TWI559564B - A metal substrate, a base plate type thin film solar cell and a top emission type organic EL device - Google Patents
A metal substrate, a base plate type thin film solar cell and a top emission type organic EL device Download PDFInfo
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Description
本發明關於使用於底板型(Substrate-type)薄膜太陽能電池或頂部發光型有機EL元件的金屬基板,關於使披膜的表面平滑之同時,披膜的表面具有絕緣性的金屬基板。
使用非晶質矽或CdS‧CuInSe2等化合物半導體的所謂薄膜半導體太陽能電池(以下稱為薄膜太陽能電池),習知者有覆板型(Superstrate-type)薄膜太陽能電池及底板型薄膜太陽能電池等2種結構。
覆板型薄膜太陽能電池,通常為依序積層有基板、透明電極、光電轉換層、背面電極的結構,光係由基板側射入。底板型薄膜太陽能電池,通常為依序積層有基板、背面電極、光電轉換層、透明電極的結構,光係由透明電極側射入。
習知薄膜太陽能電池的基板係使用透光性之玻璃或塑膠等。但是,玻璃除容易破裂以外,亦不利於加
工,塑膠則具有透濕性,因此需要設置氣體阻障層,成本價位高。
但是,底板型薄膜太陽能電池係由透明電極側射入光,底板型薄膜太陽能電池之基板不要求透光性。因此,不使用玻璃或塑膠等基板,而是使用金屬板等雖不具透光性但有利於加工的基板。欲發揮薄膜太陽能電池之功能時,需要基板表面平滑,而且該表面需要具有絕緣性,但是金屬板本身之表面通常具有1μm左右以上之凹凸,且具有導電性,因此無法直接作為基板使用。若以滿足上述條件的方式在金屬板上形成披膜,即可以考慮以金屬板作為基板使用。以下的專利文獻1或2提案此種基板。
專利文獻1揭示,以金屬板作為基材,將有機系樹脂構成的膜厚1~40μm、表面粗度0.5μm以下的絕緣層積層於基材表面而成的有機EL元件用絕緣基板。但是,專利文獻1僅揭示表面粗度在100nm以上的絕緣基板,其就表面平滑性及表面絕緣性而言乃不足,作為底板型薄膜太陽能電池之基板使用時,基於基板表面凹凸之原因,會造成背面電極與透明電極之間之電性短路,有可能導致絕緣不良。
專利文獻2揭示的撓性裝置用基板,係依序積層金屬箔、包含聚醯亞胺的平坦化層、及包含無機化合物的密接層而成。但是,於專利文獻2,藉由使用高價位的聚醯亞胺來達成表面平滑,存在成本面的問題。
專利文獻1:特開2002-25763號公報
專利文獻2:特開2011-97007號公報
本發明目的在於提供金屬基板,係使用於底板型薄膜太陽能電池或頂部發光型有機EL元件的金屬基板,為金屬板表面具良好平滑性之同時,具有良好絕緣性的金屬基板。
本發明人等完成的金屬基板,係使用於底板型薄膜太陽能電池或頂部發光型有機EL元件的金屬基板,係將積層於金屬板的披膜表面設為平滑之同時,披膜表面具有絕緣性的金屬基板。
亦即,本發明的金屬基板,係使用於底板型薄膜太陽能電池或頂部發光型有機EL元件者,其特徵為:於金屬板表面形成有由1層或複數層積層而成的披膜,上述披膜的表面粗度Ra在30nm以下,上述披膜,係將含有熱硬化性樹脂、固態顏料的體積分率在20%以下
之披膜形成用組成物燒結而獲得,上述金屬基板,係使用於底板型薄膜太陽能電池或頂部發光型有機EL元件。
具體言之為,本發明人等完成以下3種型態的金屬基板。
本發明人等,係藉由在金屬板積層1層特定的披膜,而完成可使披膜表面平滑之同時,具有絕緣性的第1金屬基板。
該第1金屬基板,係於金屬板表面,僅積層1層膜厚為10μm以上40μm以下之披膜,上述披膜的表面粗度Ra為30nm以下,上述披膜,係將含有熱硬化性樹脂、固態顏料的體積分率在20%以下之披膜形成用組成物燒結而獲得,上述金屬基板,係使用於底板型薄膜太陽能電池或頂部發光型有機EL元件。
又,本發明人等,係藉由在金屬板積層複數層特定的披膜,而完成使最遠離金屬板的最表層中之披膜表面平滑之同時,具有絕緣性的第2金屬基板。
該第2金屬基板中,係於金屬板表面,積層複數層膜厚為0.1μm以上40μm以下之披膜,該等複數層披膜的膜厚之合計為3μm以上,最遠離金屬板的披膜之表面粗度Ra為30nm以下的金屬基板,各層披膜,係將含有熱硬化性樹脂之披膜形成用組成物燒結而獲得者,上述金屬基板係使用於底板型薄膜太陽能電池或頂部發光型有機EL元件。
發明人等亦完成,即使合計膜厚大於40μm之
情況下,可以將最遠離金屬板的最表層中披膜之表面設為平滑之同時,具有絕緣性的第3金屬基板。
該第3金屬基板為,在金屬板表面形成由1層或複數層積層而成的披膜,合計膜厚大於40μm、在120μm以下,上述披膜的表面粗度Ra在30nm以下的金屬基板,上述披膜,係將含有熱硬化性樹脂、固態顏料的體積分率在20%以下之披膜形成用組成物燒結而獲得,上述金屬基板係使用於底板型薄膜太陽能電池或頂部發光型有機EL元件。
於第1金屬基板,上述披膜形成用組成物進一步含有硬化劑,上述披膜形成用組成物中上述硬化劑對上述熱硬化性樹脂的質量比在0.6以上1.0以下為較佳。
第2金屬基板中,上述披膜形成用組成物進一步含有硬化劑,上述披膜形成用組成物中上述硬化劑對上述熱硬化性樹脂的質量比在0.6以上1.0以下,上述複數層披膜之合計膜厚在5μm以上為較佳。又,第2金屬基板中,供作為形成最遠離金屬板的披膜之披膜形成用組成物,可以取代熱硬化性樹脂及硬化劑,改為含有無機高分子及/或有機高分子與無機高分子的複合高分子之態樣。
熱硬化性樹脂較好是聚酯樹脂。
上述僅1層之披膜或最遠離上述金屬板的披膜之表面粗度Ra較好是10nm以下。
又,本發明亦包含具備上述披膜積層金屬板
的底板型薄膜太陽能電池及頂部發光型有機EL元件。
本發明的金屬基板,係藉由在金屬板積層特定的披膜,而將披膜的表面設為平滑之同時,使披膜的表面具有絕緣性者。藉由設為該良好加工性之金屬基板,可以低成本獲得薄膜太陽能電池或有機EL元件。
本發明之金屬基板,係於金屬板之至少一面積層有披膜者。以下,簡單記載為「金屬基板」時,係指本發明全部之金屬基板(第1‧第2‧第3金屬基板)。
本發明之金屬基板使用的金屬板,係冷軋鋼板、熱浸鍍鋅鋼板(GI),或合金化熱浸鐵鋅鋼板(GA)、合金化熱浸鍍5%鋅鋁鋼板(GF)、電氣鍍鋅鋼板(EG)、電氣鍍鎳鋅鋼板、鋁板、鈦板、鋁鋅合金(Galvalume)鋼板等,較好是無鍍鉻者,但亦可使用鍍鉻處理或無處理者。金屬板的厚度並未特別限定,可以適當使用0.3~2.0mm左右者。
可以對金屬板實施磷酸系化學處理,特別是
如特開2005-264312號公報所示,較好是利用含矽酸膠與磷酸鋁化合物的酸性水溶液實施化學處理。以含矽酸膠與磷酸鋁化合物的酸性水性液作為化學處理液使用時,藉由酸性水性液蝕刻鋅系鍍層表面之同時,於鋅系鍍層表面形成在磷酸鋁之中亦具難溶性(難溶於水或鹼性水溶液)之以AlPO4或Al2(HPO4)3為主體的反應層。於該反應層取入二氧化矽微粒子使沈積附著,而使磷酸鋁與二氧化矽微粒子複合成為一體化。又,藉由蝕刻而在和粗面化的鋅系鍍層之間形成緻密的反應層,和形成於該反應層上的樹脂塗膜間之鍵結亦變為緻密強固。又,於上述酸性水溶液含聚丙烯酸酯等水溶性樹脂時,獲得的反應層中的二氧化矽微粒子之沈積附著狀態更加強固。
本發明係使用含熱硬化性樹脂的披膜形成用組成物,於金屬板將披膜進行積層。披膜形成組成物,較好是混合有熱硬化性樹脂與硬化劑。又,如後述說明,披膜形成用組成物亦可以含有顏料。
熱硬化性樹脂,並未特別限定,例如可為苯酚樹脂,環氧樹脂,尿素樹脂,三聚氰胺樹脂,鄰苯二甲酸二丙烯酯樹脂等。又,和後述之硬化劑共用,聚酯樹脂亦可以說是一種熱硬化性樹脂,本發明中較好是使用聚酯樹脂。
聚酯樹脂,係藉由二元酸等多元酸與多元醇
類之縮合反應來獲得。
作為聚酯樹脂之原料使用的多元酸,例如可為馬來酸、馬來酸酐、富馬酸、衣康酸、衣康酸酐等α,β-不飽和二元酸;酞酸、酞酸酐、鹵化物酞酸酐、異酞酸、對酞酸、四氫酞酸、四氫酞酸酐、六氫酞酸、六氫異酞酸、六氫對酞酸、環戊二烯馬來酸酐加成物、琥珀酸、丙二酸、戊二酸、己二酸、癸二酸、1,10-十烷二羧酸、2,6-萘二羧酸、2,7-萘二羧酸、2,3-萘二羧酸、2,3-萘二羧酸酐、4,4’-聯苯二羧酸及彼等二烷基酯等飽和二元酸等,並未特別限定。多元酸,可以僅使用一種類,或適當混合二種類以上來使用。
作為聚酯樹脂之原料使用的多元醇類,例如可為乙二醇、二甘醇、聚乙二醇等乙二醇類,丙二醇、二縮丙二醇、聚丙二醇等丙二醇類,2-甲基-1,3-丙二醇、1,3-丁二醇、雙酚A與環氧丙烷或環氧乙烷之加成物,甘油、三羥甲基丙烷、1,3-丙二醇、1,2-環己醇、1,3-環己醇、1,4-環己醇、對苯二甲醇、雙環己基-4,4’-二元醇、2,6-十氫萘醇、三(2-羥乙基)異氰尿酸酯等,並未特別限定。又,乙醇胺等胺基醇類。彼等多元醇類,可以僅使用一種類,亦可適當混合二種類以上。又,必要時可以藉由環氧樹脂、二異氰酸酯、雙環戊二烯等進行改性。
本發明之熱硬化性樹脂可使用各種市售品,特別是聚酯樹脂之市售品,可為例如VYLON(登錄商標)23CS、VYLON(登錄商標)29CS、VYLON(登錄商
標)29XS、VYLON(登錄商標)20SS、VYLON(登錄商標)29SS(以上為東洋紡織公司製)等。
另外,硬化劑,雖未特別限定,但較好是與熱硬化性樹脂具良好相溶性,可與熱硬化性樹脂交聯,更進一步液態安定性良好者。此種硬化劑,例如於異氰酸酯系可為Millionate(登錄商標)N、CORONATE(登錄商標)T、CORONATE(登錄商標)HL、CORONATE(登錄商標)2030、Supurasekku(登錄商標)3340、Darutosekku1350、Darutosekku2170、Darutosekku2280(以上為日本聚尿烷工業公司製)等,於三聚氰胺系可為NIKALAC(登錄商標)MS-11,NIKALAC(登錄商標)MS21(以上為sanwa-chemical.co.jp製),SUPER BECKAMINE(登錄商標)L-105-60,SUPER BECKAMINE(登錄商標)J-820-60(以上為DIC公司製),環氧系可為HardenerHY951,HardenerHY957(以上為BASF社製),Sμmikyua DTA,SμmikyuaTTA(以上為住友化學公司製)等。
又,披膜形成用組成物較好是含34.5~80.0質量%的熱硬化性樹脂,更好為46.8質量%以上、57.6質量%以下。披膜形成用組成物,較好是含10.6~35.0質量%的硬化劑,更好為14.4~35.0質量%。又,上述熱硬化性樹脂及硬化劑之質量%,係指披膜形成用組成物中熱硬化性樹脂及硬化劑之含量對熱硬化性樹脂、硬化劑及固態顏料之合計質量的比率。
在披膜之形成時,較好是藉由塗布法在金屬板表面或已積層的披膜上塗布披膜形成用組成物來進行積層,因此披膜形成用組成物較好是液狀。因此,披膜形成用組成物建議含有溶媒者。披膜形成用組成物使用的溶媒,只要能溶解或分散並獲得披膜形成用組成物應含有的各成分即可,並未特別限定。例如可為甲醇、乙醇、n-丙醇、異丙醇、n-丁醇、異丁醇、乙二醇等乙醇類;丙酮、丁酮、甲基異丁基甲酮、環己酮等酮類;甲苯、苯、二甲苯、芳烴溶劑(登錄商標)100(Exxon Mobil Corporation製)、芳烴溶劑(登錄商標)150(Exxon Mobil Corporation製)等芳香族烴類;己烷、庚烷、辛烷等脂肪族烴類;醋酸乙基、醋酸丁基等酯類等。披膜形成用組成物,可以使用此種溶媒調整固形分,較好為20質量%以上、80質量%以下,更好為40質量%以上、70質量%以下。固形分小於20質量%亦即有機溶媒過多時,燒結時有機溶媒大量蒸發,結果,金屬板表面附近基於氣化之有機溶媒容易產生對流,有可能損及最表層披膜表面之平滑性。
製作僅積層1層披膜的金屬基板時,和積層複數層的金屬基板時,可以製作的膜厚之範圍不同。又,以後述說明之前塗布(pre-coat)法製作時,和以後塗布(post-coat)法製作時,可以製作的膜厚之範圍亦不同。
披膜的膜厚為10μm以上40μm以下。膜厚小於10μm時,金屬基板的耐電壓小於0.1kV,有可能無法確保耐電壓(耐絕緣性)。又,膜厚大於40μm時,披膜難以平滑地地積層於金屬板上,亦即,披膜的表面粗度Ra有可能大於30nm。
披膜的膜厚可為10μm以上40μm以下,亦可以大於40μm、在120μm以下。膜厚小於10μm時,金屬基板的耐電壓小於0.1kV,有可能無法確保耐電壓(耐絕緣性)。
又,膜厚大於120μm時,披膜難以平滑地積層於金屬板上,亦即,披膜的表面粗度Ra有可能大於30nm。
複數層之各披膜的膜厚為0.1μm以上40μm以下,複數層皮膜的膜厚之合計為3μm以上。複數層之各披膜的膜厚在1μm以上為較佳。1層平均的膜厚小於0.1μm時,披膜有可能產生針孔等缺陷,有可能無法確保耐電壓(耐絕緣性)。又,複數層披膜的膜厚之合計小於3μm時,金屬基板的耐電壓會小於0.1kV,有可能無法確保耐電壓性(耐絕緣性)。另外,1層平均的膜厚大於40μm時,
披膜難以平滑地積層於金屬板上,亦即,最遠離金屬板的披膜之表面粗度Ra有可能大於30nm。積層複數層時,較好為2層以上、4層以下之積層,更好為僅2層之積層。
複數層之各披膜的膜厚為0.1μm以上40μm以下,複數層皮膜的膜厚之合計可為3μm以上40μm以下,亦可以大於40μm、在120μm以下。複數層之各披膜的膜厚在1μm以上為較佳。1層平均的膜厚小於0.1μm時,披膜有可能產生針孔等缺陷,有可能無法確保耐電壓(耐絕緣性)。又,複數層披膜的膜厚之合計小於3μm時,金屬基板的耐電壓會小於0.1kV,有可能無法確保耐電壓性(耐絕緣性)。另外,1層平均的膜厚大於40μm時,披膜難以平滑地積層於金屬板上,亦即,披膜的表面粗度Ra有可能大於30nm。積層複數層時,較好是2層以上、4層以下之積層,更好為僅2層之積層。
於金屬板的披膜僅積層1層時披膜之表面需要平滑。又,積層複數層時最遠離金屬板的皮膜(以下將僅積層1層披膜時之披膜與積層複數層時最遠離金屬板的披膜之其中任一披膜稱為最表層)之表面亦需要平滑。具體言之為,最表層之表面粗度Ra在30nm以下,較好為最表層之表面粗度Ra在10nm以下。最表層之表面粗度Ra大於
30nm時,因為最表層表面之凹凸有可能引起電極間短路等絕緣不良。最表層之表面粗度Ra可依據後述之量測方法量測。
又,關於塵埃或微塵等粒子附著引起的表面之凹凸,因為塵埃或微塵等粒子遠大於30nm左右,因此藉由研磨等平滑化可以容易除去。因此,塵埃或微塵等粒子引起的凹凸,和絕緣不良之關連性極低。
欲使披膜表面平滑,具體為欲使最表層之表面粗度Ra設為30nm以下時,較好是披膜形成用組成物不含固態顏料。但是,披膜需要著色,披膜需要含有顏料時,較好是將披膜形成用組成物中之固態顏料的體積分率設為20%以下。固態顏料之粒徑通常遠大於30nm,因此披膜形成用組成物中之固態顏料的體積分率大於20%時,最表層之表面粗度Ra難以設為30nm以下。
欲著色為以下個別色時之顏料種類之例為,白色:氧化鈦、碳酸鈣、氧化鋅、硫酸鋇、立德粉、鉛白等無機系顏料,黑色:苯胺黑、尼格等有機系顏料、炭黑等無機系顏料、鉄黑等無機系顏料,紅色:不溶性偶氮系(萘酚系及醯基苯胺系)或溶性偶氮系等有機系顏料,或印度红、鎘红、鉛丹等無機系顏料,黃色:不溶性偶氮系(萘酚系及醯基苯胺系)、溶性偶氮系、喹吖啶酮系等有機系顏料,或鉻黃、鎘黃、鎳鈦黃、黃丹、鍶鍍鉻等無機
系顏料,綠色:有機酞菁系顏料,藍色:有機酞菁系顏料、二惡嗪系顏料、深藍、群青、鈷藍、翡翠綠等無機系顏料,橙色:苯並咪唑系、吡唑啉酮系等有機系顏料等。上述著色顏料之中,將同色而化學結構不同者,或不同色之著色顏料2種類以上以適當混合比加以混合,可以著色成為灰色、茶色、紫色、紅紫色、藍紫色、橙色、黃金色等所要之色。
例如氧化鈦中,平均粒徑之建議,例如粒狀時概略為0.1~0.5μm,較好為0.2μm以上、0.4μm以下,更好為0.3μm以下。平均粒徑大於0.5μm,則由含氧化鈦的披膜形成用組成物形成的最表層之表面粗度Ra難以設為30nm以下。
其中,上述氧化鈦之平均粒徑,係指藉由通常的粒度分布計對分級後之氧化鈦粒子之粒度分布進行量測,由依據該量測結果所算出之小粒徑側起的累積值50%之粒度(D50)。該粒度分布,可以藉由照射光至粒子所產生的繞射或散射之強度圖案來量測,此種粒度分布計例如有Nikkiso kabushiki kaisha製之Microtrack9220FRA或MicrotrackHRA等。
又,滿足上述較佳平均粒徑的氧化鈦可以使用市售品,例如有TAYCA CORPORATION製之TITANIX(登錄商標)JR-301(平均粒徑0.30μm)、JR-603(平均粒徑0.28μm)、JR-806(平均粒徑0.25μm)、JRNC(平均粒徑0.37μm)等。
又,為抑制顏料之偏析,可於披膜形成用組成物添加顏料分散劑。較佳的顏料分散劑,可由水溶性丙烯樹脂、水溶性苯乙烯丙烯樹脂及非離子系界面活性劑構成的群所選擇之1種以上。使用彼等時,顏料分散劑會殘存於著色塗膜。
耐電壓係藉由後述之方法量測,需要0.1kV以上。較好是0.3kV以上,更好為1.0kV以上。耐電壓小於0.1kV時,有可能因電極間短路造成絕緣不良。
披膜形成用組成物之塗布、乾燥方法,並未特別限定,可以適當採用已知之方法。製作第1金屬基板或第2金屬基板時之組成物之塗布方法,例如可為刮棒塗布法、輥式塗布法、淋幕式平面塗布法、噴塗法、靈兒噴(spray linger)法等前塗布(precoat)法,彼等中就成本等觀點而言以刮棒塗布法、輥式塗布法、靈兒噴法為較佳。又,上述以外之組成物之塗布方法,亦可使用靜電塗布法、旋轉塗布法等後塗布(post-coat)法,使用後塗布法時,不僅第1金屬基板或第2金屬基板,亦可以製作第3金屬基板。
燒結溫度並未特別限定,可依披膜使用的樹脂之硬化特性調整,例如前塗布法所使用的聚酯系樹脂時
較好是190℃以上250℃以下,更好為200℃以上240℃以下。藉由設定燒結溫度於上述範圍內,使有機溶媒不急速蒸發,則金屬板表面附近不容易產生氣化的有機溶媒引起之對流,最表層之披膜表面可以構成更平滑。又,乾燥溫度,只要不因熱造成披膜劣化之程度即可,例如較好是190~250℃左右,更好為200~240℃左右。又,燒結‧乾燥溫度為到達板溫(Peak Metal Temperature:PMT)。
欲構成具良好抗藥品性的金屬基板時,第2金屬基板,較好是合計膜厚設為5μm以上,更好為披膜形成用組成物進一步含有硬化劑,上述披膜形成用組成物之中上記硬化劑對上述熱硬化性樹脂的質量比在0.6以上1.0以下。又,於第2金屬基板,用來形成最遠離金屬板的披膜之皮膜形成用組成物,可以取代熱硬化性樹脂及硬化劑,改為含有無機高分子及/或有機高分子與無機高分子之複合高分子。
欲構成具良好抗藥品性的金屬基板時,於披膜形成用組成物中,硬化劑對熱硬化性樹脂的質量比為0.6以上1.0以下,較好為0.62以上1.0以下,更好為0.65以上1.0以下。披膜雖不溶解於有機溶媒,但溶媒分子滲入披膜有可能造成膨潤等變質。為有效抑制此,可於熱硬化性樹脂含特定量之硬化劑,以提高披膜之硬度(交聯密度)。又,關於對有機溶媒之抗性(抗藥品性)之判
斷基準係如後述。
又,欲構成具良好抗藥品性的金屬基板時,較好是於披膜形成用組成物含有26.5~62.5質量%的熱硬化性樹脂,更好為含有36.0質量%以上、56.3質量%以下。披膜形成用組成物含有的硬化劑較好是27.0質量%以上,更好為31.6質量%以上。
於第2金屬基板中,最表層形成用組成物,可以取代上述含有熱硬化性樹脂及硬化劑之披膜形成用組成物,改用含有無機高分子、或有機高分子與無機高分子之複合高分子的組成物。於熱硬化性樹脂含有特定量之硬化劑時,對苯、二甲苯等溶媒雖乃有效,但是對於三氟醋酸、硝基甲烷、二氯苯、氯苯等強力的有機溶媒,最表層乃有可能變性。因此,欲形成對上述強力之有機溶媒亦無變性虞慮的最表層時,較好是取代含有熱硬化性樹脂之披膜形成用組成物,改用含有無機高分子及/或有機高分子與無機高分子的複合高分子之組成物,更好是使用含有有機高分子與無機高分子的複合高分子之組成物。
無機高分子,例如可為聚矽氮烷、聚矽氧烷、聚矽烷、poly germane、聚磷氮烯、聚錫烷、聚聚矽氧金屬、聚碳矽烷等,就耐熱性觀點而言以聚矽氮烷為較佳。聚矽氮烷習知者為基本構成單位內含有甲基等有機質成分的有機聚矽氮烷,但是以基本構成單位內不含甲基等
有機質成分的無機聚矽氮烷為較佳。無機聚矽氮烷,係指以-(SiH2NH)-為基本構成單位,於基本構成單位內不含甲基等有機質成分,由鏈狀、環狀、或彼等複合結構構成,經由加熱‧溶媒除去‧與大氣中之氧或水分反應轉化為-SiO2-(以下簡單稱為SiO2)的材料(參照特開昭60-145903號公報)。
塗布含無機聚矽氮烷的最表層形成用組成物,將其置於大氣中加熱除去溶媒,又,無機聚矽氮烷與大氣中之氧或水分反應,可於金屬板表面形成以SiO2為主體的硬質披膜(SiO2層)。亦即,塗布含無機聚矽氮烷的最表層形成用組成物之後,於大氣中進行加熱,將溶媒除去,及使無機聚矽氮烷與大氣中之氧或水分產生反應,使無機聚矽氮烷轉化為SiO2。藉由該SiO2可以提高金屬基板之表面硬度。又,使用含無機聚矽氮烷之溶液來形成SiO2層,可以提高金屬基板之耐熱性。
上述無機聚矽氮烷,具體言之可以使用雙氧水聚矽氮烷。上述無機聚矽氮烷,較好是使用數目平均分子量例如為500~2500左右者。
上述無機聚矽氮烷含有溶液,可以使用溶解無機聚矽氮烷的溶液,溶媒可以使用例如二丁醚、二甲苯、甲苯等有機溶媒。上述無機聚矽氮烷含有溶液中上述無機聚矽氮烷之濃度,相對於溶液全體之質量較好是10質量%以上,更好為20質量%以上。
上述無機聚矽氮烷含有溶液,較好是更進一
步含有觸媒以促成由無機聚矽氮烷至SiO2之轉化,例如藉由添加鈀觸媒,可於較低溫形成SiO2層,可於金屬板之耐熱溫度內形成SiO2層。
無機聚矽氮烷含有溶液,例如可由AZ ELECTRONIC MATERIALS CORP.等獲得。又,將獲得的溶液濃縮使用亦可。
塗布上述無機聚矽氮烷含有溶液後之加熱可於大氣中進行。藉由於大氣中加熱,使無機聚矽氮烷與大氣中之氧或水分起反應,可以形成以SiO2為主體的披膜(SiO2層)。
又,以SiO2為主體的披膜,可以藉由對加熱前後的披膜之FT-IR(傅利葉(Fourier)轉換型紅外分光光度計)光譜進行量測時,Si-H鍵結、N-H鍵結引起的峰值強度減少乃至峰值消滅,Si-O鍵結引起的峰值之產生乃至峰值強度之增大而加以確認。又,SiO2層中例如可以含些微之Si-N鍵結或N-H鍵結等。
上述大氣氛圍可以含水蒸氣。於水蒸氣共存氛圍下加熱可以促進上述SiO2之形成。
上述大氣中加熱時之條件,在並用上述觸媒時,只要設為可使含於溶液的溶媒揮發之範圍即可,並未特別限定。為加速二氧化矽之轉化,加熱溫度較好是例如200℃以上。加熱時間例如較好是30分鐘以上,更好為1小時以上。
又,大氣中加熱之後,以習知條件研磨SiO2
層表面以使表面平滑亦可。
有機高分子與無機高分子的複合高分子(以下稱為複合高分子),並未特別限定,可依目的適當選擇。上述複合高分子,係指有機高分子與無機高分子嵌段鍵結而成的高分子,有機高分子與無機高分子係以奈米級均勻分散。例如複合高分子,可為含烷氧基甲矽烷基的有機聚合物,對烷氧基矽烷進行水解‧共縮合而獲得者。特別是在以-Si(OR)3(其中,R表示碳數10以下之低烷基)表示的含烷氧基甲矽烷基的有機聚合物,添加以RnSi(OR)4-n(其中R表示碳數10以下之低烷基,n表示1或2之整數)表示的烷氧基矽烷類進行水解‧共縮合而獲得的複合高分子為較佳。
上述複合高分子並未特別限定,可以使用適當調製者或市售品。上述市售品例如有JSR社製Glasca(登錄商標)、荒川化學工業社製Konposeran(登錄商標)等。
於金屬板之表面積層複數層披膜時,各披膜的膜厚為0.1μm以上40μm以下,複數層披膜的膜厚之合計為5μm以上。1層平均的膜厚小於0.1μm時,披膜有可能產生針孔等缺陷,有可能無法確保耐電壓(耐絕緣性)。又,複數層披膜的膜厚之合計小於5μm時,金屬基板的耐電壓小於0.1kV,有可能無法確保耐電壓性(耐絕緣性)。
又,進行後述之抗藥品性試驗結果,浸漬後之耐電壓和浸漬前之耐電壓比較,變化率在30%以下時設
為具抗藥品性者。變化率在20%以下為較佳。
說明具備本發明的金屬基板之底板型薄膜太陽能電池。底板型太陽能電池,只要具備本發明的金屬基板者即可,可為習知之任一結構,例如基本上為在本發明的金屬基板之披膜上,依序積層背面電極、光電轉換層、透明電極的構造。光電轉換層,係吸收透過透明電極而到達之光並產生電流之層,背面電極及透明電極,均為用於取出光電轉換層產生的電流者,均由導電性材料構成。光射入側之透明電極需具有透光性。背面電極、光電轉換層、及透明電極,可以使用和習知之底板型薄膜太陽能電池同樣之材料。
背面電極並無特別限定,例如可以使用Mo、Cr、W等金屬及彼等金屬組合而成者。背面電極可為單層結構,或2層結構等知積層結構。背面電極之厚度並無特別限定,厚度較好是0.1μm以上,更好是0.45~1.0μm。
光電轉換層之構成並無特別限定,例如可為至少1種黃銅礦結構之化合物半導體。又,光電轉換層亦可為Ib族元素與IIIb族元素與VIb族元素構成的至少1種化合物半導體。
欲進一步獲得高的光吸收率、高的光電轉換效率時,光電轉換層,較好是由Cu及Ag構成的群所選擇的至少1種Ib族元素,與由Al、Ga及In構成的群所
選擇的至少1種IIIb族元素,與由S、Se、及Te構成的群所選擇的至少1種VIb族元素構成的至少1種化合物半導體。該化合物半導體,可為CuAlS2、CuGaS2、CuInS2、CuAlSe2、CuGaSe2、CuInSe2(CIS)、AgAlS2、AgGaS2、AgInS2、AgAlSe2、AgGaSe2、AgInSe2、AgAlTe2、AgGaTe2、AgInTe2、Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)、Cu(In1-xAlx)Se2、Cu(In1-xGax)(S、Se)2、Ag(In1-xGax)Se2、及Ag(In1-xGax)(S、Se)2等。
透明電極,例如可由添加有Al、B、Ga、Sb等的ZnO,ITO(銦-錫氧化物),或SnO2及組合彼等者構成。透明電極可為單層結構或2層結構等之積層結構。又,透明電極之厚度並未特別限定,但以0.3~1μm為較佳。
底板型薄膜太陽能電池可以習知之方法製作,因此可以以下之製造方法製作底板型薄膜太陽能電池。首先,於本發明的金屬基板之上,藉由濺鍍法、真空蒸鍍法、熱CVD法、濕式塗布法等習知方法形成背面電極。接著,於背面電極之上藉由濺鍍法、真空蒸鍍法、熱CVD法、濕式塗布法等習知方法形成光電轉換層。接著,於光電轉換層之上藉由濺鍍法、真空蒸鍍法、熱CVD法、濕式塗布法等習知方法形成透明電極。
又,透明電極之形成時為了保護光電轉換層,可於光電轉換層與透明電極之間設置緩衝層。又,於透明電極之上亦可設置密封材。
本發明的金屬基板亦可以適用於頂部發光型有機EL元件。此種頂部發光型有機EL元件,只要具備本發明的金屬基板者,可為習知任一結構,例如基本上係於本發明的金屬基板之披膜上,依序積層電極、有機層、透明導電膜者。電極、有機層、透明導電膜可以使用和習知之底板型薄膜太陽能電池同樣之材料。於頂部發光型有機EL元件,光係透過透明導電性膜(非透過基板)被取出,因此基板可以使用非透明之金屬板。
電極材料,例如可以使用銦-錫氧化物(ITO),銦-鋅氧化物(IZO),錫氧化物,Au等金屬之極薄膜,導電性高分子,導電性有機材料,含摻雜質(施主或受主)的有機層,導電體與導電性有機材料(含高分子)之混合物,或彼等積層體等。電極可以使用濺鍍法或離子噴鍍法等氣相成長法對彼等材料進行成膜。
有機層之有機發光層的材料,例如可以使用蒽、萘、芘、稠四苯、蔻、苝、酞菁、萘醯苝(naphthaloperylene)、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、香豆素、惡二唑二基雙、雙苯并噁唑林(bisbenzokisazorin)、二苯乙烯、環戊二烯、喹啉金屬錯合物、三(8-羥基喹啉)鋁錯合物、三(4-甲基-8-喹啉)鋁錯合物、三(5-苯-8-喹啉)鋁錯合物、胺基喹啉金屬錯合物、苯喹啉金屬錯合物、三-(p-聯三苯-4-基)胺、吡喃、喹吖啶酮、
紅熒烯及彼等衍生物,或1-芳基-2,5-二(2-噻吩)吡咯衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、苯乙烯芳烴衍生物、苯乙烯胺衍生物及以彼等發光性化合物構成的基為分子之一部分含有的化合物或高分子等。又,不僅以上述化合物為代表的螢光色素產生之化合物,亦可使用所謂磷光發光材料,例如Ir錯合物、Os錯合物、Pt錯合物、銪錯合物等發光材料,或分子內含有彼等的化合物或高分子。有機層可以藉由濺鍍法、真空蒸鍍法等習知方法形成。又,有機層,除有機發光層以外可以含有電洞注入層、電洞輸入層、電子輸送層、電子注入層等。
透明導電膜之材料可使用Al(鋁)或銀等單體,或Al或銀等與其他電極材料組合而成的積層結構者。電極材料之組合,可為鹼金屬與Al之積層體,鹼金屬與銀之積層體,鹼金屬之鹵化物與Al之積層體,鹼金屬之氧化物與Al之積層體,鹼土類金屬或稀土類金屬與Al之積層體,彼等金屬種與其他金屬之合金等。具體言之為,例如鈉、鈉-鉀合金、鋰、鎂等與Al之積層體、鎂-銀混合物、鎂-銦混合物、鋁-鋰合金、LiF與Al之混合物、Al與Al2O3之混合物等。透明導電膜可藉由濺鍍法、真空蒸鍍法等習知方法形成。
本案主張2013年3月28日申請的日本專利申請第2013-070259號及2013年3月28日申請的日本專利申請第2013-070260號之優先權。本案亦援用2013年3月28日申請的日本專利申請第2013-070259號及2013年
3月28日申請的日本專利申請第2013-070260號之說明書之全部內容。
以下舉實施例更具體說明本發明,但本發明不限定於以下實施例,在符合前‧後述趣旨範圍內可作適當變更實施,彼等亦均包含於本發明之技術範圍。又,實施例使用的評估方法如以下。
以後述之製作方法製作尺寸50mm×50mm×0.8mm之供試材之後,依據JIS規格C2110-1,於供試材之一面以荷重500g接觸外徑20mm之球形電極之狀態下,使用絕緣破壞試驗裝置,以20~40秒左右引起絕緣破壞的一定速度朝厚度方向施加直流電壓,對產生絕緣破壞時之電壓進行量測。進行5次上述電壓量測,以其平均值設為耐電壓。
使用原子間力顯微鏡(Atomic Force Microscope,AFM)(精工電子工業製SPI3800N),針對以後述之製作方法獲得的供試材,量測10μm×10μm之區域之任意3處之表面粗度,以其平均值設為平均表面粗度Ra。
將以後述之製作方法獲得的供試材浸漬於二甲苯24小時,求出浸漬後表面粗度Ra及耐電壓對浸漬前表面粗度Ra及耐電壓之變化率。又,浸漬後表面粗度Ra及耐電壓,係和上述浸漬前之各量測方法進行同樣量測。
在混合有等量之二甲苯(沸點:140℃)與環己酮(沸點:156℃)的溶媒,添加以固形分換算為75質量份的聚酯樹脂(東洋紡社製VYLON(登錄商標)300),及以固形分換算為25質量份的三聚氰胺樹脂(DIC社製SUPER BECKAMINE(登錄商標)J-820-60),獲得塗料1-1。調整二甲苯與環己酮與之混合溶媒之量,以使聚酯樹脂與三聚氰胺樹脂之合計之固形分成為58質量%。
於塗料1-1之中,除取代等量混合二甲苯與環己酮之溶媒,改用芳香族烴系溶媒(Exxon Mobil Corporation製芳烴溶劑(登錄商標)150(沸點:183℃))以外,和塗料1-1同樣而獲得塗料1-2。
在混合有等量之二甲苯與環己酮的溶媒,添加以固形分換算為75質量份的聚酯樹脂(東洋紡社製VYLON(登
錄商標)300),以固形分換算為25質量份的三聚氰胺樹脂(DIC社製SUPER BECKAMINE(登錄商標)J-820-60),及50質量份之氧化鈦(TAYCA CORPORATION製TITANIX(登錄商標)JR-301(粒徑0.30μm)),獲得塗料1-3。調整二甲苯與環己酮與之混合溶媒之量,以使聚酯樹脂、三聚氰胺樹脂、與氧化鈦之合計之固形分成為63質量%。
於塗料1-3之中,除添加100質量份之氧化鈦,調整聚酯樹脂、三聚氰胺樹脂與氧化鈦之合計之固形分成為67質量%以外,和塗料1-3同樣而獲得塗料1-4。
在混合等量的醋酸丁酯(沸點:126℃)與1-丁醇(沸點:117℃)之溶媒,添加金屬素材用丙烯樹脂燒結上塗透明漆(AS PAINT社製Saguran(登錄商標)7000透明漆),獲得塗料1-5。調整混合溶媒之量以使丙烯樹脂燒結上塗透明漆之固形分成為25質量%。
以電鍍鋅鋼板(板厚0.8mm)作為供試材之金屬板,藉由刮棒塗布器於金屬板表面塗布膜厚24.0μm的塗料1-1,進行2分鐘之燒結‧乾燥使到達板溫(Peak Metal
Temperature:PMT)成為220℃,獲得積層有1層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表1所示。
於實施例1-1之中,除披膜的塗布膜厚成為14.1μm以外,均和實施例1-1同樣而獲得積層有1層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表1所示。
於實施例1-1之中,除披膜的塗布膜厚成為11.3μm以外,均和實施例1-1同樣而獲得積層有1層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表1所示。
於實施例1-1之中,除披膜的塗布膜厚成為35.2μm,取代塗料1-1改用塗料1-2以外,均和實施例1同樣而獲得積層有1層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表1所
示。
於實施例1-1之中,除取代塗料1-1改用塗料1-3以外,均和實施例1-1同樣而獲得積層有1層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表1所示。
於實施例1-1之中,除披膜的塗布膜厚成為42.2μm以外,均和實施例1-1同樣而獲得積層有1層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表1所示。
於實施例1-1之中,除披膜的塗布膜厚成為5.6μm以外,均和實施例1-1同樣而獲得積層有1層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表1所示。
於實施例1-1之中,除取代塗料1-1改用塗料1-4以外,均和實施例1-1同樣而獲得積層有1層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表1所示。
以電鍍鋅金屬板(板厚0.8mm,於金屬板兩面之各面平均之鍍鋅附著量為20g/m2)作為供試材之金屬板,作為內層披膜係藉由刮棒塗布器於金屬板表面塗布膜厚28.2μm的塗料1-1,實施2分鐘燒結‧乾燥使到達板溫(Peak Metal Temperature:PMT)成為220℃。
之後,作為外層塗膜而於內層披膜的表面(內層披膜之和金屬板相接側之面),藉由刮棒塗布器塗布膜厚28.2μm的塗料1-1,實施2分鐘燒結‧乾燥使到達板溫(Peak Metal Temperature:PMT)成為220℃,獲得
積層有2層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表2所示。
實施例1-6之中,除內層披膜及外層披膜的塗布膜厚各為1.9μm以外,均和實施例1-6同樣而獲得積層有2層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表2所示。
實施例1-6之中,除內層披膜及外層披膜的塗布膜厚各為1.4μm以外,均和實施例1-6同樣而獲得積層有2層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表2所示。
以電鍍鋅鋼板(板厚0.8mm)作為供試材之金屬板,藉由靜電塗布機(Ransburg Industrial corp.製OptiFlex)於金屬板表面實施靜電塗布形成膜厚10μm的塗料1-5,實施20分鐘燒結‧乾燥使到達板溫(Peak Metal Temperature:PMT)成為150℃,獲得積層有1層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表3所示。
實施例1-8之中,除實施靜電塗布使披膜的膜厚成為30μm以外,均和實施例1-8同樣而獲得積層有1層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表3所示。
實施例1-8之中,除實施靜電塗布使披膜的膜厚成為50μm以外,均和實施例1-8同樣而獲得積層有1層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表3所示。
以電鍍鋅金屬板(板厚0.8mm,於金屬板兩面之各面平均之鍍鋅附著量為20g/m2)作為供試材之金屬板,作為內層披膜係藉由靜電塗布機(Ransburg Industrial corp.製OptiFlex)於金屬板表面實施靜電塗布形成膜厚25μm的塗料1-5,實施20分鐘燒結‧乾燥以使到達板溫(Peak Metal Temperature:PMT)成為150℃。
之後,作為外層塗膜,係藉由靜電塗布機(Ransburg Industrial corp.製OptiFlex),於內層披膜的表面(內層披膜之和金屬板相接之側之面)實施靜電塗布形成膜厚25μm的塗料1-5,實施20分鐘燒結‧乾燥以使到達板溫(Peak Metal Temperature:PMT)成為150℃,獲得積層有2層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表3所示。
實施例1-11之中,除實施靜電塗布使內層披膜的膜厚成為35μm、外層披膜的膜厚成為35μm以外,均和實施例1-11同樣而獲得積層有2層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表3所示。
在混合有等量的二甲苯(沸點:140℃)與環己酮(沸點:156℃)之溶媒,添加以固形分換算為50質量份的聚酯樹脂(東洋紡社製VYLON(登錄商標)300),及以固形分換算為50質量份的三聚氰胺樹脂(DIC社製SUPER BECKAMINE(登錄商標)J-820-60),獲得塗料2-1。調整二甲苯與環己酮與之混合溶媒之量使聚酯樹脂與三聚氰胺樹脂與之合計之固形分成為58質量%。
塗料2-1之中,除添加以固形分換算為62.5質量份的聚酯樹脂,以固形分換算為37.5質量份的三聚氰胺樹脂以外,均和塗料2-1同樣而獲得塗料2-2。
於塗料2-1,除添加以固形分換算為75質量份的聚酯樹脂,以固形分換算為25質量份的三聚氰胺樹脂以外,均和塗料2-1同樣而獲得塗料2-3。
於溶媒之環己酮,添加有機‧無機混合塗布材(JSR社製Glasca(登錄商標)HPC7506A,獲得塗料2-4。調整環己酮之量使有機‧無機混合塗布材之固形分成為20質量%。
直接使用聚矽氮烷塗布液(AZ ELECTRONIC MATERIALS CORP.製AQUAMICA(登錄商標)NAX-120-20)。
於溶媒之環己酮,添加以固形分換算為75質量份的有機‧無機混合塗布材(JSR社製Glasca(登錄商標)HPC7506A,25質量份的氧化鈦(TAYCA CORPORATION製TITANIX(登錄商標)JR-301(粒徑0.30μm)),獲得塗料2-6。調整環己酮之量使有機‧無機混合塗布材及氧化鈦之合計固形分成為50質量%。
塗料2-6之中,除添加有機‧無機混合塗布材以固形分換算為67質量份,氧化鈦以固形分換算為33質量份以外,均和塗料2-6同樣而獲得塗料2-7。
以電鍍鋅鋼板(板厚0.8mm)作為供試材之金屬板,藉由刮棒塗布器於金屬板表面塗布膜厚24.0μm的塗料2-1,實施2分鐘燒結‧乾燥使到達板溫(Peak Metal Temperature:PMT)成為220℃,獲得積層有1層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表4所示。
實施例2-1之中,除披膜的塗布膜厚為22.5μm以外,和實施例2-1同樣而獲得積層有1層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表4所示。
實施例2-1之中,除塗布披膜的膜厚成為14.1μm以外,均和實施例2-1同樣而獲得積層有1層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表4所示。
於實施例2-1之中,除塗布披膜的膜厚成為11.3μm以外,均和實施例2-1同樣而獲得積層有1層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表4所示。
於實施例2-1之中,除取代塗料2-1改用塗料2-2以外,均和實施例2-1同樣而獲得積層有1層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表4所示。
實施例2-1之中,除塗布披膜的膜厚成為5.6μm以外,均和實施例2-1同樣而獲得積層有1層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表4所示。
實施例2-1之中,除塗布披膜的膜厚成為42.2μm以外,均和實施例2-1同樣而獲得積層有1層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表4所示。
實施例2-1之中,除取代塗料2-1改用塗料2-3以外,均和實施例2-1同樣而獲得積層有1層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表4所示。
以電鍍鋅金屬板(板厚0.8mm,金屬板兩面中各面平均之鍍鋅附著量為20g/m2)作為供試材之金屬板,作為內層披膜係藉由刮棒塗布器於金屬板表面塗布膜厚28.2μm的塗料2-1,實施2分鐘燒結‧乾燥使到達板溫(Peak Metal Temperature:PMT)成為220℃。
之後,作為外層塗膜係藉由刮棒塗布器於內層披膜的表面(內層披膜之和金屬板相接側之面),塗布膜厚28.2μm的塗料2-1,實施2分鐘燒結‧乾燥使到達板溫(Peak Metal Temperature:PMT)成為220℃,獲得積層有2層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表5所示。
實施例2-6之中,除將內層披膜及外層披膜之各膜厚塗布成為5.6μm以外,均和實施例2-6同樣而獲得積層有2層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表5所示。
實施例2-6之中,除將內層披膜及外層披膜之各膜厚
塗布成為2.8μm以外,均和實施例2-6同樣而獲得積層有2層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表5所示。
以電鍍鋅金屬板(板厚0.8mm,金屬板兩面中各面平均之鍍鋅附著量為20g/m2)作為供試材之金屬板,作為內層披膜係藉由刮棒塗布器於金屬板表面塗布膜厚11.3μm的塗料2-1,實施2分鐘燒結‧乾燥使到達板溫(Peak Metal Temperature:PMT)成為220℃。
之後,作為外層塗膜係藉由刮棒塗布器於內層披膜的表面(內層披膜之和金屬板相接側之面),塗布膜厚1.0μm的塗料2-4,實施2分鐘燒結‧乾燥使到達板溫(Peak Metal Temperature:PMT)成為220℃,獲得積層有2層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表5所示。
實施例2-9之中,製作外層塗膜時除取代塗料2-4改用塗料2-5以外,均和實施例2-9同樣而獲得積層有2層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性,評估結果如表5所
示。
實施例2-9之中,製作外層塗膜時除取代塗料2-4改用塗料2-6以外,均和實施例2-9同樣而獲得積層有2層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表5所示。
除內層披膜及外層披膜各塗布成為膜厚2.1μm以外,均和實施例2-6同樣而獲得積層有2層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表5所示。
實施例2-9之中,製作外層塗膜時除取代塗料2-4改用塗料2-7以外,均和實施例2-9同樣而獲得積層有2層披膜的金屬基板。
獲得的積層體之物性、評估結果如表5所示。
藉由在金屬板積層特定的披膜,使披膜表面平滑之同時,成為披膜具絕緣性的金屬基板,可以使用於底板型薄膜太陽能電池或頂部發光型有機EL元件。
Claims (10)
- 一種金屬基板,係使用於底板型薄膜太陽能電池或頂部發光型有機EL元件者,其特徵為:於金屬板表面形成有由1層或複數層積層而成的披膜,上述披膜的表面粗度Ra在30nm以下,上述披膜,係將含有熱硬化性樹脂、固態顏料的體積分率在20%以下之披膜形成用組成物燒結而獲得,於供作為形成最遠離上述金屬板之披膜的披膜形成用組成物,係取代熱硬化性樹脂及硬化劑,改為含有無機高分子或有機高分子與無機高分子的複合高分子之至少1種。
- 如申請專利範圍第1項之金屬基板,其中於上述金屬板表面,僅積層有1層膜厚在10μm以上40μm以下的披膜。
- 如申請專利範圍第2項之金屬基板,其中上述披膜形成用組成物進一步含有硬化劑,上述披膜形成用組成物中上述硬化劑對上述熱硬化性樹脂之質量比在0.6以上1.0以下。
- 如申請專利範圍第1項之金屬基板,其中於上述金屬板表面,積層有複數層膜厚在0.1μm以上40μm以下的披膜,該等複數層披膜之合計膜厚為3μm以上。
- 如申請專利範圍第4項之金屬基板,其中於上述披膜形成用組成物進一步含有硬化劑,上述披 膜形成用組成物中上述硬化劑對上述熱硬化性樹脂的質量比在0.6以上1.0以下,上述複數層披膜之合計膜厚為5μm以上。
- 如申請專利範圍第1項之金屬基板,其中上述披膜之合計膜厚大於40μm在120μm以下。
- 如申請專利範圍第1~6項中任一項之金屬基板,其中上述熱硬化性樹脂為聚酯樹脂。
- 如申請專利範圍第1~6項中任一項之金屬基板,其中上述僅有1層的披膜或最遠離上述金屬板的披膜之表面粗度Ra為10nm以下。
- 一種底板型薄膜太陽能電池,係具備申請專利範圍第1~6項中任一項之金屬基板者。
- 一種頂部發光型有機EL元件,係具備申請專利範圍第1~6項中任一項之金屬基板。
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JP6125564B2 (ja) * | 2015-05-28 | 2017-05-10 | 株式会社神戸製鋼所 | 有機電子デバイス及び有機電子デバイス用基板 |
JP6793083B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2020-12-02 | 株式会社神戸製鋼所 | 絶縁皮膜積層金属板及び金属基板 |
JP7066578B2 (ja) * | 2018-09-04 | 2022-05-13 | 株式会社神戸製鋼所 | 有機電子デバイス及び有機電子デバイス用基板 |
EP3904075A4 (en) | 2018-12-28 | 2022-02-09 | JFE Steel Corporation | FILM LAMINATED METALLIC FOIL, SUBSTRATE FOR FLEXIBLE DEVICES AND SUBSTRATE FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICES |
KR20230142773A (ko) | 2021-03-23 | 2023-10-11 | 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 | 필름 라미네이트 금속판 및 그 제조 방법과 플렉시블 일렉트로닉스용 기판 및 유기 el용 기판 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07136585A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-05-30 | Nkk Corp | 塗装金属板 |
TW200607387A (en) * | 2004-06-02 | 2006-02-16 | Seiko Epson Corp | Organic EL device and electronic apparatus |
JP2006164808A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Hitachi Ltd | 発光素子,照明装置及びこれを有する表示装置 |
JP2006331694A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機発光素子及び有機発光素子用基板 |
JP2009076452A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-04-09 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 有機el発光素子 |
JP2010140742A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Konica Minolta Opto Inc | 有機el面発光体、及びそれを用いた有機el表示装置、有機el照明装置 |
JP2011077229A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Fujifilm Corp | 光電変換装置 |
JP2011138683A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子素子 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1237199C (zh) * | 2000-06-21 | 2006-01-18 | 日本板硝子株式会社 | 具有透明导电薄膜的基片和使用该基片的有机电致发光装置 |
KR100563066B1 (ko) * | 2004-06-10 | 2006-03-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP2007065644A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-03-15 | Asahi Kasei Corp | ディスプレイ用基板及びディスプレイ並びにそれらの製造方法 |
EP2068328B1 (en) * | 2006-09-28 | 2014-10-22 | FUJIFILM Corporation | Spontaneous emission display and transparent conductive film |
KR102050505B1 (ko) * | 2011-02-10 | 2019-11-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 그 제작 방법, 조명 장치 및 표시 장치 |
WO2012133465A1 (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-04 | 住友化学株式会社 | 電子デバイス、高分子化合物、有機化合物及び高分子化合物の製造方法 |
JP5853567B2 (ja) * | 2011-10-11 | 2016-02-09 | 日新製鋼株式会社 | 有機el素子用基板及びその製造方法、並びに有機el素子 |
CN103107290A (zh) * | 2011-11-11 | 2013-05-15 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件、基底及其制备方法 |
JP5907722B2 (ja) * | 2011-12-23 | 2016-04-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07136585A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-05-30 | Nkk Corp | 塗装金属板 |
TW200607387A (en) * | 2004-06-02 | 2006-02-16 | Seiko Epson Corp | Organic EL device and electronic apparatus |
JP2006164808A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Hitachi Ltd | 発光素子,照明装置及びこれを有する表示装置 |
JP2006331694A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機発光素子及び有機発光素子用基板 |
JP2009076452A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-04-09 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 有機el発光素子 |
JP2010140742A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Konica Minolta Opto Inc | 有機el面発光体、及びそれを用いた有機el表示装置、有機el照明装置 |
JP2011077229A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Fujifilm Corp | 光電変換装置 |
JP2011138683A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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