KR102127229B1 - 전기접속용 커넥터 - Google Patents

Abstract

검사 장치와 피검사 디바이스의 사이에 위치하여 검사 장치와 피검사 디바이스를 전기적으로 접속시키는 커넥터가 제공된다. 커넥터는, 복수의 탄성 도전부와, 탄성 절연부를 포함한다. 복수의 탄성 도전부는 상하 방향으로 도전 가능하다. 탄성 절연부는 복수의 탄성 도전부를 수평 방향으로 이격 및 절연시킨다. 탄성 절연부는 복수의 전자파 차폐부를 포함하며, 복수의 전자파 차폐부는, 상하 방향을 따라 분포 및 배열되며 자성을 갖는 다수의 탄소나노튜브를 포함한다.

Description

전기접속용 커넥터{CONNECTOR FOR ELECTRICAL CONNECTION}

본 개시는 두개의 전자 디바이스에 접촉되어 두개의 전자 디바이스를 전기적으로 접속시키는 커넥터에 관한 것이다.

피검사 디바이스의 전기적 검사를 위해, 피검사 디바이스와 검사 장치에 접촉되어 피검사 디바이스와 검사 장치를 전기적으로 접속시키는 커넥터가 당해 분야에서 사용되고 있다. 커넥터는 검사 장치의 전기 신호를 피검사 디바이스에 전달하고, 피검사 디바이스의 전기 신호를 검사 장치에 전달한다. 이러한 커넥터로서, 도전성 러버 시트가 당해 분야에 알려져 있다.

도전성 러버 시트는 피검사 디바이스에 가해지는 외력에 응해 탄성 변형할 수 있다. 도전성 러버 시트는, 피검사 디바이스와 검사 장치를 전기적으로 접속시키며 전기 신호를 전달하는 복수의 도전부와, 도전부들을 이격 및 절연시키는 절연부를 가진다. 절연부는 경화된 실리콘 러버로 이루어질 수 있다.

피검사 디바이스의 신뢰성 높은 검사를 위해, 도전부에 가해질 수 있는 전자파는 차폐되어야 한다. 일 예로, 공개특허공보 제10-2010-0020793호는, 스테인리스 스틸과 같은 금속 재료로 이루어진 접지판이 절연부에 매립되는 것을 제안한다.

공개특허공보 제10-2010-0020793호

전술한 특허문헌은, 금속 재료의 접지판을 절연부에 매립하는 공정과 접지판을 접지 처리하는 공정을 필요로 하여, 커넥터의 제조 공정 수 및 제조 비용을 상승시킨다. 피검사 디바이스와 커넥터 간의 안정적 접촉을 위해서는, 커넥터의 탄성이 소정 수준 이상으로 유지되어야 하나, 절연부에 매립된 접지판은 커넥터의 탄성을 현저하게 저하시킨다.

도전부 간 피치의 미세화와 함께, 도전부 간 크로스토크의 발생 가능성과 도전부에 대한 전자파의 영향이 커진다. 따라서, 도전성 러버 시트와 같은 커넥터에는, 도전부들에 대한 전자파 차폐 구조가 높은 수준으로 구비될 필요가 있다. 특히, 이러한 전자파 차폐 구조는 커넥터의 탄성을 저하시키지 않으면서 커넥터 내에 저비용과 간단한 구조로 구비되는 것이 중요하다. 그러나, 종래기술에 따른 커넥터의 전자파 차폐 구조는, 커넥터의 제조 공정의 수를 증가시킬 뿐만 아니라, 커넥터의 탄성을 악화시킨다.

본 개시의 일 실시예는, 두개의 전자 디바이스를 전기적으로 접속시키며 전자파 차폐 구조를 갖는 커넥터를 제공한다. 본 개시의 일 실시예는, 두개의 전자 디바이스를 전기적으로 접속시키며 동시에 성형되는 도전부 지지 구조와 전자파 차폐 구조를 갖는 커넥터를 제공한다.

본 개시의 실시예들은, 두개의 전자 디바이스의 사이에 위치하여 두개의 전자 디바이스를 전기적으로 접속시키는 커넥터에 관련된다. 일 실시예에 따른 커넥터는, 복수의 탄성 도전부와, 탄성 절연부를 포함한다. 복수의 탄성 도전부는 상하 방향으로 도전 가능하다. 탄성 절연부는 복수의 탄성 도전부를 수평 방향으로 이격 및 절연시킨다. 탄성 절연부는 복수의 전자파 차폐부를 포함한다. 복수의 전자파 차폐부는, 상하 방향을 따라 분포 및 배열되며 자성을 갖는 다수의 탄소나노튜브를 포함한다. 복수의 탄성 도전부는 상기 다수의 탄소나노튜브를 포함하지 않는다.

일 실시예에 있어서, 탄성 절연부는, 복수의 탄성 도전부를 각각 둘러싸고 상하 방향으로 연장하며 복수의 탄성 도전부와 복수의 전자파 차폐부를 수평 방향으로 이격시키는 복수의 제1 이격부를 포함한다.

일 실시예에 있어서, 복수의 전자파 차폐부는 상하 방향으로 연장하는 원통 형상을 갖고, 복수의 제1 이격부는 복수의 전자파 차폐부 각각의 내측에 각각 위치한다.

일 실시예에 있어서, 탄성 절연부는 각 전자파 차폐부의 상단 또는 하단에 배치되는 제2 이격부를 포함한다.

일 실시예에 있어서, 커넥터는 절연 부재를 포함한다. 절연 부재는 복수의 탄성 도전부에 대응하는 관통 홀을 포함하며, 탄성 절연부에 부착된다.

일 실시예에 있어서, 다수의 탄소나노튜브 각각은 다수의 자성 입자를 포함한다. 다수의 자성 입자가 자기장 내에서 배열되는 힘에 의해 다수의 탄소나노튜브가 상하 방향을 따라 분포되고 배열된다.

일 실시예에 있어서, 다수의 자성 입자는 다수의 탄소나노튜브 각각의 내부에 위치한다.

일 실시예에 있어서, 다수의 자성 입자는 다수의 탄소나노튜브 각각의 외측에서 탄소 원자에 화학적 결합된다.

일 실시예에 있어서, 각각의 다수의 탄소나노튜브는 다수의 육각 구멍을 갖고, 다수의 육각 구멍 중 일부의 육각 구멍 각각은 다수의 자성 입자 중 하나를 갖는다.

일 실시예에 있어서, 다수의 자성 입자는, 니켈, 코발트, 크롬, 철, 철탄화물, 철산화물, 크롬산화물, 니켈산화물, 니켈코발트산화물, 코발트철 및 단분자 자석 물질 중 어느 하나로 이루어진다.

일 실시예에 있어서, 두개의 전자 디바이스 중 하나는 검사 장치이고 두개의 전자 디바이스 중 다른 하나는 검사 장치에 의해 검사되는 피검사 디바이스이다.

일 실시예에 있어서, 탄성 절연부는, 다수의 자성 입자를 각각 갖는 다수의 탄소나노튜브 및 다수의 탄소나노튜브가 분산된 제1 액상 실리콘 러버 재료를 포함하는 제1 액상 성형 재료로부터 복수의 전자파 차폐부와 함께 형성된다. 복수의 전자파 차폐부는, 제1 액상 성형 재료에 상하 방향으로 자기장이 인가되고, 자성 입자가 자기장 내에서 배열되는 힘에 의해 다수의 탄소나노튜브가 상하 방향을 따라 분포 및 배열됨으로써, 형성된다. 복수의 탄성 도전부는, 다수의 도전성 금속 입자 및 다수의 도전성 금속 입자가 분산된 제2 액상 실리콘 러버 재료를 포함하는 제2 액상 성형 재료에 상하 방향으로 자기장이 인가되고 다수의 도전성 금속 입자가 상하 방향을 따라 도전 가능하게 접촉됨으로써, 형성된다. 복수의 탄성 도전부는 상기 다수의 탄소나노튜브를 포함하지 않는다.

일 실시예에 있어서, 상하 방향으로 대향하게 배치된 각 쌍의 링 형상의 자석부에 의해 제1 액상 성형 재료에 상하 방향으로 자기장이 인가됨으로써, 복수의 전자파 차폐부 각각이 원통 형상으로 형성될 수 있다.

본 개시의 일 실시예에 따른 커넥터는 전자파 차폐부를 내포하는 탄성 절연부를 구비한다. 탄성 절연부의 성형 시에 전자파 차폐부가 형성될 수 있으므로, 일 실시예의 커넥터는 별도의 제조 공정 없이 단순한 구조로 전자파 차폐 구조를 가질 수 있다. 일 실시예에 의하면, 탄성 절연부에 내포된 전자파 차폐부는 다수의 탄소나노튜브로 이루어져, 탄성 절연부의 탄성을 저하시키지 않는다. 일 실시예에 의하면, 탄성 절연부의 전자파 차폐부는 상하 방향을 따라 분포 및 배열되고 자성을 갖는 다수의 탄소나노튜브로 이루어진다. 이러한 구조의 전자파 차폐부로 인해, 일 실시예의 커넥터는 향상된 전자파 차폐 효과 및 향상된 크로스토크 방지 효과를 가질 수 있다. 일 실시예에 의하면, 자성을 갖는 탄소나노튜브 각각은 다수의 자성 입자를 포함하며, 자성 입자를 갖는 탄소나노튜브는 순수한 탄소나노튜브보다 우수한 전자파 차폐 효과를 가진다. 또한, 자성 입자를 갖는 탄소나노튜브는 상하 방향으로 인가되는 자기장을 이용하여 커넥터 내에 소망의 영역에 배치될 수 있다. 또한, 자기장을 인가하는 자석의 사이즈 조정에 의해, 전자파 차폐부의 사이즈를 변경시켜 전자파 차폐성을 다양한 수준으로 변경시킬 수 있다.

도 1은 일 실시예에 따른 커넥터가 적용되는 예를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 커넥터를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 커넥터의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 탄소나노튜브들이 상하 방향을 따라 분포 및 배열된 또 하나의 예를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 커넥터를 제조하는 일 예를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 6은 도 2에 도시된 커넥터를 제조하는 일 예를 개략적으로 도시하는 단면도로서, 커넥터에 대응하는 소재를 도시한다.
도 7은 도 6에 도시된 소재에 탄성 도전부에 대응하는 관통 홀이 형성되는 예를 도시한다.
도 8은 도 7에 도시된 관통 홀에 액상 성형 재료가 주입되어 일 실시예에 따른 커넥터가 성형되는 예를 도시한다.
도 9는 일 실시예에 따른 커넥터의 변형예를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 10은 또 하나의 실시예에 따른 커넥터를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 11은 도 10에 도시된 커넥터를 제조하는 일 예를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 12는 도 10에 도시된 커넥터를 제조하는 일 예를 개략적으로 도시하는 단면도로서, 커넥터에 대응하는 소재를 도시한다.
도 13은 도 12에 도시된 소재에 탄성 도전부에 대응하는 관통 홀이 형성되는 예를 도시한다.
도 14는 도 13에 도시된 관통 홀에 액상 성형 재료가 주입되어 또 하나의 실시예에 따른 커넥터가 성형되는 예를 도시한다.
도 15는 또 다른 실시예에 따른 커넥터의 일부를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 16은 또 다른 실시예에 따른 커넥터의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 17은 도 15에 도시된 커넥터를 제조하는 일 예를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 18은 소재에 탄성 도전부에 대응하는 관통 홀이 형성되는 예를 도시한다.
도 19는 또 다른 실시예에 따른 커넥터의 변형예를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 20은 자성 입자를 갖는 탄소나노튜브의 일 예를 도시한다.
도 21은 도 20에 예시된 탄소나노튜브를 형성하는 일 예를 개략적으로 도시한다.
도 22는 도 20에 예시된 탄소나노튜브를 형성하는 또 하나의 예를 개략적으로 도시한다.
도 23은 도 20에 예시된 탄소나노튜브를 형성하는 또 다른 예를 개략적으로 도시한다.
도 24는 도 20에 예시된 탄소나노튜브를 형성하는 또 다른 예를 개략적으로 도시한다.
도 25는 도 20에 예시된 탄소나노튜브를 형성하는 또 다른 예를 개략적으로 도시한다.
도 26은 폐쇄 단부를 갖는 탄소나노튜브를 개략적으로 도시한다.
도 27은 자성 입자를 갖는 탄소나노튜브의 또 하나의 예를 도시한다.
도 28은 도 27에 예시된 탄소나노튜브를 형성하는 일 예를 개략적으로 도시한다.
도 29는 도 27에 예시된 탄소나노튜브를 형성하는 또 하나의 예를 개략적으로 도시한다.
도 30은 자성 입자를 갖는 탄소나노튜브의 또 다른 예를 도시한다.
도 31은 도 30에 예시된 탄소나노튜브를 형성하는 일 예를 개략적으로 도시한다.

본 개시의 실시예들은 본 개시의 기술적 사상을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것이다. 본 개시에 따른 권리범위가 이하에 제시되는 실시예들이나 이들 실시예들에 대한 구체적 설명으로 한정되는 것은 아니다.

본 개시에 사용되는 모든 기술적 용어들 및 과학적 용어들은, 달리 정의되지 않는 한, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 의미를 갖는다. 본 개시에 사용되는 모든 용어들은 본 개시를 더욱 명확히 설명하기 위한 목적으로 선택된 것이며 본 개시에 따른 권리범위를 제한하기 위해 선택된 것이 아니다.

본 개시에서 사용되는 "포함하는", "구비하는", "갖는" 등과 같은 표현은, 해당 표현이 포함되는 어구 또는 문장에서 달리 언급되지 않는 한, 다른 실시예를 포함할 가능성을 내포하는 개방형 용어(open-ended terms)로 이해되어야 한다.

본 개시에서 기술된 단수형의 표현은 달리 언급하지 않는 한 복수형의 의미를 포함할 수 있으며, 이는 청구범위에 기재된 단수형의 표현에도 마찬가지로 적용된다.

본 개시에서 사용되는 "제1", "제2" 등의 표현들은 복수의 구성요소들을 상호 구분하기 위해 사용되며, 해당 구성요소들의 순서 또는 중요도를 한정하는 것은 아니다.

본 개시에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 경우, 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로 연결될 수 있거나 접속될 수 있는 것으로, 또는 새로운 다른 구성요소를 매개로 하여 연결될 수 있거나 접속될 수 있는 것으로 이해되어야 한다.

본 개시에서 사용되는 "상방"의 방향지시어는 커넥터가 검사 장치에 대해 위치하는 방향에 근거하고, "하방"의 방향지시어는 상방의 반대 방향을 의미한다. 본 개시에서 사용되는 "상하 방향"의 방향지시어는 상방 방향과 하방 방향을 포함하지만, 상방 방향과 하방 방향 중 특정한 하나의 방향을 의미하지는 않는 것으로 이해되어야 한다.

첨부한 도면에 도시된 예들을 참조하여, 실시예들이 설명된다. 첨부된 도면에서, 동일하거나 대응하는 구성요소에는 동일한 참조부호가 부여되어 있다. 또한, 이하의 실시예들의 설명에 있어서, 동일하거나 대응하는 구성요소를 중복하여 기술하는 것이 생략될 수 있다. 그러나, 구성요소에 관한 기술이 생략되어도, 그러한 구성요소가 어떤 실시예에 포함되지 않는 것으로 의도되지는 않는다.

이하에 설명되는 실시예들과 첨부된 도면에 도시된 예들은, 두개의 전자 디바이스의 사이에 위치하여 이들 두개의 전자 디바이스를 전기적으로 접속시키는 커넥터에 관련된다. 실시예들의 커넥터의 적용예에 있어서, 상기 두개의 전자 디바이스 중 하나는 검사 장치가 될 수 있고, 상기 두개의 전자 디바이스 중 다른 하나는 검사 장치에 의해 검사되는 피검사 디바이스가 될 수 있지만, 커넥터의 적용예가 이에 한정되지는 않는다. 실시예들의 커넥터는 전기 접속이 필요한 임의의 두개의 전자 디바이스에 접촉을 통해 전기 접속을 실행하기 위해 사용될 수 있다. 실시예들의 커넥터가 검사 장치와 피검사 디바이스에 적용되는 경우, 실시예들의 커넥터는 피검사 디바이스의 전기적 검사 시에 검사 장치와 피검사 디바이스의 전기적 접속을 위해 사용될 수 있다. 일 예로, 실시예들의 커넥터는, 피검사 디바이스의 제조 공정 중 후공정에서, 피검사 디바이스의 최종적인 적기적 검사를 위해 사용될 수 있다. 그러나, 실시예들의 커넥터가 적용되는 검사의 예가 전술한 검사에 한정되지는 않는다.

도 1은 일 실시예에 따른 커넥터가 적용되는 예를 도시한다. 도 1은, 실시예의 설명을 위해, 커넥터, 커넥터가 배치되는 전자 디바이스, 커넥터와 접촉되는 전자 디바이스의 예시적 형상을 도시한다.

도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 커넥터(100)는 두개의 전자 디바이스의 사이에 배치되어, 접촉을 통해 두개의 전자 디바이스 간의 전기적 접속을 실행한다. 도 1에 도시된 예에서, 두개의 전자 디바이스 중 하나는 검사 장치(10)일 수 있고, 다른 하나는 검사 장치(10)에 의해 검사되는 피검사 디바이스(20)가 일 수 있다. 피검사 디바이스(20)의 전기적 검사 시에, 커넥터(100)는 검사 장치(10)와 피검사 디바이스(20)에 각각 접촉되어 검사 장치(10)와 피검사 디바이스(20)를 서로 전기적으로 접속시킨다.

일 예로서, 커넥터(100)는 시트(sheet) 형상의 구조물로서 테스트 소켓(30)에 결합될 수 있다. 테스트 소켓(30)은 커넥터(100)를 유지하고 지지하는 프레임(31)을 가질 수 있으며, 프레임(31)을 통해 소켓 하우징(40)에 제거 가능하게 부착될 수 있다. 소켓 하우징(40)은 검사 장치(10)에 제거가능하게 장착될 수 있다. 소켓 하우징(40)은 운반 장치에 의해 검사 장치(10)로 운반된 피검사 디바이스(20)를 그 안에 수용하고 피검사 디바이스(20)를 검사 장치(10)에 위치시킨다.

피검사 디바이스(20)는 반도체 패키지일 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 반도체 패키지는, 반도체 IC 칩과 다수의 리드 프레임(lead frame)과 다수의 단자를 수지 재료를 사용하여 육면체 형태로 패키징한 반도체 디바이스이다. 상기 반도체 IC 칩은 메모리 IC 칩 또는 비메모리 IC 칩이 될 수 있다. 상기 단자로서, 핀, 솔더볼(solder ball) 등이 사용될 수 있다. 도 1에 도시된 피검사 디바이스(20)는 그 하측에 반구형의 다수의 단자(21)를 가진다.

검사 장치(10)는 피검사 디바이스(20)의 전기적 특성, 기능적 특성, 동작 속도 등을 검사할 수 있다. 검사 장치(10)는, 검사가 수행되는 보드 내에, 전기적 테스트 신호를 출력할 수 있고 응답 신호를 받을 수 있는 다수의 단자(11)를 가질 수 있다. 커넥터(100)는 테스트 소켓(30)과 소켓 하우징(40)에 의해 검사 장치(10)의 단자(11)와 접촉되도록 배치될 수 있다. 피검사 디바이스(20)의 단자(21)는 커넥터(100)를 통해 대응하는 검사 장치(10)의 단자(11)와 전기적으로 접속된다. 커넥터(100)가 피검사 디바이스의 단자(21)와 이것에 대응하는 검사 장치의 단자(11)를 상하 방향(VD)으로 전기적으로 접속시킴으로써, 검사 장치(10)에 의해 피검사 디바이스(20)의 검사가 수행된다.

커넥터(100)의 대부분은 탄성 고분자 물질로 이루어질 수 있으며, 커넥터(100)는 상하 방향(VD)과 수평 방향(HD)으로 탄성을 가질 수 있다. 외력이 상하 방향(VD)에서의 하방으로 커넥터(100)에 가해지면, 커넥터(100)는 하방 방향과 수평 방향(HD)으로 탄성 변형될 수 있다. 상기 외력은, 푸셔 장치가 피검사 디바이스(20)를 검사 장치(10) 측으로 눌러서 발생될 수 있다. 이러한 외력에 의해, 피검사 디바이스의 단자(21)와 커넥터(100)가 상하 방향(VD)으로 접촉될 수 있고, 커넥터(100)와 검사 장치의 단자(11)가 상하 방향(VD)으로 접촉될 수 있다. 상기 외력이 제거되면, 커넥터(100)는 그 원래 형상으로 복원될 수 있다.

도 1을 참조하면, 커넥터(100)는 복수의 탄성 도전부(110)와, 탄성 절연부(120)를 포함한다. 복수의 탄성 도전부(110)는 상하 방향(VD)으로 위치되며, 상하 방향(VD)으로 도전 가능하도록 구성된다. 탄성 절연부(120)는 복수의 탄성 도전부(110)를 수평 방향(HD)에서 이격시키고 복수의 탄성 도전부(110)를 서로 절연시킨다.

탄성 도전부(110)는 그 상단에서 피검사 디바이스의 단자(21)와 접촉되고 그 하단에서 검사 장치의 단자(11)와 접촉된다. 이에 따라, 하나의 탄성 도전부(110)에 대응하는 단자(11)와 단자(21)의 사이에서 탄성 도전부(110)를 매개로 하여 상하 방향의 도전로가 형성된다. 따라서, 검사 장치의 테스트 신호는 단자(11)로부터 탄성 도전부(110)를 통해 피검사 디바이스(20)의 단자(21)에 전달될 수 있고, 피검사 디바이스(20)의 응답 신호는 단자(21)로부터 탄성 도전부(110)를 통해 검사 장치(10)의 단자(11)에 전달될 수 있다. 탄성 도전부(110)의 상단과 하단은 탄성 절연부(120)의 상면 및 하면과 동일 평면을 형성하거나 그보다 약간 돌출할 수 있다.

탄성 도전부(110)들의 평면 배열은 피검사 디바이스(20)의 단자(21)의 배열에 따라 다양할 수 있다. 예컨대, 커넥터(100) 내에서, 탄성 도전부들(110)은 사각형의 탄성 절연부(120) 내에서 하나의 행렬 또는 한 쌍의 행렬 형태로 배열될 수 있다. 또는, 탄성 도전부(110)들은 사각형 탄성 도전부(120)의 각 변을 따라 복수 열로 배열될 수 있다.

실시예들의 커넥터에서, 탄성 절연부(120)는 그 안에 복수의 전자파 차폐부(121)를 구비하며, 복수의 전자파 차페부(121)는 복수의 탄성 도전부(110)의 사이에 배치되고 상하 방향(VD)으로 연장한다. 즉, 탄성 절연부(120)는 복수의 전자파 차폐부(121)를 내포하면서 복수의 탄성 도전부(110)를 수평 방향(HD)에서 이격 및 절연시킨다. 복수의 전자파 차폐부(121)는 자성을 갖는 차폐 물질을 포함하여, 각 탄성 도전부(110)로부터의 전자파를 차폐하고 이웃한 탄성 도전부(110) 간의 크로스토크(crosstalk)를 방지한다.

커넥터의 실시예들의 설명을 위해 도 2 내지 도 19가 참조된다. 도 2 내지 도 19는 커넥터의 형상, 탄성 도전부의 형상, 탄성 도전부를 구성하는 요소의 형상, 탄성 절연부의 형상, 전자파 차폐부를 구성하는 요소의 형상을 개략적으로 도시하며, 이들은 실시예의 이해를 위해 선택된 예에 불과하다.

도 2는 일 실시예의 커넥터의 일부를 도시하는 평면도이고, 도 3은 일 실시예의 커넥터의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 커넥터(100)는 전술한 탄성 도전부(110)와 전술한 탄성 절연부(120)를 포함한다.

각 탄성 도전부(110)가 검사 장치와 피검사 디바이스의 사이에서 도전부로서 기능하고 상하 방향(VD)에서의 신호 전달을 실행한다. 탄성 도전부(110)는 상하 방향(VD)으로 연장하는 원기둥 형상을 가질 수 있다. 이러한 원기둥 형상에 있어서, 중간에서의 직경은 상단 및 하단에서의 직경보다 작을 수 있다.

각 탄성 도전부(110)는 상하 방향(VD)으로 도전 가능하게 접촉된 다수의 도전성 금속 입자(111)를 포함한다. 상하 방향으로 도전 가능하게 접촉된 도전성 금속 입자(111)들이 탄성 도전부(110) 내에서 상하 방향(VD)에서의 신호 전달을 실행하는 도전로를 형성한다. 도전성 금속 입자(111) 사이는 탄성 절연부(120)를 형성하는 탄성 고분자 재료로 채워질 수 있다. 또한, 각 탄성 도전부(110)는 상하 방향(VD)으로 접촉된 도전성 금속 입자(111)를 유지하는 입자 유지부(112)를 가진다. 입자 유지부(112)는 탄성 절연부(120)를 이루는 탄성 고분자 재료로 이루어질 수 있으며, 도전성 금속 입자(111)들을 탄성 도전부(110)의 형상으로 유지할 수 있다. 따라서, 탄성 도전부(110)는 상하 방향(VD)과 수평 방향(HD1, HD2)으로 탄성을 가진다. 피검사 디바이스의 단자에 의해 탄성 도전부(110)가 상하 방향(VD)의 하방으로 눌릴 때, 탄성 도전부(110)는 수평 방향(HD1, HD2)으로 약간 팽창될 수 있고, 탄성 절연부(120)는 탄성 도전부(110)의 이러한 팽창을 허용할 수 있다.

도전성 금속 입자(111)는 코어 입자의 표면을 고전도성 금속으로 피복하여 이루어질수 있다. 코어 입자는 철, 니켈, 코발트 등의 금속 재료로 이루어지거나, 탄성을 지닌 수지 재료로 이루어질 수 있다. 코어 입자의 표면에 피복되는 고전도성 금속으로는, 금, 은, 로듐, 백금, 크롬 등이 사용될 수 있다.

탄성 절연부(120)는 커넥터(100)의 사각형의 탄성 영역을 형성할 수 있다. 복수의 탄성 도전부(110)는 탄성 절연부(120)에 의해 수평 방향(HD1, HD2)으로 등간격 또는 부등간격으로 서로간에 이격되고 절연된다. 탄성 절연부(120)는 하나의 탄성체로서 형성되어 있으며, 복수의 탄성 도전부(110)는 탄성 절연부(120)의 두께 방향(상하 방향(VD))에서 탄성 절연부(120)에 박혀 있다. 탄성 절연부(120)는 탄성 고분자 재료로 이루어져, 상하 방향(VD)과 수평 방향(HD)으로 탄성을 가진다. 탄성 절연부(120)는 탄성 도전부(110)를 그 형상으로 유지시킬뿐만 아니라, 탄성 도전부(110)를 상하 방향으로 유지시킨다.

탄성 절연부(120)는 경화된 실리콘 러버 재료로 이루어질 수 있다. 예컨대, 액상의 실리콘 러버가 커넥터(100)를 성형하기 위한 성형 금형 내에 주입되고 경화됨으로써, 탄성 절연부(120)가 형성될 수 있다. 탄성 절연부(120)를 성형하기 위한 액상의 실리콘 러버 재료로서, 부가형 액상 실리콘 고무, 축합형 액상 실리콘 고무, 비닐기나 히드록시기를 포함하는 액상 실리콘 고무 등이 사용될 수 있다. 구체적인 예로서, 상기 액상 실리콘 러버 재료는, 디메틸실리콘 생고무, 메틸비닐실리콘 생고무, 메틸페닐비닐실리콘 생고무 등을 포함할 수 있다.

탄성 절연부(120)는 복수의 전자파 차폐부(121)를 내포하여, 탄성 도전부(110)로부터의 전자파를 차폐하고 탄성 도전부(110) 간의 크로스토크를 방지한다. 복수의 전자파 차폐부(121)는 각 탄성 도전부(110)와 적어도 수평 방향(HD1, HD2)으로 이격되어 있다.

일 실시예에 있어서, 탄성 절연부(120)는, 복수의 탄성 도전부(110)를 각각 둘러싸는 복수의 제1 이격부(124)를 구비한다. 제1 이격부(124)는 대략 원통 형상을 가지며, 상하 방향(VD)으로 탄성 절연부(120)의 상단 및 하단 사이에서 연장할 수 있다. 제1 이격부(124) 내에 탄성 도전부(110)가 위치한다. 탄성 절연부(120) 내에서, 전자파 차폐부(121)들은 하나의 제1 이격부(124)의 외측에 위치한다. 제1 이격부(124)가 탄성 도전부(110)와 전자파 차폐부(121)를 수평 방향(HD1, HD2)에서 이격시켜, 탄성 도전부(110)와 전자파 차폐부(121)를 격리시킨다. 제1 이격부(124)는 탄성 절연부(120)를 구성하는 전술한 탄성 고분자 재료와 동일한 재료로 이루어진다.

일 실시예에 있어서, 전자파 차폐부(121)는 상하 방향(VD)을 따라 분포 및 배열되고 자성을 갖는 다수의 탄소나노튜브(122)를 포함한다. 자성을 갖는 탄소나노튜브(122)로 인해, 전자파 차폐부(121)가 전자파 차폐의 기능을 실현한다. 일 예로, 암체어형 탄소나노튜브, 단일벽 탄소나노튜브 또는 다중벽 탄소나노튜브가 전자파 차폐부(121)를 구성하는 탄소나노튜브로서 사용될 수 있다. 또한, 일 실시예에 의하면, 외부 자기장이 없는 상태에서 자화되는 강자성체 물질로 된 자성 입자가 순수한 탄소나노튜브에 포함됨으로써, 탄소나노튜브(122)가 자성을 갖는다. 즉, 탄소나노튜브(122)는 자성을 발휘하는 다수의 자성 입자를 포함한다.

도 2에 도시된 바와 같이, 다수의 탄소나노튜브(122)를 포함하는 전자파 차폐부(121)는 탄성 절연부(120) 내에서 수평 방향(HD1, HD2)으로 부등간격으로 랜덤하게 배치될 수 있다. 전자파 차폐부(121)들은 서로 다른 형상과 사이즈를 가질 수 있다. 도 2에 도시된 전자파 차폐부(121)들의 평면 배치는 예시적이다. 전자파 차폐부(121)들은 도 2에 도시된 배열보다 더욱 조밀하게 복수의 제1 이격부(124) 각각의 외측에 배치되어, 거의 틈새가 없게 서로 이웃할 수 있다.

다수의 탄소나노튜브(122)는 탄성 절연부(120)를 이루는 탄성 고분자 재료에 의해 전자파 차폐부(121)의 형상으로 유지된다. 따라서, 전자파 차폐부(121)는 다수의 탄소나노튜브(122)와 상기 탄성 고분자 재료로 이루어질 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 전자파 차폐부(121) 내에서, 다수의 탄소나노튜브(122)는 상하 방향(VD)을 따라 고르게 분포 및 배열되어 있다. 또한, 상하 방향(VD)을 따라 고르게 분포 및 배열된 탄소나노튜브(122)들에서, 이웃한 적어도 두개의 탄소나노튜브(122)는 상하 방향(VD), 수평 방향(HD) 또는 상하 방향과 수평 방향 사이의 경사 방향에서 서로 접촉될 수 있다. 여기서, 탄소나노튜브들이 상하 방향을 따라 고르게 분포 및 배열된다는 것은, 하나의 전자파 차폐부에 속하는 탄소나노튜브(122)들이, 상하 방향(VD)으로, 또는 상하 방향(VD)에 대해 약간 경사진 방향으로, 또는 상하 방향(VD)에 직교하는 방향으로 분포되고 배열되는 것을 포함할 수 있다.

도 3에 도시된 바와 같이, 하나의 전자파 차폐부(121) 내에서, 다수의 탄소나노튜브(122)들은 상하 방향, 수평 방향, 경사 방향 중 어느 하나의 방향으로 위치되어 상하 방향을 따라 분포 및 배열될 수 있다. 이와 같이 위치하는 다수의 탄소나노튜브(122)는, 예컨대, 커넥터(100)의 성형 도중, 경화되는 액상의 실리콘 러버에 의해 유지될 수 있다. 즉, 액상의 실리콘 러버가 경화하여 탄성 절연부(120)를 형성하면서, 다수의 탄소나노튜브(122)가 상하 방향을 따라 늘어서게 되며, 탄소나노튜브(122) 각각은 상하 방향, 수평 방향 및 경사 방향 중 어느 하나의 방향으로 위치할 수 있다. 각 탄소나노튜브(122)에 포함된 다수의 상기 자성 입자가 자기장 내에서 배열되는 힘에 의해, 다수의 탄소나노튜브(122)가 상하 방향(VD)을 따라 분포 및 배열된다. 예컨대, 상하 방향(VD)으로 자기장이 가해질 때, 상기 자성 입자가 자기장 내에서 자기력에 의해 자기력선을 따라 배열되는 힘에 의해, 다수의 탄소나노튜브(122)가 상하 방향을 따라 분포 및 배열되고 접촉될 수 있다. 또한, 이러한 탄소나노튜브(122)들의 거동 도중, 탄소나노튜브(122)들이 상하 방향, 수평 방향 또는 경사 방향으로 위치하면 상하 방향을 따라 고르게 분포 및 배열될 수 있다. 이와 관련하여, 탄소나노튜브에서의 자성 입자의 위치, 탄소나노튜브에 포함되는 자성 입자의 양, 자성 입자를 갖는 탄소나노튜브의 양, 액상 실리콘 러버 재료의 점도 등이 탄소나노튜브의 거동에 영향을 줄 수 있다.

도 3에 도시된 바와 같이, 다수의 탄소나노튜브(122)는 전자파 차폐부(121) 내에서 상하 방향(VD)을 따라 직선 형상으로 배열될 수 있다. 예컨대, 탄소나노튜브의 길이가 비교적 짧고 탄소나노튜브에 포함되는 자성 입자의 양이 비교적 많은 경우, 탄소나노튜브는 전자파 차폐부(121) 내에서 직선 형상을 취할 수 있다.

도 4는 탄소나노튜브들이 상하 방향을 따라 분포 및 배열된 또 하나의 예를 도시한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 탄소나노튜브(122)들은 상하 방향(VD)을 따라 곡선 형상으로 배열될 수 있다. 예컨대, 탄소나노튜브의 길이가 비교적 길고 탄소나노튜브에 포함되는 자성 입자의 양이 비교적 적은 경우, 탄소나노튜브들(122)은 전자파 차폐부(121) 내에서 곡선 형상을 취할 수 있다. 곡선 형상을 취하는 탄소나노튜브(122)들은 상하 방향, 수평 방향 또는 경사 방향으로 위치할 수 있다.

상기 자성 입자가 자기력에 의해 자기력선을 따라 배열되는 힘에 의해, 다수의 탄소나노튜브(122)가 상하 방향(VD)을 따라 분포 및 배열된다. 이러한 탄소나노튜브의 분포 및 배열에 의해 전자파 차폐부가 형성되는 것에 관련해, 일 실시예의 커넥터를 제조하는 예를 도시하는 도 5 내지 도 8이 참조된다.

도 5는 일 실시예에 따른 커넥터를 제조하는 예를 개략적으로 도시한다. 도 5를 참조하면, 일 실시예의 커넥터는 성형 금형(411)과 성형 금형(411)에 상하로 배치된 자기장 인가부(421, 422)를 사용하여 성형될 수 있다. 성형 금형(411)의 성형 공동(412)에 커넥터를 형성하는 탄성 고분자 재료로서 제1 액상 성형 재료(413)가 주입될 수 있다. 제1 액상 성형 재료(413)는 제1 액상 실리콘 러버 재료와 전술한 다수의 탄소나노튜브(122)를 포함하며, 다수의 탄소나노튜브는 제1 액상 실리콘 러버 재료 내에 분산되어 있다. 제1 액상 실리콘 러버 재료는 위에서 예시한 액상 실리콘 러버 재료 중 하나가 될 수 있다. 각 탄소나노튜브(122)는 전술한 다수의 자성 입자를 가진다.

제1 액상 성형 재료(413)가 성형 공동(412)에 주입된 후, 제1 및 제2 자기장 인가부(421, 422)에 의해 상하 방향(VD)으로 자기장이 인가된다. 제1 자기장 인가부(421)와 제2 자기장 인가부(422)는 성형 금형(411)의 상하 방향(즉, 커넥터의 상하 방향)으로 서로 대향하도록 배치된다. 제1 및 제2 자기장 인가부(421, 422)는, 자기장을 인가하는 자석부(423, 424)와 자기장이 인가되지 않는 복수의 홀부(425, 426)를 가진다. 자석부(423, 424)와 홀부(425, 426)는 사각형의 평판 형태에 구멍이 뚫린 형태로 형성될 수 있다. 복수의 홀부(425, 426)의 각각은 커넥터의 탄성 도전부마다 상하 방향으로 위치한다. 따라서, 상하로 위치하는 홀부(425, 426)에는 상하 방향(VD)으로 자기장이 인가되지 않는다.

자석부(423, 424)에 의해 자기장이 인가되면, 각 탄소나노튜브(122)에 포함된 상기 자성 입자는 자기장의 자기력에 의해 이끌리고 자기장 내에서 자기력선을 따라 배열된다. 상기 자성 입자가 자기장 내에서 자기력선을 따라 배열되는 힘에 의해, 탄소나노튜브(122)들은 상하 방향(VD)을 따라 고르게 분포 및 배열된다. 이와 같이 자성 입자에 의해 이동되는 탄소나노튜브(122)들이 전자파 차폐부(121)를 형성한다. 상하 방향으로 배치된 홀부(425, 426)에는 자기장이 인가되지 않으므로, 성형 공동(412) 내에서 상하로 대향하는 홀부(425, 426)에는 탄소나노튜브(122)가 거의 존재하지 않는다.

상기 제1 액상 실리콘 러버 재료의 점도가 탄소나노튜브들의 이동에 저항을 가할 수 있다. 따라서, 탄소나노튜브가 소망하는 수준으로 상하 방향으로 위치할 수 있게 하는 점도를 갖는 제1 액상 실리콘 러버 재료가 선택될 수 있다. 예컨대, 탄소나노튜브의 방향에 따른 전자파 차폐부의 차폐성을 고려하여, 적합한 점도를 갖는 액상 실리콘 러버 재료가 선택될 수 있다.

또한, 자기장 인가부(421, 422)에 마련된 홀부(425, 426)의 사이즈를 조정함에 따라, 탄소나노튜브(122)들이 모이는 사이즈가 조정될 수 있다. 이에 따라, 전자파 차폐부의 사이즈 및 차폐성이 조정될 수 있다.

다수의 탄소나노튜브(122)들이 상하 방향(VD)을 따라 분포 및 배열된 후, 제1 액상 성형 재료(413)의 제1 액상 실리콘 러버 재료가 경화된다. 그러면, 도 6에 도시된 바와 같이, 커넥터에 대응하는 소재(workpiece)(430)가 성형될 수 있다. 이 소재(430)는, 커넥터의 탄성 도전부에 대응하는 홀부(425, 426)로 인해 실리콘 러버 재료로만 이루어지는 실리콘 러버부(431)가 상하 방향으로 형성된다. 실리콘 러버부(431)를 제외한 소재(430)의 부분이, 상하 방향(VD)으로 분포 및 배열된 탄소나노튜브가 형성하는 전자파 차폐부를 내포하는 탄성 절연부로 될 수 있다. 따라서, 커넥터의 탄성 절연부는 전자파 차폐부를 내포하면서 전자파 차폐부와 함께 형성될 수 있다.

도 7을 참조하면, 소재(430)의 실리콘 러버부(451)마다 상하 방향(VD)으로 관통 홀(432)이 형성된다. 일 예로, 소재(430)에 상하 방향(VD)으로 레이저를 조사하여, 관통 홀(432)이 형성될 수 있다. 실리콘 러버부(451)로부터 관통 홀(432)을 제외한 부분이 전술한 탄성 절연부의 제1 이격부로 될 수 있다.

도 8을 참조하면, 관통 홀(432)에 제2 액상 성형 재료(414)가 주입되어 관통 홀(432)이 채워진다. 제2 액상 성형 재료(414)는, 제2 액상 실리콘 러버 재료와 전술한 다수의 도전성 금속 입자(111)를 포함하며, 다수의 도전성 금속 입자(111)는 제2 액상 실리콘 러버 재료 내에 분산되어 있다. 제2 액상 실리콘 러버 재료는 위에서 예시한 액상 실리콘 러버 재료 중 하나가 될 수 있으며, 제1 액상 실리콘 러버 재료와 동일할 수 있다. 그 후, 관통 홀(432)에 채워진 제2 액상 성형 재료(414)에 상하 방향(VD)으로 자기장을 인가하면, 제2 액상 성형 재료(414) 내의 도전성 금속 입자(111)들이 자기장 내에서 배열되면서 상하 방향(VD)으로 도전 가능하게 접촉된다. 이에 따라, 상하 방향(VD)으로 서로 접촉된 도전성 금속 입자(111)들이 커넥터의 탄성 도전부를 형성할 수 있다. 또한, 관통 홀(432) 내에서 제2 액상 성형 재료(414) 중 도전성 금속 입자(111)를 제외한 액상 실리콘 러버 재료가 전술한 탄성 도전부의 입자 유지부를 형성할 수 있다. 그 후, 관통 홀(432) 내의 액상 실리콘 러버 재료가 경화되어, 도 2에 도시된 커넥터(100)가 성형될 수 있다.

전술한 바와 같이, 일 실시예의 커넥터(100)는 제1 액상 성형 재료(413)와 제2 액상 성형 재료(414)로부터 성형될 수 있다. 제1 액상 성형 재료(413)는, 다수의 자성 입자를 갖는 다수의 탄소나노튜브(122) 및 다수의 탄소나노튜브(122)가 분산된 전술한 제1 액상 실리콘 러버 재료를 포함한다. 제2 액상 성형 재료(414)는 다수의 도전성 금속 입자(111) 및 다수의 도전성 금속 입자(111)가 분산된 제2 액상 실리콘 러버 재료를 포함한다. 탄성 절연부(120)는 제1 액상 성형 재료(413)로부터 형성되며 복수의 전자파 차폐부(121)와 함께 형성될 수 있다. 복수의 전자파 차폐부(121)는, 제1 액상 성형 재료(413)에 상하 방향(VD)으로 자기장이 인가되고, 상기 자성 입자가 상기 자기장 내에서 자기력에 의해 배열되는 힘에 의해 다수의 탄소나노튜브(122)가 상하 방향(VD)을 따라 분포 및 배열됨으로써, 형성될 수 있다. 즉, 복수의 전자파 차폐부(121)는, 자기장의 인가와 인가된 자기장 내에서의 자성 입자의 거동에 의해 다수의 탄소나노튜브(122)가 상하 방향(VD)을 따라 분포 및 배열됨으로써 형성될 수 있다. 커넥터(100)의 탄성 절연부(120)는, 다수의 탄소나노튜브(122)로 이루어진 복수의 전자파 차폐부(121)가 형성된 후, 제1 액상 성형 재료(413) 내의 상기 제1 액상 실리콘 러버 재료가 경화되어 형성될 수 있다. 복수의 탄성 도전부(110)는, 다수의 도전성 금속 입자(111) 및 다수의 도전성 금속 입자(111)가 분산된 상기 제2 액상 실리콘 러버 재료를 포함하는 제2 액상 성형 재료(414)에 상하 방향(VD)으로 자기장이 인가되고, 다수의 도전성 금속 입자(111)가 상하 방향(VD)을 따라 도전 가능하게 접촉되어, 형성될 수 있다. 복수의 탄성 도전부(110)의 성형에 관련하여, 탄성 절연부(120)가 제1 액상 성형 재료(413)로부터 성형된 후, 탄성 절연부(120)에 복수의 탄성 도전부(110)마다 형성된 복수의 관통 홀(452)에 제2 액상 성형 재료(414)가 주입될 수 있다.

도 9는 일 실시예에 따른 커넥터의 변형예를 도시한다. 도 9를 참조하면, 탄성 절연부(120)는 각 전자파 차폐부(121)의 상단 및 하단에 배치되는 제2 이격부(125)를 포함한다. 제2 이격부(125)는 상하 방향(VD)에서 전자파 차폐부(121)의 상단의 위와 전자파 차폐부(121)의 하단의 아래에 배치될 수 있다. 상측에 위치한 제2 이격부(125)의 상면이 탄성 절연부(120)의 상면의 일부로 될 수 있고, 하측에 위치한 제2 이격부(125)의 하면이 탄성 절연부(120)의 하면의 일부로 될 수 있다. 제2 이격부(125)는 전자파 차폐부(121)의 상단과 하단을 노출시키지 않으며, 피검사 디바이스(도 1 참조)의 검사 시에, 피검사 디바이스의 단자(21)와 전자파 차폐부(121)의 접촉을 방지할 수 있다. 제2 이격부(125)는, 탄성 도전부(110)를 성형하는 도중 전자파 차폐부(121)의 상단과 하단을 덮도록 형성될 수 있다. 예컨대, 도 8에 도시된 바와 같이, 제2 액상 성형 재료를 관통 홀에 주입하여 탄성 도전부를 성형하는 공정에서, 제2 액상 성형 재료의 제2 액상 실리콘 러버 재료가 소재(430)의 상하면을 덮을 수 있다. 그러면, 전자파 차폐부(121)의 상단의 위와 하단의 아래에 위치하는 제2 액상 실리콘 러버 재료가 경화되어, 제2 이격부(125)를 형성할 수 있다.

도 9에 도시된 예에서는, 제2 이격부(125)가 전자파 차폐부(121)의 상단의 위 및 하단의 아래에 배치된다. 또 하나의 예로서, 제2 이격부(125)는 전자파 차폐부(121)의 상단의 위 또는 하단의 아래에만 배치될 수도 있다.

도 10은 또 하나의 실시예에 따른 커넥터를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 10에 도시하는 커넥터(200)는, 탄성 절연부(120)를 덮는 절연 부재(230)를 포함하며, 절연 부재(230)는 탄성 절연부(120)의 상면과 하면을 각각 덮도록 탄성 절연부(120)의 상면과 하면에 부착될 수 있다. 절연 부재(230)가 탄성 절연부(120)의 상면과 하면을 덮으므로, 전자파 차폐부(121)의 상단과 하단은 절연 부재(230)의 내측에 위치한다.

절연 부재(230)는 얇은 필름 형상으로 형성될 수 있다. 절연 부재(230)는 상하 방향(VD)으로 뚫린 복수의 관통 홀(231)을 포함한다. 복수의 관통 홀(231)은 각각 복수의 탄성 도전부(110)에 대응한다. 각 탄성 도전부(110)의 상단부 또는 하단부가 관통 홀(231)을 채운다. 각 탄성 도전부(110)의 상단부와 하단부는 절연 부재(230)의 상측 표면 또는 하측 표면과 동일 레벨로 위치할 수 있다. 다른 예로서, 각 탄성 도전부(110)의 상단부와 하단부는 절연 부재(230)의 상측 표면 또는 하측 표면보다 더 돌출할 수도 있다.

일 예로, 절연 부재(230)는 절연성을 갖는 폴리이미드 필름 또는 절연성을 갖는 폴리머로 이루어지는 필름을 포함할 수 있다. 피검사 디바이스의 검사 시에, 피검사 디바이스의 단자(21)(도 1 참조)는 탄성 도전부(110)의 상단과 접촉한다. 그러나, 관통 홀(231)에 삽입되어 있는 탄성 도전부(110)의 상단부와 전자파 차폐부(121)가 절연 부재(230)를 통해 이격되므로, 절연 부재(230)가 피검사 디바이스의 단자(21)와 전자파 차폐부(121) 간의 접촉을 방지할 수 있다.

도 10에 도시된 예에서는, 절연 부재(230)가 탄성 절연부(120)의 상면 및 하면에 모두 제공되어 있다. 다른 예로서, 절연 부재(230)는 피검사 디바이스와 면하는 탄성 절연부(120)의 상면에만 제공될 수도 있다.

절연 부재(230)의 관통 홀(231)은 커넥터(200)의 성형 도중에 형성될 수 있다. 다른 실시예로서, 관통 홀(231)이 뚫린 절연 부재(230)가 성형된 커넥터(200)의 탄성 절연부(120)의 상면과 하면에 접착될 수도 있다. 도 10에 도시된 바와 같이, 관통 홀(231)의 내주면은 수직할 수 있다. 다른 예로서, 관통 홀(231)의 내주면은 상하 방향(VD)에 대해 소정 각도로 경사질 수도 있다.

도 11 내지 도 14는 도 10에 도시된 실시예에 따른 커넥터를 성형하는 예를 도시한다. 도 11을 참조하면, 제1 액상 성형 재료(413)와 함께 성형 공동(412) 내에 절연 부재(230)가 투입될 수 있다. 도 11에 도시된 절연 부재(230)에는 전술한 관통공이 형성되어 있지 않다. 도 5를 참조하여 설명한 방법과 동일한 방법으로, 자기장 인가에 의해 탄소나노튜브(122)가 상하 방향(VD)을 따라 분포 및 배열됨으로써, 이 실시예에 따른 커넥터의 전자파 차폐부를 형성한다. 도 12에 도시된 바와 같이, 제1 액상 성형 재료(413)의 제1 액상 실리콘 러버 재료가 경화된 후, 소재(430A)가 성형된다. 절연 부재(230)는 소재(430A)의 상면과 하면을 덮고 있다. 도 13에 도시된 바와 같이, 레이저 가공에 의해 소재(430A)에 관통 홀(432)이 형성된다. 관통 홀(432)은 레이저 가공에 의해 형성될 수 있다. 또한, 관통 홀(432)이 레이저 가공으로 형성되면서, 절연 부재(230)의 일부가 제거되며, 이에 따라 절연 부재(230)에 전술한 관통 홀(231)이 형성된다. 또한, 실리콘 러버부(432)에서 관통 홀(432)을 제외한 부분이 탄성 절연부의 제1 이격부로 될 수 있다. 도 14에 도시된 바와 같이, 관통 홀(432)에 제2 액상 성형 재료(414)가 주입된다. 관통 홀(432)을 채운 제2 액상 성형 재료(414)에 상하 방향(VD)으로 자기장이 인가되고, 도전성 금속 입자(111)가 자기장의 자기력에 의해 상하 방향(VD)으로 도전 가능하게 접촉된다. 그 후, 관통 홀(432) 내의 제2 액상 실리콘 러버 재료가 경화된다. 이에 따라, 도 10에 도시된 커넥터(200)가 성형될 수 있다.

도 15는 또 다른 실시예에 따른 커넥터의 일부를 개략적으로 도시하는 사시도이고, 도 16은 또 다른 실시예에 따른 커넥터의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.

도 15 및 도 16을 참조하면, 이 실시예에 따른 커넥터(300)의 전자파 차폐부(121)는 원통 형상 또는 링 형상을 가지며 상하 방향(VD)으로 탄성 절연부(110)의 상단과 하단 사이에서 연장한다. 탄성 절연부(120)의 제1 이격부(124)는 전자파 차폐부(121)의 내측에 위치한다. 즉, 전자파 차폐부(121)는 제1 이격부(124)를 둘러싸는 원통 형상 또는 링 형상으로 형성되어 있다. 또한, 이 실시예에서의 전자파 차폐부(121)는 하나의 탄성 도전부(110)를 완전히 둘러싸는 하나의 구조물로서 형성되어 있다. 또한, 이 실시예에서는, 원통 형상 또는 링 형상의 복수의 전자파 차폐부(121)는 수평 방향(HD1)에서 또는 수평 방향(HD2)에서 등간격으로 이격될 수 있다.

도 17 및 도 18은 도 15 및 도 16에 도시된 커넥터를 성형하는 일 예를 도시한다. 도 15 및 도 16에 도시된 커넥터(300)는, 전술한 실시예와 마찬가지로, 자기장 인가에 의해 상하 방향을 따라 분포 및 배열된 다수의 탄소나노튜브에 의해 전자파 차폐부를 형성하고, 성형된 소재에 탄성 도전부를 형성하기 위한 관통홀을 형성하고, 자기장 인가에 의해 도전성 금속 입자를 도전가능하게 접촉시킴으로써 성형될 수 있다.

도 17을 참조하면, 제1 및 제2 자기장 인가부(421, 422)는 탄성 도전부의 위치마다 상하 방향(VD)으로 대향하게 배치된 자석부(463, 464)를 구비한다. 자석부(463, 464)는 원통 형상 또는 링 형상을 가지며, 이러한 링 형상의 내부에는 원형의 홀부(465, 466)가 형성되어 있다. 탄성 도전부의 위치마다 상하 방향(VD)으로 대향하게 배치된 자석부(463, 464)가 한 쌍을 이룬다. 각 쌍의 자석부(463, 464)가 상하 방향(VD)으로 자기장을 인가하면, 제1 액상 성형 재료(413) 내의 탄소나노튜브(122)는 그 자성 입자로 인해 각 자석부(463, 464)마다 원통 형상 또는 링 형상으로 모인다. 또한, 탄소나노튜브(122)는 원통 형상으로 모이면서, 상하 방향(VD)을 따라 고르게 분포 및 배열되어, 도 15에 도시된 원통 형상의 전자파 차폐부(121)를 형성한다. 즉, 이 실시예에 의하면, 전자파 차폐부는, 제1 액상 성형 재료(413)에 상하 방향(VD)으로 대향하게 배치된 원통 형상의 자석부(463, 464)에 의해 제1 액상 성형 재료(413)에 상하 방향(VD)으로 자기장이 인가되어 원통 형상 또는 링 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 자석부(463, 464)의 직경과 홀부(465, 466)의 크기를 조정함으로써, 전자파 차폐부의 사이즈 및 차폐성이 다양하게 변경될 수 있다.

도 18을 참조하면, 이 실시예에 따른 커넥터에 대응하는 소재(430B)에는, 원통 형상 또는 링 형상의 전자파 차폐부(121)가 형성되어 있고, 전자파 차폐부(121)의 내부에 실리콘 러버부(431)가 형성되어 있다. 실리콘 러버부(431)에 레이저 가공에 의해 탄성 도전부를 성형하기 위한 관통 홀(432)이 형성된다. 실리콘 러버부(432)에서 관통 홀(432)을 제외한 부분이 탄성 절연부의 제1 이격부로 될 수 있다. 그 후, 전술한 제2 액상 성형 재료를 관통 홀(432)에 주입하고, 자기장 인가에 의해 도전성 금속 입자를 상하 방향(VD)을 따라 도전가능하게 접촉시키고, 제2 액상 성형 재료 내의 제2 액상 실리콘 러버 재료가 경화된다. 이에 따라, 도 15에 도시된 커넥터(300)가 성형될 수 있다.

도 19는 또 다른 실시예에 따른 커넥터의 변형예를 개략적으로 도시한다. 도 19를 참조하면, 이 실시예에 따른 커넥터(300)는 도 10에 도시된 절연 부재(230)를 구비할 수 있다. 이 경우, 도 11 내지 도 14를 참조하여 설명된 성형 방법으로, 절연 부재를 구비하는 커넥터(300)가 성형될 수 있다.

상하 방향을 따라 고르게 분포 및 배열되어 전자파 차폐부를 형성하는 탄소나노튜브는 다양한 형태로 자성 입자를 가질 수 있다. 상기 자성 입자로서, 외부 자기장이 없는 상태에서 자화되는 강자성체 물질로 된 입자가 사용될 수 있다. 예컨대, 상기 자성 입자는, 니켈, 코발트, 크롬, 철, 철탄화물, 철산화물, 크롬산화물, 니켈산화물, 니켈코발트산화물, 코발트철 및 단분자 자석 물질중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 철탄화물로서, 일탄화삼철(Fe3C)이 사용될 수 있다. 상기 철산화물로서, 삼산화철(Fe2O3), 사산화삼철(Fe3O4), 페라이트(ferrite)가 사용될 수 있다. 상기 단분자 자석 물질로서, Mn12 단분자 자석, 디스프로슘(III) 아세토네이트 하이드레이트(Dysprosium(III) acetylacetonate hydrate), 터븀(III) 비스-프탈로사이아닌(Terbium(III) bis-phthalocyanine)이 사용될 수 있다.

도 20 내지 도 31을 참조하여, 실시예의 커넥터에 있어서, 자성 입자를 갖는 탄소나노튜브의 다양한 예를 설명한다. 도 20 내지 도 31을 참조하여 설명하는 탄소나노튜브의 예에서의 자성 입자는, 자성 입자를 갖는 탄소나노튜브의 예시적 설명을 위해 선택된 예에 불과하다. 전술한 자성 입자의 예들 중 하나의 예에 따른 자성 입자가 도 20 내지 도 31을 참조하여 설명하는 형태로 탄소나노튜브에 포함될 수 있다.

도 20은 자성 입자를 갖는 탄소나노튜브의 일 예를 도시한다. 도 20을 참조하면, 다수의 자성 입자(123)는 하나의 탄소나노튜브(122)의 내부에 위치할 수 있다. 즉, 자성 입자(123)가 탄소나노튜브(122)의 내부 공간으로 삽입되는 형태로, 탄소나노튜브(122)가 자성 입자(123)를 가질 수 있다. 자성 입자가 탄소나노튜브 내부의 공간에 삽입되는 예에 관련하여, 도 21 내지 도 25가 참조된다.

탄소나노튜브는 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD)에 의해 생성 및 성장될 수 있다. 화학기상증착에 의해 탄소나노튜브가 생성 및 성장하는 도중, 상기 자성 입자가 촉매로 사용되어 탄소나노튜브의 내부 공간에 삽입될 수 있다. 일 예로, 화학기상증착을 사용하는 탄소나노튜브의 생성과 성장은, 화학기상증착을 위한 반응기에 탄화수소 가스를 이송 가스로서 공급하고 반응기 내에 설치된 기판으로부터 탄소나노튜브가 수직 방향으로 성장함으로써 행해질 수 있다. 도 21 내지 도 23은 화학기상증착에 의해 탄소나노튜브가 생성 및 성장되면서 자성 입자가 탄소나노튜브 내부 공간에 삽입되는 예를 개략적으로 도시한다.

도 21을 참조하면, 자성 입자(123) 또는 자성 입자(123)의 클러스터는 실리콘 또는 알루미늄으로 이루어진 기판(511)의 표면에 약하게 결합되어 있다. 이송 가스로서 공급된 탄화수소는 자성 입자(123)의 상부에서 발열 분해에 의해 탄소와 수소로 분해된다. 발열 분해로 인해, 자성 입자(123)의 상단에서 온도와 탄소 농도가 증가하고, 자성 입자(123)는 기판(511)으로부터 분리된다. 탄소가 더욱 차가운 영역으로 확산되고 침전되면서, 탄소나노튜브(122)가 기판(511)으로부터 상하 방향으로 자성 입자(123)를 내포하면서 형성될 수 있다.

도 22를 참조하면, 자성 입자 클러스터(513)가 기판(511)의 표면에 증착되어 있다. 기판(511)의 표면의 자성 입자 클러스터(513)가 탄화수소에 노출된다. 탄화수소는 클러스터(513)의 표면에서 촉매적으로 발열 분해되어, 수소와 탄소로 분해된다. 분해된 탄소는 더욱 높은 농도의 고온 영역으로부터 클러스터(513)의 차가운 영역으로 확산되고 침전되어, 탄소나노튜브(122)가 자성 입자 클러스터(513)를 내포하면서 기판(511)으로부터 상하 방향으로 형성될 수 있다.

도 23을 참조하면, 화학기상증착에 의해 탄소나노튜브가 성장하는 동시에 탄소나노튜브의 내부가 자성 입자로 채워질 수 있다. 탄소나노튜브(122)가 느린 속도로 성장하는 도중, 도가니에 담긴 자성 입자의 클러스터가 기화되어 성장하는 탄소나노튜브에 투입될 수 있다. 자성 입자의 클러스터는 탄소나노튜브(122)의 개방 단부에 부착되고, 이에 따라 탄소나노튜브(122)는 빠른 속도로 성장할 수 있다. 자성 입자의 클러스터(513) 주변에서 빠르게 성장하는 탄소나노튜브의 힘에 의해, 클러스터(513)가 변형된다. 촉매 물질인 자성 입자의 클러스터(513)의 공급이 중지하면, 탄소나노튜브(122)는 다시 느리게 성장할 수 있다.

자성 입자가 내부 공간에 삽입된 탄소나노튜브는, 자성 입자가 부착된 그래핀 시트(graphine sheet)를 탄소나노튜브가 되도록 말아서 형성될 수 있다. 도 24는 자성 입자가 부착된 그래핀 시트를 말아서 탄소나노튜브를 형성하는 일 예를 개략적으로 도시한다. 도 24를 참조하면, 아크 방전을 사용하여 자성 입자(123)를 그래핀 시트(521)에 부착하고, 그러한 그래핀 시트(521)를 말아서 자성 입자가 삽입된 탄소나노튜브(122)가 형성될 수 있다. 예컨대, 흑연으로 된 음극 전극과 양극 전극을 갖는 용기에 자성 입자를 포함하는 용액을 투입하고, 음극 전극과 양극 전극에 직류 전기를 공급하여 음극 전극과 양극 전극 사이에서 아크 방전을 실행할 수 있다. 아크 방전에 의해 용기 내부의 온도는 약 3000도까지 상승할 수 있다. 이러한 온도에서, 자성 입자는 나노 입자로 이온화되고, 흑연으로 된 전극으로부터 그래핀 시트가 형성되며, 그래핀 시트에 자성 입자가 부착될 수 있다.

자성 입자가 내부 공간에 삽입된 탄소나노튜브는 모세관 효과를 사용하여 형성될 수도 있다. 도 25는 모세관 현상을 사용하여 탄소나노튜브의 내부에 자성 입자를 삽입하는 일 예를 도시한다. 도 25를 참조하면, 알루미나로 이루어진 기판(513)의 구멍의 표면에 화학기상증착에 의해 탄소나노튜브(532)가 성장되어 있다. 탄소나노튜브(532)에, 상기 자성 입자를 포함하는 운반 유체(533)를 떨어뜨린다. 그러면, 모세관 효과에 의해 운반 유체(533)가 탄소나노튜브(532)를 채운다. 운반 유체(533)는 탄소나노튜브(532)를 전체적으로 또는 부분적으로 채울 수 있다. 그 후, 운반 유체(533)를 건조시키면, 탄소나노튜브(532) 내부에 자성 입자(123)가 투입된다. 이에 따라, 자성 입자(123)가 내부 공간에 삽입된 탄소나노튜브(122)가 형성될 수 있다. 알루미나로 이루어진 기판(531)을 수산화나트륨(NaOH) 용액으로 용해시키면, 자성 입자(123)가 내부 공간에 삽입된 탄소나노튜브(122)가 얻어질 수 있다. 다른 예로서, 알루미나로 이루어진 기판(531)에 화학기상증착에 의해 생성 및 성장되어 있는 탄소나노튜브(532)를, 기판(531)을 수산화나트륨(NaOH) 용액으로 용해시킴으로써, 기판(531)으로부터 분리시킨다. 그 후, 전술한 운반 유체(533)를 탄소나노튜브(532)에 떨어뜨리고 탄소나노튜브(532)의 내부를 모세관 효과로 운반 유체(533)로 채운다. 그 후, 운반 유체(533)를 건조시킴으로써, 자성 입자(123)가 내부 공간에 삽입된 탄소나노튜브(122)가 얻어질 수 있다.

도 21 내지 도 25를 참조하여 설명한 탄소나노튜브의 예에서, 탄소나노튜브는 폐쇄된 단부를 가질 수 있다. 도 26은 자성 입자가 삽입되고 일측 단부가 폐쇄된 탄소나노튜브를 도시한다. 도 26에 도시된, 일측 단부가 폐쇄된 탄소나노튜브(122)는 그 내부 공간에 삽입된 자성 입자(123)가 탄소나노튜브(122)로부터 이탈하는 것을 방지할 수 있다.

도 27은 자성 입자를 갖는 탄소나노튜브의 또 하나의 예를 도시한다. 도 27을 참조하면, 자성 입자(123)는 하나의 탄소나노튜브(122)의 외측에서 탄소나노튜브(122)에 결합될 수 있다. 상세하게는, 각 자성 입자(123)는 탄소나노튜브(122)의 탄소 원자와 화학적 결합에 의해 결합될 수 있다. 도 28과 도 29는 자성 입자가 탄소나노튜브의 탄소 원자에 화학적 결합에 의해 결합되는 예를 개략적으로 도시한다.

도 28을 참조하면, 순수한 탄소나노튜브(541)를 질산(HNO3)으로 처리하면, 탄소나노튜브(541)의 탄소 원자에는 히드록시기(OH)와 카르복시기(COOH)가 부착된다. 그 후, 히드록시기(OH)와 카르복시기(COOH)를 가진 탄소나노튜브(541)에 니켈과 코발트를 전구체로서 부착시킨다. 그 후, 수열(hydrothermal) 처리 및 어닐링(annealing) 처리에 의해, 도 27에 도시된 탄소나노튜브(122), 즉, 자성 입자(123)가 탄소나노튜브의 탄소 원자에 화학적 결합으로 결합된 탄소나노튜브(122)가 얻어질 수 있다. 이 때의 자성 입자(123)는 니켈코발트산화물(NiCo2O4)이 될 수 있다.

도 29는 자성 입자가 탄소나노튜브의 탄소 원자와 화학적 결합에 의해 결합되는 또 하나의 예를 도시하며, 이른바 클릭화학반응에 의해 자성 입자가 탄소나노튜브의 탄소 원자와 결합되는 것을 도시한다. 도 29의 좌측에 도시된 바와 같이, 알킨으로 모디파이된 탄소나노튜브(542)와, 자성 입자(123)(도 29에서는 철산화물의 자성입자)가 포함된 아지드화물을 갖는 덴드리머를 결합시킨다. 이 경우, 탄소나노튜브(542)와 상기 덴드리머를, 테트라하이드로엽산(tetrahydrofolic acid)과 물(H2O)을 3:1의 비율로 혼합한 용액에 아스코르빈산 나트륨(sodium ascorbate)과 황산구리(CuSO4)를 함께 투입하여 반응시킨다. 이에 따라, 도 29의 우측에 도시된 바와 같이, 탄소나노튜브(122)의 탄소 원자에 자성 입자(123)가 결합된, 즉, 탄소나노튜브의 외측 표면에 자성 입자(123)가 결합된 탄소나노튜브(122)가 얻어질 수 있다.

도 30은 자성 입자를 갖는 탄소나노튜브의 또 다른 예를 도시한다. 도 30에 도시된 바와 같이, 탄소나노튜브(122)는 흑연벽(graphitic wall)에서 6개의 탄소 원자들이 이루는 다수의 육각 구멍을 갖는다. 다수의 육각 구멍 중 일부의 육각 구멍의 각각은 다수의 자성 입자(123) 중 하나를 갖는다. 다수의 자성 입자(123) 각각은 다수의 육각 구멍들 중 하나에 무작위적으로 위치한다. 도 30에 도시된 탄소나노튜브에서는, 탄소나노튜브의 내부 공간이나 탄소나노튜브의 외부에 자성 입자가 위치하지 않고, 탄소나노튜브의 육각 구멍에 자성 입자(123)가 위치하여 육각 구멍 내에 갇혀있다. 즉, 도 30에 도시된 탄소나노튜브(122)는 입자가 없는 표면(particle-free surface)의 구조를 가져, 탄소나노튜브(122) 간의 접촉에 영향을 주지 않는다.

도 31은 자성 입자가 탄소나노튜브의 육각 구멍에 위치하는 탄소나노튜브의 예를 개략적으로 도시한다. 도 31의 좌측에 도시된 바와 같이, 알루미늄으로 이루어진 판(552)과, 판(552) 위에 양극산화알루미나(anodic aluminum oxide)로 이루어지고 다수의 구멍(554)을 가진 템플릿(553)을 포함하는 기판(551)이 사용될 수 있다. 템플릿(553)의 구멍(554)의 원통형 벽면(555)을 따라 탄소나노튜브가 생성될 수 있다. 원통형 벽면(555)은 전술한 자성 입자(예컨대, 사산화삼철(Fe3O4))로 코팅된다. 원통형 벽면(555)이 자성 입자로 코팅된 기판(551)이 화학기상증착용 반응기 내에 배치된다. 반응기 내에서의 가열에 의해, Fe3O4는 FeC로 환원된다. 도 31의 우측에 도시된 바와 같이, 화학기상증착에 의해 원통형 벽면(555)을 따라 탄소나노튜브(122)가 생성 및 성장한다. 원통형 벽면(555)과 탄소나노튜브(122)의 사이에 공간이 없으므로, 자성 입자는 탄소나노튜브(122)의 외부로 나갈 수 없고, 탄소나노튜브(122)의 육각 구멍 내에 갇힌다.

이상 일부 실시예들과 첨부된 도면에 도시하는 예에 의해 본 개시의 기술적 사상이 설명되었지만, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 이해할 수 있는 본 개시의 기술적 사상 및 범위를 벗어나지 않는 범위에서 다양한 치환, 변형 및 변경이 이루어질 수 있다는 점을 알아야 할 것이다. 또한, 그러한 치환, 변형 및 변경은 첨부된 청구범위 내에 속하는 것으로 생각되어야 한다.

10: 검사 장치, 20: 피검사 디바이스, 100: 커넥터, 110: 탄성 도전부, 111: 도전성 금속 입자, 120: 탄성 절연부, 121: 전자파 차폐부, 122: 탄소나노튜브, 123: 자성 입자, 124: 제1 이격부, 125: 제2 이격부, 200: 커넥터, 230: 절연 부재, 231: 관통 홀, 300: 커넥터, VD: 상하 방향, HD: 수평 방향

Claims (14)

1. 두개의 전자 디바이스의 사이에 위치하여 상기 두개의 전자 디바이스를 전기적으로 접속시키는 커넥터이며,
   상하 방향으로 도전 가능한 복수의 탄성 도전부와,
   상기 복수의 탄성 도전부를 수평 방향으로 이격 및 절연시키는 탄성 절연부를 포함하고,
   상기 탄성 절연부는, 상기 상하 방향을 따라 분포 및 배열되며 자성을 갖는 다수의 탄소나노튜브를 포함하는 복수의 전자파 차폐부를 포함하고,
   상기 복수의 탄성 도전부는 상기 다수의 탄소나노튜브를 포함하지 않는,
   커넥터.
2. 제1항에 있어서,
   상기 탄성 절연부는, 상기 복수의 탄성 도전부를 각각 둘러싸고 상기 상하 방향으로 연장하며 상기 복수의 탄성 도전부와 상기 복수의 전자파 차폐부를 상기 수평 방향으로 이격시키는 복수의 제1 이격부를 포함하는,
   커넥터.
3. 제2항에 있어서,
   상기 복수의 전자파 차폐부는 상기 상하 방향으로 연장하는 원통 형상을 갖고, 상기 복수의 제1 이격부는 상기 복수의 전자파 차폐부 각각의 내측에 각각 위치하는,
   커넥터.
4. 제1항에 있어서,
   상기 탄성 절연부는 각 전자파 차폐부의 상단 또는 하단에 배치되는 제2 이격부를 포함하는,
   커넥터.
5. 제1항에 있어서,
   상기 커넥터는 절연 부재를 더 포함하고,
   상기 절연 부재는 상기 복수의 탄성 도전부에 대응하는 복수의 관통 홀을 포함하되, 상기 탄성 절연부에 부착된,
   커넥터.
6. 제1항에 있어서,
   상기 다수의 탄소나노튜브 각각은 다수의 자성 입자를 포함하는,
   커넥터.
7. 제6항에 있어서,
   상기 다수의 자성 입자가 자기장 내에서 자기력에 의해 배열되는 힘에 의해 상기 다수의 탄소나노튜브가 상기 상하 방향을 따라 분포 및 배열된,
   커넥터.
8. 제6항에 있어서,
   상기 다수의 자성 입자는 상기 다수의 탄소나노튜브 각각의 내부에 위치하는,
   커넥터.
9. 제6항에 있어서,
   상기 다수의 자성 입자는 상기 다수의 탄소나노튜브 각각의 외측에서 탄소 원자에 화학적 결합된,
   커넥터.
10. 제6항에 있어서,
    각각의 상기 다수의 탄소나노튜브는 다수의 육각 구멍을 갖고, 상기 다수의 육각 구멍 중 일부의 육각 구멍 각각은 상기 다수의 자성 입자 중 하나를 갖는,
    커넥터.
11. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 다수의 자성 입자는, 니켈, 코발트, 크롬, 철, 철탄화물, 철산화물, 크롬산화물, 니켈산화물, 니켈코발트산화물, 코발트철 및 단분자 자석 물질 중 어느 하나로 이루어지는,
    커넥터.
12. 제1항에 있어서,
    상기 두개의 전자 디바이스 중 하나는 검사 장치이고 상기 두개의 전자 디바이스 중 다른 하나는 상기 검사 장치에 의해 검사되는 피검사 디바이스인,
    커넥터.
13. 검사 장치와 피검사 디바이스의 사이에 위치하여 상기 검사 장치와 상기 피검사 디바이스를 전기적으로 접속시키는 커넥터이며,
    상하 방향으로 도전 가능한 복수의 탄성 도전부와,
    상기 복수의 탄성 도전부를 수평 방향으로 이격 및 절연시키고 상기 복수의 탄성 도전부의 사이에 위치하는 복수의 전자파 차폐부를 갖는 탄성 절연부를 포함하고,
    상기 탄성 절연부는, 다수의 자성 입자를 각각 갖는 다수의 탄소나노튜브 및 상기 다수의 탄소나노튜브가 분산된 제1 액상 실리콘 러버 재료를 포함하는 제1 액상 성형 재료로부터 상기 복수의 전자파 차폐부와 함께 형성되고,
    상기 복수의 전자파 차폐부는, 상기 제1 액상 성형 재료에 상기 상하 방향으로 자기장이 인가되고, 상기 자성 입자가 상기 자기장 내에서 배열되는 힘에 의해 상기 다수의 탄소나노튜브가 상기 상하 방향을 따라 분포 및 배열되어, 형성되고,
    상기 복수의 탄성 도전부는, 다수의 도전성 금속 입자 및 상기 다수의 도전성 금속 입자가 분산된 제2 액상 실리콘 러버 재료를 포함하는 제2 액상 성형 재료에 상기 상하 방향으로 자기장이 인가되고 상기 다수의 도전성 금속 입자가 상기 상하 방향을 따라 도전 가능하게 접촉되어, 형성되며,
    상기 복수의 탄성 도전부는 상기 다수의 탄소나노튜브를 포함하지 않는,
    커넥터.
14. 제13항에 있어서,
    상기 상하 방향으로 대향하게 배치된 각 쌍의 링 형상의 자석부에 의해 상기 제1 액상 성형 재료에 상기 상하 방향으로 자기장이 인가되어 상기 복수의 전자파 차폐부 각각이 원통 형상으로 형성되는,
    커넥터.

Images