TWI504447B - 吸附平台 - Google Patents
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Description
本發明係有關於吸附工件之吸附平台,特別是有關適於吸附厚度為100μm等級之薄板玻璃或薄膜等極薄之板片狀工件的吸附平台。
於習知技術,已知有以吸附平台吸附將成為處理對象之工件,以施行指定處理之工件處理裝置(例如,請參考專利文獻1。)。作為工件之具體例,可列舉:半導體基板、液晶顯示裝置用玻璃基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板等片(sheet)狀且矩形之工件。
第6圖係顯示習知技術之吸附平台的俯視圖。如第6圖所示,吸附平台101之頂面為工件(未圖示。)之保持面101A,於該保持面101A之中央部,設定有用以吸附工件之矩形的吸附部。吸附部具有吸附溝110。吸附溝110係以複數之縱溝111及複數之橫溝112而形成為格子狀。如此之吸附溝110,可藉由使用鑽石切割機之切削加工等輕易地形成。
第7圖係第6圖之鏈線所圍出之VII部份的放大圖。如第7圖所示,從與吸附平台101之保持面101A相反側的面(底面)101B,到對應於吸附部之區域的適當處,以鑽孔加工而在吸附溝110的正下方形成有複數之圓形的下孔120。
第8圖係第6圖之箭頭方向之VIII-VIII線剖面圖。各個下孔120係以不貫穿吸附平台101之範圍的深度(請參考第8圖之符號D1。),從吸附平台101之底面形成。下孔120之下部,氣密性地裝設有襯套102,用以連接真空泵(未圖示。)。
另外,在吸附部中加工有複數之下孔120的各個位置,以鑽孔加工形成有從吸附平台101之頂面貫通至下孔120的連通孔130。藉由連通孔130,而連通各個下孔120與吸附溝110。
連通孔130,係從預先形成於保持面101A之吸附溝110上,以鑽孔加工而形成。因此,連通孔130之孔徑之極限,為1mm φ或0.8mm φ之程度。吸附溝110的溝寬通常係較此為小之尺寸。尤其在專門用於吸附厚度為100μm等級之薄片玻璃或薄膜等極薄之板片狀工件的吸附平台,基於確保工件在吸附部之接觸面積的立場,吸附溝110之溝寬為0.2mm之程度者也不少見,連通孔130之孔徑就會高達吸附溝110之溝寬的4~5倍之程度。也就是說,在連通孔130之處所,吸附溝110的溝寬會局部地變大。
若於如此之吸附平台101之吸附部,吸附上述之極薄之板片狀工件,則於工件之表面,會在連通孔130之處產生點狀凹陷之變形的狀態下,受到吸附。
吸附平台設於:對吸附平台之保持面所保持之工件的表面施行指定處理的設備。塗佈裝置即為此種處理裝置之一例。塗佈裝置具有狹縫噴嘴,該狹縫噴嘴與吸附平台之保持面平行地行進,而由此狹縫噴嘴對工件表面噴吐塗佈液,而以特定之膜厚進行塗佈。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-85881號公報
薄膜化已進展到塗佈裝置所得以塗佈之塗膜的膜厚,在濕膜之狀態下為1~1.5μm之程度。因此,若在工件之表面,就算深度只有數μm,只要點狀地形成了幾個凹陷,塗佈液就會卡在該凹陷處,使得塗膜乾燥後僅該部位變厚,而產生膜厚不平均的問題。
本發明係有鑑於上述課題所開發者,其目的在於,提供一種吸附平台,可以在不使極薄之板片狀工件之表面產生凹凸的情況下,整面齊平地加以抽吸吸附。
吸附平台,係以設定於保持面之吸附部,抽吸吸附極薄之板片狀工件。本發明提供此種吸附平台,其具有吸附溝、複數之下孔、以及複數之連通溝。吸附溝,形成於保持面之吸附部,以複數之縱溝及複數之橫溝而形成為格子狀。複數之下孔,形成於與保持面相反側的面中對應於吸附部之區域處,且係在吸附溝之正下方;此處所謂「對應之區城處」的意義,不僅包括空間上正確對應之區城處,亦包括對應之區城的適當處。複數之連通溝,以與吸附溝實質相同之溝寬,沿著吸附溝形成,連接於複數之下孔之各自的上端,使下孔與吸附溝連通;此處所謂「實質相同之溝寬」的意義,不僅包括空間上正確相同之溝寬,亦包括大致相同之溝寬。
若依據此結構,則不會在設定於吸附平台之保持面內之吸附部,產生比吸附溝之溝寬還要大的開口。
若依據本發明,可以在不使極薄之板片狀工件之表面產生凹凸的情況下,整面齊平地加以吸附。藉由在塗佈裝置採用本發明之吸附平台,可以在極薄之板片狀工件的表面,以平均之膜厚將塗佈液加以塗佈。
1‧‧‧吸附平台
1A‧‧‧保持面
1B‧‧‧底面
2‧‧‧襯套
10‧‧‧吸附溝
11‧‧‧縱溝
12‧‧‧橫溝
20‧‧‧下孔
30‧‧‧連通溝
101‧‧‧吸附平台
101A‧‧‧保持面
101B‧‧‧底面
102‧‧‧襯套
110‧‧‧吸附溝
110A‧‧‧保持面
111‧‧‧縱溝
112‧‧‧橫溝
120‧‧‧下孔
130‧‧‧連通孔
D1‧‧‧深度
第1圖係顯示本發明之一實施形態之吸附平台的俯視圖。
第2圖係第1圖中,一點鏈線所圍出之II部份的放大圖。
第3圖係第1圖中,箭頭方向之III-III線剖面圖。
第4圖係第1圖中,一點鏈線所圍出之IV部份的放大圖。
第5圖係第1圖中,箭頭方向之V-V線剖面圖。
第6圖係顯示習知技術之吸附平台的俯視圖。
第7圖係第6圖中,一點鏈線所圍出之VII部份的放大圖。
第8圖係第6圖中,箭頭方向之VIII-VIII線剖面圖。
以下,參考圖式,以說明本發明之實施形態。
第1圖顯示本發明之一實施形態之吸附平台的俯視圖。如第1圖所示,吸附平台1之頂面為工件(不圖示。)之保持面1A,於該保持面1A之中央部,設定有用以吸附工件之矩形的吸附部。
吸附部具有吸附溝10。第2圖係第1圖中,鏈線所圍出之II部份的放大圖。第3圖係第1圖中,箭頭方向之III-III線剖面圖。如第2圖、第3圖所示,吸附溝10係以複數之縱溝11及複數之橫溝12,而形成為格子狀。又,吸附部亦可係分割為複數之區塊,以區塊為單位來形成縱溝11與橫溝12,而使吸附部整體呈現與第1圖相同之格子圖案。如此之吸附溝10,可藉由使用鑽石切割機之切削加工輕易地形成。
第4圖係第1圖中,鏈線所圍出之IV部份的放大圖。如第4圖所示,從吸附平台1的與保持面1A相反側的面(底面)1B,到對應於吸附部之區域的適當處(於本實施形態為12處。),以鑽孔加工而在吸附溝10(於本
實施形態係橫溝12。)之正下方形成有複數之圓形的下孔20。
第5圖係第1圖中,箭頭方向之V-V線剖面圖。各下孔20係以不貫穿吸附平台1之範圍的深度(請參考第5圖之符號D1。),從吸附平台1之底面形成。下孔20之下部,氣密性地裝設有襯套2,用以連接真空泵(未圖示。)。
另外,在吸附部中加工有複數之下孔20的各個位置,形成有從吸附平台1之頂面貫通至下孔20的連通溝30。藉由連通溝30,而連通下孔20與吸附溝10。
如第4圖、第5圖所示,連通溝30係以與橫溝12大致相同之溝寬,而沿著橫溝12形成。連通溝30連接橫溝12及下孔20之上端。藉由連通溝30,而使各下孔20與吸附溝10連通。此外,連通溝30之溝寬,由於有時會因加工精度等,而比橫溝12之溝寬稍大,因此並不嚴格要求必須相同。
如此這般,連通溝30在使用鑽石切割機形成吸附溝10(於本實施形態,係橫溝12。)之步驟,可以藉由調整鑽石切割機之切削深度以形成。亦即,由於在吸附溝10之形成步驟,可以同時製作連通溝30,因此不需要如習知技術之連通孔130(請參考第7圖。)那般,另行進行鑽孔加工的步驟,故而得以提昇吸附平台之製造效率。
於本實施形態,雖然下孔20係形成在橫溝12之正下方、且係縱溝11與橫溝12之交點以外的部份,但下孔20亦可形成於縱溝11之正下方,亦可形成在縱溝11與橫溝12之交點正下方。再者,於縱溝11與橫溝12之交點的正下方形成下孔20之情形,亦可於縱溝11與橫溝12之雙方,形成連通溝30,使其在該交點呈十字交叉。
若依據本發明,不會在設定於吸附平台10之保持面1A內之吸附部,產生比吸附溝10之溝寬還要大的開口。藉此,可以在不使極薄之板片狀工件
之表面產生凹凸的情況下,整面齊平地加以吸附。藉由在塗佈裝置採用本發明之吸附平台,可以在極薄之板片狀工件的表面,以平均之膜厚將塗佈液加以塗佈。
上述實施形態之說明,在各方面均僅屬例示,並不應視其為限定性的表述。本發明之範圍,並不以上述實施形態呈現,而係以申請專利範圍呈現。並且,本發明之範圍,包含與申請專利範圍均等之意味及範圍內的所有變更。
1‧‧‧吸附平台
1A‧‧‧保持面
11‧‧‧縱溝
12‧‧‧橫溝
20‧‧‧下孔
30‧‧‧連通溝
Claims (3)
- 一種吸附平台,以設定於保持面之吸附部,抽吸吸附極薄之板片狀工件;該吸附平台包含:吸附溝,形成於該保持面之該吸附部,以複數之縱溝及複數之橫溝形成為格子狀;複數之下孔,形成於與該保持面相反側的面中對應於該吸附部之區域處,且係在該吸附溝之正下方;以及複數之連通溝,以與該吸附溝實質相同之溝寬,沿著該吸附溝延伸形成,直接連接於該複數之下孔之各自的上端,使該下孔與該吸附溝連通。
- 如申請專利範圍第1項之吸附平台,其中,該連通溝僅沿著該縱溝或該橫溝形成。
- 如申請專利範圍第2項之吸附平台,其中,該連通溝形成於該縱溝與該橫溝之交點以外的部份。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012177077A JP6057599B2 (ja) | 2012-08-09 | 2012-08-09 | 吸着定盤及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201406470A TW201406470A (zh) | 2014-02-16 |
TWI504447B true TWI504447B (zh) | 2015-10-21 |
Family
ID=50041073
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW102128495A TWI504447B (zh) | 2012-08-09 | 2013-08-08 | 吸附平台 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6057599B2 (zh) |
KR (1) | KR101488227B1 (zh) |
CN (1) | CN103567914B (zh) |
TW (1) | TWI504447B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106441410B (zh) * | 2016-08-31 | 2020-01-07 | 上海交通大学 | 采用抽吸方式固定谷穗的装置及使用方法 |
KR102012784B1 (ko) * | 2016-12-07 | 2019-08-21 | 모던세라믹스(주) | 실리콘 카바이드를 이용한 진공척 및 그 제조방법 |
CN114102467B (zh) * | 2021-11-23 | 2024-08-23 | 苏州普瑞得电子有限公司 | 一种可调节的电子产品表面处理挂接装置 |
CN114211348B (zh) * | 2021-12-09 | 2023-03-21 | Tcl华星光电技术有限公司 | 吸附装置及磨边机 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6809802B1 (en) * | 1999-08-19 | 2004-10-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate attracting and holding system for use in exposure apparatus |
US20090050621A1 (en) * | 2005-07-27 | 2009-02-26 | Tomoyuki Awazu | Wafer holder, heater unit used for wafer prober having the wafer holder, and wafer prober having the heater unit |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3676520B2 (ja) * | 1996-10-31 | 2005-07-27 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板載置台 |
JPH10229116A (ja) * | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Nikon Corp | 基板ホルダ |
JP2000021960A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 真空チャック |
JP2002289675A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-10-04 | Kyocera Corp | 真空吸着装置 |
DE10235482B3 (de) * | 2002-08-02 | 2004-01-22 | Süss Microtec Lithography Gmbh | Vorrichtung zum Fixieren dünner und flexibler Substrate |
JP2004214748A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Alpine Electronics Inc | 映像再生装置及び表示制御方法 |
JP4080401B2 (ja) * | 2003-09-05 | 2008-04-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR20070094658A (ko) * | 2005-01-13 | 2007-09-20 | 샤프 가부시키가이샤 | 표시 패널의 제조 장치 및 표시 패널의 제조 방법 |
JP2007114570A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Nikon Corp | 基板ホルダ、露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP4771893B2 (ja) | 2006-08-24 | 2011-09-14 | 東京応化工業株式会社 | 基板保持装置 |
JP2008124050A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-05-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 吸着ステージおよび基板処理装置 |
JP5170839B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2013-03-27 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス基板の搬送方法 |
JP4639313B2 (ja) * | 2009-01-08 | 2011-02-23 | 日本フッソ工業株式会社 | フッ素樹脂コーティングプレート及び吸着ステージ |
CN201881364U (zh) * | 2010-10-19 | 2011-06-29 | 沈永才 | 真空吸附式工作平台 |
JP2012250206A (ja) * | 2011-06-06 | 2012-12-20 | Toray Eng Co Ltd | 塗布装置 |
-
2012
- 2012-08-09 JP JP2012177077A patent/JP6057599B2/ja active Active
-
2013
- 2013-07-15 KR KR20130082759A patent/KR101488227B1/ko active IP Right Grant
- 2013-08-07 CN CN201310342008.1A patent/CN103567914B/zh active Active
- 2013-08-08 TW TW102128495A patent/TWI504447B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6809802B1 (en) * | 1999-08-19 | 2004-10-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate attracting and holding system for use in exposure apparatus |
US20090050621A1 (en) * | 2005-07-27 | 2009-02-26 | Tomoyuki Awazu | Wafer holder, heater unit used for wafer prober having the wafer holder, and wafer prober having the heater unit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103567914A (zh) | 2014-02-12 |
JP6057599B2 (ja) | 2017-01-11 |
KR101488227B1 (ko) | 2015-01-30 |
JP2014036141A (ja) | 2014-02-24 |
KR20140020740A (ko) | 2014-02-19 |
TW201406470A (zh) | 2014-02-16 |
CN103567914B (zh) | 2015-12-02 |
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