TWI547320B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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TWI547320B
TWI547320B TW103120230A TW103120230A TWI547320B TW I547320 B TWI547320 B TW I547320B TW 103120230 A TW103120230 A TW 103120230A TW 103120230 A TW103120230 A TW 103120230A TW I547320 B TWI547320 B TW I547320B
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吉住明日香
樋口鮎美
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斯克林集團公司
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Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理方法。
自先前以來，於基板之製造步驟中，使用如下基板處理裝置：進行使用藥液之藥液處理及使用純水等洗滌液之洗滌處理等基板之表面處理之後，進行乾燥處理。作為此種基板處理裝置，使用逐片地對基板進行處理之單片式裝置、及批次地對複數片基板進行處理之批次式裝置。
單片式基板處理裝置通常於進行向旋轉之基板之表面供給藥液之藥液處理、供給純水之洗滌處理後，使基板高速旋轉而進行甩去乾燥。此時，雖然飛散之處理液之大部分著液於包圍旋轉夾盤之護罩之內壁而流下，從而得以排液，但存在處理液之一部分保持附著於護罩之內壁之狀態而未得以回收之情形。附著於護罩之內部之處理液係一旦乾燥，則成為顆粒，從而成為污染基板之原因。因此，通常每次對特定片數(典型而言，特定批次)之基板進行處理時，均進行清洗護罩之護罩清洗處理。此種單片式基板處理裝置揭示於例如專利文獻1中。
專利文獻1中所揭示之基板處理裝置包括：旋轉夾盤，其係將基板保持為大致水平姿勢並使其旋轉；噴嘴，其向保持於旋轉夾盤上之 基板之上表面供給處理液；及護罩，其包圍旋轉夾盤之周圍而擋住自基板飛散之處理液。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2012-231049號公報
於專利文獻1所揭示之基板處理裝置中，向於未保持基板之狀態下旋轉之旋轉夾盤中之旋轉基座部分(圓形板狀部分)供給洗滌液(典型而言，為純水)，藉由旋轉之離心力使洗滌液自旋轉基座飛散。洗滌液飛散至護罩及其周圍，從而清洗該等飛散部位。
然而，如專利文獻1般，於向旋轉之旋轉基座供給洗滌液而使該洗滌液飛散之態樣中，洗滌液碰撞至旋轉夾盤中之用以固持基板之夾盤機構(典型而言，為突起形狀)，而難以使洗滌液適宜地飛散至附著有藥液之清洗對象部位。
另一方面，於基板處理裝置包括護罩清洗處理專用治具，且向固持於旋轉夾盤上並得以旋轉之清洗治具供給洗滌液而使該洗滌液飛散之態樣中，可避免洗滌液碰撞至夾盤機構上之上述課題，但會產生如下新課題：每次進行護罩清洗處理時均必須卸除清洗治具，從而導致處理量降低。又，於如該態樣般與基板處理所需之構成分開設置護罩清洗處理專用之構成之情形時，亦有導致基板處理裝置大型化之課題。
又，於此種基板處理裝置中，於結束先前之批次(實施同一處理之特定片數之基板群)之基板處理而開始後續之批次之基板處理之前之期間，通常情況係進行上述護罩清洗處理。因此，於在批次處理之中途產生進行上述護罩清洗處理之要求之情形時，難以實現不待執行 中之批次處理完成即開始進行護罩清洗處理。
本發明係鑒於上述課題研究而成者，其目的在於提供一種可使洗滌液適宜地飛散至清洗對象部位，而抑制裝置之大型化，且不待執行中之批次處理完成即可開始護罩清洗處理的基板處理裝置及基板處理方法。
為了解決上述課題，技術方案1之發明之特徵在於：其係依序對複數個基板進行處理之基板處理裝置，且包括：處理裝置本體，其包括保持上述基板之基板保持器件、使上述基板保持器件旋轉之旋轉驅動器件、向保持於上述基板保持器件上之上述基板供給藥液之藥液供給器件、向保持於上述基板保持器件上之上述基板供給洗滌液之洗滌液供給器件、及包圍上述基板保持器件之周圍之護罩；以及控制器件，其預先設定有複數個基板處理模式，控制上述處理裝置本體，針對各基板選擇上述複數個模式中之一個並使其執行；且上述複數個模式包括：(A)通常模式，其包括：第1藥液步驟，其一面藉由上述基板保持器件保持基板並使其旋轉，一面向上述基板供給藥液，而對上述基板進行藥液處理；及第1洗滌步驟，其一面藉由上述基板保持器件保持上述基板並使其旋轉，一面向上述基板供給洗滌液，從而自上述基板沖洗上述藥液；(B)特殊模式，其包括第2洗滌步驟，該第2洗滌步驟係根據與上述第1洗滌步驟不同之作動條件，一面藉由上述基板保持器件保持上述基板並使其旋轉，一面向上述基板供給洗滌液，從而藉由自旋轉之上述基板飛散之上述洗滌液而清洗上述護罩。
技術方案2之發明係如技術方案1之基板處理裝置，其特徵在於：上述特殊模式進而包括與上述通常模式中之上述第1藥液步驟對應之第2藥液步驟。
技術方案3之發明係如技術方案2之基板處理裝置，其特徵在 於：上述第1藥液步驟包括複數個單位第1藥液步驟，上述第1洗滌步驟包括複數個單位第1洗滌步驟，上述通常模式係交替地執行上述單位第1藥液步驟及上述單位第1洗滌步驟之處理模式，上述第2藥液步驟包括複數個單位第2藥液步驟，上述第2洗滌步驟包括複數個單位第2洗滌步驟，上述特殊模式係交替地執行上述單位第2藥液步驟及上述單位第2洗滌步驟之處理模式，於不同於上述複數個單位第1洗滌步驟中之對應之至少一個的作動條件下，執行上述複數個單位第2洗滌步驟中之至少一個。
技術方案4之發明係如技術方案1至3中任一項之基板處理裝置，其特徵在於：設定上述通常模式作為上述複數個模式中之預設模式，於滿足特定之條件時，例外地選擇上述特殊模式。
技術方案5之發明係如技術方案1之基板處理裝置，其特徵在於：上述特殊模式之上述第2洗滌步驟包括部位調節子步驟，該部位調節子步驟係使上述護罩上下移動，而調節自上述基板飛散之上述洗滌液碰撞至上述護罩之部位。
技術方案6之發明係如技術方案5之基板處理裝置，其特徵在於：根據上述護罩之上下位置，變更使上述護罩上下移動之速度。
技術方案7之發明係如技術方案5之基板處理裝置，其特徵在於：在固定之上下區間內反覆進行上述護罩之上述上下移動。
技術方案8之發明係如技術方案1之基板處理裝置，其特徵在於：上述特殊模式之上述第2洗滌步驟包括可變地調節使上述基板旋轉之旋轉速度的速度調節子步驟。
技術方案9之發明係如技術方案1之基板處理裝置，其特徵在於：上述特殊模式之上述第2洗滌步驟包括可變地調節供給至上述基板上之上述洗滌液之供給量的供給量調節子步驟。
技術方案10之發明之特徵在於：其係使用如下構件依序對複數 個基板進行處理之基板處理方法，即，處理裝置本體，其包括：保持基板之基板保持器件、使上述基板保持器件旋轉之旋轉驅動器件、向保持於上述基板保持器件上之上述基板供給藥液之藥液供給器件、向保持於上述基板保持器件上之上述基板供給洗滌液之洗滌液供給器件、及包圍上述基板保持器件之周圍之護罩；以及控制器件，其控制上述處理裝置本體；且該基板處理方法包括：設定步驟，其係於上述控制器件中預先設定複數個模式；及處理執行步驟，其針對上述複數個基板之各者，選擇上述控制器件中之上述複數個模式中之其中一個並使其執行；且上述複數個模式包括：(A)通常模式，其包括：第1藥液步驟，其係一面藉由上述基板保持器件保持基板並使其旋轉，一面向上述基板供給藥液，從而對上述基板進行藥液處理；及第1洗滌步驟，其係一面藉由上述基板保持器件保持上述基板並使其旋轉，一面向上述基板供給洗滌液，從而自上述基板沖洗上述藥液；及(B)特殊模式，其包括第2洗滌步驟，該第2洗滌步驟係根據與上述第1洗滌步驟不同之作動條件，一面藉由上述基板保持器件保持上述基板並使其旋轉，一面向上述基板供給洗滌液，從而藉由自旋轉之上述基板飛散之上述洗滌液清洗上述護罩。
技術方案11之發明係如技術方案10之基板處理方法，其特徵在於：上述特殊模式進而包括與上述通常模式中之上述第1藥液步驟對應之第2藥液步驟。
技術方案12之發明係如技術方案11之基板處理方法，其特徵在於：上述第1藥液步驟包括複數個單位第1藥液步驟，上述第1洗滌步驟包括複數個單位第1洗滌步驟，上述通常模式係交替地執行上述單位第1藥液步驟及上述單位第1洗滌步驟之處理模式，上述第2藥液步驟包括複數個單位第2藥液步驟，上述第2洗滌步驟包括複數個單位第2洗滌步驟，上述特殊模式係交替地執行上述單位第2藥液步驟及上述 單位第2洗滌步驟之處理模式，於不同於上述複數個單位第1洗滌步驟中之對應之至少一個的作動條件下，執行上述複數個單位第2洗滌步驟中之至少一個。
技術方案13之發明係如技術方案10至12中任一項之基板處理方法，其特徵在於：設定上述通常模式作為上述複數個模式中之預設模式，於滿足特定之條件時，例外地選擇上述特殊模式。
技術方案14之發明係如技術方案10之基板處理方法，其特徵在於：上述特殊模式之上述第2洗滌步驟包括部位調節子步驟，該部位調節子步驟係使上述護罩上下移動，而調節自上述基板飛散之上述洗滌液碰撞至上述護罩之部位。
技術方案15之發明係如技術方案14之基板處理方法，其特徵在於：根據上述護罩之上下位置，變更使上述護罩上下移動之速度。
技術方案16之發明係如技術方案14之基板處理方法，其特徵在於：在固定之上下區間內反覆進行上述護罩之上述上下移動。
技術方案17之發明係如技術方案10之基板處理方法，其特徵在於：上述特殊模式之上述第2洗滌步驟包括可變地調節使上述基板旋轉之旋轉速度的速度調節子步驟。
技術方案18之發明係如技術方案10之基板處理方法，其特徵在於：上述特殊模式之上述第2洗滌步驟包括可變地調節供給至上述基板上之上述洗滌液之供給量的供給量調節子步驟。
於技術方案1~技術方案18中記載之發明中，於控制器件中設定有使基板處理裝置動作之複數個模式。特殊模式包括第2洗滌步驟，該第2洗滌步驟係根據與通常模式之第1洗滌步驟不同之作動條件，一面藉由基板保持器件保持基板並藉由旋轉驅動器件使其旋轉，一面向基板供給洗滌液，而自基板沖洗藥液，並且藉由自旋轉之基板飛散之 洗滌液而清洗護罩。
於特殊模式中，由於基板保持於基板保持器件上，因此自基板飛散之洗滌液不易碰撞至基板保持器件之保持機構(例如夾盤機構)。因此，可使洗滌液適宜地飛散至護罩之清洗對象部位。又，於特殊模式中，無須設置例如清洗治具之類之清洗專用機構，從而可抑制裝置之大型化。又，特殊模式係只要於裝置之腔室內有基板即可執行之模式，且即便於批次處理之中途亦可執行。
於技術方案2及技術方案10中記載之發明中，特殊模式進而包括與通常模式中之第1藥液步驟對應之第2藥液步驟。因此，關於執行了特殊模式之基板，亦與執行了通常模式之基板同樣地可用作最終製品。
於技術方案5及技術方案14中記載之發明中，特殊模式之第2洗滌步驟包括部位調節子步驟，該部位調節子步驟係使護罩上下移動，而調節自基板飛散之洗滌液碰撞至護罩之部位。因此，可精度良好地進行護罩之清洗。
於技術方案8及技術方案17中記載之發明中，特殊模式之第2洗滌步驟包括可變地調節使基板旋轉之旋轉速度之速度調節子步驟。由於自基板飛散之洗滌液之行為依存於基板之旋轉速度，因此可藉由可變地調節該旋轉速度而於較廣範圍內精度良好地進行護罩之清洗。
於技術方案9及技術方案18中記載之發明中，特殊模式之第2洗滌步驟包括可變地調節供給至基板上之洗滌液之供給量的供給量調節子步驟。由於自基板飛散之洗滌液之行為依存於基板上之洗滌液之供給量，因此可藉由可變地調節該供給量而精度良好地進行護罩之清洗。
1‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧控制部
10‧‧‧腔室
11‧‧‧側壁
12‧‧‧頂棚壁
13‧‧‧底壁
14‧‧‧風扇過濾單元
15‧‧‧分隔板
18‧‧‧排氣管
20‧‧‧旋轉夾盤
21‧‧‧旋轉基座
21a‧‧‧保持面
22‧‧‧旋轉馬達
23‧‧‧覆蓋構件
24‧‧‧旋轉軸
25‧‧‧凸緣狀構件
26‧‧‧夾盤構件
28‧‧‧下表面處理液噴嘴
30‧‧‧上表面處理液噴嘴
31‧‧‧噴出頭
32‧‧‧噴嘴臂
33‧‧‧噴嘴基台
40‧‧‧處理護罩
41‧‧‧內護罩
42‧‧‧中護罩
43‧‧‧外護罩
43a‧‧‧下端部
43b‧‧‧上端部
43c‧‧‧回折部
44‧‧‧底部
45‧‧‧內壁部
46‧‧‧外壁部
47‧‧‧第1導引部
47b‧‧‧上端部
48‧‧‧中壁部
49‧‧‧廢棄槽
50‧‧‧內側回收槽
51‧‧‧外側回收槽
52‧‧‧第2導引部
52a‧‧‧下端部
52b‧‧‧上端部
52c‧‧‧回折部
53‧‧‧處理液分離壁
60‧‧‧二流體噴嘴
62‧‧‧噴嘴臂
63‧‧‧噴嘴基台
64‧‧‧氣體頭
AR1、AR2、AR3、AR4、AR5、AR6、AR7、AR8‧‧‧軌跡
CX‧‧‧軸心
DB‧‧‧處理裝置本體
NM‧‧‧通常模式
OPa、OPb、OPc‧‧‧開口
RM‧‧‧特殊模式
W‧‧‧基板
圖1係實施形態之基板處理裝置1之俯視圖。
圖2係實施形態之基板處理裝置1之縱剖面圖。
圖3係表示實施形態之通常模式NM之流程圖。
圖4係表示於實施形態之通常模式NM中藥液自基板W朝向外護罩43飛散之情況的基板處理裝置1之縱剖面圖。
圖5係表示於實施形態之通常模式NM中純水自基板W朝向內護罩41飛散之情況的基板處理裝置1之縱剖面圖。
圖6係表示於實施形態之通常模式NM中純水自基板W朝向中護罩42飛散之情況的基板處理裝置1之縱剖面圖。
圖7係表示實施形態之特殊模式RM之流程圖。
圖8係實施形態之護罩清洗步驟之時序圖。
圖9係表示於實施形態之特殊模式RM中藥液自基板W朝向外護罩43飛散之情況的基板處理裝置1之縱剖面圖。
圖10係表示於實施形態之特殊模式RM中藥液自基板W朝向中護罩42飛散之情況的基板處理裝置1之縱剖面圖。
圖11係表示於實施形態之特殊模式RM中藥液自基板W朝向內護罩41飛散之情況的基板處理裝置1之縱剖面圖。
圖12係變化例之護罩清洗步驟之時序圖。
圖13係變化例之護罩清洗步驟之時序圖。
圖14係表示變化例之特殊模式RM之流程圖。
圖15係表示於變化例之特殊模式RM中藥液自基板W朝向內護罩41飛散之情況的基板處理裝置1之縱剖面圖。
以下，詳述各實施形態。
<1 實施形態>
<1.1 基板處理裝置1之構成>
以下，一面參照圖式，一面詳細地對本發明之實施形態進行說 明。
圖1係基板處理裝置1之俯視圖。又，圖2係基板處理裝置1之縱剖面圖。該基板處理裝置1係逐片地對半導體之基板W進行處理之單片式處理裝置，對圓形矽基板W進行藥液處理(供給SC1液、DHF液、SC2液等清洗液作為藥液)及洗滌處理(供給純水以去除藥液)之後，進行乾燥處理。再者，圖1係表示於旋轉夾盤20上未保持基板W之狀態，圖2係表示於旋轉夾盤20上保持基板W之狀態。
基板處理裝置1係於腔室10內包括如下主要元件：旋轉夾盤20，其將基板W保持為水平姿勢(法線沿鉛垂方向之姿勢)；上表面處理液噴嘴30，其用以向保持於旋轉夾盤20上之基板W之上表面供給處理液；及處理護罩40，其包圍旋轉夾盤20之周圍。又，於腔室10內之處理護罩40之周圍，設置有沿上下分隔腔室10之內側空間之分隔板15。再者，於本說明書中，處理液係包含藥液及洗滌液(純水)之兩者之總稱。
腔室10包括沿鉛垂方向之側壁11、封閉由側壁11包圍之空間之上側的頂棚壁12、及封閉下側之底壁13。由側壁11、頂棚壁12及底壁13包圍之空間成為基板W之處理空間。又，於腔室10之側壁11之一部分，設置有用以將基板W搬入腔室10及自腔室10搬出之搬入搬出口、以及將該搬入搬出口打開、關閉之擋板(均省略圖示)。
於腔室10之頂棚壁12上，安裝有風扇過濾單元(FFU)14，該風扇過濾單元(FFU)14用以將設置有基板處理裝置1之無塵室內之空氣進一步淨化並供給至腔室10內之處理空間。風扇過濾單元14包括用以引入無塵室內之空氣並送出至腔室10內之風扇及過濾器(例如HEPA(High efficiency particulate air Filter，高效顆粒空氣過濾裝置)過濾器)，從而於腔室10內之處理空間內形成清潔空氣之降流。為了使自風扇過濾單元14供給之清潔空氣均勻地分散，亦可將穿設有多個吹出孔之沖孔 板設置於頂棚壁12之正下方。
旋轉夾盤20(基板保持器件)包括：圓板形狀之旋轉基座21，其以水平姿勢固定於沿鉛垂方向延伸之旋轉軸24之上端；旋轉馬達22，其配置於旋轉基座21之下方並使旋轉軸24旋轉；及筒狀覆蓋構件23，其包圍旋轉馬達22之周圍。圓板形狀之旋轉基座21之外徑稍微大於保持於旋轉夾盤20上之圓形基板W之直徑。旋轉基座21包括與應當保持之基板W之下表面之整個面相對向的保持面21a。
於旋轉基座21之保持面21a之周緣部，立設有複數個(於本實施形態中為4個)夾盤構件26。複數個夾盤構件26係沿與圓形基板W之外周圓對應之圓周上隔開均等之間隔(若如本實施形態般為4個夾盤構件26，則間隔90°)而配置。複數個夾盤構件26係藉由收容於旋轉基座21內之省略圖示之連接機構而連動地驅動。旋轉夾盤20係使複數個夾盤構件26之各者抵接於基板W之端緣而夾持基板W，藉此該基板W一面於旋轉基座21之上方接近保持面21a，一面自保持面21a隔開特定間隔並以水平姿勢得以保持(參照圖2)。又，旋轉夾盤20可使複數個夾盤構件26之各者自基板W之端緣離開而解除夾持。
覆蓋旋轉馬達22之覆蓋構件23之下端固定於腔室10之底壁13，且其上端到達至旋轉基座21之正下方。於覆蓋構件23之上端部設置有凸緣狀構件25，該凸緣狀構件25自覆蓋構件23沿大致水平向外側突出，進而向下方彎曲地延伸。於藉由利用複數個夾盤構件26之夾持以旋轉夾盤20保持基板W之狀態下，旋轉馬達22(旋轉驅動器件)使旋轉軸24旋轉，藉此基板W繞沿通過基板W之中心之鉛垂方向的軸心CX旋轉。再者，旋轉馬達22之驅動藉由控制部9而控制。
上表面處理液噴嘴30構成為於噴嘴臂32之前端安裝噴出頭31。噴嘴臂32之基端側固定地連結於噴嘴基台33。噴嘴基台33藉由省略圖示之馬達，而可繞沿鉛垂方向之軸旋動。藉由使噴嘴基台33旋動，上 表面處理液噴嘴30之噴出頭31於旋轉夾盤20之上方之處理位置與較處理護罩40靠外側之待機位置之間，沿水平面內之圓弧狀軌跡移動。上表面處理液噴嘴30係以供給複數種處理液(至少包含洗滌液(純水))之方式構成。於處理位置自上表面處理液噴嘴30之噴出頭31噴出之處理液著液於保持在旋轉夾盤20上之基板W之上表面。又，藉由噴嘴基台33之旋動，上表面處理液噴嘴30可於旋轉基座21之保持面21a之上方擺動。於本實施形態中，對如下情形進行說明：上表面處理液噴嘴30構成為可供給藥液及洗滌液，且上表面處理液噴嘴30具有作為藥液供給器件之功能及作為洗滌液供給器件之功能。
另一方面，以插通旋轉軸24之內側之方式，沿鉛垂方向設置有下表面處理液噴嘴28。下表面處理液噴嘴28之上端開口形成於與保持於旋轉夾盤20上之基板W之下表面中央相對向之位置。下表面處理液噴嘴28亦以供給複數種處理液之方式構成。自下表面處理液噴嘴28噴出之處理液著液於保持在旋轉夾盤20上之基板W之下表面。
又，於基板處理裝置1上，與上表面處理液噴嘴30分開設置有二流體噴嘴60。二流體噴嘴60係混合純水等洗滌液及加壓之氣體而產生液滴，並將該液滴與氣體之混合流體噴射至基板W上的清洗噴嘴。二流體噴嘴60構成為於噴嘴臂62之前端安裝省略圖示之液體頭，並且於以自噴嘴臂62分支之方式設置之支持構件上安裝氣體頭64。噴嘴臂62之基端側固定地連結於噴嘴基台63。噴嘴基台63藉由省略圖示之馬達，可繞沿鉛垂方向之軸旋動。藉由使噴嘴基台63旋動，二流體噴嘴60於旋轉夾盤20之上方之處理位置與較處理護罩40靠外側之待機位置之間，沿水平方向呈圓弧狀地移動。對液體頭供給純水等洗滌液，對氣體頭64供給經加壓之惰性氣體(於本實施形態中為氮氣(N2))。於處理位置自二流體噴嘴60噴出之洗滌液之混合流體被噴附至保持於旋轉夾盤20上之基板W之上表面。
包圍旋轉夾盤20之處理護罩40包括可互相獨立地升降之複數個護罩，即內護罩41、中護罩42及外護罩43。內護罩41包圍旋轉夾盤20之周圍，且具有相對於通過保持於旋轉夾盤20上之基板W之中心的軸心CX大致旋轉對稱之形狀。該內護罩41一體地包括：底部44，其於俯視下為圓環狀；圓筒狀內壁部45，其自底部44之內周緣向上方豎立；圓筒狀外壁部46，其自底部44之外周緣向上方豎立；第1導引部47，其自內壁部45與外壁部46之間豎立，上端部描繪平滑之圓弧，且向中心側(靠近保持於旋轉夾盤20上之基板W之軸心CX之側)斜上方延伸；及圓筒狀中壁部48，其自第1導引部47與外壁部46之間向上方豎立。
內壁部45形成為如下長度：於內護罩41最大程度地上升之狀態下，於覆蓋構件23與凸緣狀構件25之間保持適當之間隙地被收容(圖5)。中壁部48形成為如下長度：於內護罩41與中護罩42最接近之狀態下，於中護罩42之下述第2導引部52與處理液分離壁53之間保持適當之間隙地被收容。
第1導引部47具有描繪平滑之圓弧且向中心側(靠近基板W之軸心CX之側)斜上方延伸之上端部47b。又，內壁部45與第1導引部47之間設為用以收集並廢棄使用過的處理液之廢棄槽49。第1導引部47與中壁部48之間設為用以收集並回收使用過的處理液之圓環狀內側回收槽50。進而，中壁部48與外壁部46之間設為用以收集並回收種類不同於內側回收槽50之處理液之圓環狀外側回收槽51。
於廢棄槽49連接有省略圖示之排氣液機構，該排氣液機構係排出該廢棄槽49中所收集之處理液，並且對廢棄槽49內強制性地進行排氣。排氣液機構例如沿廢棄槽49之周方向等間隔地設置有4個。又，於內側回收槽50及外側回收槽51連接有回收機構(均省略圖示)，該回收機構係用以將分別收集於內側回收槽50及外側回收槽51中之處理液 回收至設置於基板處理裝置1之外部之回收罐中。再者，內側回收槽50及外側回收槽51之底部相對於水平方向僅以微小之角度傾斜，於其最低之位置連接有回收機構。藉此，流入至內側回收槽50及外側回收槽51中之處理液順利地得以回收。
中護罩42包圍旋轉夾盤20之周圍，且具有相對於通過保持於旋轉夾盤20上之基板W之中心的軸心CX大致旋轉對稱之形狀。該中護罩42一體地包括第2導引部52、及連結於該第2導引部52之圓筒狀處理液分離壁53。
第2導引部52於內護罩41之第1導引部47之外側包括：下端部52a，其形成以軸心CX作為軸之圓筒狀；上端部52b，其自下端部52a之上端描繪平滑之圓弧，且向中心側(靠近基板W之軸心CX之側)斜上方延伸；及回折部52c，其係將上端部52b之前端部向下方回折而形成。下端部52a係於內護罩41與中護罩42最接近之狀態下，於第1導引部47與中壁部48之間保持適當之間隙而收容於內側回收槽50內。又，上端部52b係以在上下方向與內護罩41之第1導引部47之上端部47b重疊之方式設置，且於內護罩41與中護罩42最接近之狀態下，相對於第1導引部47之上端部47b保持極微小之間隔而接近。進而，將上端部52b之前端向下方回折而形成之回折部52c係設為如下長度：於內護罩41與中護罩42最接近之狀態下，回折部52c在水平方向與第1導引部47之上端部47b之前端重疊。
又，第2導引部52之上端部52b係以越為下方壁厚越厚之方式形成，處理液分離壁53具有以自上端部52b之下端外周緣部向下方延伸之方式設置之圓筒形狀。處理液分離壁53係於內護罩41與中護罩42最接近之狀態下，於中壁部48與外護罩43之間保持適當之間隙而收容於外側回收槽51內。
外護罩43於中護罩42之第2導引部52之外側，包圍旋轉夾盤20之 周圍，且具有相對於通過保持於旋轉夾盤20上之基板W之中心的軸心CX大致旋轉對稱之形狀。該外護罩43具有作為第3導引部之功能。外護罩43包括：下端部43a，其形成以軸心CX作為軸之圓筒狀；上端部43b，其自下端部43a之上端描繪平滑之圓弧，且向中心側(靠近基板W之軸心CX之方向)斜上方延伸；及回折部43c，其係將上端部43b之前端部向下方回折而形成。
下端部43a係於內護罩41與外護罩43最接近之狀態下，於中護罩42之處理液分離壁53與內護罩41之外壁部46之間保持適當之間隙而收容於外側回收槽51內。又，上端部43b係以在上下方向與中護罩42之第2導引部52重疊之方式設置，且於中護罩42與外護罩43最接近之狀態下，相對於第2導引部52之上端部52b保持極微小之間隔而接近。進而，將上端部43b之前端部向下方回折而形成之回折部43c係以如下方式形成：於中護罩42與外護罩43最接近之狀態下，回折部43c在水平方向與第2導引部52之回折部52c重疊。
又，內護罩41、中護罩42及外護罩43設為可互相獨立地升降。即，於內護罩41、中護罩42及外護罩43之各者分別設置有升降機構(省略圖示)，藉此可分別獨立地升降。作為此種升降機構，例如可採用滾珠螺桿機構或氣缸等各種機構。
分隔板15係以於處理護罩40之周圍沿上下分隔腔室10之內側空間之方式設置。分隔板15既可為包圍處理護罩40之1片板狀構件，亦可為接合複數個板狀構件而成者。又，於分隔板15上，亦可形成有沿厚度方向貫通之貫通孔或切口，於本實施形態中，形成有用以通過支持軸之貫通孔，該支持軸用以支持上表面處理液噴嘴30及二流體噴嘴60之噴嘴基台33、63。
分隔板15之外周端連結於腔室10之側壁11。又，分隔板15之包圍處理護罩40之端緣部係以成為直徑大於外護罩43之外徑之圓形形狀之 方式形成。因此，分隔板15不會成為外護罩43之升降之障礙。
又，於腔室10之側壁11之一部分，在底壁13之附近設置有排氣管18。排氣管18連通連接於省略圖示之排氣機構。自風扇過濾單元14供給且於腔室10內流下之清潔空氣中之通過處理護罩40與分隔板15之間的空氣係自排氣管18排出至裝置外。
又，基板處理裝置1包括控制由上述之各構成元件構成之處理裝置本體DB的控制部9。控制部9之硬體之構成與普通電腦相同。即，控制部9構成為包括如下等構件：CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)，其進行各種運算處理；ROM(Disc-Read Only Memory，唯讀記憶體)，其係記憶基本程式之讀出專用記憶體；RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)，其係記憶各種資訊之讀寫自由之記憶體；及磁碟，其預先記憶控制用軟體及資料等。
於控制部9之記憶部(磁碟等)中，預先設定有基板處理裝置1中之複數個基板處理模式(設定步驟)，藉由使控制部9之CPU執行特定之處理程式，而選擇上述複數個基板處理模式中之一個並使其執行(處理執行步驟)，藉此控制基板處理裝置1之各動作機構。
<1.2 基板處理裝置1之動作>
繼而，對具有上述構成之基板處理裝置1中之各動作態樣(各模式)進行說明。
本實施形態之基板處理裝置1包括複數個模式中之設定為預設模式之通常模式NM(圖3)、及於滿足特定之條件時例外地或臨時選擇之特殊模式RM(圖7)。基板處理裝置1對於依序搬送至該裝置中之基板W，選擇通常模式NM或特殊模式RM中之一者並執行。於基板處理裝置1之控制部9中，進而追加設定有與上述2個模式不同之模式，亦可選擇該追加模式，但於本實施形態中，尤其對僅設定有上述2個模式之情形進行說明。
<1.2.1 通常模式NM>
圖3係表示本實施形態之基板處理裝置1中之通常模式NM之順序的流程圖。以下，一面參照圖3，一面對通常模式NM進行說明。
首先，將成為處理對象之基板W藉由未圖示之搬送機械手搬入至腔室10內(步驟ST1)。4個夾盤構件26得以驅動，從而將基板W夾持於旋轉夾盤20上(步驟ST2)。藉由旋轉馬達22使旋轉軸24旋轉，而使基板W繞沿通過基板W之中心之鉛垂方向的軸心CX旋轉(步驟ST3)。
繼而，使上表面處理液噴嘴30之噴嘴臂32旋動，而使噴出頭31向旋轉基座21之上方(例如軸心CX之上方)移動，從而自上表面處理液噴嘴30向藉由旋轉夾盤20旋轉之基板W之上表面供給藥液。供給至基板W之上表面之藥液因離心力而擴散至旋轉之基板W之整個上表面。藉此，進行基板W之藥液處理(步驟ST4)。繼而，藥液自旋轉之基板W之端部向周圍飛散。
為了回收該飛散之藥液，於步驟ST4中，例如僅外護罩43上升，於外護罩43之上端部43b與中護罩42之第2導引部52之上端部52b之間，形成包圍保持於旋轉夾盤20上之基板W之周圍的開口OPa(圖4)。其結果，自旋轉之基板W之端緣部飛散之藥液(於圖4中以虛線箭頭表示)被外護罩43之上端部43b擋住，並順著外護罩43之內面流下，從而被回收至外側回收槽51中。經過特定時間後(或者供給特定量之藥液後)，停止藥液之供給。
繼而，自上表面處理液噴嘴30向藉由旋轉夾盤20旋轉之基板W之上表面供給純水(洗滌液)。供給至基板W之上表面之純水因離心力而擴散至旋轉之基板W之整個上表面。藉此，進行沖洗殘存於基板W之上表面之藥液之水洗處理(步驟ST5)。繼而，純水自旋轉之基板W之端部向周圍飛散。
於步驟ST5中，例如內護罩41、中護罩42及外護罩43全部上升， 從而保持於旋轉夾盤20上之基板W之周圍由內護罩41之第1導引部47包圍(圖5)。其結果，自旋轉之基板W之端緣部飛散之純水(於圖5中以虛線箭頭表示)被內護罩41擋住，並順著第1導引部47之內壁流下，自廢棄槽49排出。再者，於藉由不同於藥液之路徑回收純水之情形時，亦可使中護罩42及外護罩43上升，於中護罩42之第2導引部52之上端部52b與內護罩41之第1導引部47之上端部47b之間，形成包圍保持於旋轉夾盤20上之基板W之周圍的開口OPb(圖6)。經過特定時間後(或者供給特定量之純水後)，停止純水之供給。
繼而，在全部執行基板處理製程配方中所規定之藥液處理之前，交替地重複進行步驟ST4(單位第1藥液步驟)及步驟ST5(單位第1洗滌步驟)(步驟ST6)。於本說明書中，於通常模式NM中，將針對1片基板W連續執行複數次之步驟ST4稱為「單位第1藥液步驟」，將複數個單位第1藥液步驟之集合概念稱為「第1藥液步驟」。同樣地，於通常模式NM中，將針對1片基板W連續執行複數次之步驟ST5稱為「單位第1洗滌步驟」，將複數個單位第1洗滌步驟之集合概念稱為「第1洗滌步驟」。
若第1藥液步驟及第1洗滌步驟完成，則執行基板W之乾燥處理(步驟ST7)。於進行乾燥處理時，內護罩41、中護罩42及外護罩43全部下降，內護罩41之第1導引部47之上端部47b、中護罩42之第2導引部52之上端部52b及外護罩43之上端部43b之任一者均位於較保持於旋轉夾盤20上之基板W靠下方。於該狀態下，基板W與旋轉夾盤20一起高速旋轉，附著於基板W上之液滴(藥液之液滴或水滴)因離心力而被甩去，從而進行乾燥處理。
其後，停止基板W之旋轉(步驟ST8)，4個夾盤構件26被驅動，而將基板W自旋轉夾盤20解除(步驟ST9)，藉由未圖示之搬送機械手將基板W搬出至腔室10外(步驟ST10)。
如上所說明般，於通常模式NM中，將處理液(藥液及洗滌液(純水))供給至基板W而進行表面處理。自旋轉之基板W飛散之處理液之大部分藉由處理護罩40而得以回收並排出，但存在飛散至處理護罩40上之處理液未排出，而附著並殘存之情況。
如此，存在如下擔憂：若附著於護罩內部之處理液乾燥，則產生顆粒等，而成為對於處理對象基板W之污染源。因此，於本實施形態之基板處理裝置1中，進行下述特殊模式RM(圖7)，而清洗處理護罩40之內部。
<1.2.2 特殊模式RM>
特殊模式RM係不僅與通常模式NM同樣地對基板W執行基板處理，而且亦執行處理護罩40之內部清洗之模式。特殊模式RM係於滿足特定之條件之情形時，在滿足該條件之時間點後不久應用於成為處理對象之基板之例外地或臨時性選擇之模式。該特定之條件預先設定於控制部9中。
滿足特定之條件之情形之標準例如包括如下等：(1)「片數基準」，即於通常模式NM中執行特定片數之基板處理之情形，(2)「時間基準」，即於通常模式NM中使基板處理裝置1運轉特定時間之情形，(3)「故障原因產生基準」，如藉由例如感測器(未圖示)於處理護罩40之內部檢測出附著物之情形，或者檢測出腔室10內之處理空間之環境污染之情形般，實際上檢測出產生了成為持續進行高精度之基板處理的故障之情形。
於該等中之「片數基準」中，以進行了藥液處理(基板清洗)之基板之片數為標準，週期性地執行特殊模式RM。又，於「時間基準」中，以時間為標準，週期性地執行特殊模式RM。因此，於以該等標 準(片數或時間)進行觀察時，週期性地執行特殊模式RM。
相對於此，於「故障原因產生基準」中，由於並不限定於週期性地產生如上所述之故障原因，因此多數情況下非週期性地執行特殊模式RM。然而，於週期性及非週期性之任一者之情形時，相較於藉由通常模式NM進行清洗之基板之數量，藉由特殊模式RM進行清洗之基板之數量均相當少。
圖7係表示本實施形態之基板處理裝置1中之特殊模式RM之順序的流程圖。如圖7所示，關於步驟ST1~ST3、ST6~ST10，由於特殊模式RM亦與上述之通常模式NM相同，因此以下對作為特殊模式RM固有步驟之步驟ST4A、ST5A進行詳述。
再者，於特殊模式RM中，亦將針對1片基板W連續執行複數次之步驟ST4A稱為「單位第2藥液步驟」，將複數個單位第2藥液步驟之集合概念稱為「第2藥液步驟」。又，將針對1片基板W連續執行複數次之步驟ST5A稱為「單位第2洗滌步驟」，將複數個單位第2洗滌步驟之集合概念稱為「第2洗滌步驟」。
特殊模式RM之第2藥液步驟係與通常模式NM之第1藥液步驟對應之步驟，其包括向藉由旋轉夾盤20得以保持旋轉之基板W供給藥液而對基板W進行藥液處理之複數個單位第2藥液步驟。
於包括向藉由旋轉夾盤20得以保持旋轉之基板W供給洗滌液(純水)而對基板W執行洗滌處理之複數個單位第2洗滌步驟之方面，特殊模式RM之第2洗滌步驟與通常模式NM之第1洗滌步驟相同。另一方面，於包括作動條件與複數個單位第1洗滌步驟中之至少一個單位第1洗滌步驟不同的至少一個單位第2洗滌步驟(以下，將該步驟稱為護罩清洗步驟)之方面，第2洗滌步驟與上述第1洗滌步驟不同。
圖8係護罩清洗步驟之時序圖之一例。護罩清洗步驟與以基板之洗滌處理為主要目的之其他單位第2洗滌步驟不同，其係以基板之洗 滌處理及處理護罩40之內部清洗處理為主要目的之步驟。於以下之說明中，t0~t9表示護罩清洗步驟中之經過時刻。
於護罩清洗步驟中之初始階段(圖8中所示之時刻t0~時刻t3之期間)中，內護罩41及中護罩42為下降狀態，外護罩43為上升狀態，於外護罩43之上端部43b與中護罩42之第2導引部52之上端部52b之間，形成包圍保持於旋轉夾盤20上之基板W之周圍的環狀開口部OPa(圖9)。
於時刻t0~時刻t1之期間，利用旋轉夾盤20之基板之旋轉以高速(例如2400rpm)進行。因此，自上表面處理液噴嘴30供給至基板W上之純水係以圖9中虛線箭頭AR1之軌跡自基板W之端緣部向上方飛散。經由開口OPa著液於外護罩43之上端部43b之內壁(尤其是靠近軸心CX之位置)的純水順著該內壁流下，並自外側回收槽51(圖2)排出。其結果，附著於外護罩43之內壁(尤其是靠近軸心CX之位置)之顆粒等污染物被純水沖洗。
於時刻t1~時刻t2之期間，利用旋轉夾盤20之基板之旋轉以中速(例如1200rpm)進行。因此，自上表面處理液噴嘴30供給至基板W上之純水係以圖9中虛線箭頭AR2之軌跡自基板W之端緣部沿大致水平方向飛散。經由開口OPa著液於外護罩43之上端部43b之內壁(尤其是遠離軸心CX之位置)的純水順著該內壁流下，並自外側回收槽51(圖2)排出。其結果，附著於外護罩43之內壁(尤其是遠離軸心CX之位置)之顆粒等污染物被純水沖洗。再者，由於外護罩43之內壁中之尤其是遠離軸心CX之位置係於時刻t0~時刻t1之期間亦已經有純水流下之部位，因此如圖8所示，時刻t1~時刻t2之期間比時刻t0~時刻t1之期間短，從而可獲得充分之護罩清洗效果。
於時刻t2~時刻t3之期間，利用旋轉夾盤20之基板之旋轉以低速(例如500rpm)進行。因此，自上表面處理液噴嘴30供給至基板W上之 純水係以圖9中虛線箭頭AR3之軌跡自基板W之端緣部向下方飛散。經由開口OPa著液於中護罩42之第2導引部52之上端部52b的純水順著其上表面流下，並自外側回收槽51(圖2)排出。其結果，附著於中護罩42之第2導引部52之上端部52b之顆粒等污染物被純水沖洗。
如此，護罩清洗步驟包括可變地調節使基板W旋轉之旋轉速度之速度調節子步驟。繼而，可藉由執行速度調節子步驟，使純水經由開口OPa飛散至夾於外護罩43與中護罩42之區間之所需部位。
又，於護罩清洗步驟中之中間階段(時刻t3~時刻t6之期間)，內護罩41為下降狀態，中護罩42及外護罩43為上升狀態，於中護罩42之第2導引部52之上端部52b與內護罩41之第1導引部47之上端部47b之間，形成包圍保持於旋轉夾盤20上之基板W之周圍的開口OPb(圖10)。
於時刻t3~時刻t6之期間，亦與時刻t0~時刻t3之期間同樣地，執行速度調節子步驟。其結果，對應於基板W之旋轉速度之高速~低速，經由中護罩42與內護罩41之間之開口OPb的純水之軌跡為箭頭AR4~AR6(圖10)，附著於中護罩42之第2導引部52之內壁及內護罩41之第1導引部47之上表面的顆粒等污染物被純水沖洗。
又，於護罩清洗步驟中之最後階段(時刻t6~時刻t8之期間)，內護罩41、中護罩42及外護罩43全部為上升狀態，從而成為內護罩41之第1導引部47包圍保持於旋轉夾盤20上之基板W之周圍的狀態(圖11)。
於時刻t6~時刻t8之期間，亦與時刻t0~時刻t2之期間、時刻t3~時刻t5之期間同樣地，執行速度調節子步驟。其結果，對應於基板W之旋轉速度之高速~中速，經由內護罩41之內側開口OPc之純水的軌跡為箭頭AR7~AR8(圖11)，從而附著於內護罩41之第1導引部47之內壁的顆粒等污染物被純水沖洗。再者，於護罩清洗步驟之最後階段未進行基板W之低速旋轉之原因在於：不存在位於較內護罩41靠內側 之清洗對象護罩(相當於護罩清洗步驟之初始階段中之中護罩42、中間階段中之內護罩41的護罩)。
如此，護罩清洗步驟包括：速度調節子步驟，其可變地調節使基板W旋轉之旋轉速度；及部位調節子步驟，其係使處理護罩40上下移動而調節自基板W飛散之純水碰撞至處理護罩40之部位。並且，可藉由適當地組合該等子步驟，而精度良好地清洗處理護罩40之各部(使純水飛散至各部)。
返回至圖7，對特殊模式RM之一連串之流程進行說明。若成為處理對象之基板W被搬入至腔室10內(步驟ST1)，則該基板W被夾持於旋轉夾盤20上(步驟ST2)，且藉由旋轉馬達22使基板W繞軸心CX旋轉(步驟ST3)。
繼而，按照製程配方交替地進行特定次數之單位第2藥液步驟(步驟ST4A)及單位第2洗滌步驟(步驟ST5A)。此時，單位第2洗滌步驟(步驟ST5A)中之至少1次係執行作動條件與單位第1洗滌步驟(步驟ST5)不同之上述護罩清洗步驟。
若第2藥液步驟及第2洗滌步驟完成，則執行基板W之乾燥處理(步驟ST7)。其後，停止基板W之旋轉(步驟ST8)，4個夾盤構件26被驅動而將基板W自旋轉夾盤20解除(步驟ST9)，基板W藉由未圖示之搬送機械手被搬出至腔室10外(步驟ST10)。如以上所說明般，於特殊模式RM中，用以沖洗基板W上之藥液之洗滌液(純水)亦被利用於護罩清洗。
<1.3 基板處理裝置1之效果>
以下，對本實施形態之基板處理裝置1之效果進行說明。
於特殊模式RM中，由於變更通常模式NM之一部分而執行上述護罩清洗步驟，因此除了基板處理以外還可執行處理護罩40之清洗處理。藉此，可有效地沖洗附著於護罩內部之污染源，從而可提高基板 處理裝置1之良率。
又，第2洗滌步驟中之護罩清洗步驟包括速度調節子步驟、及部位調節子步驟。因此，藉由利用控制部9適當地組合並執行該等子步驟，可精度良好地清洗處理護罩40之各部(使純水飛散至各部)。
又，於特殊模式RM中，作為護罩清洗步驟，於與通常模式NM不同之作動條件(洗滌液供給時間之長短、基板W之轉數之大小、護罩上下動作之有無等)下，向處理對象基板W供給洗滌液。然而，如本實施形態般，只要為使用純水作為洗滌液之態樣，或者為使用充分地稀釋過之藥液作為洗滌液之態樣，即可防止因上述作動條件與通常模式NM不同而對基板W產生不良影響(可防止良率之降低)。
又，特殊模式RM係只要為於腔室10內配置有基板W之時點即可執行之模式。如此，由於特殊模式RM之執行中之時間限制較小，因此於在批次處理之中途產生清洗處理護罩40之要求之情形(於產生上述之「故障原因產生基準」中之護罩內清洗要求，例如藉由感測器檢測出附著於處理護罩40上之污染源之情形時，或者於檢測出腔室10內之環境污染之情形時等)時，不待執行中之批次處理完成即可進行特殊模式RM。
又，本實施形態之特殊模式RM係於基板W安裝於旋轉夾盤20上之狀態下執行。因此，與如專利文獻1般向旋轉之旋轉基座供給洗滌液(純水)而使該洗滌液飛散之態樣不同，可減少洗滌液碰撞至旋轉夾盤中之用以固持基板之夾盤機構(典型而言，為突起形狀)上之擔憂，可使洗滌液適宜地飛散至附著有藥液之清洗對象部位。
又，旋轉夾盤20、處理護罩40、上表面處理液噴嘴30等腔室10內之各元件本來均係用於對基板W進行表面處理者，並非為了清洗除基板W以外者而設置。於本實施形態中，由於無須設置用以清洗處理護罩40之專用機構(清洗治具等)，可藉由利用控制部9之模式選擇進 行處理護罩40之洗滌處理，因此可抑制基板處理裝置1之大型化。
又，尤其是能可變地調節基板W之旋轉速度，如圖9等所示，於護罩內壁之清洗期間，一面變更轉數，一面噴出洗滌液並使其飛散，因此於如沿上下方向掃描護罩內壁般之態樣中，可實現護罩內壁之較廣範圍之清洗。此種轉數變化即可如該實施形態般為階段性，亦可為隨時間連續變化之態樣。
<2 變化例>
以上，對本發明之實施形態進行了說明，但本發明只要不脫離其主旨，除上述以外，亦可進行各種變更。例如，於上述實施形態中，第1洗滌步驟及第2洗滌步驟中使用之洗滌液為純水，但並不限定於此，亦可使用利用純水稀釋藥液而成之液體作為洗滌液。又，上述之通常模式NM及特殊模式RM僅為處理模式之一例，例如亦可採用自下表面處理液噴嘴28向基板W之下表面供給處理液之模式。
圖12及圖13係上述實施形態之護罩清洗步驟之變化例的時序圖。
護罩清洗步驟亦可包括可變地調節供給至基板W之洗滌液(純水)之供給量的供給量調節子步驟。例如，如圖12所示，於僅在進行基板之高速旋轉之期間(時刻t0~時刻t1、時刻t3~時刻t4、時刻t6~時刻t7)增大純水之供給量，以清洗處理護罩40之靠近基板W之部位之情形時，可有效地沖洗附著於處理護罩40中之靠近基板W之位置的污染源(對基板W之污染可能性較高之污染源)。
又，於使處理護罩40上下移動之部位調節子步驟中，亦可如圖13所示般於固定之上下區間反覆進行處理護罩40之上下移動。於進行該反覆上下移動之區間，無須使洗滌液(純水)飛散至整個處理護罩40即可較廣範圍地有效地沖洗污染源。於使處理護罩40上下移動之情形時，較為有效的是根據處理護罩40之上下位置變更處理護罩40之上下 移動之速度。例如，於附著於處理護罩40上之污染源較少之位置，使處理護罩40快速地升降，於附著於處理護罩40上之污染源較多之位置，使處理護罩40緩慢地升降，藉此可高效地進行護罩清洗處理。
又，於上述實施形態中，使用上表面處理液噴嘴30作為向基板W之上表面供給洗滌液之洗滌液供給噴嘴，但亦可取而代之而自二流體噴嘴60向旋轉基座21供給洗滌液。
又，於上述實施形態中，處理護罩40包括可互相獨立地升降之內護罩41、中護罩42及外護罩43，但亦可為一體地構成有3個護罩而進行升降者。於沿高度方向多段地一體地積層有3個護罩之情形時，只要各個護罩以依序包圍旋轉基座21之保持面21a之方式進行升降移動即可。進而，處理護罩40亦可僅包括包圍旋轉基座21之1段護罩。
又，作為藉由基板處理裝置1處理之對象的基板並不限定於半導體基板，亦可為用於液晶顯示裝置等之平板顯示器之玻璃基板等各種基板。
又，於上述實施形態中，對在通常模式NM中第1藥液步驟包括複數個單位第1藥液步驟，第1洗滌步驟包括複數個單位第1洗滌步驟之態樣進行了說明，但並不限定於此。即，亦可為第1藥液步驟包括一個單位第1藥液步驟，第1洗滌步驟包括一個單位第1洗滌步驟之態樣(藥液處理及洗滌處理各進行一次之態樣)。第2藥液步驟及第2洗滌步驟亦相同。
又，於上述實施形態中，對特殊模式RM包括第2藥液步驟之態樣進行了說明，但並不限定於此。特殊模式RM只要至少包括第2洗滌步驟(步驟ST5B)即可，亦可如圖14所示般包括第2藥液步驟。該態樣係不將基板W用作最終製品之情形時之態樣，具有如下等優勢：由於不進行第2藥液步驟，因此所需時間較短，能以損傷基板W之程度之強力供給純水，自基板處理之觀點而言即便為對於用作最終製品之基板 W無法使用之洗滌液，只要對護罩清洗有效，則亦可使用。因此，對於因搬送至腔室10之前步驟中之損傷等影響而導致原本無法用作最終製品之基板W，尤其有效。
圖15係於進行護罩清洗步驟時在進行液密清洗之情形時之基板處理裝置1的縱剖面圖。與圖9比較可知，於圖15中，形成於外護罩43之上端部43b與中護罩42之第2導引部52之上端部52b之間的開口OPa之上下寬度較小。如此，可藉由縮小清洗對象之護罩間(於圖15中，為外護罩43與中護罩42之間)之間隔，該護罩間由自基板W飛散而供給之純水(圖中以虛線箭頭表示)充滿，從而可高效地進行護罩清洗。
以上，對實施形態及其變化例之基板處理裝置及基板處理方法進行了說明，但該等係本發明之較佳之實施形態之例，並不限定本發明之實施之範圍。本發明可於該發明之範圍內，自由組合各實施形態，或者對各實施形態之任意之構成要素進行變化，或者於各實施形態中省略任意之構成要素。
1‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧控制部
10‧‧‧腔室
11‧‧‧側壁
12‧‧‧頂棚壁
13‧‧‧底壁
14‧‧‧風扇過濾單元
15‧‧‧分隔板
18‧‧‧排氣管
20‧‧‧旋轉夾盤
21‧‧‧旋轉基座
21a‧‧‧保持面
22‧‧‧旋轉馬達
23‧‧‧覆蓋構件
24‧‧‧旋轉軸
25‧‧‧凸緣狀構件
26‧‧‧夾盤構件
28‧‧‧下表面處理液噴嘴
30‧‧‧上表面處理液噴嘴
31‧‧‧噴出頭
32‧‧‧噴嘴臂
40‧‧‧處理護罩
41‧‧‧內護罩
42‧‧‧中護罩
43‧‧‧外護罩
43a‧‧‧下端部
43b‧‧‧上端部
43c‧‧‧回折部
44‧‧‧底部
45‧‧‧內壁部
46‧‧‧外壁部
47‧‧‧第1導引部
47b‧‧‧上端部
48‧‧‧中壁部
49‧‧‧廢棄槽
50‧‧‧內側回收槽
51‧‧‧外側回收槽
52‧‧‧第2導引部
52a‧‧‧下端部
52b‧‧‧上端部
52c‧‧‧回折部
53‧‧‧處理液分離壁
CX‧‧‧軸心
DB‧‧‧處理裝置本體
W‧‧‧基板

Claims (14)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵在於：其係依序對屬於同一批次之複數個基板進行處理者，且包括：處理裝置本體，其包括：基板保持器件，其保持上述基板；旋轉驅動器件，其使上述基板保持器件旋轉；藥液供給器件，其向保持於上述基板保持器件上之上述基板供給藥液；洗滌液供給器件，其向保持於上述基板保持器件上之上述基板供給洗滌液；及護罩，其包圍上述基板保持器件之周圍；控制器件，其預先設定有複數個基板處理模式，控制上述處理裝置本體，針對各基板選擇上述複數個模式中之一個並使其執行；以及感測器，其檢測基板處理中之故障原因之產生；且上述複數個模式包括：(A)通常模式，其係於藉由上述感測器未檢測到上述故障原因之產生之情形時，針對屬於上述批次之一基板之第1基板執行之模式，其包括：第1藥液步驟，其一面藉由上述基板保持器件保持上述第1基板並使其旋轉，一面向上述第1基板供給藥液，而對上述第1基板進行藥液處理；及第1洗滌步驟，其一面藉由上述基板保持器件保持上述第1基板並使其旋轉，一面向上述第1基板供給洗滌液，而自上述第1基板沖洗上述藥液；以及(B)特殊模式，其係於藉由上述感測器檢測到上述故障原因之產生之情形時，針對屬於上述批次之一基板、且於檢測到上述 故障原因之產生之時點之後成為處理對象的第2基板執行之模式，其包括：第2藥液步驟，其根據與上述第1藥液步驟對應之作動條件向上述第2基板供給藥液，而對上述第2基板進行藥液處理；及第2洗滌步驟，其執行部位調節子步驟、速度調節子步驟及供給量調節子步驟中之至少一者，根據與上述第1洗滌步驟不同之作動條件，一面藉由上述基板保持器件保持上述第2基板並使其旋轉，一面向上述第2基板供給洗滌液，而一面自上述第2基板沖洗藥液，一面藉由自旋轉之上述第2基板飛散之上述洗滌液清洗上述護罩，上述部位調節子步驟係使上述護罩上下移動，而調節自上述第2基板飛散之上述洗滌液碰撞上述護罩上之部位，上述速度調節子步驟係可變地調節上述第2基板的旋轉速度，上述供給量調節子步驟係可變地調節供給至上述第2基板上之上述洗滌液之供給量。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述第1藥液步驟包括複數個單位第1藥液步驟，上述第1洗滌步驟包括複數個單位第1洗滌步驟，上述通常模式係交替地執行上述單位第1藥液步驟及上述單位第1洗滌步驟之處理模式，上述第2藥液步驟包括複數個單位第2藥液步驟，上述第2洗滌步驟包括複數個單位第2洗滌步驟，上述特殊模式係交替地執行上述單位第2藥液步驟及上述單位第2洗滌步驟之處理模式，於與上述複數個單位第1洗滌步驟中之對應之至少一個不同之作動條件下，執行上述複數個單位第2洗滌步驟中之至少一個。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述特殊模式之上述第2洗滌步驟包括上述部位調節子步驟。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中根據上述護罩之上下位置，變更使上述護罩上下移動之速度。
  5. 如請求項3之基板處理裝置，其中於固定之上下區間內反覆進行上述護罩之上述上下移動。
  6. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述特殊模式之上述第2洗滌步驟包括上述速度調節子步驟。
  7. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述特殊模式之上述第2洗滌步驟包括上述供給量調節子步驟。
  8. 一種基板處理方法，其特徵在於：其係使用處理裝置本體及控制器件依序對屬於同一批次之複數個基板進行處理之基板處理方法，該處理裝置本體包括保持基板之基板保持器件、使上述基板保持器件旋轉之旋轉驅動器件、向保持於上述基板保持器件上之上述基板供給藥液之藥液供給器件、向保持於上述基板保持器件上之上述基板供給洗滌液之洗滌液供給器件、及包圍上述基板保持器件之周圍之護罩，該控制器件控制上述處理裝置本體；且該基板處理方法包括：設定步驟，其係於上述控制器件中預先設定複數個模式；處理執行步驟，其係針對上述複數個基板之各者，選擇上述控制器件中之上述複數個模式中之一個並使其執行；及檢測步驟，其係檢測上述處理執行步驟中之故障原因之產生；且上述複數個模式包括： (A)通常模式，其係於藉由上述檢測步驟未檢測到上述故障原因之產生之情形時，針對屬於上述批次之一基板之第1基板執行之模式，其包括：第1藥液步驟，其一面藉由上述基板保持器件保持上述第1基板並使其旋轉，一面向上述第1基板供給藥液，而對上述第1基板進行藥液處理；及第1洗滌步驟，其一面藉由上述基板保持器件保持上述第1基板並使其旋轉，一面向上述第1基板供給洗滌液，而自上述第1基板沖洗上述藥液；以及(B)特殊模式，其係於藉由上述檢測步驟檢測到上述故障原因之產生之情形時，針對屬於上述批次之一基板、且於檢測到上述故障原因之產生之時點之後成為處理對象的第2基板執行之模式，其包括：第2藥液步驟，其根據與上述第1藥液步驟對應之作動條件向上述第2基板供給藥液，而對上述第2基板進行藥液處理；及第2洗滌步驟，其執行部位調節子步驟、速度調節子步驟及供給量調節子步驟中之至少一者，根據與上述第1洗滌步驟不同之作動條件，一面藉由上述基板保持器件保持上述第2基板並使其旋轉，一面向上述第2基板供給洗滌液，而一面自上述第2基板沖洗藥液，一面藉由自旋轉之上述第2基板飛散之上述洗滌液清洗上述護罩，上述部位調節子步驟係使上述護罩上下移動，而調節自上述第2基板飛散之上述洗滌液碰撞上述護罩上之部位，上述速度調節子步驟係可變地調節上述第2基板的旋轉速度，上述供給量調節子步驟係可變地調節供給至上述第2基板上之上述洗滌液之供給量。
  9. 如請求項8之基板處理方法，其中 上述第1藥液步驟包括複數個單位第1藥液步驟，上述第1洗滌步驟包括複數個單位第1洗滌步驟，上述通常模式係交替地執行上述單位第1藥液步驟及上述單位第1洗滌步驟之處理模式，上述第2藥液步驟包括複數個單位第2藥液步驟，上述第2洗滌步驟包括複數個單位第2洗滌步驟，上述特殊模式係交替地執行上述單位第2藥液步驟及上述單位第2洗滌步驟之處理模式，於與上述複數個單位第1洗滌步驟中之對應之至少一個不同之作動條件下，執行上述複數個單位第2洗滌步驟中之至少一個。
  10. 如請求項8之基板處理方法，其中上述特殊模式之上述第2洗滌步驟包括上述部位調節子步驟。
  11. 如請求項10之基板處理方法，其中根據上述護罩之上下位置，變更使上述護罩上下移動之速度。
  12. 如請求項10之基板處理方法，其中於固定之上下區間內反覆進行上述護罩之上述上下移動。
  13. 如請求項8之基板處理方法，其中上述特殊模式之上述第2洗滌步驟包括上述速度調節子步驟。
  14. 如請求項8之基板處理方法，其中上述特殊模式之上述第2洗滌步驟包括上述供給量調節子步驟。
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