CN203721757U - 高散热性的led封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提出一种高散热性的LED封装结构，其包括内凹反射结构以及设置于内凹反射结构底部的LED芯片，所述内凹反射结构的底部包括绝缘间隔的正电极部和负电极部，所述LED芯片倒装设于内凹反射结构底部，所述正电极部和负电极部分别凸设有金属合金涂层，所述LED芯片的芯片正电极和芯片负电极对应焊接于正电极部和负电极部的金属合金涂层。该封装结构采用倒装固晶结构，将倒装芯片电极与金属合金涂层连接，便于芯片热量直接快速传导到正电极部和负电极部，正电极部和负电极部具有较大面积常为金属等导热性材料，降低热阻，极大提高LED封装结构的散热性能和散热效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及发光器件，具体涉及一种高散热性的LED封装结构。
背景技术
LED光源器件由于具有发光效率高、体积小、无污染等特点，正被广泛应用于电视背光、图文显示屏、装饰照明等领域。随着芯片、封装胶水、支架等原物料价格的降低，芯片发光效率的不断提高，LED光源器件已经开始进入商业照明、家居照明等室内照明领域。
如图1所示为现有的一种LED封装器件，两块长短不同的金属板1上方覆盖有封装基体2，封装基体2和金属板1围成一个向上开口的碗杯结构，发光芯片3依靠绝缘胶水层4粘接固定在露于碗杯杯底的金属板1表面，引线5将发光芯片3表面的正、负电极分别和一块金属板1连接，密封剂6填充于碗杯内，将发光芯片3和导线5密封。封装基体通常具有较好的散热性能，散热能力有大幅提升。然而，由于发光芯片散发的热量从芯片底部传导至金属板需要途经导热率较低的绝缘胶水层。因此，此结构的光源器件散热能力依旧有限，尤其是在芯片通较大电流或者多个芯片集成封装的情况下，更容易形成热量过大而形成器件内部温度过高的情形。
实用新型内容
有鉴于此，提供一种结构紧凑、散热效果好的高散热性的LED封装结构。
一种高散热性的LED封装结构，其包括内凹反射结构以及设置于内凹反射结构底部的LED芯片，所述内凹反射结构的底部包括绝缘间隔的正电极部和负电极部，所述LED芯片倒装设于内凹反射结构底部，所述正电极部和负电极部分别凸设有金属合金涂层，所述LED芯片的芯片正电极和芯片负电极对应连接于正电极部和负电极部的金属合金涂层。
进一步地，所述正电极部和负电极部通过一个绝缘条间隔，所述正电极部和负电极部的金属合金涂层分别位于绝缘条两边的正电极部边缘和负电极部边缘。
进一步地，所述内凹反射结构包括设于正电极部和负电极部上并环绕LED芯片的绝缘基座。
进一步地，所述绝缘基座和绝缘条为一体成型结构。
进一步地，所述绝缘基座为环氧树脂模塑料基座，所述绝缘条为环氧树脂模塑料条。
进一步地，所述内凹反射结构的凹腔内填充有封装胶体，所述封装胶体将LED芯片除芯片电极之外的全部外表面包覆。
进一步地，所述金属合金涂层呈圆柱、圆台或棱台形状。
进一步地，所述金属合金涂层与芯片正电极、芯片负电极接触的面包覆于芯片正电极、芯片负电极的整个外表面。
进一步地，所述正电极部和负电极部对称设置于绝缘条两边，所述正电极部和负电极部的金属合金涂层对称设置于绝缘条两边。
进一步地，所述LED芯片的芯片正电极和芯片负电极对应通过焊接连接于正电极部和负电极部的金属合金涂层。
上述高散热性的LED封装结构采用倒装固晶结构，利用倒装时芯片电极面对内凹反射结构底部，芯片电极与金属合金涂层连接，便于芯片热量直接快速传导到正电极部和负电极部，正电极部和负电极部具有较大面积常为金属等导热性材料，降低热阻，极大提高LED封装结构的散热性能和散热效率。而且通过这种倒装固晶结构，使封装结构紧凑，便于固晶成型。
附图说明
图1为现有技术中的LED封装结构的示意图。
图2为本实用新型实施例一的高散热性的LED封装结构的剖视结构示意图。
图3为图2的高散热性的LED封装结构的俯视结构示意图。
图4为图2的高散热性的LED封装结构中内凹反射结构的剖视结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图及具体实施方式对本实用新型进行详细说明。
请参阅图2到图4，示出本实用新型实施例的高散热性的LED封装结构100，其包括内凹反射结构101以及设置于内凹反射结构101底部的LED芯片50，所述内凹反射结构101的底部包括绝缘间隔的正电极部10和负电极部20，LED芯片50倒装设于内凹反射结构101底部，所述正电极部10和负电极部20分别凸设有金属合金涂层11、22，所述LED芯片50的芯片正电极501和芯片负电极对应连接于正电极部10和负电极部20的金属合金涂层11、22。
正电极部10和负电极部20通过一个绝缘条32间隔，所述正电极部10和负电极部20的金属合金涂层11、22分别位于绝缘条两边的正电极部10边缘和负电极部20边缘。优选地，所述正电极部10和负电极部20对称设置于绝缘条32两边，所述正电极部10和负电极部20的金属合金涂层11、22对称设置于绝缘条32两边。
进一步地，内凹反射结构101包括设于正电极部10和负电极部20上并环绕LED芯片50的绝缘基座30。优选地，绝缘基座30和绝缘条32为一体成型结构，如图3所示，绝缘条32横贯整个截面并与绝缘基座30外缘的部分相接。如图4所示，绝缘基座30的内壁倾斜，使绝缘基座30与正电极部10和负电极部20共同围成碗或杯形空间的凹腔40。所述凹腔40内填充有封装胶体70，所述封装胶体70将LED芯片50除芯片电极之外的全部外表面包覆，例如，如图2所示，LED芯片50的上表面、各侧面以及下底面都被封装胶体70所包覆。
绝缘基座30优选为环氧树脂模塑料基板，绝缘条32优选为环氧树脂模塑料条，这样可大幅提高LED封装结构100的散热性能。
优选地，金属合金涂层11、22呈圆柱、圆台或棱台形状，以增加散热面积，降低热阻。进一步地，金属合金涂层11、22与芯片正电极501、芯片负电极502接触的面包覆于芯片正电极501、芯片负电极502的整个外表面，即芯片正电极501、芯片负电极502被金属合金涂层11、22所包覆。优选地，所述LED芯片50的芯片正电极501和芯片负电极502对应通过焊接连接于正电极部10和负电极部20的金属合金涂层11、22。因而，芯片正电极501、芯片负电极502全部外表面都与金属合金涂层11、22完全接触，免除中间导热胶或中间导热介层，消除了热阻，进一步大幅提高LED封装结构100的散热性能。另外，上述结构避免采用金引线以及焊接电极等结构，使得LED封装结构更加紧凑，便于固晶成型。
进一步地，正电极部10和负电极部20对称设置于绝缘条32两边，所述正电极部10和负电极部20的金属合金涂层11、22对称设置于绝缘条32两边，通过这种对称设置结构，便于成型，且正电极部10和负电极部20在制造时可以通用。
由上可知，上述各高散热性的LED封装结构100采用倒装固晶结构，利用倒装时芯片电极面对内凹反射结构101底部，芯片电极501、502与金属合金涂层11、22连接，便于芯片热量直接快速传导到正电极部10和负电极部20，正电极部10和负电极部20具有较大面积常为金属等导热性材料，降低热阻，极大提高LED封装结构100的散热性能和散热效率。而且通过这种倒装固晶结构，使封装结构紧凑，便于固晶成型。
需要说明的是，本实用新型并不局限于上述实施方式，根据本实用新型的创造精神，本领域技术人员还可以做出其他变化，这些依据本实用新型的创造精神所做的变化，都应包含在本实用新型所要求保护的范围之内。
Claims (10)
1.一种高散热性的LED封装结构，其包括内凹反射结构以及设置于内凹反射结构底部的LED芯片，所述内凹反射结构的底部包括绝缘间隔的正电极部和负电极部，其特征在于，所述LED芯片倒装设于内凹反射结构底部，所述正电极部和负电极部分别凸设有金属合金涂层，所述LED芯片的芯片正电极和芯片负电极对应连接于正电极部和负电极部的金属合金涂层。
2.如权利要求1所述的高散热性的LED封装结构，其特征在于，所述正电极部和负电极部通过一个绝缘条间隔，所述正电极部和负电极部的金属合金涂层分别位于绝缘条两边的正电极部边缘和负电极部边缘。
3.如权利要求2所述的高散热性的LED封装结构，其特征在于，所述内凹反射结构包括设于正电极部和负电极部上并环绕LED芯片的绝缘基座。
4.如权利要求3所述的高散热性的LED封装结构，其特征在于，所述绝缘基座和绝缘条为一体成型结构。
5.如权利要求3所述的高散热性的LED封装结构，其特征在于，所述绝缘基座为环氧树脂模塑料基座，所述绝缘条为环氧树脂模塑料条。
6.如权利要求1所述的高散热性的LED封装结构，其特征在于，所述内凹反射结构的凹腔内填充有封装胶体，所述封装胶体将LED芯片除芯片电极之外的全部外表面包覆。
7.如权利要求1所述的高散热性的LED封装结构，其特征在于，所述金属合金涂层呈圆柱、圆台或棱台形状。
8.如权利要求1所述的高散热性的LED封装结构，其特征在于，所述金属合金涂层与芯片正电极、芯片负电极接触的面包覆于芯片正电极、芯片负电极的整个外表面。
9.如权利要求2所述的高散热性的LED封装结构，其特征在于，所述正电极部和负电极部对称设置于绝缘条两边，所述正电极部和负电极部的金属合金涂层对称设置于绝缘条两边。
10.如权利要求1所述的高散热性的LED封装结构，其特征在于，所述LED芯片的芯片正电极和芯片负电极对应通过焊接连接于正电极部和负电极部的金属合金涂层。
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|---|---|---|---|---|
| US20160240760A1 (en) * | 2015-02-17 | 2016-08-18 | Hsiu Chang HUANG | Flip-chip light emitting diode and method for manufacturing the same |
| CN106531868A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-03-22 | 安徽连达光电科技有限公司 | 一种led封装支架 |
| CN107369751A (zh) * | 2017-07-11 | 2017-11-21 | 厦门三安光电有限公司 | 一种发光二极管芯片及其制作方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| US9859483B2 (en) * | 2015-02-17 | 2018-01-02 | Hsiu Chang HUANG | Flip-chip light emitting diode and method for manufacturing the same |
| CN106531868A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-03-22 | 安徽连达光电科技有限公司 | 一种led封装支架 |
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