TWI543407B - A flip chip type light emitting diode and a method for manufacturing the same - Google Patents

A flip chip type light emitting diode and a method for manufacturing the same Download PDF

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Description

覆晶式發光二極體及其製造方法
本發明係關於一種覆晶式發光二極體及其製造方法，特別是關於一種可降低成本並提升散熱效率之覆晶式發光二極體及其製造方法。
與傳統光源相比，由於發光二極體(LED)具有高的發光效率和低的能源損耗，其已被廣泛地使用來作為光源。在實際的應用上，發光二極體裝置係由複數發光二極體以串聯或並聯的方式被組裝於同一基板上所形成，以達到發光的效果。然而，在複數發光二極體產生光的同時，還產生了大量的熱，特別是當複數發光二極體以高密度被組裝在同一基板上時，若熱聚積在基板上而無法被有效地被發散出去，將對發光二極體裝置造成不良的影響。
目前已知有被稱作覆晶(flip-chip)的發光二極體結構。此種覆晶式發光二極體結構主要是將發光二極體晶片的正極和負極設置在其面向電路基板的表面，並透過焊接的方式使發光二極體晶片的正極和負極分別直接與電路基板接觸，此時，發光二極體晶片發光所產生的熱將 透過其正極和負極經由焊料、導線銅箔、絕緣油墨、金屬或陶瓷的基板本體所形成的導熱路徑，傳導至散熱結構後發散出去，此導熱路徑所形成的熱阻較高，無法達到最佳的散熱效果。此外，由於上述這種電路基板的構造包含許多元件，其製造的過程較為複雜，成本亦難以減少。
為了解決上述的問題，本發明之目的在於提供一種可降低成本並提升散熱效率之覆晶式發光二極體及其製造方法。
根據本發明的第一態樣係提供一種覆晶式發光二極體，其包括第一金屬片、第二金屬片、絕緣接合材料以及發光二極體晶片。第一金屬片與第二金屬片之間具有一間隙，絕緣接合材料係注入到此間隙當中並被固化，以將第一金屬片與第二金屬片接合在一起。固化後的絕緣接合材料具有一頂面，其係與第一金屬片與第二金屬片的頂面齊平。發光二極體晶片透過焊料分別與第一金屬片之頂面和第二金屬片之頂面接合，其中，發光二極體晶片具有一正極和一負極，其分別與第一金屬片與第二金屬片電連接。
根據本發明的第二態樣係提供一種製造覆晶式發光二極體的方法，該方法包括：提供在短邊方向上彼此間隔排列的複數長條金屬片，任兩個相鄰長條金屬片之間具有一間隙；將絕緣接合材料分別注入到複數長條金屬 片之間的間隙中；固化絕緣接合材料以將複數長條金屬片接合在一起；以及提供複數發光二極體晶片，每一個發光二極體晶片係透過焊料固定於被接合的該等長條金屬片之任兩個相鄰長條金屬片的頂面上，其中，每一發光二極體晶片的正極和負極係分別電連接到此兩個相鄰長條金屬片。
根據本發明的第三態樣係提供一種製造覆晶式發光二極體的方法，該方法包括：在金屬片上沿著第一方向形成相互分離的複數條間隙；將絕緣材料注入金屬片的複數條間隙當中；提供複數發光二極體晶片，每一發光二極體晶片之正極與負極係透過焊料被分別接合到金屬片的頂面且分別位於金屬片的其中一間隙之兩側；以及切割複數發光二極體晶片被接合於其上的金屬片。
根據本發明的第四態樣係提供一種製造覆晶式發光二極體的方法，該方法包括：提供封裝體，封裝體中包括複數發光二極體晶片，每一個發光二極體晶片的正極與負極係從封裝體的一側面暴露出來；以及在封裝體之側面形成導體，其中，每一個發光二極體晶片的正極與負極係相互絕緣。
根據本發明的第五態樣係提供一種製造覆晶式發光二極體的方法，該方法包括：在金屬片的一側面上的預定位置設置相互分離的焊料；在金屬片的側面上提供複數發光二極體晶片，每一發光二極體晶片具有正極和負極，且每一個發光二極體晶片的正極與負極分別與金屬片 的側面上的焊料接觸；透過焊料使複數發光二極體晶片接合到金屬片的側面上；將封裝膠施加到金屬片的側面上，以使複數發光二極體晶片被封裝於其中，並形成封裝體；在相對於金屬片的側面之另一側面上形成具有圖案化開口的遮罩部；以及透過圖案化開口對金屬片進行蝕刻以形成電路圖案，並在正極與負極之間形成絕緣部。
根據本發明的第六態樣係提供一種製造覆晶式發光二極體的方法，該方法包括：提供至少一封裝體，其包括封裝在其中之至少一個發光二極體晶片，發光二極體晶片的正極與負極從封裝體的一側面暴露出來，且封裝體的側面上還形成有分隔部，分隔部位在發光二極體晶片的正極與負極之間；以及在封裝體的側面之側設置至少兩金屬片，兩金屬片配置為透過焊料分別與發光二極體晶片的正極與負極接合，並將形成在封裝體的側面的分隔部夾於兩金屬片之間，且發光二極體晶片的正極與負極藉由分隔部相互絕緣。
根據本發明的第七態樣係提供一種覆晶式發光二極體，其包括封裝體及導體層。封裝體封裝有具有正極與負極之發光二極體晶片，正極與負極從封裝體的一側面暴露出來，導體層設置在封裝體的側面上且接觸正極與負極，導體層具有電路圖案以及使正極與負極相互絕緣的絕緣部。
根據本發明的第八態樣係提供一種覆晶式發光二極體，其包括具有電路圖案的金屬片、設置於金屬片 上的發光二極體晶片、以及設置於金屬片上且圍繞發光二極體晶片的封裝材料。金屬片的表面上的預定位置處設置有相互分離的焊料，發光二極體晶片的正極與負極分別藉由相互分離的焊料與金屬片接合。金屬片中還包括絕緣部，其配置為使得發光二極體晶片的正極與負極相互絕緣。
根據本發明的第九態樣係提供一種覆晶式發光二極體，其包括封裝體、絕緣部、以及兩金屬片。封裝體中封裝有具有正極和負極的至少一個發光二極體晶片，正極和負極從封裝體的側面暴露出來。絕緣部設置在封裝體的側面上，且被配置在正極和負極之間的位置處。兩金屬片設置在封裝體的側面上且位在絕緣部的兩相對側，兩金屬片分別接觸發光二極體晶片的正極和負極。
關於本發明更詳細之說明與優點，請參照以下的實施方式及圖式。
1、2、3、4、5、6‧‧‧覆晶式發光二極體
11、21‧‧‧第一金屬片
12、22‧‧‧第二金屬片
13‧‧‧絕緣接合材料
11A、12A、13A‧‧‧頂面
14‧‧‧發光二極體晶片
15、150‧‧‧間隙
16‧‧‧焊料
21A、22A‧‧‧底面
30、40、50、60‧‧‧封裝體
31、41‧‧‧第一金屬層
32、42‧‧‧第二金屬層
33、43、53‧‧‧絕緣部
35、45、55、65‧‧‧發光二極體晶片
39、49、59、69‧‧‧封裝材料
47、47A‧‧‧導熱絕緣層
47B‧‧‧額外的導熱絕緣膠
51、61‧‧‧金屬片
52、62‧‧‧焊料
63‧‧‧分隔部
100‧‧‧長條金屬片
190、290‧‧‧覆晶式發光二極體的一維串聯陣列
191‧‧‧正極
192‧‧‧負極
195‧‧‧正極金屬片
196‧‧‧負極金屬片
197‧‧‧金屬片
210、220‧‧‧散熱結構
300、400、500、600‧‧‧封裝體
301、401、601‧‧‧封裝體的側面
330、340、530‧‧‧感光膠層
331‧‧‧遮罩
332、532‧‧‧感光膠層的圖案化開口
341‧‧‧分隔部
351、451、551、651‧‧‧正極
352、452、552、652‧‧‧負極
470‧‧‧導熱絕緣層的圖案化開口
510‧‧‧金屬片的側面
511‧‧‧金屬片的另一側面
1000、1001‧‧‧發光二極體裝置
圖1為根據本發明之第一實施例的覆晶式發光二極體之立體示意圖；圖2為圖1之側視示意圖；圖3A至3E為用於說明製造根據本發明之第一實施例的覆晶式發光二極體的方法的步驟的示意圖；圖4A為由根據本發明之第一實施例的覆晶式發光二 極體所組成的一維串聯陣列之立體示意圖；圖4B為圖4A之側視示意圖；圖5為根據本發明之第二實施例的覆晶式發光二極體及其所組成的一維串聯陣列之立體示意圖；圖6為根據本發明之一種發光二極體裝置的示意圖；圖7為根據本發明之另一種發光二極體裝置的示意圖；圖8為根據本發明之第三實施例的覆晶式發光二極體之立體示意圖；圖9為沿著圖8的線A-A所取之剖面示意圖；圖10為根據本發明之封裝體的立體示意圖；圖11A至11G為用於說明製造根據本發明之第三實施例的覆晶式發光二極體的第一種方法的步驟的示意圖；圖12為說明切割路徑的示意圖；圖13A至13F為用於說明製造根據本發明之第三實施例的覆晶式發光二極體的第二種方法的步驟的示意圖；圖14為圖13C的立體示意圖；圖15為根據本發明之第四實施例的覆晶式發光二極體之立體示意圖；圖16為沿著圖15的線C-C所取之剖面示意圖；圖17A及17B為用於說明製造根據本發明之第四實施例的覆晶式發光二極體的第一種方法的步驟的示意圖；圖18A至18D為用於說明製造根據本發明之第四實施例的覆晶式發光二極體的第二種方法的步驟的示意圖； 圖19為根據本發明之第五實施例的覆晶式發光二極體之立體示意圖；圖20為沿著圖19的線D-D所取之剖面示意圖；圖21A至21F為用於說明製造根據本發明之第五實施例的覆晶式發光二極體的方法的步驟的示意圖；圖22為根據本發明之第六實施例的覆晶式發光二極體之立體示意圖；圖23為沿著圖22的線E-E所取之剖面示意圖；以及圖24A及24B為用於說明製造根據本發明之第六實施例的覆晶式發光二極體的方法的步驟的示意圖。
[第一實施例]
圖1及圖2顯示根據本發明之第一實施例的覆晶式發光二極體。圖1為根據本發明之第一實施例的覆晶式發光二極體之立體示意圖，且圖2為圖1之側視示意圖。
參閱圖1及圖2，根據本發明之第一實施例的覆晶式發光二極體1包括第一金屬片11、第二金屬片12、絕緣接合材料13以及發光二極體晶片14。第一金屬片11與第二金屬片12係透過絕緣接合材料13被接合在一起，其中，絕緣接合材料13被注入到第一金屬片11與第二金屬片12之間的間隙15中且在此間隙15中被固化。固化後的絕緣接合材料13之頂面13A係與第一金屬 片11的頂面11A與第二金屬片12的頂面12A齊平。發光二極體晶片14分別藉由焊料16與第一金屬片11之頂面11A和第二金屬片12之頂面12A接合，且其正極(未示)和負極(未示)分別與第一金屬片11與第二金屬片12電連接。
用於注入到第一金屬片11與第二金屬片12之間的間隙15之絕緣接合材料13較佳係可使用環氧樹脂、矽膠或其他適合的材料，此等材料可藉由光(例如，紫外光等)照射或其他的方式而被固化。
注意，如圖2所示，由於發光二極體晶片14係透過焊料16接合到第一金屬片11和第二金屬片12，發光二極體晶片14與第一、第二金屬片11、12及絕緣接合材料13之間係形成有一空間。為了達到避免光二極體晶片14所產生的熱聚積在此空間當中，較佳地可使用填縫材料(未示)來將此空間填滿。
圖3A至圖3D顯示製造根據本發明之第一實施例的覆晶式發光二極體的方法的步驟的示意圖。
首先，如圖3A所示，在支撐構造(未示)上提供複數長條金屬片100，其在長條金屬片100的短邊方向上(如圖3A中之箭頭A所示)彼此間隔排列，使得任兩個相鄰長條金屬片100之間具有間隙150。此間隙150的寬度可對應於發光二極體晶片的正極和負極之間的距離。需注意的是，在此步驟中所使用的複數長條金屬片100可由其上形成有多個間隙之一整片的金屬板(未示) 來替代，亦可達到相同之效果。
接著，如圖3B所示，將絕緣接合材料13(例如：環氧樹脂或矽膠)分別注入到複數長條金屬片100之間的間隙150中，並以熱固化或UV固化等的適當的方式來固化絕緣接合材料13，以將複數長條金屬片100接合在一起，並使相鄰的兩長條金屬片100相互絕緣。此外，在使用環氧樹脂來作為絕緣接合材料13的情況下，複數長條金屬片100較佳係可被設置在表面具有環氧樹脂離型片的支撐構造上，以使得被固化的環氧樹脂接合在一起的複數長條金屬片100能夠輕易地從支撐構造上脫離。
接下來，在被接合的複數長條金屬片100上預定的位置處形成要與發光二極體晶片之正、負極連接之連接部(例如，圖1及2所示之焊料)的步驟。此步驟可包括將具有對應於發光二極體晶片之正、負極之位置和大小的圖案之印刷鋼板套用到被接合的長條金屬片100上、經由此印刷鋼板將作為焊料的錫膏塗佈到被接合的複數長條金屬片100上、以及移除印刷鋼板。此時，被塗佈到被接合的複數長條金屬片100上的錫膏即形成連接部。
隨後，如圖3C所示，將複數發光二極體晶片14設置到被接合在一起的複數長條金屬片100上，每一個發光二極體晶片14被放置在對應連接部(錫膏)的位置上。接著，例如，藉由迴焊的方式，將每一個發光二極體晶片14固定到被接合的該等長條金屬片100之任兩個相鄰長條金屬片100的頂面上，且其中，每一發光二極體 晶片14的正極和負極(未示)分別與這兩個相鄰長條金屬片100電連接。
接下來，如圖3D所示，沿著平行於長條金屬片100的短邊方向之切割方向(如圖3D中之箭頭B所示)，將被接合的複數長條金屬片100切割，以形成複數覆晶式發光二極體的一維串聯陣列190。此步驟係可藉由雷射切割或水刀切割等的設備來達成，但並不以此為限。
最後，如圖3E所示，經由進一步地切割此覆晶式發光二極體的一維串聯陣列190，將可得到如圖1及圖2所示之本發明的第一實施例之覆晶式發光二極體1。
根據本發明上述之製造根據本發明之第一實施例的覆晶式發光二極體的方法，在將絕緣接合材料13分別注入到複數長條金屬片100之間的間隙150中時，絕緣接合材料13的量較佳地被控制為使得固化的絕緣接合材料13具有與複數長條金屬片100之頂面齊平的頂面。
需注意的是，雖然本發明上述之製造方法係主要用於製造覆晶式發光二極體，但只要在將發光二極體晶片連接到被接合的複數長條金屬片的步驟中，加入藉由打線設備將金線等引線連接到被接合的複數長條金屬片上的對應位置之步驟，本發明上述之製造方法亦可應用於製造一般垂直式或水平式之發光二極體。
圖4A及圖4B為根據本發明之第一實施例的覆晶式發光二極體1的一維串聯陣列190之示意圖。
如圖4A及圖4B所示，根據本發明之第一實 施例的覆晶式發光二極體的一維串聯陣列190包括相互連接之以一維串聯陣列的方式排列的複數覆晶式發光二極體1。其中，任一個覆晶式發光二極體1的第一金屬片11係連接到相鄰的另一個覆晶式發光二極體1的第二金屬片12。
從上述所揭露之內容，熟知本領域技術人士能夠理解的是，本發明之覆晶式發光二極體的一維串聯陣列190不但能夠是由複數覆晶式發光二極體1相互連接而成，且亦能夠直接採用如圖3D所示之覆晶式發光二極體的一維串聯陣列190。在後者的情況中，任一個覆晶式發光二極體1的第一金屬片11係與相鄰的另一個覆晶式發光二極體1的第二金屬片12為一體成型的(亦即，由圖3A至3D中所示之同一長條金屬片100所形成)。
藉此，使用者可依據需求直接採用藉由根據本發明上述之製造覆晶式發光二極體的方法所製成的覆晶式發光二極體的一維串聯陣列190(如圖3D所示)、或是採用此覆晶式發光二極體的一維串聯陣列190所切割而成的覆晶式發光二極體1(如圖3E所示)、或是採用複數覆晶式發光二極體1相互連接成覆晶式發光二極體的一維串聯陣列190(如圖4A及4B所示)、或是進一步地將複數覆晶式發光二極體的一維串聯陣列190結合成一發光二極體裝置(如圖6及圖7所示)使用(參見後面圖6及圖7之詳細說明)。
綜上所述，根據本發明的第一實施例所提供 之覆晶式發光二極體及其製造方法，由於本發明之覆晶式發光二極體僅需藉由固化的絕緣接合材料來將相鄰的金屬片接合固定在一起，而不需透過基板或其他的元件來連接，且發光二極體晶片係經由連接部(焊料，例如，錫膏)直接與金屬片電連接，因此，相較於習知包括具有導線銅箔、絕緣油墨、金屬或陶瓷的基板本體的電路基板之覆晶式發光二極體，本發明之僅通過焊料和金屬片來將發光二極體晶片產生的熱散發出去之覆晶式發光二極體確實可以有效地降低其整體的熱阻，達到更佳的散熱效果。此外，由於本發明之覆晶式發光二極體的構造十分簡單，其還具有能大幅降低發光二極體的製造成本之優勢。
[第二實施例]
圖5為根據本發明之第二實施例的覆晶式發光二極體及其所組成的一維串聯陣列之立體示意圖。
如圖5所示，本發明之第二實施例的覆晶式發光二極體2係具備與本發明之第一實施例的覆晶式發光二極體1大致相同的構造，其不同之處在於，本發明之第二實施例的覆晶式發光二極體2之第一金屬片21和第二金屬片22分別具有從其底面21A、22A向外延伸之散熱結構210、220。此散熱結構210、220較佳為一種從第一金屬片21和第二金屬片22的底面21A、22A垂直地向外延伸之散熱鰭片，且其係分別與第一金屬片21和第二金屬片22為一體成型的。此外，類似於本發明的第一實施 例之覆晶式發光二極體的一維串聯陣列190，本發明之第二實施例的覆晶式發光二極體2亦可被連接在一起以形成另一種覆晶式發光二極體的一維串聯陣列290。
此外，有關於此覆晶式發光二極體2及其所組成的一維串聯陣列290的製造方法，可採用類似於上述第一實施例的製造方法，其不同之處僅在於使用具有散熱結構之長條金屬片來取代如圖3A至圖3D所示之不具有散熱結構之長條金屬片100。
據此，根據本發明的第二實施例所提供之覆晶式發光二極體及其一維串聯陣列，除了具備如同本發明上述之第一實施例的覆晶式發光二極體之優勢外，還可藉由其中的散熱結構來增加散熱的面積，達到更佳的散熱效果，以避免所產生的熱對發光二極體造成不良的影響。需注意的是，儘管本發明的第二實施例所提供之覆晶式發光二極體係採用鰭片式的散熱結構來使散熱面積增加，但本發明並不侷限於此。事實上，本領域技術人士能夠理解的是，在不考慮空間問題的情況下，亦可直接將第一金屬片和第二金屬片的面積加大來使散熱面積增加，以達到同樣的散熱效果。
[發光二極體裝置]
圖6及圖7分別為根據本發明之兩種不同的發光二極體裝置的示意圖。
如圖6所示，根據本發明之一種發光二極體 裝置1000係包括大致呈平行排列的複數覆晶式發光二極體的一維串聯陣列190，其中，每一個覆晶式發光二極體的一維串聯陣列190的正極191位在發光二極體裝置1000的一側且透過正極金屬片195相互連接，並且，每一個覆晶式發光二極體的一維串聯陣列190的負極192係位在發光二極體裝置1000的另一側且透過負極金屬片196相互連接。換言之，根據本發明的發光二極體裝置1000係為一種將複數覆晶式發光二極體的一維串聯陣列190並聯連接而具有大面積的發光二極體裝置。
如圖7所示，根據本發明之另一種發光二極體裝置1001係包括大致呈平行排列的複數覆晶式發光二極體的一維串聯陣列190，任一個覆晶式發光二極體的一維串聯陣列190的正極191和相鄰的另一個覆晶式發光二極體的一維串聯陣列190的負極192位在同一側，且透過金屬片197相互連接。換言之，根據本發明的發光二極體裝置1001係為一種將平行排列的複數覆晶式發光二極體的一維串聯陣列190串聯連接而具有大面積的發光二極體裝置。
需注意的是，僅管顯示在圖6及圖7的發光二極體裝置中係採用本發明之第一實施例的覆晶式發光二極體的一維串聯陣列190，但熟知本領域技術人士應可輕易理解，本發明之第二實施例的覆晶式發光二極體的一維串聯陣列290亦可被採用。除此之外，圖6及圖7的發光二極體裝置1000、1001分別包括三個覆晶式發光二極體 的一維串聯陣列190，但其數量事實上並不侷限於此，而是可根據使用上或設計上的需求增加或減少。此外，雖然在圖7所顯示的串聯連接之發光二極體裝置1001中，由於三個覆晶式發光二極體的一維串聯陣列190係為大致呈平行排列而使得發光二極體裝置1001呈現出矩形的形狀，但實際上，覆晶式發光二極體的一維串聯陣列190並非一定要以此平行的方式來排列，其亦可，例如，沿著縱向方向依序地排列並連接在一起，以形成另一種呈現出長條形狀的發光二極體裝置。
[第三實施例]
圖8及圖9顯示根據本發明之第三實施例的覆晶式發光二極體。圖8為根據本發明之第三實施例的覆晶式發光二極體的立體示意圖，且圖9為沿著圖8的線A-A所取之剖面示意圖。
參閱圖8及圖9，根據本發明之第三實施例的覆晶式發光二極體3包括封裝體30、第一金屬層31、第二金屬層32、以及絕緣部33。封裝體30包括被封裝在封裝材料39中的發光二極體晶片35，發光二極體晶片35具有正極351和負極352，其分別從封裝體30的側面暴露出來。第一金屬層31形成在封裝體30的側面上且分別與正極351和負極352接觸，第二金屬層32形成在第一金屬層31上。絕緣部33為形成在第一金屬層31和第二金屬層32中的間隙，用以使發光二極體晶片35的正極 351和負極352相互絕緣。
注意，雖然在本實施例中的覆晶式發光二極體3包括兩層金屬層(第一金屬層31及第二金屬層32)，但熟知本領域人士應可理解此兩層金屬層可由單一層或更多層的金屬層來取代，並且，形成在封裝體30的側面上的單一層或更多層的金屬層可具有電路圖案。此外，雖然在本實施例中僅顯示出封裝體30內包含封裝在封裝材料39中的發光二極體晶片35，但實際上，根據發光二極體設計上的需求，封裝材料39中亦可能封裝有與發光二極體晶片35一起運作的其他電子元件，例如，限流電阻、過電流保護元件、靜電保護電路等等。
接下來，將說明用於製造根據本發明之第三實施例的覆晶式發光二極體的兩種不同的方法
參閱圖10、圖11A至11G及圖12說明製造根據本發明之第三實施例的覆晶式發光二極體的第一種方法。圖10為封裝體300的立體示意圖。圖11A至11G為用於說明製造根據本發明之第三實施例的覆晶式發光二極體的第一種方法的步驟的示意圖。
首先，如圖10及11A所示，提供封裝體300，封裝體300包括呈矩陣狀排列的複數發光二極體晶片35，每一發光二極體晶片35的正極351和負極352從封裝體300的側面301暴露出來。
接著，如圖11B及11C所示，作為導電層的第一金屬層31(導電薄層)和第二金屬層32(導電厚 層)依序被形成在封裝體300的側面301上。具體而言，第一金屬層31為藉由蒸鍍法(Deposition)、濺鍍法(Sputtering)、離子束濺鍍法(Ion Beam Sputtering)、或化學鍍法(Chemical Plating)等的方式被直接形成在封裝體300的側面301上，並與每一發光二極體晶片35的正極351和負極352接觸。第二金屬層32為藉由電鍍法以第一金屬層31為導電層而形成在第一金屬層31上。
需注意的是，雖然在本實施例中是以由兩層金屬層(第一金屬層31及第二金屬層32)所組成的導電層為例，但並不侷限於此。例如，也可以僅在封裝體的側面上形成單一的金屬層來作為導電層。
參照圖11D至11G說明在作為導電層的第一金屬層31和第二金屬層32中形成絕緣部33及電路圖案(未示)的方法。首先，如圖11D所示，在第二金屬層32的外表面上形成感光膠層330，並且，如圖11E所示，藉由遮罩331以光刻法(photolithography)在感光膠層330中形成圖案化開口332。接著，如圖11F所示，透過感光膠層330中的圖案化開口332對第一金屬層31和第二金屬層32進行蝕刻，以在第一金屬層31和第二金屬層32中形成絕緣部33以及電路圖案(未示)，其中，絕緣部33係使得發光二極體晶片35的正極351和負極352相互絕緣。換言之，在此步驟中，具有圖案化開口332的感光膠層330係作為蝕刻遮罩而被使用。最後，如圖11G所示，將感光膠層330從第二金屬層32的外表面上移除。 至此，在封裝體300的側面301上係形成了具有絕緣部及電路圖案的導體。
注意，雖然本實施例乃是藉由光刻法在感光膠層中形成圖案化開口來作為蝕刻遮罩，但本發明並不侷限於此。例如，為了形成蝕刻遮罩供後續的蝕刻步驟使用，可藉由網印法直接將具有圖案化開口的感光膠層網印到第二金屬層的外表面上，並接著透過此圖案化開口對第一金屬層及第二金屬層進行蝕刻，亦可達到相同的效果。
此外，為了後續製程上的方便，透過感光膠層的圖案化開口對金屬層進行蝕刻的步驟，除了在第一金屬層和第二金屬層中形成絕緣部與電路圖案之外，如圖12所示，較佳還在第一金屬層和第二金屬層中形成了切割路徑，如圖式中之箭頭C和D所示，用於沿著此切割路徑切割封裝體，以形成覆晶式發光二極體3(參閱圖8及圖9)。然而，本實施例之方法並不一定需要形成切割路徑，事實上，在金屬層中形成切割路徑主要是為了使後續的切割製程更為容易(亦即，若在金屬層中形成有切割路徑，則僅需對封裝體進行切割)，但若未在金屬層中形成切割路徑，仍然可藉由適當的切割方式(例如，雷射切割、線割等)對封裝體及金屬層進行切割，以形成覆晶式發光二極體3。
注意，上述的切割步驟除了可形成如本發明之第三實施例的覆晶式發光二極體3外，類似於第一實施例，亦可形成覆晶式發光二極體的一維串聯陣列(未 示)，視應用上的需求而定。
另一方面，作為形成在封裝體的側面上的導體，除了利用如上所述之透過蝕刻遮罩將導電層蝕刻的方式來形成之外，也可以藉由網印法將導電材料(例如，銀漿)、導電膠(由高分子材料加上銀粉、鍍銀銅粉、石墨烯、奈米碳管等的導電材料所形成)等直接網印到封裝體的側面上，並藉由適當的固化方式(例如，高或低溫燒結法、熱固化法等)來形成具有電路圖案的導體。
接下來，參照圖10、圖12、圖13A至13F及圖14說明製造根據本發明之第三實施例的覆晶式發光二極體的第二種方法。圖13A至13F為顯示製造根據本發明之第三實施例的覆晶式發光二極體的步驟的示意圖，且圖14為圖13C的立體示意圖。
首先，如圖10及13A所示，提供封裝體300，封裝體300包括呈矩陣狀排列的複數發光二極體晶片35，每一發光二極體晶片35的正極351和負極352係從封裝體300的側面301暴露出來。
接著，如圖13B所示，在封裝體300的側面301上形成感光膠層340，並藉由光刻法使得在封裝體300的側面301上的感光膠層340形成分隔部341，如圖13C所示，其中，分隔部341至少形成在每一發光二極體晶片35的正極351和負極352之間的位置。較佳地，分隔部341還形成在封裝體300要被切割的切割路徑上。具體而言，形成在封裝體300的側面301上的分隔部341的 範例係如圖14所示。
接下來，如圖13D及13E所示，在封裝體300的側面301上於分隔部341所形成的位置以外的位置處依序形成作為導電層的第一金屬層31(導電薄層)和第二金屬層32(導電厚層)。注意，第一金屬層31和第二金屬層32係藉由與上述製造根據本發明之第三實施例的覆晶式發光二極體的第一種方法中用於形成第一金屬層31和第二金屬層32的方法之相同的方法來形成，此處不再贅述。此外，如同上述製造根據本發明之第三實施例的覆晶式發光二極體的第一種方法中所述，不一定需要形成第一金屬層和第二金屬層，亦可僅形成單一層的金屬層來作為導電層。
如圖13F所示，接著將分隔部341從封裝體300上移除，進而在第一金屬層31和第二金屬層32中形成絕緣部33，其中，絕緣部33係使得發光二極體晶片35的正極351和負極352相互絕緣。到此步驟為止，製造根據本發明之第三實施例的覆晶式發光二極體的第二種方法已製造出與第一種方法之圖11G相同的構造。最後，類似於第一種方法，此處的第二種方法亦可沿著如圖12所示之切割路徑(如箭頭C和箭頭D所示)進行切割步驟，以形成覆晶式發光二極體3(參閱圖8及圖9)。
注意，雖然在此分隔部341被說明為是由感光膠層340藉由光刻法形成在封裝體300的側面301上，但分隔部341形成的方法並不以此為限。例如，亦可藉由 網印法直接將感光膠或導熱絕緣膠網印到封裝體300的側面301上來形成分隔部341。然而，在藉由網印法直接將導熱絕緣膠網印到封裝體300的側面301上來形成分隔部341的情況下，由於導熱絕緣膠的存在將有助於排除發光二極體晶片35所產生的熱，因此，在形成金屬層的步驟之後，不需要執行如圖13F所示之移除步驟。
[第四實施例]
圖15及圖16顯示根據本發明之第四實施例的覆晶式發光二極體。圖15為根據本發明之第四實施例的覆晶式發光二極體的立體示意圖，且圖16為沿著圖15的線C-C所取之剖面示意圖。
參閱圖15及圖16，根據本發明之第四實施例的覆晶式發光二極體4包括封裝體40、第一金屬層41、第二金屬層42、絕緣部43以及導熱絕緣層47。封裝體40包括被封裝在封裝材料49中的發光二極體晶片45，發光二極體晶片45具有正極451和負極452，其分別從封裝體40的一側面暴露出來。第一金屬層41形成在封裝體40的側面上且分別與發光二極體晶片45的正極451和負極452接觸，且第二金屬層42形成在第一金屬層41上。絕緣部43為形成在第一金屬層41和第二金屬層42中的間隙，用以使發光二極體晶片45的正極451和負極452相互絕緣。導熱絕緣層47覆蓋第二金屬層42的外表面且延伸到絕緣部43中。
類似於第三實施例，雖然在第四實施例中的覆晶式發光二極體4包括兩層金屬層(第一金屬層41及第二金屬層42)，但熟知本領域人士應可理解此兩層金屬層可由單一層或更多層的金屬層來取代，並且，形成在封裝體40的側面上的單一層或更多層的金屬層可具有電路圖案。此外，雖然在第四實施例中僅顯示出封裝體40內包含封裝在封裝材料49中的發光二極體晶片45，但實際上，根據發光二極體設計上的需求，封裝材料49中亦可封裝有與發光二極體晶片45一起運作的其他電子元件，例如，限流電阻、過電流保護元件、靜電保護電路等等。
接下來，將說明用於製造根據本發明之第四實施例的覆晶式發光二極體的兩種不同的方法。
首先，由於本發明之第四實施例的覆晶式發光二極體4與本發明之第三實施例的覆晶式發光二極體3之間的差異僅在於第四實施例的覆晶式發光二極體4具有導熱絕緣層47，因此，製造本發明之第四實施例的覆晶式發光二極體4的第一種方法為先使用與製造本發明之第三實施例的覆晶式發光二極體之如圖11A至11G所示或如圖13A至13F所示之相同的步驟，製造出與圖11G或圖13F所示的結構相同的結構，如圖17A所示。
詳而言之，圖17A所示的結構包括封裝體400及其中的複數發光二極體晶片45、形成在封裝體400的側面401上第一金屬層41、形成在第一金屬層41上的 第二金屬層42、以及形成在第一金屬層41和第二金屬層42中的絕緣部43。
接著，將導電絕緣膠施加到第二金屬層42的外表面上以及施加到絕緣部43中，以形成導電絕緣層47，如圖17B所示。
最後，在形成如圖17B所示之結構之後，即可以如圖12所示之類似的方式進行切割作業，以得到如圖15及圖16所示之覆晶式發光二極體4。
接著，圖18A至18D顯示製造根據本發明之第四實施例的覆晶式發光二極體的第二種方法。
首先，使用與製造本發明之第三實施例的覆晶式發光二極體之如圖11A至11C所示之相同的步驟，先製造出與圖11C所示的結構相同的結構，如圖18A所示。圖18A所示的結構包括封裝體400及其中的複數發光二極體晶片45、形成在封裝體400的側面401上第一金屬層41、以及形成在第一金屬層41上的第二金屬層42。
接著，藉由網印法將導熱絕緣膠網印在第二金屬層42的外表面上，以形成具有圖案化開口470的導熱絕緣層47A，如圖18B所示。下一步，透過導熱絕緣層47A中的圖案化開口470對第一金屬層41和第二金屬層42進行蝕刻，以在第一金屬層41和第二金屬層42中形成絕緣部43以及電路圖案(未示)，如圖18C所示，其中，絕緣部43係使得發光二極體晶片45的正極451和負極452相互絕緣。
接下來，如圖18D所示，將額外的導熱絕緣膠47B施加到絕緣部43和導熱絕緣層47A的圖案化開口470中。較佳地，導熱絕緣膠層47A的材料係與額外的導熱絕緣膠47B相同，但並不以此為限。
最後，在完成如圖18D所示之步驟後，即可以如圖12所示之類似的方式進行切割作業，以得到如圖15及圖16所示之覆晶式發光二極體4。
[第五實施例]
圖19及圖20顯示根據本發明之第五實施例的覆晶式發光二極體。圖19為根據本發明之第五實施例的覆晶式發光二極體的立體示意圖，且圖20為沿著圖19的線D-D所取之剖面示意圖。
參閱圖19及圖20，根據本發明之第五實施例的覆晶式發光二極體5包括封裝體50、金屬片51、以及形成在金屬片51中的絕緣部53。封裝體50包括被封裝在封裝材料59中的發光二極體晶片55、以及與發光二極體晶片55的正極551和負極552接觸且相互分離的焊料52，焊料52分別從封裝體50的側面暴露出來。金屬片51上形成有電路圖案(未示)，且透過焊料52分別與發光二極體晶片55的正極551和負極552連接。絕緣部53為形成在金屬片51中的間隙，用以使發光二極體晶片55的正極551和負極552相互絕緣。
接下來，將參照圖21A至21F說明用於製造 根據本發明之第五實施例的覆晶式發光二極體的方法。
首先，如圖21A所示，藉由，例如，網印法，將焊料52設置於金屬片51的側面510上之預定位置處，此等焊料52為相互分離的。接著，如圖21B所示，以每一發光二極體晶片55的正極551和負極552分別與金屬片51的側面510上的焊料52接觸的方式，將複數發光二極體晶片55放置到金屬片51的側面510上，並藉由迴焊、加熱等適當的方式使金屬片51與每一發光二極體晶片55的正極551和負極552藉由焊料52被接合在一起。如圖21C所示，接著將封裝膠施加到金屬片51的側面510上，以將複數發光二極體晶片55、以及焊料52等封裝於其中，並形成封裝體500。
接下來，參照圖21D至21F說明在金屬片51中形成絕緣部53及電路圖案(未示)的方法。首先，如圖21D所示，藉由類似於上述實施例的光刻法或網印法，在相對於金屬片51的側面510之另一側面511上形成具有圖案化開口532的感光膠層530。接著，如圖21E所示，以具有圖案化開口532的感光膠層530作為蝕刻遮罩對金屬片51進行蝕刻，以在金屬片51中形成絕緣部53和電路圖案(未示)，其中，絕緣部53係使得發光二極體晶片55的正極551和負極552相互絕緣。接下來，將感光膠層530從金屬片51的另一側面511上移除，如圖21F所示。
最後，在得到如圖21F所示之結構之後，即 可以如圖12所示之類似的方式進行切割作業，以得到如圖19及圖20所示之覆晶式發光二極體5。
同樣地，雖然本實施例是以藉由光刻法或網印法形成在金屬片上的感光膠層作為蝕刻遮罩來蝕刻金屬片，但從上述其他實施例的說明，熟知本領域技術人士能夠輕易地藉由導熱絕緣層來替換感光膠層作為蝕刻金屬片用的蝕刻遮罩，並藉由適用於此導熱絕緣層的方式來形成導熱絕緣層，此處不再贅述。此外，為了提升散熱性，熟知本領域技術人士亦能夠輕易地設想到類似於上述第四實施例之導熱絕緣膠的應用。
[第六實施例]
圖22及圖23顯示根據本發明之第六實施例的覆晶式發光二極體。圖22為根據本發明之第六實施例的覆晶式發光二極體的立體示意圖，且圖23為沿著圖22的線E-E所取之剖面示意圖。
如圖22及圖23所示，根據本發明之第六實施例的覆晶式發光二極體6包括封裝體60、分隔部(絕緣部)63、以及兩金屬片61。封裝體60包括被封裝在封裝材料69中的發光二極體晶片65，發光二極體晶片65具有正極651和負極652，正極651和負極652從封裝體60的側面暴露出來。分隔部63設置在封裝體60的側面上，且位於發光二極體晶片65的正極651和負極652之間。兩金屬片61分別設置在分隔部63的兩相對側，且透 過焊料62分別與發光二極體晶片65的正極651和負極652接合。此時，分隔部63的存在是用於使發光二極體晶片65的正極651和負極652相互絕緣。
接下來，將參照圖24A及24B說明用於製造根據本發明之第六實施例的覆晶式發光二極體的方法。
首先，如圖624A所示，提供多個封裝體600，每一封裝體600中封裝有發光二極體晶片65，發光二極體晶片65的正極651和負極652係從封裝體600的側面601暴露出來。並且，在封裝體600的側面601上形成有分隔部63，其位在發光二極體晶片65的正極651和負極652之間。此外，在封裝體600的側面601上於分隔部63的兩相對側分別設置有焊料62，焊料62設置的位置大致對應於發光二極體晶片65的正極651和負極652。
應理解的是，此處所說明的多個封裝體可為由封裝有呈矩陣狀排列的多個發光二極體晶片的一個整體的封裝體(類似於圖10所顯示之封裝體)經切割而成的多個封裝體，並且，分隔部可為藉由網印法形成在此一個整體的封裝體的側面上的絕緣膠、藉由網印法或光刻法形成在此一個整體的封裝體的側面上的感光膠等，且與封裝體一起被切割，以形成如圖24A所示之多個分開的結構。此外，在本實施例中，被切割而成的每一個封裝體中可封裝有一個發光二極體晶片、或封裝有排成一列的多個發光二極體晶片。
接著，如圖24B所示，在封裝體600的側面601之側提供多片金屬片61，任兩片金屬片61配置成透過焊料62分別與從任一封裝體600的側面601暴露出來的發光二極體晶片65的正極651和負極652相接合，並將形成在任一封裝體600的側面601上的分隔部63夾於此兩片金屬片61之間。換言之，形成在任一封裝體600的側面601上的分隔部63在此時係作用來供兩金屬片61夾持定位。
此外，雖然在本實施例中，焊料62是設置在封裝體600的側面601上，但焊料62亦可能是設置在金屬片61上，亦即，只要能夠將金屬片61與封裝體600中的發光二極體晶片65的正極651和負極652接合，焊料62可設置在封裝體600的側面601上、或可設置在金屬片61之將與發光二極體晶片65的正極651和負極652接合的側面上。此外，分隔部63除了可作用來供兩金屬片61夾持定位之外，其亦可作用來防止焊料62在金屬片61與封裝體600中的發光二極體晶片65的正極651和負極652相接合時發溢漏，進而避免短路的情況發生。
注意，雖然在上述製造方法中係以多個封裝體600及多片金屬片61為例，但並不以此為限。例如，亦可僅提供一個封裝體600，且以兩片金屬片61從分隔部63的兩相對側將形成在封裝體600的側面601上的分隔部63夾於其中，並使此兩片金屬片61分別與封裝體600中的發光二極體晶片65的正極651和負極652相接 觸。
此外，為了達到更佳的散熱效果，在形成如圖24B所示之結構之後，類似於上述其他實施例所描述的，可在金屬片61及分隔部63的外表面上施加導熱絕緣膠(未示)。或者，類似於本發明之第二實施例，金屬片61可為具有從其底面向外延伸之散熱結構(例如，散熱鰭片)的金屬片。
最後，可藉由類似於圖12所示之方式進行切割作業，以得到如圖22及圖23所示之覆晶式發光二極體6。
從以上所述的數個實施例中可理解到，本發明所提出之覆晶式發光二極體只須具備與發光二極體晶片的正極和負極連接的導體(例如，金屬片、金屬層等)，而不需像傳統的覆晶式發光二極體還必須具備基板或其他的元件，故能夠有效地降低覆晶式發光二極體整體的熱阻，達到更佳的散熱效果。此外，由於本發明所提出之覆晶式發光二極體及其製造方法相較於傳統的覆晶式發光二極體及其製造方法顯得簡單許多，故本發明所提出之覆晶式發光二極體及其製造方法還具有能大幅降低發光二極體的製造成本之優勢。
至此，雖然已描述具體的實施例，但這些實施例僅以範例的方式被呈現，且並非意圖限制本發明的範圍。事實上，在此所描述的這些實施例在不偏離本發明的精神之下，可以各種其他的形式、或不同的組合方式被實 施。隨附的申請專利範圍及其均等物係意圖用於涵蓋會落入本發明的範圍及精神內的各種形式、組合或修改。
1‧‧‧覆晶式發光二極體
11‧‧‧第一金屬片
12‧‧‧第二金屬片
11A、12A‧‧‧頂面
13‧‧‧接合材料
14‧‧‧發光二極體晶片

Claims (71)

  1. 一種覆晶式發光二極體，包括：第一金屬片；第二金屬片，與該第一金屬片之間具有一間隙；絕緣接合材料，該絕緣接合材料被注入到該第一金屬片與該第二金屬片之間的該間隙中並固化，以將該第一金屬片與該第二金屬片接合在一起，且固化的該絕緣接合材料具有一頂面，該頂面係與該第一金屬片與該第二金屬片之頂面齊平；以及發光二極體晶片，其透過焊料分別與該第一金屬片之該頂面和該第二金屬片之該頂面接合，該發光二極體晶片具有一正極和一負極，該正極電連接到該第一金屬片，且該負極電連接到該第二金屬片。
  2. 如申請專利範圍第1項之覆晶式發光二極體，其中，該絕緣接合材料為環氧樹脂或矽膠。
  3. 如申請專利範圍第1項之覆晶式發光二極體，其中，該第一金屬片與該第二金屬片還具有相對於該頂面的底面，且該第一金屬片與該第二金屬片的每一者具有從該底面向外延伸的散熱結構。
  4. 一種覆晶式發光二極體的一維串聯陣列，其包括複數如申請專利範圍第1至3項任一項之覆晶式發光二極體，該複數覆晶式發光二極體以一維陣列的方式排列，且任一個覆晶式發光二極體的該第一金屬片係與相鄰的另一個覆晶式發光二極體的該第二金屬片為一體成型的。
  5. 一種發光二極體裝置，其包括複數如申請專利範圍第4項之覆晶式發光二極體的一維串聯陣列，其中，該等覆晶式發光二極體的一維串聯陣列的正極係位在該發光二極體裝置的一側且透過正極金屬片相互連接，且該等覆晶式發光二極體的一維串聯陣列的負極係位在該發光二極體裝置的另一側且透過負極金屬片相互連接。
  6. 一種發光二極體裝置，其包括複數如申請專利範圍第4項之覆晶式發光二極體的一維串聯陣列，其中，任一個覆晶式發光二極體的一維串聯陣列的正極係透過金屬片連接到另一個覆晶式發光二極體的一維串聯陣列的負極。
  7. 一種製造覆晶式發光二極體的方法，該方法包括：提供沿著其短邊方向彼此間隔排列的複數長條金屬片，該等長條金屬片中的任兩個相鄰長條金屬片之間具有一間隙；分別將絕緣接合材料注入到該等長條金屬片中的任兩個相鄰長條金屬片之間的該間隙中；固化該絕緣接合材料以將該等長條金屬片接合在一起；以及提供複數發光二極體晶片，每一個發光二極體晶片係透過焊料固定於被接合的該等長條金屬片之任兩個相鄰長條金屬片的頂面上，其中，每一發光二極體晶片的正極與負極係分別電連接到該兩個相鄰長條金屬片。
  8. 如申請專利範圍第7項之製造覆晶式發光二極體的方法，還包括切割該複數發光二極體晶片被接合於其上的該等長條金屬片。
  9. 如申請專利範圍第7項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該絕緣接合材料為環氧樹脂或矽膠。
  10. 如申請專利範圍第7項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，每一長條金屬片具有相對於該頂面的底面，且每一長條金屬片具有從該底面向外延伸的散熱結構。
  11. 如申請專利範圍第7項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，被固化的該絕緣接合材料之頂面係與該等長條金屬片的頂面齊平。
  12. 一種製造覆晶式發光二極體的方法，該方法包括以下的步驟：在金屬片上沿著第一方向形成相互分離的複數條間隙；將絕緣接合材料注入該金屬片的該複數條間隙當中；提供複數發光二極體晶片，每一發光二極體晶片之正極與負極係透過焊料被分別接合到該金屬片的頂面且分別位於該金屬片的其中一間隙之兩側；以及切割該複數發光二極體晶片被接合於其上的該金屬片。
  13. 一種製造覆晶式發光二極體的方法，該方法包括以下的步驟： 提供封裝體，該封裝體中包括複數發光二極體晶片，每一個發光二極體晶片的正極與負極係從該封裝體的一側面暴露出來；以及在該封裝體之該側面形成導體，其中，每一個覆晶式發光二極體晶片的該正極與該負極係相互絕緣。
  14. 如申請專利範圍第13項之製造覆晶式發光二極體的方法，還包括切割該封裝體的步驟。
  15. 如申請專利範圍第13項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該封裝體中還包括與該複數發光二極體晶片一起運作的電子元件。
  16. 如申請專利範圍第13項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，形成該導體的步驟包括：在該封裝體之該側面上形成導電層；在該導電層的外表面上形成具有圖案化開口的遮罩部；以及透過該遮罩的該圖案化開口對該導電層進行蝕刻以形成電路圖案以及位在該正極與該負極之間的絕緣部。
  17. 如申請專利範圍第16項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該遮罩部為藉由網印法或光刻法形成在該導電層的該外表面上的感光膠層，且其中，形成該導體的步驟還包括在形成該絕緣部之後移除該感光膠層。
  18. 如申請專利範圍第17項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，形成該導體的步驟還包括在移除該感光膠層之後，將導熱絕緣膠施加到該絕緣部中以及施加到該 導電層的該外表面上。
  19. 如申請專利範圍第16項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該遮罩部為藉由網印法形成在該導電層的該外表面上的導熱絕緣膠層。
  20. 如申請專利範圍第19項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，形成該導體的步驟還包括將額外的導熱絕緣膠施加到該絕緣部中。
  21. 如申請專利範圍第16項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該導電層包括形成在該封裝體的該側面上的第一金屬層及形成在該第一金屬層的外表面上的第二金屬層，且其中，該第二金屬層的外表面係為該導電層的該外表面。
  22. 如申請專利範圍第21項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該第一金屬層的厚度較該第二金屬層的厚度更薄。
  23. 如申請專利範圍第22項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該第一金屬層藉由選自蒸鍍法、濺鍍法及化學鍍法中的一種方法所製成，且該第二金屬層藉由電鍍法所製成。
  24. 如申請專利範圍第21項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該遮罩部為藉由網印法或光刻法形成在該第二金屬層的該外表面上的感光膠層，且其中，形成該導體的步驟還包括在形成該絕緣部之後移除該感光膠層。
  25. 如申請專利範圍第24項之製造覆晶式發光二極 體的方法，其中，形成該導體的步驟還包括在移除該感光膠層之後，將導熱絕緣膠施加到該絕緣部中以及施加到該第二金屬層的該外表面上。
  26. 如申請專利範圍第21項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該遮罩部為藉由網印法形成在該第二金屬層的該外表面上的導熱絕緣膠層。
  27. 如申請專利範圍第26項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，形成該導體的步驟還包括將額外的導熱絕緣膠施加到該絕緣部中。
  28. 如申請專利範圍第13項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，形成該導體的步驟包括：將導體層網印到該封裝體之該側面上以形成電路圖案；以及使該導體層固化。
  29. 如申請專利範圍第28項之製造覆晶式發光二極體的方法，還包括在使該導體層固化之後，將導熱絕緣膠施加到該封裝體上以覆蓋該電路圖案。
  30. 如申請專利範圍第28項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該導體層為導電銀漿，且該導電銀漿藉由燒結法被固化。
  31. 如申請專利範圍第28項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該導體層為包含高分子材料與導電材料的導電膠，且該導電膠藉由熱固化法被固化。
  32. 如申請專利範圍第13項之製造覆晶式發光二極 體的方法，其中，形成該導體的步驟包括：在該封裝體之該側面上形成分隔部，該分隔部至少位在每一發光二極體晶片的該正極與該負極之間；以及在該封裝體之該側面上除了該分隔部以外的位置形成具有電路圖案的導電層。
  33. 如申請專利範圍第32項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該分隔部為藉由網印法或光刻法所形成的感光膠層，且其中，形成該導體的步驟還包括在形成該導電層之後，將該感光膠層移除以在該導電層中形成絕緣部。
  34. 如申請專利範圍第33項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，形成該導體的步驟還包括在移除該感光膠層之後，將導熱絕緣膠施加到該絕緣部中以及施加到該導電層的外表面上。
  35. 如申請專利範圍第32項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該分隔部為藉由網印法所形成的導熱絕緣膠層。
  36. 如申請專利範圍第35項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，形成該導體的步驟還包括將額外的導熱絕緣膠施加到該導電層的外表面上。
  37. 如申請專利範圍第32項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該導電層包括形成在該封裝體之該側面上除了該分隔部以外的位置之第一金屬層、以及形成在該第一金屬層的外表面上的第二金屬層。
  38. 如申請專利範圍第37項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該第一金屬層的厚度較該第二金屬層的厚度更薄。
  39. 如申請專利範圍第38項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該第一金屬層藉由選自蒸鍍法、濺鍍法及化學鍍法中的一種方法所製成，且該第二金屬層藉由電鍍法所製成。
  40. 如申請專利範圍第37項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該分隔部為藉由網印法或光刻法所形成的感光膠層，且其中，形成該導體的步驟還包括在形成該第一金屬層及該第二金屬層之後，將該感光膠層移除以在該第一金屬層及該第二金屬層中形成絕緣部。
  41. 如申請專利範圍第40項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，形成該導體的步驟還包括在移除該感光膠層之後，將導熱絕緣膠施加到該絕緣部中以及施加到該第二金屬層的外表面上。
  42. 如申請專利範圍第37項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該分隔部為藉由網印法所形成的導熱絕緣膠層。
  43. 如申請專利範圍第42項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，形成該導體的步驟還包括將額外的導熱絕緣膠施加到該第二金屬層的外表面上。
  44. 一種製造覆晶式發光二極體的方法，該方法包括以下的步驟： 在金屬片的一側面上的預定位置設置相互分離的焊料；在該金屬片的該側面上提供複數發光二極體晶片，每一發光二極體晶片具有正極和負極，且該複數發光二極體晶片的每一個發光二極體晶片的該正極與該負極分別與該金屬片的該側面上的該些焊料接觸；透過該些焊料使該複數發光二極體晶片接合到該金屬片的該側面上；將封裝膠施加到該金屬片的該側面上，以使該複數發光二極體晶片被封裝於其中，並形成封裝體；在相對於該金屬片的該側面之另一側面上形成具有圖案化開口的遮罩部；以及透過該圖案化開口對該金屬片進行蝕刻以形成電路圖案、以及位在該正極與該負極之間的絕緣部。
  45. 如申請專利範圍第44項之製造覆晶式發光二極體的方法，還包括切割該封裝體的步驟。
  46. 如申請專利範圍第44項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該封裝體中還封裝有與該複數發光二極體晶片一起運作的電子元件。
  47. 如申請專利範圍第44項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該遮罩部為藉由網印法或光刻法形成在該金屬片的該另一側面上的感光膠層，且該方法還包括在形成該絕緣部之後，移除該感光膠層。
  48. 如申請專利範圍第47項之製造覆晶式發光二極 體的方法，還包括在移除該感光膠層之後，將導熱絕緣膠施加到該絕緣部中以及施加到該金屬片的該另一側面上。
  49. 如申請專利範圍第44項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該遮罩部為藉由網印法形成在該金屬片的該另一側面上的導熱絕緣膠層。
  50. 如申請專利範圍第49項之製造覆晶式發光二極體的方法，還包括在形成該絕緣部之後將額外的導熱絕緣膠施加到該絕緣部中。
  51. 一種製造覆晶式發光二極體的方法，該方法包括以下的步驟：提供至少一封裝體，該封裝體包括封裝在其中的至少一個發光二極體晶片，該發光二極體晶片的正極與負極從該封裝體的一側面暴露出來，且該封裝體的該側面上還形成有分隔部，該分隔部位在該發光二極體晶片的該正極與該負極之間；以及在該封裝體的該側面之側設置至少兩金屬片，該兩金屬片配置為透過焊料分別與該發光二極體晶片的該正極與該負極接合，並將形成在該封裝體的該側面的該分隔部夾於該兩金屬片之間，且該發光二極體晶片的該正極與該負極藉由該分隔部相互絕緣。
  52. 如申請專利範圍第51項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該封裝體包括排成一列的複數發光二極體晶片，每一個發光二極體晶片的正極與負極從該封裝體的該側面暴露 出來，且該分隔部位在排成一列的每一個發光二極體晶片的該正極與該負極之間；並且該兩金屬片配置為透過焊料分別與排成一列的每一個發光二極體晶片的該正極與該負極接合，並將該分隔部夾於該兩金屬片之間，且排成一列的每一個發光二極體晶片的該正極與該負極藉由該分隔部相互絕緣。
  53. 如申請專利範圍第52項之製造覆晶式發光二極體的方法，還包括在將該兩金屬片分別與排成一列的每一個發光二極體晶片的該正極與該負極接合之後，切割該封裝體和該兩金屬片的步驟。
  54. 如申請專利範圍第51項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，提供該封裝體的步驟為提供排成一列的複數封裝體，每一封裝體包括封裝於其中的該發光二極體晶片，該分隔部形成在每一封裝體的側面上且位在該發光二極體晶片的該正極和該負極之間；並且該兩金屬片配置為透過焊料分別與排成一列的該複數封裝體之每一封裝體中的該發光二極體晶片的該正極與該負極接合，並將形成在每一封裝體的該側面上的該分隔部夾於該兩金屬片之間。
  55. 如申請專利範圍第51項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該分隔部由藉由網印法形成在該封裝體的該側面上的絕緣膠所形成。
  56. 如申請專利範圍第51項之製造覆晶式發光二極 體的方法，其中，該分隔部由藉由網印法或光刻法形成在該封裝體的該側面上的感光膠所形成。
  57. 如申請專利範圍第51項之製造覆晶式發光二極體的方法，還包括在該兩金屬片及該分隔部的外表面上施加導熱絕緣膠。
  58. 如申請專利範圍第51項之製造覆晶式發光二極體的方法，其中，該封裝體中還封裝有與該發光二極體晶片一起運作的電子元件。
  59. 一種覆晶式發光二極體，包括：封裝體，封裝有發光二極體晶片，該發光二極體晶片具有正極與負極，該正極與該負極從該封裝體的一側面暴露出來；以及導體層，設置在該封裝體的該側面上且接觸該正極與該負極，該導體層具有電路圖案以及使該正極與該負極相互絕緣的絕緣部。
  60. 如申請專利範圍第59項之覆晶式發光二極體，還包括覆蓋該導體層的外表面的導熱絕緣層，且該導熱絕緣層延伸到該絕緣部中。
  61. 如申請專利範圍第59項之覆晶式發光二極體，其中，該導體層包括設置在該封裝體的該側面上的第一金屬層以及設置在該第一金屬層的外表面上的第二金屬層。
  62. 如申請專利範圍第61項之覆晶式發光二極體，還包括覆蓋該第二金屬層的外表面的導熱絕緣層，且該導熱絕緣層延伸到該絕緣部中。
  63. 如申請專利範圍第59項之覆晶式發光二極體，其中，該封裝體中還封裝有與該發光二極體晶片一起運作的電子元件。
  64. 一種覆晶式發光二極體，包括：具有電路圖案的金屬片，其表面上的預定位置處設置有相互分離的焊料；發光二極體晶片，其包括正極與負極，該發光二極體晶片的該正極與該負極藉由相互分離的該等焊料與該金屬片接合；以及封裝材料，設置於該金屬片上，且圍繞該發光二極體晶片，其中，該金屬片中還包括絕緣部，該絕緣部配置為使得該發光二極體晶片的該正極與該負極相互絕緣。
  65. 如申請專利範圍第64項之覆晶式發光二極體，還包括覆蓋相對於該金屬片的該表面之該金屬片的另一表面的導熱絕緣層，且該導熱絕緣層延伸到該絕緣部中。
  66. 如申請專利範圍第64項之覆晶式發光二極體，其中，該封裝材料還圍繞該等焊料且接觸該金屬片的該表面。
  67. 如申請專利範圍第64項之覆晶式發光二極體，還包括與該發光二極體晶片一起運作的電子元件。
  68. 如申請專利範圍第67項之覆晶式發光二極體，其中，該封裝材料還圍繞該電子元件。
  69. 一種覆晶式發光二極體，包括： 封裝體，其中封裝有至少一個發光二極體晶片，該發光二極體晶片具有正極和負極，該正極和該負極從該封裝體的側面暴露出來；絕緣部，設置在該封裝體的該側面上，且被配置在該發光二極體晶片的該正極和該負極之間的位置處；以及兩金屬片，設置在該封裝體的該側面上且位在該絕緣部的兩相對側，該兩金屬片分別透過焊料與該發光二極體晶片的該正極和該負極接合。
  70. 如申請專利範圍第69項之覆晶式發光二極體，還包括覆蓋該兩金屬片的外表面和該絕緣部的外表面的導熱絕緣層。
  71. 如申請專利範圍第69項之覆晶式發光二極體，其中，該封裝體中還封裝有與該發光二極體晶片一起運作的電子元件。
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