JP2000275837A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高解像力と実用的な感度を有し、酸性基板、
酸性の反射防止膜を使用する場合にも、充分な残膜率を
有する形状の良好なパターンを形成し得るポジ型感光性
樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 酸の作用によりアルカリ可溶性が増大す
る樹脂、放射線の作用により酸を生成する感放射線性化
合物、窒素含有化合物を含有すす感放射線性樹脂組成物
であって、該窒素含有化合物は分子中に２個以上の窒素
原子を含有し、かつそれぞれの窒素原子は炭素原子、ケ
イ素原子、酸素原子、硫黄原子から選ばれる原子とのみ
直接結合している化合物であることを特徴とする組成
物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一般に放射線に感
応する感放射線性樹脂組成物に関するものであり、詳し
くは、パターン形状、解像性にすぐれ、かつ基板の影響
によるパターン形状の劣化がおこらない半導体集積回路
作成用ポジ型レジストに好適なポジ型感放射線性樹脂組
成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の高集積化は、一般に言
われるように３年間に４倍のスピードで進行している。
それにともない、集積回路の生産に不可欠なフォトリソ
グラフィー技術に対する要求も年々厳しくなってきてい
る。例えばダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ
ー（ＤＲＡＭ）では、２５６ＭビットＤＲＡＭの生産に
は、解像度０．２５μｍ、さらに次世代の１ＧビットＤ
ＲＡＭでは０．２０μｍレベルのリソグラフィー技術が
必要とされている。このため、フォトレジストの露光に
用いられる波長も、水銀灯のｇ線（４３６ｎｍ）からｉ
線（３６５ｎｍ）、さらにＫｒＦエキシマーレーザー光
（２４８ｎｍ）へと短波長化が進んでいる。しかして、
現在半導体集積回路の製造に使用されているＫｒＦエキ
シマーレーザー露光装置を使用した場合、レジストの解
像度と露光波長の関係は下記レイリーの式により表され
る。

【０００３】

【数１】Ｒ＝ｋ・λ／ＮＡ （Ａ）

【０００４】（但し、Ｒはレジストの解像度、ｋはレジ
ストの性能を表す定数、λは露光波長、ＮＡは露光装置
の開口係数を表す。） 従って０．２０μm の解像度というのは、例えばＮＡ＝
０．５５の場合、上記式（Ａ）に、Ｒ＝０．２０、λ＝
０．２４８、ＮＡ＝０．５５を導入して得られる、０．
４５以下のｋ値をレジストに求めることになる。

【０００５】このようなレジストに対する高解像力化の
要求に対して、例えばポジ型フォトレジストにおいては
従来のナフトキノンジアジドを感光剤とするレジストは
ＫｒＦエキシマレーザ光等の遠紫外線領域の光に対して
は透過率が低く、低感度かつ低解像度となってしまう。
このような問題を解決する新しいポジ型レジストとし
て、化学増幅型ポジ型フォトレジストが種々提案されて
いる。化学増幅型ポジ型レジストとは、アルカリ現像液
に可溶な樹脂に、酸の作用により脱離するような酸不安
定基を導入してアルカリ現像液に対して溶解抑制効果を
付与した樹脂と、光の作用により酸を発生する化合物
（光酸発生剤）を含有する感光性組成物である。この組
成物に光を照射すると、光酸発生剤から酸が生じ、露光
後の加熱（ポスト・エクスポージャー・ベーク、以下Ｐ
ＥＢと称す）により、酸により樹脂に溶解抑制剤効果を
与えていた酸不安定基が脱離する。この結果、露光部分
がアルカリ可溶性となり、アルカリ現像液で処理するこ
とにより、ポジ型のレジストパターンが得られる。この
とき、酸は触媒として作用し、微量で効果を発揮する。
またＰＥＢにより酸の動きが活発になり、連鎖反応的に
化学反応が促進され、感度が向上する。

【０００６】しかして、化学増幅型ポジ型レジストはこ
のような高感度という利点がある一方で、酸触媒反応を
利用していることによる欠点として、周囲の環境からの
影響を受けやすく、露光からＰＥＢまでの引き置き時間
が長いとレジスト形状が劣化したり、レジスト寸法が変
化したりしやすく、また塩基性の基板上でパターン形成
を行う場合にはレジストパターンの下部の裾引きが発生
したり、逆に酸性の基板上でパターン形成を行う場合に
はレジストパターンの下部のくい込み（以下、これをア
ンダーカットと称する。）が発生するという問題があっ
た。

【０００７】露光からＰＥＢまでの引き置き時間が長い
ときのレジスト性能の変化は、環境中からアミンがレジ
スト膜内に拡散するために、露光によって発生した酸が
失活するために生起する。これを解決する方法として、
レジスト中にアミンなどの塩基性物質を添加することが
提案されている（例えば、特開平５−１２７３６９号公
報、特開平５−２４９６６２号公報、特開平５−２３２
７０６号公報、特開平７−９２６７８号公報、特開平９
−１７９３００号公報、特開平９−２７４３１２号公
報、特開平９−３２５４９６号公報、特開平１０−１７
７２５０号公報、特開平１０−１８６６６６号公報、特
開平１０−３２６０１５号公報等。）。

【０００８】しかしながら、これらに記載されるアミン
の添加では、いずれも環境中のアミンあるいは塩基性の
基板の影響による問題を解決する効果しかなく、酸性の
基板上でのレジストのアンダーカットに対しては、有効
な手段がなかった。また、露光からＰＥＢまでの引き置
き時間が長いときの環境中からのアミンのレジスト膜内
への拡散によるレジスト性能の変化、および基板からの
反射光によるレジスト寸法精度の低下の両方の問題を同
時に解決する方法として、レジスト膜の上層に反射防止
膜を塗布することが知られている。具体的には、特開平
９−９０６１５号公報、特開平９−２９１２２８号公
報、特開平１０−３００１号公報等に記載されているも
のが使用されるが、これらの反射防止膜はいずれもパー
フルオロアルキルスルホン酸等の強酸性の化合物を含有
するために、ポジ型レジストとの組み合わせで用いた場
合、レジスト膜の表面部がアルカリ現像液に対して可溶
化し、レジスト膜の残膜率の低下を引き起こすことにな
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、かか
る問題を解決し、酸性の基板上でもレジストのアンダー
カットがなく、しかもレジスト膜の上層に酸性の反射防
止膜を使用した場合にも残膜率およびパターン形状が、
良好であり、かつ、実用的な感度と高解像力が得られる
感放射線性樹脂組成物を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者はかかる問題を
解決すべく鋭意研究した結果、特定の窒素含有化合物を
添加することにより、環境中の塩基性物質による酸の失
活を抑制するだけでなく、酸性の基板上でもアンダーカ
ットが無く、しかもレジスト膜の上層に酸性の反射防止
膜を使用した場合にもレジストの残膜率およびパターン
形状も良好であり、かつ、実用的な感度と高解像力が達
成されることを見出し、本発明に到達した。即ち、本発
明の要旨は、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する
樹脂、放射線の作用により酸を生成する感放射線性化合
物及び窒素含有化合物を含有する感放射線性樹脂組成物
であって、該窒素含有化合物が、分子中に２個以上の窒
素原子を含有し、かつ、それぞれの窒素原子は、炭素原
子、ケイ素原子、酸素原子、イオウ原子から選ばれる原
子のみに直接結合している化合物であることを特徴とす
る感放射線性樹脂組成物に存する。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下に本発明を詳しく説明する。
本発明組成物を構成する、酸の作用によりアルカリ溶解
性が増大する樹脂としては、現像時に露光部がアルカリ
可溶性となり、アルカリ現像液に溶出し、均一なレジス
ト膜形成能のある樹脂であれば特に限定されるものでは
ないが、例えばノボラック樹脂、ヒドロキシスチレンの
単独重合体またはヒドロキシスチレンと各種のビニルモ
ノマーとの共重合体等のポリヒドロキシスチレン類、ア
クリル酸等のエチレン性不飽和二重結合を含有するカル
ボン酸類の単独重合体またはかかるカルボン酸類とヒド
ロキシスチレン類または各種のビニルモノマーとの共重
合体等のポリアクリル酸類のフェノール性水酸基および
カルボキシル基の全部または一部分を酸不安定基で保護
した樹脂を用いることができる。

【００１２】ノボラック樹脂の場合、フェノール成分と
してはフェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、
ｐ−クレゾール、レゾルシノール、ピロガロール、キシ
レノール等を用いることができ、アルデヒドまたはケト
ン成分としてはホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、
ベンズアルデヒド、アセトン等を用いることができる。

【００１３】ポリヒドロキシスチレン類は、部分構造と
してヒドロキシスチレン由来の構造を有する重合体であ
れば、単独重合でも共重合でもよく、又、ベンゼン環上
又は、それ以外の部分に置換基を有しているものを含
む。またヒドロキシスチレンと共重合するビニルモノマ
ーとしては、アクリル酸、ビニルアルコールまたは、こ
れらの誘導体等のエチレン性不飽和二重結合を含有する
化合物を用いることができる。具体的なポリヒドロキシ
スチレン類としては、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒ
ドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、２−（ｏ
−ヒドロキシフェニル）プロピレン、２−（ｍ−ヒドロ
キシフェニル）プロピレン、２−（ｐ−ヒドロキシフェ
ニル）プロピレンなどのヒドロキシスチレン類の単独又
は２種以上を、あるいはヒドロキシスチレン類とアクリ
ル酸、メタクリル酸、アクリル酸エステル類やメタクリ
ル酸エステル類とをラジカル重合開始剤、カチオン重合
開始剤又はアニオン重合開始剤存在下で重合した樹脂等
が挙げられる。また、吸光度を小さくするために水素添
加したものも好ましく使用できる。上記の内、特に、ポ
リヒドロキシスチレンおよびポリアクリル酸が有用に使
用できる。

【００１４】ポリヒドロキシスチレン類およびポリアク
リル酸類の好ましい重量平均分子量としてはＧＰＣ測定
によるポリスチレン換算値で１，０００〜１００，００
０である。この範囲以下では、組成物として塗布性が低
下し、この範囲以上では露光部のアルカリ溶解性が低下
する。特に、後述する本発明の特定の塩基性化合物との
併用に於て解像度、パターン断面形状が良好で、酸性基
板上でのアンダーカットによるパターン形状の劣化がな
いとの本発明の効果を達成する上で特に好ましくは、
１，５００〜５０，０００である。

【００１５】酸不安定基としては、露光の際に発生した
酸によって脱離し、樹脂にフェノール性水酸基またはカ
ルボン酸等のアルカリ可溶性基が生成するものであれば
用いることができるが、例えばメトキシメトキシ基、１
−メトキシエトキシ基、１−メトキシプロポキシ基、１
−メトキシブトキシ基、１−エトキシエトキシ基、１−
エトキシプロポキシ基、１−エトキシブトキシ基、１−
（ｎ−ブトキシ）エトキシ基、１−（ｉｓｏ−ブトキ
シ）エトキシ基、１−（ｓｅｃ−ブトキシ）エトキシ
基、１−（ｔｅｒｔ−ブトキシ）エトキシ基、１−（シ
クロヘキシルオキシ）エトキシ基、テトラヒドロフラニ
ルオキシ基、テトラヒドロピラニルオキシ基等の炭素数
２〜２０、好ましくは２〜１０のアセタール基；１−メ
トキシ−１−メチルメトキシ基、１−メトキシ−１−メ
チルエトキシ基等の炭素数２〜２０、好ましくは４〜１
０のケタール基；メトキシカルボニルオキシ基、エトキ
シカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキ
シ基、ｉｓｏ−プロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブ
トキシカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニ
ルオキシ基、ｉｓｏ−ブトキシカルボニルオキシ基、t
ｅｔｒ−ブトキシカルボニルオキシ基、メンチルオキシ
カルボニルオキシ基等の炭素数２〜２０、好ましくは２
〜１２のカーボネート基等が使用される。（尚、本明細
書に於いて、酸不安定基は、フェノール性水酸基または
カルボン酸由来の酸素原子を含めて表わしている。）

【００１６】より好ましくはアセタール基およびカーボ
ネート基であり、さらに好ましくは、１−エトキシエト
キシ基、テトラヒドロフラニルオキシ基、テトラヒドロ
ピラニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｉｓ
ｏ−プロポキシカルボニルオキシ基、t ｅｒｔ−ブトキ
シカルボニルオキシ基である。これらの酸不安定基は単
独で用いても、２種以上を併用してもよく、２種以上を
併用する場合にはそれぞれの酸不安定基が別々のポリマ
ー分子鎖上に存在していても、同一のポリマー分子鎖上
に存在していてもよい。

【００１７】ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン
類およびポリアクリル酸類の水酸基およびカルボン酸の
酸不安定基による保護率は特に限定されないが、５〜６
０（モル）％が好ましく、特に１０〜５０％が好まし
い。保護率が上記範囲よりも小さいと、レジスト膜の未
露光部の残膜率が低下し、解像性が低下する傾向があ
る。また、保護率が上記範囲よりも大きいと、現像時に
現像液をはじいてしまい、現像できなくなる恐れがあ
る。

【００１８】本発明で使用する放射線の作用により酸を
生成する化合物（以下、「感放射線性化合物」と称す
る。）としては、露光に用いられる放射線によって酸を
発生するものであれば特に限定されるものではなく、従
来公知のものが使用できる。具体的には、例えばトリス
（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、トリス（トリ
ブロモメチル）−ｓ−トリアジン、トリス（ジブロモメ
チル）−ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリブロモメ
チル）−６−メトキシフェニル−ｓ−トリアジン等のハ
ロゲン含有ｓ−トリアジン誘導体；１，２，３，４−テ
トラブロモブタン、１，１，２，２−テトラブロモエタ
ン、四臭化炭素、ヨードホルム等のハロゲン置換パラフ
ィン系炭化水素；ヘキサブロモシクロヘキサン、ヘキサ
クロロシクロヘキサン、ヘキサブロモシクロドデカン等
のハロゲン置換シクロパラフィン系炭化水素；ビス（ト
リクロロメチル）ベンゼン、ビス（トリブロモメチル）
ベンゼンなどハロゲン含有ベンゼン誘導体、トリブロモ
メチルフェニルスルホン、トリクロロメチルフェニルス
ルホン、２，３−ジブロモスルホラン等のハロゲン含有
スルホン化合物；トリス（２，３−ジブロモプロピル）
イソシアヌレート等のハロゲン含有イソシアヌレート誘
導体；トリフェニルスルホニウムクロライド、トリフェ
ニルスルホニウムメチルスルホネート、トリフェニルス
ルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェ
ニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホネート、トリフ
ェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェ
ニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフ
ェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート等のス
ルホニウム塩、ジフェニルヨードニウムクロライド、ジ
フェニルヨードニウムメチルスルホネート、ジフェニル
ヨードニウムトリフルオロメタンスルフォネート、ジフ
ェニルヨードニウム−ｐ−トルエンスルホネート、ジフ
ェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニ
ルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニ
ルヨードニウムへキサフルオロホスホネート、ジ（４−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムカンファニル
スルホネート等のヨードニウム塩；ｐ−トルエンスルホ
ン酸メチル、ｐ−トルエンスルホン酸エチル、ｐ−トル
エンスルホン酸ブチル、ｐ−トルエンスルホン酸フェニ
ル、１，２，３−トリ（ｐ−トルエンスルホニル）ベン
ゼン、ｐ−トルエンスルホン酸ベンゾインエステル、メ
タンスルホン酸エチル、メタンスルホン酸ブチル、１，
２，３−トリ（メタンスルホニル）ベンゼン、メタンス
ルホン酸フェニル、メタンスルホン酸ベンゾインエステ
ル、トリフルオロメタンスルホン酸メチル、トリフルロ
メタンスルホン酸エチル、トリフルオロメタンスルホン
酸ブチル、１，２，３−トリ（トリフルオロメタンスル
ホニル）ベンゼン、トリフルオロメタンスルホン酸フェ
ニル、トリフルオロメタンスルホン酸ベンゾインエステ
ル等のスルホン酸エステル類；ジフェニルジスルホン等
のジスルホン類；ビス（シクロヘキシルスルホニル）メ
タン、ビス（フェニルスルホニル）メタン等のビススル
ホニルメタン類；ｏ−ニトロベンジル−ｐ−トルエンス
ルホネートなどのｏ−ニトロベンジルエステル類、Ｎ，
Ｎ' −ジ（フェニルスルホニル）ヒドラジド等のスルホ
ンヒドラジド類等が挙げられる。また、下記一般式
（Ｂ) で表されるビススルホニルジアゾメタン化合物を
感放射線性化合物として用いることも有効である。

【００１９】

【化４】

【００２０】（式中、Ｒ⁷ 及びＲ⁸ は独立に、置換基を
有していてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基
又はアリール基を表し、これらの基は更に置換基を有し
ていてもよい。）。

【００２１】ビススルホニルジアゾメタンの具体例とし
ては、例えばビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾ
メタン、シクロヘキシルスルホニルエチルスルホニルジ
アゾメタン、ビス（ｉｓｏ−プロピルスルホニル）ジア
ゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾ
メタン、ビス（ｓｅｃ−ブチルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニルメチルスルホニルジア
ゾメタン、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニルシクロヘキシル
スルホニルジアゾメタン、ビス（シクロペンチルスルホ
ニル）ジアゾメタン、シクロペンチルスルホニル−ｔｅ
ｒｔ−ブチルスルホニルジアゾメタン、ビス（ｉｓｏ−
アミルスルホニル）ジアゾメタン、シクロヘキシルスル
ホニル（２−メトキシフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン、シクロヘキシルスルホニル（３−メトキシフェニル
スルホニル）ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル
（４−メトキシフェニルスルホニル）ジアゾメタン、シ
クロペンチルスルホニル（２−メトキシフェニルスルホ
ニル）ジアゾメタン、シクロペンチルスルホニル（３−
メトキシフェニルスルホニル）ジアゾメタン、シクロペ
ンチルスルホニル（４−メトキシフェニルスルホニル）
ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル（２−フルオ
ロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、シクロペンチル
スルホニル（２−フルオロフェニルスルホニル）ジアゾ
メタン、シクロヘキシルスルホニル（４−フルオロフェ
ニルスルホニル）ジアゾメタン、シクロペンチルスルホ
ニル（４−フルオロフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン、シクロヘキシルスルホニル（４−クロロフェニルス
ルホニル）ジアゾメタン、シクロペンチルスルホニル
（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、シク
ロヘキシルスルホニル（３−トリフルオロメチルスルホ
ニル）ジアゾメタン、シクロペンチルスルホニル（３−
トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン、シクロ
ヘキシルスルホニル（４−トリフルオロメトキシスルホ
ニル）ジアゾメタン、シクロペンチルスルホニル（４−
トリフルオロメトキシスルホニル）ジアゾメタン、シク
ロヘキシルスルホニル（１，３，５−トリメチルフェニ
ルスルホニル）ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニ
ル（２，３，４−トリメチルフェニルスルホニル）ジア
ゾメタン、シクロヘキシルスルホニル（１，３，５−ト
リエチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、シクロヘ
キシルスルホニル（２，３，４−トリエチルフェニルス
ルホニル）ジアゾメタン、シクロペンチルスルホニル
（１，３，５−トリメチルフェニルスルホニル）ジアゾ
メタン、シクロペンチルスルホニル（２，３，４−トリ
メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン 、ｏ−トル
エンスルホニル（２，４，６−トリメチルフェニルスル
ホニル）ジアゾメタン、ｍ−トルエンスルホニル（２，
４，６−トリメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン、ｐ−トルエンスルホニル（２，４，６−トリメチル
フェニルスルホニル）ジアゾメタン、２−メトキシフェ
ニルスルホニル（２，４，６−トリメチルフェニルスル
ホニル）ジアゾメタン、３−メトキシフェニルスルホニ
ル（２，４，６−トリメチルフェニルスルホニル）ジア
ゾメタン、４−メトキシフェニルスルホニル（２，４，
６−トリメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、２
−クロロフェニルスルホニル（２，４，６−トリメチル
フェニルスルホニル）ジアゾメタン、３−クロロフェニ
ルスルホニル（２，４，６−トリメチルフェニルスルホ
ニル）ジアゾメタン、４−クロロフェニルスルホニル
（２，４，６−トリメチルフェニルスルホニル）ジアゾ
メタン、２−フルオロフェニルスルホニル（２，４，６
−トリメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、３−
フルオロフェニルスルホニル（２，４，６−トリメチル
フェニルスルホニル）ジアゾメタン、４−フルオロフェ
ニルスルホニル（２，４，６−トリメチルフェニルスル
ホニル）ジアゾメタン、３−トリフルオロメチルスルホ
ニル（２，４，６−トリメチルフェニルスルホニル）ジ
アゾメタン、４−トリフルオロメチルスルホニル（２，
４，６−トリメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン、２，３−ジメチルフェニルスルホニル（２，４，６
−トリメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、２，
４−ジメチルフェニルスルホニル（２，４，６−トリメ
チルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、２，５−ジメ
チルフェニルスルホニル（２，４，６−トリメチルフェ
ニルスルホニル）ジアゾメタン、２，６−ジメチルフェ
ニルスルホニル（２，４，６−トリメチルフェニルスル
ホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４，６−トリメチル
フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ベンゼンスルホニ
ル（２，４，６−トリメチルフェニルスルホニル）ジア
ゾメタン、ｏ−トルエンスルホニル（２，３，６−トリ
メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ｐ−トルエ
ンスルホニル（２，３，６−トリメチルフェニルスルホ
ニル）ジアゾメタン、２−メトキシフェニルスルホニル
（２，３，６−トリメチルフェニルスルホニル）ジアゾ
メタン、４−メトキシフェニルスルホニル（２，３，６
−トリメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、４，
６−ジメチル−２−ヒドロキシメチルフェニルスルホニ
ル（ｏ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、４，６−
ジメチル−２−ヒドロキシメチルフェニルスルホニル
（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、４，６−ジ
メチル−２−ヒドロキシメチルフェニルスルホニル（２
−メトキシフェニルスルホニル）ジアゾメタン、４，６
−ジメチル−２−ヒドロキシメチルフェニルスルホニル
（４−メトキシフェニルスルホニル）ジアゾメタン、
４，６−ジメチル−２−ヒドロキシメチルフェニルスル
ホニル（２−フルオロフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン、４，６−ジメチル−２−ヒドロキシメチルフェニル
スルホニル（４−フルオロフェニルスルホニル）ジアゾ
メタン、４，６−ジメチル−２−ヒドロキシメチルフェ
ニルスルホニル（２，３−ジメチルフェニルスルホニ
ル）ジアゾメタン、４，６−ジメチル−２−ヒドロキシ
メチルフェニルスルホニル（２，４−ジメチルフェニル
スルホニル）ジアゾメタン、４，６−ジメチル−２−ヒ
ドロキシメチルフェニルスルホニル（２，５−ジメチル
フェニルスルホニル）ジアゾメタン、４，６−ジメチル
−２−ヒドロキシメチルフェニルスルホニル（２，６−
ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、フェニル
スルホニル（２−ナフチルスルホニル）ジアゾメタン、
フェニルスルホニル（１−ナフチルスルホニル）ジアゾ
メタン、４−メトキシフェニルスルホニル（２−ナフチ
ルスルホニル）ジアゾメタン、４−メトキシフェニルス
ルホニル（１−ナフチルスルホニル）ジアゾメタン、シ
クロヘキシルスルホニル（２−ナフチルスルホニル）ジ
アゾメタン、シクロヘキシルスルホニル（１−ナフチル
スルホニル）ジアゾメタン、２，４，６−トリメチルフ
ェニルスルホニル（２−ナフチルスルホニル）ジアゾメ
タン、２，４，６−トリメチルフェニルスルホニル（１
−ナフチルスルホニル）ジアゾメタン等、公知のものが
挙げられる。

【００２２】これら感放射線性化合物の中でも、ヨード
ニウム塩、スルホニウム塩、およびビススルホニルジア
ゾメタンが好ましい。特にビススルホニルジアゾメタン
の中では、シクロヘキシルスルホニル（１，３，５−ト
リメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、シクロヘ
キシルスルホニル（４−メトキシフェニルスルホニル）
ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル（４−フルオ
ロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ベンゼンスルホ
ニル（２，４，６−トリメチルフェニルスルホニル）ジ
アゾメタン、ｐ−トルエンスルホニル（２，４，６−ト
リメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、４−メト
キシフェニルスルホニル（２，４，６−トリメチルフェ
ニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４，６−ト
リメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、フェニル
スルホニル（２−ナフチルスルホニル）ジアゾメタン、
フェニルスルホニル（１−ナフチルスルホニル）ジアゾ
メタン、４−メトキシフェニルスルホニル（２−ナフチ
ルスルホニル）ジアゾメタン、４−メトキシフェニルス
ルホニル（１−ナフチルスルホニル）ジアゾメタン、シ
クロヘキシルスルホニル（２−ナフチルスルホニル）ジ
アゾメタン、シクロヘキシルスルホニル（１−ナフチル
スルホニル）ジアゾメタンが好ましい化合物である。

【００２３】これら感放射線性化合物は単独で用いて
も、複数を併用しても良い。本発明組成物においては、
酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する樹脂（以下
「本発明樹脂成分」と称す）１００重量部に対して感放
射線性化合物０．００１〜３０重量部、好ましくは０．
０５〜２０重量部の割合で用いられる。感放射線性化合
物の量がこの範囲よりも少ないと感度が劣り、感放射線
性化合物がこの範囲よりも多いと、感放射線性化合物に
よるレジスト膜の透明性の低下によりレジストパターン
が台形になり解像力の低下を引き起こす恐れがある。

【００２４】本発明組成物は、特定の窒素含有化合物を
含有することに特徴を有す。かかる窒素含有化合物とし
ては、分子中に２個以上の窒素原子を含有する化合物で
あって、かつ窒素原子は、、炭素原子、ケイ素原子、酸
素原子、イオウ原子のいずれかのみに直接結合している
化合物である。分子中の窒素原子に炭素原子、ケイ素原
子、酸素原子、イオウ原子のいずれかの原子以外が直接
結合した場合、例えば水素原子が窒素原子上に直接結合
している場合には、該感放射線性樹脂組成物の保存安定
性または、解像性が低下する。窒素含有化合物として１
分子中に窒素原子が１個のものを用いた場合には、酸性
の基板および酸性の上層反射防止膜に対するレジスト膜
の耐性が十分でなく、アンダーカットの発生や残膜率の
低下につながる。

【００２５】本発明に使用される窒素含有化合物は、好
ましくは分子量が１，０００以下である。分子量がこの
範囲を超えると解像性が低下する傾向にある。本発明に
使用される窒素含有化合物の具体例としては、ビス（２
−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル）エーテル、ビス（２
−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチル）エーテル、Ｎ，Ｎ，
Ｎ' −トリメチル−Ｎ' −（２−ヒドロキシエチル）ビ
ス（２−アミノエチル）エーテル、Ｎ，Ｎ，−ジメチル
−Ｎ' ，Ｎ' −ジ（２−ヒドロキシエチル）ビス（２−
アミノエチル）エーテル、Ｎ，Ｎ' ，−ジメチル−Ｎ，
Ｎ' −ジ（２−ヒドロキシエチル）ビス（２−アミノエ
チル）エーテル、Ｎ，Ｎ，−ジエチル−Ｎ' ，Ｎ' −ジ
（２−ヒドロキシエチル）ビス（２−アミノエチル）エ
ーテル、Ｎ，Ｎ' ，−ジエチル−Ｎ，Ｎ' −ジ（２−ヒ
ドロキシエチル）ビス（２−アミノエチル）エーテル等
のビスアミノアルキルエーテル類；Ｎ，Ｎ，Ｎ' ，Ｎ'
−テトラメチルエチレンジアミン、、Ｎ，Ｎ，Ｎ' ，
Ｎ' −テトラメチル−１，３−ジアミノプロパン、Ｎ，
Ｎ，Ｎ' ，Ｎ' −テトラエチルエチレンジアミン、、
Ｎ，Ｎ，Ｎ' ，Ｎ' −テトラエチル−１，３−ジアミノ
プロパン、Ｎ，Ｎ，Ｎ' ，Ｎ' −テトラキス（２−ヒド
ロキシエチル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ' ，Ｎ'
−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）−１，３−ジア
ミノプロパン、Ｎ，Ｎ，Ｎ' ，Ｎ' −テトラキス（２−
ヒドロキシエチル）−１，２−ジアミノプロパン、Ｎ，
Ｎ，Ｎ' ，Ｎ' −テトラキス（２−ヒドロキシエチル）
−１，４−ジアミノブタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ' ，Ｎ' −テト
ラキス（２−ヒドロキシエチル）−１，５−ジアミノペ
ンタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ' ，Ｎ' −テトラキス（２−ヒドロ
キシエチル）−１，６−ジアミノヘキサン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ' ，Ｎ' −テトラキス（２−ヒドロキシエチル）−
１，７−ジアミノヘプタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ' −テト
ラキス（２−ヒドロキシエチル）−１，８−ジアミノオ
クタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ' ，Ｎ' −テトラキス（２−ヒドロ
キシエチル）−１，９−ジアミノノナン、Ｎ，Ｎ−ジメ
チル−Ｎ' ，Ｎ' −ビス（２−ヒドロキシエチル）エチ
レンジアミン、Ｎ，Ｎ' −ジメチル−Ｎ，Ｎ' −ビス
（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−
ジエチル−Ｎ' ，Ｎ' −ビス（２−ヒドロキシエチル）
エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ' −ジエチル−Ｎ，Ｎ' −ビ
ス（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、Ｎ，
Ｎ，Ｎ' −トリメチル−Ｎ' −（２−ヒドロキシエチ
ル）エチレンジアミン等のジアミン類；Ｎ，Ｎ，Ｎ' ，
Ｎ' ，Ｎ''−ペンタメチルジエチレントリアミン、Ｎ，
Ｎ，Ｎ' ，Ｎ''−テトラメチル−Ｎ' −（２−ヒドロキ
シエチル）ジエチレントリアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ' ，Ｎ'
−テトラメチル−Ｎ''−（２−ヒドロキシエチル）ジエ
チレントリアミン、トリスジメチルアミノメタン等のト
リアミン類；Ｎ，Ｎ' −ジメチルピペラジン、１−（２
−ジメチルアミノエチル）−４−メチルピペラジン、ビ
ス−Ｎ，Ｎ' −（トリメチルシリル）ピペラジン等のピ
ペラジン類；Ｎ，Ｎ，Ｎ' ，Ｎ' −テトラメチル尿素、
Ｎ，Ｎ，Ｎ' ，Ｎ' −テトラエチル尿素、Ｎ−トリメチ
ルシリル−Ｎ−ｎ−ブチル−Ｎ，Ｎ' −ジエチル尿素な
どの尿素類、ジメチルグリオキシム等のオキシム類；
Ｎ，Ｎ，Ｎ' −トリメチル−Ｎ' −アセチルエチレンジ
アミン、ビストリメチルシリルアセトアミド、ビス−
Ｎ，Ｎ−（トリメチルシリル）ホルムアミド等のアミド
類；Ｎ，Ｎ，Ｎ' ，Ｎ' −テトラメチルスルファミド、
Ｎ，Ｎ，Ｎ' ，Ｎ' −テトラエチルスルファミド等のス
ルファミド類；ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラ
ン、ビス（ジエチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジ
メチルアミノ）ジフェニルシラン、トリス（ジメチルア
ミノ）メチルシラン、トリス（ジエチルアミノ）メチル
シラン、テトラキス（ジメチルアミノ）シラン、テトラ
キス（ジエチルアミノ）シラン等のアミノシラン類；メ
チルトリス（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノキシ）シラン等の
アミノキシシラン類等をあげることができる。これら窒
素含有化合物の中で、感度及び解像力の点で好ましい化
合物は下記構造式（Ｉ）で表される化合物である。

【００２６】

【化５】

【００２７】｛式中、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ は同一で
も異なっていても良く直鎖状または分岐状のアルキル基
または、直鎖状または分岐状のヒドロキシアルキル基を
表し、Ｘは、一般式（ＩＩ）または（ＩＩＩ）で示され
る基を表す。

【００２８】

【化６】

【００２９】（式中、ｎは０または１以上の自然数を表
し、Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ は同一でも異なっていても良く直鎖状ま
たは分岐状のアルキレン鎖を表す。）

【００３０】

【化７】

【００３１】（式中、ｍは１以上の自然数を表し、Ｒ
⁷ ，Ｒ⁸ は同一でも異なっていても良く直鎖状または分
岐状のアルキレン鎖を表し、Ｒ⁹ は、直鎖状または分岐
状のアルキル基または、直鎖状または分岐状のヒドロキ
シアルキル基を表す。また、ｍ＝１のときＲ⁹ とＲ¹ と
は互いに結合して環を形成していても良い。）｝

【００３２】一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）において、Ｒ
¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ 、Ｒ⁹ で示されるアルキル基又は
ヒドロキシアルキル基は炭素数１以上１０以下が好まし
く、更に好ましくは炭素数１以上６以下である。Ｒ⁵ ，
Ｒ⁶ ，Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ で示されるアルキレン鎖は、炭素数１
以上１２以下が好ましく、更に好ましくは炭素数３以上
６以下である。又、Ｒ⁹ とＲ¹ が互いに結合して環を形
成する場合、環を構成する炭素原子と窒素原子の和は５
以上２０以下が好ましく、より好ましくは５以上１０以
下である。ｎは０〜１０、好ましくは０〜６、ｍは１〜
１０、好ましくは１〜６の数である。式（Ｉ）で表され
る窒素含有化合物の中、更に好ましくは、脂肪族３級ア
ミンである。

【００３３】本発明組成物における窒素含有化合物の添
加量は、本発明樹脂成分１００重量部に対して、通常
０．０００１〜５重量部、好ましくは０．００１〜２重
量部の割合である。窒素含有化合物を上記範囲の量で用
いると、酸性反射防止膜に対する十分な耐性効果が得ら
れ、良好なレジストパターンが得られ好ましい。但し、
過剰に用いると、レジストの感度が低下する傾向があ
る。また、これら窒素含有化合物は単独で用いても複数
を併用しても良い。

【００３４】また、本発明の感放射線性樹脂組成物は、
その性質を損なわない範囲で染料、顔料、塗布性改良
剤、特開平７−９２６７９号公報、特開平８−１５８６
４号公報、特開平８−２６２７２１号公報、特開平１０
−２０５０１号公報などに記載されている有機カルボン
酸など、他の添加剤を含有してもよい。塗布性改良剤と
は感放射線性樹脂組成物の塗膜性を良くし、スピンコー
ト時の膜厚均一性を改善したり、感放射線性樹脂組成物
の現像性を良くする目的で添加されるものであり、従来
公知のものが使用できるが、たとえばポリオキシエチレ
ンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエ
ーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオ
キシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエ
チレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレング
リコールラウリレート、ポリオキシエチレングリコール
ジステアレート、エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、
ＥＦ３５２（トーケムプロダクツ社製）、メガファック
Ｆ１７０、Ｆ１７１、Ｆ１７２、Ｆ１７３（大日本イン
キ社製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１、ＦＣ１
７０Ｃ（住友３Ｍ社製）、アサヒガードＡＧ７１０、サ
ーフロンＳ−３８２、ＳＣ−１０１、ＳＣ−１０２、Ｓ
Ｃ−１０３、ＳＣ−１０４、ＳＣ−１０５、ＳＣ−１０
６（旭硝子社製）、ＫＰ３４１（信越化学社製）、ポリ
フローＮｏ．７５、Ｎｏ．９５（共栄社油脂化学工業
製）等の界面活性剤を挙げることができる。これらの界
面活性剤は単独であるいは２種以上を混合で用いること
ができ、通常樹脂成分１００重量部に対して、界面活性
剤０．００１重量部以上３重量部以下の割合で使用され
る。

【００３５】アルミ等の反射率の高い基板上でレジスト
の画像形成をする場合には、基板からの露光光の反射に
よるレジストパターン形状の劣化を防ぐために、吸光剤
を加えることができる。このような目的に使用される吸
光剤の例としては、ナフトキノンジアジド化合物、ベン
ゾフェノン類、ナフタレンやアントラセン等の縮合芳香
族環含有化合物等を挙げることができる。

【００３６】本発明の組成物は、通常、上記各成分を適
当な溶媒に溶解して用いる。溶媒としては、各成分特に
樹脂、感放射線性化合物及び窒素含有化合物に対して十
分な溶解度を持ち、良好な塗膜性を与える溶媒であれば
特に制限はない。例えば、２−ヘプタノン、２−ヘキサ
ノン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒；メチルセロ
ソルブ、エチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ系溶
媒；ジエチルオキサレート、ピルビン酸エチル、エチル
−２−ヒドロキシブチレート、エチルアセトアセテー
ト、酢酸ブチル、酢酸アミル、酪酸エチル、酪酸ブチ
ル、乳酸メチル、乳酸エチル、３−メトキシプロピオン
酸メチル、α−ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル、β
−メトキシイソ酪酸メチルエステル等のエステル系溶
媒；プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエ
チルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブ
チルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールジメ
チルエーテル等のプロピレングリコール系溶媒；あるい
はこれらの混合溶媒、あるいはさらに芳香族炭化水素を
添加したものなどが挙げられる。溶媒の使用割合は、感
光性組成物中の固形分の総量に対して重量で１〜２０倍
の範囲であることが好ましい。

【００３７】本発明の感放射線性組成物は、通常のポジ
型感放射線性組成物を用いて半導体基板上にレジストパ
ターンを形成する場合と同様に使用される。即ち、通常
上記のような溶媒に溶解した本発明の組成物を半導体基
板上に塗布し、プリベーク、露光によるパターン転写、
ＰＥＢ、現像の各工程を経てフォトレジストとして使用
することができる。半導体基板は通常半導体製造用基板
として使用されているものであり、シリコン基板、ガリ
ウムヒ素基板等である。

【００３８】塗布には通常スピンコーターが使用され、
露光には、高圧水銀灯の４３６ｎｍ、３６５ｎｍの光、
低圧水銀灯の２５４ｎｍ、又はエキシマーレーザー等を
光源とする１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、２２２ｎｍ、２４
８ｎｍの光またはＸ線、電子線等が用いられる。特に３
００ｎｍ以下の光に有効に使用される。露光の際の光
は、単色光でなくブロードであってもよい。また、位相
シフト法による露光も適用可能である。

【００３９】本発明組成物の現像液には、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリ
ウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機ア
ルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第１
級アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン
等の第２級アミン類、トリアミンエチル、Ｎ，Ｎ−ジエ
チルメチルアミン等の第３級アミン類、テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキシド、トリメチルヒドロキシエ
チルアンモニウムハイドロオキシド等の第４級アンモニ
ウム化合物、もしくはこれにアルコール、界面活性剤等
を添加したものを使用することができる。本発明感放射
線性組成物は、超ＬＳＩの製造のみならず一般のＩＣ製
造用、マスク製造用、画像形成用、液晶画面製造用、カ
ラーフィルター製造用あるいはオフセット印刷用として
も有用である。特に波長２００〜３００ｎｍの深紫外レ
ーザー用に有用である。

【００４０】

【実施例】次に実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はその要旨を越えない限り実施例により
何ら制約は受けるものではない。

【００４１】＜合成例１＞ １−エトキシエチル化ポリ
（ｐ−ビニルフェノール）の合成 窒素導入管、撹拌機、温度計を備えた１リットルの４つ
口フラスコに、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）（重量
平均分子量３０，７００）８０ｇを入れ、テトラヒドロ
フラン４００ｍｌを加え溶解し、さらにエチルビニルエ
ーテル２９．２ｇを加えた。これに、１２Ｎの塩酸０．
４ｍｌを滴下し、撹拌しながら４０℃で１．５時間反応
させた。反応後、２８％アンモニア水４ｍｌを加え撹拌
した。さらにメタノール２００ｍｌを加え撹拌後、純水
７．２リットル中に滴下してポリマーを析出させた後、
ろ別し、室温で１０時間真空乾燥することによって、１
０３ｇの１−エトキシエチル化ポリ（ｐ−ビニルフェノ
ール）を得た。合成した１−エトキシエチル化ポリ（ｐ
−ビニルフェノール）の１−エトキシエチル化率は、¹
Ｈ−ＮＭＲ分析の結果３９％であった。なお、１−エト
キシエチル化率は、 ¹ Ｈ−ＮＭＲスペクトルにおける１
−エトキシエチル基のメチンのプロトンピーク（５．３
ｐｐｍ）面積とベンゼン環のプロトンのピーク（６．６
ｐｐｍ）面積を比較することによって決定した。

【００４２】実施例１〜７および比較例１〜３ （１）感放射線性樹脂組成物塗布液の調製 合成例１で得られた樹脂１００重量部、感放射線性化合
物であるシクロへキシルスルホニル（４ーメトキシフェ
ニルスルホニル）ジアゾメタン２重量部、界面活性剤フ
ロラードＦＣ４３０を０．０１重量部及び下記表−１に
示す窒素含有化合物の所定量をプロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート（溶媒）４７０重量部に溶
解した後、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過す
ることによって、塗布液（Ｓ１）〜（Ｓ１０）を調製し
た。

【００４３】

【表１】

【００４４】（２）反射防止膜用塗布液の調製 ポリビニルピロリドン（重量平均分子量３０００）０．
１ｇと、パーフルオロオクチルスルホン酸０．４ｇとを
脱塩水１９．５ｇに溶解した後、０．２μｍのメンブレ
ンフィルターで濾過することによって、反射防止膜用塗
布液（Ｔ１）を調製した。この反射防止膜用塗布液の酸
性度を測定したところ２．０であった。

【００４５】（３）レジストパターンの形成及び評価 酸性基板として、シリコン基板上にＤＵＶ４２（ブリュ
ワー サイエンス社製、反射防止膜）を８００Åの膜厚
となるようにスピンコートし、１８０℃で６０秒間ベー
クした。（１）で得られた塗布液Ｓ１〜Ｓ１０を、２，
０００〜３，０００回転／分で前記基板上にスピンコー
トし、ホットプレート上で８０℃で６０秒間プリベーク
し、レジスト膜厚が０．７２μｍのレジスト塗布基板を
得た。次に、レジスト膜上に反射防止膜用塗布液（Ｔ
１）を膜厚が０．０４３μｍとなるようにスピンコート
し、６０℃で６０秒間ベークした。この基板をニコン製
ＫｒＦエキシマーレーザ縮小投影露光装置（ＮＡ＝０．
４２）で露光し、１１０℃で６０秒ベークした後、濃度
２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液で６０秒間現像し、パターンを形成した。このよう
にしてできたレジストパターンを用いて、感度、解像
度、未露光部膜減り量、アンダーカットの評価を行っ
た。なお、それぞれの評価は、次に示す通りの基準で行
った。

【００４６】＜感度＞レジストパターンを走査型電子顕
微鏡で観察し、０．３０μｍのライン アンド スペー
スが規定の線幅通りに解像するのに要した露光量（適正
露光量）を感度とした。露光量が低い方が高感度である
ことを示している。 ＜解像度＞上記適正露光量において解像しているライン
アンド スペースのうち、膜減りをすることなく解像
している最も細いライン アンド スペースの線幅を解
像度とした。 ＜ｋ値＞前記（Ａ）式に、レジストの解像度＝Ｒ、露光
装置の開口係数ＮＡ＝０．４２、露光波長λ＝０．２４
８として得られた次式により計算によって求めた。ｋ値
が小さい方が高解像力であることを示している。

【００４７】

【数２】ｋ＝０．４２Ｒ／０．２４８

【００４８】＜未露光部膜減り量＞レジスト膜の露光さ
れていない部分での、レジスト塗布膜厚と現像後膜厚と
の差を未露光部膜減り量とした。 ＜アンダーカット＞適正露光量での０．２６μｍのライ
ン アンド スペースのレジスト断面形状を走査電子顕
微鏡で観察し、レジストの最も太くなっている部分の線
幅に対するレジストの基板界面での線幅の比をアンダー
カット量とした。この値が１に近い方がアンダーカット
が少ないことを示している。

【００４９】

【表２】

【００５０】

【発明の効果】実施例から明らかなように、本発明の感
放射線性樹脂組成物は、特定の窒素含有化合物を使用す
ることにより、酸性の基板を用い、酸性の反射防止膜を
使用した場合にも、膜減りが少なく、アンダーカットの
無いパターンを形成することが出来、且つ、実用的な感
度と高解像力を有している。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 酸の作用によりアルカリ可溶性が増大す
   る樹脂、放射線の作用により酸を生成する感放射線性化
   合物及び窒素含有化合物を含有する感放射線性樹脂組成
   物であって、該窒素含有化合物が分子中に２個以上の窒
   素原子を含有し、かつそれぞれの窒素原子は、炭素原
   子、ケイ素原子、酸素原子、イオウ原子から選ばれる原
   子のみと直接結合している化合物であることを特徴とす
   る感放射線性樹脂組成物。
2. 【請求項２】 窒素含有化合物の分子量が１，０００以
   下であることを特徴とする請求項１に記載の感放射線性
   樹脂組成物。
3. 【請求項３】 窒素含有化合物が、少なくとも窒素原
   子、炭素原子、酸素原子及び水素原子を含有する化合物
   であることを特徴とする請求項１又は２に記載の感放射
   線性樹脂組成物。
4. 【請求項４】 窒素含有化合物が、脂肪族第３級アミン
   であることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載
   の感放射線性樹脂組成物。
5. 【請求項５】 窒素含有化合物が、下記一般式（Ｉ）で
   示される化合物であることを特徴とする請求項１乃至４
   の何れかに記載の感放射線性樹脂組成物。 【化１】 ｛式中、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ は、同一でも異なって
   いても良く、直鎖状または分岐状のアルキル基または、
   直鎖状または分岐状のヒドロキシアルキル基を表し、Ｘ
   は、下記一般式（ＩＩ）または（ＩＩＩ）で示される基
   を表す。 【化２】 （式中、ｎは０または１以上の自然数を表し、Ｒ⁵ ，Ｒ
   ⁶ は同一でも異なっていても良く直鎖状または分岐状の
   アルキレン鎖を表す。） 【化３】 （式中、ｍは１以上の自然数を表し、Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は同一
   でも異なっていても良く直鎖状または分岐状のアルキレ
   ン鎖を表し、Ｒ⁹ は、直鎖状または分岐状のアルキル基
   または、直鎖状または分岐状のヒドロキシアルキル基を
   表す。また、ｍ＝１のときＲ⁹ とＲ¹ とは互いに結合し
   て環を形成していても良い。）｝
6. 【請求項６】 窒素含有化合物を、樹脂１００重量部に
   対し、０．０００１〜５重量部配合することを特徴とす
   る請求項１乃至５の何れかに記載の感放射線性樹脂組成
   物。