TW201406470A - 吸附平台 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題，係在不使極薄之板片狀工件之表面產生凹凸的情況下，整面齊平地加以抽吸。吸附平台1，係以設定於保持面1A之吸附部，抽吸吸附極薄之板片狀工件。本發明提供此種吸附平台，其具有吸附溝10、複數之下孔20、以及複數之連通溝30。吸附溝10，形成於保持面1A之吸附部，以複數之縱溝11及複數之橫溝12而形成為格子狀。複數之下孔20，形成於與保持面1A相反側的面1B中對應於吸附部之區域的適當處，且係在吸附溝10之正下方。複數之連通溝30，以與吸附溝10大致相同的溝寬，沿著吸附溝10形成，連接於複數之下孔20之各自的上端，使下孔與吸附溝連通。

Description

吸附平台
本發明係有關於吸附工件之吸附平台，特別是有關適於吸附厚度為100μm等級之薄板玻璃或薄膜等極薄之板片狀工件的吸附平台。
於習知技術，已知有以吸附平台吸附將成為處理對象之工件，以施行指定處理之工件處理裝置(例如，請參考專利文獻1。)。作為工件之具體例，可列舉：半導體基板、液晶顯示裝置用玻璃基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板等片(sheet)狀且矩形之工件。
第6圖係顯示習知技術之吸附平台的俯視圖。如第6圖所示，吸附平台101之頂面為工件(未圖示。)之保持面101A，於該保持面101A之中央部，設定有用以吸附工件之矩形的吸附部。吸附部具有吸附溝110。吸附溝110係以複數之縱溝111及複數之橫溝112而形成為格子狀。如此之吸附溝110，可藉由使用鑽石切割機之切削加工等輕易地形成。
第7圖係第6圖之鏈線所圍出之VII部份的放大圖。如第7圖所示，從與吸附平台101之保持面101A相反側的面(底面)101B，到對應於吸附部之區域的適當處，以鑽孔加工而在吸附溝110的正下方形成有複數之圓形的下孔120。
第8圖係第6圖之箭頭方向之VIII-VIII線剖面圖。各個下孔120係以不貫穿吸附平台101之範圍的深度(請參考第8圖之符號D1。)，從吸附平台101之底面形成。下孔120之下部，氣密性地裝設有襯套102，用以連接真空泵(未圖示。)。
另外，在吸附部中加工有複數之下孔120的各個位置，以鑽孔加工形成有從吸附平台101之頂面貫通至下孔120的連通孔130。藉由連通孔130，而連通各個下孔120與吸附溝110。
連通孔130，係從預先形成於保持面101A之吸附溝110上，以鑽孔加工而形成。因此，連通孔130之孔徑之極限，為1mm φ或0.8mm φ之程度。吸附溝110的溝寬通常係較此為小之尺寸。尤其在專門用於吸附厚度為100μm等級之薄片玻璃或薄膜等極薄之板片狀工件的吸附平台，基於確保工件在吸附部之接觸面積的立場，吸附溝110之溝寬為0.2mm之程度者也不少見，連通孔130之孔徑就會高達吸附溝110之溝寬的4~5倍之程度。也就是說，在連通孔130之處所，吸附溝110的溝寬會局部地變大。
若於如此之吸附平台101之吸附部，吸附上述之極薄之板片狀工件，則於工件之表面，會在連通孔130之處產生點狀凹陷之變形的狀態下，受到吸附。
吸附平台設於：對吸附平台之保持面所保持之工件的表面施行指定處理的設備。塗佈裝置即為此種處理裝置之一例。塗佈裝置具有狹縫噴嘴，該狹縫噴嘴與吸附平台之保持面平行地行進，而由此狹縫噴嘴對工件表面噴吐塗佈液，而以特定之膜厚進行塗佈。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-85881號公報
薄膜化已進展到塗佈裝置所得以塗佈之塗膜的膜厚，在濕膜之狀態下為1~1.5μm之程度。因此，若在工件之表面，就算深度只有數μm，只要點狀地形成了幾個凹陷，塗佈液就會卡在該凹陷處，使得塗膜乾燥後僅該部位變厚，而產生膜厚不平均的問題。
本發明係有鑑於上述課題所開發者，其目的在於，提供一種吸附平台，可以在不使極薄之板片狀工件之表面產生凹凸的情況下，整面齊平地加以抽吸吸附。
吸附平台，係以設定於保持面之吸附部，抽吸吸附極薄之板片狀工件。本發明提供此種吸附平台，其具有吸附溝、複數之下孔、以及複數之連通溝。吸附溝，形成於保持面之吸附部，以複數之縱溝及複數之橫溝而形成為格子狀。複數之下孔，形成於與保持面相反側的面中對應於吸附部之區域處，且係在吸附溝之正下方；此處所謂「對應之區城處」的意義，不僅包括空間上正確對應之區城處，亦包括對應之區城的適當處。複數之連通溝，以與吸附溝實質相同之溝寬，沿著吸附溝形成，連接於複數之下孔之各自的上端，使下孔與吸附溝連通；此處所謂「實質相同之溝寬」的意義，不僅包括空間上正確相同之溝寬，亦包括大致相同之溝寬。
若依據此結構，則不會在設定於吸附平台之保持面內之吸附部，產生比吸附溝之溝寬還要大的開口。
若依據本發明，可以在不使極薄之板片狀工件之表面產生凹凸的情況下，整面齊平地加以吸附。藉由在塗佈裝置採用本發明之吸附平台，可以在極薄之板片狀工件的表面，以平均之膜厚將塗佈液加以塗佈。
1‧‧‧吸附平台
1A‧‧‧保持面
1B‧‧‧底面
2‧‧‧襯套
10‧‧‧吸附溝
11‧‧‧縱溝
12‧‧‧橫溝
20‧‧‧下孔
30‧‧‧連通溝
101‧‧‧吸附平台
101A‧‧‧保持面
101B‧‧‧底面
102‧‧‧襯套
110‧‧‧吸附溝
110A‧‧‧保持面
111‧‧‧縱溝
112‧‧‧橫溝
120‧‧‧下孔
130‧‧‧連通孔
D1‧‧‧深度
第1圖係顯示本發明之一實施形態之吸附平台的俯視圖。
第2圖係第1圖中，一點鏈線所圍出之II部份的放大圖。
第3圖係第1圖中，箭頭方向之III-III線剖面圖。
第4圖係第1圖中，一點鏈線所圍出之IV部份的放大圖。
第5圖係第1圖中，箭頭方向之V-V線剖面圖。
第6圖係顯示習知技術之吸附平台的俯視圖。
第7圖係第6圖中，一點鏈線所圍出之VII部份的放大圖。
第8圖係第6圖中，箭頭方向之VIII-VIII線剖面圖。
以下，參考圖式，以說明本發明之實施形態。
第1圖顯示本發明之一實施形態之吸附平台的俯視圖。如第1圖所示，吸附平台1之頂面為工件(不圖示。)之保持面1A，於該保持面1A之中央部，設定有用以吸附工件之矩形的吸附部。
吸附部具有吸附溝10。第2圖係第1圖中，鏈線所圍出之II部份的放大圖。第3圖係第1圖中，箭頭方向之III-III線剖面圖。如第2圖、第3圖所示，吸附溝10係以複數之縱溝11及複數之橫溝12，而形成為格子狀。又，吸附部亦可係分割為複數之區塊，以區塊為單位來形成縱溝11與橫溝12，而使吸附部整體呈現與第1圖相同之格子圖案。如此之吸附溝10，可藉由使用鑽石切割機之切削加工輕易地形成。
第4圖係第1圖中，鏈線所圍出之IV部份的放大圖。如第4圖所示，從吸附平台1的與保持面1A相反側的面(底面)1B，到對應於吸附部之區域的適當處(於本實施形態為12處。)，以鑽孔加工而在吸附溝10(於本 實施形態係橫溝12。)之正下方形成有複數之圓形的下孔20。
第5圖係第1圖中，箭頭方向之V-V線剖面圖。各下孔20係以不貫穿吸附平台1之範圍的深度(請參考第5圖之符號D1。)，從吸附平台1之底面形成。下孔20之下部，氣密性地裝設有襯套2，用以連接真空泵(未圖示。)。
另外，在吸附部中加工有複數之下孔20的各個位置，形成有從吸附平台1之頂面貫通至下孔20的連通溝30。藉由連通溝30，而連通下孔20與吸附溝10。
如第4圖、第5圖所示，連通溝30係以與橫溝12大致相同之溝寬，而沿著橫溝12形成。連通溝30連接橫溝12及下孔20之上端。藉由連通溝30，而使各下孔20與吸附溝10連通。此外，連通溝30之溝寬，由於有時會因加工精度等，而比橫溝12之溝寬稍大，因此並不嚴格要求必須相同。
如此這般，連通溝30在使用鑽石切割機形成吸附溝10(於本實施形態，係橫溝12。)之步驟，可以藉由調整鑽石切割機之切削深度以形成。亦即，由於在吸附溝10之形成步驟，可以同時製作連通溝30，因此不需要如習知技術之連通孔130(請參考第7圖。)那般，另行進行鑽孔加工的步驟，故而得以提昇吸附平台之製造效率。
於本實施形態，雖然下孔20係形成在橫溝12之正下方、且係縱溝11與橫溝12之交點以外的部份，但下孔20亦可形成於縱溝11之正下方，亦可形成在縱溝11與橫溝12之交點正下方。再者，於縱溝11與橫溝12之交點的正下方形成下孔20之情形，亦可於縱溝11與橫溝12之雙方，形成連通溝30，使其在該交點呈十字交叉。
若依據本發明，不會在設定於吸附平台10之保持面1A內之吸附部，產生比吸附溝10之溝寬還要大的開口。藉此，可以在不使極薄之板片狀工件 之表面產生凹凸的情況下，整面齊平地加以吸附。藉由在塗佈裝置採用本發明之吸附平台，可以在極薄之板片狀工件的表面，以平均之膜厚將塗佈液加以塗佈。
上述實施形態之說明，在各方面均僅屬例示，並不應視其為限定性的表述。本發明之範圍，並不以上述實施形態呈現，而係以申請專利範圍呈現。並且，本發明之範圍，包含與申請專利範圍均等之意味及範圍內的所有變更。
1‧‧‧吸附平台
1A‧‧‧保持面
11‧‧‧縱溝
12‧‧‧橫溝
20‧‧‧下孔
30‧‧‧連通溝

Claims (3)

  1. 一種吸附平台，以設定於保持面之吸附部，抽吸吸附極薄之板片狀工件；該吸附平台包含：吸附溝，形成於該保持面之該吸附部，以複數之縱溝及複數之橫溝形成為格子狀；複數之下孔，形成於與該保持面相反側的面中對應於該吸附部之區域處，且係在該吸附溝之正下方；以及複數之連通溝，以與該吸附溝實質相同之溝寬，沿著該吸附溝形成，連接於該複數之下孔之各自的上端，使該下孔與該吸附溝連通。
  2. 如申請專利範圍第1項之吸附平台，其中，該連通溝僅沿著該縱溝或該橫溝形成。
  3. 如申請專利範圍第2項之吸附平台，其中，該連通溝形成於該縱溝與該橫溝之交點以外的部份。
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