向之中心軸為中心進行旋轉，藉此使上述基板產生乾燥；以及氣體供給部，其對上述蓋內部空間供給氣體。根據該基板處理裝置，剛向腔室內搬入後，配置有基板之蓋內部空間為進行使用氣體之乾燥處理之空間，因此，可於向腔室內搬入後，迅速且高效率地供給氣體而使基板之周圍成為低氧狀態。
該基板處理裝置亦可更進一步具備有：遮蔽板，其配 置在上述蓋內部空間，且對向於上述基板之上述上表面；遮蔽板移動機構，其以選擇性之方式將上述遮蔽板配置在接近至被配置在上述蓋內部空間之上述基板之上述上表面的接近位置、及遠離自上述基板之上述上表面的遠離位置。
於此情形時，較佳為上述蓋內部空間之徑向之大小係 大於上述下部開口，在於上述腔室內未配置有基板之期間，上述遮蔽板係將上述下部開口加以封閉。又，上述氣體供給部亦可經由被設置在上述遮蔽板之下表面之中央部的氣體吐出口而將氣體供給至上述遮蔽板之上述下表面與上述基板之上述上表面之間的空間。
本發明亦適用於在基板處理裝置中對基板進行處理之基板處理方法。在與本發明之一形態所相關之基板處理方法中， 上述基板處理裝置係具備有：腔室蓋部，其具有下部開口，且形成有蓋內部空間；腔室本體，其形成有本體內部空間，並且具有在上下方向上與上述下部開口產生對向之上部開口，且上述上部開口被上述腔室蓋部加以覆蓋，藉此與上述腔室蓋部一同形成腔室；基板保持部，其在上述腔室內以水平狀態對基板進行保持；基板移動機構，其相對於上述腔室而以相對之方式將上述基板與上述基板保持部一同移動在上述上下方向上；處理液供給部，其將處理液供給至被配置在上述本體內部空間時之上述基板的上表面；基板旋轉機構，其使被配置在上述蓋內部空間時之上述基板與上述基板保持部一同而以朝上述上下方向之中心軸為中心進行旋轉；以及遮蔽板，其配置在上述蓋內部空間，且對向於上述基板之上述上表面；且上述基板處理方法係具備有以下之步驟：a)以朝向上述上下方向之中心軸為中心而使上述遮蔽板進行旋轉；以及b)與上述a)步驟產生並行，將清洗液供給至上述遮蔽板之上表面；且在上述b)步驟中，上述清洗液係藉由離心力而自上述遮蔽板之上述上表面而朝向上述腔室蓋部之內側面產生飛散。根據該基板處理方法，可將用以使基板乾燥之蓋內部空間保持清潔。
在與本發明之另一形態所相關之基板處理方法中，基 板處理裝置係具備有：腔室蓋部，其具有下部開口，且形成有徑向之大小為大於上述下部開口的蓋內部空間；腔室本體，其形成有本體內部空間，並且與上述腔室蓋部一同形成腔室；遮蔽板，其配置在上述蓋內部空間，且對向於上述基板之上表面，且可將上述下部開口加以封閉；以及遮蔽板旋轉機構，其以朝向上述上下方向之中心軸為中心而使上述遮蔽板進行旋轉；且上述腔室蓋部係具備有： 蓋本體部，其以上述中心軸為中心；以及環狀之蓋底面部，其自上述蓋本體部之下端部而朝向徑向內側進行擴展，並且在中央部設置有上述下部開口；該基板處理方法係具備有以下之步驟：a)在上述腔室內，將膜形成液供給至在自上述腔室蓋部之上述下部開口而遠離至上方之狀態下而產生旋轉之上述遮蔽板的上述上表面，藉由利用離心力而自上述遮蔽板之上述上表面流動朝向上述蓋底面部之上表面的上述膜形成液，而在上述遮蔽板與上述蓋底面部之間，形成有環狀之液膜；以及b)在形成有上述液膜之狀態下，將處理液供給至上述基板之上表面。根據該基板處理方法，可抑制處理液之霧氣或煙霧進入至腔室蓋部之內部空間。
上述目的及其他目的、特徵、樣態及優點可參照隨附圖式，由以下進行之本發明之詳細說明而明確。
1、1a、1b‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧基板
10‧‧‧控制部
11‧‧‧殼體
12‧‧‧外側開口開閉機構
18‧‧‧氣液供給部
19‧‧‧氣液排出部
21、21a‧‧‧腔室
22‧‧‧腔室本體
23‧‧‧腔室蓋部
31‧‧‧基板保持部
35‧‧‧基板旋轉機構
39‧‧‧側部開口開閉機構
41‧‧‧第1移動機構
42‧‧‧第2移動機構
43‧‧‧第3移動機構
51‧‧‧遮蔽板
55‧‧‧遮蔽板旋轉機構
91‧‧‧(基板之)上表面
92‧‧‧下表面
95‧‧‧液膜
111、552‧‧‧伸縮構件
112‧‧‧外側開口
121、391‧‧‧擋板
180‧‧‧下部噴嘴
181‧‧‧上部中央噴嘴
182‧‧‧外側蓋噴嘴
186‧‧‧掃描噴嘴
189‧‧‧內側蓋噴嘴
193‧‧‧氣液分離部
194‧‧‧本體排氣部
195、195a、195b‧‧‧藥液回收部
196、199‧‧‧排液部
197‧‧‧氣液分離部
198‧‧‧蓋排氣部
221‧‧‧本體內部空間
222‧‧‧上部開口
223‧‧‧外筒部
224‧‧‧外筒連接部
225‧‧‧護罩部
226‧‧‧本體底部
226a‧‧‧本體排出口
227a‧‧‧護罩側壁部
227b‧‧‧護罩頂蓋部
230‧‧‧筒狀部
231‧‧‧蓋內部空間
232‧‧‧下部開口
233‧‧‧蓋本體部
234‧‧‧蓋底面部
235‧‧‧(蓋底面部之)上表面
236‧‧‧下表面
237‧‧‧蓋部排出口
238‧‧‧頂蓋部
239‧‧‧側部開口
511‧‧‧(遮蔽板之)上表面
512‧‧‧(遮蔽板之)下表面
551‧‧‧旋轉軸
553‧‧‧凸緣部
810‧‧‧清洗液供給部
810a‧‧‧膜形成液供給部
811‧‧‧處理液供給部
812‧‧‧氣體供給部
813‧‧‧藥液供給部
814‧‧‧純水供給部
816‧‧‧惰性氣體供給部
861‧‧‧吐出頭
862‧‧‧頭支持部
863‧‧‧頭旋轉機構
A1‧‧‧箭頭
J1‧‧‧中心軸
S111~S122、S131~S135、S211~S223、S311~S319‧‧‧步驟
圖1係表示第1實施形態之基板處理裝置之構成之剖面圖。
圖2係表示基板處理裝置之剖面圖。
圖3係表示基板處理裝置之剖面圖。
圖4係表示腔室蓋部內之掃描噴嘴之圖。
圖5係表示氣液供給部及氣液排出部之方塊圖。
圖6係表示基板之處理流程之圖。
圖7係表示基板處理裝置之剖面圖。
圖8係表示對腔室蓋部之內部進行清洗之處理之流程之圖。
圖9係用以說明對腔室蓋部之內部進行清洗之動作之圖。
圖10係表示基板處理裝置之另一例之剖面圖。
圖11係表示第2實施形態之氣液供給部及氣液排出部之方塊圖。
圖12係表示基板之處理流程之圖。
圖13係表示基板處理裝置之剖面圖。
圖14係表示基板處理裝置之剖面圖。
圖15係表示基板處理裝置之另一例之剖面圖。
圖16係表示第3實施形態之基板處理裝置之構成之剖面圖。
圖17係表示基板處理裝置之剖面圖。
圖18係表示氣液供給部及氣液排出部之方塊圖。
圖19係表示基板之處理流程之圖。
圖20係表示基板處理裝置之剖面圖。
圖21係表示基板處理裝置之剖面圖。
圖1係表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置1之構成的剖面圖。基板處理裝置1係對大致圓板狀之半導體基板9(以下，簡稱為「基板9」)供給處理液並將基板9逐片進行處理之單片式之裝置。於圖1中，於基板處理裝置1之一部分之構成之剖面，省略平行斜線之標註(於其他剖面圖中亦相同)。
基板處理裝置1具備腔室21、基板保持部31、基板旋轉機構35、第1移動機構41、第2移動機構42、第3移動機構43、遮蔽板51、遮蔽板旋轉機構55、及殼體11。殼體11收容腔室21、基板保持部31、及遮蔽板51等。
腔室21係以朝上下方向之中心軸J1為中心之有蓋且有底之大致圓筒狀。腔室21具備腔室本體22、及腔室蓋部23。腔 室本體22與腔室蓋部23於上下方向對向。於圖1所示之狀態下，腔室本體22與腔室蓋部23於上下方向隔開。腔室本體22係以中心軸J1為中心之有底大致圓筒狀，且形成本體內部空間221。腔室蓋部23係以中心軸J1為中心之有蓋大致圓筒狀，且形成蓋內部空間231。腔室本體22之外徑與腔室蓋部23之外徑大致相等。
腔室本體22具有大致圓形之上部開口222。腔室蓋 部23具有大致圓形之下部開口232。腔室本體22之上部開口222與腔室蓋部23之下部開口232於上下方向對向。腔室本體22之上部開口222之直徑與腔室蓋部23之下部開口232之直徑大致相等。 又，以中心軸J1為中心之徑向上之腔室蓋部23之蓋內部空間231之大小較下部開口232之徑向之大小(即直徑)大。關於腔室本體22及腔室蓋部23之構造之詳細情況係於下文敍述。
基板保持部31係以中心軸J1為中心之大致圓板狀。 基板保持部31配置於基板9之下方，將基板9之外緣部以水平狀態保持。於圖1所示之狀態下，基板保持部31於上下方向位於腔室本體22與腔室蓋部23之間。基板保持部31之直徑大於基板9之直徑。基板保持部31之直徑小於腔室本體22之上部開口222之直徑、及腔室蓋部23之下部開口232之直徑。腔室本體22之上部開口222及腔室蓋部23之下部開口232與基板9及基板保持部31於上下方向對向。基板旋轉機構35配置於基板保持部31之下方。 基板旋轉機構35係以中心軸J1為中心使基板9與基板保持部31一同進行旋轉。
遮蔽板51係以中心軸J1為中心之大致圓板狀。遮蔽 板51係配置於腔室蓋部23之內部空間即蓋內部空間231。遮蔽板 51之徑向之大小(即直徑)較理想為大於腔室蓋部23之下部開口232之直徑。遮蔽板51可將腔室蓋部23之下部開口232封閉。遮蔽板51經由下部開口232而於上下方向與保持於基板保持部31之基板9之上表面91對向。
遮蔽板旋轉機構55係配置於遮蔽板51之上方。遮蔽 板旋轉機構55例如為中空軸馬達。藉由遮蔽板旋轉機構55，遮蔽板51於腔室蓋部23之蓋內部空間231以中心軸J1為中心進行旋轉。利用遮蔽板旋轉機構55之遮蔽板51之旋轉與利用基板旋轉機構35之基板9之旋轉係獨立地進行。
遮蔽板旋轉機構55之旋轉軸551係經由設置於殼體 11之上部之貫通孔、及設置於腔室蓋部23之上部之貫通孔而連接於遮蔽板51。殼體11之該貫通孔之周圍之部位與腔室蓋部23之該貫通孔之周圍之部位係藉由可於上下方向伸縮之大致圓筒狀之伸縮構件111(例如伸縮管)而連接。又，於旋轉軸551設置有大致圓板狀之凸緣部553，凸緣部553之外周部與殼體11之上述貫通孔之周圍之部位係藉由可於上下方向伸縮之大致圓筒狀之伸縮構件552(例如伸縮管)而連接。於基板處理裝置1中，藉由凸緣部553及伸縮構件552而將殼體11內之空間與殼體11外之空間隔離。又，藉由伸縮構件111而將腔室蓋部23內之空間與殼體11內且腔室蓋部23外之空間隔離。
第1移動機構41例如配置於殼體11之上側。第1移 動機構41係使遮蔽板51與遮蔽板旋轉機構55一同於上下方向移動。遮蔽板51係藉由第1移動機構41而於腔室蓋部23之蓋內部空間231於上下方向移動。如上所述，遮蔽板51較腔室蓋部23之 下部開口232大，故遮蔽板51不會經由下部開口232而朝腔室蓋部23之外部(下述蓋底面部234之下方)移動。第1移動機構41例如具備馬達及滾珠螺桿(於第2移動機構42及第3移動機構43中亦相同)。
腔室蓋部23具備蓋本體部233及蓋底面部234。蓋 本體部233係以中心軸J1為中心之有蓋大致圓筒狀。換言之，蓋本體部233為將上下反轉之杯狀。如上所述，蓋本體部233之中央部之貫通孔、即、腔室蓋部23之上部之貫通孔由伸縮構件111、552、殼體11之上部之一部分、及凸緣部553封閉。將該貫通孔封閉之該等構件可理解為蓋本體部233之一部分。又，由伸縮構件111、552所形成之筒狀之空間為蓋內部空間231之一部分。
蓋底面部234係以中心軸J1為中心之大致圓環板 狀，且於中央部設置有上述下部開口232。蓋底面部234係自蓋本體部233之下端部朝向徑向內側擴展。蓋底面部234之上表面235及下表面236為隨著朝向徑向外側而朝向下方之傾斜面。於腔室蓋部23之蓋底面部234與蓋本體部233之連接部，設置有蓋部排出口237。經由蓋部排出口237而將蓋內部空間231內之液體及氣體排出。
於圖1所示之狀態下，與腔室蓋部23之下部開口232 重疊之遮蔽板51之下表面512係遍及下部開口232之周圍之全周與蓋底面部234之上表面235接觸。具體而言，遮蔽板51之下表面512之外周部係遍及全周與蓋底面部234之上表面235中之下部開口232附近之部位接觸。藉此，腔室蓋部23之下部開口232被遮蔽板51封閉，下部開口232之上方之蓋內部空間231成為封閉 空間。再者，於本實施形態中，遮蔽板51與蓋底面部234之接觸部並非完全之氣密構造，故而蓋內部空間231未被自外部之空間完全地阻斷，但亦可使該接觸部為具備密封構件等之氣密構造，使蓋內部空間231為與外部之空間隔離之密閉空間。
第2移動機構42配置於腔室本體22之側方，使腔室 蓋部23於上下方向移動。具體而言，腔室蓋部23係藉由第2移動機構42而於圖1所示之「上位置」與圖2所示之「下位置」之間移動。於腔室蓋部23配置於上位置之狀態下，下部開口232位於較基板保持部31上之基板9更為上方，於腔室蓋部23配置於下位置之狀態下，下部開口232位於較基板保持部31上之基板9更為下方。於腔室蓋部23自上位置朝向較上位置更為下方之下位置移動時，遮蔽板51亦藉由第1移動機構41而於上下方向移動。實際上，遮蔽板51相對於腔室蓋部23之上下方向之相對位置變更。如此，第1移動機構41及第2移動機構42為使遮蔽板51於腔室蓋部23之蓋內部空間231相對於腔室蓋部23相對地於上下方向移動之遮蔽板移動機構。
如圖1所示，腔室本體22具備外筒部223、外筒連 接部224、護罩部225及本體底部226。護罩部225係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。護罩部225係於腔室蓋部23之下方遍及全周而位於基板旋轉機構35之徑向外側。護罩部225具備以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之護罩側壁部227a、及自護罩側壁部227a之上端朝向徑向內側擴展之大致圓環板狀之護罩頂蓋部227b。
外筒部223係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。外 筒部223遍及全周而位於護罩部225之徑向外側。外筒部223係例 如分別為周狀之數條山褶線與分別為周狀之數條谷褶線於上下方向交替地排列之伸縮管。於外筒部223、護罩部225及基板保持部31之下方，配置有有底大致圓筒狀之本體底部226。外筒部223之下端部遍及全周連接於本體底部226之側壁部之上端部。於本體底部226之底面部，設置有本體排出口226a。本體排出口226a係於腔室本體22之內部空間即本體內部空間221中，配置於基板9、基板保持部31及護罩部225之下方。經由本體排出口226a而將腔室本體22內之液體及氣體朝向腔室本體22外(即腔室21外)排出。於本體底部226中，亦可設置有沿周向排列之數個本體排出口226a。
外筒連接部224係以中心軸J1為中心之大致圓環板 狀。外筒連接部224係將外筒部223之上端部與護罩部225之外緣部連接。具體而言，外筒連接部224係將外筒部223之上端部與護罩頂蓋部227b之外緣部連接。藉由外筒連接部224，而將外筒部223之上端部與護罩部225之間之間隙封閉。
第3移動機構43配置於腔室本體22之側方，使腔室 本體22之一部分於上下方向移動。具體而言，藉由第3移動機構43，腔室本體22之護罩部225於圖1及圖2所示之「下位置」與圖3所示之「上位置」之間移動。於護罩部225配置於下位置之狀態下，上部開口222位於較基板保持部31上之基板9更為下方，於護罩部225配置於上位置之狀態下，上部開口222位於較基板保持部31上之基板9更為上方。於護罩部225在上下方向移動時，外筒部223於上下方向伸縮。再者，於基板處理裝置1中，腔室本體22之本體底部226及基板保持部31於上下方向不移動。
如圖2所示，於腔室蓋部23位於下位置，且腔室本 體22之護罩部225亦位於下位置之狀態下，一面使腔室蓋部23之下部開口232與腔室本體22之上部開口222對向，一面利用腔室蓋部23覆蓋該上部開口222。藉此，利用腔室蓋部23及腔室本體22而形成於內部具有密閉空間(即，包含蓋內部空間231及本體內部空間221之空間，以下稱為「腔室空間」)之腔室21。詳細而言，腔室蓋部23之蓋本體部233與蓋底面部234之連接部經由外筒連接部224而遍及全周與腔室本體22之外筒部223接觸，藉此形成腔室21。
又，如圖3所示，於腔室本體22之護罩部225位於 上位置，且腔室蓋部23亦位於上位置之狀態下，亦同樣地，腔室蓋部23之下部開口232接近於腔室本體22之上部開口222，腔室蓋部23覆蓋上部開口222。藉此，腔室本體22與腔室蓋部23一同形成腔室21。如圖2及圖3所示，於腔室21之內部(即腔室空間)，收容有基板9及基板保持部31。另一方面，如圖1所示，於腔室蓋部23位於上位置，腔室本體22之護罩部225位於下位置之狀態下，腔室蓋部23之下部開口232自上部開口222朝上方遠離。因此，於基板保持部31上之基板9之周圍，於腔室蓋部23之蓋底面部234與護罩部225之護罩頂蓋部227b之間形成有環狀之間隙，而腔室21打開(即，上部開口222實質上打開)。如上所述，第2移動機構42及第3移動機構43為藉由如下方式而形成腔室21之腔室開閉機構，即：使腔室蓋部23相對於腔室本體22於上下方向相對地移動，藉由腔室蓋部23而覆蓋腔室本體22之上部開口222。
圖4係表示腔室蓋部23之內部之圖，且表示與中心 軸J1垂直之腔室蓋部23之剖面。於圖4中，以兩點鏈線表示遮蔽 板51。如圖3及圖4所示，於腔室蓋部23，安裝有作為吐出部之掃描噴嘴186。掃描噴嘴186配置於蓋內部空間231，且向基板9之上表面91吐出處理液。掃描噴嘴186具備吐出頭861及頭支持部862。吐出頭861向下方吐出處理液。頭支持部862為支持吐出頭861之沿大致水平方向延伸之構件。頭支持部862係以於俯視下(參照圖4)朝徑向外側成為凸狀之方式彎曲。換言之，掃描噴嘴186為大致圓弧狀，於蓋內部空間231中，掃描噴嘴186係以頭支持部862沿著蓋本體部233之側壁部之方式配置。頭支持部862之一端部(即固定端部)係於蓋內部空間231中安裝於腔室蓋部23之蓋本體部233之頂蓋部238(參照圖3)。於頭支持部862之另一端部(即自由端部)固定有吐出頭861。
於腔室蓋部23之頂蓋部238之上表面，設置有頭旋 轉機構863。頭旋轉機構863係以頭支持部862之固定端部為中心，使吐出頭861與頭支持部862一同大致水平地旋轉。藉由頭旋轉機構863，而將吐出頭861選擇性地配置於下部開口232之上方之吐出位置(參照圖4中之兩點鏈線所示之掃描噴嘴186)、及於蓋內部空間231中沿徑向遠離下部開口232之待機位置(參照圖4中之實線所示之掃描噴嘴186)。換言之，頭旋轉機構863可將掃描噴嘴186配置於吐出頭861與基板9之上表面91對向之吐出位置、及掃描噴嘴186整體位於蓋底面部234之上方之待機位置(亦為護罩頂蓋部227b之上方之位置)。如此，頭旋轉機構863係使作為吐出部之掃描噴嘴186於蓋內部空間231中移動之吐出部移動機構。配置於待機位置之掃描噴嘴186不與於上下方向移動之遮蔽板51接觸。再者，吐出部移動機構亦可包含使吐出頭861及頭支持部862 於上下方向移動之頭升降機構。
如圖1所示，於遮蔽板旋轉機構55之旋轉軸551內， 設置有上部中央噴嘴181。於上部中央噴嘴181之下端之中央部，設置有向基板9之上表面91吐出處理液之處理液吐出口。自下述純水供給部814(參照圖5)送出之純水係自處理液吐出口吐出。又，於上部中央噴嘴181之下端，於處理液吐出口之周圍，設置有大致環狀之氣體吐出口。自下述惰性氣體供給部816送出之惰性氣體係自氣體吐出口向遮蔽板51之下方之空間(即，遮蔽板51之下表面512與基板9之上表面91之間之空間)供給。上部中央噴嘴181之下端係於上下方向配置於與遮蔽板51之下表面512大致相同之位置。即，上部中央噴嘴181之處理液吐出口及氣體吐出口設置於遮蔽板51之下表面512之中央部。
於基板保持部31之中央，安裝有下部噴嘴180。下 部噴嘴180隔著基板9而與上部中央噴嘴181對向。下部噴嘴180之上端部與基板9之下表面92略微隔開。於腔室蓋部23之蓋本體部233之頂蓋部238，設置有數個外側蓋噴嘴182及數個內側蓋噴嘴189。數個外側蓋噴嘴182及數個內側蓋噴嘴189位於遮蔽板51之上方，且於上下方向與遮蔽板51之上表面511對向。數個外側蓋噴嘴182係以中心軸J1為中心呈周狀配置。數個內側蓋噴嘴189配置於較數個外側蓋噴嘴182更靠徑向內側(中心軸J1側)。
圖5係表示基板處理裝置1所具備之氣液供給部18 及氣液排出部19之方塊圖。氣液供給部18具備：處理液供給部811、氣體供給部812、及清洗液供給部810。處理液供給部811具備掃描噴嘴186、上部中央噴嘴181、下部噴嘴180、藥液供給部 813、及純水供給部814。藥液供給部813經由閥而連接於掃描噴嘴186。純水供給部814經由閥而連接於上部中央噴嘴181。又，純水供給部814亦經由閥而連接於下部噴嘴180。
氣體供給部812具備上部中央噴嘴181、數個外側蓋 噴嘴182、及惰性氣體供給部816。惰性氣體供給部816經由閥而連接於上部中央噴嘴181。又，惰性氣體供給部816亦經由閥而連接於數個外側蓋噴嘴182。清洗液供給部810具備數個內側蓋噴嘴189、下部噴嘴180、及純水供給部814。如上所述，純水供給部814連接於下部噴嘴180。純水供給部814亦經由閥而連接於數個內側蓋噴嘴189。
於氣液供給部18中，上部中央噴嘴181由處理液供 給部811及氣體供給部812所共有，下部噴嘴180由處理液供給部811及清洗液供給部810所共有。又，純水供給部814由處理液供給部811及清洗液供給部810所共有。處理液供給部811、氣體供給部812及清洗液供給部810可由相互獨立之構成要素構成。又，設置於腔室21之噴嘴之配置可適當變更。
氣液排出部19具備本體排出口226a、蓋部排出口 237、氣液分離部193、本體排氣部194、藥液回收部195a、排液部196、氣液分離部197、蓋排氣部198、藥液回收部195b、及排液部199。設置於腔室本體22之本體排出口226a連接於氣液分離部193。氣液分離部193分別經由閥而連接於本體排氣部194、藥液回收部195a及排液部196。設置於腔室蓋部23之蓋部排出口237連接於氣液分離部197。氣液分離部197分別經由閥而連接於蓋排氣部198、藥液回收部195b及排液部199。氣液供給部18及氣液排 出部19之各構成係由控制部10控制。第1移動機構41、第2移動機構42、第3移動機構43、基板旋轉機構35及遮蔽板旋轉機構55(參照圖1)亦由控制部10控制。
自藥液供給部813經由掃描噴嘴186供給至基板9上 之藥液例如為聚合物去除液、或者氫氟酸或氫氧化四甲基銨水溶液等蝕刻液。純水供給部814係經由上部中央噴嘴181及下部噴嘴180而對基板9供給純水(DIW：deionized water，去離子水)。處理液供給部811亦可具備供給除上述藥液及純水以外之處理液(例如異丙醇(IPA)等溶劑、或者其他酸或鹼溶液、去除液等)之其他供給部。 如下所述，自純水供給部814供給至蓋內部空間231之純水亦為對腔室蓋部23之內部進行清洗之清洗液。清洗液供給部810亦可具備供給除純水以外之清洗液之其他供給部。自惰性氣體供給部816供給之氣體例如為氮氣(N2)。氣體供給部812亦可具備供給除氮氣以外之惰性氣體、或除惰性氣體以外之氣體之其他供給部。
其次，一面參照圖6一面對利用基板處理裝置1之基 板9之處理之流程進行說明。於基板處理裝置1中，首先，如圖1所示，腔室蓋部23位於上位置，腔室本體22之護罩部225位於下位置。換言之，腔室21成為打開之狀態。又，由於遮蔽板51與腔室蓋部23之下部開口232重疊，遮蔽板51之下表面512與蓋底面部234之上表面235接觸，故下部開口232被封閉，蓋內部空間231成為封閉空間。進而，於基板處理裝置1中，自氣體供給部812(參照圖5)之數個外側蓋噴嘴182對蓋內部空間231供給氮氣，並且將蓋內部空間231內之氣體自蓋部排出口237向腔室蓋部23之外部排出。因此，可對蓋內部空間231填充氮氣(步驟S111)。於基板處 理裝置1中，原則上始終進行對蓋內部空間231之氮氣供給、及蓋內部空間231內之氣體排出。
於步驟S111中，腔室蓋部23之下部開口232未必一 定藉由遮蔽板51而密閉，只要遮蔽板51與下部開口232重疊，則於遮蔽板51與蓋底面部234之間亦可存在微小之間隙。即便為該狀態，亦可藉由控制自氣體供給部812向蓋內部空間231之氮氣之供給量，使向蓋內部空間231之氮氣之流入量與自該間隙及蓋部排出口237之氣體之流出量大致相等，而對蓋內部空間231填充氮氣。再者，於圖1中，圖示有基板9，但步驟S111亦可於將基板9搬入至基板處理裝置1之前進行。
繼而，於如上所述腔室蓋部23與腔室本體22隔開之 狀態下，藉由外部之搬送機構而將基板9自設置於殼體11之搬入搬出口(省略圖示)搬入至殼體11內。基板9係通過蓋底面部234之下表面236與護罩頂蓋部227b之上表面之間之間隙而朝遮蔽板51之下方移動，且由基板保持部31保持(步驟S112)。於步驟S112中，基板9於較腔室本體22之上部開口222更為上方由基板保持部31保持。
當基板9被基板保持部31保持時，第2移動機構42 驅動，藉此，腔室蓋部23下降，腔室蓋部23自圖1所示之上位置移動至圖2所示之下位置。換言之，腔室蓋部23相對於腔室本體22於上下方向相對地移動。繼而，腔室本體22之上部開口222被腔室蓋部23覆蓋，藉此，腔室21被封閉(步驟S113)。即，形成將基板9及基板保持部31收容於內部之腔室21。此時，藉由第1移動機構41驅動，遮蔽板51相對於腔室蓋部23相對地上升，於腔 室21內，遮蔽板51自腔室蓋部23之下部開口232朝上方遠離。
如上所述，腔室蓋部23自上位置朝下位置移動，藉 此，保持於基板保持部31之基板9通過腔室蓋部23之下部開口232而朝蓋內部空間231移動。換言之，於在步驟S113中已形成腔室21之狀態下，基板9位於腔室空間中之蓋內部空間231。如上所述，於蓋內部空間231填充有氮氣，故而藉由使基板9朝蓋內部空間231移動，可使基板9之周圍迅速地成為氮氣氛圍(即低氧氛圍)。於蓋內部空間231中，基板9之上表面91與遮蔽板51之下表面512於上下方向對向並接近。
於圖2所示之狀態下，自位於較遮蔽板51更為上方 之數個外側蓋噴嘴182對蓋內部空間231供給氮氣，藉此，蓋內部空間231之氣壓變得高於本體內部空間221之氣壓。因此，蓋內部空間231之氮氣自遮蔽板51與腔室蓋部23之蓋底面部234之間之間隙，經由下部開口232及上部開口222而送出(供給)至本體內部空間221。又，本體內部空間221內之氣體自本體排出口226a向腔室21之外部排出。藉此，於自形成腔室21經過特定時間之後，於本體內部空間221亦填充有來自氣體供給部812之氮氣。換言之，藉由氣體供給部812而對腔室21內供給並填充氮氣(步驟S114)。 以下，將步驟S114之處理稱為「氣體置換處理」。
於步驟S114中之氣體置換處理中，除數個外側蓋噴嘴182以外，上部中央噴嘴181亦被用於對腔室21內供給氮氣。即，來自氣體供給部812之氮氣亦被經由上部中央噴嘴181之氣體吐出口而供給至遮蔽板51之下表面512與基板9之上表面91之間之空間。藉此，可將遮蔽板51與基板9之間之空間之氛圍迅速地 置換為氮氣氛圍。
接著，藉由第2移動機構42及第3移動機構43驅動， 腔室蓋部23及腔室本體22之護罩部225上升，腔室蓋部23及護罩部225分別自圖2所示之下位置朝圖7所示之上位置移動。換言之，藉由第2移動機構42及第3移動機構43，基板9與基板保持部31一同相對於腔室21相對地下降。第2移動機構42及第3移動機構43為使基板9與基板保持部31一同相對於腔室21於上下方向相對地移動之基板移動機構。此時，藉由第1移動機構41驅動，遮蔽板51相對於腔室蓋部23之相對位置未變更。即，藉由第1移動機構41，遮蔽板51維持自腔室蓋部23之下部開口232朝上方遠離之狀態。
如上所述，腔室21自下位置朝上位置移動，藉此， 於腔室21內，基板9自蓋內部空間231經由下部開口232及上部開口222而朝本體內部空間221移動(步驟S115)。藉此，護罩部225於腔室蓋部23之下方遍及全周而位於基板9及基板保持部31之徑向外側。
當基板9位於本體內部空間221時，使利用基板旋轉 機構35之基板9之旋轉開始。又，自藥液供給部813(參照圖5)對配置於下部開口232之徑向外側之待機位置之掃描噴嘴186供給特定量之藥液。藉此，自配置於待機位置之狀態下之吐出頭861(參照圖4)進行藥液之吐出、即預噴射(步驟S116)。自吐出頭861吐出之藥液被蓋底面部234之上表面235接收，而被引導至蓋部排出口237。通過蓋部排出口237之藥液流入至圖5所示之氣液分離部197。於藥液回收部195b中，自氣液分離部197回收藥液，且經由 過濾器等而自藥液去除雜質等之後，進行再利用。
當預噴射結束時，藉由圖7所示之頭旋轉機構863而 使掃描噴嘴186旋轉。藉此，如圖3所示，吐出頭861通過遮蔽板51之下表面512與蓋底面部234之上表面235之間，而配置於遮蔽板51與下部開口232之間、即基板9之上方之吐出位置。進而，頭旋轉機構863被控制部10控制，而使基板9之上方之吐出頭861開始往復移動。吐出頭861沿著連結基板9之中心部與外緣部之特定之移動路徑而於水平方向持續地往復移動。繼而，自藥液供給部813對吐出頭861供給藥液，自蓋內部空間231內之吐出頭861經由下部開口232而對本體內部空間221內之基板9之上表面91供給藥液(步驟S117)。
來自吐出頭861之藥液被連續地供給至進行旋轉之 基板9之上表面91。藥液因離心力而於上表面91上朝徑向外側擴散，整個上表面91被藥液被覆。藉由自沿水平方向擺動之吐出頭861對旋轉中之基板9供給藥液，可對基板9之上表面91大致均勻地供給藥液。又，亦可提高基板9上之藥液之溫度之均勻性。其結果，可提高對基板9之藥液處理之均勻性。
自進行旋轉之基板9之外周緣飛散之藥液被護罩部 225接收，且被朝配置於護罩部225之下方之本體排出口226a引導。通過本體排出口226a之藥液流入至圖5所示之氣液分離部193。於藥液回收部195a中，自氣液分離部193回收藥液，經由過濾器等而自藥液去除雜質等之後，進行再利用。
又，於形成有腔室21之狀態下，上部開口222之邊 緣即護罩頂蓋部227b之內緣部與下部開口232之邊緣即蓋底面部 234之內緣部抵接。藉此，可防止自基板9之上表面91飛散之藥液附著於蓋底面部234之下表面236(於下述步驟S118之處理中相同)。因此，可防止於下述基板9之搬出(及下一基板9之搬入)時，液體自形成供基板9通過之路徑之蓋底面部234之下表面236落下至基板9之上表面91。
於基板處理裝置1中，較佳為於對基板9供給藥液之 期間，亦如上所述，持續利用氣體供給部812供給氮氣，從而確保腔室空間之氮氣氛圍(於下述純水之供給時相同)。又，亦可為亦自上部中央噴嘴181之氣體吐出口吐出氮氣，而更確實地確保基板9之周圍之氮氣氛圍。
當自開始供給藥液後經過特定時間時，停止自掃描噴 嘴186對基板9供給藥液。又，藉由頭旋轉機構863，掃描噴嘴186通過遮蔽板51之下表面512與蓋底面部234之上表面235之間，如圖7所示，移動至與下部開口232於上下方向不重疊之待機位置。如此，於自掃描噴嘴186對基板9供給處理液時，藉由頭旋轉機構863而將掃描噴嘴186配置於吐出位置，於不自掃描噴嘴186對基板9供給處理液時，藉由頭旋轉機構863而將掃描噴嘴186配置於待機位置。
當掃描噴嘴186移動至待機位置時，藉由純水供給部 814(參照圖5)而將作為沖洗液之純水經由上部中央噴嘴181及下部噴嘴180供給至基板9之上表面91及下表面92(步驟S118)。來自純水供給部814之純水被連續地供給至基板9之上表面91及下表面92之中央部。純水係因基板9之旋轉而朝上表面91及下表面92之外周部擴散，自基板9之外周緣朝外側飛散。自基板9飛散之純 水由護罩部225接收，且被引導至本體排出口226a。通過本體排出口226a之純水係經由氣液分離部193及排液部196(參照圖5)而被廢棄。藉此，實質上亦與基板9之上表面91之沖洗處理及下表面92之清洗處理一同進行護罩部225內之清洗。當自開始供給純水後經過特定時間時，停止自純水供給部814供給純水。
當結束對基板9供給處理液(藥液及純水)時，第2移 動機構42及第3移動機構43驅動，藉此，腔室蓋部23及腔室本體22之護罩部225下降，腔室蓋部23及護罩部225分別自圖7所示之上位置移動至圖2所示之下位置。換言之，藉由第2移動機構42及第3移動機構43，基板9與基板保持部31一同相對於腔室21相對地上升。此時，藉由第1移動機構41驅動，遮蔽板51相對於腔室蓋部23之相對位置未變更。即，藉由第1移動機構41，遮蔽板51維持自腔室蓋部23之下部開口232朝上方遠離之狀態。
如上所述，腔室21自上位置朝向下位置移動，藉此， 於腔室21內，基板9自本體內部空間221經由上部開口222及下部開口232而朝向蓋內部空間231移動(步驟S119)。如圖2所示，於蓋內部空間231中，基板9之上表面91與遮蔽板51之下表面512於上下方向對向並接近。
繼而，配置於蓋內部空間231之基板9係藉由基板旋 轉機構35而與基板保持部31一同以中心軸J1為中心以相對較高之速度進行旋轉。藉此，基板9上之處理液(主要為純水)於上表面91及下表面92上朝向徑向外側移動，自基板9之外緣朝向周圍飛散。其結果，可去除基板9上之處理液(步驟S120)。以下，將步驟S120之處理稱為「乾燥處理」。步驟S120中之基板9之旋轉速度 快於步驟S117、S118中之基板9之旋轉速度。
於步驟S120中，自進行旋轉之基板9飛散之處理液 被蓋本體部233之內側面及蓋底面部234之上表面235接收，而朝向蓋本體部233與蓋底面部234之連接部移動。該處理液(即，於步驟S120中自基板9上去除之處理液)係經由蓋部排出口237、氣液分離部197及排液部199(參照圖5)而被廢棄。於腔室蓋部23中，如上所述，蓋底面部234之上表面235為隨著朝向徑向外側而朝向下方之傾斜面。因此，可防止上表面235上之處理液朝中央之下部開口232移動。又，由於上表面235上之處理液迅速地朝徑向外側移動，故而可實現自蓋內部空間231之處理液之迅速排出。
於在蓋內部空間231中基板9進行旋轉時，藉由遮蔽 板旋轉機構55，遮蔽板51於在上下方向與基板9之上表面91接近之位置，朝與基板9相同之旋轉方向以與基板9之旋轉速度大致相等之旋轉速度，以中心軸J1為中心進行旋轉。藉由與基板9之上表面91接近地配置遮蔽板51，可抑制(或防止)自基板9飛散之處理液於蓋本體部233之內側面飛濺並再附著於基板9之上表面91。 又，藉由遮蔽板51進行旋轉，可使附著於遮蔽板51之上表面511及下表面512之處理液朝周圍飛散，從而自遮蔽板51上去除。
於步驟S120中之乾燥處理中，除數個外側蓋噴嘴182 以外，上部中央噴嘴181亦吐出氮氣。即，經由上部中央噴嘴181之氣體吐出口，而對遮蔽板51之下表面512與基板9之上表面91之間之空間供給氮氣。藉此，可自基板9與遮蔽板51之間之空間更迅速地排出處理液，從而可促進基板9之乾燥。
當基板9之乾燥處理結束時，停止利用基板旋轉機構 35之基板9之旋轉。又，藉由第2移動機構42驅動，腔室蓋部23自圖2所示之位置上升，而配置於圖1所示之上位置。藉此，腔室蓋部23與腔室本體22於上下方向隔開，從而將腔室21打開(步驟S121)。繼而，被實施上述一系列之處理之基板9係藉由外部之搬送機構而通過蓋底面部234之下表面236與護罩頂蓋部227b之上表面之間之間隙，經由設置於殼體11之搬入搬出口(省略圖示)而朝殼體11外搬出(步驟S122)。
實際上，與第2移動機構42之驅動同時地，第1移 動機構41亦驅動，藉此，於圖1所示之腔室21之打開狀態下，遮蔽板51將腔室蓋部23之下部開口232封閉。又，亦持續對蓋內部空間231供給氮氣、及排出蓋內部空間231內之氣體。因此，與上述步驟S122中之基板9之搬出同時地，進行對蓋內部空間231填充氮氣之處理，作為針對下一基板9之步驟S111。又，亦藉由對蓋內部空間231供給之氮氣，而進行蓋內部空間231之乾燥(濕度之降低)、即腔室蓋部23之內表面、遮蔽板51之上表面511、及配置於待機位置之掃描噴嘴186之乾燥。步驟S111之處理可理解為腔室蓋部23之內表面及掃描噴嘴186之乾燥處理。繼而，當將下一基板9搬入並利用基板保持部31保持時(步驟S112)，與上述同樣地進行步驟S113~S122之處理。
其次，參照圖8對清洗腔室蓋部23之內部之處理進 行說明。腔室蓋部23之內部逐漸被在乾燥處理時自基板9飛散之處理液污染，故而例如每當對特定片數之基板9進行處理時，藉由圖8之處理而進行清洗。於對腔室蓋部23之內部進行清洗時，如圖9所示，腔室蓋部23及腔室本體22之護罩部225之兩者位於上 位置，並且於腔室21內未配置有基板9。又，掃描噴嘴186配置於待機位置。於基板處理裝置1中，首先，使利用遮蔽板旋轉機構55之遮蔽板51之旋轉開始(步驟S131)。遮蔽板51之旋轉速度係與基板9之乾燥處理時同樣地，為相對較高之速度。又，藉由第1移動機構41驅動，於蓋內部空間231開始遮蔽板51反覆上升及下降之動作、即遮蔽板51之上下移動(步驟S132)
繼而，自純水供給部814(參照圖5)對數個內側蓋噴嘴189送出純水，且自數個內側蓋噴嘴189向遮蔽板51之上表面511吐出純水。又，亦自純水供給部814對配置於本體內部空間221之下部噴嘴180送出純水，自下部噴嘴180向上方吐出純水。即，自下部噴嘴180經由上部開口222及下部開口232而對遮蔽板51之下表面512賦予純水。如此，與遮蔽板51之旋轉及上下移動同時地，藉由具有數個內側蓋噴嘴189及下部噴嘴180之清洗液供給部810(參照圖5)，而對遮蔽板51之上表面511及下表面512供給純水作為清洗液，從而清洗遮蔽板51之上表面511及下表面512(步驟S133)。
此時，於一面上下移動一面進行旋轉之遮蔽板51之外周緣，上表面511及下表面512上之清洗液被甩落，朝向腔室蓋部23之內表面、即蓋本體部233之內側面及蓋底面部234之上表面235飛散(參照圖9中標註符號A1之箭頭)。又，清洗液亦飛散至配置於待機位置之掃描噴嘴186。其結果，附著於腔室蓋部23之內表面、及掃描噴嘴186之表面之藥液成分等被清洗液沖洗。清洗液朝向蓋本體部233與蓋底面部234之連接部移動，並經由蓋部排出口237而朝腔室蓋部23外排出。於對遮蔽板51供給清洗液時， 較佳為亦藉由基板旋轉機構35而使基板保持部31旋轉，藉此，可防止清洗液滯留於基板保持部31上。又，於自上部中央噴嘴181對進行旋轉之基板保持部31之上表面供給純水作為清洗液之情形時，亦能藉由自基板保持部31之上表面飛散之清洗液而清洗腔室本體22之內表面。
於腔室蓋部23中，如上所述，蓋底面部234之上表 面235為隨著朝向徑向外側而朝向下方之傾斜面，故而可防止上表面235上之清洗液朝向中央之下部開口232移動。又，由於上表面235上之清洗液迅速地朝徑向外側移動，故而可實現自蓋內部空間231之清洗液之迅速之排出。進而，由於護罩頂蓋部227b之內緣部與蓋底面部234之內緣部抵接，故而可防止清洗液附著於蓋底面部234之下表面236。因此，可防止於腔室蓋部23之內部之清洗後，於將腔室21打開之狀態下，在處理對象之基板9通過蓋底面部234與護罩頂蓋部227b之間之間隙時，液體自蓋底面部234之下表面236落下至基板9之上表面91。
對遮蔽板51之清洗液之供給持續特定時間後停止。 繼而，使利用第1移動機構41之遮蔽板51之上下移動停止(步驟S134)。於停止對遮蔽板51供給清洗液之後，遮蔽板51亦持續特定時間進行旋轉。藉此，去除上表面511及下表面512上之清洗液。 於遮蔽板51之乾燥後，利用遮蔽板旋轉機構55之遮蔽板51之旋轉亦停止，腔室蓋部23之內部之清洗處理結束(步驟S135)。於基板處理裝置1中，始終自氣體供給部812(參照圖5)之數個外側蓋噴嘴182對蓋內部空間231供給氮氣(亦可於對遮蔽板51供給清洗液時停止)。因此，清洗後之腔室蓋部23之內表面、及掃描噴嘴186 高效率地乾燥。
如以上所作說明般，於基板處理裝置1中，於腔室蓋 部23之蓋內部空間231，設置有徑向之大小較下部開口232大之遮蔽板51。而且，於將基板9搬入並形成腔室21之前，於遮蔽板51將下部開口232封閉之狀態下，自氣體供給部812供給之氣體填充於腔室蓋部23之蓋內部空間231。藉此，可於形成腔室21後，使腔室21內迅速地成為所需之氣體氛圍。其結果，可縮短自腔室21之形成至該氣體氛圍中之基板9之處理開始為止之時間，從而可提高基板處理裝置1之生產性。
如上所述，使自氣體供給部812供給之氣體為氮氣等 惰性氣體，藉此，可迅速地進行低氧氛圍中之基板9之利用處理液之處理。其結果，可抑制設置於基板9之上表面91上之金屬膜之氧化等。又，於剛形成腔室21後(與形成腔室21同時地)，基板9位於預先填充有氣體之蓋內部空間231，故而可於將基板9搬入至裝置內之後，迅速地使基板9之周圍成為所需之氣體氛圍。
於基板處理裝置1中，於藉由控制部10之控制而自 掃描噴嘴186對基板9供給處理液時，掃描噴嘴186配置於吐出位置，且遮蔽板51配置於掃描噴嘴186之上方。又，於不自掃描噴嘴186對基板9供給處理液之期間之掃描噴嘴186之乾燥時，掃描噴嘴186配置於待機位置，且，由遮蔽板51而將下部開口232封閉。由此，藉由對較本體內部空間221小之蓋內部空間231供給之氣體，可高效率地使掃描噴嘴186乾燥，且可將掃描噴嘴186保持清潔。再者，由於下部開口232之徑向之大小較蓋內部空間231小，故而即便於未利用遮蔽板51將下部開口232封閉之情形時，亦可 藉由對相對較小之蓋內部空間231供給之氣體，而某種程度上高效率地使掃描噴嘴186乾燥。又，若與如下之情形相比，則於處理液供給時外部氣體不會侵入至基板9周邊，可將基板9保持為更低氧狀態，上述情形係指將掃描噴嘴186設置於腔室蓋部23之外側且腔室21之外側，為了於對基板9供給處理液時使掃描噴嘴186朝基板9上方移動，而將腔室蓋部23打開，或於腔室蓋部23設置噴嘴進入用之開口。
腔室蓋部23具備將蓋內部空間231內之液體排出之 蓋部排出口237，於掃描噴嘴186配置於待機位置之狀態下，進行預噴射。藉此，於基板處理裝置1中，可省略預噴射用之液體接收構造。又，藉由將頭旋轉機構863設置於腔室蓋部23之上表面，與設置於腔室蓋部23之外側面之情形相比，可使掃描噴嘴186中之頭支持部862變短。
於基板處理裝置1中，基板9之乾燥處理係於與利用 處理液對基板9進行處理之本體內部空間221不同之蓋內部空間231進行。又，於蓋內部空間231中，對進行旋轉之遮蔽板51之上表面511供給清洗液，藉由離心力而使該清洗液自遮蔽板51之上表面511朝向腔室蓋部23之內側面等飛散，藉此，可容易地清洗腔室蓋部23之內側面等。其結果，可儘可能地將用以使基板9乾燥之蓋內部空間231保持清潔。又，藉由將包含蓋內部空間231之腔室空間密閉，亦可防止清洗液之霧氣等飛散至外部(腔室21外)。 進而，於清洗腔室蓋部23之內部時，遮蔽板51於蓋內部空間231相對於腔室蓋部23於上下方向相對地移動，藉此，可清洗腔室蓋部23之內表面之較大之範圍。
於在蓋內部空間231內設置有掃描噴嘴186之基板處 理裝置1中，於對遮蔽板51之上表面511供給清洗液時，清洗液亦自遮蔽板51之上表面511飛散至位於待機位置之掃描噴嘴186。 藉此，亦可容易地清洗掃描噴嘴186，且可實現將掃描噴嘴186保持清潔。進而，利用氣體供給部812對蓋內部空間231供給氣體，並且利用蓋排氣部198將蓋內部空間231內之氣體排出。藉此，可高效率地進行腔室蓋部23之內表面之乾燥、及掃描噴嘴186之乾燥，又，亦可抑制清洗液向基板9落下。
於基板處理裝置1中，亦能與利用處理液所進行之基 板9之處理同時地，清洗腔室蓋部23之內部。例如於圖7所示之狀態下，與對基板9供給處理液之步驟S117、S118之處理同時地，自數個內側蓋噴嘴189對進行旋轉之遮蔽板51之上表面511供給清洗液。換言之，於對遮蔽板51之上表面511供給清洗液之期間，藉由處理液供給部811而對配置於本體內部空間221之基板9之上表面91供給處理液。藉此，可於利用處理液所進行之基板9之處理中，清洗腔室蓋部23之內表面，從而可提高基板處理裝置1之基板處理之產出量。
上述基板處理裝置1可進行各種變形。
亦可自上部中央噴嘴181吐出藥液，自掃描噴嘴186 吐出純水。此情形時，於自上部中央噴嘴181吐出藥液時，遮蔽板51與下部開口232接近，藉此，可防止自基板9之上表面91飛散之藥液附著於掃描噴嘴186。又，可為藥液供給部813及純水供給部814之兩者經由閥而連接於上部中央噴嘴181(或掃描噴嘴186)，且自上部中央噴嘴181選擇性地吐出藥液及純水。
根據基板處理裝置1之設計，可將吐出種類互不相同 之處理液之數個掃描噴嘴設置於蓋內部空間231。於此情形時，亦可於蓋底面部234之上表面235上設置分別回收來自數個掃描噴嘴之藥液之數個容器。數個掃描噴嘴於個別容器中進行預噴射，藉此，可容易地實現個別地回收藥液。
於上述實施形態中，將使掃描噴嘴186旋轉之頭旋轉 機構863設置於腔室蓋部23，但頭旋轉機構863亦可設置於殼體11外、例如殼體11之上表面上。此情形時，可使頭旋轉機構863遠離藥液等氛圍，而可實現頭旋轉機構863之長期使用。
又，根據基板處理裝置1之設計，亦可將吐出處理液 之吐出部設為除懸臂狀之掃描噴嘴以外之形態。又，將吐出部選擇性地配置於吐出位置及待機位置之吐出部移動機構亦可為使吐出部線性移動之機構等。
根據針對基板9之處理之種類，可藉由處理液供給部 811而對基板9之上表面91供給處理液之液滴或蒸氣。
於圖1所示之例中，上述腔室開閉機構包含使腔室蓋 部23移動之第2移動機構42、及使腔室本體22之護罩部225移動之第3移動機構43，但例如亦可省略第2移動機構42及第3移動機構43之一者，僅將另一者用作腔室開閉機構。又，於圖1所示之例中，遮蔽板移動機構包含使遮蔽板51移動之第1移動機構41、使腔室蓋部23移動之第2移動機構42，但亦可省略第1移動機構41及第2移動機構42之一者，僅將另一者用作遮蔽板移動機構。
於圖1所示之例中，上述基板移動機構包含使腔室蓋 部23移動之第2移動機構42、及使腔室本體22之護罩部225移動 之第3移動機構43，但基板移動機構例如亦可為使基板保持部31於腔室21內在上下方向移動之機構。
於腔室本體22中，亦可設置呈同心圓狀配置之數個 護罩作為護罩部225。此情形時，較佳為於切換對基板9上供給之處理液之種類時，亦切換接收來自基板9之處理液之護罩。藉此，於利用數種處理液時，可容易地分別回收或廢棄數種處理液。
如圖10所示，亦可採用形成為腔室蓋部23與腔室本 體22之護罩部225連成一體之構件之腔室21a。於圖10之基板處理裝置1a中，腔室本體22之上部開口222亦被腔室蓋部23覆蓋而形成腔室21a。於腔室21a中，於腔室蓋部23設置有側部開口239，於向腔室21a內搬入及向腔室21a外搬出基板9時，基板9通過側部開口239。側部開口239係藉由側部開口開閉機構39而開閉。於圖10之基板處理裝置1a中，省略圖1之基板處理裝置1中之第3移動機構43。藉由第2移動機構42而使腔室蓋部23及護罩部225於上下方向移動。藉此，可將基板9選擇性地配置於蓋內部空間231與本體內部空間221。於基板處理裝置1a中，亦於將基板9配置於本體內部空間221時進行利用處理液之處理，於將基板9配置於蓋內部空間231時進行基板9之乾燥處理。對腔室蓋部23之內部進行清洗之處理亦與上述基板處理裝置1相同。
於基板處理裝置1、1a中，亦可對除半導體基板以外 之各種基板進行處理。又，並不限定於聚合物去除或蝕刻，亦可使用鹽酸或氫氟酸等各種液體，進行較理想為於低氧環境下進行之各種液體處理。用以實現低氧狀態之氣體亦並不限定於氮氣，既可為氬氣等其他惰性氣體，亦可為其他所需之氣體氛圍、例如數種氣體 組成比例經管理之氣體。
其次，對本發明之第2實施形態之基板處理裝置1進 行說明。第2實施形態之基板處理裝置1之基本構造與圖1之基板處理裝置1相同。
圖11係表示第2實施形態之基板處理裝置1所具備 之氣液供給部18及氣液排出部19之方塊圖。氣液供給部18具備處理液供給部811、氣體供給部812、及膜形成液供給部810a。處理液供給部811具備掃描噴嘴186、上部中央噴嘴181、下部噴嘴180、藥液供給部813及純水供給部814。藥液供給部813經由閥而連接於掃描噴嘴186。純水供給部814經由閥而連接於上部中央噴嘴181。又，純水供給部814亦經由閥而連接於下部噴嘴180。
氣體供給部812具備上部中央噴嘴181、數個外側蓋 噴嘴182及惰性氣體供給部816。惰性氣體供給部816經由閥而連接於上部中央噴嘴181。又，惰性氣體供給部816亦經由閥而連接於數個外側蓋噴嘴182。膜形成液供給部810a具備數個內側蓋噴嘴189、及純水供給部814。純水供給部814經由閥而連接於數個內側蓋噴嘴189。再者，於第2實施形態之基板處理裝置1中，數個內側蓋噴嘴189係於較數個外側蓋噴嘴182更靠徑向內側(中心軸J1側)，以中心軸J1為中心呈周狀配置(參照圖1)。於各內側蓋噴嘴189之下端，設置有吐出下述膜形成液之膜形成液吐出口。數個膜形成液吐出口係於遮蔽板51之上方，以中心軸J1為中心呈周狀配置。
於氣液供給部18中，上部中央噴嘴181由處理液供 給部811及氣體供給部812所共有。又，純水供給部814由處理液 供給部811及膜形成液供給部810a所共有。處理液供給部811、氣體供給部812及膜形成液供給部810a亦可由相互獨立之構成要素構成。又，設置於腔室21之噴嘴之配置亦可適當變更。
氣液排出部19具備本體排出口226a、蓋部排出口 237、氣液分離部193、本體排氣部194、藥液回收部195a、排液部196、氣液分離部197、蓋排氣部198、藥液回收部195b、及排液部199。設置於腔室本體22之本體排出口226a連接於氣液分離部193。氣液分離部193分別經由閥而連接於本體排氣部194、藥液回收部195a及排液部196。設置於腔室蓋部23之蓋部排出口237連接於氣液分離部197。氣液分離部197分別經由閥而連接於蓋排氣部198、藥液回收部195b及排液部199。氣液供給部18及氣液排出部19之各構成係由控制部10控制。第1移動機構41、第2移動機構42、第3移動機構43、基板旋轉機構35及遮蔽板旋轉機構55(參照圖1)亦由控制部10控制。
自藥液供給部813經由掃描噴嘴186對基板9上供給 之藥液例如為聚合物去除液、或者氫氟酸或氫氧化四甲基銨水溶液等蝕刻液。純水供給部814係經由上部中央噴嘴181及下部噴嘴180而對基板9供給純水(DIW：deionized water)。處理液供給部811亦可具備供給除上述藥液及純水以外之處理液(例如異丙醇(IPA)等溶劑、或者其他酸或鹼溶液、去除液等)之其他供給部。
如下所述，自純水供給部814經由數個內側蓋噴嘴 189對遮蔽板51之上表面511供給之純水亦為於蓋內部空間231中形成液膜之膜形成液。膜形成液供給部810a亦可具備供給除純水以外之膜形成液之其他供給部。自惰性氣體供給部816供給之氣 體例如為氮氣(N2)。氣體供給部812亦可具備供給除氮氣以外之惰性氣體、或除惰性氣體以外之氣體之其他供給部。
其次，一面參照圖12一面對利用基板處理裝置1所 進行之基板9之處理之流程進行說明。於基板處理裝置1中，首先，如圖1所示，腔室蓋部23位於上位置，腔室本體22之護罩部225位於下位置。換言之，腔室21成為打開之狀態。又，以遮蔽板51之下表面512與蓋底面部234之上表面235接觸之方式，使遮蔽板51於俯視時與腔室蓋部23之下部開口232重疊。藉此，下部開口232被封閉，而蓋內部空間231成為封閉空間。進而，於基板處理裝置1中，自氣體供給部812(參照圖11)之數個外側蓋噴嘴182對蓋內部空間231供給氮氣，並且將蓋內部空間231內之氣體自蓋部排出口237向腔室蓋部23之外部排出。因此，可對蓋內部空間231填充氮氣(步驟S211)。於基板處理裝置1中，原則上始終進行對蓋內部空間231之氮氣供給、及蓋內部空間231內之氣體排出。
再者，於步驟S211中，腔室蓋部23之下部開口232 未必一定藉由遮蔽板51而氣密地密閉，只要為遮蔽板51與下部開口232重疊之狀態，則亦可為如於遮蔽板51與蓋底面部234之間存在少許間隙之封閉之形態。即便為此種封閉之形態，亦可藉由控制自氣體供給部812向蓋內部空間231之氮氣之供給量，使向蓋內部空間231之氮氣之流入量與自該間隙及蓋部排出口237之氣體之流出量大致相等，而對蓋內部空間231填充氮氣。繼而，藉由適當地控制該氮氣之流入量等，可使蓋內部空間231內之氧氣濃度成為降低至製程上所需之程度之低氧狀態。再者，於圖1中，圖示有基板9，步驟S211係於將基板9搬入至基板處理裝置1之前進行。
繼而，於如上所述腔室蓋部23與腔室本體22隔開之 狀態下，藉由外部之搬送機構而將基板9自設置於殼體11之搬入搬出口(省略圖示)搬入至殼體11內。基板9係通過蓋底面部234之下表面236與護罩頂蓋部227b之上表面之間之間隙而朝遮蔽板51之下方移動，且由基板保持部31保持(步驟S212)。於步驟S212中，基板9於較腔室本體22之上部開口222更為上方被基板保持部31保持。
當基板9被基板保持部31保持時，第2移動機構42 驅動，藉此，腔室蓋部23下降，腔室蓋部23自圖1所示之上位置移動至圖2所示之下位置。換言之，腔室蓋部23相對於腔室本體22於上下方向相對地移動。而且，腔室本體22之上部開口222被腔室蓋部23覆蓋，藉此，腔室21被封閉(步驟S213)。即，形成將基板9及基板保持部31收容於內部之腔室21。此時，藉由第1移動機構41驅動，遮蔽板51相對於腔室蓋部23相對地上升，於腔室21內，遮蔽板51自腔室蓋部23之下部開口232朝上方遠離。
如上所述，腔室蓋部23自上位置朝下位置移動，藉 此，保持於基板保持部31之基板9通過腔室蓋部23之下部開口232而朝蓋內部空間231移動。換言之，於在步驟S213中形成有腔室21之狀態下，基板9位於腔室空間中之蓋內部空間231。於蓋內部空間231，如上所述，於形成腔室21之前便填充有氮氣，故而藉由使基板9朝向蓋內部空間231移動，可使基板9之周圍迅速地成為氮氣氛圍(即低氧氛圍)。於蓋內部空間231中，基板9之上表面91與遮蔽板51之下表面512於上下方向對向並接近。
於圖2所示之狀態下，自位於較遮蔽板51更為上方 之數個外側蓋噴嘴182對蓋內部空間231供給氮氣，藉此，蓋內部空間231之氣壓變得高於本體內部空間221之氣壓。換言之，蓋內部空間231成為正壓狀態。因此，蓋內部空間231之氮氣自遮蔽板51與腔室蓋部23之蓋底面部234之間之間隙經由下部開口232及上部開口222而朝本體內部空間221流出(即自蓋內部空間231朝本體內部空間221送出)。又，本體內部空間221內之氣體自本體排出口226a向腔室21之外部排出。藉此，於自形成腔室21起經過特定時間之後，於本體內部空間221亦填充有來自氣體供給部812之氮氣。換言之，藉由氣體供給部812而對腔室21內供給並填充氮氣(步驟S214)。以下，將步驟S214之處理稱為「氣體置換處理」。
於步驟S214中之氣體置換處理中，除數個外側蓋噴嘴182以外，上部中央噴嘴181亦被用於對腔室21內供給氮氣。即，來自氣體供給部812之氮氣亦經由上部中央噴嘴181之氣體吐出口而供給至遮蔽板51之下表面512與基板9之上表面91之間之空間。藉此，可將遮蔽板51與基板9之間之空間之氛圍迅速地置換為氮氣氛圍。再者，於步驟S211~S213之間之任一步驟中，亦可視需要而自第2氣體吐出口185供給氮氣。尤其是，於步驟S213中，自第2氣體吐出口185供給氮氣，藉此，可進而高效率地進行步驟S214之氣體置換處理。
接著，藉由第2移動機構42及第3移動機構43驅動，腔室蓋部23及腔室本體22之護罩部225上升，腔室蓋部23及護罩部225分別自圖2所示之下位置朝圖7所示之上位置移動。換言之，藉由第2移動機構42及第3移動機構43，基板9與基板保持 部31一同相對於腔室21相對地下降。第2移動機構42及第3移動機構43為使基板9與基板保持部31一同相對於腔室21於上下方向相對地移動之基板移動機構。此時，藉由第1移動機構41驅動，遮蔽板51相對於腔室蓋部23之相對位置未變更。即，藉由第1移動機構41，遮蔽板51維持自腔室蓋部23之下部開口232朝上方遠離之狀態。
如上所述，腔室21自下位置朝上位置移動，藉此， 於腔室21內，基板9及基板保持部31自蓋內部空間231經由下部開口232及上部開口222而朝本體內部空間221移動(步驟S215)。 藉此，護罩部225於腔室蓋部23之下方遍及全周而位於基板9及基板保持部31之徑向外側。
當基板9及基板保持部31位於本體內部空間221 時，使利用基板旋轉機構35之基板9之旋轉開始。又，自藥液供給部813(參照圖11)對配置於下部開口232之徑向外側之待機位置之掃描噴嘴186供給特定量之藥液。藉此，自配置於待機位置之狀態下之吐出頭861(參照圖4)進行藥液之吐出、即預噴射(步驟S216)。自吐出頭861吐出之藥液被蓋底面部234之上表面235接收，而被引導至蓋部排出口237。通過蓋部排出口237之藥液流入至圖11所示之氣液分離部197。於藥液回收部195b中，自氣液分離部197回收藥液，且經由過濾器等而自藥液去除雜質等之後，進行再利用。
當預噴射結束時，藉由圖7所示之頭旋轉機構863而 使掃描噴嘴186之吐出頭861及頭支持部862旋轉。藉此，如圖13所示，吐出頭861通過遮蔽板51之下表面512與蓋底面部234之 上表面235之間，配置於遮蔽板51與下部開口232之間、即基板9之上方之吐出位置。進而，頭旋轉機構863被控制部10控制，而使基板9之上方之吐出頭861開始往復移動。吐出頭861沿著連結基板9之中心部與外緣部之特定之移動路徑而於水平方向持續地往復移動。
繼而，使利用遮蔽板旋轉機構55之遮蔽板51之旋轉 開始。又，於膜形成液供給部810a(參照圖11)中，自純水供給部814對數個內側蓋噴嘴189供給作為膜形成液之純水，自數個膜形成液吐出口向遮蔽板51之上表面511吐出膜形成液。於腔室21內，對進行旋轉之遮蔽板51之上表面511供給之膜形成液係藉由離心力而於遮蔽板51之上表面511上擴散。遮蔽板51之上表面511對膜形成液具有親液性。於本實施形態中，遮蔽板51之上表面511具有親水性。因此，膜形成液於遮蔽板51之上表面511上大致均勻地擴散。
於遮蔽板51之上表面511上擴散之膜形成液係藉由 離心力而自遮蔽板51之上表面511朝蓋底面部234之上表面235流動。膜形成液係自遮蔽板51之上表面511之外緣遍及全周流向徑向外側，藉此，於遮蔽板51與蓋底面部234之間形成環狀之液膜95(步驟S217)。於圖13中，利用粗虛線描畫液膜95(於圖14及圖15中亦相同)。如圖13所示，掃描噴嘴186之頭支持部862貫通液膜95。被蓋底面部234之上表面235接收之形成液膜95之純水(即膜形成液)被引導至蓋部排出口237。通過蓋部排出口237之膜形成液係經由圖11所示之氣液分離部197及排液部199而被廢棄。
於腔室蓋部23中，如上所述，蓋底面部234之上表 面235為隨著朝向徑向外側而朝向下方之傾斜面。因此，可防止上表面235上之膜形成液朝向中央之下部開口232移動。又，由於上表面235上之膜形成液迅速地朝徑向外側移動，故而可實現自蓋內部空間231迅速地排出膜形成液。
步驟S217中之液膜95之形成既可於掃描噴嘴186位 於待機位置之狀態下進行，亦可與掃描噴嘴186自待機位置向吐出位置之移動同時地進行。又，於無需再利用預噴射時之藥液之情形等時，上述液膜95之形成亦可於步驟S215與步驟S216之間進行。
於基板處理裝置1中，與步驟S217中之液膜95之形 成同時地，自數個外側蓋噴嘴182對蓋內部空間231供給氮氣而對蓋內部空間231填充氮氣。自數個外側蓋噴嘴182之氮氣之供給係以不攪亂液膜95之程度之相對較小之流量進行。
當於蓋內部空間231形成有液膜95時，自藥液供給 部813對吐出頭861供給藥液，且自於蓋內部空間231內沿水平方向擺動之吐出頭861，經由下部開口232而對本體內部空間221內之基板9之上表面91吐出藥液(步驟S218)。對基板9之藥液之供給係於形成有液膜95之狀態下進行。
來自吐出頭861之藥液被連續地供給至進行旋轉之 基板9之上表面91。藥液因離心力而於上表面91上朝徑向外側擴散，整個上表面91被藥液被覆。藉由自沿水平方向擺動之吐出頭861對旋轉中之基板9供給藥液，可對基板9之上表面91大致均勻地供給藥液。又，亦可提高基板9上之藥液之溫度之均勻性。其結果，可提高針對基板9之藥液處理的均勻性。
自進行旋轉之基板9之外緣飛散之藥液被護罩部225接收，且被朝配置於護罩部225之下方之本體排出口226a引導。通過本體排出口226a之藥液流入至圖11所示之氣液分離部193。於藥液回收部195a中，自氣液分離部193回收藥液，且經由過濾器等而自藥液去除雜質等之後，進行再利用。
又，於形成有腔室21之狀態下，上部開口222之邊緣即護罩頂蓋部227b之內緣部與下部開口232之邊緣即蓋底面部234之內緣部抵接。藉此，可防止自基板9之上表面91飛散之藥液附著於蓋底面部234之下表面236(於下述步驟S219之處理中相同)。因此，可防止於下述基板9之搬出(及下一基板9之搬入)時，液體自形成供基板9通過之路徑之蓋底面部234之下表面236落下至基板9之上表面91。
於基板處理裝置1中，較佳為於對基板9供給藥液之期間，亦如上所述，持續利用氣體供給部812供給氮氣，從而確保腔室空間之氮氣氛圍(於下述純水之供給時相同)。又，亦可為亦自上部中央噴嘴181之氣體吐出口吐出氮氣，而更確實地確保基板9之周圍之氮氣氛圍。
當自開始供給藥液後經過特定時間時，停止自掃描噴嘴186對基板9供給藥液。又，藉由頭旋轉機構863，掃描噴嘴186通過遮蔽板51之下表面512與蓋底面部234之上表面235之間，如圖7所示，移動至與下部開口232於上下方向不重疊之待機位置。如此，於自掃描噴嘴186對基板9供給處理液時，藉由頭旋轉機構863而將掃描噴嘴186配置於吐出位置，於不自掃描噴嘴186對基板9供給處理液時，藉由頭旋轉機構863而將掃描噴嘴186配 置於待機位置。
當掃描噴嘴186移動至待機位置時，藉由純水供給部 814(參照圖11)而將作為沖洗液之純水經由上部中央噴嘴181及下部噴嘴180供給至基板9之上表面91及下表面92(步驟S219)。對基板9之純水之供給係於形成有上述液膜95之狀態下進行。
來自純水供給部814之純水被連續地供給至基板9之 上表面91及下表面92之中央部。純水係因基板9之旋轉而朝上表面91及下表面92之外周部擴散，自基板9之外緣朝外側飛散。自基板9飛散之純水由護罩部225接收，且被引導至本體排出口226a。通過本體排出口226a之純水係經由氣液分離部193及排液部196(參照圖11)而被廢棄。藉此，實質上亦與基板9之上表面91之沖洗處理及下表面92之清洗處理一同進行護罩部225內之清洗。當自開始供給純水後經過特定特定時間時，停止自純水供給部814供給純水。又，使對遮蔽板51之上表面511之純水之供給、及遮蔽板51之旋轉停止，從而液膜95之形成結束。
當結束對基板9供給處理液(藥液及純水)時，第2移 動機構42及第3移動機構43驅動，藉此，腔室蓋部23及腔室本體22之護罩部225下降，腔室蓋部23及護罩部225分別自圖7所示之上位置移動至圖2所示之下位置。換言之，藉由第2移動機構42及第3移動機構43，基板9與基板保持部31一同相對於腔室21相對地上升。此時，藉由第1移動機構41驅動，遮蔽板51相對於腔室蓋部23之相對位置未變更。即，藉由第1移動機構41，遮蔽板51維持自腔室蓋部23之下部開口232朝上方遠離之狀態。
如上所述，腔室21自上位置朝向下位置移動，藉此， 於腔室21內，基板9自本體內部空間221經由上部開口222及下部開口232而朝向蓋內部空間231移動(步驟S220)。如圖2所示，於蓋內部空間231中，基板9之上表面91與遮蔽板51之下表面512於上下方向對向並接近。
繼而，配置於蓋內部空間231之基板9係藉由基板旋 轉機構35而與基板保持部31一同以中心軸J1為中心以相對較高之速度進行旋轉。藉此，基板9上之處理液(主要為純水)於上表面91及下表面92上朝向徑向外側移動，自基板9之外緣朝向周圍飛散。其結果，可去除基板9上之處理液(步驟S221)。以下，將步驟S221之處理稱為「乾燥處理」。步驟S221中之基板9之旋轉速度快於步驟S218、S219中之基板9之旋轉速度。
於步驟S221中，自進行旋轉之基板9飛散之處理液 被蓋本體部233之內側面及蓋底面部234之上表面235接收，而朝向蓋本體部233與蓋底面部234之連接部移動。該處理液(即，於步驟S221中自基板9上去除之處理液)係經由蓋部排出口237、氣液分離部197及排液部199(參照圖11)而被廢棄。於腔室蓋部23中，如上所述，蓋底面部234之上表面235為隨著朝向徑向外側而朝向下方之傾斜面。因此，可防止上表面235上之處理液朝中央之下部開口232移動。又，由於上表面235上之處理液迅速地朝徑向外側移動，故而可實現自蓋內部空間231之處理液之迅速排出。
於在蓋內部空間231中基板9進行旋轉時，藉由遮蔽 板旋轉機構55，遮蔽板51於在上下方向與基板9之上表面91接近之位置，朝與基板9相同之旋轉方向以與基板9之旋轉速度大致相等之旋轉速度，以中心軸J1為中心進行旋轉。藉由與基板9之上 表面91接近地配置遮蔽板51，可抑制(或防止)自基板9飛散之處理液於蓋本體部233之內側面飛濺並再附著於基板9之上表面91。 又，藉由遮蔽板51進行旋轉，可使附著於遮蔽板51之上表面511及下表面512之處理液及膜形成液朝周圍飛散，從而自遮蔽板51上去除。
於步驟S221中之乾燥處理中，除數個外側蓋噴嘴182 以外，上部中央噴嘴181亦吐出氮氣。即，經由上部中央噴嘴181之氣體吐出口，而對遮蔽板51之下表面512與基板9之上表面91之間之空間供給氮氣。藉此，可自基板9與遮蔽板51之間之空間更迅速地排出處理液，從而可促進基板9之乾燥。
當基板9之乾燥處理結束時，停止利用基板旋轉機構 35之基板9之旋轉。又，藉由第2移動機構42驅動，腔室蓋部23自圖2所示之位置上升，而配置於圖1所示之上位置。藉此，腔室蓋部23與腔室本體22於上下方向隔開，從而將腔室21打開(步驟S222)。繼而，被實施上述一系列之處理之基板9係藉由外部之搬送機構而通過蓋底面部234之下表面236與護罩頂蓋部227b之上表面之間之間隙，經由設置於殼體11之搬入搬出口(省略圖示)而朝殼體11外搬出(步驟S223)。
實際上，與第2移動機構42之驅動同時地，第1移 動機構41亦驅動，藉此，於圖1所示之腔室21之打開狀態下，遮蔽板51將腔室蓋部23之下部開口232封閉。又，亦持續對蓋內部空間231供給氮氣、及排出蓋內部空間231內之氣體。因此，與上述步驟S223中之基板9之搬出同時地，進行對蓋內部空間231填充氮氣之處理，作為針對下一基板9之步驟S211。
又，亦藉由對蓋內部空間231供給之氮氣，而進行蓋 內部空間231之乾燥(濕度之降低)、即腔室蓋部23之內表面、遮蔽板51之上表面511、及配置於待機位置之掃描噴嘴186之乾燥。步驟S211之處理可理解為腔室蓋部23之內表面及掃描噴嘴186之乾燥處理。繼而，當將下一基板9搬入並利用基板保持部31保持時(步驟S212)，與上述同樣地進行步驟S213~S223之處理。
如以上所作說明般，於第2實施形態之基板處理裝置 1中，亦於腔室蓋部23之蓋內部空間231設置有徑向之大小較下部開口232大之遮蔽板51。而且，於將基板9搬入並形成腔室21之前，於遮蔽板51將下部開口232封閉之狀態下，自氣體供給部812供給之氣體填充於腔室蓋部23之蓋內部空間231。藉此，可於形成腔室21之後，使腔室21內迅速地成為所需之氣體氛圍。其結果，可縮短自腔室21之形成至該氣體氛圍中之基板9之處理開始為止之時間，從而可提高基板處理裝置1之生產性。
如上所述，使自氣體供給部812供給之氣體為氮氣等 惰性氣體，藉此，可迅速地進行低氧氛圍中之基板9之利用處理液之處理。其結果，可抑制設置於基板9之上表面91上之金屬膜之氧化等。又，於剛形成腔室21後(與形成腔室21同時地)，基板9位於預先填充有氣體之蓋內部空間231，故而可於將基板9搬入至裝置內之後，迅速地使基板9之周圍成為所需之氣體氛圍。
於步驟S218及步驟S219中，於藉由膜形成液供給部 810a而於遮蔽板51與蓋底面部234之間形成環狀之液膜95之狀態下，自處理液供給部811對基板9之上表面91供給處理液。因此，可抑制處理液之霧氣或煙霧等通過液膜95而自遮蔽板51與蓋底面 部234之間之間隙進入至蓋內部空間231。
如上所述，於形成有液膜95時，於膜形成液供給部 810a中，自以中心軸J1為中心呈周狀配置之數個膜形成液吐出口向遮蔽板51之上表面511吐出膜形成液。藉此，可提高遮蔽板51上之膜形成液之液膜之厚度之均勻性。其結果，可提高周向上之液膜95之均勻性。又，由於遮蔽板51之上表面511對自膜形成液供給部810a供給之膜形成液具有親液性，故而可進而提高遮蔽板51上之膜形成液之液膜之厚度之均勻性。其結果，可更進一步提高周向上之液膜95之均勻性。
於步驟S218之藥液處理中，頭支持部862位於遮蔽 板51與腔室蓋部23之蓋底面部234之間之間隙。於遮蔽板51與蓋底面部234之間，如上所述，形成有環狀之液膜95，上述間隙之除頭支持部862以外之區域被液膜95封閉。因此，即便於藉由位於蓋內部空間231之掃描噴嘴186對基板9供給處理液時，亦可抑制處理液之霧氣或煙霧等進入至蓋內部空間231。
於基板處理裝置1中，於藉由控制部10之控制而自 掃描噴嘴186對基板9供給處理液時，掃描噴嘴186配置於吐出位置，且遮蔽板51配置於掃描噴嘴186之上方。又，於不自掃描噴嘴186對基板9供給處理液之期間之掃描噴嘴186之乾燥時，掃描噴嘴186配置於待機位置，且，由遮蔽板51而將下部開口232封閉。由此，藉由對較本體內部空間221小之蓋內部空間231供給之氣體，可高效率地使掃描噴嘴186乾燥，且可將掃描噴嘴186保持清潔。
腔室蓋部23具備將蓋內部空間231內之液體排出之 蓋部排出口237，於掃描噴嘴186配置於待機位置之狀態下，進行預噴射。藉此，於基板處理裝置1中，可省略預噴射用之液體接收構造。又，藉由將頭旋轉機構863設置於腔室蓋部23之上表面，與設置於腔室蓋部23之外側面之情形相比，可使掃描噴嘴186中之頭支持部862變短。
如上所述，氣體供給部812係經由設置於遮蔽板51 之下表面512之中央部之氣體吐出口而對遮蔽板51之下表面512與基板9之上表面91之間之空間供給氣體。藉此，於步驟S218及步驟S219中，可於所需之氣體氛圍中進行利用處理液之基板9之處理。又，由於形成有液膜95，故而可使自上述氣體吐出口供給氣體之空間較腔室空間小。
於基板處理裝置1中，如上所述，與步驟S217中之 液膜95之形成同時地，自數個外側蓋噴嘴182對蓋內部空間231供給氮氣而對蓋內部空間231填充氮氣。因此，藉由於利用處理液之基板9之處理結束後使基板9朝蓋內部空間231移動，而可迅速地開始所需之氣體氛圍中之基板9之乾燥處理。
於基板處理裝置1中，如圖14所示，遮蔽板51之上 表面511亦可為隨著朝向徑向外側而朝向下方之傾斜面。此情形時，自數個內側蓋噴嘴189對遮蔽板51之上表面511供給之膜形成液亦因重力而朝向徑向外側移動。藉此，即便於遮蔽板51之旋轉速度相對較低之情形時，亦可於遮蔽板51與蓋底面部234之間適當地形成環狀之液膜95。
上述基板處理裝置1可進行各種變形。
例如亦可自上部中央噴嘴181吐出藥液，自掃描噴嘴 186吐出純水。此情形時，於自上部中央噴嘴181吐出藥液時，遮蔽板51接近於下部開口232，藉此，可防止自基板9之上表面91飛散之藥液附著於掃描噴嘴186。又，藥液供給部813及純水供給部814之兩者可經由閥而連接於上部中央噴嘴181及掃描噴嘴186之一者，且自該一噴嘴選擇性地吐出藥液及純水。即便於此情形時，亦可與上述同樣地，藉由於遮蔽板51與蓋底面部234之間形成環狀之液膜95，而抑制處理液之霧氣或煙霧等進入至蓋內部空間231。
根據基板處理裝置1之設計，可將吐出種類互不相同 之處理液之數個掃描噴嘴設置於蓋內部空間231。於此情形時，亦可於蓋底面部234之上表面235上設置分別回收來自數個掃描噴嘴之藥液之數個容器。數個掃描噴嘴於個別容器中進行預噴射，藉此，可容易地實現個別地回收藥液。
於上述實施形態中，將使掃描噴嘴186旋轉之頭旋轉 機構863設置於腔室蓋部23，但頭旋轉機構863亦可設置於殼體11外、例如殼體11之上表面上。此情形時，可使頭旋轉機構863遠離藥液等氛圍，而可實現頭旋轉機構863之長期使用。
又，根據基板處理裝置1之設計，亦可將吐出處理液 之吐出部設為除懸臂狀之掃描噴嘴以外之形態。又，將吐出部選擇性地配置於吐出位置及待機位置之吐出部移動機構亦可為使吐出部線性移動之機構等。
根據針對基板9之處理之種類，可藉由處理液供給部 811而對基板9之上表面91供給處理液之液滴或蒸氣。
於膜形成液供給部810a中，未必一定設置有呈周狀 配置之數個膜形成液吐出口，亦可將1個膜形成液吐出口設置於腔室蓋部23。例如亦可將以中心軸J1為中心之環狀之膜形成液吐出口設置於腔室蓋部23。即便於此情形時，亦可提高遮蔽板51上之膜形成液之液膜之厚度之均勻性，其結果，可提高周向上之液膜95之均勻性。
於圖1所示之例中，上述之腔室開閉機構包含使腔室 蓋部23移動之第2移動機構42、及使腔室本體22之護罩部225移動之第3移動機構43，但例如亦可省略第2移動機構42及第3移動機構43之一者，僅將另一者用作腔室開閉機構。又，於圖1所示之例中，遮蔽板移動機構包含使遮蔽板51移動之第1移動機構41、使腔室蓋部23移動之第2移動機構42，但亦可省略第1移動機構41及第2移動機構42之一者，僅將另一者用作遮蔽板移動機構。
於圖1所示之例中，上述基板移動機構包含使腔室蓋 部23移動之第2移動機構42、及使腔室本體22之護罩部225移動之第3移動機構43，但基板移動機構例如亦可為使基板保持部31於腔室21內在上下方向移動之機構。
於腔室本體22中，亦可設置呈同心圓狀配置之數個 護罩作為護罩部225。此情形時，較佳為於切換對基板9上供給之處理液之種類時，亦切換接收來自基板9之處理液之護罩。藉此，於利用數種處理液時，可容易地分別回收或廢棄數種處理液。
如圖15所示，亦可採用形成為腔室蓋部23與腔室本 體22之護罩部225連成一體之構件之腔室21a。換言之，腔室本體22係與腔室蓋部23一同形成腔室21a。於基板處理裝置1a中，護 罩頂蓋部227b之中央之開口(即腔室本體22之上部開口)由腔室蓋部23覆蓋，藉此形成腔室21a。腔室本體22之上部開口亦為腔室蓋部23之下部開口232。
於腔室21a中，於腔室蓋部23設置有側部開口239， 於向腔室21a內搬入及向腔室21a外搬出基板9時，基板9通過側部開口239。側部開口239係藉由側部開口開閉機構39而開閉。於圖15之基板處理裝置1a中，省略圖1之基板處理裝置1中之第3移動機構43，藉由第2移動機構42而使腔室蓋部23及護罩部225於上下方向移動。藉此，可將基板9選擇性地配置於蓋內部空間231與本體內部空間221。於基板處理裝置1a中，亦於將基板9配置於本體內部空間221時進行利用處理液之處理，於將基板9配置於蓋內部空間231時進行基板9之乾燥處理。
於利用處理液之處理中，與上述同樣地，於在遮蔽板 51與護罩頂蓋部227b(亦為腔室蓋部23之蓋底面部)之間形成有環狀之液膜95之狀態下，對基板9之上表面91供給處理液。因此，可抑制處理液之霧氣或煙霧等通過液膜95而自遮蔽板51與護罩頂蓋部227b之間之間隙進入至蓋內部空間231。
於基板處理裝置1、1a中，亦可對除半導體基板以外 之各種基板進行處理。又，於基板處理裝置1、1a中，並不限定在聚合物去除或蝕刻，亦可使用鹽酸或氫氟酸等各種處理液，進行較理想為於低氧環境下進行之各種液體處理。為了實現低氧狀態，對腔室21供給之氣體亦並不限定於氮氣，亦可為氬氣等其他惰性氣體。對腔室21供給之氣體亦可為用以使腔室21內為所需之氣體氛圍之氣體、例如氣體組成比例經管理之混合氣體(即，將數種氣體 混合而得者)。
圖16係表示本發明之第3實施形態之基板處理裝置 1b之構成的剖面圖。基板處理裝置1b係對大致圓板狀之半導體基板9(以下，簡稱為「基板9」)供給處理液並將基板9逐片進行處理之單片式之裝置。於圖16中，於基板處理裝置1b之一部分之構成之剖面，省略平行斜線之標註(於其他剖面圖中亦相同)。
基板處理裝置1b具備腔室21、基板保持部31、基板 旋轉機構35、第1移動機構41、第2移動機構42、遮蔽板51、遮蔽板旋轉機構55、及殼體11。殼體11收容腔室21、基板保持部31、及遮蔽板51等。於殼體11之側部，設置有外側開口112。於向殼體11內搬入及向殼體11外搬出基板9時，基板9通過外側開口112。於殼體11，進而設置有外側開口開閉機構12。外側開口開閉機構係藉由使擋板121於上下方向移動，而開閉外側開口112。 外側開口開閉機構12亦可為使擋板121旋動者等。
腔室21為以朝上下方向之中心軸J1為中心之有蓋且 有底之大致圓筒狀。腔室21具備腔室本體22、及腔室蓋部23。腔室本體22與腔室蓋部23於上下方向對向。腔室本體22為以中心軸J1為中心之有底大致圓筒狀，且形成本體內部空間221。腔室蓋部23係以中心軸J1為中心之有蓋大致圓筒狀，且形成蓋內部空間231。腔室本體22之外徑與腔室蓋部23之外徑大致相等。
腔室蓋部23具備蓋本體部233、蓋底面部234、及筒狀部230。蓋本體部233係以中心軸J1為中心之有蓋大致圓筒狀。換言之，蓋本體部233為將上下反轉之杯狀。於蓋本體部233之側壁部，設置有側部開口239。於圖16所示之狀態中，側部開口239 與外側開口112於水平方向對向。於向腔室21內搬入及向腔室21外搬出基板9時，基板9通過側部開口239。於蓋本體部233，進而設置有側部開口開閉機構39。側部開口開閉機構39係藉由使擋板391旋動，而開閉側部開口239。側部開口開閉機構39亦可為使擋板391於上下方向移動者等。
蓋底面部234為以中心軸J1為中心之大致圓環板 狀，且於中央部設置有大致圓形之下部開口232。蓋底面部234係自蓋本體部233之下端部朝徑向內側擴展。上文敍述之蓋內部空間231為由蓋本體部233及蓋底面部234包圍之空間。關於以中心軸J1為中心之徑向，蓋內部空間231之大小較下部開口232之大小(即直徑)大。蓋底面部234之上表面235及下表面236為隨著朝向徑向外側而朝向下方之傾斜面。於腔室蓋部23之蓋底面部234與蓋本體部233之連接部，設置有蓋部排出口237。經由蓋部排出口237而將蓋內部空間231內之液體及氣體排出。筒狀部230為以中心軸J1為中心之大致圓筒狀，且自蓋底面部234之外緣部朝下方延伸。
腔室本體22具備外筒部223、及本體底部226。外筒 部223係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。外筒部223遍及全周而位於腔室蓋部23之筒狀部230之徑向外側。外筒部223係例如分別為周狀之數條山褶線與分別為周狀之數條谷褶線於上下方向交替地排列之伸縮管。於外筒部223之下方，配置有有底大致圓筒狀之本體底部226。外筒部223之下端部遍及全周連接於本體底部226之側壁部之上端部。於本體底部226之底面部，設置有本體排出口226a。經由本體排出口226a而將腔室本體22內之液體及氣體朝腔室本體22外(即腔室21外)排出。於本體底部226，亦可設置 有沿周向排列之數個本體排出口226a。
腔室本體22具有由外筒部223之上端部所形成(包圍) 之大致圓形之上部開口222。上部開口222與腔室蓋部23之下部開口232於上下方向對向。上部開口222較腔室蓋部23之下部開口232大。上部開口222由腔室蓋部23覆蓋。外筒部223之上端部係藉由外筒連接部224而與腔室蓋部23之外緣部連接。具體而言，外筒連接部224為以中心軸J1為中心之大致圓環板狀，於筒狀部230之外側，將外筒部223之上端部與蓋底面部234之外緣部連接。 藉由外筒連接部224而將外筒部223之上端部與筒狀部230之間之間隙封閉。於基板處理裝置1b中，藉由腔室蓋部23及腔室本體22，而形成於內部具有密閉空間(即，包含蓋內部空間231及本體內部空間221之空間，以下稱為「腔室空間」)之腔室21。上文敍述之殼體11覆蓋腔室蓋部23及腔室本體22之側方、上方及下方。
基板保持部31係以中心軸J1為中心之大致圓板狀， 且設置於腔室21內。基板保持部31配置於基板9之下方，且將基板9之外緣部以水平狀態保持。基板保持部31之直徑大於基板9之直徑。基板保持部31之直徑略微小於腔室蓋部23之下部開口232之直徑。於沿上下方向觀察之情形時，基板9及基板保持部31配置於腔室蓋部23之下部開口232內。基板旋轉機構35係於腔室21內配置於基板保持部31之下方。基板旋轉機構35係以中心軸J1為中心使基板9與基板保持部31一同進行旋轉。
遮蔽板51係以中心軸J1為中心之大致圓板狀。遮蔽 板51配置於腔室蓋部23之內部空間即蓋內部空間231。遮蔽板51之徑向之大小(即直徑)較理想為大於腔室蓋部23之下部開口232 之直徑。如下所述，遮蔽板51可將腔室蓋部23之下部開口232封閉。遮蔽板51與保持於基板保持部31之基板9之上表面91於上下方向對向。
遮蔽板旋轉機構55配置於遮蔽板51之上方。遮蔽板 旋轉機構55例如為中空軸馬達。藉由遮蔽板旋轉機構55，遮蔽板51於腔室蓋部23之蓋內部空間231以中心軸J1為中心進行旋轉。 利用遮蔽板旋轉機構55之遮蔽板51之旋轉與利用基板旋轉機構35之基板9之旋轉係獨立地進行。
遮蔽板旋轉機構55之旋轉軸551係經由設置於殼體 11之上部之貫通孔、及設置於腔室蓋部23之上部之貫通孔而連接於遮蔽板51。殼體11之該貫通孔之周圍之部位與腔室蓋部23之該貫通孔之周圍之部位係藉由可於上下方向伸縮之大致圓筒狀之伸縮構件111(例如伸縮管)而連接。又，於旋轉軸551設置有大致圓板狀之凸緣部553，凸緣部553之外周部與殼體11之上述貫通孔之周圍之部位係藉由可於上下方向伸縮之大致圓筒狀之伸縮構件552(例如伸縮管)而連接。於基板處理裝置1b中，藉由凸緣部553及伸縮構件552而將殼體11內之空間與殼體11外之空間隔離。又，藉由伸縮構件111而將腔室蓋部23內之空間與殼體11內且腔室蓋部23外之空間隔離。如此，蓋本體部233之中央部之貫通孔係由伸縮構件111、552、殼體11之上部之一部分、及凸緣部553封閉。 將該貫通孔封閉之該等構件可理解為蓋本體部233之一部分。又，藉由伸縮構件111、552而形成之筒狀之空間為蓋內部空間231之一部分。
第1移動機構41例如配置於殼體11之上側。第1移 動機構41與遮蔽板旋轉機構55一同使遮蔽板51於上下方向移動。 遮蔽板51係藉由第1移動機構41而於腔室蓋部23之蓋內部空間231於上下方向移動。於圖16所示之狀態下，遮蔽板51配置於與腔室蓋部23之頂蓋部238接近之位置、即遠離基板保持部31上之基板9之上表面91之位置(以下，稱為「遠離位置」)。如上所述，遮蔽板51較腔室蓋部23之下部開口232大，故而遮蔽板51不會經由下部開口232而朝蓋底面部234之下方移動。換言之，遮蔽板51可將下部開口232封閉。第1移動機構41例如具備馬達及滾珠螺桿(於第2移動機構42中亦相同)。
第2移動機構42配置於腔室本體22之側方，使腔室 蓋部23於上下方向移動。具體而言，腔室蓋部23係藉由第2移動機構42而於圖16所示之「下位置」與圖17所示之「上位置」之間移動。於腔室蓋部23配置於下位置之狀態下，下部開口232位於較基板保持部31上之基板9更為下方，於腔室蓋部23配置於較下位置更為上方之上位置之狀態下，下部開口232位於較基板保持部31上之基板9更為上方。於腔室蓋部23自下位置朝上位置移動時，遮蔽板51亦藉由第1移動機構41而於上下方向移動。實際上，遮蔽板51相對於腔室蓋部23之上下方向之相對位置變更。如此，第1移動機構41及第2移動機構42係使遮蔽板51於腔室蓋部23之蓋內部空間231相對於腔室蓋部23相對地於上下方向移動之遮蔽板移動機構。再者，於基板處理裝置1b中，腔室本體22之本體底部226及基板保持部31於上下方向不移動。
如圖16所示，於遮蔽板旋轉機構55之旋轉軸551 內，設置有上部中央噴嘴181。於上部中央噴嘴181之下端之中央 部，設置有向基板9之上表面91吐出處理液之處理液吐出口。自下述純水供給部814(參照圖18)送出之純水係自處理液吐出口吐出。又，於上部中央噴嘴181之下端，於處理液吐出口之周圍，設置有大致環狀之氣體吐出口。自下述惰性氣體供給部816送出之惰性氣體係自氣體吐出口朝遮蔽板51之下方之空間(即，遮蔽板51之下表面512與基板9之上表面91之間之空間)供給。上部中央噴嘴181之下端係於上下方向配置於與遮蔽板51之下表面512大致相同之位置。即，上部中央噴嘴181之處理液吐出口及氣體吐出口設置於遮蔽板51之下表面512之中央部。
於腔室蓋部23中，於蓋本體部233之頂蓋部238， 設置有數個蓋噴嘴182。數個蓋噴嘴182係於上下方向與遮蔽板51之上表面對向。數個蓋噴嘴182係以中心軸J1為中心呈周狀配置。
圖18係表示基板處理裝置1b所具備之氣液供給部 18及氣液排出部19之方塊圖。氣液供給部18具備處理液供給部811、及氣體供給部812。處理液供給部811具備上部中央噴嘴181、藥液供給部813、及純水供給部814。藥液供給部813及純水供給部814係經由閥而連接於上部中央噴嘴181。氣體供給部812具備上部中央噴嘴181、數個蓋噴嘴182、及惰性氣體供給部816。惰性氣體供給部816經由閥而連接於上部中央噴嘴181。又，惰性氣體供給部816亦經由閥而連接於數個蓋噴嘴182。於氣液供給部18中，上部中央噴嘴181由處理液供給部811及氣體供給部812所共有。處理液供給部811及氣體供給部812可由相互獨立之構成要素構成。又，設置於腔室21之噴嘴之配置可適當變更。
氣液排出部19具備本體排出口226a、蓋部排出口 237、氣液分離部193、本體排氣部194、藥液回收部195、排液部196、氣液分離部197、蓋排氣部198、及排液部199。設置於腔室本體22之本體排出口226a連接於氣液分離部193。氣液分離部193分別經由閥而連接於本體排氣部194、藥液回收部195及排液部196。設置於腔室蓋部23之蓋部排出口237連接於氣液分離部197。 氣液分離部197分別經由閥而連接於蓋排氣部198及排液部199。 氣液供給部18及氣液排出部19之各構成係由控制部10控制。第1移動機構41、第2移動機構42、基板旋轉機構35及遮蔽板旋轉機構55(參照圖16)亦由控制部10控制。
自藥液供給部813經由上部中央噴嘴181對基板9上 供給之藥液例如為聚合物去除液、或者氫氟酸或氫氧化四甲基銨水溶液等蝕刻液。純水供給部814係經由上部中央噴嘴181而對基板9供給純水(DIW：deionized water)。處理液供給部811亦可具備供給除上述藥液及純水以外之處理液(例如異丙醇(IPA)等溶劑、或者其他酸或鹼溶液、去除液等)之其他供給部。自惰性氣體供給部816供給之氣體例如為氮氣(N2)。氣體供給部812亦可具備供給除氮氣以外之惰性氣體、或除惰性氣體以外之氣體之其他供給部。
其次，一面參照圖19，一面對利用基板處理裝置1b 所進行之基板9之處理之流程進行說明。於基板處理裝置1b中，首先，如圖16所示，於腔室蓋部23位於下位置之狀態下，藉由側部開口開閉機構39而將側部開口239打開，並且藉由外側開口開閉機構12而將外側開口112打開。換言之，將腔室21及殼體11打開。
繼而，藉由外部之搬送機構，基板9依序通過外側開 口112及側部開口239，而搬入至蓋內部空間231內。基板9朝配置於遠離位置之遮蔽板51之下方移動，自該搬送機構交接至基板保持部31(步驟S311)。於步驟S311中，基板9於較腔室蓋部23之下部開口232更為上方由基板保持部31保持。若搬送機構朝殼體11外移動，則側部開口239及外側開口112被封閉。
此處，於基板處理裝置1b中，原則上始終進行自氣 體供給部812(參照圖18)之數個蓋噴嘴182對蓋內部空間231供給氮氣、及自蓋部排出口237排出蓋內部空間231內之氣體。又，如下所述，於即將使腔室21打開之前，於蓋內部空間231中，維持填充有氮氣之狀態(即，為成為氮氣氛圍(低氧氛圍)之狀態，以下稱為「氣體填充狀態」)。因此，可於將基板9配置於蓋內部空間231之後，使基板9之周圍迅速地成為氣體填充狀態。
繼而，藉由第2移動機構42驅動，腔室蓋部23自圖 16所示之下位置上升，而移動至圖17所示之上位置。換言之，藉由第2移動機構42，基板9與基板保持部31一同相對於腔室21相對地下降。第2移動機構42為使基板9與基板保持部31一同相對於腔室21於上下方向相對地移動之基板移動機構。此時，藉由第1移動機構41驅動，遮蔽板51相對於腔室蓋部23之相對位置略微變更。具體而言，藉由第1移動機構41，遮蔽板51略微接近腔室蓋部23之下部開口232，且配置於蓋底面部234與頂蓋部238之間之大致中間之位置。
如上所述，腔室蓋部23自下位置朝上位置移動，藉 此，於腔室21內，基板9自蓋內部空間231經由下部開口232而朝本體內部空間221移動(步驟S312)。藉此，筒狀部230於蓋底面 部234之下方遍及全周而位於基板9及基板保持部31之徑向外側。 實際上，藉由腔室蓋部23自下位置朝上位置移動，由腔室本體22及腔室蓋部23之下表面(蓋底面部234之下表面236)包圍之本體內部空間221變大。此時，蓋內部空間231成為氣體填充狀態，藉此，本體內部空間221之基板9之周圍亦成為氮氣之濃度較高(氧氣濃度較低)之狀態。
當基板9位於本體內部空間221時，使利用基板旋轉 機構35之基板9之旋轉開始。又，自藥液供給部813(參照圖18)對上部中央噴嘴181供給藥液，自蓋內部空間231內之上部中央噴嘴181，經由下部開口232而對本體內部空間221內之基板9之上表面91供給藥液(步驟S313)。
來自上部中央噴嘴181之藥液係連續地供給至進行 旋轉之基板9之上表面91。藥液因離心力而於上表面91上朝徑向外側擴散，整個上表面91被藥液被覆。自進行旋轉之基板9之外周緣飛散之藥液係由蓋底面部234之下表面236及筒狀部230之內側面接收，且被朝配置於筒狀部230之下方之本體排出口226a引導。如此，蓋底面部234及筒狀部230發揮作為接收自基板9飛散之處理液之護罩部之作用。通過本體排出口226a之藥液流入至圖18所示之氣液分離部193。於藥液回收部195中，自氣液分離部193回收藥液，且經由過濾器等而自藥液去除雜質等之後，進行再利用。
於基板處理裝置1b中，較佳為於進行對基板9供給 藥液之期間，亦如上所述，持續利用氣體供給部812供給氮氣，而確保腔室空間之氮氣氛圍(於下述純水之供給時相同)。又，亦可自上部中央噴嘴181之氣體吐出口亦吐出氮氣，而更確實地確保基板 9之周圍之氮氣氛圍。
當自開始供給藥液後經過特定時間時，停止自上部中 央噴嘴181對基板9供給藥液。繼而，藉由純水供給部814(參照圖18)而經由上部中央噴嘴181將作為沖洗液之純水供給至基板9之上表面91(步驟S314)。來自純水供給部814之純水係連續地供給至基板9之上表面91之中央部。純水係藉由基板9之旋轉而朝上表面91之外周部擴散，且自基板9之外周緣朝外側飛散。自基板9飛散之純水由蓋底面部234之下表面236及筒狀部230之內側面接收，並被引導至本體排出口226a。通過本體排出口226a之純水係經由氣液分離部193及排液部196(參照圖18)而被廢棄。當自開始供給純水後經過特定時間時，停止自純水供給部814供給純水。
當結束對基板9供給處理液(藥液及純水)時，藉由第 2移動機構42驅動，腔室蓋部23自圖17所示之上位置下降，朝圖20所示之下位置移動。換言之，藉由第2移動機構42，基板9與基板保持部31一同相對於腔室21相對地上升。此時，藉由第1移動機構41驅動，遮蔽板51相對於腔室蓋部23之相對位置未變更。 即，藉由第1移動機構41，而維持將遮蔽板51配置於蓋底面部234與頂蓋部238之間之大致中間之位置之狀態。
如上所述，腔室蓋部23自上位置朝下位置移動，藉 此，於腔室21內，基板9自本體內部空間221經由下部開口232而朝蓋內部空間231移動(步驟S315)。如圖20所示，於蓋內部空間231中，基板9之上表面91與遮蔽板51之下表面512於上下方向對向並接近。即，遮蔽板51配置於在上下方向與基板9之上表面91接近之位置(以下，稱為「接近位置」)。又，基板保持部31 之外緣與蓋底面部234之內緣(下部開口232之邊緣)之間之間隙之寬度微小，藉由基板保持部31而將蓋內部空間231與本體內部空間221大致隔開。
繼而，配置於蓋內部空間231之基板9係藉由基板旋 轉機構35而與基板保持部31一同以中心軸J1為中心以相對較高之速度進行旋轉。藉此，基板9上之處理液(主要為純水)朝徑向外側移動，自基板9之外緣朝周圍飛散。其結果，可去除基板9上之處理液(步驟S316)。以下，將步驟S316之處理稱為「乾燥處理」。 步驟S316中之基板9之旋轉速度快於步驟S313、S314中之基板9之旋轉速度。
於步驟S316中，自進行旋轉之基板9飛散之處理液 被蓋本體部233之內側面及蓋底面部234之上表面235接收，朝向蓋本體部233與蓋底面部234之連接部移動。該處理液(即，於步驟S316中自基板9上去除之處理液)係經由蓋部排出口237、氣液分離部197及排液部199(參照圖18)而被廢棄。於腔室蓋部23中，如上所述，蓋底面部234之上表面235為隨著朝向徑向外側而朝向下方之傾斜面。因此，可防止上表面235上之處理液朝中央之下部開口232移動。又，由於上表面235上之處理液迅速地朝徑向外側移動，故而可實現自蓋內部空間231之處理液之迅速排出。
於在蓋內部空間231中基板9進行旋轉時，藉由遮蔽 板旋轉機構55，遮蔽板51於接近位置朝與基板9相同之旋轉方向以與基板9之旋轉速度大致相等之旋轉速度，以中心軸J1為中心進行旋轉。藉由將遮蔽板51配置於接近位置，可抑制(或防止)自基板9飛散之處理液於蓋本體部233之內側面飛濺並再附著於基板9 之上表面91。又，藉由遮蔽板51進行旋轉，可使附著於遮蔽板51之上表面及下表面512之處理液朝周圍飛散，從而可自遮蔽板51上去除。
於步驟S316中之乾燥處理中，除數個蓋噴嘴182以 外，亦自上部中央噴嘴181吐出氮氣。即，經由上部中央噴嘴181之氣體吐出口，而對遮蔽板51之下表面512與基板9之上表面91之間之空間供給氮氣。藉此，可自基板9與遮蔽板51之間之空間更迅速地排出處理液，從而可促進基板9之乾燥。於乾燥處理中，自氣體供給部812對蓋內部空間231連續地供給氮氣，藉此，蓋內部空間231成為被乾燥之氮氣填充之氣體填充狀態。此時，主要藉由蓋排氣部198而將蓋內部空間231內之氣體排出。
當基板9之乾燥處理結束時，使利用基板旋轉機構 35之基板9之旋轉停止。又，藉由第1移動機構41驅動，遮蔽板51自圖20所示之接近位置上升，如圖16所示般配置於遠離位置。 繼而，側部開口239及外側開口112打開，而使腔室21及殼體11打開。被實施上述一系列之處理之基板9係於腔室21內交接至外部之搬送機構。繼而，該基板9係藉由該搬送機構而依序通過側部開口239及外側開口112，而搬出至殼體11外(步驟S317)。若搬送機構朝殼體11外移動，則側部開口239及外側開口112被封閉。
於基板處理裝置1b中，於存在下一處理對象之基板 9之情形時(步驟S318)，返回至步驟S311，並將該基板9搬入至蓋內部空間231。此時，於即將打開腔室21之前之乾燥處理(前一步驟S316中之乾燥處理)中，蓋內部空間231成為氣體填充狀態，故而於將基板9配置於蓋內部空間231之後，可使基板9之周圍迅速 地成為氣體填充狀態。繼而，與上述同樣地進行步驟S312~S317之處理。
另一方面，於不存在下一處理對象之基板9之情形時 (步驟S318)，藉由第1移動機構41及第2移動機構42驅動，如圖21所示，腔室蓋部23移動至上位置，並且遮蔽板51與腔室蓋部23之下部開口232重疊。具體而言，遮蔽板51之下表面512之外周部遍及全周與蓋底面部234之上表面235中之下部開口232附近之部位接觸。藉此，腔室蓋部23之下部開口232被遮蔽板51封閉，蓋內部空間231與本體內部空間221被隔開(步驟S319)。又，藉由自數個蓋噴嘴182對蓋內部空間231持續地供給氮氣，而維持蓋內部空間231被乾燥之氮氣填充之氣體填充狀態。因此，亦進行蓋內部空間231之乾燥(濕度之降低)、即腔室蓋部23之內表面、及、遮蔽板51之上表面之乾燥。
此時，下部開口232未必一定藉由遮蔽板51而密閉， 只要遮蔽板51與下部開口232重疊，則於遮蔽板51與蓋底面部234之間亦可存在微小之間隙。實際上，於準備下一處理對象之基板9之前，下部開口232維持被遮蔽板51封閉之狀態。繼而，當準備有下一處理對象之基板9時，開始(重新開始)圖19所示之基板9之處理。
如以上所作說明般，於基板處理裝置1b中，於將基 板9配置於本體內部空間221時，對基板9之上表面91供給處理液，於將基板9配置於蓋內部空間231時，一面使基板9旋轉一面使用來自氣體供給部812之氣體使基板9乾燥。如此，於剛搬入至腔室21內之後，配置有基板9之蓋內部空間231為進行使用氣體 之乾燥處理(針對此前進行處理之基板9之乾燥處理)之空間，藉此，可於搬入至腔室21內之後，使基板9之周圍迅速且高效率地成為氣體填充狀態。
又，使自氣體供給部812供給之氣體為氮氣等惰性氣體，藉此，可迅速地進行低氧氛圍中之基板9之利用處理液之處理。其結果，可抑制設置於基板9之上表面91上之金屬膜之氧化等。於乾燥處理中，氣體供給部812經由設置於遮蔽板51之下表面512之中央部之氣體吐出口而對遮蔽板51之下表面512與基板9之上表面91之間之空間供給氣體，藉此，可高效率地使基板9乾燥。
於殼體11中，設置有可開閉之外側開口112，藉此，可抑制外部氣體進入至蓋內部空間231。又，於在腔室21內未配置有基板9之期間，遮蔽板51將下部開口232封閉，藉此，於蓋內部空間231中可容易地維持氣體填充狀態。
上述基板處理裝置1b可進行各種變形。
於殼體11中，設置有氣體供給部812之氣體吐出口，除蓋內部空間231以外，可對殼體11內供給氣體。此情形時，可進而抑制外部氣體進入至蓋內部空間231。
根據針對基板9之處理之種類，可藉由處理液供給部811而對基板9之上表面91供給處理液之液滴或蒸氣。
於圖16所示之例中，上述基板移動機構包含使腔室蓋部23移動之第2移動機構42，但基板移動機構例如亦可為使基板保持部31於腔室21內在上下方向移動之機構。
又，於圖16所示之例中，遮蔽板移動機構包含使遮蔽板51移動之第1移動機構41、及使腔室蓋部23移動之第2移動 機構42，但就將遮蔽板51選擇性地配置於接近位置與遠離位置之觀點而言，如上述般使基板保持部31於上下方向移動之基板移動機構亦可兼作為遮蔽板移動機構。
於腔室本體22中，亦可將呈同心圓狀配置之數個護 罩設置於筒狀部230之內側。此情形時，較佳為於切換對基板9上供給之處理液之種類時，亦切換接收來自基板9之處理液之護罩(亦包含筒狀部230)。藉此，於利用數種處理液時，可容易地分別回收或廢棄數種處理液。
於基板處理裝置1b中，亦可進行針對除半導體基板以外之各種基板之處理。
上述實施形態及各變形例中之構成只要不相互矛盾，便可適當地進行組合。
詳細地描述說明了發明，但已敍述之說明為例示性，而並非限定性。因此，可謂只要不脫離本發明之範圍便可實現數種變形或樣態。
1‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧基板
11‧‧‧殼體
21‧‧‧腔室
22‧‧‧腔室本體
23‧‧‧腔室蓋部
31‧‧‧基板保持部
35‧‧‧基板旋轉機構
41‧‧‧第1移動機構
42‧‧‧第2移動機構
43‧‧‧第3移動機構
51‧‧‧遮蔽板
55‧‧‧遮蔽板旋轉機構
91‧‧‧(基板之)上表面
92‧‧‧下表面
111、552‧‧‧伸縮構件
180‧‧‧下部噴嘴
181‧‧‧上部中央噴嘴
182‧‧‧外側蓋噴嘴
186‧‧‧掃描噴嘴
189‧‧‧內側蓋噴嘴
221‧‧‧本體內部空間
222‧‧‧上部開口
223‧‧‧外筒部
224‧‧‧外筒連接部
225‧‧‧護罩部
226‧‧‧本體底部
226a‧‧‧本體排出口
227a‧‧‧護罩側壁部
227b‧‧‧護罩頂蓋部
231‧‧‧蓋內部空間
232‧‧‧下部開口
233‧‧‧蓋本體部
234‧‧‧蓋底面部
235‧‧‧(蓋底面部之)上表面
236‧‧‧下表面
237‧‧‧蓋部排出口
238‧‧‧頂蓋部
511‧‧‧(遮蔽板之)上表面
512‧‧‧(遮蔽板之)下表面
551‧‧‧旋轉軸
553‧‧‧凸緣部
863‧‧‧頭旋轉機構
J1‧‧‧中心軸

Claims (32)

  1. 一種基板處理裝置，其為對基板進行處理者，其具備有：腔室蓋部，其具有下部開口，且形成有徑向之大小為大於上述下部開口的蓋內部空間；腔室本體，其形成有本體內部空間，並且具有在上下方向上與上述下部開口產生對向之上部開口，且上述上部開口被上述腔室蓋部加以覆蓋，藉此與上述腔室蓋部一同形成腔室；基板保持部，其在上述腔室內以水平狀態對基板進行保持；吐出部，其配置在上述蓋內部空間，且朝向上述基板之上表面而將處理液加以吐出；吐出部移動機構，其以選擇性之方式將上述吐出部配置在上述下部開口之上方的吐出位置、及在上述蓋內部空間中於上述徑向上遠離上述下部開口的待機位置；氣體供給部，其對上述蓋內部空間供給氣體；排氣部，其將上述蓋內部空間內之氣體加以排出；以及控制部，其藉由對上述吐出部移動機構進行控制，而在自上述吐出部對上述基板供給處理液之時，將上述吐出部配置在上述吐出位置，在自上述吐出部對上述基板非供給處理液之期間中之上述吐出部之乾燥時，將上述吐出部配置在上述待機位置；上述腔室蓋部具備有：蓋本體部，其呈將上下加以反轉之杯狀；以及環狀之蓋底面部，其自上述蓋本體部之下端部朝向上述徑向內側進行擴展，並且在中央部設置有上述下部開口；上述待機位置為上述蓋底面部之上方。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有：遮蔽板，其配置在上述蓋內部空間，且對向於上述基板之上述上表面；以及遮蔽板移動機構，其在上述蓋內部空間中相對於上述腔室蓋部而以相對之方式將上述遮蔽板移動在上述上下方向上；且上述控制部係藉由對上述遮蔽板移動機構進行控制，而在自上述吐出部對上述基板供給處理液之時，將上述遮蔽板配置在上述吐出部之上方，在自上述吐出部對上述基板非供給處理液之期間中之上述吐出部之乾燥時，藉由上述遮蔽板將上述下部開口加以封閉。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述腔室蓋部係更進一步具備有將上述蓋內部空間內之液體加以排出之排出口，在上述吐出部被配置在上述待機位置之狀態下，進行預噴射。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，上述蓋底面部之上表面係隨著朝向上述徑向外側而朝向下方，上述排出口係被設置在上述腔室蓋部之上述蓋底面部與上述蓋本體部的連接部。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板處理裝置，其中，上述吐出部係具備有：吐出頭，其吐出處理液；以及頭支持部，其為延伸於水平方向的構件，且在自由端部上固定有上述吐出頭，固定端部為在上述蓋內部空間中被安裝在上述腔室蓋部；且 上述吐出部移動機構係具備有頭旋轉機構，該頭旋轉機構係以上述固定端部為中心而使上述吐出頭與上述頭支持部一同進行旋轉。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，上述頭旋轉機構係設置在上述腔室蓋部之上表面。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有腔室開閉機構，該腔室開閉機構係相對於上述腔室本體而以相對之方式將上述腔室蓋部移動在上述上下方向上，且藉由上述腔室蓋部將上述腔室本體之上述上部開口加以覆蓋，藉此形成在內部中配置有上述基板之上述腔室。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中，在上述腔室被形成之前，藉由上述氣體供給部而對上述蓋內部空間供給氣體且對上述蓋內部空間填充上述氣體。
  9. 一種基板處理裝置，其為對基板進行處理者，其具備有：腔室蓋部，其具有下部開口，且形成有蓋內部空間；腔室本體，其形成有本體內部空間，並且具有在上下方向上與上述下部開口產生對向之上部開口，且上述上部開口被上述腔室蓋部加以覆蓋，藉此與上述腔室蓋部一同形成腔室；基板保持部，其在上述腔室內以水平狀態對基板進行保持；腔室開閉機構，其係相對於上述腔室本體而以相對之方式將上述腔室蓋部移動在上述上下方向上，並且藉由上述腔室蓋部將上述腔室本體之上述上部開口加以覆蓋，藉此形成在內部中配置有上述基板之上述腔室；基板移動機構，其相對於上述腔室而以相對之方式將上述基板與 上述基板保持部一同移動在上述上下方向上；處理液供給部，其將處理液供給至被配置在上述本體內部空間時之上述基板的上表面；基板旋轉機構，其使被配置在上述蓋內部空間時之上述基板與上述基板保持部一同而以朝向上述上下方向之中心軸為中心進行旋轉；遮蔽板，其配置在上述蓋內部空間，且對向於上述基板之上述上表面；遮蔽板旋轉機構，其以朝向上述上下方向之中心軸為中心而使上述遮蔽板進行旋轉；以及清洗液供給部，其將清洗液供給至上述遮蔽板的上表面；且在上述蓋內部空間中，被供給至產生旋轉之上述遮蔽板之上述上表面的清洗液係藉由離心力而自上述遮蔽板之上述上表面而朝向上述腔室蓋部之內側面產生飛散，在上述腔室被形成之前，在上述遮蔽板將上述腔室蓋部之上述下部開口加以封閉之狀態下，對上述蓋內部空間供給氣體且對上述蓋內部空間填充上述氣體。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有：氣體供給部，其對上述蓋內部空間供給氣體；以及排氣部，其將上述蓋內部空間內之氣體加以排出。
  11. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有遮蔽板移動機構，該遮蔽板移動機構係在上述蓋內部空間中相對於上述腔室蓋部 而以相對之方式將上述遮蔽板移動在上述上下方向上。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中，上述處理液供給部係具備有：吐出部，其配置在上述蓋內部空間，且朝向上述基板之上述上表面而將處理液加以吐出；以及吐出部移動機構，其以選擇性之方式將上述吐出部配置在上述下部開口之上方的吐出位置、及在上述蓋內部空間中於上述徑向上遠離上述下部開口的待機位置；且在自上述吐出部而對上述基板供給處理液之時，上述吐出部係配置在上述吐出位置，且上述遮蔽板係配置在上述吐出部之上方，在自上述吐出部而對上述基板非供給處理液之時，上述吐出部係配置在上述待機位置，在於上述遮蔽板之上述上表面上被供給有清洗液之時，清洗液係自上述遮蔽板之上述上表面而朝向位在上述待機位置之上述吐出部產生飛散。
  13. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，在於上述遮蔽板之上述上表面上被供給有清洗液之期間，藉由上述處理液供給部而將處理液供給至被配置在上述本體內部空間之上述基板的上述上表面。
  14. 如申請專利範圍第9至13項中任一項之基板處理裝置，其中，上述腔室蓋部係具備有：蓋本體部，其呈將上下加以反轉之杯狀；蓋底面部，其呈環狀，且上表面為隨著朝向上述徑向外側而朝向下方，該環狀係自上述蓋本體部之下端部而朝向上述徑向內側進行 擴展，並且在中央部設置有上述下部開口；以及排出口，其被設置在上述蓋底面部與上述蓋本體部的連接部，將上述蓋內部空間內之液體加以排出。
  15. 如申請專利範圍第9至13項中任一項之基板處理裝置，其中，上述清洗液供給部亦將清洗液供給至上述遮蔽板之下表面。
  16. 一種基板處理裝置，其為對基板進行處理者，其具備有：腔室蓋部，其具有下部開口，且形成有徑向之大小為大於上述下部開口的蓋內部空間；腔室本體，其形成有本體內部空間，並且與上述腔室蓋部一同形成腔室；基板保持部，其在上述本體內部空間以水平狀態對基板進行保持；處理液供給部，其將處理液供給至上述基板之上表面；遮蔽板，其配置在上述蓋內部空間，且對向於上述基板之上述上表面，且可將上述下部開口加以封閉；遮蔽板旋轉機構，其以朝向上下方向之中心軸為中心而使上述遮蔽板進行旋轉；以及膜形成液供給部，其將膜形成液供給至上述遮蔽板之上表面；且上述腔室蓋部係具備有：蓋本體部，其呈將上下加以反轉之杯狀；以及環狀之蓋底面部，其自上述蓋本體部之下端部而朝向徑向內側進行擴展，並且在中央部設置有上述下部開口；且上述膜形成液供給部係具備有數個膜形成液吐出口，該等數個膜形成液吐出口係以上述中心軸為中心而被配置呈周狀，並且朝向上 述遮蔽板之上述上表面將膜形成液加以吐出，在上述腔室內，在上述遮蔽板自上述腔室蓋部之上述下部開口而遠離至上方之狀態下，被供給至產生旋轉之上述遮蔽板之上述上表面的膜形成液係藉由離心力而自上述遮蔽板之上述上表面而流動朝向上述蓋底面部之上表面，藉此在上述遮蔽板與上述蓋底面部之間，形成有環狀之液膜。
  17. 一種基板處理裝置，其為對基板進行處理者，其具備有：腔室蓋部，其具有下部開口，且形成有徑向之大小為大於上述下部開口的蓋內部空間；腔室本體，其形成有本體內部空間，並且與上述腔室蓋部一同形成腔室；基板保持部，其在上述本體內部空間以水平狀態對基板進行保持；處理液供給部，其將處理液供給至上述基板之上表面；遮蔽板，其配置在上述蓋內部空間，且對向於上述基板之上述上表面，且可將上述下部開口加以封閉；遮蔽板旋轉機構，其以朝向上下方向之中心軸為中心而使上述遮蔽板進行旋轉；以及膜形成液供給部，其將膜形成液供給至上述遮蔽板之上表面；且上述腔室蓋部係具備有：蓋本體部，其呈將上下加以反轉之杯狀；以及環狀之蓋底面部，其自上述蓋本體部之下端部而朝向徑向內側進行擴展，並且在中央部設置有上述下部開口；且在上述腔室內，在上述遮蔽板自上述腔室蓋部之上述下部開口而 遠離至上方之狀態下，被供給至產生旋轉之上述遮蔽板之上述上表面的膜形成液係藉由離心力而自上述遮蔽板之上述上表面而流動朝向上述蓋底面部之上表面，藉此在上述遮蔽板與上述蓋底面部之間，形成有環狀之液膜，與上述液膜之形成並行地，自較上述遮蔽板更上方對上述蓋內部空間供給氣體而對上述蓋內部空間填充上述氣體。
  18. 如申請專利範圍第16或17項之基板處理裝置，其中，更進一步具備氣體供給部，該氣體供給部係自被設置在上述遮蔽板之下表面之中央部的氣體吐出口而將氣體供給至上述遮蔽板之上述下表面與上述基板之上述上表面之間的空間。
  19. 如申請專利範圍第16或17項之基板處理裝置，其中，上述處理液供給部係具備有：吐出頭，其吐出處理液；以及頭支持部，其為延伸於水平方向的構件，且在自由端部上固定有上述吐出頭，固定端部為在上述蓋內部空間中被安裝在上述腔室蓋部之上述蓋本體部；且上述基板處理裝置係更進一步具備有頭旋轉機構，該頭旋轉機構係以上述固定端部為中心而使上述吐出頭與上述頭支持部一同進行旋轉，在於上述基板上被供給有處理液之時，藉由上述頭旋轉機構而使上述吐出頭及上述頭支持部產生旋轉，藉此，將上述吐出頭配置在上述遮蔽板與上述下部開口之間，自上述吐出頭而經由上述下部開口將處理液吐出至上述基板之上述上表面。
  20. 如申請專利範圍第16或17項之基板處理裝置，其中，上述遮蔽板之上述上表面係對於自上述膜形成液供給部所供給之膜形成液而具有親液性。
  21. 如申請專利範圍第16或17項之基板處理裝置，其中，上述遮蔽板之上述上表面係為隨著朝向上述徑向外側而朝向下方之傾斜面。
  22. 如申請專利範圍第16或17項之基板處理裝置，其中，上述蓋底面部之上述上表面係隨著朝向上述徑向外側而朝向下方，在上述腔室蓋部之上述蓋底面部與上述蓋本體部的連接部，設置有將上述蓋內部空間內之膜形成液加以排出之排出口。
  23. 如申請專利範圍第16或17項之基板處理裝置，其中，於形成上述腔室之前，在上述遮蔽板與上述腔室蓋部之上述下部開口產生重疊之狀態下，自較上述遮蔽板為更上方而對上述蓋內部空間供給氣體且對上述蓋內部空間填充上述氣體。
  24. 一種基板處理裝置，其為對基板進行處理者，其具備有：腔室蓋部，其具有下部開口及側部開口，且形成有蓋內部空間；腔室本體，其形成有本體內部空間，並且具有在上下方向上與上述下部開口產生對向之上部開口，且與將上述上部開口加以覆蓋之上述腔室蓋部一同形成腔室；基板保持部，其在上述腔室內以水平狀態對基板進行保持；側部開口開閉機構，其在朝向上述腔室內進行搬入及朝向上述腔室外進行搬出上述基板之時，對上述基板所通過之上述側部開口進行開閉； 基板移動機構，其相對於上述腔室而以相對之方式將上述基板與上述基板保持部一同移動在上述上下方向上；處理液供給部，其將處理液供給至被配置在上述本體內部空間時之上述基板的上表面；基板旋轉機構，其使被配置在上述蓋內部空間時之上述基板與上述基板保持部一同以朝向上述上下方向之中心軸為中心進行旋轉，藉此使上述基板產生乾燥；以及氣體供給部，其對上述蓋內部空間供給氣體；上述腔室蓋部具備有：蓋本體部，其呈將上下加以反轉之杯狀；以及環狀之蓋底面部，其自上述蓋本體部之下端部朝向上述逕向內側進行擴展，並且在中央部設置有上述下部開口；且在上述蓋本體部之側壁部設置有上述側部開口。
  25. 如申請專利範圍第24項之基板處理裝置，其進一步具備：遮蔽板，其配置在上述蓋內部空間，且對向於上述基板之上述上表面；以及遮蔽板移動機構，其以選擇性之方式將上述遮蔽板配置在接近至被配置在上述蓋內部空間之上述基板之上述上表面的接近位置、及遠離自上述基板之上述上表面的遠離位置。
  26. 如申請專利範圍第25項之基板處理裝置，其中，上述蓋內部空間之徑向之大小係大於上述下部開口，在於上述腔室內未配置有基板之期間，上述遮蔽板係將上述下部開口加以封閉。
  27. 如申請專利範圍第25項之基板處理裝置，其中， 上述氣體供給部係經由被設置在上述遮蔽板之下表面之中央部的氣體吐出口而將氣體供給至上述遮蔽板之上述下表面與上述基板之上述上表面之間的空間。
  28. 如申請專利範圍第24至27項中任一項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有排氣部，該排氣部係將上述蓋內部空間內之氣體加以排出。
  29. 如申請專利範圍第24至27項中任一項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有殼體，該殼體係將上述腔室蓋部及上述腔室本體之側方及上方加以覆蓋，並且具有在水平方向上與上述側部開口產生對向之外側開口；以及外側開口開閉機構，其對上述外側開口進行開閉。
  30. 一種基板處理方法，其為在基板處理裝置中對基板進行處理者，上述基板處理裝置係具備有：腔室蓋部，其具有下部開口，且形成有蓋內部空間；腔室本體，其形成有本體內部空間，並且具有在上下方向上與上述下部開口產生對向之上部開口，且上述上部開口被上述腔室蓋部加以覆蓋，藉此與上述腔室蓋部一同形成腔室；基板保持部，其在上述腔室內以水平狀態對基板進行保持；腔室開閉機構，其係相對於上述腔室本體而以相對之方式將上述腔室蓋部移動在上述上下方向上，並且藉由上述腔室蓋部將上述腔室本體之上述上部開口加以覆蓋，藉此形成在內部中配置有上述基板之上述腔室； 基板移動機構，其相對於上述腔室而以相對之方式將上述基板與上述基板保持部一同移動在上述上下方向上；處理液供給部，其將處理液供給至被配置在上述本體內部空間時之上述基板的上表面；基板旋轉機構，其使被配置在上述蓋內部空間時之上述基板與上述基板保持部一同而以朝上述上下方向之中心軸為中心進行旋轉；以及遮蔽板，其配置在上述蓋內部空間，且對向於上述基板之上述上表面；且上述基板處理方法係具備有以下之步驟：a)以朝向上述上下方向之中心軸為中心而使上述遮蔽板進行旋轉；以及b)與上述a)步驟並行地，將清洗液供給至上述遮蔽板之上表面；且在上述b)步驟中，上述清洗液係藉由離心力而自上述遮蔽板之上述上表面而朝向上述腔室蓋部之內側面產生飛散，在上述腔室被形成之前，在上述遮蔽板將上述腔室蓋部之上述下部開口加以封閉之狀態下，對上述蓋內部空間供給氣體且對上述蓋內部空間填充上述氣體。
  31. 一種基板處理方法，其為在基板處理裝置中對基板進行處理者，上述基板處理裝置係具備有：腔室蓋部，其具有下部開口，且形成有徑向之大小為大於上述下部開口的蓋內部空間； 腔室本體，其形成有本體內部空間，並且與上述腔室蓋部一同形成腔室；遮蔽板，其配置在上述蓋內部空間，且對向於上述基板之上表面，且可將上述下部開口加以封閉；遮蔽板旋轉機構，其以朝向上下方向之中心軸為中心而使上述遮蔽板進行旋轉；以及膜形成液供給部，其將膜形成液供給至上述遮蔽板之上表面；且上述腔室蓋部係具備有：蓋本體部，其以上述中心軸為中心；以及環狀之蓋底面部，其自上述蓋本體部之下端部而朝向徑向內側進行擴展，並且在中央部設置有上述下部開口；上述膜形成液供給部係具備有數個膜形成液吐出口，該等數個膜形成液吐出口係以上述中心軸為中心而被配置呈周狀，並且朝向上述遮蔽板之上述上表面將膜形成液加以吐出，上述基板處理方法係具備有以下之步驟：a)在上述腔室內，將膜形成液供給至在自上述腔室蓋部之上述下部開口而遠離至上方之狀態下而產生旋轉之上述遮蔽板的上述上表面，藉由利用離心力而自上述遮蔽板之上述上表面流動朝向上述蓋底面部之上表面的上述膜形成液，而在上述遮蔽板與上述蓋底面部之間，形成有環狀之液膜；以及b)在形成有上述液膜之狀態下，將處理液供給至上述基板之上述上表面。
  32. 一種基板處理方法，其為在基板處理裝置中對基板進行處理者， 上述基板處理裝置係具備有：腔室蓋部，其具有下部開口，且形成有徑向之大小為大於上述下部開口的蓋內部空間；腔室本體，其形成有本體內部空間，並且與上述腔室蓋部一同形成腔室；遮蔽板，其配置在上述蓋內部空間，且對向於上述基板之上表面，且可將上述下部開口加以封閉；以及遮蔽板旋轉機構，其以朝向上下方向之中心軸為中心而使上述遮蔽板進行旋轉；且上述腔室蓋部係具備有：蓋本體部，其以上述中心軸為中心；以及環狀之蓋底面部，其自上述蓋本體部之下端部而朝向徑向內側進行擴展，並且在中央部設置有上述下部開口；上述基板處理方法係具備有以下之步驟：a)在上述腔室內，將膜形成液供給至在自上述腔室蓋部之上述下部開口而遠離至上方之狀態下而產生旋轉之上述遮蔽板的上表面，藉由利用離心力而自上述遮蔽板之上述上表面流動朝向上述蓋底面部之上表面的上述膜形成液，而在上述遮蔽板與上述蓋底面部之間，形成有環狀之液膜；以及b)在形成有上述液膜之狀態下，將處理液供給至上述基板之上述上表面；與上述液膜之形成並行地，自較上述遮蔽板更上方對上述蓋內部空間供給氣體而對上述蓋內部空間填充上述氣體。
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