TWI533004B - Preheating method of wafer inspection device and probe card - Google Patents

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Takaaki Hoshino
Shinji Kojima
Takeshi Saigusa
Hiroshi Shimoyama
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Description

晶圓檢查裝置及探針卡的預熱方法
本發明是有關進行晶圓的電氣特性檢查的晶圓檢查裝置及探針卡的預熱方法，更詳細是有關可省空間化來削減成本的晶圓檢查裝置及可短時間預熱探針卡之探針卡的預熱方法。
晶圓檢查裝置，例如有使晶圓在維持原有的狀態下針對複數的裝置進行電氣的特性檢查之探針裝置、或在維持晶圓狀態下進行加速檢查的預燒檢查裝置等。
探針裝置通常是具備：搬送晶圓的裝載室、及進行晶圓的電氣特性檢查的檢查室，構成藉由控制裝置來控制裝載室及檢查室內的各種的機器，進行晶圓的電氣特性檢查。裝載室是具備：以卡匣單位來載置晶圓的卡匣載置部、及在卡匣與檢查室之間搬送晶圓的晶圓搬送機構、及在以晶圓搬送機構來搬送晶圓的期間進行晶圓的預備對位(預對準)的預對準機構。檢查室是具備：裝載來自裝載室的晶圓，移動於X、Y、Z及θ方向之可溫度調節的載置台、及被配置於載置台的上方之探針卡、及與載置台一起作用進行探針卡的複數個探針與晶圓的複數個電極焊墊的對位(對準)之對準機構，在載置台與對準機構一起作用進行晶圓與探針卡的對準之後，因應所需，構成以預定的溫度進行晶圓的電氣特性檢查。
在加熱晶圓高溫下進行檢查時，由於加熱後的晶圓熱膨脹，因此在加熱後的晶圓的電極焊墊與未被加熱的探針卡的探針之間產生位置偏離，無法使電極焊墊與探針正確地接觸，恐有無法確保可靠度之虞。因此，以往在晶圓的檢查之前預熱探針卡，確保電極焊墊與探針的接觸。
並且，預燒檢查裝置的情況是例如專利文獻1中揭示那樣，在進行被保持於晶圓托盤的晶圓的複數個電極焊墊與探針片的複數個凸塊的對位之後，使晶圓托盤、晶圓及探針片等藉由真空吸附來一體化而組裝成為一片的卡，搬送此卡來安裝於預燒單元內，在預燒單元內預定的高溫下進行晶圓的加速檢查。
[專利文獻1]日本特開平11-186349號公報
然而，以往的探針裝置的情況，例如有其次那樣的問題。例如探針裝置的主要部分的檢查室是一邊使載置台移動於XY方向，一邊利用對準機構的相機來對準晶圓的複數個電極焊墊與探針卡的複數個探針，因此需要載置台移動的空間及對準機構的相機移動的空間，所以僅檢查室便立體地佔據了相當大的空間。而且，在裝載室也需要用以從卡匣到檢查室搬送晶圓的空間。因此，若按照裝置的生產能力來設置多數個探針裝置，則就以往的探針裝置而言不得不平面地複數配列設置，設置空間會變廣，成本高。又，預燒裝置有別於預燒單元，為了使晶圓與探針片等真空吸附來一體化，而需要獨自的晶圓搬送機構或使卡一體化的機器。
並且，在進行晶圓的高溫檢查時，是將晶圓加熱至預定的溫度(例如150℃)而進行，但為了抑制被加熱而熱膨脹的晶圓的電極焊墊與未被加熱的探針卡的位置偏離，而利用載置台來預熱探針卡而使熱膨脹，抑制晶圓的電極焊墊與探針的位置偏離。但，此時，因為以探針卡的探針不會受傷的方式使載置台接近至直逼探針卡，在晶圓與探針卡的探針非接觸的狀態下預熱，所以預熱所要的時間會變長。而且在預熱探針卡之後，必須進行熱膨脹後的晶圓與探針卡的對準。
本發明是為了解決上述課題而研發者，其目的是在於提供一種可削減晶圓檢查裝置的設置空間的同時，可降低設置成本的晶圓檢查裝置。又，以一併提供一種可短時間預熱探針卡之探針卡的預熱方法為目的。
本發明的請求項1所記載的晶圓檢查裝置，係使晶圓的複數個電極與探針卡的複數個探針接觸而進行晶圓的電氣特性檢查之晶圓檢查裝置，其特徵為具備：載置機構，其係於晶圓的搬出入區域收納複數個晶圓的框體至少在橫方向排列複數個而配列；晶圓搬送機構，其係以能夠從上述載置機構上的上述各框體來一片一片地搬送上述晶圓的方式設於沿著上述晶圓的搬出入區域而形成的搬送區域；對準室，其係具有對位機構，該對位機構係於上述載置機構的至少一方的端部所形成的對位區域內將經由晶圓保持體來利用上述晶圓搬送機構所搬送的上述晶圓對位於電氣特性檢查的檢查位置；及複數的檢查室，其係配列於沿著上述搬送區域而形成的檢查區域，且進行經由上述晶圓保持體來利用上述晶圓搬送機構所搬送的上述晶圓的電氣特性檢查，使藉由上述對位機構所對位的晶圓在上述檢查室內昇降而進行電氣特性檢查。
又，本發明的請求項2所記載的晶圓檢查裝置，係使晶圓的複數個電極與探針卡的複數個探針接觸而進行晶圓的電氣特性檢查之晶圓檢查裝置，其特徵為具備：載置機構，其係於晶圓的搬出入區域收納複數個晶圓的框體至少在橫方向排列複數個而配列；第1晶圓搬送機構，其係以能夠從上述載置機構上的上述各框體來一片一片地搬送上述晶圓的方式設於沿著晶圓的搬出入區域而形成的第1搬送區域；對準室，其係具有對位機構，該對位機構係於上述第1搬送區域的至少一方的端部所形成的對位區域內將經由晶圓保持體來利用上述第1晶圓搬送機構所搬送的上述晶圓對位於電氣特性檢查的檢查位置；及第2晶圓搬送機構，其係於沿著上述第1搬送區域及上述對位區域而形成的第2搬送區域內經由上述晶圓保持體來搬送上述晶圓；複數的檢查室，其係配列於沿著上述第2搬送區域而形成的檢查區域，且進行經由上述晶圓保持體來利用上述第2晶圓搬送機構所搬送的上述晶圓的電氣特性檢查，使藉由上述對位機構所對位的晶圓在上述檢查室內昇降而進行電氣特性檢查。
又，本發明的請求項3所記載的晶圓檢查裝置，係於請求項1或請求項2所記載的發明中，上述對準室及上述檢查室係分別具備：在各個的內部設定成同一位置關係的位置接受上述晶圓保持體的定位構件。
又，本發明的請求項4所記載的晶圓檢查裝置，係於請求項3所記載的發明中，上述晶圓保持體係具備：保持上述晶圓的保持板、及裝卸自如地支撐上述保持板的支撐體，且在上述支撐體的下面設有與上述各定位構件結合的複數個定位部。
又，本發明的請求項5所記載的晶圓檢查裝置，係於請求項4所記載的發明中，上述支撐體係作為上述晶圓搬送機構的臂來構成。
又，本發明的請求項6所記載的晶圓檢查裝置，係於請求項4或請求項5所記載的發明中，上述對位機構係具備：移動體，其係使上述保持板從上述支撐體舉起而水平移動；及攝像手段，其係與上述移動體一起作用來進行被保持於上述保持板的上述晶圓的對位。
又，本發明的請求項7所記載的晶圓檢查裝置，係於請求項4～請求項6的任一項所記載的發明中，上述檢查室係具備：探針卡，其係具有複數的探針；密封構件，其係從周圍包圍上述複數的探針；可溫度調節的昇降體，其係使上述晶圓與上述保持板一起舉起而接觸於上述密封構件；及排氣手段，其係將以上述晶圓、上述密封構件及上述探針卡所形成的密閉空間抽真空。
又，本發明的請求項8所記載的晶圓檢查裝置，係於請求項7所記載的發明中，在上述昇降體附設有上述定位構件。
又，本發明的請求項9所記載的晶圓檢查裝置，係於請求項1～請求項8的任一項所記載的發明中，上述檢查室係於上述檢查區域的各配列位置複數層疊於上下方向。
又，本發明的請求項10所記載的晶圓檢查裝置，係於請求項1～請求項9的任一項所記載的發明中，在上述對位區域設有收納上述保持板的緩衝室。
又，本發明的請求項11所記載的探針卡的預熱方法，係具備：對準室，其係具有將晶圓對位於電氣特性檢查的檢查位置之對位機構；及檢查室，其係進行上述晶圓的電氣特性檢查，上述檢查室係具備：探針卡，其係具有複數的探針；密封構件，其係從周圍包圍上述複數的探針；可溫度調節的昇降體，其係舉起上述晶圓來使上述晶圓接觸於上述密封構件；及排氣機構，其係將以上述晶圓、上述密封構件及上述探針卡所形成的密閉空間抽真空，在進行上述晶圓的電氣特性檢查時，在上述檢查室內利用上述昇降體來預熱上述探針卡之方法，其特徵為具備：第1工程，其係經由上述昇降體來舉起上述晶圓而使上述晶圓接觸於上述密封構件；第2工程，其係經由上述排氣機構來將上述密閉空間內減壓而使上述晶圓吸附於上述密封構件；及第3工程，其係藉由上述昇降體來預熱上述晶圓的上面與上述複數的探針接觸的上述探針卡。
又，本發明的請求項12所記載的探針卡的預熱方法，係於請求項11所記載的發明中，具備：在上述對準室中對準上述晶圓的工程。
又，本發明的請求項13所記載的探針卡的預熱方法，係於請求項12所記載的發明中，具備：使上述晶圓經由晶圓保持體來搬送於上述對準室與上述檢查室之間的工程。
本發明的請求項14所記載的探針卡的預熱方法，係於請求項13所記載的發明中，在上述第2工程之後具備：使上述晶圓保持體從上述檢查室搬出的工程。
若根據本發明，則可提供一種能夠削減晶圓檢查裝置的設置空間的同時可降低設置成本的晶圓檢查裝置。並且，可一併提供一種能夠在短時間預熱探針卡之探針卡的預熱方法。
以下，根據圖1～圖18所示的實施形態來說明本發明。
第1實施形態
本實施形態的晶圓檢查裝置10是例如圖1、圖2的(a)、(b)所示區劃成：搬出入區域S1，其係於裝置本體的正面以卡匣單位來搬出入晶圓W，形成細長；第1搬送區域S2，其係為了沿著搬出入區域S1來搬送晶圓W而形成者；對準區域S3，其係形成於第1搬送區域S2的兩端；第2搬送區域S4，其係為了沿著第1搬送區域S2來搬送晶圓W而形成者；及晶圓W的檢查區域S5，其係沿著第2搬送區域S4來形成者，如圖2的(a)、(b)所示，被收納於殼體內。
該等的區域S1～S5是各個的區域為形成獨立的空間。而且，在該等的區域S1～S5內分別設有專用的機器，且該等的專用的機器會藉由控制裝置來控制。
在搬出入區域S1中，如圖1、圖2的(a)、(b)所示，用以載置收納有複數的晶圓W的FOUP等的框體F之載置機構11會被設於4處，該等的載置機構11會構成載置固定藉由自動搬送裝置(未圖示)等所搬送的框體F。在與搬出入區域S1鄰接的第1搬送區域S2中，設有用以搬送分別被載置於各載置機構11的框體F內的晶圓W之第1晶圓搬送機構12，第1晶圓搬送機構12會構成在第1搬送區域S2內搬送晶圓W。第1晶圓搬送機構12是具備：真空吸附晶圓W，或為了支撐後述的晶圓保持體而迴旋於水平方向且構成可昇降於上下方向的臂12A、及內藏使臂12A迴旋、昇降的驅動機構的軀體12B、及使軀體12B移動的移動機構(未圖示)，構成經由移動機構來移動於第1搬送區域S2內而搬送晶圓W。
如圖1、圖2的(a)、(b)所示，在形成於第1搬送區域S2的兩端部的對準區域S3中，設有晶圓W的預對準室(未圖示)、晶圓W的對準室13、及緩衝室(未圖示)，預對準室、對準室13及緩衝室會彼此配置於上下。在預對準室中設有進行晶圓W的預對準的預對準機構，在對準室13中設有進行晶圓W的對準的對準機構14(參照圖3)。並且，緩衝室設有收納晶圓W的收納機構。緩衝室是作為檢查終了後的晶圓W的佔置場所，且亦作為針研磨用晶圓的收納場所使用。
而且，如圖3所示，對準機構14具備：筒狀的移動體14A，其係設於地面(未圖示)上且構成可往上下方向及水平方向移動；環狀的定位構件14B，其係包圍移動體14A來固定於地面上且使晶圓保持體15定位於一定的方向；第1、第2相機14C1、14C2，其係與移動體14A一起作用來對準晶圓保持體15上的晶圓W；及天橋14D，其係固定第1、第2相機14C1、14C2，構成第1、第2相機14C1、14C2可在各個的焦點位置(對準高度)攝取晶圓W的上面。
第1相機14C1是被配置於對準室13內的XY座標的中心(XY座標的原點)，配置成可攝取晶圓W的中心C(參照圖8)，第2相機14C2是被配置於XY座標的座標軸上，配置成可攝取晶圓W的周緣部的靶標T(參照圖8)。然後，第1、第2相機14C1、14C2會分別攝取晶圓W的中心C及靶標T，控制裝置會根據該等的位置資訊來求取晶圓W的中心C與靶標T所連結的線L(參照圖8)，求取線L對座標軸的傾斜度的同時補正對應於預先被登錄的探針卡的複數個探針之來自晶圓W的電極焊墊的位置偏離。
定位構件14B是如圖3所示般成為具有比移動體14A的外徑大的內徑之圓環狀的板構件，在其上面於周方向隔著預定間隔形成有複數(例如3個)的突起14B1。複數的突起14B1是被配置於以第1相機14C1為中心的圓周上，各個的XY座標值是被預設成離XY座標的原點等距離的位置。並且，對準室13是在其XY座標中設定有後述的探針卡的複數個探針的針端的XY座標值。
又，晶圓保持體15是具備：保持板15A，其係保持晶圓W；環狀的支撐體15B，其係裝卸自如地支撐保持板15A；及複數的定位部15C，其係具有在支撐體15B的下面分別與定位構件14B的複數個突起14B1嵌合的凹部15C1，藉由定位構件14B來大致水平地支撐，構成經常配置於一定的位置。
又，如圖3所示般，在支撐體15B形成有比移動體14A大徑的貫通孔，移動體14A會通過此貫通孔，形成可在貫通孔內移動於XY方向。
移動體14A是位於被定位構件14B所支撐的晶圓保持體15的中央部正下方。移動體14A是由晶圓保持體15的正下方往鉛直方向上昇而與保持板15A接觸，通過支撐體15B的貫通孔來使保持板15A從支撐體15B舉起至對準高度。並且，移動體14A是在對準高度於支撐體15B的貫通孔的範圍內往XY方向移動，而與第1、第2相機14C1、14C2一起作用，進行晶圓W的對準。而且，移動體14A是在對準後回到原來的位置的期間，原封不動保持對準時的XY座標值來使保持對準後的晶圓W的保持板14B回到支撐體15B上。對準後的晶圓W是如後述般與晶圓保持體15一起往檢查區域S5搬送。
如圖1、圖2的(a)、(b)所示，在與第1搬送區域S2及對準區域S3鄰接的第2搬送區域S4中設有第2晶圓搬送機構16，第2晶圓搬送機構16會移動於第2搬送區域S4內，構成在對準區域S3與檢查區域S5之間經由晶圓保持體15來搬送晶圓W。此第2晶圓搬送機構16是與第1晶圓搬送機構13同樣具備臂16A、軀體16B及移動機構(未圖示)。
如圖1所示，在與第2搬送區域S4鄰接的檢查區域S5中，沿著該區域S5取預定間隔來配列複數(本實施形態是5處)的檢查室17，該等的檢查室17是構成可針對利用第2晶圓搬送機構16經由晶圓保持體15來搬送的對準完成的晶圓W進行電氣特性檢查。並且，檢查室17是如圖2的(a)、(b)所示在檢查區域S5的各配列位置形成被複數層疊於上下方向的層疊構造。各層的檢查室17皆是具備同一構造。於是，以下是舉一個的檢查室17為例，一邊例如參照圖4一邊說明。
如圖4所示，檢查室17是具備：探針卡18，其係具有對應於晶圓W的複數個電極焊墊的複數個探針18A；頂板19，其係固定有探針卡18；晶圓吸附用的密封構件(以下簡稱為「密封構件」)21，其係經由被安裝於頂板19的下面之圓環狀的固定環20來固定外周緣部，且形成包圍複數的探針18A之預定寬的環狀；昇降體22，其係使晶圓保持體15一體昇降，且內藏將晶圓W冷卻、加熱至預定的溫度的溫度調節機構；及排氣手段(例如真空泵)(未圖示)，其係將藉由昇降體22來以外周緣部彈接於密封構件21的晶圓W與探針卡18之間所形成的密閉空間抽真空，而使晶圓W的複數個電極焊墊與複數個探針18A一起接觸。
在頂板19中，保持有使複數的彈針(Pogo Pin)依據矩形狀的區塊而成束保持的彈針塊(Pogo Pin Block)19A的貫通保持部會對應於探針卡18的背面的端子電極來矩陣狀地配列形成於複數處。該等的彈針塊19A的彈針會連接探針卡18及試驗器(未圖示)。在頂板19及探針卡18A的外周緣部分別形成有在圖4的箭號所示的方向排氣的排氣通路，在該等的排氣通路的出口是經由配管來連接至真空泵。有關具備排氣手段及排氣通路的排氣機構會往後敘述。
如圖4所示，在昇降體22的下面形成有凸緣部22A，在此凸緣部22A的上面，與晶圓保持體15的定位構件15C的凹部15C1嵌合的複數個突起22B會在周方向取預定間隔形成。該等的突起22B是使對應於對準室13內的定位構件14B所形成的複數個突起14B1來配置於成為同一XY座標的位置。亦即，檢查室17內的XY座標與對準室13的XY座標為相同的座標位置關係，在對準室13中被對準的保持板15A上的晶圓W是在檢查室17內水平方向(X、Y、θ方向)的位置座標會再現，以複數的電極焊墊能夠與探針卡18的複數個探針18A確實地接觸的方式對準。另外，昇降體22的凸緣部22A及複數的突起22B是相當於對準室13內的定位構件14B。
昇降體22是將在凸緣部22A的複數個突起22B所支撐的晶圓保持體15予以原封不動地朝探針卡18舉起，使對準後的晶圓W的周緣部彈接於密封構件21而可作成密閉空間。密閉空間是經由排氣機構來減壓，晶圓W會被真空吸附於密封構件21。並且，昇降體22是驅動成使真空吸附後的晶圓W留在探針卡18側而下降，使晶圓保持體15自晶圓W分離，藉由第2晶圓搬送機構16來將晶圓保持體15從檢查室17搬出後，再度上昇而使晶圓W與複數的探針壓接，可在預定的溫度下進行晶圓W的電氣特性檢查。檢查後，檢查完成的晶圓W是尋相反的路徑來從檢查室17搬出。
如此，本實施形態的檢查室17的空間是只要有：搬出入晶圓保持體15的空間、及為了使被保持於晶圓保持體15的晶圓W接觸於探針卡18，而昇降體22昇降的空間即夠充分夠。因此，檢查室17與以往作比較，可顯著地降低高度，如上述般，可採用層疊構造來顯著地削減檢查室的設置空間。而且，昇降體22不需要移動於XY方向，因此檢查室17的占有面積也可顯著地削減。又，由於對準機構14可在各檢查室17共有，因此不需要像以往那樣在每個檢查室17設置高價的對準機構14，可實現大幅度的成本削減。
又，如圖1、圖2的(a)、(b)所示，在各檢查室17分別附設有冷卻管路23，經由各個的冷卻裝置(未圖示)來冷卻檢查中發熱的晶圓W，而使能夠經常維持一定的溫度。
在此，例如一邊參照圖5一邊說明有關在進行晶圓W的電氣特性檢查時使晶圓W真空吸附於密封構件21的排氣機構24。
如圖5所示，排氣機構24是具備：第1排氣通路24A，其係形成於探針卡18的外周緣部的一處；第2排氣通路24B，其係以能夠連通至第1排氣通路24A的方式在頂板19中形成於上下方向；第3排氣通路24C，其係由該第2排氣通路24B的周面的一處來徑方向延伸設於頂板19內，而開口於頂板19的外周面；及真空泵(未圖示)，其係經由配管(未圖示)來連接至第3排氣通路24C。
如圖5所示，第1排氣通路24A是具備：淺凹陷部24A1，其係形成於探針卡18的外周緣部上面；孔24A2，其係貫通凹陷部24A1的底部；及附孔的金屬零件24A3，其係堵塞凹陷部24A1的上部開口。
又，第2排氣孔24B具備：螺栓24B1，其係具有被安裝於貫通孔的中空狀的排氣通路，該貫通孔是在頂板19中形成於上下方向；及螺帽24B2，其係將此中空螺栓24B1固定於頂板19，以中空螺栓24B1的排氣通路的軸心與金屬零件24A3的孔的軸心能夠一致的方式安裝於頂板19。在此中空螺栓24B1的上端安裝有密封第2排氣通路24B的蓋構件24D。並且，在中空螺栓24B1的周面形成有連通排氣通路與第2排氣通路24C的孔。
又，如圖5所示，密封構件21是形成與探針18A的長度大略同一的厚度。因此，藉由密封構件21與以昇降體22所舉起的晶圓W接觸，在晶圓W的上面與探針18A之間形成些微的間隙。若在如此晶圓W接觸於密封構件21的狀態下真空泵驅動，則形成於晶圓W與探針卡18之間的密閉空間會被減壓，晶圓W會被吸附彈接於密封構件21，因此晶圓W的複數個電極焊墊與複數的探針18A會輕輕地接觸，如上述般即使昇降體22下降，晶圓W還是可保持與密封構件21的吸附狀態。
其次，一邊參照圖6～圖11一邊說明有關動作。
首先，藉由自動搬送裝置來將FOUP等的框體F載置於搬出入區域S1的各載置機構11。在第1搬送區域S2是第1晶圓搬送機構12會驅動，經由臂12A來從框體F一片一片地搬出晶圓W，一旦往對準區域S3的預對準室內的預對準機構搬送晶圓W，則在此進行晶圓W的預對準。然後，第1晶圓搬送機構12會經由臂12A來從預對準室搬出晶圓W，經由臂12A來將晶圓W與晶圓保持體15一起往對準室13搬送。
然後，第1晶圓搬送機構12是如圖6的(a)所示經由晶圓保持體15來將晶圓W往對準室13內搬送，如同圖的(b)所示，將晶圓保持體15交接至定位部15C。此時，晶圓保持體15是定位部15C的凹部15C1會與定位構件14B的突起14B1嵌合，自動地進行對準室13的晶圓保持體15的定位。定位後，如同圖的(b)中箭號所示，移動體14A會上昇。
移動體14A上昇而與保持板15A接觸，且如圖7的(a)所示上昇至對準高度而停止。在此位置，第1、第2相機14C1、14C2及移動體14A會在控制裝置的控制下作動。亦即，如圖8所示，第1相機14C1會攝取晶圓W來辨識晶圓W的中心C。當第1相機14C1無法辨識晶圓W的中心C時，在移動體14A於晶圓保持體15的支撐體15B的貫通孔的範圍內往XY方向移動的期間，第1相機14C1會尋找保持板15A上的晶圓W的中心C，在第1相機14C1辨識中心C。其次，第2相機14C2會攝取晶圓W的周緣部的標的T，由連結中心C與標的T的線L及座標軸來辨識晶圓W的θ方向的傾斜度。一旦第2相機14C2辨識晶圓W的傾斜度，則移動體14A會旋轉於θ方向來補正晶圓W對XY座標軸的傾斜度。接著，第1相機14C1會再度辨識晶圓W的中心，藉由辨識晶圓W的中心C之一連串的動作來完成晶圓W的對準。
對準後，移動體14A會下降至原來的位置，但在其途中，保持板15A會被載置於支撐體15B上。然後，在第2搬送區域S4中，第2晶圓搬送機構16會驅動，如圖7的(b)的箭號所示般，使晶圓W與晶圓保持體15一起從對準室13搬送至檢查區域S5的預定的檢查室17。
如圖9的(a)所示，第2晶圓搬送機構16是搬送至處於檢查區域S5的預定的檢查室17內，如同圖的(b)所示般，將晶圓保持體15交接至昇降體22。此時，晶圓保持體15的定位部15C的複數個凹部15C1與昇降體22的複數個突起22B會嵌合，在檢查室17內，晶圓保持體15會被自動地定位，維持在對準室13的對準狀態。如同圖的(b)的箭號所示般，昇降體22是從對準位置到原封不動地支撐晶圓保持體15來彈接至密封構件21為止上昇於鉛直方向。
一旦昇降體22上昇，則如圖10的(a)所示，晶圓W的周緣部會接觸於密封構件21，藉由晶圓W、密封構件21及探針卡18來形成密閉空間。在此，排氣機構24的真空泵會作動，由第1、第2、第3排氣通路24A、24B、24C(參照圖5)來將密閉空間內的空氣予以如同圖的(a)的箭號所示般排氣，而使晶圓W對密封構件21真空吸附。一旦晶圓W被真空吸附於密封構件21，則昇降體22會如同圖的(a)的空白箭號所示般原封不動地支撐晶圓保持體15來下降至原來的位置。期間，第2晶圓搬送機構16會將晶圓保持體15從昇降體22分離，如同圖的(b)的空白箭號所示般，使晶圓保持體15從檢查室17回到對準區域S3的緩衝室。晶圓保持體15對其次的晶圓W的檢查作準備。
晶圓保持體15一旦從檢查室17搬出，則如圖11的(a)的空白箭號所示般，昇降體22會再度上昇於鉛直方向，如同圖的(b)所示般，藉由昇降體22來推壓被真空吸附於探針卡18的晶圓W，使晶圓W的複數個電極焊墊與探針卡18的複數個探針18A一起電性接觸。在晶圓W與探針卡18電性接觸的狀態下實行晶圓W的電氣特性檢查。
在進行晶圓W的高溫檢查時，經由昇降體22的溫度調節機構來隔著昇降體22將晶圓W加熱至預定的溫度(例如150℃)。所被加熱的晶圓W與探針卡18之間有溫度差。因此，一旦使加熱後的晶圓W接觸於探針卡18，則儘管進行晶圓W的電極焊墊與探針18A的對準，還是會在電極焊墊與探針18之間產生位置偏離，難以確保具有可靠度的檢查。
於是，本實施形態，如圖5、圖11的(b)所示般，從檢查室17搬出晶圓保持體15後，使昇降體22接觸於被真空吸附於密封構件21的晶圓W，在此狀態下加熱(預熱)晶圓W。此時，晶圓W是彈接於密封構件21且與探針卡18的全部的探針18A接觸。藉此，一旦加熱晶圓W，則可經由與晶圓W接觸的全部的探針18A，以從晶圓W到探針卡18的直接熱傳達及來自晶圓W的輻射熱，將探針卡18短時間加熱至預定溫度。並且，晶圓W與探針18A是原封不動維持對準時的接觸狀態來熱膨脹，可不位置偏離來預熱至大致相同的檢查溫度。可從剛預熱後連續維持原有的狀態下實行晶圓W的高溫檢查，可確保檢查的可靠度。
一旦完成檢查，則昇降體22會下降回到原來的位置，期間，第2晶圓搬送機構16會將晶圓保持體15往檢查室17內搬入，將晶圓保持體15交接至昇降體22後，第2晶圓搬送機構16會一旦從檢查室17退出。另一方面，昇降體22會伴隨晶圓保持體15上昇，使保持板15A接觸於檢查完成的晶圓W。此時，停止排氣機構24的真空泵之真空吸附，使密閉空間回到常壓後，在昇降體22回到原來的位置的期間，第2晶圓搬送機構16會從昇降體22接受晶圓保持體15，而從檢查室17退出，使晶圓保持體15回到緩衝室。接著，第1晶圓搬送機構12會驅動，使晶圓W從晶圓保持體15回到載置機構11的框體F內。藉由該等的一連串的動作來完成晶圓W的檢查。有關其他的晶圓W也是從框體F來分別被搬送至檢查區域S5的複數個檢查室17，同樣地進行檢查。
若如以上說明那樣根據本實施形態，則會在搬出入區域S1載置框體F，利用分別被設於第1、第2搬送區域S2、S4的第1、第2晶圓搬送機構12、16來使在對準區域S3的對準機構14所被對準的晶圓W經由晶圓保持體15來搬送至設於檢查區域S5的檢查室17，在檢查室17是可不用對準被保持於晶圓保持體15的晶圓W便可進行晶圓W的電氣特性檢查，因此可顯著地削減晶圓檢查裝置10的設置空間的同時可顯著地降低設置成本。
並且，在進行晶圓W的高溫檢查時，是使晶圓W與探針卡18的對準後的晶圓W與探針卡18真空吸附，在此狀態下藉由與晶圓W接觸的昇降體22來將晶圓W預熱至預定的溫度，因此晶圓W與探針卡18可原封不動維持被對準的狀態，預熱後不必重新進行晶圓W與探針卡18的對準，且不會有使晶圓W的電極焊墊與探針18A位置偏離的情形，可進行高溫檢查，確保在高溫檢查的可靠度。
又，若根據本實施形態，則在檢查室17是只要使晶圓W昇降便可進行電氣特性檢查，因此可實現檢查室17的省空間化。又，由於在檢查區域S5中複數處具備多段構造的檢查室17，因此可顯著地提高檢查效率。
第2實施形態
本實施形態的晶圓檢查裝置是如圖12～圖18所示，基本上藉由削減第1實施形態的晶圓檢查裝置10的第1搬送區域S1來使檢查裝置省空間化的同時，使晶圓的搬送機構簡素化。因此，以下是以本實施形態的特徵部分為中心進行說明。
亦即，例如圖12的(a)所示，本實施形態的晶圓檢查裝置110區劃成：搬出入區域S10，其係於裝置本體的正面以卡匣單位來搬出入晶圓W，形成細長；對準區域S20，其係形成於此搬出入區域S10的右端；搬送區域S30，其係為了沿著搬出入區域S10及對準區域S20來搬送晶圓W而形成者；及晶圓W的檢查區域S40，其係沿著搬送區域S20而形成者。
該等的區域S10～S40是與第1實施形態同樣各個的區域為形成獨立的空間。
如圖12的(a)、(b)所示，在搬出入區域S10、對準區域S20、搬送區域S30及檢查區域S40分別設有載置機構111、對準室112、晶圓搬送機構113及檢查室114。並且，如圖12的(b)及圖13所示，在載置機構111的上段設有晶圓W的預對準機構115及晶圓移載機構116。因此，晶圓搬送機構113會從框體F來將未檢查的晶圓W往預對準機構115搬送，在預對準機構115中進行預對準。晶圓移載機構116會將預對準後的晶圓W從預對準機構115往晶圓搬送機構113移載。晶圓搬送機構113會將該晶圓W往對準室112搬送，將對準後的晶圓W往檢查室114搬送。而且，晶圓搬送機構113會將檢查完成的晶圓W從檢查室114經由設於載置機構111的左端的針跡檢查區域S50內的針跡檢查裝置117來搬送至載置機構111上的框體F內的原來的場所。
而且，如圖12的(b)所示，晶圓搬送機構113具備：基台113A、及於基台113A上經由旋轉軸來設成可正逆旋轉的旋轉體113B、及於旋轉體113B上分別個別地往復移動於一方向的上下二個的臂113C、113D、及使基台113A及臂113C、113D昇降的昇降機構113E、及使該等的機構沿著搬送區域S30來往復移動的移動機構113F。昇降機構113E是構成經由滾珠螺桿113E1來使基台113A及臂113C、113D往上下方向移動。移動機構113E是構成經由滾珠螺桿(未圖示)來使基台113A及臂113C、113D按照軌道113F1往橫方向往復移動。以下說明晶圓搬送機構113與預對準機構115及晶圓移載機構的關係。
如圖12的(b)所示，預對準機構115具備：副吸盤(sub chuck)115A，其係真空吸附藉由晶圓搬送機構113的下臂113D來搬送之未檢查的晶圓W，使正逆旋轉；基台115B，其係內藏使副吸盤115A正逆旋轉的驅動機構；及感測器(未圖示)，其係檢測出經由副吸盤115A來旋轉的晶圓W的定向平面(orientation flat)或凹口等的記號，在晶圓W經由副吸盤115A來旋轉的期間，以感測器檢測出晶圓W的記號，構成副吸盤115A會使晶圓W朝一定的方向停止。
又，如圖12的(b)、圖13及圖15的(b)、(c)所示般，晶圓移載機構116是具有：3根的把持棒116B，其係為了把持晶圓W，而從支撐棒116A的周面彼此於周方向隔120°來設成放射狀；及昇降機構116C，其係經由支撐棒116A來使3根的把持棒116B昇降，該等把持棒116B會伸縮而把持預對準後的晶圓W來下降，如圖15的(b)、(c)所示般，構成往晶圓搬送機構113的上臂113C移載晶圓W。如圖13所示般，在把持棒116B的前端部形成有側面形狀會折返成字狀的支撐部116B1，藉由支撐部116A1來支撐晶圓W的外周緣部。此支撐部116B1會真空吸附晶圓W的外周緣部而予以支撐。因此，晶圓移載機構116是以3根的把持棒116B前端的支撐部116B1來吸附晶圓，可水平把持且昇降。
從晶圓移載機構116接受對準後的晶圓W之晶圓搬送機構113的上臂113C是如圖14所示般使預對準後的晶圓W經由晶圓保持板118來吸附保持，往對準室112、檢查室114搬送。在此上臂113C從中央偏前端形成有矩形狀的大孔113C1。並且，下臂113D是由框體F至預對準機構115搬送未檢查的晶圓W。
晶圓保持板118是如圖14所示般形成與晶圓W實質上同一外徑。在晶圓保持板118的外周緣部的6處，於周方向取等間隔形成有缺口部118A，該等之中的3處缺口部118A是以把持晶圓的3根把持棒116B的支撐部116B1能夠通過的方式形成。並且，在上臂16C形成有對應於晶圓保持板118的缺口部118A之小孔16C2。因此，晶圓移載機構116是在3根把持棒116B的支撐部116B1把持預對準後的晶圓W，從預對準機構115的副吸盤115A往晶圓保持板118上移載晶圓W時，3根把持棒116B的支撐部116B1會通過晶圓保持板118的缺口部118A及小孔16C2。
在對準室112內，例如圖16的(a)、(b)所示般設有對準機構119。此對準機構119是如同圖所示般具備：移動體119A、具有複數個突起部119B1的定位構件119B、第1、第2相機119C1、119C2、及天橋119D，具備與第1實施形態的晶圓檢查裝置10的對準機構14相同的構成。本實施形態是晶圓保持體118會藉由晶圓搬送機構113的上臂113C來搬送至對準室112內，上臂113C會原封不動停留在被定位於對準室112內的預定位置的狀態下進行晶圓W的對準的點與第1實施形態不同。亦即，上臂113C是相當於第1實施形態的晶圓保持體15的支撐體15B。
在對準室112內，上臂113C會藉由定位構件119B來定位於預定的位置。為此，在上臂113C的下面形成有分別與定位構件119B的複數個突起119B1嵌合的凹部113C3，構成上臂113C會進出於對準室112內，使複數的凹部113C3嵌合於該等所對應的突起119B1而座落。然後，移動體119A會通過上臂113C的孔113C1，可在孔113C1內移動於XY方向。移動體119A是與第1實施形態同樣從晶圓保持體118的正下方往鉛直方向上昇，在晶圓W的對準後回到原來的位置。對準後的晶圓W是藉由上臂113C來與晶圓保持體118一起從對準室15退出，往檢查室114搬送。
又，檢查室114是除了交接對準後的晶圓W的機構與第1實施形態不同以外，其餘則與第1實施形態同樣構成。亦即，檢查室114是如圖17所般具備與第1實施形態同樣的頂板120、探針卡121、彈針塊122、固定環123及密封構件124。
與第1實施形態不同之交接晶圓的機構是具備：昇降體125，其係使對準後的晶圓W與晶圓保持體118一起從進出於檢查室114內的晶圓搬送機構113的上臂113C昇降於垂直方向；及環狀的定位構件126，其係包圍昇降體125，進行上臂113C的定位。
在定位構件126的上面，與進出於檢查室114內的上臂113C的凹部113C3嵌合的複數個突起126A會在周方向取預定間隔來形成。該等的突起126A是使對應於對準室112內的定位構件119B的複數個突起119B1來配置於成為同一XY座標的位置。藉此，在對準室112對準後的晶圓W的XY座標值會在檢查室114中再現。
亦即，檢查室114內的XY座標與對準室15的XY座標是處於鏡像關係，一旦上臂113C被定位座落於定位構件57上，在對準室112中被對準的晶圓保持板118上的晶圓W藉由昇降體125來舉起，則晶圓W的複數個電極會與探針卡121的複數個探針1212A確實地接觸。
其次，針對動作進行說明。首先，在晶圓檢查裝置110的各載置機構111上載置FOUP等的框體F。在進行晶圓W的檢查時，晶圓搬送機構113會驅動，經由下臂13D來從框體F一片一片地搬出晶圓W，如圖15的(a)所示，往預對準機構115搬送晶圓W，在此進行晶圓W的預對準。然後，晶圓移載機構116會驅動，如圖15的(b)所示，藉由3根的把持棒116B來把持舉起對準後的晶圓W。此時，晶圓搬送機構113會驅動，上臂16C會在吸附晶圓保持體118的狀態下進出於預對準機構115與晶圓移載機構116之間，停止於晶圓W的中心與晶圓保持體118的中心一致的位置。
接著，晶圓移載機構116的3根的把持棒116B會下降，3根的把持棒116B的支撐部116B1會分別穿過晶圓保持體118的缺口部118A及上臂113C的小孔113C2，將晶圓W載置於晶圓保持體118上。3根的把持棒116B是在上臂113C的小孔113C2內伸展而放開晶圓W後，3根的把持棒116B會如圖15的(c)所示般上昇而回到初期位置。一旦晶圓W被移載於第2晶圓搬送機構113的上臂113C上，則上臂113C會從預對準機構115回到初期位置。
一旦晶圓搬送機構113的上臂113C如圖16的(a)所示般至對準室112內的定位構件119B的正上方進出、下降，則上臂113C的凹部113C3與定位構件119B的突起119B1會嵌合，對準室112的上臂113C的定位會自動地進行。定位後，如同圖的(b)的箭號所示，移動體119A會上昇。移動體119A上昇，與第1實施形態同樣經由第1、第2相機119C1、119C2來進行晶圓W的對準後，在移動體119A下降的期間，將晶圓保持體118交接至上臂113C上，移動體119A會回到初期位置，完成晶圓W的對準。對準後，上臂113C會如圖18的(b)的箭號所示般使對準後的晶圓W與晶圓保持體118一起從對準室112退出，將對準後的晶圓W搬送至預定的檢查室114。
晶圓搬送機構113的上臂113C會如圖17所示般進出於檢查室114內，經由上臂113C的凹部113C3及定位構件126的突起126A，在檢查室114內使在對準室112內所被對準的XY座標位置再現。然後，一旦昇降體125上昇來將晶圓保持體118舉起於垂直方向，則晶圓W是外周緣部會與密封構件124彈性地接觸，在探針卡121與晶圓W之間形成密閉空間。然後，與第1實施形態同樣地經由排氣手段來使密閉空間減壓，藉此晶圓W會對密封構件124真空吸附。在此狀態下，昇降體125會原封不動保持晶圓保持體118而下降，將晶圓保持體118交接至上臂113C上。然後，上臂113C會從檢查室114退出，且昇降體125會再度上昇，將晶圓W往探針卡121側推壓，而使晶圓W的複數個電極與複數個探針121A電性接觸，進行晶圓W的電性檢查。
一旦完成檢查，則解除排氣手段的真空吸附，使密閉空間回到常壓後，在昇降體125伴隨檢查完成的晶圓W回到原來的位置的期間，晶圓搬送機構113的下臂113D會從昇降體125接受檢查完成的晶圓W，而從檢查室114退出，往針跡檢查室117搬送，針跡檢查後，經由下晶圓113D來搬送晶圓W至載置機構111上的框體F的原來的位置。藉此，完成一連串的晶圓W的檢查，以同一要領進行後續的晶圓W的檢查。
如以上說明，若根據本實施形態，則與第1實施形態作比較，可削減搬送區域，達成更省空間化。並且，隨著搬送區域的削減，晶圓搬送機構會被削減，機構上亦可達成更簡素。
本發明並非限於上述實施形態，亦可因應所需，變更設計各構成要素。上述實施形態是例如在晶圓的檢查中也真空吸附晶圓，但只要在昇降體將晶圓壓接於密封構件，便可在此期間停止抽真空。又，本發明的晶圓檢查裝置是其構造上亦可適用於預燒檢查裝置。
10、110‧‧‧晶圓檢查裝置
11、111‧‧‧載置機構
12、16、113‧‧‧晶圓搬送機構
13、112‧‧‧對準室
14、119‧‧‧對準機構
14A、119A‧‧‧移動體
14B、119B‧‧‧定位構件
15、118‧‧‧晶圓保持體
15A‧‧‧保持板
15B‧‧‧支撐體
15C‧‧‧定位構件
17、114‧‧‧檢查室
18、121‧‧‧探針卡
18A、121A‧‧‧探針
21、124‧‧‧密封構件
22、125‧‧‧昇降體
24‧‧‧排氣機構
S1、S10‧‧‧搬出入區域
S2、S4、S30‧‧‧搬送區域
S3、S20‧‧‧對準區域
S5、S40‧‧‧檢查區域
W‧‧‧晶圓
圖1是表示本發明的晶圓檢查裝置之一實施形態的平面圖。
圖2(a)、(b)是分別表示圖1所示的晶圓檢查裝置的圖，(a)是來自正面側的立體圖，(b)是來自背面側的立體圖。
圖3是表示圖1所示的晶圓檢查裝置的對位機構的要部概念圖。
圖4是表示圖1所示的晶圓檢查裝置的檢查室的要部概念圖。
圖5是具體地表示圖4所示的檢查室的排氣機構的剖面圖。
圖6(a)、(b)是分別表示使用圖3所示的對位機構的對位工程的工程圖。
圖7(a)、(b)是分別使用圖3所示的對位機構的對位工程，接續於圖6所示的工程的工程圖。
圖8是表示使用圖3所示的對位機構的對位工程的晶圓的立體圖。
圖9(a)、(b)是分別表示在圖4所示的檢查室的檢查工程的工程圖。
圖10(a)、(b)是分別表示在圖4所示的檢查室的檢查工程的工程圖，接續於圖9所示的工程的工程圖。
圖11(a)、(b)是分別表示在圖4所示的檢查室的檢查工程的工程圖，接續於圖10所示的工程的工程圖。
圖12(a)、(b)是分別表示本發明的檢查裝置的其他實施形態的圖，(a)是其平面圖，(b)是正面圖。
圖13是包含被配置於圖12所示的檢查裝置的載置機構的上側的晶圓移載機構的平面圖。
圖14是表示使用於圖12所示的檢查裝置的搬送機構的上臂及晶圓的保持板的平面圖。
圖15(a)~(c)是分別表示進行圖12所示的檢查裝置的晶圓的預對準時的工程圖。
圖16(a)、(b)是分別表示進行圖12所示的對準室的對準時的工程圖。
圖17是用以說明圖12所示的檢查裝置的檢查室與搬送機構的關係的說明圖。
圖18(a)、(b)是分別表示接續於圖16所示的工程的工程圖。
10．．．晶圓檢查裝置
11．．．載置機構
12、16．．．晶圓搬送機構
12A、16A．．．臂
12B、16B．．．軀體
17．．．檢查室
23．．．冷卻管路
S1．．．搬出入區域
S2、S4．．．搬送區域
S3．．．對準區域
S5．．．檢查區域
F．．．框體
W．．．晶圓

Claims (13)

  1. 一種晶圓檢查裝置，係使晶圓的複數個電極與探針卡的複數個探針接觸而進行晶圓的電氣特性檢查之晶圓檢查裝置，其特徵為具備：載置機構，其係於晶圓的搬出入區域收納複數個晶圓的框體至少在橫方向排列複數個而配列；晶圓搬送機構，其係以能夠從上述載置機構上的上述各框體來一片一片地搬送上述晶圓的方式設於沿著上述晶圓的搬出入區域而形成的搬送區域；對準室，其係具有對位機構，該對位機構係於上述載置機構的至少一方的端部所形成的對位區域內將經由晶圓保持體來利用上述晶圓搬送機構所搬送的上述晶圓對位於電氣特性檢查的檢查位置；及複數的檢查室，其係配列於沿著上述搬送區域而形成的檢查區域，且進行經由上述晶圓保持體來利用上述晶圓搬送機構所搬送的上述晶圓的電氣特性檢查，使藉由上述對位機構所對位的晶圓在上述檢查室內昇降而進行電氣特性檢查，上述對準室及上述檢查室係分別具備：在各個的內部設定成同一位置關係的位置接受上述晶圓保持體的定位構件。
  2. 一種晶圓檢查裝置，係使晶圓的複數個電極與探針卡的複數個探針接觸而進行晶圓的電氣特性檢查之晶圓檢查裝置，其特徵為具備： 載置機構，其係於晶圓的搬出入區域收納複數個晶圓的框體至少在橫方向排列複數個而配列；第1晶圓搬送機構，其係以能夠從上述載置機構上的上述各框體來一片一片地搬送上述晶圓的方式設於沿著晶圓的搬出入區域而形成的第1搬送區域；對準室，其係具有對位機構，該對位機構係於上述第1搬送區域的至少一方的端部所形成的對位區域內將經由晶圓保持體來利用上述第1晶圓搬送機構所搬送的上述晶圓對位於電氣特性檢查的檢查位置；第2晶圓搬送機構，其係於沿著上述第1搬送區域及上述對位區域而形成的第2搬送區域內經由上述晶圓保持體來搬送上述晶圓；及複數的檢查室，其係配列於沿著上述第2搬送區域而形成的檢查區域，且進行經由上述晶圓保持體來利用上述第2晶圓搬送機構所搬送的上述晶圓的電氣特性檢查，使藉由上述對位機構所對位的晶圓在上述檢查室內昇降而進行電氣特性檢查，上述對準室及上述檢查室係分別具備：在各個的內部設定成同一位置關係的位置接受上述晶圓保持體的定位構件。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之晶圓檢查裝置，其中，上述晶圓保持體係具備：保持上述晶圓的保持板、及裝卸自如地支撐上述保持板的支撐體，在上述支撐體的下面設有與上述各定位構件結合的複 數個定位部。
  4. 如申請專利範圍第3項之晶圓檢查裝置，其中，上述支撐體係作為上述晶圓搬送機構的臂來構成。
  5. 如申請專利範圍第3項之晶圓檢查裝置，其中，上述對位機構係具備：移動體，其係使上述保持板從上述支撐體舉起而水平移動；及攝像手段，其係與上述移動體一起作用來進行被保持於上述保持板的上述晶圓的對位。
  6. 如申請專利範圍第3項之晶圓檢查裝置，其中，上述檢查室係具備：探針卡，其係具有複數的探針；密封構件，其係從周圍包圍上述複數的探針；可溫度調節的昇降體，其係使上述晶圓與上述保持板一起舉起而接觸於上述密封構件；及排氣手段，其係將以上述晶圓、上述密封構件及上述探針卡所形成的密閉空間抽真空。
  7. 如申請專利範圍第6項之晶圓檢查裝置，其中，在上述昇降體附設有上述定位構件。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之晶圓檢查裝置，其中，上述檢查室係於上述檢查區域的各配列位置複數層疊於上下方向。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之晶圓檢查裝置，其中，在上述對位區域設有收納上述保持板的緩衝室。
  10. 一種探針卡的預熱方法，係具備：對準室，其係具有將晶圓對位於電氣特性檢查的檢查位置之對位機構；及檢查室，其係進行上述晶圓的電氣特性檢查，上述檢查室係具備：探針卡，其係具有複數的探針；密封構件，其係從周圍包圍上述複數的探針；可溫度調節的昇降體，其係舉起上述晶圓來使上述晶圓接觸於上述密封構件；及排氣機構，其係將以上述晶圓、上述密封構件及上述探針卡所形成的密閉空間抽真空，在進行上述晶圓的電氣特性檢查時，在上述檢查室內利用上述昇降體來預熱上述探針卡之方法，其特徵為具備：第1工程，其係經由上述昇降體來舉起上述晶圓而使上述晶圓接觸於上述密封構件；第2工程，其係經由上述排氣機構來將上述密閉空間內減壓而使上述晶圓吸附於上述密封構件；及第3工程，其係藉由上述昇降體來預熱上述晶圓的上面與上述複數的探針接觸的上述探針卡。
  11. 如申請專利範圍第10項之探針卡的預熱方法，其中，具備：在上述對準室中對準上述晶圓的工程。
  12. 如申請專利範圍第11項之探針卡的預熱方法，其中，具備：使上述晶圓經由晶圓保持體來搬送於上述對準 室與上述檢查室之間的工程。
  13. 如申請專利範圍第12項之探針卡的預熱方法，其中，在上述第2工程之後具備：使上述晶圓保持體從上述檢查室搬出的工程。
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