TWI650291B - 刻劃方法及刻劃裝置 - Google Patents

Abstract

於密封材之正上及正下之位置形成刻劃線之情況下，提供一種能夠於基板形成足夠之深度之裂紋之刻劃方法及刻劃裝置。

於將2個玻璃基板G1、G2藉由密封材SL黏合而成之母基板G形成刻劃線時，於玻璃基板G1之表面之密封材SL對向之位置一面將刻劃輪301壓抵，一面使刻劃輪301沿著密封材SL移動，且藉此並行而於玻璃基板G2之表面之自刻劃輪301沿著密封材SL之方向位移W1之位置一面將刻劃輪401壓抵，一面使刻劃輪401沿著密封材SL移動。

Description

刻劃方法及刻劃裝置

本發明係關於一種用於在基板形成刻劃線之刻劃方法及刻劃裝置。

以往，玻璃基板等脆性材料基板之分斷係藉由於基板表面形成刻劃線之刻劃步驟，以及沿著被形成之刻劃線而於基板表面施加既定之力之裂斷步驟而進行。於刻劃步驟中，刻劃輪之刀尖係，一面壓抵於基板表面，一面沿著既定之線而被移動。於刻劃線之形成中，使用具備刻劃頭之刻劃裝置。

下述之專利文獻1中，記載有用於自母基板將液晶面板切除之方法。此方法中，藉由將形成有薄膜電晶體(TFT)之基板及形成有濾色片(CF)之基板透過密封材貼合而形成母基板。藉由此母基板之分斷而獲得各個液晶面板。

密封材，係以兩個基板貼合之狀態保留形成液晶注入區域之空間之方式配置。

將上述之構成之母基板進行分斷之情形，能夠使用下述方法：使用兩個刻劃頭，於母基板之兩面，同時形成刻劃線之方法(例如，參照專利文獻2)。此情形，兩個刻劃頭以夾持母基板之方式配置。兩個刻劃輪被定位於俯視基板時之相同位置。此狀態中，兩個刻劃輪於相同方向同 時地被移動而於基板之各表面形成刻劃線。

[專利文獻1]日本特開2006-137641號公報

[專利文獻2]日本特開2012-241902號公報

如上述專利文獻1所示，於習知之母基板中，在相鄰之液晶注入區域間，存在有無介入密封材之區域。故，於藉由如上述之兩個刻劃頭而於母基板之兩面同時形成刻劃線之情形，在無介入密封材之區域，能夠形成刻劃線。若如此方式形成刻劃線而將母基板分斷，則於液晶面板，於液晶注入區域之周圍殘留有既定寬度之邊緣區域。

但是，近年來，尤其是在手機用液晶面板，使上述邊緣區域極致地狹窄逐漸成為主流。為了因應此需求，於母基板省略無介入密封材之區域，且相鄰之液晶注入區域，需要以僅藉由密封材分隔之方式構成。此情形，刻劃線成為，形成於密封材之正下以及正下。

然而，經本案發明者們確認有如下問題：若如此方式於密封材之正上以及正下之位置形成刻劃線，則無法於兩個玻璃基板充分地產生裂紋。若於如此裂紋不充分之狀態實行裂斷步驟，則裂斷後之基板之端緣產生細微龜裂或破損而有玻璃基板強度低下之虞。

鑑於此課題，本發明係以提供一種刻劃方法及刻劃裝置做為目的，於密封材之正上以及正下之位置形成刻劃線之情形，能夠於基板形成充分深度之裂紋。

本案發明者們反覆的嘗試錯誤，發現於密封材之正上以及正 下之位置形成刻劃線之情形，藉由將於母基板之上面及下面之各刻劃位置於刻劃方向僅移動既定距離，產生較各基板深之裂紋。

本發明之第1樣態係關於一種刻劃方法，於將第1基板及第2基板藉由密封材貼合而形成之母基板形成刻劃線。本樣態之刻劃方法係，於前述第1基板之表面之對向於前述密封材之位置一面將第1刀刃壓抵一面使前述第1刀刃沿著前述密封材移動，而於前述第1基板之表面形成刻劃線。又，與前述第1刀刃之移動並行，於前述第2基板之表面之自前述第1刀刃沿著前述密封材之方向上位移既定距離之位置一面將第2刀刃壓抵一面使前述第2刀刃沿著前述密封材移動，而於前述第2基板之表面形成刻劃線。

根據本樣態之刻劃方法，於密封材之正上以及正下之位置形成刻劃線之情形，能夠於母基板形成充分深度之裂紋。

在本樣態之刻劃方法中，理想為設定前述既定距離為0.5mm以上。若如此，則能夠使有效地裂紋之深度變深。

又，此形態之刻劃方法理想為，於前述第1基板之表面之對應前述第2刀刃之位置一面將第1輥壓抵一面使前述第1輥沿著前述密封材移動；且於前述第2基板之表面之對應前述第1刀刃之位置一面將第2輥壓抵一面使前述第2輥沿著前述密封材移動之方式構成。若如此，使裂紋之深度變深，且能夠使裂紋之形成狀況安定化。

本發明之第2樣態，係關於一種刻劃裝置，於將第1基板及第2基板藉由密封材黏合而成之母基板形成刻劃線。本樣態之刻劃裝置具備：第1刻劃頭，於前述第1基板之表面形成刻劃線；第2刻劃頭，於前 述第2基板之表面形成刻劃線；驅動部，使前述第1刻劃頭及前述第2刻劃頭與前述母基板平行地移動。前述第1刻劃頭係，以於前述第1基板之表面之對向於前述密封材之位置以第1刀刃壓抵之狀態下前述第1刀刃沿著前述密封材移動之方式被驅動；前述第2刻劃頭係，以與前述第1刻劃頭之驅動並行，且於前述第2基板之表面之自前述第1刀刃沿著前述密封材之方向上位移既定距離之位置以第2刀刃壓抵之狀態下前述第2刀刃沿著前述密封材移動之方式被驅動。

根據本樣態之刻劃裝置，與上述第1樣態之刻劃方法同樣，於密封材之正上以及正下之位置形成刻劃線之情形，能夠於母基板形成充分深度之裂紋。

在本樣態之刻劃方法中，理想為設定前述既定距離為0.5mm以上。若如此，則能夠使有效地裂紋之深度變深。

又，於本樣態之刻劃裝置中，能夠由以下方式構成：前述第1刻劃頭係，於前述第1基板之表面之對應前述第2刀刃之位置一面以第1輥壓抵一面使前述第1輥沿著前述密封材移動；且前述第2刻劃頭係，於前述第2基板之表面之對應前述第1刀刃之位置一面以第2輥壓抵一面使前述第2輥沿著前述密封材移動。若如此，使裂紋之深度進一步變深。

又，本樣態之刻劃裝置中，能夠由以下方式構成：前述第1刻劃頭具備：第1刻劃工具，將前述第1刀刃及前述第1輥之兩方保持；前述第2刻劃頭具備：第2刻劃工具，將前述第2刀刃及前述第2輥之兩方保持。若如此，僅將刻劃工具進行安裝，能夠將刀刃及輥以所希望之間隔定位。

又，於本樣態之刻劃裝置中，能夠以如下構成：前述第1刀刃及前述第2刀刃分別由於圓板之外周形成V字狀之刀尖，且於前述刀尖之稜線以既定之間隔具有溝槽之刻劃輪所構成。如下所示之實施形態中，藉由此種刀刃進行實驗且確認深入產生裂紋。

如上所述，根據本發明，能夠提供一種刻劃方法及刻劃裝置，於密封材之正上以及正下之位置形成刻劃線之情形，能夠於基板形成充分的深度之裂紋。

本發明之效果至意義，藉由以下所示之實施形態之說明進一步明確。

但是，以下所示之實施形態，當然只是本發明進行實施化時之一個例示，本發明並非限制於以下之實施形態所記載。

1‧‧‧刻劃裝置

2‧‧‧刻劃頭

30、40‧‧‧刻劃工具

301、401‧‧‧刻劃輪

302、402‧‧‧輥

G‧‧‧母基板

G1、G2‧‧‧玻璃基板

圖1係以示意表示實施形態之刻劃裝置之構成之圖。

圖2係表示實施形態之刻劃頭之構成之分解立體圖。

圖3係表示實施形態之刻劃頭之構成之立體圖。

圖4係說明實施方式之刻劃方法之圖。

圖5係表示實施形態之刻劃方法進行之實驗結果之圖。

圖6係說明實施形態之另一刻劃方法之圖。

圖7係表示實施形態之另一刻劃方法進行之實驗結果之圖。

圖8係表示實施形態之刻劃工具之構成之立體圖。

圖9係以示意表示實施形態之刻劃工具之安裝方法之圖。

圖10係表示變更例之刻劃工具之構成之立體圖。

圖11係以示意表示變更例之刻劃工具之構成之圖。

以下，關於本發明之實施形態，參照圖面進行說明。再者，於各圖，方便起見，注記有互相正交之X軸、Y軸及Z軸。X-Y平面於水平面平行，Z軸方向為鉛直方向。

<刻劃裝置>

圖1(a)、(b)係以示意表示刻劃裝置1之構成之圖。圖1(a)係自Y軸之正側觀察刻劃裝置1之圖。圖1(b)係自X軸之正側觀察刻劃裝置1之圖。

參照圖1(a)，刻劃裝置1具備：輸送帶11、支柱12a、12b、導件13a、13b、導件14a、14b、滑動單元15、16、兩個刻劃頭2。

如圖1(b)所示，輸送帶11，係於Y軸方向延伸設於除了配置有刻劃頭2之處。在輸送帶11上載置有母基板G。母基板G具有一對玻璃基板互相貼合之基板構造。母基板G藉由輸送帶11於Y軸方向被運送。

支柱12a、12b，係於刻劃裝置1之基座將輸送帶11夾持而垂直地設置。導件13a、13b及導件14a、14b，係分別以成為於X軸方向平行之方式架設於支柱12a、12b之間。滑動單元15、16，係分別滑動自在地設於導件13a、13b、導件14a、14b。於導件13a、13b及導件14a、14b分別設有既定的驅動機構，且藉由此驅動機構，滑動單元15、16於X軸方向移動。

於滑動單元15、16，分別裝設有刻劃頭2。於Z軸正側之刻劃頭2與Z軸負側之刻劃頭2分別以與母基板G對向之方式安裝有刻劃工 具30、40。以被保持於刻劃工具30、40之刻劃輪按壓於母基板G之表面之狀態，刻劃頭2於X軸方向移動。藉此，於母基板G之表面形成刻劃線。

<刻劃頭>

圖2係表示刻劃頭2之一部分之分解立體圖。圖3係表示之刻劃頭2之構成之立體圖。

參照圖2，刻劃頭2具備：升降機構21、刻劃線形成機構22、基座板23、頂板24、底板25、橡膠框26、外蓋27、伺服馬達28。

升降機構21具備：連結於伺服馬達28之驅動軸之圓筒凸輪21a，及形成於升降部21b之上面之從動件21c。升降部21b，係透過滑動件(未圖示)於基座板23可於上下方向移動地被支持，且藉由彈簧21d於Z軸正方向施力。藉由彈簧21d之施力，從動件21c被按壓於圓筒凸輪21a之下面。升降部21b連結於刻劃線形成機構22。若藉由伺服馬達28轉動圓筒凸輪21a，則藉由圓筒凸輪21a之凸輪作用升降部21b進行升降，伴隨此，刻劃線形成機構22進行升降。於刻劃線形成機構22之下端裝設有刻劃線工具30、40。

橡膠框26係不透氣之彈性構件。橡膠框26具有嵌入於基座板23之槽23a、頂板24之槽24a及底板25之槽25a之形狀。在橡膠框26係裝設於槽23a、24a、25a之狀態，橡膠框26之表面較基座板23、頂板24及底板25之側面燒為向外側突出。

外蓋27具有前面部27a、右側面部27b及左側面部27c之三個板部折彎之形狀。於前面部27a之上下端緣形成有兩個孔27f。

在橡膠框26嵌入於槽23a、24a、25a之狀態，外蓋27之右 側面部27b與左側面部27c以於外側撓曲之方式變形，且外蓋27安裝於基座板23、頂板24及底板25。在此狀態，透過於前面部27a之上下端緣形成之兩個孔27f，螺絲被擰入頂板24及底板25。進而，羅斯被擰入於形成在基座板23、頂板24及底板25之槽23a、24a、25a之略外側之螺絲孔。藉此外蓋27藉由基座板23、頂板24及底板25與螺絲之頭部被夾住，且右側面部27b及左側面部27c之周緣部被按壓於橡膠框26。從而如圖3所示刻劃頭2被組裝。

如圖1(a)所示，兩個刻劃頭2分別被配置於母基板G之上下。兩個刻劃頭2成為相同構成。裝設於兩個刻劃頭2之刻劃工具30、40，係因應刻劃方法而變更。以下所示之兩個刻劃方法中，在刻劃方法1，使用僅保持刻劃輪301、401之刻劃工具30、40。又，在刻劃方法2，使用保持刻劃輪301、401與輥302、402之刻劃工具30、40。

以下，對此等兩個刻劃方法進行說明。

<刻劃方法1>

圖4(a)~(c)係說明本實施形態之刻劃方法之圖。圖4(a)係自Y軸負側觀察刻劃位置附近時之示意圖，圖4(b)係自X軸正側觀察刻劃位置附近時之示意圖，圖4(c)係自Y軸正側觀察刻劃位置附近時之示意圖。

如圖4(a)所示，在本刻劃方法，以上側(Z軸正側)之刻劃頭2之刻劃輪301，較下側(Z軸負側)之刻劃頭2之刻劃輪401，於刻劃方向(X軸正方向)僅距離W1為前之方式移動而兩個刻劃輪301、401。兩個刻劃輪301、401分別以軸301a、401a作為旋轉軸可旋轉地安裝有刻劃工具30、40。

參照圖4(b)，母基板G，係透過密封材SL而將兩個玻璃基板G1、G2黏合所構成。於玻璃基板G1形成有濾色片(CF)，且於玻璃基板G2形成有薄膜電晶體(TFT)。藉由密封材SL及兩個玻璃基板G1、G2，形成液晶注入區域R，且於此液晶注入區域注入液晶。兩個刻劃輪301、401，係於Y軸方向不互相偏移而定位。刻劃輪301，係於密封材SL之正上位置按壓於玻璃基板G1之表面，刻劃輪401，係於密封材SL之正下位置按壓於玻璃基板G2之表面。

如圖4(c)所示，密封材SL係格子狀地配置。兩個刻劃輪301、401，係沿著密封材SL而於X軸正方向移動。藉此，如圖4(b)、(c)所示，於玻璃基板G1、G2之表面分別形成有L1、L2。

於圖4(a)~(c)所示之刻劃方法，未設有對與刻劃輪301相反側(Z軸負側)之母基板G之表面進行按壓之輥，又，亦未設有對與刻劃輪401相反側(Z軸正側)之母基板G之表面進行按壓之輥。

<實驗1>

本案發明者等，係遵從圖4(a)~(c)所示之刻劃方法而進行於母基板G形成刻劃線之實驗。以下，對該實驗及實驗結果進行說明。

實驗中，使用將厚度分別為0.2mm之玻璃基板G1、G2透過密封材SL黏合之基板(母基板)。黏合基板(母基板)之尺寸為118mm×500mm。刻劃輪301、401係使用三星鑽石工業股份有限公司製，MicroPenett(三星鑽石工業股份有限公司之註冊商標)。刻劃輪301、401，係分別成為於圓板之外周形成V字形之刀尖並且於刀尖之稜線以既定間隔具有槽之構造。刻劃輪301、401，係直徑3mm，刀尖角度110°，槽的個數550，槽深度3μm。

將該構成之刻劃輪301、401分別如圖4(a)~(c)所示之方式一面按壓於玻璃基板G1、G2一面使移動而進行刻劃動作。

於刻劃動作時控制施加於刻劃輪301、401之荷重為6.5N。又，刻劃輪301、401之移動速度係使其為一定(200mm/sec)。

基於以上條件，一面使兩個刻劃輪301、401間之距離W1變化，一面測量於玻璃基板G1、G2之裂紋之滲透量。作為比較例，亦測量刻劃輪301、401間之距離W1為0之情形之裂紋之滲透量。於各測量中，裂紋之滲透量以外，亦一併測量肋狀標記。

於圖5(a)~(e)表示有實驗結果。圖5(a)係以數值表示裂紋滲透量與肋狀標記量之圖，圖5(b)~(e)係於刻劃線上之母基板G之剖面照片，分別係距離W1為0.4mm、0.6mm、0.8mm、1.0mm之情況。圖5(b)~(e)中，示有D1、D3為肋狀標記量，D2、D4為裂紋滲透量。

參照圖5(a)，若距離W1超過0.6mm，則相較距離W1為0mm之情況，玻璃基板G1之裂紋滲透量變得較大。若於玻璃基板G1、G2中任一方以較大之滲透量產生裂紋，則於裂斷步驟，可對母基板G進行適切地分斷。

例如，如比較例(W1=0mm)所示，若於玻璃基板G1、G2之裂紋量為小，同時為玻璃基板G1、G2之厚度(0.2mm)之一半之程度，則於裂斷步驟，需要從母基板G之兩側將玻璃基板G1、G2分別裂斷。若進行如上述從母基板G之兩側將玻璃基板G1、G2分別裂斷之動作，則玻璃基板G1、G2之邊緣產生細微的龜裂或破損，而有玻璃基板G1、G2之強度低下之虞。

相對於此，距離W1為0.6mm~1.4mm之情形，於玻璃基板G2之裂紋滲透量為小，同時於玻璃基板G1之裂紋滲透量為大之情形，於裂斷步驟，若裂紋滲透量為小之玻璃基板G2僅從母基板G之一方側進行裂斷之動作為佳，此裂斷動作時，產生較深的裂紋之玻璃基板G1亦同時沿著裂紋被分斷。若如上述僅從母基板G之一方側使玻璃基板G1、G2裂斷，則玻璃基板G1、G2之邊緣不會產生細微的龜裂或破損，而高度保持玻璃基板G1、G2之強度。

從以上之理由，於母基板G之分斷，期望於玻璃基板G1、G2任一方以較大滲透量產生裂紋。於本實驗，如圖5(a)所示，兩個刻劃輪301、401間之距離W1若超過0.6mm，則相較比較例(W1=0mm)，玻璃基板G1之裂紋滲透量變得較大。由此，期望兩個刻劃輪301、401間之距離W1為0.6mm以上。藉由如上所述將兩個刻劃輪301、401間之距離W1設定，可適切地進行母基板G之裂斷。

<刻劃方法2>

於如圖4(a)~(c)所示之刻劃方法(刻劃方法1)，與刻劃輪301相反側(Z軸負側)之母基板G之表面未以輥壓抵，又，與刻劃輪401相反側(Z軸正側)之母基板G之表面亦未以輥壓抵。相對於此，於本刻劃方法，與刻劃輪301相反側(Z軸負側)之母基板G之表面，及與刻劃輪401相反側(Z軸正側)之母基板G之表面，分別藉由輥壓抵。

圖6(a)、(b)係說明刻劃方法2之圖。圖6(a)係自Y軸負側觀察刻劃位置附近時之示意圖。圖6(b)係自X軸正側觀察刻劃位置附近時之示意圖。

如圖6(a)所示，於本刻劃方法，與刻劃輪301相反側(Z軸負側)之母基板G之表面被兩個輥402壓抵，又，與刻劃輪401相反側(Z軸正側)之母基板G之表面被兩個輥302壓抵。兩個輥302，係以夾持刻劃輪301之方式配置，且以軸302a作為旋轉軸成為可旋轉。又，兩個輥402，係以夾持刻劃輪401之方式配置，且以軸402a作為旋轉軸成為可旋轉。

與刻劃方法1同樣，兩個刻劃輪301、401，於刻劃方向(X軸方向)僅偏移W1。兩個刻劃輪301、401，分別一面壓抵於玻璃基板G1、G2，一面沿著密封材SL移動。刻劃輪301與兩個輥302之間，有Y軸方向之間隙，且刻劃輪401與兩個輥402之間，亦有Y軸方向之間隙。因此，輥302、402，係以跨越藉由刻劃輪301、401而形成之刻劃線L1、L2之方式而於X軸正方向移動。

<實驗2>

本案發明者等，係遵從圖6(a)、(b)所示之刻劃方法而進行於母基板G形成刻劃線之實驗。以下，對該實驗及實驗結果進行說明。

於本實驗使用之母基板G與刻劃輪301、401係與上述實驗1相同。於本實驗，將刻劃輪301、401間之距離W1設定為2.2mm。又，刻劃輪301、401之移動速度係使其為一定(200mm/sec)。相對於上側之刻劃頭2之荷重中心之刻劃輪301之偏心量為1.0mm，相對於下側之刻劃頭2之荷重中心之刻劃輪401之偏心量為3.2mm。

刻劃輪301、401之軸301a、401a之中心位置，分別與輥302、402之軸302a、402a之中心位置於Z軸方向一致，且輥302、402之直徑，分別與劃輪301、401之直徑相同設定為3mm。

基於以上條件，一面使施加於刻劃工具30、40之荷重變化，一面測量於玻璃基板G1、G2之裂紋滲透量。

於圖7(a)~(e)表示有實驗結果。圖7(a)係以數值表示裂紋滲透量與肋狀標記量之圖，圖7(b)~(e)係於刻劃線上之母基板G之剖面照片，分別係荷重為6N、7N、8N、9N之情況。圖7(b)~(e)中，示有D1、D3為肋狀標記量，D2、D4為裂紋滲透量。

參照圖7(a)，若荷重從5N變化為6N，則可得知於玻璃基板G1之裂紋滲透量急遽地增加。又，若荷重超過6N，則玻璃基板G1之裂紋滲透量超過玻璃基板G1之厚度(0.2mm)的80%，且於玻璃基板G1由滲透量產生大量裂紋。如上所述，若於玻璃基板G1、G2中任一方以較大之滲透量產生裂紋，則於裂斷步驟，可對母基板G進行適切地分斷。故，於刻劃方法2，期望施加於刻劃工具30、40之荷重設定為6N以上。

再者，於本實驗，相較於上述實驗1，對於玻璃基板G1之裂紋滲透量進一步變大。故，對於使裂紋滲透量變大之同時安定地形成裂紋，如刻劃方法2，期望於與母基板G之刻劃輪301、401相反側之面以輥402、302進行按壓。

<刻劃工具>

圖8(a)、(b)，係分別表示刻劃工具30、40之構成之立體圖。

刻劃工具30、40，係除了刻劃輪301、401與輥302、402之排列順序以外，具有相同之構成。刻劃工具30、40，分別具備保持刻劃輪301、401與輥302、402之保持具303、403。保持具303、403具備：安裝有刻劃輪301、401之槽303a、403a、安裝有輥302、402之槽303b、403b、傾 斜面303c、403c。刻劃輪301、401，係藉由將軸301a、401a崁入保持具303、403之孔而安裝。輥302、402，係藉由將軸302a、402a崁入保持具303、403之孔而安裝。

圖9(a)、(b)係以示意表示對於刻劃線形成機構22之刻劃工具30之安裝方法之圖。於圖9(a)、(b)示有刻劃線形成機構22之內部透視之狀態。

於刻劃線形成機構22之下端，設有保持刻劃工具30之保持部221，且於該保持部221形成有可將刻劃工具30插入之孔222。孔222之底設置有磁石224，且孔222之中間位置設有銷223。刻劃工具30之保持具303係由強磁性體所形成。

於刻劃線形成機構22安裝有刻劃工具30之情形，刻劃工具30之保持具303被插入至保持部221之孔222。保持具303之上端若接近磁石224，則保持具303被磁石吸附。此時，保持具303之傾斜面303c抵接於銷223，且保持具303被定位於常規位置。由此，如圖9(b)所示，刻劃工具30安裝於刻劃線形成機構22之下端。

刻劃工具40亦同樣，安裝於刻劃線形成機構22之下端。由此，若刻劃工具30、40分別安裝於對應之刻劃頭2之刻劃線形成機構22，則如圖6(a)、(b)所示，於刻劃輪301對應之位置定位輥402，且於刻劃輪401對應之位置定位輥302。若使用圖8(a)、(b)所示之構成之刻劃工具30、40，則刻劃工具30、40僅由分別安裝於對應之刻劃頭2之刻劃線形成機構22，而使刻劃輪301與刻劃輪401之距離W1保持既定距離，同時可使刻劃輪301、401與輥402、302互相定位校準。

再者，上述實驗2，係使用圖8(a)、(b)所示之構成之刻劃工具30、40而進行。又，上述實驗1，係從保持具303、403省略槽303b、403b，且於僅具有槽303b、403b之保持具，分別使用安裝有刻劃輪301、401之刻劃工具30、40而進行。

<實施形態之效果>

根據本實施形態，可發揮以下效果。

正如實驗1、2所示，於密封材SL之正上位置，可由較深之裂紋形成刻劃線L1。尤其是如刻劃方法2，藉由設有輥302、402，使裂紋滲透量進一步變大，同時安定地形成裂紋。

<變更例>

以上，雖對於本發明之實施形態進行說明，但本發明不被限制於上述實施形態，又，本發明之實施形態亦可為上述形態以外之各種變更。

例如，於上述實施形態，使用於刀尖之稜線以一定間隔形成槽之刻劃輪，但可想而知，使用未於稜線形成槽之刻劃輪亦可發揮同樣的效果。刻劃輪(刀尖)之大小或形狀不僅限制於上述實施形態所記載，可適當地使用其他的大小或形狀、種類之刀尖。

又，於上述實施形態，使母基板G之上側之刻劃輪301相對於母基板下側之刻劃輪401於刻劃方向為前，但使母基板G之下側之刻劃輪301相對於母基板上側之刻劃輪401於刻劃方向為前亦為佳。此情形亦能發揮與上述同樣的效果。

又，於圖6(a)、(b)及圖8(a)、(b)之構成，因距離W1為小，兩個輥302以夾持刻劃輪301之方式，而配置兩個輥302與刻劃輪301。但 是，距離W1為大之情形，兩個輥302不夾持刻劃輪301而配置兩個輥302與刻劃輪301。

圖10(a)、(b)係以示意表示距離W1為大之情形之其他構成例之圖。

於此構成例，使用於Y方向幅寬之一個輥304、404。輥303、404形成為可於軸304a、404a之周圍旋轉。於輥304、404之外周，於Y軸方向之中央位置，遍及整個周緣而形成有槽304b、404b。藉由如此方式形成304b、404b，與圖6(a)、(b)及圖8(a)、(b)之構成同樣，使由刻劃輪301、401形成之刻劃線L1、L2能夠避免被輥304、404踩踏。

於圖10(a)、(b)之構成，由於距離W1為大，相較於圖8(a)、(b)之構成，刻劃工具30、40之保持具303、403之下部成為於X軸方向幅寬。但是，如圖9(b)所示，保持具303、403之下部，因自刻劃線形成機構22之下端露出，保持具303、403之下部即使成為於X軸方向幅寬，亦對於刻劃線形成機構22能夠不阻礙刻劃工具30、40而安裝。

再者，於圖10(a)、(b)之構成，若槽304b、404b為深，則成為可於槽304b、404b內使刻劃輪301、401之外周部進入。此情形，與圖6(a)之情形同樣，於Y軸方向觀察，刻劃輪301、401之一部分與輥304、404重疊。如上所述，使槽304b、404b為深，而藉由使刻劃輪301、401之外周部進入槽304b、404b內，可使寬W1變窄。

又，於圖6(a)、(b)及圖8(a)、(b)之構成，刻劃輪301、401之軸301a、401a之中心位置，分別與輥302、402之軸302a、402a之中心位置於Z軸方向一致，且刻劃輪301、401之直徑，分別使其與輥302、402之 直徑相同。但是，刻劃輪301、401與輥302、402之關係並不限定於此，能夠有其他各種變更。

例如，如圖11(a)所示，刻劃輪301之直徑較輥302之直徑僅較大Δd1亦為佳，或者，如圖11(b)所示，刻劃輪301之直徑較輥302之直徑僅較小Δd2亦為佳。又，如圖11(c)所示，刻劃輪301之軸301a之中心位置較輥302之軸302a之中心位置於Z軸負方向僅Δd3偏移亦為佳，或者，如圖11(d)所示，刻劃輪301之軸301a之中心位置較輥302之軸302a之中心位置於Z軸正方向僅Δd4偏移亦為佳。關於刻劃輪401與輥402亦能夠同樣地變更。

再者，於圖11(b)、(d)之構成例，輥302之下端由於較刻劃輪301之下端為下側，於刻劃動作時，輥302更強力的抵壓於玻璃基板G1。若輥如此強力的抵壓，則玻璃基板G1向Z軸方向撓曲，藉此，於玻璃基板G1之背面承受打開裂紋之方向之拉伸力。因此，於輥302所抵壓之玻璃基板G1之部分之背面，若抵壓另一方之刻劃輪401之刀尖，則藉由此拉伸力使裂紋變得容易深入。因此，於圖11(b)、(d)之構成例，可想而知藉由對應輥302之背側之刻劃輪401，能形成更深的裂紋。

再者，於圖10(a)、(b)之構成例，亦與上述同樣，調整刻劃輪301、401與輥302、402之直徑，或者調整刻劃輪301、401之軸301a、401a之中心位置與輥302、402之軸302a、402a之中心位置亦為佳。

又，於圖6(a)、(b)及圖8(a)、(b)之構成，於刻劃輪301、401之兩側，配有一對輥302、402，但僅於刻劃輪301、401之單側配有一個輥302、402之構成亦可想而知。

此外，母基板G之構成、厚度、材質等，並不限定於上述實施形態所示，於其他構成之母基板G之切斷，亦能夠使用上述刻劃方法1、2及刻劃裝置。

本發明之實施形態，可於申請專利範圍所示之技術思想範圍內適當的進行各種變更。

Claims (6)

1. 一種刻劃方法，將刻劃線形成於將第1基板及第2基板藉由密封材黏合而成之母基板，其特徵在於：於前述第1基板之表面之對向於前述密封材之位置一面將第1刀刃壓抵一面使前述第1刀刃沿著前述密封材移動，而於前述第1基板之表面形成刻劃線；與前述第1刀刃之移動並行，於前述第2基板之表面之自前述第1刀刃沿著前述密封材之方向位移既定距離之位置一面將第2刀刃壓抵一面使前述第2刀刃沿著前述密封材移動，而於前述第2基板之表面形成刻劃線；其中，前述既定距離被設定為0.6mm以上。
2. 如申請專利範圍第1項之刻劃方法，其中，於前述第1基板之表面之對應前述第2刀刃之位置一面將第1輥壓抵一面使前述第1輥沿著前述密封材移動；於前述第2基板之表面之對應前述第1刀刃之位置一面將第2輥壓抵一面使前述第2輥沿著前述密封材移動。
3. 一種刻劃裝置，於將第1基板及第2基板藉由密封材黏合而成之母基板形成刻劃線，其特徵在於，具備：第1刻劃頭，於前述第1基板之表面形成刻劃線；第2刻劃頭，於前述第2基板之表面形成刻劃線；驅動部，使前述第1刻劃頭及前述第2刻劃頭與前述母基板平行地移動；前述第1刻劃頭係，以於前述第1基板之表面之對向於前述密封材之 位置以第1刀刃壓抵之狀態下前述第1刀刃沿著前述密封材移動之方式被驅動；前述第2刻劃頭係，以與前述第1刻劃頭之驅動並行，且於前述第2基板之表面之自前述第1刀刃沿著前述密封材之方向位移既定距離之位置以第2刀刃壓抵之狀態下前述第2刀刃沿著前述密封材移動之方式被驅動；其中，前述既定距離被設定為0.6mm以上。
4. 如申請專利範圍第3項之刻劃裝置，其中，前述第1刻劃頭係，於前述第1基板之表面之對應前述第2刀刃之位置一面以第1輥壓抵一面使前述第1輥沿著前述密封材移動；前述第2刻劃頭係，於前述第2基板之表面之對應前述第1刀刃之位置一面以第2輥壓抵一面使前述第2輥沿著前述密封材移動。
5. 如申請專利範圍第4項之刻劃裝置，其中，前述第1刻劃頭具備：第1刻劃工具，將前述第1刀刃及前述第1輥之兩方保持；前述第2刻劃頭具備：第2刻劃工具，將前述第2刀刃及前述第2輥之兩方保持。
6. 如申請專利範圍第3至5項中任一項之刻劃裝置，其中，前述第1刀刃及前述第2刀刃分別由於圓板之外周形成V字狀之刀尖且於前述刀尖之稜線以既定之間隔具有溝槽之刻劃輪所形成。