TWI514634B - 半導體發光裝置之製造方法、半導體發光裝置及液晶顯示裝置 - Google Patents

半導體發光裝置之製造方法、半導體發光裝置及液晶顯示裝置 Download PDF

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Description

半導體發光裝置之製造方法、半導體發光裝置及液晶顯示裝置
本發明係關於一種搭載有發光元件(LED)之半導體發光裝置,特別是關於適用於液晶顯示裝置之側光型背光用途的半導體發光裝置。
在液晶顯示裝置,已知有將發光元件配置於液晶面板之背面的直下型背光、與將導光板配置於液晶面板之背面且於導光板之端部配置有將發光元件配列成線狀之光源的側光型背光。
隨著液晶顯示裝置之薄型化,正期望將導光板及光源予以薄型化。例如,在專利文獻一,係揭示有一種光源模組之構成,其係以將發光元件(LED晶片)之上面朝向導光板之構造,而能薄型化且降低樹脂之使用量。在專利文獻二,則揭示有另一種構造,其係將發光元件之側面朝向導光板,並以反射面圍繞朝向導光板之面以外的三方側面,且分別以基板夾著下面及上面。以反射面圍繞之發光元件的周圍係藉由透光性樹脂填充。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻一 日本特開2009-105173號公報
專利文獻二 日本特開2007-59612號公報
[發明所欲解決的課題]
如專利文獻二所記述般,在將發光元件之側面朝向導光板側之所謂側視型發光裝置中,如第12圖(a)、(b)所示,發光元件102係以基板100、側面構件104、及上面基板105圍繞,並配置於在側面具備有光釋出口103的腔室內。從發光元件102朝向發光元件102之與光釋出口103側相反側之側面構件104(背面側之反射面101)出射的光,由於在反射面101反射而朝向光釋出口103,因此從光釋出口103至出射為止的光路徑是長的。因此,有光會因填充發光元件102之周圍空間的密封材而衰減的問題。
為了改善此情形,如第13圖(a)、(b)般,可考量以接觸於背面側之反射面101的方式來配置發光元件102。然而,如第14圖(a)所示,一般而言在製造步驟中將發光元件102配置於腔室內時,由於係將發光元件102吸附保持於吸附治具107之前端並使其移動再予以定位來配置,因此要配置成接觸於側面構件104並不容易。例如,如第14圖(b)般,若吸附治具107之徑較發光元件102大時,由於吸附治具107會碰撞到側面構件104,因此無法使發光元件102接觸至側面構件104配置。又,如第14圖(c)般即使吸附治具107之徑較發光元件102小,若吸附治具107往基板100之主平面方向的移動精度低時,則發光元件102會與側面構件104之上面碰撞,而無法將發光元件102接觸配置至側面構件104之側面。
本發明之目的係在於提供一種發光效率高之側面發光型半導體發光裝置的製造方法。
為了達成上述目的,根據本發明之第1態樣,係提供如以下之半導體發光裝置的製造方法。亦即,一種半導體發光裝置之製造方法,具有:在具有既定電極圖案之基板上,配置發光元件的步驟;與發光元件隔著既定空間,於基板上配置側壁構件的步驟;在電氣上連接發光元件與電極圖案的步驟;在發光元件側面之至少一部分與側壁構件之間的空間,填充光反射性樹脂的步驟;在發光元件之周圍填充透射來自發光元件之光之密封材的步驟;以及至少在密封材之上面配置具有光反射性之頂部的步驟。
例如,上述側壁構件亦可構成為圍繞以成為光釋出口之方向為前面時之發光元件的兩側側面與背面;光反射性樹脂亦可構成為填充在背面側之側壁構件與發光元件之背面之間。
例如,上述填充光反射性樹脂之步驟中,亦可在填充未硬化之光反射性樹脂後,填充未硬化之密封材樹脂,使光反射性樹脂與密封材樹脂同時地硬化。
例如,上述連接之步驟,亦可連接導線(wire)與發光元件之背面方向的電極圖案;填充光反射性樹脂之步驟,亦可以在維持發光元件背面方向之導線之形狀下埋入的方式,將光反射性樹脂填充在發光元件之背面與間隔物之間的空間。
例如,上述填充光反射性樹脂之步驟,亦可在前述發光元件之前述背面與前述間隔物之間的空間,使用調整過觸變性(thixotropy)或黏度之樹脂,以使光反射性樹脂在較發光元件上面還高之位置,隆起成具有向上鼓起的形狀。
又,根據本發明之第2態樣,係提供如以下之半導體發光裝置的製造方法。亦即,一種半導體發光裝置之製造方法,具有:在具有既定電極圖案之基板上配置發光元件,並在電氣上連接發光元件與電極圖案的步驟;以接觸於發光元件側面之至少一部分的方式,以光反射性樹脂填充基板上之空間的步驟;在發光元件之周圍填充透射來自發光元件之光之密封材的步驟;以及至少在密封材之上面形成光反射膜的步驟。
又,根據本發明之第3態樣,係提供如以下之半導體發光裝置。亦即,一種半導體發光裝置,具有基板、搭載在基板上之至少一個發光元件、以及發光元件之側面之中在前面具有開口且隔著既定空間圍繞兩側面與背面的側壁構件。在發光元件之背面與側壁構件之間的空間,係以覆蓋發光元件之背面側之側面的方式填充光反射性構件;未配置有反射性構件之發光元件之側面與側壁構件之間,係以透射來自前述發光元件之光的密封材密封;至少密封材之上面係以具有光反射性之頂部覆蓋。
例如,亦可作成以下構成,亦即在上述發光元件之背面與側壁構件之間的空間,配置有連接基板上所配備之電極與發光元件之彎曲的導線;光反射性構件係埋入有彎曲之導線。
例如,亦可作成以下構成,亦即在上述發光元件之背面與前述側壁構件之間的空間,配置有電子電路元件;光反射性構件係埋入有電子電路元件。
根據本發明之第4態樣,係提供如以下之半導體發光裝置。亦即,一種半導體發光裝置,具有:基板;發光元件,係搭載在基板上;光反射性構件,係覆蓋發光元件側面之至少一部分且填充周圍空間之一部分;密封材,係覆蓋發光元件之除了以光反射性構件覆蓋之部分以外且透射發光元件之光;以及頂部,係至少覆蓋密封材之上面且具有光反射性。光反射性構件係以接觸於頂部的方式填充空間。
根據本發明之第5態樣,係提供如以下之液晶顯示裝置。亦即,一種液晶顯示裝置,具有:液晶面板、配置於液晶面板背面之導光板、以及配置於導光板之端面的半導體發光裝置。半導體發光裝置具有:基板、搭載在基板上之至少一個發光元件、以及發光元件之側面之中在前面具有開口且隔著既定空間圍繞兩側面與背面的側壁構件。在發光元件之背面與側壁構件之間的空間,係以至少覆蓋發光元件之背面側之側面的方式填充有光反射性構件。未配置有反射性構件之發光元件之側面與側壁構件之間,係以透射來自發光元件之光的密封材密封。至少密封材之上面係以具有光反射性之頂部覆蓋。
針對本發明之一實施形態的半導體發光裝置,使用圖式加以說明。
(實施形態1)
本實施形態中,如第1圖所示,在側視型半導體發光裝置中,藉由在發光元件2之相對於光釋出口6的背面側配置光反射構件3,以藉由出射至發光元件2之背面側並反射,而縮短到達光釋出口6為止的光路徑長。藉此,使半導體發光裝置之光的出射效率提升。
具體而言,如第1圖之截面圖、第2圖(e)之俯視圖所示,本實施形態之半導體發光裝置20,係具備:在表面形成有電極(第1圖中並未圖示)之基板1、搭載於其上且具有半圓形開口之間隔物4、配置在間隔物4之開口內之發光元件(LED晶片)2、以及連接發光元件2與電極之導線8。在發光元件2之背面側,於與間隔物4之間係配置有光反射構件3。
又,發光元件2之周圍係藉由密封材7密封。作為密封材7,除了透明材料以外,亦可使用分散有螢光體、光散射材、或為了提升觸變性之粒子等機能性粒子的透明材料。間隔物4之開口的上部係藉由具有光反射性之頂部5封閉,其中該頂部5係以覆蓋光反射構件3及密封材7之上面的方式配置。
此半導體發光裝置係未配置有間隔物4之側面側成為光釋出口6。從發光元件2出射之光係與螢光一起從光釋出口6出射。在於密封材7分散有螢光體的情況下,出射光之一部分係藉由螢光體變換成螢光。此時,從發光元件2之光釋出口6側之端面出射的光,係直接朝向光釋出口6釋出。另一方面,由於光反射構件3係接觸在發光元件2之背面側的端面,因此光並不會從發光元件2之背面側的端面出射,而返回發光元件2之內部。從發光元件2之上面及兩側端面出射之光,係藉由頂部5、間隔物4及光反射構件3反射,而朝向光釋出口6釋出。
以此方式,本裝置係藉由出射至發光元件2之背面側並反射,以裝置整體縮短到達光釋出口6之光之至光釋出口的光路徑長。因此,能以裝置整體使光釋出效率提升。
其次,針對第1圖之半導體發光裝置的製造方法,使用第2圖(a)~(e)及第3圖(a)~(e)加以說明。
如第2圖(a)及第3圖(a)般,作為基板1,準備例如玻璃環氧樹脂製者,並在其上藉由鍍覆有Au或Ag之銅箔等預先將電極圖案9a,9b形成為既定形狀。在其上,藉由接著等固定具有圓形之開口的間隔物4。藉由吸附治具保持發光元件2,使發光元件2移動以配置在圓形之開口的既定位置,再進行晶粒接合(die bonding)。藉由接合導線8連接發光元件2上之電極與基板1上之電極。
如第2圖(b)及第3圖(b)般,為了構成光反射構件3,將具有光反射性之樹脂配置在發光元件2之背面與間隔物4之間的空間。例如,將分散有既定量之光反射性之氧化鈦與視需要用以提升觸變性之粒子的未硬化矽酮樹脂等,藉由分注法或印刷法塗佈在發光元件2與間隔物4之間的空間。由於使未硬化樹脂硬化之處理,係與下一步驟之密封材的硬化處理同時地進行,因此在未硬化下進行下一步驟。
其次,如第2圖(c)及第3圖(c)般,藉由透明樹脂將發光元件2周圍之空間,亦即間隔物4與光反射構件3之間的空間予以密封,藉此形成密封材7。例如,既定螢光體、光散射性粒子、為了提升觸變性之粒子之中,使所欲者分散在未硬化之矽酮樹脂,藉由分注法或印刷法填充發光元件2之周圍空間。
此時,藉由使用觸變性高者作為用以構成光反射構件3之未硬化樹脂材料、與用以構成密封材7之未硬化樹脂材料,兩者無需混合即可在既定位置各自隆起成既定形狀。
然後,形成藉由加熱或紫外線照射等既定硬化處理,使光反射構件3之未硬化樹脂及密封材7之未硬化樹脂硬化的光反射構件3及密封材7。以此方式,藉由使用觸變性高且以相同硬化處理硬化之樹脂材料,利用一次之硬化步驟即可形成光反射構件3及密封材7,而可提高製造效率。例如,在藉由加熱處理使其硬化的情況下,由於必需有加熱與冷卻之步驟而分別需要既定時間,因此若重複2次此步驟則時間便會耗費在硬化處理,不過如本實施形態般由於能以一次之硬化處理使光反射構件3與密封材7兩者同時地硬化,因此可將硬化所需之時間縮短成一半。
其次,如第2圖(d)及第3圖(d)般,將具有光反射性之樹脂,覆蓋間隔物4開口內之光反射構件3與密封材7之上部空間並使其硬化,藉此形成頂部5。頂部5雖亦可藉由以具有光反射性之板狀構件覆蓋上面來設置,不過藉由利用具有光反射性之樹脂形成,由於可形成為配合密封材7、光反射構件3之形狀的形狀,因此特別有利。例如,將分散有既定量之光反射性氧化鈦粒子的未硬化矽酮樹脂等,藉由分注法或印刷法,塗佈在光反射構件3與密封材7之上部空間,並藉由加熱或紫外線硬化等既定硬化方法使其硬化。
最後,如第2圖(e)及第3圖(e)般,在間隔物4開口之中央位置對基板面垂直地切取基板1等,而分割成各個半導體發光元件。藉此,即可製造具備有光反射構件3之側視型半導體發光元件。
如上述般,本實施形態中,由於藉由利用分注或印刷塗佈樹脂的步驟,形成光反射構件3、密封材7及頂部5,因此無需以另外步驟預先形成既定大小之光反射構件,而可容易地且以良好精度製造在發光元件2之背面具備有光反射材的半導體發光裝置。
又,藉由調整觸變性,由於可使光反射構件3與密封材7同時地硬化,因此可進一步提高製造效率。此時,構成光反射構件3與密封材7之樹脂的基材,並不一定要為相同材料。只要是可獲得既定觸變性並能以相同之處理使其硬化的材料,即可同時硬化。
構成上述頂部5之樹脂,材質與構成光反射構件3或密封材7之樹脂不同亦無妨礙。又,亦可不以樹脂構成頂部5,而以濺鍍法等形成金屬膜。
此外,亦可將在另一步驟預先製造之光反射構件3配置在發光元件3之背面側。
又,本實施形態中,如第1圖所示,雖揭示光反射構件3僅接觸在發光元件2之背面的構成,不過本實施形態並非侷限於此構成,而可藉由調整樹脂之黏度或注入量,來製造如第4圖(a)~(d)所示之各種內部構造的半導體發光裝置。第4圖(a)之裝置係與第1圖同樣地僅發光元件2之背面接觸於光反射構件3的構成。第4圖(b)之裝置則係作成以光反射構件3覆蓋發光元件2之背面、上面及左右側面的構成。此構成係僅從發光元件2之光釋出口6側的端面釋出光。又,如第4圖(c)般,藉由降低密封材7之未硬化樹脂的黏度或觸變性,光反射構件3與密封材7之上面即可形成為一樣之平面。此時,頂部5之膜厚則會成為一樣。第4圖(d)之構造係使光反射構件3隆起至間隔物4之高度,並將頂部5僅配置在較光反射構件3還靠光釋出口6側的區域。
(實施形態2)
針對實施形態2之半導體發光裝置,使用第5圖(a)、(b)加以說明。
實施形態2中,係使用具有方形開口之間隔物4,並將發光元件2與光反射構件3等配置在直方體形狀的腔室內。
藉由在發光元件2之背面側配置有光反射構件3,與實施形態1同樣地,可縮短腔室內之光路徑長,而可提高從光釋出口6出射的發光效率。
製造方法,除了形成在間隔物4之開口形狀為方形以外,係與實施形態1相同。與實施形態1同樣地,能以分注法或印刷法,將觸變性高之未硬化樹脂塗佈在發光元件2之背面側,並藉由使其硬化而形成光反射構件3。
(實施形態3)
其次,針對實施形態3之半導體發光裝置,使用第6圖(a)~(e)加以說明。
實施形態3中,並不使用在實施形態1所使用之間隔物4,而利用樹脂之觸變性來製造與實施形態1同樣的半導體發光裝置。
亦即,如第6圖(a)所示,與實施形態1之第2圖(a)及第3圖(a)之步驟同樣地,準備預先形成有電極圖案之基板1。此時,與實施形態1不同之處在於並不配置間隔物4,而在既定位置搭載發光元件2,藉由接合導線8與電極圖案連接。
其次,如第6圖(b)般,同樣地準備在第2圖(b)及第3圖(b)作為光反射構件3用之樹脂而在實施形態1所準備的光反射性未硬化樹脂,藉由分注或印刷法等塗佈在基板1上,利用觸變性或黏度使光反射構件3隆起至較發光元件2上面還高之位置,而成為具有鼓起至發光元件2側的曲面形狀。此時,不僅是在實施形態1形成光反射構件3之區域,在配置有間隔物4之區域亦塗佈樹脂。藉此,藉由光反射構件3形成圓形或方形等所欲之形狀的腔室。
第6圖(c)~(d)之步驟中,係與實施形態1之第2圖(c)~(d)及第3圖(c)~(d)之步驟同樣地,塗佈未硬化之密封材7用樹脂,使其與未硬化之光反射構件3一起硬化。然後,塗佈頂部5用樹脂,並使其硬化而形成頂部5。
最後,第6圖(e)之步驟中,係切取各個光半導體裝置而予以分割。
以此方式,實施形態3中,由於並不使用在實施形態1、2所使用之間隔物4,因此可減少零件數量。又,具有可製造所欲形狀之腔室的優點。
(實施形態4)
其次,針對實施形態4之半導體發光裝置,使用第7圖(a)~(e)、第8圖(a)~(e)加以說明。
實施形態4中,係提供一種半導體發光裝置,其係在半圓形之腔室內配置複數個發光元件,將從複數個發光元件出射之光加以混合,再從光釋出口釋出。
首先,使用第7圖(a)~(e)之俯視圖說明搭載2個發光元件2a,2b之半導體發光裝置的製造方法。在第7圖(a)~(e)之製造步驟中,與實施形態1之第2圖(a)~(e)所示之製造步驟相同的部分係簡單地說明。
首先,如第7圖(a)般,準備形成有既定電極圖案9a,9b之基板1,搭載圓形之間隔物4並加以接著。在開口內之既定位置,搭載2個發光元件2a,2b。發光元件2a,2b上之2個電極係藉由接合導線8連接於電極圖案9a,9b。
此時,在間隔物4之圓形開口內,由於尚未配置光反射構件3,因此可採取使發光元件2a,2b接近於圓形開口之中央,亦即之後成為光釋出口之位置排列配置,朝向發光元件2a,2b背面側之電極圖案9a,藉由導線8接合的構成。
其次,如第7圖(b)般,在發光元件2a,2b背面側之空間,藉由分注法或印刷法填充成為光反射構件3之未硬化的光反射性樹脂而隆起。此時,在發光元件2a,2b背面側之空間,雖已配置有彎曲之導線8,不過由於未硬化之樹脂能以埋入彎曲之導線8的方式填充,因此對導線8之形狀與電氣特性並不會造成影響。
然後,第7圖(c)~(d)中,係與實施形態1之第3圖(c)~(d)同樣地,塗佈未硬化之密封材7用樹脂,使其與未硬化之光反射構件3一起硬化。然後,塗佈頂部5用之樹脂,並使其硬化而形成頂部5。
最後,第7圖(e)之步驟中,係切取各個光半導體裝置而予以分割。
以此方式,本發明中,由於係將未硬化之樹脂填充在發光元件之背面側的空間之後再使其硬化的製造步驟,因此可將導線配置在發光元件之背面側。因此,導線或電極圖案之配置的自由度高,即使是狹窄之腔室,亦可使其接近於成為光釋出口之位置排列配置。因此,可提供一種半導體發光裝置,其雖然小型(compact)卻能使來自2個發光元件之光從光釋出口附近釋出以釋出混合光且發光強度高。
而且,由於在發光元件之背面側配置有光反射構件,因此各發光元件之光路徑長皆較短而可進一步提高發光強度。
同樣地,使用第8圖(a)~(e)之俯視圖說明搭載3個發光元件2a,2b,2c之半導體發光裝置的製造方法。
如第8圖(a)般,準備形成有既定電極圖案9a,9b,9c,9d之基板1,搭載圓形之間隔物4並加以接著。在開口內之既定位置,搭載2個發光元件2a,2b,2c。發光元件2a,2b,2c上之電極係藉由接合導線8連接於電極圖案9a,9b,9c,9d。此處,發光元件2b係使用具有背面電極者,背面電極係在晶粒接合時藉由焊墊等與電極圖案2c連接。發光元件2b之上面電極則係藉由導線8與電極圖案9b連接。
在間隔物4之圓形開口內,由於尚未配置光反射構件3,因此可自由地配置導線8,朝向發光元件2a,2b背面側之電極圖案9a,9b,藉由導線8連接。藉此,即可將發光元件2a,2b,2c排列配置在圓形開口之中央,亦即之後成為光釋出口的位置。
其次,如第8圖(b)般,在發光元件2a,2b,2c背面側之空間,藉由分注法或印刷法填充成為光反射構件3之未硬化的光反射性樹脂而隆起。此時,在發光元件2a,2b,2c背面側之空間,雖已配置有導線8,不過未硬化之樹脂能以埋入導線8的方式填充。
然後,第8圖(c)~(d)中,係與第3圖(c)~(d)同樣地形成密封材7用、頂部5。最後,第8圖(e)之步驟中,係切取各個光半導體裝置而予以分割。
以此方式,本實施形態中,即可製造將3個發光元件排列配置在光釋出口之半導體發光裝置。
本實施形態中,可使複數個波長互異之發光元件接近於成為光釋出口之位置排列配置。此時,由於發光元件係橫向排列,因此因發光元件吸收彼此之出射光所造成的衰減較少。因此,可提供一種雖然小型卻能釋出將所欲之波長光混合之發光色例如白色光的半導體發光裝置。
(實施形態5)
針對實施形態5之半導體發光裝置,使用第9圖(a)、(b)加以說明。
實施形態5中,係使用具有方形開口之間隔物4,在直方體形狀的腔室內配置複數個發光元件與光反射構件等。此外,第9圖(a)、(b),為圖示方便,係表示除去頂部5及密封材7後之裝置的俯視圖。
製造方法,由於除了形成在間隔物4之開口形狀為方形以外係與實施形態4相同,因此此處省略其說明。
第9圖(a)中係配置有2個發光元件2a,2b,第9圖(b)中則配置有3個發光元件2a,2b,2c。若與實施形態4之圓形開口者相較,第9圖(a)、(b)中,由於開口內為方形而較寬廣,因此電極圖案之形狀及配置已單純化。
(實施形態6)
針對實施形態6之半導體發光裝置,使用第10圖(a)、(b)加以說明。
第10圖(a)、(b)之半導體發光裝置,係利用發光元件2背面側之配置光反射構件3的空間,配置有保護二極體10的構成。保護二極體10係藉由導線11連接於電極圖案9a。其他之裝置構成及製造方法係與實施形態2之第5圖的裝置相同。保護二極體10及導線11,係以配置發光元件2及導線8之步驟同樣地配置,並進行導線接合。
由於係以在發光元件2之背面側的空間填充未硬化之樹脂然後使其硬化之步驟來形成光反射構件3,因此可作成將保護二極體10埋入於發光元件3背面側之光反射構件3內的構造。藉此,可提供一種可有效利用腔室內之空間且小型的半導體發光裝置。
(實施形態7)
上述實施形態1、2、4~6中,皆係光反射構件3以既接觸於發光元件3亦接觸於間隔物4的方式形成,而實施形態7中,如第11圖所示,則在光反射構件3與間隔物4之間設置有空間12。
如第11圖般即使有空間12,由於光反射構件3亦接觸於發光元件2之背面側端面,因此可反射從背面側端面出射之光,而返回發光元件2。
如第11圖般形成空間12之光反射構件3,可藉由利用分注法或印刷法塗佈調整過觸變性之末硬化樹脂來形成。此外,第11圖中,雖將反射材3圖示成直方體形狀,不過在藉由塗佈形成的情況下,與第1圖同樣地,係構成為隆起的曲面形狀。
(實施形態8)
使用上述實施形態1~7之半導體發光裝置,即可構成側光型背光的液晶顯示裝置。具體而言,配置液晶面板背面之導光板,並將本實施形態之半導體發光裝置排列配置於其端面。此時,將光釋出口6朝向導光板之端面方向。
本實施形態之半導體發光裝置,由於光路徑短且可釋出強度大之光,因此藉由此光傳送於導光板以照明液晶面板,即可提供明亮之液晶面板。
上述實施形態1~7中,雖針對相對於一個光釋出口配置有1個或2~3個發光元件之例作了說明,不過本實施形態並非限制於此,亦可設置成在一方向具有長縫狀之開口且4個以上之複數個發光元件在開口排列成列狀的半導體發光裝置。
又,上述之實施形態中,雖針對側面構件係圍繞發光元件之形狀且光釋出口僅有一個的構成作了說明,不過本發明並非限制於此。例如,在發光元件之側面方向夾著發光元件並在左右設置側壁構件,在各個側壁構件與相對向之發光元件的側面之間,填充光反射構件(光反射性樹脂),並填充密封材再以頂部覆蓋,藉此即可作成無側壁構件而將光照射至前後的半導體發光裝置。
[實施例]
以下,針對本發明之實施例加以說明。
作為實施例,製造了實施形態1之第1圖的半導體發光裝置。首先,在玻璃環氧樹脂基板1之上,藉由銅箔將電極圖案9a,9b形成為既定形狀。將具有直徑1.7mm之圓形開口並在開口內壁形成有A1膜的玻璃環氧樹脂製的間隔物4,藉由接著等,而如第3圖(a)般地固定在此之上。在開口內之既定位置配置發光元件2並進行晶粒接合。發光元件2背面與間隔物4之距離係設成0.4mm。
藉由接合導線8連接發光元件2上之電極與基板1上之電極。
如第3圖(b)般,藉由分注法將使50wt%的粒徑200~300μm之氧化鈦分散之未硬化矽酮樹脂,填充在發光元件2與間隔物4之間的空間。藉此,形成未硬化之光反射構件3。
其次,如第3圖(c)般,藉由使10~20wt%的YAG螢光體分散在未硬化之矽酮樹脂的矽酮樹脂,填充發光元件2之周圍空間。
然後,在爐加熱以使光反射構件3之未硬化樹脂與密封材7之未硬化樹脂硬化。
其次,如第3圖(d)般,將使30~60wt%的氧化鈦粒子分散之未硬化矽酮樹脂,塗佈在光反射構件3與密封材7之上部,並藉由加熱處理使其硬化而形成頂部5。最後,如第3圖(e)般,在間隔物4開口之中央位置對基板面垂直地切取基板1等,而分割成各個半導體發光元件。藉此,製造了具備有光反射構件3之側視型半導體發光裝置。
作為比較例,不形成光反射構件3,而以密封材7填充發光元件2之周圍,其他條件則係與實施例同樣的方式,製造了半導體發光裝置。
測量實施例與比較例之半導體發光裝置之從光釋出口6所釋出之光的光度時,相對於比較例,實施例係提升了約20%。
1‧‧‧基板
2‧‧‧發光元件
2a,2b‧‧‧發光元件
2c,2d‧‧‧發光元件
3‧‧‧光反射構件
4‧‧‧間隔物
5‧‧‧頂部
6‧‧‧光釋出口
7‧‧‧密封材
8‧‧‧接合導線
9a,9b‧‧‧電極圖案
9c,9d‧‧‧電極圖案
10‧‧‧保護二極體
11‧‧‧接合導線
12‧‧‧空間
20‧‧‧半導體發光裝置
100‧‧‧基板
101‧‧‧反射面
102‧‧‧發光元件
103‧‧‧光釋出口
104‧‧‧側面構件
105‧‧‧上面基板
107‧‧‧吸附治具
第1圖係實施形態1之半導體發光裝置的截面圖。
第2圖(a)~(e)係表示實施形態1之半導體發光裝置之製造步驟的截面圖。
第3圖(a)~(e)係表示實施形態1之半導體發光裝置之製造步驟的俯視圖。
第4圖(a)~(d)係表示實施形態1之半導體發光裝置之內部構成之複數個例的截面圖。
第5圖係實施形態2之半導體發光裝置的(a)截面圖、(b)俯視圖。
第6圖(a)~(e)係表示實施形態3之半導體發光裝置之製造步驟的截面圖。
第7圖(a)~(e)係表示實施形態4之搭載2個發光元件之半導體發光裝置之製造步驟的俯視圖。
第8圖(a)~(e)係表示實施形態4之搭載3個發光元件之半導體發光裝置之製造步驟的俯視圖。
第9圖(a)係實施形態5之搭載2個發光元件之半導體發光裝置的俯視圖、(b)係實施形態5之搭載3個發光元件之半導體發光裝置的俯視圖。
第10圖係實施形態6之半導體發光裝置的(a)截面圖、(b)俯視圖。
第11圖係實施形態7之半導體發光裝置的截面圖。
第12圖係習知之半導體發光裝置的(a)截面圖、(b)俯視圖。
第13圖係改善了習知半導體發光裝置之裝置的(a)截面圖、(b)俯視圖。
第14圖(a)~(c)係表示在習知之半導體發光裝置以吸附治具使發光元件移動之狀態的說明圖。
1‧‧‧基板
2‧‧‧發光元件
3‧‧‧光反射構件
4‧‧‧間隔物
5‧‧‧頂部
6‧‧‧光釋出口
7‧‧‧密封材
8‧‧‧接合導線

Claims (11)

  1. 一種半導體發光裝置之製造方法,其特徵在於,具有:在具有既定電極圖案之基板上,配置發光元件的步驟;與該發光元件隔著既定空間,於該基板上配置側壁構件的步驟;電氣連接該發光元件與該電極圖案的步驟;在該發光元件側面之至少一部分與該側壁構件之間的空間,填充光反射性樹脂的步驟;在該發光元件之周圍填充透射來自該發光元件之光之密封材的步驟;以及至少在該密封材之上面配置具有光反射性之頂部的步驟,其中,於該填充光反射性樹脂的步驟,該光反射性樹脂係接觸該發光元件側面之一部份且覆蓋該側面,以及該光反射性樹脂沒有覆蓋該發光元件之與該側面不同的側面。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體發光裝置之製造方法,其中該側壁構件係圍繞以構成該光釋出口之方向為前面時之該發光元件的兩側側面與背面;該光反射性樹脂係填充在該背面側之該側壁構件與該發光元件之背面之間。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之半導體發光裝置之製造方法,其中在該填充光反射性樹脂之步驟中,填充未硬化之光反射性樹脂後,填充未硬化之密封材樹脂,使光反射性樹脂與密封材樹脂同時地硬化。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之半導體發光裝置之製造方法,其中該連接步驟係連接導線與該發光元件之背面方向的該電極圖案;該填充光反射性樹脂之步驟,係以在維持該發光元件背面方向之導線之形狀下埋入的方式,將光反射性樹脂填充在該發光元件之該背面與該間隔物之間的空間。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之半導體發光裝置之製造方法,其中該填充光反射性樹脂之步驟,係在該發光元件之該背面與該間隔物之間的空間,使用調整過觸變性(thixotropy)或黏度之樹脂,以使光反射性樹脂在較發光元件上面還高之位置,隆起成具有向上鼓起的形狀。
  6. 一種半導體發光裝置之製造方法,其特徵在於,具有:在具有既定電極圖案之基板上配置發光元件,並電氣連接該發光元件與該電極圖案的步驟;以接觸於該發光元件側面之至少一部分的方式,以光反射性樹脂填充該基板上之空間的步驟;在該發光元件之周圍填充透射來自該發光元件之光之密封材的步驟;以及至少在該密封材之上面形成光反射膜的步驟,其中,於該填充光反射性樹脂的步驟, 該光反射性樹脂係接觸該發光元件側面之一部份且覆蓋該側面,以及該光反射性樹脂沒有覆蓋該發光元件之與該側面不同的側面。
  7. 一種半導體發光裝置,其特徵在於:具有基板、搭載在該基板上之至少一個發光元件、以及該發光元件之側面之中在前面具有開口且隔著既定空間圍繞兩側面與背面的側壁構件;在該發光元件之背面與該側壁構件之間的空間,係以接觸且覆蓋該發光元件之背面側之側面的方式填充光反射性構件;未配置有該反射性構件之該發光元件之側面與側壁構件之間,係以透射來自該發光元件之光的密封材密封;至少該密封材之上面係以具有光反射性之頂部覆蓋。
  8. 如申請專利範圍第7項之半導體發光裝置,其中在該發光元件之背面與該側壁構件之間的空間,係配置有連接該基板上所配備之電極與該發光元件之彎曲的導線;該光反射性構件係埋入有該彎曲之導線。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之半導體發光裝置,其中在該發光元件之背面與該側壁構件之間的空間,係配置有該電子電路元件;該光反射性構件係埋入有該電子電路元件。
  10. 一種半導體發光裝置,其特徵在於,具有:基板; 發光元件,係搭載在該基板上;光反射性構件,係接觸該發光元件側面之至少一部分且覆蓋該側面,並填充周圍空間之一部分;密封材,係覆蓋該發光元件之除了以該光反射性構件覆蓋之部分以外且透射該發光元件之光;以及頂部,係至少覆蓋該密封材之上面且具有光反射性;該光反射性構件係以接觸於該頂部的方式填充空間。
  11. 一種液晶顯示裝置,係具有液晶面板、配置於該液晶面板背面之導光板、以及配置於該導光板之端面的半導體發光裝置,其特徵在於:該半導體發光裝置係具有基板、搭載在該基板上之至少一個發光元件、以及該發光元件之側面之中在前面具有開口且隔著既定空間圍繞兩側面與背面的側壁構件;在該發光元件之背面與該側壁構件之間的空間,係以至少接觸且覆蓋發光元件之背面側之側面的方式填充光反射性構件;未配置有該反射性構件之該發光元件之側面與側壁構件之間,係以透射來自該發光元件之光的密封材密封;至少該密封材之上面係以具有光反射性之頂部覆蓋。
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