WO2018163691A1 - 波長変換部材及び発光デバイス - Google Patents

波長変換部材及び発光デバイス Download PDF

Info

Publication number
WO2018163691A1
WO2018163691A1 PCT/JP2018/003993 JP2018003993W WO2018163691A1 WO 2018163691 A1 WO2018163691 A1 WO 2018163691A1 JP 2018003993 W JP2018003993 W JP 2018003993W WO 2018163691 A1 WO2018163691 A1 WO 2018163691A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
wavelength conversion
light
conversion member
package
resin
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/003993
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
隆史 西宮
浅野　秀樹
隆 村田
Original Assignee
日本電気硝子株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2017140507A external-priority patent/JP2018151610A/ja
Application filed by 日本電気硝子株式会社 filed Critical 日本電気硝子株式会社
Publication of WO2018163691A1 publication Critical patent/WO2018163691A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements

Definitions

  • the present invention relates to a wavelength conversion member and a light emitting device using the wavelength conversion member and an excitation light source such as an LED (Light Emitting Diode) or LD (Laser Diode).
  • an excitation light source such as an LED (Light Emitting Diode) or LD (Laser Diode).
  • next-generation light sources In recent years, attention has been focused on light-emitting devices using LEDs and LDs as next-generation light sources to replace fluorescent lamps and incandescent lamps.
  • a light-emitting device that combines an LED that emits blue light and a wavelength conversion member that absorbs part of the light from the LED and converts it into yellow light is disclosed.
  • This light emitting device emits white light that is a combined light of blue light emitted from the LED and transmitted through the wavelength conversion unit and yellow light emitted from the wavelength conversion unit.
  • Patent Document 1 discloses a wavelength conversion unit in which a resin in which a phosphor is dispersed is arranged in a package as an example of a wavelength conversion unit.
  • the present inventors have found that when a wavelength conversion part made of a resin containing a phosphor is used, there is a problem that when used for a long time, the resin deteriorates and becomes black due to heat and the emission intensity decreases.
  • An object of the present invention is to provide a wavelength conversion member and a light emitting device capable of suppressing the resin containing a phosphor from being deteriorated by heat and blackening.
  • the wavelength conversion member of the present invention includes a package and a wavelength conversion layer provided in the package, and the wavelength conversion layer is dispersed in the resin matrix and the resin matrix, and the fluorescence that converts the wavelength of the excitation light.
  • the package has a transparent heat dissipating part located on the incident side of the excitation light.
  • the thermal conductivity of the transparent heat dissipating part is 0.8 W / mK or more.
  • the difference in refractive index between the transparent heat radiating portion and the resin constituting the resin matrix is preferably 0.4 or less.
  • the refractive index indicates a value at a wavelength of 587 nm.
  • the package may have a bottom plate positioned on the excitation light incident side, and the transparent heat radiating portion may include a bottom plate and a heat dissipation layer provided on the bottom plate.
  • the package may include a bottom plate positioned on the excitation light incident side, and the transparent heat radiating portion may include a bottom plate and a heat conductive filler provided on the bottom plate.
  • another transparent heat radiating portion may be provided also on the light emitting side of the wavelength conversion layer.
  • the wavelength conversion layer may have a light diffusing material.
  • the average particle diameter of the light diffusing material is preferably 5 ⁇ m or less.
  • the difference in refractive index between the resin constituting the resin matrix and the light diffusing material is preferably 0.4 or less.
  • the content of the light diffusing material in the wavelength conversion layer is preferably 10% by mass or more.
  • the density difference between the resin constituting the resin matrix and the light diffusing material is preferably 1 g / cm 3 or less.
  • the wavelength conversion member of the present invention includes a package and a wavelength conversion layer provided in the package, and the wavelength conversion layer is dispersed in the resin matrix and the resin matrix, and the fluorescence that converts the wavelength of the excitation light. And a light diffusing material having an average particle diameter of 5 ⁇ m or less.
  • the light-emitting device of the present invention is characterized by comprising the above-described wavelength conversion member of the present invention and a light-emitting unit that is provided on the transparent heat radiating unit side of the package and emits excitation light.
  • the light emitting part is provided with a case member having an opening, a light source that emits excitation light, disposed at the bottom of the case member, and a resin that is provided in the case member and seals the light source It is preferable that the opening part of the case member is sealed by the transparent heat radiating part of the package.
  • the difference in refractive index between the transparent heat radiation part and the resin constituting the resin layer is preferably 0.4 or less.
  • the emission peak has a wavelength of 450 nm to 630 nm, and the half width of the wavelength of the emission peak is 50 nm or less.
  • the chromaticity of the emitted light in the direction immediately above the light emitting side of the wavelength conversion member is C x
  • the chromaticity of the emitted light in the direction of 60 ° with respect to the direction immediately above the light emitting side is C x60
  • C x60 It is preferable that / C x ⁇ 5.
  • the wavelength conversion member and the light emitting device According to the wavelength conversion member and the light emitting device according to the present invention, it is possible to suppress the resin containing the phosphor from being deteriorated by heat and being blackened.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a wavelength conversion member according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a wavelength conversion member according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a wavelength conversion member according to a modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a wavelength conversion member according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a wavelength conversion member according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a light emitting device using the wavelength conversion member according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a wavelength conversion member according to the first embodiment of the present invention.
  • the wavelength conversion member 21 of this embodiment includes a package 5 and a wavelength conversion layer 2 provided in the package 5.
  • the wavelength conversion layer 2 includes a resin matrix 3 and a phosphor 4 dispersed in the resin matrix 3.
  • the phosphor 4 is contained in the resin matrix 3 in the form of particles.
  • the package 5 has a bottom plate and a side wall 6 provided on the bottom plate.
  • the bottom plate is the transparent heat radiating portion 11.
  • the package 5 is opened on the side opposite to the transparent heat radiation part 11.
  • a lid member 7 is provided on the side wall 6.
  • the opening 5 a of the package 5 is sealed with a lid material 7.
  • the bottom plate may be composed of a plurality of layers of the transparent heat radiating portion 11.
  • the wavelength conversion member 21 converts the wavelength of the excitation light L1 incident from the transparent heat radiation part 11 side. More specifically, the excitation light L ⁇ b> 1 passes through the transparent heat radiating unit 11 and is emitted to the wavelength conversion layer 2.
  • the phosphor 4 in the wavelength conversion layer 2 converts the wavelength of the excitation light L1 and emits fluorescence.
  • the combined light L2 of the fluorescence emitted from the phosphor 4 and the excitation light L1 transmitted through the wavelength conversion layer 2 passes through the lid member 7 and is emitted from the wavelength conversion member 21.
  • the excitation light L1 is blue light, for example, yellow light is emitted as fluorescence from the phosphor 4, and white light is emitted as the excitation light L1 and the combined light L2 of fluorescence.
  • the excitation light L1 is blue light
  • the phosphor 4 that emits green light and the light that emits red light are mixed and used, so that the excitation light L1 and the fluorescence combined light L2 are white. Light is emitted.
  • the excitation light L1 excites the phosphor 4 to emit fluorescence, and a part thereof is converted into thermal energy. For this reason, the resin matrix 3 in the wavelength conversion layer 2 is heated by irradiation with the excitation light L1.
  • the present inventors have found that there is a problem that the resin matrix 3 is deteriorated by this heat, the wavelength conversion layer 2 is blackened, and the emission intensity is lowered. Moreover, the light emission characteristics of the phosphor 4 included in the wavelength conversion layer 2 are also reduced by this heat.
  • the package 5 includes the transparent heat radiating portion 11 located on the incident side of the excitation light L1.
  • the heat generated in the wavelength conversion layer 2 can be diffused and dissipated to the outside of the package 5, and local heating in the wavelength conversion layer 2 can be suppressed.
  • the thermal energy generated in the central portion of the excitation light L1 tends to increase. Therefore, by disposing the transparent heat radiating part 11 on the incident side of the excitation light L1 in the wavelength conversion layer 2, the heat generated in the central part of the excitation light L1 is diffused to the peripheral part and radiated to the outside of the package 5. Can do. Therefore, in this embodiment, it can suppress that the wavelength conversion layer 2 deteriorates by heat and blackens, and can suppress that emitted light intensity falls.
  • the material of the transparent heat radiation part 11 is one that transmits the excitation light L1 (and fluorescence emitted from the phosphor 4) and has a higher thermal conductivity than the resin that constitutes the resin matrix 3 of the wavelength conversion layer 2.
  • the thermal conductivity of the transparent heat radiation part 11 is 0.8 W / mK or more, 0.9 W / mK or more, 1 W / mK or more, 1.2 W / mK or more, 1.5 W / mK or more, 3 W / mK or more, 5 W / mK.
  • the heat generated in the wavelength conversion layer 2 can be diffused more efficiently.
  • the transparent thermal radiation part 11 it is preferable that the thermal conductivity of each layer satisfy
  • the transparent heat radiation part 11 is comprised from multiple layers, it is preferable to maximize the thermal conductivity of the layer having the maximum thickness. In that case, if the layer having the maximum thickness is arranged on the resin matrix 3 side, the heat generated in the wavelength conversion layer 2 can be effectively diffused, and the heat can be effectively radiated to the outside of the package 5. it can.
  • Such materials include glass and ceramic. Since glass and ceramic are difficult to transmit moisture and oxygen, the phosphor 4 contained in the wavelength conversion layer 2 is hardly deteriorated, and the reliability of the wavelength conversion member 21 can be improved.
  • the glass include SiO 2 —B 2 O 3 —RO (R is Mg, Ca, Sr, or Ba) glass, SiO 2 —B 2 O 3 —R ′ 2 O (R ′ is Li, Na, or K). ) -Based glass or SiO 2 —B 2 O 3 —RO—R ′ 2 O-based glass.
  • SiO 2 —B 2 O 3 —RO based glass for example, “OA-10G” (thermal conductivity 1 W / mK) manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd. is suitable.
  • OA-10G thermal conductivity 1 W / mK
  • the ceramic a high thermal conductive ceramic can be used.
  • high thermal conductive ceramics include aluminum oxide ceramics, aluminum nitride ceramics, silicon carbide ceramics, boron nitride ceramics, magnesium oxide ceramics, titanium oxide ceramics, niobium oxide ceramics, zinc oxide ceramics, and oxides. Examples thereof include yttrium-based ceramics.
  • the thickness of the transparent heat radiating portion 11 is appropriately determined in consideration of the transparency of the excitation light L1, the thermal conductivity, the mechanical strength, and the like. be able to.
  • the thickness of the transparent heat dissipation part 11 is preferably in the range of 0.001 mm to 1 mm, more preferably in the range of 0.01 mm to 0.5 mm, and in the range of 0.05 mm to 0.2 mm, for example. More preferably. In addition, it can suppress that light leaks from the side surface of the transparent heat radiation part 11 by making thickness of the transparent heat radiation part 11 small.
  • the average transmittance of the transparent heat radiation part 11 at a wavelength of 400 nm to 800 nm is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, and further preferably 90% or more. If the average transmittance is small, the light extraction efficiency tends to be reduced.
  • a curable resin such as a translucent ultraviolet curable resin or a thermosetting resin is used.
  • an epoxy resin, an acrylic resin, a silicone resin, or the like can be used.
  • the difference in refractive index (nd) between the transparent heat radiation part 11 and the resin constituting the resin matrix 3 is preferably 0.4 or less, more preferably 0.3 or less, and 0.2 or less. More preferably it is.
  • the difference in refractive index By reducing the difference in refractive index, the reflection of the excitation light L1 at the interface between the transparent heat radiation part 11 and the wavelength conversion layer 2 can be reduced, and the light emission efficiency and the light extraction efficiency can be increased.
  • the difference in refractive index between the heat radiation layers 17 and 18 constituting the transparent heat radiation portions 12 and 13 and the resin constituting the resin matrix 3 is described. Is preferably within the above range.
  • the difference of the refractive index of the heat conductive filler 19 which comprises the transparent thermal radiation part 14, and resin which comprises the resin matrix 3 is in the said range. Is preferred.
  • quantum dots can be used.
  • quantum dots include II-VI group compounds and III-V group compounds.
  • the II-VI group compound include CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe and the like.
  • the III-V group compound include InP, GaN, GaAs, GaP, AlN, AlP, AlSb, InN, InAs, and InSb. At least one selected from these compounds, or a composite of two or more of these can be used as quantum dots.
  • the composite include those having a core-shell structure, such as those having a core-shell structure in which the surface of CdSe particles is coated with ZnS.
  • Quantum dots are characterized by a sharp emission peak in the emission spectrum. Therefore, when a quantum dot is used for a light source for direct type display, for example, it becomes possible to obtain a clear image. Specifically, when quantum dots are used as the phosphor, a light emitting device having a light emission peak at a wavelength of 450 nm to 630 nm and a half width of the light emission peak wavelength of 50 nm or less can be obtained.
  • the phosphor 4 is not limited to quantum dots.
  • the outgoing light may have a different color distribution (chromaticity unevenness) depending on the outgoing angle.
  • the excitation light L1 has a certain directivity
  • the emitted light in the direction directly above the light emission side of the wavelength conversion member 21 has a stronger color of the excitation light L1
  • the light of the wavelength conversion member 21 The emitted light in the direction deviating from the direction directly above the emission side has a strong fluorescent color.
  • it is conceivable to suppress the chromaticity unevenness by installing a light diffusion plate on the light emitting side of the wavelength conversion member 21, in this case, the light emission intensity tends to decrease.
  • the wavelength conversion layer 2 contains a light diffusing material.
  • a light diffusing material such as silica, alumina, and zirconia.
  • the quantum dots when used as the phosphor 4, the quantum dots have a very small particle size and have little light scattering effect, and therefore the chromaticity unevenness of the emitted light tends to increase. Therefore, it is easy to obtain the effect of suppressing chromaticity unevenness by including the light diffusing material in the wavelength conversion layer 2.
  • the average particle diameter (D 50 ) of the light diffusing material is preferably 5 ⁇ m or less, more preferably 4 ⁇ m or less, further preferably 3 ⁇ m or less, and particularly preferably 2 ⁇ m or less.
  • the average particle diameter of the light diffusing material is preferably 0.3 ⁇ m or more, more preferably 0.5 ⁇ m or more, further preferably 0.7 ⁇ m or more, and 0.9 ⁇ m or more. Particularly preferred. If the average particle size of the light diffusing material is too small, Rayleigh scattering becomes dominant, and wavelength dependence occurs in the emitted light, which tends to increase chromaticity unevenness.
  • the difference in refractive index between the resin constituting the resin matrix 3 and the light diffusing material is 0.4 or less, 0.3 or less, 0.2 or less, 0.1 or less, 0.05 or less, particularly 0.03 or less. It is preferably 0.001 or more, 0.003 or more, and particularly preferably 0.005 or more. If the difference in refractive index is too large, the component of backscattered light (light scattered on the light incident side) increases, and the light emission efficiency tends to decrease. On the other hand, if the difference in refractive index is too small, the light diffusion effect is insufficient and the chromaticity unevenness of the emitted light tends to increase.
  • the content of the light diffusing material in the wavelength conversion layer 2 is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, further preferably 30% by mass or more, and 40% by mass or more. It is particularly preferred. If the content of the light diffusing material is too small, the light diffusing effect is insufficient and the chromaticity unevenness of the emitted light tends to increase. On the other hand, the content of the light diffusing material in the wavelength conversion layer 2 is preferably 90% by mass or less, more preferably 80% by mass or less, further preferably 70% by mass or less, and 60% by mass or less. It is particularly preferred that When there is too much content of a light-diffusion material, the component of backscattered light will increase and there exists a tendency for luminous efficiency to fall. Also, the chromaticity unevenness of the emitted light tends to increase.
  • the density difference of light diffusing material is 1 g / cm 3 or less, more preferably 0.8 g / cm 3 or less, is 0.5 g / cm 3 or less More preferably, it is particularly preferably 0.3 g / cm 3 or less. If the density difference is too large, the light diffusing material settles in the resin matrix 3 and it becomes difficult to obtain a desired light diffusing effect.
  • the wavelength conversion member shown in FIG. 1 was produced as an experimental example under the following conditions, and the chromaticity of the emitted light when the content of the light diffusing material was changed was measured. .
  • the results are shown in Table 1. As shown in Table 1, it can be seen that the occurrence of chromaticity unevenness of the emitted light can be significantly suppressed by including a light diffusing material in the wavelength conversion layer.
  • Cover material 7 and transparent heat radiation part 11 SiO 2 —B 2 O 3 —RO glass (“OA-10G” manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd., thickness 0.1 mm)
  • Side wall 6 Glass ceramic (thickness 0.6 mm) made of a sintered body of aluminum oxide and SiO 2 —CaO—Al 2 O 3 glass
  • Phosphor 4 Quantum dot phosphor having a core-shell structure of CdSe / ZnS Content of phosphor 4: 0.5% by mass
  • Light diffusing material Silica particles (“Fine Sphere” manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd., average particle diameter (D 50 ) 1.5 ⁇ m)
  • Resin constituting the resin matrix 3 External dimensions of the epoxy resin package 5: 3.7 mm ⁇ 3 .7mm x 0.8mm
  • the wavelength conversion member was placed on a light source (an LED chip having an excitation wavelength of 462 nm).
  • the wavelength conversion member was irradiated with excitation light from a light source, and the chromaticity of light emitted from a surface (light emission surface) opposite to the light source of the wavelength conversion member was measured.
  • a screen was installed at a position of about 15 mm from the light emitting surface of the wavelength conversion member, and the chromaticity distribution of the light irradiation spot that appeared on the screen was measured.
  • the side wall 6 of the package 5 can be made of, for example, ceramic or glass.
  • the ceramic include aluminum oxide, aluminum nitride, zirconia, and mullite.
  • the ceramic may be a glass ceramic such as LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics).
  • LTCC Low Temperature Co-fired Ceramics
  • the heat generated in the wavelength conversion layer 2 can be effectively radiated to the outside of the package 5.
  • Specific examples of LTCC include a sintered body of an inorganic powder such as titanium oxide, niobium oxide, and aluminum oxide and a glass powder.
  • the glass examples include SiO 2 —B 2 O 3 —RO (R is Mg, Ca, Sr, or Ba) glass, SiO 2 —B 2 O 3 —R ′ 2 O (R ′ is Li, Na, or K). ) Based glass, SiO 2 —B 2 O 3 —RO—R ′ 2 O based glass, SnO—P 2 O 5 based glass, TeO 2 based glass or Bi 2 O 3 based glass.
  • the thickness of the side wall 6 is preferably 0.5 mm or less, and more preferably 0.3 mm or less. Thereby, the wavelength conversion member 21 can be reduced in size. On the other hand, the thickness of the side wall 6 is preferably 0.15 mm or more. Thereby, the mechanical strength of the wavelength conversion member 21 can be increased.
  • the lid member 7 can be made of a transparent material such as glass, for example. As glass, the same material as the glass constituting the side wall 6 of the package 5 can be used.
  • the thickness of the lid member 7 is preferably 0.001 mm or more, more preferably 0.01 mm or more, and further preferably 0.05 mm or more in consideration of mechanical strength. On the other hand, considering the transparency of the excitation light L1, the thickness of the lid member 7 is preferably 1 mm or less, more preferably 0.5 mm or less, and further preferably 0.2 mm or less. Further, by reducing the thickness of the lid member 7, it is possible to suppress light from leaking from the side surface of the lid member 7.
  • the transparent heat radiating part 11 is arranged on the incident side of the excitation light L1 in the wavelength conversion layer 2, the heat generated in the wavelength conversion layer 2 by the irradiation of the excitation light L1 is diffused by the transparent heat radiating part 11. It is possible to suppress deterioration of the wavelength conversion layer 2 due to heat and blackening.
  • the wavelength conversion layer 2 is provided so as to be in contact with the transparent heat radiating portion 11, but is not limited to this, and a gap is formed between the wavelength conversion layer 2 and the transparent heat radiating portion 11. It may be.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a wavelength conversion member according to the second embodiment of the present invention.
  • a heat dissipation layer 17 is provided on the bottom plate 8.
  • the transparent heat radiating part 12 is composed of a bottom plate 8 and a heat radiating layer 17.
  • the side wall 6 of the package 5 is provided on the bottom plate 8 via the heat dissipation layer 17.
  • Other configurations are the same as those of the first embodiment.
  • the heat dissipation layer 17 is made of a heat conductive film such as aluminum nitride or magnesium oxide.
  • the thickness of the heat dissipation layer 17 can be appropriately determined in consideration of the transparency of the excitation light L1, the thermal conductivity, and the like.
  • the thickness of the heat dissipation layer 17 is, for example, preferably in the range of 1 nm to 15 ⁇ m, more preferably in the range of 10 nm to 10 ⁇ m, and further preferably in the range of 0.1 ⁇ m to 5 ⁇ m.
  • the heat generated in the wavelength conversion layer 2 by the irradiation of the excitation light L1 can be diffused by the heat dissipation layer 17, so that it is effective that the wavelength conversion layer 2 deteriorates due to heat and becomes blackened. Can be suppressed.
  • the transparent heat radiating part 11 in the first embodiment as the bottom plate 8, the heat diffusion effect can be further enhanced.
  • the heat dissipation layer 17 is provided on the entire surface of the bottom plate 8. Thereby, heat dissipation can be improved effectively.
  • the heat dissipation layer 17 may be provided on a part of the bottom plate 8.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a wavelength conversion member according to a modification of the second embodiment of the present invention.
  • the heat dissipation layer 18 is provided so as to be located inside the side wall 6 of the package 5.
  • the heat radiation layer 18 is preferably provided so as to cover the irradiation region of the excitation light L1.
  • the area of the heat dissipation layer 18 is preferably 1.1 times or more, more preferably 1.3 times or more, and even more preferably 1.5 times or more the area of the irradiation region of the excitation light L1. It is still more preferably 2 times or more, particularly preferably 3 times or more, and most preferably 4 times or more. Thereby, the heat generated in the wavelength conversion layer 2 can be effectively diffused by the transparent heat radiation part 13 including the heat radiation layer 18.
  • the peripheral edge of the heat dissipation layer 18 is in contact with the side wall 6 of the package 5. In this way, the generated heat can be efficiently released to the outside.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a wavelength conversion member according to a third embodiment of the present invention.
  • a heat conductive filler 19 is provided on the bottom plate 8.
  • the transparent heat radiating portion 14 is constituted by the bottom plate 8 and the heat conductive filler 19.
  • Other configurations are the same as those of the first embodiment.
  • the thermal conductivity of the thermal conductive filler 19 is 0.8 W / mK or higher, 0.9 W / mK or higher, 1 W / mK or higher, 1.2 W / mK or higher, 1.5 W / mK or higher, 3 W / mK or higher, 5 W / mK. As mentioned above, it is especially preferable that it is 10 W / mK or more. Thereby, the heat generated by the wavelength conversion layer 2 can be more effectively diffused.
  • heat conductive filler 19 for example, glass, silicon dioxide, boron nitride, aluminum nitride, aluminum oxide, magnesium oxide, titanium oxide, niobium oxide, zinc oxide, aluminum, silver or the like can be used.
  • the shape of the heat conductive filler 19 is not particularly limited, and examples thereof include a spherical powder shape and a fiber shape.
  • the wavelength conversion member 24 is provided so as to be in contact with the bottom plate 8 in a state in which the plurality of heat conductive fillers 19 are packed most closely.
  • the heat conductive filler 19 that is not in direct contact with the bottom plate 8 is in contact with the bottom plate 8 indirectly through another heat conductive filler 19.
  • the heat generated in the wavelength conversion layer 2 by the irradiation of the excitation light L ⁇ b> 1 is quickly conducted to the heat conductive filler 19, conducted from the heat conductive filler 19 to the bottom plate 8, and diffused by the bottom plate 8.
  • heat can be diffused by the heat conductive filler 19. Therefore, it can suppress effectively that the wavelength conversion layer 2 deteriorates and blackens by heat.
  • heat conductive filler 19 may not be close-packed and may be provided so as to be in direct or indirect contact with the bottom plate 8.
  • the thickness of the layer constituting the heat conductive filler 19 is preferably 10 ⁇ m or more, more preferably 30 ⁇ m or more, further preferably 50 ⁇ m or more, and particularly preferably 100 ⁇ m or more. Further, the thickness of the layer constituting the heat conductive filler 19 is preferably 400 ⁇ m or less, more preferably 350 ⁇ m or less, further preferably 300 ⁇ m or less, particularly preferably 250 ⁇ m or less, and 200 ⁇ m. Most preferably:
  • the heat conductive filler 19 may be further dispersed in the resin matrix 3. In this way, the heat generated in the wavelength conversion layer 2 can be diffused more efficiently and radiated to the outside of the package 5.
  • the heat conductive filler 19 may be provided on the heat dissipation layer in the second embodiment. That is, the transparent heat radiating portion 14 may include the bottom plate 8, the heat radiating layer, and the heat conductive filler 19.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a wavelength conversion member according to a fourth embodiment of the present invention.
  • another transparent heat radiating portion 15 is also provided on the light emitting side of the wavelength conversion layer 2.
  • the transparent heat radiation part 15 can be configured in the same manner as the transparent heat radiation part 11.
  • the transparent heat radiating portion 15 is provided inside the side wall 6 of the package 5.
  • Other configurations are the same as those of the first embodiment.
  • another transparent heat radiating portion 15 is also provided on the light emitting side of the wavelength conversion layer 2, so that the heat generated in the wavelength conversion layer 2 by the irradiation of the excitation light L 1 is transferred to the transparent heat radiating portion 11. And it can diffuse effectively in the transparent thermal radiation part 15, and can further suppress that the wavelength conversion layer 2 deteriorates and blackens by heat.
  • the transparent heat radiating portion 15 is provided separately from the lid member 7, but the lid material 7 may function as a transparent heat radiating portion.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a light emitting device using the wavelength conversion member according to the first embodiment of the present invention.
  • the light emitting device 30 includes the wavelength conversion member 21 of the first embodiment and the light emitting unit 31 provided on the transparent heat radiating unit 11 side of the package 5.
  • the light emitting unit 31 emits excitation light L1.
  • the light emitting unit 31 has a case member 35.
  • the case member 35 has an opening 35a.
  • a light source 34 that emits excitation light L ⁇ b> 1 is disposed on the bottom 35 b in the case member 35.
  • the light source 34 is sealed by the resin layer 32 in the case member 35.
  • the opening 35 a of the case member 35 is sealed by the transparent heat radiating part 11 of the package 5.
  • excitation light L ⁇ b> 1 is emitted from the light source 34 sealed in the resin layer 32.
  • the excitation light L1 passes through the transparent heat radiating part 11 and is emitted to the wavelength conversion layer 2.
  • the phosphor 4 in the wavelength conversion layer 2 converts the wavelength of the excitation light L1 and emits fluorescence.
  • the combined light L2 of the fluorescence emitted from the phosphor 4 and the excitation light L1 transmitted through the wavelength conversion layer 2 is emitted from the light emitting device 30 through the lid member 7.
  • the light source 34 for example, an LED light source or an LD light source that emits blue light as excitation light L1 is used.
  • the case member 35 can be made of the same material as that of the side wall 6 of the package 5.
  • the resin constituting the resin layer 32 the same resin as the resin of the resin matrix 3 can be used.
  • the material of the transparent heat radiating portion 11 in the light emitting device 30 is one that transmits the excitation light L1 and has a higher thermal conductivity than the resin that constitutes the resin matrix 3 of the wavelength conversion layer 2 and the resin that constitutes the resin layer 32. If there is, it can be used without any particular limitation.
  • the transparent heat radiating portion 11 is located between the wavelength conversion layer 2 and the resin layer 32. Therefore, the heat generated in the wavelength conversion layer 2 by the irradiation of the excitation light L1 can be diffused by the transparent heat radiating portion 11, and the wavelength conversion layer 2 can be prevented from being deteriorated and blackened by the heat.
  • the heat generated in the wavelength conversion layer 2 can be efficiently radiated to the outside of the light emitting device 30 through the transparent heat radiating portion 11.
  • the transparent heat radiation part 11 can also diffuse the heat in the resin layer 32 generated by the irradiation of the excitation light L1.
  • the difference in refractive index between the transparent heat radiation part 11 and the resin constituting the resin layer 32 is preferably 0.4 or less, more preferably 0.3 or less, and 0.2 or less. Further preferred. By reducing the difference in refractive index, the reflection of the excitation light L1 at the interface between the transparent heat radiation part 11 and the resin layer 32 can be reduced, and the light emission efficiency and the light extraction efficiency can be increased.
  • the transparent heat radiating portion 11 is provided so as to be in contact with the resin layer 32, but is not limited thereto, and a gap may be formed between the transparent heat radiating portion 11 and the resin layer 32.
  • the manufacturing method of the wavelength conversion member 21 is demonstrated.
  • a bottom plate is prepared as the transparent heat dissipating part 11 and the side wall 6 is provided on the bottom plate.
  • the package 5 having the transparent heat radiating portion 11 is formed.
  • a resin for the resin matrix 3 before curing for forming the wavelength conversion layer 2 is introduced on the transparent heat radiating portion 11 in the package 5.
  • the phosphor 4 is dispersed and contained in the resin for the resin matrix 3 before curing.
  • the wavelength conversion layer 2 is formed by curing the resin for the resin matrix 3.
  • the package 5 is sealed with the lid member 7.
  • the wavelength conversion member 21 of the first embodiment can be manufactured.
  • the heat dissipation layer 17 is formed on the bottom plate 8 in the process of forming the package 5.
  • the side wall 6 is provided on the bottom plate 8 through the heat dissipation layer 17.
  • the subsequent steps are the same as the steps in the method for manufacturing the wavelength conversion member 21 of the first embodiment.
  • the heat dissipation layer 18 is formed on a part of the bottom plate 8, and the side wall 6 is provided on the bottom plate 8. That's fine.
  • the heat conductive filler 19 is disposed on the bottom plate 8. At this time, the plurality of heat conductive fillers 19 are arranged, for example, in a close-packed manner.
  • the subsequent steps are the same as the steps in the method for manufacturing the wavelength conversion member 21 of the first embodiment.
  • the package 5 is formed in the same manner as the method of manufacturing the wavelength conversion member 21 of the first embodiment.
  • a resin for the resin matrix 3 before curing for forming the wavelength conversion layer 2 is introduced on the transparent heat radiating portion 11 in the package 5.
  • the resin matrix 3 is cured.
  • the package 5 is sealed with the lid member 7 provided with the transparent heat radiating portion 15 on the surface.
  • a case member 35 having an opening 35 a is prepared, and the light source 34 is disposed on the bottom 35 b in the case member 35.
  • the resin for the resin layer 32 before curing is introduced into the case member 35, and the light source 34 is covered with the resin for the resin layer 32.
  • the resin for the resin layer 32 is cured to form the light emitting portion 31.
  • the wavelength conversion member 21 is formed by the method described above. Next, the transparent heat radiating part 11 and the case member 35 are joined so that the transparent heat radiating part 11 of the wavelength conversion member 21 seals the opening 35 a of the case member 35.
  • the light emitting device 30 can be manufactured as described above.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

蛍光体を含む樹脂が熱により劣化し黒色化するのを抑制することができる波長変換部材及び発光デバイスを提供する。　パッケージ５と、パッケージ５内に設けられている波長変換層２とを備え、波長変換層２が、樹脂マトリクス３と、樹脂マトリクス３中に分散されており、励起光Ｌ１を波長変換する蛍光体４とを有し、パッケージ５が、励起光Ｌ１の入射側に位置する透明放熱部１１を有することを特徴としている。

Description

波長変換部材及び発光デバイス
　本発明は、波長変換部材並びに上記波長変換部材及びＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）やＬＤ（Ｌａｓｅｒ　Ｄｉｏｄｅ）等の励起光源を用いた発光デバイスに関するものである。
　近年、蛍光ランプや白熱灯に代わる次世代の光源として、ＬＥＤやＬＤを用いた発光デバイス等に対する注目が高まってきている。そのような次世代光源の一例として、青色光を出射するＬＥＤと、ＬＥＤからの光の一部を吸収して黄色光に変換する波長変換部材とを組み合わせた発光デバイスが開示されている。この発光デバイスは、ＬＥＤから出射され、波長変換部を透過した青色光と、波長変換部から出射された黄色光との合成光である白色光を発する。特許文献１には、波長変換部の一例として、パッケージ内に、蛍光体を分散させた樹脂が配置された波長変換部が開示されている。
特開２０１５－２２０３３０号公報
　本発明者らは、蛍光体を含む樹脂からなる波長変換部を用いた場合、長時間使用すると熱により樹脂が劣化し黒色化して、発光強度が低下するという課題があることを見出した。
　本発明の目的は、蛍光体を含む樹脂が熱により劣化し黒色化するのを抑制することができる波長変換部材及び発光デバイスを提供することにある。
　本発明の波長変換部材は、パッケージと、パッケージ内に設けられている波長変換層とを備え、波長変換層が、樹脂マトリクスと、樹脂マトリクス中に分散されており、励起光を波長変換する蛍光体とを有し、パッケージが、励起光の入射側に位置する透明放熱部を有することを特徴としている。
　本発明においては、透明放熱部の熱伝導率が０．８Ｗ／ｍＫ以上であることが好ましい。
　本発明においては、透明放熱部と、樹脂マトリクスを構成する樹脂との屈折率の差が、０．４以下であることが好ましい。なお、本明細書において、屈折率は波長５８７ｎｍにおける値を指す。
　本発明においては、パッケージが、励起光の入射側に位置する底板を有し、透明放熱部が、底板と、底板の上に設けられる放熱層とを含んでいてもよい。
　本発明においては、パッケージが、励起光の入射側に位置する底板を有し、透明放熱部が、底板と、底板の上に設けられる熱伝導フィラーとを含んでいてもよい。
　本発明においては、波長変換層の光出射側にも、別の透明放熱部が設けられていてもよい。
　本発明においては、波長変換層が光拡散材を有していてもよい。
　本発明においては、光拡散材の平均粒子径が５μｍ以下であることが好ましい。
　本発明においては、樹脂マトリクスを構成する樹脂と、光拡散材の屈折率の差が０．４以下であることが好ましい。
　本発明においては、波長変換層における光拡散材の含有量が１０質量％以上であることが好ましい。
　本発明においては、樹脂マトリクスを構成する樹脂と、光拡散材の密度差が１ｇ／ｃｍ３以下であることが好ましい。
　本発明の波長変換部材は、パッケージと、パッケージ内に設けられている波長変換層とを備え、波長変換層が、樹脂マトリクスと、樹脂マトリクス中に分散されており、励起光を波長変換する蛍光体と、平均粒子径が５μｍ以下の光拡散材とを有することを特徴としている。
　本発明の発光デバイスは、上記本発明の波長変換部材と、パッケージの透明放熱部側に設けられており、励起光を出射する発光部とを備えることを特徴としている。
　本発明においては、発光部が、開口部を有するケース部材と、ケース部材内における底部に配置される、励起光を出射する光源と、ケース部材内に設けられており、光源を封止する樹脂層とを有し、ケース部材の開口部が、パッケージの透明放熱部により封止されていることが好ましい。
　本発明においては、透明放熱部と、樹脂層を構成する樹脂との屈折率の差が、０．４以下であることが好ましい。
　本発明においては、波長４５０ｎｍ～６３０ｎｍに発光ピークを有し、前記発光ピークの波長の半値幅が５０ｎｍ以下であることが好ましい。
　本発明においては、波長変換部材の光出射側直上方向の出射光の色度をＣｘ、光出射側直上方向に対し６０°の方向の出射光の色度をＣｘ６０とした場合、Ｃｘ６０／Ｃｘ≦５であることが好ましい。
　本発明に係る波長変換部材及び発光デバイスによれば、蛍光体を含む樹脂が熱により劣化し黒色化するのを抑制することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態の波長変換部材を示す模式的断面図である。 図２は、本発明の第２の実施形態の波長変換部材を示す模式的断面図である。 図３は、本発明の第２の実施形態の変形例の波長変換部材を示す模式的断面図である。 図４は、本発明の第３の実施形態の波長変換部材を示す模式的断面図である。 図５は、本発明の第４の実施形態の波長変換部材を示す模式的断面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態の波長変換部材を用いた発光デバイスを示す模式的断面図である。
　以下、好ましい実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示であり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照する場合がある。
　（波長変換部材）
　（第１の実施形態）
　図１は、本発明の第１の実施形態の波長変換部材を示す模式的断面図である。図１に示すように、本実施形態の波長変換部材２１は、パッケージ５と、パッケージ５内に設けられる波長変換層２とを備えている。波長変換層２は、樹脂マトリクス３と、樹脂マトリクス３中に分散されている蛍光体４とを有する。蛍光体４は、粒子の形態で樹脂マトリクス３中に含まれている。
　パッケージ５は、底板と、底板の上に設けられている側壁６とを有する。本実施形態では、底板は透明放熱部１１である。パッケージ５は、透明放熱部１１とは反対側において開口している。側壁６の上には蓋材７が設けられている。パッケージ５の開口部５ａは、蓋材７により封止されている。なお、底板は複数層の透明放熱部１１で構成されていてもよい。
　波長変換部材２１は、透明放熱部１１側から入射する励起光Ｌ１を波長変換する。より具体的には、励起光Ｌ１は、透明放熱部１１を通り、波長変換層２に出射される。波長変換層２内の蛍光体４は、励起光Ｌ１を波長変換し、蛍光を出射する。蛍光体４から出射された蛍光と、波長変換層２を透過した励起光Ｌ１との合成光Ｌ２が、蓋材７を通り波長変換部材２１から出射される。励起光Ｌ１が青色光である場合、例えば、黄色光が蛍光体４から蛍光として出射され、励起光Ｌ１と蛍光の合成光Ｌ２として白色光が出射される。あるいは、励起光Ｌ１が青色光である場合に、蛍光体４として緑色光を出射するものと赤色光を出射するものを混合して使用することにより、励起光Ｌ１と蛍光の合成光Ｌ２として白色光が出射される。
　励起光Ｌ１は、蛍光体４を励起して蛍光を出射させるとともに、その一部は熱エネルギーに変換される。このため、波長変換層２における樹脂マトリクス３は、励起光Ｌ１の照射により加熱される。本発明者らは、この熱により樹脂マトリクス３が劣化し波長変換層２が黒色化して発光強度が低下するという問題があることを見出した。また、この熱により、波長変換層２に含まれる蛍光体４の発光特性も低下する。
　本実施形態では、パッケージ５が、励起光Ｌ１の入射側に位置する透明放熱部１１を有する。このため、波長変換層２内で生じた熱を拡散し、またパッケージ５の外部へ放熱することができ、波長変換層２内で局所的に加熱されるのを抑制することができる。特に、励起光Ｌ１のエネルギー分布は通常中心部において高くなっているので、励起光Ｌ１の中心部において発生する熱エネルギーも大きくなる傾向がある。そのため、波長変換層２における励起光Ｌ１の入射側に透明放熱部１１を配置することにより、励起光Ｌ１の中心部において生じた熱を周辺部に拡散し、またパッケージ５の外部へ放熱することができる。従って、本実施形態では、波長変換層２が熱により劣化し黒色化するのを抑制することができ、発光強度が低下するのを抑制することができる。
　透明放熱部１１の材料には、励起光Ｌ１（さらには蛍光体４から出射する蛍光）を透過し、かつ波長変換層２の樹脂マトリクス３を構成する樹脂より高い熱伝導率を有するものであれば、特に限定されることなく用いることができる。透明放熱部１１の熱伝導率は０．８Ｗ／ｍＫ以上、０．９Ｗ／ｍＫ以上、１Ｗ／ｍＫ以上、１．２Ｗ／ｍＫ以上、１．５Ｗ／ｍＫ以上、３Ｗ／ｍＫ以上、５Ｗ／ｍＫ以上、特に１０Ｗ／ｍＫ以上であることが好ましい。それによって、波長変換層２において生じた熱をより一層効率的に拡散することができる。なお、透明放熱部１１が複数層から構成される場合は、その各層の熱伝導率が上記範囲を満たすことが好ましい。透明放熱部１１が複数層から構成される場合、最大厚みを有する層の熱伝導率を最も大きくすることが好ましい。その場合、最大厚みを有する層が樹脂マトリクス３側に配置されるようにすると、波長変換層２内で生じた熱を効果的に拡散し、またパッケージ５の外部へ効果的に放熱することができる。
　このような材料として、ガラス及びセラミックが挙げられる。ガラスやセラミックは水分や酸素が透過し難いため、波長変換層２に含まれる蛍光体４が劣化し難く、波長変換部材２１の信頼性を高めることができる。ガラスとしては、例えば、ＳｉＯ２－Ｂ２Ｏ３－ＲＯ（ＲはＭｇ、Ｃａ、ＳｒまたはＢａ）系ガラス、ＳｉＯ２－Ｂ２Ｏ３－Ｒ’２Ｏ（Ｒ’はＬｉ、ＮａまたはＫ）系ガラスまたはＳｉＯ２－Ｂ２Ｏ３－ＲＯ－Ｒ’２Ｏ系ガラス等が挙げられる。ＳｉＯ２－Ｂ２Ｏ３－ＲＯ系ガラスとしては、例えば日本電気硝子株式会社製の「ＯＡ－１０Ｇ」（熱伝導率１Ｗ／ｍＫ）が好適である。セラミックとしては、高熱伝導性セラミックを用いることができる。高熱伝導性セラミックとしては、例えば、酸化アルミニウム系セラミック、窒化アルミニウム系セラミック、炭化ケイ素系セラミック、窒化ホウ素系セラミック、酸化マグネシウム系セラミック、酸化チタン系セラミック、酸化ニオビウム系セラミック、酸化亜鉛系セラミック、酸化イットリウム系セラミック等が挙げられる。
　本実施形態のように、透明放熱部１１がパッケージ５の底板である場合、透明放熱部１１の厚みは、励起光Ｌ１の透過性、熱伝導性及び機械的強度等を考慮して適宜決定することができる。透明放熱部１１の厚みは、例えば、０．００１ｍｍ～１ｍｍの範囲であることが好ましく、０．０１ｍｍ～０．５ｍｍの範囲であることがより好ましく、０．０５ｍｍ～０．２ｍｍの範囲であることがさらに好ましい。なお、透明放熱部１１の厚みを小さくすることにより、透明放熱部１１の側面から光が漏れることを抑制することができる。
　透明放熱部１１の波長４００ｎｍ～８００ｎｍにおける平均透過率は、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがさらに好ましい。平均透過率が小さくなると、光取り出し効率が低下しやすくなる。
　波長変換層２の樹脂マトリクス３としては、例えば、透光性を有する紫外線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等の硬化性樹脂が用いられる。具体的には、例えば、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂等を用いることができる。
　透明放熱部１１と、樹脂マトリクス３を構成する樹脂との屈折率（ｎｄ）の差は、０．４以下であることが好ましく、０．３以下であることがより好ましく、０．２以下であることがさらに好ましい。屈折率の差を小さくすることにより、透明放熱部１１と波長変換層２との界面における励起光Ｌ１の反射を低減することができ、発光効率及び光の取り出し効率を高めることができる。なお、後述する第２の実施形態の波長変換部材２２及びその変形例においては、透明放熱部１２，１３を構成する放熱層１７，１８と、樹脂マトリクス３を構成する樹脂との屈折率の差が上記範囲内であることが好ましい。また、後述する第３の実施形態の波長変換部材２４においては、透明放熱部１４を構成する熱伝導フィラー１９と、樹脂マトリクス３を構成する樹脂との屈折率の差が上記範囲内であることが好ましい。
　波長変換層２に含まれる蛍光体４としては、例えば、量子ドットを用いることができる。量子ドットとしては、ＩＩ－ＶＩ族化合物、及びＩＩＩ－Ｖ族化合物等が挙げられる。ＩＩ－ＶＩ族化合物としては、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ等が挙げられる。ＩＩＩ－Ｖ族化合物としては、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＡｓまたはＩｎＳｂ等が挙げられる。これらの化合物から選択される少なくとも１種、またはこれらのうちの２種以上の複合体を量子ドットとして用いることができる。複合体としては、コアシェル構造のものが挙げられ、例えばＣｄＳｅ粒子表面がＺｎＳによりコーティングされたコアシェル構造のものが挙げられる。量子ドットは発光スペクトルにおける発光ピークがシャープであるという特徴がある。そのため、量子ドットを例えば直下型ディスプレイ用光源に使用した場合、鮮明な画像を得ることが可能となる。具体的には、蛍光体として量子ドットを用いた場合、波長４５０ｎｍ～６３０ｎｍに発光ピークを有し、発光ピークの波長の半値幅が５０ｎｍ以下である発光デバイスを得ることができる。
　蛍光体４は、量子ドットに限定されるものではなく、例えば、酸化物蛍光体、窒化物蛍光体、酸窒化物蛍光体、塩化物蛍光体、酸塩化物蛍光体、硫化物蛍光体、酸硫化物蛍光体、ハロゲン化物蛍光体、カルコゲン化物蛍光体、アルミン酸塩蛍光体、ハロリン酸塩化物蛍光体またはガーネット系化合物蛍光体等の無機蛍光体粒子等を用いてもよい。
　なお、出射光（励起光Ｌ１と蛍光との合成光Ｌ２）は、出射角度によって色の分布が異なる（色度むら）場合がある。具体的には、励起光Ｌ１が一定の指向性を有する場合、波長変換部材２１の光出射側直上方向の出射光は励起光Ｌ１の色味が強くなり、一方で、波長変換部材２１の光出射側直上方向から外れた方向の出射光は蛍光の色味が強くなる。波長変換部材２１の光出射側に光拡散板を設置することにより色度むらを抑制することも考えられるが、この場合発光強度が低下する傾向がある。そこで、波長変換層２に光拡散材を含有させることが好ましい。このようにすれば、発光強度の低下を抑制しつつ、出射光の色度むらを抑制することができる。例えば、波長変換部材の光出射側直上方向の出射光の色度をＣｘ、光出射側直上方向に対し６０°の方向の出射光の色度をＣｘ６０とした場合、Ｃｘ６０／Ｃｘの値が５以下、４以下、３以下、さらには２以下である発光デバイスを得ることができる。光拡散材としては、シリカ、アルミナ、ジルコニア等の無機粒子が挙げられる。
　特に、蛍光体４として量子ドットを用いた場合は、量子ドットは粒径が非常に小さく光散乱効果がほとんどないため、出射光の色度むらが大きくなる傾向がある。そのため、波長変換層２に光拡散材を含有させることによる色度むら抑制の効果が得やすい。
　光拡散材の平均粒子径（Ｄ５０）は５μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以下であることがより好ましく、３μｍ以下であることがさらに好ましく、２μｍ以下であることが特に好ましい。光拡散材の平均粒子径が大きすぎると、光拡散効果が不十分となり、色度むらが発生しやすくなる。一方、光拡散材の平均粒子径は０．３μｍ以上であることが好ましく、０．５μｍ以上であることがより好ましく、０．７μｍ以上であることがさらに好ましく、０．９μｍ以上であることが特に好ましい。光拡散材の平均粒子径が小さすぎると、レイリー散乱が優勢となり、出射光に波長依存性が生じ、かえって色度むらが大きくなる傾向がある。
　樹脂マトリクス３を構成する樹脂と、光拡散材の屈折率の差は０．４以下、０．３以下、０．２以下、０．１以下、０．０５以下、特に０．０３以下であることが好ましく、０．００１以上、０．００３以上、特に０．００５以上であることが好ましい。当該屈折率の差が大きすぎると、後方散乱光（光入射側に散乱される光）の成分が多くなり、発光効率が低下する傾向がある。一方、当該屈折率の差が小さすぎると、光拡散効果が不十分となり、出射光の色度むらが大きくなる傾向がある。
　波長変換層２における光拡散材の含有量は１０質量％以上であることが好ましく、２０質量％以上であることがより好ましく、３０質量％以上であることがさらに好ましく、４０質量％以上であることが特に好ましい。光拡散材の含有量が少なすぎると、光拡散効果が不十分となり、出射光の色度むらが大きくなる傾向がある。一方、波長変換層２における光拡散材の含有量は９０質量％以下であることが好ましく、８０質量％以下であることがより好ましく、７０質量％以下であることがさらに好ましく、６０質量％以下であることが特に好ましい。光拡散材の含有量が多すぎると、後方散乱光の成分が多くなり、発光効率が低下する傾向がある。また、出射光の色度むらがかえって大きくなる傾向がある。
　樹脂マトリクス３を構成する樹脂と、光拡散材の密度差が１ｇ／ｃｍ３以下であることが好ましく、０．８ｇ／ｃｍ３以下であることがより好ましく、０．５ｇ／ｃｍ３以下であることがさらに好ましく、０．３ｇ／ｃｍ３以下であることが特に好ましい。当該密度差が大きすぎると、樹脂マトリクス３中で光拡散材が沈降し、所望の光拡散効果が得にくくなる。
　なお、光拡散材による効果を確認するため、下記の条件で図１に示す波長変換部材を実験例として作製し、光拡散材の含有量を変化させた際の出射光の色度を測定した。結果を表１に示す。表１に示す通り、波長変換層に光拡散材を含有させることにより、出射光の色度むらの発生を大幅に抑制できることがわかる。
　（実験例の波長変換部材の構成）
　蓋材７及び透明放熱部１１：ＳｉＯ２－Ｂ２Ｏ３－ＲＯ系ガラス（日本電気硝子株式会社製「ＯＡ－１０Ｇ」、厚み０．１ｍｍ）
　側壁６：酸化アルミニウムとＳｉＯ２－ＣａＯ－Ａｌ２Ｏ３系ガラスの焼結体からなるガラスセラミック（厚み０．６ｍｍ）
　蛍光体４：ＣｄＳｅ／ＺｎＳのコアシェル構造の量子ドット蛍光体
　蛍光体４の含有量：０．５質量％
　光拡散材：シリカ粒子（日本電気硝子株式会社製「ファインスフィア」、平均粒子径（Ｄ５０）１．５μｍ）　樹脂マトリクス３を構成する樹脂：エポキシ樹脂
　パッケージ５の外寸：３．７ｍｍ×３．７ｍｍ×０．８ｍｍ
　（色度測定試験）
　上記の波長変換部材を光源（励起波長４６２ｎｍのＬＥＤチップ）の上に設置した。光源から励起光を波長変換部材に照射し、波長変換部材の光源とは反対側の面（光出射面）から出射された光の色度を測定した。具体的には、波長変換部材の光出射面から約１５ｍｍの位置にスクリーンを設置し、スクリーン上に現れた光照射スポットの色度分布を測定した。光照射スポットにおける色度の平均値（Ｃｘ）と、光照射スポットにおける色度の最大値と最小値の差（＝色度むら）を算出した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　パッケージ５の側壁６は、例えば、セラミックやガラス等から構成することができる。セラミックとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ジルコニア、ムライト等が挙げられる。また、セラミックは、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ）等のガラスセラミックであってもよい。側壁６がＬＴＣＣからなると、波長変換層２内で生じた熱をパッケージ５の外部へ効果的に放熱することができる。ＬＴＣＣの具体例としては、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化アルミニウム等の無機粉末とガラス粉末との焼結体等が挙げられる。ガラスとしては、例えば、ＳｉＯ２－Ｂ２Ｏ３－ＲＯ（ＲはＭｇ、Ｃａ、ＳｒまたはＢａ）系ガラス、ＳｉＯ２－Ｂ２Ｏ３－Ｒ’２Ｏ（Ｒ’はＬｉ、ＮａまたはＫ）系ガラス、ＳｉＯ２－Ｂ２Ｏ３－ＲＯ－Ｒ’２Ｏ系ガラス、ＳｎＯ－Ｐ２Ｏ５系ガラス、ＴｅＯ２系ガラスまたはＢｉ２Ｏ３系ガラス等が挙げられる。側壁６の厚みは０．５ｍｍ以下であることが好ましく、０．３ｍｍ以下であることがより好ましい。それによって、波長変換部材２１の小型化を図ることができる。一方、側壁６の厚みは０．１５ｍｍ以上であることが好ましい。それによって、波長変換部材２１の機械的強度を高めることができる。
　蓋材７は、例えば、ガラス等の透明材料から構成することができる。ガラスとしては、パッケージ５の側壁６を構成する上記ガラスと同様の材料を用いることができる。蓋材７の厚みは、機械的強度を考慮し、０．００１ｍｍ以上であることが好ましく、０．０１ｍｍ以上であることがより好ましく、０．０５ｍｍ以上であることがさらに好ましい。一方、励起光Ｌ１の透過性を考慮し、蓋材７の厚みは１ｍｍ以下であることが好ましく、０．５ｍｍ以下であることがより好ましく、０．２ｍｍ以下であることがさらに好ましい。また、蓋材７の厚みを小さくすることにより、蓋材７の側面から光が漏れることを抑制することができる。
　本実施形態においては、波長変換層２における励起光Ｌ１の入射側に透明放熱部１１が配置されているので、励起光Ｌ１の照射により波長変換層２に生じた熱を透明放熱部１１で拡散することができ、波長変換層２が熱により劣化し黒色化するのを抑制することができる。
　本実施形態では、波長変換層２が透明放熱部１１と接するように設けられているが、これに限定されるものではなく、波長変換層２と透明放熱部１１との間に隙間が形成されていてもよい。
　（第２の実施形態）
　図２は、本発明の第２の実施形態の波長変換部材を示す模式的断面図である。図２に示すように、本実施形態においては、底板８の上に放熱層１７が設けられている。透明放熱部１２は、底板８及び放熱層１７により構成されている。パッケージ５の側壁６は、放熱層１７を介して底板８の上に設けられている。その他の構成は、第１の実施形態と同様である。
　放熱層１７は、例えば窒化アルミニウム、酸化マグネシウム等の熱伝導性膜からなる。
　放熱層１７の厚みは、励起光Ｌ１の透過性及び熱伝導性等を考慮して適宜決定することができる。放熱層１７の厚みは、例えば、１ｎｍ～１５μｍの範囲であることが好ましく、１０ｎｍ～１０μｍの範囲であることがより好ましく、０．１μｍ～５μｍの範囲であることがさらに好ましい。
　波長変換部材２２においては、励起光Ｌ１の照射により波長変換層２に生じた熱を、放熱層１７によって拡散することができるため、波長変換層２が熱により劣化し黒色化するのを効果的に抑制することができる。なお、底板８として、第１の実施形態における透明放熱部１１を使用することにより、より一層熱の拡散効果を高めることができる。
　本実施形態では、放熱層１７は底板８上の全面に設けられている。これにより、放熱性を効果的に高めることができる。なお以下に示すように、放熱層１７は、底板８上の一部に設けられていてもよい。
　図３は、本発明の第２の実施形態の変形例の波長変換部材を示す模式的断面図である。図３に示すように、波長変換部材２３においては、放熱層１８は、パッケージ５の側壁６の内側に位置するように設けられている。放熱層１８は、励起光Ｌ１の照射領域を覆うように設けられていることが好ましい。放熱層１８の面積は、励起光Ｌ１の照射領域の面積の１．１倍以上であることが好ましく、１．３倍以上であることがより好ましく、１．５倍以上であることがさらに好ましく、２倍以上であることがなお好ましく、３倍以上であることが特に好ましく、４倍以上であることが最も好ましい。これにより、波長変換層２内で生じた熱を、放熱層１８を含む透明放熱部１３によって効果的に拡散することができる。
　本変形例においては、放熱層１８は、少なくとも周縁部の一部がパッケージ５の側壁６に接していることが好ましい。このようにすれば、発生した熱を外部に効率的に放出することができる。
　（第３の実施形態）
　図４は、本発明の第３の実施形態の波長変換部材を示す模式的断面図である。図４に示すように、本実施形態においては、底板８の上に熱伝導フィラー１９が設けられている。透明放熱部１４は、底板８及び熱伝導フィラー１９により構成されている。その他の構成は、第１の実施形態と同様である。
　熱伝導フィラー１９の熱伝導率は０．８Ｗ／ｍＫ以上、０．９Ｗ／ｍＫ以上、１Ｗ／ｍＫ以上、１．２Ｗ／ｍＫ以上、１．５Ｗ／ｍＫ以上、３Ｗ／ｍＫ以上、５Ｗ／ｍＫ以上、特に１０Ｗ／ｍＫ以上であることが好ましい。それによって、波長変換層２によって生じた熱をより一層効果的に拡散することができる。
　熱伝導フィラー１９には、例えば、ガラスや、二酸化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化ニオビウム、酸化亜鉛、アルミニウム、銀等からなるものを用いることができる。熱伝導フィラー１９の形状は特に限定されず、球状等の粉末形状やファイバー形状が挙げられる。
　波長変換部材２４においては、複数の熱伝導フィラー１９が最密充填された状態において、底板８に接するように設けられている。複数の熱伝導フィラー１９のうち、底板８に直接的に接していない熱伝導フィラー１９は、他の熱伝導フィラー１９を介して間接的に底板８に接している。これにより、励起光Ｌ１の照射により波長変換層２に生じた熱は速やかに熱伝導フィラー１９に伝導し、熱伝導フィラー１９から底板８に伝導し、底板８により拡散される。なお、熱伝導フィラー１９により熱を拡散させることもできる。従って、波長変換層２が熱により劣化し黒色化するのを効果的に抑制することができる。
　なお、熱伝導フィラー１９は最密充填されていなくともよく、底板８に直接的または間接的に接するように設けられていればよい。
　熱伝導フィラー１９が構成する層の厚みは、１０μｍ以上であることが好ましく、３０μｍ以上であることがより好ましく、５０μｍ以上であることがさらに好ましく、１００μｍ以上であることが特に好ましい。また、熱伝導フィラー１９が構成する層の厚みは、４００μｍ以下であることが好ましく、３５０μｍ以下であることがより好ましく、３００μｍ以下であることがさらに好ましく、２５０μｍ以下であることが特に好ましく、２００μｍ以下であることが最も好ましい。
　熱伝導フィラー１９はさらに樹脂マトリクス３中にも分散されていてもよい。このようにすれば、波長変換層２内で生じた熱をより一層効率的に拡散し、またパッケージ５の外部へ放熱することができる。
　熱伝導フィラー１９は、第２の実施形態における放熱層の上に設けられていてもよい。すなわち、透明放熱部１４は、底板８、放熱層及び熱伝導フィラー１９を含んでいてもよい。
　（第４の実施形態）
　図５は、本発明の第４の実施形態の波長変換部材を示す模式的断面図である。図５に示すように、本実施形態においては、波長変換層２の光出射側にも、別の透明放熱部１５が設けられている。透明放熱部１５は、透明放熱部１１と同様にして構成することができる。なお、透明放熱部１５は、パッケージ５における側壁６の内側に設けられている。その他の構成は、第１の実施形態と同様である。
　波長変換部材２５においては、波長変換層２の光出射側にも、別の透明放熱部１５が設けられているので、励起光Ｌ１の照射により波長変換層２に生じた熱を透明放熱部１１及び透明放熱部１５で効果的に拡散することができ、波長変換層２が熱により劣化し黒色化するのをさらに抑制することができる。
　本実施形態では、蓋材７とは別に透明放熱部１５を設けているが、蓋材７を透明放熱部として機能させてもよい。
　（発光デバイス）
　図６は、本発明の第１の実施形態の波長変換部材を用いた発光デバイスを示す模式的断面図である。図６に示すように、発光デバイス３０は、第１の実施形態の波長変換部材２１と、パッケージ５の透明放熱部１１側に設けられている発光部３１とを備える。発光部３１は励起光Ｌ１を出射する。
　より具体的には、発光部３１はケース部材３５を有する。ケース部材３５は開口部３５ａを有する。ケース部材３５内における底部３５ｂには、励起光Ｌ１を出射する光源３４が配置されている。光源３４は、ケース部材３５内において、樹脂層３２によって封止されている。図６に示すように、ケース部材３５の開口部３５ａは、パッケージ５の透明放熱部１１により封止されている。
　発光デバイス３０においては、樹脂層３２に封止された光源３４から励起光Ｌ１が出射される。励起光Ｌ１は透明放熱部１１を通り、波長変換層２に出射される。波長変換層２内の蛍光体４は、励起光Ｌ１を波長変換し、蛍光を出射する。蛍光体４から出射された蛍光と、波長変換層２を透過した励起光Ｌ１との合成光Ｌ２が、蓋材７を通り発光デバイス３０から出射される。
　光源３４としては、例えば、青色光を励起光Ｌ１として出射するＬＥＤ光源やＬＤ光源等が用いられる。ケース部材３５には、パッケージ５の側壁６と同様の材料を用いることができる。樹脂層３２を構成する樹脂には、樹脂マトリクス３の樹脂と同様のものを用いることができる。
　発光デバイス３０における透明放熱部１１の材料には、励起光Ｌ１を透過し、かつ波長変換層２の樹脂マトリクス３を構成する樹脂及び樹脂層３２を構成する樹脂より高い熱伝導率を有するものであれば、特に限定されることなく用いることができる。
　本実施形態においては、波長変換層２と樹脂層３２との間に透明放熱部１１が位置している。よって、励起光Ｌ１の照射により波長変換層２に生じた熱を透明放熱部１１で拡散することができ、波長変換層２が熱により劣化し黒色化するのを抑制することができる。
　加えて、波長変換層２に生じた熱を、透明放熱部１１を通じて発光デバイス３０の外部に効率的に放熱することができる。なお、透明放熱部１１は、励起光Ｌ１の照射で生じた樹脂層３２内の熱も拡散することができる。
　透明放熱部１１と、樹脂層３２を構成する樹脂との屈折率の差は、０．４以下であることが好ましく、０．３以下であることがより好ましく、０．２以下であることがさらに好ましい。屈折率の差を小さくすることにより、透明放熱部１１と樹脂層３２との界面における励起光Ｌ１の反射を低減することができ、発光効率及び光の取り出し効率を高めることができる。
　本実施形態では、透明放熱部１１が樹脂層３２と接するように設けられているが、これに限定されるものではなく、樹脂層３２との間に隙間が形成されていてもよい。
　（波長変換部材の製造方法）
　図１を参照して、波長変換部材２１の製造方法を説明する。透明放熱部１１としての底板を用意し、上記底板の上に側壁６を設ける。これにより、透明放熱部１１を有するパッケージ５を形成する。次に、パッケージ５内の透明放熱部１１の上に、波長変換層２を形成するための硬化前の樹脂マトリクス３用の樹脂を導入する。硬化前の樹脂マトリクス３用の樹脂には、蛍光体４が分散して含まれている。次に、樹脂マトリクス３用の樹脂を硬化させて波長変換層２を形成する。次に、蓋材７によりパッケージ５を封止する。
　以上のようにして、第１の実施形態の波長変換部材２１を製造することができる。
　図２に示す第２の実施形態の波長変換部材２２を製造する場合においては、パッケージ５を形成する工程において、底板８の上に放熱層１７を形成する。次に、放熱層１７を介して、底板８の上に側壁６を設ける。その後の工程は、第１の実施形態の波長変換部材２１の製造方法における工程と同様である。なお、図３に示す第２の実施形態の変形例の波長変換部材２３を製造する場合においては、底板８上の一部に放熱層１８を形成し、底板８の上に側壁６を設ければよい。
　図４に示す第３の実施形態の波長変換部材２４を製造する場合においては、底板８の上に側壁６を設けた後に、底板８の上に熱伝導フィラー１９を配置する。このとき、複数の熱伝導フィラー１９を例えば最密充填して配置する。その後の工程は、第１の実施形態の波長変換部材２１の製造方法における工程と同様である。
　図５に示す第４の実施形態の波長変換部材２５を製造する場合においては、第１の実施形態の波長変換部材２１の製造方法と同様に、パッケージ５を形成する。次に、パッケージ５内の透明放熱部１１の上に、波長変換層２を形成するための硬化前の樹脂マトリクス３用の樹脂を導入する。次に、樹脂マトリクス３を硬化させる。次に、表面に透明放熱部１５が設けられた蓋材７によりパッケージ５を封止する。
　（発光デバイスの製造方法）
　図６を参照して、発光デバイス３０の製造方法を説明する。開口部３５ａを有するケース部材３５を用意し、ケース部材３５内における底部３５ｂの上に光源３４を配置する。次に、硬化前の樹脂層３２用の樹脂をケース部材３５内に導入し、光源３４を樹脂層３２用の樹脂で覆う。次に、樹脂層３２用の樹脂を硬化させて発光部３１を形成する。
　一方で、上述した方法により、波長変換部材２１を形成する。次に、波長変換部材２１の透明放熱部１１によりケース部材３５の開口部３５ａを封止するように、透明放熱部１１とケース部材３５とを接合する。
　以上のようにして、発光デバイス３０を製造することができる。
２…波長変換層
３…樹脂マトリクス
４…蛍光体
５…パッケージ
５ａ…開口部
６…側壁
７…蓋材
８…底板
１１，１２，１３，１４，１５…透明放熱部
１７，１８…放熱層
１９…熱伝導フィラー
２１，２２，２３，２４，２５…波長変換部材
３０…発光デバイス
３１…発光部
３２…樹脂層
３４…光源
３５…ケース部材
３５ａ…開口部
３５ｂ…底部
Ｌ１…励起光
Ｌ２…合成光

Claims (17)

  1. 　パッケージと、
    　前記パッケージ内に設けられている波長変換層と、
    を備え、
    　前記波長変換層が、樹脂マトリクスと、前記樹脂マトリクス中に分散されており、励起光を波長変換する蛍光体とを有し、
    　前記パッケージが、前記励起光の入射側に位置する透明放熱部を有する、波長変換部材。
  2. 　前記透明放熱部の熱伝導率が０．８Ｗ／ｍＫ以上である、請求項１に記載の波長変換部材。
  3. 　前記透明放熱部と、前記樹脂マトリクスを構成する樹脂との屈折率の差が、０．４以下である、請求項１または２に記載の波長変換部材。
  4. 　前記パッケージが、前記励起光の入射側に位置する底板を有し、
    　前記透明放熱部が、前記底板と、前記底板の上に設けられる放熱層とを含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の波長変換部材。
  5. 　前記パッケージが、前記励起光の入射側に位置する底板を有し、
    　前記透明放熱部が、前記底板と、前記底板の上に設けられる熱伝導フィラーとを含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の波長変換部材。
  6. 　前記波長変換層の光出射側にも、別の透明放熱部が設けられている、請求項１～５のいずれか一項に記載の波長変換部材。
  7. 　前記波長変換層が光拡散材を有する、請求項１～６のいずれか一項に記載の波長変換部材。
  8. 　前記光拡散材の平均粒子径が５μｍ以下である、請求項７に記載の波長変換部材。
  9. 　前記樹脂マトリクスを構成する樹脂と、前記光拡散材の屈折率の差が０．４以下である、請求項７または８に記載の波長変換部材。
  10. 　前記波長変換層における前記光拡散材の含有量が１０質量％以上である、請求項７～９のいずれか一項に記載の波長変換部材。
  11. 　前記樹脂マトリクスを構成する樹脂と、前記光拡散材の密度差が１ｇ／ｃｍ３以下である、請求項７～１０のいずれか一項に記載の波長変換部材。
  12. 　パッケージと、
    　前記パッケージ内に設けられている波長変換層と、
    を備え、
    　前記波長変換層が、樹脂マトリクスと、前記樹脂マトリクス中に分散されており、励起光を波長変換する蛍光体と、平均粒子径が５μｍ以下の光拡散材とを有する、波長変換部材。
  13. 　請求項１～１２のいずれか一項に記載の波長変換部材と、
    　前記パッケージの前記透明放熱部側に設けられており、前記励起光を出射する発光部と、
    を備える、発光デバイス。
  14. 　前記発光部が、開口部を有するケース部材と、前記ケース部材内における底部に配置される、前記励起光を出射する光源と、前記ケース部材内に設けられており、前記光源を封止する樹脂層とを有し、
    　前記ケース部材の前記開口部が、前記パッケージの前記透明放熱部により封止されている、請求項１３に記載の発光デバイス。
  15. 　前記透明放熱部と、前記樹脂層を構成する樹脂との屈折率の差が、０．４以下である、請求項１４に記載の発光デバイス。
  16. 　波長４５０ｎｍ～６３０ｎｍに発光ピークを有し、前記発光ピークの波長の半値幅が５０ｎｍ以下である、請求項１３～１５のいずれか一項に記載の発光デバイス。
  17. 　前記波長変換部材の光出射側直上方向の出射光の色度をＣｘ、前記光出射側直上方向に対し６０°の方向の出射光の色度をＣｘ６０とした場合、Ｃｘ６０／Ｃｘ≦５である、請求項１３～１６のいずれか一項に記載の発光デバイス。
PCT/JP2018/003993 2017-03-10 2018-02-06 波長変換部材及び発光デバイス WO2018163691A1 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-045688 2017-03-10
JP2017045688 2017-03-10
JP2017140507A JP2018151610A (ja) 2017-03-10 2017-07-20 波長変換部材及び発光デバイス
JP2017-140507 2017-07-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018163691A1 true WO2018163691A1 (ja) 2018-09-13

Family

ID=63448676

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/003993 WO2018163691A1 (ja) 2017-03-10 2018-02-06 波長変換部材及び発光デバイス

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2018163691A1 (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004179644A (ja) * 2002-11-12 2004-06-24 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源
WO2010123052A1 (ja) * 2009-04-22 2010-10-28 シーシーエス株式会社 発光装置
JP2011035198A (ja) * 2009-08-03 2011-02-17 Ccs Inc Ｌｅｄ発光デバイスの製造方法
JP2013207049A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Nec Corp 波長変換体を用いた発光装置
WO2015178223A1 (ja) * 2014-05-21 2015-11-26 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びそれを用いた発光装置
JP2016046262A (ja) * 2014-08-22 2016-04-04 大日本印刷株式会社 表示装置
JP2017027019A (ja) * 2015-07-22 2017-02-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光源装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004179644A (ja) * 2002-11-12 2004-06-24 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源
WO2010123052A1 (ja) * 2009-04-22 2010-10-28 シーシーエス株式会社 発光装置
JP2011035198A (ja) * 2009-08-03 2011-02-17 Ccs Inc Ｌｅｄ発光デバイスの製造方法
JP2013207049A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Nec Corp 波長変換体を用いた発光装置
WO2015178223A1 (ja) * 2014-05-21 2015-11-26 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びそれを用いた発光装置
JP2016046262A (ja) * 2014-08-22 2016-04-04 大日本印刷株式会社 表示装置
JP2017027019A (ja) * 2015-07-22 2017-02-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光源装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10879434B2 (en) Quantum dot-based color-converted light emitting device and method for manufacturing the same
US8610340B2 (en) Solid-state light emitting devices and signage with photoluminescence wavelength conversion
JP7277804B2 (ja) 発光装置及び光源
WO2009107535A1 (ja) 白色ｌｅｄランプ、バックライト、発光装置、表示装置および照明装置
KR102102699B1 (ko) 양자점-기반 색-변환형 발광 디바이스 및 이를 제조하기 위한 방법
WO2017038164A1 (ja) 発光装置
TW201608005A (zh) 波長轉換構件及使用其之發光裝置
JP6457225B2 (ja) 発光装置
CN107887490B (zh) 发光装置
US8348468B2 (en) Light emitting device
TWI788436B (zh) 波長轉換構件及其之製造方法、與發光裝置
JP2016225581A (ja) 波長変換部材及びそれを用いた発光装置
JP2009070892A (ja) Ｌｅｄ光源
CN112166354A (zh) 波长转换元件以及光源装置
JP6741102B2 (ja) 発光装置
JP2018151610A (ja) 波長変換部材及び発光デバイス
WO2019116916A1 (ja) 波長変換部材及びその製造方法、並びに発光装置
WO2018163691A1 (ja) 波長変換部材及び発光デバイス
JP6848582B2 (ja) 波長変換部材及び発光デバイス
JP2018018871A (ja) 波長変換部材及び発光デバイス
WO2018155167A1 (ja) 発光デバイス及びその製造方法
WO2018074170A1 (ja) 発光デバイス
JP2019029648A (ja) 波長変換部材及び発光装置
WO2021132212A1 (ja) 波長変換部材、発光素子及び発光装置
WO2020246239A1 (ja) 波長変換部材及び発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18764756

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18764756

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1