JP2013531889A - 先ダイシング法を行う微細加工されたウェーハへの接着剤の被覆 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2010年6月8日に出願された米国仮特許出願第61/352,563号の利益を主張するものであり、当該出願の開示内容を参考文献として本明細書に組み入れるものとする。
(1)前記ウェーハの裏面側にテープを貼る工程;
(2)前記ウェーハに対して、該ウェーハの上面側の隣接する回路およびビアホール間にダイシング溝(dicing grooves)を、最終的な目標深さまたは僅かに深い深さまで形成する工程;
(3)前記ウェーハの裏面側からテープを除去し、該ウェーハの上面側にテープを貼る工程;
(4)前記ウェーハの裏面側から材料を除去することによりウェーハを薄くする工程;
(5)回路の裏面側に接着剤被膜(adhesive coating)を塗布する工程;
(6)前記接着剤を熱的または光化学的にBステージ硬化(B-stage curing)させる工程;
(7)前記ウェーハの上面側からテープを除去し、接着剤被膜にテープを貼る工程。
(1)前記ウェーハの裏面側にテープを貼る工程;
(2)前記ウェーハの上面側の隣接する回路およびはんだ突起物間で、ウェーハを完全に貫いて、ウェーハの裏面側のテープまでダイシングする工程;
(3)前記ウェーハの上面側に接着剤被膜を塗布する工程;
(4)前記接着剤を熱的または光化学的にBステージ硬化させる工程。
(1)第1のウェーハを供給する工程;
(2)第2のウェーハを供給し、該第2のウェーハの上面側に接着剤被膜を塗布する工程;
(3)前記接着剤を熱的または光化学的にBステージ硬化させる工程;
(4)前記第2のウェーハの上面側の接着剤被膜を前記第1のウェーハの裏面側に接触させ、熱および圧力を印加し、該2つのウェーハを共に結合させる工程;
(5)任意に、さらなるウェーハを供給し、該さらなるウェーハの上面側に接着剤被膜を塗布する工程;
(6)前記さらなるウェーハの接着剤を熱的または光化学的にBステージ硬化させる工程;
(7)前記さらなるウェーハの上面側の接着剤被膜を前記第2のウェーハの裏面側に接触させ、熱および圧力を印加し、該2つのウェーハを共に結合させる工程;
(8)任意に、次のウェーハのために工程(5)〜(7)を繰り返す工程;
(9)最下のウェーハの裏面側にテープを貼る工程;
(10)前記第1のウェーハの上面側の隣接する回路およびビアホール間で、複数のウェーハを完全に貫いて、最下のウェーハの裏面側のテープまでダイシングする工程。
Claims (7)
- 複数の回路を上面側に有する半導体ウェーハから個々の半導体回路を製造する方法であって、以下の工程を含む方法:
(1)前記ウェーハの裏面側にテープを貼る工程;
(2)前記ウェーハに対して、該ウェーハの上面側の隣接する回路間にダイシング溝またはビアホールを、最終的な目標深さまたは僅かに深い深さまで形成する工程;
(3)前記ウェーハの裏面側からテープを除去し、該ウェーハの上面側にテープを貼る工程;
(4)前記ウェーハの裏面側から材料を除去することによりウェーハを薄くする工程;
(5)回路の裏面側に接着剤被膜を塗布する工程;
(6)前記接着剤を熱的または光化学的にBステージ硬化させる工程;
(7)前記ウェーハの上面側からテープを除去し、接着剤被膜にテープを貼る工程。 - 複数の回路およびはんだ突起物を上面側に有する半導体ウェーハから個々の半導体回路を製造する方法であって、以下の工程を含む方法:
(1)前記ウェーハの裏面側にテープを貼る工程;
(2)前記ウェーハの上面側の隣接する回路およびはんだ突起物間で、ウェーハを完全に貫いて、ウェーハの裏面側のテープまでダイシングする工程;
(3)前記ウェーハの上面側に接着剤被膜を塗布する工程;
(4)前記接着剤を熱的または光化学的にBステージ硬化させる工程。 - 2以上の半導体ウェーハから個々の半導体回路を製造する方法であって、前記ウェーハが該ウェーハの上面側に複数の回路を有し、かつ該ウェーハを貫いてビアホールを有し、以下の工程を含む方法:
(1)第1のウェーハを供給する工程;
(2)第2のウェーハを供給し、該第2のウェーハの上面側に接着剤被膜を塗布する工程;
(3)前記接着剤を熱的または光化学的にBステージ硬化させる工程;
(4)前記第2のウェーハの上面側の接着剤被膜を前記第1のウェーハの裏面側に接触させ、熱および圧力を印加し、2つのウェーハを共に結合させる工程;
(5)任意に、さらなるウェーハを供給し、該さらなるウェーハの上面側に接着剤被膜を塗布する工程;
(6)前記さらなるウェーハの接着剤を熱的または光化学的にBステージ硬化させる工程;
(7)前記さらなるウェーハの上面側の接着剤被膜を前記第2のウェーハの裏面側に接触させ、熱および圧力を印加し、2つのウェーハを共に結合させる工程;
(8)任意に、次のウェーハのために工程(5)〜(7)を繰り返す工程;
(9)最下のウェーハの裏面側にテープを貼る工程;
(10)前記第1のウェーハの上面側の隣接する回路およびビアホール間で、複数のウェーハを完全に貫いて、最下のウェーハの裏面側のテープまでダイシングする工程。 - 前記接着剤被膜をスピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、またはニードルディスペンシング法(needle dispensing)により塗布する請求項1,2または3に記載の方法。
- 前記接着剤被膜がダイシングストリートおよびビアホールに実質的に存在しない請求項1,2または3に記載の方法。
- 前記接着剤被膜を5〜100マイクロメーターの範囲内の厚みで塗布する請求項1,2または3に記載の方法。
- 塗布された接着剤が、ダイの縁の近傍で接着剤の厚みが減少するメニスカスを形成する請求項1,2または3に記載の方法。
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---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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---|---|
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016207936A (ja) * | 2015-04-27 | 2016-12-08 | 株式会社ディスコ | デバイスチップの製造方法 |
JP2017041574A (ja) * | 2015-08-21 | 2017-02-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2021039999A (ja) * | 2019-09-02 | 2021-03-11 | リンテック株式会社 | 接着剤塗布装置および接着剤塗布方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012195388A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
US9266192B2 (en) | 2012-05-29 | 2016-02-23 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for processing workpieces |
KR102259959B1 (ko) | 2013-12-05 | 2021-06-04 | 삼성전자주식회사 | 캐리어 및 이를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법 |
FR3053526B1 (fr) * | 2016-07-01 | 2018-11-16 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de fabrication collective de dispositifs electroniques et dispositif electronique |
US11266344B2 (en) | 2016-09-21 | 2022-03-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for measuring skin condition and electronic device therefor |
JP2018117049A (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 株式会社ディスコ | パッケージデバイスの製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61112345A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH08217851A (ja) * | 1995-02-16 | 1996-08-27 | Toshiba Chem Corp | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
JP2000124164A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法及び実装方法 |
JP2003007652A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体チップの製造方法 |
WO2005052021A1 (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Mitsui Chemicals, Inc. | 1液型の光及び熱併用硬化性樹脂組成物及びその用途 |
JP2005532678A (ja) * | 2002-06-17 | 2005-10-27 | ヘンケル コーポレイション | 層間誘電体および事前塗布ダイ取り付け用接着性材料 |
JP2006045406A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Showa Highpolymer Co Ltd | 硬化性樹脂組成物、成形物およびその製造方法 |
Family Cites Families (65)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54105774A (en) | 1978-02-08 | 1979-08-20 | Hitachi Ltd | Method of forming pattern on thin film hybrid integrated circuit |
WO1984000506A1 (en) | 1982-07-23 | 1984-02-16 | Xenon Corp | Photomagnetic catalysis |
JPH0339378A (ja) | 1989-07-05 | 1991-02-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物,電子部品のプリント基板への固定法および集積回路板の製造法 |
US5045921A (en) | 1989-12-26 | 1991-09-03 | Motorola, Inc. | Pad array carrier IC device using flexible tape |
CA2038117A1 (en) | 1990-03-29 | 1991-09-30 | Mahfuza B. Ali | Controllable radiation curable photoiniferter prepared adhesives for attachment of microelectronic devices and a method of attaching microelectronic devices therewith |
US5635010A (en) * | 1995-04-14 | 1997-06-03 | Pepe; Angel A. | Dry adhesive joining of layers of electronic devices |
US5681757A (en) * | 1996-04-29 | 1997-10-28 | Microfab Technologies, Inc. | Process for dispensing semiconductor die-bond adhesive using a printhead having a microjet array and the product produced by the process |
JP3410371B2 (ja) | 1998-08-18 | 2003-05-26 | リンテック株式会社 | ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよびその利用方法 |
JP4681704B2 (ja) | 1999-12-16 | 2011-05-11 | 株式会社ディスコ | 半導体ウェーハの分割方法 |
JP2001176899A (ja) | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2002100588A (ja) | 2000-09-22 | 2002-04-05 | Shinkawa Ltd | 半導体装置の製造方法 |
KR100379563B1 (ko) | 2001-02-21 | 2003-04-10 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 플라즈마 에칭법을 이용한 반도체 웨이퍼 가공법 |
US6949158B2 (en) | 2001-05-14 | 2005-09-27 | Micron Technology, Inc. | Using backgrind wafer tape to enable wafer mounting of bumped wafers |
US6794751B2 (en) | 2001-06-29 | 2004-09-21 | Intel Corporation | Multi-purpose planarizing/back-grind/pre-underfill arrangements for bumped wafers and dies |
JP4330821B2 (ja) | 2001-07-04 | 2009-09-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US6686225B2 (en) | 2001-07-27 | 2004-02-03 | Texas Instruments Incorporated | Method of separating semiconductor dies from a wafer |
US20030129438A1 (en) * | 2001-12-14 | 2003-07-10 | Becker Kevin Harris | Dual cure B-stageable adhesive for die attach |
US6908784B1 (en) | 2002-03-06 | 2005-06-21 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating encapsulated semiconductor components |
JP2004047823A (ja) | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシングテープ貼付装置およびバックグラインド・ダイシングテープ貼付システム |
KR100468748B1 (ko) | 2002-07-12 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | 프리컷 다이싱 테이프와 범용 다이싱 테이프를 웨이퍼에 마운팅할 수 있는 다이싱 테이프 부착 장비 및 이를포함하는 인라인 시스템 |
US7176044B2 (en) | 2002-11-25 | 2007-02-13 | Henkel Corporation | B-stageable die attach adhesives |
US6916684B2 (en) | 2003-03-18 | 2005-07-12 | Delphi Technologies, Inc. | Wafer-applied underfill process |
US20050014313A1 (en) | 2003-03-26 | 2005-01-20 | Workman Derek B. | Underfill method |
JP2004311576A (ja) | 2003-04-03 | 2004-11-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US7047633B2 (en) | 2003-05-23 | 2006-05-23 | National Starch And Chemical Investment Holding, Corporation | Method of using pre-applied underfill encapsulant |
US7230047B2 (en) | 2003-06-25 | 2007-06-12 | Henkel Corporation | Reformable compositions |
JP4401912B2 (ja) | 2003-10-17 | 2010-01-20 | 学校法人早稲田大学 | 半導体多層配線板の形成方法 |
US6940181B2 (en) * | 2003-10-21 | 2005-09-06 | Micron Technology, Inc. | Thinned, strengthened semiconductor substrates and packages including same |
JP3929966B2 (ja) | 2003-11-25 | 2007-06-13 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US7074695B2 (en) | 2004-03-02 | 2006-07-11 | Chippac, Inc. | DBG system and method with adhesive layer severing |
KR100555559B1 (ko) | 2004-03-03 | 2006-03-03 | 삼성전자주식회사 | 백 그라인딩 공정용 표면 보호 테이프를 이용하여 다이싱공정을 수행하는 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2005268425A (ja) | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2005320491A (ja) | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、それを用いたフィルム状接着剤及び回路接続材料、並びに回路部材の接続構造及びその製造方法 |
US7578891B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-08-25 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Adhesive bonding sheet, semiconductor device using the same, and method for manufacturing such semiconductor device |
JP2005332982A (ja) | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
US7560519B2 (en) | 2004-06-02 | 2009-07-14 | Lord Corporation | Dual-stage wafer applied underfills |
KR100618837B1 (ko) | 2004-06-22 | 2006-09-01 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 레벨 패키지를 위한 얇은 웨이퍼들의 스택을형성하는 방법 |
JP2006012914A (ja) | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Canon Inc | 集積回路チップの製造方法及び半導体装置 |
US20060046433A1 (en) | 2004-08-25 | 2006-03-02 | Sterrett Terry L | Thinning semiconductor wafers |
JP2006100728A (ja) | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Nitto Denko Corp | 保護テープ剥離方法およびこれを用いた装置 |
JP2006253402A (ja) | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007012810A (ja) | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
WO2007004569A1 (ja) | 2005-07-05 | 2007-01-11 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | 感光性接着剤組成物、並びにこれを用いて得られる接着フィルム、接着シート、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置及び電子部品 |
JP5109239B2 (ja) | 2005-07-05 | 2012-12-26 | 日立化成工業株式会社 | 粘接着シート、粘接着シートの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP5011804B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-08-29 | 日立化成工業株式会社 | 回路接続材料、接続体及び回路部材の接続方法 |
DE102005050127B3 (de) | 2005-10-18 | 2007-05-16 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Aufbringen einer Struktur aus Fügematerial auf die Rückseiten von Halbleiterchips |
JP2007158212A (ja) | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品とその切断方法 |
KR20070066929A (ko) | 2005-12-22 | 2007-06-27 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 제거가능한 수분산성 아크릴 접착제 조성물 및 접착 시트 |
US7314778B2 (en) * | 2005-12-30 | 2008-01-01 | Intel Corporation | Wafer-level processing of chip-packaging compositions including bis-maleimides |
KR100785493B1 (ko) * | 2006-05-04 | 2007-12-13 | 한국과학기술원 | 접착제의 수분흡습을 방지하는 플립칩용 웨이퍼 레벨패키지 제조방법 |
US7494900B2 (en) | 2006-05-25 | 2009-02-24 | Electro Scientific Industries, Inc. | Back side wafer dicing |
US7476568B2 (en) | 2006-06-30 | 2009-01-13 | Intel Corporation | Wafer-level assembly of heat spreaders for dual IHS packages |
US20080027199A1 (en) | 2006-07-28 | 2008-01-31 | 3M Innovative Properties Company | Shape memory polymer articles with a microstructured surface |
US7482251B1 (en) | 2006-08-10 | 2009-01-27 | Impinj, Inc. | Etch before grind for semiconductor die singulation |
JP2008135446A (ja) | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Philtech Inc | Rfパウダーの製造方法 |
US20080157303A1 (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-03 | Advanced Chip Engineering Technology Inc. | Structure of super thin chip scale package and method of the same |
JP5627893B2 (ja) | 2007-01-31 | 2014-11-19 | ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェンHenkel AG & Co.KGaA | 接着剤組成物の使用 |
JP4944642B2 (ja) * | 2007-03-09 | 2012-06-06 | 株式会社ディスコ | デバイスの製造方法 |
US7838391B2 (en) | 2007-05-07 | 2010-11-23 | Stats Chippac, Ltd. | Ultra thin bumped wafer with under-film |
US7727875B2 (en) | 2007-06-21 | 2010-06-01 | Stats Chippac, Ltd. | Grooving bumped wafer pre-underfill system |
JP5543063B2 (ja) | 2007-12-27 | 2014-07-09 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体装置の製造方法 |
KR101493872B1 (ko) | 2008-08-20 | 2015-02-17 | 삼성전자주식회사 | 백그라인딩-언더필 필름, 그 형성방법, 이를 이용한 반도체패키지 및 그 형성방법 |
JP5128575B2 (ja) | 2009-12-04 | 2013-01-23 | リンテック株式会社 | ステルスダイシング用粘着シート及び半導体装置の製造方法 |
TW201208071A (en) | 2010-04-13 | 2012-02-16 | Henkel Ag & Amp Co Kgaa | Method for handling a wafer |
US8283742B2 (en) | 2010-08-31 | 2012-10-09 | Infineon Technologies, A.G. | Thin-wafer current sensors |
-
2011
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-
2012
- 2012-09-13 US US13/613,142 patent/US8753959B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-05-06 US US14/270,886 patent/US9082840B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61112345A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH08217851A (ja) * | 1995-02-16 | 1996-08-27 | Toshiba Chem Corp | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
JP2000124164A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法及び実装方法 |
JP2003007652A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体チップの製造方法 |
JP2005532678A (ja) * | 2002-06-17 | 2005-10-27 | ヘンケル コーポレイション | 層間誘電体および事前塗布ダイ取り付け用接着性材料 |
WO2005052021A1 (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Mitsui Chemicals, Inc. | 1液型の光及び熱併用硬化性樹脂組成物及びその用途 |
JP2006045406A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Showa Highpolymer Co Ltd | 硬化性樹脂組成物、成形物およびその製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016207936A (ja) * | 2015-04-27 | 2016-12-08 | 株式会社ディスコ | デバイスチップの製造方法 |
JP2017041574A (ja) * | 2015-08-21 | 2017-02-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2021039999A (ja) * | 2019-09-02 | 2021-03-11 | リンテック株式会社 | 接着剤塗布装置および接着剤塗布方法 |
JP7390136B2 (ja) | 2019-09-02 | 2023-12-01 | リンテック株式会社 | 接着剤塗布装置および接着剤塗布方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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