TWI546571B - Display device - Google Patents

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TWI546571B TW104127267A TW104127267A TWI546571B TW I546571 B TWI546571 B TW I546571B TW 104127267 A TW104127267 A TW 104127267A TW 104127267 A TW104127267 A TW 104127267A TW I546571 B TWI546571 B TW I546571B
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小島弘
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大日本印刷股份有限公司
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Description

顯示裝置
本發明係關於一種顯示裝置。
已知液晶顯示裝置等顯示裝置一般為如下構成：於與顯示畫面相反之背面側具備背光裝置，為了提高顯示畫面之亮度而於背光裝置之顯示面側配置有例如光擴散層及稜鏡。
又，近年來，作為顯示裝置之背光裝置，亦已知有使用利用半導體粒子轉換光之波長的波長轉換層，經過各種波長轉換而獲得白色光者(例如，參照專利文獻1及2等)。
然而，關於經過此種波長轉換層而獲得之白色光，根據用於該波長轉換層之半導體粒子之種類或設置於波長轉換層之至少單面的光擴散層，有時無法適當地提高發光效率。尤其是於具備使用光學各向同性之半導體粒子的波長轉換層之顯示裝置中，於光擴散層中使用奈米級超微粒子作為擴散粒子之情形時，無法使背光裝置整體之光能轉換效率提高多少。
又，亦已知有藉由向波長轉換層中添加擴散粒子而提高光能轉換效率之顯示裝置。
然而，於此種具備添加有擴散粒子之波長轉換層之顯示裝置中，存在 如下情況：由於在製造波長轉換層時之組成物中，應分散於黏合劑成分中之介質增加，故而如例如半導體粒子、擴散粒子及其他各粒子，以及黏合劑成分等，於分散時不得不進行研究之項目增加，而難以製造可發揮所欲之性能之波長轉換層。
進而，由於波長轉換層之膜厚相對較厚，故而若於其中未徹底地添加擴散粒子，則存在如下情況：波長轉換層之霧度上升，即便費力藉由添加擴散粒子而提高了光能轉換效率，亦會導致波長轉換層之向顯示畫面方向之光減少。
[專利文獻1]日本特表2013-539170號公報
[專利文獻2]日本特表2013-544018號公報
本發明係鑒於上述現狀，其目的在於提供一種光能轉換效率優異之顯示裝置。
本發明係一種顯示裝置，其具有光擴散積層體，該光擴散積層體於使用光學各向同性之半導體粒子的波長轉換層之至少單面配設有光擴散層，上述顯示裝置之特徵在於：上述光擴散層含有由有機材料或無機材料構成之光擴散粒子及黏合劑成分，並且具有藉由使上述光擴散粒子於最表面突出而形成之凹凸，上述光擴散粒子係以該光擴散粒子之粒徑的3~50%之範圍自上述光擴散層之最表面突出，上述光擴散層之膜厚為1~30 μm。
於本發明之顯示裝置中，較佳上述光擴散層中所含之光擴散粒子之70%以上未積層而以1層存在。
又，本發明之顯示裝置較佳上述光擴散層之黏合劑成分與光擴散粒子之折射率差為0.02~0.15。
又，於本發明之顯示裝置中，較佳上述波長轉換層含有光學各向同性之半導體粒子、黏合劑樹脂、及內部散射粒子，且上述內部散射粒子具有比上述黏合劑樹脂之折射率高的折射率。
以下，詳細地對本發明進行說明。
再者，於本說明書中，只要未作特別說明，則所謂「樹脂」係亦包含單體、低聚物等之概念。
本發明人等進行了努力研究，結果發現，於具有配設有使用光學各向同性之半導體粒子的波長轉換層及光擴散層之光擴散積層體之顯示裝置中，藉由在上述光擴散層之最表面以特定狀態形成基於光擴散粒子之凹凸形狀，可製成光能轉換效率優異之顯示裝置，從而完成了本發明。
本發明之顯示裝置具有光擴散積層體，該光擴散積層體於使用光學各向同性之半導體粒子(以下亦簡稱為半導體粒子)的波長轉換層之至少單面配設有光擴散層。
上述半導體粒子係藉由照射光而根據該半導體粒子之粒徑產生波長不同之光之粒子，一般而言，上述半導體粒子之粒徑越小則產生之光波長越短，上述半導體粒子之粒徑越大則產生之光波長越長。
又，於本發明之顯示裝置中，上述半導體粒子為光學各向同性之粒子。
於本說明書中，上述光學各向同性之粒子係指於被照射光時發生瑞利散射之粒子，例如可舉平均粒徑為入射光波長之約1/10以下之粒子。又，此種光學各向同性之粒子較佳於藉由TEM或STEM以10萬倍~30萬倍(加速電壓10~30kV)觀察波長轉換層之截面時，可觀察到球形。
再者，先前之顯示裝置中之波長轉換層係光學各向同性之粒子與光學各向異性之粒子混合存在，但於本發明之顯示裝置中，上述波長轉換層中之半導體粒子被特化成光學各向同性之粒子。作為上述光學各向異性之粒子，例如可舉在被照射光時發生米氏散射之粒子。此種光學各向異性之粒子通常具有比上述光學各向同性之粒子大之平均粒徑。
圖1係示意性地表示含有使用半導體粒子之波長轉換層的本發明之顯示裝置的背光裝置光源之一例的剖視圖。
如圖1所示，上述背光裝置光源係由光源部20及波長轉換層200構成，光源部20係於框架21及設置於該框架21之波長轉換層200側之面上之凹部安裝有藍色LED22，波長轉換層200係於黏合劑樹脂210中分散有半導體粒子(紅色半導體粒子220及綠色半導體粒子230)。
自光源部20之藍色LED22發射出之藍色光藉由波長轉換層200中之紅色半導體粒子220及綠色半導體粒子230，進行波長轉換而發出紅色光及綠色光，藉由將該等紅色光及綠色光與透射波長轉換層200之藍色光進行混色，轉換成白色光。
此處，於本發明之顯示裝置中，為了提高光能轉換效率，必須使自光源部20發射出之藍色光多次透射波長轉換層200。於本發明之顯示裝置中，由於下述光擴散層配設於波長轉換層200之至少單面，故而可使上述藍色 光多次透射波長轉換層200，結果可提高光能轉換效率。
根據本發明人等之研究，判明藉由配設上述光擴散層而提高光能轉換效率，與形成於該光擴散層之最表面之凹凸形狀有密切關係，可藉由在上述光擴散層之最表面以特定狀態設置半球狀之凹凸形狀，而製成光能轉換效率優異者。尤其是，於本發明之顯示裝置中，較佳使用粒子於上述光擴散層之最表面形成有特定之凹凸形狀。具有此種凹凸形狀之光擴散層除了光能轉換效率提高以外，通用性提高，亦可利用內部散射。進而，亦可較佳地防止於上述光擴散層上貼附另一片材。
再者，關於上述光擴散層，於下文中進行敍述。
上述半導體粒子通常具有如下構成：由中心體及被覆該中心體之殼構成，且於該殼之外表面塗佈有高分子。
作為上述半導體粒子之中心體及殼，並無特別限定，例如可列舉CdSe、CdTe、CdS、ZnO、ZnS、ZnSe、InP、PbSe等。
作為上述半導體粒子之平均粒徑，並無特別限定，例如較佳為2~50nm。此處，由於上述半導體粒子之粒徑越小則產生之光波長越短，粒徑越大則產生之光波長越長，故而於上述半導體粒子為綠色半導體粒子230及紅色半導體粒子220之情形時，綠色半導體粒子230形成為小於紅色半導體粒子220之粒徑。具體而言，作為紅色半導體粒子220之尺寸，例如可舉6nm Φ~8nm Φ，作為綠色半導體粒子230之尺寸，例如可舉2nm Φ~4nm Φ。
又，作為半導體粒子之形狀，只要為光學各向同性則並無特別限定，例如可列舉截面形狀為圓形、三角形、四邊形或橢圓形等任意形狀。其中， 就為光學各向同性之觀點而言，較佳截面形狀為圓形。
再者，上述半導體粒子之平均粒徑，係將藉由上述波長轉換層的截面之TEM、STEM或SEM觀察而測得之20個半導體粒子的粒徑進行平均之值。
又，作為黏合劑樹脂210，並無特別限定，可列舉先前公知之材料，具體而言，例如可單獨或任意地組合使用聚矽氧樹脂、環氧樹脂、丙烯酸樹脂等。
作為具有含有上述半導體粒子之波長轉換層的背光裝置光源之其他構成，並無特別限定，可使用與具備使用半導體粒子之波長轉換層之先前公知者相同者。
再者，上述波長轉換層例如可藉由如下方法進行製造：製備波長轉換層用組成物，且藉由公知之方法塗佈該波長轉換層用組成物並使之乾燥、硬化，該波長轉換層用組成物係於上述半導體粒子及黏合劑樹脂之單體成分中，視需要添加有公知之溶劑及光聚合起始劑等。
又，在本發明中，上述波長轉換層較佳在不妨礙藉由具有下述特定之光擴散層而可獲得之效果的範圍內，含有上述光學各向同性之半導體粒子、黏合劑樹脂、及內部散射粒子。藉由含有上述內部散射粒子，可提高上述波長轉換層之光能轉換效率。
作為此種內部散射粒子，較佳具有比上述黏合劑樹脂之折射率高之折射率。若上述內部散射粒子之折射率低於上述黏合劑樹脂之折射率，則存在無法謀求上述波長轉換層之光能轉換效率之提高的情況。具體而言，上述內部散射粒子之折射率較佳比黏合劑樹脂之折射率高0.05以上。
作為上述內部散射粒子，只要滿足上述折射率之關係，則並無特別限 定，可為有機微粒子及無機微粒子中之任一種，但其中，較佳為無機微粒子，更佳為鋁系、鈦系、鋯系或鋅系無機微粒子。作為上述內部散射粒子，具體而言，可列舉氧化鋁微粒子、氧化鈦微粒子、氧化鋯微粒子、氧化鋅微粒子等。
此種內部散射粒子之平均粒徑較佳小於上述波長轉換層之膜厚，又，作為該內部散射粒子之含量，為了可以實用範圍維持上述波長轉換層之顯示畫面方向之光，考慮與上述黏合劑樹脂之折射率差及平均粒徑等而適當選擇，並無特別限定，但相對於上述黏合劑樹脂100質量份，較佳為0.5~50質量份，更佳為1~30質量份。
進而，於上述波長轉換層含有內部散射粒子之情形時，於該波長轉換層之至少單面配設有光擴散層之光擴散積層體，較佳內部霧度大於外部霧度。即便於上述光擴散積層體之外部霧度大於內部霧度之情形時，由於上述波長轉換層含有內部散射粒子，故而與具有不含有該內部散射粒子之波長轉換層之光擴散積層體相比，亦可提高光能轉換效率，但藉由使上述光擴散積層體之內部霧度大於外部霧度，可使光能轉換效率更優異。其原因在於，藉由使內部霧度之值大於外部霧度，有如下效果：使光於光擴散積層體之內部經多次散射而光程長度延長，從而獲得多次波長轉換之機會。
再者，上述內部霧度與外部霧度存在關聯性。具體而言，若內部霧度變大，則即便於上述光擴散積層體具有相同之表面凹凸之情形時，外部霧度亦變小。其原因在於，所謂霧度值係指光擴散積層體之入射光中，自該入射光之入射角度以2.5°以上散射之擴散透射光成分之比率。即，其原因在於，於光擴散積層體具有大內部霧度之情形時，即便於內部經擴散之光因 光擴散積層體之表面凹凸而受到進一步之擴散，可改變霧度值之擴散光之上述2.5°以內的成分亦變少。
再者，上述光擴散積層體之內部霧度及外部霧度可使用霧度計(HM-150，村上色彩技術研究所製造)，並按照JIS K7136而測量。
圖2係示意性地表示本發明之顯示裝置的光擴散積層體之一例的剖視圖，上述光擴散積層體係於波長轉換層200之單面配設有光擴散層11。
於本發明之顯示裝置中，構成上述光擴散積層體之光擴散層11含有由有機材料或無機材料構成之光擴散粒子12及黏合劑成分13。
於本發明之顯示裝置中，光擴散層之膜厚為1~30μm。若未達1μm，則光擴散層之光擴散性能變為不充分，結果光能轉換效率之提高變為不充分，若超過30μm，則上述光擴散層之透射率降低。上述光擴散層之膜厚之較佳下限為2μm，較佳上限為20μm。
再者，上述光擴散層之膜厚係指如圖2所示般自光擴散層11之波長轉換層200側界面至光擴散粒子12突出之最前端部分為止之最短距離H1，且指藉由顯微鏡觀察所測得之光擴散層的截面之任意20個部位的平均值。上述光擴散層之膜厚測量可藉由例如利用TEM、STEM或SEM所進行之光擴散層之截面觀察而進行。再者，上述光擴散層之利用TEM或STEM所進行之截面觀察時的倍率亦取決於所使用之光擴散層之粒徑，較佳為1500~2萬倍(加速電壓30kV以上)。又，上述擴散層之利用SEM所進行之截面觀察時的倍率亦取決於所使用之光擴散層之粒徑，較佳為500~1萬倍(加速電壓1~15kV)。
又，於本發明之顯示裝置中，上述光擴散層之黏合劑膜厚較佳為0.5~20μm。若未達0.5μm，則存在光擴散層之光擴散性能變為不充分，而光能轉換效率之提高變為不充分之情況，若超過20μm，則存在上述光擴散層之透射率降低之情況。上述光擴散層之黏合劑膜厚之更佳下限為1μm，更佳上限為15μm。
再者，上述黏合劑膜厚係指如圖2所示般自光擴散層11之波長轉換層200側界面至不存在光擴散粒子12之表面為止之最短距離H2，且指藉由顯微鏡觀察所測得之光擴散層的截面之任意20個部位的平均值。但是，於測量黏合劑膜厚時，去除光擴散粒子與黏合劑成分相接而成為彎月狀之部分。
又，如圖2所示，於本發明之顯示裝置中，光擴散層11具有藉由使光擴散粒子12於最表面突出而形成之凹凸。
由於光擴散粒子12較佳為球狀，故而藉由使該光擴散粒子12突出而形成之凹凸成為半球狀，且由於此種形狀之凹凸形成於最表面，故而本發明之顯示裝置之光能轉換效率更優異。
再者，上述「最表面」係指上述光擴散層之與波長轉換層側為相反側之表面，且指不存在光擴散粒子之表面。即，上述黏合劑膜厚H2係自波長轉換層側界面至光擴散層之不存在光擴散粒子之表面、即上述最表面為止之最短距離。
於本發明之顯示裝置中，光擴散粒子12以光擴散粒子12之粒徑(2R)之3~50%之範圍自光擴散層11之最表面突出。即，圖2中之h相對於光擴散粒子12之粒徑(2R)，處於3~50%之範圍內。該範圍係藉由{(h/2R)×100}而算出，若上述h未達上述2R之3%，則本發明之顯示裝 置之光能轉換效率之提高變為不充分，若超過上述2R之50%，則變為易發生光擴散粒子12之脫落。上述h相對於上述2R之比率之較佳下限為5%，更佳下限為10%，進而較佳下限為20%，上述h相對於上述2R之比率之較佳上限為40%，更佳上限為30%。
再者，可於顯微鏡觀察該光擴散層之截面時，藉由自下述黏合劑膜厚觀察到光擴散粒子之頭比黏合劑膜厚更突出，而確認於上述光擴散層之最表面形成有光擴散粒子突出之凹凸形狀之情形，上述突出之比率亦可藉由顯微鏡觀察上述光擴散層之截面而進行計測。
又，於本發明之顯示裝置中，自上述光擴散層之最表面突出之光擴散粒子亦可於該突出之部分存在極微少、例如厚度為數nm左右之黏合劑成分之薄膜。即便存在此種極微少之黏合劑成分，光學上利用光擴散粒子所具有之折射率而產生之光擴散性亦不會發生變化。上述黏合劑成分之薄膜之膜厚測量，可藉由例如利用TEM、STEM或SEM所進行之光擴散層的截面觀察而進行。再者，上述光擴散層之利用TEM或STEM而進行截面觀察時之倍率，亦取決於所使用之光擴散粒子之粒徑，較佳為1500~2萬倍(加速電壓30kV以上)。又，上述擴散層之利用SEM所進行之截面觀察時的倍率亦取決於所使用之光擴散粒子之粒徑，較佳為500~1萬倍(加速電壓1~15kV)。
又，上述光擴散層中光擴散粒子之含量並無特別限定，於光擴散層中，較佳為15~85質量%，更佳下限為25質量%，更佳上限為75質量%。若未達15質量%，則存在光擴散層之光擴散性能變為不充分，結果光能轉換效率之提高變為不充分之情況，若超過85質量%，則存在上述 光擴散層之透射率下降而本發明之顯示裝置的亮度降低之情況。
又，上述光擴散粒子之間隔，即圖2所示之間隔P相對於光擴散粒子之平均粒徑，較佳為1~10倍，更佳為1倍。若上述間隔P超過10倍，則存在光擴散層之光擴散性能變為不充分，結果光能轉換效率之提高變為不充分之情況。另一方面，若上述間隔P為1倍，則上述光擴散粒子於上述光擴散層成為如下情形：上述光擴散粒子於上述光擴散層之厚度方向上未積層而以1層在理論上最密填充，從而光擴散層之光擴散性能變得優異。
於上述光擴散層中，上述光擴散層中所含之光擴散粒子較佳為70%以上未積層而以1層存在。若以1層存在之光擴散粒子未達70%，則存在本發明之顯示裝置之光擴散層之透射率降低，本發明之顯示裝置的亮度降低之情況。以1層存在之上述光擴散粒子更佳為75%以上，進而較佳為80%以上。
再者，上述「70%以上未積層而以1層存在」係指在對上述光擴散層之厚度方向的任意截面之100個光擴散粒子進行顯微鏡觀察時，70個以上(即70%以上)光擴散粒子彼此在上述光擴散層之厚度方向上未積層而以1層存在。
又，上述光擴散層之黏合劑成分與光擴散粒子之折射率差較佳為0.02~0.15。若未達0.02，則存在光學上無法獲得因光擴散粒子所具有之折射率而產生之光擴散性，而本發明之顯示裝置之光能轉換效率之提高變為不充分之情況，若超過0.15，則存在上述光擴散層之透射率降低，本發明之顯示裝置的亮度降低之情況。上述光擴散層之黏合劑成分與擴散粒 子之折射率差之更佳下限為0.03，更佳上限為0.12。
再者，上述黏合劑成分之折射率與上述光擴散粒子之折射率任一者均可為大。
此處，作為含有於上述光擴散層之前的光擴散粒子之折射率之測量方法，例如可藉由貝克(Becke)法、最小偏角法、偏角分析、模態線(mode -line)法-、橢偏儀(ellipsometry)法等進行測量。又，黏合劑成分之折射率可藉由如下方法而獲得：利用阿貝折射計，測量僅有黏合劑成分之硬化膜，該硬化膜係源自形成光擴散層之塗液而使不含光擴散粒子者塗布、乾燥、硬化而成。
又，作為上述光擴散層中之黏合劑成分(硬化物)、光擴散粒子之折射率之測量方法，關於自所製作之光擴散層中以某種形式取出光擴散粒子之碎片、或黏合劑成分之碎片，可同樣地使用上述各方法。除此以外，可使用相移雷射干涉顯微鏡(FK光學研究所製造之相移雷射干涉顯微鏡或溝尻光學工業所製造之雙光束干涉顯微鏡等)測量黏合劑成分與光擴散粒子之折射率差。
又，於上述黏合劑成分含有下述(甲基)丙烯酸酯及除此以外之樹脂之情形時，上述黏合劑成分的折射率係指除了光擴散粒子以外所含有之所有樹脂成分之硬化物的平均折射率。
作為上述光擴散粒子之平均粒徑，例如較佳為1~30μm，更佳為1~20μm。若未達1μm，則存在本發明之顯示裝置的光能轉換效率變為不充分之情況，為了發揮充分之光擴散性而必須增加光擴散粒子之添加量。另一方面，若超過30μm，則光擴散性能變得優異，但上述光擴 散層之光之透射率變為易大幅度下降。
再者，上述光擴散粒子之平均粒徑可藉由與上述半導體粒子相同之方法進行測量。
又，關於上述光擴散粒子之平均粒徑，若光擴散層所含有之各個光擴散粒子為單分散型粒子(形狀單一之粒子)，則指該粒徑之平均，若為具有寬粒度分佈之不定形型粒子，則指根據粒度分佈測量而存在最多之粒子的粒徑。
又，於上述光擴散粒子為扁平形狀等異形而並非球狀之情形時，上述光擴散粒子之平均粒徑係指藉由如下方法而算出之值：於上述擴散層之利用電子顯微鏡(TEM、STEM或SEM)之截面觀察下，自所觀察之上述光擴散粒子中選擇20個，針對所選擇之上述光擴散粒子，測量最大直徑及最小直徑，求出最大直徑與最小直徑之平均值。
於上述光擴散粒子為具有寬粒度分佈之不定形型粒子之情形時，粒徑大於上述黏合劑層之膜厚之光擴散粒子具有表面擴散效果，進而，粒徑小於上述黏合劑層之膜厚之光擴散粒子具有內部擴散效果，因此可協同地提高光能轉換效率。
再者，於上述波長轉換層含有上述內部散射粒子之情形時、或上述光擴散層含有具有內部擴散效果之粒徑的光擴散粒子之情形時，較佳上述光擴散粒子之間隔，即圖2所示之間隔P為超過1倍之值。由於可將上述光擴散積層體之內部霧度調整為高於外部霧度，故而可使本發明之顯示裝置之光能轉換效率極優異。
於上述光擴散粒子為扁平形狀等異形之情形時，由於在上述 光擴散層之藉由電子顯微鏡之截面觀察下，可局部地確認在上述光擴散層中上述光擴散粒子為層狀態之部位，故而可提高光能轉換效率。
又，於本發明之顯示裝置中，上述光擴散粒子較佳為上述半導體粒子之平均粒徑之100~2萬倍，更佳為100~5000倍。若未達100倍，則存在光擴散層中無法獲得充分之光擴散性之情況，若超過2萬倍，則光擴散層之光擴散性能變得優異，但上述光擴散層之光之透射率變為易大幅度下降。
作為上述光擴散粒子之有機材料，並無特別限定，例如可列舉聚酯、聚苯乙烯、三聚氰胺樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂、丙烯酸-苯乙烯共聚物樹脂、聚矽氧樹脂、苯胍胺樹脂、苯胍胺-甲醛縮合樹脂、聚碳酸酯、聚乙烯、聚烯烴等。其中，較佳使用交聯丙烯酸系樹脂。
又，作為上述光擴散粒子之無機材料，並無特別限定，例如可列舉二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、摻銻氧化錫(簡稱：ATO)、氧化鋅微粒子等無機氧化物等。其中，較佳使用二氧化矽及/或氧化鋁。
上述光擴散層含有黏合劑成分。
上述黏合劑成分較佳含有光聚合性化合物之聚合物(交聯物)。
上述黏合劑成分除了含有光聚合性化合物之聚合物(交聯物)以外，亦可含有溶劑乾燥型樹脂或熱固性樹脂。
上述光聚合性化合物至少具有1個光聚合性官能基。再者，本說明書中之所謂「光聚合性官能基」係指藉由照射光可進行聚合反應之官能基。
作為此種光聚合性官能基，例如可列舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基等乙烯性雙鍵。再者，所謂「(甲基)丙烯醯基」包含「丙烯醯基」及「甲 基丙烯醯基」兩種含義。
又，作為使上述光聚合性化合物聚合時照射之光，可列舉可見光線，以及如紫外線、X射線、電子束、α射線、β射線及γ射線之電離輻射。
作為上述光聚合性化合物，例如可列舉光聚合性單體、光聚合性低聚物或光聚合性聚合物，且可對該等進行適當調整而使用。
作為上述光聚合性化合物，較佳為光聚合性單體、與光聚合性低聚物或光聚合性聚合物之組合。
作為上述光聚合性單體，較佳具有2個(即2官能)以上光聚合性官能基之多官能單體。
作為上述2官能以上之單體，例如可列舉三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、三季戊四醇八(甲基)丙烯酸酯、四季戊四醇十(甲基)丙烯酸酯、異三聚氰酸三(甲基)丙烯酸酯、異三聚氰酸二(甲基)丙烯酸酯、聚酯三(甲基)丙烯酸酯、聚酯二(甲基)丙烯酸酯、雙酚二(甲基)丙烯酸酯、雙甘油四(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸金剛烷基酯、二(甲基)丙烯酸異冰片酯、二環戊烷二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二(甲基)丙烯酸酯、或藉由PO、EO等將該等單體改質所得者。
該等之中，就獲得硬度高之光擴散層之觀點而言，較佳為季戊四醇三丙烯酸酯(PETA)、二季戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)、季戊四醇 四丙烯酸酯(PETTA)、二季戊四醇五丙烯酸酯(DPPA)等。
上述光聚合性低聚物之重量平均分子量為超過1000，10000以下。
作為上述光聚合性低聚物，較佳為2官能以上之多官能低聚物，且較佳為光聚合性官能基為3個(3官能)以上之多官能低聚物。
作為上述多官能低聚物，例如可列舉聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺酯(甲基)丙烯酸酯(urethane(meth)acrylate)、聚酯-胺酯(甲基)丙烯酸酯(Polyester-urethane(meth)acrylate)、聚醚(甲基)丙烯酸酯、多元醇(甲基)丙烯酸酯、三聚氰胺(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸異氰尿酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯等。
上述光聚合性聚合物之重量平均分子量超過1萬，作為重量平均分子量，較佳為超過1萬，8萬以下，更佳為超過1萬，4萬以下。於重量平均分子量超過8萬之情形時，有由於黏度高故而塗佈適性降低，而獲得之光擴散積層體之外觀變差之虞。
作為上述多官能聚合物，可列舉胺酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸異氰尿酸酯、聚酯-胺酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯等。
上述溶劑乾燥型樹脂係如熱塑性樹脂等僅藉由使在塗佈時為了調整固形物成分添加之溶劑乾燥而成為被膜之樹脂。於添加有溶劑乾燥型樹脂之情形時，在形成光擴散層時，可有效地防止塗液之塗佈面之被膜缺陷。作為溶劑乾燥型樹脂，並無特別限定，一般可使用熱塑性樹脂。
作為上述熱塑性樹脂，例如可列舉苯乙烯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、乙酸乙烯酯系樹脂、乙烯醚系樹脂、含鹵素之樹脂、脂環式 烯烴系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、纖維素衍生物、聚矽氧系樹脂及橡膠或彈性體等。
上述熱塑性樹脂較佳為非晶性且可溶於有機溶劑(尤其是可溶解多種聚合物或硬化性化合物之共通溶劑)。尤其，就透明性或耐候性之觀點而言，較佳為苯乙烯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、脂環式烯烴系樹脂、聚酯系樹脂、纖維素衍生物(纖維素酯類等)等。
作為上述熱固性樹脂，並無特別限定，例如可列舉酚樹脂、脲樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、三聚氰胺樹脂、胍胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、環氧樹脂、胺基醇酸樹脂、三聚氰胺-脲共縮合樹脂、矽樹脂、聚矽氧烷樹脂等。
作為形成上述光擴散層之方法，例如可列舉使用含有硬化後成為黏合劑成分之光聚合性化合物及光擴散粒子之光擴散層用組成物而形成之方法等。
具體而言，於上述波長轉換層之單面塗佈以下之光擴散層用組成物。
作為塗佈上述光擴散層用組成物之方法，例如可列舉旋轉塗佈、浸漬法、噴霧法、斜板式塗佈(slide coating)法、棒式塗佈法(bar coating)、輥式塗佈法(roll coating)、凹版塗佈法(gravure coating)、模嘴塗佈法(die coating)等公知之塗佈方法。
上述光擴散層用組成物至少含有上述光聚合性化合物、及上述光擴散粒子。另外，亦可視需要向光擴散層用組成物添加上述熱塑性樹脂、上述熱固性樹脂、溶劑、聚合起始劑。進而，亦可根據提高光擴散層之硬度、抑制硬化收縮、控制折射率等目的，而向光擴散層用組成物中添 加先前公知之分散劑、表面活性劑、抗靜電劑、矽烷偶合劑、增黏劑、防著色劑、著色劑(顏料、染料)、消泡劑、調平劑、難燃劑、紫外線吸收劑、接著賦予劑、聚合抑制劑、抗氧化劑、表面改質劑、潤滑劑等。
上述溶劑可為了使上述光擴散層用組成物易於塗佈而調整黏度之目的，或者調整蒸發速度或對光擴散粒子之分散性而易於以所欲之狀態形成含有光擴散粒子之光擴散層為目的而使用。
作為此種溶劑，例如可例示醇(例如甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、正丁醇、第二丁醇、第三丁醇、苄醇、PGME、乙二醇)、酮類(丙酮、甲基乙基酮(MEK)、環己酮、甲基異丁基酮、二丙酮醇、環庚酮、二乙基酮等)、醚類(1,4-二烷、二氧戊環、四氫呋喃等)、脂肪族烴類(己烷等)、脂環式烴類(環己烷等)、芳香族烴類(甲苯、二甲苯等)、鹵化碳類(二氯甲烷、二氯乙烷等)、酯類(甲酸甲酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯等)、賽珞蘇類(甲基賽珞蘇、乙基賽珞蘇、丁基賽珞蘇等)、乙酸賽珞蘇類、亞碸類(二甲基亞碸等)、醯胺類(二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺等)等，且亦可為該等之混合物。
上述聚合起始劑係藉由照射光而分解，產生自由基使光聚合性化合物開始或進行聚合(交聯)之成分。
此種聚合起始劑只要可藉由照射光而釋出使自由基聚合開始之物質，則並無特別限定，可使用先前公知者，作為具體例，例如可列舉苯乙酮類、二苯甲酮類、米氏苯甲醯苯甲酸酯(Michler benzoyl benzoate)、α-戊基肟酯、9-氧硫類、苯丙酮類、苯偶醯類、安息香類、醯基氧化膦類。又，較佳混合光增感劑而使用，作為光增感劑之具體例，例如可列舉正丁胺、 三乙胺、聚正丁基膦等。
作為上述聚合起始劑，於上述黏合劑成分為具有自由基聚合性不飽和基之樹脂系之情形時，較佳單獨或混合使用苯乙酮類、二苯甲酮類、9-氧硫類、安息香、安息香甲醚等。
上述光擴散層用組成物中聚合起始劑之含量相對於光聚合性化合物100質量份，較佳為0.5質量份以上，10.0質量份以下。藉由將聚合起始劑之含量設為該範圍內，可充分地保持硬塗性能，且可抑制硬化阻礙。
作為上述光擴散層用組成物中之原料之含有比率(固形物成分)，並無特別限定，通常較佳為5質量%以上，70質量%以下，更佳為設為25質量%以上，60質量%以下。
作為上述調平劑，例如較佳為聚矽氧油、氟系表面活性劑等，原因在於可避免光擴散層成為貝納得穴流(Benard Cell)結構。於塗佈含有溶劑之樹脂組成物並進行乾燥之情形時，在塗膜內於塗膜表面與內表面產生表面張力差等，藉此於塗膜內引起多個對流。因該對流而產生之結構被稱為貝納得穴流結構，且造成於形成之光擴散層上產生橘皮或塗佈缺陷等問題。
上述貝納得穴流結構有光擴散層之表面的凹凸變得過大之虞。若使用如上所述之調平劑，則可防止該對流，因此，不僅可獲得無缺陷及不均之光擴散層，而且光擴散層之表面的凹凸形狀之調整亦變得容易。
作為上述光擴散層用組成物之製備方法，只要可將各成分均勻地混合，則並無特別限定，例如可使用塗料振盪機(paint shaker)、珠磨機 (beads mill)、捏合機、攪拌器等公知之裝置進行。
於上述波長轉換層之表面塗佈光擴散層用組成物後，為了使塗膜狀之光擴散層用組成物乾燥而將其搬送到被加熱之區域，並藉由各種公知之方法使光擴散層用組成物乾燥而使溶劑蒸發。此處，藉由選定溶劑相對蒸發速度、固形物成分濃度、塗佈液溫度、乾燥溫度、乾燥風之風速、乾燥時間、乾燥區域之溶劑環境濃度等，可調整光擴散粒子之凝聚狀態或分佈狀態。
又，然後，藉由對塗膜狀之光擴散層用組成物照射紫外線等光使光聚合性化合物聚合(交聯)，而使光擴散層用組成物硬化，從而形成光擴散層。
作為使上述光擴散層用組成物硬化時之光，在使用紫外線之情形時，可利用自超高壓水銀燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、碳弧、氙弧、金屬鹵化物燈等發出之紫外線等。又，作為紫外線之波長，可使用190~380nm之波長區域。作為電子束源之具體例，可列舉Cockcroft-Walton型、Van de Graaff型、共振變壓器型、絕緣核變壓器型、或直線型、高頻高壓(dynamitron)型、高頻型等各種電子束加速器。
再者，作為形成黏合劑成分之材料，藉由使用光聚合性化合物及溶劑乾燥型樹脂，亦可形成具有特殊凹凸之光擴散層。
具體而言，例如，使用含有光聚合性化合物、溶劑乾燥型樹脂及光擴散粒子之光擴散層用組成物，藉由與上述相同之方法，於波長轉換層上形成光擴散層用組成物之塗膜，並與上述同樣地使光擴散層用組成物硬化。
又，於本發明之顯示裝置中，上述光擴散層配設於上述波長 轉換層之至少單面上。
於上述光擴散層配設於上述波長轉換層之單面之情形時，可進一步謀求光能轉換效率之提高，因此，上述光擴散層較佳配設於上述波長轉換層之光源側之面上。
又，藉由自光源部照射之光之復歸反射，可進一步謀求光能轉換效率之提高，因此，上述光擴散層較佳配設於上述波長轉換層之兩面。再者，於光擴散層配設於波長轉換層之兩面之情形時，與僅配設於波長轉換層之單面側之情況相比，可使該光擴散層所含有之光擴散粒子更少。
於光擴散層配設於上述波長轉換層之兩面之情形時，只要藉由上述方法，於波長轉換層之單面形成光擴散層後，藉由同樣之方法於該波長轉換層之相反側之面上形成光擴散層即可。
本發明之顯示裝置具有上述波長轉換層及於該波長轉換層之至少單面配設有光擴散層之光擴散積層體。因此，本發明之顯示裝置之光能轉換效率優異。
作為構成本發明之顯示裝置之除了上述光擴散積層體以外的構成，並無特別限定，可列舉與先前公知之構成相同者。此種本發明之顯示裝置可尤佳地用作圖像顯示裝置。例如，於本發明之顯示裝置為液晶顯示裝置之情形時，在上述光擴散積層體之顯示畫面側配置有公知之稜鏡及偏光膜，進而配置有偏光板、液晶單元等。
作為上述偏光板，只要為具備所欲之偏光特性者，則並無特別限定，一般可使用可用作液晶顯示裝置之偏光板者。具體而言，例如，可較佳地使用聚乙烯醇膜延伸而成且含有碘之偏光板。
作為上述液晶單元，並無特別限定，例如，可使用一般作為液晶顯示裝置用液晶單元而公知之液晶單元。又，作為液晶顯示裝置用液晶單元，已知TN、STN、VA、IPS及OCB等顯示方式之液晶單元，但於本發明中，可使用該等任一顯示方式之液晶單元。
本發明之顯示裝置可使光能轉換效率優異，亦可使光能轉換提高率優異。具體而言，本發明之顯示裝置之光能轉換提高率較佳為101.0~130.0%，更佳為102.0~122.0%，進而較佳為110.0~122.0%。若上述光能轉換提高率之上限超過130.0%，則變為偏黃色易明顯，而難以調整白平衡。又，由光擴散層引起之正面亮度之降低變為易發生。若下限未達101.0%，則光能轉換效率未提高，因此，變為偏藍色易明顯，而難以調整白平衡。
由於本發明之顯示裝置具有上述構成，故而可使光能轉換效率優異。
11‧‧‧光擴散層
12‧‧‧光擴散粒子
13‧‧‧黏合劑成分
20‧‧‧光源部
21‧‧‧框架
22‧‧‧藍色LED
200‧‧‧波長轉換層
210‧‧‧黏合劑樹脂
220‧‧‧紅色半導體粒子
230‧‧‧綠色半導體粒子
圖1係示意性地表示含有使用半導體粒子之波長轉換層的本發明之顯示裝置的背光裝置光源之一例的剖視圖。
圖2係示意性地表示本發明之顯示裝置中光擴散積層體之一例的剖視圖。
圖3係示意性地表示本發明之光能轉換效率之測量中分光光譜的圖式。
藉由下述實施例對本發明之內容進行說明，但本發明之內容並不受該等實施態樣限定而解釋。只要未作特別說明，「份」及「%」為質量基準。
(實施例1)
於以如下方式製作之波長轉換層之積層體(以下亦稱為波長轉換積層體)之單面(與光源部為相反側之面)上，藉由以下方法配設光擴散層，並於波長轉換積層體之光源部側之面上配置不含有光擴散粒子之光學層，而製作光擴散積層體。
(波長轉換積層體之製作)
製作於東麗公司製造之Lumirror T60(厚度為50μm)之單面上，以如下條件形成有二氧化矽蒸鍍層之障壁膜基材。
繼而，藉由如下方法製作波長轉換層之積層體：於所製作之障壁膜基材的二氧化矽蒸鍍層側之面上，塗佈下述組成之波長轉換層用組成物(1)，使之乾燥而形成塗膜，並於該塗膜上層壓與上述同樣地準備之另一障壁膜基材的二氧化矽蒸鍍面，藉由照射紫外線而使上述塗膜硬化。再者，波長轉換層中之半導體粒子為光學各向同性之粒子。
(障壁膜基材之製作)
於高頻濺鍍裝置中，藉由對電極施加頻率為13.56MHz、電力為5kW之高頻電力，而於腔室內產生放電，從而於東麗公司製造之Lumirror T60之單面上形成由目標物質(二氧化矽)構成之二氧化矽蒸鍍層(厚度為50nm，折射率為1.46)。
(波長轉換層用組成物(1))
(光擴散層之製作)
將下述組成之光擴散層用組成物(1)塗佈於波長轉換積層體之與光源部為相反側之面上而形成光擴散層，並使用除了已去除光擴散粒子以外與光擴散層用組成物(1)為相同組成之組成物，於波長轉換層之光源部側之面上形成光學層。
光擴散層及光學層之形成係藉由公知之方法進行塗膜之形成、乾燥及硬化。
再者，在將圖2所示之光擴散粒子之半徑(R)設為2.5μm時，形成有h為1μm、P為5μm、H1為5μm、H2為4μm之光擴散層。
可確認於形成之光擴散層中，光擴散粒子之70%以上未積層而以1層存在。又，光擴散粒子與黏合劑成分之折射率差為0.02~0.15內。
(光擴散層用組成物(1))
溶劑(甲基異丁基酮：環己酮=1：1質量比) 387質量份
將獲得之光擴散積層體配置於安裝有藍色LED之光源部上，並藉由以下方法測量自該光源部發射出之藍色光之光能轉換效率，將結果示於表1。
(光能轉換效率之測量)
使用分光輻射計(TOPCON公司製造之SR-UL2)，測量有光擴散積層體之狀態及無光擴散積層體之狀態。根據分別獲得之分光光譜算出藍色光光譜之積分值及綠色光光譜之積分值、紅色光光譜之積分值。將於有光擴散積層體之狀態下所測得之綠色光光譜之積分值與紅色光光譜之積分值之累加值，除以於無光擴散積層體之狀態下所測得之藍色光光譜之積分值，而測量光能轉換效率。以將下述比較例1之光擴散積層體的光能轉換效率設為100.0%時之提高率作為光能轉換提高率而進行計算。此處，將藉由利用分光輻射計所進行之測量而獲得之分光光譜之示意圖示於圖3。如圖3所示，上述藍色光光譜係指在自380nm之波長至向長波長側位移之第一底部為止，所謂綠色光光譜係指在自第一底部至向長波長側位移之第二底部為止，所謂紅色光光譜係指在自第二底部至780nm之波長為止之各波長區域觀察到之光譜。
將所得之光擴散積層體配置於安裝有藍色LED之光源部(峰值波長為450nm)上，進而使稜鏡片材BEFIII(3M公司製造，厚度為130μm)及偏光分離片材DBEF(3M公司製造，厚度為400μm)積層，並藉由以下方法評價自該光源部發射出之藍色光是否藉由所得之光擴散積層體被轉換成白色光，並將結果示於表1。
(顏色之評價)
將所得之光擴散積層體配置於安裝有藍色LED之光源部上(峰值波長為450nm)，進而使稜鏡片材BEFIII(3M公司製造，厚度為130μm)及偏光分離片材DBEF(3M公司製造，厚度為400μm)積層，藉由在暗室中自正面方向進行目視並以如下基準進行顏色之評價。
○：看起來呈白色
△：相對於白色，看起來呈稍微偏藍色
×：相對於白色，看起來呈藍色
(霧度)
以如下方式，測量光擴散積層體之整體霧度、內部霧度、外部霧度。
即，首先，使用霧度計(HM-150，村上色彩技術研究所製造)，並依照JIS K7136測量光擴散積層體之整體霧度。然後，於光擴散層之表面，經由透明光學接著層(PANAC公司製造之PANACLEAN PD-S1，厚度25μm)貼附三乙醯纖維素基材(富士軟片公司製造之TD60UL，60μm)。藉此，光擴散層上之凹凸面的凹凸形狀潰縮，而光擴散積層體之表面變得平坦。於該狀態下，使用霧度計(HM-150，村上色彩技術研究所製造)，並依照JIS K7136測量霧度值，而求出內部霧度。然後，藉由自整體霧度減去內部霧度，而求出外部霧度。
再者，於本申請案中，若為上述三乙醯纖維素基材或透明光學接著層程度之霧度則難以對光轉換效率產生影響，故而於上述光擴散積層體之內部霧度、外部霧度中亦含有上述三乙醯纖維素基材等之霧度。
(實施例2)
除了將光擴散層配設於波長轉換積層體之光源部側之面上，並將光學層配設於波長轉換層積層體之與光源部側為相反側之面上以外，與實施例1同樣地形成光擴散積層體，並與實施例1同樣地測量藍色光之光能轉換效率，將結果示於表1。
(實施例3)
除了配設光擴散層代替光學層以外，與實施例1同樣地形成光擴散積層體，並與實施例1同樣地測量藍色光之光能轉換效率，將結果示於表1。
(比較例1)
除了於光擴散層中不含有光擴散粒子以外，與實施例3同樣地形成光擴散積層體，並與實施例1同樣地測量藍色光之光能轉換效率，將結果示於表1。
(比較例2)
除了使用下述組成之光擴散層用組成物(2)形成光擴散層以外，與實施例3同樣地形成光擴散積層體，並與實施例1同樣地測量藍色光之光能轉換效率，將結果示於表1。
(光擴散層用組成物(2))
(實施例4)
除了以成為表1所示之h、P、H1及H2之方式調整光擴散層用組成物(2)之調配比率以外，與實施例3同樣地形成光擴散積層體，並與實施例1同樣地測量藍色光之光能轉換效率，將結果示於表1。
(實施例5)
除了塗佈下述組成之光擴散層用組成物(3)形成光擴散層以外，與實施例3同樣地形成光擴散積層體，並與實施例1同樣地測量藍色光之光能轉換效率，將結果示於表1。
(光擴散層用組成物(3))
(實施例6~9)
除了以在將圖2所示之光擴散粒子之半徑(R)設為2.5μm時，h/2R成為10%(實施例6)、30%(實施例7)、40%(實施例8)、50%(實施例9)之方式調整光擴散層用組成物(1)之調配比率以外，與實施例3同樣地形成光擴散積層體，並與實施例1同樣地測量藍色光之光能轉換效率，將結果示於表1。
(實施例10~13)
除了以在將圖2所示之光擴散粒子之半徑(R)設為5μm時，P成為30μm(實施例10)、20μm(實施例11)、17μm(實施例12)、14μm(實施例13)之方式調整光擴散層用組成物(3)之調配比率以外，與實施例3同樣地形成光擴散積層體，並與實施例1同樣地測量藍色光之光能轉換率，將結果示於表1。
(實施例14)
除了使用以下之波長轉換層用組成物(2)代替波長轉換層用組成物(1)形成波長轉換層以外，與實施例1同樣地形成光擴散積層體，並與實施例1同樣地測量藍色光之光能轉換率，將結果示於表1。
(波長轉換層用組成物(2))
(實施例15)
除了使用以下之波長轉換層用組成物(3)代替波長轉換層用組成物(1)形成波長轉換層以外，與實施例1同樣地形成光擴散積層體，並與實施例1同樣地測量藍色光之光能轉換率，將結果示於表1。
(波長轉換層用組成物(3))
(實施例16)
除了使用以下之波長轉換層用組成物(4)代替波長轉換層用組成物(1)形成波長轉換層以外，與實施例1同樣地形成光擴散積層體，並與實施例1同樣地測量藍色光之光能轉換率，將結果示於表1。
(波長轉換層用組成物(4))
(實施例17)
除了使用以下之波長轉換層用組成物(5)代替波長轉換層用組成物(1)形成波長轉換層以外，與實施例1同樣地形成光擴散積層體，並與實施例1 同樣地測量藍色光之光能轉換率，將結果示於表1。
(波長轉換層用組成物(5))
(實施例18)
除了使用以下之波長轉換層用組成物(6)代替波長轉換層用組成物(1)形成波長轉換層以外，與實施例1同樣地形成光擴散積層體，並與實施例1同樣地測量藍色光之光能轉換率，將結果示於表1。
(波長轉換層用組成物(6))
(實施例19)
除了使用以下之波長轉換層用組成物(7)代替波長轉換層用組成物(1)形成波長轉換層以外，與實施例1同樣地形成光擴散積層體，並與實施例1同樣地測量藍色光之光能轉換率，將結果示於表1。
(波長轉換層用組成物(7))
如表1所示，於波長轉換層之至少單面配設形成有特定凹凸之光擴散層的實施例的光擴散積層體對自光源部照射之藍色光之光能轉換效率優異。因此，具備實施例之光擴散積層體之顯示裝置的光能轉換效率優異。
再者，根據實施例1與2之光擴散積層體之比較，於波長轉換層之單面積層光擴散層之情形時，配設於光源部側之面上之光擴散積層體之光能轉換效率優異。
又，根據實施例1、2之光擴散積層體與實施例3之光擴散積層體之比較，於波長轉換層之兩面配設有光擴散層之光擴散積層體之光能轉換效率優異。
又，根據實施例3與4~9之光擴散積層體之比較，光擴散粒子之突出越大則光能轉換效率越優異。
又，根據實施例5與10~13之光擴散積層體之比較，光擴散粒子之密度(突起密度)越高則光能轉換效率越優異。
又，根據實施例14~19之光擴散積層體與實施例1之光擴散積層體之比較，於波長轉換層中含有內部散射粒子之實施例14~19之光擴散積層體的光能轉換效率優異。
比較例1之光擴散積層體由於在光擴散層中不含光擴散粒子，又，比較例2之光擴散積層體由於光擴散粒子自光擴散層之最表面之突出不充分，故而光能轉換效率差。
又，如表1所示，光能轉換提高率優異之實施例之光擴散積層體於目視觀察下之顏色評價中亦優異。
(參考例1)
於上述實施例1之光擴散層之製作中，亦可將光擴散粒子設為具有寬粒度分佈之不定形型之粒子。
(參考例2)
於上述實施例1之光擴散層之製作中，亦可將光擴散粒子設為交聯丙烯酸樹脂珠粒及層狀無機化合物。
作為層狀無機化合物，並無特別限定，例如可列舉蒙脫石、鋁膨潤石、矽鐵石、皂石、鋰膨潤石、鋅膨潤石、矽鎂石等膨潤石類、蛭石、多水高嶺石、高嶺石、安德石、地開石、滑石、葉蠟石、雲母、珍珠雲母、白雲母、金雲母、四矽雲母、帶雲母、葉蛇紋石、綠泥石、鋰綠泥石、錳鋁綠泥石等。該等層狀無機化合物可為天然物，亦可為合成物。又，上述層狀無機化合物亦可施加有機表面處理。
於光擴散粒子並非單分散型粒子(形狀單一之粒子)之情形時，大小及形狀不同之粒子分別具有表面擴散或內部擴散之效果，可提高光能之轉換效率。
[產業上之可利用性]
由於本發明之顯示裝置由上述構成組成，故而可使光能轉換效率優異。

Claims (3)

  1. 一種顯示裝置，其具有光擴散積層體，該光擴散積層體於使用光學各向同性之半導體粒子的波長轉換層之至少單面配設有光擴散層，該顯示裝置之特徵在於：該光擴散層含有由有機材料或無機材料構成之光擴散粒子及黏合劑成分，並且具有由該光擴散粒子突出於最表面而形成之凹凸，該光擴散粒子係以該光擴散粒子之粒徑的3~50%之範圍自該光擴散層之最表面突出，該光擴散粒子之間隔相對於光擴散粒子之平均粒徑，為1~10倍，該光擴散粒子之平均粒徑為1~30μm，該光擴散層之膜厚為1~30μm，該光擴散層被配置於該波長轉換層之與光源側相反側之面，或該波長轉換層之兩面，該顯示裝置為液晶顯示裝置。
  2. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中，該光擴散層所含之該光擴散粒子之70%以上未積層而以1層存在。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之顯示裝置，其中，該光擴散層之該黏合劑成分與該光擴散粒子之折射率差為0.02~0.15。
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