TWI553719B - 塗覆黏著劑於研磨前切割及微製造晶圓上 - Google Patents

塗覆黏著劑於研磨前切割及微製造晶圓上 Download PDF

Info

Publication number
TWI553719B
TWI553719B TW100119847A TW100119847A TWI553719B TW I553719 B TWI553719 B TW I553719B TW 100119847 A TW100119847 A TW 100119847A TW 100119847 A TW100119847 A TW 100119847A TW I553719 B TWI553719 B TW I553719B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
adhesive
coating
top side
tape
Prior art date
Application number
TW100119847A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201218262A (en
Inventor
尹晃圭
傑夫利 里昂
雷伊 佩迪
金潤相
Original Assignee
漢高智慧財產控股公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 漢高智慧財產控股公司 filed Critical 漢高智慧財產控股公司
Publication of TW201218262A publication Critical patent/TW201218262A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI553719B publication Critical patent/TWI553719B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/782—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, each consisting of a single circuit element
    • H01L21/784—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, each consisting of a single circuit element the substrate being a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Description

塗覆黏著劑於研磨前切割及微製造晶圓上
本發明係關於一種製造半導體晶粒之方法。
電及電子設備之小型化及纖薄化已引起對較薄半導體晶粒之需求。製造較薄半導體晶粒之一方式係將過量材料自切割出個別晶粒之半導體晶圓之背側移除。除晶圓上之常見半導體電路系統外，已利用矽穿孔方法(TSV)將一些晶圓微製造出通孔。移除過量晶圓一般係以研磨製程(通稱為背側研磨)發生。當將晶圓切割成個別半導體電路，然後再薄化晶圓時，該製程稱為「研磨前切割」或DBG。
於DBG製程中，將稱為切割膠帶之支撐膠帶施用於晶圓之背側，及藉由鋸子或雷射於電路間將切割凹槽切割至將達到或通過背側研磨所將到達程度的深度。此時使用TSV製程製造通孔。將該切割膠帶自晶圓之背側移除，及將另一支撐膠帶施用於晶圓之頂側以於背側研磨期間保護電路系統。移除晶圓背側上之材料直至到達通孔及切割凹槽，藉此使晶粒單一化。
於背研磨步驟之後，將一膜黏著劑塗層(一般經預形成為晶圓之形狀)層壓至晶圓之整個背側。稍後使用此黏著劑於將個別晶粒接合至其等之選定基板。使用膜黏著劑需要額外的鋸切步驟來切割該膜。若不使用額外的鋸切步驟，則晶粒將保持藉由該黏著劑膜彼此連接，且無法將其拾起並置於其等之指定基板上。
研磨製程趨於使晶粒於周圍移位，故其會因切割道不再係直線而難以使用機械鋸子。轉而使用可程控切割通過不均勻切割凹槽之雷射鋸。若使用可UV固化之一些黏著劑糊替代膜，則黏著劑塗層將覆蓋切割道，再次需要使用雷射鋸。使用雷射鋸係緩慢的製程，且雷射鋸本身係設備之昂貴及外加之零件。
於另一DBG製程中，可利用噴墨頭將黏著劑準確地施用於經切割晶圓之背側。然而，此方法極其緩慢且需要極低黏度的液體。
用於預施用底部填充材料之方法具有類似問題。
本發明提供此等問題之解決方案。
本發明係一種用於製備半導體晶圓之方法。該半導體晶圓具有於該晶圓之頂側上之複數個電路及/或焊料凸塊及穿過該晶圓之通孔。
於一實施例中，本發明係一種將一半導體晶圓製成個別半導體電路之方法，該晶圓具有於該晶圓之頂側上之複數個電路，該方法包含以下步驟：
(1)　將一膠帶施用於該晶圓之背側；
(2)　於鄰近電路間之晶圓頂側中形成切割凹槽與通孔至針對晶圓之最終標的深度或稍深；
(3)　將該膠帶自晶圓之背側移除及將一膠帶施用於該晶圓之頂側上；
(4)　藉由將材料自晶圓背側移除使晶圓薄化；
(5)　將一黏著劑塗層施用至電路之背側；
(6)　以熱或光化學方式B-階段固化該黏著劑；
(7)　將該膠帶自晶圓之頂側移除及將一膠帶施用於該黏著劑塗層上。
於第二實施例中，本發明係一種將半導體晶圓製成個別半導體電路之方法，該晶圓具有於該晶圓頂側上之複數個電路及焊料凸塊，該方法包含以下步驟：
(1)　將一膠帶施用於該晶圓之背側上；
(2)　在鄰近電路與焊料凸塊之間切割進入該晶圓頂側並完全通過該晶圓到達該晶圓背側之膠帶；
(3)　將一黏著劑塗層施用至該晶圓頂側；
(4)　以熱或光化學方式B-階段固化該黏著劑。
於第三實施例中，本發明係一種將兩或更多個半導體晶圓製成個別半導體電路之方法，該等晶圓具有於該晶圓頂側上之複數個電路及穿過該晶圓之通孔，該方法包含以下步驟：
(1)　提供第一晶圓；
(2)　提供第二晶圓及將一黏著劑塗層施用於該第二晶圓之頂側；
(3)　以熱或光化學方式B-階段固化該黏著劑；
(4)　使該第二晶圓頂側上之黏著劑塗層與該第一晶圓之背側接觸及施加熱及壓力以將兩晶圓黏結於一起；
(5)　視需要提供一額外晶圓及將一黏著劑塗層施用至該額外晶圓之頂側；
(6)　以熱或光化學方式B-階段固化該額外晶圓上之黏著劑；
(7)　使該額外晶圓頂側上之黏著劑塗層與第二晶圓之背側接觸及施加熱及壓力以將兩晶圓黏結於一起；
(8)　視需要針對隨後晶圓重複步驟(5)至(7)；
(9)　將一膠帶施用於最底部晶圓之背側；
(10)切割進入鄰近電路及通孔間之第一晶圓之頂側，完全通過該等晶圓到達最底部晶圓之背側上之膠帶。
根據工業文獻中充分論述之半導體製造方法於晶圓之頂側形成複數個電路。該晶圓係半導體材料，一般而言係矽、砷化鎵、鍺或類似的化合物半導體材料。可於晶圓之頂表面下方、之上或上方形成電路，且可藉由諸如鈍化層之塗層保護。此等於本文中均稱為晶圓之頂表面。通孔係自一晶圓至另一晶圓之電路系統之通道且係經形成為完全穿過晶圓之厚度。
用於本發明方法中之一膠帶類型係通稱為切割膠帶之類型。其可自許多來源購置且係呈由載體上之一感壓或UV敏感性黏著劑組成之一形式。此膠帶之目的係於隨後切割操作期間支撐晶圓。
於鄰近電路間之晶圓頂側中形成切割凹槽及/或通孔至在背側研磨後之晶圓最終標的深度。於一些操作中，將切割凹槽及/或通孔切割至晶圓之頂側中直至比該晶圓之標的深度稍深。此稍微過度切割有利於個別晶粒之最終單一化。切割凹槽亦稱為切割道、切割線或切割溝。用於形成切割凹槽及/或通孔之方式包括(例如)機械或雷射切割或鑽孔、及濕式或乾式蝕刻。
當使用背側研磨步驟於將過量材料自晶圓移除(以使晶圓薄化)時，將切割膠帶自晶圓之背側移除，及一般藉由層壓將通稱為背側研磨膠帶之膠帶施用至晶圓之頂側。實施此兩子步驟(移除切割膠帶及施用背側研磨膠帶)之次序無關重要。背側研磨膠帶係用於在隨後加工步驟期間保護電路及於切割晶圓之後維持電路於原位。於一特定實施例中，該背側研磨膠帶係UV膠帶。黏著劑於開始時呈膠黏性，及隨後於輻射時硬化以便於釋離。
為使晶圓薄化，可使用任何有效方法。於一特定實施例中，將晶圓之背側向下機械研磨至符合該晶圓之標的深度之程度。
一般而言，於背側研磨操作之後，將一塗層施用至該晶圓之背側。此晶圓背側塗層係黏著劑且最終用於將個別晶粒接合至其等基板。藉由任何有效方法，如旋塗、網印或模板印刷、或噴塗或噴射印刷來施用該晶圓背側塗層。於一較佳實施例中，藉由噴塗來實施該塗覆操作。
噴塗方法沈積每單位面積相對小預定量之黏著劑。液滴之尺寸係於1微米至1毫米之範圍內，及液滴沈積速度係小於100米/秒。
用於此操作之一較佳噴塗頭係氣動、氣壓驅動噴頭，如由Asymtek販售之噴射器DJ2200。
藉由控制液滴尺寸及沈積速度，可控制黏著劑之量以致可施用仿形至經塗覆表面之構形之極薄塗層。一般而言，將塗層施用至5至100微米範圍內之厚度。
雖然可能有少量黏著劑進入切割凹槽及通孔，然而黏著劑基本上不存在於該等切割凹槽及通孔中。
藉由顯著降低可能進入切割凹槽之塗層之量，黏著劑不會將晶粒彼此連接且其等維持單一化。
施用薄塗層之另一優點係切割凹槽可用作阻止黏著劑流動之微型阻障物，使各單一化晶粒上之黏著劑形成一彎月面。該彎月面導致晶粒邊緣附近之黏著劑厚度稍微減小，進而獲得無需額外鋸切步驟之優點。由於無需額外鋸切步驟，故不存在常因鋸片之壓力引起之鋸切線處的黏性增加。由於黏性不增加，故較易於拾起晶粒並將其等移至下一操作步驟。
藉由顯著減小可能進入通孔之塗層量，該等孔維持敞開及無需隨後移除。
塗層之化學組成係可符合隨後加工需求之任何黏著劑。此等黏著劑係為本技藝已知。於一實施例中，塗層係可B-階段化之液體(其可以任何適宜塗覆方法施用，如旋塗或噴塗、或模板印刷、網印或噴射印刷)。
塗層組合物可係適宜或當前用於該目的之任何黏著劑/封裝劑塗層。適宜的塗層組合物一般係由環氧樹脂製備，及於一些情況中係固體環氧樹脂，如選自由甲酚酚醛環氧樹脂、苯酚酚醛環氧樹脂、雙酚A環氧樹脂及含有由酚系及稠環系統(如二環戊二烯基)組成之主鏈之縮水甘油化樹脂組成之群之彼等物。於一塗層組合物實施例中，環氧樹脂係以佔該塗層之15至40重量%之量存在。於另一塗層組合物實施例中，環氧樹脂係具有80。至130℃之間之熔點之固體。
可與環氧樹脂組合使用之其他適宜樹脂為丙烯酸酯樹脂。適宜的丙烯酸酯樹脂包括選自由以下物質組成之群之彼等物：(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸正月桂酯、(甲基)丙烯酸烷酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸正硬脂基酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸四氫呋喃甲酯、(甲基)丙烯酸2-苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸異冰片基酯、二(甲基)丙烯酸1,4-丁二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,6-己二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,9-壬二醇酯、(甲基)丙烯酸全氟辛基乙酯、二(甲基)丙烯酸1,10-癸二醇酯、(甲基)丙烯酸壬基苯酚聚丙氧基酯。
其他丙烯酸酯樹脂包括可獲自Kyoeisha Chemical Co.,LTD之丙烯酸聚戊氧基四氫呋喃甲酯；可獲自Sartomer Company,Inc之二甲基丙烯酸聚丁二烯胺基甲酸酯(CN302、NTX6513)及二甲基丙烯酸聚丁二烯酯(CN301、NTX6039、PRO6270)；可獲自Negami Chemical Industries Co.,LTD之二丙烯酸聚碳酸酯胺基甲酸酯(ArtResin UN9200A)；可獲自Radcure Specialities,Inc之丙烯酸酯化脂族胺基甲酸酯寡聚物(Ebecryl 230、264、265、270、284、4830、4833、4834、4835、4866、4881、4883、8402、8800-20R、8803、8804)；可獲自Radcure Specialities,Inc.之丙烯酸聚酯寡聚物(Ebecryl 657、770、810、830、1657、1810、1830)；及可獲自Sartomer Company,Inc之丙烯酸環氧基酯樹脂(CN104、111、112、115、116、117、118、119、120、124、136)。
其他丙烯酸酯樹脂包括丙烯酸單環縮醛酯、含有環縮醛之(甲基)丙烯酸酯(如，獲自Sartomer之SR531)；THF丙烯酸酯(如獲自Sartomer之SR285)；經取代之(甲基)丙烯酸環己酯(如，獲自Sartomer之CD420)；甲基丙烯酸乙醯乙醯氧基乙酯、丙烯酸2-乙醯乙醯氧基乙酯、甲基丙烯酸2-乙醯乙醯氧基丙酯、丙烯酸2-乙醯乙醯氧基丙酯、甲基丙烯酸2-乙醯乙醯胺基乙酯及丙烯酸2-乙醯乙醯胺基乙酯；甲基丙烯酸2-氰基乙醯氧基乙酯、丙烯酸2-氰基乙醯氧基乙酯、N(2-氰基乙醯氧基乙基)丙烯醯胺；丙烯酸2-丙醯基乙醯氧基乙酯、N(2-丙醯基乙醯氧基乙基)甲基丙烯醯胺、N-4-(乙醯乙醯氧基苄基苯基)丙烯醯胺、丙烯酸乙基丙烯醯基酯、乙酸丙烯醯基甲酯、N-乙基丙烯醯氧基甲基乙醯乙醯胺、乙醯乙酸乙基甲基丙烯醯基酯、N-烯丙基氰基乙醯胺、乙醯乙酸甲基丙烯醯基酯、N(2-甲基丙烯醯氧基甲基)氰基乙醯胺、甲基丙烯酸乙基-a-乙醯乙醯氧基酯、N-丁基-N-丙烯醯氧基乙基乙醯乙醯胺、單丙烯酸酯化多元醇、苯二甲酸單甲基丙烯醯氧基乙酯及其等混合物。
於一塗層組合物實施例中，丙烯酸酯係經選擇以具有小於50 mPas之黏度及大於150℃之沸點。於一特定塗層組合物實施例中，丙烯酸酯含有於環中含有至少一氧原子之五或六員環。於一塗層組合物實施例中，丙烯酸酯樹脂佔塗層組合物之15至50重量%。
用於環氧樹脂之適宜固化劑係以大於0至50重量%之量存在，且包括，但非限於，酚系物、芳族二胺、二氰胺、過氧化物、胺、咪唑、三級胺及聚醯胺。適宜的酚系物可自Schenectady International,Inc購得。適宜的芳族二胺係一級二胺及包括可購自Sigma-Aldrich Co之二胺基二苯基碸及二胺基二苯基甲烷。適宜的二氰胺可獲自SKW Chemicals,Inc。適宜的聚醯胺可購自Air Products and Chemicals,Inc。適宜的咪唑可購自Air Products and Chemicals,Inc。適宜的三級胺可獲自Sigma-Aldrich Co。
用於丙烯酸酯樹脂之適宜固化劑係以0.1至10%之量存在，且包括，但非限於，已知之苯乙酮類、噻噸酮類、安息香類及過氧化物類光引發劑中之任一者。實例包括二乙氧基苯乙酮、4-苯氧基二氯苯乙酮、安息香、安息香乙基醚、安息香異丙基醚、苄基二甲基縮酮、二苯甲酮、4-苯基二苯甲酮、丙烯酸酯化二苯甲酮、噻噸酮、2-乙基蒽醌等。BASF所販售之Irgacur及Darocur系列光引發劑係有用光引發劑之實例。
塗層組合物亦可包含可熱固化之樹脂及可藉由UV光所引發之自由基聚合固化之樹脂。於一特定實施例中，此雙固化塗層組合物將包含可熱固化之環氧樹脂及可於UV輻射時固化之丙烯酸酯樹脂。一塗層組合物實施例包含縮水甘油基酯化鄰-甲酚甲醛酚醛樹脂作為環氧樹脂及丙烯酸三甲基環己基酯作為丙烯酸酯樹脂。
該塗層組合物亦可含有反應性硫化合物，如硫醇或二硫酯。於一塗層組合物實施例中，反應性硫化合物係選自由以下物質組成之群：十二烷硫醇、三級十二烷硫醇、硫醇乙醇、辛硫醇、己硫醇、異丙基黃原酸二硫化物及硫醇-側鏈矽氧烷聚合物。反應性硫化合物將以塗層組合物之0.1至7重量%之量存在。
硫醇-側鏈矽氧烷聚合物之一實例具有以下結構，，其中n係5至500之整數，其表示重複單元之聚合數，及m係1至5之整數。聚合硫醇-側鏈矽氧烷將以塗層組合物之0.1至7重量%之量存在。
於一塗層組合物實施例中，該組合物包含(i)具有80°至130℃之間之熔點之固體環氧樹脂；(ii)具有小於50 mPas之黏度及大於150℃之沸點之丙烯酸酯樹脂；及(iii)具有結構之聚合硫醇-側鏈聚矽氧，其中n係5至500之整數，及m係1至5之整數。
於一些塗層組合物中，可存在導電或非導電填充物。適宜的非導電填充物之實例包括氧化鋁、氫氧化鋁、氧化矽、蛭石、雲母、矽灰石、碳酸鈣、氧化鈦、砂粒、玻璃、硫酸鋇、鋯、碳化矽、氮化硼、金剛石、氧化鋁及有機聚合物(包括，但非限於，鹵化乙烯聚合物，如四氟乙烯、三氟乙烯、二氟亞乙烯、氟乙烯、二氯亞乙烯及氯乙烯)。適宜的導電填充物之實例包括碳黑、石墨、金、銀、銅、鉑、鈀、鎳、鋁。填充物之特定類型並不重要且其可由熟悉技術者選擇以適合特定最終用途(如應力降低及結合線控制)之需求。
調配物中亦可包含間隔物以控制結合部分之結合線厚度，其類型及量係由操作者選擇以滿足特定應用之需求，及適宜用於所選擇之樹脂系統及最終用途；一般而言，含量範圍係該塗層組合物之10至30重量%。於一實施例中，填充物係球形，具有大於2 μm之平均粒徑及單一峰值粒度分佈。較小粒度及雙峰分佈會導致不適宜地高之觸變係數，進而導致旋塗層性能差及塗層厚度不均勻。
於塗層調配物中可包含為熟習本項技術者已知之類型及量之其他添加劑，包括，但非限於，黏著促進劑、消泡劑。防滲劑。流變控制劑及助熔劑。於一較佳實施例中，組合物中不含溶劑。
以熱或光化學方式將塗層B-階段化為於室溫下相對無黏性。B-階段化(及其變化形式，如可B-階段化)意指加熱黏著劑以移除溶劑及/或使其部份固化以使其硬化及不黏。(稍後，當將個別晶粒接合至其等基板時，可於晶粒接合期間，或於回焊期間加熱塗層至軟化及流動，及隨後於高溫下加熱以進行最終固化)。

Claims (6)

  1. 一種將一半導體晶圓製成個別半導體電路之方法，該晶圓具有於該晶圓之頂側上之複數個電路，該方法包含以下步驟：(1)將一膠帶施用於該晶圓之背側上；(2)於鄰近電路間之該晶圓頂側中形成切割凹槽或通孔至針對該晶圓之最終標的深度或稍深；(3)將該膠帶自該晶圓之背側移除及將一膠帶施用於該晶圓之頂側上；(4)藉由將材料自該晶圓之背側移除使該晶圓薄化；(5)將一黏著劑塗層施用至該等電路之背側；(6)以熱或光化學方式B-階段固化該黏著劑；(7)將該膠帶自該晶圓頂側移除及將一膠帶施用至該黏著劑塗層上。
  2. 如請求項1之方法，其中該黏著劑塗層實質上不存在於該等切割凹槽及通孔中。
  3. 一種將兩或更多個半導體晶圓製成個別半導體電路之方法，該等晶圓具有於該等晶圓之頂側上之複數個電路及穿過該等晶圓之通孔，該方法包含以下步驟：(1)提供第一晶圓；(2)提供第二晶圓及將一黏著劑塗層施用至該第二晶圓之頂側；(3)以熱或光化學方式B-階段固化該黏著劑；(4)使該第二晶圓之頂側上之該黏著劑塗層與該第一晶圓 之背側接觸，及施加熱及壓力以將該兩晶圓黏結於一起；(5)視需要提供一額外晶圓及將一黏著劑塗層施用至該額外晶圓之頂側；(6)以熱或光化學方式B-階段固化該額外晶圓上之黏著劑；(7)使該額外晶圓之頂側上之該黏著劑塗層與該第二晶圓之背側接觸，及施加熱及壓力以將該兩晶圓黏結於一起；(8)視需要針對隨後晶圓重複步驟(5)至(7)；(9)將一膠帶施用於最底部晶圓之背側；(10)切割進入鄰近電路及通孔間之該第一晶圓之頂側，完全穿過該等晶圓至該最底部晶圓之背側上之該膠帶。
  4. 如請求項1、2或3之方法，其中藉由旋塗、噴塗、噴墨或針分散來施用該黏著劑塗層。
  5. 如請求項1、2或3之方法，其中施用具有5至100微米範圍內之厚度之該黏著劑塗層。
  6. 如請求項1、2或3之方法，其中所施用之該黏著劑形成在晶粒邊緣附近具有減小黏著劑厚度之一彎月面。
TW100119847A 2010-06-08 2011-06-07 塗覆黏著劑於研磨前切割及微製造晶圓上 TWI553719B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US35256310P 2010-06-08 2010-06-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201218262A TW201218262A (en) 2012-05-01
TWI553719B true TWI553719B (zh) 2016-10-11

Family

ID=45098591

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100119847A TWI553719B (zh) 2010-06-08 2011-06-07 塗覆黏著劑於研磨前切割及微製造晶圓上

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8753959B2 (zh)
JP (1) JP5993845B2 (zh)
KR (2) KR101560039B1 (zh)
TW (1) TWI553719B (zh)
WO (1) WO2011156228A2 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012195388A (ja) * 2011-03-15 2012-10-11 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置
US9266192B2 (en) 2012-05-29 2016-02-23 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for processing workpieces
KR102259959B1 (ko) 2013-12-05 2021-06-04 삼성전자주식회사 캐리어 및 이를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법
JP6566703B2 (ja) * 2015-04-27 2019-08-28 株式会社ディスコ デバイスチップの製造方法
JP2017041574A (ja) * 2015-08-21 2017-02-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
FR3053526B1 (fr) * 2016-07-01 2018-11-16 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication collective de dispositifs electroniques et dispositif electronique
WO2018056584A1 (ko) 2016-09-21 2018-03-29 삼성전자 주식회사 피부 상태 측정 방법 및 이를 위한 전자 장치
JP2018117049A (ja) * 2017-01-18 2018-07-26 株式会社ディスコ パッケージデバイスの製造方法
JP7390136B2 (ja) * 2019-09-02 2023-12-01 リンテック株式会社 接着剤塗布装置および接着剤塗布方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070259515A1 (en) * 2006-05-04 2007-11-08 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Method for manufacturing wafer-level packages for flip chips capable of preventing adhesives from absorbing water

Family Cites Families (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54105774A (en) 1978-02-08 1979-08-20 Hitachi Ltd Method of forming pattern on thin film hybrid integrated circuit
WO1984000506A1 (en) 1982-07-23 1984-02-16 Xenon Corp Photomagnetic catalysis
JPS61112345A (ja) * 1984-11-07 1986-05-30 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPH0339378A (ja) 1989-07-05 1991-02-20 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物，電子部品のプリント基板への固定法および集積回路板の製造法
US5045921A (en) 1989-12-26 1991-09-03 Motorola, Inc. Pad array carrier IC device using flexible tape
CA2038117A1 (en) 1990-03-29 1991-09-30 Mahfuza B. Ali Controllable radiation curable photoiniferter prepared adhesives for attachment of microelectronic devices and a method of attaching microelectronic devices therewith
JPH08217851A (ja) * 1995-02-16 1996-08-27 Toshiba Chem Corp エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
US5635010A (en) * 1995-04-14 1997-06-03 Pepe; Angel A. Dry adhesive joining of layers of electronic devices
US5681757A (en) * 1996-04-29 1997-10-28 Microfab Technologies, Inc. Process for dispensing semiconductor die-bond adhesive using a printhead having a microjet array and the product produced by the process
JP3410371B2 (ja) 1998-08-18 2003-05-26 リンテック株式会社 ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよびその利用方法
JP2000124164A (ja) 1998-10-16 2000-04-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法及び実装方法
JP4681704B2 (ja) 1999-12-16 2011-05-11 株式会社ディスコ 半導体ウェーハの分割方法
JP2001176899A (ja) 1999-12-21 2001-06-29 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2002100588A (ja) 2000-09-22 2002-04-05 Shinkawa Ltd 半導体装置の製造方法
KR100379563B1 (ko) 2001-02-21 2003-04-10 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 플라즈마 에칭법을 이용한 반도체 웨이퍼 가공법
US6949158B2 (en) 2001-05-14 2005-09-27 Micron Technology, Inc. Using backgrind wafer tape to enable wafer mounting of bumped wafers
JP2003007652A (ja) * 2001-06-26 2003-01-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体チップの製造方法
US6794751B2 (en) 2001-06-29 2004-09-21 Intel Corporation Multi-purpose planarizing/back-grind/pre-underfill arrangements for bumped wafers and dies
JP4330821B2 (ja) 2001-07-04 2009-09-16 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US6686225B2 (en) 2001-07-27 2004-02-03 Texas Instruments Incorporated Method of separating semiconductor dies from a wafer
US20030129438A1 (en) * 2001-12-14 2003-07-10 Becker Kevin Harris Dual cure B-stageable adhesive for die attach
US6908784B1 (en) 2002-03-06 2005-06-21 Micron Technology, Inc. Method for fabricating encapsulated semiconductor components
KR101164671B1 (ko) * 2002-06-17 2012-07-11 헨켈 코포레이션 층간 절연 물질 및 미리 도포되는 다이 부착 접착제 물질
JP2004047823A (ja) 2002-07-12 2004-02-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシングテープ貼付装置およびバックグラインド・ダイシングテープ貼付システム
KR100468748B1 (ko) 2002-07-12 2005-01-29 삼성전자주식회사 프리컷 다이싱 테이프와 범용 다이싱 테이프를 웨이퍼에 마운팅할 수 있는 다이싱 테이프 부착 장비 및 이를포함하는 인라인 시스템
US7176044B2 (en) 2002-11-25 2007-02-13 Henkel Corporation B-stageable die attach adhesives
US6916684B2 (en) 2003-03-18 2005-07-12 Delphi Technologies, Inc. Wafer-applied underfill process
US20050014313A1 (en) 2003-03-26 2005-01-20 Workman Derek B. Underfill method
JP2004311576A (ja) 2003-04-03 2004-11-04 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US7047633B2 (en) 2003-05-23 2006-05-23 National Starch And Chemical Investment Holding, Corporation Method of using pre-applied underfill encapsulant
US7230047B2 (en) 2003-06-25 2007-06-12 Henkel Corporation Reformable compositions
JP4401912B2 (ja) 2003-10-17 2010-01-20 学校法人早稲田大学 半導体多層配線板の形成方法
US6940181B2 (en) 2003-10-21 2005-09-06 Micron Technology, Inc. Thinned, strengthened semiconductor substrates and packages including same
JP3929966B2 (ja) 2003-11-25 2007-06-13 新光電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
KR100736240B1 (ko) * 2003-11-26 2007-07-06 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 1액형의 광 및 열병용 경화성 수지 조성물 및 그 용도
US7074695B2 (en) 2004-03-02 2006-07-11 Chippac, Inc. DBG system and method with adhesive layer severing
KR100555559B1 (ko) 2004-03-03 2006-03-03 삼성전자주식회사 백 그라인딩 공정용 표면 보호 테이프를 이용하여 다이싱공정을 수행하는 반도체 장치의 제조 방법
JP2005268425A (ja) 2004-03-17 2005-09-29 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2005320491A (ja) 2004-05-11 2005-11-17 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物、それを用いたフィルム状接着剤及び回路接続材料、並びに回路部材の接続構造及びその製造方法
KR20080042941A (ko) 2004-05-18 2008-05-15 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 점접착 시트 및 그것을 이용한 반도체장치 및 그 제조 방법
JP2005332982A (ja) 2004-05-20 2005-12-02 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
US7560519B2 (en) 2004-06-02 2009-07-14 Lord Corporation Dual-stage wafer applied underfills
JP2006012914A (ja) 2004-06-22 2006-01-12 Canon Inc 集積回路チップの製造方法及び半導体装置
KR100618837B1 (ko) 2004-06-22 2006-09-01 삼성전자주식회사 웨이퍼 레벨 패키지를 위한 얇은 웨이퍼들의 스택을형성하는 방법
JP4707981B2 (ja) * 2004-08-06 2011-06-22 昭和電工株式会社 成形物の製造方法
US20060046433A1 (en) 2004-08-25 2006-03-02 Sterrett Terry L Thinning semiconductor wafers
JP2006100728A (ja) 2004-09-30 2006-04-13 Nitto Denko Corp 保護テープ剥離方法およびこれを用いた装置
JP2006253402A (ja) 2005-03-10 2006-09-21 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2007012810A (ja) 2005-06-29 2007-01-18 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
WO2007004569A1 (ja) 2005-07-05 2007-01-11 Hitachi Chemical Company, Ltd. 感光性接着剤組成物、並びにこれを用いて得られる接着フィルム、接着シート、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置及び電子部品
JP5109239B2 (ja) 2005-07-05 2012-12-26 日立化成工業株式会社 粘接着シート、粘接着シートの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP5011804B2 (ja) 2005-09-06 2012-08-29 日立化成工業株式会社 回路接続材料、接続体及び回路部材の接続方法
DE102005050127B3 (de) 2005-10-18 2007-05-16 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Aufbringen einer Struktur aus Fügematerial auf die Rückseiten von Halbleiterchips
JP2007158212A (ja) 2005-12-08 2007-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品とその切断方法
KR20070066929A (ko) 2005-12-22 2007-06-27 닛토덴코 가부시키가이샤 제거가능한 수분산성 아크릴 접착제 조성물 및 접착 시트
US7314778B2 (en) * 2005-12-30 2008-01-01 Intel Corporation Wafer-level processing of chip-packaging compositions including bis-maleimides
US7494900B2 (en) 2006-05-25 2009-02-24 Electro Scientific Industries, Inc. Back side wafer dicing
US7476568B2 (en) 2006-06-30 2009-01-13 Intel Corporation Wafer-level assembly of heat spreaders for dual IHS packages
US20080027199A1 (en) 2006-07-28 2008-01-31 3M Innovative Properties Company Shape memory polymer articles with a microstructured surface
US7482251B1 (en) 2006-08-10 2009-01-27 Impinj, Inc. Etch before grind for semiconductor die singulation
JP2008135446A (ja) 2006-11-27 2008-06-12 Philtech Inc Ｒｆパウダーの製造方法
US20080157303A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-03 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Structure of super thin chip scale package and method of the same
JP5627893B2 (ja) 2007-01-31 2014-11-19 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェンＨｅｎｋｅｌ ＡＧ ＆ Ｃｏ．ＫＧａＡ 接着剤組成物の使用
JP4944642B2 (ja) * 2007-03-09 2012-06-06 株式会社ディスコ デバイスの製造方法
US7838391B2 (en) 2007-05-07 2010-11-23 Stats Chippac, Ltd. Ultra thin bumped wafer with under-film
US7727875B2 (en) 2007-06-21 2010-06-01 Stats Chippac, Ltd. Grooving bumped wafer pre-underfill system
JP5543063B2 (ja) 2007-12-27 2014-07-09 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 半導体装置の製造方法
KR101493872B1 (ko) 2008-08-20 2015-02-17 삼성전자주식회사 백그라인딩-언더필 필름, 그 형성방법, 이를 이용한 반도체패키지 및 그 형성방법
JP5128575B2 (ja) 2009-12-04 2013-01-23 リンテック株式会社 ステルスダイシング用粘着シート及び半導体装置の製造方法
TW201208071A (en) 2010-04-13 2012-02-16 Henkel Ag & Amp Co Kgaa Method for handling a wafer
US8283742B2 (en) 2010-08-31 2012-10-09 Infineon Technologies, A.G. Thin-wafer current sensors

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070259515A1 (en) * 2006-05-04 2007-11-08 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Method for manufacturing wafer-level packages for flip chips capable of preventing adhesives from absorbing water

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150108045A (ko) 2015-09-24
WO2011156228A2 (en) 2011-12-15
KR101560039B1 (ko) 2015-10-13
KR101617600B1 (ko) 2016-05-02
US8753959B2 (en) 2014-06-17
JP2013531889A (ja) 2013-08-08
US9082840B2 (en) 2015-07-14
US20140242781A1 (en) 2014-08-28
WO2011156228A3 (en) 2012-08-02
JP5993845B2 (ja) 2016-09-14
KR20130076832A (ko) 2013-07-08
US20130011999A1 (en) 2013-01-10
TW201218262A (en) 2012-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI553719B (zh) 塗覆黏著劑於研磨前切割及微製造晶圓上
JP6326017B2 (ja) 樹脂膜形成用複合シート
TWI488937B (zh) Followed by a method of assembling a semiconductor wafer and a semiconductor wafer
TWI667703B (zh) Cutting piece, dicing wafer bonding film, and manufacturing method of semiconductor device
KR100785493B1 (ko) 접착제의 수분흡습을 방지하는 플립칩용 웨이퍼 레벨패키지 제조방법
TW201540507A (zh) 保護帶、及使用其之半導體裝置之製造方法、以及半導體裝置
US8791033B2 (en) Wafer backside coating process with pulsed UV light source
JP6279319B2 (ja) 樹脂膜形成用複合シート
JP7287477B2 (ja) 半導体装置の製造方法、接着剤層の選定方法、並びに、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法
WO2020110620A1 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2018098228A (ja) 保護テープ、及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JP2014192463A (ja) 樹脂膜形成用シート
TWI488931B (zh) 含反應性硫化合物之晶圓背面塗料
JP2011253949A (ja) 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法
JP2011035075A (ja) 半導体用フィルムの製造方法および半導体用フィルム
WO2020129917A1 (ja) 仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用シート並びに半導体装置の製造方法
JP2014192462A (ja) 樹脂膜形成用シート
TW201517180A (zh) 半導體裝置之製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees