TWI540664B - 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及儲存有程式之電腦可讀取的記錄媒體 - Google Patents

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TWI540664B
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佐藤武敏
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Description

基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及儲存有程式之電腦可讀取的記錄媒體
本發明係有關於基板處理裝置及半導體裝置的製造方法。
在半導體裝置之製程中，利用使用電漿之基板處理裝置。作為使用電漿之基板處理裝置，已知例如如專利文獻1所記載之逐片式的裝置。
先行專利文獻 專利文獻
專利文獻1 特開2008-211211號公報
在使用電漿之基板處理裝置中，可望達到為了提高生產力，而且正確地規定已電漿激發之處理氣體的供給量或供給時間，以與處理氣體之流動確實地同步的方式更高速地切換電漿之ON/OFF。
本發明係提供能以與處理氣體之流動確實地同步的方式更高速地切換電漿之ON/OFF的基板處理裝置及半導體裝置的製造方法。
若依據本發明之一形態，一種基板處理裝置，係將第1處理氣體與已電漿化之第2處理氣體交互地供給至處理容器而處理基板，該基板處理裝置構成為包括：第1氣體供給系統，係供給該第1處理氣體；第2氣體供給系統，係供給該第2處理氣體；電漿單元，係配置於該處理容器之上游，並至少使該第2處理氣體電漿化；及控制部，係將該第1氣體供給系統與該第2氣體供給系統控制成交互地供給該第1處理氣體與該第2處理氣體，而且將該電漿單元控制成從開始供給該第2處理氣體之前執行該第2處理氣體之電漿化所需的電力施加。
又，若依據本發明之其他的形態，一種基板處理裝置，係至少將第1處理氣體與第2處理氣體供給至處理容器而處理基板，該基板處理裝置構成為包括：第1閥，係開閉該第1處理氣體之供給路；第2閥，係開閉該第2處理氣體之供給路；電漿單元，係配置於該處理容器之上游，且該第2閥之下游；及控制部，係將該第1閥與該第2閥之開閉控制成交互地供給該第1處理氣體與該第2處理氣體，而且將該電漿單元控制成從打開該第2閥之前執行該第2處理氣體之電漿化所需的電力施加。
又，若依據本發明之一形態，一種半導體裝置之製造方法，係將第1處理氣體與藉電漿單元已電漿化之第2處理氣體交互地供給至處理容器而處理基板， 該半導體裝置之製造方法構成為：電漿單元中在實行該第2處理氣體之電漿化所需之電力施加的狀態下，開始執行及結束執行該第2處理氣體之供給。
又，若依據本發明之其他的形態，一種半導 體裝置之製造方法，係將第1處理氣體與藉電漿單元已電漿化之第2處理氣體交互地供給至處理容器而處理基板，該半導體裝置之製造方法構成為具有：開始施加電力步驟，係在未將該第2處理氣體供給至該電漿單元時在該電漿單元開始執行該第2處理氣體之電漿化所需之電力施加；及開始供給步驟，係在該電漿單元執行該電力施加之狀態開始供給該第2處理氣體。
又，若依據本發明之其他的形態，在半導體 裝置之製造方法，構成為具有：第1步驟，係將第1處理氣體供給至基板之處理容器；第2步驟，係將非活性氣體從電漿單元之下游供給至該處理容器；第3步驟，係向該處理容器供給在該電漿單元已電漿化之第2處理氣體；及第4步驟，係將非活性氣體從該電漿單元之下游供給至該處理容器；在該第3步驟中，在該第2步驟結束之前開始供給該已電漿化之第2處理氣體，而且在該第4步驟開始後結束該已電漿化之第2處理氣體的供給。
又，若依據本發明之其他的形態，在半導體 裝置之製造方法中，構成為具有：第1步驟，係將第1處理氣體供給至基板之處理容器；第2步驟，係將藉該電漿單元已電漿化之第2處理氣體供給至該處理容器； 及第3步驟，係在該第2步驟以外的步驟，將無助於該基板之處理的非處理氣體供給至該電漿單元，藉此，在該電漿單元產生電漿。
若依據本發明之基板處理裝置及半導體裝置的製造方法，能以與處理氣體之流動確實地同步的方式更高速地切換電漿之ON/OFF。
100、1000、1100‧‧‧基板處理裝置
200‧‧‧晶圓
201‧‧‧處理空間
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器
202b‧‧‧下部容器
203‧‧‧搬運空間
204‧‧‧隔板
205‧‧‧閘閥
206‧‧‧基板搬出入口
207‧‧‧升降銷
210‧‧‧基板支撐部
211‧‧‧基板載置面
212‧‧‧基板載置台
213‧‧‧加熱器
214‧‧‧貫穿孔
217‧‧‧軸
218‧‧‧升降機構
219‧‧‧伸縮囊
220‧‧‧排氣系統
221‧‧‧排氣口
222‧‧‧排氣管
223‧‧‧壓力調整器
224‧‧‧真空泵
230‧‧‧蓮蓬頭
231‧‧‧蓋
231a‧‧‧孔
232‧‧‧緩衝空間
233‧‧‧絕緣組件
234‧‧‧分散板
234a‧‧‧貫穿孔
235‧‧‧氣體導件
236‧‧‧排氣管
237‧‧‧閥
238‧‧‧壓力調整器
239‧‧‧真空泵
241‧‧‧氣體導入口
242‧‧‧共用氣體供給管
243‧‧‧第1氣體供給系統
243a‧‧‧氣體供給管
243b‧‧‧氣體供給源
243c‧‧‧質量流量控制器
243d‧‧‧閥
244‧‧‧第2氣體供給系統
244a‧‧‧氣體供給管
244b‧‧‧氣體供給源
244c‧‧‧質量流量控制器
244d‧‧‧閥
245‧‧‧第3氣體供給系統
245a‧‧‧氣體供給管
245b‧‧‧氣體供給源
245c‧‧‧質量流量控制器
245d‧‧‧閥
247‧‧‧第4氣體供給系統
247a‧‧‧氣體供給管
247b‧‧‧第4氣體供給源
247c‧‧‧質量流量控制器
247d‧‧‧閥
250‧‧‧遙控電漿單元
260‧‧‧控制器
261‧‧‧運算部
262‧‧‧記憶部
263‧‧‧外部記憶裝置
第1圖係表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置的圖。
第2圖係表示本發明之第1實施形態之基板處理步驟的流程圖。
第3圖係表示本發明之第1實施形態之成膜步驟的流程圖。
第4圖係表示第3圖所示之成膜步驟的時序圖。
第5圖係表示第3圖所示之成膜步驟中的電漿點燃之時序的時序圖。
第6圖係表示本發明之第2實施形態之基板處理裝置的圖。
第7圖係表示本發明之第3實施形態之成膜步驟的流程圖。
第8圖係表示本發明之第4實施形態之基板處理裝置的圖。
第9圖係表示本發明之第4實施形態之成膜步驟的流程圖。
第10圖係表示第9圖所示之成膜步驟的時序圖。
第11圖係表示習知技術之成膜步驟的時序圖。
第12圖係表示第11圖所示之成膜步驟中的電漿點燃之時序的時序圖。
<第1實施形態>
以下，說明本發明之第1實施形態。
(1)基板處理裝置的構成
首先，說明本發明之第1實施形態的基板處理裝置。
第1圖係表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置100的圖。基板處理裝置100係如第1圖所示，構成為逐片式基板處理裝置。
基板處理裝置100具備處理容器202。處理容器202構成為例如橫向截面是圓形並扁平的密閉容器。又，處理容器202由例如鋁(Al)或不銹鋼(SUS)等之金屬材料所構成。在處理容器202內，形成對作為基板之矽晶圓等之晶圓200進行處理的處理空間201、與搬運空間203。處理容器202由上部容器202a與下部容器202b所構成。隔板204設置於上部容器202a與下部容器202b之間。由上部容器202a所包圍之空間並比隔板204更上方的空間為處理空間201，由下部容器202b所包圍之空間並比隔板204更下方的空間為搬運空間203。
在下部容器202b的側面，設置與閘閥鄰接之基板搬出入口206，晶圓200係經由基板搬出入口206在與未圖示之搬運室之間移動。複數個升降銷207設置於下部容器202b的底部。
在處理空間201內，設置支撐晶圓200之基板支撐部210。基板支撐部210主要包括：基板載置面211，係載置晶圓200；基板載置台212，係在表面具有基板載置面211；及作為加熱源之加熱器213，係內建於基板載置台212。在基板載置台212，將升降銷207所貫穿的複數個貫穿孔214設置於與各個升降銷207對應的位置。
基板載置台212係藉軸217支撐。軸217係貫穿處理容器202的底部，進而在處理容器202的外部與升降機構218連接。使升降機構218動作，而使軸217及基板載置台212升降，藉此，可使載置於基板載置面211上之晶圓200升降。此外，軸217之下端部的周圍係藉伸縮囊219所覆蓋，藉此，將處理空間201內保持成氣密狀態。
基板載置台212係在搬運晶圓200時，基板載置面211下降至與基板搬出入口206相同的高度(晶圓搬運位置)，在晶圓200之處理時，如第1圖所示，上升至晶圓200位於處理空間201內之處理位置(晶圓處理位置)。
具體而言，在使基板載置台212下降至晶圓搬運位置時，升降銷207之上端部從基板載置面211的上面突出，而升降銷207從下方支撐晶圓200。又，在 使基板載置台212上升至晶圓處理位置時，升降銷207係從基板載置面211的上面埋沒，而基板載置面211從下方支撐晶圓200。此外，升降銷207係因為與晶圓200接觸，以例如石英或氧化鋁等之材質形成較佳。
(排氣系統)
在處理空間201(上部容器202a)之內壁側面，設置排出處理空間201之環境氣體的排氣口221。排氣管222與排氣口221連接，在排氣管222，依序串列地連接將處理空間201內控制成既定壓力之APC(Auto Pressure Controller)等的壓力調整器223與真空泵224。主要由排氣口221、排氣管222、壓力調整器223及真空泵224構成排氣系統220。
(氣體導入口)
在設置於處理空間201的上部之後述之蓮蓬頭230的上面(頂壁)，設置用以將各種氣體供給至處理空間201內的氣體導入口241。氣體供給系統與氣體導入口241連接。關於此氣體供給系統的構成將後述。
(蓮蓬頭)
在氣體導入口241與處理空間201之間，設置作為氣體分散機構的蓮蓬頭230。氣體導入口241係與蓮蓬頭230的蓋231連接。從氣體導入口241所導入之氣體係經由設置於蓋231的孔231a，供給至蓮蓬頭230的緩衝空間232。
蓮蓬頭之蓋231係由例如金屬所形成。絕緣組件233設置於蓋231與上部容器202a之間，將蓋231與上部容器202a之間絕緣。
在蓮蓬頭230，在緩衝空間232與處理空間 201之間，設置用以使從氣體導入口241所導入之氣體分散的分散板234。分散板234配置成與基板載置面211相對向。又，複數個貫穿孔234a形成於分散板234。
在緩衝空間232，設置形成所供給之氣體之 流動的氣體導件235。氣體導件235係作成以孔231a為頂點，並直徑隨著接近分散板234而擴大的圓錐形。
排氣管236與緩衝空間232之側方連接。在 排氣管236，依序串列地連接將切換排氣開/關的閥237、緩衝空間232內控制成既定壓力之APC(Auto Pressure Controller)等的壓力調整器238與真空泵239。
(氣體供給系統)
如上述所示，氣體供給系統與氣體導入口 241連接。氣體供給系統包括共用氣體供給管242、第1氣體供給系統243、第2氣體供給系統244、第3氣體供給系統245及遙控電漿單元(RPU)250。共用氣體供給管242與氣體導入口241連接，第1氣體供給系統243及第3氣體供給系統245與共用氣體供給管242連接，而且經由遙控電漿單元250，連接第2氣體供給系統244。
(第1氣體供給系統243)
在第1氣體供給系統243之氣體供給管 243a，從上游方向依序設置氣體供給源243b、流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)243c、及開閉閥之閥243d。
含有第1元素之氣體(以下稱為「含第1元素 氣體」)貯藏於氣體供給源243b。含第1元素氣體係通過設置於氣體供給管243a之質量流量控制器243c與閥243d後，流入共用氣體供給管242，進而經由蓮蓬頭230被供給至處理容器202。
含第1元素氣體係原料氣體，即處理氣體之 一。在此，第1元素係例如金屬元素，含第1元素氣體係含金屬氣體。在本實施形態中，作為金屬元素，使用鈦(Ti)。作為含鈦氣體，可使用例如TDMAT(Tetrakis-Dimethyl-Amino-Titanium：Ti[N(CH3)2]4)氣體。此外，TDMAT係液體原料，例如，作為氣體供給源243b之構成元件，設置氣化器(未圖示)，藉由在該氣化器使液體原料氣化，而可用作氣體原料。
此外，作為含鈦氣體，亦可使用TiCl4等。 又，金屬元素係未限定為鈦，亦可是鎢(W)、鉭(Ta)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釕(Ru)、鈷(Co)、鎳(Ni)等其他的元素。 進而，含第1元素氣體係未限定為含金屬氣體，亦可是含矽氣體等。
(第2氣體供給系統244)
在第2氣體供給系統244之氣體供給管 244a，從上游方向依序設置氣體供給源244b、流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)244c、及開閉閥之閥244d。
含有第2元素之氣體(以下稱為「含第2元素 氣體」)貯藏於氣體供給源243b。含第2元素氣體係通過 設置於氣體供給管244a之質量流量控制器244c與閥244d後，被供給至遙控電漿單元250。被供給至遙控電漿單元250之含第2元素氣體係在通過遙控電漿單元250時被激發電漿。被激發電漿之含第2元素氣體係流入共用氣體供給管242，進而經由蓮蓬頭230，被供給至處理容器202。
含第2元素氣體係處理氣體之一。此外，含第2元素氣體係亦可認為是反應氣體或重組氣體。
在此，含第2元素氣體係作為氧化劑之含氧氣體，包含氧元素(O)。在本實施形態中，作為含氧氣體，使用氧氣(O2)。此外，含第2元素氣體係未限定為含氧氣體，亦可是作為氮化劑之含氮氣體，例如氨(NH3)。又，作為含第2元素氣體，亦可使用藉電漿可活化之其他的氣體。
(第3氣體供給系統245)
在第3氣體供給系統245之氣體供給管245a，從上游方向依序設置氣體供給源245b、流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)245c、及開閉閥之閥245d。
非活性氣體貯藏於氣體供給源245b。非活性氣體係通過設置於氣體供給管245a之質量流量控制器245c與閥245d後，流入共用氣體供給管242，進而經由蓮蓬頭230被供給至處理容器202。
在本實施形態，作為非活性氣體，使用氮(N2)氣。此外，作為非活性氣體，除了N2氣體以外，可使用例如氦氣(He)、氖氣(Ne)、氬氣(Ar)等稀有氣體。
(遙控電漿單元250)
作為遙控電漿單元250，可使用例如ICP(Inductively Coupled Plasma)裝置。ICP裝置係由感應線圈、將電力供給至感應線圈之高頻電源等所構成，若在從高頻電源將電力供給至感應線圈時取得遙控電漿單元250之阻抗的匹配(例如若是遙控電漿單元250之阻抗為50Ω或其附近的值)，產生(點燃)電漿，而供給至遙控電漿單元250之氣體被電漿化。遙控電漿單元250之匹配狀態(阻抗)係根據遙控電漿單元250內之空間的氣體環境(氣體種類或壓力等)而變化。此外，作為遙控電漿單元250，未限定為ICP裝置，亦可使用ECR(Electron Cyclotron Resonance)裝置或CCP(Capacitively Coupled Plasma)裝置等。
(控制器)
基板處理裝置100具有控制基板處理裝置100之各部之動作的控制器260。控制器260至少具有運算部261及記憶部262。控制器260係因應於上階控制器或使用者之指示，從記憶部呼叫程式或配方，再因應於其內容，控制各構成。
此外，控制器260係亦可作為專用電腦所構成，亦可作為泛用電腦所構成。例如，準備已儲存上述之程式的外部記憶裝置263(例如，磁帶、軟碟或硬碟等之磁碟、CD或DVD等之光碟、MO等之光磁碟、USB記憶體(USB Flash Drive)或記憶卡等之半導體記憶體)，並使用外部記憶裝置263將程式安裝於泛用電腦，藉此，可構成本實施形態之控制器260。
又，用以將程式供給至電腦的手段係未限定為經由外部記憶裝置263所供給的情況。例如，亦可作成使用網際網路或專用線路等之通訊手段，供給程式，而不經由外部記憶裝置263。此外，記憶部262或外部記憶裝置263係作為電腦可讀取之記錄媒體所構成。以下，將這些亦只總稱為記錄媒體。此外，在本專利說明書，在使用記錄媒體之詞的情況，係有僅包含記憶部262單體的情況、僅包含外部記憶裝置263單體的情況、或包含其雙方的情況。
(2)基板處理步驟
其次，說明在基板處理裝置100將薄膜形成於晶圓200上的步驟。
第2圖係表示本發明之第1實施形態之基板處理步驟的流程圖。此外，在以下的說明，構成基板處理裝置100之各部的動作係由控制器260所控制。
在本實施形態，說明交互地供給上述之TDMAT氣體與已電漿化之O2氣體，並將高介電常數絕緣膜之TiO2膜形成於晶圓200上的例子。此外，亦可預先將既定膜形成於晶圓200上。又，亦可在晶圓200或既定膜，預先形成既定圖案。
(基板搬入˙載置步驟S102)
首先，在基板處理裝置100中，藉由使基板載置台212下降至晶圓200之搬運位置，使升降銷207貫穿基板載置台212之貫穿孔214。結果，升降銷207成為比基板載置台212的表面更突出僅既定高度量之狀 態。接著，打開閘閥205，使用未圖示之晶圓移載機，將晶圓200搬入處理容器202的搬運空間203，再將晶圓200移載至升降銷207上。藉此，晶圓200係以水平姿勢被支撐於從基板載置台212之表面所突出的升降銷207上。
在將晶圓200搬入搬運空間203後，使晶圓移載機退避至處理容器202之外面，再關閉閘閥205，使處理容器202變成密閉。然後，藉由使基板載置台212上升，將晶圓200載置於基板載置台212之基板載置面211上。
此外，在將晶圓200搬入搬運空間203時，藉排氣系統一面將處理容器202內排氣，一面將作為非活性氣體之N2氣體從第3氣體供給系統供給至處理容器202內較佳。即，較佳為使真空泵224動作，而且在打開壓力調整器223並將處理容器202內排氣之狀態，至少打開第3氣體供給系統之閥245d，藉此將N2氣體供給至處理容器202內，藉此可抑制微粒之對處理容器202的侵入、或微粒之對晶圓200上的附著。又，真空泵224係至少在從基板搬入˙載置步驟(S102)至後述之基板搬出步驟(S106)之間設為總是動作之狀態。
在將晶圓200載置於基板載置台212之上時，將電力供給至被埋入基板載置台212之內部的加熱器213，並將晶圓200的表面控制至既定温度。晶圓200之温度例如是室温以上且500℃以下，較佳為室温以上且400℃以下。加熱器213之温度係根據藉未圖示之温 度感測器所檢測出之温度資訊控制對加熱器213的通電來調整。
(成膜步驟S104)
接著，進行成膜(薄膜形成)步驟S104。關於成膜步驟S104將後述。
(基板搬出步驟S106)
接著，使基板載置台212下降，而使從基板載置台212的表面所突出的升降銷207上支撐晶圓200。然後，打開閘閥205，並使用晶圓移載機，將晶圓200搬出至處理容器202的外面。
(處理次數判斷步驟S108)
搬出晶圓200後，判斷成膜步驟是否已實施既定次數。在判斷成膜步驟已實施既定次數的情況，結束基板處理步驟。此外，亦可在結束基板處理步驟之前，實施清潔步驟。另一方面，在判斷成膜步驟尚未實施既定次數的情況，因為開始處理下一片待機之晶圓200，所以回到基板搬入‧載置步驟S102。
(3)成膜步驟
其次，說明成膜步驟S104。
第3圖係表示本發明之第1實施形態之成膜步驟的流程圖，係在第2圖所示之流程圖中之成膜步驟的細部流程圖。以下，參照第3圖，說明成膜步驟S104的細節。
(遙控電漿單元ON步驟S200)
在供給各種氣體之前，使遙控電漿單元250 變成ON。在此，遙控電漿單元250之「ON」意指在遙控電漿單元250從高頻電源將固定之電力供給至感應線圈。又，固定之電力係具體而言，用以使O2氣體變成電漿化(電漿點燃)所需的電力。在遙控電漿單元250變成ON時，只要遙控電漿單元250取得匹配，電漿就點燃，若未取得匹配，電漿係不點燃。
在此，在遙控電漿單元250是否是取得匹配 而電漿實際點燃並產生，係若電力是固定，與氣體種類或氣體流量、遙控電漿單元250內之空間的壓力、温度等相依。在本發明，作成僅在將O2氣體供給(通過)至遙控電漿單元250內的空間時匹配，而產生電漿。即，TDMAT氣體與O2氣體之供給條件係被設定成即使在遙控電漿單元250變成ON時TDMAT氣體通過了遙控電漿單元250，亦不會匹配，而不會產生電漿，在O2氣體通過時匹配，而產生電漿。在該供給條件，至少包含流量，更適合係包含對遙控電漿單元250內之空間的壓力有影響之其他的參數(處理空間201之壓力等)、或温度等。 又，亦可將遙控電漿單元250之施加電力等設定成供給TDMAT氣體亦不會產生電漿，而僅在供給O2氣體時產生電漿。
(第1處理氣體供給步驟S202)
對晶圓200加熱至所要之温度時，打開閥 243d，開始將TDMAT氣體供給至處理容器202的處理空間201內。
在此時，將質量流量控制器243c調整成TDMAT氣體之流量成為既定流量。此外，TDMAT氣體之供給流量係例如1sccm以上，且100sccm以下。又，藉由調整壓力調整器223之閥開口大小，將處理容器202內之壓力控制成既定壓力。此外，亦可將非活性氣體供給系統與第1氣體供給系統243連接，使作為載送氣體之N2氣體與TDMAT氣體一起流動。又，亦可為了避免已氣化之TDMAT變成液體，將第1氣體供給系統243控制成既定温度，並將TDMAT氣體維持於既定氣化温度。
此外，第1氣體供給系統243係配置於比遙控電漿單元250更下游，但是即使TDMAT氣體經由共用氣體供給管242擴散至遙控電漿單元250內，亦如上述所示，在遙控電漿單元250內TDMAT氣體係不會被電漿化。
被供給至處理容器202之TDMAT氣體係被供給至晶圓200上。在晶圓200表面之上，藉由TDMAT氣體接觸，形成作為「含第1元素層」的含金屬層(含鈦層)。
含金屬層係例如因應於處理容器202內之壓力、TDMAT氣體之流量、SUSCEPTOR之温度、TDMAT氣體通過處理空間201所需的時間(處理時間)等，以既定厚度及既定分布所形成。
供給TDMAT氣體既定時間後，關閉閥243d，結束TDMAT氣體之供給。
(沖洗步驟S204)
在第1處理氣體供給步驟S202之後，打開閥245d，將N2氣體供給至處理容器202的處理空間201。在此時，如上述所示，藉真空泵224與壓力調整器223的動作，將處理容器202內排氣。藉此，被供給至處理容器202的N2氣體係一面從晶圓200上除去在第1處理氣體供給步驟S202所供給之多餘(無助於成膜)的TDMAT氣體，一面從處理容器202排出。又，打開閥237，而且控制壓力調整器238與真空泵239，藉此，亦除去殘留於蓮蓬頭230內的TDMAT氣體。然後，執行沖洗既定時間後，關閉閥245d，停止N2氣體之供給，而且關閉閥237，而遮斷蓮蓬頭230與真空泵239之間。此外，N2氣體之供給流量係例如0.1sccm以上，且10sccm以下。
又，N2氣體之供給條件係被設定成即使在遙控電漿單元250變成ON時N2氣體通過了遙控電漿單元250，亦不會產生電漿。第3氣體供給系統245係配置於比遙控電漿單元250更下游，但是即使N2氣體經由共用氣體供給管242擴散至遙控電漿單元250內，亦藉由如上述所示設定N2氣體之供給條件，在遙控電漿單元250內N2氣體不會被電漿化。
(第2處理氣體供給步驟S206)
在沖洗步驟S204之後，打開閥244d，在遙控電漿單元250對O2氣體進行電漿激發，並將該已電漿化之O2氣體供給至處理空間201內。
在此時，將質量流量控制器244c調整成O2 氣體之流量成為既定流量。O2氣體之供給流量係被設定成例如0.1sccm以上，且10sccm。又，藉由適當地調整壓力調整器223之閥開口大小，將處理容器202內之壓力控制成既定壓力。此外，亦可將非活性氣體供給系統與第2氣體供給系統244連接，使作為載送氣體之N2氣體與O2氣體一起流動。
在上述之遙控電漿單元ON步驟S200遙控 電漿單元250已變成ON，因為開於執行O2氣體之電漿化所需的電力施加，所以將O2氣體供給至遙控電漿單元250，取得匹配，藉此，電漿迅速地點燃並產生。
藉遙控電漿單元250已電漿化之O2氣體係經 由蓮蓬頭230，被供給至晶圓200上。藉該O2氣體之電漿使已形成之含金屬層(含鈦層)重組(氧化)，藉此，金屬氧化膜(TiO2膜)形成於晶圓200之上。
是為重組層之金屬氧化膜係例如因應於處理 容器202內之壓力、O2氣體之流量、基板載置台212之温度、遙控電漿單元250之供給電力等，以既定厚度、既定分布、及對含金屬層之既定氧成分的侵入深度所形成。
供給O2氣體既定時間後，關閉閥244d，結 束O2氣體之供給。在此時，藉由對遙控電漿單元250之O2氣體的供給結束，失去匹配，而電漿迅速地消弧(消失)。
(沖洗步驟S208)
在第2處理氣體供給步驟S206之後，打開閥245d，將N2氣體供給至處理容器202的處理空間201。被供給至處理容器202的N2氣體係一面從晶圓200上除去在第2處理氣體供給步驟S206所供給之多餘(無助於成膜)的O2氣體，一面從處理容器202排出。又，打開閥237，而且控制壓力調整器238與真空泵239，藉此，亦除去殘留於蓮蓬頭230內的O2氣體。然後，執行沖洗既定時間後，關閉閥245d，停止N2氣體之供給，而且關閉閥237，而遮斷蓮蓬頭230與真空泵239之間。此外，N2氣體之供給流量係例如0.1sccm以上，且10sccm以下。
又，與上述之沖洗步驟S204一樣，N2氣體之供給條件係被設定成即使在遙控電漿單元250變成ON時N2氣體通過了遙控電漿單元250，亦不會產生電漿。因此，即使N2氣體經由共用氣體供給管242擴散至遙控電漿單元250內，在遙控電漿單元250內N2氣體亦不會被電漿化。
(判斷步驟S210)
接著，控制器260判斷是否已實施由上述之從S202至S208所構成的一個循環既定次數。在尚未實施該循環既定次數時(在S210是NO的情況)，回到第1處理氣體供給步驟S202，重複成膜處理。在已實施該循環既定次數時(在S210是YES的情況)，結束成膜步驟。在此時，亦可使遙控電漿單元250變成OFF，停止電力施加。
參照第4圖、第5圖、第11圖及第12圖， 再說明上述之處理。第4圖係表示第3圖所示之成膜步驟中的電漿點燃之時序的時序圖。第5圖係表示第3圖所示之成膜步驟中的電漿點燃之時序的時序圖。又，第11圖係表示習知技術之成膜步驟的時序圖，第12圖係表示第11圖所示之成膜步驟中的電漿點燃之時序的時序圖。
如第4圖所示，遙控電漿單元250係成膜步 驟中總是ON狀態。可是，在供給TDMAT氣體時(TDMAT Flow)與供給N2氣體時(N2 Purge)，係如上述所示，未點燃電漿，而僅在供給O2氣體時點燃電漿。
參照第5圖，說明電漿點燃及電漿消弧之時 序。如第5圖所示，因為遙控電漿單元250係被維持成總是ON狀態，所以打開第2氣體供給系統244之閥244d，開始供給O2氣體，藉由O2氣體之流量達到既定流量，取得匹配，而點燃電漿(電漿ON)。又，關閉第2氣體供給系統244之閥244d，而O2氣體之流量成為未滿既定流量時，失去阻抗的匹配，而電漿消弧(電漿OFF)。依此方式，在本發明，能以與處理氣體之流動(流量或有無處理氣體)確實地同步的方式高速地切換電漿之ON/OFF。
相對地，在習知技術，如第11圖所示，一般 與處理氣體之供給同步地控制遙控電漿單元之ON/OFF動作。可是，使遙控電漿單元之ON/OFF動作與進行處理氣體之供給、結束之閥的動作嚴格地一致這件事係困 難的，而難使電漿之ON/OFF與處理氣體之流動確實地同步。例如，如第12圖所示，若遙控電漿單元之ON時序比處理氣體之開始供給時序慢，則至實際上電漿點燃的延遲量變大。又，若遙控電漿單元之OFF時序比處理氣體之結束供給時序早，則電漿消弧，而無法使剩下之處理氣體電漿化。
如以上所示，在本發明，藉由將遙控電漿單 元250設定為總是ON狀態(執行使氣體電漿化所需之電力施加的狀態)，因為可僅根據進行O2氣體之供給與停止之閥244d的開閉，控制電漿之產生，所以可實現與處理氣體之流動確實地同步之電漿的ON/OFF。又，因為可僅根據處理氣體之流量或處理氣體之有無，控制電漿的產生，所以亦可高速地切換電漿之ON/OFF。藉此，可提高生產力，而且可正確地規定已電漿化之處理氣體的供給量或供給時間。又，因為不必與處理氣體之供給同步地控制遙控電漿單元250，所以亦可簡化在控制單元260的控制。
此外，上述中，在成膜步驟中，將遙控電漿 單元250設為總是ON狀態，但是亦可作成至少在比O2氣體之開始供給早既定時間之前(第1處理氣體供給步驟S202中或沖洗步驟S204中)設定成ON。又，亦可在O2氣體之供給結束後亦使ON狀態繼續既定時間，然後(沖洗步驟S208中或第1處理氣體供給步驟S202中)，將遙控電漿單元250從ON切換成OFF。
又，在不必考慮TDMAT氣體對遙控電漿單 元250之擴散的情況(例如亦可作成將閥設置於遙控電漿單元250與第1氣體供給系統243之間，在TDMAT氣體之供給中係關閉該閥)，在TDMAT氣體之供給條件中，亦可是不必考慮是否電漿化之可電漿化的供給條件。一樣地，在不必考慮N2氣體對遙控電漿單元250之擴散的情況(例如亦可作成將閥設置於遙控電漿單元250與第3氣體供給系統245之間，在N2氣體之供給中係關閉該閥)，在N2氣體之供給條件中，亦可是不必考慮是否電漿化之可電漿化的供給條件。
<第2實施形態>
以下，說明本發明之第2實施形態。在第2 實施形態中，與第1實施形態之相異點在於遙控電漿單元250的配置。以下，僅說明與第1實施形態的相異點，而對相同的構成或處理則省略說明。
第6圖係表示第2實施形態之基板處理裝置 1000的圖。在基板處理裝置1000中，上述之第1氣體供給系統243、第2氣體供給系統244及第3氣體供給系統245設置於遙控電漿單元250的上游。
第2實施形態之成膜步驟係與上述之從第3 圖至第5圖相同。即，將遙控電漿單元250設定成總是ON狀態，並按照TDMAT氣體、N2氣體、O2氣體、N2氣體之順序，經由遙控電漿單元250將各氣體供給至處理容器202。在此時，僅在供給O2氣體時(僅在O2氣體通過遙控電漿單元250時)取得匹配，而產生電漿。
因此，在第2實施形態中，亦可得到與第1 實施形態一樣之效果。
<第3實施形態>
以下，說明本發明之第3實施形態。在第3 實施形態中，與以往之實施形態的相異點在於O2氣體的供給時序。又，基板處理裝置之構成係與第1實施型態相同。以下，僅說明與第1實施形態的相異點，而對相同的構成或處理則省略說明。
第7圖係表示本發明之第3實施形態之成膜 步驟的流程圖。如第7圖所示，一面將遙控電漿單元250維持於總是ON狀態，一面在TDMAT氣體之供給後之N2氣體沖洗的執行中打開閥244d，開始供給O2氣體。 又，在O2氣體之供給中打開閥245d，開始進行N2氣體沖洗，在該N2氣體沖洗之執行中關閉閥244d，結束O2氣體的供給。即，在第3實施形態中，係在上述之第3圖所示的流程圖中，S206之開始與結束分別在時間上與S204及S208重複。
在O2氣體之供給期間，O2氣體係藉遙控電 漿單元250電漿化。已電漿化之O2氣體係在從遙控電漿單元250被排出後，與N2氣體混合。在此，沖洗中之N2氣體的流量被設定成足以使O2氣體之電漿消弧之充分的流量。藉此，O2氣體之電漿係在至到達處理容器202的期間被消弧。即，在N2沖洗期間中，O2氣體係無助於成膜。
另一方面，N2氣體沖洗(在上述之第3圖所示 的流程圖中之S204)結束時，O2氣體之電漿不會被消弧，並被供給至處理容器202，而有助於成膜。又，若在O2氣體之供給中N2氣體沖洗(在上述之第3圖所示的流程圖中之S208)開始時，O2氣體之電漿係在至到達處理容器202的期間消弧。
依此方式，在第3實施形態，作成一面將遙 控電漿單元250維持於總是ON狀態，一面從N2氣體沖洗之執行中開始供給O2氣體，且在N2氣體沖洗之執行中結束N2氣體的供給。即，已電漿化之O2氣體的供給量(供給時間)係實質上僅藉進行N2氣體之供給與停止之閥245d的開閉所控制。藉此，可在與所要之O2氣體的流動同步的時序使電漿ON/OFF。又，可僅根據N2氣體之有無，控制電漿的產生，而可高速地切換電漿之ON/OFF。
<第4實施形態>
以下，說明本發明之第4實施形態。
第8圖係表示第4實施形態之基板處理裝置1100的圖。在基板處理裝置1100中，與第1實施形態之基板處理裝置100的相異點在於設置第4氣體供給系統247、及使用該第4氣體供給系統247之成膜步驟。以下，僅說明與第1實施形態的相異點，而對相同的構成或處理則省略說明。
(第4氣體供給系統247)
如第8圖所示，第4氣體供給系統247設置於遙控電漿單元250之上游。在第4氣體供給系統247之氣體供給管247a，從上游方向依序設置第4氣體供給源247b、流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)247c、及開閉閥之閥247d。
GasX貯藏於氣體供給源247b。GasX係通過設置於氣體供給管247a之質量流量控制器247c與閥247d後，被供給至遙控電漿單元250。已通過遙控電漿單元250之GasX係流入共用氣體供給管242，再經由蓮蓬頭230被供給至處理容器202。
在此，GasX係在遙控電漿單元250中被電漿化之氣體，而且，無助於晶圓200之成膜(至少與第1處理氣體係不具有反應性)的氣體(非處理氣體)。作為GasX，使用例如氬(Ar)等。
第9圖係表示本發明之第4實施形態之成膜步驟的流程圖。以下，主要說明與第3圖所示之流程圖的相異點，在遙控電漿單元ON步驟(S200)之後，在第1處理氣體供給步驟(S302)中，將TDMAT氣體供給至處理容器202，而且，打開閥247d，經由遙控電漿單元250，將GasX供給至處理容器202。又，在沖洗步驟(S304、S308)，將N2氣體供給至處理容器202，而且，打開閥247d，經由遙控電漿單元250，將GasX供給至處理容器202。此外，在第2處理氣體供給步驟中，僅供給O2氣體，不供給GasX。
第10圖係表示第9圖所示之成膜步驟的時序 圖。如第10圖所示，藉由在第1處理氣體供給步驟(TDMAT Flow)與沖洗步驟(N2 Purge)中將GasX供給至遙控電漿單元250，將遙控電漿單元250保持於總是產生電漿之狀態。因此，供給O2氣體時，可馬上使O2氣體電漿化。此外，藉由將GasX供給至遙控電漿單元250所產生之電漿係無助於成膜。
依此方式，在第4實施形態中，不僅有在第 1實施形態所得之效果，而且可使O2氣體馬上變成電漿。藉此，可更提高生產力，而且可正確地規定已電漿化之處理氣體的供給量或供給時間。
此外，亦可適當地組合上述各實施形態。例 如，亦可將第2實施形態中之O2氣體的供給時序與第3實施形態或第4實施形態組合。
又，本發明係例如在改造在半導體裝置之製 造工廠所存在之既有的基板處理裝置之氣體供給系統，並變更製程配方，亦可實現。在變更製程配方的情況，亦可經由電通訊線路或已記錄該製程配方的記錄媒體，將本發明之製程配方安裝於既有的基板處理裝置，又，亦可操作既有之基板處理裝置的輸出入裝置，將該製程配方變更成本發明之製程配方。
以上，作為本發明之各種實施形態，說明了 成膜技術，但是本發明係未限定為那些實施形態。例如，亦可應用於進行形成氮化膜等之各種膜的成膜處理、或擴散處理、氧化處理、氮化處理、微影處理等其他的基 板處理的情況。又，本發明係亦可應用於退火處理裝置、薄膜形成裝置、蝕刻裝置、氧化處理裝置、氮化處理裝置、塗佈裝置、加熱裝置等其他的基板處理裝置。
(本發明之較佳的形態)
以下，附記本發明之較佳的形態。
[附記1]一種基板處理裝置，係將第1處理氣體與已電漿化之第2處理氣體交互地供給至處理容器而處理基板，該基板處理裝置包括：第1氣體供給系統，係供給該第1處理氣體；第2氣體供給系統，係供給該第2處理氣體；電漿單元，係配置於該處理容器之上游，並至少使該第2處理氣體電漿化；及控制部，係將該第1氣體供給系統與該第2氣體供給系統控制成交互地供給該第1處理氣體與該第2處理氣體，而且將該電漿單元控制成從開始供給該第2處理氣體之前執行該第2處理氣體之電漿化所需的電力施加。
[附記2]如附記1之基板處理裝置，該控制部係將該電漿單元控制成在該第2處理氣體之供給結束後亦繼續執行該電力施加。
[附記3]如附記1或2之基板處理裝置，該控制部係將該電漿單元控制成在該第1處理氣體與該第2處理氣體都未被供給至該電漿單元時亦執行該電力施加。
[附記4]如附記1至3中任一項的基板處理裝置，該控制部係將該電漿單元控制成在該基板之處理步驟中總是執行該電力施加。
[附記5]如附記1至4中任一項的基板處理裝 置，至少包含流量之該第1處理氣體與該第2處理氣體的供給條件係被設定成該第1處理氣體係在該電漿單元未被電漿化，該第2處理氣體係在該電漿單元被電漿化。
[附記6]如附記1至5中任一項的基板處理裝 置，其具備第3氣體供給系統，該第3氣體供給系統係配置成位於該處理容器之上游，且在該電漿單元之下游，並供給非活性氣體；該控制部係將該第3氣體供給系統控制成在交互地供給該第1處理氣體與該第2處理氣體時各處理氣體被分離，並供給該非活性氣體，而且將該第2氣體供給系統控制成從該非活性氣體之供給結束之前開始供給該第2處理氣體。
[附記7]如附記6之基板處理裝置，該控制部 係將該第2氣體供給系統與該第3氣體供給系統控制成在供給該第2處理氣體中結束該非活性氣體之供給後，在供給該第2處理氣體中開始供給該非活性氣體。
[附記8]如附記1至5中任一項的基板處理裝 置，其具備第4氣體供給系統，該第4氣體供給系統係將無助於該基板之處理的非處理氣體供給至該電漿單元；該控制部係將該第4氣體供給系統控制成在開始供給該第2處理氣體之前將該非處理氣體供給至該電漿單元。
[附記9]如附記8之基板處理裝置，至少包含 流量之該非處理氣體的供給條件係被設定成該非處理氣體在該電漿單元被電漿化。
[附記10]一種基板處理裝置，係至少將第1 處理氣體與第2處理氣體供給至處理容器而處理基板，該基板處理裝置包括：第1閥，係開閉該第1處理氣體之供給路；第2閥，係開閉該第2處理氣體之供給路；電漿單元，係配置於該處理容器之上游，且該第2閥之下游；及控制部，係將該第1閥與該第2閥之開閉控制成交互地供給該第1處理氣體與該第2處理氣體，而且將該電漿單元控制成從打開該第2閥之前執行該第2處理氣體之電漿化所需的電力施加。
[附記11]如附記10之基板處理裝置，該控制 部係將該電漿單元控制成在該第2閥關閉後亦繼續執行該電力施加。
[附記12]如附記10或11之基板處理裝置， 該第1閥係配置成於該遙控電漿單元之上游，而且至少包含流量之該第1處理氣體與該第2處理氣體的供給條件係被設定成該第1處理氣體係在該電漿單元未被電漿化，該第2處理氣體係在該電漿單元被電漿化。
[附記13]一種半導體裝置之製造方法，係將 第1處理氣體與藉電漿單元已電漿化之第2處理氣體交互地供給至處理容器而處理基板，該半導體裝置之製造方法在該遙控電漿單元執行該第2處理氣體之電漿化所需之電力施加的狀態開始執行及結束執行該第2處理氣體之供姶。
[附記14]一種半導體裝置之製造方法，係將 第1處理氣體與藉電漿單元已電漿化之第2處理氣體交 互地供給至處理容器而處理基板，該半導體裝置之製造方法具有：開始施加電力步驟，係在未將該第2處理氣體供給至該電漿單元時在該電漿單元開始執行該第2處理氣體之電漿化所需之電力施加；及開始供給步驟，係在該電漿單元執行該電力施加之狀態開始供給該第2處理氣體。
[附記15]如附記14之半導體裝置的製造方 法，其包括在該第2處理氣體之供給結束後亦在該電漿單元繼續執行該電力施加的步驟。
[附記16]一種半導體裝置之製造方法，其具 有：第1步驟，係將第1處理氣體供給至基板之處理容器；第2步驟，係將非活性氣體從電漿單元之下游供給至該處理容器；第3步驟，係向該處理容器供給在該電漿單元已電漿化之第2處理氣體；及第4步驟，係將非活性氣體從該電漿單元之下游供給至該處理容器；在該第3步驟中，在該第2步驟結束之前開始供給該已電漿化之第2處理氣體，而且在該第4步驟開始後結束該已電漿化之第2處理氣體的供給。
[附記17]一種半導體裝置之製造方法，其具 有：第1步驟，係將第1處理氣體供給至基板之處理容器；第2步驟，係將藉該電漿單元已電漿化之第2處理氣體供給至該處理容器；及第3步驟，係在該第2步驟以外的步驟，將無助於該基板之處理的非處理氣體供給至該電漿單元，藉此，在該電漿單元產生電漿。
[附記18]一種程式，係用以將第1處理氣體 與藉遙控電漿單元已電漿化之第2處理氣體交互地供給至處理容器而處理基板，該程式係使電腦執行在該遙控電漿單元執行該第2處理氣體之電漿化所需的電力施加之狀態開始進行與結束進行該第2處理氣體之供給的程序。
[附記19]一種程式，係將第1處理氣體與藉 電漿單元已電漿化之第2處理氣體交互地供給至處理容器而處理基板，該程式係使電腦執行：開始施加電力程序，係在未將該第2處理氣體供給至該電漿單元時在該電漿單元開始執行該第2處理氣體之電漿化所需之電力施加；及開始供給程序，係在該電漿單元執行該電力施加之狀態開始供給該第2處理氣體。
[附記20]一種儲存有程式之電腦可讀取的記 錄媒體，該程式係用於將第1處理氣體與藉電漿單元已電漿化之第2處理氣體交互地供給至處理容器而處理基板，該程式係使電腦執行在該遙控電漿單元執行該第2處理氣體之電漿化所需的電力施加之狀態開始進行與結束進行該第2處理氣體之供給之程序的程式。
[附記21]一種儲存有程式之電腦可讀取的記 錄媒體，該程式係用於將第1處理氣體與藉電漿單元已電漿化之第2處理氣體交互地供給至處理容器而處理基板，該程式係使電腦執行：開始施加電力程序，係在該第2處理氣體未被供給至該電漿單元時在該電漿單元開始執行該第2處理氣體之電漿化所需之電力施加；及開 始供給程序，係在該電漿單元執行該電力施加之狀態開始供給該第2處理氣體。
[工業上之可應用性]
本發明係可利用於處理基板之基板處理裝置及半導體裝置的製造方法。
100‧‧‧基板處理裝置
200‧‧‧晶圓
201‧‧‧處理空間
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器
202b‧‧‧下部容器
203‧‧‧搬運空間
204‧‧‧隔板
205‧‧‧閘閥
206‧‧‧基板搬出入口
207‧‧‧升降銷
210‧‧‧基板支撐部
211‧‧‧基板載置面
212‧‧‧基板載置台
213‧‧‧加熱器
214‧‧‧貫穿孔
217‧‧‧軸
218‧‧‧升降機構
219‧‧‧伸縮囊
220‧‧‧排氣系統
221‧‧‧排氣口
222‧‧‧排氣管
223‧‧‧壓力調整器
224‧‧‧真空泵
230‧‧‧蓮蓬頭
231‧‧‧蓋
231a‧‧‧孔
232‧‧‧緩衝空間
233‧‧‧絕緣組件
234‧‧‧分散板
234a‧‧‧貫穿孔
235‧‧‧氣體導件
236‧‧‧排氣管
237‧‧‧閥
238‧‧‧壓力調整器
239‧‧‧真空泵
241‧‧‧氣體導入口
242‧‧‧共用氣體供給管
243‧‧‧第1氣體供給系統
243a‧‧‧氣體供給管
243b‧‧‧氣體供給源
243c‧‧‧質量流量控制器
243d‧‧‧閥
244‧‧‧第2氣體供給系統
244a‧‧‧氣體供給管
244b‧‧‧氣體供給源
244c‧‧‧質量流量控制器
244d‧‧‧閥
245‧‧‧第3氣體供給系統
245a‧‧‧氣體供給管
245b‧‧‧氣體供給源
245c‧‧‧質量流量控制器
245d‧‧‧閥
260‧‧‧控制器
261‧‧‧運算部
262‧‧‧記憶部
263‧‧‧外部記憶裝置

Claims (12)

  1. 一種基板處理裝置，係將第1處理氣體與已電漿化之第2處理氣體交互地供給至處理容器而處理基板，該第1處理氣體係原料氣體，該第2處理氣體係反應氣體或重組氣體，該基板處理裝置包括：第1氣體供給系統，係供給該第1處理氣體；第2氣體供給系統，係供給該第2處理氣體；電漿單元，係配置於該處理容器之上游，並至少使該第2處理氣體電漿化；第3氣體供給系統，該第3氣體供給系統係配置成位於該處理容器之上游，且在該電漿單元之下游，並供給非活性氣體；及控制部，係在已將電力供給至該電漿單元的狀態下，將該第1氣體供給系統與該第2氣體供給系統控制成交互地供給該第1處理氣體與該第2處理氣體；並且將該第2氣體供給系統及該第3氣體供給系統控制成在該第1處理氣體的供給與該第2處理氣體的供給之間供給該非活性氣體，且在該非活性氣體之供給結束之前開始供給該第2處理氣體，在該非活性氣體之供給結束時進行匹配而產生該第2處理氣體的電漿；並且將該電漿單元控制成從開始供給該第2處理氣體之前執行該第2處理氣體之電漿化所需的電力施加。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中該控制部係將該電漿單元控制成在該第2處理氣體之供給結束後亦繼續執行該電力施加。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中該控制部係將該電漿單元控制成該第1處理氣體與該第2處理氣體都未被供給至基板時亦執行該電力施加。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中該控制部係將該電漿單元控制成在該基板之處理步驟中始終執行該電力施加。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中以該第1處理氣體在該電漿單元未被電漿化，該第2處理氣體在該電漿單元被電漿化的方式設定該第1處理氣體與該第2處理氣體的供給條件，該第1處理氣體與該第2處理氣體的供給條件包含流量。
  6. 如請求項1之基板處理裝置，其中該控制部係將該第2氣體供給系統與該第3氣體供給系統控制成，在開始供給該第2處理氣體之後結束該非活性氣體之供給，接著持續該第2處理氣體之供給，然後在結束該第2處理氣體之供給之前，開始供給該非活性氣體。
  7. 如請求項1之基板處理裝置，其中具備第4氣體供給系統，該第4氣體供給系統係將無助於該基板之處理的非處理氣體供給至該電漿單元；該控制部係將該第4氣體供給系統控制成在開始供給該第2處理氣體之前將該非處理氣體供給至該電漿單元。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中以該非處理氣體在該電漿單元被電漿化的方式設定該非處理氣體的供給 條件，該非處理氣體的供給條件包含流量。
  9. 一種半導體裝置之製造方法，係將第1處理氣體與藉電漿單元已電漿化之第2處理氣體交互地供給至處理容器而處理基板，該第1處理氣體係原料氣體，該第2處理氣體係反應氣體或重組氣體，該半導體裝置之製造方法具有：開始施加電力步驟，係在未將該第2處理氣體供給至該電漿單元時在該電漿單元開始執行該第2處理氣體之電漿化所需之電力施加；及產生第2處理氣體的電漿之步驟，係在電力已被施加至該電漿單元的狀態下，在該第1處理氣體的供給與該第2處理氣體的供給之間，在該處理容器之上游且在該電漿單元之下游供給非活性氣體，且在該非活性氣體之供給結束之前開始供給該第2處理氣體，在該非活性氣體之供給結束時進行匹配而產生該第2處理氣體的電漿。
  10. 如請求項9之半導體裝置的製造方法，其包括在該第2處理氣體之供給結束後亦在該電漿單元繼續執行該電力施加的步驟。
  11. 如請求項9之半導體裝置的製造方法，其具有在該第2處理氣體之供給結束之前供給該非活性氣體的步驟。
  12. 一種儲存有程式之電腦可讀取的記錄媒體，該程式係用於將第1處理氣體與藉電漿單元已電漿化之第2處理氣體交互地供給至處理容器而處理基板，該第1處理氣體係原料氣體，該第2處理氣體係反應氣體或重 組氣體，該程式係使電腦執行：開始施加電力程序，係在該第2處理氣體未被供給至該電漿單元時在該電漿單元開始執行該第2處理氣體之電漿化所需之電力施加；及產生該第2處理氣體的電漿之程序，係在電力已被施加至該電漿單元的狀態下，在該第1處理氣體的供給與該第2處理氣體的供給之間，在該處理容器之上游且在該電漿單元之下游供給非活性氣體，且在該非活性氣體之供給結束之前開始供給該第2處理氣體，在該非活性氣體之供給結束時進行匹配而產生該第2處理氣體的電漿。
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