TWI543285B - 用以使半導體晶片從箔片脫離及移除之方法 - Google Patents

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Description

用以使半導體晶片從箔片脫離及移除之方法
本發明係有關於一種用來以機械裝置使半導體晶片從箔片脫離及移除之方法。
為了在半導體安裝裝置上處理，半導體晶片通常係設置在以框架支撐之箔片(foil)上，該箔片在該領域中亦稱為帶子(tape)。該等半導體晶片黏附至該箔片。該具有箔片之框架被可移置晶圓台所容納。該晶圓台係以循環方式移置，以便一個接一個地在某一位置上提供半導體晶片以及那時所提供之半導體晶片被晶片夾持器(chip gripper)接收及被放置在基板上。以配置在該箔片下面之晶粒頂出器(die ejector)協助該所提供半導體晶圓從該箔片之移除。該晶粒頂出器係具有支撐面的工作台，其中該箔片係配置在該支撐面上。該工作台包括複數個孔，以便藉由真空在該半導體晶片之脫離製程期間固定該箔片。
於許多情況下，配置在該晶粒頂出器中之一個或數個針狀物將協助該半導體晶片從該箔片脫離。從大量專利(例如，US 20040105750或US7265035)知道針狀物協助方法。在US 2008086874中，該晶粒頂出器包括具有複數個桿之區塊(該等桿具有平頭)及具有複數個針狀物之區塊，且該等針狀物係配置該等桿間及每一桿之平頭的表面具有針狀物之剖面的倍數。為了使該半導體晶片脫離，先舉起該具有該等桿之區塊，然後舉起該具有該等針狀物之區塊，直到該等針狀物突出超過該等桿為止。
從WO 2005117072知道一種具有支撐結構之晶粒頂出器，其中使該箔片在整個脫離製程期間支撐在該晶粒頂出器上。該等支撐結構被具有平頭之桿圍住，其中該等桿可朝該半導體晶片之方向及朝相反方向移置。該等支撐結構及該等桿亦可由以矩陣方式配置之複數個推桿所構成。
從US 20050059205知道一種晶粒頂出器，該晶粒頂出器包括數個板，該數個板係彼此相鄰配置，以及為了使半導體晶片脫離，聯合地舉起該數個板及然後依序地從外側至內側降下該數個板或依序地從外側至內側舉起該數個板，以使形成突出超過該支撐面之角錐形高度。
亦知道各種不同的方法，其中在不使用針狀物之情況下，從該箔片使該半導體晶片脫離。在US 4921564中，使在該半導體晶片下面之箔片在許多個別位置上經歷真空，以便從該半導體晶片移除在這些位置上的箔片。在US 20040038498亦有這樣的情況。只有當已完成該脫離製程時，該晶片夾持器接收該半導體晶片，此表示該晶片頂出器不再持續該脫離製程。因此，此方法不適合於極薄半導體晶片，因為它們將破裂。於EP 1496422中，在沒有該晶片夾持器之協助下藉由衝壓(stamp)，使該箔片從該半導體晶片完全脫離。此方法亦不適用於極薄半導體晶片，因為它們彎曲及/或捲起。於US 2002129899及US 7238593中，在該晶粒頂出器之邊緣拉下該箔片及因而移除該箔片。在US 6561743中，藉由真空在該半導體晶片之邊界區域中拉開該箔片及然後，相對於該晶片夾持器所吸住之半導體晶片移開該箔，以從該箔片使該半導體晶片脫離。
在該項技藝中，使一半導體晶片從該箔脫離及移除稱為一拾取製程(pick process)。一種針狀物協助標準拾取製程包括下面步驟：
a)移置該晶圓台，以便提供下一個待接收之半導體晶片，
b)藉由真空固定該箔片於該晶片頂出器上；
c)降下該晶片夾持器，直到它接觸該半導體晶片之表面為止，以及施加真空至該晶片夾持器，以固定該半導體晶片；
d)舉起該等針狀物至預定高度，同時該等針狀物舉起該半導體晶片及使該箔片從該半導體晶片部分脫離；
e)移開該晶片夾持器，同時從該箔片及該等針狀物完全使該半導體晶片脫離。
只在步驟d)後所剩下之箔片的黏著力小於該晶片夾持器之真空吸引力時，可達成使半導體晶片從該箔片脫離及移除。否則，發生所謂拾取錯誤。無法拾取該半導體晶片及使極薄半導體晶片毀損或破裂。
藉先被施加至該基板之黏著劑或藉由被施加至它的背面之黏著膜(所謂「晶粒附著膜(die attach film)」)，在結合期間，將該半導體晶片與該基板黏合在一起。在後者情況中，該半導體晶片需要以該黏著膜來與該箔片隔開。將該基板加熱至超過室溫之溫度，以便於結合期間，在該半導體晶片與該基板間產生永久黏著結合。由於它與該基板之接觸，該黏著膜將熔化及牢固地黏合該半導體晶片。該晶片夾持器因此持續數秒之黏著製程而被加熱。於下一個拾取製程期間，在該脫離製程期間所要接收之下一個半導體晶片中已發生該黏著膜之不受期望的加熱。該箔片與該黏著膜間之黏著力將增加，導致如上所述之拾取錯誤。
下面亦應該將術語半導體晶片視為一在其背面上塗佈有一黏著膜之半導體晶片。
因此，期望具有一種允許在最短可能時間從該箔片移除該等半導體晶片(特別是具有小於50μm之厚度的極薄半導體晶片)之方法，以致於在該短接觸期間因該晶片夾持器所造成之半導體晶片的加熱而未大大地增強該箔片與該半導體晶片間之黏著結合。
本發明係根據下面發現：當減少該半導體晶片(或該黏著膜)與該箔片間之結合至即使在該半導體晶片從該箔片快速脫離情況下，該黏著結合所產生之力量仍維持非臨界(non-critical)，上述可被達成。需知，無法使用一在開始就具有較弱的黏著結合之黏著膜，因為此導致下面可能性：該等半導體晶片在晶圓分開成個別半導體晶片期間(在切割期間)或在該已切割晶圓之運送期間將以一不可控制方式從該箔片脫離成為該等個別半導體晶片。
因此，本發明提出：在一第一階段中，藉由在該晶片夾持器與該半體導晶片接觸及固定該半導體晶片前，該箔片以機械裝置從該半導體晶片部分脫離來使該黏著結合變弱；在一第二階段中，使該晶片夾持器與該半導體晶片接觸及牢固地吸住該半導體晶片，然後以該晶片夾持器進一步從該半導體晶片移除該箔片；以及在第三階段中，使該晶片夾持器移離該半導體晶片。
晶片頂出器來協助該用以使半導體晶片從箔片脫離及移除之方法。該晶片頂出器具有支撐面，其中該箔片被支撐在該支撐面上。依據本發明之方法包括在無該晶片夾持器介入下具有下面步驟之第一階段：提供待移除之下一個半導體晶片至該晶片頂出器之支撐面上；供應真空至該晶片頂出器，以使牢固地在該晶片頂出器上吸住該箔片；以機械裝置使該箔片從該所提供半導體晶片部分脫離；以及記錄該半導體晶片之圖像及確定它的位置或它的實際位置距離它的目標位置的偏差；依據本發明之方法包括具有下面步驟之第二階段：降下該晶片夾持器，直到該晶片夾持器接觸該半導體晶片之表面為止；供應真空至該晶片夾持器，以便牢固地吸住該半導體晶片；進一步使該箔片從該所提供半導體晶片脫離；以及具有下面步驟之第三階段：舉起及移離該晶片夾持器。
依據本發明之方法特別針對具有小於50μm之厚度的極薄半導體晶片研發。在該第一階段中，使該箔片部分脫離，此表示該箔片不再接觸該半導體晶片之底面有超過該底面之表面面積的某一個百分比。在第一階段結束時，該箔片支撐該半導體晶片至下面這樣的程度：第一，該半導體晶片大部分彎曲至照相機能攝取可被評估之該半導體晶片的圖像，以及第二，在尚沒有該晶片頂出器之任何進一步協助下，可藉由該晶片夾持器從該箔片舉起該半導體晶片，而不毀損或毀壞該半導體晶片。在該第二階段中，進一步使該箔片脫離，此表示擴大該底面沒有與該箔片接觸之表面的百分比。因為該晶片夾持器已吸住該半導體晶片，所以該半導體晶片在此階段中沒有彎曲。在該第二階段結束時，從該半導體晶片使該箔片完全脫離或者該箔片接觸該半導體晶片只超過該底面之表面的小百分比，該表面面積係如此小，以致於可在該第三階段中舉起該晶片夾持器及可使該晶片夾持器移開，同時隨著該晶片夾持器攜帶該半導體晶片而沒有對該半導體晶片之毀損的可能性。
最好藉由在該第一階段中滑動架之移位，發生該半導體晶片從該箔片部分脫離，俾在該所提供半導體晶片之一邊緣下面的該晶片頂出器之支撐面中形成一空隙，並且在該空隙中瀰漫真空，以將該箔片吸入該空隙及使該箔片從該半導體晶片脫離。藉由該空隙之進一步加寬發生在該第二階段中之進一步脫離。
可以以相對於該支撐面朝垂直或傾斜方向移置之針狀物來協助該半導體晶片從該箔片脫離。將該等針狀物之尖端突出超過該支撐面的距離表示成高度。在此情況下，藉由下面步驟發生該箔片從該所提供半導體晶片部分脫離：舉起該等針狀物至預定高度z1，以致於該等針狀物突出超過該支撐面，以及降下該等針狀物至一小於該預定高度z1之預定高度z2。
亦可單獨或以藉由使用像冷氣體或冷液體之流體從下方冷卻該箔片之協助方式發生該黏著結合之變弱。
隨後，以圖式說明本發明之實施例。該等圖形之說明係示意的且沒有依比例來繪製。
第1a至1g圖顯示在一半導體晶片1從一箔片3脫離及移除中所需之一安裝機器的零件，該等零件係一晶片頂出器2及一晶片夾持器11，以及該箔片3及該半導體晶片1，依據本發明之第一實施例，其等係在該拾取製程期間的連續點上。該等所需零件被簡化且只被顯示至可了解該拾取製程所需之程度。該晶片頂出器2包括一室5，其中該室5可經歷真空及包括一具有一支撐面13之可置換蓋，其中該箔片3被支撐在該支撐面上。該蓋包含複數個孔9及15。該等孔9之直徑最好只大至無法將該箔片3拉進該等孔9之程度，此表示該等孔9實質上只用以支撐該箔片3。在該等孔15中配置針狀物7，該等針狀物7通常可相對於該蓋之支撐面13朝垂直或傾斜方向移置。將該等針狀物7可移置之方向表示成z-方向，並且以該蓋之支撐面13來界定零點z=0。將該等針狀物突出超過該支撐面13之距離表示成該等針狀物7之高度。一負z值表示該等針狀物完全陷入該等孔15中及因而沒有突出超過該支撐面13。
依據本發明以一準備階段延長該半導體晶片1從該箔片3脫離及移除，以致於該整個製程包括三個階段。該第一階段係該準備階段，其中以該等針狀物7使該半導體晶片1與該箔片3間之黏著結合變弱。在該第一階段中不需要該晶片夾持器11。第二階段係一立即隨後階段，其中該晶片夾持器11協助進一步脫離，並且具有該等針狀物7之支援。在該第三階段中，舉起該晶片夾持器11，並且使該晶片夾持器11與完全脫離該箔片3之該半導體晶片1一起移開，而沒有該等針狀物7之進一步協助。
該第一階段包括下面步驟：
A)移置該晶圓台，以便提供待移除之下一個半導體晶片1於該晶片頂出器2上方；該等針狀物7係在該等孔15中處於一降下狀態，以致於它們在步驟A期間沒有接觸該箔片3。
B)供應真空(或負壓)至該晶片頂出器2，以便在該晶片頂出器2上牢固地吸住該箔片3；在此步驟中，使該室5經歷真空。在該等孔9中所瀰漫之真空將吸住該箔片3。第1a圖顯示在此步驟後之狀態。
C)舉起該等針狀物7至預定高度z1。
該高度z1具有一數值z1>0，此表示該等針狀物7突出超過該支撐面13。z1之典型數值係0.5mm。在此步驟中，以該晶片頂出器2舉起在該等針狀物7上方之該箔片3的區域。因而，亦舉起該半導體晶片1，然而在不具有該等針狀物7之該等孔9上方的該箔片3之區域將進一步維持在該晶片頂出器2上及因而從該半導體晶片1脫離。此狀態係顯示於第1b圖中。
D)降下該等針狀物7至預定高度z2。
在通常0.5至3秒間之預定期間的終結後，使該等針狀物7縮回至一預定高度z2，其中z2<z1。結果，使該箔片3之某些區域仍然黏合至該半導體晶片1，然而已使其它區域從該半導體晶片1脫離。此狀態為了說明以誇張方式顯示於第1c圖中，其中在此範例中z2<0。是否z2<0或z2=0之問題並不重要。第1c圖進一步顯示目前只靠近之該晶片夾持器11。
發生該等針狀物7之降下，以便照相機可測量該半導體晶片1之位置。對延伸針狀物7所採取之測量常常是有問題的，因為該晶片表面部分輕微彎曲及在光以垂直方式照射之情況中無法在影像處理中被識別。當使該等針狀物7再次完全縮回至該等孔15中時，可能再次發生下列問題：該半導體晶片1將牢固地黏附至該箔片3。為了避免上述情形發生，選擇z2>0係有利的，以便使該等針狀物7之尖端稍微配置在該支撐面13上方，以致於照相機將仍然可識別該半導體晶片1，以及儘管這樣，該半導體晶片1將不會牢固地再次黏附至該整個箔片3。z2之有利數值是在0.0至0.2mm間。須注意到，可在1與10mm/s間選擇該等針狀物之行進速度。
E)記錄該半導體晶片1之影像及確定它的位置或它的實際位置離它的目標位置之偏差。
此完成該第一階段及因而，完成該半導體晶片1之移除的準備。特別有利的是，對於這些準備步驟而言，不需要該晶片夾持器11，此表示當結合頭本身仍然在處理該先前移除半導體晶片之處理(結合處理)時，可發生該準備。在沒有延長總製程時間之情況下，此準備可以花費一相對長的時間。此外，上述係全部在室溫中發生，以致於在該半導體晶片1從該箔片3部分脫離期間，不需預期會發生因溫度增加所造成之複雜性。
現在以下面步驟開始該第二階段：
F)降下該晶片夾持器11，直到它接觸該半導體晶片1之表面為止，以及施加真空至該晶片夾持器11，以便牢固地吸住該半導體晶片1；此狀態顯示於第1d圖中。
G)舉起該等針狀物7至一預定高度z3。
在此步驟中，該等針狀物7再次或進一步舉起該半導體晶片1，以及該箔片3進一步從該半導體晶片1脫離。z3之典型數值是0.5mm。在此步驟後之狀態係顯示在第1e圖中。在此步驟中，擴大該箔片3不再接觸該半導體晶片1之底面的區域(此很難在圖式中看出)。
現在以下面步驟開始該第三階段：
H)舉起及移開該晶片夾持器11在此步驟中，該半導體晶片1完全從該箔片3及該等針狀物7脫離。
由於該等準備步驟A至C，已使該半導體晶片1之許多區域從該箔片3脫離，所以現在該晶片夾持器11與該晶片頂出器2之針狀物11配合可輕易達成使該半導體晶片1以高速從該箔片3脫離及完全移除，而沒有另外的問題。因而，使用以表示步驟F至H所需時間的該晶片移除製程之持續時間(直到該半導體晶片1不再與該箔片3接觸為止)從典型1秒(不具有步驟A至C之準備工作)降至0.1秒。
第1f圖顯示在從該箔片3已稍微移動該晶片夾持器11與該接收半導體晶片1時之快照。如所述，當該晶片夾持器11使該半導體晶片1從該箔片3完全脫離時，該等針狀物7只在該支撐面13下面移動。
第1g圖顯示在已再次降下該等針狀物7至一高度z<0後，可開始下一半導體晶片之拾取製程的最後快照。當該晶片夾持器11進一步處理剛被移除之半導體晶片時，可開始下一個待移除之半導體晶片的第一階段。
亦可以其它步驟取代該等所述方法步驟F至H來實施該半導體晶片1之移除，該等其它步驟可針對待解決之個別問題調整且係當時技術水準所已知的。在本發明之範圍內關係重大的是：藉由用以在無該晶片夾持器11介入下使該半導體晶片1從該箔片3至少部分脫離之第一準備階段及用以在有該晶片夾持器11介入下及該晶片頂出器2之針狀物11的另外協助下進一步使該半導體晶片1從該箔片脫離之第二階段來進行該晶片移除之實際階段。
第2a至2g圖顯示依據本發明之第二實施例，於該拾取製程期間，在連續時間點上一半導體晶片1從一箔片3脫離及移除中所需之一安裝機器的零件。該等所需零件係只以簡化方式來顯示且只被顯示至可了解該拾取製程所需之程度。該晶片頂出器2同樣包括該室5，其中該室5可經歷真空及包括該具有支撐面13之蓋，其中該箔片3係放置在該支撐面13上。該支撐面13包含一例如矩形之開口20及複數個圍住該開口20之至少三個面的孔9。在該開口20中配置一滑動架21，此滑動架21可以平行於該蓋之支撐面13移置。將該滑動架21之移置的方向表示為x-方向。在移置之方向上，該滑動架21之長度與該半導體晶片1之長度大約一樣大，該開口20之長度係至少該半導體晶片1之長度的兩倍大。第3圖以上視圖顯示該晶片頂出器2。
該半導體晶片1從該箔片3脫離及移除包括一第一準備階段，其中以該滑動架21之協助使該半導體晶片1與該箔片3間之黏著結合，但是無該晶片夾持器11介入。該第二階段係一直接隨後階段，其中該晶片夾持器11在具有該晶片頂出器2之另外協助下使該半導體晶片1從該箔片3進一步脫離。
該第一階段包括下面步驟：
A)移置該晶圓台，以便提供待移除之下一個半導體晶片1於該晶片頂出器2上方；該滑動架21係以位於該所提供半導體晶片1下面之方式事先放置在該開口20中。
B)使該晶片頂出器2經歷真空(或負壓)，以便在該晶片頂出器2上牢固地吸住該箔片3；在該等孔9(第3圖)中所盛行之真空吸住該箔片3。第2a圖顯示在此步驟後之狀態(該滑動架21在此範例中係位於該開口20之右側)。
C)朝該移置方向移置該滑動架21有一預定距離D1(該滑動架21在此範例中移動至左側)。該達成狀態係顯示於第2b圖中。以一通常約2至5mm/s之相對慢速度發生該滑動架21之移置。在此步驟中在該支撐面13與該滑動架21間獲得一尺寸增加之空隙。在該室5中所瀰漫之真空將該箔片3吸入該空隙22，並且該箔片3在此區域中從該半導體晶片1脫離。距離D1通常大約是該等半導體晶片1及1'之長度L的10%至20%。此步驟確保使該箔片3在該半導體晶片1之一邊緣區域中從該半導體晶片1脫離。此步驟需要非常謹慎地發生，這就是為什麼該滑動架21之速度係相對小的原因。因此，此步驟需要一些時間。一旦使該箔片在該半導體晶片1之長度L的約10%至20%的邊界區域中脫離，可立即以一相對高速將該滑動架21拉離該半導體晶片1之剩餘部分。此只在該晶片夾持器11協助脫離之第二階段中發生。
D)記錄該半導體晶片1之影像及確定它的位置或它的實際位置離它的目標位置之偏差。
此完成該第一階段及因而，完成該半導體晶片1之移除的準備。現在以下面步驟開始該第二階段：
E)降下該晶片夾持器11，直到它接觸該半導體晶片1之表面為止，以及施加真空至該晶片夾持器11，以便牢固地吸住該半導體晶片1；此狀態顯示於第2c圖中。
F)朝相同於步驟C之方向進一步移置該滑動架21。
因為在此步驟之開始已使該箔片3從該半導體晶片1之一邊緣脫離，所以可以一相對高速發生該滑動架21之移置。它通常約為20mm/s，但是它並非侷限於此數值。在此步驟中，由於在該室5中及在間隙22中所瀰漫之真空，該箔片3從該半導體晶片1進一步脫離。第2d圖顯示此步驟F之快照。第2e圖顯示在步驟F之結束時的快照。現在己使該半導體晶片1從該箔片3完全脫離。
現在，該第三階段根據下面步驟：
G)舉起及移開該晶片夾持器11。
第2f圖顯示在此步驟期間之快照。
亦可以US 20050059205之裝置中之一實施該半導體晶片1從該箔片3之脫離，其中該晶片夾持器11在該第一階段中沒有介入以及其中在該第三階段中一起舉起及移開該晶片夾持器11與該半導體晶片1前，在該第二階段中之晶片頂出器2使該箔片3從該半導體晶片11進一步脫離，同時以該晶片夾持器11吸住該半導體晶片1。
依據本發明之所述方法適用於背面已塗佈有黏著膜之半導體晶片以及邊緣長度大於10mm及以一被施加至該基板之黏著材料黏合至該基板的相對大半導體晶片。同樣地，在此情況中，在該第一階段中之黏著結合的變弱導致該等半導體晶片之移除的製程時間之減少，因為該晶片夾持器只需在非常短期間提供協助。當該晶片夾持器仍然需要處理該進行半導體晶片之結合時，己因本發明而在某一時間使該半導體晶片從該箔片脫離。
該等所述實施例只包含最重要步驟。這些步驟可進一步包括子步驟或以其它順序在該個別階段中實施。亦可在使該半導體晶片從該箔片部分脫離前(亦即，當它的位置將不會因進一步脫離而改變時)，實施攝取該半導體晶片之圖像及確定它的位置或它的實際位置離它的目標位置的偏差之步驟。
亦可以不同於在此所述之機械裝置發生該半導體晶片從該箔片之部分脫離。
1．．．半導體晶片
2．．．晶片頂出器
3．．．箔片
5．．．室
7．．．針狀物
9．．．孔
13．．．支撐面
15．．．孔
20．．．開口
21．．．滑動架
22．．．空隙
第1a-1g圖顯示依據本發明之第一實施例在該拾取製程期間之各種快照；
第2a-2f圖顯示依據本發明之第二實施例在該拾取製程期間之各種快照；以及
第3圖顯示一適用於該第二實施例之晶片頂出器的上視圖。
1．．．半導體晶片
2．．．晶片頂出器
3．．．箔片
5．．．室
7．．．針狀物
9．．．孔
13．．．支撐面
15．．．孔

Claims (4)

  1. 一種用以使一半導體晶片(1)從一箔片(3)脫離及移除之方法，其中一晶片頂出器(2)協助該半導體晶片(1)從該箔片(3)脫離及一晶片夾持器(11)抓取該半導體晶片(1)，並且該晶片頂出器(2)具有一置放該箔片(3)之支撐面(13)，該方法包括一無該晶片夾持器(11)介入的第一階段、後續的第二階段以及後續的第三階段，該第一階段包括下列步驟：提供待移除之下一個半導體晶片(1)，其完全黏附於位在該晶片頂出器(2)之支撐面(13)上的該箔片(3)；及接著供應真空至該晶片頂出器(2)，以便牢固地在該晶片頂出器(2)上保持該箔片(3)；及接著藉由以機械裝置使該箔片(3)從該所提供的半導體晶片(1)局部脫離來使於該半導體晶片及該箔片間的一黏著結合弱化，其中在該弱化結束時，以該箔片(3)支撐該半導體晶片(1)至以下的程度：第一，該半導體晶片(1)係被彎折或彎曲至照相機能攝取可被評估之該半導體晶片(1)的圖像，以及第二，可藉由該晶片夾持器(11)從該箔片(3)舉起該半導體晶片(1)，而不毀損或毀壞該半導體晶片(1)；以及接著攝取該半導體晶片(1)之圖像及確定它的位置或它的實際位置距離它的目標位置的偏差；以及 該第二階段包括下列步驟：降下該晶片夾持器(11)，直到該晶片夾持器(11)接觸該半導體晶片(1)之表面為止；供應真空至該晶片夾持器(11)，以便牢固地吸住該半導體晶片(1)；及接著進一步以該晶片頂出器(2)之支撐使該箔片(3)從該所提供半導體晶片(1)脫離，其中在該第二階段結束時，使該箔片(3)從該半導體晶片(1)完全脫離或者該箔片(3)接觸該半導體晶片(1)只佔該底面之表面的小百分比；以及該第三階段包括下列步驟：舉起及移離該晶片夾持器(11)。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中藉由一滑動架(21)之移位而發生該半導體晶片(1)從該箔片(3)之部分脫離，以致於在該所提供半導體晶片(1)之一邊緣下面的該晶片頂出器(2)之支撐面(13)中形成一空隙(22)，並且在該空隙(22)中瀰漫真空，以將該箔片(3)吸入該空隙(22)及使該箔片(3)從該半導體晶片(1)脫離，其中在該部分脫離結束時，該箔片(3)在該半導體晶片(1)之長度的約10%至20%的邊界區域中脫離。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中使用可相對於該支撐面(13)朝垂直或傾斜方向移置之針狀物(7)來協助該半導體晶片(1)從該箔片(3)脫離，並且將該等針狀物(7)之尖 端突出超過該支撐面(13)的距離表示成高度，其中藉由下面步驟發生該箔片(3)從該所提供半導體晶片(1)之部分脫離：舉起該等針狀物(7)至預定高度z1，以致於該等針狀物(7)突出超過該支撐面(13)，以及降下該等針狀物(7)至小於該預定高度z1之預定高度z2。
  4. 如申請專利範圍第3項之方法，其中以該等針狀物(7)不突出超過該支撐面(13)之方式選擇該高度z2。
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