TWI506359B - 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、來自該組成物的感光化射線性或感放射線性樹脂膜以及使用該組成物的圖案形成方法 - Google Patents

感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、來自該組成物的感光化射線性或感放射線性樹脂膜以及使用該組成物的圖案形成方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI506359B
TWI506359B TW101110950A TW101110950A TWI506359B TW I506359 B TWI506359 B TW I506359B TW 101110950 A TW101110950 A TW 101110950A TW 101110950 A TW101110950 A TW 101110950A TW I506359 B TWI506359 B TW I506359B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
alkyl group
formula
carbon atoms
hydrogen atom
Prior art date
Application number
TW101110950A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201241560A (en
Inventor
Toshiya Takahashi
Hiroo Takizawa
Hideaki Tsubaki
Shuji Hirano
Tomotaka Tsuchimura
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Publication of TW201241560A publication Critical patent/TW201241560A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI506359B publication Critical patent/TWI506359B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0395—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Polyethers (AREA)

Description

感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、來自該組成物的感光化射線性或感放射線性樹脂膜以及使用該組成物的圖案形成方法 【相關申請案之交叉引用】
本申請案基於且主張2011年3月30日申請之先行日本專利申請案第2011-076093號之優先權，所述申請案之全部內容以引用的方式併入本文中。
本發明是有關於一種感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、由其形成的感光化射線性或感放射線性樹脂膜以及使用所述組成物的圖案形成方法。更特定言之，本發明是有關於例如適用於可用於製造超級LSI或大容量微晶片之製程、加工奈米壓印模具之製程、生產高密度資訊記錄媒體之製程等的超微影製程(ultramicrolithography process)以及其他感光蝕刻加工製程(photofabrication process)的組成物，以及有關於一種相關膜以及圖案形成方法。此外，更特定言之，本發明是有關於可適當應用於例如藉由電子束或軟X射線(諸如EUV光)微加工半導體裝置的組成物、膜以及圖案形成方法。
在藉由微影術進行之微加工中，近年來，隨著積體電路之高度整合的實現，日益需要形成大約數十奈米之超微細圖案。根據此需要，可發現曝光波長向短波長發展之趨勢，例如自g射線發展至i射線，並且進一步發展至KrF準分子雷射光。此外，現在使用除準分子雷射光以外之電子束、X射線或EUV光進行微影術正取得進展。
此外，使用光阻組成物之微加工不僅直接用於製造積體電路，而且近年來在製造所謂壓印模具結構等方面獲得應用。(參看例如專利參考文獻1以及非專利參考文獻1)。
可向光阻組成物中添加鹼性化合物(參看例如專利參考文獻2至專利參考文獻10)。鹼性化合物實現例如藉由曝光後所產生之酸淬滅任何脫除保護基反應的作用。
近年來，使用X射線、軟X射線或電子束之微影術被定位為下一代或下下一代圖案形成技術。當應用此微影技術時，同時實現高敏感性以及在圖案形狀、粗糙度特性方面之有利效能以及減少殘餘物缺陷是一項尤其重要的任務。
[先前技術文獻] [專利參考文獻]
專利參考文獻1：日本未審查專利申請公開案(以下簡稱為JP-A-)第2008-162101號；專利參考文獻2：美國專利第5,916,728號；專利參考文獻3：JP-A-H10-177250；專利參考文獻4：JP-A-H5-232706；專利參考文獻5：JP-A-H10-326015；專利參考文獻6：歐洲專利第881539號；專利參考文獻7：JP-A-2004-046157；專利參考文獻8：美國專利第6,274,286號；專利參考文獻9：JP-A-H11-084639；以及專利參考文獻10：JP-A-2008-065296。
[非專利參考文獻]
非專利參考文獻1：「奈米壓印基本原理以及其技術發展/推廣應用-奈米壓印基板技術以及其最近技術應用(Fundamentals of nanoimprint and its technology development/application deployment-technology of nanoimprint substrate and its latest technology deployment)」，平井佳彥(Yoshihiko Hirai)編，開拓者出版公司(Frontier Publishing)出版(2006年6月發行)。
本發明之一個目標在於提供一種感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，所述樹脂組成物可實現高敏感性、有利圖案形狀、有利粗糙度特性以及減少殘餘物缺陷。本發明之另一目標在於提供一種來自所述組成物的感光化射線性或感放射線性樹脂膜以及一種使用所述組成物的圖案形成方法。
為了實現上述目標，發明者已進行廣泛而深入的研究。因此，已完成以下發明。
[1]一種感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，包括：樹脂(P)，其含有酸可分解重複單元(A)，所述樹脂(P)在受酸作用時增加其在鹼性顯影劑中的溶解度；化合物(Q)，當所述化合物(Q)曝露於光化射線或放射線時產生酸；以及化合物(R)，由以下通式(1)或通式(2)表示，
在所述式中，R1 以及R8 各自獨立地表示不含雜原子之有機基團；R2 、R3 、R5 以及R6 各自獨立地表示具有1至3個碳原子之伸烷基；R4 以及R7 各自獨立地表示氫原子或烷基；以及n1 以及n2 各自獨立地為整數1至6。
[2]如以上第[1]項所述之組成物，其中所述有機基團為烷基或芳基。
[3]如以上第[1]項或第[2]項所述之組成物，其中所述化合物(R)由通式(1)表示且其中R4 以及R7 中至少一者為氫原子。
[4]如以上第[3]項所述之組成物，其中R4 以及R7 均為氫原子。
[5]如以上第[1]項或第[2]項所述之組成物，其中所述化合物(R)由通式(2)表示且其中R7 為氫原子。
[6]如以上第[1]項至第[5]項中任一項所述之組成物，其中所述重複單元(A)由以下通式(V)或通式(VI)表示。
在通式(V)中，R51 、R52 以及R53 各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子、氰基或烷氧基羰基，其限制條件為R52 可與L5 鍵結，藉此形成環，所述R52 表示伸烷基；L5 表示單鍵或二價連接基團，其限制條件為當協同R52 形成環時，L5 表示三價連接基團；以及R54 表示烷基，且R55 以及R56 各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基或單價芳族環基團，其限制條件為R55 以及R56 可彼此鍵結，藉此形成環，且其限制條件為R55 以及R56 不同時為氫原子。
在通式(VI)中，R61 、R62 以及R63 各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子、氰基或烷氧基羰基， 其限制條件為R62 可與Ar6 鍵結，藉此形成環，所述R62 表示伸烷基；X6 表示單鍵、-COO-或-CONR64 -，其中R64 表示氫原子或烷基；L6 表示單鍵或伸烷基；Ar6 表示二價芳族環基團；Y2 在n2時各自獨立地表示氫原子或當受酸作用時裂解之基團，其限制條件為至少一個Y2 為當受酸作用時裂解之基團；以及n為整數1至4。
[7]如以上第[1]項至第[6]項中任一項所述之組成物，其中所述樹脂(P)更含有由以下通式(I)表示的任何重複單元(B)。
在通式(I)中，R41 、R42 以及R43 各自獨立地表示氫原子、烷基、鹵素原子、氰基或烷氧基羰基；X4 表示單鍵、-COO-或-CONR64 -，其中R64 表示氫原 子或烷基；L4 表示單鍵或伸烷基；Ar4 表示(n+1)價芳族環基團；以及n為整數1至4。
[8]如以上第[7]項所述之組成物，其中所述重複單元(B)具有羥基苯乙烯結構。
[9]如以上第[1]項至第[8]項中任一項所述之組成物，更包括除所述化合物(R)以外的鹼性化合物。
[10]如以上第[9]項所述之組成物，其中所述鹼性化合物不含羥基。
[11]如以上第[1]項至第[10]項中任一項所述之組成物，其用於包含藉由EUV進行曝光的圖案形成。
[12]一種感光化射線性或感放射線性樹脂膜，其由如以上第[1]項至第[11]項中任一項所述之組成物形成。
[13]一種圖案形成方法，包括：將如以上第[12]項所述之膜曝光；以及將所述經曝光之膜顯影。
[14]如第[13]項所述之方法，其中所述曝光是藉由EUV光進行。
[15]一種製造電子裝置之製程，包括如以上第[13]項或第[14]項所述之圖案形成方法。
[16]一種電子裝置，其由如以上第[15]項所述之製程製造。
本發明使得提供可實現高敏感性、有利圖案形狀、有 利粗糙度特性以及減少殘餘物缺陷之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，以及提供來自所述組成物之感光化射線性或感放射線性樹脂膜以及使用所述組成物之圖案形成方法具有可行性。
下文將描述本發明。
應注意：關於本說明書中所用之基團(或原子團)的表述，在未明確提及所述基團經取代或未經取代時，所述表述不僅涵蓋不具有取代基之基團，而且涵蓋具有一或多個取代基之基團。例如，表述「烷基」不僅涵蓋不具有取代基之烷基(亦即未經取代之烷基)，而且涵蓋具有一或多個取代基之烷基(亦即經取代之烷基)。
在本發明中，術語「光化射線(actinic ray)」以及「放射線(radiation)」意謂例如汞燈明線光譜、準分子雷射所代表之極紫外線(extreme ultraviolet)、超紫外線(EUV)、X射線、電子束以及其類似物。在本發明中，術語「光(light)」意謂光化射線或放射線。除非另外說明，否則本文所用之表述「曝光(exposure)」不僅意謂使用汞燈、極紫外線、X射線、EUV光等進行之光照射，而且意謂使用粒子束(諸如電子束以及離子束)進行之微影。
本發明之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物包括[1]當受酸作用時增加其在鹼性顯影劑中之溶解度的樹脂(在下文中亦稱為酸可分解樹脂或樹脂(P))、[2]當曝露於光化射線或放射線時產生酸的化合物(在下文中亦稱 為酸產生劑或化合物(Q))以及[3]具有下文所規定之結構的鹼性化合物(R)。
發明者已發現，可藉由採用包括具有規定結構之鹼性化合物(R)的組成物來實現高敏感性、有利圖案形狀、有利粗糙度特性以及減少殘餘物缺陷。此外，發明者已發現，當在酸基板上形成圖案時，此作用尤其顯著。
下文將依序描述上文所提及之組成物組分。
[1]酸可分解樹脂
本發明組成物含有酸可分解樹脂(P)。
<重複單元(A)>
酸可分解樹脂包括酸可分解重複單元(A)。重複單元(A)為當受酸作用時分解，藉此產生鹼可溶性基團的重複單元。
作為鹼可溶性基團，可提及酚羥基、羧基、氟醇基、磺酸基、磺醯胺基、磺醯亞胺基、(烷基磺醯基)(烷基羰基)亞甲基、(烷基磺醯基)(烷基羰基)醯亞胺基、雙(烷基羰基)亞甲基、雙(烷基羰基)醯亞胺基、雙(烷基磺醯基)亞甲基、雙(烷基磺醯基)亞胺基、三(烷基羰基)亞甲基、三(烷基磺醯基)亞甲基或其類似基團。
作為較佳鹼可溶性基團，可提及酚羥基、羧基、氟醇基(較佳為六氟異丙醇基)以及磺酸基。
酸可分解基團較佳為藉由用酸可裂解基團取代這些鹼可溶性基團中任一者之氫原子而獲得的基團。
作為酸可消除基團，可提及例如-C(R36 )(R37 )(R38 )、 -C(R36 )(R37 )(OR39 )、-C(R01 )(R02 )(OR39 )或其類似基團。
在所述式中，R36 至R39 各自獨立地表示烷基、環烷基、單價芳族環基團、伸烷基與單價芳族環基團之組合或烯基。R36 以及R37 可彼此鍵結，藉此形成環結構。
R01 至R02 各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、單價芳族環基團、伸烷基與單價芳族環基團之組合或烯基。
酸可分解基團較佳為異丙苯酯基、烯醇酯基、縮醛酯基、第三烷酯基或其類似基團。更佳為第三烷酯基。
重複單元(A)較佳為以下通式(V)之任何重複單元。
在通式(V)中，R51 、R52 以及R53 各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子、氰基或烷氧基羰基，其限制條件為R52 可與L5 鍵結，藉此形成環，所述R52 表示伸烷基。
L5 表示單鍵或二價連接基團，其限制條件為當協同R52 形成環時，L5 表示三價連接基團。
R54 表示烷基，且R55 以及R56 各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基或單價芳族環基團，其限制條件為R55 以及R56 可彼此鍵結，藉此形成環，且其限制條件為R55 以及R56 不同時為氫原子。
下文將更詳細地描述通式(V)。
作為由通式(V)中之R51 至R53 各自表示之較佳烷基，可提及視情況經取代之具有至多20個碳原子之烷基，諸如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、己基、2-乙基己基、辛基或十二烷基。具有至多8個碳原子之烷基更佳，且具有至多3個碳原子之烷基最佳。
烷氧基羰基中所含之烷基較佳與由以上R51 至R53 各自表示之烷基相同。
環烷基可為單環或多環。環烷基較佳為視情況經取代之具有3至8個碳原子之單環烷基，諸如環丙基、環戊基或環己基。
作為鹵素原子，可提及氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。氟原子最佳。
作為可引入這些基團中的較佳取代基，可提及例如烷基、環烷基、芳基、胺基、醯胺基、脲基、胺基甲酸酯基、羥基、羧基、鹵素原子、烷氧基、硫醚基、醯基、醯氧基、烷氧基羰基、氰基、硝基以及其類似基團。各取代基之碳原子數目較佳至多為8。
當R52 為伸烷基且協同L5 形成環時，所述伸烷基較佳為具有1至8個碳原子之伸烷基，諸如亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸己基或伸辛基。具有1至4個碳原子之伸烷基更佳，且具有1或2個碳原子之伸烷基最佳。由 R52 與L5 相互鍵結形成之環最佳為5員環或6員環。
在式(V)中，R51 以及R53 各自更佳為氫原子、烷基或鹵素原子，最佳為氫原子、甲基、乙基、三氟甲基(-CF3 )、羥甲基(-CH2 -OH)、氯甲基(CH2 -Cl)或氟原子(-F)。R52 更佳為氫原子、烷基、鹵素原子或伸烷基(協同L5 形成環)，最佳為氫原子、甲基、乙基、三氟甲基(-CF3 )、羥甲基(-CH2 -OH)、氯甲基(-CH2 -Cl)、氟原子(-F)、亞甲基(協同L5 形成環)或伸乙基(協同L5 形成環)。
作為由L5 表示之二價連接基團，可提及伸烷基、二價芳族環基團、-COO-L1 -、-O-L1 -、由其中兩者或多於兩者之組合組成的基團或其類似基團。在所述式中，L1 表示伸烷基、伸環烷基、二價芳族環基團或由伸烷基與二價芳族環基團組合所組成的基團。
L5 較佳為單鍵、式-COO-L1 -之任何基團，或二價芳族環基團。當使用ArF準分子雷射進行曝光時，根據可減少193奈米區域中之吸收的觀點，單鍵或-COO-L1 -較佳。L1 較佳為具有1至5個碳原子之伸烷基，更佳為亞甲基或伸丙基。
由R54 至R56 各自表示之烷基較佳為具有1至20個碳原子之烷基，更佳為具有1至10個碳原子之烷基，且最佳為具有1至4個碳原子之烷基，諸如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基或第三丁基。
由R55 以及R56 各自表示之環烷基較佳為具有3至20個碳原子之環烷基。其可為單環基團，諸如環戊基或環己 基，或為多環基團，諸如降冰片基、金剛烷基、四環癸基或四環十二烷基。
由R55 與R56 相互鍵結所形成之環較佳具有3至20個碳原子。其可為單環基團，諸如環戊基或環己基，或為多環基團，諸如降冰片基、金剛烷基、四環癸基或四環十二烷基。當R55 與R56 彼此鍵結，藉此形成環時，R54 較佳為具有1至3個碳原子之烷基，更佳為甲基或乙基。
由R55 以及R56 各自表示之單價芳族環基團較佳為具有6至20個碳原子之單價芳族環基團。因此，可提及例如苯基、萘基或其類似基團。當R55 或R56 中任一者為氫原子時，另一基團較佳為單價芳族環基團。
當使用ArF準分子雷射進行曝光時，根據可減少193奈米區域中之吸收的觀點，R55 以及R56 較佳各自獨立地表示氫原子、烷基或環烷基。
作為合成對應於通式(V)重複單元之單體的方法，可使用合成含有可聚合基團之酯的常用製程。方法不受特別限制。
下文展示通式(V)之重複單元(A)的特定實例，然而所述實例絕不限制本發明之範疇。
此外，樹脂(P)可含有以下通式(VI)之任何重複單元作為重複單元(A)。當使用電子束或EUV光進行曝光時，此化合物尤其較佳。
在通式(VI)中，R61 、R62 以及R63 各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子、氰基或烷氧基羰基。R62 可與Ar6 鍵結，藉此形成環。若如此，則R62 表示伸烷基。
X6 表示單鍵、-COO-或-CONR64 -，其中R64 表示氫原子或烷基；L6 表示單鍵或伸烷基；Ar6 表示二價芳族環基團；Y2 在n2時各自獨立地表示氫原子或當受酸作用時裂解之基團，其限制條件為至少一個Y2 為當受酸作用時裂解之基團；以及n為整數1至4。
下文將更詳細地描述通式(VI)。
作為由通式(VI)中之R61 至R63 各自表示之較佳烷基，可提及視情況經取代之具有至多20個碳原子之烷基，諸如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、己基、2-乙基己基、辛基或十二烷基。更佳為具有至多8個碳原子之烷基。
烷氧基羰基中所含之烷基較佳與由以上R61 至R63 各自表示之烷基相同。
環烷基可為單環或多環。環烷基較佳為視情況經取代之具有3至8個碳原子之單環烷基，諸如環丙基、環戊基或環己基。
作為鹵素原子，可提及氟原子、氯原子、溴原子或碘 原子。較佳為氟原子。
當R62 為伸烷基時，所述伸烷基較佳為視情況經取代之具有1至8個碳原子之伸烷基，諸如亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸己基或伸辛基。
由X6 表示之-CONR64 -(R64 表示氫原子或烷基)之R64 所表示的烷基與如上文所述作為由R61 至R63 各自表示之烷基相同。
X6 較佳為單鍵、-COO-或-CONH-，更佳為單鍵或-COO-。
由L6 表示之伸烷基較佳為視情況經取代之具有1至8個碳原子之伸烷基，諸如亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸己基或伸辛基。由R62 與L6 相互鍵結所形成之環最佳為5員環或6員環。
Ar6 表示二價芳族環基團。二價芳族環基團中可引入取代基。作為二價芳族環基團之較佳實例，可提及具有6至18個碳原子之伸芳基，諸如伸苯基、伸甲苯基或伸萘基；以及含有雜環之二價芳族環基團，所述雜環為諸如噻吩、呋喃、吡咯、苯并噻吩、苯并呋喃、苯并吡咯、三嗪、咪唑、苯并咪唑、三唑、噻二唑或噻唑。
可引入上述烷基、環烷基、烷氧基羰基、伸烷基以及二價芳族環基團中之取代基的特定實例與可引入由通式(V)之R51 至R53 表示之以上基團中的取代基相同。
在所述式中，n較佳為1或2，更佳為1。
n個Y2 各自獨立地表示氫原子或在酸作用下裂解之基 團，其限制條件n個Y2 中至少一者表示在酸作用下裂解之基團。
作為在酸作用下裂解之基團Y2，可提及例如-C(R36 )(R37 )(R38 )、-C(=O)-O-C(R36 )(R37 )(R38 )、-C(R01 )(R02 )(OR39 )、-C(R01 )(R02 )-C(=O)-O-C(R36 )(R37 )(R38 )、-CH(R36 )(Ar)或其類似基團。
在所述式中，R36 至R39 各自獨立地表示烷基、環烷基、單價芳族環基團、由伸烷基與單價芳族環基團之組合構成的基團，或烯基。R36 與R37 可彼此鍵結，藉此形成環。
R01 以及R02 各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、單價芳族環基團、由伸烷基與單價芳族環基團之組合構成的基團，或烯基。
Ar表示單價芳族環基團。
由R36 至R39 、R01 以及R02 表示之烷基較佳各自具有1至8個碳原子。舉例而言，可提及甲基、乙基、丙基、正丁基、第二丁基、己基、辛基或其類似基團。
由R36 至R39 、R01 以及R02 表示之環烷基可為單環或多環。當環烷基為單環時，其較佳為具有3至8個碳原子之環烷基。因而，可提及例如環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環辛基或其類似基團。當環烷基為多環時，其較佳為具有6至20個碳原子之環烷基。因而，可提及例如金剛烷基、降冰片基、異冰片基、樟腦基、二環戊基、α-蒎基、三環癸基、四環十二烷基、雄甾烷基或其類似基團。關於這些基團，各環烷基之碳原子可經諸如氧原子之雜原 子部分取代。
由R36 至R39 、R01 、R02 以及Ar表示之單價芳族環基團較佳各自為具有6至10個碳原子之單價芳族環基團。舉例而言，可提及芳基，諸如苯基、萘基或蒽基；或含有雜環之單價芳族環基團，所述雜環為諸如噻吩、呋喃、吡咯、苯并噻吩、苯并呋喃、苯并吡咯、三嗪、咪唑、苯并咪唑、三唑、噻二唑或噻唑。
由伸烷基與由R36 至R39 、R01 以及R02 表示之單價芳族環基團組合所組成的基團較佳各自為具有7至12個碳原子之芳烷基。舉例而言，可提及苯甲基、苯乙基、萘甲基或其類似基團。
由R36 至R39 、R01 以及R02 表示之烯基較佳各自具有2至8個碳原子。舉例而言，可提及乙烯基、烯丙基、丁烯基、環己烯基或其類似基團。
由R36 以及R37 相互鍵結所形成之環可為單環或多環。單環結構較佳為具有3至8個碳原子之環烷基結構。因而，可提及例如環丙烷結構、環丁烷結構、環戊烷結構、環己烷結構、環庚烷結構、環辛烷結構或其類似結構。多環結構較佳為具有6至20個碳原子之環烷基結構。因而，可提及例如金剛烷結構、降冰片烷結構、二環戊烷結構、三環癸烷結構、四環十二烷結構或其類似結構。關於這些結構，各環烷基結構之碳原子可經諸如氧原子之雜原子部分取代。
由R36 至R39 、R01 、R02 以及Ar表示之以上基團中可 引入取代基。作為所述取代基，可提及例如烷基、環烷基、芳基、胺基、醯胺基、脲基、胺基甲酸酯基、羥基、羧基、鹵素原子、烷氧基、硫醚基、醯基、醯氧基、烷氧基羰基、氰基、硝基以及其類似基團。各取代基之碳原子數目較佳至多為8。
在酸作用下裂解之基團Y2 更佳具有以下通式(VI-A)之任何結構。
在所述式中，L1 以及L2 各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、單價芳族環基團或由伸烷基與單價芳族環基團組合所組成的基團。
M表示單鍵或二價連接基團。
Q表示烷基、視情況含有雜原子之環烷基、視情況含有雜原子之單價芳族環基團、胺基、銨基、巰基、氰基或醛基。
Q、M以及L1 中至少兩者可彼此鍵結，藉此形成環(較佳為5員環或6員環)。
由L1 以及L2 表示之烷基為例如各自具有1至8個碳原子之烷基。作為其較佳實例，可提及甲基、乙基、丙基、正丁基、第二丁基、己基以及辛基。
由L1 以及L2 表示之環烷基為例如各自具有3至15個碳原子之環烷基。作為其較佳實例，可提及環戊基、環己基、降冰片基、金剛烷基以及其類似基團。
由L1 以及L2 表示之單價芳族環基團為例如各自具有6至15個碳原子之芳族環。作為其較佳實例，可提及苯基、甲苯基、萘基、蒽基以及其類似基團。
各自由伸烷基與由L1 以及L2 表示之單價芳族環基團組合所組成的基團為例如各自具有6至20個碳原子之基團。可提及芳烷基，諸如苯甲基以及苯乙基。
由M表示之二價連接基團為例如伸烷基(例如亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸己基、伸辛基等)、伸環烷基(例如伸環戊基、伸環己基、伸金剛烷基等)、伸烯基(例如伸乙烯基、伸丙烯基、伸丁烯基等)、二價芳族環基團(例如伸苯基、伸甲苯基、伸萘基等)、-S-、-O-、-CO-、-SO2 -、-N(R0 )-或由這些基團組合產生的二價連接基團。R0 表示氫原子或烷基(例如具有1至8個碳原子之烷基；特定言之，甲基、乙基、丙基、正丁基、第二丁基、己基、辛基或其類似基團)。
由Q表示之烷基與上文所提及之作為由L1 以及L2 各自表示之烷基者相同。
作為由Q表示之視情況含有雜原子之環烷基以及視情況含有雜原子之單價芳族環基團中分別含有的不含雜原子之脂族烴環基團以及不含雜原子之單價芳族環基團，可提及例如上文所提及之作為由L1 以及L2 各自表示之環烷 基以及單價芳族環基團。其較佳各自具有3至15個碳原子。
作為含有雜原子之環烷基以及含有雜原子之單價芳族環基團，可提及例如具有雜環結構之基團，所述雜環為諸如環硫乙烷(thiirane)、硫雜環戊烷(cyclothiorane)、噻吩、呋喃、吡咯、苯并噻吩、苯并呋喃、苯并吡咯、三嗪、咪唑、苯并咪唑、三唑、噻二唑、噻唑以及吡咯啶酮。然而，上述環烷基以及單價芳族環基團不限於這些基團，只要包含一般稱為雜環(由碳與雜原子形成之環，或由雜原子形成之環)之結構即可。
作為可由Q、M以及L1 中至少兩者相互鍵結形成之環，可提及由Q、M以及L1 中至少兩者相互鍵結從而形成例如伸丙基或伸丁基且隨後形成含有氧原子之5員或6員環而產生的環。
由通式(VI-A)中之L1 、L2 、M以及Q表示之基團中可引入取代基。作為所述取代基，可提及例如上文所提及之作為視情況引入R36 至R39 、R01 、R02 以及Ar中之取代基。各取代基之碳原子數目較佳至多為8。
式-M-Q之基團較佳為各自由1至30個碳原子構成之基團，更佳為各自由5至20個碳原子構成之基團。
下文展示通式(VI)之重複單元的特定實例作為重複單元(A)之較佳特定實例，然而所述實例絕不限制本發明之範疇。
此外，樹脂(P)可含有以下通式(BZ)之任何重複單元作為重複單元(A)。當使用電子束或EUV光進行曝光時，此化合物尤其較佳。
在通式(BZ)中，AR表示芳基。Rn表示烷基、環烷基或芳基。Rn與AR可彼此鍵結，藉此形成非芳族環。
R1 表示氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子、氰基或烷氧基羰基。
由AR表示之芳基較佳為具有6至20個碳原子之芳基，諸如苯基、萘基、蒽基或茀基。更佳為具有6至15個碳原子之芳基。
當AR為萘基、蒽基或茀基時，Rn所鍵結之碳原子鍵結至AR的位置不受特別限制。舉例而言，當AR為萘基時，碳原子可鍵結至萘基之任一位置，α位或β位均可。當AR為蒽基時，碳原子可鍵結至蒽基之1位、2位以及9 位中之任一者。
由AR表示之芳基中可各自引入一或多個取代基。作為所述取代基之特定實例，可提及具有1至20個碳原子之直鏈或分支鏈烷基，諸如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、戊基、己基、辛基或十二烷基；含有任何這些烷基作為其部分的烷氧基；環烷基，諸如環戊基或環己基；含有所述環烷基作為其部分的環烷氧基；羥基；鹵素原子；芳基；氰基；硝基；醯基；醯氧基；醯胺基；磺醯胺基；烷硫基；芳基硫基；芳烷基硫基；噻吩羰氧基；噻吩甲基羰氧基；以及雜環殘基，諸如吡咯啶酮殘基。在這些取代基中，具有1至5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基以及含有所述烷基作為其部分的烷氧基較佳。更佳為對甲基以及對甲氧基。
當在由AR表示之芳基中引入多個取代基時，所述多個取代基中的至少兩個成員可彼此鍵結，藉此形成環。所述環較佳為5員至8員環，更佳為5員或6員環。此外，此環可為含有諸如氧原子、氮原子或硫原子之雜原子作為環成員的雜環。
此環中可進一步引入取代基。所述取代基與下文所提及之可引入Rn中之另一取代基相同。
根據粗糙度效能之觀點，通式(BZ)之重複單元(A)較佳各自含有兩個或多於兩個芳族環。一般而言，引入重複單元(A)中之芳族環的數目較佳為至多5，更佳為至多3。
此外，根據粗糙度效能之觀點，通式(BZ)之各重複單元(A)之AR較佳含有兩個或多於兩個芳族環。AR更佳為萘基或聯苯基。一般而言，引入AR中之芳族環的數目較佳為至多5，更佳為至多3。
如上文所提及，Rn表示烷基、環烷基或芳基。
由Rn表示之烷基可呈直鏈或分支鏈形式。作為較佳烷基，可提及具有1至20個碳原子之烷基，諸如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、戊基、己基、辛基或十二烷基。由Rn表示之烷基更佳具有1至5個碳原子，更佳具有1至3個碳原子。
作為由Rn表示之環烷基，可提及例如具有3至15個碳原子之環烷基，諸如環戊基或環己基。
由Rn表示之芳基較佳為例如具有6至14個碳原子之芳基，諸如苯基、二甲苯基、甲苯基、異丙苯基、萘基或蒽基。
由Rn表示之烷基、環烷基以及芳基中可進一步引入取代基。作為所述取代基，可提及例如烷氧基、羥基、鹵素原子、硝基、醯基、醯氧基、醯胺基、磺醯胺基、二烷基胺基、烷硫基、芳基硫基、芳烷基硫基、噻吩羰氧基、噻吩甲基羰氧基以及雜環殘基，諸如吡咯啶酮殘基。在這些取代基中，烷氧基、羥基、鹵素原子、硝基、醯基、醯氧基、醯胺基以及磺醯胺基尤其較佳。
如上文所提及，R1 表示氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子、氰基或烷氧基羰基。
由R1 表示之烷基以及環烷基與例如上文結合Rn所提及者相同。所述烷基以及環烷基中可引入取代基。舉例而言，所述取代基與上文結合Rn所述者相同。
當R1 為經取代之烷基或環烷基時，R1 尤其較佳為例如三氟甲基、烷氧基羰基甲基、烷基羰氧基甲基、羥甲基或烷氧基甲基。
作為由R1 表示之鹵素原子，可提及氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。最佳為氟原子。
作為由R1 表示之烷氧基羰基中所含之烷基部分，可採用例如上文所提及之作為由R1 表示之烷基的任何結構。
Rn與AR較佳彼此鍵結，藉此形成非芳族環。特定言之，由此可增強粗糙度效能。
可由Rn與AR相互鍵結形成之非芳族環較佳為5員至8員環，更佳為5員或6員環。
所述非芳族環可為脂族環或含有諸如氧原子、氮原子或硫原子之雜原子作為環成員的雜環。
所述非芳族環中可引入取代基。所述取代基與例如上文所提及之可引入Rn中之另一取代基相同。
下文展示通式(BZ)之重複單元(A)的非限制性特定實例。
樹脂(P)中可含有兩種或兩種以上類型的酸可分解重複單元(A)。
樹脂(P)中重複單元(A)的含量以所述樹脂之所有重複單元計較佳在3莫耳%至90莫耳%，更佳為在5莫耳%至80莫耳%，且最佳為在7莫耳%至70莫耳%範圍內。
[重複單元(B)]
本發明之樹脂(P)可更包括含有鹼可溶性基團之重複單元(B)。鹼可溶性基團較佳為包括芳族環基團的鹼可溶性基團。
重複單元(B)較佳具有以下通式(I)之結構。
在所述式中，R41 、R42 以及R43 各自獨立地表示氫原子、烷基、鹵素原子、氰基或烷氧基羰基。
X4 表示單鍵、-COO-或-CONR64 -，其中R64 表示氫原子或烷基。
L4 表示單鍵或伸烷基。
Ar4 表示(n+1)價芳族環基團；以及n為整數1至4。
由式(I)中之R41 、R42 以及R43 表示之烷基、環烷基、鹵素原子以及烷氧基羰基以及可引入這些基團中之取代基的特定實例與上文結合通式(V)所述者相同。
由Ar4 表示之芳族環基團中可引入取代基。作為芳族 環基團之較佳實例，可提及具有6至18個碳原子之伸芳基，諸如伸苯基、伸甲苯基、伸萘基或伸蒽基；以及含有雜環之芳族環基團，所述雜環為諸如噻吩、呋喃、吡咯、苯并噻吩、苯并呋喃、苯并吡咯、三嗪、咪唑、苯并咪唑、三唑、噻二唑或噻唑。
可引入這些基團中之較佳取代基包含如結合通式(V)之R51 至R53 所提及之烷基；烷氧基，諸如甲氧基、乙氧基、羥基乙氧基、丙氧基、羥基丙氧基或丁氧基；以及芳基，諸如苯基。
由X4 表示之-CONR64 -(R64 表示氫原子或烷基)之R64 所表示的烷基與上述作為由R61 至R63 各自表示之烷基相同。
X4 較佳為單鍵、-COO-或-CONH-，更佳為單鍵或-COO-。
由L4 表示之伸烷基較佳為視情況經取代之具有1至8個碳原子之伸烷基，諸如亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸己基或伸辛基。
Ar4 更佳為視情況經取代之具有6至18個碳原子之伸芳基。最佳為伸苯基、伸萘基以及伸聯苯基。
重複單元(B)較佳含有羥基苯乙烯結構。亦即，Ar4 較佳為伸苯基。
下文展示通式(I)之重複單元(B)的特定實例，然而所述實例絕不限制本發明之範疇。在以下各式中，a為整數0至2。
樹脂(P)可包括兩種或兩種以上類型的重複單元(B)。
由通式(I)表示之含有鹼可溶性基團的重複單元(B)的含量以樹脂(P)之所有重複單元計較佳在5莫耳%至90莫耳%，更佳為在10莫耳%至80莫耳%，且更佳為在20莫耳%至70莫耳%範圍內。
[重複單元(C)]
樹脂(P)可更包括含有當受鹼性顯影劑作用時分解，藉此增加其在鹼性顯影劑中之溶解速率之基團的重複單元(C)。作為當受鹼性顯影劑作用時分解，藉此增加其在鹼性顯影劑中之溶解速率的基團，可提及內酯結構、苯酯結構或其類似結構。以下通式(AII)之重複單元較佳。
在通式(AII)中，V表示在鹼性顯影劑作用下分解藉 此增加其在鹼性顯影劑中之溶解速率的基團。Ab表示單鍵、伸烷基、具有單環或多環脂族烴環結構之二價連接基團、醚基、酯基、羰基，或由這些基團組合產生之二價連接基團。Rb0 表示氫原子、鹵素原子或烷基。
作為由Rb0 表示之較佳烷基，可提及具有1至4個碳原子之烷基。所述烷基可具有取代基。作為其較佳實例，可提及羥基以及鹵素原子。作為由Rb0 表示之鹵素原子，可提及氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。Rb0 較佳為氫原子、甲基、羥甲基或三氟甲基。氫原子以及甲基尤其較佳。
Ab較佳為單鍵或式-Ab1 -CO2 -之任何二價連接基團，其中Ab1 表示伸烷基或伸環烷基，較佳為亞甲基、伸乙基、伸環己基、伸金剛烷基或伸降冰片基。
V表示在鹼性顯影劑作用下分解藉此增加其在鹼性顯影劑中之溶解速率的基團。V較佳為具有酯鍵之基團。特定言之，更佳為具有內酯結構之基團。
具有內酯結構之基團不受限制，只要其中引入內酯結構即可。5員至7員環內酯結構較佳，且由5員至7員環內酯結構與另一環狀結構以形成雙環結構或螺環結構的方式實施縮合所產生的基團尤其較佳。V更佳為具有以下通式(LC1-1)至通式(LC1-17)之任何內酯結構的基團。內酯結構可直接鍵結至主鏈。較佳內酯結構為式(LC1-1)、式(LC1-4)、式(LC1-5)、式(LC1-6)、式(LC1-13)以及式(LC1-14)之內酯結構。
內酯結構部分上視情況存在取代基(Rb2 )。作為較佳取代基(Rb2 )，可提及具有1至8個碳原子之烷基、具有4至7個碳原子之環烷基、具有1至8個碳原子之烷氧基、具有1至8個碳原子之烷氧基羰基、羧基、鹵素原子、羥基、氰基、酸可分解基團以及其類似基團。更佳為具有1至4個碳原子之烷基、氰基以及酸可分解基團。在所述式中，n2 為整數0至4。當n2 等於或大於2時，多個所引入之取代基(Rb2 )可彼此相同或不同。此外，多個所引入之取代基(Rb2 )可彼此鍵結，藉此形成環。
含有內酯基團之各重複單元一般以光學異構物形式存在。可使用任何光學異構物。單獨使用單一類型之光學異構物以及使用呈混合物形式之多種光學異構物均適當。當主要使用單一類型之光學異構物時，其光學純度(ee)較佳等於或高於90%，更佳等於或高於95%。
當樹脂(P)中含有重複單元(C)時，其在樹脂(P)中之含量以樹脂之所有重複單元計較佳在0.5莫耳%至80莫耳%，更佳為在1莫耳%至60莫耳%且更佳為在2莫耳%至40莫耳%範圍內。可單獨使用單一類型之重複單元(C)，或可組合使用兩種或多於兩種類型之重複單元(C)。可藉由採用規定內酯結構來增強線邊緣粗糙度以及顯影缺陷效能。
下文展示重複單元(C)之特定實例。在以下各式中，Rx表示H、CH3 、CH2 OH或CF3 。
[其他重複單元]
作為除上文所提及之重複單元以外的可引入樹脂(P)中之重複單元，可提及含有引入羥基或氰基之脂環族烴之重複單元，或含有未引入極性基團之脂環族烴之重複單元。所述重複單元較佳實質上不含酸可分解基團。
特定言之，可藉由進一步引入含有引入羥基或氰基之脂環族烴之重複單元來增強與基板之黏著以及顯影劑親和力。脂環族烴較佳為金剛烷基、雙金剛烷基或降冰片烷基。作為此重複單元，可提及以下通式(AIIa)至通式(AIId)之任何重複單元。
在通式(AIIa)至通式(AIId)中，R2 c至R4 c中至少一者表示羥基或氰基，且其餘為氫原子。較佳地，R2 c至R4 c中之一或兩者為羥基且其餘為氫原子。更佳地，R2 c至R4 c中兩者為羥基且其餘為氫原子。R1 c表示氫原子、甲基、三氟甲基或羥甲基。
下文展示各自含有羥基或氰基之重複單元的特定實例。
作為具有未引入極性基團之脂環族烴結構的重複單元，可提及例如以下通式(VII)之任何重複單元。
在通式(VII)中，R5 表示脂環族烴，且Ra表示氫原子、烷基、羥甲基或三氟甲基。
Ra較佳為氫原子或烷基，最佳為氫原子或甲基。
舉例而言，R5 表示具有3至12個碳原子之環烷基，諸如環戊基、環己基、環庚基或環辛基；具有3至12個碳原子之環烯基，諸如環己烯基；環組合烴基(ring-assembly hydrocarbon group)，諸如雙環己基或全氫萘基；或任何交聯環烴環，諸如蒎烷環、冰片烷環、降蒎烷環、降冰片烷 環以及雙環辛烷環(例如雙環[2.2.2]辛烷環或雙環[3.2.1]辛烷環)、均布雷烷(homobledane)環、金剛烷環、三環[5.2.1.02,6 ]癸烷環以及三環[4.3.1.12,5 ]十一烷環、四環[4.4.0.12,5 .17,10 ]十二烷環以及全氫-1,4-甲橋-5,8-甲橋萘環以及全氫萘(十氫萘)環、全氫蒽環、全氫菲環、全氫苊(perhydroacenaphthene)環、全氫茀環、全氫茚環以及全氫萉(perhydrophenalene)環。R5 較佳為環戊基、環己基、降冰片基、金剛烷基、雙環辛基或三環[5,2,1,02,6 ]癸基或其類似基團。作為更佳交聯環烴環，可提及降冰片基以及金剛烷基。
這些脂環族烴基中可引入取代基。作為較佳取代基，可提及鹵素原子、烷基、由保護基保護之羥基、由保護基保護之胺基以及其類似基團。
下文展示各自具有未引入極性基團之脂環族烴結構的重複單元的特定實例，所述實例絕不限制本發明之範疇。在所述式中，Ra表示H、CH3 、CH2 OH或CF3 。
具有未引入極性基團之脂環族烴結構的重複單元的含量以樹脂(P)之所有重複單元計較佳在1莫耳%至40莫耳%，更佳為在1莫耳%至20莫耳%範圍內。
除上述重複結構單元以外，根據本發明之樹脂(P)亦可含有各種重複結構單元，用於調節乾式蝕刻抗性、標準顯影劑適應性、基板黏著、光阻型態以及光阻一般所需之性質(諸如解析力、耐熱性以及敏感性)的目的。
作為所述重複結構單元，可提及例如由丙烯酸酯、丙烯酸甲酯、丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺、烯丙基化合物、乙烯醚、乙烯酯、苯乙烯、丁烯酸酯以及其類似物中選出的具有能夠進行加成聚合之不飽和鍵的化合物。
併入所述重複結構單元將允許精細調節樹脂之所需性質以供用於本發明組成物中，尤其是(1)在應用溶劑中的溶解度；(2)成膜容易性(玻璃轉化點)；(3)鹼可顯影性；(4)膜薄化(親水性/疏水性以及鹼可溶性基團之選 擇)；(5)未曝光區域對基板之黏著；(6)乾式蝕刻抗性等。
在供用於本發明組成物中之樹脂(P)中，不僅根據調節光阻之乾式蝕刻抗性而且亦根據調節標準顯影劑適應性、基板黏著、光阻型態以及光阻一般所需之性質(諸如解析力、耐熱性以及敏感性)之觀點來適當地確定所含個別重複結構單元之莫耳比。
根據本發明之樹脂(P)可具有無規組態、嵌段組態、梳狀組態以及星形組態中之任一者。
樹脂(P)可藉由例如對應於指定結構之不飽和單體之自由基聚合、陽離子聚合或陰離子聚合來合成。此外，可藉由首先使對應於指定結構之前驅物的不飽和單體聚合，且此後進行聚合物反應來獲得預定樹脂。
舉例而言，作為一般合成方法，可提及分批聚合法，其中將不飽和單體與聚合起始劑溶解於溶劑中並加熱以完成聚合；以及滴加聚合法(dropping polymerization method)，其中藉由於1小時至10小時之期間內將不飽和單體與聚合起始劑之溶液滴加至熱溶劑中；等。較佳為滴加聚合法。
作為用於聚合反應中之溶劑，可提及例如製備待要在下文所述之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物中可採用之溶劑。較佳使用與本發明組成物中所採用之溶劑相同的溶劑來進行聚合反應。此舉將抑制儲存期間產生任何粒子。
聚合反應較佳在惰性氣體氛圍中進行，諸如氮氣或氬 氣。使用市售自由基起始劑(偶氮起始劑、過氧化物等)作為聚合起始劑來起始聚合反應。在自由基起始劑中，偶氮起始劑較佳。具有酯基、氰基或羧基之偶氮起始劑較佳。作為較佳起始劑，可提及偶氮二異丁腈、偶氮雙二甲基戊腈、2,2'-偶氮雙(2-甲基丙酸)二甲酯以及其類似物。根據必要性，可在鏈轉移劑(例如烷基硫醇或其類似物)存在下進行聚合反應。
反應系統之濃度在5質量%至70質量%，較佳為在10質量%至50質量%範圍內。反應溫度一般在10℃至150℃，較佳為在30℃至120℃，且更佳為40℃至100℃範圍內。
反應時間一般在1小時至48小時，較佳為在1小時至24小時，且更佳為在1小時至12小時範圍內。
反應完成後，使反應混合物靜置以冷卻至室溫，並進行純化。在純化時，可使用常規方法，諸如液-液萃取法，其中藉由水洗滌或藉由使用適當溶劑之組合來移除殘餘單體以及寡聚物組分；溶液形式之純化方法，諸如能夠萃取移除僅具有指定分子量或低於指定分子量之組分的超濾法；再沈澱法，其中將樹脂溶液滴入不良溶劑中，藉此使樹脂在所述不良溶劑中凝結且從而移除剩餘單體等；以及固體形式之純化方法，諸如使用不良溶劑洗滌藉由過濾獲得之樹脂漿液。例如，使反應溶液與總計為反應溶液體積之10倍或低於10倍、較佳10倍至5倍的樹脂溶解不良或不可溶之溶劑(不良溶劑)接觸，藉此使樹脂以固體形式 沈澱。
用於操作自聚合物溶液沈澱或再沈澱之溶劑(沈澱溶劑或再沈澱溶劑)不受限制，只要所述溶劑為聚合物之不良溶劑即可。可使用根據聚合物類型由烴、鹵化烴、硝基化合物、醚、酮、酯、碳酸酯、醇、羧酸、水、含有這些溶劑之混合溶劑以及其類似物中適當選出的任何溶劑。在這些溶劑中，較佳採用至少含有醇(尤其甲醇或其類似物)或水之溶劑作為沈澱或再沈澱溶劑。
可考慮效率、產率等來適當地選擇所用沈澱或再沈澱溶劑之量。一般而言，所述量在每100質量份聚合物溶液使用100質量份至10,000質量份，較佳為在每100質量份聚合物溶液使用200質量份至2,000質量份，且更佳為在每100質量份聚合物溶液使用300質量份至1,000質量份範圍內。
進行沈澱或再沈澱之溫度可考慮效率以及操作容易性而適當地選擇。一般而言，所述溫度在約0℃至50℃範圍內，較佳為約室溫(例如約20℃至35℃)。沈澱或再沈澱操作可藉由常規方法(諸如分批法或連續法)，使用習用混合容器(諸如攪拌容器)來進行。
由沈澱或再沈澱產生之聚合物一般進行常規固體/液體分離，諸如過濾或離心分離，並且在使用前乾燥。較佳在壓力下使用確保耐溶劑性之過濾介質進行過濾。在約30℃至100℃、較佳約30℃至50℃下，在常壓或減壓下(較佳在減壓下)進行乾燥。
或者，在樹脂沈澱以及分離後，可將所得樹脂再次溶解於溶劑中並且使其與樹脂溶解不良或不可溶的溶劑接觸。特定言之，所述方法可在自由基聚合反應完成後包含以下步驟：使聚合物與聚合物溶解不良或不可溶的溶劑接觸，藉此實現樹脂沈澱(步驟a)；自溶液分離樹脂(步驟b)；將樹脂再溶解於溶劑中藉此獲得樹脂溶液A (步驟c)；此後使樹脂溶液A 與總計少於樹脂溶液A 體積之10倍(較佳5倍或低於5倍)的樹脂溶解不良或不可溶之溶劑接觸，藉此使樹脂固體沈澱(步驟d)；以及分離沈澱之樹脂(步驟e)。
聚合反應較佳在惰性氣體氛圍中進行，諸如氮氣或氬氣。使用市售自由基起始劑(偶氮起始劑、過氧化物等)作為聚合起始劑來起始聚合反應。在自由基起始劑中，偶氮起始劑較佳。具有酯基、氰基或羧基之偶氮起始劑較佳。作為較佳起始劑，可提及偶氮二異丁腈、偶氮雙二甲基戊腈、2,2'-偶氮雙(2-甲基丙酸)二甲酯以及其類似物。需要時可補充起始劑，或可以小數量(fractional amount)添加。反應完成後，將反應液體傾入溶劑中，且藉由粉末或固體回收法或其類似方法來回收預定聚合物。反應系統之濃度在5質量%至50質量%，較佳為在10質量%至30質量%範圍內。反應溫度一般在10℃至150℃，較佳為在30℃至120℃且更佳為在60℃至100℃範圍內。
本發明樹脂(P)之分子量不受特別限制。其重量平均分子量較佳在1000至100,000範圍內。其更佳在1500 至60,000，最佳為2000至30,000範圍內。藉由調節重量平均分子量以使其處於1000至100,000之範圍內，不僅可防止任何耐熱性以及乾式蝕刻抗性劣化，而且可防止任何可顯影性劣化以及導致成膜性質不良之任何黏度增加。在本文中，樹脂之重量平均分子量是指藉由GPC(載液：THF或N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP))量測之聚苯乙烯當量分子量。
樹脂之分子量分散度(Mw/Mn)較佳在1.00至5.00，更佳為在1.03至3.50，且更佳為在1.05至2.50範圍內。分子量分佈愈窄，解析度以及光阻形狀愈有利，而且光阻圖案之側壁愈平滑，藉此獲得優良粗糙度特性。
可單獨使用一種類型之根據本發明樹脂(P)，或可組合使用兩種或多於兩種類型之根據本發明樹脂(P)。樹脂(P)之含量以本發明之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物之總固體計較佳在30質量%至99.99質量%，更佳為在50質量%至99.97質量%，且最佳為在70質量%至99.95質量%範圍內。
下文展示樹脂(P)之特定實例。
[2]光酸產生劑
本發明組成物含有光酸產生劑。
光酸產生劑可為低分子化合物或高分子化合物。產生有機酸(諸如磺酸、雙(烷基磺醯基)醯亞胺或三(烷基磺醯基)甲基化物)之化合物較佳。
作為低分子酸產生劑，可提及例如以下通式(ZI)、通式(ZII)以及通式(ZIII)之任何化合物。
在以上通式(ZI)中，R201 、R202 以及R203 各自獨立地表示有機基團。
由R201 、R202 以及R203 表示之各有機基團的碳原子數目一般在1至30，較佳為在1至20範圍內。
R201 至R203 中之兩者可彼此鍵結，藉此形成環結構， 且所述環結構內之環可含有氧原子、硫原子、酯鍵、醯胺鍵或羰基。作為由R201 至R203 中之兩者相互鍵結所形成的基團，可提及伸烷基(例如伸丁基或伸戊基)。
Z- 表示非親核性陰離子。非親核性陰離子意謂誘發親核性反應之能力極低的陰離子。
作為由Z- 表示之非親核性陰離子，可提及例如磺酸根陰離子(例如脂族磺酸根陰離子、芳族磺酸根陰離子、樟腦磺酸根陰離子或其類似物)、羧酸根陰離子(例如脂族羧酸根陰離子、芳族羧酸根陰離子、芳烷基羧酸根陰離子或其類似物)、磺醯亞胺基陰離子、雙(烷基磺醯基)亞胺基陰離子、三(烷基磺醯基)甲基化物陰離子或其類似物。
脂族磺酸根陰離子以及脂族羧酸根陰離子之脂族部分可為烷基或環烷基，較佳為具有1至30個碳原子之直鏈或分支鏈烷基或具有3至30個碳原子之環烷基。
作為芳族磺酸根陰離子以及芳族羧酸根陰離子之較佳芳族基團，可提及具有6至14個碳原子之芳基，例如苯基、甲苯基、萘基或其類似基團。
上文所提及之烷基、環烷基以及芳基可具有取代基。作為所述取代基，可提及例如硝基、鹵素原子(例如氟原子)、羧基、羥基、胺基、氰基、烷氧基(較佳具有1至15個碳原子)、環烷基(較佳具有3至15個碳原子)、芳基(較佳具有6至14個碳原子)、烷氧基羰基(較佳具有2至7個碳原子)、醯基(較佳具有2至12個碳原子)、烷氧基羰氧基(較佳具有2至7個碳原子)、烷硫基(較佳具 有1至15個碳原子)、烷基磺醯基(較佳具有1至15個碳原子)、烷基亞胺基磺醯基(較佳具有2至15個碳原子)、芳氧基磺醯基(較佳具有6至20個碳原子)、烷基芳氧基磺醯基(較佳具有7至20個碳原子)、環烷基芳氧基磺醯基(較佳具有10至20個碳原子)、烷氧基烷氧基(較佳具有5至20個碳原子)、環烷基烷氧基烷氧基(較佳具有8至20個碳原子)或其類似基團。這些基團之芳基或環結構可進一步具有烷基(較佳具有1至15個碳原子)作為其取代基。
作為芳烷基羧酸根陰離子之較佳芳烷基，可提及具有6至12個碳原子之芳烷基，例如苯甲基、苯乙基、萘甲基、萘乙基、萘丁基或其類似基團。
作為磺醯亞胺基陰離子，可提及例如糖精陰離子。
雙(烷基磺醯基)亞胺基陰離子以及三(烷基磺醯基)甲基化物陰離子之烷基較佳為具有1至5個碳原子之烷基。作為這些烷基之取代基，可提及鹵素原子、經鹵素原子取代之烷基、烷氧基、烷硫基、烷氧基磺醯基、芳氧基磺醯基、環烷基芳氧基磺醯基或其類似基團。較佳為氟原子或經氟原子取代之烷基。
雙(烷基磺醯基)亞胺基陰離子中所含之各烷基可彼此連接，藉此形成環結構。因此，可增強酸強度。
作為其他非親核性陰離子，可提及例如氟化磷(例如PF6 - )、氟化硼(例如BF4 - )、氟化銻(例如SbF6 - )以及其類似物。
由Z- 表示之非親核性陰離子較佳由在磺酸之α位經氟原子取代之脂族磺酸根陰離子、經氟原子或具有氟原子之基團取代之芳族磺酸根陰離子、烷基經氟原子取代之雙(烷基磺醯基)亞胺基陰離子以及烷基經氟原子取代之三(烷基磺醯基)甲基化物陰離子中選出。非親核性陰離子更佳為全氟化脂族磺酸根陰離子(更佳具有4至8個碳原子)或具有氟原子之苯磺酸根陰離子。非親核性陰離子更佳為九氟丁烷磺酸根陰離子、全氟辛烷磺酸根陰離子、五氟苯磺酸根陰離子或3,5-雙(三氟甲基)苯磺酸根陰離子。
根據酸強度之觀點，所產生之酸的pKa值較佳等於或小於-1，以便確保敏感性增強。
此外，作為非親核性陰離子之較佳形式，可提及以下通式(AN1)之陰離子。
在所述式中，Xf各自獨立地表示氟原子或經至少一個氟原子取代之烷基。
R1 以及R2 各自獨立地表示由氫原子、氟原子、烷基以及經至少一個氟原子取代之烷基中選出的成員。當含有兩個或多於兩個R1 或R2 時，兩個或多於兩個R1 或R2 可彼此相同或不同。
L表示單鍵或二價連接基團。當含有兩個或多於兩個L時，其可彼此相同或不同。
A 表示具有環狀結構之基團。
在所述式中，x為整數1至20，y為整數0至10，且z為整數0至10。
下文將更詳細地描述通式(AN1)。
由Xf表示之經氟原子取代之烷基的烷基較佳具有1至10個碳原子，更佳具有1至4個碳原子。由Xf表示之經氟原子取代之烷基較佳為全氟烷基。
Xf較佳為氟原子或具有1至4個碳原子之全氟烷基。特定言之，可提及氟原子、CF3 、C2 F5 、C3 F7 、C4 F9 、CH2 CF3 、CH2 CH2 CF3 、CH2 C2 F5 、CH2 CH2 C2 F5 、CH2 C3 F7 、CH2 CH2 C3 F7 、CH2 C4 F9 或CH2 CH2 C4 F9 。在這些基團中，氟原子以及CF3 較佳。
由R1 以及R2 各自表示之烷基以及經至少一個氟原子取代之烷基的烷基較佳各自具有1至4個碳原子。
由R1 或R2 各自表示之烷基以及經至少一個氟原子取代之烷基的烷基較佳各自具有1至4個碳原子。
在所述式中，x較佳為1至10，更佳為1至5；y較佳為0至4，更佳為0；以及z較佳為0至5，更佳為0至3。
由L表示之二價連接基團不受特別限制。作為所述二價連接基團，可提及-COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO2 -、伸烷基、伸環烷基、伸烯基或其類似基團。在這些基團中，-COO-、-OCO-、-CO-以及O-較佳。-COO-以及-OCO-更佳。
由A表示之具有環狀結構之基團不受特別限制，只要含有環狀結構即可。作為所述基團，可提及脂環族基團、芳基或具有任何雜環結構(不僅包含展現芳香度之雜環結構，而且包含不展現芳香度之雜環結構)之基團或其類似基團。
脂環族基團可為單環或多環。脂環族基團較佳為單環烷基，諸如環戊基、環己基或環辛基；或多環烷基，諸如降冰片基、三環癸基、四環癸基、四環十二烷基或金剛烷基。根據抑制曝光後烘烤步驟中之任何膜內擴散(in-film diffusion)藉此增強MEEF之觀點，在所提及之基團中，含具有至少7個碳原子之龐大結構的脂環族基團較佳，亦即降冰片基、三環癸基、四環癸基、四環十二烷基以及金剛烷基。
作為芳基，可提及苯環、萘環、菲環或蒽環。
作為具有雜環結構之基團，可提及呋喃環、噻吩環、苯并呋喃環、苯并噻吩環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環或吡啶環。在這些環中，呋喃環、噻吩環以及吡啶環較佳。
上述具有環狀結構之基團中可引入取代基。作為所述取代基，可提及烷基(可為直鏈、分支鏈、環狀，較佳具有1至12個碳原子)、芳基(較佳具有6至14個碳原子)、羥基、烷氧基、酯基、醯胺基、胺基甲酸酯基、脲基、硫醚基、磺醯胺基、磺酸酯基或其類似基團。
由R201 、R202 或R203 表示之有機基團為例如芳基、烷基、環烷基或其類似基團。
較佳地，R201 、R202 以及R203 中之至少一者為芳基。更佳地，這三個基團同時為芳基。芳基不僅包含苯基、萘 基以及其類似基團，而且包含雜芳基，諸如吲哚殘基以及吡咯殘基。作為由R201 至R203 表示之較佳烷基以及環烷基，可提及各自具有1至10個碳原子之直鏈或分支鏈烷基以及各自具有3至10個碳原子之環烷基。烷基更佳為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基或其類似基團。環烷基更佳為環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基或其類似基團。這些基團中可進一步引入取代基。作為所述取代基，可提及硝基、鹵素原子(諸如氟原子)、羧基、羥基、胺基、氰基、烷氧基(較佳具有1至15個碳原子)、環烷基(較佳具有3至15個碳原子)、芳基(較佳具有6至14個碳原子)、烷氧基羰基(較佳具有2至7個碳原子)、醯基(較佳具有2至12個碳原子)、烷氧基羰氧基(較佳具有2至7個碳原子)以及其類似基團。適當取代基不限於這些基團。
當R201 至R203 中之任何兩者彼此鍵結藉此形成環狀結構時，所述環狀結構較佳為以下通式(A1)之任何結構。
在通式(A1)中，R1a 至R13a 各自獨立地表示氫原子 或取代基。
較佳地，R1a 至R13a 中一至三者不為氫原子。更佳地，R9a 至R13a 中任一者均不為氫原子。
Za表示單鍵或二價連接基團。
X- 具有與通式(ZI)之Z- 相同之含義。
當R1a 至R13a 不為氫原子時，其特定實例包含鹵素原子、直鏈、分支鏈或環狀烷基、烯基、炔基、芳基、雜環基、氰基、硝基、羧基、烷氧基、芳氧基、矽烷氧基、雜環氧基、醯氧基、胺甲醯氧基、烷氧基羰氧基、芳氧基羰氧基、任何胺基(包含苯胺基)、銨基、醯胺基、胺基羰基胺基、烷氧基羰基胺基、芳氧基羰基胺基、胺磺醯胺基、烷基磺醯胺基或芳基磺醯胺基、巰基、烷硫基、芳基硫基、雜環硫基、胺磺醯基、磺酸基、烷基亞磺醯基或芳基亞磺醯基、烷基磺醯基或芳基磺醯基、醯基、芳氧基羰基、烷氧基羰基、胺甲醯基、芳基偶氮基或雜環偶氮基、亞胺基、膦基、氧膦基、氧膦基氧基、氧膦基胺基、膦醯基、矽烷基、肼基、脲基、硼酸殘基(-B(OH)2 )、磷酸醯氧基(-OPO(OH)2 )、硫酸根基(-OSO3 H)或此項技術中已知的任何其他取代基。
當R1a 至R13a 不為氫原子時，其較佳各自表示羥基化直鏈、分支鏈或環狀烷基。
作為由Za表示之二價連接基團，可提及伸烷基、伸芳基、羰基、磺醯基、羰氧基、羰基胺基、磺醯胺基、醚基、硫醚基、胺基、二硫基(disulfide group)、-(CH2 )n -CO-、-(CH2 )n -SO2 -、-CH=CH-、胺基羰基胺基、胺基磺醯胺基或其類似基團(n為整數1至3)。
當R201 、R202 以及R203 中至少一者不為芳基時，作為較佳結構，可提及陽離子結構，諸如JP-A-2004-233661第0047部分以及第0048部分以及JP-A-2003-35948第0040部分至第0046部分中所述之化合物、美國專利申請公開案第2003/0224288 A1號中展示為實例之式(I-1)至式(I-70)之化合物以及美國專利申請公開案第2003/0077540 A1號中展示為實例之式(IA-1)至式(IA-54)以及式(IB-1)至式(IB-24)之化合物。
在通式(ZII)以及通式(ZIII)中，R204 至R207 各自獨立地表示芳基、烷基或環烷基。
由R204 至R207 表示之芳基、烷基以及環烷基之實例與關於以上(ZI)所提及者相同。
由R204 至R207 表示之芳基、烷基以及環烷基可具有取代基。作為芳基、烷基以及環烷基上之可能取代基，亦可提及與以上通式(ZI)中相同者。
Z- 表示非親核性陰離子。因而，可提及與關於通式(ZI)之Z- 所提及者相同的非親核性陰離子。
作為酸產生劑，可進一步提及以下式(ZIV)、式(ZV)以及式(ZVI)之化合物。
在通式(ZIV)至通式(ZVI)中，Ar3 以及Ar4 各自獨立地表示芳基。
R208 、R209 以及R210 各自獨立地表示烷基、環烷基或芳基。
A表示伸烷基、伸烯基或伸芳基。
由Ar3 、Ar4 、R208 、R209 以及R210 表示之芳基的特定實例與上文提及之由通式(ZI)之R201 、R202 以及R203 表示之芳基的實例相同。
由R208 、R209 以及R210 表示之烷基以及環烷基的特定實例與上文所提及之由通式(ZI-2)之R201 、R202 以及R203 表示之烷基以及環烷基的實例相同。
由R208 、R209 以及R210 各自表示之烷基以及環烷基的特定實例與關於由以上通式(ZI)之R201 、R202 以及R203 各自表示之烷基以及環烷基所提及者相同。
作為由A表示之伸烷基，可提及具有1至12個碳原子之伸烷基(例如亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸異丙基、伸丁基或伸異丁基)。作為由A表示之伸烯基，可提及具有2至12個碳原子之伸烯基(例如伸乙烯基、伸丙烯基或伸丁烯基)。作為由A表示之伸芳基，可提及具有6至10個碳原子之伸芳基(例如伸苯基、伸甲苯基或伸萘基)。
下文將展示酸產生劑之尤其較佳實例。
當使用上述低分子酸產生劑時，其在組成物中之含量以組成物之總固體計較佳在0.1質量%至70質量%，更佳為在5質量%至60質量%，且更佳為在10質量%至50質量%範圍內。
當酸產生劑為聚合物時，所述聚合物較佳含有當曝露於光化射線或放射線時分解藉此在樹脂側鏈中產生酸陰離子的重複單元。特定言之，其較佳含於樹脂中作為與根據本發明樹脂(P)之酸可分解重複單元共聚之組分。
[3]鹼性化合物
本發明組成物含有由以下通式(1)或通式(2)表示之化合物(R)作為鹼性化合物。
在所述式中，R1 以及R8 各自獨立地表示不含雜原子之有機基團；R2 、R3 、R5 以及R6 各自獨立地表示具有1至3個碳原子之伸烷基；R4 以及R7 各自獨立地表示氫原子或烷基；以及n1 以及n2 各自獨立地為整數1至6。
R1 以及R8 較佳各自獨立地表示烷基或芳基。更佳為烷基。
R1 或R8 所表示之烷基較佳具有至少3個碳原子，更佳具有至少6個碳原子，且更佳具有至少7個碳原子。碳原子數目一般為至多30，例如至多20。此烷基包含環烷基。
作為R1 或R8 所表示之芳基，可提及例如苯基或萘基。芳基較佳為苯基。
由R2 、R3 、R5 或R6 表示之伸烷基較佳具有2或3個碳原子。此伸烷基中可進一步引入任意取代基。
當化合物(R)由通式(1)表示時，至少R4 或R7 為氫原子較佳。更佳地，R4 以及R7 均為氫原子。
當化合物(R)由通式(2)表示時，R7 為氫原子較佳。
由R4 或R7 表示之烷基較佳具有1至4個碳原子。更佳為甲基以及乙基。最佳為甲基。
n1 以及n2 較佳各自獨立地在1至4，更佳為在1或2 範圍內。
下文展示通式(1)以及通式(2)之化合物(R)的特定實例。
可單獨使用通式(1)以及通式(2)之化合物(R)之一，或可組合使用其中兩種或多於兩種。
化合物(R)之含量以組成物之總固體計較佳在0.01質量%至20.0質量%，更佳為在0.1質量%至15.0質量%，且最佳為在0.5質量%至10.0質量%範圍內。
本發明之感光化射線性或感放射線性樹脂組成物可更含有除化合物(R)以外的鹼性化合物。所述鹼性化合物較佳為含氮有機化合物。作為所述鹼性化合物，可提及例如三正丁胺、三正戊胺、三正辛胺、三正癸胺、三異癸胺、二環己基甲胺、十四烷胺、十五烷胺、十六烷胺、十八烷胺、二癸胺、甲基十八烷胺、二甲基十一烷胺、N,N-二甲基十二烷胺、甲基二十八烷胺、N,N-二丁基苯胺、N,N-二己基苯胺、2,6-二異丙基苯胺、2,4,6-三(第三丁基)苯胺、三乙醇胺、N,N-二羥基乙基苯胺、三(甲氧基乙氧基乙基)胺、2-苯基苯并咪唑、2,4,5-三苯基咪唑、N-羥乙基哌啶、癸二酸雙(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)酯、4-二甲胺基吡啶、安替比林(antipyrine)、羥基安替比林、氫氧化四丁基銨或其類似物。
與化合物(R)組合使用之鹼性化合物較佳為不含羥基之鹼性化合物。若如此，則可增強圖案形狀。此外，可減少殘餘物缺陷。此外，可在各種基礎基板(酸基板、經有機層塗佈之基板)上實現獲得最有利圖案形狀、最有利粗糙度特性以及最少殘餘物缺陷之最適當調配物。亦即，可藉由調節化合物(R)與除化合物(R)以外之未併入羥 基之鹼性化合物的比率而容易地實現最適當調配物。
鹼性化合物[包含化合物(R)]之含量以組成物之總固體計較佳在0.01質量%至20.0質量%，更佳為在0.1質量%至15.0質量%，且最佳為在0.5質量%至10.0質量%範圍內。
[4]其他組分
本發明組成物可更包括除以上樹脂(P)以及化合物(Q)以及化合物(R)以外的組分。
舉例而言，本發明組成物較佳更含有界面活性劑。界面活性劑較佳為氟化界面活性劑及/或矽化界面活性劑。
作為所述界面活性劑，可提及由大日本油墨化工公司(Dainippon Ink & Chemicals,Inc.)生產之Megafac F177或Megafac R08、由歐諾法公司(OMNOVA SOLUTIONS,INC.)生產之PF656或PF6320、由特洛伊化工有限公司(Troy Chemical Co.,Ltd.)生產之特洛伊Sol S-366、由住友3M有限公司(Sumitomo 3M Ltd.)生產之Florad FC430、由信越化學有限公司(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.)生產之聚矽氧烷聚合物KP-341或其類似物。
亦可使用除這些氟化界面活性劑及/或矽化界面活性劑以外的界面活性劑。特定言之，其他界面活性劑包含聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基芳基醚以及其類似物。作為其他適用界面活性劑，可提及例如美國專利申請公開案第2008/0248425 A1號第[0273]部分以及其下文中所述之界面活性劑。
這些界面活性劑可單獨使用或組合使用。
所添加界面活性劑之量以組成物之總固體計較佳在0.0001質量%至2質量%，更佳為在0.001質量%至1質量%範圍內。
本發明組成物可含有在酸作用下分解藉此增加其在鹼性顯影劑中之溶解速率的分子量等於或小於3000之溶解抑制化合物(在下文中亦簡稱為「溶解抑制化合物」)。
溶解抑制化合物較佳為含有酸可分解基團之脂環族或脂族化合物，諸如國際光學工程學會學報(Proceeding of SPIE),2724,355(1996)中所述之含有酸可分解基團的任何膽酸衍生物，或含有用酸可分解基團取代酚化合物之酚羥基所產生之結構的化合物。酚化合物較佳含有1至9個酚骨架，更佳含有2至6個酚骨架。
本發明之溶解抑制化合物之分子量等於或小於3000，較佳為300至3000，且更佳為500至2500。
本發明組成物可更含有染料。作為適當染料，可提及例如油染料或鹼性染料。
本發明組成物可更含有能夠加速在顯影劑中溶解的化合物(溶解加速化合物)。溶解加速化合物為例如分子量等於或小於1000且具有兩個或多於兩個酚羥基或一或多個羧基的低分子化合物。當含有羧基時，脂環族或脂族化合物較佳。作為分子量等於或小於1000之酚化合物，可提及例如JP-A-H4-122938以及JP-A-H2-28531、美國專利4,916,210以及歐洲專利219294中所述之酚化合物 (phenolic compound)。
此外，可在本發明組成物中適當併入例如JP-A-2006-208781以及JP-A-2007-286574中所述之含具有質子接受體性質之官能基的化合物。
本發明組成物較佳呈含有溶劑之溶液形式。作為所述溶劑，可提及有機溶劑，諸如烷二醇單烷基醚甲酸酯、烷二醇單烷基醚、乳酸烷基酯、烷氧基丙酸烷基酯、環內酯、視情況環化之一元酮化合物、碳酸伸烷基酯、烷氧基乙酸烷基酯或丙酮酸烷基酯。正常沸點(normal boiling point)等於或低於150℃之溶劑尤其較佳。
作為較佳溶劑，可提及2-庚酮、環戊酮、γ-丁內酯、環己酮、乙酸丁酯、乳酸乙酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚、3-乙氧基丙酸乙酯、丙酮酸乙酯、乙酸2-乙氧基乙酯、乙酸2-(2-乙氧基乙氧基)乙酯以及碳酸伸丙酯。最佳溶劑為丙二醇單甲醚乙酸酯以及丙二醇單甲醚。
在本發明中，可單獨使用這些溶劑中之任一種或組合使用其中任何兩種或多於兩種。
可根據所要膜厚度等適當地調節本發明組成物總量中所用溶劑之量。一般而言，可如此調節所述量：使組成物之總固體濃度處於0.5質量%至30質量%，較佳為處於1.0質量%至20質量%且更佳為處於1.5質量%至10質量%範圍內。
關於使用本發明組成物製造壓印模具結構之製程的 詳情，可參考例如由開拓者出版公司出版(2006年6月發行)、由平井佳彥編著之「奈米壓印基本原理以及其技術發展/推廣應用-奈米壓印基板技術以及其最近技術應用」、日本專利第4109085號、JP-A-2008-162101等。
<圖案形成方法>
通常用以下方式使用本發明組成物。特定言之，本發明組成物通常塗覆於支撐物(諸如基板)上，藉此形成膜。膜厚度較佳在0.02微米至10.0微米範圍內。塗覆於基板上之方法較佳為自旋塗佈。自旋塗佈在較佳為1000轉/分至3000轉/分之旋轉速度下進行。
舉例而言，藉由適當塗覆構件(諸如旋塗器或塗佈機)將組成物塗覆於例如任何基板(例如矽/二氧化矽塗層、氮化矽以及鉻蒸氣沈積石英基板等)上以供用於製造精密積體電路裝置等。將如此塗覆之組成物乾燥，藉此形成感光化射線性或感放射線性膜(在下文中亦稱為感光膜)。可在塗覆組成物之前塗覆迄今已知的抗反射膜。
將所得感光膜曝露於光化射線或放射線，較佳進行烘烤(加熱)並顯影。可藉由進行烘烤來獲得品質增強之圖案。根據敏感性以及穩定性之觀點，烘烤溫度較佳在80℃至150℃，更佳為在90℃至130℃範圍內。
作為光化射線或放射線，可提及例如紅外光、可見光、紫外光、遠紫外光、X射線或電子束。光化射線或放射線較佳具有例如等於或短於250奈米之波長，尤其等於或短於220奈米。作為所述光化射線或放射線，可提及例 如KrF準分子雷射(248奈米)、ArF準分子雷射(193奈米)、F2 準分子雷射(157奈米)、X射線或電子束。作為較佳光化射線或放射線，可提及EUV射線或電子束。EUV射線尤其適當。
可在曝露於光化射線或放射線的階段在用折射率比空氣高的液體(例如純水)填充感光膜與透鏡之間的空隙的條件下進行曝光，亦即液體浸漬曝光。此液體浸漬曝光可增強解析度。
在顯影步驟中，一般使用鹼性顯影劑。作為本發明組成物之鹼性顯影劑，可使用含有例如以下各物之任何鹼性水溶液：無機鹼化合物，諸如氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鈉或氨水；一級胺，諸如乙胺或正丙胺；二級胺，諸如二乙胺或二正丁胺；三級胺，諸如三乙胺或甲基二乙胺；醇胺，諸如二甲基乙醇胺或三乙醇胺；四級銨鹽，諸如氫氧化四甲銨或氫氧化四乙銨；或環胺，諸如吡咯或哌啶。
可在使用前向鹼性顯影劑中添加適量醇以及界面活性劑。鹼性顯影劑之鹼濃度一般在0.1質量%至20質量%範圍內。鹼性顯影劑之pH值一般在10.0至15.0範圍內。
實例
下文將利用本發明之實例更詳細地描述本發明。然而，本發明之要義絕不限於這些實例。
<酸可分解樹脂>
提供以下樹脂(A-1)至樹脂(A-5)作為樹脂(P)。
<光酸產生劑>
提供以下化合物(B-1)至化合物(B-3)作為化合物(Q)。
<鹼性化合物>
合成以下化合物(C-1)至化合物(C-6)作為化合物(R)。
可藉由迄今已知的方法合成以上化合物(C-1)至化合物(C-6)。
舉例而言，可藉由在諸如碘化鉀之催化劑存在下，在等於或高於50℃下於非質子性溶劑(諸如N,N-二甲基乙醯胺或N-甲基吡咯啶酮)中加熱十二烷胺、2當量之氯乙氧基乙醇以及等於或多於2當量之鹼(諸如三乙胺或碳酸鉀)而容易地合成化合物(C-1)。可藉由在反應完成後向反應液體中添加乙酸乙酯以及水，進行液體分離操作，濃縮所獲得之有機相並且藉由蒸餾或矽膠層析法進行分離來獲得 高度純化之化合物(C-1)。可藉由nmR光譜以及MS光譜來鑑別化合物。可用類似方式合成化合物(C-2)、(C-4)、(C-5)以及(C-6)。氮上之3個取代基彼此不同的任何化合物，諸如化合物(C-3)，可藉由依序逐個引入這些取代基來合成。相關試劑、溶劑等由例如和光純藥化學工業有限公司(Wako Pure Chemical Industries,Ltd.)、東京化學工業有限公司(Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.)以及西格瑪-艾德利奇公司(Sigma-Aldrich Co.)出售，且因此可容易地獲得。
提供以下化合物(C-7)以及化合物(C-8)作為可與化合物(R)組合使用之鹼性化合物。
提供以下化合物(C-A)至化合物(C-D)作為比較鹼性化合物。
<界面活性劑>
使用以下界面活性劑。
W-1：PF6320(由歐諾法公司生產，經氟化)。
<製備光阻組成物>
將以下表1之組分溶解於由丙二醇單甲醚乙酸酯與丙二醇單甲醚之40：60混合物組成的溶劑中，藉此獲得各自具有3.5質量%固體含量的溶液。使所述溶液各自通過0.03微米孔徑之聚四氟乙烯過濾器，藉此獲得經化學放大之正型光阻組成物(正型光阻溶液)。在表1中，各組分之量表示為基於總固體之質量%。
<評估光阻(EB)>
利用旋塗機將以上正型光阻溶液各自塗覆於已進行六甲基二矽氮烷處理之矽基板上，並藉由在熱板上於130℃下加熱90秒進行乾燥。因此獲得100奈米平均厚度之光阻膜。
利用電子束微影系統(HL750，由日立有限公司(Hitachi,Ltd.)製造，加速電壓50千電子伏)，用電子束照射各光阻膜。照射後即刻在熱板上於110℃下將膜烘烤90秒。在23℃下用2.38質量%氫氧化四甲銨水溶液將經 烘烤之膜顯影60秒。顯影後，用純水沖洗所述膜30秒並乾燥。因此形成線間距圖案(線：間距=1：1)以及孤立線圖案(線：間距=1：>100)。
(敏感性)
利用掃描電子顯微鏡(S-9260型，由日立有限公司製造)觀察所獲得之圖案。敏感性(Eopt)定義為解析100奈米寬之線(線：間距=1：1)的曝光量。
(圖案形狀)
關於展現上述敏感性之照射量中所實現的100奈米線圖案(線：間距=1：1)，利用掃描電子顯微鏡(S-4800型，由日立有限公司製造)觀察其橫截面形狀。所觀察到之形狀評估為以下5個等級。
x(-)[不足]：錐形，0°<θ75°
△(-)[清楚]：錐形，75°<θ85°
O[良好]：矩形，85°<θ<95°
△(+)[清楚]：倒錐形，95°θ<105°
x(+)[不足]：倒錐形，105°θ<180°
圖1為示意性地展示實例中所提及之錐角定義的剖視圖。圖1展示基板10以及在所述基板上形成之線圖案20。錐角θ是指在100奈米線圖案(線：間距=1：1)之橫截面形狀中，在基板表面與穿過基板-圖案接觸點以及最大線寬度點之直線之間所形成的角度中處於光阻圖案一側之角度。
在上述評估準則中，用以下方式測定錐角θ。首先， 關於5個圖案中之每一者，量測右角以及左角。將因此獲得之10個量測值取平均值，且平均值表示為錐角θ。
(粗糙度特性；LWR)
利用掃描電子顯微鏡(S-9260型，由日立有限公司製造)觀測上述100奈米線圖案(線：間距=1：1)。在圖案縱向上2微米內之50個相等間隔點處量測實際邊緣與上面存在邊緣之參考線之間的距離。確定所量測距離之標準差，且由其計算3σ。此3σ表示為「LWR(奈米)」。
(殘餘物)
利用掃描電子顯微鏡(S-9260型，由日立有限公司製造)觀測上述100奈米線圖案(線：間距=1：1)。分別在間距部分之基板表面中完全未發現殘餘物時、在等於或少於20%間距部分表面積被殘餘物覆蓋時，以及在等於或多於50%間距部分被殘餘物覆蓋時，提供評估標記o(良好)、△(清楚)以及x(不足)。
(孤立圖案解析度；解析力)
關於展現上述敏感性之照射量中所實現的孤立圖案(線：間距=1：>100)，測定極限解析力(limiting resolving power)(允許分離以及解析線與間距的最小線寬)。所獲得之值表示為「解析力(奈米)」。
所獲得之評估結果提供於下表2中。
如由表2顯而易見，實例組成物與比較實例組成物相比展現極佳效能。
<製備光阻組成物>
將以下表3之組分溶解於由丙二醇單甲醚乙酸酯與丙二醇單甲醚之40：60混合物組成的溶劑中，藉此獲得各自具有1.8質量%固體含量的溶液。使所述溶液各自通過0.03微米孔徑之聚四氟乙烯過濾器，藉此獲得經化學放大之正型光阻組成物(正型光阻溶液)。在表3中，各組分之量表示為基於總固體之質量%。
<評估光阻(EUV)>
利用旋塗機將以上正型光阻溶液各自塗覆於已進行六甲基二矽氮烷處理之矽基板上，並藉由在熱板上於130℃下加熱90秒進行乾燥。因此獲得50奈米平均厚度之光阻膜。
利用EUV曝光裝置(波長=13.5奈米，NA=0.3)將各光阻膜曝露於EUV光。曝光後即刻在熱板上於110℃下將所述膜烘烤90秒。在23℃下用2.38質量%氫氧化四甲銨水溶液將經烘烤之膜顯影30秒。顯影後，用純水沖洗所述膜30秒並乾燥。因此形成線間距圖案(線：間距=1：1)。
(敏感性)
利用掃描電子顯微鏡(S-9380型，由日立有限公司製造)觀察所獲得之線間距圖案之橫截面形狀。敏感性(Eopt)定義為解析35奈米寬之線(線：間距=1：1)的曝光量。
(圖案形狀)
關於展現上述敏感性之照射量中所實現的35奈米線圖案(線：間距=1：1)，利用掃描電子顯微鏡(S-4800型， 由日立有限公司製造)觀察其橫截面形狀。用與上文所述相同之方式評估所觀察到之形狀。
(粗糙度特性；LWR)
利用掃描電子顯微鏡(S-9380型，由日立有限公司製造)觀測上述35奈米線圖案(線：間距=1：1)。在圖案縱向上2微米內之50個相等間隔點處量測實際邊緣與上面存在邊緣之參考線之間的距離。確定所量測距離之標準差，且由其計算3σ。此3σ表示為「LWR(奈米)」。
(殘餘物)
利用掃描電子顯微鏡(S-9260型，由日立有限公司製造)觀測上述100奈米線圖案(線：間距=1：1)。分別在間距部分之基板表面中完全未發現殘餘物時、在等於或少於20%間距部分表面積被殘餘物覆蓋時，以及在等於或多於50%間距部分被殘餘物覆蓋時，提供評估標記o(良好)、△(清楚)以及x(不足)。
所獲得之評估結果提供於下表4中。
如由表4顯而易見，實例組成物在曝露於EUV後亦展現極佳效能。
<製備光阻組成物>
將以下表5之組分溶解於由丙二醇單甲醚乙酸酯與丙二醇單甲醚之40：60混合物組成的溶劑中，藉此獲得各自具有1.8質量%固體含量的溶液。使所述溶液各自通過0.03微米孔徑之聚四氟乙烯過濾器，藉此獲得經化學放大之正型光阻組成物(正型光阻溶液)。在表5中，各組分之量表示為基於總固體之質量%。
<評估光阻(EB)>
藉由電漿CVD技術在矽基板之一個表面上塗佈50奈米厚之氧化矽膜。利用旋塗機將以上正型光阻溶液各自塗覆於矽基板上，並藉由在熱板上於130℃下加熱90秒進行乾燥。因此獲得100奈米平均厚度之光阻膜。
利用電子束微影系統(HL750，由日立有限公司製造，加速電壓50千電子伏)，用電子束照射各光阻膜。照射後即刻在熱板上於110℃下將所述膜烘烤90秒。在23℃下用2.38質量%氫氧化四甲銨水溶液將經烘烤之膜顯影60秒。 顯影後，用純水沖洗所述膜30秒並乾燥。因此形成線間距圖案(線：間距=1：1)以及孤立線圖案(線：間距=1：>100)。
(敏感性)
利用掃描電子顯微鏡(S-9260型，由日立有限公司製造)觀察所獲得之圖案。敏感性(Eopt)定義為解析100奈米寬之線(線：間距=1：1)的曝光量。
(圖案形狀)
關於展現上述敏感性之照射量中所實現的100奈米線圖案(線：間距=1：1)，利用掃描電子顯微鏡(S-4800型，由日立有限公司製造)觀察其橫截面形狀。用與上文所述相同之方式評估所觀察到之形狀。
(粗糙度特性；LWR)
利用掃描電子顯微鏡(S-9260型，由日立有限公司製造)觀察上述100奈米線圖案(線：間距=1：1)。在圖案縱向上2微米內之50個相等間隔點處量測實際邊緣與上面存在邊緣之參考線之間的距離。確定所量測距離之標準差，且由其計算3σ。此3σ表示為「LWR(奈米)」。
(殘餘物)
利用掃描電子顯微鏡(S-9260型，由日立有限公司製造)觀察上述100奈米線圖案(線：間距=1：1)。分別在間距部分之基板表面中完全未發現殘餘物時、在等於或少於20%間距部分表面積被殘餘物覆蓋時，以及在等於或多於50%間距部分被殘餘物覆蓋時，提供評估標記o(良 好)、△(清楚)以及x(不足)。
(孤立圖案解析度；解析力)
關於展現上述敏感性之照射量中所實現的孤立圖案(線：間距=1：>100)，測定極限解析力(允許分離以及解析線與間距的最小線寬)。所獲得之值表示為「解析力(奈米)」。
所獲得之評估結果提供於下表6中。
如由表6顯而易見，實例組成物即使在使用酸性基板時亦展現極佳效能。
根據本發明之組成物可適當地應用於微影製程來製造多種電子裝置，包含半導體元件、記錄媒體以及其類似物。
10‧‧‧基板
20‧‧‧線圖案
唯一圖式為示意性展示實例中所提及之錐角定義的剖視圖。
10‧‧‧基板
20‧‧‧線圖案

Claims (18)

  1. 一種感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，包括：樹脂(P)，其含有酸可分解重複單元(A)，當所述樹脂(P)受酸作用時增加其在鹼性顯影劑中的溶解度；化合物(Q)，當所述化合物(Q)曝露於光化射線或放射線時產生酸；以及化合物(R)，由以下通式(1)或通式(2)表示， 在通式(1)中，R1 表示不含雜原子之有機基團；R2 、R3 、R5 以及R6 各自獨立地表示具有1至3個碳原子之伸烷基；R4 以及R7 各自獨立地表示氫原子或烷基；以及n1 以及n2 各自獨立地為整數1至6； 在通式(2)中，R1 以及R8 各自獨立地表示不含雜原子之有機基團，且至少其中一者為芳基或具有3個碳原子以上之烷基； R5 以及R6 各自獨立地表示具有1至3個碳原子之伸烷基；R7 表示氫原子或烷基；以及n2 為整數1至6。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之組成物，其中所述通式(1)中，所述R1 為烷基或芳基。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之組成物，其中在所述通式(2)中，R1 以及R8 至少其中一者為芳基或具有6個碳原子以上之烷基。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之組成物，其中在所述通式(2)中，R1 以及R8 至少其中一者為芳基或具有7個碳原子以上之烷基。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之組成物，其中所述化合物(R)由通式(1)表示，且其中R4 以及R7 中至少一者為氫原子。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之組成物，其中R4 以及R7 均為氫原子。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之組成物，其中所述化合物(R)由通式(2)表示，且其中R7 為氫原子。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之組成物，其中所述重複單元(A)由以下通式(V)或通式(VI)表示， 其中，R51 、R52 以及R53 各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子、氰基或烷氧基羰基，其限制條件為R52 可與L5 鍵結，藉此形成環，所述R52 表示伸烷基；L5 表示單鍵或二價連接基團，其限制條件為當協同R52 形成環時，L5 表示三價連接基團；以及R54 表示烷基，且R55 以及R56 各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基或單價芳族環基團，其限制條件為R55 以及R56 可彼此鍵結，藉此形成環，且其限制條件為R55 以及R56 不同時為氫原子； 其中， R61 、R62 以及R63 各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子、氰基或烷氧基羰基，其限制條件為R62 可與Ar6 鍵結，藉此形成環，所述R62 表示伸烷基；X6 表示單鍵、-COO-或-CONR64 -，其中R64 表示氫原子或烷基；L6 表示單鍵或伸烷基；Ar6 表示二價芳族環基團；Y2 在n2時各自獨立地表示氫原子或當受酸作用時裂解之基團，其限制條件為至少一個Y2 為當受酸作用時裂解之基團；以及n為整數1至4。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之組成物，其中所述樹脂(P)更含有由以下通式(I)表示之任何重複單元(B)， 其中R41 、R42 以及R43 各自獨立地表示氫原子、烷基、鹵素原子、氰基或烷氧基羰基；X4 表示單鍵、-COO-或-CONR64 -，其中R64 表示氫原 子或烷基；L4 表示單鍵或伸烷基；Ar4 表示(n+1)價芳族環基團；以及n為整數1至4。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之組成物，其中所述重複單元(B)具有羥基苯乙烯結構。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之組成物，更包括除所述化合物(R)以外的鹼性化合物。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之組成物，其中所述鹼性化合物不含羥基。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之組成物，其用於包含藉由EUV進行曝光之圖案形成。
  14. 一種感光化射線性或感放射線性樹脂膜，其由如申請專利範圍第1項所述之組成物形成。
  15. 一種圖案形成方法，包括：將如申請專利範圍第14項所述之膜曝光；以及將所述經曝光之膜顯影。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中所述曝光藉由EUV光進行。
  17. 一種製造電子裝置之製程，包括如申請專利範圍第15項所述之圖案形成方法。
  18. 一種電子裝置，其由如申請專利範圍第17項所述之製程製造。
TW101110950A 2011-03-30 2012-03-29 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、來自該組成物的感光化射線性或感放射線性樹脂膜以及使用該組成物的圖案形成方法 TWI506359B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011076093A JP5622640B2 (ja) 2011-03-30 2011-03-30 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性樹脂膜及びパターン形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201241560A TW201241560A (en) 2012-10-16
TWI506359B true TWI506359B (zh) 2015-11-01

Family

ID=46931613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101110950A TWI506359B (zh) 2011-03-30 2012-03-29 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、來自該組成物的感光化射線性或感放射線性樹脂膜以及使用該組成物的圖案形成方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20140030643A1 (zh)
EP (1) EP2691809A1 (zh)
JP (1) JP5622640B2 (zh)
KR (1) KR101739886B1 (zh)
TW (1) TWI506359B (zh)
WO (1) WO2012133939A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5740375B2 (ja) * 2011-09-30 2015-06-24 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法
KR101621380B1 (ko) 2015-06-26 2016-06-01 주식회사 케이에스비 가로등용 발광 다이오드 모듈 및 이의 제조 방법
WO2018061944A1 (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000275836A (ja) * 1999-03-25 2000-10-06 Mitsubishi Chemicals Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2000275837A (ja) * 1999-03-25 2000-10-06 Mitsubishi Chemicals Corp 感放射線性樹脂組成物

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3751518B2 (ja) * 1999-10-29 2006-03-01 信越化学工業株式会社 化学増幅レジスト組成物
JP4044740B2 (ja) * 2001-05-31 2008-02-06 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP4474246B2 (ja) * 2003-09-19 2010-06-02 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP2006267637A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
EP2478414B1 (en) * 2009-09-16 2014-12-31 FUJIFILM Corporation Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition and method of forming a pattern using the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000275836A (ja) * 1999-03-25 2000-10-06 Mitsubishi Chemicals Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2000275837A (ja) * 1999-03-25 2000-10-06 Mitsubishi Chemicals Corp 感放射線性樹脂組成物

Also Published As

Publication number Publication date
US20140030643A1 (en) 2014-01-30
JP5622640B2 (ja) 2014-11-12
WO2012133939A1 (en) 2012-10-04
EP2691809A1 (en) 2014-02-05
TW201241560A (en) 2012-10-16
KR101739886B1 (ko) 2017-05-25
JP2012208447A (ja) 2012-10-25
KR20140012120A (ko) 2014-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI525070B (zh) 感光化射線性或感放射線性樹脂組合物及使用該組合物的圖案形成方法
TWI465462B (zh) 樹脂組成物及使用其之膜及圖案形成方法
KR101774309B1 (ko) 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 감활성광선성 또는 감방사선성 막 및 패턴 형성 방법
KR101730488B1 (ko) 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 그것을 사용한 레지스트 막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 전자 디바이스, 및 수지
TWI570101B (zh) 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、來自其的感光化射線性或感放射線性膜、圖案形成方法、半導體元件的製造方法及化合物
JP4703674B2 (ja) レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
KR101882716B1 (ko) 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 그 조성물을 이용한 감활성광선성 또는 감방사선성막 및 패턴 형성 방법, 또한 전자 디바이스의 제조 방법 및 전자 디바이스
KR101650067B1 (ko) 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 감활성광선성 또는 감방사선성 필름 및 패턴 형성 방법
JP2012137686A (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法
TWI585523B (zh) 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、使用該組成物的抗蝕劑膜、圖案形成方法、電子元件的製造方法及電子元件
TWI677753B (zh) 圖案形成方法、電子元件的製造方法及電子元件
KR20160058922A (ko) 감활성 광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 및 패턴 형성 방법
TW201523133A (zh) 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、圖案形成方法、電子裝置之製造方法、電子裝置、及化合物
TW201506997A (zh) 圖案形成方法、電子元件的製造方法及電子元件
TWI507816B (zh) 圖案形成方法
TWI506359B (zh) 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、來自該組成物的感光化射線性或感放射線性樹脂膜以及使用該組成物的圖案形成方法
KR20160079029A (ko) 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 전자 디바이스
CN105593760B (zh) 感活性光线性或感放射线性树脂组合物、膜及化合物
TWI602017B (zh) 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、抗蝕劑膜、塗佈抗蝕劑的空白罩幕、光罩及圖案形成方法、使用它們的電子元件的製造方法及電子元件
TWI559077B (zh) 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、感光化射線性或感放射線性膜、空白光罩以及圖案形成方法
TW201314355A (zh) 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、來自其的感光化射線性或感放射線性樹脂膜以及使用該組成物的圖案形成方法
TWI640828B (zh) 樹脂組成物、圖案形成方法、電子元件的製造方法及電子元件
JP5712083B2 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性樹脂膜及びパターン形成方法
JP2013167731A (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法