TWI550877B - 半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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宮本光伸
小川康行
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Description

半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種使用氧化物半導體而形成之半導體裝置及其製造方法，尤其係關於一種液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置之主動矩陣基板及其製造方法。此處，半導體裝置包含主動矩陣基板或具備其之顯示裝置。
用於液晶顯示裝置等之主動矩陣基板對應每一像素而包括薄膜電晶體(Thin Film Transistor；以下，稱為「TFT」)等之開關元件。包括TFT作為開關元件之主動矩陣基板被稱為TFT基板。
作為TFT，先前以來，廣泛地使用有將非晶矽膜作為活性層之TFT(以下，稱為「非晶矽TFT」)或將多晶矽膜作為活性層之TFT(以下，稱為「多晶矽TFT」)。
近年來，作為TFT之活性層之材料，提出使用氧化物半導體代替非晶矽或多晶矽。將此種TFT稱為「氧化物半導體TFT」。氧化物半導體具有較非晶矽更高之移動率。因此，氧化物半導體TFT較非晶矽TFT而可以高速動作。又，氧化物半導體膜較多晶矽膜而可以簡便之製程形成。
專利文獻1中，揭示有包括氧化物半導體TFT之TFT基板之製造方法。根據專利文獻1中記載之製造方法，使氧化物半導體層之一部分 低電阻化而形成像素電極，藉此可削減TFT基板之製造步驟數。
近年來，隨著液晶顯示裝置等之高精細化之推進，像素開口率之降低成為問題。再者，所謂像素開口率，係指像素於顯示區域中所佔(例如，於穿透型液晶顯示裝置中，有助於顯示之光所穿透之區域)之面積比率，以下，僅稱為「開口率」。
尤其，對於行動電話用途之中小型穿透型液晶顯示裝置而言，顯示區域之面積較小，因此當然每個像素之面積亦較小，由高精細化而導致之開口率之降低變得顯著。又，一旦行動電話用途之液晶顯示裝置之開口率降低，則為了取得所需之亮度，必需增大背光之亮度，從而亦引起導致消耗電力增大之問題。
為了取得較高之開口率，只要使對應每一像素而設置之TFT或輔助電容等之由不透明之材料形成之元件所佔之面積較小即可，但當然，TFT或輔助電容為了實現其功能而具有最低限度之必要之尺寸。若使用氧化物半導體TFT作為TFT，則較使用非晶矽TFT之情形，可取得可使TFT小型化之優點。再者，輔助電容係為了保持施加至像素之液晶層(電性而言，稱為「液晶電容」)上之電壓而相對於液晶電容電性並聯所設置之電容，一般而言，係以使輔助電容之至少一部分與像素重疊之方式而形成。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-91279號公報
然而，對於高開口率化之要求強烈，僅使用氧化物半導體TFT無法應對該要求。又，顯示裝置之低價化亦在發展，且亦要求開發廉價地製造高精細化、高開口率之顯示裝置之技術。
因此，本發明之一實施形態之主要目的在於提供一種可以簡便之製程進行製造、且較先前可實現高精細、高開口率之顯示裝置的TFT基板及其製造方法。
本發明之實施形態之半導體裝置包含：基板；形成於上述基板上之閘極電極；形成於上述閘極電極上之閘極絕緣層；形成於上述閘極絕緣層上之氧化物半導體層；電性連接於上述氧化物半導體層之源極電極及汲極電極；與上述汲極電極電性連接之第1透明電極；包含形成於上述源極電極及上述汲極電極上之介電層之層間絕緣層；及形成於上述層間絕緣層上之第2透明電極；上述第2透明電極之至少一部分介隔上述介電層而與上述第1透明電極重疊，上述氧化物半導體層及上述第1透明電極係由同一氧化物膜而形成。
某實施形態中，於上述第1透明電極上形成有上述汲極電極，且上述第1透明電極係與上述汲極電極直接接觸。
某實施形態中，上述半導體裝置進而包含形成於上述源極電極及上述汲極電極上之絕緣保護層，上述絕緣保護層係以與上述氧化物半導體層之通道區域接觸之方式而形成，上述絕緣保護層係由氧化物而形成。
某實施形態中，上述閘極絕緣層及上述介電層之至少1個包含氧化物絕緣層，上述氧化物絕緣層係與上述氧化物半導體層接觸。
某實施形態中，上述氧化物膜包含In、Ga及Zn。
某實施形態中，上述第1透明電極含有較上述氧化物半導體層更高濃度之雜質，上述層間絕緣層中位於上述第1透明電極上之部分含有較其他部分更高濃度之雜質。
某實施形態中，上述氧化物半導體層包含In-Ga-Zn-O系半導體。
本發明之實施形態之半導體裝置之製造方法包含：步驟(a)，其 係準備基板；步驟(b)，其係於基板上形成閘極電極及閘極絕緣層；步驟(c)，其係於上述閘極絕緣層上形成氧化物半導體膜；步驟(d)，其係於上述氧化物半導體膜上形成源極電極及汲極電極；步驟(e)，其係於形成保護上述氧化物半導體膜之通道區域之保護層之後，進行使上述氧化物半導體膜之一部分低電阻化之低電阻化處理而形成第1透明電極，上述氧化物半導體膜中未形成上述第1透明電極之部分成為氧化物半導體層；步驟(f)，其係於上述源極電極及上述汲極電極上形成介電層；及步驟(g)，其係於上述介電層上形成第2透明電極；上述第2透明電極之至少一部分介隔上述介電層而與上述第1透明電極重疊。
某實施形態中，上述步驟(e)係在上述步驟(d)與上述步驟(f)之間進行。
某實施形態中，上述步驟(e)係在上述步驟(f)與上述步驟(g)之間進行。
某實施形態中，上述步驟(e)包含越過上述介電層注入雜質而形成上述第1透明電極之步驟。
某實施形態中，上述步驟(e)係於上述步驟(g)之後進行。
某實施形態中，上述步驟(e)包含越過上述介電層及上述第2透明電極注入雜質而形成上述第1透明電極之步驟。
某實施形態中，上述保護層係氧化物絕緣層。
某實施形態中，自上述基板之法線方向觀察時，上述保護層之端部與上述汲極電極重疊。
某實施形態中，上述氧化物半導體膜包含In-Ga-Zn-O系半導體。
根據本發明之實施形態，提供一種可以簡便之製程進行製造、且較先前可實現高精細、高開口率之顯示裝置的TFT基板及其製造方 法。
2‧‧‧基板
3‧‧‧閘極電極
3'‧‧‧閘極配線
4‧‧‧閘極絕緣層
4a‧‧‧下層閘極絕緣層
4b‧‧‧上層閘極絕緣層
5‧‧‧氧化物半導體層
5'‧‧‧氧化物半導體膜/氧化物半導體/氧化物導電膜
6s‧‧‧源極電極
6d‧‧‧汲極電極
7‧‧‧第1透明電極
8‧‧‧層間絕緣層
8a‧‧‧介電層
8b‧‧‧絕緣保護層
9‧‧‧第2透明電極
50‧‧‧液晶層
100A‧‧‧半導體裝置(TFT基板)
200‧‧‧對向基板
500‧‧‧液晶顯示裝置
圖1(a)係本發明之實施形態之TFT基板100A之模式性平面圖，(b)係沿(a)之A1-A1'線之TFT基板100A之模式性剖面圖，(c)係包含TFT基板100A之液晶顯示裝置500之模式性剖面圖。
圖2(a)係改變例之TFT基板100A'之模式性平面圖，(b)係沿(a)之A2-A2'線之TFT基板100A'之模式性剖面圖。
圖3(a)~(f)係說明本發明之實施形態之TFT基板100A之製造步驟之一例的模式性步驟剖面圖。
圖4係本發明之另一實施形態之TFT基板100B之模式性剖面圖。
圖5(a)~(c)係說明本發明之實施形態之TFT基板100B之製造步驟的模式性步驟剖面圖。
圖6(a)~(c)係說明本發明之另一實施形態之TFT基板100B之製造步驟的模式性步驟剖面圖。
圖7(a)~(c)係說明本發明之進而另一實施形態之TFT基板100B之製造步驟的模式性步驟剖面圖。
以下，一面參照圖式一面說明本發明之實施形態之半導體裝置。本實施形態之半導體裝置包括薄膜電晶體(氧化物半導體TFT)，其含有包含氧化物半導體之活性層。再者，本實施形態之半導體裝置亦可包括氧化物半導體TFT，且廣泛地包含主動矩陣基板、各種顯示裝置、及電子機器等。
此處，以用於液晶顯示裝置之氧化物半導體TFT為例來說明本發明之實施形態之半導體裝置。
圖1(a)係本實施形態之TFT基板100A之模式性平面圖，圖1(b)係 沿圖1(a)之A1-A1'線之半導體裝置(TFT基板)100A之模式性剖面圖。圖1(c)係包含TFT基板100A之液晶顯示裝置500之模式性剖面圖。圖1(c)之虛線箭頭表示電場方向。
TFT基板100A包含：基板2；形成於基板2上之閘極電極3；形成於閘極電極3上之閘極絕緣層4；形成於閘極絕緣層4上之氧化物半導體層5；電性連接於氧化物半導體層5之源極電極6s及汲極電極6d；與汲極電極6d電性連接之第1透明電極7；包含形成於源極電極6s及汲極電極6d上之介電層8a之層間絕緣層8；及形成於層間絕緣層8上之第2透明電極9。第2透明電極9之至少一部分介隔介電層8a而與第1透明電極7重疊，氧化物半導體層5及第1透明電極7係由同一氧化物膜而形成。
TFT基板100A中，第2透明電極9之至少一部分介隔介電層8a而與第1透明電極7重疊，藉此形成輔助電容。因此，TFT基板100A包含之輔助電容為透明(穿透可見光)，故而並未使開口率降低。因此，較包括如先前般含有使用金屬膜(閘極金屬層或源極金屬層)形成之不透明之電極之輔助電容的TFT基板，TFT基板100A可具有更高之開口率。又，並未因輔助電容而使開口率降低，故而亦取得視需要而可增大輔助電容之電容值(輔助電容之面積)之優點。
進而，於第1透明電極7上形成汲極電極6d，且較佳為第1透明電極7與汲極電極6d直接接觸。若採用此種構造，則可將第1透明電極7形成至汲極電極6d之大致端部為止，故而TFT基板100A較專利文獻1中記載之TFT基板可具有更高之開口率。
其次，詳細地說明TFT基板100A之各構成要素。
基板2典型而言為透明基板，例如為玻璃基板。除玻璃基板外，亦可使用塑膠基板。塑膠基板包含由熱硬化性樹脂或熱可塑性樹脂而形成之基板，進而包含該等樹脂與無機纖維(例如玻璃纖維、玻璃纖 維之不織布)之複合基板。作為具有耐熱性之樹脂材料，可例示聚對苯二甲酸乙二酯(PET，Polyethylene terephthalate)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN，Polyethylene naphthalate)、聚醚碸(PES，Polyether sulfones)、丙烯酸樹脂、及聚醯亞胺樹脂。又，在用於反射型液晶顯示裝置之情形時，亦可使用矽基板作為基板2。
閘極電極3電性連接於閘極配線3'。閘極電極3及閘極配線3'具有例如上層為W(鎢)層、下層為TaN(氮化鉭)層之積層構造。除此之外，閘極電極3及閘極配線3'亦可具有由Mo(鉬)/Al(鋁)/Mo而形成之積層構造，亦可具有單層構造、雙層構造、4層以上之積層構造。進而，閘極電極3a亦可由選自Cu(銅)、Al、Cr(鉻)、Ta(鉭)、Ti(鈦)、Mo及W之元素、或以該等元素為成分之合金或者金屬氮化物等而形成。閘極電極3之厚度為約50 nm以上且600 nm以下(本實施形態中，閘極電極3之厚度為約420 nm)。
閘極絕緣層4包含下層閘極絕緣層4a與上層閘極絕緣層4b。上層閘極絕緣層4b較佳為包含氧化物絕緣層，且氧化物絕緣層較佳為與氧化物半導體層5直接接觸。若氧化物絕緣層與氧化物半導體層5直接接觸，則氧化物絕緣層中所含之氧被供給至氧化物半導體層5，從而可防止由氧化物半導體層5之氧缺損而導致之半導體特性之劣化。上層閘極絕緣層4b例如為SiO2(氧化矽)層。下層閘極絕緣層4a例如為SiNx(氮化矽)層。本實施形態中，下層閘極絕緣層4a之厚度為約325 nm，上層閘極絕緣層4b之厚度為約50 nm，閘極絕緣層4之厚度為約375 nm。除此之外，作為閘極絕緣層4，可使用例如由SiO2(氧化矽)、SiNx(氮化矽)、SiOxNy(氮氧化矽，x>y)、SiNxOy(氧氮化矽，x>y)、Al2O3(氧化鋁)或氧化鉭(Ta2O5)所形成之單層或積層。閘極絕緣層4之厚度例如為約50 nm以上且約600 nm以下。再者，為防止來自基板2之雜質等之擴散，下層閘極絕緣層4a較佳為由SiNx、或SiNxOy(氧 氮化矽，x>y)而形成。上層閘極絕緣層4b自防止氧化物半導體層5之半導體特性劣化之觀點而言，較佳為由SiO2或SiOxNy(氮氧化矽，x>y)而形成。進而，為了以較低之溫度形成閘極洩漏電流較少之緻密之閘極絕緣層4，一面使用Ar(氬)等之稀有氣體一面形成閘極絕緣層4即可。
氧化物半導體層5包含例如In-Ga-Zn-O系半導體(以下，簡稱為「IGZO系半導體」)。此處，IGZO系半導體為In(銦)、Ga(鎵)、Zn(鋅)之三元系氧化物，In、Ga及Zn之比例(組成比)並未特別限定，例如包含In：Ga：Zn=2：2：1；In：Ga：Zn=1：1：1；及In：Ga：Zn=1：1：2等。IGZO系半導體可為非晶質，亦可為晶質。作為晶質IGZO系半導體，較佳為c軸與層面大致垂直地配向之晶質IGZO系半導體。此種IGZO系半導體之結晶構造揭示於例如日本專利特開2012-134475號公報中。為了參考，將日本專利特開2012-134475號公報之揭示內容全部引用於本說明書中。
構成氧化物半導體層5之氧化物半導體材料並不限定於IGZO系半導體，亦可為例如Zn-O系半導體(ZnO)、In-Zn-O系半導體(IZO(註冊商標))、Zn-Ti-O系半導體(ZTO)、Cd-Ge-O系半導體、Cd-Pb-O系半導體、CdO(氧化鎘)、Mg-Zn-O系半導體、In-Sn-Zn-O系半導體(例如In2O3-SnO2-ZnO)、In-Ga-Sn-O系半導體等。進而，氧化物半導體層5亦可包含添加有1族元素、13族元素、14族元素、15族元素及17族元素等中之一種、或複數種雜質元素之ZnO之非晶(非晶質)狀態、多晶狀態或非晶狀態與多晶狀態混合存在之微晶狀態者、或未添加任何雜質元素者。若使用非晶質氧化物半導體層作為氧化物半導體層5，則可以低溫而製造，且可實現較高之移動率。氧化物半導體層5之厚度例如為約50 nm。氧化物半導體層5之厚度亦可為例如約30 nm以上且約100 nm以下。
源極電極6s及汲極電極6d具有例如由Ti/Al/Ti而形成之積層構造。除此之外，源極電極6s及汲極電極6d亦可具有由Mo/Al/Mo而形成之積層構造，亦可具有單層構造、雙層構造或4層以上之積層構造。進而，源極電極6s及汲極電極6d亦可由選自Al、Cr、Ta、Ti、Mo及W之元素、或以該等元素為成分之合金或者金屬氮化物等而形成。源極電極6s及汲極電極6d之厚度分別為約50 nm以上且約600 nm以下(本實施形態中，源極電極6s及汲極電極6d之厚度為約350 nm)。
層間絕緣層8包含介電層8a與絕緣保護層8b。將於以下描述，但亦存在未形成絕緣保護層8b之情形。介電層8a例如係由SiNx而形成。介電層8a係形成於第1透明電極7與第2透明電極9之間，且形成輔助電容。如此，若由透明電極7及9以及透明之介電層8a而形成輔助電容，則在將TFT基板100A用於顯示面板時，可製造具有較高開口率之顯示面板。介電層8a之厚度例如為約100 nm以上且500 nm以下(本實施形態中，介電層8a之厚度為約200 nm)。除此之外，介電層8a例如可由SiOxNy(氮氧化矽，x>y)、SiNxOy(氧氮化矽，x>y)、Al2O3(氧化鋁)或Ta2O5(氧化鉭)而形成。
絕緣保護層8b係以與氧化物半導體層5之通道區域接觸之方式而形成。絕緣保護層8b較佳為由絕緣氧化物(例如SiO2)而形成。絕緣保護層8b若由絕緣氧化物而形成，則如上所述可防止由氧化物半導體層5之氧缺損而導致之半導體特性之劣化。除此之外，絕緣保護層8b例如可由SiON(氮氧化矽、氧氮化矽)，Al2O3或Ta2O5而形成。絕緣保護層8b之厚度例如為約50 nm以上且約300 nm以下(本實施形態中，絕緣保護層8b之厚度為約150 nm)。
第1透明電極7例如係包含In-Ga-Zn-O系氧化物(IGZO系氧化物)之導電體層。第1透明電極7之厚度例如為約50 nm。第1透明電極7之厚度例如為約20 nm以上且約200 nm以下即可。詳細情形將於以下描 述，但第1透明電極7與氧化物半導體層5係由相同之透明之氧化物膜而形成。若由同一氧化物膜而形成第1透明電極7與氧化物半導體層5，則可簡化製造製程從而可削減製造成本。作為氧化物膜，可使用例如IGZO系半導體膜等之包含IGZO系氧化物之膜。再者，如上所述，本說明書中，將IGZO系氧化物中顯示半導體特性者簡稱為IGZO系半導體。
詳細情形將於以下描述，但亦存在如下情形：第1透明電極7含有較氧化物半導體層5更高濃度之p型雜質(例如B(硼))或n型雜質(例如P(磷))，且層間絕緣層8中位於第1透明電極7上之部分含有較其他部分更高濃度之p型雜質或n型雜質。
第2透明電極9係由透明導電膜(例如ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)、或IZO(Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅)膜)而形成。第2透明電極9之厚度例如為20 nm以上且200 nm以下(本實施形態中，第2透明電極9之厚度為約100 nm)。
如圖1(c)所示，TFT基板100A例如被用於邊緣場切換(Fringe Field Switching，FFS)模式之液晶顯示裝置500。此時，將下層之第1透明電極7用作像素電極(供給有顯示信號電壓)，且將上層之第2透明電極9用作共通電極(供給有共通電壓或對向電壓)。於第2透明電極9上，設置有至少1個以上之狹縫。此種構造之FFS模式之液晶顯示裝置500揭示於例如日本專利特開2011-53443號公報中。將日本專利特開2011-53443號公報之揭示內容全部引用於本說明書中以便參考。
液晶顯示裝置500包含：TFT基板100A及對向基板200、以及形成於TFT基板100A與對向基板200之間之液晶層50。於液晶顯示裝置500中，對向基板200之液晶層50側不包括可由透明電極(例如ITO)等形成之對向電極。藉由形成於TFT基板100A上之第1透明電極(像素電極)7與第2透明電極(共通電極)9所產生之橫方向之電場，而控制液晶層50 中之液晶分子之配向，且進行顯示。
TFT基板100A可改變為圖2中所示之TFT基板100A'。圖2(a)係改變例之TFT基板100A'之模式性平面圖，圖2(b)係沿圖2(a)之A2-A2'線之TFT基板100A'之模式性剖面圖。
圖2(a)及圖2(b)中所示之TFT基板100A'具有如下構造：於閘極配線3'上具有氧化物半導體層5，且自基板2之法線方向觀察時，閘極配線3'與源極電極6s及汲極電極6d重疊，該方面與TFT基板100A不同。TFT基板100A'較TFT基板100A可具有更高之開口率。
再者，TFT基板100A'較TFT基板100A具有閘極‧汲極間之寄生電容(Cgd)較大之缺點。如充分瞭解般，若閘極‧汲極間之寄生電容(Cgd)較大，則饋通電壓會變大。饋通電壓成為圖像留下殘像、或閃爍之原因。為了降低饋通電壓，使閘極‧汲極間之寄生電容(Cgd)相對於像素之所有電容(液晶電容Clc+輔助電容Cs+閘極‧汲極間之寄生電容Cgd)之比率較小即可。TFT基板100A'包含具備透明電極之透明之輔助電容，故而可不降低開口率，而藉由加大輔助電容之面積而使電容值增大。即，如TFT基板100A'般，即便採用閘極‧汲極間之寄生電容(Cgd)變大之構造，亦可使饋通電壓充分小。
又，像素之所有電容較大，意味著為了對像素施加特定之電壓，需要較多之電荷。TFT基板100A'包括電流供給能力較先前之非晶質TFT更高之氧化物半導體TFT，故而不會因像素電容之增大而導致顯示品位降低。
其次，說明TFT基板100A之製造方法。
本發明之實施形態之半導體裝置之製造方法包含：步驟(a)，係準備基板2；步驟(b)，係於基板2上形成閘極電極3及閘極絕緣層4；步驟(c)，係於閘極絕緣層4上形成氧化物半導體膜5'；步驟(d)，係於氧化物半導體膜5'上形成源極電極6s及汲極電極6d；步驟(e)，係於形 成保護氧化物半導體膜5'之通道區域之保護層之後，進行使氧化物半導體膜5'之一部分低電阻化之低電阻化處理而形成第1透明電極7；步驟(f)，係於源極電極6s及汲極電極6d上形成介電層8a；及步驟(g)，係於介電層8a上形成第2透明電極9；第2透明電極9之至少一部分介隔介電層8a而與第1透明電極7重疊。
此種半導體裝置之製造方法係簡化之半導體裝置之製造方法，故而可削減製造成本。
其次，一面參照圖3，一面詳細地說明TFT基板100A之製造方法之一例。
圖3(a)~圖3(f)係用以說明TFT基板100A之製造方法之一例之模式性步驟剖面圖。
首先，如圖3(a)所示，於基板2上形成閘極電極3。作為基板2，可使用例如玻璃基板等之透明絕緣性之基板。閘極電極3可藉由如下方法而形成：以濺鍍法於基板2上形成導電膜之後，藉由光微影法而進行導電膜之圖案化。此處，作為導電膜，使用自基板2側依序具有TaN膜(厚度：約50 nm)及W膜(厚度：約370 nm)之雙層構造之積層膜。再者，作為第1導電膜，亦可使用例如Ti、Mo、Ta、W、Cu、Al或Cr等之單層膜、包含其等之積層膜、合金膜或該等之氮化金屬膜等。
繼而，如圖3(b)所示，藉由CVD(Chemical Vapor deposition，化學氣相沈積)法，以覆蓋閘極電極3之方式形成下層閘極絕緣層4a及上層閘極絕緣層4b。此處，下層閘極絕緣層4a係由SiNx膜(厚度：約325 nm)形成，上層閘極絕緣層4b係由SiO2膜(厚度：約50 nm)形成。作為上層及下層閘極絕緣層4a及4b，例如可由SiO2、SiNx、SiOxNy(氮氧化矽，x>y)、SiNxOy(氧氮化矽，x>y)、Al2O3或Ta2O5而形成。
繼而，如圖3(c)所示，於上層閘極絕緣層4b上以濺鍍法形成氧化 物半導體膜5'。使用IGZO系半導體膜作為氧化物半導體膜5'。氧化物半導體膜5'之厚度為約50 nm。
此後，於氧化物半導體5'上，藉由濺鍍法而形成含有源極電極6s及汲極電極6d之導電膜(未圖示)。其次，藉由使用有半色調光罩之光微影法、乾式蝕刻法及灰化法而使上述之導電膜及氧化物半導體膜5'同時圖案化，將氧化物半導體膜5'圖案化成所需之形狀，並且形成源極電極6s及汲極電極6d。如此，以1片光罩進行源極電極6s及汲極電極6d之形成以及氧化物半導體膜5'之圖案化，故而可簡化製造製程，從而可削減製造成本。源極電極6s及汲極電極6d具有例如Ti/Al/Ti之積層構造。下層之Ti層之厚度為約50 nm，Al層之厚度為約200 nm，上層之Ti層之厚度為約100 nm。
繼而，如圖3(d)所示，以覆蓋氧化物半導體層5之通道區域之方式藉由濺鍍法及光微影法而形成絕緣保護層8b。絕緣保護層8b例如係由絕緣氧化物(例如SiO2)而形成，其厚度為約150 nm。又，自基板2之法線方向觀察時，較佳為絕緣保護層8b之端部與汲極電極6d重疊。其原因在於，可將第1透明電極7形成至汲極電極6d之端部附近為止。
其後，對氧化物半導體膜5'之一部分實施低電阻化處理L。氧化物半導體5'中由源極電極6s、汲極電極6d及絕緣保護層8b覆蓋之部分未實施低電阻化處理L。藉此，如圖3(e)所示，氧化物半導體膜5'中，於已實施低電阻化處理L之部分上形成第1透明電極7，於未實施低電阻化處理L之部分上形成氧化物半導體層5。當然，已實施低電阻化處理L之部分之電阻小於未實施低電阻化處理L之部分之電阻。對於低電阻化處理L，可列舉例如電漿處理、或p型雜質或n型雜質之摻雜等。作為低電阻化處理L，於使用p型雜質或n型雜質之摻雜之情形時，第1透明電極7之雜質之濃度大於氧化物半導體層5之雜質之濃度。又，亦存在如下情形：藉由雜質之擴散，而使位於汲極電極6d之 下之氧化物半導體膜5'之一部分亦得以低電阻化，從而成為第1透明電極7之一部分。將於以下描述，於使用摻雜裝置注入雜質之情形時，可越過絕緣層注入雜質而進行低電阻化處理，故而可靈活地對應製造製程。
此外，作為低電阻化處理L，可列舉例如使用有CVD裝置之氫電漿處理、使用有蝕刻裝置之氬電漿處理、及還原環境下之退火處理等。
繼而，如圖3(f)所示，於第1透明電極7及絕緣保護層8b上，以CVD法形成介電層8a而形成層間絕緣層8。介電層8a例如係由SiNx而形成。介電層8a之厚度為約200 nm。再者，於介電層8a上以公知之方法形成有未圖示之接觸孔。
繼而，如圖1(b)所示，於介電層8a上以濺鍍法等而形成第2透明電極9。第2透明電極9之至少一部分介隔介電層8a而與第1透明電極7重疊。第2透明電極9例如係由ITO而形成，且其厚度為約100 nm。
又，雖未圖示，但形成該第2透明電極9之透明導電膜不僅可作為共通電極，而且可作為和由與源極配線(源極匯流排線)相同導電膜形成之源極金屬層、或由與閘極配線(閘極匯流排線)相同導電膜形成之閘極金屬層電性連接時所使用的引出配線而活用。藉此，例如可形成一體形成有驅動電路之TFT基板，以此可製造高品位之顯示裝置。
其次，一面參照圖4一面說明本發明之實施形態之TFT基板100B。圖4係TFT基板100B之模式性剖面圖，其對應於圖1(b)之TFT基板100A之剖面圖。對於與TFT基板100A共通之構成要素標註相同參照符號，避免重複說明。
圖4中所示之TFT基板100B係未形成TFT基板100A之絕緣保護層8b之半導體裝置。因此，於TFT基板100B上，層間絕緣層8含有介電層8a，且不含有絕緣保護層8b。於TFT基板100B上，介電層8a較佳為 由絕緣氧化物(例如SiO2)而形成。其原因在於，如上所述可防止氧化物半導體層5之半導體特性之劣化。
又，詳細情形將於以下描述，但亦存在如下情形：於TFT基板100B上，層間絕緣層8中位於第1透明電極7上之部分含有較其他部分更高濃度之p型雜質或n型雜質。
其次，一面參照圖5一面說明TFT基板100B之製造方法之一例。圖5(a)~圖5(c)係說明TFT基板100B之製造方法之模式性步驟剖面圖。
如上所述，於基板2上形成閘極電極3、閘極絕緣層4、氧化物半導體膜5'、源極電極6s及汲極電極6d(參照圖3(a)~圖3(c))。
繼而，如圖5(a)所示，以與氧化物半導體膜5'中通道區域接觸之方式藉由公知之方法而形成保護層(存在抗蝕劑遮罩層之情形)R。抗蝕劑遮罩層R例如係由感光性樹脂而形成。又，自基板2之法線方向觀察時，較佳為抗蝕劑遮罩層R之端部與汲極電極6d重疊。其原因在於，可第1透明電極7形成至汲極電極6d之端部附近為止。
其後，以上述方法對氧化物半導體膜5'之一部分實施低電阻化處理L。氧化物半導體膜5'中由源極電極6s、汲極電極6d及抗蝕劑遮罩層R覆蓋之部分未實施低電阻化處理L。如上所述，藉由低電阻化處理L而形成第1透明電極7與氧化物半導體層5(參照圖5(b))。此後，將抗蝕劑遮罩層R以公知之方法去除。
繼而，如圖5(c)所示，以上述方法於源極電極6s、汲極電極6d及第1透明電極7上形成具有介電層8a之層間絕緣層8。
繼而，如圖4所示，以上述方法於介電層8a上形成第2透明電極9。
其次，一面參照圖6一面說明TFT基板100B之製造方法之另一例。圖6(a)~圖6(c)係說明TFT基板100B之製造方法之模式性步驟剖 面圖。
如上所述，於基板2上形成閘極電極3、閘極絕緣層4、氧化物半導體膜5'、源極電極6s及汲極電極6d(參照圖3(a)~圖3(c))。
繼而，如圖6(a)所示，於源極電極6s及氧化物導電膜5'上，形成具有介電層8a之層間絕緣層8。
繼而，如圖6(b)所示，以公知之方法形成保護氧化物導電膜5'中通道區域之抗蝕劑遮罩層R。抗蝕劑遮罩層R係形成於介電層8a上。自基板2之法線方向觀察時，氧化物半導體膜5'中之通道區域與抗蝕劑遮罩層R重疊。又，自基板2之法線方向觀察時，較佳為抗蝕劑遮罩層R之端部與汲極電極6d重疊。其原因在於，可將第1透明電極7形成至汲極電極6d之端部附近為止。
其後，以上述方法對氧化物半導體膜5'之一部分實施低電阻化處理L。氧化物半導體膜5'中由源極電極6s、汲極電極6d及抗蝕劑遮罩層R覆蓋之部分未實施低電阻化處理L。如上所述，藉由低電阻化處理L而形成第1透明電極7與氧化物半導體層5(參照圖6(c))。此後，將抗蝕劑遮罩層R以公知之方法去除。
繼而，如圖4所示，以上述方法於介電層8a上形成第2透明電極9。
其次，一面參照圖7一面說明TFT基板100B之製造方法之進而又一例。圖7(a)~圖7(c)係說明TFT基板100B之製造方法之模式性步驟剖面圖。
如上所述，於基板2上形成閘極電極3、閘極絕緣層4、氧化物半導體膜5'、源極電極6s及汲極電極6d(參照圖3(a)~圖3(c))。
繼而，如圖7(a)所示，於源極電極6s及氧化物導電膜5'上，形成具有介電層8a之層間絕緣層8。
繼而，如圖7(b)所示，以上述方法，於介電層8a上形成第2透明 電極9。
繼而，如圖7(c)所示，以公知之方法形成保護氧化物導電膜5'中通道區域之抗蝕劑遮罩層R。抗蝕劑遮罩層R係形成於介電層8a上。自基板2之法線方向觀察時，氧化物半導體膜5'中之通道區域與抗蝕劑遮罩層R重疊。又，自基板2之法線方向觀察時，較佳為抗蝕劑遮罩層R之端部與汲極電極6d重疊。其原因在於，可將第1透明電極7形成至汲極電極6d之端部附近為止。
其後，以上述方法對氧化物半導體膜5'之一部分實施低電阻化處理L。對低電阻化處理L而言，氧化物半導體膜5'中由源極電極6s、汲極電極6d及抗蝕劑遮罩層R所覆蓋之部分未實施低電阻化處理L。如上所述，藉由低電阻化處理L而形成第1透明電極7與氧化物半導體層5(參照圖4)。此後，將抗蝕劑遮罩層R以公知之方法去除。
上述TFT基板100B之製造方法中，於至少越過介電層8a摻雜p型雜質或n型雜質而進行低電阻化處理L來製造TFT基板100B之情形時，層間絕緣層8中位於第1透明電極7上之部分含有較其他部分更高濃度之p型雜質或n型雜質。
以上，根據本發明之實施形態，提供一種可一方面抑制製造成本，一方面製造顯示品位較高之顯示面板之半導體裝置及該半導體裝置之製造方法。
[產業上之可利用性]
本發明之實施形態可廣泛地應用於主動矩陣基板等之電路基板；液晶顯示裝置、有機電致發光(EL)顯示裝置及無機電致發光顯示裝置等之顯示裝置；影像感測器裝置等之攝像裝置；圖像輸入裝置或指紋讀取裝置等之電子裝置等包括薄膜電晶體之裝置。
2‧‧‧基板
3‧‧‧閘極電極
3'‧‧‧閘極配線
4‧‧‧閘極絕緣層
4a‧‧‧下層閘極絕緣層
4b‧‧‧上層閘極絕緣層
5‧‧‧氧化物半導體層
6s‧‧‧源極電極
6d‧‧‧汲極電極
7‧‧‧第1透明電極
8‧‧‧層間絕緣層
8a‧‧‧介電層
8b‧‧‧絕緣保護層
9‧‧‧第2透明電極
50‧‧‧液晶層
100A‧‧‧半導體裝置(TFT基板)
200‧‧‧對向基板
500‧‧‧液晶顯示裝置

Claims (5)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，其包含：步驟(a)，係準備基板；步驟(b)，係於基板上形成閘極電極及閘極絕緣層；步驟(c)，係於上述閘極絕緣層上形成氧化物半導體膜；步驟(d)，係於上述氧化物半導體膜上形成源極電極及汲極電極；步驟(e)，係於形成保護上述氧化物半導體膜之通道區域之保護層之後，進行使上述氧化物半導體膜之一部分低電阻化之低電阻化處理而形成第1透明電極，上述氧化物半導體膜中未形成上述第1透明電極之部分成為氧化物半導體層；步驟(f)，係於上述源極電極及上述汲極電極上形成介電層；及步驟(g)，係於上述介電層上形成第2透明電極；上述第2透明電極之至少一部分介隔上述介電層而與上述第1透明電極重疊；上述步驟(e)係在上述步驟(f)與上述步驟(g)之間進行；上述步驟(e)包含如下步驟：越過上述介電層，向上述氧化物半導體膜之一部分中注入雜質而形成上述第1透明電極。
  2. 一種半導體裝置之製造方法，其包含：步驟(a)，係準備基板；步驟(b)，係於基板上形成閘極電極及閘極絕緣層；步驟(c)，係於上述閘極絕緣層上形成氧化物半導體膜；步驟(d)，係於上述氧化物半導體膜上形成源極電極及汲極電極；步驟(e)，係於形成保護上述氧化物半導體膜之通道區域之保 護層之後，進行使上述氧化物半導體膜之一部分低電阻化之低電阻化處理而形成第1透明電極，上述氧化物半導體膜中未形成上述第1透明電極之部分成為氧化物半導體層；步驟(f)，係於上述源極電極及上述汲極電極上形成介電層；及步驟(g)，係於上述介電層上形成第2透明電極；上述第2透明電極之至少一部分介隔上述介電層而與上述第1透明電極重疊；上述步驟(e)係於上述步驟(g)之後進行；上述步驟(e)包含如下步驟：越過上述介電層及上述第2透明電極，向上述氧化物半導體膜之一部分中注入雜質而形成上述第1透明電極。
  3. 如請求項1或2之半導體裝置之製造方法，其中自上述基板之法線方向觀察時，上述保護層之端部與上述汲極電極重疊。
  4. 如請求項1或2之半導體裝置之製造方法，其中上述氧化物半導體膜包含In-Ga-Zn-O系半導體。
  5. 如請求項3之半導體裝置之製造方法，其中上述氧化物半導體膜包含In-Ga-Zn-O系半導體。
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