TWI555984B - 測試座 - Google Patents

Description

測試座

本申請案主張2014年7月17日向韓國智慧財產局申請的韓國專利申請案第10-2014-0090346號的權利，該申請案的揭示內容的全文以引用方式併入本文中。

一或多個例示性實施例是關於一種測試座(test socket)，且更特定言之，是關於一種經組態以最低限度地損害測試目標器件的端子(terminal)且具有改良的電阻特性以及增加的厚度的測試座。

一般而言，器件與檢測裝置之間的穩定電連接在檢測器件的電特性時是必需的。為此目的，通常使用測試座以將測試裝置連接至待測試器件。

測試座的功能為將器件的端子連接至測試裝置的焊墊(pad)，以允許在器件與測試裝置之間電信號的雙向傳輸(two-way transmission)。為此，彈性導電薄片(elastic conductive sheet)或彈簧式頂針(pogo pin)在測試座中用作接觸部分。彈性導電薄片用以使彈性導電部分與待測試器件的端子接觸，且其中安置有彈簧的彈簧式頂針用以將待測試器件連接至測試裝置，同時對進行 連接時可能發生的任何機械衝擊進行緩衝。此類彈性導電薄片或彈簧式頂針用於大多數測試座中。

圖1說明相關技術的例示性之測試座20。測試座20包含：導電矽酮部件8，其形成於可置放球狀柵格陣列(ball grid array；BGA)之半導體器件2的引線端子4的位置處；以及絕緣矽部件6，其作為絕緣層形成於不與半導體器件2的引線端子4接觸的區中，以便支撐導電矽酮部件8。導電矽酮部件8將半導體器件2的引線端子4電連接至插座板12的接觸焊墊10，以用於測試半導體器件2，且導電環7分別被安裝在導電矽酮部件8的上部表面上。

測試座20對於藉由朝向測試裝置推動半導體器件而使測試裝置與半導體器件接觸可為有用的。特定言之，因為導電矽酮部件8經組態為個別地被推動，所以可容易地根據周邊器件的平坦度執行測試程序。換句話說，導電矽酮部件8可具有改良的電特性。此外，導電環7防止在導電矽酮部件8由半導體器件2的引線端子4推動時導電矽酮部件8的展開，因此，導電矽酮部件8可較小程度地變形且因此可穩定地長期使用。

圖2說明相關技術的另一例示性的測試座20。參看圖2，使用諸如電鍍、蝕刻或塗佈方法的方法以在導電矽酮部件8的上部表面上形成導體22，導體22將插座板12的接觸焊墊10電連接至待測試半導體器件2的引線端子4。

然而，因為藉由諸如電鍍、蝕刻或塗佈方法的方法而在導電矽酮部件8的上部表面上形成的導體22相對剛性，所以相比於不使用導體22的狀況，導電矽酮部件8的彈性可能降低。亦即， 儘管導電矽酮部件8的功能應為將半導體器件2的引線端子4彈性地連接至插座板12(測試板)的接觸焊墊10，但導電矽酮部件8的彈性降低。另外，若頻繁地進行接觸動作，則導體22、半導體器件2的引線端子4或插座板12的接觸焊墊10可受損害，且污染物可在其上累積。

為了處理此等問題，已提議圖3中所展示的測試座。測試座包含：導電矽酮部件8，其由矽酮與導電金屬粉末(conductive metal powder)的混合物形成，且安置在可置放BGA之半導體器件2的引線端子4的位置處；以及絕緣矽部件6，其形成於不與半導體器件2的引線端子4接觸的區中，以用於支撐導電矽酮部件8。導電金屬粉末密度大於導電矽酮部件8的導電金屬粉末密度的電導率增強層30形成於導電矽酮部件8的上部表面上。圖3中所展示的測試座改良電導率。

然而，相關技術的上述技術可具有以下問題。

首先，圖3中所展示的相關技術的測試座限於增加形成於導電矽酮部件8的上部表面上的電導率增強層30的厚度。因為導電粉末密集地包含於此電導率增強層中，所以用以維持導電粉末形狀的矽橡膠的量相對小。在此狀況下，若電導率增強層形成為厚的，則可能不會穩定地維持電導率增強層的形狀。

因此，難以增加電導率增強層的厚度，且在此狀況下，由半導體器件的球形引線施加的壓力集中於導電矽酮部件8的較低側。

另外，當形成具有高密度的導電粒子(粉末)的電導率增強層時，難以將導電粒子的密度增加至某一水平或更高水平，此是 因為若增加導電粒子的密度，則矽橡膠的量會縮減。因此，難以獲得最大化程度的電導率。

一或多個例示性實施例包含一種測試座，其中第一導電部件(first conductive part)以及支撐薄片(support sheet)安置於各向異性薄片(anisotropic sheet)上方，且彈性絕緣部件安置於第一導電部件與支撐薄片的穿透孔(penetration hole)的內壁(inner wall)之間。

將部分地在以下描述中闡述額外態樣，且額外態樣部分地將自描述顯而易見，或可藉由實踐所呈現實施例來獲悉額外態樣。

根據一或多個例示性實施例，一種測試座經組態為安置於測試目標器件與測試裝置之間，以用於將測試目標器件的端子電連接至測試裝置的焊墊，測試座包含：支撐薄片，其由絕緣材料形成且包含在對應於測試目標器件的端子的位置處的穿透孔；插入件，其包含第一導電部件以及彈性絕緣部件，其中第一導電部件安置於支撐薄片的穿透孔中，且是藉由在支撐薄片的厚度方向上配置絕緣彈性材料中含有的多個第一導電粒子而形成；且彈性絕緣部件由絕緣彈性材料形成，且安置於第一導電部件與穿透孔的內壁之間以圍繞第一導電部件；以及各向異性薄片，其包含第二導電部件以及絕緣支撐部件，其中第二導電部件安置於第一導電部件下方，且是藉由在各向異性薄片的厚度方向上將絕緣彈性材料中含有的多個第二導電粒子配置於對應於穿透孔的位置處而形 成，且絕緣支撐部件安置於支撐薄片下方以支撐第二導電部件且使第二導電部件絕緣。

第一導電粒子可不在彈性絕緣部件中。

第一導電粒子可以10體積%或更低的量包含於彈性絕緣部件中。

彈性絕緣部件可一體地耦接至第一導電部件以及支撐薄片。

彈性絕緣部件可比第一導電部件以及支撐薄片更有彈性。

第一導電粒子可比第二導電粒子更密集地配置。

支撐薄片可由比絕緣支撐部件的材料硬的材料形成。

支撐薄片的穿透孔可具有向下逐漸減小的內徑。

根據一或多個例示性實施例，一種測試座經組態以安置於測試目標器件與測試裝置之間，以用於將測試目標器件的端子電連接至測試裝置的焊墊，測試座包含：支撐薄片，其由絕緣材料形成且包含對應於測試目標器件的端子的位置處的穿透孔；第一導電部件，其安置於支撐薄片的穿透孔中，且是藉由在支撐薄片的厚度方向上配置絕緣彈性材料中含有的多個第一導電粒子而形成，第一導電部件的外徑小於穿透孔的內徑的外徑；以及各向異性薄片，其包含第二導電部件以及絕緣支撐部件，其中第二導電部件安置於所述第一導電部件下方，且是藉由將絕緣彈性材料中含有的多個第二導電粒子配置於對應於穿透孔的位置處而形成，第二導電粒子相比於第一導電粒子較不密集地配置，且絕緣支撐部件安置於支撐薄片下方以支撐第二導電部件且使第二導電部件絕 緣。

絕緣支撐部件可包含上部絕緣支撐部件以及安置於上部絕緣支撐部件下方的下部絕緣支撐部件，且上部絕緣支撐部件以及下部絕緣支撐部件可具有不同硬度。

上部絕緣支撐部件可由比下部絕緣支撐部件的材料軟的材料形成。

第二導電部件可包含第二上部導電部件以及安置於第二上部導電部件下方的第二下部導電部件，且第二上部導電部件中的第二導電粒子的含量可不同於第二下部導電部件中的第二導電粒子的含量。

第二導電粒子可在第二上部導電部件中比在第二下部導電部件中較不密集地配置。

根據例示性實施例，可改良測試座的導電部件的密度以獲得高電流以及高電阻特性。

另外，根據例示性實施例，導電粒子極密集地配置的第一導電部件的厚度可由於彈性絕緣部件而增加。

另外，根據例示性實施例，無論第一導電部件的外徑如何，支撐薄片的穿透孔的大小可增加，因此，測試目標器件的端子可由於與支撐薄片接觸而最低限度地受損害。

另外，根據例示性實施例，測試座的絕緣支撐部件可具有不同硬度的區，且因此可調整將施加至絕緣支撐部件的按壓力。

2‧‧‧半導體器件

4‧‧‧引線端子

6‧‧‧絕緣矽部件

7‧‧‧導電環

8‧‧‧導電矽酮部件

10‧‧‧接觸焊墊

12‧‧‧插座板

20、100‧‧‧測試座

22‧‧‧導體

30‧‧‧電導率增強層

110、410‧‧‧支撐薄片

111、411‧‧‧穿透孔

120‧‧‧插入件

121‧‧‧第一導電部件

122‧‧‧彈性絕緣部件

130‧‧‧各向異性薄片

131、331‧‧‧第二導電部件

132、232‧‧‧絕緣支撐部件

140‧‧‧測試目標器件

141‧‧‧端子

150‧‧‧測試裝置

151‧‧‧焊墊

1211‧‧‧第一導電粒子

1311‧‧‧第二導電粒子

2321‧‧‧上部絕緣支撐部件

2322‧‧‧下部絕緣支撐部件

3311‧‧‧第二上部導電部件

3312‧‧‧第二下部導電部件

此等及/或其他態樣自結合附圖進行的實施例的以下描述 將變得顯而易見且較易於瞭解，在附圖中：圖1至圖3為說明相關技術的測試座的視圖。

圖4為說明根據例示性實施例的測試座的視圖。

圖5為說明如何操作圖4中所說明的測試座的視圖。

圖6為說明例示性狀況的視圖，在例示性狀況中待測試器件未被適當地置放於圖4中所說明的測試座上。

圖7為說明根據另一例示性實施例的測試座的視圖。

圖8以及圖9為說明根據另一例示性實施例的測試座的視圖。

現在將詳細地參考實施例，實施例的實例說明於附圖中，在附圖中，相同元件符號貫穿各圖指代相同元件。就此而言，本發明的實施例可具有不同形式且不應被解釋為限於本文所闡述的描述。因此，下文僅僅藉由參看諸圖來描述例示性實施例，以解釋本發明描述的態樣。如本文所使用，術語「及/或」包含相關聯所列項目中的一或多者中的任一者以及所有組合。

在下文中，將根據例示性實施例詳細地參看附圖來描述測試座。

根據例示性實施例，如圖4所示，測試座100安置於待測試的測試目標器件140與測試裝置150之間，以便將測試目標器件140的端子141電連接至測試裝置150的焊墊151。測試座100包含支撐薄片110、插入件120，以及各向異性薄片130。

穿透孔111在支撐薄片110中形成於對應於測試目標器 件140的端子141的位置處，且支撐薄片110是由絕緣材料形成。支撐薄片110可附接至各向異性薄片130的上部表面。詳細地，支撐薄片110可一體地附接至各向異性薄片130的絕緣支撐部件132。支撐薄片110支撐插入件120(稍後描述)。

可較佳的是，支撐薄片110由具有高彈性以及回彈性的材料形成。另外，支撐薄片110可由根據諸如耐熱性或絕緣屬性的要求而選擇的材料形成。舉例而言，支撐薄片110可藉由考量所需彈性度以及回彈性度而由矽酮、胺基甲酸酯或任何其他彈性材料形成。另外，當考量耐熱性以及絕緣屬性時，支撐薄片110可由合成樹脂形成，諸如，聚醯亞胺(polyimide；PI)、聚碳酸酯(polycarbonate；PC)、聚丙烯(polypropylene；PP)、聚對苯二甲酸伸乙酯(polyethylene terephthalate；PET)或聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate；PMMA)。特定言之，支撐薄片110可由比各向異性薄片130的絕緣支撐部件132的材料硬的材料形成，以便保護絕緣支撐部件132。

可使用雷射形成支撐薄片110的穿透孔111。然而，穿透孔111不限於此。舉例而言，可經由加工程序形成穿透孔111。

插入件120被插入至支撐薄片110的穿透孔111中。插入件120包含第一導電部件121以及彈性絕緣部件122。

第一導電部件121安置於支撐薄片110的穿透孔111中。藉由在支撐薄片110的厚度方向上配置絕緣彈性材料中含有的多個第一導電粒子1211而形成第一導電部件121。第一導電部件121的外徑小於穿透孔111的內徑。舉例而言，第一導電部件121的外徑可等於或小於穿透孔111的內徑的0.9倍。較佳地，第一導電 部件121的外徑可為穿透孔111的內徑的0.85倍。若第一導電部件121的外徑小於穿透孔111的內徑(如上文所描述)，則即使測試目標器件140的端子141未被置放於第一導電部件121的中心區處而是被置放於第一導電部件121的邊緣部分處，測試目標器件140的端子141亦可不與支撐薄片110直接接觸，因此，測試目標器件140的端子141的表面可不受損害。舉例而言，即使當支撐薄片110由相對硬材料(諸如，聚醯亞胺(PI))形成時，測試目標器件140的端子141亦可不與支撐薄片110直接接觸。

較佳地，用於形成第一導電部件121的絕緣彈性材料可為耐熱交聯聚合物。可自各種可固化聚合物成型材料(較佳諸如液體矽酮橡膠)獲得耐熱交聯聚合物。液體矽酮橡膠可為加成固化液體矽酮橡膠或縮合固化液體矽酮橡膠。舉例而言，可使用加成固化液體矽酮橡膠。較佳地，可使用在150℃下具有為10%或更小、更佳為8%或更小且甚至更佳為6%或更小的壓縮永久變形(compression set)的液體矽酮橡膠的固化產物(在下文中被稱作固化矽酮橡膠)來形成第一導電部件121。若固化矽橡膠的壓縮永久變形大於10%，則第一導電部件121的第一導電粒子1211在於高溫下重複使用第一導電部件121之後可處於無序狀態，且第一導電部件121的電導率可降低至低於所需水平。

較佳地，第一導電部件121的第一導電粒子1211可比各向異性薄片130的第二導電部件131的第二導電粒子1311更密集地配置。

較佳地，可藉由運用高度導電金屬塗佈磁芯粒子而形成第一導電部件121的第一導電粒子1211。高度導電金屬可在0℃ 下具有5×10⁶歐姆/公尺或更大的電導率。較佳地，用於形成第一導電粒子1211的磁芯粒子(magnetic core particle)可具有為3微米至40微米的數目平均粒子直徑。藉由雷射繞射散射方法來量測磁芯粒子的數目平均粒子直徑。可用以形成磁芯粒子的材料的實例可包含鐵、鎳、鈷，以及藉由運用金屬塗佈銅或樹脂而形成的材料。較佳地，磁芯粒子可由具有為0.1Wb/m²或更大、更佳為0.3Wb/m²或更大以及甚至更佳為0.5Wb/m²的飽和磁化的材料形成。舉例而言，磁芯粒子可由鐵、鎳、鈷或其合金形成。

用於塗佈磁芯粒子的高度導電金屬的實例包含金、銀、銠、鉑，以及鉻。較佳地，金可用作高度導電金屬，此是因為金在化學上穩定且高度導電。

彈性絕緣部件122安置於第一導電部件121與穿透孔111的內壁之間，且圍繞第一導電部件121。較佳地，彈性絕緣部件122可一體地耦接至第一導電部件121以及支撐薄片110。然而，彈性絕緣部件122不限於此。舉例而言，在彈性絕緣部件122與第一導電部件121之間及/或在彈性絕緣部件122與支撐薄片110之間可存在間隙。較佳地，彈性絕緣部件122可由絕緣彈性材料形成。較佳地，彈性絕緣部件122可比第一導電部件121以及支撐薄片110有彈性。舉例而言，彈性絕緣部件122可由相對軟材料形成，諸如，矽酮橡膠或胺基甲酸酯。彈性絕緣部件122的功能為將具有某一程度電導率的第一導電部件121連接至支撐薄片110，且因為彈性絕緣部件122由相對軟材料形成，所以第一導電部件121可相對於支撐薄片110垂直地移動。亦即，彈性絕緣部件122可允許第一導電部件121個別移動。較佳地，第一導電粒子1211可 不包含於彈性絕緣部件122中。然而，彈性絕緣部件122不限於此。舉例而言，第一導電粒子1211可以10體積%或更少之少量包含於彈性絕緣部件122中。

因為彈性絕緣部件122安置於第一導電部件121與支撐薄片110的穿透孔111的內壁之間，所以可容易個別地移動第一導電部件121，且穿透孔111可經由製造程序形成為具有大尺寸，以便防止測試目標器件140的端子141的表面受到支撐薄片110損害。

各向異性薄片130包含：第二導電部件131，其安置於第一導電部件121下方，且是藉由在各向異性薄片130的厚度方向上將絕緣彈性材料中含有的第二導電粒子1311配置於對應於穿透孔111的位置處而形成；以及絕緣支撐部件132，其安置於支撐薄片110下方以支撐第二導電部件131且使第二導電部件131絕緣。

用以形成第二導電部件131的絕緣彈性材料可相同於或相似於用以形成第一導電部件121的絕緣彈性材料，且因此將不重複對其的詳細描述。用以形成第二導電部件131的第二導電粒子1311的材料可相同於或相似於用以形成第一導電粒子1211的材料，且因此將不重複對其的詳細描述。然而，可較佳的是第二導電粒子1311的平均粒子直徑大於第一導電粒子1211的平均粒子直徑，且第二導電部件131每一單位面積的第二導電粒子1311的比率小於第一導電部件121每一單位面積的第一導電粒子1211的比率。亦即，第二導電粒子1311相比於第一導電粒子1211可較不密集地配置。

另外，可較佳的是使支撐第二導電部件131且使第二導 電部件131絕緣的絕緣支撐部件132由與用以形成第二導電部件131的絕緣彈性材料相同的絕緣彈性材料形成。然而，絕緣支撐部件132不限於此。亦即，絕緣支撐部件132可由另一材料形成。舉例而言，絕緣支撐部件132可由彈性度比第二導電部件131的絕緣彈性材料高的材料形成。

例示性實施例的測試座100可具有以下操作效應。

如圖4中所展示，在將測試座100置放於測試裝置150上之後，將測試目標器件140移動至測試座100上方之位置。接著，降低測試目標器件140以使測試目標器件140的端子141與第一導電部件121接觸，如圖5中所展示。若將與第一導電部件121接觸的測試目標器件140更向下推動，則第一導電部件121以及第二導電部件131在其厚度方向上由測試目標器件140的端子141壓縮，因此，使第一導電粒子1211與第二導電粒子1311彼此接觸。結果，第一導電部件121與第二導電部件131彼此電連接。此後，自測試裝置150輸入的電信號經由第二導電部件131以及第一導電部件121而傳輸至測試目標器件140。以此方式，可執行電測試。

圖6說明如下狀況：其中測試目標器件140的端子141未被置放於第一導電部件121的上部表面的中心處，而是被置放為稍微遠離中心。即使測試目標器件140的端子141被置放得稍微遠離第一導電部件121的中心(如上文所描述)，測試目標器件140的端子141亦不會與支撐薄片110直接接觸，而是可與彈性絕緣部件122接觸，且因此可最低限度地損害端子141的表面。舉例而言，若藉由考量支撐薄片110的耐熱性而使支撐薄片110由 相對硬材料(諸如，聚醯亞胺)形成，則端子141的表面可由於與穿透孔111的內部表面(特定言之，邊緣)接觸而受損害(被刮擦)。然而，根據例示性實施例，由相對軟材料形成的彈性絕緣部件122安置於穿透孔111的內部表面與第一導電部件121之間，因此可最低限度地損害端子141的表面。

此外，在相關技術中，若測試目標器件140的端子141具有不同高度(例如，不同突出高度)，則測試目標器件140的一些端子141可能不與第一導電部件121接觸。然而，根據例示性實施例，因為彈性絕緣部件122安置於第一導電部件121與支撐薄片110之間，所以第一導電部件121可相對於支撐薄片110垂直地移動。

另外，可增加第一導電部件121的厚度。舉例而言，在相關技術中，可能難以增加第一導電部件121的厚度，此是因為用以維持第一導電部件121的第一導電粒子1211的形狀的絕緣彈性材料的量經調整為少量以用於增加第一導電粒子1211的密度。然而，根據例示性實施例，因為彈性絕緣部件122牢固地圍繞第一導電部件121，所以第一導電部件121的厚度可得以充分增加。因此，可獲得高電流以及高電阻特性。

可修改例示性實施例的測試座100，如圖7以及圖8中所展示。

在圖4至圖6所展示的例示性實施例中，絕緣支撐部件132由相同絕緣彈性材料形成。然而，本發明的例示性實施例不限於此。舉例而言，絕緣支撐部件132可在具有不同特性的多個層中形成。舉例而言，如圖7中所展示，絕緣支撐部件232可包含 上部絕緣支撐部件2321以及安置於上部絕緣支撐部件2321下方的下部絕緣支撐部件2322，且上部絕緣支撐部件2321以及下部絕緣支撐部件2322可具有不同硬度。舉例而言，上部絕緣支撐部件2321相比於下部絕緣支撐部件2322可由相對軟材料形成。如上文所描述，若絕緣支撐部件232在具有不同特性的多個層中形成，則施加至測試座100的壓力可變化。

在圖4至圖6所展示的例示性實施例中，第二導電部件131的第二導電粒子1311具有均一密度。然而，本發明的例示性實施例不限於此。舉例而言，如圖8所展示，第二導電部件331中的每一者可包含第二上部導電部件3311以及安置於第二上部導電部件3311下方的第二下部導電部件3312，且第二上部導電部件3311中的第二導電粒子的含量可不同於第二下部導電部件3312中的第二導電粒子的含量。特定言之，第二上部導電部件3311的第二導電粒子相比於第二下部導電部件3312的第二導電粒子可較不密集地配置。如上文所描述，若第二導電部件331在具有不同密度的多個層中形成，則測試座100的特性可得以改良。

在上述例示性實施例中，支撐薄片110的穿透孔111具有垂直均一內徑。然而，本發明的例示性實施例不限於此。舉例而言，支撐薄片110的穿透孔111可具有向下逐漸減小的內徑。亦即，如圖9中所展示，支撐薄片410的穿透孔411可具有向下逐漸減小的內徑。在此狀況下，即使測試目標器件的端子與支撐薄片410的穿透孔411的上部末端接觸，亦可最低限度地損害測試目標器件的端子的表面。

應理解，本文所描述的測試座的例示性實施例應僅在描 述性意義上加以考慮，而非出於限制的目的。每一例示性實施例內的特徵或態樣的描述應通常被認為可用於其他例示性實施例中的其他相似特徵或態樣。

雖然已參考諸圖描述一或多個例示性實施例，但一般熟習此項技術者應理解，可在不脫離如由以下申請專利範圍界定的本發明概念的精神以及範疇的情況下在其中進行形式以及細節的各種改變。

100‧‧‧測試座

110‧‧‧支撐薄片

111‧‧‧穿透孔

120‧‧‧插入件

121‧‧‧第一導電部件

122‧‧‧彈性絕緣部件

130‧‧‧各向異性薄片

131‧‧‧第二導電部件

132‧‧‧絕緣支撐部件

140‧‧‧測試目標器件

141‧‧‧端子

150‧‧‧測試裝置

151‧‧‧焊墊

1211‧‧‧第一導電粒子

1311‧‧‧第二導電粒子

Claims (13)

1. 一種測試座，其經組態以安置於測試目標器件與測試裝置之間，以用於將所述測試目標器件的端子電連接至所述測試裝置的焊墊，所述測試座包括： 支撐薄片，其由絕緣材料形成且包括在對應於所述測試目標器件的所述端子的位置處的穿透孔； 插入件，其包括第一導電部件以及彈性絕緣部件，其中所述第一導電部件安置於所述支撐薄片的所述穿透孔中，且所述第一導電部件是藉由在所述支撐薄片的厚度方向上配置絕緣彈性材料中含有的多個第一導電粒子而形成，所述彈性絕緣部件由絕緣彈性材料形成，且所述彈性絕緣部件安置於所述第一導電部件與所述穿透孔的內壁之間以圍繞所述第一導電部件；以及 各向異性薄片，其包括第二導電部件以及絕緣支撐部件，其中所述第二導電部件安置於所述第一導電部件下方，且所述第二導電部件是藉由在所述各向異性薄片的厚度方向上將絕緣彈性材料中含有的多個第二導電粒子配置於對應於所述穿透孔的位置處而形成，且所述絕緣支撐部件安置於所述支撐薄片下方以支撐所述第二導電部件且使所述第二導電部件絕緣。
2. 如申請專利範圍第1項所述的測試座，其中所述第一導電粒子不在所述彈性絕緣部件中。
3. 如申請專利範圍第1項所述的測試座，其中所述第一導電粒子以10體積%或更低的量包含於所述彈性絕緣部件中。
4. 如申請專利範圍第1項所述的測試座，其中所述彈性絕緣部件一體地耦接至所述第一導電部件以及所述支撐薄片。
5. 如申請專利範圍第1項所述的測試座，其中所述彈性絕緣部件比所述第一導電部件以及所述支撐薄片更有彈性。
6. 如申請專利範圍第1項所述的測試座，其中所述第一導電粒子比所述第二導電粒子更密集地配置。
7. 如申請專利範圍第1項所述的測試座，其中所述支撐薄片是由比所述絕緣支撐部件的材料硬的材料形成。
8. 如申請專利範圍第1項所述的測試座，其中所述支撐薄片的所述穿透孔具有向下逐漸減小的內徑。
9. 一種測試座，其經組態以安置於測試目標器件與測試裝置之間，以用於將所述測試目標器件的端子電連接至所述測試裝置的焊墊，所述測試座包括： 支撐薄片，其由絕緣材料形成且包括在對應於所述測試目標器件的所述端子的位置處的穿透孔； 第一導電部件，其安置於所述支撐薄片的所述穿透孔中，且所述第一導電部件是藉由在所述支撐薄片的厚度方向上配置絕緣彈性材料中含有的多個第一導電粒子而形成，所述第一導電部件的外徑小於所述穿透孔的內徑；以及 各向異性薄片，其包括第二導電部件以及絕緣支撐部件，其中所述第二導電部件安置於所述第一導電部件下方，且所述第二導電部件是藉由將絕緣彈性材料中含有的多個第二導電粒子配置於對應於所述穿透孔的位置處而形成，所述第二導電粒子相比於所述第一導電粒子較不密集地配置，且所述絕緣支撐部件安置於所述支撐薄片下方以支撐所述第二導電部件且使所述第二導電部件絕緣。
10. 如申請專利範圍第9項所述的測試座，其中所述絕緣支撐部件包括上部絕緣支撐部件以及安置於所述上部絕緣支撐部件下方的下部絕緣支撐部件，且 所述上部絕緣支撐部件與所述下部絕緣支撐部件具有不同硬度。
11. 如申請專利範圍第10項所述的測試座，其中所述上部絕緣支撐部件是由比所述下部絕緣支撐部件的材料軟的材料形成。
12. 如申請專利範圍第9項所述的測試座，其中所述第二導電部件包括第二上部導電部件以及安置於所述第二上部導電部件下方的第二下部導電部件，且 所述第二上部導電部件中的所述第二導電粒子的含量不同於所述第二下部導電部件中的所述第二導電粒子的含量。
13. 如申請專利範圍第12項所述的測試座，其中所述第二導電粒子在所述第二上部導電部件中比在所述第二下部導電部件中較不密集地配置。