TW202017015A - 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種就算是對於縱橫比為高之深溝，也能夠在深溝之從上部起而至下部處而形成特性為均一之膜的技術。 [解決手段]係提供一種技術，其係將具備有至少藉由上部和下部所構成的深溝之基板，藉由在處理室內所具備的基板支持部來作支持，並對於前述處理室，而供給處理氣體並在前述深溝之內側表面上形成層，並且將藉由前述處理室所構成的處理空間之壓力設為較前述深溝之內側空間而更低之壓力，而將在形成前述層時而於前述內側空間中所產生的副生成物排出。

Description

半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式
本發明，係有關於半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式。
近年來，被形成於半導體裝置處之圖案，係有著微細化之傾向。例如，在專利文獻1中，係於被形成在基板處之深溝的表面上形成薄膜。
[發明所欲解決的課題]
伴隨著半導體裝置之微細化，深溝之縱橫比係有變高的傾向。在深溝之表面上，係被形成有薄膜。對於此種深溝，係要求從溝之上部起直到下部為止地而將膜之特性設為均一。所謂膜之特性，例如係為電阻值或膜密度等。
本技術之目的，係在於提供一種就算是對於縱橫比為高之深溝，也能夠在深溝之從上部起而至下部處而形成特性為均一之膜的技術。
[專利文獻1]日本特開2017-69407 [用以解決課題之手段]
係提供一種技術，其係將具備有至少藉由上部和下部所構成的深溝之基板，藉由在處理室內所具備的基板支持部來作支持，並對於前述處理室，而供給處理氣體並在前述深溝之內側表面上形成層，並且將藉由前述處理室所構成的處理空間之壓力設為較前述深溝之內側空間而更低之壓力，而將在形成前述層時而於前述內側空間中所產生的副生成物排出。 [發明之效果]
就算是對於縱橫比為高之深溝，也能夠在深溝之從上部起而至下部處而形成特性為均一之膜。
針對在深溝處形成薄膜的基板處理裝置200之其中一例，使用圖1來作說明。
(腔) 於此，針對腔作說明。基板處理裝置200，係具備有腔202。腔202，例如係作為橫剖面為圓形且扁平之密閉容器而被構成。又，腔202，例如係藉由鋁(Al)或不鏽鋼(SUS)等之金屬材料所構成。在腔202內，係被形成有對於作為基板之矽基板等的基板100進行處理之處理空間205、和在將基板100搬送至處理空間205處時基板100所通過的搬送空間206。腔202，係藉由上部容器202a和下部容器202b所構成。在上部容器202a和下部容器202b之間，係被設置有區隔板208。
在下部容器202b之側面處，係被設置有與閘閥149相鄰接的基板搬入搬出口148，基板100係經由基板搬入搬出口148而在下部容器202b與未圖示之真空搬送室之間作移動。在下部容器202b之底部處，係被設置有複數之舉升銷207。進而，下部容器202b係被接地。
構成處理空間205之處理室，例如係藉由後述之基板載置台212和噴淋頭230所構成。在處理空間205內，係被設置有支持基板100之基板支持部210。基板支持部210，主要係具備有載置基板100之基板載置面211、和於表面具備有基板載置面211之基板載置台212、和被內包於基板載置台212中之作為加熱源之加熱器213。在基板載置台212處，舉升銷207所貫通之貫通孔214，係分別被設置在與舉升銷207相對應之位置處。在加熱器213處，係被連接有對於加熱器213之溫度作控制的溫度控制部220。
基板載置台212，係藉由軸217而被作支持。軸217之支持部，係貫通被設置在腔202之底壁處之孔215，並進而經由支持板216而在腔202之外部處被與升降機構218作連接。藉由使升降機構218動作並使軸217以及基板載置台212進行升降，係成為能夠使被載置在基板載置面211上之基板100作升降。另外，軸217下端部之周圍係藉由蛇腹管219而被作覆蓋。腔202內係被保持為氣密。
基板載置台212，在基板100之搬送時，係一直下降至會使基板載置面211與基板搬入搬出口148相對向之位置處，在基板100之處理時，如同在圖1中所示一般，係一直上升至使基板100成為處理空間205內之處理位置處。
具體而言，在使基板載置台212一直下降至基板搬送位置處時，係使舉升銷207之上端部從基板載置面211之上面而突出，舉升銷207係成為將基板100從下方來作支持。又，在使基板載置台212一直上升至基板處理位置處時，舉升銷207係成為從基板載置面211之上面而被埋沒，基板載置面211係成為將基板100從下方來作支持。
在處理空間205之上部(上游側)處，係被設置有噴淋頭230。噴淋頭230，係具備有蓋231。蓋231，係具備有凸緣232，凸緣232係被支持於上部容器202a上。進而，蓋231係具備有定位部233。藉由使定位部233與上部容器202a相嵌合，蓋231係被固定。
噴淋頭230，係具備有緩衝空間234。緩衝空間234，係指藉由蓋231和定位部233所構成之空間。緩衝空間234和處理空間205係相通連。被供給至緩衝空間234處之氣體，係在緩衝空間234內擴散，並被均勻地供給至處理空間205處。於此，雖係針對將緩衝空間234和處理空間205設為相異之個體的構成來作了說明，但是，係並不被限定於此，亦可使緩衝空間234被包含於處理空間205中。
處理空間205，主要係藉由上部容器202a、在基板處理位置處之基板載置台212之上部構造，而被構成。將構成處理空間205之構造稱作處理室。另外，處理室，係只要身為構成處理空間205之構造即可，當然的，係並不被限定於上述之構造。
搬送空間206，主要係藉由下部容器202b、在基板處理位置處之基板載置台212之下部構造，而被構成。將構成搬送空間206之構造稱作搬送室。搬送室係被配置在處理室之下方。另外，搬送室，係只要身為構成搬送空間206之構造即可，當然的，係並不被限定於上述之構造。
(氣體供給部) 接著，針對氣體供給部作說明。氣體供給部，係身為供給處理氣體之構成。在共通氣體供給管242處，係被連接有第1氣體供給管243a、第2氣體供給管244a、第3氣體供給管245a。
從包含第1氣體供給管243a之第1氣體供給部243，係作為處理氣體而主要被供給有第1處理氣體，從包含第2氣體供給管244a之第2氣體供給部244，係作為處理氣體而主要被供給有第2處理氣體。從包含第3氣體供給管245a之第3氣體供給部245，係被供給有惰性氣體。
(第1氣體供給部) 在第1氣體供給管243a處，係從上游方向起，而依序被設置有：第1氣體供給源243b、身為流量控制器(流量控制部)之質量流控制器(MFC)243c、以及身為開閉閥之閥243d。
從第1氣體供給管243a，係使含有第1元素之氣體(以下，稱作「第1處理氣體」)，經由質量流控制器243c、閥243d、共通氣體供給管242，來供給至噴淋頭230處。
第1處理氣體，係身為原料氣體、亦即是身為處理氣體之其中一者。於此，第1元素，例如係為矽(Si)。亦即是，第1處理氣體，例如係身為含矽氣體。具體而言，作為含矽氣體，係使用有二氯矽烷(SiH2 Cl2 ，亦稱作DCS)氣體。
在第1氣體供給管243a之較閥243d更下游側處，係被連接有第1惰性氣體供給管246a之下游端。在第1惰性氣體供給管246a處，係從上游方向起，而依序被設置有：惰性氣體供給源246b、身為流量控制器(流量控制部)之質量流控制器(MFC)246c、以及身為開閉閥之閥246d。
於此，惰性氣體，例如係為氮(N2 )氣體。此係為作為原料氣體之載體氣體或稀釋氣體而起作用者。
主要，係藉由第1氣體供給管243a、質量流控制器243c、閥243d，來構成第1氣體供給部243(亦稱作含矽氣體供給部)。
又，主要，係藉由第1惰性氣體供給管246a、質量流控制器246c以及閥246d，來構成第1惰性氣體供給部。另外，係亦可將惰性氣體供給源246b、第1氣體供給管243a視為被包含在第1惰性氣體供給部中。
進而，係亦可將第1氣體供給源243b、第1惰性氣體供給部視為被包含在第1氣體供給部243中。
(第2氣體供給部) 在第2氣體供給管244a之上游處，係從上游方向起，而依序被設置有：反應氣體供給源244b、身為流量控制器(流量控制部)之質量流控制器(MFC)244c、以及身為開閉閥之閥244d。在將反應氣體設為電漿狀態的情況時，係於閥244d之下游處設置遠端電漿單元(RPU)244e。
而，從第2氣體供給管244a，係使反應氣體，經由MFC244c、閥244d、共通氣體供給管242，來供給至噴淋頭230內。在將反應氣體設為電漿狀態的情況時，係藉由RPU244e來設為電漿狀態，並照射至基板100上。
反應氣體，係身為處理氣體之其中一者，例如係為氧氣體。作為氧氣體，例如係使用有氧(O2 )氣體。
主要，係藉由第2氣體供給管244a、MFC244c、閥244d，來構成反應氣體供給部244。另外，反應氣體供給部244，係亦可視為包含反應氣體供給源244b、RPU244e、後述之第2惰性氣體供給部。
在第2氣體供給管244a之較閥244d更下游側處，係被連接有第2惰性氣體供給管247a之下游端。在第2惰性氣體供給管247a處，係從上游方向起，而依序被設置有：惰性氣體供給源247b、身為流量控制器(流量控制部)之質量流控制器(MFC)247c、以及身為開閉閥之閥247d。而，從第2惰性氣體供給管247a，係使惰性氣體，經由MFC247c、閥247d、第2氣體供給管244a、RPU244e，來供給至噴淋頭230內。
惰性氣體，係為作為反應氣體之載體氣體或稀釋氣體而起作用者。具體而言，例如，係可使用氮(N2 )氣體。
主要，係藉由第2惰性氣體供給管247a、MFC247c以及閥247d，來構成第2惰性氣體供給部。另外，係亦可將第2惰性氣體供給部，視為包含有惰性氣體供給源247b、第2氣體供給管243a、RPU244e。又，係亦可將第2惰性氣體供給部，視為被包含於第2氣體供給部244中。
(第3氣體供給部) 在第3氣體供給管245a處，係從上游方向起，而依序被設置有：第3氣體供給源245b、身為流量控制器(流量控制部)之質量流控制器(MFC)245c、以及身為開閉閥之閥245d。
從第3氣體供給管245a，係使作為清洗氣體之惰性氣體，經由質量流控制器245c、閥245d、共通氣體供給管242，來供給至噴淋頭230處。惰性氣體，例如係為氮(N2 )氣體。
主要，係藉由第3氣體供給管245a、質量流控制器245c、閥245d，來構成第3氣體供給部245。
從惰性氣體供給源245b所被供給之惰性氣體，在基板處理工程中，係作為對滯留於腔202和噴淋頭230內之氣體進行清洗之清洗氣體而起作用。
主要係將第1氣體供給部243、第2氣體供給部244、第3氣體供給部245統稱為氣體供給部。另外，所謂氣體供給部，只要是身為將處理氣體供給至處理空間中的構成即可，並為因應於製程而代表第1氣體供給部243、第2氣體供給部244、第3氣體供給部245之任一者或者是該些之一部分之組合。
(排氣部) 將腔202之氛圍作排氣的排氣部，主要係藉由將處理空間205之氛圍作排氣的排氣部261而被構成。
排氣部261，係具備有被與處理室作連接的排氣管(第1排氣管)261a。排氣管261a，係以與處理空間205相通連的方式而被作設置。在排氣管261a處，係被設置有身為將處理空間205內控制為特定之壓力的壓力控制器之APC(AutoPressure Controller)261c、和對於處理空間205之壓力進行計測的壓力檢測部261d。APC261c係具備有可進行開度調整之閥體(未圖示)，並因應於從後述之控制器280而來之指示而對於排氣管261a之導度進行調整。又，在排氣管261a處，係於APC261c之上游側處被設置有閥261b。係將排氣管261a和閥261b、APC261c、壓力檢測部261d，統稱為排氣部261。
在排氣管261a之下游側處，係被設置有DP(Dry Pump，乾幫浦)278。DP278，係經由排氣管261a而將處理空間205之氛圍作排氣。
(控制器) 基板處理裝置200，係具備有對於基板處理裝置200之各部之動作作控制的控制器280。控制器280，係如同圖2所記載一般，至少具備有演算部(CPU)280a、暫時記憶部280b、記憶部280c、送受訊部280d。控制器280，係經由送受訊部280d而被與基板處理裝置200之各構成作連接，並因應於上位控制器或使用者之指示來從記憶部280c而叫出程式或配方，並因應於其內容來對於各構成之動作作控制。另外，控制器280，係可作為專用之電腦而構成，亦可作為汎用之電腦而構成之。例如，係可藉由準備儲存有上述之程式的外部記憶裝置(例如，磁帶、軟碟或硬碟等之磁碟、CD或DVD等之光碟、MO等之光磁碟、USB記憶體(USB Flash Drive)或記憶卡等之半導體記憶體)282，並使用外部記憶裝置282來將程式安裝至汎用之電腦中，來構成本實施形態之控制器280。又，用以對於電腦供給程式之手段，係並不被限定於經由外部記憶裝置282來作供給的情況。例如，係亦可構成為使用網際網路或者是專用線路等之通訊手段，亦可構成為從上位裝置270來經由送受訊部283受訊資訊而並不經由外部記憶裝置282地來供給程式。又，係亦可使用鍵盤或觸控面板等之輸入輸出裝置281，來對於控制器280下達指示。
另外，記憶部280c或外部記憶裝置282，係作為電腦可讀取之記錄媒體而構成之。以下，亦將此些單純統稱為記錄媒體。另外，在本說明書中，當使用了「記錄媒體」此一用語時，係會有僅包含記憶部280c之單體的情況，或是僅包含外部記憶裝置282之單體的情況，或者是包含有此雙方的情況。
(半導體裝置之說明) 接著，針對處理對象之半導體裝置之其中一例，使用圖3～圖7來作說明。處理對象之半導體裝置，係身為層積形態之記憶體。圖4，係為在圖3所記載之孔106中而被填充有電荷阱膜等的狀態之圖。圖5，係為被填充有填充絕緣膜110等的狀態之圖。圖6，係為將犧牲膜104作了去除的狀態，並為被形成有空隙111的狀態之圖。圖7，係為在空隙111處被填充有金屬膜112之圖。
首先，使用圖3，針對藉由本技術來進行處理的基板作說明。圖3(a)，係為被形成於基板100處的膜之側剖面圖，圖3(b)係為從上方來作了觀察之圖。另外，在圖3(b)之α-α’線處的側剖面圖，係相當於圖3(a)。
在基板100處，係被形成有共通源極線(CSL、Common Source Line)101。進而，在基板100上係被形成有絕緣膜102。在絕緣膜102上係被形成有犧牲膜104。如同圖3中所記載一般，絕緣膜102和犧牲膜104係被交互作層積。具體而言，在絕緣膜102(1)上係被形成有犧牲膜104(1)、絕緣膜102(2)、犧牲膜104(2)、…、絕緣膜102(8)、犧牲膜104(8)。在犧牲膜104(8)上，係被形成有絕緣膜105。另外，於此，雖係針對將絕緣膜102、犧牲膜104形成有8層的例子來作了說明，但是，係並不被限定於此，而亦可設為更多層。
在藉由絕緣膜102、犧牲膜104所構成的層積膜以及絕緣膜105處，係被形成有作為深溝之孔106。孔106，係以在底部處而使共通源極線101露出的方式而被構成。孔106，係如同圖3(b)中所記載一般，於基板100之面方向上被設置有多數。在孔106之內壁處，係被形成有保護膜107。
接著，使用圖4，針對在孔106處形成有保護膜107、層積膜108的狀態作說明。(a)係為用以對於基板100之狀態作說明者，(b)係為將在(a)處之層積膜108作了一部分擴大之圖。
在孔106內，係從外周側起而依序被形成有保護膜107、閘極電極間絕緣膜-電荷阱膜-穿隧絕緣膜之層積膜108。各膜係被構成為筒狀。
例如，保護膜107係藉由矽氧化膜或金屬氧化膜而構成。在將改質犧牲膜104去除時，為了避免對於層積膜108造成損傷，係於孔106之內壁表面上設置保護膜107來作保護。
層積膜108，係藉由閘極電極間絕緣膜(SiO2 膜)108a、電荷阱膜(矽氮化膜SiN)108b、穿隧絕緣膜(SiO2 膜)108c，而被構成。閘極電極間絕緣膜108a，係被配置在保護膜107與電荷阱膜108b之間。穿隧絕緣膜108c，係被配置在電荷阱膜108b與通道聚矽膜109之間。閘極電極間絕緣膜108a，係藉由後述之交互供給法而被形成。
接著，使用圖5，針對在孔106處形成有通道聚矽膜109、填充絕緣膜110的狀態作說明。在層積膜108之表面上，係被形成有通道聚矽膜109、填充絕緣膜110。通道聚矽膜109，係被構成為筒狀。如此這般地而將孔106內作填充。
在填充於孔106中之後，藉由蝕刻處理來將犧牲膜104去除。
圖6，係為藉由蝕刻處理來將犧牲膜104作了去除的狀態之圖。在曾被形成有犧牲膜104之場所處，係被形成有作為深溝之空隙111。空隙111，係被與絕緣膜102交互作配置。
圖7，係為在空隙111處被埋入有金屬膜112的狀態。金屬膜112，係被與絕緣膜102交互作層積。
針對將被形成於深溝處之膜之特性設為均勻的目的，使用圖4、圖8、圖9來作說明。圖4之108d，係代表層積膜108之上部，108e，係代表層積膜108之下部。上部108d，係為被形成於孔106之上方處的部分，下部108e，係為被形成於孔106之底部分處的部分。
圖8，係為以電極間絕緣膜108a作為例子的說明圖。在圖8中，於電極間絕緣膜108a處，係存在有低密度部113和高密度部114。低密度部113，係為膜組成密度為低之部分。低密度部113，係亦被稱作針孔。高密度部114，係為滿足所期望的膜組成密度之部分。而，低密度部113之膜組成密度，係成為較高密度部114之膜密度更低。
如同前述一般，電極間絕緣膜108a，係鄰接於電荷阱膜108b。亦即是，在圖5中，電極間絕緣膜108a係以與XY平面相鄰接的方式而被作配置。電極間絕緣膜108a，係藉由身為特定之膜組成密度一事來對從電荷阱膜108b而來之漏洩電流作抑制，但是，當膜組成密度為低的情況時，係會發生漏洩電流。亦即是，雖然在高密度部114處係並不會發生漏洩電流，但是在低密度部113處則會有發生漏洩電流之虞。
又，針對替代電極間絕緣膜108a而身為使用於電路等之中的金屬膜之情況作說明。於金屬膜的情況，例如係以與XY平面相鄰接的方式而被形成有絕緣膜。故而，在金屬膜中流動之電荷，係於X軸方向上流動。由於在高密度部114和低密度部113處電阻值係為相異，因此，係會有電荷之流動量為相異或者是電荷之流動發生紊亂之虞。
若是如此這般地而在膜組成密度中存在有參差，則會有導致半導體裝置的特性降低之虞。
接著，使用圖9，針對在深溝處而膜特性出現參差的理由作說明。在對於深溝而藉由後述之圖10中所記載之交互供給法來形成膜的情況時，於深溝中之空間(在圖9中係為孔106)處係會產生副生成物。於此之所謂副生成物，例如係為無法與基底之膜相結合的氣體之剩餘成分或者是在氣體發生反應時所產生的與膜成分相異之成分。
在交互供給法中，於第1處理氣體供給工程S202中，第1處理氣體係成為剩餘並產生副生成物。於第2處理氣體供給工程S206中，係當被形成於基底膜上之第1處理氣體之前驅物與第2處理氣體產生反應時會發生副生成物。
於此，針對當在存在有副生成物的狀態下而流動有處理氣體的情況時所形成之膜作考慮。在存在有副生成物之區域中，於基底膜與處理氣體之間係存在有副生成物。因此，可以推測到會有處理氣體並未附著於基底膜之情況或者是被形成有包含副生成物之膜的情況。故而，就算是在存在有副生成物的狀態下而流動有處理氣體，也會形成組成密度為低之膜。
為了從深溝而將副生成物去除，係構成為在第1處理氣體供給工程S202之後進行第1清洗工程S204，或者是在第2處理氣體供給工程S206之後進行第2清洗工程S208。於先前技術之清洗工程中，係對於處理室供給惰性氣體。此清洗工程，從生產性的觀點來看，係期望以短時間來進行。
然而，在由發明者認真進行了研究之後，係發現到，先前技術之清洗工程，雖然能夠將在深溝之上部處所發生的副生成物去除，但是，係難以將在下部處所發生的副生成物去除。例如，在圖9中，雖然能夠將孔上部106a之副生成物115a去除，但是係難以將孔下部106b之副生成物115b去除。故而，在孔上部106a和孔下部106b處，副生成物115之密度係會相異。其結果，在孔上部106a和孔下部106b之間，例如在閘極電極間絕緣膜108a和閘極電極間絕緣膜108b之間，膜密度係會相異，並會有在之後的膜形成中而發生問題的可能性。所謂問題，例如係擔憂有起因於漏洩電流或膜密度之參差之發生所導致的信賴性之降低。
作為難以將在深溝之下部處所產生的副生成物去除之理由，係可考慮有下述之理由。
第1個理由係在於，在先前技術之清洗工程中的清洗氣體係並不會到達深溝之下部處。如同前述一般，於清洗工程中，係對於處理室供給惰性氣體。此時，清洗氣體之成分係侵入至深溝上部，其係將滯留於深溝上部處的副生成物推出。在圖9中，副生成物115a係藉由清洗氣體而被推出。但是，在以短時間來進行清洗工程的情況時，清洗氣體係難以到達深溝下部處。為了使清洗氣體到達深溝下部，係有必要將清洗氣體之流量顯著地增加或者是耗費更多的時間。然而，從生產性的觀點來看，係並不希望在清洗工程中將清洗氣體之流量顯著地增加或者是耗費更多的時間。
第2個理由係在於，深溝之上部的副生成物，係會有對於下部之副生成物之移動造成阻礙的情形。於清洗工程中，如同前述一般，惰性氣體係被供給至深溝處，但是，此時，在基板200之表面處亦係被供給有惰性氣體。故而，存在有氣體之流動的基板表面之壓力，係成為較深溝內之壓力而更低。由於係作出有從深溝起而至基板表面之氣體之流動，因此存在於深溝之上部處的副生成物係隨著該流動而被從深溝排出。但是，在深溝之下部處，就算是深溝下部之副生成物115b如同圖9之箭頭116一般地而移動，亦由於上部之副生成物115a係對於移動造成阻礙，因此在下部副生成物係會殘留。
如此這般，在深溝下部所產生的副生成物係身為難以去除的狀況。因此，被形成於深溝處之膜成分，係會在上部和下部處而成為不均一。
因此，在本實施形態中，係以就算是在短時間的清洗工程中也能夠將深溝下部之副生成物去除的方式來作控制。以下，針對具體例作說明。
(基板處理工程) 使用圖10、圖11，針對使用有基板處理裝置200之基板處理工程作說明。圖10，係為對於處理流程作說明之圖，圖11，係為對於各流程和氣體流量、壓力間之關係作展示之圖。
藉由進行本基板處理工程，來成為使被形成於例如作為深溝之孔106或空隙111處的薄膜之膜成分成為均一。另外，在以下之說明中，構成基板處理裝置200之各部分的動作，係藉由控制器280而被控制。
在本實施形態中，係以將如同圖3一般之被形成有保護膜107之基板搬入至處理室中並進行處理而形成閘極電極間絕緣膜108a的工程作為例子，來進行說明。
(基板搬入、載置工程) 針對基板搬入、載置工程作說明。在圖10中，係將本工程之說明省略。在基板處理裝置200處，係藉由使基板載置台212一直下降至基板100之搬送位置處，來使舉升銷207貫通基板載置台212之貫通孔214。其結果，舉升銷207係成為較基板載置台212之表面而更突出了特定之高度之量的狀態。
接著，將閘閥149開啟而使搬送空間206與真空搬送室(未圖示)相通連。之後，從此真空搬送室起來使用基板移載機(未圖示)而將基板100搬入至搬送空間206中，並將基板100移載至舉升銷207上。藉由此，基板100係在從基板載置台212之表面而突出的舉升銷207上，以水平姿勢而被作支持。此時之基板100，係如同圖3一般，身為在孔106處被形成有保護膜107的狀態。
若是將基板100搬入至了腔202內，則係使基板移載機退避至腔202之外，並將閘閥149關閉，而將腔202內作密閉。之後，藉由使基板載置台212上升，來將基板100載置於基板載置面211上，並藉由更進而使基板載置台212上升，來使基板100一直上升至前述之處理空間205內之處理位置(基板處理位置)處。
在基板100被搬入至搬送空間206中之後，若是使其一直上升至處理空間205內之處理位置處，則係將閥261b開啟，並使處理空間205與APC261c之間相通連。APC261c，係藉由對於排氣管261a之導度作調整，來將處理空間205維持為特定之壓力(例如10-5 ～10-1 Pa之高真空)。
在將基板100載置於基板載置台212之上時，係對於被埋入至基板載置台212之內部的加熱器213供給電力，並以使基板100之表面成為特定之溫度的方式來作控制。基板100之溫度，例如係為室溫以上800℃以下，較理想，係為室溫以上500℃以下。此時，加熱器213之溫度，係藉由「基於以溫度感測器所檢測出之溫度資訊來使控制器280抽出控制值並藉由溫度控制部220來調整對於加熱器213之通電程度」，而被作調整。
接著，針對在深溝處形成薄膜的具體性之方法作說明。於此，例如係針對形成藉由矽氧化膜所構成的閘極電極間絕緣膜108a之例，來使用圖10、圖11而作說明。圖10，係對於基板100之處理流程作展示，圖11，係對於處理流程之各工程和被供給至處理空間205處的氣體之流量、處理空間205之壓力作展示。
在圖11中，係從上起，而依序對於第1處理氣體、從第1惰性氣體供給部所供給的惰性氣體、第2處理氣體、從第2惰性氣體供給部所供給的惰性氣體、從第3氣體供給部所供給的惰性氣體、在各工程中之氣體的總供給量作展示。各者的縱軸，係代表流量。進而，於其下，係展示處理空間205之壓力。
在將基板100升溫至基板處理溫度之後，一面將基板100保持為特定溫度，一面進行伴隨有加熱處理之以下的基板處理。亦即是，係經由共通氣體供給管242、噴淋頭230，來將處理氣體朝向被配置在腔202內之基板100之表面(處理面)作供給，而對於基板100進行處理。
以下，針對作為第1處理氣體而使用DCS氣體，作為第2處理氣體而使用氧(O2 )氣體，而在深溝處形成矽氧化膜之例，來進行說明。於此，係進行將相異之處理氣體交互作供給的交互供給處理。
(第1處理氣體供給工程S202) 針對第1處理氣體供給工程S202作說明。若是將基板100加熱而到達所期望之溫度，則係將閥243d開啟，並以使DCS氣體之流量成為特定之流量的方式，來對於質量流控制器243c作調整。另外，DCS氣體的供給流量，例如係為100sccm以上、800sccm以下。
從第1惰性氣體供給部，係供給N2 氣體。從第1惰性氣體供給部所供給的惰性氣體，係作為DCS氣體之載體氣體而被使用。此時，係亦可從第2惰性氣體供給部而供給惰性氣體。從第2惰性氣體供給部所供給的惰性氣體，係具備有防止DCS氣體侵入至氣體供給管244a中的作為氣體簾之作用。
此時之氣體流量，係如同圖11中所記載一般，在將從第1惰性氣體供給部所供給的惰性氣體之流量設為1(任意單位)的情況時，DCS氣體係設為4，從第2惰性氣體供給部所供給的惰性氣體係設為1。故而，總流量係成為6。
經由緩衝空間234而被供給至處理空間205處之DCS氣體，係藉由熱而被分解為矽成分等，並被供給至基板100上。藉由使被供給的矽成分與深溝之表面作接觸，於表面係被形成有作為「第1元素含有層」之含矽層。含矽層，係相當於所形成的薄膜之前驅物。又，在深溝之內側空間中，係作為副生成物而被產生有多餘成分。
於此，係使壓力檢測部261d檢測出處理空間205之壓力，並使控制器280受訊該些之檢測資料。控制器280，係對於質量流控制器243c、質量流控制器246c、質量流控制器247c、APC261c作控制，而以使處理空間205內之壓力成為特定之範圍內的方式來作控制。
此時，係以使處理空間205、搬送空間206之各者的壓力例如成為50～300Pa中之特定之值的方式來進行控制。例如，係設為250Pa。
藉由以此種高壓來進行處理，DCS氣體係成為能夠一直到達深溝之底部。故而，係能夠以作了分解的狀態來使矽成分到達深溝之底部，其結果，係能夠在保護膜107之表面上形成含矽層。
在經過特定時間之後，將閥243d關閉，而停止DCS氣體之供給。
(第1清洗工程S204) 針對第1清洗工程S204作說明。將閥245d開啟並從第3氣體供給管245a來供給N2 氣體，而進行存在於噴淋頭230和處理空間205以及深溝中之副生成物的清洗。與此並行地，而從第1惰性氣體供給管246a、第2惰性氣體供給管247a來供給惰性氣體。
此時之氣體流量，係如同圖11中所記載一般，當將在第1處理氣體供給工程S202中的從第1惰性氣體供給部所供給的惰性氣體之流量設為1(任意單位)的情況時，係將從第2惰性氣體供給部所供給的惰性氣體設為1，並將從第3氣體供給部所供給的惰性氣體設為2。故而，總流量係成為4。
於此，係與第1處理氣體供給工程S202相同的，基於壓力檢測部261d所檢測出的檢測資料，控制器280，係對於質量流控制器245c、質量流控制器246c、質量流控制器247c、APC261c作控制，而將處理空間205之壓力設為特定之壓力。
此時，係設為較身為緊接於前之成膜工程的第1處理氣體供給工程S202而更少的總流量，並且將處理空間205之壓力設為較第1處理氣體供給工程S202而更低的壓力。藉由設為此種構成，係能夠將處理空間205之壓力、亦即是基板100表面之壓力，設為較深溝之下部而更低之壓力。接著，針對設為此種壓力的理由作說明。
如同前述一般，在第1氣體供給工程S202中，係於深溝之內側空間的上部、下部之各者處而分別產生有副生成物，在先前技術之清洗工程中，存在於上部之副生成物係會對於存在於下部之副生成物的移動造成阻礙。因此，於下部係殘留有副生成物。
相對於此，在本技術中，係將處理空間205之壓力設為較深溝之內側空間而更低。藉由設為此種構成，由於在處理空間205與深溝的內側空間之間係產生有壓力差，因此，係形成有從深溝起而至處理空間205之氣體之流動。藉由此氣體之流動，存在於深溝上部之副生成物係被排出至處理空間205內。
由於深溝上部之副生成物係變少，因此對於下部之副生成物的移動造成阻礙之副生成物係變少，而使下部之副生成物的排出成為容易。
如此這般，就算是在對於具有深溝之基板進行處理的情況時，亦能夠將殘留於深溝中的副生成物排出。故而，係能夠在深溝中形成均勻之組成之層。
(第2處理氣體供給工程S206) 針對第2處理氣體供給工程S206作說明。若是將閥245c關閉並使第1清洗工程S204結束，則係將閥244d開啟，並經由噴淋頭230來開始對於處理空間205內之氧氣的供給。
從第1惰性氣體供給部，係供給N2 氣體。從第1惰性氣體供給部所供給的惰性氣體，係具備有防止氧氣侵入至氣體供給管243a中的作為氣體簾之作用。從第2惰性氣體供給部所供給的惰性氣體，係作為氧氣之載體氣體或者是稀釋氣體而被使用。
此時之氣體流量，係如同圖11中所記載一般，在將從第1惰性氣體供給部所供給的惰性氣體之流量設為1(任意單位)的情況時，身為第2處理氣體之氧氣係設為4，從第2惰性氣體供給部所供給的惰性氣體係設為1。故而，總流量係成為6。
於此，係使壓力檢測部261d檢測出處理空間205之壓力，並使控制器280受訊該些之檢測資料。控制器280，係對於質量流控制器244c、質量流控制器246c、質量流控制器247c、APC261c作控制，而以使處理空間205內之壓力成為特定之範圍內的方式來作控制。
此時，氧氣的供給流量，例如係為100sccm以上、6000sccm以下。
氧氣，係藉由遠端電漿單元244e而被設為電漿狀態。電漿狀態之氧氣，係經由噴淋頭230而被供給至基板100上。藉由使已被形成於深溝處之含矽層藉由氧氣而被作改質，係形成藉由含有矽元素以及氧元素之層所構成的薄膜。
在經過特定時間之後，將閥244d關閉，而停止氧氣之供給。
在第2處理氣體供給工程S206中，亦係與上述之S202相同的，將閥261b設為開，並藉由APC261c來以使處理空間205之壓力成為特定之壓力的方式來進行控制。
(第2清洗工程S208) 針對第2清洗工程S208作說明。與第1清洗工程S204相同的，從第3氣體供給管245a來供給N2 氣體，而進行噴淋頭230以及處理空間205之清洗。
此時之氣體流量，係如同圖11中所記載一般，當將在第1處理氣體供給工程S202中的從第1惰性氣體供給部所供給的惰性氣體之流量設為1(任意單位)的情況時，係將從第2惰性氣體供給部所供給的惰性氣體設為1，並將從第3氣體供給部所供給的惰性氣體設為2。故而，總流量係成為4。
此時，係設為較身為緊接於前之成膜工程的第2處理氣體供給工程S206而更少的總流量，並且將處理空間205之壓力設為較第1處理氣體供給工程S206而更低的壓力。故而，與第1清洗工程S204相同的，係能夠將存在於深溝上部以及下部處的副生成物排出。故而，係能夠在深溝之表面上，形成均勻之組成之層。
於此，基於壓力檢測部261d所檢測出的檢測資料，控制器280，係對於質量流控制器245c、質量流控制器246c、質量流控制器247c、APC261c作控制，而將處理空間205之壓力設為特定之壓力。
(判定S210) 針對判定S210作說明。控制器280，係判定是否將上述之1個循環實施了特定次數(n　cycle)。
在並未實施特定次數時(在S210而為No的情況時)，係反覆進行第1處理氣體供給工程S202、清洗工程S204、第2處理氣體供給工程S206、清洗工程S208之循環。在實施了特定次數時(在S210而為Yes的情況時)，係結束圖10中所示之處理。
由於係藉由第1清洗工程S204、第2清洗工程S208而將深溝下部之副生成物排出，因此係能夠形成使均一組成之層有所連續之膜。亦即是，係能夠形成均勻之組成之膜。
(基板搬出工程) 在基板搬出工程中，係使基板載置台212下降，並將基板100支持於從基板載置台212之表面而突出的舉升銷207上。藉由此，基板100係從處理位置而成為搬送位置。之後，將閘閥149開啟，並使用臂(未圖示)來將基板100搬出至腔202之外。
藉由以上所說明的技術，就算是對於縱橫比為高之深溝，也能夠並不使副生成物殘留在深溝之內側空間底部處，而能夠在深溝之表面上形成均一之組成之膜。
另外，在上述之實施形態中，雖係針對作為第1處理氣體而使用含矽氣體，並作為第2處理氣體而使用氧氣，而在深溝處形成矽氧化膜的情況，來作了說明，但是，係並不被限定於此。作為第1處理氣體，只要是具備有容易分解的性質即可，例如亦可為HCD(Si2 Cl6 )或TDMAS(SiH(N(CH3 )2 )3 )。又，作為第2處理氣體，係並不被限定於O2 氣體，而亦可為臭氧或HO等。又，第2元素係並不被限定於氧，而亦可為氮。特別是，在臭氧的情況時，由於係以其之單體而具有高的能量，因此係亦可並不設為電漿狀態。因此，在設為會使電漿失活一般之高壓的情況時，係亦可使用臭氧。
又，作為惰性氣體，雖係以N2 氣體為例來作了說明，但是，只要是不會使處理氣體產生反應之氣體，則係並不被限定於此。例如，亦可使用氦(He)氣、氖(Ne)氣、氬(Ar)氣等之稀有氣體。
又，在第1處理氣體供給工程S202中，雖係將從第1惰性氣體供給部和第2惰性氣體供給部之各者所供給的惰性氣體一同地作為總流量來作表現，但是，係只要身為包含有第1處理氣體之總流量即可，而並不被限定於此。
又，在第2處理氣體供給工程S204中，雖係將從第1惰性氣體供給部和第2惰性氣體供給部之各者所供給的惰性氣體一同地作為總流量來作表現，但是，係只要身為包含有第2處理氣體之總流量即可，而並不被限定於此。
在第1清洗工程S204、第2清洗工程S208中，雖係將從第1惰性氣體供給部和第2惰性氣體供給部之各者所供給的惰性氣體一同地作為總流量來作表現，但是，係只要身為惰性氣體之總流量即可，而並不被限定於此。
(第2實施形態) 接著，針對第2實施形態作說明。在第2實施形態中，清洗工程之動作係為相異。其他之構成，由於係與第1實施形態相同，因此，係省略其說明。以下，針對本實施形態之清洗工程之詳細內容作說明。另外，在本實施形態中之清洗工程，係身為相當於在第1實施形態中之第1清洗工程S204、第2清洗工程S208的構成。
使用圖12、圖13，針對本實施形態中之清洗工程作說明。本實施形態之清洗工程，係以複數階段來進行。具體而言，係進行有第1副清洗工程S302和第2副清洗工程S304。接下來，針對具體性的動作作說明。
(第1副清洗工程S302) 針對第1副清洗工程S302作說明。與先前技術相同地，對於處理空間205供給惰性氣體。於此，係從第1惰性氣體供給部、第2惰性氣體供給部、第3氣體供給部來供給惰性氣體，而將處理空間205設為高壓狀態。
藉由設為高壓狀態，多量的惰性氣體係被供給至深溝上部處。惰性氣體係對於滯留在深溝上部之副生成物進行物理性的攻擊，並將副生成物吐出至深溝外。
於此，例如係設為較第1處理氣體供給工程S202而更高之壓力。
更理想，係與對於基板供給大量之惰性氣體同時地，而將處理空間205之氛圍排氣。若是設為此種構成，則被吐出至深溝外的副生成物係不會有滯留在基板上的情形。故而，係不會有副生成物再度進入至其他之深溝中的情形。
(第2副清洗工程S304) 接著，針對第2副清洗工程S304作說明。在第2副清洗工程S304中，亦係對於處理空間205供給惰性氣體。於此，係將從第3氣體供給部之惰性氣體之供給停止，並從第1惰性氣體供給部、第2惰性氣體供給部來供給惰性氣體。當在第3氣體供給部處而將惰性氣體之供給停止時，係將閥245d設為閉。
由於係維持從第1惰性氣體供給部、第2惰性氣體供給部所供給的惰性氣體之供給量，並將從第3氣體供給部而來之供給停止，因此，處理空間205之壓力係成為較第1副清洗工程S302而更低。
故而，與第1實施形態相同的，處理空間205之壓力係成為較深溝下部之壓力而更低，其結果，係從深溝下部起而涵蓋至處理空間205地，而被形成有氣流。在本實施形態中，由於係已藉由第1副清洗工程S302而將深溝上部之副生成物去除，因此，係並不存在有對於滯留於深溝下部處之副生成物的移動造成阻礙之物。故而，相較於第1實施形態，係能夠更確實地將存在於深溝下部的副生成物去除。
於此，針對在本工程中而將從第3氣體供給部245而來之惰性氣體之供給停止的理由作說明。在第3氣體供給部245處，係使用MFC245c、閥245d來對於氣體之供給量作控制。
作為減少惰性氣體之流量的方法，係可考慮有對於MFC245c作控制之方法。但是，能夠一直調整至將惰性氣體之供給停止的程度之量的高性能MFC係為高價，進而，就算是例如作了安裝，在直到對於壓力作調整為止也會耗費時間。
又，雖然也能夠考慮一面從第3氣體供給部供給惰性氣體一面對於APC261c進行控制而對處理空間205之壓力作調整而設為低壓，但是，此係亦會在壓力之調整中耗費時間。在上述一般之方法中，生產性係會降低。
相對於此，在如同本實施形態一般之將閥245d關閉的情況時，係能夠在短時間內而將對於處理空間205的惰性氣體之供給量減少。故而，係能夠將生產性提高。
又，在本工程中，係只要至少能夠將處理空間205之壓力較第1清洗工程S302而更為降低即可，而亦可將從第1惰性氣體供給部、第2惰性氣體供給部而來之惰性氣體之供給停止。
在上述之實施形態中，雖係針對在基板上形成作為主元素而包含有Si之膜的例子來作了說明，但是本發明係並不被限定於此種態樣。亦即是，本發明，除了Si以外，就算是對於將鍺(Ge)、硼(B)等之半金屬元素作為主元素的膜形成於基板上的情況時，亦可合適地作適用。又，本發明，就算是對於在基板上形成將鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎢(W)、釔(Y)、鑭(La)、鍶(Sr)、鋁(Al)等之金屬元素作為主元素而包含之膜的情況時，係亦可合適作適用。
100:基板 102:絕緣膜 103:犧牲膜 106:孔 115:副生成物 200:基板處理裝置 205:處理空間 243:第1氣體供給部 244:第2氣體供給部 245:第3氣體供給部 261:排氣部
[圖1]用以說明基板處理裝置之說明圖。 [圖2]用以說明基板處理裝置之控制器之說明圖。 [圖3]用以說明基板之處理狀態之說明圖。 [圖4]用以說明基板之處理狀態之說明圖。 [圖5]用以說明基板之處理狀態之說明圖。 [圖6]用以說明基板之處理狀態之說明圖。 [圖7]用以說明基板之處理狀態之說明圖。 [圖8]用以說明基板之處理狀態之說明圖。 [圖9]用以說明基板之處理狀態之說明圖。 [圖10]用以說明半導體裝置之製造流程之說明圖。 [圖11]用以針對製造流程和氣體流量、處理空間之壓力之關係作說明之說明圖。 [圖12]用以說明半導體裝置之製造流程之說明圖。 [圖13]用以針對製造流程和氣體流量、處理空間之壓力之關係作說明之說明圖。
100:基板
148:基板搬入搬出口
149:閘閥
200:基板處理裝置
202:腔
202a:上部容器
202b:下部容器
205:處理空間
206:搬送空間
207:舉升銷
208:區隔板
210:基板支持部
211:基板載置面
212:基板載置台
213:加熱器
214:貫通孔
215:孔
216:支持板
217:軸
218:升降機構
219:蛇腹管
220:溫度控制部
230:噴淋頭
231:蓋
232:凸緣
233:定位部
234:緩衝空間
242:共通氣體供給管
243:第1氣體供給部
243a:第1氣體供給管
243b:第1氣體供給源
243c:質量流控制器
243d:閥
244:第2氣體供給部
244a:第2氣體供給管
244b:反應氣體供給源
244c:質量流控制器
244d:閥
244e:遠端電漿單元
245:第3氣體供給部
245a:第3氣體供給管
245b:第3氣體供給源
245c:質量流控制器
245d:閥
246a:第1惰性氣體供給管
246b:惰性氣體供給源
246c:質量流控制器
246d:閥
247a:第2惰性氣體供給管
247b:惰性氣體供給源
247c:質量流控制器
247d:閥
261:排氣部
261a:排氣管
261b:閥
261c:APC
261d:壓力檢測部
278:DP(乾幫浦)
280:控制器

Claims (22)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵為，係具備有： 基板載置工程，係將具備有至少藉由上部和下部所構成的深溝之基板，藉由在處理室內所具備的基板支持部來支持；和 處理氣體供給工程，係對於前述處理室，而供給處理氣體並在前述深溝之內側表面形成層；和 清洗工程，係將藉由前述處理室所構成的處理空間之壓力設為較前述深溝之內側空間而更低之壓力，並將在前述處理氣體供給工程中而於前述內側空間中所產生的副生成物排出。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置之製造方法，其中， 在前述清洗工程中，係一面供給惰性氣體，一面從前述處理室而將氛圍作排氣。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之半導體裝置之製造方法，其中， 在前述處理氣體供給工程中之惰性氣體供給量，係設為較在前述清洗工程中之惰性氣體供給量更少。
  4. 如申請專利範圍第3項所記載之半導體裝置之製造方法，其中， 前述清洗工程，係具備有第1副清洗工程和在前述第1副清洗工程之後而進行的第2副清洗工程，在前述第2副清洗工程中，係將前述處理室之壓力設為較前述第1副清洗工程而更低。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之半導體裝置之製造方法，其中， 在前述第1副清洗工程中，係對於前述處理室供給惰性氣體，並且從前述處理室而將氛圍作排氣。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之半導體裝置之製造方法，其中， 前述處理室，係與被設置有閥之至少2根的惰性氣體供給管相通連， 在前述第1副清洗工程中，係將被設置在各別之前述惰性氣體供給管處的閥設為開，在前述第2副清洗工程中，係將被設置在其中一方之惰性氣體供給管處的閥設為開，並將被設置在另外一方之惰性氣體供給管處的閥設為閉。
  7. 如申請專利範圍第4項所記載之半導體裝置之製造方法，其中， 前述處理室，係與被設置有閥之至少2根的惰性氣體供給管相通連， 在前述第1副清洗工程中，係將被設置在各別之前述惰性氣體供給管處的閥設為開，在前述第2副清洗工程中，係將被設置在其中一方之惰性氣體供給管處的閥設為開，並將被設置在另外一方之惰性氣體供給管處的閥設為閉。
  8. 如申請專利範圍第2項所記載之半導體裝置之製造方法，其中， 前述清洗工程，係具備有第1副清洗工程和在前述第1副清洗工程之後而進行的第2副清洗工程，在前述第2副清洗工程中，係將前述處理室之壓力設為較前述第1副清洗工程而更低。
  9. 如申請專利範圍第8項所記載之半導體裝置之製造方法，其中， 在前述第1副清洗工程中，係對於前述處理室供給惰性氣體，並且從前述處理室而將氛圍作排氣。
  10. 如申請專利範圍第9項所記載之半導體裝置之製造方法，其中， 前述處理室，係與被設置有閥之至少2根的惰性氣體供給管相通連， 在前述第1副清洗工程中，係將被設置在各別之前述惰性氣體供給管處的閥設為開，在前述第2副清洗工程中，係將被設置在其中一方之惰性氣體供給管處的閥設為開，並將被設置在另外一方之惰性氣體供給管處的閥設為閉。
  11. 如申請專利範圍第8項所記載之半導體裝置之製造方法，其中， 前述處理室，係與被設置有閥之至少2根的惰性氣體供給管相通連， 在前述第1副清洗工程中，係將被設置在各別之前述惰性氣體供給管處的閥設為開，在前述第2副清洗工程中，係將被設置在其中一方之惰性氣體供給管處的閥設為開，並將被設置在另外一方之惰性氣體供給管處的閥設為閉。
  12. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置之製造方法，其中， 在前述處理氣體供給工程中之惰性氣體供給量，係設為較在前述清洗工程中之惰性氣體供給量更少。
  13. 如申請專利範圍第12項所記載之半導體裝置之製造方法，其中， 前述清洗工程，係具備有第1副清洗工程和在前述第1副清洗工程之後而進行的第2副清洗工程，在前述第2副清洗工程中，係將前述處理室之壓力設為較前述第1副清洗工程而更低。
  14. 如申請專利範圍第13項所記載之半導體裝置之製造方法，其中， 在前述第1副清洗工程中，係對於前述處理室供給惰性氣體，並且從前述處理室而將氛圍作排氣。
  15. 如申請專利範圍第14項所記載之半導體裝置之製造方法，其中， 前述處理室，係與被設置有閥之至少2根的惰性氣體供給管相通連， 在前述第1副清洗工程中，係將被設置在各別之前述惰性氣體供給管處的閥設為開，在前述第2副清洗工程中，係將被設置在其中一方之惰性氣體供給管處的閥設為開，並將被設置在另外一方之惰性氣體供給管處的閥設為閉。
  16. 如申請專利範圍第13項所記載之半導體裝置之製造方法，其中， 前述處理室，係與被設置有閥之至少2根的惰性氣體供給管相通連， 在前述第1副清洗工程中，係將被設置在各別之前述惰性氣體供給管處的閥設為開，在前述第2副清洗工程中，係將被設置在其中一方之惰性氣體供給管處的閥設為開，並將被設置在另外一方之惰性氣體供給管處的閥設為閉。
  17. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置之製造方法，其中， 前述清洗工程，係具備有第1副清洗工程和在前述第1副清洗工程之後而進行的第2副清洗工程，在前述第2副清洗工程中，係將前述處理室之壓力設為較前述第1副清洗工程而更低。
  18. 如申請專利範圍第17項所記載之半導體裝置之製造方法，其中， 在前述第1副清洗工程中，係對於前述處理室供給惰性氣體，並且從前述處理室而將氛圍作排氣。
  19. 如申請專利範圍第18項所記載之半導體裝置之製造方法，其中， 前述處理室，係與被設置有閥之至少2根的惰性氣體供給管相通連， 在前述第1副清洗工程中，係將被設置在各別之前述惰性氣體供給管處的閥設為開，在前述第2副清洗工程中，係將被設置在其中一方之惰性氣體供給管處的閥設為開，並將被設置在另外一方之惰性氣體供給管處的閥設為閉。
  20. 如申請專利範圍第17項所記載之半導體裝置之製造方法，其中， 前述處理室，係與被設置有閥之至少2根的惰性氣體供給管相通連， 在前述第1副清洗工程中，係將被設置在各別之前述惰性氣體供給管處的閥設為開，在前述第2副清洗工程中，係將被設置在其中一方之惰性氣體供給管處的閥設為開，並將被設置在另外一方之惰性氣體供給管處的閥設為閉。
  21. 一種基板處理裝置，其特徵為，係具備有： 基板支持部，係被具備於處理室內，並將具備有至少藉由上部和下部所構成的深溝之基板作載置；和 氣體供給部，係對於前述處理室而供給處理氣體；和 排氣部，係從前述處理室而將氛圍排氣；和 控制部，係以進行對於前述處理室供給前述處理氣體並在前述深溝之表面形成層之處理、和之後將藉由前述處理室所構成的處理空間之壓力設為較前述深溝之內側空間而更低之壓力並將在前述形成層之處理中而於前述內側空間中所產生的副生成物排出之處理的方式，來對於前述氣體供給部和前述排氣部作控制。
  22. 一種程式，其特徵為，係藉由電腦來使基板處理裝置實行下述程序： 將具備有至少藉由上部和下部所構成的深溝之基板，載置於在處理室內所具備的基板支持部處之程序；和 對於前述處理室，而供給處理氣體並在前述深溝之內側表面上形成層之程序；和 將藉由前述處理室所構成的處理空間之壓力設為較前述深溝之內側空間而更低之壓力，並將在前述形成層之程序中而於前述內側空間中所產生的副生成物排出之程序。
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